WO2007057414A1 - Method and device for characterizing a sample by means of double-beam laser interferometry - Google Patents

Method and device for characterizing a sample by means of double-beam laser interferometry Download PDF

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WO2007057414A1
WO2007057414A1 PCT/EP2006/068501 EP2006068501W WO2007057414A1 WO 2007057414 A1 WO2007057414 A1 WO 2007057414A1 EP 2006068501 W EP2006068501 W EP 2006068501W WO 2007057414 A1 WO2007057414 A1 WO 2007057414A1
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sample
double
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laser interferometer
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PCT/EP2006/068501
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Thorsten Schmitz-Kempen
Bernd Reichenberg
Klaus Prume
Stephan Tiedke
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Aixacct Systems Gmbh
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    • G01R29/22—Measuring piezoelectric properties
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
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    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
    • G01B11/0675—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating using interferometry

Definitions

  • the invention relates to a method and a device for the characterization of a sample by means of a double - beam laser interferometer.
  • a sample for example, a thin piezoelectric layer is examined, which is applied to a wafer, that is to say on a circular, thin, self-supporting disk,
  • Thin piezoelectric layers are used, for example, in inkjet printers.
  • the ink used in an inkjet printer is located in one or more ink tanks. From there, it is fed into the print head via a line system.
  • Pressure generation can be a piezoelectric crystal, which is applied as a very thin layer on a substrate, with this in the ink channel a short time a high pressure is generated, the pressure is released through the nozzle into the open, the ink flies onto the paper and initiates a chemical reaction , As soon as the pressure is discharged, the next drops follow, In order to keep the rejects in the production and thus the manufacturing costs low, it is necessary to check the quality of the piezo elements early,
  • the object is achieved by a method for the characterization of a sample, which consists in particular of a substrate with a layer applied thereto, by using the two measuring laser beams of a double-beam laser interferometer, which are used for
  • An aid within the meaning of the invention is a technical means which serves to check the laser beams. This is used to laser beams.
  • a wafer consisting of silicon is used, which is polished on both sides.
  • the thin layer is preferably made of piezoelectric material,
  • the adjustment takes place in such a way that the two laser beams spatially coincide with each other in the sample.
  • adjustment according to the invention is carried out with the aid the adjustment is no longer necessary to carry out the characterization,
  • a metallic, reflective layer applied to a transparent substrate has proved to be particularly suitable.
  • the substrate with the metallic layer occupies the position of the sample to be subsequently characterized.
  • the substrate is thus for example in a sample holder provided for this purpose used.
  • the other laser beam is then adjusted so that it is located within the annular lighting in the center of the ring or circle. It is thus achieved that the two laser beams are set particularly precisely so that a sample can be characterized with significantly improved accuracy
  • the diameter of the metallic, reflective layer is only a few times larger than the diameter of a laser beam.
  • the metallic, reflective layer is then circular.
  • the substrate of the aid is for example made of glass
  • a sample with a particularly large surface in the sense of the present invention is, for example, a wafer with a diameter or edge length of at least 1.55 cm (6 inches),
  • the sample holder in which the wafer is, is then designed to be movable,
  • the sample or, the sample holder can be moved, for example, computer-controlled, the wafer is then moved stepwise so that the surface of a sample is detected, for example grid-like ,
  • the sample is stored horizontally and characterized in this horizontal position with double jet laser interferometer 95. If a sample is stored horizontally and moved, it is hardly vibrated, for example, by clamping the sample in comparison to vertical storage. A sample can then be characterized comparatively quickly. Speed plays a major role in quality controls Sample can be characterized quickly, this reduces accordingly
  • Wafers of large diameter for example, with a diameter 105 of 6 inches, usually have a slight curvature, it is preferred that such a sample is stored so that the wafer can be tilted, It is possible, by Krummungs bine by suitable tilting Correspondingly improves the measuring accuracy is increased,
  • the two laser beams are observed, which are reflected directly by the sample.
  • the direction of the reflected laser beams changes due to curvatures If such a change in direction is observed, the sample is tilted so that the desired reflection direction is readjusted. It is thus possible to accurately characterize relatively large samples, even if they have curved surfaces,
  • the optical components of the double-beam laser interferometer are constructed on a preferably 120 passively vibration-damped table.
  • vibrations are passively damped by a very high weight of the table top - also called an optical disk.
  • the weight of the table top is preferably high within the meaning of the invention, if this at least 50 kg, preferably amounts to at least 70 kg, vibrations of the table top 125 are additionally passive vaporized by a spring vapor system.
  • the dual passive attenuation makes it possible to mount the optical components on the table so that the laser beams are in a plane perpendicular to the table surface.
  • the vertical course of the rays allows a
  • the generated interference pattern is checked with a camera, and / or it will be checked with a camera, the laser beams, which are reflected from the sample, and / or it will checking with a camera which area of the sample is being characterized.
  • the observations serve to be able to take corrective action when errors occur
  • the sample consists of a wafer, preferably consisting of both sides polished silicon, with a
  • a device with a 170 double-beam laser interferometer which has a table and optical components of the double-beam laser interferometer applied thereto so that the beam path of the laser light runs in a plane perpendicular to the table surface. Then a horizontally mounted sample can be characterized
  • the double-beam laser interferometer has an automatically tiltable mounting for a wafer in order to also be able to characterize wafers with large diameters of, for example, 6 inches with high accuracy
  • the device comprises a closed chamber with a camera then located for observing or checking the interference pattern and / or the laser beams which are reflected by a sample and / or the sample 185
  • a beam (source beam) of an amplitude-stabilized laser 1 passes through a Faraday isolator 2, which prevents any jerking rays could destabii identify the laser,
  • An optional closure element 5 is used to shut down the
  • the laser beam hits a mirror 3 and then a mirror 4, in order to adjust the beam from the laser tube output both in the direction and beam position can. Now the laser beam passes a half-wave plate 6
  • the Intensitatsverhaltnis of reference beam and measuring beam to each other can be set,
  • the polarization of the source beam is rotated so that a corresponding proportion in the subsequently arranged polarizing beam splitter 7 reflects upwards (reference beam) and a part is transmitted (measuring beam),
  • Probe 1 1 has a reflecting, reflecting electrode on the front side.
  • the measuring beam is reflected by the electrode and thus returns to the quarter-wave plate 8, which is now passed by the measuring beam a second time.
  • Beam divider 7 now deflected down. Now, the measuring beam reflected from the sample passes to a polarizing beam plate 1 2, through the the measuring beam reflected from the sample is deflected again due to its polarization. The measuring beam reflected from the sample
  • a lens 1 5 passes to a quarter-wave plate 1 3 ( ⁇ / 4 - plate) and on to a mirror 1 4, which deflects the reflected from the sample measuring beam toward the back of the sample 1 1 Before the reflected from the sample measuring beam to the back of the sample. 1 1, this is focused by a lens 1 5
  • sample 1 1 has been polished so that it has a reflective effect.
  • the measurement beam reflected by the sample is now reflected a second time through the sample.
  • the measurement beam now reflected twice by the sample 1 1 returns to the polarizing beam splitter 1 2, the measuring beam reflected twice by the sample now
  • the reflected part is directed by a widening lens 1 7 on a photodetector 1 8
  • the reference beam which has been deflected from the polarizing beam splitter 7, passes through a quarter-wave plate 19 and hits
  • This mirror 20 can be in its position in
  • Reference beam is guided via the mirrors 21 and 22 to the beam splitter 1 6 About half of the reference beam is transmitted in the direction of the photodetector and now interferes with the measurement beam twice reflected by the specimen
  • the expansion lens 1 7 is used to increase the interference pattern of the 255 two laser beams (measuring and reference beam) on the photodetector, each element of the device can be used to adjust the two beams, firstly, that the two beams hit the same spot on the photodetector and that both beams hit the photodetector in parallel, and the interference pattern can be set 260. Further, the measurement beam is also adjusted so that the beam is incident on the sample front side and the sample pressure side at the same position and in focus on both sides.
  • a camera 23 captures an image of the interference pattern of the two 265 laser beams reference beam and measuring beam.
  • a camera 24 records the direction of the beam reflected at the front of the sample,
  • the components shown in Figure 1 are located in a chamber which protects the structure from disturbing sound, Outside the 270 chamber, the associated electronics is arranged.
  • the number of required beam splitters is advantageously minimized in the structure shown in FIG. 1,
  • the sample is a wafer with a thin piezoelectric layer applied to it, it is now possible, by applying a voltage to the sample, to check the functioning of the piezoelectric element in a known manner. This is of particular interest in quality control, for example in Terms of components

Abstract

The invention relates to a method and a device for characterizing a sample by means of a double-beam laser interferometer. A thin piezoelectric layer which is applied to a wafer, i.e. a circular thin, self-supported disk, is analyzed as a sample, for example.

Description

Verfahren und Vorrichtung für die Charakterisierung einer Probe mittels der Doppelstrahl - Laserinterferometrie Method and device for the characterization of a sample by means of double beam laser interferometry
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung für die Charakterisierung einer Probe mittels Doppelsfrahl - Laserinterferometers. Als Probe wird beispielsweise eine dünne piezoelektrische Schicht untersucht, die auf einem Wafer, also auf einer kreisrunden, dünnen, selbsttragenden Scheibe aufgebracht ist,The invention relates to a method and a device for the characterization of a sample by means of a double - beam laser interferometer. As a sample, for example, a thin piezoelectric layer is examined, which is applied to a wafer, that is to say on a circular, thin, self-supporting disk,
Dünne piezoelektrische Schichten werden beispielsweise in Tintenstrahldruckern eingesetzt, Die in einem Tintenstrahldrucker eingesetzte Farbe befindet sich in einem oder mehreren Tintentanks, Von dort aus wird sie über ein Leitungssystem in den Druckkopf gefuhrt, Kurz vor der Austrittsoffnung befindet sich eine Vorrichtung zur Druckerzeugung, Die Vorrichtung zur Druckerzeugung kann ein Piezokristall sein, der als sehr dünne Schicht auf einem Substrat aufgebracht ist, Mit diesem wird im Tintenkanal kurzzeitig ein hoher Überdruck erzeugt, Der Druck entladt sich durch die Düse ins Freie, Die Tinte fliegt auf das Papier und geht eine chemische Reaktion ein, Sobald der Druck entladen ist, folgen die nächsten Tropfen, Um den Ausschuss bei der Produktion und damit die Herstellungskosten gering zu halten, ist es erforderlich, die Qualität der Piezoelemente frühzeitig zu überprüfen,Thin piezoelectric layers are used, for example, in inkjet printers. The ink used in an inkjet printer is located in one or more ink tanks. From there, it is fed into the print head via a line system. Shortly before the outlet opening there is a pressure generating device Pressure generation can be a piezoelectric crystal, which is applied as a very thin layer on a substrate, with this in the ink channel a short time a high pressure is generated, the pressure is released through the nozzle into the open, the ink flies onto the paper and initiates a chemical reaction , As soon as the pressure is discharged, the next drops follow, In order to keep the rejects in the production and thus the manufacturing costs low, it is necessary to check the quality of the piezo elements early,
Aus dem Institut für Werkstoffkunde der Elektrotechnik Il der RWTH Aachen, Deutschland, ist bekannt, elektrokeramische Dunnschichten mit einem Doppelstrahl - Laserinterferometer zu charakterisieren, Samtliche optischen Komponenten des Doppelstrahl - Laserinferferometers sind so auf einem schwingungsgedampften Tisch angeordnet, dass der Strahlengang des Lasers in einer Ebene parallel zur Tischoberflache verlauft. Es wird so erreicht, dass nicht zu vermeidende Schwingungen sich auf die optischen Elemente derart auswirken, dass diese sich synchron bewegen. Störende aus Schwingungen resultierende Einflüsse werden so minimier?. Verlauft der Strahlengang eines Doppelstrahl-Laserinterferometers in einer Ebene parallel zur Tischoberflache, so muss die dünne Schicht senkrecht zur Tischebene innerhalb des Strahlengangs platziert werden, Dies begrenzt die Flache einer Probe, die charakterisiert werden kann. Überprüft werden daher Wafer mit aufgebrachten dünnen Schichten, deren Durchmesser oder Kantenlange in der Regel bei lediglich 2,54 cm ( 1 Zoll) liegt. Auch erfordert eine senkrechte Aufstellung eines Wafers relativ viel Zeit zur Montage und Justage des Wafers.From the Institute of Materials Science of Electrical Engineering II of the RWTH Aachen, Germany, it is known to characterize electroceramic thin films with a double beam laser interferometer. All optical components of the double - beam laser interferometer are arranged on a vibration - damped table such that the beam path of the laser is in one plane runs parallel to the table surface. It is thus achieved that unavoidable vibrations affect the optical elements in such a way that they move synchronously. Disturbing influences resulting from vibrations are thus minimized. If the beam path of a double-beam laser interferometer extends in a plane parallel to the table surface, the thin layer must be placed perpendicular to the plane of the table within the beam path. This limits the area of a sample that can be characterized. Therefore wafers with applied thin layers whose diameter or edge length is usually only 2.54 cm (1 inch) are checked. Also, placing a wafer vertically requires a relatively large amount of time to mount and adjust the wafer.
Es ist Aufgabe der Erfindung, eine Probe mit einem Doppelstrahl- Laserinterferometer verbessert charakterisieren zu können.It is an object of the invention to be able to characterize a sample with a double-beam laser interferometer improved.
Die Aufgabe wird durch ein Verfahren und eine Vorrichtung mit den Merkmalen des Haupt- bzw, Nebenanspruchs gelost. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den Unteranspruchen .The object is achieved by a method and a device having the features of the main or secondary claim. Advantageous embodiments emerge from the subclaims.
Die Aufgabe wird durch ein Verfahren für die Charakterisierung einer Probe, die insbesondere aus einem Substrat mit darauf aufgebrachter Schicht besteht, gelost, indem die beiden der Messung dienenden Laserstrahlen eines Doppelstrahl - Laserinterferometers, die zurThe object is achieved by a method for the characterization of a sample, which consists in particular of a substrate with a layer applied thereto, by using the two measuring laser beams of a double-beam laser interferometer, which are used for
Vorderseite und zur Ruckseite der Probe gelenkt werden, mit einem Hilfsmittel justiert werden und anschließend die Probe mit Hilfe der justierten Laserstrahlen charakterisiert wird, Ein Hilfsmittel im Sinne der Erfindung ist ein technisches Mittel, welches der Überprüfung der Laserstrahlen dient, Dieses wird eingesetzt, um Laserstrahlen exakt auszurichten, Als Substrat wird vor allem ein aus Silizium bestehender Wafer eingesetzt, der beidseitig poliert Ist. Die dünne Schicht besteht vorzugsweise aus piezoelektrischem Material,An aid within the meaning of the invention is a technical means which serves to check the laser beams. This is used to laser beams To align exactly, As a substrate, above all, a wafer consisting of silicon is used, which is polished on both sides. The thin layer is preferably made of piezoelectric material,
Die Justierung erfolgt derart, dass die beiden Laserstrahlen räumlich bei der Probe aufeinandertreffen, Für eine exakte Messung wird erflndungsgemaß die Justierung mit dem Hilfsmittel durchgeführt, Nach der Justierung ist das Hilfsmittel nicht mehr erforderlich, um die Charakterisierung durchzufuhren,The adjustment takes place in such a way that the two laser beams spatially coincide with each other in the sample. For an exact measurement, adjustment according to the invention is carried out with the aid the adjustment is no longer necessary to carry out the characterization,
Als Hilfsmittel für die Durchfuhrung der Justierung hat sich eine auf einem transparenten Substrat aufgebrachte metallische, spiegelnde Schicht als besonders geeignet erwiesen, Das Substrat mit der metallischen Schicht nimmt die Position der spater zu charakterisierenden Probe ein , Das Substrat wird also beispielsweise in einem dafür vorgesehenen Probenhalter eingesetzt. Mit einem der beiden genannten Laserstrahlen wird nun ein ring- oder kreisförmiges Leuchten um die metallische Schicht erzeugt, Der andere Laserstrahl wird dann so eingestellt, dass dieser sich innerhalb des ringförmigen Leuchtens im Zentrum des Rings bzw, Kreises befindet. Es wird so erreicht, dass die beiden Laserstrahlen besonders exakt so eingestellt sind, dass mit deutlich verbesserter Genauigkeit eine Probe charakterisiert werden kann ,As an aid for carrying out the adjustment, a metallic, reflective layer applied to a transparent substrate has proved to be particularly suitable. The substrate with the metallic layer occupies the position of the sample to be subsequently characterized. The substrate is thus for example in a sample holder provided for this purpose used. With one of the two mentioned laser beams now a ring or circular illumination is generated around the metallic layer, the other laser beam is then adjusted so that it is located within the annular lighting in the center of the ring or circle. It is thus achieved that the two laser beams are set particularly precisely so that a sample can be characterized with significantly improved accuracy,
Um besonders genau justieren zu können, ist der Durchmesser der metallischen, spiegelnden Schicht nur wenige Male großer im Vergleich zum Durchmesser eines Laserstrahls, Die metallische, spiegelnde Schicht ist dann also kreisförmig.In order to be able to adjust very precisely, the diameter of the metallic, reflective layer is only a few times larger than the diameter of a laser beam. The metallic, reflective layer is then circular.
Das Substrat des Hilfsmittels besteht beispielsweise aus Glas,The substrate of the aid is for example made of glass,
Die besonders exakte Justierung ist vor allem dann von Vorteil, wenn eine besonders große Oberflache einer Probe charakterisiert werden soll , Eine Probe mit besonders großer Oberflache im Sinne der vorliegenden Erfindung ist beispielsweise ein Wafer mit einem Durchmesser oder einer Kantenlange von wenigstens 1 5, 24 cm (6 Zoll), Die Probenhalterung, in der sich der Wafer befindet, ist dann verfahrbar ausgestaltet, Vorzugsweise kann die Probe bzw, der Probenhalter beispielsweise rechnergesteuert verfahren werden, Der Wafer wird dann schrittweise so verfahren, dass die Oberflache einer Probe beispielsweise rasterartig erfasst wird. Vorzugsweise wird die Probe horizontal gelagert und in dieser horizontalen Lage mit denn Doppelstrahl - Laserinterferometer 95 charakterisiert. Wird eine Probe horizontal gelagert und verfahren, so wird diese im Vergleich zur vertikalen Lagerung kaum beispielsweise durch Einspannen der Probe in Schwingungen versetzt, Eine Probe kann dann vergleichsweise schnell charakterisiert werden, Vor allem im Rahmen von Qualitätskontrollen spielt Geschwindigkeit eine große Rolle, Kann eine 100 Probe schnell charakterisiert werden, so reduziert dies entsprechendThe particularly exact adjustment is particularly advantageous if a particularly large surface of a sample is to be characterized. A sample with a particularly large surface in the sense of the present invention is, for example, a wafer with a diameter or edge length of at least 1.55 cm (6 inches), The sample holder in which the wafer is, is then designed to be movable, Preferably, the sample or, the sample holder can be moved, for example, computer-controlled, the wafer is then moved stepwise so that the surface of a sample is detected, for example grid-like , Preferably, the sample is stored horizontally and characterized in this horizontal position with double jet laser interferometer 95. If a sample is stored horizontally and moved, it is hardly vibrated, for example, by clamping the sample in comparison to vertical storage. A sample can then be characterized comparatively quickly. Speed plays a major role in quality controls Sample can be characterized quickly, this reduces accordingly
Produktionskosten, Der Geschwindigkeitsvorteil wird unabhängig von der Justierung der beiden genannten Laserstrahlen erzielt,Production costs, the speed advantage is achieved independently of the adjustment of the two mentioned laser beams,
Wafer mit großem Durchmesser, so zum Beispiel mit einem Durchmesser 105 von 6 Zoll, weisen in der Regel eine leichte Krümmung auf , Vorzugswelse wird eine solche Probe so gelagert, dass der Wafer gekippt werden kann, Es ist so möglich, durch Krummungseffekte durch geeignetes Kippen auszugleichen , Entsprechend verbessert wird die Messgenauigkeit erhöht,Wafers of large diameter, for example, with a diameter 105 of 6 inches, usually have a slight curvature, it is preferred that such a sample is stored so that the wafer can be tilted, It is possible, by Krummungseffekte by suitable tilting Correspondingly improves the measuring accuracy is increased,
Um das Kippen geeignet zu steuern, werden in einer Ausfuhrungsform der 110 Erfindung die beiden Laserstrahlen beobachtet, die unmittelbar von der Probe reflektiert werden, Wird eine Probe beispielsweise rasterformig verfahren und Schritt für Schritt charakterisiert, so ändert sich die Richtung der reflektierenden Laserstrahlen aufgrund von Krümmungen , Wird eine solche Richtungsanderung beobachtet, so wird die Probe so 115 gekippt, dass die gewünschte Reflexionsrichtung wieder eingestellt wird. Es ist so möglich, relativ große Proben genau charakterisieren zu können, selbst wenn diese gekrümmte Oberflachen ausweisen ,In order to control tilting properly, in one embodiment of the invention, the two laser beams are observed, which are reflected directly by the sample. For example, if a sample is rastered and characterized step by step, the direction of the reflected laser beams changes due to curvatures If such a change in direction is observed, the sample is tilted so that the desired reflection direction is readjusted. It is thus possible to accurately characterize relatively large samples, even if they have curved surfaces,
In einer Ausgestaltung des Verfahrens sind die optischen Komponenten des Doppelstrahl - Laserinterferometers auf einem zweifach vorzugsweise 120 passiv schwingungsgedampften Tisch aufgebaut, Zum einen werden Schwingungen durch ein sehr hohes Gewicht der Tischplatte - auch optische Platte genannt - passiv gedampft, Das Gewicht der Tischplatte Ist vorzugsweise hoch im Sinne der Erfindung, wenn dieses wenigstens 50 kg, bevorzugt wenigstens 70 kg betragt, Schwingungen der Tischplatte 125 werden ergänzend passiv durch ein Federdampfungssystem gedampft.In one embodiment of the method, the optical components of the double-beam laser interferometer are constructed on a preferably 120 passively vibration-damped table. On the one hand, vibrations are passively damped by a very high weight of the table top - also called an optical disk. The weight of the table top is preferably high within the meaning of the invention, if this at least 50 kg, preferably amounts to at least 70 kg, vibrations of the table top 125 are additionally passive vaporized by a spring vapor system.
Es hat sich herausgestellt, dass die zweifache passive Dampfung es ermöglicht, die optischen Komponenten auf dem Tisch so anzubringen, dass die Laserstrahlen in einer Ebene senkrecht zur Tischoberflache verlaufen. Der senkrechte Verlauf der Strahlen ermöglicht eineIt has been found that the dual passive attenuation makes it possible to mount the optical components on the table so that the laser beams are in a plane perpendicular to the table surface. The vertical course of the rays allows a
130 horizontale Lagerung der Probe. Die Fachwelt hat dies für nicht möglich gehalten, da sie geglaubt hat, die optischen Komponenten konnten nicht gut genug vor Schwingungen bzw, Vibrationen geschützt werden, Daher müsse der optische Aufbau so sein, dass sich nicht zu verhindernde Schwingungen synchron auf die optischen Komponenten130 horizontal storage of the sample. Experts have not considered this possible because they believed that the optical components could not be protected well enough from vibrations or vibrations. Therefore, the optical design must be such that vibrations that can not be prevented are synchronized with the optical components
135 auswirken ,Affect 135,
Versuche haben ergeben, dass die Kombination aus einer aktiven und einer passiven Dampfung regelmäßig nicht hinreichend zu dampfen vermag, um die Laserstrahlen in einer Ebene senkrecht zur Tischoberflache verlaufen zu lassen, Der Vorteil des senkrechten Verlaufs 140 der Laserstrahlen wird unabhängig von den zuvor genannten Merkmalen des Verfahrens bzw, der entsprechenden Vorrichtung erzielt,Experiments have shown that the combination of an active and a passive attenuation regularly fails to evaporate sufficiently to let the laser beams in a plane perpendicular to the table surface, the advantage of the vertical course 140 of the laser beams is independent of the aforementioned features of Method or, the device achieved,
Um weiter verbessert Storeinflusse auszuschließen, erfolgt die Charakterisierung der Probe in einer geschlossenen Kammer, DieIn order to further exclude Storeinflusse, the characterization of the sample takes place in a closed chamber, the
145 Kammer ist mit ein oder mehreren schallgedammten Türen verschlossen und weist schallgedammte Wände auf , Luftschallmduzierte Schwingungen werden so vermieden, Dies erlaubt es, weiter verbessert messen zu können. Vor allem im Fall des senkrechten Verlaufs von Laserstrahlen ist diese Ausfuhrungsform zu bevorzugen,145 Chamber is closed with one or more soundproofed doors and has soundproofed walls, airborne vibrations are thus avoided. This makes it possible to measure even better. Especially in the case of the vertical course of laser beams, this embodiment is to be preferred
150150
Vorzugsweise wird mit einer Kamera das erzeugte Interferenzmuster überprüft, und/ oder es werden mit einer Kamera die Laserstrahlen überprüft werden, die von der Probe reflektiert werden, und/ oder es wird mit einer Kamera überprüft, welcher Bereich der Probe charakterisiert 155 wird Die Beobachtungen dienen dazu, korrigierend eingreifen zu können, wenn Fehler auftretenPreferably, the generated interference pattern is checked with a camera, and / or it will be checked with a camera, the laser beams, which are reflected from the sample, and / or it will checking with a camera which area of the sample is being characterized. The observations serve to be able to take corrective action when errors occur
In einer Ausfuhrungsform besteht die Probe aus einem Wafer, vorzugsweise bestehend aus beidseitig poliertem Silizium, mit einerIn one embodiment, the sample consists of a wafer, preferably consisting of both sides polished silicon, with a
160 darauf aufgebrachten dünnen Schicht aus piezoelektrischem Material und metallischen Elektrodenschichten Wahrend der Messung wird Strom über die Elektroden dem piezoelektrischen Material zugeführt und die daraus resultierende Änderung der Schichfdicke mit dem Doppelstrahl - Laseπnterferometer ermittelt Es können so im Rahmen einerDuring the measurement, current is supplied via the electrodes to the piezoelectric material and the resulting change in the Schichfdicke determined with the double - beam Laseπnterferometer
165 Qualitätskontrolle fehlerhafte Piezoelemente frühzeitig aussortiert werden Die Produktionskosten von zum Beispiel Tintenstrahldruckern werden so gesenkt165 Quality Control Defective Piezo Elements Are Sorted Out Early The production costs of, for example, inkjet printers are thus reduced
Zur Durchfuhrung des Verfahrens ist eine Vorrichtung mit einem 170 Doppelstrahl - Laseπnterferometer vorgesehen, die einen Tisch und darauf derart aufgebrachte optischen Komponenten des Doppelstrahl - Laseπnferferometers aufweist, dass der Strahlengang des Laserlichts in einer Ebene senkrecht zur Tischoberflache verlauft Dann kann eine horizontal gelagerte Probe charakterisiert werdenIn order to carry out the method, a device with a 170 double-beam laser interferometer is provided, which has a table and optical components of the double-beam laser interferometer applied thereto so that the beam path of the laser light runs in a plane perpendicular to the table surface. Then a horizontally mounted sample can be characterized
175175
Vorzugsweise weist das Doppelstrahl - Laseπnterferometer eine automatisiert kippbare Lagerung für einen Wafer auf, um auch Wafer mit großen Durchmessern von beispielsweise 6 Zoll mit hoher Genauigkeit charakterisieren zu könnenPreferably, the double-beam laser interferometer has an automatically tiltable mounting for a wafer in order to also be able to characterize wafers with large diameters of, for example, 6 inches with high accuracy
180180
Die Vorrichtung umfasst in einer Ausfuhrungsform eine geschlossene Kammer mit einer dann befindlichen Kameras zur Beobachtung bzw zur Überprüfung des Interferenzmusters und/ oder der Laserstrahlen, die von einer Probe reflektiert werden und/ oder der Probe 185In one embodiment, the device comprises a closed chamber with a camera then located for observing or checking the interference pattern and / or the laser beams which are reflected by a sample and / or the sample 185
Nachfolgend wird der bevorzugt zu verwendende optische Aufbau des Doppelstrahl - Laserinterferometers nebst Funktionsweise naher beschrieben und anhand der Figur 1 verdeutlicht,In the following, the preferred optical design of the double-beam laser interferometer and the mode of operation will be described in more detail and illustrated with reference to FIG. 1,
190190
Ein Strahl (Quelienstrahl) eines amplitudenstabilisierten Lasers 1 durchlauft einen Faraday-Isolator 2, der verhindert, dass eventuell rucklaufende Strahlen den Laser destabiiisieren konnten, Ein optional vorgesehenes Verschlusselement 5 (Shutter) dient zum Abschalten desA beam (source beam) of an amplitude-stabilized laser 1 passes through a Faraday isolator 2, which prevents any jerking rays could destabiiisieren the laser, An optional closure element 5 (shutter) is used to shut down the
195 Laserstrahls, um eine Gefahrdung der Augen wahrend der Bedienung auszuschließen, Dann trifft der Laserstrahl auf einen Spiegel 3 und anschließend auf einen Spiegel 4, um den Strahl vom Laserrohrenausgang sowohl in der Richtung als auch Strahlposition justieren zu können. Nun passiert der Laserstrahl eine Halbwellenplatte 6195 laser beam to exclude an eye hazard during operation, then the laser beam hits a mirror 3 and then a mirror 4, in order to adjust the beam from the laser tube output both in the direction and beam position can. Now the laser beam passes a half-wave plate 6
200 (λ/2 - Platte), Mit dieser kann das Intensitatsverhaltnis von Referenzstrahl und Messstrahl zueinander eingestellt werden , Dazu wird die Polarisation des Quellenstrahls so gedreht, dass ein entsprechender Anteil im nachfolgend angeordneten polarisierenden Strahlteiler 7 nach oben reflektiert (Referenzstrahl) und ein Teil transmittiert (Messstrahl) wird, Der200 (λ / 2 plate), with this the Intensitatsverhaltnis of reference beam and measuring beam to each other can be set, For this purpose, the polarization of the source beam is rotated so that a corresponding proportion in the subsequently arranged polarizing beam splitter 7 reflects upwards (reference beam) and a part is transmitted (measuring beam), The
205 Messstrahl trifft nach einer Weglange, die abhangig von der Ausdehnung der zu untersuchenden Probe ist, auf eine Vierteiwellenplafte 8 (λ/4 - Platte) und anschließend auf einen Spiegel 9, Vom Spiegel 9 gelangt der Messstrahl zu einer Linse 1 0 und wird durch diese fokussiert, Der fokussierte Messstrahl trifft auf die Vorderseite der Probe 1 1 auf , Die205 measuring beam hits after a path which is dependent on the extent of the sample to be examined, on a vieriwellenplafte 8 (λ / 4 - plate) and then on a mirror 9, from the mirror 9, the measuring beam passes to a lens 1 0 and is this focused, the focused measuring beam impinges on the front of the sample 1 1,
210 Probe 1 1 weist auf der Vorderseite eine spiegelnde, reflektierende Elektrode auf, Der Messstrahl wird von der Elektrode reflektiert und gelangt so zurück zur Viertelwellenplatte 8, die vom Messstrahl nun zum zweiten Mal passiert wird. Durch das zweimalige Passieren ist die Polarisation um insgesamt 90° gedreht worden , Daher wird der von der210 Probe 1 1 has a reflecting, reflecting electrode on the front side. The measuring beam is reflected by the electrode and thus returns to the quarter-wave plate 8, which is now passed by the measuring beam a second time. By passing twice the polarization has been rotated by a total of 90 °, Therefore, the of the
215 Vorderseite der Probe reflektierte Messstrahl im polarisierenden215 front of the sample reflected measuring beam in the polarizing
Strahlteiler 7 nun nach unten abgelenkt. Nun gelangt der von der Probe reflektierte Messstrahl zu einem polarisierenden Strahlteller 1 2, durch den der von der Probe reflektierte Messstrαhl erneut aufgrund seiner Polarisation abgelenkt wird Der von der Probe reflektierte MessstrahlBeam divider 7 now deflected down. Now, the measuring beam reflected from the sample passes to a polarizing beam plate 1 2, through the the measuring beam reflected from the sample is deflected again due to its polarization. The measuring beam reflected from the sample
220 gelangt zu einer Viertelwellenplatte 1 3 (λ/4 - Platte) und weiter zu einem Spiegel 1 4, der den von der Probe reflektierten Messstrahl in Richtung Ruckseite der Probe 1 1 ablenkt Bevor der von der Probe reflektierte Messstrahl auf die Ruckseite der Probe 1 1 trifft, wird dieser durch eine Linse 1 5 fokussiert220 passes to a quarter-wave plate 1 3 (λ / 4 - plate) and on to a mirror 1 4, which deflects the reflected from the sample measuring beam toward the back of the sample 1 1 Before the reflected from the sample measuring beam to the back of the sample. 1 1, this is focused by a lens 1 5
225 Die Ruckseite der Probe 1 1 ist poliert worden, damit sie reflektierend wirkt Der von der Probe reflektierte Messstrahl wird nun ein zweites Mal durch die Probe reflektiert Der nun zweifach von der Probe 1 1 reflektierte Messstrahl nimmt den gleichen Weg zurück bis zum polarisierenden Strahlteiler 1 2, den der zweifach von der Probe reflektierte Messstrahl nunThe back side of sample 1 1 has been polished so that it has a reflective effect. The measurement beam reflected by the sample is now reflected a second time through the sample. The measurement beam now reflected twice by the sample 1 1 returns to the polarizing beam splitter 1 2, the measuring beam reflected twice by the sample now
230 transmitriert, weil sich seine Polarisation nach dem zweifachen230 transmits, because its polarization after the twofold
Durchlaufen der Viertelwellenplatte 1 3 um 90° gedreht hat Dann trifft der von der Probe zweifach reflektierte Messstrahl auf einen nicht- polaπsierenden Strahlteiler 1 6, der den von der Probe zweifach reflektierten Messstrahl zu etwa gleichen Anteilen reflektiert undPassing through the quarter-wave plate 1 3 has rotated by 90 ° Then the measurement beam reflected twice from the sample on a non-polaπsierenden beam splitter 1 6, which reflects the twice reflected from the sample measuring beam to approximately equal proportions and
235 transmittiert Der reflektierte Teil wird durch eine Aufweitungslinse 1 7 auf einen Photodetektor 1 8 gelenkt235 The reflected part is directed by a widening lens 1 7 on a photodetector 1 8
Der Referenzstrahl, der aus dem im polarisierenden Strahlteiler 7 abgelenkt worden ist, passiert eine Viertelwellenplatte 1 9 und trifft aufThe reference beam, which has been deflected from the polarizing beam splitter 7, passes through a quarter-wave plate 19 and hits
240 einen Spiegel 20 Dieser Spiegel 20 kann in seiner Position in240 a mirror 20 This mirror 20 can be in its position in
Strahlrichtung verstellt werden mittels eines piezoelektrischen Elements, welches elektrisch angesteuert wird Der Referenzstrahl wird reflektiert, passiert erneut die Viertelwellenplatte und ist damit um 90° gedreht Somit transmittiert er nun den polarisierenden Strahlteiler 7 und ebensoDirection of beam to be adjusted by means of a piezoelectric element which is electrically driven The reference beam is reflected, passes again the quarter wave plate and is thus rotated by 90 ° Thus it now transmits the polarizing beam splitter 7 and as well
245 den polarisierenden Strahlteiler 1 2 Vom Strahlteiler 1 2 wird der245 the polarizing beam splitter 1 2 From the beam splitter 1 2 is the
Referenzstrahl über die Spiegel 21 und 22 zum Strahlteiler 1 6 gelenkt Etwa die Hälfte des Referenzstrahls wird in Richtung des Photodetektors transmittiert und interferiert nun mit dem von der Probe zweifach reflektierten MessstrahlReference beam is guided via the mirrors 21 and 22 to the beam splitter 1 6 About half of the reference beam is transmitted in the direction of the photodetector and now interferes with the measurement beam twice reflected by the specimen
250 Die andere Hälfte der beiden Strahlen aus dem Strahlteiler 1 6 werden nicht verwendet,250 The other half of the two beams from the beam splitter 1 6 are not used
Die Aufweitungslinse 1 7 dient zum Vergrößern des Interferenzmusters der 255 beiden Laserstrahlen (Mess- und Referenzstrahl) auf den Photodetektor, Jedes Element der Vorrichtung kann zum Justieren der beiden Strahlen verwendet werden, Zum einen, dass die beiden Strahlen auf dem Photodetektor die gleiche Stelle treffen und dass beide Strahlen parallel auf den Photodetektor treffen, und das interferenzmuster eingestellt 260 werden kann, Des weiteren wird auch der Messstrahl so eingestellt, dass der Strahl auf der Probenvorderseite und Probenruckseite an gleicher Position auftrifft und auf beiden Seiten im Fokus ist.The expansion lens 1 7 is used to increase the interference pattern of the 255 two laser beams (measuring and reference beam) on the photodetector, each element of the device can be used to adjust the two beams, firstly, that the two beams hit the same spot on the photodetector and that both beams hit the photodetector in parallel, and the interference pattern can be set 260. Further, the measurement beam is also adjusted so that the beam is incident on the sample front side and the sample pressure side at the same position and in focus on both sides.
Eine Kamera 23 nimmt ein Bild des Interferenzmusters der beiden 265 Laserstrahlen Referenzstrahl und Messstrahl auf, Eine Kamera 24 nimmt die Richtung des an der Vorderseite der Probe reflektierten Strahls auf,A camera 23 captures an image of the interference pattern of the two 265 laser beams reference beam and measuring beam. A camera 24 records the direction of the beam reflected at the front of the sample,
Die in der Figur 1 gezeigten Komponenten befinden sich in einer Kammer, die den Aufbau vor störendem Schall schützt, Außerhalb der 270 Kammer ist die zugehörige Elektronik angeordnet.The components shown in Figure 1 are located in a chamber which protects the structure from disturbing sound, Outside the 270 chamber, the associated electronics is arranged.
Die Zahl der erforderlichen Strahlteiler ist bei dem in Figur 1 gezeigten Aufbau vorteilhaft minimiert,The number of required beam splitters is advantageously minimized in the structure shown in FIG. 1,
275 Handelt es sich bei der Probe um einen Wafer mit aufgebrachter dunner piezoelektrischer Schicht, so kann nun durch Anlegen einer Spannung an der Probe in bekannter Weise die Funktionstuchtigkeit des piezoelektrischen Elements überprüft werden , Dies ist insbesondere bei der Qualitätskontrolle von Interesse, so zum Beispiel in Bezug auf Bauteile275 If the sample is a wafer with a thin piezoelectric layer applied to it, it is now possible, by applying a voltage to the sample, to check the functioning of the piezoelectric element in a known manner. This is of particular interest in quality control, for example in Terms of components
280 für einen Tintenstrahldrucker, 280 for an inkjet printer,

Claims

Ansprücheclaims
1 Verfahren für die Charakterisierung einer Probe, die insbesondere aus einem Substrat mit darauf aufgebrachter Schicht besteht, mit einem Doppelstrahl - Laseπnterferometer, bei dem die beiden Laserstrahlen, die zur Vorderseite und zurA method for the characterization of a sample, which consists in particular of a substrate with a layer applied thereto, with a double - beam laser interferometer, in which the two laser beams pointing towards the front and to the front
Ruckseite der Probe gelenkt werden, mit einem Hilfsmittel justiert werden und anschließend die Probe mit Hilfe der justierten Laserstrahlen charakterisiert wirdBack side of the sample are steered, adjusted with an aid and then the sample is characterized by means of the adjusted laser beams
2 Verfahren nach Anspruch 1 , bei dem als Hilfsmittel eine auf einem transparenten Substrat aufgebrachte metallische Schicht verwendet wird2 Method according to claim 1, wherein a metallic layer applied to a transparent substrate is used as auxiliary material
3 Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem für die Justierung mit dem einen Laserstrahl ein ringförmiges Leuchten um die metallische Schicht erzeugt wird und der andere Laserstrahl so eingestellt wird, dass dieser sich innerhalb des ringförmigen Leuchtens befindet3 Method according to the preceding claim, in which for the adjustment with the one laser beam, an annular glow is generated around the metallic layer and the other laser beam is adjusted so that it is within the annular lighting
4 Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine kreisrunde Scheibe als Substrat der Probe mit einem Durchmesser von wenigstens 1 5, 24 cm (6 Zoll) eingesetzt wirdA method according to any one of the preceding claims, wherein a circular disk is used as the substrate of the sample having a diameter of at least 1 5, 24 cm (6 inches)
5 Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Probe horizontal gelagert wird und in dieser horizontalen5. The method according to any one of the preceding claims, wherein the sample is stored horizontally and in this horizontal
Lage mit dem Doppelstrahl - Laseπnterferometer charakterisiert wirdPosition is characterized by the double beam - Laseπnterferometer
6 Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Probe im Verlaufe der Charakterisierung mit demA method according to any one of the preceding claims, wherein the sample is subjected to the characterization in the course of the characterization
Doppelstrahl - Laseπnterferometer verfahren und gekippt wird , Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die optischen Komponenten des Doppelstrahl - Laserinterferometers auf einem zweifach passiv schwingungsgedampften Tisch aufgebaut sind.Double - beam Laseπnterferometer method and tilted Method according to one of the preceding claims, in which the optical components of the double-beam laser interferometer are constructed on a doubly passively vibration-damped table.
, Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Charakterisierung in einer geschlossenen Kammer erfolgt.A method according to any preceding claim, wherein the characterization is in a closed chamber.
, Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem mit einer Kamera wahrend der Charakterisierung das erzeugte Interferenzmuster überprüft wird und/ oder mit einer Kamera die Laserstrahlen überprüft werden, die von der Probe reflektiert werden und/ oder mit einer Kamera überprüft wird, welcherMethod according to one of the preceding claims, wherein the generated interference pattern is checked with a camera during the characterization and / or the laser beams are reflected by a camera, which are reflected by the sample and / or checked with a camera, which
Bereich der Probe charakterisiert wird.Area of the sample is characterized.
, Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Probe aus einem Wafer mit einer darauf aufgebrachten dünnen Schicht aus piezoelektrischem Material besteht und wahrend der Messung Strom dem piezoelektrischen Material zugeführt und die daraus resultierende Änderung der Schichtdicke mit dem Doppelstrahi - Laserinterferometer ermittelt wird,Method according to one of the preceding claims, in which the sample consists of a wafer with a thin layer of piezoelectric material applied thereto and current is supplied to the piezoelectric material during the measurement and the resulting change in layer thickness is determined with the double beam laser interferometer,
, Doppelstrahl - Laserinterferometer zur Durchfuhrung eines Verfahrens nach einem der vorhergehenden Ansprüche umfassend einen Tisch und darauf derart aufgebrachten optischen Komponenten des Doppelstrahl - Laserinterferometers, dass der Strahlengang des Laserlichts in einer Ebene senkrecht zur Tischoberflache verlauft,, Double-beam laser interferometer for carrying out a method according to one of the preceding claims, comprising a table and optical components of the double-beam laser interferometer applied thereto such that the beam path of the laser light runs in a plane perpendicular to the table surface,
, Doppelstraht - Laserinterferometer nach dem vorhergehenden, Dual beam laser interferometer after the previous one
Anspruch, bei der Tisch schwingungsgedampft ist und zwar vorzugsweise zweifach passiv gedampft , 3 , Doppelstrαhl - Lαserinterferometer nach einem der zwei vorhergehenden Ansprüche mit einer automatisiert kippbaren Lagerung für einen Wafer.Claim in which table is vibration damped, preferably twice passively evaporated, 3, Doppelstrαhl - Lαserinterferometer according to one of the two preceding claims with an automatically tiltable storage for a wafer.
4. Doppelstrahl - Laserinterferometer nach einem der drei vorhergehenden Ansprüche mit wenigstens einer in einer geschlossenen Kammer befindlichen Kamera zur Beobachtung des Inlerferenzrnusters und/ oder der Laserstrahlen, die von einer Probe reflektiert werden und/ oder der Probe, 4. Double-beam laser interferometer according to one of the three preceding claims with at least one camera located in a closed chamber for observing the Inlerferenzrnusters and / or the laser beams, which are reflected by a sample and / or the sample,
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114034942A (en) * 2021-11-10 2022-02-11 山东大学 High-flux measurement method for piezoelectric coefficient of piezoelectric film

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6690473B1 (en) * 1999-02-01 2004-02-10 Sensys Instruments Corporation Integrated surface metrology

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6690473B1 (en) * 1999-02-01 2004-02-10 Sensys Instruments Corporation Integrated surface metrology

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
A.L. KHOLKIN, CH. WÜCHRICH, D.V. TAYLOR, N. SETTER: "Interferometric measurements of electric field-induced displacements in piezoelectric thin films", REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS, vol. 67, no. 5, May 1996 (1996-05-01), pages 1935 - 1941, XP002424842 *
CHAO CHEN ET AL: "Modulated laser interferometer with picometer resolution for piezoelectric characterization", REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS, US, vol. 75, no. 11, 1 November 2004 (2004-11-01), pages 4641 - 4645, XP012071862, ISSN: 0034-6748 *
P. GERBER, A. ROELOFS, C.KÜGELER, U. BÖTTGER, R. WASER: "Effects of the top-electrode size on the piezoelectric properties (d33 and S) of lead zirconate titanate thin films", JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS. NEW YORK, US, vol. 96, no. 5, 1 September 2004 (2004-09-01), pages 2800 - 2804, XP012068745, ISSN: 0021-8979 *
PAN W Y ET AL: "A SENSITIVE DOUBLE BEAM LASER INTERFEROMETER FOR STUDYING HIGH-FREQUENCY PIEZOELECTRIC AND ELECTROSTRICTIVE STRAINS", REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS, AIP, MELVILLE, NY, US, vol. 60, no. 8, 1 August 1989 (1989-08-01), pages 2701 - 2705, XP000050225, ISSN: 0034-6748 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114034942A (en) * 2021-11-10 2022-02-11 山东大学 High-flux measurement method for piezoelectric coefficient of piezoelectric film
CN114034942B (en) * 2021-11-10 2022-11-15 山东大学 High-flux measurement method for piezoelectric coefficient of piezoelectric film

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