WO2008084680A1 - Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク - Google Patents
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Abstract
EUV光およびパターン検査光の波長域の反射率が低く、かつ該所望の膜組成および膜厚に制御することが容易な吸収体層を有するEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクの提供。 基板上に、EUV光を反射する反射層と、EUV光を吸収する吸収体層と、がこの順に形成されたEUVリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、前記吸収体層が、タンタル(Ta)およびハフニウム(Hf)を含有し、前記吸収体層における、Hfの含有率が20~60at%であり、Taの含有率が40~80at%であることを特徴とするEUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008288361A (ja) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスクブランク及びその製造方法、反射型フォトマスク、並びに、半導体装置の製造方法 |
JP2009210802A (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Asahi Glass Co Ltd | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
JPWO2008084680A1 (ja) * | 2006-12-27 | 2010-04-30 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
WO2010050520A1 (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-06 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
WO2010050518A1 (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-06 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
JPWO2008093534A1 (ja) * | 2007-01-31 | 2010-05-20 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
JP2011035104A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Asahi Glass Co Ltd | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
JP2016040763A (ja) * | 2014-08-13 | 2016-03-24 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 軟x線を用いた二次電池オペランド測定用電極 |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI444757B (zh) * | 2006-04-21 | 2014-07-11 | Asahi Glass Co Ltd | 用於極紫外光(euv)微影術之反射性空白光罩 |
KR101409642B1 (ko) * | 2007-04-17 | 2014-06-18 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | Euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 |
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JP5067483B2 (ja) * | 2008-06-19 | 2012-11-07 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
JP5541159B2 (ja) * | 2008-07-14 | 2014-07-09 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、euvリソグラフィ用反射型マスク |
MY154175A (en) * | 2009-02-13 | 2015-05-15 | Hoya Corp | Substrate for a mask blank, mask blank, and photomask |
JP5507876B2 (ja) | 2009-04-15 | 2014-05-28 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法 |
WO2010147172A1 (ja) * | 2009-06-18 | 2010-12-23 | Hoya株式会社 | マスクブランク及び転写用マスク、並びに転写用マスクの製造方法 |
KR101076886B1 (ko) * | 2009-06-22 | 2011-10-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 극자외선 리소그래피를 위한 마스크 및 이를 이용한 노광방법 |
JPWO2011004850A1 (ja) | 2009-07-08 | 2012-12-20 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
WO2011108470A1 (ja) | 2010-03-02 | 2011-09-09 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法 |
WO2012026463A1 (ja) | 2010-08-24 | 2012-03-01 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
JP5971122B2 (ja) | 2011-02-01 | 2016-08-17 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
WO2013046641A1 (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-04 | 凸版印刷株式会社 | 反射型マスクブランク及び反射型マスク、その製造方法 |
JP6060636B2 (ja) | 2012-01-30 | 2017-01-18 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、euvリソグラフィ用反射型マスク |
US9612521B2 (en) * | 2013-03-12 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Amorphous layer extreme ultraviolet lithography blank, and manufacturing and lithography systems therefor |
JP6287099B2 (ja) | 2013-05-31 | 2018-03-07 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
JP6339807B2 (ja) * | 2014-01-16 | 2018-06-06 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 露光用マスクの製造方法、露光用マスクの製造システム、及び半導体装置の製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07114173A (ja) * | 1993-10-15 | 1995-05-02 | Canon Inc | リソグラフィ用反射型マスクおよび縮小投影露光装置 |
JP2004039884A (ja) * | 2002-07-04 | 2004-02-05 | Hoya Corp | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに反射型マスクの製造方法 |
JP2007085899A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Ntt Advanced Technology Corp | X線用吸収体 |
JP2007273514A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Hoya Corp | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0947882B1 (en) | 1986-07-11 | 2006-03-29 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray reduction projection exposure system of reflection type |
EP0279670B1 (en) | 1987-02-18 | 1997-10-29 | Canon Kabushiki Kaisha | A reflection type mask |
JPH0316116A (ja) * | 1989-03-09 | 1991-01-24 | Canon Inc | X線リソグラフィー用マスク構造体及びそれを用いたx線露光方法 |
US5928817A (en) | 1997-12-22 | 1999-07-27 | Intel Corporation | Method of protecting an EUV mask from damage and contamination |
JP2000003845A (ja) * | 1998-06-15 | 2000-01-07 | Fujitsu Ltd | X線露光用マスクの製造方法 |
US6316150B1 (en) | 1998-08-24 | 2001-11-13 | Euv Llc | Low thermal distortion extreme-UV lithography reticle |
US6355381B1 (en) | 1998-09-25 | 2002-03-12 | Intel Corporation | Method to fabricate extreme ultraviolet lithography masks |
US6013399A (en) | 1998-12-04 | 2000-01-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Reworkable EUV mask materials |
JP4959080B2 (ja) | 1999-06-07 | 2012-06-20 | エクストリーム、ウルトラバイオレット、リミテッド、ライアビリティ、カンパニー | 反射マスク基板のコーティング |
US6410193B1 (en) | 1999-12-30 | 2002-06-25 | Intel Corporation | Method and apparatus for a reflective mask that is inspected at a first wavelength and exposed during semiconductor manufacturing at a second wavelength |
US6479195B1 (en) | 2000-09-15 | 2002-11-12 | Intel Corporation | Mask absorber for extreme ultraviolet lithography |
JP3993005B2 (ja) * | 2002-03-22 | 2007-10-17 | Hoya株式会社 | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク、ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法、並びにパターン転写方法 |
JP3818171B2 (ja) * | 2002-02-22 | 2006-09-06 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク及びその製造方法 |
US6645679B1 (en) | 2001-03-12 | 2003-11-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Attenuated phase shift mask for use in EUV lithography and a method of making such a mask |
US6583068B2 (en) | 2001-03-30 | 2003-06-24 | Intel Corporation | Enhanced inspection of extreme ultraviolet mask |
US6610447B2 (en) * | 2001-03-30 | 2003-08-26 | Intel Corporation | Extreme ultraviolet mask with improved absorber |
US6593037B1 (en) * | 2001-05-02 | 2003-07-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | EUV mask or reticle having reduced reflections |
US6673520B2 (en) | 2001-08-24 | 2004-01-06 | Motorola, Inc. | Method of making an integrated circuit using a reflective mask |
US6627362B2 (en) | 2001-10-30 | 2003-09-30 | Intel Corporation | Photolithographic mask fabrication |
DE10307518B4 (de) * | 2002-02-22 | 2011-04-14 | Hoya Corp. | Halbtonphasenschiebermaskenrohling, Halbtonphasenschiebermaske und Verfahren zu deren Herstellung |
JP3806702B2 (ja) * | 2002-04-11 | 2006-08-09 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク及びそれらの製造方法並びに半導体の製造方法 |
US7390596B2 (en) * | 2002-04-11 | 2008-06-24 | Hoya Corporation | Reflection type mask blank and reflection type mask and production methods for them |
JP4163038B2 (ja) * | 2002-04-15 | 2008-10-08 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク及び反射型マスク並びに半導体の製造方法 |
US7011910B2 (en) * | 2002-04-26 | 2006-03-14 | Hoya Corporation | Halftone-type phase-shift mask blank, and halftone-type phase-shift mask |
JP2005208282A (ja) * | 2004-01-22 | 2005-08-04 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法、及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 |
TWI480676B (zh) * | 2004-03-31 | 2015-04-11 | Shinetsu Chemical Co | 半色調相移空白光罩,半色調相移光罩,以及圖案轉移方法 |
KR20070054651A (ko) * | 2004-09-17 | 2007-05-29 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | Euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크스 및 그 제조방법 |
JP5018787B2 (ja) * | 2006-12-27 | 2012-09-05 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
JP5018789B2 (ja) * | 2007-01-31 | 2012-09-05 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
-
2007
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- 2007-12-25 EP EP07860104A patent/EP1973147B1/en not_active Not-in-force
- 2007-12-27 TW TW096150545A patent/TWI418926B/zh not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-02-07 US US12/027,680 patent/US7713666B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07114173A (ja) * | 1993-10-15 | 1995-05-02 | Canon Inc | リソグラフィ用反射型マスクおよび縮小投影露光装置 |
JP2004039884A (ja) * | 2002-07-04 | 2004-02-05 | Hoya Corp | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに反射型マスクの製造方法 |
JP2007085899A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Ntt Advanced Technology Corp | X線用吸収体 |
JP2007273514A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Hoya Corp | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2008084680A1 (ja) * | 2006-12-27 | 2010-04-30 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
JP5018787B2 (ja) * | 2006-12-27 | 2012-09-05 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
JP5018789B2 (ja) * | 2007-01-31 | 2012-09-05 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
JPWO2008093534A1 (ja) * | 2007-01-31 | 2010-05-20 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
JP2008288361A (ja) * | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Toppan Printing Co Ltd | 反射型フォトマスクブランク及びその製造方法、反射型フォトマスク、並びに、半導体装置の製造方法 |
JP2009210802A (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Asahi Glass Co Ltd | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
WO2010050518A1 (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-06 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
US8133643B2 (en) | 2008-10-30 | 2012-03-13 | Asahi Glass Company, Limited | Reflective mask blank for EUV lithography |
JPWO2010050520A1 (ja) * | 2008-10-30 | 2012-03-29 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
JPWO2010050518A1 (ja) * | 2008-10-30 | 2012-03-29 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
US8227152B2 (en) | 2008-10-30 | 2012-07-24 | Asahi Glass Company, Limited | Reflective mask blank for EUV lithography |
WO2010050520A1 (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-06 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
JP5348140B2 (ja) * | 2008-10-30 | 2013-11-20 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
JP5348141B2 (ja) * | 2008-10-30 | 2013-11-20 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
JP2011035104A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Asahi Glass Co Ltd | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク |
JP2016040763A (ja) * | 2014-08-13 | 2016-03-24 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 軟x線を用いた二次電池オペランド測定用電極 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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---|---|---|
WO2008084680A1 (ja) | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク | |
WO2008093534A1 (ja) | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク | |
ATE546759T1 (de) | Reflexionsmaskenrohling für euv-lithographie | |
WO2008129908A1 (ja) | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク | |
TW200622508A (en) | Reflective mask blank for EUV lithography and method for producing same | |
EP2568335A3 (en) | Photomask blank, photomask, and making method | |
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Legal Events
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NENP | Non-entry into the national phase |
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