WO2005055683A1

WO2005055683A1 - 電子部品およびその製造方法

Info

Publication number: WO2005055683A1
Application number: PCT/JP2004/017678
Authority: WO
Inventors: Tsuyoshi Himori; Shogo Hirai
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Priority date: 2003-12-02
Filing date: 2004-11-29
Publication date: 2005-06-16
Also published as: EP1581032A4; CN100473258C; US7510759B2; CN1717964A; US20060118905A1; JP4556422B2; JP2005166873A; EP1581032A1

Abstract

　本発明の電子部品は、絶縁性の基板（１）の上に導体パターン（２）を設け、導体パターン（２）の表面にめっき法で金属膜を設け、金属膜を酸化して得た金属酸化物層（３）を導電パターン（２）の表面に設けた構成を有し、薄く均一な絶縁膜を導体パターン上に設けているので高アスペクト比の導体パターンを有する信頼性の高い電子部品を提供できる。

Description

明細書

電子部品およびその製造方法

技術分野

[0001] 本発明は各種電子機器、通信機器などに利用される電子部品およびその製造方法に関する。

背景技術

[0002] 従来この種の電子部品は小型化あるいは薄型化さらには多機能化が要求されている。さらに、高速信号ィ匕ゃデジタルィ匕に伴い導体パターンには高精度 ·高微細化が求められている。これらの要求を満たすために小型でありかつ高精度化と微細化を実現するために、導体パターンのファイン化と配線抵抗の上昇を防ぐための高膜厚ィ匕とが進んでいる。その結果、高アスペクト比の導体パターンを形成する必要性が高まってきている。

[0003] 以下従来の導体パターンを含む電子部品を、図 9を用いて説明する。図 9はその断面図である。図 9において、基板 21の上に導体パターン 22がスクリーン印刷方法などにより形成されている。導体パターン 22の材料として、導電性には優れるがマイグレーシヨンの恐れがある Agなどの電極材料を用いた場合、信頼性の確保とヽぅ観点力も導体パターン 22の上に絶縁保護膜 23を被覆することが通常行われている。

[0004] 例えば、基板 21がアルミナなどのセラミック基板である場合、ガラスの絶縁保護膜 2 3はガラス粉を主成分としてバインダ '溶剤等を混合したガラスペーストなどをスクリーン印刷工法で所定の厚みに印刷形成し、その後乾燥、焼成することで形成される。また基板 21が複合有機材料であるガラスエポキシ材料で構成されている場合、あまり高温で熱処理することが困難であることから、有機材料を主材料とする榭脂ペーストを用いてスクリーン印刷し、その後榭脂を熱硬化することで有機材料の絶縁保護膜 2 3が形成される。さらに、薄膜法であるスパッタ法などを用いて SiO膜等の絶縁保護

2

膜 23を構成することなども行われて、る。

[0005] なお、導体パターンを有する電子部品の例が特開平 11— 288779号公報ゃ特開平 09— 237976号公報に開示されて、る。 [0006] 上記各種材料カゝらなる基板 21の上に Agなどの電極材料を用いて微細な導体パターン 22を形成し、その上にスクリーン印刷などの印刷工法により形成した絶縁保護膜 23は塗膜の厚みの均一性に欠けたり、気泡 24や空隙 25を発生させやすい。その結果、導体パターン 22の絶縁信頼性が低下するという課題を有している。上記印刷工法は生産性に優れるという特徴を有している力ペーストの粘弾性特性に起因する原因から絶縁保護膜 23の膜厚を高精度に均一形成することが困難である。

[0007] 特に、導体パターン 22のエッジ部分では絶縁保護膜 23の厚みが薄くなつたり、導体パターン 22の間に気泡 24を巻き込んだりしゃすい。さらに導体パターン 22間の隙間が狭い場合には、導体パターン 22同士の間を十分にペーストで埋めきれないことがあり、その結果空隙 25を発生させていた。

[0008] また、薄膜法では導体パターン 22の平面部（基板 21の面に対して平行）は均一に成膜できることから問題は発生しないが、その壁面 (基板 21の面に対して垂直）には平面部と同じように均一に形成することは困難である。

[0009] つまり、従来の方法で絶縁保護膜 23を形成すると、上記絶縁保護膜 23の欠陥による Ag電極のマイグレーションの課題を十分防ぐことが困難となる。そして、導体バターン 22のアスペクト比（幅に対する高さの比）が高くなると、絶縁保護膜 23の種々の欠陥が発生する可能性はさらに大きくなる。その結果、耐マイグレーション性に対する十分な信頼性が確保できなヽとヽぅ課題を有することになる。本発明は上記従来の課題を解決し、高アスペクト比の導体パターンを有する信頼性の高ヽ電子部品を提供する。

発明の開示

[0010] 本発明は、絶縁性の基板上に導体パターンを設け、前記導体パターンの表面にめつきによる金属膜を設け、前記金属膜を酸化して得た金属酸化物層を前記導体バターンの表面に設けた電子部品を提供する。

[0011] また本発明は、絶縁性の基板上に導体パターンを形成するステップと、少なくとも前記導体パターンの表面にめっき法によりニッケル膜を形成するステップと、前記- ッケル膜を 850°Cと導体パターンを形成する電極材料の融点以下との間の温度で酸化熱処理することにより少なくとも前記導体パターンの表面に酸化ニッケルを金属酸化物層として形成するステップとを有する電子部品の製造方法を提供する。

図面の簡単な説明

[図 1]図 1は本発明の実施の形態 1における電子部品の一例であるコモンモードチヨークコイルの斜視図である。

[図 2]図 2は本発明の実施の形態 1における電子部品の一例であるコモンモードチヨークコイルの A— A部における断面図である。

[図 3]図 3は本発明の実施の形態 1における電子部品の他の例のコモンモードチョークコイルの斜視図である。

[図 4]図 4は本発明の実施の形態 1における電子部品の他の例のコモンモードチョークコイルの B— B部における断面図である。

[図 5]図 5は本発明の実施の形態 1における電子部品の別の例のコモンモードチョークコイルの斜視図である。

[図 6]図 6は本発明の実施の形態 1における電子部品の別の例のコモンモードチョークコイルの C-C部における断面図である。

[図 7A]図 7Aは本発明の実施の形態 1における電子部品の製造工程を説明するための断面図である。

[図 7B]図 7Bは本発明の実施の形態 1における電子部品の製造工程を説明するための断面図である。

[図 7C]図 7Cは本発明の実施の形態 1における電子部品の製造工程を説明するための断面図である。

[図 7D]図 7Dは本発明の実施の形態 1における電子部品の製造工程を説明するための断面図である。

[図 7E]図 7Eは本発明の実施の形態 1における電子部品の製造工程を説明するための断面図である。

[図 7F]図 7Fは本発明の実施の形態 1における電子部品の製造工程を説明するための断面図である。

[図 8]図 8は本発明の実施の形態 2における電子部品の断面図である。

[図 9]図 9は従来の電子部品の断面図である。符号の説明

[0013] 1, 21 基板

2, 22 導体パターン

3 金属酸化物層

4 スノレホーノレ

5 金属膜

6 保護膜

7 端面電極

8 抵抗パターン

9 部品

10 端子電極部

11 端子電極

23 絶縁保護膜

24 気泡

25 空隙

発明を実施するための最良の形態

[0014] 本発明の電子部品は、絶縁性の基板上に導体パターンを設け、この導体パターンの表面にめっきによる金属膜を設け、この金属膜を酸化して得た金属酸化物層を前記導体パターンの表面に設ける。このようにして、薄く均一な絶縁膜を導体パターン上に設けて、るので、高アスペクト比の導体パターンを有する信頼性の高、電子部品を実現することができる。

[0015] また本発明の電子部品は、絶縁性の基板上に導体パターンを設け、この導体バターンの表面と導体パターン間の基板の表面にめっきによる金属膜を設け、この金属膜を酸ィ匕して得た金属酸ィ匕物層を前記導体パターンの表面と導体パターン間の基板の表面に設ける。このようにして、薄く均一な絶縁膜を導体パターン上および導体パターンのパターンピッチ間の基板上にも形成するので、高アスペクト比で微細なパターンピッチの導体を有する、より信頼性の高い電子部品を実現することができる。

[0016] また本発明の電子部品は、絶縁性の基板上に導体パターンを設け、この導体バターンを設けた基板の表面にめっきによる金属膜を設け、この金属膜を酸化して得た金属酸ィ匕物層を基板の表面に設ける。このようにして、薄く均一な絶縁膜を導体バターンと絶縁性の基板の全面に形成するので、さらに信頼性の高ヽ微細な導体パターンを有する電子部品を実現することができる。

[0017] また本発明の電子部品は、耐熱性が高く熱伝導性に優れたセラミック基板を使用することにより、パワー用電源モジュールなどの高い耐熱性と放熱性が要求される微細な導体パターンを有する電子部品を実現することができる。

[0018] また本発明の電子部品は、多層化が容易で生産性に優れたガラスセラミック基板を使用することにより、微細な導体パターンを有する小型の積層構造の電子部品を実現することができる。

[0019] また本発明の電子部品は、基板として有機基板を使用することにより、生産性に優れ、柔軟性があり耐衝撃性に優れた微細な導体パターンを有する電子部品を実現することができる。

[0020] また本発明の電子部品は、導体パターンに少なくとも Agを含む電極材料を用いることにより、導体配線抵抗が低いため損失の少ない、微細な導体パターンを有する信頼性に優れた電子部品を実現することができる。

[0021] また本発明の電子部品は、導体パターンの電極材料を Ag, Ag-Pt, Ag— Pdからなる群力選ぶことにより、より耐マイグレーション性の高い電子部品を実現することができる。

[0022] また本発明の電子部品は、金属酸化物層を NiO, ZnO, CuOのうちいずれか一つを含む構成とする。めっき法により形成された金属膜を酸ィ匕することにより容易に構成することができるので、生産性に優れた微細な導体パターンを有する電子部品を実現することができる。

[0023] また本発明の電子部品は、金属酸化物層の厚みを 0. 5— 5 μ mとする均一な膜質を有する金属酸化物層を得ることができるので、信頼性に優れた微細な導体パターンを有する電子部品を実現することができる。

[0024] また本発明の電子部品は、導体パターンの一部を表出させることにより、半導体や他の部品のはんだ実装が可能な電子部品を実現することができる。 [0025] また本発明の電子部品は、導体パターンおよび基板の一部を表出させることにより、他の導体パターンの形成や他の部品の形成が可能な電子部品を実現することができる。

[0026] また本発明の電子部品の製造方法は、絶縁性の基板上に導体パターンを形成するステップと、この導体パターンの表面にめっき法により金属膜を形成するステップと、この金属膜を酸化処理することにより導体パターンの表面に金属酸化物層を形成するステップを有している。このようにして、高アスペクト比で凹凸の激しい導体パターンの表面であっても均一性の高い金属酸ィ匕物層を形成することができる。

[0027] また本発明の電子部品の製造方法は、絶縁性の基板上に導体パターンを形成するステップと、この導体パターンの表面と導体パターン間の基板の表面にめっき法により金属膜を形成するステップと、この金属膜を酸化処理することにより前記導体バターンの表面と導体パターン間の基板の表面に金属酸ィ匕物層を形成するステップを有する。このようにして、狭ピッチで形成された導体パターン間の基板表面にも均一性が高い金属酸ィ匕物層を形成することができる。

[0028] また本発明の電子部品の製造方法は、絶縁性の基板上に導体パターンを形成するステップと、この導体パターンを形成した基板の表面にめっき法により金属膜を形成するステップと、この金属膜を酸化処理することにより前記基板の表面に金属酸ィ匕物層を形成するステップを有する。このようにして、基板全面に薄く均一な金属酸ィ匕物層を形成することができる。

[0029] また本発明の電子部品の製造方法は、めっき方法を無電解めつき法とする。このようにして、複雑な導体パターン形状の電子部品に対して、薄く均一に金属酸化物層を形成することができる。

[0030] また本発明の電子部品の製造方法は、酸化処理を熱処理にて行う。熱処理と、う簡単なプロセスで酸ィ匕処理を行うことができる。

[0031] また本発明の電子部品の製造方法は、熱処理の温度を導体パターンの融点以下で行う。熱処理を融点以下で行うことで導体パターンの変質や配線抵抗の変化が少ない電子部品を提供することができる。

[0032] また本発明の電子部品の製造方法は、絶縁性の基板上に導体パターンを形成するステップと、少なくともこの導体パターンの表面にめっき法によりニッケル膜を形成するステップと、このニッケル膜を 850°C以上カゝら導体パターンを形成する電極材料の融点以下の間の温度で酸ィ匕熱処理することにより少なくとも導体パターンの表面に酸化ニッケルを金属酸化物層として形成するステップを有する。このようにして、均一で緻密な絶縁膜である酸ィ匕ニッケルを金属酸ィ匕物層として形成することができるので、高アスペクト比で微細な導体パターンを有する信頼性の高ヽ電子部品を提供することができる。

[0033] 以下本発明の実施の形態を、図面を用いて詳細に説明する。なお、図面は模式図であり、各位置関係を寸法的に正しく示すものではない。また同一構成部品には同一の参照符号を付与し、詳細な説明は省略する。

[0034] (実施の形態 1)

図 1一 6を用いて実施の形態 1を説明する。図 1において、アルミナなどの熱伝導性に優れたセラミック基板カゝらなる基板 1の両面に、 Agなどの電極材料を用いて導体パターン 2が 2重の螺旋状にコイルパターンとして形成されている。

[0035] この導体パターン 2の表面には、 Niなどの金属膜 5 (後述）をめつき法で形成した後、金属膜 5を熱処理あるいは化学処理によって酸化して得られた金属酸化物層 3が形成されている。また必要に応じて、基板 1の両面の導体パターン 2同士を電気的に接続するために、スルホール 4が設けられる。

[0036] 上記金属膜 5の形成にめっき法のうちの電気めつきを利用すると、導体パターン 2 の表面のみにレジストマスクを使用せずに金属膜 5を形成することができる。この電気めっきで Niの金属膜 5を形成する場合、 Ni用電気めつき液 (ワット液）中に基板 1を浸漬して電解を行うことにより導体パターン 2の表面のみに Niの金属膜 5を形成することができる。

[0037] また、近年コイルを形成するための導体パターン 2は、高アスペクト比になる傾向が大きくなつてきている。その理由は、コイルのインダクタンス値を大きくすることとコイルの Q値を高めるために、導体パターン 2の電極幅と電極間隔を小さくし、電極の高さを大きくすることが必然的に要求されるからである。

[0038] このような構成の導体パターン 2の壁面（基板 1の面に垂直）あるいはエッジ部に、従来の技術では均一の保護膜で被覆することは困難であった。しかし、本実施の形態のような構成とすることにより、 Agなどの電極材料を用いて形成した導体パターン 2 の表面全てを緻密かつ均一に金属酸化物層 3にて被覆することが可能となる。つまり、高アスペクト比であっても Agのマイグレーションを防止し、絶縁不良を起こさないという効果を発揮することが可能である。また、導体パターン 2の表面にめっき法を用いて Niなどの金属膜 5を形成して、るので、どのような形状の導体パターン 2であっても均一に金属酸ィ匕物層 3を形成できる。それと同時に、導体パターン 2のエッジ部においても平坦な部分と同一厚みの金属酸ィ匕物層 3にて被覆することが可能となる。

[0039] このように、めっき法で均一に形成された金属膜 5を熱処理あるいは化学処理方法により酸ィ匕して金属酸ィ匕物層 3とすることによって、導体パターン 2の表面に均一で緻密な絶縁保護膜を形成することが可能となる。その結果、導体抵抗に優れた Agを主成分とする導体材料を用いた微細な高アスペクト比を有する導体パターン 2を設けた小型の高精度 ·高信頼性の電子部品を実現することができる。

[0040] また、この電子部品は基板 1にアルミナ基板などの熱伝導性に優れたセラミック基板を用いているので、放熱性が要求される電源用小型モジュール部品などに有用である。また、基板 1をガラスセラミック基板とすることにより、内層に Agを配線材料として内蔵した多層配線構造を実現することが可能となり、小型化が要求される携帯機器用の小型高周波用モジュール部品などに有用である。

[0041] また、本発明の電子部品は特に導体パターン 2に Agを含む電極材料を用いたときにその効果を最大限に発揮できるものであり、 Ag, Ag-Pt, Ag— Pdを導体パターン 2に用いることにより導体抵抗値の低い高信頼性の電子部品とすることができる。つまり、熱処理を大気中で行っても不導体膜を表層に生じない金属を選択することが重要である。

[0042] また、高信頼性を実現できる金属酸ィ匕物層 3は、金属膜 5を大気中で熱処理することによって金属酸化物層 3となる材料であればよい。そして、 NiO, ZnO, CuOのうち少なくともいずれか一つを用いることが好ましい。その理由は、無電解めつき法を用いて Ni, Cuの金属膜 5を形成することができ、電気めつき法により Ni, Zn, Cuの金属膜 5を形成することができるからである。また金属酸ィ匕物層 3はこれらの単層または複層であってもよい。

[0043] また、金属酸化物層 3の厚みは 0. 5— 5 μ mの範囲が好ましい。金属酸化物層 3の厚みが 0. 5 mより薄くなると十分な信頼性が得られなくなり、 5 mより厚くなると導体パターン 2の電極ピッチが微細にできなくなるからである。

[0044] また、本実施の形態では基板 1の両面に導体パターン 2を形成している力片面のみであっても本発明の効果を発揮することができる。

[0045] 次に、図 3および図 4を用いて他のコイル部品について説明する。図 3および図 4にぉ、て、基板 1にはアルミナ粉とガラス粉との混合粉体を用いたガラスセラミック基板を用いる。特に図 1および図 2の構成と異なっている部分は、金属酸化物層 3が導体パターン 2の表面と導体パターン 2の間の基板 1の表面とに形成していることである。このような構成とすることにより電極間隔の狭い微細な導体パターン 2を形成した領域においても、より信頼性の高い導体パターン 2を形成した電子部品を実現することができる。またこの電子部品は基板 1に誘電特性、生産性に優れた低温焼成性のガラスセラミック基板を用いていることから多層ィ匕も容易であり、高周波用の小型モジユール部品などに有用である。

[0046] 次に図 5および図 6を用いて、さらに別のコイル部品について説明する。図 5と図 6 に示すように、図 1と 2の構成と異なっている部分は金属酸ィ匕物層 3を、導体パターン 2を形成している基板 1の表面に全面に形成していることである。このような構成とすることにより、微細な導体パターン 2の形成した所定の領域においてのみならず基板 1の全面にわたって形成した Agなどの導体パターン 2を金属酸ィ匕物層 3で保護できる。したがって、耐環境性を要求される電装用に適した電子部品を実現することができる。例えば、 Lと Cとからなる複合部品などのように微細な導体パターン 2が必要でない箇所においては、導体抵抗値の高い他の電極材料を用いることもある。しかし、これらの異なった電極材料を用いた場合であっても基板 1の全面に金属酸ィ匕物層 5 を形成することにより、信頼性に優れた複合部品などの電子部品を実現することができる。

[0047] 次に、図 7A—図 7Fを用いて本発明の電子部品の製造方法について説明する。まず、図 7Aに示すように、セラミック基板の一例である純度 96%のアルミナ製の基板 1 を準備する。基板 1にはその他にも低温焼結で生産性に優れたガラスセラミック基板を用いてもょ、。また基板 1にはスルホール 4が形成されて!、る。

[0048] 次に図 7Bに示すように、基板 1の表面に導体パターン 2を形成する。その形成は、 Agペーストを用いて凹版印刷法により印刷形成した後、 900°Cで焼成して行われる。導体パターン 2の形成方法は薄膜法、めっき法などによっても形成することが可能である。

[0049] 次に図 7Cに示すように、導体パターン 2の表面と基板 1の表層とに金属膜 5として、 Ni— Pあるいは Ni— Bのめつき液を用いて無電解めつき法により Ni膜を 2 μ mの厚みに形成する。このとき金属膜 5を所定のパターンに形成したい場合は、レジスト材料を用いてフォトリソ工法により、パターン化された金属膜 5を容易に形成することが可能である。

[0050] その後図 7Dに示すように、金属膜 5を、昇温速度 200°CZh、酸化温度 900°C、保持時間 4時間の熱酸化条件にて空気中で熱処理することにより、 NiOからなる金属酸化物層 3を形成する。このとき酸化処理により金属酸化物層 3の厚みは約 3. 2 m になっていた。

[0051] この酸ィ匕処理工程において、生産性を考慮すると Niからなる金属膜 5を熱酸化させるためには 850°C以上の温度であり、かつ導体パターン 2を構成する電極材料の融点以下で行うことがより好ましい。 850°Cより低い温度では熱酸ィ匕の時間が長くなり、電極材料の融点以上の温度で熱処理を行うと導体パターン 2が変質するかあるいはパターン形状の維持が困難となる。

[0052] 次に、図 7Eに示すように金属酸ィ匕物層 3の表面に、信頼性をより高める観点カもガラスなどの絶縁性材料を保護膜 6として形成する。その後、図 7Fに示すようなチップ状の電子部品とするために、端面電極 7を形成することにより所望の電子部品を得ることができる。端面電極 7としては導電性材料であればよいが、一般的には単一層でなく複数層から構成されることが望まし、。

[0053] 端面電極 7の構成としては、表面実装用の場合にはプリント配線板への実装時の実装強度あるヽは実装時の半田の濡れ性、半田くわれなどを考慮する必要がある。具体的には最下層には導体パターン 2と同じ材料を用い、中間層には半田くわれを防止するニッケル電極を用い、最外層にははんだに対して濡れ性の良いはんだ電極あるいはスズ電極などを用いることが好ましい。し力しながら、これは一例であり、必ずしもこの構成を採用する必要はなぐ金属等の導電性に優れた材料以外に導電性榭脂材料、銀と白金の合金や銀とパラジウムの合金などでもよ、。

[0054] なお図 7Dに示すように、金属膜 5を酸化処理して形成した金属酸化物層 3は、基板 1の表面全体でなくてもよい。つまり、導体パターン 2の表面部を被覆することにより、導体パターン 2を構成する Agの絶縁保護膜としての機能は発揮することができる。また、図 6に示すように、金属酸ィ匕物層 3を導体パターン 2の表面部と電極間の基板 1 の表面にも被覆することにより、より近接して導体パターン 2を配置する必要性のある電子部品あるいは高い電位力かかる導体パターン 2の電極間においても、より信頼性の高い絶縁保護膜としての機能を発揮することができる。

[0055] (実施の形態 2)

図 8を用いて、実施の形態 2を説明する。なお、実施の形態 1と同様の構成を有するものについては、同一符号を付しその説明を省略する。図 8において、実施の形態 1と相違する点は基板 1がガラスエポキシ材料などの有機基板で構成されていることである。基板 1にこのような有機基板を用いることにより、大面積化が図れるので生産性の効率を高めることができる。

[0056] 有機材料を基板 1とした場合、フォトリソグラフィの工法を用いてあらかじめ有機基板に形成された表層が Ag力もなる導体パターン 2の表層に、無電解めつきにより: L m の膜厚となるよう Niめっき層を形成して金属膜 5を得る。

[0057] 次に、金属膜 5の酸化処理を行う。基板 1が有機基板の場合には、加熱温度に上限があるため、酸ィ匕処理は以下のようにして行う。例えば pH3以下の酸性溶液中に浸漬したり、密閉空間に PH3以下の酸性溶液と共存させて酸ィ匕させるような化学処理により Niを NiOに酸ィ匕する。

[0058] こうして得られた金属酸ィ匕物層 3は薄く均一な膜厚分布となることから導体パターン 2の微細な部分にも均一に形成することができる。

[0059] 次に相違する点は、この基板 1の表面に導体パターン 2の表面が金属酸ィ匕物層 3 に被覆されることなく部分的に露出している端子電極部 10を設けていることである。このような端子電極部 10を設けることにより、高周波用のモジュール部品を構成する場合、端子電極部 10に半導体デバイスあるいはコイル、コンデンサおよび抵抗器などの端子電極 11を有する部品 9を実装する時、端子電極 11と端子電極部 10とをはんだで接続することが容易に実現できる。

[0060] このとき、金属酸ィ匕物層 3がはんだ実装するときのパターンマスクとして作用するので、レジストなどを用いることなく容易に実装用のランドとして利用できる端子電極部 1 0を設けた電子部品を実現することができる。

[0061] また、本発明の一例である基板 1の表面を部分的に露出したモジュール部品の場合、基板 1の上に厚膜あるいは薄膜技術を用いて抵抗パターン 8を形成することができる。抵抗パターン 8を形成するとき、抵抗パターン 8の下層に金属酸ィ匕物層 3が存在すると、金属酸化物層 3と抵抗パターン 8を構成する抵抗体材料との化学反応ある Vヽは熱反応などにより抵抗体材料の抵抗値、温度係数ある!/、は抵抗ノイズなどに悪影響を及ぼす可能性が大き、。また抵抗パターン 8としてカーボン抵抗体などを形成する場合、下地材料の表面粗さや材質が抵抗特性に影響を与えることがある。本発明の構成とすることにより。安定した素子を基板 1の上に設けることができる電子部品を実現することができる。

[0062] 本発明の電子部品は、絶縁層にめっき法を用いて均一に形成した金属膜を酸ィ匕して得られる金属酸ィ匕物層を絶縁保護膜として用いているので、高アスペクト比を有する微細な導体パターンであっても均一で緻密な絶縁膜を容易〖こ得ることができる。したがって、 Agを含んだ電極材料を導体パターンに用いてもマイグレーションの発生しにく、絶縁信頼性の高、小型高精度の電子部品を提供することができると、う効果を奏する。

産業上の利用可能性

[0063] 本発明にかかる電子部品は、均一で緻密な絶縁保護膜を効率よく形成できるので携帯用電子機器に用いる高信頼性の小型の電子部品として広く利用できる。

Claims

請求の範囲

[I] 絶縁性の基板上に導体パターンを設け、前記導体パターンの表面にめっきによる金属膜を設け、前記金属膜を酸化して得た金属酸化物層を前記導体パターンの表面に設けた電子部品。

[2] 絶縁性の基板上に導体パターンを設け、前記導体パターンの表面と前記導体バターン間の前記基板の表面とにめつきによる金属膜を設け、前記金属膜を酸化して得た金属酸ィ匕物層を前記導体パターンの表面と前記導体パターン間の前記基板の表面とに設けた電子部品。

[3] 絶縁性の基板上に導体パターンを設け、前記導体パターンを設けた前記基板の表面にめっきによる金属膜を設け、前記金属膜を酸化して得た金属酸化物層を前記基板の表面に設けた電子部品。

[4] 前記基板をセラミック基板とした請求項 1一 3の、ずれか一つに記載の電子部品。

[5] 前記基板をガラスセラミック基板とした請求項 1一 3の、ずれか一つに記載の電子部

P

PPo

[6] 前記基板を有機基板とした請求項 1一 3のいずれか一つに記載に電子部品。

[7] 前記導体パターンに少なくとも Agを含む電極材料を用いた請求項 1一 3の、ずれか一つに記載の電子部品。

[8] 前記電極材料は Ag, Ag-Pt, Ag— Pdからなる群のうちから選ばれた一つを含む請求項 7に記載の電子部品。

[9] 前記金属酸ィ匕物層は NiO, ZnO, CuO力なる群のうち力選ばれる一つを有する請求項 1一 3のいずれか一つに記載の電子部品。

[10] 前記金属酸化物層の厚みを 0. 5— 5 mとした請求項 1一 3のいずれか一つに記載の電子部品。

[II] 前記金属酸化物層の厚みを 0. 5— 5 μ mとした請求項 9に記載の電子部品。

[12] 前記導体パターンの一部を表出させた請求項 1一 3のいずれか一つに記載の電子部品。

[13] 前記導体パターンおよび前記基板の一部を表出させた請求項 2または 3に記載の電子部品。

[14] 絶縁性の基板上に導体パターンを形成するステップと、前記導体パターンの表面にめっき法により金属膜を形成するステップと、前記金属膜を酸化処理することにより前記導体パターンの表面に金属酸ィ匕物層を形成するステップとを有する電子部品の製造方法。

[15] 絶縁性の基板上に導体パターンを形成するステップと、前記導体パターンの表面と導体パターン間の基板の表面にめっき法により金属膜を形成するステップと、前記金属膜を酸ィ匕処理することにより前記導体パターンの表面と前記導体パターン間の前記基板の表面に金属酸化物層を形成するステップとを有する電子部品の製造方法。

[16] 絶縁性の基板上に導体パターンを形成するステップと、前記導体パターンを形成した前記基板の表面にめっき法により金属膜を形成するステップと、前記金属膜を酸化処理することにより前記基板の表面に金属酸化物層を形成するステップとを有する電子部品の製造方法。

[17] 前記めつき法が無電解めつき法である請求項 14一 16のいずれか一つに記載の電子部品の製造方法。

[18] 前記酸ィ匕処理を熱処理にて行う請求項 14一 16のいずれか一つに記載の電子部品の製造方法。

[19] 前記熱処理の温度を前記導体パターンの融点以下で行う請求項 18に記載の電子部品の製造方法。

[20] 絶縁性の基板上に導体パターンを形成するステップと、少なくとも前記導体パターンの表面にめっき法によりニッケル膜を形成するステップと、前記ニッケル膜を 850°Cと導体パターンを形成する電極材料の融点以下との間の温度で酸ィ匕熱処理することにより少なくとも前記導体パターンの表面に酸ィ匕ニッケルを金属酸ィ匕物層として形成するステップとを有する電子部品の製造方法。