WO2006112412A1 - レーザ光発生装置および発生方法 - Google Patents

レーザ光発生装置および発生方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2006112412A1
WO2006112412A1 PCT/JP2006/307971 JP2006307971W WO2006112412A1 WO 2006112412 A1 WO2006112412 A1 WO 2006112412A1 JP 2006307971 W JP2006307971 W JP 2006307971W WO 2006112412 A1 WO2006112412 A1 WO 2006112412A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light
laser
semiconductor laser
wavelength
semiconductor
Prior art date
Application number
PCT/JP2006/307971
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Hitoshi Oguri
Tokutaka Hara
Masahito Mure
Miki Yatsuki
Original Assignee
Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2005119048A external-priority patent/JP4205076B2/ja
Priority claimed from JP2005282455A external-priority patent/JP4402030B2/ja
Application filed by Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. filed Critical Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd.
Priority to US11/883,018 priority Critical patent/US7760775B2/en
Priority to EP06731907A priority patent/EP1870973A1/en
Publication of WO2006112412A1 publication Critical patent/WO2006112412A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/14—External cavity lasers
    • H01S5/141—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08018—Mode suppression
    • H01S3/08022—Longitudinal modes
    • H01S3/08031—Single-mode emission
    • H01S3/08036—Single-mode emission using intracavity dispersive, polarising or birefringent elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08059—Constructional details of the reflector, e.g. shape
    • H01S3/08063—Graded reflectivity, e.g. variable reflectivity mirror
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/081—Construction or shape of optical resonators or components thereof comprising three or more reflectors
    • H01S3/0813—Configuration of resonator
    • H01S3/0815—Configuration of resonator having 3 reflectors, e.g. V-shaped resonators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
    • H01S3/108—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
    • H01S3/109—Frequency multiplication, e.g. harmonic generation

Definitions

  • the present invention relates to an apparatus and method for generating laser light having a specific wavelength.
  • a method of obtaining laser light having a missing wavelength that cannot be directly oscillated from a deviation of a gas laser, a semiconductor laser (LD), and a solid-state laser There has been proposed a method of obtaining a laser beam having a wavelength of 561 nm by converting the wavelength of the laser power oscillation light (1122 nm) by making it incident on the second harmonic generation element as a fundamental light.
  • Non-Patent Document 2 Also known is a method of obtaining laser light that has been wavelength-converted by sum frequency mixing using two laser lights having different wavelengths (for example, Non-Patent Document 2 below).
  • Non-Patent Document l OSA TOPS Vol. 10 "Advanced Solid State Lasers, 199 7, p. 77, A Diode Pumped Solid State Yellow Laser at 564. 5nm", by X. X. Zhang and W. L Zhou
  • Non-Patent Document 2 “Keywords Description Photo Encyclopedia”, Optrotas, December 12, 2004, p. 442
  • Non-Patent Document 1 The method described in Non-Patent Document 1 is not practical because the structure of the device is complicated and the solid-state laser is expensive.
  • An object of the present invention is to provide a laser light generating apparatus and a laser light generating method that can stably generate the laser light and that are inexpensive and highly practical.
  • the present invention employs the following configuration.
  • the laser beam generator of the present invention includes a semiconductor laser and a second harmonic generation element that converts the wavelength of the fundamental light emitted from the semiconductor laser.
  • the semiconductor laser includes an external resonator structure, An external resonance type semiconductor laser that emits a mode laser beam, wherein the second harmonic generation element is a waveguide type second harmonic generation element including a single mode waveguide.
  • the laser light generation method of the present invention is a method for generating laser light of a specific wavelength by making the fundamental light emitted from the semiconductor laser enter the second harmonic generation element and converting the wavelength.
  • the semiconductor laser is an external resonant semiconductor laser having an external resonator structure and emitting lateral single mode laser light
  • the second harmonic generation element is a waveguide type first laser having a single mode waveguide. It is characterized by being a second harmonic generator.
  • the laser light generation apparatus and generation method of the present invention can stably generate laser light having a desired specific wavelength with a simple apparatus configuration, and are therefore practical at low cost. In addition, a high output intensity of the laser beam can be realized.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of a laser beam generator according to the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing another embodiment of the laser beam generator of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing another embodiment of the laser beam generator of the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of a laser beam generator of the present invention.
  • reference numeral 1 is an external resonance type semiconductor laser
  • 2 is a waveguide type second harmonic generation element (hereinafter also referred to as SHG element)
  • 3 is a first wavelength filter
  • 4 is a focusing means
  • 5 is a collimator.
  • 6 indicate second wavelength filters, respectively.
  • the external cavity semiconductor laser 1 in the present embodiment includes a semiconductor element 11, a first beam shaping element 12, a second beam shaping element 13, and reflecting means 14.
  • the semiconductor element 11 used in this embodiment emits light in at least two different directions from the same end face (one emission surface 1 la).
  • a gain waveguide type semiconductor laser It is.
  • a gain waveguide type semiconductor laser is one in which the active layer of the laser has a wide width of about 50 ⁇ m to 400 ⁇ m along the junction surface with the p-type semiconductor and the n-type semiconductor.
  • the refractive index at both ends of the active layer increases as the drive current increases, so the active layer itself has the effect of a concave lens, and the emitted light is bent in two different directions. have.
  • the semiconductor element 11 is preferably a broad area type semiconductor laser element (BALD).
  • BALD broad area type semiconductor laser element
  • an element including 1120 nm in the oscillation wavelength region is preferable.
  • a BALD having an oscillation wavelength of 720 to 1120 nm is preferably used.
  • the broad area type semiconductor laser (BALD) is preferably a gain waveguide type semiconductor laser and oscillates a laser beam whose transverse (spatial) mode is multimode.
  • One of the light beams 18 emitted from the semiconductor element 11 in two directions is emitted from the semiconductor element 1. It is used as external resonance light that becomes 1 excitation light. That is, the one outgoing light 18 is collimated into a parallel beam along the central axis 17 of the semiconductor element 11 by sequentially passing through the first beam shaping element 12 and the second beam shaping element 13. The collimated outgoing light 18 is reflected by the reflecting means 14, and the reflected beam again passes through the second beam shaping element 13 and the first beam shaping element 12 in order to reach the semiconductor element 11. It returns and becomes the excitation light of the semiconductor element 11.
  • an antireflection film for the resonance wavelength on the emission surface 11 a of the semiconductor element 11.
  • a film for preventing reflection of light having a wavelength of 1120 nm is provided.
  • the other emitted light 19 is collimated into a parallel beam along the central axis 17 of the semiconductor element 11 by sequentially passing through the first beam shaping element 12 and the second beam shaping element 13, and the external resonant semiconductor laser 1 The emitted light from the light 10a.
  • a reflective film l ib is provided on the end face side facing the emission surface 11a. Therefore, the laser beam fed back to the semiconductor element 11 is reflected by 1 lb of the reflection film and is emitted from the emission surface 11a again.
  • the other emitted light 19 and the emitted light 10a from the external resonant semiconductor laser 1 are laser light oscillated by resonance between the reflecting means 14 and the reflective film ib.
  • the reflection film 1 lb for example, a dielectric multilayer filter or a metal vapor deposition film can be used.
  • the first and second beam shaping elements 12 and 13 are disposed across both optical paths of the light 18 and 19 emitted from the semiconductor element 11 in two directions.
  • the direction perpendicular to the plane including both the optical axes of the two directions of outgoing light 18 and 19 emitted from the semiconductor element 11 is defined as the first direction (the direction perpendicular to the paper surface in FIG. 1).
  • the direction of the center axis 17 of the child 11 is the third direction, and the direction perpendicular to the first direction and the third direction The direction is the second direction.
  • the first beam shaping element 12 closer to the semiconductor element 11 has a function of narrowing the emitted light in the first direction.
  • the beam shaping element 13 has an action of narrowing the emitted light in both the first direction and the second direction.
  • a fast axis collimator (hereinafter sometimes referred to as “FAC”) made of a cylindrical lens is used as the first beam shaping element 12, and a slow axis made of a spherical lens is used as the second beam shaping element 13. It is preferable to use a collimator for use (hereinafter sometimes referred to as “SAC”).
  • FAC fast axis collimator
  • SAC collimator for use
  • the reflection mirror is preferably a partial reflection mirror in which a mirror-like reflection surface 15 is formed only in a region irradiated with one outgoing light (external resonance light) 18.
  • the beam shape can be adjusted by adjusting the formation area of the reflecting surface 15.
  • the method for adjusting the formation area of the reflection surface 15 may be a method of cutting a non-reflection area by dicing, or a method of forming a light absorption film or an antireflection film in an area other than the reflection surface 15.
  • a filter film that selectively reflects only light of a specific wavelength may be formed in the formation region of the reflecting surface 15.
  • an external resonator structure is configured between the semiconductor element 11 (reflective film l ib) and the reflecting means 14 (reflective surface 15). Therefore, the emitted light 10a from the external resonant semiconductor laser 1 becomes a transverse (space) single mode laser light.
  • the “lateral (space) single mode laser beam” in the present invention means that the beam profile obtained by measurement of your field pattern is a single mode.
  • the resonance wavelength in the external cavity semiconductor laser 1 is the optical path length contributing to the resonance. In this embodiment, it can be adjusted according to the distance from the reflective film l ib to the reflective surface 15 of the semiconductor element 11.
  • light having a wavelength of 1120 nm is configured to resonate efficiently.
  • the first wavelength filter 3 is provided on the optical path of the emitted light 10 a from the external resonant semiconductor laser 1.
  • the first wavelength filter 3 selectively transmits only a specific wavelength.
  • the spectral line width of the emitted light (lateral single mode laser light) 10 a from the externally resonating semiconductor laser 1.
  • the spectral line width of the transmitted outgoing light 10b that has passed through the first wavelength filter 3 has a spectral width of the laser light measured by the optical spectrum analyzer of 1 nm or less. It is more preferable that the thickness is 0.3 nm or less.
  • the transmitted light 10b may be a longitudinal single mode laser beam.
  • the first wavelength filter 3 for example, TiO / SiO, Ta 2 O / SiO, etc. on the support
  • a wavelength filter provided with a dielectric multilayer film of 2 2 2 5 2, a transmission type Fabry-Perot type etalon, a grating, or the like can be used.
  • the first wavelength filter 3 is configured to selectively transmit light having a wavelength of 1120 nm! RU
  • the first wavelength filter 3 is preferably arranged such that the incident surface on the external resonant semiconductor laser 1 side is inclined with respect to a plane perpendicular to the optical axis of the emitted light 10a. . In this way, it is possible to prevent light having an unnecessary wavelength reflected by the first wavelength filter 3 from returning to the semiconductor element 11 by returning the light path of the outgoing light 10a in the reverse direction. It is possible to suppress the unstable operation of the semiconductor element 11 due to the feedback of light having an unnecessary wavelength.
  • the transmitted outgoing light 10b that has passed through the first wavelength filter 3 out of the outgoing light 10a from the external resonant semiconductor laser 1 is incident on the SHG element 2 via the condensing means 4. .
  • the SHG element 2 is provided with a single mode waveguide, and is preferably provided with a single mode waveguide on a substrate made of a ferroelectric material, and the dielectric material in the length direction of the waveguide.
  • a waveguide type PPLN in which domain inversion is periodically performed by proton exchange on MgO-doped LN (lithium niobate) is preferably used.
  • Wavelength conversion in the SHG element 2 can be controlled by parameters such as inversion width.
  • light having a wavelength of 560 nm (emitted light 10c) is emitted from the SHG element 2 when light having a wavelength of 1120 nm is incident as basic light.
  • the outgoing light 10 c from the SHG element 2 is incident on the second wavelength filter 6 via the collimator 5.
  • the second wavelength filter 6 is configured to cut the basic light (light having a wavelength of 1120 nm in this embodiment) and to transmit the outgoing light 10c from the SHG element 2 (light having a wavelength of 560 nm in this embodiment).
  • an IR (infrared) cut filter can be suitably used.
  • the second wavelength filter 6 emits outgoing light having a desired specific wavelength (in this embodiment, light having a wavelength of 560 nm) 10d.
  • a lateral single mode laser beam (emitted light 10a) including a wavelength of 1120 nm is emitted from the external resonant semiconductor laser 1. . Then, after the spectral line width is reduced by the first wavelength filter 3, this light is incident on the SHG element 2 as basic light, where it is wavelength-converted to obtain 560 ⁇ m laser light (emitted light 10 d). .
  • the laser beam generator of this embodiment can be used as a light source that emits a laser beam having a defect wavelength of 560 nm.
  • the laser light generator of this embodiment uses a waveguide type SHG element having a single mode waveguide as the SHG element 2, the conversion efficiency of the SHG element 2 is good.
  • the fundamental light is multimode, the generation in the waveguide type SHG element becomes very unstable. The reasons are as follows: (1) The basic light is in the horizontal multimode. If so, the coupling between the waveguide type SHG element and the single mode waveguide becomes unstable, and (2) if the spectral line width of the fundamental light is wide, the SHG element 2 will be suitable for a specific wavelength. It is considered that the matching with the phase matching condition becomes unstable.
  • the emitted light 10a from here becomes a transverse single mode. Good coupling to SHG element 2 with waveguide.
  • the first wavelength filter 3 is provided on the optical path of the outgoing light 10a of the external cavity semiconductor laser 1, the transmitted outgoing light 10b that has passed through the first wavelength filter 3 has a reduced spectral line width (narrowing). As a result, the matching with the phase matching condition in the SHG element 2 is stabilized and the output intensity is increased.
  • the transmitted outgoing light 10b is longitudinal if there is no fluctuation in the inversion period of the SHG element 2.
  • the power that is optimal for single-mode laser light Usually, there is some fluctuation in the inversion period in SHG element 2, and it is possible to enter basic light having an appropriate spectral line width corresponding to this fluctuation. This is preferable for improving the output intensity.
  • the SHG element 2 it is also possible to configure the SHG element 2 so that a desired fluctuation occurs in its inversion period, and to configure the SHG element 2 to have an appropriate magnitude corresponding to the fluctuation of the spectral line width force of the transmitted outgoing light 10b. It is preferable at the point which improves.
  • a semiconductor element 11 that oscillates multimode light can be used.
  • a broad area type semiconductor laser element BALD
  • an external resonance type semiconductor laser is configured in combination with at least one beam shaping element. Since BALD can cope with a wideband wavelength, the wavelength of the emitted light 10a from the external resonant semiconductor laser 1 can be changed by changing the resonant wavelength in the external resonant semiconductor laser 1 and using the SHG element 2 corresponding to that wavelength. Has the advantage of being easy.
  • the laser beam generator and the generation method of the present embodiment a simple apparatus With the configuration, the light emitted from the semiconductor element 11 can be wavelength-converted efficiently and stably, and a practical laser beam in the visible light region can be obtained. For example, a laser beam having a defect wavelength of 560 nm can be stably obtained with a practical intensity.
  • the first beam shaping element 12 having an action of focusing light in the first direction, the first direction, and the second direction Since the second beam shaping element 13 having the function of narrowing the light in both directions is provided, the beam shape in the resonator is changed in the first direction (for example, the vertical direction) and the second direction (for example, the horizontal direction). Direction). At this time, the divergence angles in the two directions of the outgoing light 10a from the resonator coincide, and astigmatism is eliminated. This provides better coupling to SHG element 2 with a single mode waveguide.
  • conversion efficiency can be achieved preferably as high as about 15 to 30%.
  • the first wavelength filter 3 is provided on the optical path of the emitted light 10a from the external resonant semiconductor laser 1.
  • the first wavelength filter 3 is provided on the second beam. Even if it is provided on the optical path of one outgoing light 18 between the shaping element 13 and the reflecting means 14, the same effect can be obtained.
  • a third wavelength filter 3 ′ having the same action as that of the first wavelength filter 3 may be provided across the two. In this way, the spectrum width (line width) of the emitted light 10a from the external resonant semiconductor laser 1 is further narrowed.
  • the third wavelength filter 3 ′ is parallel to a plane including the outgoing light 10 a and one outgoing light from the semiconductor element (light for external resonance) 18 and is It may be tilted about a rotation axis AX perpendicular to the central optical axis (semiconductor element central axis 17) between the incident light 10a and one outgoing light 18.
  • the incident angle of the outgoing light 10a with respect to the third wavelength filter 3 ′ and the incident angle of one outgoing light 18 are maintained at the same value, and the outgoing light in the third wavelength filter 3 ′ is maintained.
  • the transmission spectrum distribution of the light 10a and the one outgoing light 18 can be matched.
  • FIG. 3 is a view of the laser light generator as viewed from the second direction (lateral direction).
  • the external resonator structure in the external cavity semiconductor laser 1 may be configured to obtain lateral single mode emission light even when the light oscillated from the semiconductor element 11 is multimode. Good. Therefore, not only the configuration of the above embodiment but also other external resonator structures can be applied as appropriate.
  • a laser beam generator having the configuration shown in FIG. 2 was manufactured.
  • the semiconductor device 11 includes a gain waveguide type semiconductor laser device having an oscillation wavelength of 1115 to 1
  • a 125 nm BALD was used.
  • a FAC having a cylindrical lens (optical fiber piece) force having a diameter of 125 / ⁇ ⁇ , a refractive index of 1.45, and a focal length of 0.08 mm was used as the first beam shaping element 12.
  • the second beam shaping element 13 is an S-shaped spherical lens with a focal length of 20 mm.
  • the reflection means 14 a reflection mirror having a mirror finish on a region of 3 mm in length and 3 mm in width was used.
  • the distance between the semiconductor element 11 and the reflecting means 14 was set so that the resonance wavelength was 1120 nm.
  • the third wavelength filter 3 ' a dielectric multilayer filter having Ta O / SiO force is used.
  • the third wavelength filter 3 ′ is provided between the second beam shaping element 13 and the reflecting means 14 on the optical path of one outgoing light 18 and on the optical path of the outgoing light 10a from the external resonant semiconductor laser 1. It was set up so as to straddle.
  • a condensing lens having a focal length of 1.65 was used as the condensing means 4.
  • a waveguide-type PPLN is used, in which MgO-doped LN (lithium niobate) is periodically domain-inverted by proton exchange.
  • the inversion width is 7.2 to 7. did.
  • a condenser lens having a focal length of 1.65 was used as the collimator 5.
  • an IR cut filter with a cut wavelength of 900 to 2000 nm was used as the second wavelength filter 6.
  • the semiconductor element 11 was driven at a driving voltage of 1.2 IV and a driving current of 800 mA.
  • the output intensity of the emitted light 10a from the external cavity semiconductor laser 1 was 300 mW. It was confirmed by a beam profiler (product name; Beamaster Fx-50, manufactured by OPHIR) that the emitted light 10a is in the transverse single mode.
  • the center wavelength of the output light 10d from the second wavelength filter 6 was 560 nm, the spectral line width was 0.03 mm, and the output intensity was 30 mW.
  • the laser light generation apparatus and generation method of the present invention are useful for realizing a laser light source for visible light.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Abstract

　このレーザ光発生装置は、半導体レーザ１と、半導体レーザ１から出射される基本光１０ａを波長変換する第二高調波発生素子２を備え、半導体レーザ１が、外部共振器構造を備え、横シングルモードレーザ光を出射する外部共振型半導体レーザであり、第二高調波発生素子２が、シングルモード導波路を備える導波路型第二高調波発生素子であることを特徴とする。このレーザ光発生装置は、装置構成が簡素で、所望の特定波長のレーザ光を安定に発振できるため、実用性が高い。

Description

明 細 書
レーザ光発生装置および発生方法
技術分野
[0001] 本発明は、特定波長のレーザ光を発生させる装置および方法に関する。
本願は、 2005年 4月 15日に日本に出願された特願 2005— 119048号および 20 05年 9月 28日に日本に出願された特願 2005— 282455号に基づき優先権を主張 し、その内容をここに援用する。
背景技術
[0002] ガスレーザ、半導体レーザ (LD)、固体レーザの 、ずれからも直接発振させることが できな 、欠損波長のレーザ光を得る方法にっ 、て、例えば下記非特許文献 1では、 LD励起固体レーザ力 の発振光（1122nm)を第二高調波発生素子に基本光とし て入射することによって波長変換し、波長 561nmのレーザ光を得る方法が提案され ている。
また、波長が互いに異なる 2つのレーザ光を用い、和周波混合により波長変換した レーザ光を得る方法も知られて ヽる（例えば、下記非特許文献 2)。
非特許文献 l : OSA TOPS Vol. 10 "Advanced Solid State Lasers, 199 7, p. 77, A Diode Pumped Solid State Yellow Laser at 564. 5nm", X. X. Zhang and W. L Zhou著
非特許文献 2 :「キーワード解説 光技術総合事典」、ォプトロ-タス社、 2004年 12月 12日発行、 p. 442
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0003] 上記非特許文献 1に記載の方法では、装置の構造が複雑であり、また固体レーザ が高価であるため、装置の価格が高くなり実用的ではない。
上記非特許文献 2に記載の方法では、レーザ光源を 2個使用するため、装置の価 格が高くなるほか、光源の駆動電源の構成も複雑になり実用的でない。
[0004] 本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、装置構成が簡素で、所望の特定波長 のレーザ光を安定に発生できる、低コストで実用性の高 、レーザ光発生装置および レーザ光発生方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0005] 上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明のレーザ光発生装置は、半導体レーザと、該半導体レーザから出射される 基本光を波長変換する第二高調波発生素子を備え、前記半導体レーザが、外部共 振器構造を備え、横シングルモードレーザ光を出射する外部共振型半導体レーザで あり、前記第二高調波発生素子が、シングルモード導波路を備える導波路型第二高 調波発生素子であることを特徴とする。
[0006] また本発明のレーザ光発生方法は、半導体レーザから出射される基本光を第二高 調波発生素子に入射して波長変換することにより特定波長のレーザ光を発生させる 方法であって、前記半導体レーザが、外部共振器構造を備え、横シングルモードレ 一ザ光を出射する外部共振型半導体レーザであり、前記第二高調波発生素子が、 シングルモード導波路を備える導波路型第二高調波発生素子であることを特徴とす る。
発明の効果
[0007] 本発明のレーザ光発生装置および発生方法は、簡素な装置構成で、所望の特定 波長のレーザ光を安定に発生させることができるため、低コストで実用性が高い。ま た、該レーザ光の高い出力強度を実現することができる。
図面の簡単な説明
[0008] [図 1]本発明のレーザ光発生装置の一実施形態を示す概略構成図である。
[図 2]本発明のレーザ光発生装置の他の実施形態を示す概略構成図である。
[図 3]本発明のレーザ光発生装置の他の実施形態を示す概略構成図である。
符号の説明
[0009] 1 外部共振型半導体レーザ
2 導波路型第二高調波発生素子 (SHG素子）
3 第 1の波長フィルタ 3' 第 3の波長フィルタ
4 集光手段
5 コリメータ
6 第 2の波長フィルタ
11 半導体素子
12 第 1のビーム整形素子
13 第 2のビーム整形素子
14 反射手段
発明を実施するための最良の形態
[0010] 図 1は本発明のレーザ光発生装置の一実施形態を示した概略構成図である。
図中符号 1は外部共振型半導体レーザ、 2は導波路型第二高調波発生素子 (以下 、 SHG素子ということがある）、 3は第 1の波長フィルタ、 4は集光手段、 5はコリメータ 、 6は第 2の波長フィルタをそれぞれ示す。
[0011] 本実施形態における外部共振型半導体レーザ 1は、半導体素子 11と、第 1のビー ム整形素子 12と、第 2のビーム整形素子 13と、反射手段 14を備えている。
本実施形態で用いられて!/、る半導体素子 11は、同一端面（1つの出射面 1 la)から 少なくとも互いに異なる 2方向に光を出射するものであり、例えば、利得導波路型半 導体レーザである。利得導波路型半導体レーザとは、レーザの活性層が p型半導体 および n型半導体との接合面に沿って 50 μ m〜400 μ m程度の広 ヽ幅を持つもの である。この利得導波路型半導体レーザは、駆動電流の増加に伴い活性層の両端 部の屈折率が高くなるため、活性層自身が凹レンズとしての効果を持ち、出射光が 異なる 2方向に曲げられるという特性を持つ。
半導体素子 11としては、ブロードエリア型半導体レーザ素子（BALD)が好ましぐ 特に本実施形態では発振波長域に 1120nmを含むものが好ま 、。例えば発振波 長 720〜1120nmの BALDが好適に用いられる。本発明にお 、て好ま 、ブロード エリア型半導体レーザ (BALD)は、利得導波路型半導体レーザであって、横 (空間) モードがマルチモードであるレーザ光を発振する。
[0012] 半導体素子 11から 2方向に出射する光のうちの一方の出射光 18は、半導体素子 1 1の励起光となる外部共振用の光として利用される。すなわち、該一方の出射光 18 は、第 1のビーム整形素子 12および第 2のビーム整形素子 13を順に通過することに よって、半導体素子 11の中心軸 17に沿う平行ビームにコリメートされる。コリメートさ れた出射光 18は、反射手段 14で反射され、反射されたビームは、再度、第 2のビー ム整形素子 13および第 1のビーム整形素子 12を順に通過して、半導体素子 11に帰 還し、半導体素子 11の励起光となる。
また、図示していないが、半導体素子 11の出射面 11a上には共振波長に対する反 射防止膜を設けることが好ましい。本実施形態では波長 1120nmの光の反射を防止 する膜が設けられている。
他方の出射光 19は、第 1のビーム整形素子 12および第 2のビーム整形素子 13を 順に通過することによって半導体素子 11の中心軸 17に沿う平行ビームにコリメートさ れ、外部共振型半導体レーザ 1からの出射光 10aとなる。
[0013] また、半導体素子 11において、前記出射面 11aと対向する端面側には反射膜 l ib が設けられている。したがって、半導体素子 11に帰還したレーザ光は、この反射膜 1 lbで反射されて再び出射面 11aから出射される。
このとき、一方の出射光 18の光路を伝搬して帰還した光の大部分は、反射膜 l ib で反射された後、再び該一方の出射光 18として出射される力 一部は反射膜 l ibで 反射される前後に他方の出射光 19と結合し、該他方の出射光 19の光路を伝搬して 出射される。
すなわち他方の出射光 19および外部共振型半導体レーザ 1からの出射光 10aは、 反射手段 14と反射膜 l ibとの間での共振によって発振されるレーザ光である。
該反射膜 1 lbとしては、例えば誘電体多層膜フィルタや金属蒸着膜などを用いるこ とがでさる。
[0014] 第 1および第 2のビーム整形素子 12, 13は、半導体素子 11から 2方向に出射され る光 18, 19の両方の光路に跨って配置されている。
ここで、半導体素子 11から出射される 2方向の出射光 18, 19の光軸の両方を含む 面に垂直な方向を第一の方向（図 1において紙面と垂直をなす方向）とし、半導体素 子 11の中心軸 17方向を第三の方向とし、前記第一の方向と第三の方向に垂直な方 向を第二の方向とする。
第 1および第 2のビーム整形素子 12, 13のうち、半導体素子 11に近い方の第 1の ビーム整形素子 12は、第一の方向に出射光を絞り込む作用を有するものであり、第 2のビーム整形素子 13は、第一の方向と第二の方向の両方向に出射光を絞り込む 作用を有するものである。力かる構成とすることにより、半導体素子 11から出射される 2方向の出射光 18, 19を、共通の光学系（第 1および第 2のビーム整形素子 12, 13 )で効率良くコリメートすることが可能となる。
たとえば、第 1のビーム整形素子 12として、円筒形レンズよりなる速軸用コリメータ（ 以下、「FAC」という場合がある。）を用い、第 2のビーム整形素子 13として、球レンズ よりなる遅軸用コリメータ（以下、「SAC」という場合がある。）を用いることが好ましい。
[0015] 反射手段 14としては、反射ミラーを用いることができる。該反射ミラーとしては、一方 の出射光 (外部共振用の光） 18が照射される領域にのみ鏡面状の反射面 15が形成 されている、部分反射ミラーが好ましい。
力かる構成においては、反射面 15の形成領域を調整することにより、ビーム形状を 調整することも可能である。反射面 15の形成領域の調整方法は、ダイシングにより非 反射領域を削る方法でもよぐあるいは、反射面 15以外の領域に光吸収膜や反射防 止膜などを形成する方法でもよ ヽ。
[0016] なお、反射手段 14において、反射面 15の形成領域に、特定波長光のみを選択的 に反射するフィルタ膜を形成してもよい。カゝかる構成とすれば、共振器構造における 波長選択性が高まり、結果的に、外部共振型半導体レーザ 1からの出射光 10aのス ベクトル幅 (線幅）がより狭窄化される。
[0017] 力かる構成の外部共振型半導体レーザ 1にあっては、半導体素子 11 (反射膜 l ib )と反射手段 14 (反射面 15)との間で外部共振器構造が構成されており、したがって 、外部共振型半導体レーザ 1からの出射光 10aは横 (空間）シングルモードのレーザ 光となる。
ここで、本発明における「横（空間）シングルモードのレーザ光」とは、ユアフィールド パターンの測定により得られるビームプロファイルがシングルモードであるものをいう。
[0018] また外部共振型半導体レーザ 1における共振波長は、共振に寄与している光路長 によって制御することができ、本実施形態では半導体素子 11の反射膜 l ibから反射 面 15までの距離によって調整することができる。
本実施形態では、波長 1120nmの光が効率良く共振されるように構成されて 、る。
[0019] 本実施形態において、外部共振型半導体レーザ 1からの出射光 10aの光路上には 、第 1の波長フィルタ 3が設けられている。第 1の波長フィルタ 3は特定の波長のみを 選択的に透過するものである。力かる第 1の波長フィルタ 3を設けることにより、外部共 振型半導体レーザ 1からの出射光 (横シングルモードレーザ光） 10aのスペクトル線 幅を低減して、縦モードを最適化することができる。外部共振型半導体レーザ 1から の出射光 10aのうち第 1の波長フィルタ 3を透過した透過出射光 10bのスペクトル線 幅は、光スペクトルアナライザで測定されるレーザ光のスペクトル幅が lnm以下であ ることが好ましぐ 0. 3nm以下がより好ましい。透過出射光 10bが縦シングルモード レーザ光でもよい。
第 1の波長フィルタ 3として、例えば支持体上に TiO /SiO、 Ta O /SiO等から
2 2 2 5 2 なる誘電体多層膜が設けられた波長フィルタや、透過型フアブリ'ペロー型エタロン、 グレーティング等を用いることができる。本実施形態において、第 1の波長フィルタ 3 は、波長 1120nmの光を選択的に透過するように構成されて！、る。
[0020] 第 1の波長フィルタ 3は、その外部共振型半導体レーザ 1側の入射面が、出射光 10 aの光軸に垂直な面に対して、傾きを有するように配置されることが好ましい。このよう にすれば、第 1の波長フィルタ 3で反射された不要な波長の光が、出射光 10aの光路 を逆に戻って半導体素子 11に帰還するのを防止することができ、このような不要な波 長の光の帰還を原因とする半導体素子 11の動作の不安定ィ匕を抑制することができ る。
[0021] 本実施形態において、外部共振型半導体レーザ 1からの出射光 10aのうち第 1の 波長フィルタ 3を透過した透過出射光 10bは、集光手段 4を介して SHG素子 2に入射 される。
SHG素子 2は、シングルモード導波路を備えるものであり、好ましくは強誘電体材 料力 なる基板にシングルモード導波路が設けられており、該導波路の長さ方向に おいて前記誘電体材料の分極方向が周期的に反転している分極反転型 SHG素子 が用いられる。具体的には、 MgOドープ LN (ニオブ酸リチウム）に、プロトン交換によ り周期的にドメイン反転させてなる導波路型 PPLNが好適に用いられる。
SHG素子 2に、前記透過出射光 10bを基本光として入射させることにより、波長が 変換された出射光 10cが得られる。
SHG素子 2における波長変換は、反転幅等のパラメータによって制御することがで きる。本実施形態では、基本光として波長 1120nmの光が入射されたときに、 SHG 素子 2から波長 560nmの光（出射光 10c)が出射されるように構成されている。
[0022] 集光手段 4は、透過出射光 10bを SHG素子 2に効率良く入射させるためのもので、 適度な焦点距離 (例えば F= l. 3〜4. 0)を有する集光レンズが好適に用いられる。
[0023] SHG素子 2からの出射光 10cは、コリメータ 5を介して第 2の波長フィルタ 6に入射さ れる。第 2の波長フィルタ 6は、基本光 (本実施形態では波長 1120nmの光）をカット し、 SHG素子 2からの出射光 10c (本実施形態では波長 560nmの光）を透過するよ うに構成される。本実施形態では、例えば IR (赤外線)カットフィルタ等を好適に用い ることがでさる。
これにより、第 2の波長フィルタ 6からは、所望の特定波長の出射光 (本実施形態で は波長 560nmの光） 10dが出射される。
[0024] 本実施形態のレーザ光発生装置にあっては、半導体素子 11を作動させると、外部 共振型半導体レーザ 1から、波長 1120nmを含む横シングルモードレーザ光（出射 光 10a)が出射される。そして、この光が第 1の波長フィルタ 3によってスペクトル線幅 が低減された後、 SHG素子 2に基本光として入射され、ここで波長変換されて 560η mのレーザ光（出射光 10d)が得られる。
したがって、本実施形態のレーザ光発生装置は、欠損波長である 560nmのレーザ 光を出射する光源として使用することができる。
[0025] 本実施形態のレーザ光発生装置は、 SHG素子 2としてシングルモード導波路を備 える導波路型 SHG素子を用いたので、 SHG素子 2における変換効率が良好である ただし、通常、入射される基本光がマルチモードであると導波路型 SHG素子にお ける発生は非常に不安定となる。その原因としては、（1)基本光が横マルチモードで あると、導波路型 SHG素子のシングルモード導波路との結合が不安定になること、 および（2)基本光のスペクトル線幅が広いと、 SHG素子 2において、特定波長に好 適となるように設定されて 、る位相整合条件とのマッチングが不安定になることが考 えられる。
これに対して、本実施形態では、外部共振器構造を有する半導体レーザ (外部共 振型半導体レーザ 1)を用いたことにより、ここからの出射光 10aが横シングルモード となるので、シングルモード導波路を備える SHG素子 2への結合が良好となる。 また外部共振型半導体レーザ 1の出射光 10aの光路上に第 1の波長フィルタ 3が設 けられているので、これを透過した透過出射光 10bはスペクトル線幅が低減 (狭窄ィ匕 )されるので、これにより、 SHG素子 2における位相整合条件とのマッチングが安定ィ匕 し、出力強度が増大する。
ここで、 SHG素子 2に入射される透過出射光 10b (基本光）の縦モード (スペクトル 線幅）については、仮に SHG素子 2における反転周期にゆらぎがない状態では、透 過出射光 10bが縦シングルモードレーザ光であることが最適である力 通常、 SHG 素子 2における反転周期には多少のゆらぎが生じており、このゆらぎに応じた適度な スペクトル線幅を有する基本光を入射させることが、出力強度を向上させるうえで好ま しい。
また、 SHG素子 2を、その反転周期に所望のゆらぎが生じるように構成するとともに 、透過出射光 10bのスペクトル線幅力 該ゆらぎに応じた適度な大きさとなるように構 成することも出力強度を向上させる点で好ましい。
[0026] したがって、半導体素子 11としてマルチモードの光を発振するものを使用すること ができる。例えば半導体素子 11としてブロードエリア型半導体レーザ素子（BALD) を用い、少なくとも 1つのビーム整形素子と組み合わせて外部共振型半導体レーザ を構成することが好ましい。 BALDは広帯域波長に対応できるため、外部共振型半 導体レーザ 1における共振波長を変更し、その波長に対応する SHG素子 2を用いる ことにより、外部共振型半導体レーザ 1からの出射光 10aの波長変更が容易であると いう利点を有する。
[0027] このように本実施形態のレーザ光発生装置および発生方法によれば、簡素な装置 構成で、半導体素子 11から出射される光を、効率良ぐ安定に波長変換して、実用 的な可視光領域のレーザ光を得ることができる。例えば欠損波長である 560nmのレ 一ザ光を、実用的な強度で安定して得ることができる。
[0028] また本実施形態の外部共振型半導体レーザ 1には、前記第一の方向に光を絞り込 む作用を有する第 1のビーム整形素子 12と、前記第一の方向と第二の方向の両方 向に光を絞り込む作用を有する第 2のビーム整形素子 13が設けられているため、共 振器内のビーム形状を、第一の方向（たとえば垂直方向）と第二の方向（例えば水平 方向）とで一致させることが可能となる。このとき共振器からの出射光 10aの 2つの方 向での拡がり角は一致し、非点収差は取り除かれる。このことによって、シングルモー ド導波路を備える SHG素子 2への結合がより良好となる。
[0029] 例えば、本実施形態によれば、外部共振型半導体レーザ 1からの出射光 10aの光 強度に対する、最終的にレーザ光発生装置から出射される 560nmのレーザ光（出 射光 10d)の光強度の割合 (変換効率、 10d/10a)について、好ましくは 15〜30% 程度の高 、変換効率を達成することができる。
[0030] なお、本実施形態では、第 1の波長フィルタ 3を、外部共振型半導体レーザ 1からの 出射光 10aの光路上に設けたが、該第 1の波長フィルタ 3を、第 2のビーム整形素子 13と反射手段 14との間の、一方の出射光 18の光路上に設けても、同様の効果が得 られる。
または、図 2に示すように、第 2のビーム整形素子 13と反射手段 14との間の、一方 の出射光 18の光路上と、外部共振型半導体レーザ 1からの出射光 10aの光路上とに 跨って、第 1の波長フィルタ 3と同様の作用を有する第 3の波長フィルタ 3 'を設けても よい。このようにすれば、外部共振型半導体レーザ 1からの出射光 10aのスペクトル 幅 (線幅）がより狭窄化される。
[0031] 更に、図 3に示すように、第 3の波長フィルタ 3 'を、出射光 10aおよび半導体素子か らの一方の出射光 (外部共振用の光） 18を含む平面に平行、かつ出射光 10aと一方 の出射光 18との中心光軸（半導体素子の中心軸 17)に垂直な回転軸 AXを中心に 傾斜させてもよい。これにより、第 3の波長フィルタ 3 'に対する出射光 10aの入射角と 一方の出射光 18の入射角とを同じ値に維持し、第 3の波長フィルタ 3 'における出射 光 10aおよび一方の出射光 18の透過スペクトル分布を一致させることができる。その 結果、上記スペクトルの不一致に伴うレーザ光発生装置からの出射光 10dの光量の 低下と、それに伴う共振器出力の低下を防止することができる。なお、図 3は、レーザ 光発生装置を上記第二の方向 (横方向）から見た図である。
[0032] また、外部共振型半導体レーザ 1における外部共振器構造は、半導体素子 11から 発振される光がマルチモードであっても、横シングルモードの出射光が得られるよう に構成されていればよい。従って、上記実施形態の構成に限らず、他の外部共振器 構造も適宜適用できる。
実施例
[0033] 実施例として、図 2に示す構成のレーザ光発生装置を製造した。
半導体素子 11には、利得導波路型半導体レーザ素子力 なる発振波長 1115〜1
125nmの BALDを用いた。
第 1のビーム整形素子 12としては、直径 125 /ζ πι、屈折率 1. 45、焦点距離 0. 08 mmの円筒形レンズ (光ファイバ片）力もなる FACを用いた。
第 2のビーム整形素子 13としては、焦点距離 20mmの軸対象球面レンズからなる S
ACを用いた。
反射手段 14としては、縦 3mm X横 3mmの領域を鏡面仕上げした反射ミラーを用 いた。
半導体素子 11と反射手段 14との距離は、共振波長が 1120nmとなるように設定し た。
[0034] 第 3の波長フィルタ 3'としては Ta O /SiO力 なる誘電体多層膜フィルタを用い
2 5 2
、 1120nmの光が選択的に透過され、それ以外はカットされるように構成した。該第 3 の波長フィルタ 3'は、第 2のビーム整形素子 13と反射手段 14との間の、一方の出射 光 18の光路上と、外部共振型半導体レーザ 1からの出射光 10aの光路上とに跨るよ うに設けた。
集光手段 4としては、焦点距離が 1. 65の集光レンズを用いた。
SHG素子 2としては、 MgOドープ LN (ニオブ酸リチウム）に、プロトン交換により周 期的にドメイン反転させてなる導波路型 PPLNを用いた。反転幅は 7. 2〜7. と した。
コリメータ 5としては焦点距離が 1. 65の集光レンズを用いた。
第 2の波長フィルタ 6としてはカット波長 900〜2000nmの IRカットフィルタを用いた
[0035] 本実施例のレーザ光発生装置において、半導体素子 11を駆動電圧 1. 2 IV、駆動 電流 800mAで駆動させた。
外部共振型半導体レーザ 1からの出射光 10aの出力強度は 300mWであった。こ の出射光 10aが横シングルモードであることをビームプロファイラ（製品名； Beamast er Fx— 50、 OPHIR社製）により確認した。
第 2の波長フィルタ 6からの出射光 10dの中心波長は 560nm、スペクトル線幅は 0. 03mmであり、出力強度は 30mWであった。
産業上の利用可能性
[0036] 本発明のレーザ光発生装置および発生方法は、可視光城のレーザ光源を実現す るのに有用である。

Claims

請求の範囲
[1] 半導体レーザと、該半導体レーザから出射される基本光を波長変換する第二高調 波発生素子を備え、
前記半導体レーザが、外部共振器構造を備え、横シングルモードレーザ光を出射 する外部共振型半導体レーザであり、
前記第二高調波発生素子が、シングルモード導波路を備える導波路型第二高調 波発生素子であるレーザ光発生装置。
[2] 前記半導体レーザは、半導体素子とビーム整形素子を備えてなり、前記半導体素 子がブロードエリア型半導体レーザ素子である請求項 1記載のレーザ光発生装置。
[3] 前記外部共振型半導体レーザからの出射光が前記導波路型第二高調波発生素 子に至るまでの光路上に波長フィルタが設けられている請求項 1または 2に記載のレ 一ザ光発生装置。
[4] 前記波長フィルタの前記半導体レーザ側の入射面力 前記半導体レーザからの出 射光の光軸に垂直な面に対して傾きを有している請求項 3に記載のレーザ光発生装 置。
[5] 前記波長フィルタの傾きが、前記半導体レーザからの出射光および前記半導体素 子から出射される外部共振用の光とを含む平面に平行、かつ前記半導体レーザから の出射光と前記外部共振用の光との中心光軸に垂直な回転軸を有する請求項 4に 記載のレーザ光発生装置。
[6] 半導体レーザ力 出射される基本光を第二高調波発生素子に入射して波長変換 することにより特定波長のレーザ光を発生させる方法であって、
前記半導体レーザが、外部共振器構造を備え、横シングルモードレーザ光を出射 する外部共振型半導体レーザであり、
前記第二高調波発生素子が、シングルモード導波路を備える導波路型第二高調 波発生素子であるレーザ光発生方法。
[7] 前記外部共振型半導体レーザから出射される横シングルモードレーザ光を前記第 二高調波発生素子に入射する前に、前記横シングルモードレーザ光のスペクトル線 幅を低減する工程を有する請求項 6記載のレーザ光発生方法。
PCT/JP2006/307971 2005-04-15 2006-04-14 レーザ光発生装置および発生方法 WO2006112412A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/883,018 US7760775B2 (en) 2005-04-15 2006-04-14 Apparatus and method of generating laser beam
EP06731907A EP1870973A1 (en) 2005-04-15 2006-04-14 Laser beam generation device and generation method

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005119048A JP4205076B2 (ja) 2005-04-15 2005-04-15 レーザ光発生装置および発生方法
JP2005-119048 2005-04-15
JP2005-282455 2005-09-28
JP2005282455A JP4402030B2 (ja) 2004-09-30 2005-09-28 外部共振型半導体レーザ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2006112412A1 true WO2006112412A1 (ja) 2006-10-26

Family

ID=37115130

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2006/307971 WO2006112412A1 (ja) 2005-04-15 2006-04-14 レーザ光発生装置および発生方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7760775B2 (ja)
EP (1) EP1870973A1 (ja)
WO (1) WO2006112412A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009014663A1 (en) * 2007-07-20 2009-01-29 Corning Incorporated Intensity modulation in wavelength converting optical package

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101053354B1 (ko) * 2008-10-21 2011-08-01 김정수 외부 공진기를 이용한 파장 변환형 반도체 레이저
JP2010122473A (ja) * 2008-11-20 2010-06-03 Ricoh Co Ltd 光源装置、光走査装置及び画像形成装置
KR101179202B1 (ko) * 2010-09-29 2012-09-03 주식회사 포벨 펄스로 구동하는 파장 변환형 반도체 레이저
JPWO2016063436A1 (ja) * 2014-10-22 2017-08-03 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 レーザモジュール
CN109239728A (zh) * 2018-05-15 2019-01-18 北京华夏光谷光电科技有限公司 Ld基频/倍频多波长激光复合探测/测距系统

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000252583A (ja) * 1999-03-03 2000-09-14 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レーザーおよび光波長変換装置
JP2001311974A (ja) * 2000-04-28 2001-11-09 Fuji Photo Film Co Ltd 波長変換素子、波長変換素子の製造方法、及び波長変換モジュール
JP2002270933A (ja) * 1993-05-21 2002-09-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザ光源

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4995050A (en) * 1989-11-17 1991-02-19 Spectra Diode Laboratories, Inc. Diode laser with external lens cavity
DE69423022T2 (de) 1993-05-21 2000-08-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Vorrichtung mit kurzwellenlängiger Lichtquelle
JP3558747B2 (ja) 1995-08-03 2004-08-25 松下電器産業株式会社 記録再生装置
US6021141A (en) * 1996-03-29 2000-02-01 Sdl, Inc. Tunable blue laser diode
US7173950B2 (en) * 2004-06-25 2007-02-06 Bookham Technology Plc Low-noise high-power SHG laser system

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002270933A (ja) * 1993-05-21 2002-09-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザ光源
JP2000252583A (ja) * 1999-03-03 2000-09-14 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レーザーおよび光波長変換装置
JP2001311974A (ja) * 2000-04-28 2001-11-09 Fuji Photo Film Co Ltd 波長変換素子、波長変換素子の製造方法、及び波長変換モジュール

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
RAAB V. AND MENZEL R.: "External resonator design for high-power laser diodes that yields 400 mW of TEM00 power", OPTICS LETTERS, vol. 27, no. 3, 2002, pages 167 - 169, XP003002108 *
RAAB V., SKOCZOWSKY D., MENZEL R.: "Tuning high-power laser diodes with as much as 0.38 W of power and M-2=1.2 over a range of 32 nm with 3-GHz bandwidth", OPTICS LETTERS, vol. 27, no. 22, 2002, pages 1995 - 1997, XP001162124 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009014663A1 (en) * 2007-07-20 2009-01-29 Corning Incorporated Intensity modulation in wavelength converting optical package

Also Published As

Publication number Publication date
US20080310466A1 (en) 2008-12-18
US7760775B2 (en) 2010-07-20
EP1870973A1 (en) 2007-12-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6996140B2 (en) Laser device for nonlinear conversion of light
EP0857997B1 (en) Tunable optical parametric oscillator
US7177340B2 (en) Extended cavity laser device with bulk transmission grating
US7613215B2 (en) High efficiency second harmonic generation vertical external cavity surface emitting laser
US6370168B1 (en) Intracavity frequency-converted optically-pumped semiconductor laser
KR101100432B1 (ko) 고효율 2차 조화파 생성 수직 외부 공진기형 면발광 레이저시스템
JP2011503843A (ja) 増大した光強度を有する、拡張キャビティ半導体レーザデバイス
WO2006112412A1 (ja) レーザ光発生装置および発生方法
US20020071470A1 (en) Laser light source
JP2006019603A (ja) コヒーレント光源および光学装置
JP2007073552A (ja) レーザ光発生装置及び画像生成装置
JP2007189194A (ja) ミラー面を有する第２高調波発生結晶を備える外部共振器型面発光レーザ
JP2002303904A (ja) 光波長変換装置およびその調整方法
JP4205076B2 (ja) レーザ光発生装置および発生方法
JPH06132595A (ja) 第２次高調波光発生装置
JP2010093211A (ja) 波長変換レーザ装置
KR20070074750A (ko) 외부 공진기형 면발광 레이저
JPH08190111A (ja) 高調波発生装置
US9170470B1 (en) Non-planer, image rotating optical parametric oscillator
KR100714609B1 (ko) 가시광선 레이저 장치
JP2007220877A (ja) 外部共振型半導体レーザおよびそれを備える光源
JP2670638B2 (ja) レーザーダイオードポンピング固体レーザー
JPH04338736A (ja) 共振器構造の光波長変換装置
JP2006100415A (ja) レーザ装置
Smolski et al. Blue light source based on a ppKTP SHG using a grating-coupled laser diode

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 11883018

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2006731907

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: RU

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2006731907

Country of ref document: EP