WO2007003544A2 - Frequenzumrichter mit kondensatorlosem spannungs-zwischenkreis - Google Patents

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WO2007003544A2
WO2007003544A2 PCT/EP2006/063638 EP2006063638W WO2007003544A2 WO 2007003544 A2 WO2007003544 A2 WO 2007003544A2 EP 2006063638 W EP2006063638 W EP 2006063638W WO 2007003544 A2 WO2007003544 A2 WO 2007003544A2
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Bernd Herrmann
Benno Weis
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Siemens Aktiengesellschaft
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    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M5/00—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases
    • H02M5/40—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases with intermediate conversion into dc
    • H02M5/42—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases with intermediate conversion into dc by static converters
    • H02M5/44—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases with intermediate conversion into dc by static converters using discharge tubes or semiconductor devices to convert the intermediate dc into ac
    • H02M5/453—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases with intermediate conversion into dc by static converters using discharge tubes or semiconductor devices to convert the intermediate dc into ac using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M5/458—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases with intermediate conversion into dc by static converters using discharge tubes or semiconductor devices to convert the intermediate dc into ac using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H02M5/4585—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases with intermediate conversion into dc by static converters using discharge tubes or semiconductor devices to convert the intermediate dc into ac using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only having a rectifier with controlled elements

Definitions

  • the invention relates to a frequency converter with capacitor-less voltage intermediate circuit according to the preamble of claim 1.
  • a generic frequency converter with a capacitor-less intermediate circuit includes the so-called F 3 E converter which is known from the publication entitled "Fundamental Frequency Front End Converter (F 3 E) - a DC-link drive converter without electrolytic capacitor” Kurt Göpfrich, dr. Cars Rebbereh and dr. Lothar Sack, reprinted in the conference proceedings PCIM 2003, Nuremberg, May 2003, is known.
  • An essential feature of this F 3 E inverter is that the network-side converter also has turn-off semiconductor switches, which are each connected electrically in parallel with a corre sponding diode of a diode rectifier.
  • turn-off semiconductor switches are driven so that they are also conductive to the conductive states of corresponding diodes.
  • a current path through an associated turn-off semiconductor switch is likewise offered, with which the network-side power converter can feed energy back into a feeding network.
  • the phase voltages of a feeding network are evaluated for equality.
  • the generic converter topology also includes the so-called sparse matrix converter, which is known, for example, from the publication entitled “Analytically Closed Calculation of the Conduction and Switching Losses of Three-Phase AC-AC Sparse Matrix Converters” by F. Schafmeister, M Bau ⁇ mann and JW Kolar, reprinted in the conference volume EPE 2002 Dubrovnik, 09.-11.09.2002, is known.
  • Such a sparse matrix converter has compared to a conventional matrix Inverters have a smaller number of turn-off power semiconductor switches and its associated control is not as complex as a controller of a conventional matrix converter.
  • frequency inverters are used capacitor Wi intermediate circuit only for applications in which the Dy namikan fleshen are not very high and no power off ⁇ cases must be bridged.
  • the invention is based on the object, a frequency converter with capacitor-less voltage intermediate circuit in such a way that it can be upgraded for high-dynamic drives without much effort, the requirement for a robust drive are also met.
  • a device for storing energy is connected on the input side electrically parallel to the voltage intermediate circuit of a frequency converter with a capacitor-less voltage intermediate circuit, energy from this device can be fed into the voltage intermediate circuit of the frequency converter with a capacitor-free voltage intermediate circuit in a controlled manner.
  • this device has a switching device, a drive device and a capacitive storage.
  • the capacitive memory and the switching ⁇ device are electrically connected in series between the input terminals of the device for energy storage, that a path for the energy from the DC to the device is always present.
  • the demand for energy from the device for energy storage is determined as a function of a determined intermediate circuit voltage and a predetermined intermediate circuit voltage limit.
  • an inductance is provided in the energy storage device, which is arranged between an input of the device and the switching device. Due to the presence of this Induktivi ⁇ ity, the value is low, the switching device can be operated pulsed, whereby a mean energy flow is adjustable.
  • this energy storage device is housed in a separate housing. As a result, this device for energy storage can be offered as an additional device in the trade. This also provides high flexibility and the ability to adapt to customer requirements.
  • this device is arranged for energy storage in a capacitor-free frequency converter.
  • this device can be integrated as an option on customer request in a capacitor-free frequency converter at any time without much effort who ⁇ .
  • Fig 1 shows a first embodiment of a frequency converter with capacitor Wi-voltage intermediate circuit according to the invention and Fig 2 is a second embodiment of this kondensatorlo- sen frequency light according to the invention illustrated ⁇ , wherein the
  • FIG. 3 shows a third embodiment of this capacitorless frequency converter according to the invention.
  • the frequency converter 2 shows a frequency converter with a capacitor-free voltage intermediate circuit 16, 4 a feeding network, 6 a motor to be driven, in particular a three-phase asynchronous motor, and 8 a device for energy storage.
  • the frequency converter 2 with capacitor-less voltage intermediate circuit 16, which is also referred to below as a capacitor-less frequency converter 2, has a power converter 10 on the line side, which in accordance with the network-side power converter of a so-called F 3 E inverter or a so-called sparse matrix converter can be executed, and load side a self-commutated pulse converter 12 on.
  • These two power converters 10 and 12 are electrically conductively connected to one another on the DC voltage side.
  • the self-commutated pulse-controlled converter 12 has a capacitor 14 with a low capacitance on the DC voltage side, in particular a foil or ceramic capacitor. This capacitor 14 is therefore used to determine the commutation tion of turn-off power semiconductors, in particular to facilitate in- sulated Gate Bipolar Transistors (IGBT), the self-commutated pulse-controlled converter 12th This capacitor 14 is not suitable in the voltage intermediate circuit 16 of the capacitor-less frequency inverter 2 to energy spei ⁇ manuals.
  • IGBT Gate Bipolar Transistors
  • the device 8 for energy storage is connected in an electrically conductive manner to its input terminals 18 and 20, respectively, to a DC voltage conductor 22 and 24 of the voltage intermediate circuit 16 of the capacitor-free frequency converter 2. As a result, this device 8 is electrically connected in parallel electrically to the voltage intermediate circuit 16 of the capacitor-less Frequen ⁇ converter 2.
  • This Einrich ⁇ device 8 for energy storage has a capacitive memory 26 and a switching device 28. In this embodiment, this switching device 28 has a turn-off semiconductor switch 30 with an antiparallel-connected diode 32.
  • a control device 34 for generating analog drive signals for the turn-off semiconductor switch 30 is on the output side with a control input (gate terminal) of the turn-off semiconductor switch 30 ver ⁇ kneads .
  • this control device 34 Since this control device 34 is intended to generate activation signals for the semiconductor switch 30 which can be switched off, its structure is essentially dependent on the choice of the switchable semiconductor switch 30.
  • an IGBT is provided as turn-off semiconductor switch 30.
  • this control device 34 In order for this control device 34 to control the turn-off semiconductor switch 30 in response to the request of energy, this control device 34 is input-controlled. side electrically connected to the DC voltage conductors 22 and 24 of the capacitor-less voltage intermediate circuit 16 of the frequency converter 2. As a result, a current value of an intermediate circuit voltage U zw and a predetermined intermediate circuit voltage limit value U ZW G is applied to the inputs of this control device 34.
  • the capacitive memory 26 can be dimensioned. As capaci tive ⁇ memory 26 is at least one storage capacitor, in particular an electrolytic capacitor, is provided.
  • FIG 2 shows a circuit diagram of a second embodiment of a frequency converter 2 with capacitor-less voltage intermediate circuit 16 according to the invention.
  • This embodiment differs from the first embodiment shown in FIG 1, characterized in that instead of an IGBT as turn-off semiconductor switch 30, a bidirectional semiconductor switch 36 is provided.
  • a bidirectional semiconductor switch 36 As a bidirectional semiconductor switch 36, a normally-insulated junction field-effect transistor is provided.
  • This high blocking junction FET 36 is also referred to as Junction Field Effect Transistor (JFET).
  • This n-channel JFET 36 is preferably made of silicon carbide (SiC).
  • This n-channel JFET 36 is designed for a high reverse voltage of about 600 volts and yet has only minor Ver ⁇ losses on in the passband.
  • This normally-off junction FET 36 carries its largest drain current at a gate voltage of zero volts. By means of the gate voltage, the resistance between the drain terminal D and the source terminal S of the junction FET 36 is controlled. For this
  • a junction FET is also referred to as a controlled resistor.
  • As the control voltage for the junction FET 36 only a small amplitude voltage is needed. As soon ⁇ the junction type FET is turned on 36, a current can flow in both directions.
  • FIG. 3 schematically illustrates a third embodiment of a frequency converter 2 with a capacitor-free voltage intermediate circuit 16 according to the invention.
  • This embodiment differs from the embodiment according to FIG. 2 in that an inductance 38 is arranged between the input terminal 18 of the device 8 and the switching device 28.
  • the control device 34 is integrated in this embodiment in an electronics 40 of the load-side self-commutated pulse converter 12.
  • This electronics 40 of the load-side self-commutated pulse-controlled converter 12 of the capacitor-free frequency converter 2 supplies a digital control signal to a control input 42 of the device 8.
  • the semiconductor switches 30 and 36 can be operated pulsed. By this pulsed operation of the semiconductor switch 30 and 36, a mean energy flow can be adjusted who ⁇ .
  • This device 8 for storing energy according to the figures 1 to 3, for example, in a separate housing underge ⁇ introduced .
  • this device 8 can be offered as an accessory in the trade. This achieves high flexibility and the ability to adapt to customer requirements.
  • this device 8 can be arranged in the capacitor-free power converter 2.
  • this device 8 is arranged structurally on its own printed circuit board. This this facility can be offered as 8 Op ⁇ tion for the capacitor-less inverter. 2
  • the energy storage device 26 can be adapted to the dynamic requirements of the customer. As a result, overvoltages in the voltage intermediate circuit 16 of the capacitor-free frequency converter 2 are also reduced in the case of mains-side disconnection and in the case of energy recovery from the motor 6.

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Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf einen Frequenzumrichter (2) mit einem kondensatorlosen Spannungs-Zwischenkreis (16), wobei der Frequenzumrichter (2) einen netzseitigen rückspeisefähigen Stromrichter (10) und einen lastseitigen selbstgeführten Pulsstromrichter (12) aufweist, die gleichspannungsseitig miteinander elektrisch leitend verbunden sind. Erfindungsgemäß ist eine Einrichtung (8) eingangsseitig elektrisch parallel zum Spannungs-Zwischenkreis (16) des Frequenzumrichters (2) geschaltet ist, weist diese Einrichtung (8) eine Schalteinrichtung (28), eine Ansteuereinrichtung (34) und einen kapazitiven Speicher (26) auf, sind der kapazitive Speicher (26) und die Schalteinrichtung (28) derart zwischen den Eingangs-Anschlüssen (18, 20) der Einrichtung (8) elektrisch in Reihe geschaltet, dass ein Energiefluss vom Spannungs-Zwischenkreis (16) zum kapazitiven Speicher (26) freigegeben ist, und ist die Ansteuereinrichtung (34), an deren Eingängen eine ermittelte Zwischenkreisspannung (Uzw) und ein vorbestimmter Zwischenkreis-Spannungsgrenzwert (UZWG) anstehen, ausgangsseitig mit einem Steuereingang der Schalteinrichtung (28) verknüpft. Somit kann ein Frequenzumrichter (2) mit kondensatorlosem Spannungs-Zwischenkreis (16) ohne großem Aufwand für hochdynamische Antriebe aufgerüstet werden, der außerdem gegen kurzzeitige Netzunterbrechungen robust ist.

Description

Beschreibung
Frequenzumrichter mit kondensatorlosem Spannungs-Zwischen- kreis
Die Erfindung bezieht sich auf einen Frequenzumrichter mit kondensatorlosem Spannungs-Zwischenkreis gemäß Oberbegriff des Anspruchs 1.
Zu einem gattungsgemäßen Frequenzumrichter mit einem kondensatorlosen Zwischenkreis zählt der sogenannte F3E-Umrichter, der aus der Veröffentlichung mit dem Titel "Fundamental Fre- quency Front End Converter (F3E) - a DC-link drive Converter without electrolytic capacitor", von Kurt Göpfrich, Dr. Cars- ten Rebbereh und Dr. Lothar Sack, abgedruckt im Tagungsband PCIM 2003, Nürnberg, Mai 2003, bekannt ist. Ein wesentliches Merkmal dieses F3E-Umrichters ist, dass der netzseitige Stromrichter auch noch abschaltbare Halbleiterschalter aufweist, die jeweils elektrisch parallel zu einer korrespon- dierenden Diode eines Diodengleichrichters geschaltet sind.
Diese abschaltbaren Halbleiterschalter werden so angesteuert, dass diese zu den leitenden Zuständen korrespondierender Dioden ebenfalls leitend sind. Dadurch wird parallel zu einem Strompfad durch eine Diode ebenfalls ein Strompfad durch ei- nen zugehörigen abschaltbaren Halbleiterschalter angeboten, womit der netzseitige Stromrichter Energie in ein speisendes Netz zurückspeisen kann. Zur Generierung von Steuersignalen werden die Phasenspannungen eines speisenden Netzes auf Gleichheit ausgewertet .
Zur gattungsgemäßen Umrichter-Topologie gehört auch der so genannte Sparse Matrixumrichter, der beispielsweise aus der Veröffentlichung mit dem Titel "Analytically Closed Calcula- tion of the Conduction and Switching Losses of Three-Phase AC-AC Sparse Matrix Converters" von F. Schafmeister, M. Bau¬ mann und J.W. Kolar, abgedruckt im Konferenzband EPE 2002 Dubrovnik, 09.-11.09.2002, bekannt ist. Ein derartiger Sparse Matrixumrichter weist gegenüber einem herkömmlichten Matrix- Umrichter eine geringere Anzahl von abschaltbaren Leistungshalbleiterschaltern auf und seine zugehörige Steuerung ist gegenüber einer Steuerung eines herkömmlichen Matrixumrichters nicht so komplex.
Bei dieser Umrichter-Topologie schwank wegen des fehlenden Zwischenkreiskondensators die Spannung im Spannungs-Zwischen- kreis sehr. Das hat zur Folge, dass die Steuerung des last- seitigen selbstgeführten Pulsstromrichters des F3E-Umrichters bzw. des Sparse Matrixumrichters diese schwankende Zwischen- kreisspannung berücksichtigen muss. Am lastseitigen selbstgeführten Pulsstromrichter ist lediglich ein Folien- oder Keramikkondensator zur Unterstützung der Kommutierung der abschaltbaren Leistungshalbleiterschalter des Pulsstromrichters angebracht. Der Vorteil dieser Umrichter-Topologie liegt dar¬ in, dass mit einfachen Mitteln dieser Umrichter rückspeisefähig ist und dass dieser sehr kompakt aufgebaut werden kann .
Jedoch ist in einigen Anwendungsfällen ein Kondensator mit einer großen Kapazität, beispielsweise von einigen mF, erforderlich. Zu diesen Anwendungsfällen gehören:
a) hochdynamische Antriebe und b) robuste Antriebe.
Bei hochdynamischen Antrieben kann aus diesem Zwischenkreis- kondensator die Regelung sehr schnell Energie für einen Motor beziehen. Bei einem robusten Antrieb kann bei kurzzeitigen Netzausfällen eine Weiterversorgung eines Motors aufrechterhalten werden.
Somit können Frequenzumrichter mit kondensatorlosem Zwischenkreis nur für Anwendungen verwendet werden, in denen die Dy- namikanforderungen nicht sehr hoch sind und keine Netzaus¬ fälle überbrückt werden müssen. Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, einen Frequenzumrichter mit kondensatorlosem Spannungs-Zwischenkreis derart weiterzubilden, dass dieser für hochdynamische Antriebe ohne großen Aufwand hochgerüstet werden kann, wobei die An- forderung an einen robusten Antrieb außerdem erfüllt werden.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.
Dadurch, dass eine Einrichtung zur Energiespeicherung ein- gangsseitig elektrisch parallel zum Spannungs-Zwischenkreis eines Frequenzumrichters mit kondensatorlosem Spannungs-Zwischenkreis geschaltet ist, kann bei Bedarf Energie aus dieser Einrichtung kontrolliert in den Spannungs-Zwischenkreis des Frequenzumrichters mit kondensatorlosem Spannungs-Zwischenkreis gespeist werden. Dazu weist diese Einrichtung eine Schalteinrichtung, eine Ansteuereinrichtung und einen kapazitiven Speicher auf. Der kapazitive Speicher und die Schalt¬ einrichtung sind derart zwischen den Eingangs-Anschlüssen der Einrichtung zur Energiespeicherung elektrisch in Reihe geschaltet, dass ein Pfad für die Energie vom Zwischenkreis zur Einrichtung immer vorhanden ist. Der Bedarf an Energie aus der Einrichtung zur Energiespeicherung wird abhängig von einer ermittelten Zwischenkreisspannung und einem vorbestimmten Zwischenkreis-Spannungsgrenzwert ermittelt. Mit dieser erfin¬ dungsgemäßen Einrichtung zur Energiespeicherung kann ein Frequenzumrichter mit kondensatorlosem Spannungs-Zwischenkreis für einen hochdynamischen Antrieb hochgerüstet werden, wobei außerdem dieser gegen kurzzeitige Netzunterbrechungen robust ist.
Bei einer vorteilhaften Ausführungsform ist in der Einrichtung zur Energiespeicherung eine Induktivität vorgesehen, die zwischen einem Eingang der Einrichtung und der Schalteinrich- tung angeordnet ist. Durch die Anwesenheit dieser Induktivi¬ tät, dessen Wert gering ist, kann die Schalteinrichtung gepulst betrieben werden, wodurch ein mittlerer Energiefluss einstellbar ist. Bei einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform ist diese Einrichtung zur Energiespeicherung in einem eigenen Gehäuse untergebracht. Dadurch kann diese Einrichtung zur Energie- speicherung als Zusatzgerät im Handel angeboten werden. Dadurch werden eine hohe Flexibilität und die Möglichkeiten zur Anpassung an Kundenanforderungen ebenfalls erreicht.
Bei einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform ist diese Einrichtung zur Energiespeicherung in einem kondensatorlosen Frequenzumrichter angeordnet. Dadurch kann diese Einrichtung als Option auf Kundenanfrage in einem kondensatorlosen Frequenzumrichter jederzeit ohne großen Aufwand integriert wer¬ den .
Zur weiteren Erläuterung der Erfindung wird auf die Zeichnung Bezug genommen, in der mehrere Ausführungsformen eines Frequenzumrichters mit kondensatorlosem Spannungs-Zwischenkreis nach der Erfindung schematisch veranschaulicht sind.
FIG 1 zeigt eine erste Ausführungsform eines Frequenzumrichters mit kondensatorlosem Spannungs-Zwischenkreis nach der Erfindung und in der FIG 2 ist eine zweite Ausführungsform dieses kondensatorlo- sen Frequenzumrichters nach der Erfindung veranschau¬ licht, wobei die
FIG 3 eine dritte Ausführungsform dieses kondensatorlosen Frequenzumrichters nach der Erfindung zeigt.
In der FIG 1 sind mit 2 ein Frequenzumrichter mit kondensatorlosem Spannungs-Zwischenkreis 16, mit 4 ein speisendes Netz, mit 6 ein anzutreibender Motor, insbesondere ein Drehstrom-Asynchronmotor, und mit 8 eine Einrichtung zur Energie- speicherung bezeichnet. Der Frequenzumrichter 2 mit kondensa- torlosem Spannungs-Zwischenkreis 16, der im Folgenden auch als kondensatorloser Frequenzumrichter 2 bezeichnet wird, weist netzseitig einen Stromrichter 10 auf, der gemäß dem netzseitigen Stromrichter eines so genannten F3E-Umrichters oder eines so genannten Sparse-Matrixumrichters ausgeführt sein kann, und lastseitige einen selbstgeführten Pulsstromrichter 12 auf. Diese beiden Stromrichter 10 und 12 sind gleichspannungsseitig miteinander elektrisch leitend verbun- den. Der selbst geführte Pulsstromrichter 12 weist gleichspannungsseitig einen Kondensator 14 mit geringer Kapazität, insbesondere einen Folien- oder Keramikkondensator, auf. Dieser Kondensator 14 wird deshalb verwendet, um die Kommutie¬ rung von abschaltbaren Leistungshalbleitern, insbesondere In- sulated-Gate-Bipolar-Transistoren (IGBT) , des selbstgeführten Pulsstromrichters 12 zu erleichtern. Dieser Kondensator 14 ist nicht dazu geeignet, im Spannungs-Zwischenkreis 16 dieses kondensatorlosen Frequenzstromrichters 2 Energie zu spei¬ chern .
Die Einrichtung 8 zur Energiespeicherung ist mit ihren Eingangs-Anschlüssen 18 und 20 jeweils mit einem Gleichspannungsleiter 22 und 24 des Spannungs-Zwischenkreises 16 des kondensatorlosen Frequenzumrichters 2 elektrisch leitend ver- bunden . Dadurch ist diese Einrichtung 8 elektrisch parallel zum Spannungs-Zwischenkreis 16 des kondensatorlosen Frequen¬ zumrichters 2 elektrisch parallel geschaltet. Diese Einrich¬ tung 8 zur Energiespeicherung weist einen kapazitiven Speicher 26 und eine Schalteinrichtung 28 auf. Diese Schaltein- richtung 28 weist in dieser Ausführungsform einen abschaltbaren Halbleiterschalter 30 mit einer antiparallel geschalteten Diode 32 auf. Eine Ansteuereinrichtung 34 zur Generierung von analogen Ansteuersignalen für den abschaltbaren Halbleiterschalter 30 ist ausgangsseitig mit einem Steuereingang (Gate- Anschluss) des abschaltbaren Halbleiterschalters 30 ver¬ knüpft. Da diese Ansteuereinrichtung 34 Ansteuersignale für den abschaltbaren Halbleiterschalter 30 generieren soll, ist deren Aufbau im Wesentlichen von der Wahl des abschaltbaren Halbleiterschalters 30 abhängig. In dieser dargestellten Aus- führungsform ist als abschaltbarer Halbleiterschalter 30 ein IGBT vorgesehen. Damit diese Ansteuereinrichtung 34 auf Anforderung von Energie den abschaltbaren Halbleiterschalter 30 leitend steuert, ist diese Ansteuereinrichtung 34 eingangs- seitig mit den Gleichspannungsleitern 22 und 24 des kondensatorlosen Spannungs-Zwischenkreises 16 des Frequenzumrichters 2 elektrisch verbunden. Dadurch steht an den Eingängen dieser Ansteuereinrichtung 34 ein aktueller Wert einer Zwischen- kreisspannung Uzw und ein vorbestimmter Zwischenkreis-Spannungsgrenzwert UZWG an. In Abhängigkeit eines Vergleiches der aktuellen Zwischenkreisspannung Uzw mit diesem vorbestimmten Zwischenkreis-Spannungsgrenzwerts UZWG wird ein analoges An¬ steuersignal für den abschaltbaren Halbleiterschalter 30 ge- neriert . Sinkt die aktuelle Zwischenkreisspannung Uzw unter¬ halb dieses vorgegebenen Zwischenkreis-Spannungsgrenzwerts UZWG, wird ein Ansteuersignal generiert, dass den abschaltba¬ ren Halbleiterschalter 30 leitend schaltet. Dadurch ist der kapazitive Speicher 26 elektrisch parallel zum kondensatorlo- sen Spannungs-Zwischenkreis 16 geschaltet, wodurch ein Ener¬ gietransfer vom kapazitiven Speicher 26 der Einrichtung 8 zum speisenden Motor 6 ermöglicht wird.
Wie viel Energie in den Spannungs-Zwischenkreis 16 des kon- densatorlosen Frequenzumrichters 2 transferiert werden soll, hängt vom bestehenden Antrieb und/oder von der Kurzschlussfestigkeit des speisenden Netzes 4 ab. Werden z.B. hohe An¬ forderungen an die Dynamik des Antriebs gestellt, so muss dem Motor 6 sehr schnell Energie zugeführt werden, die kurzfris- tig nicht vom speisenden Netz 4 geliefert werden kann. Ist das speisende Netz 4 nicht sehr kurzschlussfest, so muss man mit kurzzeitigen Netzausfällen rechnen. Damit die Einrichtung 8 zur Energiespeicherung diese kurzzeitigen Netzausfälle kompensieren kann, muss die Dauer und die Häufigkeit der auftre- tenden kurzzeitigen Netzausfälle bekannt sein. In Abhängigkeit dieses bekannten Energiebedarfs für den Antrieb, kann der kapazitive Speicher 26 dimensioniert werden. Als kapazi¬ tiver Speicher 26 ist wenigstens ein Speicherkondensator, insbesondere ein Elektrolytkondensator, vorgesehen.
Die FIG 2 zeigt ein Schaltbild einer zweiten Ausführungsform eines Frequenzumrichters 2 mit kondensatorlosem Spannungs- Zwischenkreis 16 nach der Erfindung. Diese Ausführungsform unterscheidet sich von der ersten Ausführungsform gemäß FIG 1 dadurch, dass an Stelle eines IGBT als abschaltbarer Halbleiterschalter 30 ein bidirektionaler Halbleiterschalter 36 vorgesehen ist. Als bidirektionaler Halbleiterschalter 36 ist ein selbstleitender Sperrschicht-Feldeffekttransistor vorgesehen. Dieser hochsperrende Sperrschicht-FET 36 wird auch als Junction Field Effect-Transistor (JFET) bezeichnet. Dieser n- Kanal-JFET 36 besteht vorzugsweise aus Siliziumkarbid (SiC) . Dieser n- Kanal-JFET 36 ist für eine hohe Sperrspannung von über 600 Volt ausgelegt und weist dennoch nur geringe Ver¬ luste im Durchlassbereich auf. Dieser selbstleitende Sperrschicht-FET 36 führt seinen größten Drain-Strom bei einer Gate-Spannung von Null Volt. Mittels der Gate-Spannung wird der Widerstand zwischen dem Drain-Anschluss D und dem Source- Anschluss S des Sperrschicht-FET 36 gesteuert. Aus diesem
Grund wird ein Sperrschicht-FET auch als gesteuerter Widerstand bezeichnet. Als Steuerspannung für den Sperrschicht-FET 36 wird nur eine Spannung mit kleiner Amplitude benötigt. So¬ bald der Sperrschicht-FET 36 eingeschaltet ist, kann ein Strom in beiden Richtungen fließen.
In der FIG 3 ist eine dritte Ausführungsform eines Frequenzumrichters 2 mit kondensatorlosem Spannungs-Zwischenkreis 16 nach der Erfindung schematisch veranschaulicht. Diese Ausfüh- rungsform unterscheidet sich von der Ausführungsform gemäß FIG 2 dadurch, dass zwischen dem Eingangs-Anschluss 18 der Einrichtung 8 und der Schalteinrichtung 28 eine Induktivität 38 angeordnet ist. Außerdem ist die Ansteuereinrichtung 34 bei dieser Ausführungsform in einer Elektronik 40 des last- seitigen selbstgeführten Pulsstromrichters 12 integriert. Diese Elektronik 40 des lastseitigen selbstgeführten Pulsstromrichters 12 des kondensatorlosen Frequenzumrichters 2 liefert an einem Steuereingang 42 der Einrichtung 8 ein digitales Steuersignal. Durch die Verwendung der Induktivität 38, kann der Halbleiterschalter 30 bzw. 36 gepulst betrieben werden. Durch diesen gepulsten Betrieb des Halbleiterschalters 30 bzw. 36 kann ein mittlerer Energiefluss eingestellt wer¬ den . Diese Einrichtung 8 zur Energiespeicherung gemäß den Figuren 1 bis 3 ist beispielsweise in einem eigenen Gehäuse unterge¬ bracht. Dadurch kann diese Einrichtung 8 als Zusatzgerät im Handel angeboten werden. Dadurch werden eine hohe Flexibilität und die Möglichkeit zur Anpassung an Kundenanforderungen erreicht. Außerdem kann diese Einrichtung 8 in den kondensatorlosen Stromrichter 2 angeordnet werden. Beispielsweise wird diese Einrichtung 8 baulich auf einer eigenen Leiter- platte angeordnet. Dadurch kann diese Einrichtung 8 als Op¬ tion für den kondensatorlosen Frequenzumrichter 2 angeboten werden .
Durch die erfindungsgemäße Ausbildung eines Frequenzumrich- ters 2 mit kondensatorlosem Spannungs-Zwischenkreis 16 kann dieser nun für zahlreiche Topologien für hochdynamische Anwendungen aufgerüstet werden. Außerdem besteht hierbei die Möglichkeit, diese Einrichtung 8 zu Energiespeicherung als Zusatzgerät zu einem kondensatorlosen Frequenzumrichter 2 op- tional Kunden anbieten zu können, um damit die Anzahl von
Grundgeräte und deren Volumen zu reduzieren. Der Energiespei¬ cher 26 kann an die Dynamikanforderungen des Kunden angepasst werden. Dadurch werden außerdem Überspannungen im Spannungs- Zwischenkreis 16 des kondensatorlosen Frequenzumrichters 2 bei netzseitiger Abschaltung und bei Rückspeisung von Energie aus dem Motor 6 reduziert.

Claims

Patentansprüche
1. Frequenzumrichter (2) mit einem kondensatorlosen Span- nungs-Zwischenkreis (16) mit einem netzseitigen rückspeisefä- higen Stromrichter (10) und mit einem lastseitigen selbstgeführten Pulsstromrichter (12), die gleichspannungsseitig mit¬ einander elektrisch leitend verbunden sind, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass eine Einrichtung (8) ein- gangsseitig elektrisch parallel zum Spannungs-Zwischenkreis (16) des Frequenzumrichters (2) geschaltet ist, dass diese Einrichtung (8) eine Schalteinrichtung (28), eine Ansteuereinrichtung (34) und einen kapazitiven Speicher (26) aufweist, dass der kapazitive Speicher (26) und die Schaltein¬ richtung (28) derart zwischen den Eingangs-Anschlüssen (18,20) der Einrichtung (8) elektrisch in Reihe geschaltet sind, dass ein Energiefluss vom Spannungs-Zwischenkreis (16) zum kapazitiven Speicher (26) freigegeben ist, und dass die Ansteuereinrichtung (34), an deren Eingängen eine ermittelte Zwischenkreisspannung (Uzw) und ein vorbestimmter Zwischen- kreis-Spannungsgrenzwert (UZWG) anstehen, ausgangsseitig mit einem Steuereingang der Schalteinrichtung (28) verknüpft ist.
2. Frequenzumrichter (2) nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass eine In- duktivität (38) in der Einrichtung (8) vorgesehen ist, die zwischen einem Eingang (18) und der Schalteinrichtung (28) angeordnet ist.
3. Frequenzumrichter (2) nach einem der vorgenannten An- Sprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass die Einrichtung (8) in einem eigenen Gehäuse untergebracht ist .
4. Frequenzumrichter (2) nach einem der Ansprüche 1 und 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass die Einrichtung (8) in dem Frequenzumrichter (2) angeordnet ist.
5. Frequenzumrichter (2) nach einem der Ansprüche 1 und 2, d a d u r c h , g e k e n n z e i c h n e t , dass der Freuenzumrichter (2) und die Einrichtung (8) eine Baueinheit bilden.
6. Frequenzumrichter (2) nach einem der vorgenannten An¬ sprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass die Schalteinrichtung (28) einen abschaltbaren Halbleiter¬ schalter (30) mit antiparalleler Diode (32) aufweist.
7. Frequenzumrichter (2) nach einem der vorgenannten An¬ sprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass als kapazitiver Energiespeicher (26) wenigstens ein Elektro¬ lytkondensator vorgesehen ist.
8. Frequenzumrichter (2) nach einem der vorgenannten An¬ sprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass die Ansteuereinrichtung (34) Bestandteil einer Elektronik
(40) des lastseitigen Pulsstromrichters (12) ist.
9. Frequenzumrichter (2) nach Anspruch 6, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass als ab¬ schaltbarer Halbleiterschalter (30) ein bidirektionaler Schalter vorgesehen ist.
10. Frequenzumrichter (2) nach Anspruch 7, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass als bidi¬ rektionaler Schalter ein Sperrschicht-Feldeffekt-Transistor vorgesehen ist.
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