WO2008062670A1 - Electron beam irradiation system - Google Patents

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WO2008062670A1
WO2008062670A1 PCT/JP2007/071608 JP2007071608W WO2008062670A1 WO 2008062670 A1 WO2008062670 A1 WO 2008062670A1 JP 2007071608 W JP2007071608 W JP 2007071608W WO 2008062670 A1 WO2008062670 A1 WO 2008062670A1
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irradiated
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Inventor
Dai Haraguchi
Keigo Uchiyama
Tatsuya Matsumura
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Hamamatsu Photonics K.K.
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Abstract

In an electron beam irradiation system, a sample (4) housed in a chamber (2) is irradiated with an electron beam (E) and the energy of the electron beam, with which the sample (4) is irradiated, is measured by an electron beam detector (7). The detection surface (7a) of the electron beam detector (7) is covered with a conductive light-shielding film (7b), so that, when the electron beam detector (7) detects the electron beam (E), the effects of visible light, ultraviolet, and other light in the chamber (2) are eliminated. This enables the energy of the electric beam, with which the sample (4) is irradiated, to be accurately measured.

Description

明 細 書  Specification
電子線照射システム  Electron beam irradiation system
技術分野  Technical field
[0001] 本発明は、試料に照射された電子線エネルギーを測定することのできる電子線照 射システムに関する。 背景技術  [0001] The present invention relates to an electron beam irradiation system capable of measuring the electron beam energy irradiated to a sample. Background art
[0002] 従来の電子線照射システムとして、試料及び電子線検出器を載置したステージを チャンバ内に配置し、当該ステージを移動させながら試料に電子線を照射して、その 際における電子線を電子線検出器によって検出するものが知られている。 (例えば、 特許文献 1参照)。  [0002] As a conventional electron beam irradiation system, a stage on which a sample and an electron beam detector are placed is placed in a chamber, and the sample is irradiated with an electron beam while the stage is moved. What detects with an electron beam detector is known. (For example, see Patent Document 1).
特許文献 1:特許第 3522045号公報  Patent Document 1: Japanese Patent No. 3522045
発明の開示  Disclosure of the invention
発明が解決しょうとする課題  Problems to be solved by the invention
[0003] しかしながら、上述したような電子線照射システムにおいては、電子線検出器が可 視光ゃ紫外光等をも検出してしまい、試料に照射された電子線エネルギーを正確に 測定することができなレ、おそれがある。  However, in the electron beam irradiation system as described above, the electron beam detector detects both visible light and ultraviolet light, so that the energy of the electron beam irradiated onto the sample can be accurately measured. There is a risk that it cannot be done.
[0004] そこで、本発明は、試料に照射された電子線エネルギーを正確に測定することので きる電子線照射システムを提供することを目的とする。  Accordingly, an object of the present invention is to provide an electron beam irradiation system that can accurately measure the electron beam energy irradiated to a sample.
課題を解決するための手段  Means for solving the problem
[0005] 上記目的を達成するために、本発明に係る電子線照射システムは、電子線を出射 する電子線源と、電子線が照射される試料を収容するチャンバと、チャンバ内に配置 され、電子線を検出する電子線検出器と、を備え、電子線検出器の検出面は、電子 線を透過させ且つ光を遮断する導電性遮光膜で覆われることを特徴とする。  [0005] In order to achieve the above object, an electron beam irradiation system according to the present invention includes an electron beam source that emits an electron beam, a chamber that houses a sample irradiated with the electron beam, and a chamber that is disposed in the chamber. An electron beam detector for detecting an electron beam, and a detection surface of the electron beam detector is covered with a conductive light-shielding film that transmits the electron beam and blocks light.
[0006] この電子線照射システムでは、チャンバ内に収容された試料に電子線が照射され、 その試料にむけて照射された電子線エネルギーを、電子線検出器によって測定する 。このとき、電子線検出器の検出面が、導電性遮光膜で覆われているため、当該電 子線検出器にて電子線を検出する際に、可視光や紫外光等から影響を受けることを 防止すること力できる。これによつて、試料に照射された電子線エネルギーを正確に 測定すること力でさる。 [0006] In this electron beam irradiation system, an electron beam is irradiated onto a sample housed in a chamber, and the electron beam energy irradiated toward the sample is measured by an electron beam detector. At this time, since the detection surface of the electron beam detector is covered with a conductive light-shielding film, it is affected by visible light, ultraviolet light, etc. when detecting the electron beam with the electron beam detector. The You can power to prevent. In this way, we can measure the energy of the electron beam irradiated to the sample accurately.
[0007] ここで、電子線検出器としては、例えばシリコンフォトダイオードが挙げられる。 Here, examples of the electron beam detector include a silicon photodiode.
[0008] また、本発明に係る電子線照射システムにお!/、ては、導電性遮光膜は、接地電位 とされていることが好ましい。このような構成によれば、電子線源による電子線の照射 に伴って大量のイオンが発生した場合であっても、その影響を軽減し、試料に照射さ れた電子線エネルギーを正確に測定することができる。 [0008] Further, in the electron beam irradiation system according to the present invention, it is preferable that the conductive light-shielding film has a ground potential. According to such a configuration, even when a large amount of ions are generated by the electron beam irradiation from the electron beam source, the influence is reduced, and the electron beam energy irradiated to the sample is accurately measured. can do.
[0009] また、本発明に係る電子線照射システムにお!/、ては、電子線検出器は、電子線源 の電子線出射軸線上に配置されていることが好ましい。このような構成によれば、試 料に照射されるのと同等の電子線が電子線検出器に照射されることとなるため、電子 線検出器による測定結果力 試料に照射された電子線エネルギーを正確に導き出 すこと力 Sでさる。 [0009] Further, in the electron beam irradiation system according to the present invention, it is preferable that the electron beam detector is disposed on the electron beam emission axis of the electron beam source. According to such a configuration, since the electron beam detector is irradiated with an electron beam equivalent to that irradiated on the sample, the result of measurement by the electron beam detector The electron beam energy irradiated on the sample The power S is used to accurately derive.
[0010] また、本発明に係る電子線照射システムにお!/、ては、電子線源の電子線出射軸線 と交差する搬送軸線に沿って試料を搬送する搬送手段を備え、電子線検出器は、搬 送軸線上に位置するように搬送手段に配置されていることが好ましい。このような構 成によれば、搬送手段の移動にともない、搬送手段上に載置された試料及び電子線 検出器は、いずれも電子線源の電子線出射軸線上に配置され、電子線源から直接 電子線を照射される。これによつて、電子線検出器に、試料と同等の電子線が照射さ れこととなるため、電子線検出器による測定結果力 試料に照射された電子線エネ ルギーを正確に導き出すことができる。  [0010] Further, the electron beam irradiation system according to the present invention includes a transport means for transporting a sample along a transport axis intersecting the electron beam emission axis of the electron beam source, and an electron beam detector Is preferably disposed on the conveying means so as to be positioned on the conveying axis. According to such a configuration, the sample and the electron beam detector placed on the conveyance means are both arranged on the electron beam emission axis of the electron beam source as the conveyance means moves, and the electron beam source It is irradiated with an electron beam directly. As a result, the electron beam detector is irradiated with an electron beam equivalent to that of the sample. Therefore, the electron beam energy irradiated to the sample can be accurately derived. .
[0011] また、本発明に係る電子線照射システムにお!/、ては、電子線源の電子線出射軸線 と交差する搬送軸線に沿って試料を搬送する搬送手段を備え、電子線検出器は、搬 送軸線と交差する方向に沿って並設されるように搬送手段に複数配置されていること が好ましい。このような構成によれば、搬送手段の搬送軸線と交差する方向に沿って 複数の電子線検出器が並設されているため、これらの電子線検出器によって、搬送 軸線と交差する方向における試料に照射された電子線エネルギー分布を導き出すこ と力 Sできる。  [0011] The electron beam irradiation system according to the present invention also includes a transport means for transporting the sample along a transport axis that intersects the electron beam emission axis of the electron beam source, and an electron beam detector. It is preferable that a plurality of be disposed on the conveying means so as to be juxtaposed along the direction intersecting the conveying axis. According to such a configuration, since the plurality of electron beam detectors are arranged in parallel along the direction intersecting with the transport axis of the transport means, the sample in the direction intersecting with the transport axis is detected by these electron beam detectors. It is possible to derive the energy distribution of the electron beam irradiated on the surface.
[0012] また、電子線源の電子線出射軸線上に対して前記電子線検出器を進退させる移 動手段を備えることが好ましい。このような構成によれば、電子線出射軸線上に配置 され、電子線源から直接電子線を照射されている電子線検出器が、移動手段によつ て電子線出射軸線上に対して進退する。電子線検出器が電子線出射軸線に対して 退いている間に、試料を電子線出射軸線上に配置することができ、電子線源から直 接電子線が照射される。これによつて、電子線検出器に、試料と同等の電子線が照 射されこととなるため、電子線検出器による測定結果から試料に照射された電子線ェ ネルギーを正確に導き出すことができる。例えば、試料が搬送される場合、試料が電 子線出射軸線上に到達する前に電子線検出器を配置させることにより、条件通りの 電子線出力が出ているか否かを確認することができ、到達した後に電子線検出器を 配置させることにより、試料に電子線が照射されている間に条件が変化していないか 否かを確認することができる。 [0012] Further, the electron beam detector is moved forward and backward with respect to the electron beam emission axis of the electron beam source. It is preferable to provide a moving means. According to such a configuration, the electron beam detector that is arranged on the electron beam emission axis and is directly irradiated with the electron beam from the electron beam source moves forward and backward with respect to the electron beam emission axis by the moving means. To do. While the electron beam detector is retracted from the electron beam output axis, the sample can be placed on the electron beam output axis, and the electron beam is irradiated directly from the electron beam source. As a result, the electron beam detector is irradiated with an electron beam equivalent to the sample, so that the electron beam energy irradiated to the sample can be accurately derived from the measurement result of the electron beam detector. . For example, when a sample is transported, an electron beam detector can be placed before the sample reaches the electron beam output axis, so that it can be confirmed whether or not the electron beam output is being output according to conditions. By locating the electron beam detector after reaching, it can be confirmed whether or not the condition has changed while the sample is irradiated with the electron beam.
発明の効果  The invention's effect
[0013] 本発明によれば、試料に照射された電子線エネルギーを正確に測定することがで きる。  [0013] According to the present invention, it is possible to accurately measure the electron beam energy applied to the sample.
図面の簡単な説明  Brief Description of Drawings
[0014] [図 1]第 1の実施形態に係る電子線照射システムの概略構成図である。  FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an electron beam irradiation system according to a first embodiment.
[図 2]図 1に示された電子線照射システムのステージを上方から見た図である。  2 is a view of the stage of the electron beam irradiation system shown in FIG. 1 as viewed from above.
[図 3]第 2の実施形態に係る電子線照射システムのステージを上方から見た図である  FIG. 3 is a diagram of a stage of an electron beam irradiation system according to a second embodiment viewed from above.
[図 4]第 3の実施形態に係る電子線照射システムのステージを上方から見た図である 符号の説明 FIG. 4 is a diagram of a stage of an electron beam irradiation system according to a third embodiment as viewed from above.
[0015] 1 · · ·電子線照射システム、 2· · ·チャンバ、 3· · ·ステージ (搬送手段)、 4 · · ·試料、 6 · · · 電子線源、 7, 9· · ·電子線検出器、 7a, 9a…検出面、 7b, 9b…導電性遮光膜、 11 · · · 移動アーム (移動手段)。  [0015] 1 · · · Electron beam irradiation system, 2 · · · Chamber, 3 · · Stage (conveyance means), 4 · · · Sample, 6 · · · Electron beam source, 7, 9 · · · Electron beam Detector, 7a, 9a ... detection surface, 7b, 9b ... conductive light-shielding film, 11 ··· Moving arm (moving means).
発明を実施するための最良の形態  BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
[0016] 以下、本発明に係る電子線照射システムの好適な実施形態について、図面を参照 して詳細に説明する。なお、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、 重複する説明を省略する。 [0016] Hereinafter, preferred embodiments of an electron beam irradiation system according to the present invention will be described with reference to the drawings. And will be described in detail. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
[第 1の実施形態]  [First embodiment]
[0017] 図 1に示されるように、電子線照射システム 1は、内部に空間を有するチャンバ 2と、 チャンバ 2の内部に収容され移動方向 Rへ向かって移動可能とされたステージ (搬送 手段) 3と、ステージ 3の上面である載置面 3aに載置される試料 4と、チャンバ 2の上 部に設けられて試料 4に電子線 Eを照射する電子線源 6と、ステージ 3の載置面 3aに 載置されて電子線 Eを検出する電子線検出器 7と、電子線検出器 7からの検出信号 に基づいて当該電子線検出器 7に照射された電子線 Eのエネルギーを測定する測 定器 8とを備えている。  As shown in FIG. 1, an electron beam irradiation system 1 includes a chamber 2 having a space inside, and a stage (conveying means) accommodated in the chamber 2 and movable in the moving direction R. 3, the sample 4 placed on the placement surface 3 a which is the upper surface of the stage 3, the electron beam source 6 provided on the upper part of the chamber 2 for irradiating the sample 4 with the electron beam E, and the stage 3 placed The electron beam detector 7 mounted on the mounting surface 3a for detecting the electron beam E, and the energy of the electron beam E irradiated to the electron beam detector 7 is measured based on the detection signal from the electron beam detector 7. And a measuring instrument 8 to be used.
[0018] チャンバ 2は、電子線 Eと試料 4との反応が酸素によって阻害されないように、酸素 濃度を低下させるベくその内部が窒素やアルゴン等によって置換された不活性ガス 雰囲気とされている。  [0018] The chamber 2 has an inert gas atmosphere in which the inside of the chamber 2 is reduced with nitrogen or argon so that the reaction between the electron beam E and the sample 4 is not hindered by oxygen. .
[0019] 電子線検出器 7は、シリコンフォトダイオードであって、検出面 7aに電子線 Eが照射 され、そのエネルギーによって生成された電子一正孔対(入射エネルギー 3. 6eVに 対して 1対生成)に基づく検出信号をオシロスコープ等の測定器 8に送信して出力電 流を検出させることによって、電子線 Eの入射エネルギーを測定させるものである。な お、シリコンフォトダイオードにより測定される電子線エネルギーは、その受光面を単 位面積とする、照射された電子線 Eのエネルギーと言え、そのエネルギーは、単なる 電子の個数ではなぐその加速電圧も反映したエネルギー、つまり単位面積あたりの 電子線 Eの総熱量と同意義となる。例えば 3. 6keVのエネルギーを持つ 1個の電子 が入射した場合は 1000個の電子に増倍して出力され、 36keVのエネルギーを持つ 1個の電子が入射した場合ならば 10000個の電子に増倍して出力される。つまり、各 電子毎にそのエネルギーに応じた電子数が生成され出力されるため、実際に試料に 照射される総熱量を直接測定することができる。  [0019] The electron beam detector 7 is a silicon photodiode, and the detection surface 7a is irradiated with the electron beam E, and one electron-hole pair generated by the energy (one pair for incident energy 3.6eV). The incident energy of the electron beam E is measured by transmitting a detection signal based on the generation) to a measuring device 8 such as an oscilloscope to detect the output current. The electron beam energy measured by the silicon photodiode can be said to be the energy of the irradiated electron beam E with the light receiving surface as a unit area, and the energy is not only the number of electrons but also the acceleration voltage. This is equivalent to the reflected energy, that is, the total heat of electron beam E per unit area. For example, if one electron with an energy of 3.6 keV is incident, it is multiplied by 1000 electrons and output, and if one electron having an energy of 36 keV is incident, it is increased to 10000 electrons. The output is doubled. In other words, since the number of electrons corresponding to the energy is generated and output for each electron, the total amount of heat actually applied to the sample can be directly measured.
[0020] ステージ 3は、載置面 3aの移動方向 Rに対する幅方向の中心位置と、電子線源 6 の電子線出射方向に向かって延在する電子線出射軸線 C1とが交わるように配置さ れている。従って、ステージ 3が移動方向 Rへ向かって移動すると、その載置面 3aに 対して描かれる電子線 Eの照射位置の軌跡は、図 2に示される、移動方向 Rに対する 中心線である搬送軸線 C2と一致する。 [0020] The stage 3 is arranged so that the center position in the width direction with respect to the moving direction R of the mounting surface 3a and the electron beam emission axis C1 extending in the electron beam emission direction of the electron beam source 6 intersect. It is. Therefore, when the stage 3 moves in the moving direction R, the placement surface 3a On the other hand, the locus of the irradiation position of the electron beam E coincides with the transport axis C2 which is the center line with respect to the moving direction R shown in FIG.
[0021] 図 2に示されるように、ステージ 3の載置面 3a中央部に試料 4が載置され、載置面 3 a右端部に電子線検出器 7が載置されており、試料 4と検出器 7は、いずれも搬送軸 線 C2上に載置されている。従って、ステージ 3が移動方向 Rへ移動するに伴って電 子線検出器 7と試料 4とは、電子線源 6の電子線出射軸線 C1と交差する搬送軸線 C 2に沿って搬送され、それぞれ異なるタイミングで電子線源 6から直接電子線 Eを照 射されることとなる。また、ステージ 3の移動速度を一定とすれば、両者に照射される 電子線 Eの単位面積あたりのエネルギーは同一となる。これによつて電子線検出器 7 に、試料 4に照射される電子線エネルギーと同等の電子線エネルギーが照射される こととなるため、電子線検出器 7の測定結果力 試料 4に照射された電子線エネルギ 一を正確に導き出すことができる。  As shown in FIG. 2, the sample 4 is placed at the center of the placement surface 3a of the stage 3, and the electron beam detector 7 is placed at the right end of the placement surface 3a. And the detector 7 are both mounted on the transport axis C2. Therefore, as the stage 3 moves in the moving direction R, the electron beam detector 7 and the sample 4 are transported along the transport axis C 2 intersecting the electron beam emission axis C 1 of the electron beam source 6, respectively. The electron beam E is directly emitted from the electron beam source 6 at different timings. If the moving speed of the stage 3 is constant, the energy per unit area of the electron beam E irradiated to both is the same. As a result, the electron beam detector 7 is irradiated with an electron beam energy equivalent to the electron beam energy irradiated onto the sample 4, so that the measurement result of the electron beam detector 7 is irradiated onto the sample 4. The electron beam energy can be accurately derived.
[0022] ここで、電子線検出器 7の検出面 7aの表面は、アルミ蒸着によって形成された厚さ  Here, the surface of the detection surface 7a of the electron beam detector 7 has a thickness formed by aluminum vapor deposition.
50nm以下の導電性遮光膜 7bに覆われている。この導電性遮光膜 7bは、電子線 E は透過させるが可視光や紫外光は遮断することができるという特性を有しており、こ れによって、電子線検出器 7は可視光や紫外光等によって影響を受けることなぐ電 子線 Eによるエネルギーのみを正確に測定することができる。更に、導電性遮光膜 7b は、接地電位とされているため、電子線 Eの照射に伴って大量のイオンが発生した場 合であっても、その影響も軽減している。  It is covered with a conductive light shielding film 7b of 50 nm or less. This conductive light-shielding film 7b has a characteristic that it can transmit the electron beam E but can block visible light and ultraviolet light, so that the electron beam detector 7 can transmit visible light, ultraviolet light, etc. It is possible to accurately measure only the energy from the electron beam E, which is not affected by. Furthermore, since the conductive light-shielding film 7b is at the ground potential, even when a large amount of ions are generated as a result of irradiation with the electron beam E, the influence is reduced.
[0023] 以上によって、電子線照射システム 1は、可視光、紫外光及びイオン等の影響を受 けることなぐ試料 4に照射された電子線エネルギーを正確に測定することができる。  As described above, the electron beam irradiation system 1 can accurately measure the electron beam energy irradiated to the sample 4 without being affected by visible light, ultraviolet light, ions, or the like.
[第 2の実施形態]  [Second Embodiment]
[0024] 第 2の実施形態に係る電子線照射システム 1は、ステージ 3の載置面 3a上に更に複 数の電子線検出器 9が設けられて!/、る点で、第 1の実施形態に係る電子線照射シス テム 1と主に相違している。  [0024] The electron beam irradiation system 1 according to the second embodiment is the first implementation in that a plurality of electron beam detectors 9 are further provided on the mounting surface 3a of the stage 3! Mainly different from the electron beam irradiation system 1 related to the form.
[0025] すなわち、第 2の実施形態に係る電子線照射システム 1においては、図 3に示され るように、ステージ 3の載置面 3aにおいて、電子線検出器 7から搬送軸線 C2と直交 する方向に沿って並設されるように電子線検出器 9が複数配置されている。これによ つて、搬送軸線 C2と直交する方向における試料 4に照射された電子線エネルギー分 布を導き出すことカできる。なお、電子線検出器 9はフォトダイオードであり、その検 出面 9aは導電性遮光膜 9bで覆われて!/、る。 That is, in the electron beam irradiation system 1 according to the second embodiment, as shown in FIG. 3, the placement surface 3 a of the stage 3 is orthogonal to the transport axis C 2 from the electron beam detector 7. A plurality of electron beam detectors 9 are arranged so as to be juxtaposed along the direction. This Therefore, the electron beam energy distribution irradiated on the sample 4 in the direction orthogonal to the transport axis C2 can be derived. The electron beam detector 9 is a photodiode, and its detection surface 9a is covered with a conductive light shielding film 9b.
[第 3の実施形態]  [Third embodiment]
[0026] 第 3の実施形態に係る電子線照射システム 1は、電子線検出器 7がステージ 3の載 置面 3a上に載置されていない点で、第 1の実施形態に係る電子線照射システム 1と 主に相違している。  [0026] The electron beam irradiation system 1 according to the third embodiment is different from the electron beam irradiation system 1 according to the first embodiment in that the electron beam detector 7 is not placed on the placement surface 3a of the stage 3. Mainly different from system 1.
[0027] すなわち、第 3の実施形態に係る電子線照射システム 1においては、電子線検出器 7が、チャンバ 2の底面における電子線源 6直下の位置に配置されている。また、電 子線検出器 7は移動アーム(移動手段) 11と接続されて!/、る。この移動アーム 11は、 一端が電子線検出器 7と接続されたアーム 11aと、チャンバ 2の底面に回動可能に固 定されるとともにアーム 11aの他端と接続された回動軸 l ibとからなる。  That is, in the electron beam irradiation system 1 according to the third embodiment, the electron beam detector 7 is arranged at a position directly below the electron beam source 6 on the bottom surface of the chamber 2. The electron beam detector 7 is connected to a moving arm (moving means) 11! The movable arm 11 includes an arm 11a having one end connected to the electron beam detector 7, a rotation shaft l ib fixed to the bottom surface of the chamber 2 and rotatably connected to the other end of the arm 11a. Consists of.
[0028] 移動アーム 11は、ステージ 3が電子線 Eの照射位置に向かって移動してきたときに 、そのステージ 3と電子線検出器 7とが接触しないように、回動軸 l ibの回動によって 電子線源 6直下の位置に対して電子線検出器 7を進退させるものである。  [0028] The moving arm 11 rotates the rotation axis l ib so that the stage 3 and the electron beam detector 7 do not come into contact with each other when the stage 3 moves toward the irradiation position of the electron beam E. Thus, the electron beam detector 7 is moved forward and backward with respect to the position immediately below the electron beam source 6.
[0029] 以上のような構成により、電子線源 6から直接電子線 Eを照射されている電子線検 出器 7が、移動アーム 11によって電子線源 6直下の位置に対して退き、その後、ステ ージ 3に載置された試料 4が電子線源 6から直接電子線 Eを照射される。また、ステー ジ 3が通過した後に再び電子線検出器 7を電子線源 6直下の位置に配置する。これ によって、電子線検出器 7に、試料 4と同等の電子線 Eが照射されることとなるため、 電子線検出器 7の測定結果力 試料 4に照射された電子線エネルギーを正確に導き 出すこと力 Sできる。  [0029] With the configuration as described above, the electron beam detector 7 that is directly irradiated with the electron beam E from the electron beam source 6 is retracted from the position immediately below the electron beam source 6 by the moving arm 11, and thereafter The sample 4 placed on the stage 3 is irradiated with the electron beam E directly from the electron beam source 6. Further, after the stage 3 has passed, the electron beam detector 7 is again arranged at a position directly below the electron beam source 6. As a result, the electron beam detector 7 is irradiated with the electron beam E equivalent to that of the sample 4, so that the measurement result force of the electron beam detector 7 can accurately derive the electron beam energy irradiated to the sample 4. That power S.
[0030] 更に、試料 4が電子線源 6直下の位置に到達する前に電子線検出器 7を配置させ ることにより、条件通りの電子線出力が出ているか否かを確認することができ、到達し た後に電子線検出器 7を配置させることにより、試料 4に電子線 Eが照射されている 間に条件が変化していないか否かを確認することができる。  [0030] Furthermore, by arranging the electron beam detector 7 before the sample 4 reaches the position immediately below the electron beam source 6, it is possible to confirm whether or not the electron beam output according to the conditions is being output. By locating the electron beam detector 7 after reaching, it can be confirmed whether the condition has not changed while the sample 4 is irradiated with the electron beam E.
[0031] 本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。例えば、電子線照射シス テム 1においては、アルミに代えてクロムやタングステン等によって導電性遮光膜 7b, 9bを形成してもよい。 [0031] The present invention is not limited to the embodiment described above. For example, in the electron beam irradiation system 1, the conductive light shielding film 7b, 9b may be formed.
[0032] また、電子線照射システム 1にお!/、ては、電子線検出器 7の検出結果を電子線源 6 にフィードバックさせることによって電子線 Eの出射量を制御してもよい。  In addition, in the electron beam irradiation system 1, the emission amount of the electron beam E may be controlled by feeding back the detection result of the electron beam detector 7 to the electron beam source 6.
[0033] また、電子線検出器 7, 9はシリコンフォトダイオードに限定されず、 CCD素子 (この 場合は二次元検出も可能)やゲルマニウム、ガリウム砒素、 CdTe、 CdZnTe等を用い た検出素子であってもよい。  [0033] The electron beam detectors 7 and 9 are not limited to silicon photodiodes, but are detection elements using CCD elements (in this case, two-dimensional detection is possible), germanium, gallium arsenide, CdTe, CdZnTe, or the like. May be.
[0034] なお、第 3の実施形態において、チャンバ 2の底面における電子線源 6直下の位置 に、移動アーム 11に接続させることなく電子線検出器 7を配置し、その電子線検出器 7の上方をステージ 3が通過するような構成としてもよい。このような構成によっても、 第 3の実施形態に係る電子線照射システム 1と同様の効果を得ることができる。  [0034] In the third embodiment, the electron beam detector 7 is disposed without being connected to the moving arm 11 at a position directly below the electron beam source 6 on the bottom surface of the chamber 2, and the electron beam detector 7 A configuration in which the stage 3 passes above may be adopted. Even with such a configuration, the same effect as that of the electron beam irradiation system 1 according to the third embodiment can be obtained.
産業上の利用可能性  Industrial applicability
[0035] 本発明によれば、試料に照射された電子線エネルギーを正確に測定することがで きる。 [0035] According to the present invention, it is possible to accurately measure the electron beam energy applied to the sample.

Claims

請求の範囲 The scope of the claims
[1] 電子線を出射する電子線源と、 [1] an electron beam source that emits an electron beam;
前記電子線が照射される試料を収容するチャンバと、  A chamber for storing a sample irradiated with the electron beam;
前記チャンバ内に配置され、前記電子線を検出する電子線検出器と、を備え、 前記電子線検出器の検出面は、前記電子線を透過させ且つ光を遮断する導電性 遮光膜で覆われることを特徴とする電子線照射システム。  An electron beam detector disposed in the chamber for detecting the electron beam, and a detection surface of the electron beam detector is covered with a conductive light shielding film that transmits the electron beam and blocks light. An electron beam irradiation system characterized by that.
[2] 前記電子線検出器は、シリコンフォトダイオードであることを特徴とする請求項 1記 載の電子線照射システム。  2. The electron beam irradiation system according to claim 1, wherein the electron beam detector is a silicon photodiode.
[3] 前記導電性遮光膜は、接地電位とされていることを特徴とする請求項 1記載の電子 線照射システム。 [3] The electron beam irradiation system according to [1], wherein the conductive light-shielding film is at a ground potential.
[4] 前記電子線検出器は、前記電子線源の電子線出射軸線上に配置されていることを 特徴とする請求項 1記載の電子線照射システム。  4. The electron beam irradiation system according to claim 1, wherein the electron beam detector is disposed on an electron beam emission axis of the electron beam source.
[5] 前記電子線源の電子線出射軸線と交差する搬送軸線に沿って前記試料を搬送す る搬送手段を備え、 [5] The apparatus includes a transport unit that transports the sample along a transport axis that intersects the electron beam emission axis of the electron beam source,
前記電子線検出器は、前記搬送軸線上に位置するように前記搬送手段に配置さ れていることを特徴とする請求項 1記載の電子線照射システム。  2. The electron beam irradiation system according to claim 1, wherein the electron beam detector is arranged on the transport means so as to be positioned on the transport axis.
[6] 前記電子線源の電子線出射軸線と交差する搬送軸線に沿って前記試料を搬送す る搬送手段を備え、 [6] The apparatus includes a transport unit that transports the sample along a transport axis that intersects the electron beam emission axis of the electron beam source,
前記電子線検出器は、前記搬送軸線と交差する方向に沿って並設されるように前 記搬送手段に複数配置されていることを特徴とする請求項 1記載の電子線照射シス テム。  2. The electron beam irradiation system according to claim 1, wherein a plurality of the electron beam detectors are arranged on the transfer means so as to be arranged in parallel along a direction intersecting the transfer axis.
[7] 前記電子線源の電子線出射軸線上に対して前記電子線検出器を進退させる移動 手段を備えることを特徴とする請求項 1記載の電子線照射システム。  7. The electron beam irradiation system according to claim 1, further comprising moving means for moving the electron beam detector back and forth with respect to the electron beam emission axis of the electron beam source.
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