WO2004067631A1

WO2004067631A1 - 樹脂組成物、樹脂硬化物、シート状樹脂硬化物、積層体、プリプレグ、電子部品及び多層基板

Info

Publication number: WO2004067631A1
Application number: PCT/JP2003/017070
Authority: WO
Inventors: Minoru Takaya; Toshikazu Endo; Kenichi Kawabata
Original assignee: Tdk Corporation
Priority date: 2002-12-27
Filing date: 2003-12-26
Publication date: 2004-08-12
Also published as: EP1580235A4; US20050003199A1; US20080044660A1; EP1580235A1; KR20050093808A

Description

明糸田書

樹脂組成物、樹脂硬化物、シート状樹脂硬化物、積層体、プリプレダ、電子部品及び多層基板

技術分野

【0 0 0 1】本発明は、樹脂組成物、樹脂硬化物、シート状樹脂硬化物、積層体、プリプレダ、電子部品及び多層基板に係り、より詳しくは 1 0 O MH z以上の高周波領域において有用な樹脂組成物、樹脂硬化物、シート状樹脂硬化物、積層体、プリプレダ、電子部品及び多層基板に関する。

背景技術

【0 0 0 2】近年、通信情報の急増に伴い、通信機器の小型化、軽量化が強く望まれており、これに伴って電子部品の小型化、軽量化が望まれている。一方、携帯移動通信、衛星通信においては、ギガ H z帯の高周波域の電波が使用されるようになってきている。

【0 0 0 3】上記のような高周波域の電波に対応するためには、電子部品においてエネルギー損失ないし伝送損失が小さいことが必要である。すなわち電子部品においては、誘電損失といわれる伝送過程における伝送損失が生じるが、この伝送損失は、熱エネルギーとして電子部品内で消費され、電子部品における発熱の原因となるため好ましくない。

【0 0 0 4】伝送損失は一般に下記式：

伝送損失 =係数 X周波数 X (誘電率） ^1/2 X誘電正接

で表されるため、伝送損失を俾くするためには、誘電率、誘電正接を小さくする必要がある。

【0 0 0 5】一方、電子部品の小型化、軽量化を図るためには、単位面積あたりの静電容量値をあげて電極面積を小さくする必要がある。

【0 0 0 6】静電容量値は一般的に下記式：

静電容量値 =真空の誘電率 X材料の比誘電率 X電極面積/絶縁層厚みで表されるため、静電容量値を高くするには材料の比誘電率を上げる必要がある。

【0 0 0 7】よって、高周波域における伝送損失の低減及び電子部品の小型化、軽量化をすベて達成するためには、誘電率を高くし且つ誘電正接を低くしたバランスの取れた材料が望まれる。

【0 0 0 8】一般に、誘電率が高い材料としては、ポリフッ化ビ二リデン、トリフルォロエチレンーテトラフルォロエチレンの共重合体、シァノ基含有ポリマ一などが知られているが、周波数特性、低誘電正接、耐熱性の点で問題があり、電子部品を構成する絶縁材料として使用することに適しているとは言えない。【0 0 0 9】また誘電率が低い材料としては、ポリオレフイン、塩化ビュル樹脂、フッソ樹脂、シンジオタクティックポリスチレン、芳香族ポリエステル樹脂等の熱可塑性樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ B Tレジン）、架橋性ポリフエ二レンォキサイド、硬化性ポリフエ-レンオキサイド、ポリビエルべンジルエーテル樹脂、ベンゾシクロプテン樹脂等、さまざまな樹脂が知られているが、これらは上述したように高周波域の電波の使用に対応できないばかり力 \耐熱性、薄膜加工性、耐薬品性、絶縁性、低誘電正接、低吸水率等の電子部品に要求される基本的性能をすベて満足するものはないのが現実であり、また上記樹脂のみでは高誘電率で且つ低誘電正接を実現するのは困難であるのが実情である。

【0 0 1 0】そこで、電子部品に要求される基本性能を満足しつつ、複合誘電体層の高誘電率及び低誘電正接を達成するべく、電子部品の複合誘電体層を構成する絶縁材料として、ポリビュルべンジルエーテル化合物に誘電体セラミック粉末を分散したものが知られている（特開 2 0 0 1 - 2 4 7 7 3 3号公報)。

発明の開示

【0 0 1 1】本発明者らは、前述した従来の公報に記載の複合誘電体層を用いた電子部品には、特性の上で未だ改善の余地を有することを見出した。

【0 0 1 2】即ち、上述した公報に記載の複合誘電体層を用いた電子部品は、高誘電率及び低誘電正接を示すものの、曲げ強度や高温下で使用した時の誘電特性の点で未だ改良の余地を有していた。即ち、前述した従来の電子部品は、取り扱い性や、高温使用時における性能維持については未だ改良の余地が残されていた。

【0 0 1 3】また、上述した公報に記載の複合誘電体層を用いた電子部品においては、複合誘電体層の誘電率や誘電正接（t a η δ ) 等の電気的特性は良好であるものの、その材料は強度面で優れているわけではない。従って、上記公報に記載の電子部品には、強度面で未だ改良の余地が残されていた。

【0 0 1 4】また、上記複合誘電体層は曲げ強度や曲げ弾性率が充分とはいえず、銅箔に対する接着性（はく離強度等）においても改善の余地がある。

【0 0 1 5】更に、上記複合誘電体層は、例えば、耐熱性の指標となるガラス転移温度が充分に高いとはいえず特性に改善の余地がある。かかる事情は、複合誘電体層中に強化繊維を配した場合であっても同様である。

【0 0 1 6】そこで、本発明は、電子部品の特性を十分に向上させることができる樹脂組成物、樹脂硬化物、シート状樹脂硬化物、積層体、プリプレダ、電子部品及び多層基板を提供することを目的とする。

【0 0 1 7】上記目的を達成するために、本発明は、フヱノール性水酸基を有する化合物及び該フノール性水酸基と反応してエステル結合を形成する基を 2 以上有する化合物を反応させてなる活性エステル化合物と、エポキシ樹脂と、からなる硬化性混合物と、上記硬化性混合物に配された誘電体セラミック粉末と、を含む樹脂組成物を提供する。

【0 0 1 8】本発明の樹脂組成物におけるエポキシ樹脂及び活性エステル化合物は、反応（硬化反応）により高分子量化した反応生成物を生成する。したがつて、エポキシ樹脂及び活性エステル化合物からなる上記硬化性混合物は、反応によりマトリックス樹脂となるべき硬化性混合物であり、硬化反応後は当該マトリックス樹脂中に誘電体セラミック粉末が分散された状態で存在する。【0 0 1 9】上記反応生成物は誘電率及び誘電正接が低く、当該反応生成物中には誘電体セラミック粉末が分散されていることから、樹脂組成物の硬化物全体として、ギガ H zの周波数領域において高誘電率且つ低誘電正接を示すようになる。また、エポキシ樹脂の硬化のために活性エステル化合物を用いていることから硬化反応時にエポキシ基の開環に起因する水酸基が生じず、誘電特性が温度や湿度に影響されにくくなる。

【0 0 2 0】そして、エポキシ樹脂と活性エステル化合物との反応生成物が上記ポリビュルべンジルエーテルに比べ大きな分子量を有しており、架橋構造を導入することも可能であることから、本発明の樹脂組成物の硬化物は高い耐熱性を示し、ガラス転移温度や分解開始点温度も向上する。更には、金属箔等の基材に対する密着性に優れたエポキシ樹脂を含有することから、本発明の樹脂組成物は金属箔に対して優れた接着性を発揮する。

【0 0 2 1】本発明においては、活性エステル化合物が、下記一般式（1 ) で表される芳香族系活性エステル化合物であることが好ましい。

R 0— (1)

k

o

[式中、 kは 2 ~ 4の整数を示し、

R¹は、ノ、ロゲン原子及びアルキル基からなる群より選ばれる少なくとも一つで置換されていてもよいナフチル基、又は、

ハロゲン原子、アルキル基及びフエ-ル基（該フエ二ル基はハロゲン原子及び Z 又はアルキル基で置換されていてもよい。）からなる群より選ばれる少なくとも一つで置換されていてもよいフエ-ル基、を示し、

R²は、 1〜 3個の芳香環（該芳香環はハ口ゲン原子及び Z又はアルキル基で置換されていてもよレ、。）を含む 2〜4価の基を示す。

伹し、 R²が芳香環を複数含む場合は、当該複数の芳香環は、縮合環を形成しているか、エーテル結合、チオ^ーテル結合、スルホン結合、力ルポ-ル結合及び単結合からなる群より選ばれる少なくとも 1つの結合で結合している。]

【0 0 2 2】活性エステル化合物として上記芳香族系活性エステル化合物を用いることにより、ギガ H zの周波数領域における誘電率の向上及び誘電正接の低減がより顕著となるばかりでなく、芳香環の存在に起因して、耐熱性、ガラス転移温度及び分解開始点温度が更に向上する。

【0 0 2 3】誘電体セラミック粉末は、マグネシウム、ケィ素、アルミニウム、チタン、亜鉛、カルシウム、スト口ンチウム、ジルコニウム、バリゥム、スズ、ネオジム、ビスマス、リチウム、サマリゥム及びタンタルからなる群より選ばれる少なくとも 1つの金属を含む金属酸化物粉末であって、誘電率が 3 . 7 ~ 3 0 0であり、。値が5 0 0〜1 0 0 , 0 0 0である金属酸化物粉末であることが好ましい。なお、上記誘電率及び Q値はギガ H z帯における値であり、本発明においてギガ H z帯とは、 1 0 O MH z〜l 0 G H zの周波数帯をいう。一方、誘電体セラミック粉末の含有量は、エポキシ樹脂及び活性エステル化合物の合計 1 0 0体積部に対して、 5〜 1 8 5体積部が好ましい。上記誘電体セラミック粉末を用いることにより、また、誘電体セラミック粉末の含有量を上記範囲内にすることにより、誘電率向上及び誘電正接低減の度合いを向上できる。そして、樹脂組成物の粘性を取り扱いに適したものとすることができる。

【0 0 2 4】本発明の樹脂組成物は、ポリアリレートを更に含むことが好ましく、当該ポリアリレートは、構造単位 X及び構造単位 Yから構成された一 X— Y 一で表される繰り返し単位が複数反復してなるものであり（複数存在する当該構造単位 X及び構造単位 Yのそれぞれは、同一でも異なっていてもよい。）、上記構造単位は、下記式（2 ) で表されるフタロイル基、イソフタロイル基又はテレフタロイル基であり（当該フタロイル基、イソフタロイル基及びテレフタロイル基の合計モル数に占めるテレフタロイル基のモル数は、 4 0モル％未満である。）、上記構造単位 Yは下記一般式（3 ) で表される 2価基であることが好ましい。

【0 0 2 5】上記式中、 R¹¹及び R¹²は、それぞれ独立に炭素数 1〜4のアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子、 Zは、単結合、エーテル結合、チォエーテル結合、スルホン結合又はカルボニル結合、 p及び qはそれぞれ独立に 0〜4 の整数、をそれぞれ示す。但し、前記ポリアリレートにおいて R^u、 R¹²及び Zが複数存在するときは、 R^u、 R¹²及び Zはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。なお、 R¹¹及び R¹²がメチル基であり、 Zが単結合であることが特に好ましい。樹脂組成物にポリアリレートを添加することにより、 Bステージ状態での可とう性及び屈曲性が上昇し、ハンドリング性が良好となる。

【0 0 2 6】樹脂組成物がポリアリレートを含む場合において、誘電体セラミック粉末の含有量は、エポキシ樹脂、活性エステル化合物及びポリアリレートの合計 1 0 0体積部に対して、 5〜1 8 5体積部が好ましい。誘電体セラミック粉末の含有量を上記範囲内にすることにより、誘電率が更に向上し誘電正接が更に低減するようになる。また、樹脂組成物の粘性が取扱いに適したものとなる。

【0 0 2 7】本発明の樹脂組成物には、カツプリング剤、硬化促進剤、難燃剤、可とう性付与剤及び有機溶剤からなる群より選ばれる少なくとも 1つの添加剤を添加することができ、力ップリング剤を添加する場合は、カツプリング剤の少なくとも一部は、誘電体セラミック粉末の表面に結合又は吸着させることが好ましい。

【0 0 2 8】カツプリング剤の添加により、樹脂組成物及びその硬化物における誘電体セラミック粉末の濡れや界面接着性を向上させることができ、硬化促進剤はエポキシ樹脂と活性エステル化合物との硬化反応を高速化させる。また、難燃剤の添加により難燃性を向上でき、可とう性付与剤の添加により、樹脂組成物及びその硬化物の取扱い性を改良することができるとともに、硬化物の脆性を改善して靭性を付与できる。

【0 0 2 9】本発明はまた、上記樹脂組成物における、エポキシ樹脂と活性ェステル化合物との硬化反応を部分的に完了させてなる樹脂硬化物、及びシート形状をなし当該樹脂硬化物からなるシート状樹脂組成物、を提供する。シート状樹脂硬化物は、 5〜2 0 0 /z mの厚さにすることができ、当該シート状樹脂硬化物の片面若しくは両面に金属箔を接合して積層体とすることもできる。上記樹脂硬化物は、エポキシ樹脂と活性エステル化合物との硬化反応が部分的に完了した、いわゆる Βステージの樹脂であるため、プリプレダとして使用することができる。【0 0 3 0】本発明は更に、上記樹脂組成物における、エポキシ樹脂と活性ェステル化合物との硬化反応を完了させてなる樹脂硬化物、及びシート形状をなし当該樹脂硬化物からなるシート状樹脂組成物、を提供する。シート状樹脂硬化物は、 5 ~ 1 0 0 0 μ πιの厚さにすることができ、当該シート状樹脂硬化物の片面若しくは両面に金属箔を接合して積層体とすることもできる。上記榭脂硬化物は、ギガ Η ζの周波数領域において高誘電率且つ低誘電正接を示し、誘電特性は温度や湿度に影響され難い。また、高い耐熱性、ガラス転移温度及び分解開始点温度を示す。そして、上記積層体においては、シート状樹脂硬化物と金属箔との接着性が特に良好である。

【0 0 3 1】上記目的を達成するために、本発明は、フエノール性水酸基を有する化合物及び該フエノール性水酸基と反応してエステル結合を形成する基を 2 以上有する化合物を反応させてなる活性エステル化合物と、エポキシ樹脂と、からなる硬化性混合物と、硬化性混合物に配された誘電体セラミック粉末及び強化繊維と、を含む樹脂成物を、半硬化させてなるプリプレダを提供する。【0 0 3 2】本発明はまた、強化繊維を製織してなる強化繊維織物と該強化繊維織物の両面に形成された樹脂層とを備えるプリプレダであつて、上記樹脂層は、フユノール性水酸基を有する化合物及び該フェノール性水酸基と反応してエステル結合を形成する基を 2以上有する化合物を反応させてなる活性ェステル化合物と、エポキシ樹脂と、からなる硬化性混合物と、当該硬化性混合物に配された誘電体セラミック粉末と、を含む樹脂組成物を、半硬化させてなる樹脂層であるプリプレダを提供する。なお、かかるプリプレダにおいては、樹脂層は 5〜1 0 0 _{μ πι}の厚さを有することが好ましく、強化繊維織物は 2 0〜3 0 0 μ ιηの厚さを有することが好ましい。

【0 0 3 3】本発明の上記プリプレダにおいて、ポキシ樹脂及び活性エステル化合物は硬化性混合物を構成する。すなわち、エポキシ樹脂は活性エステル化合物と反応（硬化反応）して高分子量化した反応生成物を生成する。

【0 0 3 4】上記反応生成物は誘電率及び誘電正接が低く、当該反応生成物中には誘電体セラミック粉末が分散され強化繊維も配されていることから、プリプレグの硬化物は全体として、ギガ Η ζの周波数領域において高誘電率且つ低誘電正接を示すようになる。また、エポキシ樹脂の硬化のために活性エステル化合物を用いていることから、硬化反応時にエポキシ基の開環に起因する水酸基が生じず、誘電特性が温度や湿度に影響されにくくなる。

【0 0 3 5】そして、エポキシ樹脂と活性エステル化合物との反応生成物が上記ポリビニルベンジルエーテルに比べ大きな分子量を有しており、架橋構造を導入することも可能であることから、本発明のプリプレダの硬化物は高い耐熱性を示し、ガラス転移温度も向上する。更には、金属箔等の基材に対する密着性に優れたエポキシ樹脂を含有することから、本発明のプリプレダは金属箔に対して優れた接着性を発揮する。

【0 0 3 6】本発明においては、活性エステル化合物が、下記一般式（1 ) で表される芳香族系活性エステル化合物であることが好ましい。 ^C-- O^.¹ (1)

k

O

[式中、 kは 2〜4の整数を示し、

R ¹は、ハロゲン原子及びアルキル基からなる群より選ばれる少なくとも一つで置換されていてもよいナフチル基、又は、

ハロゲン原子、アルキル基及びフエニル基（該フエ二ル基はハロゲン原子及び又はアルキル基で置換されていてもよい。）からなる群より選ばれる少なくとも一つで置換されていてもよいフエニル基、を示し、

R²は、 1〜3個の芳香環（該芳香環はハロゲン原子及び/又はアルキル基で置換されていてもよい。）を含む 2〜4価の基を示す。

但し、 R²が芳香環を複数含む場合は、当該複数の芳香環は、縮合環を形成している力、、エーテル結合、チォエーテル結合、スルホン結合、カルポニル結合及び単結合からなる群より選ばれる少なくとも 1つの結合で結合している。]

[ 0 0 3 7 ] 活性エステル化合物として上記芳香族系活性エステル化合物を用いることにより、ギガ H zの周波数領域における誘電率の向上及び誘電正接の低減がより顕著となるばかりでなく、芳香環の存在に起因して、ガラス転移温度が更に向上する。

【0 0 3 8】誘電体セラミック粉末は、マグネシウム、ケィ素、アルミニウム、チタン、亜鉛、カノレシゥム、ストロンチウム、ジノレコニゥム、バリウム、スズ、ネオジム、ビスマス、リチウム、サマリウム及びタンタルからなる群より選ばれる少なくとも 1つの金属を含む金属酸化物粉末であって、誘電率が 3 . 7〜3 0 0であり、（3値が5 0 0〜1 0 0， 0 0 0である金属酸化物粉末であることが好ましい。なお、上記誘電率及び Q値はギガ H z帯における値であり、本発明においてギガ H z帯とは、 1 0 0 MH z〜l 0 G H zの周波数帯をいう。一方、誘電体セラミック粉末の含有量は、エポキシ樹脂及び活性エステル化合物の合計 1 0 0体積部に対して、 5〜 1 0 0体積部が好ましい。上記誘電体セラミック粉末を用いることにより、また、誘電体セラミック粉末の含有量を上記範囲内にすることにより、誘電率向上及び誘電正接低減の度合いを向上できる。そして、プリプレグの粘性を取り扱いに適したものとすることができる。

【0 0 3 9】本発明のプリプレダにおける樹脂組成物は、ポリアリレートを更に含むことが好ましく、当該ポリアリレートは、構造単位 X及び構造単位 Yから構成された一 X— Y—で表される繰り返し単位が複数反復してなるものであり

(複数存在する当該構造単位 X及び構造単位 Yのそれぞれは、同一でも異なっていてもよい。）、上記構造単位 Xは、下記式（2 ) で表されるフタロイル基、イソフタロイル基又はテレフタロイル基であり（当該フタロイル基、イソフタロイル基及ぴテレフタロイル基の合計モル数に占めるテレフタロイル基のモル数は、 4 0モル％未満である。）、上記構造単位 Yは下記一般式（3 ) で表される 2価基であることが好ましい。

【0 0 4 0】上記式中、 R¹¹及び R¹²は、それぞれ独立に炭素数 1〜4のアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子、 Zは、単結合、エーテル結合、チォエーテル結合、スルホン結合又はカルボニル結合、 J)及び qはそれぞれ独立に 0〜 4 の整数、をそれぞれ示す。伹し、前記ポリアリレートにおいて R"、 R¹²及び Zが複数存在するときは、 R^u、 R¹²及び Zはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。なお、 R¹¹及び R¹²がメチル基であり、 Zが単結合であることが特に好ましい。プリプレダにポリアリレートを添加することにより、プリプレダに靭性を付加できハンドリング性が向上する。

【0 0 4 1】プリプレダにおける樹脂組成物がポリアリレートを含む場合において、誘電体セラミック粉末の含有量は、エポキシ樹脂、活性エステル化合物及びポリアリレートの合計 1 0 0体積部に対して、 5〜1 0 0体積部が好ましい。誘電体セラミック粉末の含有量を上記範囲内にすることにより、誘電率が更に向上し誘電正接が更に低減するようになる。また、プリプレダの粘性が取扱いに適したものとなる。

【0 0 4 2】樹脂組成物には、カツプリング剤、硬化促進剤、難燃剤及び可とう性付与剤からなる群より選ばれる少なくとも 1つの添加剤を添加することができ、カップリング剤を添加する場合は、カップリング剤の少なくとも一部は、誘電体セラミック粉末の表面に結合又は吸着させることが好ましい。

【0 0 4 3】カップリング剤の添加により、プリプレダ及びその硬化物における誘電体セラミック粉末の濡れや界面接着性を向上させることができ、硬化促進剤はエポキシ樹脂と活性エステル化合物との硬化反応を高速化させる。また、難燃剤の添加により難燃性を向上でき、可とう性付与剤の添加により、プリプレダ及びその硬化物の取扱い性を改良することができるとともに、硬化物の脆性を改善して靭性を付与できる。

【0 0 4 4】上記強化繊維は、 Eガラス繊維、 Dガラス繊維、 N Eガラス繊維、 Hガラス繊維、 Tガラス繊維及びァラミド繊維からなる群より選ばれる少なくとも 1つの強化繊維であることが好ましい。かかる強化繊維は上記樹脂組成物中の分散性に優れ、またプリプレダ硬化物の強度を向上させることができるからである。

【0 0 4 5】本発明はまた、シート形状をなし、上記プリプレダの硬化物からなるシート状樹脂硬化物を提供する。シート状樹脂硬化物は、 3 0〜1 0 0 0 0 μ πιの厚さにすることができ、当該シート状榭脂硬化物の片面若しくは両面に金属箔を接合して積層体とすることもできる。シート状樹脂硬化物は、ギガ H zの周波数領域において高誘電率且つ低誘電正接を示し、誘電特性は温度や湿度に影響され難い。また、高い耐熱性及びガラス転移温度を示す。そして、上記積層体においては、シート状樹脂硬化物と金属箔との接着性が特に良好である。

【0 0 4 6】上記目的を達成するために、本発明者らは、特に電子部品を構成する複合誘電体層の材料に着目して鋭意開発を続けた結果、特定の樹脂硬化物を含む有機絶縁材料に対して誘電体セラミック粉末が添加されることで、上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。

【0 0 4 7】すなわち本発明は、有機絶縁材料と、前記有機絶縁材料よりも大きい比誘電率を有する誘電体セラミック粉末とを含有する少なくとも 1つの複合誘電体層と、前記複合誘電体層に設けられ、キャパシタ素子又はインダクタ素子を構成する少なくとも 1つの導電性素子部とを備える電子部品において、前記有機絶縁材料が、エポキシ樹脂と、 2以上の力ルポキシル基を有する化合物及ぴフェノール性水酸基を有する化合物を反応させてなる活性エステル化合物とを硬化反応させてなる樹脂硬化物を含む。また本発明は、有機絶縁材料と、前記有機絶縁材料よりも大きい比誘電率を有する誘電体セラミック粉末とを含有する少なくとも 1つの複合誘電体層と、前記複合誘電体層に設けられる少なくとも 1つの導電性素子部と、前記導電性素子部に対して電気的に接続される電気素子とを備える電子部品において、前記有機絶縁材料が、エポキシ樹脂と、 2以上のカルボキシル基を有する化合物及びフノール性水酸基を有する化合物を反応させてなる活性エステル化合物とを硬化反応させてなる樹脂硬化物を含むことを特徴としてもよい。なお、本発明の電子部品においては、活性エステル化合物は、フエノール性水酸基を有する化合物と、該フエノール性水酸基と反応してエステル結合を形成する基を 2以上有する化合物とを反応させてなるものであってもよい。ここで、フエノール性水酸基と反応してエステル結合を形成する基としてはカルボキシル基ゃハロホルミル基（クロ口ホルミル基等）が挙げられる。【0 0 4 8】この電子部品によれば、誘電体セラミック粉末が、樹脂硬化物を含む有機絶縁材料よりも大きい比誘電率を有し、有機絶縁材料が低い誘電正接を有するため、ギガ H zの高周波域においても複合誘電体層が高誘電率及ぴ低誘電正接を示す。このため、電子部品における伝送損失が低減され、電子部品の小型化、軽量化が可能となる。また 1 0 0 °C以上の高温下で長時間使用しても、 1 0 O MH z以上の高周波域における比誘電率の経時変化を十分に小さくすることができる。更にこの電子部品によれば、曲げ強度が大きくなるため、電子部品の取扱い性が向上し、電子部品の欠損ないし変形等を十分に防止することができる。

【0 0 4 9】上記電子部品における活性エステル化合物が下記一般式（ 1 )で表される芳香族系活性エステル化合物であることが好ましい。一 0— R丄 (1)

k

0

[式中、 kは 2〜4の整数を示し、 R¹は、ハロゲン原子及びアルキル基からなる群より選ばれる少なくとも一つで置換されていてもよいナフチル基、又は、ハロゲン原子、アルキル基及びフエニル基（該フエエル基はハロゲン原子及び Z又はアルキル基で置換されていてもよい。）からなる群より選ばれる少なくとも一つで置換されていてもよいフエエル基、を示し、 R²は、 1〜 3個の芳香環（該芳香環はハ口ゲン原子及び Z又はアルキル基で置換されていてもよい。）を含む 2〜 4価の基を示す。但し、 R²が芳香環を複数含む場合は、当該複数の芳香環は、縮合環を形成しているか、エーテル結合、チォエーテル結合、スルホン結合、力ルポ二ル結合及び単結合からなる群より選ばれる少なくとも 1つの結合で結合している。]

[ 0 0 5 0 ] 活性エステル化合物として上記芳香族系活性エステル化合物を用いることにより、樹脂硬化物のギガ H zの周波数領域における誘電正接の低減がより顕著となるばかりでなく、芳香環の存在に起因して、樹脂硬化物の耐熱性、ガラス転移温度及び分解開始点温度が更に向上する。

【0 0 5 1】上記電子部品においては、上記誘電体セラミック粉末が、マグネシゥム、ケィ素、アルミニウム、チタン、亜鉛、カルシウム、ストロンチウム、ジノレコニゥム、バリウム、スズ、ネオジゥム、ビスマス、リチウム、サマリウム及びタンタルからなる群より選ばれる少なくとも 1つの金属を含む金属酸化物粉末であって、比誘電率が 3 . 7〜3 0 0であり、 Q値が 5 0 0〜： L 0 0 , 0 0 0 である金属酸化物粉末であることが好ましく、前記誘電体セラミック粉末が、前記有機絶縁材料 1 0 0体積部に対して 5〜 1 8 5体積部添加されていることが好ましい。なお、上記比誘電率及び Q値は、ギガ H z帯における値であり、本発明において、ギガ H z帯とは、 1 0 O MH z〜 1 0 G H zの周波数帯をいう。

【0 0 5 2】上記電子部品において、上記誘電体セラミック粉末を用いることにより、また、有機絶縁材料に対する誘電体セラミック粉末の添加量を上記範囲内にすることにより、誘電率向上及び誘電正接低減の度合いを向上できる。

【0 0 5 3】前記樹脂硬化物は、前記エポキシ樹脂と前記活性エステル化合物とを添加剤の存在下に硬化反応させてなり、前記添加剤が、硬化促進剤、表面処理剤、難燃剤及び可撓性付与剤からなる群より選ばれる少なくとも 1つの添加剤であってもよい。

【0 0 5 4】硬化促進剤はエポキシ樹脂と活性エステル化合物との硬化反応を高速化させる。また表面処理剤の添加により、樹脂硬化物における誘電体セラミック粉末の濡れや界面接着性を向上させることができる。また、難燃剤の添加により難燃性を向上でき、可とう性付与剤の添加により、樹脂硬化物の取扱い性を改良することができるとともに、樹脂硬化物の脆性を改善して靭性を付与できる。【0 0 5 5】上記電子部品においては、上記有機絶縁材料がポリアリレートを更に含むことが好ましい。この場合、 Bステージ状態での可とう性及び屈曲性が上昇し、ハンドリング性が良好となる。

【0 0 5 6】また上記ポリアリレートが、構造単位 X及び構造単位 Yから構成された一 X— Y—で表される繰り返し単位が複数反復してなるものであり（複数存在する当該構造単位 X及び構造単位 Υのそれぞれは、同一でも異なっていてもよい。）、前記構造単位 Xは、下記式 ( 2 ) で表されるフタロイル基、イソフタ口ィル基又はテレフタロイル基であり（当該フタロイル基、イソフタロイル基及ぴテレフタロイノレ基の合計モノレ数に占めるテレフタロイル基のモル数は、 4 0モル％未満である。）、

【0 0 5 7】前記構造単位 Υは下記一般式（ 3 ) で表される 2価基であることが好ましい。

[式中、 R¹¹及び R¹²は、それぞれ独立に炭素数 1〜4のアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子、 Ζは、単結合、エーテル結合、チォエーテル結合、スルホン結合又はカルポニル結合、：及び qはそれぞれ独立に 0〜4の整数、をそれぞれ示す。但し、前記ポリアリレートにおいて R^u、 R¹²及び Zが複数存在するときは、 R^u、 R¹²及び Zはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。]

【0 0 5 8】ポリアリレートが上記構成とされることにより、上記構成以外の構成を有するポリアリレートに比べて、プリプレダに靭性を付加できハンドリング性が向上する。

【0 0 5 9】上記一般式（3 ) において、前記 R¹¹及び前記 R¹²がメチル基であり、前記 Zが単結合であることが好ましい。【0 0 6 0】この場合、特にプリプレダに靭性を付加できハンドリング性が向上する。

【0 0 6 1】前記複合誘電体層は、前記有機絶縁材料中に分散される磁性体粉末を更に含むことが好ましい。

【0 0 6 2】この場合、磁性体粉末により、複合誘電体層に磁気特性を付加でき、線膨張係数が低減され、材料強度が向上する。

【0 0 6 3】前記複合誘電体層は、強化繊維からなるクロスを更に含むことが好ましい。

【0 0 6 4】この場合、強化繊維からなるクロスにより、複合誘電体層の曲げ強度が増強される。従って、電子部品の変形や欠損等が十分に防止される。

【0 0 6 5】また、本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討した結果、多層基板及び電子部品を以下の構成とすることによつても上記課題を解決しうることを見出し、本発明を完成するに至った。

【0 0 6 6】即ち、本発明は、樹脂を含む少なくとも 1つの第 1誘電体層と、樹脂を含む少なくとも 1つの第 2誘電体層と、少なくとも 1つの導体層とを積層して構成され、前記第 2誘電体層の誘電正接 t a η δが 0 . 0 1以下であり、前記第 1誘電体層の限界たわみ量が、前記第 2誘電体層の 1 . 3倍以上である多層基板及び電子部品である。

【0 0 6 7】この多層基板及び電子部品によれば、第 1誘電体層の限界たわみ量が第 2誘電体層の 1 . 3倍以上となっており、第 2誘電体層の誘電正接 t a η δが 0 . 0 1以下となっている。即ち本発明の多層基板及び電子部品は、機械的強度に優れた誘電体層と、電気的特性に優れた誘電体層とを含む。このため、製品化後において過大な負荷が加えられても、電気的特性を良好に維持しながら多層基板又は電子部品における欠損の発生を十分に防止することが可能となる。【0 0 6 8】上記第 2誘電体層が、上記樹脂よりも誘電率の大きいセラミック粉末を更に含んでもよい。この場合、誘電率の小さい樹脂を用いる場合でも、良好な電気的特性を維持することが可能となる。

【0 0 6 9】上記多層基板及び電子部品は 2つの最外層を有し、前記 2つの最外層の少なくとも一方が前記第 1誘電体層で構成され、前記 2つの最外層の間に前記少なくとも 1つの第 2誘電体層が配置されていることが好ましい。この場合、多層基板及び電子部品に過大な負荷が加えられても、多層基板又は電子部品における欠損の発生をより十分に防止することが可能となる。

【0 0 7 0】上記多層基板及び電子部品においては、前記第 1誘電体層のピール強度が、前記第 2誘電体層のピール強度の 1 . 5倍以上であることが好ましい。この場合、製品化後において過大な負荷が加えられても、電気的特性を良好に維持しながら多層基板又は電子部品における欠損の発生をより十分に防止することが可能となる。

【0 0 7 1】また本宪明は、樹脂を含む 2つの第 1誘電体層と、前記 2つの第 1誘電体層の間に配置され、樹脂を含む少なくとも 1つの第 2誘電体層と、少なくとも 1つの導体層とを積層して構成され、前記 2つの第 1誘電体層の少なくとも一方が最外層を構成し、前記第 2誘電体層の誘電正接 t a η δが 0 . 0 1以下であり、前記第 1誘電体層のピール強度力前記第 2誘電体層のピール強度の 1 . 5倍以上である多層基板及び電子部品である。これら多層基板及び電子部品によれば、ピール強度が、前記第 2誘電体層のピール強度の 1 . 5倍以上となっており、第 2誘電体層の誘電正接 t a η δが 0 . 0 1以下となっている。即ち本発明の多層基板及び電子部品は、機械的強度に優れた誘電体層と、電気的特性に優れた誘電体層とを含む。このため、製品化後において過大な負荷が加えられても、電気的特性を良好に維持しながら多層基板又は電子部品における欠損の発生を十分に防止することが可能となる。

【0 0 7 2】上記多層基板及び電子部品においては、上記第 1誘電体層のピール強度は 8 N/ c m以上であることが好ましい。この場合、第 1誘電体層のピール強度が 8 NZ c m未満である場合に比べて、実装する受動素子及び能動素子の固着強度及び引き剥がし強度や、多層基板及び電子部品の電極強度がより向上する。。

【0 0 7 3】また本発明は、上述した多層基板と、多層基板に設けられる電気素子とを備える電子部品である。この場合でも、多層基板が、機械的強度に優れた誘電体層と、電気的特性に優れた誘電体層とを含むため、製品化後において電子部品に過大な負荷が加えられても、電気的特性を良好に維持しながら多層基板又は電子部品における欠損の発生を十分に防止することが可能となる。

【0 0 7 4】なお、本発明の多層基板及び電子部品において、限界たわみ量とは、縦 1 0 0 mm、横 7 5 mm、厚さ 0 . 6 mmの矩形平板状の第 1誘電体層又は第 2誘電体層に厚さ 1 2 mの C u箔を積層したものを加重によりたわませたときに、第 1誘電体層又は第 2誘電体層が破壌するか、又は第 1誘電体層又は第 2誘電体層に欠損（クラック）が発生するときのたわみ量のことを言うものとし、たわみ量は 3点曲げによる測定（ J I S C 6 4 8 1に記載の曲げ強さの試験方法に準拠した測定）によって得られるたわみ量のことを言う。また、ピール強度とは、 J I S C 6 4 8 1で定義される引き剥がし強さを言うものとする。図面の簡単な説明

【0 0 7 5】図 1 Aは、本発明の樹脂組成物の一実施形態を示す断面図である。【0 0 7 6】図 1 Bは、本発明のシート状樹脂硬化物の第 1実施形態を示す断面図である。

【0 0 7 7】図 1 Cは、本発明の積層体の第 1実施形態を示す断面図である、【0 0 7 8】図 1 Dは、本発明のプリプレダの一実施形態を示す断面図である。【0 0 7 9】図 1 Eは、本発明のシート状樹脂硬化物の第 2実施形態を示す断面図である。

【0 0 8 0】図 I Fは、本発明の積層体の第 2実施形態を示す断面図である。【0 0 8 1】図 1 Gは、本発明の電子部品の第 1実施形態であるインダクタを示す透視斜視図である。【0 0 8 2】図 2は、本発明の電子部品の第 1実施形態であるインダクタを示す断面図である。

【0 0 8 3】図 3は、本発明の電子部品の第 2実施形態であるィンダクタを示す透視斜視図である。

【0 0 8 4】図 4は、本発明の電子部品の第 2実施形態であるインダクタを示す断面図である。

【0 0 8 5】図 5は、本発明の電子部品の第 3実施形態であるインダクタを示す透視斜視図である。

【0 0 8 6】図 6は、本発明の電子部品の第 3実施形態であるィンダクタを示す断面図である。

【0 0 8 7】図 7は、本発明の電子部品の第 4実施形態であるィンダクタを示す透視斜視図である。

【0 0 8 8】図 8は、本発明の電子部品の第 4実施形態であるィンダクタを示す断面図である。

【0 0 8 9】図 9は、本発明の電子部品の第 5実施形態であるィンダクタを示す透視斜視図である。

【0 0 9 0】図 1 0は、本発明の電子部品の第 1、第 5実施形態であるィンダクタを示す等価回路図である。

【0 0 9 1】図 1 1は、本発明の電子部品の第 6実施形態であるキャパシタを示す透視斜視図である。

【0 0 9 2】図 1 2は、本発明の電子部品の第 6実施形態であるキャパシタを示す断面図である。

【0 0 9 3】図 1 3は、本発明の電子部品の第 7実施形態であるキャパシタを示す透視斜視図である。

【0 0 9 4】図 1 4は、本発明の電子部品の第 7実施形態であるキャパシタを示す等価回路図である。【0095】図 15は、本発明の電子部品の第 8実施形態であるバルントランスを示す透視斜視図である。

【0096】図 16は、本発明の電子部品の第 8実施形態であるバルントランスを示す断面図である。

【0097】図 17は、本発明の電子部品の第 8実施形態であるバルントランスの各構成層の分解平面図である。

【0098】図 18は、本発明の電子部品の第 8実施形態であるバルントランスを示す等価回路図である。

【0099】図 19は、本発明の電子部品の第 9実施形態である積層フィルタを示す斜視図である。

【0100】図 20は、本発明の電子部品の第 9実施形態である積層フィルタを示す分解斜視図である。 · '

【0101】図 21は、本発明の電子部品の第 9実施形態である積層フィルタを示す等価回路図である。

【0102】図 22は、本発明の電子部品の第 9実施形態である積層フィルタの伝達特性を示すグラフである。

【0103】図 23は、本発明の電子部品の第 10実施形態である積層フィルタを示す斜視図である。

【0104】図 24は、本宪明の電子部品の第 10実施形態である積層フィルタを示す分解斜視図である。

【0105】図 25は、本発明の電子部品の第 10実施形態である積層フィルタを示す等価回路図である。

【0106】図 26は、本発明の電子部品の第 10実施形態である積層フィルタの伝達特性を示すグラフである。

【0107】図 27は、本発明の電子部品の第 1 1実施形態であるブロックフィルタを示す斜視図である。【0 1 08】図 28は、本発明の電子部品の第 1 1実施形態であるプロックフィルタを示す正面断面図である。

【0 1 0 9】図 29は、本発明の電子部品の第 1 1実施形態であるプロックフィルタを示す側面断面図である。

【0 1 1 0】図 30は、本発明の電子部品の第 1 1実施形態であるプロックフィルタを示す平面断面図である。

【0 1 1 1】図 3 1は、本発明の電子部品の第 1 1実施形態であるブロックフィルタの等価回路図である。

【0 1 1 2】図 3 2は、本発明の電子部品の第 1 1実施形態であるブロックフィルタを作製するための金型を示す概略断面図である。

【0 1 1 3】図 3 3は、本発明の電子部品の第 1 2実施形態である力ブラを示す透視斜視図である。

【0 1 1 4】図 34は、本発明の電子部品の第 1 2実施形態である力プラを示す断面図である。

【0 1 1 5】図 3 5は、本発明の電子部品の第 1 2実施形態である力ブラの各構成層の分解斜視図である。

【0 1 1 6】図 3 6は、本発明の電子部品の第 1 2実施形態である力ブラの内部結線図である。

【0 1 1 7】図 3 7は、本発明の電子部品の第 1 2実施形態である力ブラの等価回路図である。

【0 1 1 8】図 38は、本発明の電子部品の第 1 3実施形態であるアンテナを示す透視斜視図である。

【0 1 1 9】図 3 9は、本発明の電子部品の第 1 3実施形態であるアンテナを示す図であり、（a) は平面図、（b) は側面断面図、（c) は正面断面図である。【0 1 20】図 40は、本発明の電子部品の第 1 3実施形態であるアンテナの各構成層の分解斜視図である。【0121】図 41は、本発明の電子部品の第 14実施形態であるアンテナを示す透視斜視図である。

【0122】図 42は、本発明の電子部品の第 14実施形態であるアンテナを示す分解斜視図である。

【01 23】図 43は、本発明の電子部品の第 15実施形態であるパッチアンテナを示す透視斜視図である。

【0124】図 44は、本発明の電子部品の第 15実施形態であるパッチアンテナを示す断面図である。

【0125】図 45は、本発明の電子部品の第 16実施形態であるパッチアンテナを示す透視斜視図である。

【0 126】図 46は、本発明の電子部品の第 16実施形態であるパッチアンテナを示す断面図である。

【0127】図 47は、本発明の電子部品の第 17実施形態であるパッチアンテナを示す透視斜視図である。

【01 28】図 48は、本発明の電子部品の第 17実施形態であるパッチアンテナを示す断面図である。

【0129】図 49は、本発明の電子部品の第 18実施形態であるパッチアンテナを示す透視斜視図である。

【0130】図 50は、本発明の電子部品の第 18実施形態であるパッチアンテナを示す断面図である。

【01 3 1】図 51は、本発明の電子部品の第 19実施形態である VCOを示す透視斜視図である。

【0132】図 52は、本発明の電子部品の第 19実施形態である V C Oを示す断面図である。

【01 33】図 53は、本発明の電子部品の第 1 9実施形態である V COを示す等価回路図である。【0 1 34】図 54は、本発明の電子部品の第 20実施形態であるパワーアンプの各構成層の分解斜視図である。

【01 35】図 55は、本発明の電子部品の第 20実施形態であるパワーアンプを示す断面図である。

【0 1 36】図 56は、本発明の電子部品の第 20実施形態であるパワーアンプを示す等価回路図である。

【0137】 · 図 57は、本発明の電子部品の第 21実施形態である重畳モジュ一ルの各構成層の分解平面図である。

【01 38】図 58は、本発明の電子部品の第 21実施形態である重畳モジュールを示す断面図である。

【0 1 39】図 59は、本発明の電子部品の第 21実施形態である重畳モジュールを示す等価回路図である。

【0 140】図 60は、本発明の電子部品の第 22実施形態である R Fモジュールを示す斜視図である。

【0 141】図 61は、図 60の外装部材を外した状態での RFモジュールの斜視図である。

【0 142】図 62は、本発明の電子部品の第 22実施形態である R Fモジュ一ルの各構成層の分解斜視図である。

【0143】図 63は、本発明の電子部品の第 22実施形態である R Fモジュールを示す断面図である。

【0144】図 64は、本発明の電子部品の第 23実施形態である共振器を示す透視斜視図である。

【0 145】図 65は、本発明の電子部品の第 23実施形態である共振器を示す断面図である。

【0 146】図 66は、本発明の電子部品の第 24実施形態である共振器を示す透視斜視図である。【0147】図 67は、本発明の電子部品の第 24実施形態である共振器を示す断面図である。

【0148】図 68は、本発明の電子部品の第 25実施形態である共振器を示す透視斜視図である。

【0149】図 69は、本発明の電子部品の第 26実施形態である共振器を示す透視斜視図である。

【0150】図 70は、本発明の電子部品の第 23〜 26実施形態である共振器の等価回路図である。

【0 1 51】図.71は、本発明の電子部品の第 27実施形態である携帯端末機器の高周波数部を示すプロック構成図である。

【0152】図 72は、銅箔付基板の形成例を示すフローチャートである。【01 53】図 73は、銅箔付基板の形成例を示す工程図である。

【01 54】図 74は、多層基板の形成例を示すフローチャートである。【0155】図 75は、多層基板の形成例を示す工程図である。

【01 56】図 76は、本発明の電子部品の第 28実施形態を示す部分断面図である。

【01 57】図 77は本発明の電子部品の第 29実施形態であるキャパシタ（コンデンサ）を示した透視斜視図である。

【01 58】図 78は、本発明の電子部品の第 29実施形態であるキャパシタ (コンデンサ）を示した部分断面図である。

【0 159】図 79は本発明の電子部品の第 30実施形態であるインダクタを示した透視斜視図である。

【0 160】図 80は、本発明の電子部品の第 30実施形態であるィンダクタを示した部分断面図である。

【016 1】図 81は、樹脂組成物の硬化物を i 25 °Cで加熱した場合の経時的な誘電率の上昇を示す図である。

図 82は、実施例 13に係る電子部品を示す部分断面図である。発明を実施するための最良の形態

【0 1 6 2】以下、本発明にかかる樹脂組成物、樹脂硬化物、シート状樹脂硬化物、積層体、電子部品及び多層基板の好適な実施形態について説明する。

【0 1 6 3】先ず、本発明に係る樹脂組成物について説明する。図 1 Aは、本発明の樹脂組成物の一実施形態を示す断面図である。図 1 Aに示すように、樹脂組成物 1 8は、硬化性混合物 1 9と、硬化性混合物 1 9中に配される誘電体セラミック粉末 3とを含む。

【0 1 6 4】硬化性混合物 1 9は、フノール性水酸基を有する化合物及び該フエノール性水酸基と反応してエステル結合を形成する基を 2以上有する化合物を反応させてなる活性エステル化合物と、エポキシ樹脂とからなる。

【0 1 6 5】硬化性混合物 1 9を構成するエポキシ樹脂は、エポキシ基を 1以上有した化合物であればよいが、分子量及び架橋度の観点からはエポキシ基を 2 以上有した化合物が好ましい。 '

【0 1 6 6】上記エポキシ樹脂としては、クレゾールノボラック型エポキシ榭脂、フエノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトール変性ノボラック型ェポキシ樹脂、ビスフエノール A型エポキシ樹脂、ビスフエノール F型エポキシ樹脂、ビフエュル型エポキシ樹脂、トリフエ-ル型エポキシ樹脂等のフエノール系ダルシジルエーテル型エポキシ樹脂；ポリプロピレンダリコールグルシジルエーテル、水添ビスフエノール A型エポキシ榭脂等のアルコール系グルシジルエーテル型ェポキシ樹脂；ジシク口ペンタジェン骨格を有するジシク口ペンタジェン型ェポキシ樹脂；ナフタレン骨格を有するナフタレン型エポキシ樹脂；ジヒドロキシベンゾピラン型エポキシ樹脂；ジヒドロキシジナフタレン型エポキシ樹脂；へキサヒドロ無水フタル酸ゃダイマー酸等を原料としたグリシジルエステル型エポキシ樹月旨；ジァミノフエニルメタン等のポリアミンを原料としたグリシジルアミン型ェポキシ樹脂；脂環式型エポキシ樹脂；臭素化エポキシ樹脂及びその混合物等が挙げられる。これらは単独で用いても 2種以上を組み合わせて用いてもよい。【0 1 6 7】硬化性混合物 1 9を構成する活性エステル化合物は、上記ェポキシ樹脂と反応して、例えば、以下に示す反応スキームを経てエポキシ樹脂の硬化物を与える化合物であり、フエノール性水酸基を有する化合物と、該フエノール性水酸基と反応してエステル結合を形成する基を 2以上有する化合物とを反応させて得られる化合物である。ここで、フエノール性水酸基と反応してエステル結合を形成する基としては力ルポキシル基ゃハロホルミル基（クロロホルミル基等）が挙げられる。なお、下記一般式（a ) で表される化合物はエポキシ樹脂に該当し、 R¹¹⁵は 2価の有機基を示す、また、下記一般式（b ) で表される化合物は活性エステル化合物に該当し、 R¹及び R²は上記と同義である。そして、下記一般式（c ) で表される化合物は両化合物の反応により生じた反応生成物（硬化物）である。

【0 1 6 8】以下の反応スキームは、（a ) で表される化合物 2モルに対して ( b ) で表される化合物を 1モル反応させたときの典型的な反応例を示すものであるが、（c )の化学構造で明らかなように、反応により開環したエポキシ基には水酸基が生じていない。このように、エポキシ樹脂におけるエポキシ基と活性ェステル化合物におけるエステル結合は 1 ： 1で反応に寄与する。

+

(b)

【0169】硬化性混合物 19を構成する活性エステル化合物としては、上記一般式（1) で表される芳香族系活性エステル化合物が好ましい。そして、一般式（1) における R¹としては、以下の基のいずれかが特に好適である。なお、以下の基において、 A及び Bは、それぞれ独立にハロゲン原子又はアルキル基を示し、は 0〜5の整数、 m₂は 0〜4の整数、 m₃は 0〜 3の整数、をそれぞれ示す。

【0 1 70】一般式（1) において kが 2である場合は、 R²は以下の基のいずれかが特に好適である。

【01 71】また、一般式（1) において kが 3である場合は、 R²は以下の基が好ましく、

kが 4である場合は、 R²は以下の基のいずれかが好ましレ、。

[01 72] 上記式中 D、 E及び Gは、それぞれ独立にハ口ゲン原子又はアルキル基を示し、 Tはエーテル結合（一 o—）、チォエーテル結合（_s—）、スルホン結合（一 S0₂—）又はカルボニル結合（一 CO—）を示す。また、 n₂ 及び n ₃はそれぞれ独立に 0〜4の整数、 n₄及び n₅はそれぞれ独立に 0〜3の整数、 n₆は 0〜2の整数、をそれぞれ示す。

【01 73】活性エステル化合物の合成法としては、無水酢酸法、界面法、直接法等の公知の合成法が採用できる。【0 1 7 4】無水酢酸法では、フエノール性水酸基を有する化合物（以下「フェノール系化合物」という。）を、例えば過剰の無水酢酸によりァセチル化した後、 2以上のカルボキシル基を有する化合物（以下、「多価カルボン酸」と呼ぶ。）と脱酢酸反応を行うことにより、活性エステル化合物を得る。無水酢酸は、充分なァセチル化を行う目的からフエノール性水酸基と等モル以上用いることが好ましい。

【0 1 7 5】界面法では、例えば、多価カルボン酸の酸塩化物を含む有機相と、フユノール系化合物を含む水相とを接触させて、活性エステル化合物を得る。有機相に用いる溶媒としては、多価カルボン酸の酸塩化物を溶解する非水溶性の溶媒が用いられ、例えば、トルエン、へキサン等が好ましい。

【0 1 7 6】活性エステル化合物の合成に用いられる多価カルボン酸としては、脂肪族系多価力ルポン酸及び芳香族系多価カルボン酸が挙げられる。多価力ルポン酸として脂肪族系多価カルボン酸を用いた場合は、エポキシ樹脂との相溶性を向上させることができ、芳香族系多価カルボン酸を用いた場合は、樹脂組成物 1 8の硬化物、ひいては後述する電子部品に用いられる複合誘電体層の耐熱性を向上させることが可能になる。

【0 1 7 7】脂肪族系多価カルボン酸としては、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、セバシン酸、フマル酸、マレイン酸、ィタコン酸、アコ-ット酸、トリ力ルバリル酸、 1， 2， 3， 4ーブタンテトラカルボン酸、 4ーメチノレ一 4ーシク口へキセン一 1， 2—ジカノレポン酸、 1 , 2 , 3， 4ーシク口ペンタンテトラカルボン酸、 5 - ( 2 , 5—ジォキソテトラヒドロー 3—フラニル) 一 3ーメチルーシク口へキセン一 1 , 2—ジカルボン酸無水物等の飽和若しくは不飽和の脂肪族多価カルボン酸又はその無水物若しくは酸塩化物が挙げられる。【0 1 7 8】芳香族系多価カルボン酸としては、安息香酸、メチル安息香酸、ジメチル安息香酸、トリメチル安息香酸等の安息香酸類、 1—ナフトェ酸、 2— ナフトェ酸等のナフトェ酸類、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸等のベンゼンジカルボン酸又はその酸無水物若しくは酸塩化物、トリメリット酸、トリメシン酸等のトリカルボン酸又はその酸無水物若しくは酸塩化物、ピロメリット酸や 3， 3' , 4, 4，一ビフエ二レンテトラカルボン酸等のテトラカルボン酸又はその酸無水物、 1， 4一ナフタレンジカルボン酸、 2， 6—ナフタレンジ力ルポン酸、 2, 3—ナフタレンジカルボン酸等のナフタレンジカルボン酸又はその酸無水物、 3， 3'， 4, 4'一べンゾフエノンテトラカルボン酸又はその酸無水物等が挙げられる。

【0 1 79】活性エステル化合物の原料に用いられるフエノール系化合物としては、樹脂組成物 1 8又は後述するプリプレダ 6の硬化物の耐熱性及び硬化反応における反応性の観点から、芳香環を 1〜 3個有するフノール系化合物が好ましい。

【0 1 80】フユノール性水酸基を有する芳香族化合物としては、フノール、クレゾーノレ、キシレノーノレ等のフエノーノレ類、ヒドロキノン、レゾノレシン、カテコーノレ、メチルヒドロキノン等のベンゼンジォーノレ類、フロログノレシン等のベンゼントリオール類、一ナフトール、 β—ナフトール等のナフトール類、ナフタレンジォーノレ類、 ο—フエニノレフエノーノレ、 2， 2，一ジヒドロキシビフエ二ノレや 2, 2' , 4, 4，ーテトラメチルビフエノール等のビフエノール類、 2， 2' , 4， 4，ーテトラヒドロキシベンゾフエノン等が挙げられる。

【0 1 8 1】次に、樹脂組成物 1 8に含まれる誘電体セラミック粉末 3について説明する。

【0 1 8 2】誘電体セラミック粉末 3は、 1 0 ΟΜΗ ζ以上（好ましくはギガ H z帯）の高周波領域において、上記エポキシ樹脂と活性エステル化合物との反応生成物及び任意添加成分であるポリアリレートよりも大きい誘電率及び Q値 (誘電正接の逆数）を示す誘電体セラミック粉末が好ましく、 1種又は複数種を用いることができる。

[0 1 8 3] かかる誘電体セラミック粉末 3としては、マグネシウム、ケィ素、アルミニウム、チタン、亜鉛、カルシウム、ストロンチウム、ジルコニウム、バリウム、スズ、ネオジム、ビスマス、リチウム、サマリウム及びタンタルからなる群より選ばれる少なくとも 1つの金属を含む金属酸化物粉末が挙げられる。誘電体セラミック粉末 3としては、これら金属酸化物粉末であって、比誘電率が 3 . 7〜3 0 0であり、 Q値が 5 0 0〜； L 0 0， 0 0 0である金属酸化物粉末であることが好ましい。

【0 1 8 4】金属酸化物粉末の比誘電率が 3 . 7未満である場合は、後述する電子部品における複合誘電体層の比誘電率を高くすることができず、電子部品の小型化、軽量化が困難となる傾向がある。金属酸化物粉末の比誘電率が 3 0 0を超えるか、 Q値が 5 0 0未満である場合、使用時に電子部品が過剰に発熱すると共に、伝送損失が低下する傾向がある。なお、上記誘電体セラミック粉末 3は通常、単結晶や多結晶で構成される。

【0 1 8 5】好適な誘電体セラミック粉末 3としては、サファイア等の単結晶粉末や多結晶のアルミナ粉末が挙げられ、更に好適なものとして、 Mg₂Si0₄ [ ε =7、 Q=20000]、 A1₂0₃ [ ε =9. 8、 Q=40000]、 MgTi0₃ [ ε =17、 Q=22000]ヽ ZnTi0₃ [ ε =26、 Q=800]、

Zn₂Ti0₄ [ E =15、 Q=700]、 Ti0₂ [ ε =104 Q=15000]、 CaTi0₃ [ ε =170、 Q=1800]、 SrTi0₃ [ ε =255、 Q=700]、 SrZr0₃ [ ε =30 , Q=1200]、 BaTi₂0₅ [ ε =42、 Q=5700]、 BaTi₄0_g [ ε =38、Q=9000]、B¾Ti₉0₂₀ [ ε =39、 Q=9000]、Ba₂ (Ti， Sn) ₉0₂₀ [ ε =37、Q=5000]、 ZrTi0₄ [ ε =39、Q=7000]、 (Zr, Sn) Ti0₄ [ E =38、Q=7000]、BaNd₂Ti₅0₁₄ [ ε =83、Q=2100]、 BaNd₂Ti₄0₁₂ [ £ =92、 Q=1700]、 BaSm₂Ti0₁₄ [ ε =74、 Q=2400]、 Bi₂0₃- BaO- Nd₂0₃- Ti0₂系

[ ε =88、 Q=2000] 、 PbO - BaO- Nd₂0₃-Ti0₂ 系 [ ε =90 、 Q=5200] 、 (Bi₂0₃、 PbO) - BaO- Nd₂0₃- Ti0₂系 [ ε =105、Q=2500]、La₂Ti₂0₇ [ ε =44、 Q=4000]、Nd₂Ti₂0₇ [ ε =37、 Q=1100]、（Li，Sm) Ti0₃ [ ε =81、 Q=2050]、 Ba (Mg_1/3Ta_2/3) 0₃ [ ε =25 _s Q=35000]、 Ba (Zn_1/3Ta_2/3) 0₃ [ ε =30 、 Q=14000] 、 Ba (Zn_1/3Nb_2/3) 0₃ [ ε =41 、 Q=9200] 、 Sr (Zn_1/3Nb_2/3) 0₃ [ ε =40 、 Q=4000] 、 Ba (Mg_1/3Nb_2/3) 0₃ [ ε =12 、 Q=24000] 、

Ba (Co_1/3Mg_1/3Nb_1/3) 0₃ [ ε =32 Q=11500]、 Ba (Co_1/3Mg_1/3Ta_1/3) 0₃ [ ε =24, Q=38500]、 B a O— C a O— N d₂0₃— T i 0₂[ ε = 90、 Q= 2200], B a O_S r O— N d₂〇「 T i O₂[£ =90、 Q=1700]、 B a O-N d₂0₃、 Mg O— T i O ₂、 Mg〇一 S i 0₂[_£ =6. 1、 Q=5000]、 Z n O-T i 0₂[ ε = 26 , Q = 840]、 B a T i O₃( E = 1500、 Q= 100)、 (B a , P b) T i 0₃( ε =6000)、 B a (T i , Z r ) 0₃ ( ε = 9000 )又は、（B a， S r ) T i O

₃(ε = 7000)の組成を主成分とする誘電体セラミック粉末が挙げられるが、これに限定されるものではない。なお、上記 ε 値及び Q値は誘電体共振器法によりギガ Η ζ帯で測定したものである。

【0186】誘電体セラミック粉末 3として特に好ましいものは、 Qが高く且つ ε が後述する硬化物 2よりも大きいという理由から、 Ti0₂、 CaTi0₃、 SrTi0₃、 BaO_Nd₂0₃- Ti0₂系、 BaO- CaO- Nd₂0₃_Ti0₂系、 BaO_SrO- Nd₂0₃_Ti0₂系、 BaO- Sm₂0₃- Ti0₂、 BaTi₄0₉、 Ba₂Ti₉0₂₀、 Ba₂ (Ti, Sn)₉0₂。系、 MgO- Ti0₂系、 ZnO- Ti0₂系、 MgO - Si0₂系、 A1₂0₃ の組成を主成分とする誘電体セラミック粉末である。上記成分を主成分とする誘電体セラミック粉末は単独で用いてもよく、 2種類以上を組み合わせて用いてもよい。

【0187】誘電体セラミック粉末 3の平均粒径は、 0. 01〜100 μιηが好ましく、 0. 2〜20 zmが更に好ましい。平均粒径が 0. Ο ΐ μπι未満の場合は樹脂組成物 18又は後述するプリブレグ 6の粘度の増加や流動性の低下が生じる場合があり、接着性を示すシート状樹脂硬化物として使用することが困難になる傾向にある。一方、平均粒径が 100 / mを超す場合は、樹脂組成物 1 8又は後述するプリプレダ 6の作製時における誘電体セラミック粉末 3の沈降等の問題が生じる可能性がある。

【0 188】また、樹脂組成物 18は、ポリアリレートを更に含むことが好ましい。言い換えると、樹脂組成物 18に含まれる硬化性混合物 19にはポリアリレート（芳香族ポリエステル）が添加されることが好ましい。

【0189】上記ポリアリレートは、上述のように一 X— Y—からなる繰り返し単位からなるものがより好ましく、誘電率及び誘電正接が低いものが特に好ましい。ポリアリレートは界面重合法や溶液重合法により得ることができるが、純度が高く誘電正接が低いポリアリレートが短時間で得られることから、界面重合法によるものが好適である。

【0 1 9 0】界面重合法では、フタル酸、イソフタル酸及びテレフタル酸からなる群から選はれる 1種以上のジカルボン酸のハロゲン化物を、有機溶剤溶液及び下記一般式 ( 3 a ) で示される 2価フエノール化合物のフエノラ一トイオンと接触させ、界面重縮合を生じせしめポリアリレートを得ることが好ましい。なお、一般式（3 a ) 中の R^u、 R¹²、 Z、 p及び qについては上記と同義である。また、上記反応において、ジカルボン酸ハ口ゲン化物中のテレフタル酸ハ口ゲン化物の割合は 4 0モル％以下でなければならない。

【0 1 9 1】上記反応は、ジカルボン酸ハロゲン化物をトルエンや塩化メチレン等の有機溶剤に溶解させ、上述の 2価フエノールをアルカリ金属の水溶液に各々 0 . 1〜 2モル Z Lの節囲で溶解させ、これら 2液を接触させることにより、ジカルポン酸ハロゲン化物と、 2価フエノールを界面重合させることがより好ましい。

【0 1 9 2】この場合において、有機溶剤に相間移動触媒を添加すると反応が促進されるため好適である。相間移動触媒としては、塩化メチルトリオクチルァンモ-ゥム、塩化べンジルトリェチルアンモニゥム等のアンモ-ゥム塩、臭化テトラプチルホスホニゥム等のホスホニゥム塩が挙げられる。

【0 1 9 3】界面重合を行う場合には用いる水の酸素を予め除去しておくことが好ましい。酸素の除去により得られるポリアリレートの着色が抑制できる。また、反応系には界面活性剤を添加することも可能である。重縮合反応方式はバッチ式でも連続式でもよく、反応温度は、一 5〜100°Cの温度であって有機溶剤の沸点を超えない温度が好ましく、 ◦ ~ 80°Cが特に好ましい。

【0194】次に、必須成分であるエポキシ樹脂、活性エステル化合物及び誘電体セラミック粉末 3、並びに樹脂組成物 18に含まれる硬化性硬化物 1 9に対する任意添加成分であるポリアリレートの配合量について説明する。

【0195】活性エステル化合物の配合量は、エステル当量が、エポキシ樹脂のエポキシ当量の 0. 3〜4. 0倍当量（より好ましくは、 0. 8〜3. 0倍当量）となる量が好ましい。活性エステル化合物のエステル当量が 0. 3倍当量未満である場合は、エポキシ樹脂の硬化が不充分になる傾向にあり、 4. 0倍当量を超す場合は、エポキシ樹脂と活性エステル化合物との反応生成物の誘電率が充分に低くならない傾向にある。

【0196】ポリアリレートを添加する場合は、ポリアリレートの配合量は、エポキシ樹脂と活性エステル化合物との合計 100重量部に対して 5〜70重量部が好ましい。ポリアリレートの配合量が 5重量未満の場合は、ポリアリレートを添加にもかかわらず樹脂組成物 18の粘度が充分に高くならず、塗工性に問題が生じる場合がある。ポリアリレートの配合量が 70重量部を超すと樹脂組成物 18の流動性が低下しすぎて接着性等が不充分になる場合がある。

【0197】誘電体セラミック粉末 3の配合量は、エポキシ樹脂及ぴ活性エステル化合物の合計 100体積部（ポリアリレートを含む場合は、エポキシ樹脂と活性エステル化合物とポリアリレートの合計 100体積部）に対して、 5〜 18 5体積部であることが好ましく、 10〜： L 50体積部であることがより好ましい。

【0198】また、樹脂組成物 18に含まれる硬化性混合物 19には、カップリング剤、硬化促進剤、難燃剤、可とう性付与剤及び有機溶剤からなる群より選ばれる少なくとも 1つの添加剤を添加可能である。

【0199】カツプリング剤を、樹脂組成物 18に含まれる硬化性混合物 19 に添加することにより、誘電体セラミック粉末 3と、エポキシ樹脂若しくは活性エステル化合物又はこれらの反応生成物との密着を高め、吸水を抑えることが可能になる。

[ 0 2 0 0 ] 好適な力ップリング剤としては、クロロシラン系、アルコキシシラン系、有機官能性シラン系、シラザン系シランカップリング剤、チタネート系カツプリング剤、アルミニウム系カップリング剤等が挙げられる。カップリング剤は必要とされる特性に応じて単独で用いてもよく或いは 2種類以上を併用してもよい。本発明の樹脂組成物をプリント基板、電子部品、素子等に適用する場合は、リフロー等の耐熱性が要求されるため、有機官能性シラン系、アルコキシシラン系カツプリング剤を使用することが好ましい。

【0 2 0 1】カツプリング剤の少なくとも一部は、誘電体セラミック粉末 3の表面に結合又は吸着していることが好ましい。すなわち、カップリング剤は、誘電体セラミック粉末 3と、ェポキシ樹脂若しくは活性ェステル化合物若しくはこれらの反応生成物（又は硬化性混合物 1 9若しくはその硬化物）との界面に存在することが好ましい。カップリング剤が界面に存在することにより界面における濡れ性や接着性を向上させることができ、樹脂組成物 1 8又は後述するプリプレグ 6の硬化物の材料強度が向上させることができるとともに、吸水等を抑制することも可能になる。

【0 2 0 2】誘電体セラミック粉末 3に結合又は吸着させるカツプリング剤の量は、使用する誘電体セラミック粉末 3の粒径や形状、添加する力ップリング剤の種類等により適宜決定することができるが、誘電体セラミック粉末 1 0 0重量部に対して 0 . 1〜5重量部とすることが好ましい。また、誘電体セラミック粉末 3にカップリング剤を結合又は吸着させる方法（表面処理方法）としては、乾式法、湿式法、スプレー法、インテグラルブレンド法等が挙げられる。

【0 2 0 3】硬化促進剤を樹脂組成物 1 8に含まれる硬化性混合物 1 9に添加することにより、エポキシ樹脂と活性エステル化合物の反応を促進させることができる。

【0 2 0 4】使用可能な硬化促進剤としてはエポキシ樹脂の一般的な硬化促進剤を用いることができ、具体的には、 2—メチルイミダゾール、 2—ェチルー 4 ーメチノレイミダゾール、 1—ベンジルー 2—メチノレイミダゾーノレ、 2一ヘプタデシルイミダゾール、 2—ゥンデシルイミダゾール等のィミダゾール化合物；トリフエニルホスフィン、トリブチルホスフィン等の有機ホスフィン化合物；トリメチルホスフアイト、トリエチルホスフアイト等の有機ホスフアイト化合物；ェチノレトリフエ二ノレホスホニゥムプロミド、テトラフェェノレホスホニゥムテトラフエ二ルポレート等のホスホニゥム塩；トリエチルァミン、トルブチルァミン等のトリアルキルァミン； 1 , 8ジァザシクロ（5 . 4 . 0 )—ゥンデセン一 7 ( B .D U) 等のァミン類； B D Uとテレフタル酸や 2， 6一ナフタレン力ノレボン酸との塩；テトラェチルアンモニゥムク口リド、テトラプロピルアンモニゥムク口リド、テトラプチルアンモニゥムク口リド、テトラプチルァンモニゥムブロミド、テトラへキシノレアンモユウムプロミド、ベンジノレトノレメチルアンモニゥムク口リド等の第 4級アンモニゥム塩； 3—フエ-ルー 1， 1ージメチル尿素、 3 _ ( 4—メチノレフェュノレ）一 1， 1—ジメチノレ尿素、 3—（4 _クロ口フエ二ノレ） - 1 , 1—ジメチノレ尿素、 3—（3 , 4—ジクロ口フエ二ル）一ジメチル尿素等の尿素化合物；水酸化ナトリウム、水酸化力リゥム等の塩基類；力リゥムフエノキシドや力リゥムァセテート等のクラウンエーテル塩等が挙げられる。これらは単独若しくは 2種以上の混合物として用いることができる。

【0 2 0 5】硬化促進剤の配合量は、エポキシ樹脂と活性エステル化合物の合計 1 0 0重量部に対して 0 . 0 0 5〜 1 0 . 0重量部が好ましい。硬化促進剤の配合量が 0 . 0 0 5重量部未満では硬化反応が遅く、 1 0 . 0重量部を超すと樹脂組成物 1 8の保存安定性が低下し、エポキシ樹脂の自己重合が優先される場合がある。

【0 2 0 6】難燃剤は、樹脂 a成物 1 8又は後述するプリプレダ 6やその硬化物が難燃性の要求される用途に適用される場合に硬化性混合物 1 9に添加することが好ましい。難燃剤の種類は反応系難燃剤及び添加系難燃剤に大別できる。反応系難燃剤としては、主剤として適用されるものとして、臭素化ビスフエノール型エポキシ樹脂、臭素化フエノール樹脂、臭素化フエノールノポラック型ェポキシ樹脂が挙げられ、硬化剤として適用されるものとしてクロレンド酸無水物、テトラプロモ無水フタル酸が挙げられる。一方、添加系難燃剤としてはハロゲン系、リン酸系、チッソ系、金属塩系、水和金属系、無機系の難燃剤等が挙げられる。上記難燃剤は 1種で用いてもよく 2種以上を組み合わせて用いてもよい。

【0 2 0 7】難燃剤の配合量は、エポキシ樹脂及び活性エステル化合物の合計 1 0 0重量部（ポリアリレートを含む場合は、エポキシ樹脂と活性エステル化合物とポリアリレートの合計 1 0 0重量部）に対して、 5〜5 0重量部が好ましい。但し、ポリアリレートや誘電体セラミック粉末 3は難燃性の効果を有しているために、これらの配合量が多い場合は、その量に応じて適宜難燃剤の配合量を減じることができる。また、難燃性の配合量は、 U L 9 4における難燃性の要求（例えば、 11し 9 4の5 、 V _ 0、 V— 1、 V— 2、 H B等のクラスや難燃性の認定を取得するための材料の厚さ）にしたがっても適宜変更できる。

【0 2 0 8】可とう性付与剤を樹脂組成物 1 8に含まれる硬化性混合物 1 9に添加することにより、硬く脆い樹脂組成物 1 8の硬化物の靭性を高めることがでさる。

【0 2 0 9】可とう性付与剤としては、ダイマー酸変性等がなされた脂環式ェポキシ樹脂、エポキシ化ポリブタジェン、ポリプタジェン、水添ポリブタジェン、ゴム変性エポキシ樹脂、スチレン系熱可塑性エラストマ一等が挙げられる。可とう性付与剤の配合量は、エポキシ樹脂と活性エステル化合物の合計 1 0 0重量部に対して 5〜 1 0 0重量部が好ましい。

【0 2 1 0】有機溶剤を樹脂組成物 1 8に含まれる硬化性混合物 1 9に添加することにより、樹脂組成物 1 8又は後述するプリプレダ 6の粘性や流動性を調整することが可能なる。有機溶剤としては、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メチルェチルケトン、シク口へキサノン、ジメチノレアセトイアミド、ジォキンランが挙げられる。有機溶剤の配合量は、必要とする粘度に応じて適宜決定することができる。

【0 2 1 1】次に、本発明の樹脂硬化物、シート状樹脂硬化物及ぴ積層体について説明する。

【0 2 1 2】図 1 Bは、本発明のシート状樹脂硬化物の第 1実施形態を示す断面図である。図 1 Bに示すシート状樹脂硬化物 1は、エポキシ樹脂と活性エステル化合物とからなる硬化性混合物 1 9を硬化させた硬化物 2と、誘電体セラミツク粉末 3とを備えており、誘電体セラミック粉末 3は硬化物 2中に分散されている。

【0 2 1 3】図 1 Cは、本発明の積層体の第 1実施形態を示す断面図である。図 1 Cに示す積層体 5は、上述したシート状樹脂硬化物 1と金属箔 4とからなるものであり、シート状樹脂硬化物 1の片面に金属箔 4が接合されている。ここで、金属箔 4としては、銅、ニッケル、クロム、金、銀、錫、ニッケル一クロム等からなる金属箔が適用可能であるが、安価、入手の容易性という理由から、銅箔が好ましい。また、金属箔 4の厚さは 1〜7 0 μ ΐηが好ましく、金属箔 4の作製方法とは、電解、圧延、スパッタ、蒸着いずれの方式であってもよく、要求される厚みや特性によって適時選択することができる。

【0 2 1 4】本発明の樹脂組成物は、エポキシ樹脂と活性エステル化合物との硬化反応を部分的に完了させてなる樹脂硬化物と、エポキシ樹脂と活性エステル化合物との硬化反応を完了させてなる樹脂硬化物とに大別される。ここで「硬化反応が完了した」とは、示差走査熱量計（D S C ) を用いた場合に、反応に伴う熱の収支が見られなくなった状態をいい、かかる状態は、例えば、樹脂 ,袓成物を硬化温度で充分に加熱することにより達成される。一方「硬化反応が部分的に完了した」とは、硬化反応は一部進行しているものの、 D S Cを用いた場合に、反応に伴う熱の収支が観察される状態をいい、かかる状態は、例えば、樹脂組成物を硬化温度で短時間加熱することにより到達される。

【0 2 1 5】エポキシ樹脂と活性エステル化合物との硬化反応を部分的に完了させてなる樹脂硬化物は、例えば、シート状に成形してシート状樹脂硬化物（半硬化接着シート）として使用することができる。また、プリプレダとして使用することもでき、その場合はプリプレダを複数枚積層したものを加熱加圧条件で硬化することにより成形物を作製できる。上記樹脂硬化物は更に、シート状樹脂硬化物の片面若しくは両面に金属箔を接合して積層体とすることもできる。かかる積層体は単独で加熱硬化することによりプリント配線板用の単層積層板である単層基板とすることができ、複数重ねて加熱硬化することによりプリント配線板用の多層積層板である多層基板とすることができる。

【0 2 1 6】一方、エポキシ樹脂と活性エステル化合物との硬化反応を完了させてなる樹脂硬化物は、例えば、高誘電率且つ低誘電正接のシート状樹脂硬化物 (シート硬化物）として使用することができ、シート状樹脂硬化物の片面若しくは両面に金属箔を接合したものは、そのままプリント配線板用の積層板として使用できる。

【0 2 1 7】上記いずれの場合も、金属箔 4が適用可能である。

【0 2 1 8】シート状樹脂硬化物は、樹脂組成物 1 8を有機溶剤（テトラヒド口フラン、トルエン、キシレン、メチルェチルケトン、シク口へキサノン、ジメチルァセトイアミド、ジォキンラン等）に混練してスラリー化してペーストとし、これを塗工して乾燥することにより製造することができる。なお、乾燥を硬化温度で充分な時間をかけて行えば、上記シート硬化物が得られ、乾燥を低温又は短時間で行えば接着性半硬化シートが得られる。また、混練はボールミルや撹拌機等の公知の装置を用いて行うことができる。

【0 2 1 9】ペースト状にした樹脂組成物 1 8を塗工する方法としては、ドクターブレード制御による方式、スプレー方式、カーテンコート方式、スピンコート方式、スクリーン印刷方式等の公知の方法が採用でき、必要とされる厚さ、精度、材料供給形態（ロール状、シート状等）に応じて適時選択すればよい。塗工される樹脂組成物 1 8の厚さは、乾燥後で 5〜 2 0 0 μ mが好ましく、配合する誘電体セラミック粉末 3の最大粒径の 2倍以上の厚さとすることが好ましい。【0 2 2 0】樹脂組成物 1 8の厚さを誘電体セラミック粉末 3の最大粒径の 2 倍未満とした場合や乾燥後の厚さを 5 /z m未満とした場合は、塗工の際の塗工性、平滑性、硬化物の絶縁性に問題が生じる場合がある。一方、乾燥後の厚さを 2 0 0 μ ηι超とした場合は、残存する有機溶剤を除去することが困難となる。したがつて、乾燥後厚さが 2 0 0 / mを超えるシート状樹脂硬化物を得る場合は、薄厚のものに重ね塗りする方法を採用すべきである。

【0 2 2 1】乾燥条件は、樹脂組成物 1 8の組成、厚さ、使用する有機溶剤等によって適宜決定できるが、 5 0〜1 5 0 °Cで 1〜6 0分行うことが好ましい。また、必要に応じて温度を何段階かにわけるステツプ乾燥を行つてもよい。なお、塗工は、上述した金属箔を始め、 P E T、 P I， P P S、 L C Pからなるフィルム上に行うことができる。また、シート状樹脂硬化物を得るに当たり、高温真空プレスを行うことが好ましく、その条件としては 1 5 0〜2 5 0 °C、 0 . 5〜2 0時間、圧力 1 . 5〜6 . 0 M P aが好適である。そして、必要に応じてステツプキュアや 3 0 t o r r以下の減圧にすることもできる。

【0 2 2 2】次に、本発明にかかるプリプレダ、シート状樹脂硬化物及び積層体の好適な実施形態について説明する。尚、上記実施形態と同一又は同等の構成要素には同一符号を用いるものとし、重複する説明は省略する。

【0 2 2 3】図 1 Dは本発明のプリプレダの一実施形態を示す断面図である。図 1 Dに示すプリプレダ 6は、エポキシ樹脂と、 2以上のカルボキシル基を有する化合物及びフェノール性水酸基を有する化合物を反応させてなる活性エステル化合物（以下、単に「活性エステル化合物」という。）からなる硬化性混合物 1 9 を半硬化させた半硬化物 7と、誘電体セラミック粉末 3と、強化繊維 8とを備えており、誘電体セラミック粉末 3は半硬化物 7中に分散され、強化繊維 8は強化繊維織物の状態で半硬化物 7中に配されている。硬化性混合物 1 9は、上述した樹脂組成物 1 8を構成するものである。

【0 2 2 4】すなわち、図 1 Dに示すプリプレダ 6は、強化繊維織物と、この強化繊維織物の両面に形成された半硬化物 7からなる樹脂層と、を備えた構成を有している。ここで、強化繊維織物の厚さは、 2 0〜3 0 0 μ ιηが好ましく、 2 0〜 2 0 0 mがより好ましい。強化繊維織物の厚さが 2 0 / m未満の場合は強度に問題が生じる傾向があり、 3 0 0 μ ιηを超す場合は樹脂付着量が減少し、物性の特徴が出しにくくなる傾向がある。一方、半硬化物 7からなる樹脂層の厚さは、 5〜： L 0 0 // mが好ましく、 5〜 5 0 Ai mがより好ましい。樹脂層の厚さが

5 μ m未満の場合は樹脂の割合が減少し、物性が出にくくなる傾向があり、 1 0 O / mを超す場合は、均一に付着させるのが困難となる傾向がある。なお、図 1 Dにおける強化繊維織物は、強化繊維 8が複数束ねられた強化繊維束 9を経糸及び緯糸とし、これらが互いに交差させるように製織したものである。また、半硬化物 7は強化繊維織物における強化繊維 8間にも存在している。

【0 2 2 5】本発明のプリプレダにおいては、エポキシ樹脂と活性エステル化合物とからなる硬化性混合物は半硬化の状態である。ここで、「半硬化」とは、ェポキシ樹脂と活性ェステル化合物との反応が一部進行しているものの、示差走查熱量計（D S C ) を用いた場合に、上記反応に伴う熱の収支が観察される状態をいい、かかる状態は、例えば、プリプレダを硬化温度で短時間加熱することにより到達される。一方、プリプレダを硬化させることにより上記反応を完了させることができ、この場合には、反応に伴う熱の収支が D S Cで観察されない。【0 2 2 6】次に、プリプレダ 6中に配されている強化繊維 8について説明する。強化繊維 8は、 Eガラス繊維、 Dガラス繊維、 N Eガラス繊維、 Hガラス繊維、 Tガラス繊維及びァラミド繊維からなる群より選ばれる少なくとも 1つの強化繊維が好ましく、中でも、低誘電正接である N Eガラス繊維、高誘電率である Hガラス繊維、コストとのバランスがとれた Eガラス繊維が好ましい。強化繊維 8は、強化繊維モノフィラメントの状態や強化繊維束の状態でプリプレダ中に配されていてもよいが、強化繊維束の編組物（例えば、強化繊維織物、強化繊維編物等）の状態でプリプレダ 6中に配されていることが好ましい。

【0 2 2 7】強化繊維織物（強化繊維クロス）を用いる場合は、その好適な厚さは上述のとおりである。特に好適な強化繊維織物の厚さは、 2 0 μ m、 3 0 μ m、 5 0 A m, 1 0 0 μ πι又は 2 0 0 μ πιである。また、強化繊維織物は、必要に応じ開繊、閉塞等の処理を施したものであってもよく、硬化性混合物との密着性を高めるためにカップリング剤等の表面処理剤で表面を処理したものであってちょい。

【0 2 2 8】次に、必須成分であるエポキシ樹脂、活性ェステル化合物及び誘電体セラミック粉末 3、並びに樹脂組成物に含まれる硬化性混合物 1 9に対する任意添加成分であるポリアリレートの配合量について説明する。

【0 2 2 9】活性エステル化合物の配合量は、エステル当量が、エポキシ樹脂のエポキシ当量の 0 . 3〜4 . 0倍当量（より好ましくは、 0 . 8〜3 . 0倍当量）となる量が好ましい。活性エステル化合物のエステル当量が 0 . 3倍当量未満である場合は、エポキシ樹脂の硬化が不充分になる傾向にあり、 4 . 0倍当量を超す場合は、エポキシ樹脂と活性エステル化合物との反応生成物の誘電率が充分に低くならない傾向にある。

【0 2 3 0】ポリアリレートを添加する場合は、ポリアリレートの配合量は、エポキシ樹脂と活性エステル化合物との合計 1 0 0重量部に対して 5〜7 0重量部が好ましい。ポリアリレートの配合量が 5重量未満の場合は、ポリアリレートを添加したにもかかわらずプリプレダ原料（後述するペースト）の粘度が充分に高くならず、塗工性に問題が生じる場合がある。ポリアリレートの配合量が 7 0 重量部を超すとプリプレダ原料（後述するペースト）の流動性が低下しすぎて接着性等が不充分になる場合がある。【0 2 3 1】誘電体セラミック粉末 3の配合量は、エポキシ樹脂及び活性エステル化合物の合計 1 0 0体積部（ポリアリレートを含む場合は、エポキシ樹脂と活性エステル化合物とポリアリレートの合計 1 0 0体積部）に対して、 5〜1 0 0体積部であることが好ましい。

【0 2 3 2】次に、本発明のシート状樹脂硬化物及び積層体について説明する。図 1 Eは、本発明のシート状樹脂硬化物の第 2実施形態を示す断面図である。図 1 Eに示すシート状樹脂硬化物 1 5は、エポキシ樹脂と活性エステル化合物とからなる硬化性混合物 1 9を硬化させた硬化物 2と、誘電体セラミック粉末 3と、強化繊維 8とを備えており、誘電体セラミック粉末 3は硬化物 2中に分散され、強化繊維 8は強化繊維織物の状態で硬化物 1 6中に配されている。なお、上記強化繊維織物は、強化繊維 8が複数束ねられた強化繊維束 9を経糸及び緯糸とし、これらが互いに交差するように製織したものである。また、硬化物 2は強化繊維織物における強化繊維 8間にも存在している。

【0 2 3 3】図 1 Fは、本発明の積層体の第 2実施形態を示す断面図である。図 1 Fに示す積層体 1 7は、上述したシート状樹脂硬化物 1 5と金属箔 4とからなるものであり、シート状樹脂硬化物 1 5の片面に金属箔 4が接合されている。

【0 2 3 4】次に、本発明のプリプレダ、シート状樹脂硬化物及び積層体の好適な製造方法について説明する。

【0 2 3 5】プリプレダ 6、シート状樹脂硬化物 1 5及び積層体 1 7を製造する場合は、以下のようにして作製したペーストを用いることが好ましい。すなわち、エポキシ樹脂、活性エステル化合物及び誘電体セラミック粉末 3からなる必須成分に、任意添加成分であるポリアリレート、カップリング剤、硬化促進剤、難燃剤及び可とう性付与剤を必要により加えた樹脂組成物を有機溶剤に混練してスラリー化してなるペーストとを用いることが好ましい。ここで用いられる有機溶剤としてはテトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メチルェチルケトン、シク口へキサノン、ジメチルァセトイアミド、ジォキンラン等の揮発性溶剤であり、添加量を変化させることによりペーストの粘度の調整を行うことができる。また、混練はポールミルや撹拌機等の公知の装置を用いて行うことができる。

【0 2 3 6】本発明のプリプレダ、シート状樹脂硬化物及び積層体の代表的な製造方法としては以下の 2つの方法が挙げられる。

【0 2 3 7】方法 1 ：プリプレダ 6は、スラリー化したペーストを強化繊維織物に含浸塗工、乾燥することにより得ることができる。この際に塗工する厚さは強化繊維織物に対して片側 5〜 5 の厚さとすることが好ましい。これ未満の厚さではプリプレダとしての流動性を確保するのが困難となり、これを超す厚さではペーストのたれ等が生じやすくなり、厚さや付着重量等にばらつきが大きくなる。乾燥条件は、使用する溶剤や塗工する厚さによつて適時決定可能であり、例えば、 5 0〜 1 5 0 °Cで 1〜6 0分の条件とすることができる。なお、必要に応じて、温度を何段階かに分けるステップ乾燥を行ってもよい。シート状樹脂硬化物 1 5は、このようにして得られたプリプレダ 6を、高温真空プレスすることにより作製することが好ましい。高温真空プレスは、 1 5 0〜2 5 0 °Cで 0 . 5 〜2 0時間、 1 . 5〜6 . 0 M P aの圧力で、 3 0 t o r r以下の真空度で行うことが好適である。シート状樹脂硬化物 1 5を製造する場合もまた、必要に応じステップキュアを行ってもよい。積層体 1 7は、シート状樹脂硬化物 1 5を得る場合の高温真空プレスの際に、プリプレダ 6のおもて面及び Z又は裏面に金属箔 4を積層して全体を加熱、加圧すればよい。

【0 2 3 8】方法 2 ：方法 2においては、まず、スラリー化した上記ペーストを、金属箔上、若しくは P E T、 P I、 P P S、 L C P等のフィルム上に、公知の塗工方法により塗工する。塗工方法としては、例えば、ドクタープレード制御による方式、スプレー方式、カーテンコート方式、スピンコート方式、スクリーン印刷方式等が挙げられ、必要とされる厚さ、精度、材料供給形態（ロール状、シート状等）に応じて適宜方式を選択することができる。塗工される厚さとしては乾燥後で 5〜 1 0 0 μ mが好ましく、更には、誘電体セラミック粉末 3の最大粒径の 2倍以上の厚さとすることが好ましい。厚さが 5 μ πι未満の場合や誘電体セラミック粉末 3の最大粒径の 2倍未満の場合は、塗工の際の塗工性、平滑性や硬化物の絶縁性に問題が生じる可能性があり、厚さが 1 0 0 μ mを超す場合は、残存する有機溶剤を除去すること困難となる。したがって、厚さが l O O /x mを超える塗工をする場合は、薄厚のものを作製した後にその上に重ね塗りする方法を採用すべきである。

【0 2 3 9】上記乾燥条件は材料組成、厚さ、使用する有機溶剤によって適時決定可能であり、例えば、 5 0〜1 5 0 °Cで 1〜6 0分の条件とすることができる。なお、必要に応じて、温度を何段階かに分けるステップ乾燥を行ってもよい。こうして得られた塗工物で強化繊維織物をはさみ、例えば、真空プレスを行うことにより、含有する有機溶剤を除去してプリプレダを得ることができる。また、上記と同様にして塗工物を得、得られた塗工物で強化繊維織物をはさんだ後、例えば、 1 5 0〜2 5 0 で0 . 5〜2 0時間、 1 . 5〜6 . 0 M P aの圧力で、 3 0 t o r r以下の真空度で高温真空プレスを行うことにより、シート状樹脂硬化物 1 5を得ることができる。この場合において、ペーストを金属箔に塗工した場合は、積層体 1 7が得られる。なお、強化繊維織物中へ含浸、充填性が心配される場合は、あらかじめ強化繊維織物に固形分濃度を薄くした上記ペーストを含浸させ乾燥させておいてもよい。

【0 2 4 0】次に、本発明の電子部品及び多層基板について説明する。

【0 2 4 1】本発明の電子部品は、有機絶縁材料と、有機絶縁材料よりも大きい誘電率を有する誘電体セラミック粉末とを含有する少なくとも 1の複合誘電体層と、複合誘電体層に設けられ、キャパシタ素子又はインダクタ素子を構成する少なくとも 1つの導電性素子部とを備えており、上記有機絶縁材料が、エポキシ樹脂と、 2以上のカルボキシル基を有する化合物及びフュノール性水酸基を有する化合物を反応させてなる活性ェステル化合物とを硬化反応させてなる樹脂硬化物を含むものである。【0 2 4 2】この電子部品によれば、誘電体セラミック粉末が、樹脂硬化物を含む有機絶縁材料よりも大きい比誘電率を有し、有機絶縁材料が低い誘電正接を有するため、ギガ H zの高周波域においても複合誘電体層が高誘電率及ぴ低誘電正接を示す。このため、電子部品における伝送損失が低減され、電子部品の小型化、軽量化が可能となる。また 1 0 0 °C以上の高温下で長時間使用しても、 1 0 O MH z以上の高周波域における比誘電率の経時変化を十分に小さくすることができる。更にこの電子部品によれば、曲げ強度が大きくなるため、電子部品の取扱い性が向上し、電子部品の欠損ないし変形等を十分に防止することができる。また本発明の電子部品によれば、高温使用時の誘電特性も向上し得る。言い換えると、本宪明の電子部品によれば、その特性を十分に向上させることができる。

【0 2 4 3】まず上述した複合誘電体層について説明する。なお、上記実施形態と同一又は同等の構成要素については同一の符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

【0 2 4 4】複合誘電体層は、樹脂硬化物を含む有機絶縁材料を含有しており、樹脂硬化物は、エポキシ樹脂と、活性エステル化合物とを硬化反応させてなるものである。言い換えると、複合誘電体層は、例えば上述したシート状樹脂硬化物 1又はシート状樹脂硬化物 1 5で構成されている。シート状樹脂硬化物 1又はシート状樹脂硬化物 1 5は、上述したように、エポキシ樹脂と活性エステル化合物と力らなる硬化性混合物 1 9を硬化させた硬化物 2と、誘電体セラミック粉末 3 とを備えており、誘電体セラミック粉末 3は硬化物 2中に分散されている。即ち上記有機絶縁材料に含まれる樹脂硬化物は、硬化物 2で構成されている。

【0 2 4 5】上記エポキシ樹脂に対する上記活性エステル化合物の添加量は、エポキシ樹脂のエポキシ当量に対しエステル当量が 0 . 3〜4 . 0倍当量となる量であることが好ましく、 0 . 8 ~ 3 . 0倍当量となる量であることがより好ましい。エステル当量が 0 . 3倍当量未満では、エポキシ樹脂の硬化が不十分となる傾向があり、 4 . 0倍当量を超えると、誘電率の十分低い樹脂硬化物を得ることが困難となる傾向がある。

【0 2 4 6】硬化物 2は、エポキシ樹脂と活性エステル化合物とを添加剤の存在下に硬化反応させてなるものであってもよい。

【0 2 4 7】添加剤は、硬化促進剤、表面処理剤、難燃剤及び可撓性付与剤からなる群より選ばれる少なくとも 1つの添加剤である。

【0 2 4 8】上記硬化促進剤は、ェポキシ樹脂と活性ェステル化合物との硬化反応を促進し得るものであれば特に制限されず、かかる硬化促進剤としては、主としてエポキシ樹脂の硬化時に使用される一般的な硬化促進剤を用いることができる。

【0 2 4 9】すなわちこの硬化促進剤としては、例えば 2—メチルイミダゾーノレ、 2ーェチノレ一 4ーメチノレイミダゾーノレ、 1一べンジノレ _ 2—メチノレイミダゾール、 2一へプタデシルイミダゾール、 2—ゥンデシルイミダゾールなどのィミダゾール化合物、トルフエニルホスフィン、トリプチルホスフィンなどの有機ホスフィン化合物、トリメチルホスフアイト、トリェチルホスフアイトなどの有機ホスファイト化合物、ェチルトリフエ-ルホスホ-ゥムブロミド、テトラフエ二ルホスホニゥムテトラフエニルボレートなどのホスホニゥム塩、トリエチルアミン、トルブチルァミンなどのトリアルキルァミン、 1 , 8ージァザシク口（5 , 4 , 0 )—ゥンデセン _ 7 (以下、「D B U」と略称する）などのアミン類及び D B Uとテレフタル酸や 2， 6—ナフタレンカルボン酸との塩、テトラェチルアンモニゥムクロリド、テトラプロピルァンモニゥムクロリド、テトラブチルァンモニゥムクロリド、テトラプチルアンモニゥムブロミド、テトラへキシルアンモニゥムブロミド、ベンジルトルメチルアンモニゥムクロリドなどの第 4級ァンモニゥム塩、 3—フエ二ルー 1 , 1ージメチル尿素、 3 _ ( 4—メチルフエエル）_ 1， 1ージメチル尿素、 3 _ ( 4—クロ口フエ-ル）一 1 , 1ージメチル尿素、 3 _ ( 3， 4ージクロ口フエエル）ージメチル尿素などの尿素化合物、水酸化ナトリゥム、水酸化力リゥムなどの塩基類、カリゥムフエノキシドやカリゥムアセテートなどのクラウーテルの塩等が挙げられ、これらを単独でもしくは 2種以上の混合物として用いることができる。

【0 2 5 0】硬化促進剤の添加量は、エポキシ樹脂及び活性エステル化合物の合計 1 0 0重量部に対して◦. 0 0 5〜1 0 . 0重量部であることが好ましい。 0 . 0 0 5重量部未満では硬化反応が遅くなる傾向があり、 1 0 . 0重量部を超えると保存安定性が低下し、さらにはエポキシ樹脂の自己重合が優先される傾向がある。【0 2 5 1】上記難燃剤は、必要とされる難燃性に応じて添加する。難燃剤には、大きく分けて反応系難燃剤と添加系難燃剤の二種類がある。反応系難燃剤の主剤としては、臭素化ビスフノール型エポキシ樹脂、臭素化フユノール樹脂、臭素化フエノールノポラック型エポキシ樹脂などが挙げられ、硬化剤としては、クロレンド酸無水物、テトラブロモ無水フタル酸などが挙げられる。また添加系難燃剤としては、ハロゲン化リン酸エステル、ブロム化エポキシ樹脂等のハロゲン系難燃剤；リン酸エステルァミド等のリン酸系難燃剤；チッソ系難燃剤；金属塩系難燃剤；水和金属系難燃剤；三酸化アンチモン、水素化アルミニウム等の無機系難燃剤等が挙げられる。上記難燃剤は 1種類、もしくは 2種類以上を混合してもよい。

[ 0 2 5 2 ] また難燃剤の添加量は、樹脂組成物 1 0 0重量部に対して 5〜 5 0重量部の範囲で添加することが好ましい。これは、ポリアリレート、誘電体セラミック粉末はそれ自体難燃性を有するか、あるいは難燃効果を発現する材料であり、ポリアリレート、誘電体セラミック粉末の配合が多い場合は難燃剤の添カロ量は少なくてもよく、少ない場合は添加量を多くすれば良い。また添加量は、必要とされる難燃性（例えば U L 9 4の 5 V、 V— 0、 V— l、 V—2、 H Bクラス及び取得したい厚み）に応じて決定すればよい。

【0 2 5 3】上記可撓性付与剤は、複合誘電体層に靭性を付与することが可能であり、また複合誘電体層が、強化繊維を含むプリプレダである場合、その- ドリング性が向上する。【0 2 5 4】上記可撓性付与剤としては、例えばダイマー酸変性等の指環式ェポキシ樹脂、エポキシ化ポリブタジェン、ポリブタジェン、水添ポリブタジェン、ゴム変性エポキシ樹脂、スチレン系熱可塑性エラストマ一などが挙げられるが、可撓性付与剤はこれらに限定されるものではない。

【0 2 5 5】上記表面処理剤は、誘電体セラミック粉末と有機絶縁材料との密着性を高め、吸水性を低減するものである。

【0 2 5 6】このような表面処理剤としては、例えばクロロシラン系カツプリング剤、アルコキシシラン系カツプリング剤、有機官能性シラン系カツプリング剤、シラザン系シラン力ップリング剤、チタネート系カップリング剤、ァノレミニゥム系カップリング剤などが挙げられる。使用する表面処理剤は、必要とされる特性に応じて単独で、あるいは 2種類以上を混合してもよい。

【0 2 5 7】電子部品においては、リフロー等の耐熱性が要求されるため、表面処理剤は、有機官能性シラン系カツプリング剤、アルコキシシラン系カツプリング剤であることが好ましい。

【0 2 5 8】表面処理剤の添加量は、誘電体セラミック粉末 1 0 0重量部に対して 0 . 1〜 5重量部の範囲内で適宜選択すればよい。添加量の選択は、使用する誘電体セラミック粉末の粒径、形状、添加する表面処理剤の種類により決定される。表面処理方法としては、例えば乾式法、湿式法、スプレー法、インテグラルプレンド法などが挙げられるが、必要に応じて選択すればよい。

【0 2 5 9】また有機絶縁材料は、上述した硬化物 2のほか、ポリアリレートを更に含むことが好ましい。この場合、 Bステージ状態での可とう性及び屈曲性が上昇し、ハンドリング性が良好となる。

【0 2 6 0】上記ポリアリレートは、構造単位 X及び構造単位 Yから構成された _ X— Y—で表される繰り返し単位が複数反復してなるものであり（複数存在する当該構造単位 X及び構造単位 Yのそれぞれは、同一でも異なっていてもよい。）、前記構造単位 Xは、下記式（2 ) で表されるフタロイル基、イソフタロイル基又はテレフタロイル基であり（当該フタロイル基、イソフタロイル基及びテレフタロイル基の合計モル数に占めるテレフタロイル基のモル数は、 4 0モル⁰ /₀ 未満である。）、

前記構造単位 Yは下記一般式（3 ) で表される 2価基であることが好ましい

[式中、 R¹¹及び R¹²は、それぞれ独立に炭素数 1〜4のアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子、 Zは、単結合、エーテル結合、チォエーテル結合、スルホン結合又はカルボニル結合、 P及び qはそれぞれ独立に 0〜 4の整数、をそれぞれ示す。伹し、前記ポリアリレートにおいて R^u、 R ¹²及び Zが複数存在するときは、 R^u、 R¹²及び Zはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。]

【0 2 6 1】ポリアリレートが上記構成とされることにより、上記構成以外の構成を有するポリアリレートに比べて、プリプレダに靭性を付加できハンドリング性が向上する。

【0 2 6 2】上記一般式（3 ) において、前記 R ¹¹及び前記 R ¹²がメチル基であり、前記 Zが単結合であることが好ましい。

[ 0 2 6 3 ] この場合、特にプリプレダに靭性を付加できハンドリング性が向上する。

【0 2 6 4】上記ポリアリレートの合成法としては、界面重合法、溶液重合法が適用できるが、中でも純度が高く誘電正接が低いポリアリレートが短時間で得られることから、界面重合法が好ましい。

【0 2 6 5】界面重合法では、フタル酸、イソフタル酸及びテレフタル酸からなる群より選ばれる 1種以上のジカルボン酸のハロゲン化物を、有機溶剤溶液及び下記一般式（3 a ) で示される 2価フエノール化合物のフエノラ一トイオンと接触させ、界面重縮合を生じせしめポリアリレートを得ることが好ましい。なお、一般式（3 a ) 中の R^u、 R¹²、 Z、 p及び qについては上記と同義である。また、上記反応において、ジカルボン酸ハ口ゲン化物中のテレフタル酸ハ口ゲン化物の割合は 4 0モル％以下でなければならない。

【0 2 6 6】上記反応は、ジカルボン酸ハロゲン化物をトルエンや塩化メチレン等の有機溶剤に溶解させ、上述の 2価フエノールをアルカリ金属の水溶液に各々 0 . 1〜 2モル/ Lの節囲で溶解させ、これら 2液を接触させることにより、ジカルポン酸ハロゲン化物と、 2価フヱノールを界面重合させることがより好ましい。

【0 2 6 7】この場合において、有機溶剤に相間移動触媒を添加すると反応が促進されるため好適である。相間移動触媒としては、塩化メチルトリオクチルァンモ-ゥム、塩化べンジルトリェチルアンモニゥム等のアンモニゥム塩、臭化テトラプチルホスホユウム等のホスホ-ゥム塩が挙げられる。

【0 2 6 8】界面重合を行う場合には用いる水の酸素を予め除去しておくことが好ましい。酸素の除去により得られるポリアリレートの着色が抑制できる。

【0 2 6 9】また、反応系には界面活性剤を添加することも可能である。重縮合反応方式はバツチ式でも連続式でもよく、反応温度は、一 5〜 1 0 0 °Cの温度であって有機溶剤の沸点を超えない温度が好ましく、 0〜 8 0 °Cが特に好ましい。【0 2 7 0】また有機絶縁材料が上記ポリアリレートを含む場合は、ポリアリレートの添加量は、上記エポキシ樹脂及び活性エステル化合物の総量 1 0 0重量部に対し 5〜7 0重量部とすればよい。ポリアリレートの添加量が 5重量部未満では、電子部品の製造効率が低下する傾向があり、 7 0重量部を超えると、複合誘電体層の導電性金属に対する密着性が低下し、長期間の使用により導電性金属が複合誘電体層から剥離し、電子部品の性能が変動するおそれがある。

【0 2 7 1】本発明に用いる複合誘電体層は、上述した有機絶縁材料中に分散される誘電体セラミック粉末を含有する。この誘電体セラミック粉末としては、 1 0 O MH z以上の高周波領域において有機絶縁材料よりも大きい比誘電率及び Q値を有するもの、例えば誘電体セラミック粉末 3が用いられる。

【0 2 7 2】誘電体セラミック粉末の添加量は、有機絶縁材料 1 0 0体積部に対して 5〜1 8 5体積部の範囲とすることが好ましく、この範囲内で、必要とされる誘電率及び誘電正接に応じて適切な量を選択すればよい。誘電体セラミック粉末の添加量が 5体積部未満では、誘電体セラミック粉末により誘電率を増加させることが困難となる傾向があり、 1 8 5体積部を超えると、複合誘電体層の導電性金属に対する密着性が低下し、長期間の使用により導電性金属が複合誘電体層から剥離し、電子部品の性能が変動するおそれがある。

【0 2 7 3】また本発明に用いる複合誘電体層は、上記誘電体セラミック粉末に加えて、更に磁性体粉末を含有することが好ましい。この磁性体粉末により、複合誘電体層に磁気特性を付加し、線膨張係数を低減し、材料強度を向上させることができる。

【0 2 7 4】上記磁性体粉末としては、 M n _M g Z n、 N i— Z n、 M n _ M g、プラナ材等のフェライトもしくはカルボニル鉄、鉄一シリコン系合金、鉄一アルミ一珪素系合金、鉄一ニッケル系合金、アモルファス系の強磁性金属が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、 2種類以上を組み合わせて用いてもよい。【0275】上記磁性体粉末の平均粒径は、 0.01〜： ί θ θ μ mの範囲内にあることが好ましく、 0. 2〜20 /imの範囲内にあることがさらに好ましい。磁性体粉末の平均粒径が 0. 01 /i m未満では、樹脂の混練がしにくくなる傾向があり、 Ι Ο Ο μπιを超えると、均一な分散を行うことができなくなる傾向がある。【0276】また磁性体粉末の添加量は、有機絶縁材料 100体積部に対して 5〜185体積部の範囲とすることが好ましく、この範囲内で適切な量を選択すればよい。 5体積部未満では、粉末添加の効果が表れない傾向があり、 185重量部を超えると、流動性が悪くなる。

【0277】また上記複合誘電体層は、強化繊維からなるクロスを更に含むことが好ましい。この場合、強化繊維からなるクロスにより複合誘電体層の機械強度が増強され、電子部品の欠損又は変形等が十分に防止される。

【0278】上記強化繊維の材質は、 Εガラス、 Dガラス、 ΝΕガラス、 Ηガラス、 Τガラス又はァラミド繊維のいずれかであることが好ましい。これらのうち、 ΝΕガラスは低誘電正接であり、 Ηガラスは高誘電率を有し、 Εガラスは、コストとのバランスが取れる。従って、要求する特性に応じて、適宜使い分ければよい。

【0279】クロスの厚さは、 20〜300 μπιであることが好ましく、必要とする厚さ、特性に応じて適宜使レ、分ければよレ、。

【0280】クロスの具体例としては、 101 (厚さ 20 μπι)、 106 (厚さ 30 μΐη)、 1080 (厚さ 50 μιη)ヽ 21 16 (厚さ 100 μιη)、 7628 (厚さ 200 im) などが挙げられる。

【0281】またクロスの表面には、必要に応じて開繊、閉塞等の処理を施してもよく、さらにはクロス表面に、樹脂との密着力を高めるためにカップリング剤等による表面処理を施しても良い。

【0282】本発明の電子部品は、上記複合誘電体層に設けられる少なくとも 1つの導電性素子部を有している。導電性素子部は、キャパシタ素子又はインダクタ素子を構成するものであり、複合誘電体層において、導電性素子部は 1つに限らず、複数あってもよい。複合誘電体層に複数又は複数種類の導電性素子部を設けることにより、電子部品に種々の機能を付与することが可能である。具体的には、導電性素子部は、複合誘電体層の表面上に形成される金属箔 4等で構成される。

【0 2 8 3】本発明において、電子部品の基礎となるプリプレダを得るには、所定の配合としたエポキシ樹脂、活性エステノレ化合物、ポリアリレート、及び誘電体セラミック粉末、磁性体粉末を含む樹脂組成物を溶剤に混練してスラリ一化したペーストを塗工し、乾燥して半硬化の状態とすればよい。この際に用いられる溶剤としては、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メチルェチルケトン、シク口へキサノン、ジメチルァセトアミド、ジォキソラン等の揮発性溶剤が挙げられる。かかる溶剤は、エポキシ樹脂、活性エステル化合物及ぴポリアリレートを液状化すると共に、ペーストの粘度調整するために用いられる。混練は、ボールミル、攪拌機等の公知の方法により行うことができる。

【0 2 8 4】上述したプリプレダ及びプリプレダを完全に硬化させて構成されるシート状硬化物（基板）の作製方法としては、上述した 2つの方法、即ち方法 1及び 2が挙げられる。

【0 2 8 5】なお、本発明の積層体には、両面パターンニング基板や多層基板などがあり、これらは以下のようにして製造することができる。

【0 2 8 6】図 7 2は、両面パターニング基板の製造フローを示すものであり、図 7 3は、両面パターンユング基板形成例の工程図を示す。図 7 2、図 7 3に示されるように、所定厚さのプリプレダ（銅箔無し） 1と所定厚さの銅 ( C u ) 箔 2とを重ねて加圧加熱して成形する（工程 A)。次にスルーホールをドリリングにより形成する (工程 B )。形成したスルーホールに銅 ( C u ) メツキを施し、メッキ膜 2 3を形成する（工程 C)。さらに両面の銅箔 2にパターユングを施し、導体パターン 2 1 1を形成する（工程 D)。その後、図 7 2に示されるように、外部端子等の接続のためのメツキを施す（工程 E)。この場合のメツキは N iメツキ後にさらに P dメツキを施す方法、 N iメツキ後にさらに A uメツキを施す方法 (メツキは電解または無電解メツキ）、半田レべラーを用いる方法により行われる。【0287】図 74は多層基板製造例のフローであり、図 75は多層基板の製造工程図であり、誘電体層を 3層積層する例が示されている。図 74、図 75に示されるように、所定厚さのプリプレダ 1と所定厚さの銅（Cu) 箔とを重ね合せ、加圧加熱して成形する（工程 a)。次に両面の銅箔 2にパターニングを施し、導体パターン 21を形成する（工程 b)。このようにして得られた両面パターン二ング基板の両面側に、さらに所定厚さのプリプレダ 1と銅箔 2とを重ねて、同時に加圧加熱して成形する (工程 c)。次にスルーホールをドリリングにより形成する (工程 d)。形成したスルーホールに銅 (Cu) メツキを施し、メツキ膜 4を-形成する（工程 e)。さらに両面の銅箔 2にパターユングを施し、導体パターン 21 を形成する（工程; f )。その後図 74に示されるように、外部端子との接続のためのメツキを施す（工程 g)。この場合のメツキは N iメツキ後にさらに P dメツキを施す方法、 N iメツキ後にさらに A uメツキを施す方法 (メツキは電解または無電解メツキ）、半田レべラーを用いる方法により行われる。

【0288】上記の加熱加圧の成形条件は、 100〜 200 °Cの温度で、 9. 8 X 10⁵〜 7. 84 X 10⁶P a (10〜80 k g f /cm²) の圧力で、 0. 5 〜20時間とすることが好ましい。

【0289】本発明の電子部品は、上記の例に限らず、種々の基板を用いて製造することができる。例えば成形材料としての基板や銅箔付基板（積層体）と、プリプレダとを用い、プリプレダを接着層として多層化し、多層基板を得ることも可能である。

【0290】また、プリプレダやその成形材料としての基板と、銅箔とを接着する態様において、上記誘電体セラミック粉末、磁性体粉末、必要により難燃剤、エポキシ樹脂、活性エステル化合物及びプチルカルビトールァセテ一ト等の高沸点溶剤を混練して得られた複合誘電体材料からなるペーストを、パターユングした基板の上にスクリーン印刷等にて形成してもよく、これにより特性の向上を図ることができる。

【0 2 9 1】本発明の電子部品は、上記のようなプリプレダ、銅箔付き基板、積層基板等と素子構成パターンを組み合わせることにより得ることができる。

【0 2 9 2】本発明の電子部品は、上記のようなコンデンサ（キャパシタ）、コィル（インダクタ）、フィルタ等の他、これらと、これら以外の配線パターン、増幅素子、機能素子を組み合わせたアンテナや、 R Fモジュール（R F増幅段）、 V C O (電圧制御発振回路）、パワーアンプ（電力増幅段）等の高周波電子回路、光ピックアップなどに用いられる重畳モジュール等であってもよい。

【0 2 9 3】次に、本発明の電子部品の実施形態についてさらに具体的に説明する。

(第 1実施形態）

【0 2 9 4】図 1 Gは本発明の電子部品の第 1実施形態であるインダクタを示した透視斜視図、図 2は、本発明の電子部品の第 1実施形態であるインダクタを示した断面図である。

【0 2 9 5】図 1 G , 図 2において、ィンダクタ 1 0は、構成層 1 0 a〜： L 0 eを積層してなる積層体と、構成層 1 0 b〜l 0 eに設けられる内部導体 1 3 a 〜 1 3 dと、この内部導体 1 3 a〜 1 3 dを電気的に接続するためのビアホール 1 4とを有する。また内部導体 1 3とビアホール 1 4とによりコイルパターン（導電性素子部）が構成されている。

【0 2 9 6】各構成層 1 0 a〜 1 0 eは、上記複合誘電体層により構成されている。ビアホール 1 4はドリル、レーザー加工、エッチング等により形成することができる。

【0 2 9 7】また、積層体の対向する両側面にはそれぞれ端子電極 1 2が設けられており、コイルパターンの両端部はそれぞれ、各端子電極 1 2に接続されている。なお、端子電極 1 2の両端にはランドパターン 1 1が設けられている。

【0 2 9 8】端子電極 1 2は、貫通ビアの円筒を半分に分割した構造となっている。端子電極 1 2がこのような構造になるのは、集合積層基板に複数の素子を形成し、最終的に各素子ごとに切断する場合に、ダイシング、 Vカット等により、貫通ビアの中心から切断するためである。

【0 2 9 9】インダクタ 1 0を高周波用のチップインダクタとして使用する場合、分布容量をできるだけ減らす必要があることから、各構成層 1 0 a〜1 0 e の比誘電率は、 2 . 6〜3 . 5とすることが好ましい。またインダクタ 1 0が共振回路を構成するインダクタである場合は、積極的に分布容量を用いる場合があり、このような用途では各構成層 1 0 a〜l 0 eの比誘電率を 5〜4 0とすることが好ましい。

【0 3 0 0】このィンダクタ 1 0においては、高温条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、インダクタ 1 0の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、インダクタ 1◦は、構成層 1 0 a〜l 0 eとして曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、インダクタ 1 0の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。また電子部品の小型化、回路への容量素子の取付けの省略を図ることができる。また、これらのインダクタにおいては、材料の損失をできるだけ抑える必要があるため、各構成層 1 0 a〜l 0 eの誘電正接

( t a η δ ) を 0 . 0 0 2 5〜0 . 0 0 7 5とすることにより、材料損失の極めて少ない、 Qの高いインダクタを得ることができる。また、各構成層 1 0 a〜l 0 eは同一でも異なってもよく、最適な組み合せを選択すればよい。

【0 3 0 1】なお、図 1 Gの電子部品の等価回路を図 1 0 ( a ) に示す。図 1 0 ( a ) に示されるように、等価回路ではインダクタ 1 0は、コイル 3 1を有する電子部品 (ィンダクタ) として示されている。

(第 2実施形態）

【0 3 0 2】図 3は本発明の電子部品の第 2実施形態であるインダクタを示した透視斜視図、図 4は、電子部品の第 2実施形態であるインダクタを示した断面図である。

【0 3 0 3】本実施形態の電子部品は、コイルパターンが、横方向、すなわち対向する端子電極 1 2を結ぶ方向に卷回されている点で第 1実施形態の電子部品と相違する。

【0 3 0 4】その他の構成要素は、第 1実施形態と同様であり、図 3、図 4において、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。

(第 3実施形態）

【0 3 0 5】図 5は本発明の電子部品の第 3実施形態であるィンダクタを示した透視斜視図、図 6は、本発明の電子部品の第 2実施形態であるインダクタを示した断面図である。

【0 3 0 6】本実施形態の電子部品は、上下面においてそれぞれスパイラル状に形成された内部導体 1 3がビアホール 1 4により連結されている点で第 1実施形態の電子部品と相違する。

【0 3 0 7】その他の構成要素は、第 1実施形態と同様であり、図 5、図 6において、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。

(第 4実施形態）

【0 3 0 8】図 7は本発明の電子部品の第 4実施形態であるインダクタを示した透視斜視図、図 8は、本発明の電子部品の第 4実施形態であるインダクタを示した断面図である。

【0 3 0 9】本実施形態の電子部品は、積層体の両側に設けられる端子電極 1 2を結ぶ内部導体 1 3のパターン形状をミアンダ状にしている点で第 1実施形態の電子部品と相違する。

【0 3 1 0】その他の構成要素は、第 1実施形態と同様であり、図 7、図 8において、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。

(第 5実施形態）【0 3 1 1】図 9は本発明の電子部品の第 5実施形態であるインダクタを示した透視斜視図である。

【0 3 1 2】本実施形態の電子部品は、積層体にコイルパターンを 4連設けている点で、積層体にコイルパターンを 1つ設けている第 1実施形態の電子部品と相違する。このような構成とすることにより、電子部品を回路基板等に配置する場合に、 1つのコイルパターンを有する電子部品を 4つ用いる場合に比べて、省スペース化を図ることができる。

【0 3 1 3】なお、図 1 0 ( b ) は、本実施形態のィンダクタの等価回路図である。図 1 0 (b) に示すように、本実施形態のインダクタは、等価回路ではコィル 3 1 a〜3 1 dが 4連装されたものとして示されている。

(第 6実施形態）

【0 3 1 4】図 1 1は本発明の電子部品の第 6実施形態であるキャパシタ（コンデンサ）を示した透視斜視図、図 1 2は、本発明の電子部品の第 6実施形態であるキャパシタ (コンデンサ) を示した断面図である。

【0 3 1 5】図 1 1、図 1 2において、キャパシタ 20は、構成層 20 a〜 2 0 gを積層してなる積層体と、構成層 20 b〜20 g上に形成されている内部導体 2 3と、積層体の両側にそれぞれ設けられる端子電極 2 2とを備えている。そして、隣り合う内部導体 2 3は、それぞれ異なる端子電極 2 2に接続されている。また端子電極 2 2の両端にはランドパターン 2 1が設けられている。積層体に設けられる内部導体 2 3により導電性素子部が構成されている。また各構成層 20 a〜 20 gは、上記複合誘電体層により構成されている。

【0 3 1 6】また各構成層 20 a〜 20 gは、得られる容量の多様性や精度の観点からは 2. 6〜40の比誘電率を有し、 0. 00 2 5〜0. 00 7 5の誘電正接を有することが好ましい。このキャパシタ 20においては、高周波域においても比誘電率が高くなるため、内部導体 2 3の面積を小さくすることができ、ひいてはキャパシタ 20の小型化が可能となる。またキャパシタ 20を高温条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、キャパシタ 2 0の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、キャパシタ 20は、構成層 20 a 〜20 gとして曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、キャパシタ 2 0の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。また誘電正接（t a η δ) を 0. 00 7 5〜0. 0 2 5とすることにより、材料損失の極めて少ないキャパシタとすることができる。各構成層 20 a〜20 gは同一でも異なってもよく、最適な組み合せを選択すればよい。

【0 3 1 7】図 1 4 (a)は、キャパシタ 20の等価回路図である。図 1 4 (a) に示すように、等価回路ではキャパシタ 3 2を有する電子部品（コンデンサ）が示されている。

(第 7実施形態）

【0 3 1 8】図 1 3は本発明の電子部品の第 7実施形態であるキャパシタを示した透視斜視図である。

【0 3 1 9】本実施形態の電子部品は、キャパシタ素子を構成する 4つの導電性素子部が積層体にアレイ状に設けられている点で、キャパシタ素子を構成する 1つの導電性素子部が積層体に設けられている第 6実施形態のキャパシタと相違する。またキャパシタ素子の数に合せて端子電極 1 2及びランドパターン 1 1が設けられている。さらにキャパシタをアレイ状に形成する場合、様々な容量を精度よく形成する場合がある。このため、上記誘電率、誘電正接の範囲が好ましいといえる。

【0 3 20】その他の構成要素は、第 6実施形態と同様であり、図 1 3において、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。

【0 32 1】図 14 (b) は、本実施形態のキャパシタの等価回路図である。図 1 4 (b) に示されるように、等価回路ではキャパシタ 3 2 a〜3 2 dが 4連装された電子部品（コンデンサ）が示されている。

(第 8実施形態）【0 3 2 2】図 1 5〜図 1 8は、本発明の電子部品の第 8実施形態であるバルントランスを示している。ここで図 1 5は透過斜視図、図 1 6は断面図、図 1 7 は各構成層の分解平面図、図 1 8は等価回路図である。

【0 3 2 3】図 1 5〜 1 7において、バルントランス 40は、構成層 40 a〜 40 oを積層してなる積層体と、積層体の上下および中間に配置された内部 GN

D導体 4 5と、この内部 GND導体 4 5間に形成されている内部導体 4 3とを有する。この内部導体 4 3は、 λ gZ4長のスパイラル状導体 4 3であり、図 1 8 の等価回路に示される結合ライン 5 3 a〜5 3 dを構成するようにビアホール 4 4等で連結されている。

【0 3 24】このバルントランス 40の構成層 40 a〜 40 oは、比誘電率を

2. 6〜40とし、誘電正接（t a n S) を 0. 00 7 5〜0. 0 2 5とすることが好ましく、各構成層 40 a〜40 oとしては、上記複合誘電体層が用いられる。なお、各構成層は同一でも異なってもよく、最適な組み合せを選択すればよい。

【0 3 2 5】このバルントランス 40によれば、高温条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、バルントランス 40の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、バルントランス 40は、構成層40 &〜40 0 として曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、バルントランス 40の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。

(第 9実施形態）

【0 3 2 6】図 1 9〜図 2 2は、本発明の電子部品の第 9実施形態である積層フィルタを示している。ここで図 1 9は斜視図、図 20は分解斜視図、図 2 1は等価回路図、図 2 2は伝達特性図である。

【0 3 2 7】本実施形態の積層フィルタは、 2ポール型の伝達特性を有するように構成されている。図 1 9〜2 1に示すように、積層フィルタ 6 0は、構成層 6 0 a〜 6 0 eが積層された積層体を備えている。ここで、構成層 6 0 bは上部構成層群であり、構成層 60 dは下部構成層群である。積層体のほぼ中央の構成層 60 cには一対のストリップ線路 68が形成され、これに隣接する下部構成層群 60 d上には、一対のコンデンサ導体 67が形成されている。構成層 60 b、

60 eの表面にはそれぞれ GND導体 65が形成され、これら GND導体 65によりストリップ線路 68及びコンデンサ導体 67が挟み込まれるようになっている。ストリップ線路 68、コンデンサ導体 67及び GND導体 65はそれぞれ、積層体の端面に形成された端部電極（外部端子） 62に接続されている。また端部電極 62の両側には GNDパターン 66が形成され、 GNDパターン 66は G ND導体 65に接続されている。

【0328】ストリップ線路 68は、図 21の等価回路図に示される； gZ4 長またはそれ以下の長さを有するストリップ線路 74 a、 74 bであり、コンデンサ導体 6 7は、入出力結合容量 C iを構成する。またストリップ線路 74 a、

74 b間は、結合容量 Cmおよび結合係数 Mにより結合されている。積層型フィルタ 60は、このような等価回路を形成するように構成されているため、図 22 に示すような 2ポール型の伝達特性を有する。

【0329】積層フィルタ 60の構成層 60 a〜60 eは、比誘電率を 2. 6

~40とすることにより、数 100MHz〜数 GHzの帯域において、所望の伝達特性が得られるようになる。また、ストリップライン共振器の材料損失はできるだけ抑えることが望ましいため、誘電正接（t a η δ) を 0. 0025〜0. 0075とすることが好ましい。このような構成層 60 a〜60 eとしては、上記複合誘電体層を用いられる。なお、各構成層は同一でも異なってもよく、最適な組み合せを選択すればよレ、。

【0330】この積層フィルタ 60によれば、高温条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、積層フィルタ 60の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、積層フィルタ 60は、構成層 60 a〜60 eとして曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、積層フィルタ 60の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。

(第 1 0実施形態）

【0 3 3 1】図 2 3〜図 2 6は、本発明の電子部品の第 1 0実施形態である積層フィルタを示している。ここで、図 2 3は斜視図、図 2 4は分解斜視図、図 2 5は等価回路図、図 2 6は伝達特性図である。

【0 3 3 2】本実施形態の積層フィルタは、 4ポール型の伝達特性を有するように構成されている。図 2 3〜 2 5示すように、積層フィルタ 6 0は、構成層 6 0 cに 4本のストリップ線路 6 8が形成されている点で、構成層 6 0 cに 2本のストリップ線路 6 8が形成されている第 9実施形態の積層フィルタと相違する。【0 3 3 3】本実施形態の積層フィルタにおいては、ストリップ線路 6 8は、図 2 5の等価回路図に示される λ g Z 4長またはそれ以下の長さを有するストリップ線路 7 4 c、 7 4 d、 7 4 e、 7 4 f であり、またストリップ線路 7 4 c、 7 4 d間、ストリップ線路 7 4 d、 7 4 e間、及びストリップ線路 7 4 e、 7 4 ί間はそれぞれ、結合容量 C niおよび結合係数 Μにより結合されている。積層型フィルタ 6 0は、このような等価回路を形成するように構成されているため、図 2 6に示すような 4ポール型の伝達特性を有する。

【0 3 3 4】その他の構成要素は、第 9実施形態と同様であり、図 2 3、図 2 4において、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。

(第 1 1実施形態）

【0 3 3 5】図 2 7〜図 3 2は、本発明の電子部品の第 1 1実施形態であるプ口ックフィルタを示している。ここで図 2 7は透過斜視図、図 2 8は正面断面図、図 2 9は側面断面図、図 3 0は平面断面図、図 3 1は等価回路図、図 3 2は金型の構造を示した透過側面図である。

【0 3 3 6】本実施形態のブロックフィルタは、 2ポール型の伝達特性を有するように構成されている。図 2 7〜図 3 2に示すように、プロックフィルタ 8 0 は、構成プロック 8 0 aと、構成ブロック 8 0 a内に設けられる一対の同軸導体 8 1と、同軸導体 8 1に接続されるコンデンサ同軸導体 8 2とを有する。同軸導体 8 1及びコンデンサ同軸導体 8 2は、構成プロック 8 0 aをくりぬくように中空状に形成された導電体で構成されている。また、構成ブロック 8 0 aの周囲には、これを覆うように表面 G N D導体 8 7が形成されている。そして構成ブロック 8 0 aのコンデンサ同軸導体 8 2に対向する位置にはコンデンサ導体 8 3が形成されている。またコンデンサ導体 8 3及び表面 G N D導体 8 7はそれぞれ、入出力端子および部品固着用端子としても使用される。なお、同軸導体 8 1及びコンデンサ同軸導体 8 2の内面には、導電材料が無電解メツキ、蒸着などで付着されており、これにより伝送路が形成されている。

【0 3 3 7】同軸導体 8 1は、図 3 1の等価回路図に示される； g Z 4長またはそれ以下の長さを有する同軸線路 9 4 a、 9 4 bであり、それらを囲むように G N D導体 8 7が形成されている。また、コンデンサ同軸導体 8 2とコンデンサ導体 8 3は入出力結合容量 C iを構成する。更に同軸導体 8 1間は、結合容量 C mおよび結合係数 Mにより結合されている。プロックフィルタ 8 0は、図 3 1に示すような等価回路を形成するように構成されているため、 2ポール型の伝達特性を有する。

【0 3 3 8】図 3 2はブロックフィルタ 8 0の構成ブロック 8 0 aを开成するための金型の一例を示した概略断面図である。図 3 2において、金型は鉄などの金属ベース 1 0 3に、樹脂注入口 1 0 4および注入孔 1 0 6が形成され、これと連通して部品形成部 1 0 5 a， 1 0 5 bが形成されている。構成プロック 8 0 a を形成するための複合樹脂材料は、液体の状態で樹脂注入口 1 0 4から注入され、注入孔 1 0 6を通って部品形成部 1 0 5 a， 1 0 5 bに達する。そして、この金型の内部に複合樹脂が満たされた状態で、冷却または加熱処理を行い複合樹脂を固化して金型から取り出し、注入口 1 0 4内などで硬化した不要な部分を切断する。こうして、図 2 7〜図 3 0に示される構成ブロック 8 0 aが形成される。

【0 3 3 9】このようにして形成された構成ブロック 8 0 aに、メツキ、エツチング、印刷、スノッタ、蒸着等の処理を行うと、銅、金、パラジウム、白金、アルミニウム等により形成された表面 GND導体 87、同軸導体 81とコンデンサ同軸導体 82等が形成される。

【0340】プロックフィルタ 80の構成プロック 80 aは、比誘電率を 2. 6~40とすることにより、数 10 OMHzから数 GHzの帯域において、所望の伝達特性が得られるようになる。また、同軸共振器の材料損失はできるだけ抑えることが望ましいため、誘電正接（ tanS) を 0. 0025〜0. 0075とすることが好ましい。このような構成プロック 80 aとしては、上記複合誘電体層が用いられる。

【0341】このブロックフィルタ 80によれば、高温条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、ブロックフィルタ 80の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、プロックフィルタ 80は、構成ブロック 8 0 aとして曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、ブロックフィルタ 80の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。

(第 12実施形態）

【0342】図 33〜図 37は、本発明の電子部品の第 1 2実施形態である力プラを示している。ここで図 33は透過斜視図、図 34は断面図、図 35は各構成層の分解平面図、図 36は内部結線図、図 37は等価回路図である。

【0343】図 33〜 37において、カプラ 1 10は、構成層 1 10 a〜： L 1 0 cが積層された積層体と、積層体の構成層 1 10 bの上下面上に形成された内部GND導体1 1 5と、この内部 GND導体 1 1 5間に形成され、トランスを構成する 2つのコイルパターンとを有する。各コイルパターンは、複数の内部導体 1 1 3と、これら内部導体 1 1 3を連結するビアホール 1 14とにより構成されており、スパイラル状となっている。また形成された各コイルパターンの端部と内部 GND導体 1 1 5とは、図 36に示すように、それぞれ積層体の側面に形成された端子電極 1 1 2に接続されている。なお、端子電極 1 1 2の両端部にはランドパターン 1 1 1が形成されている。

【0 344】このように、カプラ 1 1 0においては、図 3 7の等価回路図で示すように、 2つのコイル 1 2 5 a , 1 2 5 bが結合したものとなる。

【0 34 5】カプラ 1 1 0の構成層 1 1 0 a〜 1 1 0 cは、広帯域化を実現しようとした場合、比誘電率はできるだけ小さい方が好ましい。一方、小型化を考えると比誘電率はできるだけ高い方がよい。従って、構成層 1 1 0 a〜 1 1 0 c を構成する材料として、用途や、要求される性能、仕様等によりそれに適した比誘電率を有する材料を用いればよい。通常は、構成層 1 1 0 a〜 1 1 0 cの比誘電率を 2. 6〜40とすることにより、数 1 00MHzから数 GHzの帯域において、所望の伝達特性が得られるようになる。また内部インダクタの Q値を上げるためには、誘電正接（t a n S) を 0. 00 2 5〜0. 00 7 5とすることが好ましい。これにより、材料損失が極めて少なくなり、 Q値の高いインダクタを形成でき、高性能の力ブラを得ることができる。上記構成層 1 1 0 a〜l 1 0 cとしては、上記複合誘電体層が用いられる。なお、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合せを選択すればよい。

【0 346】この力ブラ 1 1 0によれば、高温条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、力ブラ 1 1 0の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、カプラ 1 1 0は、構成層 1 1 0 a〜l 1 0 cとして曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、カプラ 1 1 0の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。

(第 1 3実施形態）

【0 34 7】図 38〜図 40は、本発明の電子部品の第 1 3実施形態であるァンテナを示した図であり、図 3 8は透視斜視図、図 3 9 (a) は平面図、（b) は側面断面図、（c) は正面断面図、図 40は各構成層の分解斜視図である。

【0 348】図 38〜図 40に示すように、アンテナ 1 30は、構成層 1 3 0 a〜 1 3 0 cを積層してなる長尺状の積層体と、この構成層 1 30 b及び構成層 1 30 c上にそれぞれ形成されている内部導体 1 3 3と、長尺状の積層体の両端にそれぞれ設けられる端子電極 1 3 2とを有する。

【0 34 9】内部導体 1 3 3はアンテナパターンを構成している。本実施形態では、内部導体 1 3 3は、使用周波数に対し、長さが約 λ g/4となるようなリァクタンス素子として構成され、アンテナパターンは、ミアンダ状に形成されている。

【0 3 5 0】また内部導体 1 3 3の両端部はそれぞれ、各端子電極 1 3 2に接続されている。このアンテナ 1 30の構成層 1 30 a〜 1 3 0 cには、広帯域化を実現しようとした場合、比誘電率はできるだけ小さい方が好ましい。一方、小型化を考えると比誘電率はできるだけ高い方がよい。従って、構成層 1 3 0 a 〜1 30 cを構成する材料として、用途や、要求される性能、仕様等によりそれに適した比誘電率を有する材料を用いればよい。通常は、構成層 1 3 0 a〜l 3 O cの比誘電率が 2. 6〜40であり、誘電正接が 0. 00 7 5〜0. 0 2 5であることが好ましく、構成層 1 3 0 a〜 1 3 0 cとしては、上記複合誘電体層が用いられる。これにより、周波数の範囲が広がり、高精度に形成できる。また、材料の損失をできるだけ抑える必要がある。このため、誘電正接（t a η δ ) を 0. 00 2 5〜0. 00 7 5とすることにより、材料損失の極めて少ないアンテナとすることができる。なお、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合せを選択すればよい。

【0 3 5 1】このァンテナ 1 3 0によれば、高温条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、アンテナ 1 3 0の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、アンテナ 1 3 0は、構成層 1 30 a〜 1 30 cとして曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、アンテナ 1 3 0の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。

(第 14実施形態）

【0 3 5 2】図 4 1は、本発明の電子部品の第 14実施形態であるアンテナの透視斜視図、図 4 2は、本発明の電子部品の第 1 4実施形態であるアンテナの分解斜視図である。

【0 3 5 3】図 4 1、 4 2において、アンテナ 1 4 0は、構成層 1 4 0 a〜l

4 0 cを積層してなる積層体と、この構成層 1 4 0 b及び構成層 1 4 0 c上にそれぞれ形成されている内部導体 1 4 3 aとを有する。そして、上下の内部導体 1 4 3 aはビアホール 1 4 4にて接続され、ヘリカル状のアンテナパターン (インダクタンス素子）を形成するようになっている。なお、積層体の両端にはそれぞれ、第 1 3実施形態と同様、端子電極が設けられており、アンテナパターンの両端部はそれぞれ各端子電極に接続されている。 .

(第 1 5実施形態）

【0 3 5 4】図 4 3は本発明の電子部品の第 1 5実施形態であるパッチアンテナを示した透視斜視図、図 4 4は、本発明の電子部品の第 1 5実施形態であるパツチアンテナを示した断面図である。

【0 3 5 5】図 4 3、 4 4に示すように、本実施形態のパッチアンテナ 1 5 0 は、構成層 1 5 0 aと、この構成層 1 5 0 aの表面上に形成されている平板状のパッチ導体 1 5 9と、このパッチ導体 1 5 9に対向するように構成層 1 5 0 aの底面に形成された G N D導体 1 5 5とを有する。ここで、パッチ導体 1 5 9は、アンテナパターンを構成している。また、パッチ導体 1 5 9には給電用のスルー導体 1 5 4が給電部 1 5 3で接続され、このスルー導体 1 5 4はG N D導体1 5 5とは接続されないように G N D導体 1 5 5との間にギャップ 1 5 6が設けられている。このため、 G N D導体 1 5 5の下部からスルー導体 1 5 4を通って給電が行われるようになつている。

【0 3 5 6】このパッチアンテナ 1 5 0の構成層 1 5 0 aには、広帯域化を実現しようとした場合、比誘電率はできるだけ小さい方が好ましい。一方、小型化を考えると比誘電率はできるだけ高い方がよい。従って、構成層 1 5 0 aとしては、用途や、要求される性能、仕様等によりそれに適した比誘電率を有する材料を用いればよい。通常は、構成層 1 50 aの比誘電率は 2. 6〜40であり、誘電正接は 0. 0075〜0. 025であることが好ましく、構成層 150 aとしては、上記の複合誘電体層が用いられる。これにより、周波数の範囲が広がり、高精度に形成できる。また、誘電正接（t a η δ) を 0. 0025〜0. 007 5とすることにより、材料損失の極めて少ない放射効率の高いアンテナとすることができる。

【0357】また、数 10 ΟΜΗζ以下の周波数帯域においては、磁性体も誘電体と同様の波長短縮効果が得られ、さらに、放射素子のインダクタンス値を上げることができる。また、 Qの周波数ピークを合わせることにより、比較的低い周波数においても高い Qが得られる。このため、パッチアンテナ 150を数 -〜数 100 MHzの無線機器の用途に使用する場合には透磁率を 3〜20とすることが好ましく、構成層 1 50 aとして、磁性体粉末を含有した複合磁性体層を用いることが好ましい。これにより、数 100 MHz以下の周波数帯域において高特性化、小型化を実現できる。また各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組み合せを選択すればよい。

【0358】このパッチアンテナ 1 50によれば、条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、パッチアンテナ 1 50の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、パッチアンテナ 1 50は、構成層 1 50 aとして曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、パッチアンテナ 1 50の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。

(第 16実施形態）

【0359】図 45は本発明の電子部品の第 16実施形態であるパッチアンテナを示した透視斜視図、図 46は、本発明の電子部品の第 16実施形態であるパツチアンテナを示した断面図である。

【0360】図 45、図 46に示すように、パッチアンテナ 160は構成層 1 60 aと、この構成層 160 aの表面上に形成されているパッチ導体パターン） 169と、このパッチ導体 169に対向するように構成層 160 aの底面に形成された GND導体 165とを有する。また構成層 160 aの側面であつて、パッチ導体 169の近傍に、これと接触しないように給電用の給電導体 1 6 1が配置され、給電端子 162から給電導体 161に給電が行われるようになつている。給電端子 162は、銅、金、パラジウム、白金、アルミニウム等により構成されており、メツキ、ターミネート、印刷、スパッタ、蒸着等の処理法を用いて形成することができる。その他の構成要素は第 1 5実施形態と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。

(第 1 7実施形態）

【036 1】図 47は、本発明の電子部品の第 17実施形態である多層型パッチアンテナを示した透視斜視図、図 48は本発明の電子部品の第 17実施形態である多層型パッチアンテナを示した断面図である。

【0362】図 47に示すように、本実施形態のパッチアンテナ 1 70は、構成層 1 50 a及び構成層 1 50 bを積層してなる積層体と、この構成層 150 a、 1 50 b上にそれぞれ形成されているパッチ導体 159 a , 1 59 eと、このパツチ導体 1 59 a， 1 59 eに対向するように構成層 1 50 bの底面に形成された GND導体 1 55とを有する。また、パッチ導体 1 59 aには給電用のスルー導体 154が給電部 1 53 aで接続され、このスルー導体 1 54は GND導体 1 55およびパッチ導体 1 59 eとは接続されないように GND導体 1 55およびパッチ導体 1 59 eとの間にギャップ 1 56が設けられている。このため、 GN

D導体 1 55の下部からスルー導体 1 54を通ってパッチ導体 159 aに給電が行われるようになつている。このときパッチ導体 159 eには、パッチ導体 1 5 9 aとの容量結合およびスルー導体 1 54とのギャップによって形成される容量により給電される。その他の構成要素は第 1 5実施形態と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。

(第 18実施形態）【0363】図 49は本発明の電子部品の第 18実施形態である多連型パッチアンテナを示した透視斜視図、図 50は、本発明の電子部品の第 18実施形態である多連型パッチアンテナを示した断面図である。

【0364】本実施形態のパッチアンテナ 1 80は、積層体にアンテナを構成する 4つの導電性素子部が格子状に設けられている点で、積層体に 1つの導電性素子部のみが設けられている第 1 7実施形態のパッチアンテナと相違する。すなわち図 49、図 50に示すように、パッチアンテナ 1 80は、構成層 1 50 a、 1 50 bを積層してなる積層体と、構成層 1 50 a上に形成されているパッチ導体 1 59 a、 1 59 b、 1 59 c、 1 59 dと、構成層 1 50 b上に形成されているパッチ導体 1 59 e、 1 59 f 、 1 59 g、 1 59 hと、これらのパッチ導体 1 59 a, 1 59 eに対向するように構成層 1 50 bの底面に形成された GN D導体 1 55とを有する。その他の構成要素は第 17実施形態と同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。

【0365】このように複数の導電性素子部を 1つの積層体に格子状に配設することにより、パッチアンテナの小型化と部品点数の削減が可能となる。

(第 19実施形態）

【0366】図 51〜図 53は、本発明の電子部品の第 1 9実施形態である V CO (電圧制御発振器）を示している。ここで図 5 1は透過斜視図、図 52は断面図、図 53は等価回路図である。

【0367】図 51〜 53において、 VC〇 210は、構成層 210 a〜 21

0 gが積層された積層体と、積層体の上に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体素子、レジスタ等の電気素子 26 1と、構成層 210 a〜210 d 上に形成されている導体パターン及び構成層 210 e〜210 g上にそれぞれ形成されている導体パターン 262， 263, 264とを有する。 VCO 210は、図 53に示すような等価回路を形成するように構成されており、導体パターン 2 63は、ストリップラインとなっている。また VC02 10は、ストリップラインのほか、コンデンサ、信号線、半導体素子、電源ラインなどを有する。このため、構成層は、それぞれの機能に適した材料で形成するのが効果的である。

【0368】より具体的には、上記構成層 210 gの表面には、内部導体であるストリップライン 263が形成され、裏面には GND導体 262及び端子導体 266が形成されている。また、構成層 210 eの表面にはコンデンサ導体 26

4が形成され、構成層 210 bの表面上には配線ィンダクタ導体 265が形成される。また、各構成層に形成された内部導体はビアホール 214により接続され、表面にはマウントされた電子部品 26 1が搭載されて図 53の等価回路に示すような VCOが形成される。

【0369】例えば本実施形態の V C O 210では、共振器を構成する構成層 2 1 O f , 210 gには誘電正接が 0. 0025~0. 0075の複合誘電体層を用いることが好ましく、コンデンサを構成する構成層 210 c〜210 eには、誘電正接が 0. 0075〜0. 025、比誘電率が 5〜 40となるような複合誘電体層を用いることが好ましい。配線およびインダクタを構成する構成層 210 a , 210 bには、誘電正接が 0. 0025〜0. ◦ 075、比誘電率が 2. 6

〜3. 5の複合誘電体層を用いることが好ましい。

【0370】このように構成することにより、それぞれの機能に適した比誘電率、 Q、誘電正接とすることができ、高性能化、小型、薄型化が可能となる。この VC0210によれば、高温条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、 VC0210の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、 V C O 210は、構成層 210 a〜210 gとして曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、 VC0210の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。

(第 20実施形態）

【0371】図 54〜図 56は、本発明の電子部品の第 20実施形態であるパヮーアンプ（電力増幅器）を示している。ここで図 54は各構成層の分解平面図、図 5 5は断面図、図 5 6 等価回路図である。

【0 3 7 2】図 54〜 5 6に示すように、パワーアンプ 3 00は、構成層 3 0 0 a~300 eを積層してなる積層体と、積層体の上に配設されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電気素子 3 6 1と、この構成層 300 a〜3 00 e中おょぴその上下面に形成されている導体パターン 3 1 3， 3 1 5を有する。このパワーアンプは図 5 6に示すような等価回路により構成されているため、ストリップラィン 1 1〜1^ 1 7、コンデンサ C 1 1〜 C 20、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効果的である。

【0 3 7 3】より具体的には、これらの構成層 3 00 a〜3 00 eの表面には、内部導体 3 1 3、 GND導体 3 1 5等が形成されている。またそれぞれの内部導体はビアホール 3 14により接続され、積層体の表面には、マウントされた電子部品 3 6 1が搭載されて図 5 6の等価回路に示すようなパワーアンプが形成される。

【0 3 74】本実施形態のパワーアンプ 300では、ストリップラインを構成する構成層 3 00 d, 300 eには誘電正接が 0. 00 7 5〜0. 0 2 5、比誘電率が 2. 6〜40の複合誘電体層を用いることが好ましい。コンデンサを構成する構成層 3 00 a〜300 cには、誘電正接が 0. 00 7 5〜0. 0 2 5、比誘電率が 5〜40となるような複合誘電体層を用いることが好ましい。

【0 3 7 5】このように構成することにより、それぞれの機能に適した誘電率、 Q、誘電正接とすることができ、高性能化、小型、薄型化が可能となる。このパヮーアンプ 300によれば、高温条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、パワーアンプ 3 00の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、パワーアンプ 300は、構成層 3 00 a〜300 eとして曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、パワーアンプ 300の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。 (第 21施形態）

【0376】図 57〜図 59は、本発明の電子部品の第 21実施形態である、光ピックアップなどに使用される重畳モジュールを示している。ここで図 5 7は各構成層の分解平面図、図 58は断面図、図 59は等価回路図である。

【0377】図 57〜 59において、重畳モジュール 400は、構成層 400 a〜400 kが積層された積層体と、積層体の上に形成、配置されたコンデンサ、ィンダクタ、半導体、レジスタ等の電気素子 461と、この構成層 400 a〜4 00 k中およびその上下面に形成されている導体パターン 41 3, 41 5等を有する。この重畳モジュール 400は図 59に示すような等価回路により構成されているため、インダクタ L 21、 L 23、コンデンサ C 21〜C 27、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効果的である。

【0378】より具体的には、これらの構成層 400 a〜400 kの表面には、内部導体 413、 GND導体 41 5等が形成されている。また、それぞれの內部導体はビアホール 414により上下に接続され、表面にはマウントされた電子部品 461が搭載されて図 59の等価回路に示すような重畳モジュールが形成される。

【0379】本実施形態の重畳モジュール 400では、コンデンサを構成する構成層 400 d〜400 hには、誘電正接が 0. 0075〜0. 025、比誘電率が 10〜40となるような複合誘電体層を用いることが好ましい。インダクタを構成する構成層 400 a〜 400 c， 400 j〜400 kには誘電正接が 0. 0025〜0. 0075、比誘電率が 2. 6〜3. 5の複合誘電体層を用いることが好ましい。

【0380】このように構成することにより、それぞれの機能に適した誘電率、 Q、誘電正接とすることができ、高性能化、小型、薄型化が可能となる。この重畳モジュール 400によれば、高温条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、重畳モジュール 400の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、重畳モジュール 400は、構成層 400 a〜400 kとして曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、重畳モジュール⁴00の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。

(第 22実施形態）

【038 1】図 60〜図 63は、本発明の電子部品の第 22実施形態である R Fモジュールを示している。ここで図 60は斜視図、図 6 1は外装部材を外した状態での斜視図、図 62は各構成層の分解斜視図、図 63は断面図である。【0382】図 60〜63において、 RFモジュール 500は、構成層 500 a〜500 iが積層された積層体と、積層体の上に配設されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等の電気素子 561と、この構成層 500 a〜500 i中およびその上下面に形成されている導体パターン 5 13, 5 1 5、 5 72と、アンテナパターン 573とを有する。この RFモジュール 500は、上記のようにインダクタ、コンデンサ、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成するのが効果的である。

【0383】本実施形態の R Fモジュールでは、アンテナ構成、ストリップラィン構成および配線層 500 a〜500 d、 500 gには、誘電正接が 0. 00 25-0. 0075、比誘電率が 2. 6〜3. 5の複合誘電体層を用いることが好ましい。コンデンサ構成層 500 e〜500 f には、誘電正接が 0. 0075 〜0. 025、比誘電率が 10〜40となるような複合誘電体層を用いることが好ましい。電源ライン層 500 h〜500 iには、透磁率が 3〜 20であり、磁性体粉末を含む複合磁性体層を用いることが好ましい。

【0384】そして、これらの構成層 500 a〜500 iの表面には、内部導体 51 3、 GND導体 51 5、アンテナ導体 573等が形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホール 514により上下に接続され、積層体の表面にはマウントされた電気素子 56 1が搭載されて RFモジュールが形成される。【0 3 8 5】このように構成することにより、それぞれの機能に適した誘電率、 Q、誘電正接とすることができ、高性能化、小型、薄型化が可能となる。この R Fモジュール 500によれば、 RFモジュール 5 00を高温条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、 RFモジュール 5 00の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、 R Fモジュール 500は、構成層 5 00 a〜500 iとして曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、 RFモジユール 5 00の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。

(第 23実施形態）

【0 38 6】図 64、図 6 5は、本発明の電子部品の第 2 3実施形態である共振器を示している。ここで図 64は透過斜視図、図 6 5は断面図である。

【0 38 7】図 64、 6 5において、共振器 600は、ベース材 6 1 0と、ベース材 6 1 0を貫通する筒状の同軸導体 64 1とを備えている。

【0 38 8】共振器 6 00の製造方法は、第 1 1実施形態のプロックフィルタと同様である。すなわちまず、金型成形により円筒状の貫通孔が形成されたべ一ス材 6 1 0の表面に、メツキ、エッチング、印刷、スパッタ、蒸着等の処理法により表面 GND導体 647及び端部導体 6 8 2を形成し、この表面 GND導体 6 4 7と端部導体 6 8 2が接続されるようにベース材 6 1 0の内壁面に同軸導体 6 4 1を形成し、同軸導体 64 1と接続されるように共振器用 HOT端子 6 8 1等を形成する。表面 GND導体 64 7、端部導体 6 8 2、同軸導体 64 1、共振器用 HOT端子 6 8 1は、銅、金、パラジウム、白金、アルミニウム等で形成する。ここで、同軸導体 64 1は、ある特性インピーダンスを有する同軸型線路であり、同軸導体 6 1を囲むようにベース材 6 1 0に表面 GND導体 647が形成されている。

【0 38 9】この共振器のベース材 6 1 0は、比誘電率を 2. 6〜40とすることにより、数 1 00MHzから数 GH zの帯域において、所望の共振特性が得られるようになる。また、共振器の材料損失はできるだけ抑えることが望ましく、誘電正接（t a n S) を 0. 0 0 2 5〜0. 0 0 7 5とすることが好ましい。このようなベース材 6 1 0としては、上記複合誘電体層が用いられる。この共振器

6 0 0によれば、共振器 6 0 0を高温条件下で使用しても比誘電率の経時変化が十分に抑えられる。このため、共振器 6 0 0の高温環境下での信頼性が高くなる。更に、共振器 6 00は、ベース材 6 1 0として曲げ強度の大きい複合誘電体層を用いているため、共振器 6 0 0の取扱い時の欠損ないし変形等を十分に防止できる。

(第 24実施形態）

【0 3 9 0】図 6 6、図 6 7は、本発明の電子部品の第 24実施形態であるストリップ共振器を示している。ここで図 6 6は透過斜視図、図 6 7は断面図である。

【0 3 9 1】図 6 6、 6 7に示すように、ストリップ共振器 7 0 0は、構成層 7 1 0 a〜 7 1 0 dを積層してなる積層体と、構成層 7 1 0 c上に形成される長方形のストリップ導体 7 8 4と、構成層 7 1 0 b、構成層 7 1 0 d上に、ストリップ導体 7 8 4を挟むように形成される矩形状の GND導体 7 8 3とを有する。また積層体の両側にはそれぞれ、共振器用 HOT端子 7 8 1および GND端子 7 8 2が設けられ、ストリップ導体 7 8 4の両端はそれぞれ、共振器用 HOT端子

7 8 1および GND端子 7 8 2に接続されている。ストリップ共振器 7 0 0は、第 1実施形態のィンダクタと同様にして製造すればよい。

【0 3 9 2】共振器の構成層 7 1 0 a〜7 1 0 dは、比誘電率を 2. 6〜 4 0 とすることにより、数 1 0 0MHzから数 GHzの帯域において、所望の共振特性が得られるようになる。また、共振器の材料損失はできるだけ抑えることが望ましく、誘電正接（t a n S ) を 0. 0 0 2 5〜0. 0 0 7 5とすることが好ましい。このような構成層 7 1 0 a〜7 1 0 dとしては、上記複合誘電体層が用いられる。 (第 2 5実施形態）

【0 3 9 3】図 6 8は、本発明の電子部品の第 2 5実施形態である共振器を示す透過斜視図である。

【0394】図 68に示すように、共振器 800は、ベース材 8 10と、ベース材 810を貫通する円筒状の同軸型導電体 841と、ベース材 8 10を貫通し同軸型導電体 841と平行に設けられる同軸型導電体 842とを備えている。ベース材 8 10には、同軸型導電体 842の一端に端部電極 882が形成され、他端に接続用電極 885が形成されている。また同軸型導電体 841の一端は接続用電極 885を介して同軸型導電体 841と接続され、他端には共振器用 HOT 端子 88 1が形成されている。ここで、端部電極 882と共振器用 HOT端子 8 81とは電気的に絶縁されている。そして、ベース材 8 10を囲むように、表面 GND導体 847が形成されている。表面 GND導体 847は、端部電極 882 とは接続されている力共振器用 HOT端子 88 1とは電気的に絶縁されている。従って、同軸導体 841、 842は、ある特性インピーダンスを有する同軸型線路として機能する。

【0395】この共振器のベース材 810は、比誘電率を 2. 6〜40とすることにより、数 100MHzから数 GHzの帯域において、所望の共振特性が得られるようになる。また、共振器の材料損失はできるだけ抑えることが望ましく、誘電正接（t a n S) を 0. 0025〜0. 0075とすることが好ましい。このようなベース材 8 10として、上記複合誘電体層が用いられる。

(第 26実施形態）

【0396】図 69は、本発明の電子部品の第 26実施形態であるストリップ共振器を示す透過斜視図である。

【0397】図 69において、ストリップ共振器 850は、複数の構成層 8 1

0を積層してなる積層体と、構成層 8 10上に形成される U字状のストリップ導体 884と、ストリップ導体 884を、構成層 810を介して上下より挟み込むようにして配置された矩形状の GND導体 883とを有する。また積層体の両側にはそれぞれ、共振器用 HOT端子 88 1および GND端子 882が並設され、ストリップ導体 884の両端部はそれぞれ、共振器用 HOT端子 88 1および G ND端子 882に接続されている。ストリップ共振器 850の製造方法は、第 1 実施形態のィンダクタと同様である。

【0398】この共振器 850の構成層 8 10の材料は、比誘電率を 2. 6〜 40とすることにより、数 100MHzから数 GHzの帯域において、所望の共振特性が得られるようになる。また、共振器の材料損失はできるだけ抑えることが望ましく、誘電正接（t a n S) を 0. 0025〜0. 0075とすることが好ましい。このような構成層 8 10としては、上記複合誘電体層を用いることが好ましい。

【0399】図 70は、上記第 23〜 26実施形態の共振器の等価回路図を示している。図 70において、共振器用 HOT端子 98 1は、同軸路、またはストリップラインから構成される共振器 984, 941の一端に接続され、その他端には GND端子 982が接続されている。

(第 27実施形態)

【0400】図 71は、本発明の電子部品の第 27実施形態を示すプロック構成図であり、携帯端末機器に本発明の電子部品を使用した例を示している。【0401】図 71に示す携帯端末器 1000においては、ベースバンドュニット 1010から送出された送信信号は、ミキサ 1001により混成回路 102 1からの RF信号と混合される。この混成回路 1021には電圧制御発信回路（V CO) 1020が接続されていて、フェーズロックループ回路 101 9と共にシンセサイザ回路を構成し、所定の周波数の RF信号が供給されるようになっている。

【0402】ミキサー 1001により R F変調が行われた送信信号は、バンドパスフィルタ（BPF) 1002を経て、パワーアンプ 1003により増幅される。このパワーアンプ 1 003の出力の一部は、カップラ 1004から取り出され、減衰器 1005で所定のレベルに調整された後、再びパワーアンプ 1003 に入力され、パワーアンプの利得が一定になるように調整される。カップラー 1 004から送出された送信信号は、逆流防止用のアイソレータ 1006、ローパスフィルタ 1007を経てデュプレクサ 1008に入力され、これと接続されているアンテナ 1009から送信される。

【0403】一方、アンテナ 1009に入力された受信信号は、デュプレクサ 1008からアンプ 101 1に入力され、所定のレベルに増幅される。アンプ 1 01 1から出力された受信信号は、バンドパスフィルタ 101 2を経て、ミキサ 1013に入力される。このミキサ 101 3には、混成回路 1021からパンドパスフィルタ（BPF) 1022を経て RF信号が入力され、 RF信号成分が除去され、復調される。ミキサ 101 3から出力された受信信号は、 SAWフィノレタ 1014を経てアンプ 101 5で増幅された後、ミキサ 1016に入力される。ミキサ 1016には局部発信回路 1018から所定の周波数の局部発信信号が入力され、前記受信信号は所望の周波数に変換され、アンプ 1017で所定のレべルに増幅された後、ベースバンドュ-ットへ送出される。

【0404】上記携帯端末器 1000は、アンテナ 1009、デュプレクサ 1 008、ローパスフィルタ 1007を含むアンテナフロントエンドモジュール（図 71の破線参照） 1200や、ァイソレータ 1006、カップラ 1004、減衰器 1005、パワーアンプ 1003を含むアイソレータパワーアンプモジユーノレ (図 71の破線参照） 1 100等として、上記のアンテナやパワーアンプを用いることができ、これによりハイブリッドモジュールを構成することができる。また、これら以外の構成要素を含むものを RFュ-ットとして構成できることは既に第 22実施形態で示した通りであり、図 71の BP F、 VCO等も、第 9〜1 2実施形態および第 1 9実施形態に示す V C O等を用いることができる。

【0405】上記のようにして携帯端末機器に本実施形態の電子部品を搭載すると、電子部品の小型化により携帯端末機器 1000を小型化することができる。また本実施形態の電子部品は曲げ強度に優れるため、電子部品の取付け時において、電子部品の欠損ないし変形等を十分に防止することができる。さらに本実施形態の電子部品は、高温で使用しても誘電特性の経時変化が十分に防止されるため、携帯端末機器 1 000を高温で使用しても、その性能を長期間にわたって維持することができる。

(第 28実施形態）

【040 6】次に、本発明の第 28実施形態について詳細に説明する。

【040 7】図 76は、本発明の電子部品の第 28実施形態を示す部分断面図である。

【0408】図 7 6には、電子部品として、多層基板 1 1 1 0と、多層基板 1 1 1 0上に設けられる電気素子 1 1 20 a， 1 1 20 bとを備えたパワーアンプ 1 1 00が示されている。

【040 9】多層基板 1 1 1 0は、最外層である 2つの構成層（第 1誘電体層） 1 1 1 0 a, 1 1 00 gを有しており、 2つの最外層 1 1 1 0 a， l l l O gの間には、樹脂を含む複数（本実施形態では 3つ）の構成層（第 2誘電体層） 1 1 1 0 b〜 1 1 1 0 f が配置されている。また多層基板 1 1 1 0は、構成層 1 1 1 0 aの表面上、構成層 1 1 1 0 aと構成層 1 1 1 0 bとの間、構成層 1 1 1 0 b と構成層 1 1 1 0 cとの間、構成層 1 1 1 0 cと構成層 1 1 1 0 dとの間、構成層 1 1 1 0 dと構成層 1 1 1 0 eとの間、構成層 1 1 1 0 eと構成層 1 1 1 0 f との間、構成層 1 1 1 0 ίと構成層 1 1 1 0 gとの間、及び構成層 1 1 1 0 gの表面上にそれぞれ、導体層 1 1 30 a〜 1 1 30 hを有している。構成層 1 1 1 O a〜： L 1 1 0 g、導体層 1 1 30 a〜： L 1 3 0 hは積層して構成されている。【04 1 0】上記多層基板 1 1 1 0において、構成層 1 1 00 a, 1 1 00 g の限界たわみ量は、構成層 1 1 1 0 b〜1 1 1 0 f の 1. 3倍以上となっており、構成層 1 1 1 0 b〜1 1 1 0 f の誘電正接 t a η δはいずれも 0. 0 1以下となつている。

【04 1 1】即ち多層基板 1 1 1 0は、機械的強度に優れた構成層 1 1 1 0 a， 1 1 1 0 gと、電気的特性に優れた構成層 1 1 1 0 b〜1 1 1 0 f とを含む。このため、製品化後においてパワーアンプ 1 1 00に過大な負荷が加えられても、電気的特性を良好に維持しながらパワーアンプ 1 1 00における多層基板 1 1 1 0における欠損の発生を十分に防止することが可能となる。言い換えると、パヮ一アンプ 1 1 00によれば、その特性を十分に向上させることができる。

【04 1 2】また、通常は、多層基板を曲げたりたわませたりした場合には、破断するのは表層部分からである場合が多く、多層基板の強度は最外層の強度に依存する割合が非常に大きいが、多層基板 1 1 1 0においては、機械的強度の大きい材料からなる構成層 1 1 1 0 a， 1 1 1 0 gが多層基板 1 1 1 0の最外層となっているため、多層基板 1 1 1 0の破断がより十分に防止される。

【04 1 3】なお、構成層 1 1 1 0 a， 1 1 1 0 gの限界たわみ量が構成層 1 1 1 0 b〜1 1 1 0 f の 1. 3倍未満では、多層基板 1 1 1 0の強度ァップにはつながりにくく、過大な負荷が加えられた場合の多層基板 1 1 1 0における欠損の発生を十分に防止することができない。また、構成層 1 1 1 0 b〜1 1 1 0 f の誘電正接 t a n δが 0. 0 1を超えると、セ _{& 1}10が0. 0 1以下である場合に比べて、パワーアンプ 1 1 00の Q値が大幅に減少し、電気的特性が良好に維持されなくなる。

【04 14】構成層 1 1 1 0 a , 1 1 1 0 bの限界たわみ量は、パワーアンプ 1 1 00の機械的強度を増大させる観点からは、構成層 1 1 1 0 b〜； l l l O f の 1. 5倍以上であることが好ましいが、 20倍以下であることが好ましい。限界たわみ量が 20倍を超えると、工程上の取扱いが困難となる。また構成層 1 1 1 0 b〜 1 1 1 0 f の誘電正接 t a η δは 0.00 5以下であることが好ましい。この場合、 t a n Sが 0. 00 5を超える場合に比べて、電気的特性をより良好なものとすることが可能となる。

【04 1 5】構成層 1 1 1 0 b〜 1 1 1 0 f に含まれる樹脂は特に制限されない。この樹脂としては、例えばテトラフロォロエチレン、芳香族液晶ポリエステル、ポリフエ二レンサルファイド、ポリビニルベンジルエーテル化合物、ジビニノレベンゼン、フマレート、ポリフエエレンオキサイド（エーテノレ）、シァネートェステル、ビスマレイミドトリアジン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミドなどが挙げられる。なお、上記樹脂としては、エポキシ樹脂と高い Q値を有する活性エステル硬化樹脂との混合物を用いてもよい。

【0416】伹し、構成層 1 1 10 b〜： L l l O f は、上記樹脂のほか、この樹脂よりも誘電率の大きいセラミック粉末を更に含んでも良い。この場合、誘電率の小さい樹脂を用いる場合でも、構成層 1 1 10 b〜l 1 10 f において、誘電正接 t a n δを 0. 01以下とすることが可能となる。

【041 7】このようなセラミック粉末は、誘電体セラミック粉末と磁性体粉末とに分けられる。

【0418】上記誘電体セラミック粉末は、マグネシゥム、ケィ素、ァノレミニゥム、チタン、亜鉛、カルシウム、スト口ンチウム、ジルコェゥム、バリゥム、スズ、ネオジゥム、ビスマス、リチウム、サマリウム及びタンタルからなる群より選ばれる少なくとも 1つの金属を含む金属酸化物粉末であって、比誘電率が 3.

7〜300であり、（3値が500〜100， 000である金属酸化物粉末であることが好ましい。

【041 9】金属酸化物粉末の比誘電率が 3. 7未満である場合は、複合誘電体層の比誘電率を高くすることができず、電子部品の小型化、軽量化が困難となる傾向がある。金属酸化物粉末の比誘電率が 300を超えるか、 Q値が 500未満である場合、使用時に電子部品 1 100が過剰に発熱すると共に、伝送損失が低下する傾向がある。なお、上記誘電体セラミック粉末は通常、単結晶や多結晶で構成される。

【0420】上記誘電体セラミック粉末の具体例としては、上述した複合誘電体層中に含まれる誘電体セラミック粉末の具体例として挙げたもののほか、シリ力、ガラス、水酸化物（水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等）等の絶縁性を有するものが挙げられる。誘電体セラミック粉末の形状は、球状、破砕状、鱗片状、針状のいずれの形状でもよい。

【0421】上記誘電体セラミック粉末として、 T i 0₂、 C a T i 0₃、 S r T i 0₃、 B a O— N d₂0₃— T i 0₂、 B a O— C a O— N d₂0₃— T i 0₂、 B a O- S r O-N d₂〇₃— T i〇₂、 B a O— Sm₂〇₃— T i 0₂、 B a T i ₄0₉、 B a

₂T i ₉O₂₀、 B a₂(T i， S n)₉O₂₀、 MgO一 T i〇₂ヽ ZnO一 T i〇₂、 MgO一 S i 0₂、 A 1₂0₃の成分を主成分とするものが好ましいのは、上述した複合誘電体層中に含まれる誘電体セラミック粉末と同様である。上記成分を主成分とする誘電体セラミック粉末は単独で用いてもよく、 2種類以上を組み合わせて用いてあよい。

【0422】上記誘電体セラミック粉末の平均粒径は、上述した複合誘電体層中に含まれる誘電体セラミック粉末と同様の理由から、 0. 01〜1 00 ηιの範囲内にあることが好ましく、 0. 2〜20 μπιの範囲内にあることがさらに好ましい。

【0423】また誘電体セラミック粉末の添加量は、上述した複合誘電体層中に含まれる誘電体セラミック粉末と同様の理由から、有機絶縁材料 100体積部に対して 5〜185体積部の範囲とすることが好ましく、この範囲内で、必要とされる誘電率及び誘電正接に応じて適切な量を選択すればよい。

【0424】一方、磁性体粉末は、構成層 1 1 10 b〜1 1 10 f に磁気特性を付加し、線膨張係数を低減し、材料強度を向上させることができる。

【0425】上記磁性体粉末の具体例は、上述した複合誘電体層中に含まれる磁性体粉末と同じものが挙げられる。これらは単独で用いてもよく、 2種類以上を組み合わせて用いてもよい。

【0426】上記磁性体粉末の平均粒径は、上述した複合誘電体層中に含まれる磁性体粉末と同様の理由から、 0.01〜100 ^umの範囲内にあることが好ましく、 0. 2〜20 μπの範囲内にあることがさらに好ましい。【042 7】また磁性体粉末の添加量は、上述した複合誘電体層中に含まれる磁性体粉末と同様の理由から、有機絶縁材料 1 00体積部に対して 5~1 8 5体積部の範囲とすることが好ましく、この範囲内で適切な量を選択すればよい。【0428】構成層 1 1 1 0 a , 1 1 1 0 gに含まれる樹脂としては、構成層 1 1 1 0 b〜1 1 1 0 ίに含まれる樹脂のほか、エポキシ樹脂やフエノール樹脂なども挙げられるが、構成層 1 1 1 0 a， l l l O gは、上記樹脂のほか、この樹脂よりも誘電率の大きいセラミック粉末を更に含んでも良い。伹し、構成層 1 1 1 0 a, 1 1 1 0 gがセラミック粉末を多く含むと、構成層 1 1 1 0 a , 1 1 1 0 gの限界たわみ量を構成層 1 1 1 0 b〜1 1 1 0 f の 1. 3倍以上とすることが困難となる。一方、構成層 1 1 1 0 a， 1 1 1 0 gがセラミック粉末を多く含むと、電気的特性はより向上する。従って、セラミック粉末は、適度に加えることが好ましく、具体的には、樹脂 1 00体積部に対してセラミック粉末を 1 0 〜 200体積部添加することが好ましい。

【042 9】なお、構成層 1 1 1 0 b〜1 1 1 0 f に含まれる樹脂として、ベンジルエーテル化合物を用いる場合は、ベンジルエーテル化合物よりも曲げ強度が強く、曲げ弾性率が低く、同じ熱硬化性樹脂であって、他の樹脂と比較して硬化温度が比較的近いという理由から、構成層 1 1 1 0 a, 1 1 1 0 gに含まれる樹脂として、エポキシ樹脂を用いることが好ましい。

【0430】上記多層基板 1 1 1 0においては、構成層 1 1 1 0 a , 1 1 1 0 gのピール強度が、構成層 1 1 1 0 b〜： L l l O f のピール強度の 1. 5倍以上であることが好ましい。この場合、製品化後においてパワーアンプ 1 1 00に過大な負荷が加えられても、電気的特性を良好に維持しながら多層基板 1 1 1 0における欠損の発生を十分に防止することが可能となることに加え、 1. 5倍未満である場合に比べて実装する受動 ·能動素子（電気素子 1 1 20 a， 1 1 20 b) の固着強度及び引き剥がし強度がより向上したり、多層基板 1 1 1 0、及び電子部品としてのパワーアンプ 1 1 00の電極としての導体層 1 1 30 hの強度がより向上したりする。

【0431】構成層 1 1 10 a， l l l O gのピール強度は、構成層 1 1 10 'b〜l 1 10 f のピール強度の 2倍以上であることがより好ましい。但し、構成層 1 110 a， l l l O gのピール強度は、構成層 1 1 10 b〜： L l l O f のピール強度の 20倍以下であることが好ましい。構成層 1 1 10 a， l l l O gのピール強度が構成層 1 1 10 b〜1 1 10 f のピール強度の 20倍を超えると、導体層（例えば銅箔）をかなり粗くしなければならず、パワーアンプ 1 100の高周波特性に悪影響が生じる。

【0432】構成層 1 1 10 a， l l l O gのピール強度は具体的には、 8 N / c m以上であることが好ましく、 1 ONZcm以上であることがより好ましい。この場合、構成層 1 1 10 a， l l l O gのピール強度が 8 NZ c m未満である場合に比べて、実装部品としての電気素子 1 1 20 a, 1 1 20 bの応力による欠損や端子としての導体層 1 130 hの剥がれ等の問題がより起こりにくくなるという利点が得られる。

【0433】構成層 1 1 10 a， l l l O gのピール強度は、 100 N/ c m 以下であることが好ましい。構成層 1 1 10 a， l l l O gのピール強度が 10 ΟΝ/cmを超えると、導体層（例えば銅箔）をかなり粗くしなければならず、パワーアンプ 1 100の高周波特性に悪影響が生じる。

【0434】なお、図 76において、構成層 1 1 10 dは、強化繊維からなるクロス 1 1 3 1を有し、コア基板を構成している。このクロス 1 1 3 1の材質及ぴ厚さは、前述した通りである。

【0435】上記導体層 1 1 30 a〜 1 1 30 hを構成する材料は、導電材料であれば特に制限されず、かかる導電材料としては、 Cu、 N i、 A l、 Au、 A g等が挙げられる。これらの中でも C uがより好ましい。 Cuは内部抵抗を小さくし、マイグレーションを起こしにくいためである。また電気素子 1 1 20 a, 1 1 20 bとしては、例えばコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等が用いられる。

【043 6】上記多層基板 1 1 1 0は、ビルドアップ工法、一括積層工法等の一般的なプリント基板の工法を用いて製造することが可能である。

(第 29実施形態）

【043 7】図 7 7は本発明の電子部品の第 2 9実施形態であるキャパシタ（コンデンサ）を示した透視斜視図、図 78は、本発明の電子部品の第 2 9実施形態であるキャパシタ（コンデンサ）を示した部分断面図である。

【043 8】図 77、図 7 8において、キャパシタ 1 200は、構成層 1 20 0 a〜l 200 gを積層してなる積層体と、構成層 1 200 b〜 1 200 g上に形成されている導体層 2 3と、積層体の両側にそれぞれ設けられる端子電極 2 2 とを備えている。そして、隣り合う内部導体 2 3は、それぞれ異なる端子電極 2 2に接続されている。また端子電極 22の両端にはランドパターン 2 1が設けられている。また各構成層 1 200 a， 1 200 gは、上記第 2 7実施形態の構成層 1 1 00 a， 1 1 00 bと同様の材料で構成され、各構成層 1 200 b〜 1 2 00 f は、第 2 7実施形態の構成層 1 1 1 0 b〜1 1 1 0 f と同様の材料で構成されている。即ち、構成層 1 200 a, 1 200 gの限界たわみ量は、構成層 1 200 b〜1 200 f の 1. 3倍以上となっており、構成層 1 200 b〜 1 20

0 f の誘電正接 t a η δは 0. 0 1以下となっている。従って、このキャパシタ

1 200によれば、製品化後においてキャパシタ 1 200に過大な負荷が加えられても、電気的特性を良好に維持しながらキャパシタ 1 20 0における欠損の発生を十分に防止することが可能となる。

【043 9】各構成層 1 200 a〜1 200 gは、キャパシタ 1 200を大容量化するには、構成層 1 200 b〜1 200 f の材料の誘電率をできるだけ高くする必要があり、そのためには、構成層 1 200 b〜 1 200 f 中に含まれる樹脂に対し、その樹脂より高い誘電率を有するセラミック粉末をコンポジットさせることが好ましい。また、キャパシタ 1 200を、高周波の電磁界が印加される用途に使用する場合には、キャパシタ 1 200の Qも電気特性に影響を与える場合が多いので、そのような場合には、 t a η δをできるだけ小さくすることが好ましく、そのためには、構成層 1 20 0 b〜1 200 f を構成する樹脂として、樹脂自体の t a η δが小さいものを選択する力、樹脂よりも t a η δの低いセラミック粉末をコンポジットすればよい。このような樹脂やセラミック粉末としては、第 2 7実施形態における樹脂やセラミック粉末を用いることができる。各構成層 1 200 a , 1 200 gは同一でも異なってもよく、最適な組み合せを選択すればよい。また各構成層 1 200 b〜1 200 f も同一でも異なってもよく、最適な組み合せを選択すればよい。

なお、上記実施形態と同一又は同等の構成要素には同一符号を付し、重複説明を省略する。

(第 30実施形態）

【0440】図 79は本発明の電子部品の第 3 0実施形態であるィンダクタを示した透視斜視図、図 8 0は、本発明の電子部品の第 30実施形態であるィンダクタを示した部分断面図である。

【044 1】図 79， 80において、ィンダクタ 1 300は、構成層 1 300 a〜 1 3 00 eを積層してなる積層体と、構成層 1 300 b〜1 300 eに設けられる内部導体 1 3 a〜 1 3 (導体層） dと、この内部導体 1 3 a〜 1 3 dを電気的に接続するためのビアホール 1 4とを有する。また内部導体 1 3とビアホーノレ 1 4とによりコイルパターン（導電性素子部）が構成されている。

【044 2】各構成層 1 3 00 a， 1 3 00 eは、上記第 2 8実施形態の構成層 1 1 1 0 a, l l l O gと同様の材料で構成され、各構成層 1 3 00 b〜 1 3 0 0 dは、第 2 8実施形態の構成層 1 1 1 0 b〜1 1 1 0 f と同様の材料で構成されている。即ち、構成層 1 300 a， 1 3 00 gの限界たわみ量は、構成層 1 3 00 b〜1 300 dの 1. 3倍以上となっており、構成層 1 300 b ~ 1 30

0 dの誘電正接 t a η δは 0. 0 1以下となっている。従って、このインダクタ 1 300によれば、製品化後においてインダクタ 1 300に過大な負荷が加えられても、電気的特性を良好に維持しながらインダクタ 1300における欠損の発生を十分に防止することが可能となる。

【0443】また、積層体の対向する両側面にはそれぞれ端子電極 1 2が設けられており、コイルパターンの両端部はそれぞれ、各端子電極 12に接続されている。なお、端子電極 1 2の両端にはランドパターン 1 1が設けられている。【0444】なお、各構成層 1 300 a， 1 300 eは同一でも異なってもよく、最適な組み合せを選択すればよい。また各構成層 1 300 b〜1 300 dも同一でも異なってもよく、最適な組み合わせを選択すればよい。なお、上記実施形態と同一又は同等の構成要素には同一符号を付し、重複説明を省略する。

【0445】なお、内部導体 1 3 a〜 1 3 dは、ビアホール 14とともにへリカル状に構成されているが、ビアホーノレ 14を除去し、内部導体 1 3 a〜13 d を 1つにまとめてこれをミアンダ状に構成してもよい。このような構成でも、ィンダクタとして機能することが可能である。

【0446】本発明は、前述した実施形態に限定されるものではない。例えば本発明の電子部品は、上記第 1〜第 27実施形態に記載の電子部品のほか、コィルコア、トロイダルコア、円盤コンデンサ、貫通コンデンサ、クランプフィルタ、コモンモードフィルタ、 EMCフイノレタ、電源用フィルタ、パルストランス、偏向コイル、チョークコイル、 DC— DCコンバータ、ディレイライン、電波吸収シート、薄型電波吸収体、電磁シールド、ダイプレクサ、デュプレクサ、アンテナスィツチモジユーノレ、アンテナフロントェンドモジユーノレ、アイソレータ ■ノヽ⁰ ヮーアンプモジユーノレ、 PLLモジユーノレ、フロントエンドモジユーノレ、チューナーュニット、方向性結合器、ダブルバランスドミキサー（DBM)、電力合成器、電力分配器、トナーセンサ、電流センサ、ァクチユエータ、サゥンダ（圧電型音声発生器）、マイク、レシーバ、ブザー、 PTCサーミスタ、温度ヒューズ、フエライト磁石等であってもよい。【0 4 4 7】また上記第 2 8〜第 3 0実施形態では、電子部品として、パワーアンプ 1 1 0 0、キャパシタ 1 2 0 0、インダクタ 1 3 0 0が用いられているが、本発明の電子部品は、上記パワーアンプ、キャパシタ、インダクタのほかに、 V C O、アンテナスィッチモジユーノレ、フロントエンドモジユー/レ、 P L Lモジュール、 R Fチューナーモジュール、 R Fユニット、重畳モジュール、 T C X O等に適用することも可能である。

【0 4 4 8】また、上記第 2 8〜第 3 0実施形態では、最外層の限界たわみ量力それらの間に配置される構成層の 1 . 3倍以上となっているが、最外層のピール強度が、それらの間に配置される構成層の 1 . 5倍以上となっていれば、必ずしも最外層の限界たわみ量が、それらの間に配置される構成層の 1 . 3倍以上となっている必要はない。この場合でも、製品化後において電子部品に過大な負荷が加えられても、電気的特性を良好に維持しながら電子部品における欠損の発生を十分に防止することが可能となる。なお、最外層のピール強度は、それらの間に配置される構成層の 2 0倍以下であることが好ましい。最外層のピール強度がそれらの間に配置される構成層のピール強度の 2 0倍を超えると、導体層（例えば銅箔）をかなり粗くしなければならず、電子部品の高周波特性に悪影響が生じる。

【0 4 4 9】また、上記第 2 8〜第 3 0実施形態では、 2つの最外層のいずれも、それらの間に配置される構成層の 1 . 3倍以上の限界たわみ量を有している力いずれか一方の最外層の限界たわみ量が、上記構成層の 1 . 3倍以上であればよい。この場合でも、製品化後において電子部品に過大な負荷が加えられても、電気的特性を良好に維持しながら電子部品における欠損の発生を十分に防止することが可能となる。

【0 4 5 0】以下、本発明の好適な実施例についてさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

(製造例 A：活性エステル化合物の合成）【045 1】窒素導入管を備えた 2 Lのセパラプルフラスコに、蒸留水 900 niL及び水酸化ナトリウム 0. 5833モル（23. 33 g)を入れ、窒素導入管より窒素を充分にパブリングさせ、蒸留水中及び反応系内の酸素を除去した。そこへ、 a—ナフトール 0. 54モノレ（77. 85 g)を 1時間かけて溶解させ、 α 一ナフトール溶液を得た。これとは別に、 60 °Cまで昇温した別のフラスコにトルェン 600 m Lを入れ、ィソフタル酸ク口ライド（東京化成工業株式会社製） 0. 27モノレ（54. 82 g)を溶解させた。

【0452】このイソフタル酸クロライド溶液を 60°Cに昇温し、ファードラ一翼にて 300回転で撹拌している上記 α—ナフトール溶液中に 1 5秒かけて滴下し、そのままの回転数で 4時間保持し反応させた。反応終了後、静置分液し水相を取り除いた。トルエン相について 0. 5%炭酸ソーダ水にて洗浄 30分と静置分液とを 3回繰り返した後、脱イオン水にて洗浄 30分と静置分液とを 3回繰り返した。その後、昇温してトルエンを 40 OmL程度除去し濃縮した後、へブタン 60 OmLを 1 5秒で滴下し、ジ（ α—ナフチル）イソフタレートを析出させた。これを濾過して、 30 OmLのメタノールで 30分室温にて洗浄し、濾過一乾燥により、活性エステル化合物であるジ（_α—ナフチノレ）イソフタレート 10 6 gを得た。エステル化率は 99. 8%であった。以下、得られたジ（α—ナフチル）イソフタレートを Γ I AANJ と呼ぶ。

(製造例 Β ：ポリアリレートの合成）

【0453】 1. 031 k gの塩化イソテレフタロイノレ、 0. 258 k gの塩化テレフタロイル、 0. 057 k gの塩化メチルトトリオクチルアンモェゥム及び 27. 3 k gのトルエンからなる溶液と、 1. 540 k gの 3, 3，一 5， 5，一テトラメチルビフエノール、 0. 648 k gの水酸化ナトリウム及び 1 9. 2 k gの脱酸素水からなる溶液を 100 L釜の中で 1 1°Cにて 30分間、撹拌混合し接触させた。

【0454】生成液を静置分離後、水相を除去し、次いでトルエン相を 3回繰り返し水で洗浄した。続いて得られたトルエン相に、貧溶媒であるメタノールを各々 10 L/分、 100 LZ分の速度で供給し、連続式剪断機（太平洋機ェ製ファインフローミル FM— 25、ブレード周速 = 15mZ秒）に連続的に通じて、沈殿操作（ポリアリレートの析出）を行った。次いで得られたポリアリレートを濾材上に捕集し、釜中で 80°Cの温水で 30分間洗浄、濾過を 3回繰り返し、その後、乾燥してポリアリレートを得た。クロ口ホルム中（0. l g/d L) 30°C で、ウベローデ粘度計にて決定したポリアリレートのインへレント粘度は、 1. 5 d LZgであった。以下、得られたポリアリレートを「ポリアリレート 1」と呼ぶ。

(実施例 A 1 )

【0455】 BaNd₂Ti0₄系誘電体セラミック粉末（平均粒径 1. 6 μ m、ギガ H z帯における誘電特性： _£ 90ZQ 1 700、 TDK (株）） 177重量部、有機溶剤であるテトラヒドロフラン 620重量部、カツプリング剤である KBM57 3 (信越化学工業 (株)） 0. 9重量部を 5リットルビーカに入れ、撹拌機を用いて 4時間撹拌処理を行った。その後エポキシ樹脂である EP I CLON HP 720

OH (大日本インキ化学工業 (株）） 174重量部、活性エステル化合物である I A AN 1 58重量部、難燃剤である E P I CLON1 52 (大日本ィンキ化学ェ業 (株）） 48重量部、硬化促進剤であるキュアゾール 2 E 4MZ (四国化成工業 (株）） 1. 1重量部を添加し、完全に溶解、分散するまで撹拌を行い、ペースト (ペースト A) を得た。

【0456】一方、ポリアリレート 1の 67重量部と有機溶剤であるテトラヒドロフラン 840重量部を 2リットルビーカに入れて完全にポリアリレートが溶解、分散するまで撹拌を行い、ペースト（ペースト B) を得た。

【0457】次いで、上記ペースト Bをペースト Aのビーカ中に入れて、完全に分散するまで撹拌を行ないペースト（ペースト C) を得た。

【0458】このペースト Cを 18 μπα電解銅箔（CF— Τ 9、福田金属箔ェ業（株））若しくは 50 / mPETフィルム上にドクターブレードを用いて塗工し、 50°C/10分 + 120°C/10分の乾燥処理を行った。得られた樹脂組成物の厚さは 50 mであった。これを 12枚重ねて高温真空プレス機（KVHC型、北川精機 (株)）にて、「2°CZ分にて 30°Cから 150°Cまで昇温後、 60分保持した後 3 °C /分にて 1 90 °Cまで昇温し 60分保持する温度プロファイル、 3 M P aの圧力、 30 t o r r以下の真空度」の条件にてプレスを行った。プレス後に得られた樹脂組成物の硬化物の厚さは 500 μπιであった。

(実施例 A 2〜A 1 1 )

【0459】表 1に記載の材料を同表記載の重量用いた他は実施例 A 1と同様にして、 BaNd₂Ti0₄系誘電体セラミック粉末を含む硬化物を得た。

(実施例 B 1〜B 8)

【0460】表 2に記載の材料を同表記載の重量用いた他は実施例 A 1と同様にして、 Ba₂Ti₉0₂。系誘電体セラミック粉末（平均粒径 1. 7 μ m、ギガ H z帯における誘電特性： E 3 9ZQ9 0 0 0、 TDK (株））を含む硬化物を得た。

(実施例 C 1〜C 8)

【046 1】表 3に記載の材料を同表記载の重量用いた他は実施例 A 1と同様にして、 A1₂0₃系誘電体セラミック粉末（平均粒径 2. 2 μ m、ギガ H z帯における誘電特性： ε 9. 8 ZQ 40000、 TDK (株)）を含む硬化物を得た。

(比較例 1 )

【0462】表 2に記載の材料を同表記載の重量用いた他は実施例 B 5と同様にして、ェポキシ樹脂及び活性ェステル化合物に代えて 332 gのポリビエルべンジルエーテルを含む硬化物を得た。

【0463】実施例 A1〜A1 1、 B 1〜B 8及び C 1〜C 8で得られた硬化物を用いて以下の方法により誘電率、誘電正接、ガラス転移温度及び吸水率を求めた。

(誘電率及び誘電正接）【0464】硬化物を、長さ 10 Omm、幅 1. 5 mm、厚さ 0. 5 mmの棒状試料とし、空洞共振器摂動法（TDK (株）開発高周波誘電特性測定装置、ヒユーレツトパッカード（株）製 8362 OA及ぴ 8757Dを使用）にて 2 GHz の周波数にて誘電率及び誘電正接の測定を行った。

(ガラス転移温度）

【0465】 J I S C 6481の測定方法に準拠し、 D S C— 50 (島津製作所製）を用いて、 10°CZ分の昇温にて 30°Cから 200°Cの温度範囲で測定を行い、発熱、吸熱曲線のオンセット及びエンドセットの中点温度を計算しガラス転移温度を求めた。

(吸水率）

【0466】硬ィ匕物を、長さ 5 Omm、畐 5 Omm、厚さ 0. 5 mmの平板状試料とし、 1 20°C/1時間の減圧乾燥（減圧度 5 t o r r以下）を行い、 25 °C /60%RHに保たれた定温定湿槽に 1時間放置した後、精密天秤（ER— 18 2A、研精工業 (株））にて初期重量を測定した。その後 85°CZ85°/₀RHの高温高湿槽に 24時間放置して当該槽より取り出し、 25°C/60%RHに保たれた定温定湿槽に 1時間放置した後、上記精密天枰にて試験後重量を測定した。吸水率は下記式より算出した。

【0467】吸水率（％) = (試験後重量一初期重量）ノ初期重量 X 100 【0468】また、実施例 A 1 ~A 1 1、 B 1〜B 8及び C 1〜C 8において得られたペースト C (又はペースト C該当物）を用いて、以下の方法により流動性の試験を行った。

(流動性）

【0469】 18 μπι電解銅箔上に、長さ 10 Omm、幅 100 mm、厚さ 0.

05 mmとなるようにペースト C (又はペースト C該当物) を塗工し、 50°C/ 10分 + 1 20°C/10分にて乾燥処理を行い、樹脂付銅箔を作製した。この樹脂付き銅箔のおもて面及び裏面にリリースフィルム、治具板（厚さ： 2mm) 及ぴクッション材を順次重ねて、高温真空プレス機（KVHC型、北川精機 (株)）にて、「2°C/分にて 30°Cから 1 50°Cまで昇温後 60分保持の温度プロファィル、 3MP aの圧力、 30 t o r r以下の真空度」の条件でプレスを行い、プレス後の寸法変化を測定し、下記式により流動性を算出した。

【0470】流動性（％) = (プレス後面積一プレス前面積） /プレス前面積 X 100

【0471】上記試験の結果を樹脂組成物の組成とともに以下の表 1〜表 3に示す。なお、上記条件で測定した誘電率の値が 3. 0以上であれば高誘電率であるということができ、誘電正接が 0. 0045以下であれば低誘電正接であるということができる。また、ガラス転移温度が 1 30°C以上であれば当該温度が高いということができ、吸水率の値が 0. 20%以下であれば吸水率が低いということができる。表 1〜表 3の流動性の欄には〇及び△を記載しているが、〇は流動性が 101。/。以上を意味し、 △は流動性が 100. 1 %以上 101 %未満を意味する。

1— '

実 fe例実施例実施例実施例実施例実施例実施例実施例実施例実施例実施例

A1 A2 A3 A4 A5 A6 Aフ A8 A9 A1 0 Al 1 エホキン il曰 EPIGLON-HP7200H 1 /4 174 1 /4 Ί /4 1 / 1 /4 1 /4 - 11 /4 \ 1 1

YX-4000 15

1

生 _ii> レ 1tさ^) ΙΑΑΝ 158 158 158 1 bo Ί Oo Ί θο 1 OO 1 OO 1 uo 1 no η、りァリレ一卜 71、¹リ ,リレ一 hi 0 / o / 0 / D I 0 / D/ an β D" /7 D / ft-7

難燃剤 EPICLONl o2 4o 4o 4o u

化促進剤キュアソール 2E4MZ 1.1 1.1 l. i 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1

DMAP 1.1 1.1 有機溶剤 THF 1460 1460 1460 460 1 DU 1460 1460 ■ 1t4 * aonU 1 bU ィ 14 jtcbnU 誘電体セラミック粉末 BaNd₂Ti₄0₁₂ ¾ 177 354 708 1062 1415 1769 2123 2300 1410 la /Ί

Ba₂Ti₉O₂₀糸

Al₂0₃

表面処理剤 KBM573 u.y 1 I , ao . o.y 1 u.o 1 1 ·3 7 11

誘電体セラミック粉末配合量 (体積部） 5 10 20 30 40 50 60 65 40 40 0 誘電率（2GHz) 摂動法 (空洞共振器法） 3.2 3.8 5.5 7.9 11.3 15.9 22.0 24.0 11.2 11.2 2.8 誘電正接 (2GHz) 摂動法 (空洞共振器法） 0.0043 0.0042 0.0038 0.0036 0.0033 0.0031 0.0029 0.0027 0.0034 0.0030 0.0048 流動性〇〇〇 O 〇 O O 厶 O 〇 O ガラス転移温度 DSC法（。C) 132 133 133 133 133 134 134 133 136 134 132 吸水率 85°C85¾RH x 24時間 (％) 0.19 0.16 0.13 0.09 0.07 0.05 0.04 0.04 0.07 0.07 0.21

EPICLON-HP7200H (ジシクロペンタジェン型エポキシ樹脂、エポキシ当量: ²80、大日本インキ化学工業社)、 YX- 4000 (ビフエノール型エポキシ樹脂、エポキシ当量： 186、油化シェルエポキシ社）、 EPICL0N1 52(臭素化ビスフエノール A型エポキシ樹脂、エポキシ当量: 360、臭素含有率 45%、大日本インキ化学工業社）、キュア'/—ル 2E4MZ (2—ェチル一 4ーメチルイミダゾール、四国化成工業社）、 DMAP (ジメチルァミノピリジン、東京化成工業社）、 KBM573 (N—フエ二ルー

r一アミ二プロピルトリエトキシシラン、信越化学工業社）

実施例実施例実施例実施例実施例実施例実施例実施例比較例

CO

B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 1

エポキシ樹脂 EPICLON-HP7200H 174 174 174 174 174 174 174 174 -

YX- 4000 ― 一 ― 一 ― 一 ― 一 - 活性エステル化合物 IAAN 158 158 158 158 158 158 158 158 ―

ホ。リビニル^ンシ 'ルエー亍ル一 ― 一一 ― 一 - 一 332

ポリアりレートポリアリレート 1 67 67 67 6フ 67 67 67 67 67

難燃剤 EPIGL0N1 52 48 48 48 48 48 48 48 48 48

硬化促進剤キュアソ'ール 2E4MZ 1.1 l 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1Λ 1.1

DMAP 一 ― - ― ― 一 ― 一一

有機溶剤 THF 1460 1460 1460 1460 1460 1460 1460 1460 1460 誘電体セラミック粉末 BaN Ti₄O_j2系 ― ― 一一 ― 一 ― 一 ―

Ba₂l ₉Ο₂₀糸 177 354 708 1062 1415 1769 2123 2300 1415

Al₂0₃ - ― ― - - ― 一 ― - 表面処理剤 KBM573 0.9 1.8 3.5 5.3 7.1 8.9 10.6 11.5 7.1

誘電体セラミック粉末配合量 (体積部） 5 10 20 30 40 50 60 65 40

誘電率 (2GHz) 摂動法 (空洞共振器法） 3.1 3.6 5.0 6.9 9.2 12.1 15.7 17.2

誘電正接 (2GHz) 摂動法 (空洞共振器法） 0.0042 0.0041 0.0036 0.0035 0.0034 0.0030 0.0028 0.0027

流動性〇 O 〇 O 〇〇〇 Δ

ガラス転移温度 DSC法 (。C) 131 133 133 134 134 133 135 134

吸水率 85°C85¾RH X 24時間 C 0.2 0.17 0.14 0.1 0.08 0.06 0.05 0.04

EPICLON- HP7200H (ジシクロペンタジェン型エポキシ樹脂、エポキシ当量: 280、大日本インキ化学工業社）、 YX-400C ビフエノール型エポキシ樹脂、エポキシ当量: 186、油化シェルエポキシ社）、 ERGL0N1 52 (臭素化ビスフエノ一ル A型エポキシ樹脂、エポキシ当量 _: 3δ0、臭素含有率 45%、大日本インキ化学工業社）、キュアソ'—ル 2E4MZ (2—ェチルー 4一メチルイミダゾ一ル、四国化成工業社）、 DMAP (ジメチルァミノピリジン、東京化成工業社）、 KBM573 (N—フエ二ルーァ一ァミニプロピルトリエトキシシラン、信越化学工業社）

%

CO

8 C 641 IS

»is fw 〇一 C

EPICLON-HP7200H〈ジシクロペンタジェン型エポキシ樹脂、エポキシ当量: 280、大日本インキ化学工業社)、 YX-40t)0(ビフエノ一ル型エポキシ樹脂、エポキシ当量： 186、油化シェルエポキシ社）、 EPIGLON1 52 (臭素化ビスフエノ一ル A型エポキシ樹脂、エポキシ当量 :360、臭素含有率 45%、大日本インキ化学工業社）、キュアソ 'ール 2E4MZ(2—ェチルー 4ーメチルイミダゾール、四国化成工業社）、 DMAP (ジメチルァミノピリジン、東京化成工業社）、 KBM573 (N—フエ二ルー八 r一アミ二プロピルトリエトキシシラン、信越化学工業社）

oo

S C 6481に準拠）を測定した。得られた結果を以下の表 4に示す。また、実施例 B 5については、誘電率を測定したサイズの棒状試料を 1 25°Cで 1000 時間加熱し、加熱開始から 240時間後、 500時間後及び 1000時間後の誘電率を上記と同様の条件で測定し、加熱を行わないで測定した誘電率との差を求めた。得られた結果を図 81に示す。図 81に示されるように、実施例 B 5の硬化物については、高温に長時間保持した場合の誘電率の上昇は僅かであった。表 4

(実施例 1 )

【0473】 BaNd₂Ti0₄系誘電体セラミック粉末（平均粒径 1. 6 μ m、ギガ H z帯における誘電特性： ε 90/Q 1 700, T D Κ (株）） 1 77重量部、有機溶剤であるテトラヒドロフラン 620重量部、カツプリング剤である ΚΒΜ57 3 (信越化学工業 (株)） 0. 9重量部を 5リットルビーカに入れ、撹拌機を用いて 4時間撹拌処理を行った。その後エポキシ樹脂である E P I CLON HP 720 OH (大 S本インキ化学工業 (株）） 1 74重量部、活性エステル化合物である I

AAN1 58重量部、難燃剤である EP I C LON 1 52 (大日本インキ化学ェ業 (株）) 48重量部、硬化促進剤であるキュアゾール 2 E4MZ (四国化成工業 (株)） 1. 1重量部を添加し、完全に溶解、分散するまで撹拌を行い、ペースト (ペースト D) を得た。

【0474】一方、ポリアリレート 1の 67重量部と有機溶剤であるテトラヒドロフラン 840重量部を 2リットルビーカに入れて完全にポリアリレートが溶解、分散するまで撹拌を行い、ペースト（ペースト E) を得た。【047 5】次いで、上記ペースト Eをペースト Dのビーカ中に入れて、完全に分散するまで撹拌を行いペースト（ペースト F) を得た。

【047 6】このペースト Fを 2 1 1 6タイプガラスクロス（NE A 2 1 1 6、厚さ： 1 Ο Ο μπι、 0東紡績（株） ) に塗工し、 50。C/ 1 0分 + 1 20。 / 1 0 分の乾燥処理を行いプリプレダを得た。得られたプリプレダの厚さは 1 70 //m であった。これを 3枚重ねて高温真空プレス機（KVHC型、北川精機 (株））にて、「 2 °C/分にて 3 0 °C〜 1 50 °Cまで昇温後、 6 0分保持した後 3 °CZ分にて 1 90°Cまで昇温後 60分保持の温度プロファイル、 3MP aの圧力、 3 0 t o r_r以下の真空度」の条件にてプレスを行い、シート状樹脂硬化物を得た。得られたシ一ト状樹脂硬化物の厚さは 500 μιηであった。

(実施例 2〜 9 )

【04 7 7】表 5に記載の材料を同表記載の重量用いた他は実施例 1と同様にして、 BaNd₂Ti0₄系誘電体セラミック粉末を含むプリプレダ及びシート状樹脂硬化物を得た。

(実施例 1 0)

【0478】表 5に記載の材料を同表記載の重量用いた他は実施例 1と同様にして、 Ba₂Ti_g0₂。系誘電体セラミック粉末（平均粒径 1. 7 μ m、ギガ H z帯における誘電特性： E 3 9ZQ 9000、 TDK (株））を含むプリプレダ及びシート状樹脂硬化物を得た。

(実施例 1 1 )

【04 7 9】表 5に記載の材料を同表記載の重量用いた他は実施例 1と同様にして、 A1₂0₃系誘電体セラミック粉末（平均粒径 2. 2 Z m、ギガ H z帯における誘電特性： ε 9. 8/Q40000, TDK (株））を含むプリプレダ及びシート状樹脂硬化物を得た。

【048 0】実施例 1〜 1 1で得られたシート状樹脂硬化物を用いて実施例 A

1と同様の方法により誘電率、誘電正接、ガラス転移温度及び吸水率を求めた。【0481】また、実施例 1〜 9において得られたペースト F (又はペースト F該当物）を用いて、以下の方法により充填性■接着性の試験を行った。

(充填性 ·接着性）

【0482】 21 16タイプガラスクロス（NEA21 16、厚さ： 100 m、日東紡績（株)）に、厚さ 1 7 mmとなるようにペースト F (又はペースト F該当物）を塗工し、 50°C/10分 + 1 20°C/10分にて乾燥処理を行い、プリプレダを作製した。このプリプレダのおもて面及び裏面に厚さ 1 の電解銅箔（CF— T9、福田金属工業 (株)）、治具板（厚さ 2mm)、クッション材を順次重ねて、高温真空プレス機（KVHC型、北川精機 (株)）にて、「2°C/分にて 30°C〜1 50°Cまで昇温後、 60分保持の温度プロファイル、 3 MP aの圧力、

30 t o r r以下の真空度」の条件にてプレスを行った。こうして積層板（両面金属箔付基板）を作製し、内部の充填性を SEMにて観察し、金属箔への接着性を 10 OmniX 100 mmの範囲で金属箔を引き剥がすことにより評価した。【0483】上記試験の結果を組成とともに以下の表 5に示す。なお、上記条件で測定した誘電率の値が 3.6以上であれば高誘電率であるということができ、誘電正接が 0. 05以下であれば低誘電正接であるということができる。また、ガラス転移温度が 120°C以上であれば当該温度が高いということができ、吸水率の値が 0. 1 %以下であれば吸水率が低いということができる。表 5の充填製 - 接着性の欄には〇及び厶を記載しているが、〇は隙間なく充填され、なおかつプリプレダ間の接着が良好であることを意味し、 △は隙間が部分的に見られ、プリプレグ間の接着が完全ではないことを意味する。

実施例実施例実施例実施例実施例実施例実施例実施例実施例実施例実施例

1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 0 1 1 エポキシ樹脂 EPIGLON-HP7200H 174 174 174 174 174 174 174 174 177 174 174

YX-4000 _ _ 一 ― _ 75 ― 一活性エステル化合物 IAAN 158 158 158 158 158 158 158 158 240 158 158 ポリアリレートポリアリレー M 67 67 67 67 67 67 67 67 93 67 67 難燃剤 EPICL0N1 52 48 48 48 48 48 48 48 48 36 48 48 硬化促進剤キュアソ *ール 2E4MZ 1.1 1 ,1 1.1 1.1 1.1 1,1 1.1 一 ― 1.1 1.1

DMAP 一 ― 一一 ― 一 ― 1.1 1.1 ― 一有機溶剤 THF 1460 1460 1460 1460 1460 1460 1460 1460 1460 1460 1460 誘電体セラミック粉末 BaNd₂Ti₄0,₂系 177 354 708 1062 1415 1769 1730 1415 1971 一 ―

Ba₂Ti₉O₂₀ 一 _ _ _: _ 一 _ . 1415

AIA _ 一 1415 表面処理剤 BM573 0.9 1.8 3.5 5.3 7.1 8.9 8.7 7.1 9.9 7.1 7.1 誘電体セラミック粉末配合量 (体積部） 5 10 20 30 40 50 55 40 40 40 40 誘電率（2GHz) 摂動法 (空洞共振器法） 3.6 4 4.8 6.8 9.7 12.3 13.1 10.2 10.1 8.1 4.7 誘電正接 (2GHz) 摂動法 (空洞共振器法） 0.0031 0.0033 0.0036 0.0038 0.0038 0.0040 0.0042 0 038 0.0030 0.0033 0.003 ⁰ 充填性 ·接着性 O O 〇 O 〇〇厶〇〇

ガラス転移温度 DSC法 (。C) 133 134 133 133 134 133 132 133 135 134 132 吸水率 85°C85¾RH X 24時間 (%) 0.08 0.07 0.06 0.05 0.04 0.04 0.04 0.04 0.04 0.05 0.04

EPICLON-HP7200H (ジシクロペンタジェン型エポキシ樹脂、エポキシ当量： 280、大日本インキ化学工業社)、 YX- 40∞ (ビフエノ一ル型エポキシ樹脂、エポキシ当量: 186、油化シェルエポキシ社)、 EPICLON1 52 (臭素化ビスフエノール A型エポキシ樹脂、エポキシ当量 :360、臭素含有率 45%、大日本インキ化学工業社）、キュアソ '—ル 2E4MZ (2—ェチル一4—メチルイミダゾール、四国化成工業社）、 DMAP (ジメチルァミノピリジン、東京化成工業社）、 KBM573 (N—フエニル一 Y一アミ二プロピルトリエトキシシラン、信越化学工業社）

(実施例 1 2 )

【0484】 Ba₂Ti₉0₂。系誘電体セラミック粉末（平均粒径 1. 7 i m、周波数ギガ Hz帯における誘電特性： ε 3 9/Q 9 0 ◦ 0、 TDK (株）） 1 4 1 5重量部、有機溶剤であるテトラヒドロフラン 6 20重量部、カツプリング剤である K BM5 7 3 (信越化学工業 (株)） 7. 1重量部を 5リットルビーカに入れ、撹拌機を用いて 4時間撹拌処理を行った。その後エポキシ樹脂である EP I C LON H P 7 20 OH (大 S本インキ化学工業（株）） 1 74重量部、活性エステル化合物である I AAN 1 58重量部、難燃剤である E P I C LON 1 5 2 (大日本インキ化学工業（株）） 48重量部、硬化促進剤であるキュアゾール 2 E4MZ (四国化成工業 (株)） 1. 1重量部を添加し、完全に溶解、分散するまで撹拌を行い、ペースト（ペースト G) を得た。

【048 5】一方、ポリアリレート 1の 6 7重量部と有機溶剤であるテトラヒドロフラン 840重量部を 2リットルビーカに入れて完全にポリアリレートが溶解、分散するまで撹拌を行い、ペースト（ペースト H) を得た。

【048 6】次いで、上記ペースト Hをペースト Gのビーカ中に入れて、完全に分散するまで撹拌を行いペースト（ペースト I ) を得た。

【048 7】このペースト Iを 1 8 / m電解銅箔（CF— T 9、福田金属箔ェ業（株））若しくは 50 μπιΡΕΤフイノレム上にドクターブレードを用いて塗工し、 5 0°C/1 0分 + 1 20°C/1 0分の乾燥処理を行った。得られたシートの厚さは 5 0 μπιであった。これを 1 2枚重ねて高温真空プレス機（KVHC型、北川精機 (株)）にて、「2でノ分にて 30°Cから 1 5 0°Cまで昇温後、 60分保持した後 3°C/分にて 1 90°Cまで昇温し 60分保持する温度プロファイル、 3 MP a の圧力、 3 0 t o r r以下の真空度」の条件にてプレスを行った。プレス後に得られたシートの硬化物の厚さは 5 00 μπιであった。

(比較例 2 )

【048 8】表 6に記載の材料を同表記載の重量用いた他は実施例 1 2と同様にして、エポキシ樹脂及び活性エステル化合物に代えて 332 gのポリビエルべンジルエーテルを含む硬化物を得た。なお、表 6中、可撓性付与材として使用したタフテック HI 043は、スチレン一ブタジエン一スチレントリブロック共重合体を水素添加したもの（旭化成社製）であり、 SAYTEX BT93は、ェチレンビステトラブロモフタルイミド (アルべマール社製) である。

【048 9】実施例 1 2で得られたシート硬化物を用いて上記実施例 A 1と同様の方法により比誘電率、誘電正接、ガラス転移温度及ぴ吸水率を求めた。

【0490】またシート硬化物に対する曲げ強度（MP a) は、 J I S C 6 48 1に準拠して測定した。

【0491】上記試験の結果を樹脂組成物の組成とともに以下の表 6に示す。なお、上記条件で測定した比誘電率の値が 3. 6以上であれば高誘電率であるということができ、誘電正接が 0. 05以下であれば低誘電正接であるということができる。また、ガラス転移温度が 1 20°C以上であれば当該温度が高いということができ、吸水率の値が 0. 1以下であれば吸水率が低いということができる。

表 6

【0 4 9 2】表 6に示すように、実施例 1 2のシート硬化物については、曲げ強度が大きかったのに対し、比較例 2のシート硬化物については、曲げ強度が小さかった。このことから、実施例 12のシート硬化物により構成される電子部品は、その取扱い時において、変形や欠損等が起こり難いものと考えられる。【0493】（実施例 1 3 )

【0494】以下のようにして、図 82に示す電子部品としてのパワーアンプモジュールを作製した。なお、図 82において、図 76と同一又は同等の構成要素には同一符号を付してある。

【0495】まず下記構造式（I) ：

(上記式（I) 中、 Riはメチル基、 1 ₂が1 ₂がべンジル基、 R ₃がビュルべンジル基を表し、 nは 3である）

で表される分子量約 6000のビニルベンジル樹脂（ポリビュルべンジルエーテル化合物（VB)) とタフテック HI 043をトルエンに入れ、完全に溶解するまで撹拌した。そこに、 SAYTEXBT 93、ジクミルパーオキサイド、 B aN d ₂T i ₄0₁₂ (平均粒径 0. 2 μπι、比誘電率 93)、 ΚΒΜ573と、 20m πιφのジルコニァボールを 200 g入れ、 4時間ボールミルで混合した。

【0496】こうしてペースト（以下、「ペースト】」という）を得た。このとき、ペースト J中のセラミック粉末の含有率が約 40体積％となるようにした。そして、ペースト Jを 1 2 m電解銅箔（J TM、日鉱マテリアルズ (株)）上にドクターブレードを用いて塗工し、 120°Cで 5分の乾燥処理を行い、厚さ 50 μιηのシート（以下、シート Αという）を得た。上記のようにして同一のシート Aを 4枚用意した。なお、ペースト Jの誘電率は約 10、 t a n Sは約 0. 00 25であった。またシート Aについて曲げ強度、曲げ弾性率及びピール強度を測定したところ、曲げ強度は 8 OMP aであり、曲げ弾性率は 8 GP aであった。ピール強度は 1 2 Aim銅箔で 4. 2N/cmであった。またシート Aについて限界たわみ量を測定したところ、限界たわみ量は 3. 6 mmであった。なお、曲げ強度は、上記と同様の方法によって測定し、曲げ弾性率は、 J I S K69 1 1 に準拠して測定した。

【0497】一方、エポキシ樹脂に、溶融シリカからなるセラミック粉末（電気化学工業 FB— 3 SX) をコンポジットし、ペースト（以下、「ペースト」という）を得た。このとき、ペースト K中のセラミック粉末の含有率が約 1 5体積％となるようにした。そして、ペースト Kを 1 2 /zm電解銅箔（J TM、日鉱マテリアルズ (株））上にドクターブレードを用いて塗工し、 1 10°Cで 5分の乾燥処理を行い、厚さ 50 /xmのシート（以下、シート Bという）を得た。上記のようにしてシート Bを 2枚用意した。ペースト Kの誘電率は約 3. 2、 t a η δは約 0. 01 1であった。またシート Bについて曲げ強度、曲げ弾性率及びピール強度を測定したところ、曲げ強度は 14 OMP aであり、曲げ弾性率は 5 GP aであった。ピール強度は 1 2 μ銅箔で 1 1 NZcmであり、シート Aのピール強度の 2. 2倍であった。またシート Bの限界たわみ量は 5. 7 mmであり、シート Aの 2. 3倍であった。なお、曲げ強度、曲げ弾性率及びピール強度は、上記と同様にして測定した。

【0498】次に、 2枚のシート Bの間に、ペースト D及び厚さ約 95 /imのガラスクロス 1 1 31で構成される厚さ 1 50 mのコア基板を配置し、 2枚のシート Bとコア基板との間にはそれぞれ、シート Aを 2枚ずつ配置した。そして、シート A、コア基板及びシート Bを重ねて高温真空プレス機（KVHC型、北川精機 (株））を用い、プレス圧を 4 MP aに保持しながら、 3°CZ分で昇温した後、 1 50°Cで 40分保持し、 4 分で昇温した後、 200°Cで 180分保持するという条件でプレスを行った。こうして、構成層 1 1 10 a〜 1 1 1 0 g及び導 . 1 3 0 a〜 1 1 3 0 hで構成される多層基板 1 1 1 0を得た。

【0 4 9 9】続いて、多層基板 1 1 1 0上に、電気素子として、増幅回路を内蔵した半導体のベアチップ 1 1 2 0 aをワイヤボンディングによって実装した後、このベアチップ 1 1 2 0 aをエポキシ樹脂及びシリカからなる樹脂組成物 1 1 4 0でモールドした。更に多層基板上には電気素子としてチップコンデンサ 1 1 2

0 bを実装した。こうして図 8 2に示すパワーアンプモジュール 1 1 0 0を得た。【0 5 0 0】（比較例 3 )

【0 5 0 1】シート Bを全てシート Aに代えた以外は以外は実施例 1 3と同様にしてパワーアンプモジュールを得た。従って、このパワーアンプモジュールにおいては、最外層の限界たわみ量は、その内側の層の 1倍となり、最外層のピール強度は、その内側の層の 1倍となる。

(電気的特性及び機械的特性試験）

【0 5 0 2】上記のようにして得られた実施例 1 3及ぴ比較例 3のパワーァンプモジュールについて以下のようにして電気的特性及び機械的特性の試験を行つた。

【0 5 0 3】即ち電気的特性の試験は、シグナルジェネレータ、パワーメータ、スペクトラムアナライザ等の測定器を用い、出力レベル、効率、歪み等の測定を行った。一方、機械的特性の試験は、実装部品であるチップコンデンサ 1 1 2 0 bの横押し強度、たわみ試験、固着強度試験、引き剥がし試験を、いずれも J I S C 7 2 1 0に従って測定した。

【0 5 0 4】その結果、実施例 1 3及び比較例 3のパワーアンプモジュールのいずれにおいても、電気的特性が良好に維持されていることが分かった。これに対し、実施例 1 3のパワーァ'ンプモジュールは、比較例 3のパワーアンプモジュールよりも欠損の発生を十分に防止できることが分かった。

産業上の利用可能性【0 5 0 5】以上説明したように、本発明の樹脂組成物、樹脂硬化物、シート状樹脂硬化物、積層体、プリプレダ、電子部品及び多層基板によれば、電子部品の特性を十分に向上させることができる。

Claims

言青求の範囲

1 . フノール性水酸基を有する化合物及ぴ該フヱノール性水酸基と反応してエステル結合を形成する基を 2以上有する化合物を反応させてなる活性エステル化合物と、エポキシ樹脂と、からなる硬化性混合物と、

前記硬化性混合物に配された誘電体セラミック粉末と、を含む樹脂組成物。

2 . 前記活性エステル化合物が、下記一般式（1 ) で表される芳香族系活性ェステル化合物である請求の範囲第 1項に記載の樹脂組成物。

R — O— R (1)

k

o

[式中、 kは 2〜4の整数を示し、

R¹は、ハロゲン原子及びアルキル基からなる群より選ばれる少なくとも一つで置換されていてもよいナフチル基、又は、

ハロゲン原子、アルキル基及びフエニル基（該フエ-ル基はハロゲン原子及び Z 又はアルキル基で置換されていてもよい。）からなる群より選ばれる少なくと.も一つで置換されていてもよいフエニル基、を示し、

R²は、 1〜 3個の芳香環（該芳香環はハロゲン原子及び Z又はアルキル基で置換されていてもよい。）を含む 2〜4価の基を示す。

但し、 R²が芳香環を複数含む場合は、当該複数の芳香環は、縮合環を形成しているか、エーテル結合、チォエーテル結合、スルホン結合、カルボニル結合及び単結合からなる群より選ばれる少なくとも 1つの結合で結合している。]

3 . 前記誘電体セラミック粉末は、マグネシウム、ケィ素、アルミニウム、チタン、亜鉛、カノレシゥム、スト口ンチウム、ジノレコ-ゥム、バリウム、スズ、ネオジム、ビスマス、リチウム、サマリウム及びタンタルからなる群より選ばれる少なくとも 1つの金属を含む金属酸化物粉末であって、誘電率が 3 . 7〜 3 0 0 であり、 Q値が 5 0 0〜 1 0 0， 0 0 0である金属酸化物粉末である請求の範囲第 1項又は第 2項に記載の樹脂組成物。

4 . 前記誘電体セラミック粉末の含有量は、前記エポキシ樹脂及び前記活性ェステル化合物の合計 1 0 0体積部に対して、 5〜 1 8 5体積部である請求の範囲第 1項〜第 3項のいずれか一項に記載の樹脂組成物。

5 . ポリアリレートを更に含む請求の範囲第 1項〜第 4項のいずれか一項に記載の樹脂組成物。

6 . 前記ポリアリレートは、構造単位 X及び構造単位 Yから構成された一 X— Y—で表される繰り返し単位が複数反復してなるものであり（複数存在する当該構造単位 X及び構造単位 γのそれぞれは、同一でも異なっていてもよい。）、前記構造単位 Xは、下記式（2 ) で表されるフタロイル基、イソフタロイル基又はテレフタロイル基であり（当該フタロイル基、イソフタロイル基及びテレフタロイル基の合計モル数に占めるテレフタロイル基のモル数は、 4 0モル％未満である。）、

前記構造単位 Yは下記一般式（3 ) で表される 2価基である請求の範囲第 5項に記載の樹脂組成物。

[式中、 R¹¹及び R¹²は、それぞれ独立に炭素数 1〜4のアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子、 Zは、単結合、エーテル結合、チォエーテル結合、スルホン結合又はカルボ-ル結合、 P及ぴ qはそれぞれ独立に 0〜 4の整数、をそれぞれ示す。但し、前記ポリアリレートにおいて R^u、 R¹²及ぴ Zが複数存在するときは、 R^u、 R¹²及び Zはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。]

7.前記 R¹¹及び前記 R¹²がメチル基であり、前記 Zが単結合である請求の範囲第 6項に記載の樹脂組成物。

8. 前記誘電体セラミック粉末の含有量は、前記エポキシ樹脂、前記活性エステル化合物及ぴ前記ポリアリレートの合計 100体積部に対して、 5〜 185体積部である請求の範囲第 5項〜第 7項のいずれか一項に記載の樹脂組成物。

9. カップリング剤、硬化促進剤、難燃剤、可とう性付与剤及び有機溶剤からなる群より選ばれる少なくとも 1つの添加剤を更に含有する請求の範囲第 1項〜第 8項のいずれか一項に記載の樹脂組成物。

10. 前記カツプリング剤の少なくとも一部は、前記誘電体セラミック粉末の表面に結合又は吸着している請求の範囲第 9項に記載の樹脂組成物。

1 1. 請求の範囲第 1項〜第 10項のいずれか一項に記載の樹脂組成物における、前記エポキシ樹脂と前記活性エステル化合物との硬化反応を部分的に完了させてなる樹脂硬化物。

1 2. 請求の範囲第 1項〜第 10項のいずれか一項に記載の樹脂組成物における、前記ェポキシ樹脂と前記活性エステル化合物との硬化反応を完了させてなる樹脂硬化物。

1 3. シート形状をなし、請求の範囲第 1 1項に記載の樹脂硬化物からなるシ一ト状榭脂硬化物。

14. 5〜200 u mの厚さを有する請求の範囲第 1 3項に記載のシート状樹脂硬化物。

1 5. シート形状をなし、請求の範囲第 12項に記載の樹脂硬化物からなるシート状樹脂硬化物。

1 6. 5〜1000 At mの厚さを有する請求の範囲第 1 5項に記載のシート状樹脂硬化物。

1 7 . 請求の範囲第 1 3項又は第 1 4項に記載のシート状樹脂硬化物と、該シ一ト状榭脂硬化物の片面若しくは両面に接合された金属箔と、を備える積層体。

1 8 . 請求の範囲第 1 5項又は第 1 6項に記載のシート状樹脂硬化物と、該シ一ト状樹脂硬化物の片面若しくは両面に接合された金属箔と、を備える積層体。

1 9 . フヱノール性水酸基を有する化合物及び該フェノール性水酸基と反応してエステル結合を形成する基を 2以上有する化合物を反応させてなる活性エステル化合物と、エポキシ樹脂と、からなる硬化性混合物と、

前記硬化性混合物に配された誘電体セラミック粉末及び強化繊維と、を含む樹脂組成物を、半硬化させてなるプリプレダ。

2 0 . 強化繊維を製織してなる強化繊維織物と該強化繊維織物の両面に形成された樹脂層とを備えるプリプレダであって、

前記樹脂層は、

フエノール性水酸基を有する化合物及び該フェノール性水酸基と反応してエステル結合を形成する基を 2以上有する化合物を反応させてなる活性ェステル化合物と、エポキシ樹脂と、からなる硬化性混合物と、

前記硬化性混合物に配された誘電体セラミック粉末と、を含む樹脂組成物を、半硬化させてなる樹脂層であるプリプレダ。

2 1 . 前記樹脂層は、 5〜 1 0 0 μ mの厚さを有する請求の範囲第 2 0項に記載のプリプレダ。

2 2 . 前記強化繊維織物は、 2 0〜 3 0 0 μ mの厚さを有する請求の範囲第 2

0項又は第 2 1項に記載のプリプレダ。

2 3 . 前記活性エステル化合物は、下記一般式（1 ) で表される芳香族系活性エステル化合物である請求の範囲第 1 9項〜第 2 2項のいずれか一項に記載のプリプレダ。 -O-R¹ " (1)

k

O

[式中、 kは 2〜 4の整数を示し、

R¹は、ノヽロゲン原子及びアルキル基からなる群より選ばれる少なくとも一つで置換されていてもよいナフチル基、又は、

ハロゲン原子、アルキル基及びフエ-ル基（該フヱ二ル基はハロゲン原子及び Z 又はアルキル基で置換されていてもよい。）からなる群より選ばれる少なくとも一つで置換されていてもよいフエニル基、を示し、

R²は、 1〜 3個の芳香環（該芳香環はハロゲン原子及び Z又はアルキル基で置換されていてもよい。）を含む 2〜 4価の基を示す。

2 4 . 前記誘電体セラミック粉末は、マグネシウム、ケィ素、ァノレミニゥム、チタン、亜鉛、カルシウム、ストロンチウム、ジ /レコェゥム、バリゥム、スズ、ネオジム、ビスマス、リチウム、サマリゥム及びタンタルからなる群より選ばれる少なくとも 1つの金属を含む金属酸化物粉末であって、誘電率が 3 . 7〜 3 0 0であり、 Q値が 5 0 0〜 1 0 0 , 0 0 0である金属酸化物粉末である請求の範囲第 1 9項〜第 2 3項のいずれか一項に記載のプリプレダ。

2 5 . 前記誘電体セラミック粉末の含有量は、前記エポキシ樹脂及び前記活性エステル化合物の合計 1 0 0体積部に対して、 5〜 1 0 0体積部である請求の範囲第 1 9項〜第 2 4項のいずれか一項に記載のプリプレダ。

2 6 . 前記樹脂組成物は、ポリアリレートを更に含む請求の範囲第 1 9項〜第 2 5項のいずれか一項に記載のプリプレダ。

2 7 . 前記ポリアリレートは、構造単位 X及び構造単位 Yから構成された一 X 一 Y—で表される繰り返し単位が複数反復してなるものであり（複数存在する当該構造単位 X及び構造単位 Υのそれぞれは、同一でも異なっていてもよい。）、前記構造単位 Xは、下記式（2 ) で表されるフタロイル基、イソフタロイル基又はテレフタロイル基であり（当該フタロイル基、イソフタロイル基及ぴテレフタロイル基の合計モル数に占めるテレフタロイル基のモル数は、 4 0モル⁰ /₀未満である。）、

前記構造単位 Υは下記一般式（3 ) で表される 2価基である請求の範囲第 2 6 項に記載（

[式中、 R¹¹及び R¹²は、それぞれ独立に炭素数 1〜4のアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子、 Ζは、単結合、エーテル結合、チォエーテル結合、スルホン結合又はカルボ-ル結合、 ρ及ぴ qはそれぞれ独立に 0〜4の整数、をそれぞれ示す。但し、前記ポリアリレートにおいて R"、 R ¹²及び Zが複数存在するときは、 R^u、 R¹²及び Zはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。]

2 8 .前記 R¹¹及び前記 R¹²がメチル基であり、前記 Zが単結合である請求の範囲第 2 7項に記載のプリプレダ。

2 9 . 前記誘電体セラミック粉末の含有量は、前記エポキシ樹脂、前記活性ェステル化合物及び前記ポリアリレートの合計 1 0 0体積部に対して、 5〜 1 0 0 体積部である請求の範囲第 2 6項〜第 2 8項のいずれか一項に記載のプリプレダ。

3 0 . 前記樹脂組成物は、カップリング剤、硬化促進剤、難燃剤及び可とう性付与剤からなる群より選ばれる少なくとも 1つの添加剤を更に含有する請求の範囲第 1 9項〜第 2 9項のいずれか一項に記載のプリプレダ。

3 1 . 前記力ップリング剤の少なくとも一部は、前記誘電体セラミック粉末の表面に結合又は吸着している請求の範囲第 3 0項に記載のプリプレダ。

3 2 . 前記強化繊維は、 Eガラス繊維、 Dガラス繊維、 N Eガラス繊維、ガラス繊維、 Tガラス繊維及びァラミド繊維からなる群より選ばれる少なくとも 1 つの強化繊維である請求の範囲第 1 9項〜第 3 1項のいずれか一項に記載のプリプレダ。

3 3 . シート形状をなし、請求の範囲第 1 9項〜第 3 2項のいずれか一項に記載のプリプレグの硬化物からなるシート状樹脂硬化物。

3 4 . 3 0〜 1 0 0 0 0 mの厚さを有する請求の範囲第 3 3項に記載のシート状樹脂硬化物。

3 5 . 請求の範囲第 3 3項又は第 3 4項に記載のシート状樹脂硬化物と、該シ一ト状榭脂硬化物の片面若しくは両面に接合された金属箔と、を備える積層体。

3 6 . 有機絶縁材料と、前記有機絶緣材料よりも大きい比誘電率を有する誘電体セラミック粉末とを含有する少なくとも 1つの複合誘電体層と、

前記複合誘電体層に設けられ、キャパシタ素子又はィンダクタ素子を構成する少なくとも 1つの導電性素子部とを備える電子部品において、

前記有機絶縁材料が、エポキシ樹脂と、 2以上のカルボキシル基を有する化合物及ぴフノール性水酸基を有する化合物を反応させてなる活性ェステル化合物とを硬化反応させてなる樹脂硬化物を含む電子部品。

3 7 . 前記活性エステル化合物が下記一般式（1 )で表される芳香族系活性エステル化合物である請求の範囲第 3 6項に記載の電子部品。 R' —

O- O一 R (1)

k

[式中、 kは 2 ~ 4の整数を示し、

R¹は、ハロゲン原子及ぴアルキル基からなる群より選ばれる少なくとも一つで置換されていてもよいナフチル基、又は、

ハロゲン原子、アルキル基及ぴフエニル基（該フエ二ル基はハロゲン原子及び/ 又はアルキル基で置換されていてもよい。）からなる群より選ばれる少なくとも一つで置換されていてもよいフエニル基、を示し、

R²は、 1〜 3個の芳香環（該芳香環はハロゲン原子及び Z又はアルキル基で置换されていてもよい。）を含む 2〜4価の基を示す。

伹し、 R²が芳香環を複数含む場合は、当該複数の芳香環は、縮合環を形成しているか、エーテル結合、チォエーテル結合、スルホン結合、カルボニル結合及び単結合からなる群より選ばれる少なくとも 1つの結合で結合している。]

3 8 . 前記誘電体セラミック粉末が、マグネシウム、ケィ素、アルミニウム、チタン、亜鉛、カルシウム、ストロンチウム、ジルコニウム、バリゥム、スズ、ネオジゥム、ビスマス、リチウム、サマリゥム及ぴタンタルからなる群より選ばれる少なくとも 1つの金属を含む金属酸化物粉末であって、比誘電率が 3 . 7〜 3 0 0であり、値が5 0 0〜1 0 0 , 0 0 0である金属酸化物粉末である請求の範囲第 3 6項又は第 3 7項に記載の電子部品。

3 9 . 前記有機絶縁材料がポリアリレートを更に含む請求の範囲第 3 6項〜第 3 8項のいずれか一項に記載の電子部品。

4 0 . 前記ポリアリレートは、構造単位 X及び構造単位 Yから構成された一 X 一 Y—で表される繰り返し単位が複数反復してなるものであり（複数存在する当該構造単位 X及び構造単位 Yのそれぞれは、同一でも異なっていてもよい。）、前記構造単位 Xは、下記式（2 ) で表されるフタロイル基、イソフタロイル基又はテレフタロイル基であり（当該フタロイル基、イソフタロイル基及びテレフタロイル基の合計モル数に占めるテレフタロイル基のモル数は、 4 0モル％未満である。）、

前記構造単位 Yは下記一般式（3 ) で表される 2価基である請求の範囲第 3 9 項に記載の電子部品。

[式中、 R¹¹及び R¹²は、それぞれ独立に炭素数 1〜4のアルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子、 Zは、単結合、エーテル結合、チォエーテル結合、スルホン結合又はカルボュル結合、 p及び qはそれぞれ独立に 0〜4の整数、をそれぞれ示す。但し、前記ポリアリレートにおいて R ^u、 R ¹²及び Zが複数存在するときは、 R^u、 R¹²及び Zはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。]

4 1 . 前記 R¹¹及び前記 R¹²がメチル基であり、前記 Zが単結合である請求の範囲第 4 0項に記載の電子部品。

4 2 . 前記誘電体セラミック粉末が、前記有機絶縁材料 1 0 0体積部に対して

5〜1 8 5体積部添加されている請求の範囲第 3 6項〜第 4 1項のいずれか一項に記載の電子部品。

4 3 . 前記樹脂硬化物が、前記エポキシ樹脂と前記活性エステル化合物とを添加剤の存在下に硬化反応させてなり、前記添加剤が、硬化促進剤、表面処理剤、難燃剤及ぴ可撓性付与剤からなる群より選ばれる少なくとも 1つの添加剤である請求の範囲第 3 6項〜第 4 2項のいずれか一項に記載の電子部品。

4 4 . 前記複合誘電体層は、前記有機絶縁材料中に分散される磁性体粉末を更に含む請求の範囲第 3 6項〜第 4 3項のいずれか一項に記載の電子部品。

4 5 . 前記複合誘電体層は、強化繊維からなるクロスを更に含む請求の範囲第 3 6項〜第 4 4項のいずれか一項に記載の電子部品。

4 6 . 樹脂を含む少なくとも 1つの第 1誘電体層と、

樹脂を含む少なくとも 1つの第 2誘電体層と、

少なくとも 1つの導体層とを積層して構成され、

前記第 2誘電体層の誘電正接 t a η δが 0 . 0 1以下であり、

前記第 1誘電体層の限界たわみ量が、前記第 2誘電体層の 1 · 3倍以上である

4 7 . 前記第 2誘電体層が、前記樹脂よりも比誘電率の大きいセラミック粉末を更に含む請求の範囲第 4 6項に記載の多層基板。

4 8 . 2つの最外層を有し、前記 2つの最外層の少なくとも一方が前記第 1誘電体層で構成され、前記 2つの最外層の間に前記少なくとも 1つの第 2誘電体層が配置されている請求の範囲第 4 6項又は第 4 7項に記載の多層基板。

4 9 .前記第 1誘電体層のピール強度が、前記第 2誘電体層のピール強度の 1 .

5倍以上である請求の範囲第 4 6項〜第 4 8項のいずれか一項に記載の多層基板。

5 0 . 樹脂を含む 2つの第 1誘電体層と、

前記 2つの第 1誘電体層の間に配置され、樹脂を含む少なくとも 1つの第 2誘電体層と、

少なくとも 1つの導体層とを積層して構成され、

前記 2つの第 1誘電体層の少なくとも一方が最外層を構成し、

前記第 2誘電体層の誘電正接 t a η δが 0 . 0 1以下であり、

前記第 1誘電体層のピール強度が、前記第 2誘電体層のピール強度の 1 . 5倍以上である多層基板。

5 1 . 前記第 1誘電体層のピール強度が 8 ΝΖ c m以上である請求の範囲第 4 9項又は第 5 0項に記載の多層基板。

5 2 . 樹脂を含む少なくとも 1つの第 1誘電体層と、

樹脂を含む少なくとも 1つの第 2誘電体層と、

少なくとも 1つの導体層とを積層して構成され、

前記第 2誘電体層の誘電正接 t a η δが 0 . 0 1以下であり、

前記第 1誘電体層の限界たわみ量が前記第 2誘電体層の 1 . 3倍以上である電子部品。

5 3 . 前記第 2誘電体層が、前記樹脂よりも比誘電率の大きいセラミック粉末を更に含む請求の範囲第 5 2項に記載の電子部品。

5 4 . 2つの最外層を有し、前記 2つの最外層の少なくとも一方が前記第 1誘電体層で構成され、前記 2つの最外層の間に前記少なくとも 1つの第 2誘電体層が配置されている請求の範囲第 5 2項又は第 5 3項に記載の電子部品。

5 5 .前記第 1誘電体層のピール強度が、前記第 2誘電体層のピール強度の 1 - 5倍以上である請求の範囲第 5 2項〜第 5 4項のいずれか一項に記載の電子部品。

5 6 . 樹脂を含む 2つの第 1誘電体層と、

少なくとも 1つの導体層とを積層して構成され、

前記第 2誘電体層の誘電正接 t a η δが 0 . 0 1以下であり、

前記第 1誘電体層のピール強度が、前記第 2誘電体層のピール強度の 1 . 5倍以上である電子部品。

5 7 . 前記第 1誘電体層のピール強度が 8 NZ c m以上である請求の範囲第 5 5項又は第 5 6項に記載の電子部品。

5 8 . 請求の範囲第 4 6項〜第 5 1項のいずれか一項に記載の多層基板と、前記多層基板に設けられる電気素子と、を備える電子部品