WO2009044644A1 - Élément à effet magnétorésistif, et mémoire vive magnétique, et son procédé d'initialisation - Google Patents

Élément à effet magnétorésistif, et mémoire vive magnétique, et son procédé d'initialisation Download PDF

Info

Publication number
WO2009044644A1
WO2009044644A1 PCT/JP2008/067091 JP2008067091W WO2009044644A1 WO 2009044644 A1 WO2009044644 A1 WO 2009044644A1 JP 2008067091 W JP2008067091 W JP 2008067091W WO 2009044644 A1 WO2009044644 A1 WO 2009044644A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
random access
access memory
ferromagnetic layer
effect element
magnetoresistive effect
Prior art date
Application number
PCT/JP2008/067091
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Inventor
Shunsuke Fukami
Original Assignee
Nec Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nec Corporation filed Critical Nec Corporation
Priority to JP2009536017A priority Critical patent/JP5397224B2/ja
Publication of WO2009044644A1 publication Critical patent/WO2009044644A1/fr

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B61/00—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
    • H10B61/20—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having three or more electrodes, e.g. transistors
    • H10B61/22—Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices comprising components having three or more electrodes, e.g. transistors of the field-effect transistor [FET] type
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00—Galvanomagnetic devices
    • H10N50/10—Magnetoresistive devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)

Abstract

L'invention porte sur un élément à effet magnétorésistif et sur une mémoire vive magnétique qui comprennent une première couche ferromagnétique ; une couche isolante disposée de manière contiguë à celle-ci ; une seconde couche ferromagnétique disposée sur le côté opposé à la première couche ferromagnétique de manière contiguë à la couche isolante ; et au moins deux troisièmes couches ferromagnétiques disposées à proximité des deux extrémités de la première couche ferromagnétique dans la direction longitudinale en contact avec celle-ci de manière magnétique. Les première à troisièmes couches ferromagnétiques ont une anisotropie magnétique dans la direction sensiblement perpendiculaire à la surface de film. L'élément à effet magnétorésistif et la mémoire vive magnétique sont initialisés en amenant le champ magnétique externe à chuter après application d'un champ magnétique externe suffisamment important dans la direction de surface de film, introduisant ainsi une paroi de domaine magnétique dans la première couche ferromagnétique. Est ainsi fournie une mémoire vive magnétique dans laquelle la valeur de courant requise pour l'écriture est réduite de manière significative par rapport à 1 mA, mais dont la stabilité thermique est suffisante, la résistance contre un champ magnétique de perturbation est suffisante, et l'état de mémoire peut être initialisé par un procédé simple.
PCT/JP2008/067091 2007-10-04 2008-09-22 Élément à effet magnétorésistif, et mémoire vive magnétique, et son procédé d'initialisation WO2009044644A1 (fr)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009536017A JP5397224B2 (ja) 2007-10-04 2008-09-22 磁気抵抗効果素子、及び磁気ランダムアクセスメモリ、及びその初期化方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007-260590 2007-10-04
JP2007260590 2007-10-04

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2009044644A1 true WO2009044644A1 (fr) 2009-04-09

Family

ID=40526072

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2008/067091 WO2009044644A1 (fr) 2007-10-04 2008-09-22 Élément à effet magnétorésistif, et mémoire vive magnétique, et son procédé d'initialisation

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP5397224B2 (fr)
WO (1) WO2009044644A1 (fr)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011044693A (ja) * 2009-08-19 2011-03-03 Samsung Electronics Co Ltd 磁性層を備えたトラック及びそれを備える磁性素子
JP2011119537A (ja) * 2009-12-04 2011-06-16 Nec Corp メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ
JP2013069906A (ja) * 2011-09-22 2013-04-18 Renesas Electronics Corp 磁気メモリ
CN109643690A (zh) * 2017-04-14 2019-04-16 Tdk株式会社 磁壁利用型模拟存储元件、磁壁利用型模拟存储器、非易失性逻辑电路及磁神经元件
CN109786544A (zh) * 2017-11-14 2019-05-21 Tdk株式会社 自旋轨道转矩型磁化旋转元件、自旋轨道转矩型磁阻效应元件和磁存储器
CN110268515A (zh) * 2018-01-12 2019-09-20 Tdk株式会社 磁壁移动型磁记录元件及磁记录阵列

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7419729B2 (ja) * 2019-10-01 2024-01-23 Tdk株式会社 磁壁移動素子及び磁気記録アレイ

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005191032A (ja) * 2003-12-24 2005-07-14 Toshiba Corp 磁気記憶装置及び磁気情報の書込み方法
JP2006073930A (ja) * 2004-09-06 2006-03-16 Canon Inc 磁壁移動を利用した磁気抵抗効果素子の磁化状態の変化方法及び該方法を用いた磁気メモリ素子、固体磁気メモリ
JP2007103663A (ja) * 2005-10-04 2007-04-19 Toshiba Corp 磁気素子、記録再生素子、論理演算素子および論理演算器

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101122496B1 (ko) * 2004-01-15 2012-03-15 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 전류 주입 자벽 이동 소자
US7929342B2 (en) * 2005-08-15 2011-04-19 Nec Corporation Magnetic memory cell, magnetic random access memory, and data read/write method for magnetic random access memory

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005191032A (ja) * 2003-12-24 2005-07-14 Toshiba Corp 磁気記憶装置及び磁気情報の書込み方法
JP2006073930A (ja) * 2004-09-06 2006-03-16 Canon Inc 磁壁移動を利用した磁気抵抗効果素子の磁化状態の変化方法及び該方法を用いた磁気メモリ素子、固体磁気メモリ
JP2007103663A (ja) * 2005-10-04 2007-04-19 Toshiba Corp 磁気素子、記録再生素子、論理演算素子および論理演算器

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011044693A (ja) * 2009-08-19 2011-03-03 Samsung Electronics Co Ltd 磁性層を備えたトラック及びそれを備える磁性素子
JP2011119537A (ja) * 2009-12-04 2011-06-16 Nec Corp メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ
JP2013069906A (ja) * 2011-09-22 2013-04-18 Renesas Electronics Corp 磁気メモリ
CN109643690A (zh) * 2017-04-14 2019-04-16 Tdk株式会社 磁壁利用型模拟存储元件、磁壁利用型模拟存储器、非易失性逻辑电路及磁神经元件
CN109643690B (zh) * 2017-04-14 2023-08-29 Tdk株式会社 磁壁利用型模拟存储元件、磁壁利用型模拟存储器、非易失性逻辑电路及磁神经元件
CN109786544A (zh) * 2017-11-14 2019-05-21 Tdk株式会社 自旋轨道转矩型磁化旋转元件、自旋轨道转矩型磁阻效应元件和磁存储器
CN109786544B (zh) * 2017-11-14 2024-04-30 Tdk株式会社 自旋轨道转矩型磁化旋转元件、磁阻效应元件和磁存储器
CN110268515A (zh) * 2018-01-12 2019-09-20 Tdk株式会社 磁壁移动型磁记录元件及磁记录阵列
CN110268515B (zh) * 2018-01-12 2023-10-17 Tdk株式会社 磁壁移动型磁记录元件及磁记录阵列

Also Published As

Publication number Publication date
JP5397224B2 (ja) 2014-01-22
JPWO2009044644A1 (ja) 2011-02-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2008099626A1 (fr) Elément à effet de magnétorésistance et mémoire vive magnétique
WO2009044644A1 (fr) Élément à effet magnétorésistif, et mémoire vive magnétique, et son procédé d'initialisation
WO2009001706A1 (fr) Élément magnétorésistif et mémoire magnétique à accès aléatoire
WO2009019949A1 (fr) Mémoire vive magnétique et son procédé de fabrication
WO2005082061A3 (fr) Element magnetique a transfert de spin presentant des couches libres a forte anisotropie perpendiculaire et une magnetisation d'equilibre horizontale
WO2008120482A1 (fr) Mémoire vive magnétique
WO2005112034A3 (fr) Element a effet de magnetoresistance accru par une barriere de spin et memoire magnetique faisant appel a cet element
TW200737185A (en) Magnetic memory device and method for driving the same
WO2007035786A3 (fr) Dispositifs magnetiques pourvus d'une couche ferromagnetique libre stabilisee ou d'une couche ferromagnetique libre multicouche
WO2006063007A3 (fr) Procede et systeme permettant de produire un element de resistance magnetique et une memoire magnetique a texture elevee
SG153012A1 (en) Magnetic element with thermally-assisted writing
ATE443913T1 (de) Magnetisches speicherzellenfeld mit benachbarter gekoppelter weichmagnetischer schicht
WO2005079528A3 (fr) Element magnetique a transfert de spin comprenant des couches non magnetisees a faible saturation
WO2008088021A1 (fr) Élément de capteur magnétique et son procédé de fabrication
WO2009054180A1 (fr) Elément à effet magnétorésistif et mémoire vive magnétique
WO2009060749A1 (fr) Élément magnétorésistif et mémoire vive magnétique
WO2009011216A1 (fr) Élément de stockage et mémoire
FR2866750A1 (fr) Memoire magnetique a jonction tunnel magnetique et procede pour son ecriture
WO2010120918A3 (fr) Jonction de tunnel magnétique (mtj), procédés associés, et mémoire à accès aléatoire magnétique (mram) l'utilisant
US20200152252A1 (en) Spin-orbit torque magnetoresistive randon access memory and method and apparatus for writing the same
EP1571713A4 (fr) Dispositif d'injection de spin, dispositif magnetique dans lequel ledit dispositif est utilise, et film mince magnetique utilise dans ces derniers
ATE498202T1 (de) Mram mit einer neuen pufferschicht
TWI555018B (zh) 寫入自我參照磁性隨機存取記憶體單元的方法
TWI701852B (zh) 磁性接面、磁性記憶體以及將該磁性接面程式化的方法
JP2012119053A5 (fr)

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 08835159

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2009536017

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 08835159

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1