WO2010022916A1 - Verfahren zur herstellung von keramischen passivierungsschichten auf silizium für solarzellenfertigung - Google Patents

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Klaus Rode
Hartmut Wiezer
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Definitions

  • the present invention relates to a method for producing a passivation layer on crystalline silicon for producing solar cells by converting a thin (10 - 200 nm) coating containing as a main component perhydropolysilazane (hereinafter called PHPS) or an organic polysilazane and during the conversion as a hydrogen source for volume passivation.
  • PHPS perhydropolysilazane
  • the conversion takes place at temperatures of 200 to 1000 ° C.
  • photovoltaics as an alternative technology for energy supply is very important.
  • the production costs of photovoltaic modules must be minimized.
  • the efficiency of solar modules must be increased and more cost-effective production technologies developed.
  • dielectric layers of thermally grown SiO 2 or PECVD SiNx are applied.
  • the application takes place on the n-type silicon layer and can additionally take place on the p-type silicon layer (backside passivation).
  • hydrogen offers the possibility to deactivate volume defects such as strained bonds or charged impurities and thus to improve the electrical properties of solar cells.
  • the volume passivation of silicon solar cells takes place by diffusion from hydrogen-rich layers.
  • JP 05243212 A describes polysilazane films with good covering properties and their use for coating semiconductor devices. By sintering and oxidation at relatively low temperatures, a passivation layer consisting of a fine hygroscopic silicon oxide film is formed.
  • JP-A-2005033063 polysilazane which is applied to Silikoneinkristallsubstraten at normal temperatures with the spin-coating method and then at 600 - 800 0 C are fired in an atmosphere containing nitrogen. In this way, it is possible to produce a low-reflection film on a silicon nitride solar cell as a main component.
  • the present invention solves the problem and relates to a method for the passivation of crystalline silicon with polysilazanes, by
  • R 1 , R ", R” 1 are the same or different and are independently hydrogen or an optionally substituted alkyl, aryl, vinyl or (trialkoxysilyl) alkyl radical, wherein n is an integer and n is so dimensioned that the polysilazane has a number-average molecular weight of 150 to 150,000 g / mol,
  • R ', R ", R'" independently of one another represent a radical from the group hydrogen, methyl, ethyl, propyl, iso-propyl, butyl, iso-butyl, tert-butyl, phenyl , ToIyI, vinyl or 3- (triethoxysilyl) -propyl, 3- (trimethoxysilylpropyl).
  • the coating according to the invention contains polysilazanes of the formula (2)
  • R ', R ", R” 1 , R *, R * * and R * * * independently represent hydrogen or an optionally substituted alkyl, aryl, vinyl or (trialkoxysilyl) alkyl radical, where n and p are so dimensioned that the polysilazane has a number average molecular weight of 150 to 150,000 g / mol.
  • R ', R'"and R *** are hydrogen and R", R * and R ** are methyl;
  • R ', R' "and R *** are hydrogen and R", R * is methyl and R ** is vinyl;
  • R ', R " ⁇ R * and R * ** are hydrogen and R" and R ** are methyl.
  • R ", R”, R '", R *, R **, R * **, R 1 , R 2 and R 3 independently of one another represent hydrogen or an optionally substituted alkyl, aryl, vinyl or (trialkoxysilyl) alkyl radical, where n, p and q are dimensioned such that the 5
  • Polysilazane has a number average molecular weight of 150 to 150,000 g / mol.
  • R ', R " 1 and R *** are hydrogen and R"
  • R * , R ** and R 2 are methyl
  • R 3 is (triethoxysilyl) propyl and R 1 is alkyl or hydrogen
  • the proportion of polysilazane in the solvent is 1-80% by weight of polysilazane, preferably 2-50% by weight, particularly preferably 3-10% by weight.
  • Particularly suitable solvents are organic, preferably aprotic, solvents which contain no water and no reactive groups such as hydroxyl or amino groups and which are inert to the polysilazane.
  • examples are aromatic or aliphatic hydrocarbons and mixtures thereof.
  • aliphatic or aromatic hydrocarbons such as aliphatic or aromatic hydrocarbons, halogenated hydrocarbons, esters such as ethyl acetate or butyl acetate, ketones such as acetone or methyl ethyl ketone, ethers such as tetrahydrofuran or dibutyl ether, and mono- and polyalkylene glycol dialkyl ethers (glymes) or mixtures of these solvents.
  • Additional constituents of the polysilazane solution may be catalysts, such as organic amines, acids and metals or metal salts or mixtures of these compounds, which accelerate the film formation process.
  • the catalysts are preferably used in amounts of 0.001 to 10%, in particular 0.01 to 6%, particularly preferably 0.1 to 3%, based on the weight of the polysilazane.
  • Further constituents may be additives for substrate wetting and film formation or inorganic nanoparticles such as, for example, SiO 2 , TiO 2 , ZnO, ZrO 2 or Al 2 O 3 .
  • the layers produced preferably have a layer thickness of 10 to 200 nm.
  • the layers produced have a hydrogen content which is driven out of the layer with increasing ceramization temperature.
  • the inventive method it is possible from the applied amorphous polysilazane in a first step at temperatures of 200 - 1000 0 C to drive within 0.1 to 30 minutes the hydrogen from the layer and to convert it into a transparent ceramic phase.
  • the resulting ceramic phase has a different composition.
  • the release of the passivating hydrogen can take place in an air atmosphere and in a nitrogen atmosphere individually, consecutively or alternately.
  • the heat input can be carried out by a heatable furnace, which is operated under nitrogen or air and which is controllable from 200 to 1000 ° C.
  • the coatings according to the invention are thus suitable in addition to the surface passivation in addition to the hydrogen passivation of the silicon substrate. With the method known hitherto in the prior art, complicated vacuum processes are necessary for this purpose.
  • Substrates p-type silicon: The substrate used was 1 ⁇ cm FZ p-type silicon wafer with a thickness of 250 ⁇ m. After standard RCA cleaning, the different polysilazane layers were applied.
  • n-type silicon The POCI emitter diffusion on FZ silicon wafers of 250 nm thickness in a standard oven resulted in emitter layer resistances of 40 ⁇ / sq.
  • the lifetime was determined on the basis of the photoconductivity decrease (QSSPC) on a Sinton WCT-100 apparatus. The longer the life, the better the passivation.
  • the layer composition was carried out on a polysilazane powder which was ceramified under the same conditions as those on the silicon, respectively.
  • Table 1 :

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Abstract

Verfahren zur Herstellung von Passivierungsschichten auf kristallinem Silizium durch a) Beschichtung des Siliziums mit einer Lösung enthaltend mindestens ein Polysilazan der allgemeinen Formel (1): -(SiR'R"-NR'")-n, wobei R', R", R'" gleich oder unterschiedlich sind und unabhängig voneinander für Wasserstoff oder einen gegebenenfalls substituierten Alkyl-, Aryl, Vinyl oder (Trialkoxysilyl)alkyl-Rest stehen, wobei es sich bei n um eine ganze Zahl handelt und n so bemessen ist, dass das Polysilazan ein zahlenmittleres Molekulargewicht von 150 bis 150.000 g/mol aufweist, b) anschließendes Entfernen des Lösemittels durch Verdampfen, wodurch Polysilazanschichten der Dicke 50 - 500 nm auf dem Siliziumwafer verbleiben und c) erhitzen der Polysilazanschicht bei Normaldruck auf 200 - 1000 °C in Anwesenheit von Luft oder Stickstoff wobei die keramischen Schichten beim Tempern Wasserstoff zur Volumenpassivierung des Siliziums freisetzen.

Description

Verfahren zur Herstellung von keramischen Passivierungsschichten auf Silizium für die Solarzellenfertigung
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Passivierungsschicht auf kristallinem Silizium zur Herstellung von Solarzellen durch Umwandlung einer dünnen (10 - 200 nm) Beschichtung, die als Hauptbestandteil Perhydropolysilazane (des Weiteren PHPS genannt) oder ein organisches Polysilazan enthält und während der Umwandlung als Wasserstoffquelle für die Volumenpassivierung dient. Die Umwandlung erfolgt bei Temperaturen von 200 bis 1000 0C.
Angesichts der Verknappung fossiler Energiequellen, kommt der Photovoltaik als alternative Technologie zur Energiebereitstellung eine sehr große Bedeutung zu. Für eine starke und schnellere Verbreitung der Technologie müssen die Herstellungskosten photovoltaischer Module minimiert werden. Um diese Kosten zu senken, muss der Wirkungsgrad von Solarmodulen gesteigert werden und kostengünstigere Produktionstechnologien entwickelt werden.
Die Steigerung des Wirkungsgrades industriell gefertigter Solarzellen geschieht u. a. durch Unterbindung von elektrischen Verlusten, die zu einem sehr großen Teil in der Rekombination der Ladungsträger an Defekten des Siliziums im Volumen und an den Oberflächen stattfinden.
Zur Oberflächenpassivierung werden dielektrische Schichten aus thermisch gewachsenem SiO2 oder PECVD-SiNx aufgebracht. Die Aufbringung erfolgt auf der n-leitenden Silizium-Schicht und kann zusätzlich auf der p-leitenden Silizium Schicht erfolgen (Rückseitenpassivierung). Es ist bekannt, dass Wasserstoff die Möglichkeit bietet, Volumendefekte wie verspannte Bindungen oder geladene Störstellen zu deaktivieren und somit die elektrischen Eigenschaften von Solarzelle zu verbessern. Industriell erfolgt die Volumenpassivierung von Siliziumsolarzellen durch Diffusion aus wasserstoffreichen Schichten.
In Siliziumnitrid- und Siliziumdioxidschichten, die industriell in CVD-Verfahren erzeugt werden, wird bei der Abscheidung auf der Siliziumoberfläche Wasserstoff eingebaut. Als Wasserstoffquelle dient hierbei neben Wasserstoff auch Ammoniak (NH3) [64Widenborg, P.I., A.B. Sproul, and A.G. Aberle. Impurity and defect assivation in poly-Si films fabricated by aluminum-induced crystallisation. in Proc. 3rd WC PVSEC. 2003. Osaka.) Bei vollständiger Dissoziation liefert NH3 drei Wasserstoffatome pro Molekül an Stelle der beiden Atome eines H2-Moleküls.
Durch Temperung, d. h. Erhitzen dieser Schichten auf Temperaturen > 600 0C, kommt es zur Diffusion des Wasserstoffs aus den Schichten in das Siliziumvolumen. Beim Siebdruck-Solarzellen-Prozess, findet die Wasserstoffdiffusion beim Feuern der Kontakte durch die wasserstoffhaltige Schicht auf der Si-Oberfläche statt.
Die Nachteile der Aufbringung von Passivierungsschichten durch CVD Technologien sind hohe Kosten für die aufwändige Vakuum-Technik und die Verwendung hochentzündlicher (SiH4, CH4, H2) und giftiger (NH3) Gase.
Die Verwendung von Polysilazanen zur Bildung von SiOx und Siliziumnitridschichten sind beschrieben.
JP 05243212 A beschreibt Polysilazanfilme mit guten Deckungseigenschaften und deren Verwendung zur Beschichtung von Halbleiter-Vorrichtungen. Durch Sinterung und Oxidation bei relativ niedrigen Temperaturen bildet sich eine Passivierungsschicht, die aus einem feinen hygroskopischen Siliziumoxidfilm besteht.
Ebenfalls ist die Bildung von Antireflexschichten aus Polysilazan bekannt. So beschreibt JP-A-2005033063 Polysilazanlösungen, die auf Silikoneinkristallsubstraten bei normalen Temperaturen mit der Spin-Coating- Methode aufgebracht und danach bei 600 - 800 0C in einer stickstoffhaltigen Atmosphäre gebrannt werden. Auf diese Weise ist es möglich einen reflexionsarmen Film auf einer Solarzelle mit Siliconnitrid als Hauptkomponente zu erzeugen.
Aufgabe ist es daher, ein Verfahren zur Passivierung von kristallinem Silizium für die Solarzellenherstellung zur Verfügung zu stellen, dass es erlaubt, unter Umgehung der teuren Vakuumtechniken auf einfache und wirtschaftliche Weise eine Oberflächen- und Volumenpassivierung von Silizium durchzuführen.
Die vorliegende Erfindung löst die Aufgabe und betrifft ein Verfahren zur Passivierung von kristallinem Silizium mit Polysilazanen, durch
a) Beschichten eines Siliziumwafers mit einer Lösung enthaltend mindestens ein Polysilazan oder eine Mischung von Polysilazanen der allgemeinen Formel 1 ,
-(SiR'R"-NR'")n- (1 )
wobei R1, R", R"1 gleich oder unterschiedlich sind und unabhängig voneinander für Wasserstoff oder einen gegebenenfalls substituierten Alkyl-, Aryl, Vinyl oder (Trialkoxysilyl)alkyl-Rest stehen, wobei es sich bei n um eine ganze Zahl handelt und n so bemessen ist, dass das Polysilazan ein zahlenmittleres Molekulargewicht von 150 bis 150.000 g/mol aufweist,
b) anschließendes Entfernen des Lösemittels durch Verdampfen, wodurch Polysilazanschichten der Dicke 50 - 500nm auf dem Siliziumwafer verbleiben und
c) erhitzen der Polysilazanschicht bei Normaldruck auf 200 - 1000 0C in Anwesenheit von Luft oder Stickstoff wobei die keramischen Schichten beim
Tempern Wasserstoff zur Volumenpassivierung des Siliziums freisetzen. In einer bevorzugten Ausführungsform enthält die erfindungsgemäße Beschichtung mindestens ein Perhydropolysilazan (wobei R',R",R'"= H sind).
Besonders geeignet sind dabei solche Polysilazane, in denen R', R", R'" unabhängig voneinander für einen Rest aus der Gruppe Wasserstoff, Methyl, Ethyl, Propyl, iso- Propyl, Butyl, iso-Butyl, tert.-Butyl, Phenyl, ToIyI, Vinyl oder 3-(Triethoxysilyl)-propyl, 3-(Trimethoxysilylpropyl) stehen.
In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform enthält die erfindungsgemäße Beschichtung Polysilazane der Formel (2),
-(SiR'R"-NR"')n-(SiR*R**-NR***)p - (2)
wobei R', R", R"1, R*, R** und R*** unabhängig voneinander für Wasserstoff oder einen gegebenenfalls substituierten Alkyl-, Aryl-, Vinyl oder (Trialkoxysilyl)alkyl-Rest stehen, wobei n und p so bemessen sind, dass das Polysilazan ein zahlenmittleres Molekulargewicht von 150 bis 150.000 g/mol aufweist.
Insbesondere bevorzugt sind Verbindungen in denen
R', R'" und R*** für Wasserstoff und R", R* und R** für Methyl stehen;
R', R'" und R*** für Wasserstoff und R", R* für Methyl und R** für Vinyl stehen;
R', R"\ R* und R*** für Wasserstoff und R" und R** für Methyl stehen.
Ebenfalls bevorzugt werden Polysilazane der Formel (3) eingesetzt
-(SiR'R"-NR"')n-(SiR*R**-NR***)p-(SiR1, R2-NR3)q- (3)
wobei R", R", R'", R*, R**, R***, R1, R2 und R3 unabhängig voneinander für Wasserstoff oder einen gegebenenfalls substituierten Alkyl-, Aryl-, Vinyl oder (Trialkoxysilyl)alkyl-Rest stehen, wobei n, p und q so bemessen sind, dass das 5
Polysilazan ein zahlenmittleres Molekulargewicht von 150 bis 150.000 g/mol aufweist.
Insbesondere bevorzugt sind Verbindungen in denen R', R"1 und R*** für Wasserstoff und R", R*, R** und R2 für Methyl, R3 für (Triethoxysilyl)propyl und R1 für Alkyl oder Wasserstoff stehen.
Im Allgemeinen beträgt der Anteil von Polysilazan im Lösemittel 1 - 80 Gew.-% Polysilazan, bevorzugt 2 - 50 Gew.-%, besonders bevorzugt 3 - 10 Gew.-%.
Als Lösemittel eignen sich besonders organische, vorzugsweise aprotische Lösemittel, die kein Wasser sowie keine reaktiven Gruppen wie Hydroxyl- oder Aminogruppen enthalten und sich dem Polysilazan gegenüber inert verhalten. Beispiele sind aromatische oder aliphatische Kohlenwasserstoffe und deren Mischungen.
Dabei handelt es sich beispielsweise um aliphatische oder aromatische Kohlenwasserstoffe, Halogenkohlenwasserstoffe, Ester wie Ethylacetat oder Butylacetat, Ketone wie Aceton oder Methylethylketon, Ether wie Tetrahydrofuran oder Dibutylether, sowie Mono- und Polyalkylenglykoldialkylether (Glymes) oder Mischungen aus diesen Lösemitteln.
Zusätzliche Bestandteile der Polysilazanlösung können Katalysatoren sein, wie beispielsweise organische Amine, Säuren sowie Metalle oder Metallsalze oder Gemische dieser Verbindungen, die den Schichtbildungsprozess beschleunigen. Die Katalysatoren werden vorzugsweise in Mengen von 0,001 bis 10 %, insbesondere 0,01 bis 6 %, besonders bevorzugt 0,1 bis 3 % bezogen auf das Gewicht des Polysilazans eingesetzt.
Weiterer Bestandteil können Additive für Untergrundbenetzung und Filmbildung sein oder anorganische Nanopartikel wie beispielsweise SiO2, TiO2, ZnO, ZrO2 oder AI2O3 sein. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es möglich eine dichte, glasartige Schicht, die sich aufgrund ihrer Riss und Porenfreiheit und des hohen Wasserstoffgehalts zur Passivierung auszeichnet, herzustellen.
Die hergestellten Schichten weisen vorzugsweise eine Schichtdicke von 10 bis 200 nm auf.
Die hergestellten Schichten weisen zu Beginn der Keramisierung einen Wasserstoffgehalt aus, der mit steigender Keramisierungstemperatur aus der Schicht getrieben wird.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren gelingt es aus den in einem ersten Schritt aufgebrachten amorphen Polysilazanschichten bei Temperaturen von 200 - 1000 0C innerhalb von 0,1 bis 30 Minuten den Wasserstoff aus der Schicht zu treiben und diese in eine transparente keramische Phase zu überführen. Je nach Keramisierungsbedingungen, ob an der Luft oder einer stickstoffhaltigen Atmosphäre hat die entstandene keramische Phase eine unterschiedliche Zusammensetzung.
Durch thermische Initiierung der Umwandlung des Polysilazangerüstes an Luft erfolgt die Wasserstoffpassivierung des Siliziumsubstrates unter Umwandlung in eine transparente keramische Phase der Zusammensetzung
SiuNvHwOx Cy (4)
wobei u, v, w, x, y Atom-% sind und je nach Keramisierungstemperatur Phasen der Zusammensetzung x > v gebildet werden, mit v < 1 und x < 1,3 und ungleich Null, sowie w = 2,5 - 0 und y < 0,5 wobei u jeweils 1 ist. Durch thermische Initiierung der Umwandlung des Polysilazangerüstes in einer Stickstoffatmosphäre erfolgt die Wasserstoffpassivierung des Siliziumsubstrates unter Umwandlung in eine transparente keramische Phase der Zusammensetzung
SiuNvHwOx Cy (4)
wobei u, v, w, x, y Atom-% sind und je nach Keramisierungstemperatur Phasen der Zusammensetzung v < 1 ,3 und x < 0,1 , sowie w = 2,5 - 0 und y < 0,2 gebildet werden, wobei u jeweils 1 ist.
Die Freisetzung des passivierenden Wasserstoffs kann erfindungsgemäß in einer Luft- und einer Stickstoffatmosphäre jeweils für sich, aufeinander folgend oder alternierend erfolgen.
Der Wärmeeintrag kann durch einen beheizbaren Ofen, der unter Stickstoff oder Luft betrieben wird und von 200 - 1000 0C regelbar ist, erfolgen.
Die erfindungsgemäßen Beschichtungen eignen sich somit neben der Oberflächenpassivierung zusätzlich zur Wasserstoffpassivierung des Siliziumsubstrats. Mit dem bisher im Stand der Technik bekannten Verfahren sind hierzu aufwändige Vakuumverfahren notwendig.
8
Beispiele
Beschichtungsverfahren: Spincoating
Keramisierung:
Umwandlung von Polysilazan in eine Keramik der Formel (4) erfolgte in einem Ofen bei 200 - 1000 0C der unter Luft oder Stickstoff betrieben werden kann. Die entstandenen Schichtdicken sind 10 - 200 nm.
Schichtdickenmessungen:
Die Messungen erfolgten mittels Ellipsometrie.
Substrate: p-Typ Silizium: Als Substrat wurde 1 Ω cm FZ p-Typ Silizium Wafer von 250 μm Dicke benutzt. Nach Standard RCA-Säuberung wurden die unterschiedlichen Polysilazanschichten aufgebracht.
n-Typ Silizium: Die POCI-Emitter Diffusion an FZ-Siliziumwafer von 250 nm Dicke erfolgte in einem Standard-Ofen führte zu Emitter-Schichtwiderständen von 40 Ω/sqr.
Bestimmung der Volumenpassivierung:
Die Lebensdauer wurde nach dem Prinzip der Abnahme der Photoleitfähigkeit (QSSPC) an einer Sinton Apparatur vom Typ WCT-100 bestimmt. Je größer die Lebensdauer, desto besser die Passivierung.
Bestimmung der Schichtzusammensetzung:
Die Schichtzusammensetzung wurde an einem Polysilazanpulver durchgeführt, dass jeweils unter den gleichen Bedingungen keramisiert wurde, wie auf dem Silizium. Tabelle 1:
Figure imgf000010_0001

Claims

10Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung von Passivierungsschichten auf kristallinem Silizium durch
a) Beschichtung des Siliziums mit einer Lösung enthaltend mindestens ein Polysilazan der allgemeinen Formel (1 )
-(SiR1R"-NRI")n- (1)
wobei R1, R", R'" gleich oder unterschiedlich sind und unabhängig voneinander für Wasserstoff oder einen gegebenenfalls substituierten Alkyl-, Aryl, Vinyl oder (Trialkoxysilyl)alkyl-Rest stehen, wobei es sich bei n um eine ganze Zahl handelt und n so bemessen ist, dass das Polysilazan ein zahlenmittleres Molekulargewicht von 150 bis 150.000 g/mol aufweist,
b) anschließendes Entfernen des Lösemittels durch Verdampfen, wodurch Polysilazanschichten der Dicke 50 - 500 nm auf dem Siliziumwafer verbleiben und
c) erhitzen der Polysilazanschicht bei Normaldruck auf 200 - 1000 0C in Anwesenheit von Luft oder Stickstoff wobei die keramischen Schichten beim Tempern Wasserstoff zur Volumenpassivierung des Siliziums freisetzen.
2. Verfahren nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass auf dem Substrat eine keramische Schicht
SiuNvHwOx Cy (4)
entsteht mit u = 1 ; v = 1 ,3 - 0; w = 3 - 0; x = 1 ,3 - 0; y = 1 ,5 - 0, 11
und die keramische Schicht als Wasserstoffdiffusionsquelle für die Volumenpassivierung dient.
3. Verfahren nach Anspruch 1 und/oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Polysilazanlösung mindestens ein Perhydropolysilazan (mit R', R" und R'" = H) enthält.
4. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche dadurch gekennzeichnet, dass die Beschichtung in Anwesenheit von Luft stattfindet und Phasen der Zusammensetzung x > v gebildet werden, mit v < 1 und x < 1 ,3 und ungleich Null, sowie w = 2,5 - 0 und y < 0,5 wobei u jeweils 1 ist.
5. Verfahren nach Anspruch 1 und/oder 2 dadurch gekennzeichnet, dass die Beschichtung in Anwesenheit von Stickstoff stattfindet und Phasen der Zusammensetzung v < 1 ,3 und x < 0, 1 , sowie w = 2,5 - 0 und y < 0,2 gebildet werden, wobei u jeweils 1 ist.
6. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die keramische Schicht eine Schichtdicke im Bereich von
10 bis 200 nm besitzt.
7. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Polysilazanlösung einen Katalysator, sowie gegebenenfalls weitere Additive enthält.
8. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die keramische Schicht auf n-Typ Silizium aufgebracht wird.
9. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die keramische Schicht auf p-Typ Silizium aufgebracht wird. 12
10. Verwendung von Polysilazanlösungen enthaltend mindestens ein Polysilazan der allgemeinen Formel (1)
-(SiR'R"-NR-)n- (1)
wobei R', R", R'" gleich oder unterschiedlich sind und unabhängig voneinander für Wasserstoff oder einen gegebenenfalls substituierten Alkyl-, Aryl, Vinyl oder (Trialkoxysilyl)alkyl-Rest stehen, wobei es sich bei n um eine ganze Zahl handelt und n so bemessen ist, dass das Polysilazan ein zahlenmittleres Molekulargewicht von 150 bis 150.000 g/mol aufweist zur Herstellung von Passivierungsschichten auf kristallinem Silizium.
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