WO2004051717A1 - 照明光学装置、露光装置および露光方法 - Google Patents

照明光学装置、露光装置および露光方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2004051717A1
WO2004051717A1 PCT/JP2003/015447 JP0315447W WO2004051717A1 WO 2004051717 A1 WO2004051717 A1 WO 2004051717A1 JP 0315447 W JP0315447 W JP 0315447W WO 2004051717 A1 WO2004051717 A1 WO 2004051717A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light
polarization state
polarization
illumination optical
illumination
Prior art date
Application number
PCT/JP2003/015447
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Osamu Tanitsu
Hirohisa Tanaka
Kenichi Muramatsu
Norio Komine
Hisashi Nishinaga
Tomoyuki Matsuyama
Takehito Kudo
Original Assignee
Nikon Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2002-351186 priority Critical
Priority to JP2002351186 priority
Priority to JP2003201079 priority
Priority to JP2003-201079 priority
Priority to JP2003-338447 priority
Priority to JP2003338447 priority
Application filed by Nikon Corporation filed Critical Nikon Corporation
Publication of WO2004051717A1 publication Critical patent/WO2004051717A1/ja

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Exposure apparatus for microlithography
    • G03F7/70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055Exposure light control, in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control, light interruption
    • G03F7/70566Polarisation control
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B27/00Photographic printing apparatus
    • G03B27/32Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
    • G03B27/42Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera for automatic sequential copying of the same original
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Exposure apparatus for microlithography
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/70091Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane, angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole, quadrupole; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]

Abstract

たとえば露光装置に搭載された場合に、マスクのパターン特性に応じて光量損失を抑えつつ照明光の偏光状態を変化させて適切な照明条件を実現することのできる照明光学装置。直線偏光の光を供給する光源部(1)を有し、光源部からの光で被照射面(M,W)を照明する照明光学装置。光源部と被照射面との間の光路中に配置されて、被照射面を照明する光の偏光状態を特定の偏光状態と非偏光状態との間で切り換えるための偏光状態切換手段(10,20)を備えている。偏光状態切換手段は、照明光路に対して挿脱自在に構成されて、入射する直線偏光の光を必要に応じて非偏光化するためのデポラライザ(20)を備えている。

Description

明 細 書 照明光学装置、 露光装置および露光方法 技術分野

本発明は照明光学装置、 露光装置および露光方法に関し、 特に半導体素子、 撮 像素子、 液晶表示素子、 薄膜磁気ヘッド等のマイクロデバイスをリソグラフィ一 工程で製造するための露光装置に関する。 背景技術

この種の典型的な露光装置においては、 光源から射出された光束が、 ォプティ カルインテグレー夕としてのフライアイレンズを介して、 多数の光源からなる実 質的な面光源としての二次光源を形成する。 二次光源からの光束は、 フライアイ レンズの後側焦点面の近傍に配置された開口絞りを介して制限された後、 コンデ ンサ一レンズに入射する。

コンデンサ一レンズにより集光された光束は、 所定のパターンが形成されたマ スクを重畳的に照明する。 マスクのパターンを透過した光は、 投影光学系を介し てウェハ上に結像する。 こうして、 ウェハ上には、 マスクパターンが投影露光 (転写) される。 なお、 マスクに形成されたパターンは高集積化されており、 こ の微細パターンをウェハ上に正確に転写するにはウェハ上において均一な照度分 布を得ることが不可欠である。

そこで、 フライアイレンズの後側焦点面に円形状の二次光源を形成し、 その大 きさを変化させて照明のコヒーレンシィ σ ( σ値 =開口絞り径 /投影光学系の瞳 径、 あるいはび値=照明光学系の射出側開口数 投影光学系の入射側開口数) を 変化させる技術が注目されている。 また、 フライアイレンズの後側焦点面に輪帯 状や 4極状の二次光源を形成し、 投影光学系の焦点深度や解像力を向上させる技 術が注目されている。

上述のような従来の露光装置では、 マスクのパターン特性に応じて、 円形状の 二次光源に基づく通常の円形照明を行つたり、 輪帯状や 4極状の二次光源に基づ く変形照明 (輪帯照明や 4極照明) を行ったりしている。 しかしながら、 マスク のパターン特性に応じてマスクを照明する光の偏光状態を変化させることはなく、 非偏光状態の光でマスクを照明するのが通常であり、 マスクのパターンを忠実に 転写するために必要な適切な照明条件を必ずしも実現することができない。

本発明は、 前述の課題に鑑みてなされたものであり、 たとえば露光装置に搭載 された場合に、 マスクのパターン特性に応じて光量損失を抑えつつ照明光の偏光 状態を変化させて適切な照明条件を実現することのできる照明光学装置を提供す ることを目的とする。

また、 本発明は、 マスクのパターン特性に応じて照明光の偏光状態を変化させ る照明光学装置を用いて、 マスクのパターン特性に応じて実現された適切な照明 条件のもとで良好な露光を行うことのできる露光装置および露光方法を提供する ことを目的とする。 発明の開示

前記課題を解決するために、 本発明の第 1形態では、 直線偏光の光を供給する 光源部を有し、 該光源部からの光で被照射面を照明する照明光学装置において、 前記光源部と前記被照射面との間の光路中に配置されて、 前記被照射面を照明 する光の偏光状態を特定の偏光状態と非偏光状態との間で切り換えるための偏光 状態切換手段を備え、

前記偏光状態切換手段は、 照明光路に対して揷脱自在に構成されて、 入射する 直線偏光の光を必要に応じて非偏光化するためのデボラライザを備えていること を特徴とする照明光学装置を提供する。

第 1形態の好ましい態様によれば、 前記偏光状態切換手段は、 前記特定の偏光 状態が直線偏光状態である場合に、 直線偏光の偏光面を可変とする。 また、 前記 偏光状態切換手段は、 入射する直線偏光の光の偏光面を必要に応じて変化させる ための位相部材を有することが好ましい。 この場合、 前記位相部材は、 前記照明 光学装置の光軸を中心として結晶光学軸が回転自在に構成された 1 / 2波長板を 有することが好ましい。

また、 第 1形態の好ましい態様によれば、 前記デボラライザは、 前記照明光学 装置の光軸を中心として結晶光学軸が回転自在に構成された水晶プリズムを有す る。 また、 前記デボラライザは、 偏光ビームスプリツターと、 該偏光ビームスプ リッタ一を透過した光の光路と前記偏光ビームスプリッ夕一で最終的に反射され た光の光路とがほぼ一致するように、 前記偏光ビームスプリッターで反射された 光を平面内において複数回反射させて前記偏光ビームスプリッターへ戻すための 反射系とを有し、 前記偏光ビームスプリッターと前記反射系とは前記照明光学装 置の光軸を中心として一体的に回転自在に構成されていることが好ましい。 また、 第 1形態の好ましい態様によれば、 前記デボラライザは、 偏光ビームス プリッターと、 該偏光ビームスプリッターを透過した光の光路と前記偏光ビーム スプリッ夕一で最終的に反射された光の光路とがほぼ一致するように、 前記偏光 ビームスプリッターで反射された光を平面内において複数回反射させて前記偏光 ビームスプリッ夕一へ戻すための反射系とを有し、 前記偏光ビ一ムスプリッ夕一 と前記反射系とは照明光路に対して一体的に揷脱自在に構成されている。

また、 第 1形態の好ましい態様によれば、 前記偏光状態切換手段は、 入射する 楕円偏光の光を直線偏光の光に変換するための第 2位相部材をさらに有する。 こ の場合、 前記第 2位相部材は、 前記照明光学装置の光軸を中心として結晶光学軸 が回転自在に構成された 1 / 4波長板を有することが好ましい。

また、 第 1形態の好ましい態様によれば、 前記光源部と前記偏光状態切換手段 との間の光路中に配置されて立方晶系の結晶材料により形成された光透過部材に おいて、 光の進行方向が結晶方位 < 1 1 0 >よりも結晶方位ぐ 1 1 1 >または結 晶方位ぐ 1 0 0 >に近くなるように設定されている。 この場合、 前記偏光状態切 換手段と前記非照射面との間の光路中に配置されて立方晶系の結晶材料により形 成された光透過部材において、 光の進行方向が結晶方位 < 1 1 0 >よりも結晶方 位く 1 1 1 >または結晶方位く 1 0 0 >に近くなるように設定されていることが 好ましい。

ここで、 前記光透過部材は、 前記光路中に固定的に位置決めされた光学部材を 有し、 前記光学部材の光軸は、 結晶方位 < 1 1 1 >または結晶方位 < 1 0 0 >に ほぼ一致するように設定されていることが好ましい。 また、 前記光透過部材は、 裏面反射鏡としての直角プリズムを有し、 前記直角プリズムの入射面および射出 面は結晶面 { 1 0 0 } にほぼ一致するように設定され、 且つ前記直角プリズムの 反射面は結晶面 { 1 1 0 } にほぼ一致するように設定されていることが好ましい。 また、 前記光透過部材は、 前記光路中において光軸に対して傾斜可能に設けられ て前記光軸に沿って入射する光線を平行移動させるための平行平面板を有し、 前 記平行平面板の光軸は、 結晶方位ぐ 1 0 0 >にほぼ一致するように設定されてい ることが好ましい。

また、 第 1形態の好ましい態様によれば、 前記光源部からの光束に基づいて、 前記照明光学装置の瞳面またはその近傍に所定の光強度分布を形成するための照 明瞳分布形成手段と、 前記所定の光強度分布の形状および大きさのうちの少なく とも一方を変更するための変更手段と、 所定の光強度分布からの光束を前記被照 射面へ導くための導光光学系とをさらに備えている。 この場合、 前記偏光状態切 換手段は、 前記所定の光強度分布の形状および大きさのうちの少なくとも一方の 変更に応じて、 前記被照射面を照明する光の偏光状態を変更することが好ましい。 また、 前記偏光状態切換手段は、 前記所定の光強度分布の形状および大きさのう ちの少なくとも一方の変更に応じて、 前記被照射面を照明する光の偏光状態を直 線偏光状態と非偏光状態との間で切り換えることが好ましい。

また、 第 1形態の好ましい態様によれば、 前記特定の偏光状態において、 光の ストークスパラメータの S 1成分は、 0 . 6≤ | S 1 I の条件を満足する。 また、 前記非偏光状態において、 光のストークスパラメ一夕の S 1成分および S 2成分 は、 | S 1 |≤0 . 1, I S 2 I≤0 . 1の条件を満足することが好ましい。 ま た、 前記光源部と前記被照射面との間の光路中に配置されて、 前記被照射面での 偏光状態の変動を補正する偏光状態変動補正手段を備えていることが好ましい。 この場合、 前記偏光状態変動補正手段は、 前記偏光状態切換手段と前記被照射面 との間の光路中に配置されて光の偏光状態を検出するための偏光モニターと、 該 偏光モニターの出力に応じて前記偏光状態切換手段を制御するための制御部とを 備えていることが好ましい。

また、 第 1形態の好ましい態様によれば、 前記偏光状態切換手段は、 前記照明 光学装置の光軸を中心として結晶光学軸が回転自在に構成された 1 / 2波長板と、 俞記照明光学装置の光軸を中心として結晶光学軸が回転自在に構成された 1 / 4 波長板とを備え、 前記制御部は、 前記 1 Z 4波長板の結晶光学軸および前記 1 / 2波長板の結晶光学軸をそれぞれ変化させたときに前記偏光モニタ一において得 られる検出結果の変化に応答して、 入射する楕円偏光の光を直線偏光の光に変換 するための所要位置に前記 1 Z 4波長板の結晶光学軸の角度位置を位置合わせし、 入射する直線偏光の光を所定方向に偏光面を有する直線偏光の光に変換するため の所要位置に前記 1 Z 2波長板の結晶光学軸の角度位置を位置合わせする。 この 場合、 前記制御部は、 前記 1 / 4波長板の結晶光学軸を変化させたときに前記検 出結果においてストークスパラメータ S 1成分の変化のコントラス卜がほぼ最大 になる第 1角度位置に前記 1 / 4波長板の結晶光学軸の角度位置を位置合わせし、 前記 1 / 4波長板の結晶光学軸を前記第 1角度位置に設定した状態で前記 1 Z 2 波長板の結晶光学軸を変化させたときに前記検出結果においてスト一クスパラメ 一夕 S 1成分がほぼ最大またはほぼ最小になる第 2角度位置に前記 1 Z 2波長板 の結晶光学軸の角度位置を位置合わせすることが好ましい。

また、 第 1形態の好ましい態様によれば、 前記偏光モニターは、 前記偏光状態 切換手段と前記被照射面との間の光路中に配置されて、 入射光の偏光状態とは異 なる偏光状態の反射光または透過光を前記光路から取り出すためのビームスプリ ッターと、 該ビームスプリツターにより前記光路から取り出された前記反射光ま たは前記透過光の強度を検出するための光強度検出器とを有し、 前記光強度検出 器の出力に基づいて前記ビームスプリツターへの前記入射光の偏光状態を検出す る。 この場合、 前記ビームスプリツターは、 前記反射光または前記透過光に含ま れる P偏光の強度 I pと S偏光の強度 I sとの強度比 I p Z I s力 Π p Z I sく 1 Z 2または I p / I s > 2の条件を満たすような反射特性または透過特性を有 することが好ましい。

また、 第 1形態の好ましい態様によれば、 前記光源部からの光束に基づいて、 前記照明光学装置の瞳面またはその近傍の面に所定の光強度分布を形成するため の照明瞳分布形成手段を備え、 前記照明瞳分布形成手段は、 前記被照射面上にお ける所定の一方向に対応する前記瞳面または前記その近傍の面での方向に沿って 間隔を隔てた 2つの光強度分布が高い領域を形成し、 前記偏光状態切換手段は、 前記 2つの光強度分布が高い領域から前記被照射面を照明する光の偏光状態を、 前記所定の一方向とほぼ直交する方向に偏光面を有する直線偏光状態に設定する。 この場合、 前記 2つの光強度分布が高い領域は、 前記照明光学装置の光軸に関し て対称に形成され、 前記光軸を中心として前記 2つの光強度分布が高い領域に外 接する外接円の直径 Φ oと前記瞳面の直径 φ pとの比 φ ο / φ ρとして定義され る値 σ οは、 0 . 7≤σ οの条件を満足する。 また、 前記 2つの光強度分布が高 い領域は、 前記照明光学装置の光軸に関して対称に形成され、 前記光軸を中心と して前記 2つの光強度分布が高い領域に外接する外接円の直径 φ οと前記瞳面の 直径 Φ ρとの比 φ ο / ρとして定義される値をび οとし、 前記光軸を中心とし て前記 2つの光強度分布が高い領域に内接する内接円の直径 Ψ iと前記瞳面の直 径 Φ i との比 Φ i Ζ Φ pとして定義される値を σ iとするとき、 0 . 5≤び i Z σ oの条件を満足することが好ましい。

本発明の第 2形態では、 光源部からの光に基づいて、 特定の偏光状態のもとで 被照射面を照明する照明光学装置において、

前記光源部と前記被照射面との間の光路中に配置されて、 前記光源部からの光 を前記被照射面へ導く導光手段と、

前記光源部と前記被照射面との間の光路中に配置されて、 前記被照射面での偏 光状態の変動を補正する偏光状態変動補正手段とを備えていることを特徴とする 照明光学装置を提供する。

第 2形態の好ましい態様によれば、 前記偏光状態変動補正手段は、 前記光源部 と前記被照射面との間の光路中に配置されて、 前記被照射面での偏光状態を調整 するための偏光状態調整手段と、 前記光源部と前記被照射面との間の光路中に配 置されて光の偏光状態を検出するための偏光モニターと、 該偏光モニタ一の出力 に応じて前記偏光状態調整手段を制御するための制御部とを備えている。 この場 合、 前記偏光状態調整手段は、 前記光源部と前記偏光モニターとの間の光路中に 配置された調整可能な位相板を備えていることが好ましい。 また、 第 2形態の好 ましい態様によれば、 前記導光手段は、 入射する光の偏光状態を変化させて射出 する特性を有する光学部材を備えていることが好ましい。 ここで、 前記光学部材 は、 結晶光学材料から形成されている。

本発明の第 3形態では、 光源部からの光に基づいて、 被照射面を照明する照明 光学装置において、

前記光源部と前記被照射面との間の光路中に配置されて、 前記光源部からの光 を前記被照射面へ導く導光手段と、

前記光源部と前記被照射面との間の光路中に配置されて、 前記被照射面での偏 光状態を安定化させる偏光状態安定化手段を備えることを特徴とする照明光学装 置を提供する。

第 3形態の好ましい態様によれば、 前記偏光状態安定化手段は、 前記光源部と 前記被照射面との間の光路中に配置されて、 前記被照射面での偏光状態を調整す るための偏光状態調整手段と、 前記光源部と前記被照射面との間の光路中に配置 されて光の偏光状態を検出するための偏光モニターと、 該偏光モニターの出力に 応じて前記偏光状態調整手段を制御するための制御部とを備えている。 この場合、 前記偏光状態調整手段は、 前記光源部と前記偏光モニターとの間の光路中に配置 された調整可能な位相板を備えていることが好ましい。 また、 前記導光手段は、 入射する光の偏光状態を変化させて射出する特性を有する光学部材を備えている ことが好ましい。 ここで、 前記光学部材は、 結晶光学材料から形成されている。 また、 第 3形態の好ましい態様によれば、 前記偏光状態安定化手段は、 前記光 源部と前記被照射面との間の光路中に配置されて、 立方晶系の結晶材料により形 成された光透過部材を備えている。 この場合、 前記光透過部材は、 光の進行方向 が結晶方位ぐ 1 1 0 >よりも結晶方位ぐ 1 1 1 >または結晶方位ぐ 1 0 0 >に近 くなるように設定されていることが好ましい。 また、 前記光透過部材は、 前記光 路中に固定的に位置決めされた光学部材を有し、 前記光学部材の光軸は、 結晶方 位ぐ 1 1 1 >または結晶方位 < 1 0 0 >にほぼ一致するように設定されているこ とが好ましい。 あるいは、 前記光透過部材は、 裏面反射鏡としての直角プリズム を有し、 前記直角プリズムの入射面および射出面は結晶面 { 1 0 0 } にほぼ一致 するように設定され、 且つ前記直角プリズムの反射面は結晶面 { 1 1 0 } にほぼ 一致するように設定されていることが好ましい。 あるいは、 前記光透過部材は、 前記光路中において光軸に対して傾斜可能に設けられて前記光軸に沿って入射す る光線を平行移動させるための平行平面板を有し、 前記平行平面板の光軸は、 結 晶方位 < 1 0 0〉にほぼ一致するように設定されていることが好ましい。

本発明の第 4形態では、 光源部からの光に基づいて、 特定の偏光状態のもとで 被照射面を照明する照明光学装置の調整方法において、

1 / 4波長板の結晶光学軸が所定の角度位置となるように前記照明光学装置の 照明光路中に設定すると共に、 1 / 2波長板の結晶光学軸が所定の角度位置とな るように前記照明光路中に設定する波長板設定工程を含み、

前記波長板設定工程は、 前記 1 / 4波長板の結晶光学軸および前記 1 Z 2波長 板の結晶光学軸をそれぞれ変化させたときに前記偏光状態切換手段と前記被照射 面との間の光路中において検出された光の偏光状態に関する検出結果に基づいて、 入射する楕円偏光の光を直線偏光の光に変換するための所要位置に前記 1 / 4波 長板の結晶光学軸を設定し、 入射する直線偏光の光を所定方向に偏光面を有する 直線偏光の光に変換するための基準位置に前記 1 / 2波長板の結晶光学軸を設定 することを特徴とする照明光学装置の調整方法を提供する。

第 4形態の好ましい態様によれば、 前記 1 / 4波長板の結晶光学軸を変化させ たときに前記検出結果においてストークスパラメ一夕 S 1成分の変化のコントラ ストがほぼ最大になる第 1角度位置に前記 1 Z 4波長板の結晶光学軸を設定し、 前記 1 / 4波長板の結晶光学軸を前記第 1角度位置に設定した状態で前記 1 Z 2 波長板の結晶光学軸を変化させたときに前記検出結果においてスト一クスパラメ 一夕 S 1成分がほぼ最大またはほぼ最小になる第 2角度位置に前記 1 / 2波長板 の結晶光学軸を設定する。 また、 前記光源部からの光束に基づいて、 前記照明光 学装置の瞳面またはその近傍に所定の光強度分布を形成する照明瞳形成工程と、 前記所定の光強度分布の形状および大きさのうちの少なくとも一方を変更するた めの照明瞳変更工程と、 前記所定の光強度分布の形状および大きさのうちの少な くとも一方の変更に応じて、 前記 1 Z 4波長板の結晶光学軸および前記 1 / 2波 長板の結晶光学軸の少なくとも一方を設定し直す波長板再設定工程とを含むこと が好ましい。

本発明の第 5形態では、 第 1形態〜第 3形態に記載の照明光学装置または第 4 形態の調整方法により調整された照明光学装置を備え、 マスクのパターンを前記 被照射面に配置された感光性基板上に露光することを特徴とする露光装置を提供 する。

第 5形態の好ましい態様によれば、 前記マスクが設定される第 1設定面と前記 感光性基板が設定される第 2設定面との間の光路中に配置されて、 前記マスクの パターンの像を前記第 2設定面上に形成する投影光学系と、 前記投影光学系の瞳 と共役な位置またはその近傍の位置に所定の光強度分布を形成する形成する瞳強 度分布形成手段と、 前記所定の光強度分布の形状および大きさのうちの少なくと も一方を変更する瞳強度分布変更手段とを備えている。 この場合、 前記光源部と 前記被照射面との間の光路中に配置されて、 前記被照射面を照明する光の偏光状 態を変更するための偏光状態変更手段を備え、 前記瞳強度分布変更手段は、 前記 マスクのパターン特性に応じて前記所定の光強度分布の形状および大きさのうち の少なくとも一方を変更し、 前記偏光状態変更手段は、 前記所定の光強度分布の 形状および大きさのうちの少なくとも一方の変更に応じて、 前記被照射面を照明 する光の偏光状態を変更することが好ましい。 また、 この場合、 前記偏光状態変 更手段は、 前記被照射面を照明する光の偏光状態を特定の偏光状態と非偏光状態 との間で切り換えるための偏光状態切換手段を備え、 該偏光状態切換手段は、 前 記所定の光強度分布の形状および大きさのうちの少なくとも一方の変更に応じて、 前記特定の偏光状態と前記非偏光状態との間で切り換えることが好ましい。

また、 第 5形態の好ましい態様によれば、 前記瞳強度分布形成手段は、 前記マ スクに形成されたライン ·アンド ·スペース ·パターンのピッチ方向に沿って間 隔を隔てた 2つの光強度分布の高い領域を形成し、 前記偏光状態変更手段は、 前 記 2つの光強度分布の高い領域から前記被照射面を照明する光の偏光状態を、 前 記ピッチ方向とほぼ直交する方向に偏光面を有する直線偏光状態に設定する。 あ るいは、 前記瞳強度分布形成手段は、 前記照明光学装置の光軸をほぼ中心とする

1つの光強度分布の高い領域を形成し、 前記偏光状態変更手段は、 前記 1つの光 強度分布の高い領域から前記被照射面を照明する光の偏光状態を、 前記マスクと しての位相シフトマスクに形成されたライン 'アンド ·スペース ·パターンのピ ツチ方向とほぼ直交する方向に偏光面を有する直線偏光状態に設定することが好 ましい。 この場合、 前記 1つの光強度分布の高い領域の大きさ φと前記瞳面との 直径 Φ Pとの比 Φ Ζ Φ pとして定義される値 σは、 σ≤0 . 4の条件を満足する ことが好ましい。

本発明の第 6形態では、 第 1形態〜第 3形態に記載の照明光学装置または第 4 形態の調整方法により調整された照明光学装置を介してマスクを照明する照明ェ 程と、

前記マスクのパターンを前記被照射面に配置された感光性基板上に露光する露 光工程とを含むことを特徴とする露光方法を提供する。

第 6形態の好ましい態様によれば、 投影光学系を用いて前記マスクのパターン の像を形成する投影工程と、 前記投影光学系の瞳と共役な位置またはその近傍の 位置に所定の光強度分布を形成する形成する瞳強度分布形成工程と、 前記所定の 光強度分布の形状および大きさのうちの少なくとも一方を変更する瞳強度分布変 更工程とを備える。 この場合、 前記瞳強度分布変更工程では、 前記マスクのパタ ―ン特性に応じて前記所定の光強度分布の形状および大きさのうちの少なくとも 一方を変更し、 前記所定の光強度分布の形状および大きさのうちの少なくとも一 方の変更に応じて前記被照射面を照明する光の偏光状態を変更する偏光状態変更 工程をさらに含むことが好ましい。

また、 第 6形態の好ましい態様によれば、 前記瞳強度分布形成工程では、 前記 マスクに形成されたライン 'アンド 'スペース ·パターンのピッチ方向に沿って 間隔を隔てた 2つの光強度分布の高い領域を形成し、 前記 2つの光強度分布の高 い領域から前記被照射面を照明する光の偏光状態を、 前記ピッチ方向とほぼ直交 する方向に偏光面を有する直線偏光状態に設定する工程をさらに含む。 この場合、 前記 2つの光強度分布が高い領域は、 前記照明光学装置の光軸に関して対称に形 成され、 前記光軸を中心として前記 2つの光強度分布が高い領域に外接する外接 円の直径 φ oと前記瞳面の直径 Φ pとの比 φ ο / φ pとして定義される値 σ οは、 0 . 7≤σ 0の条件を満足することが好ましい。 また、 前記 2つの光強度分布が 高い領域は、 前記照明光学装置の光軸に関して対称に形成され、 前記光軸を中心 として前記 2つの光強度分布が高い領域に外接する外接円の直径 φ 0と前記瞳面 の直径 Φ ρとの比 Φ ο Ζ φ ρとして定義される値をひ οとし、 前記光軸を中心と して前記 2つの光強度分布が高い領域に内接する内接円の直径 φ iと前記瞳面の 直径 Φ iとの比 Φ i / Φ Pとして定義される値をび iとするとき、 0 . 5≤σ ί / 0 οの条件を満足することが好ましい。

本発明の第 7形態では、 第 1面に設定されるマスクのパターンを第 2面に配置 される感光性基板上に露光する露光方法において、

直線偏光の光を供給する第 1工程と、

前記第 1工程によって供給された光に基づいて前記マスクを照明する第 2工程 と、

前記第 2工程によって照明されたマスクのパターンを前記感光性基板上に露光 する第 3工程と、

前記第 2面上での光の偏光状態を特定の偏光状態と非偏光状態との間で切り換 える第 4工程とを含み、

前記第 4工程は、 入射する直線偏光の光を必要に応じて非偏光化するためのデ ボラライザを照明光路に対して挿脱する工程を含むことを特徴とする露光方法を 提供する。

第 7形態の好ましい態様によれば、 前記第 4工程は、 直線偏光の偏光面を可変 とする工程を含む。 また、 前記第 3工程は、 投影光学系を用いて前記マスクのパ ターンの像を第 2面上に形成する工程を含み、 前記投影光学系の瞳と共役な位置 またはその近傍の位置に所定の光強度分布を形成する形成する第 5工程と、 前記 所定の光強度分布の形状および大きさのうちの少なくとも一方を変更する第 6ェ 程と、 前記所定の光強度分布の形状および大きさのうちの少なくとも一方の変更 に応じて前記被照射面を照明する光の偏光状態を変更する第 7工程とを含むこと が好ましい。

本発明の第 8形態では、 第 1面に設定されるマスクのパターンを第 2面に配置 される感光性基板上に露光する露光方法において、

光を供給する第 1工程と、

前記第 1工程によって供給された光に基づいて前記マスクを照明する第 2工程 と、

前記第 2工程によって照明されたマスクのパターンを前記感光性基板上に露光 する第 3工程と、

前記第 2面上での光の偏光状態の変動を補正する第 4工程とを含むことを特徴 とする露光方法を提供する。

第 8形態の好ましい態様によれば、 光の偏光状態を検出する第 5工程をさらに 含み、

前記第 4工程は、 前記第 5工程にて検出された光の偏光状態に基づいて前記第 2面上での偏光状態を調整する工程を含む。

本発明の第 9形態では、 光源部からの光に基づいて、 特定の偏光状態のもとで 被照射面を照明する照明光学装置において、

前記光源部と前記被照射面との間の光路中に配置されて、 前記被照射面を照明 する光の偏光状態を変更する偏光状態変更手段と、

前記被照射面と実質的にフーリエ変換の関係にある照明瞳に形成される光強度 分布の縦横比を変化させるための縦横比変化手段とを備えることを特徴とする照 明光学装置を提供する。

第 9形態の好ましい態様によれば、 偏光状態変更手段は、 前記被照射面を照明 する光の偏光状態を特定の偏光状態と非偏光状態との間で切り換えるための偏光 状態切換手段を備える。 また、 第 9形態の好ましい態様によれば、 縦横比変化手 段は、 前記照明瞳と実質的にフーリエ変換の関係にある位置またはその近傍に配 置されて、 直交する 2つの方向のパワー比を変化させる機能を有する光学素子群 を備えている。 本発明の第 1 0形態では、 第 9形態に記載の照明光学装置を備え、 マスクのパ ターンを前記被照射面に配置された感光性基板上に露光することを特徴とする露 光装置を提供する。

第 1 0形態の好ましい態様によれば、 前記偏光状態変更手段は、 前記マスクの パターン特性に応じて前記光の偏光状態を変更し、 前記縦横比変化手段は、 前記 マスクのパターン特性に応じて照明瞳に形成される光強度分布の縦横比を変化さ せる。

本発明の第 1 1形態では、 第 1面に設定されるマスクのパターンを第 2面に設 定される感光性基板上に露光する露光方法において、

特定の偏光状態の光を供給する第 1工程と、

前記第 1工程によって供給された光に基づいて前記マスクを照明する第 2工程 と、

前記第 2工程によって照明されたマスクのパターンを前記感光性基板上に露光 する第 3工程と、

前記第 2面上での光の偏光状態と変更する第 4工程と、

前記第 2面と実質的にフーリエ変換の関係にある照明瞳に形成される光強度分 布の縦横比を変化させる第 5工程とを含むことを特徴とする露光方法を提供する。 第 1 1形態の好ましい態様によれば、 前記第 4工程では、 前記マスクのバタ一 ン特性に応じて前記光の偏光状態を変更する。 また、 第 1 1形態の好ましい態様 によれば、 前記第 5工程では、 前記マスクのパターン特性に応じて照明瞳に形成 される光強度分布の縦横比を変化させる。

本発明の第 1 2形態では、 光源部からの光で被照射面を照明する照明光学装置 において、

前記被照射面を照明する光の偏光状態を特定の偏光状態に設定するための偏光 照明設定手段と、

前記光源部と前記被照射面との間の光路中に配置されたオプティカルインテグ レー夕とを備え、

前記オプティカルインテグレ一タは、 所定の第 1方向に沿ったピッチで配列さ れた第 1の 1次元シリンドリカルレンズアレイと、 前記第 1方向と交差する第 2 方向に沿つたピッチで配列された第 2の 1次元シリンドリカルレンズアレイとを 備えていることを特徴とする照明光学装置を提供する。

第 1 2形態の好ましい態様によれば、 前記第 1および第 2の 1次元シリンドリ カルレンズアレイは 1つの光透過性基板に一体に設けられている。 また、 第 1 2 形態の好ましい態様によれば、 前記第 1および第 2の 1次元シリンドリカルァレ ィを備えたシリンドリカルレンズアレイ板を複数備え、 前記複数のシリンドリカ ルレンズアレイ板は、 前記照明光学装置の光軸方向に沿って互いに間隔を隔てて 配置されている。 また、 第 1 2形態の好ましい態様によれば、 前記第 1の 1次元 シリンドリカルァレイの第 1方向に沿ったピッチと前記第 2の 1次元シリンドリ カルァレイの第 2方向に沿ったピッチとの少なくとも一方は 2 mm以下のピッチ を有する。

本発明の第 1 3形態では、 第 1 2形態に記載の照明光学装置を備え、 マスクの パターンを前記被照射面に配置された感光性基板上に露光することを特徴とする 露光装置を提供する。

本発明の第 1 4形態では、 第 1 2形態に記載の照明光学装置を用いてマスクを 照明する照明工程と、 前記マスクのパターンを前記被照射面に配置された感光性 基板上に露光する露光工程とを含むことを特徴とする露光方法を提供する。 図面の簡単な説明

第 1図は、 本発明の実施形態にかかる照明光学装置を備えた露光装置の構成を 概略的に示す図である。

第 2 A図は、 輪帯照明において形成される輪帯状の二次光源を示す図である。 第 2 B図は、 4極照明において形成される 4極状の二次光源を示す図である。 第 3 A図および第 3 B図は、 2極照明において形成される 2極状の二次光源を 示す図である。

第 4図は、 第 1図の位相部材およびデボラライザの構成を概略的に示す図であ る。 第 5図は、 第 1変形例にかかる偏光状態切換手段の構成を概略的に示す図であ る。

第 6図は、 第 2変形例にかかる偏光状態切換手段の構成を概略的に示す図であ る。

第 7図は、 第 3変形例にかかる偏光状態切換手段の構成を概略的に示す図であ る。

第 8図は、 変形例にかかるデボラライザの構成を概略的に示す図である。

第 9図は、 第 1図において光源と偏光状態切換手段との間に配置されるビーム マツチングュニットの内部構成を概略的に示す図である。

第 1 0図は、 蛍石の結晶方位について説明する図である。

第 1 1図は、 偏光状態切換手段において楕円偏光を直線偏光に変換するための 1 / 4波長板を付設した例を概略的に示す図である。

第 1 2図は、 マイクロデバイスとしての半導体デパイスを得る際の手法のフロ —チヤ一卜である。

第 1 3図は、 マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得る際の手法のフロー チヤ一卜で る。

第 1 4図は、 2極照明において直線偏光状態の光でマスクを照明する一例を概 略的に説明する図である。

第 1 5図は、 円形照明において直線偏光状態の光でマスクを照明する一例を概 略的に説明する図である。

第 1 6図は、 第 1図の露光装置に照明光の偏光状態を検知するための偏光モニ ターを付設した構成を概略的に示す図である。

第 1 7図は、 第 1 6図の偏光モニタ一の内部構成を概略的に示す斜視図である。 第 1 8図は、 第 1 1図の偏光状態切換手段における 1 / 4波長板の結晶光学軸 および 1 / 2波長板の結晶光学軸を調整する方法のフローチャートである。

第 1 9図は、 1 / 4波長板の結晶光学軸を一 4 5度の標準角度位置に固定した ときの、 1ノ 2波長板の結晶光学軸の各角度位置における偏光モニターの出力変 化を示す図である。 第 2 0図は、 1 Z 4波長板の結晶光学軸を各角度位置状態に設定したときの、 1 / 2波長板の結晶光学軸の各角度位置における偏光モニターの出力変化を示す 図である。

第 2 1図は、 1 / 4波長板の結晶光学軸の各角度位置状態における偏光モニタ 一の出力コントラストの変化を示す図である。

第 2 2図は、 楕円偏光の光を直線偏光の光に変換するための第 1角度位置に 1 ノ 4波長板の結晶光学軸を固定したときの、 1 Z 2波長板の結晶光学軸の各角度 位置における偏光モニタ一の出力変化を示す図である。

第 2 3図は、 第 1図や第 1 6図とは異なる構成の照明瞳分布形成手段を有する 露光装置の構成を概略的に示す図である。

第 2 4図は、 第 2 3図においてァフォーカルレンズの前側レンズ群と後側レン ズ群との間の光路中に配置された円錐アキシコン系の構成を概略的に示す図であ る。

第 2 5図は、 第 2 3図の変形例の輪帯照明において形成される二次光源に対す る円錐アキシコン系の作用を説明する図である。

第 2 6図は、 第 2 3図の変形例の輪帯照明において形成される二次光源に対す るズームレンズの作用を説明する図である。

第 2 7図は、 第 2 3図においてァフォ一カルレンズの前側レンズ群と後側レン ズ群との間の光路中に配置された第 1シリンドリカルレンズ対および第 2シリン ドリカルレンズ対の構成を概略的に示す図である。

第 2 8図は、 第 2 3図の変形例の輪帯照明において形成される二次光源に対す る第 1シリンドリカルレンズ対および第 2シリンドリカルレンズ対の作用を説明 する図である。

第 2 9図は、 第 2 3図の変形例の輪帯照明において形成される二次光源に対す る第 1シリンドリカルレンズ対および第 2シリンドリカルレンズ対の作用を説明 する図である。

第 3 0図は、 第 2 3図の変形例の輪帯照明において形成される二次光源に対す る第 1シリンドリカルレンズ対および第 2シリンドリカルレンズ対の作用を説明 する図である。 発明を実施するための最良の形態

本発明の実施形態を、 添付図面に基づいて説明する。

第 1図は、 本発明の実施形態にかかる照明光学装置を備えた露光装置の構成を 概略的に示す図である。 第 1図において、 感光性基板であるウェハ Wの法線方向 に沿って Z軸を、 ウェハ面内において第 1図の紙面に平行な方向に Y軸を、 ゥェ 八面内において第 1図の紙面に垂直な方向に X軸をそれぞれ設定している。 なお、 第 1図では、 照明光学装置が輪帯照明を行うように設定されている。

本実施形態の露光装置は、 露光光 (照明光) を供給するためのレーザ光源 1を 備えている。 レーザ光源 1として、 たとえば 2 4 8 n mの波長の光を供給する K r Fエキシマレーザ光源や 1 9 3 n mの波長の光を供給する A r Fエキシマレー ザ光源などを用いることができる。 レーザ光源 1から Z方向に沿つて射出された ほぼ平行な光束は、 X方向に沿って細長く延びた矩形状の断面を有し、 一対のレ ンズ 2 aおよび 2 bからなるビームエキスパンダ 2に入射する。 各レンズ 2 aお よび 2 bは、 第 1図の紙面内 (Y Z平面内) において負の屈折力および正の屈折 力をそれぞれ有する。 したがって、 ビームエキスパンダ 2に入射した光束は、 第 1図の紙面内において拡大され、 所定の矩形状の断面を有する光束に整形される。 整形光学系としてのビームエキスパンダ 2を介したほぼ平行な光束は、 折り曲 げミラー 3で Y方向に偏向された後、 位相部材 1 0、 デボラライザ (非偏光化素 子) 2 0、 および回折光学素子 4を介して、 ァフォーカルズームレンズ 5に入射 する。 位相部材 1 0およびデボラライザ 2 0の構成および作用については後述す る。 一般に、 回折光学素子は、 基板に露光光 (照明光) の波長程度のピッチを有 する段差を形成することによって構成され、 入射ビームを所望の角度に回折する 作用を有する。 具体的には、 回折光学素子 4は、 矩形状の断面を有する平行光束 が入射した場合に、 そのファーフィールド (またはフラウンホーファー回折領 域) に円形状の光強度分布を形成する機能を有する。

したがって、 回折光学素子 4を介した光束は、 ァフォーカルズームレンズ 5の 瞳位置に円形状の光強度分布、 すなわち円形状の断面を有する光束を形成する。 回折光学素子 4は、 照明光路から退避可能に構成されている。 ァフォーカルズー ムレンズ 5は、 ァフォーカル系 (無焦点光学系) を維持しながら所定の範囲で倍 率を連続的に変化させることができるように構成されている。 ァフォーカルズー ムレンズ 5を介した光束は、 輪帯照明用の回折光学素子 6に入射する。 ァフォー 力ルズームレンズ 5は、 回折光学素子 4の発散原点と回折光学素子 6の回折面と を光学的にほぼ共役に結んでいる。 そして、 回折光学素子 6の回折面またはその 近傍の面の一点に集光する光束の開口数は、 ァフォーカルズームレンズ 5の倍率 に依存して変化する。

輪帯照明用の回折光学素子 6は、 平行光束が入射した場合に、 そのファーフィ 一ルドにリング状の光強度分布を形成する機能を有する。 回折光学素子 6は、 照 明光路に対して揷脱自在に構成され、 且つ 4極照明用の回折光学素子 6 0や円形 照明用の回折光学素子 6 1や X方向 2極照明用の回折光学素子 6 2や Y方向 2極 照明用の回折光学素子 6 3と切り換え可能に構成されている。 4極照明用の回折 光学素子 6 0、 円形照明用の回折光学素子 6 1、 X方向 2極照明用の回折光学素 子 6 2、 および Y方向 2極照明用の回折光学素子 6 3の構成および作用について は後述する。

回折光学素子 6を介した光束は、 ズームレンズ 7に入射する。 ズームレンズ 7 の後側焦点面の近傍には、 マイクロレンズアレイ (またはフライアイレンズ) 8 の入射面が位置決めされている。 マイクロレンズアレイ 8は、 縦横に且つ稠密に 配列された多数の正屈折力を有する微小レンズからなる光学素子である。 一般に、 マイクロレンズアレイは、 たとえば平行平面板にエッチング処理を施して微小レ ンズ群を形成することによって構成される。

ここで、 マイクロレンズアレイを構成する各微小レンズは、 フライアイレンズ を構成する各レンズエレメントよりも微小である。 また、 マイクロレンズアレイ は、 互いに隔絶されたレンズエレメントからなるフライアイレンズとは異なり、 多数の微小レンズ (微小屈折面) が互いに隔絶されることなく一体的に形成され ている。 しかしながら、 正屈折力を有するレンズ要素が縦横に配置されている点 でマイクロレンズアレイはフライアイレンズと同じ波面分割型のオプティカルィ ンテグレー夕である。

上述したように、 回折光学素子 4を介してァフォーカルズームレンズ 5の瞳位 置に形成される円形状の光強度分布からの光束は、 ァフォーカルズームレンズ 5 から射出された後、 様々な角度成分を有する光束となって回折光学素子 6に入射 する。 すなわち、 回折光学素子 4は、 角度光束形成機能を有するオプティカルィ ンテグレー夕を構成している。 一方、 回折光学素子 6は、 平行光束が入射した場 合に、 そのファーフィールドにリング状の光強度分布を形成する光束変換素子と しての機能を有する。 したがって、 回折光学素子 6を介した光束は、 ズームレン ズ 7の後側焦点面に (ひいてはマイクロレンズアレイ 8の入射面に)、 たとえば 光軸 A Xを中心とした輪帯状の照野を形成する。

マイクロレンズアレイ 8の入射面に形成される輪帯状の照野の外径は、 ズーム レンズ 7の焦点距離に依存して変化する。 このように、 ズームレンズ 7は、 回折 光学素子 6とマイクロレンズァレイ 8の入射面とを実質的にフーリェ変換の関係 に結んでいる。 マイクロレンズアレイ 8に入射した光束は二次元的に分割され、 マイクロレンズアレイ 8の後側焦点面には、 第 2 A図に示すように、 入射光束に よって形成される照野と同じ輪帯状の多数光源 (以下、 「二次光源」 という) が 形成される。

マイク口レンズアレイ 8の後側焦点面に形成された輪帯状の二次光源からの光 束は、 コンデンサー光学系 9の集光作用を受けた後、 所定のパターンが形成され たマスク Mを重畳的に照明する。 マスク Mのパターンを透過した光束は、 投影光 学系 P Lを介して、 感光性基板であるウェハ W上にマスクパターンの像を形成す る。 こうして、 投影光学系 P Lの光軸 A Xと直交する平面 (X Y平面) 内におい てウェハ Wを二次元的に駆動制御しながら一括露光またはスキャン露光を行うこ とにより、 ウェハ Wの各露光領域にはマスク Mのパターンが逐次露光される。 本実施形態では、 ァフォーカルズームレンズ 5の倍率が変化すると、 輪帯状の 二次光源の中心高さ (円形状の中心線の光軸 A Xからの距離) d 0が変化するこ となく、 その幅 (外径 (直径) と内径(直径)との差の 1 / 2 ) w 0だけが変化す る。 すなわち、 ァフォーカルズームレンズ 5の倍率を変化させることにより、 輪 帯状の二次光源の大きさ (外径) およびその形状 (輪帯比:内径 Z外径) をとも に変更することができる。

また、 ズームレンズ 7の焦点距離が変化すると、 輪帯状の二次光源の輪帯比が 変化することなく、 中心高さ d 0およびその幅 w 0がともに変化する。 すなわち、 ズームレンズ 7の焦点距離を変化させることにより、 輪帯状の二次光源の輪帯比 を変更することなくその外径を変更することができる。 以上より、 本実施形態で は、 ァフォーカルズームレンズ 5の倍率とズームレンズ 7の焦点距離とを適宜変 化させることにより、 輪帯状の二次光源の外径を変化させることなくその輪帯比 だけを変更することができる。

なお、 回折光学素子 6に代えて回折光学素子 6 0を照明光路中に設定すること によって 4極照明を行うことができる。 4極照明用の回折光学素子 6 0は、 平行 光束が入射した場合に、 そのファーフィールドに 4点状の光強度分布を形成する 機能を有する。 したがって、 回折光学素子 6 0を介した光束は、 マイクロレンズ アレイ 8の入射面に、 たとえば光軸 A Xを中心とした 4つの円形状の照野からな る 4極状の照野を形成する。 その結果、 第 2 B図に示すように、 マイクロレンズ アレイ 8の後側焦点面にも、 その入射面に形成された照野と同じ 4極状の二次光 源が形成される。

4極照明においても輪帯照明の場合と同様に、 ァフオーカルズームレンズ 5の 倍率を変化させることにより、 4極状の二次光源の外径 (4つの円形状の面光源 に外接する円の直径) D oおよび輪帯比 (4つの円形状の面光源に内接する円の 直径 D i / 4つの円形状の面光源に外接する円の直径 D o ) をともに変更するこ とができる。 また、 ズームレンズ 7の焦点距離を変化させることにより、 4極状 の二次光源の輪帯比を変更することなくその外径を変更することができる。 その 結果、 ァフォーカルズームレンズ 5の倍率とズームレンズ 7の焦点距離とを適宜 変化させることにより、 4極状の二次光源の外径を変化させることなくその輪帯 比だけを変更することができる。

また、 回折光学素子 4を照明光路から退避させるとともに、 回折光学素子 6ま たは 6 0に代えて円形照明用の回折光学素子 6 1を照明光路中に設定することに よって、 通常の円形照明を行うことができる。 この場合、 ァフォ一カルズームレ ンズ 5には光軸 A Xに沿って矩形状の断面を有する光束が入射する。 ァフォー力 ルズームレンズ 5に入射した光束は、 その倍率に応じて拡大または縮小され、 矩 形状の断面を有する光束のまま光軸 A Xに沿ってァフォ一カルズームレンズ 5か ら射出され、 回折光学素子 6 1に入射する。

ここで、 円形照明用の回折光学素子 6 1は、 回折光学素子 4と同様に、 矩形状 の断面を有する平行光束が入射した場合に、 ファーフィールドに円形状の光強度 分布を形成する機能を有する。 したがって、 回折光学素子 6 1により形成された 円形光束は、 ズームレンズ 7を介して、 マイクロレンズアレイ 8の入射面におい て光軸 A Xを中心とした円形状の照野を形成する。 その結果、 マイクロレンズァ レイ 8の後側焦点面にも、 光軸 A Xを中心とした円形状の二次光源が形成される。 この場合、 ァフォーカルズームレンズ 5の倍率またはズームレンズ 7の焦点距離 を変化させることにより、 円形状の二次光源の外径を適宜変更することができる。 さらに、 回折光学素子 6、 6 0または 6 1に代えて回折光学素子 6 2を照明光 路中に設定することによって X方向 2極照明を行うことができる。 X方向 2極照 明用の回折光学素子 6 2は、 平行光束が入射した場合に、 そのファーフィールド に、 X方向に沿つて間隔を隔てた 2点状の光強度分布を形成する機能を有する。 したがって、 回折光学素子 6 2を介した光束は、 マイクロレンズアレイ 8の入射 面に、 たとえば光軸 A Xを中心として X方向に沿って間隔を隔てた 2つの円形状 の照野からなる 2極状の照野を形成する。 その結果、 第 3 A図に示すように、 マ イク口レンズアレイ 8の後側焦点面にも、 その入射面に形成された照野と同じ X 方向に沿つた 2極状の二次光源が形成される。

また、 回折光学素子 6、 6 0、 6 1または 6 2に代えて回折光学素子 6 3を照 明光路中に設定することによって Y方向 2極照明を行うことができる。 Y方向 2 極照明用の回折光学素子 6 3は、 平行光束が入射した場合に、 そのファーフィ一 ルドに、 Z方向 (マスク上およびウェハ上において Y方向に対応) に沿って間隔 を隔てた 2点状の光強度分布を形成する機能を有する。 したがって、 回折光学素 子 6 3を介した光束は、 マイクロレンズアレイ 8の入射面に、 たとえば光軸 A X を中心として Z方向に沿って間隔を隔てた 2つの円形状の照野からなる 2極状の 照野を形成する。 その結果、 第 3 B図に示すように、 マイクロレンズアレイ 8の 後側焦点面にも、 その入射面に形成された照野と同じ Z方向に沿った 2極状の二 次光源が形成される。

2極照明においても 4極照明の場合と同様に、 ァフォーカルズームレンズ 5の 倍率を変化させることにより、 2極状の二次光源の外径 (2つの円形状の面光源 に外接する円の直径) d oおよび輪帯比 (2つの円形状の面光源に内接する円の 直径 d i / 2つの円形状の面光源に外接する円の直径 d 0 ) をともに変更するこ とができる。 また、 ズームレンズ 7の焦点距離を変化させることにより、 2極状 の二次光源の輪帯比を変更することなくその外径を変更することができる。 その 結果、 ァフオーカルズームレンズ 5の倍率とズームレンズ 7の焦点距離とを適宜 変化させることにより、 2極状の二次光源の外径を変化させることなくその輪帯 比だけを変更することができる。

第 4図は、 第 1図の位相部材およびデボラライザの構成を概略的に示す図であ る。 第 4図を参照すると、 位相部材 1 0は、 光軸 A Xを中心として結晶光学軸が 回転自在に構成された 1 Z 2波長板により構成されている。 一方、 デボラライザ 2 0は、 楔形状の水晶プリズム 2 0 aと、 この水晶プリズム 2 0 aと相補的な形 状を有する楔形状の石英プリズム 2 0 bとにより構成されている。 水晶プリズム 2 0 aと石英プリズム 2 0 bとは、 一体的なプリズム組立体として、 照明光路に 対して揷脱自在に構成されている。 レーザ光源 1として K r Fエキシマレーザ光 源または A r Fエキシマレーザ光源を用いている場合、 これらの光源から射出さ れる光の偏光度は典型的には 9 5 %以上の偏光度を有するため、 1 Z 2波長板 1 0にはほぼ直線偏光の光が入射する。

1 / 2波長板 1 0の結晶光学軸が入射する直線偏光の偏光面に対して 0度また は 9 0度の角度をなすように設定された場合、 1 Z 2波長板 1 0に入射した直線 偏光の光は偏光面が変化することなくそのまま通過する。 また、 1ノ2波長板1 0の結晶光学軸が入射する直線偏光の偏光面に対して 4 5度の角度をなすように 設定された場合、 1 / 2波長板1 0に入射した直線偏光の光は偏光面が 9 0度だ け変化した直線偏光の光に変換される。 さらに、 水晶プリズム 2 0 aの結晶光学 軸が入射する直線偏光の偏光面に対して 4 5度の角度をなすように設定された場 合、 水晶プリズム 2 0 aに入射した直線偏光の光は非偏光状態の光に変換 (非偏 光化) される。

本実施形態では、 デボラライザ 2 0が照明光路中に位置決めされたときに水晶 プリズム 2 0 aの結晶光学軸が入射する直線偏光の偏光面に対して 4 5度の角度 をなすように構成されている。 ちなみに、 水晶プリズム 2 0 aの結晶光学軸が入 射する直線偏光の偏光面に対して 0度または 9 0度の角度をなすように設定され た場合、 水晶プリズム 2 0 aに入射した直線偏光の光は偏光面が変化することな くそのまま通過する。 また、 1 / 2波長板 1 0の結晶光学軸が入射する直線偏光 の偏光面に対して 2 2 . 5度の角度をなすように設定された場合、 1 Z 2波長板 1 0に入射した直線偏光の光は、 偏光面が変化することなくそのまま通過する直 線偏光成分と偏光面が 9 0度だけ変化した直線偏光成分とを含む非偏光状態の光 に変換される。

本実施形態では、 上述したように、 レーザ光源 1からの直線偏光の光が 1 / 2 波長板 1 0に入射するが、 以下の説明を簡単にするために、 P偏光 (第 1図中で 1 / 2波長板の位置において Z方向に偏光面を持つ直線偏光、 以下 Z方向偏光と 称する) の光が 1 Z 2波長板 1 0に入射するものとする。 デボラライザ 2 0を照 明光路中に位置決めした場合、 1 Z 2波長板 1 0の結晶光学軸が入射する P偏光 ( Z方向偏光) の偏光面に対して 0度または 9 0度の角度をなすように設定する と、 1 / 2波長板 1 0に入射した P偏光 (Z方向偏光) の光は偏光面が変化する ことなく P偏光 (Z方向偏光) のまま通過して水晶プリズム 2 0 aに入射する。 水晶プリズム 2 0 aの結晶光学軸は入射する P偏光 (Z方向偏光) の偏光面に対 して 4 5度の角度をなすように設定されているので、 水晶プリズム 2 0 aに入射 した P偏光 (Z方向偏光) の光は非偏光状態の光に変換される。

水晶プリズム 2 0 aを介して非偏光化された光は、 光の進行方向を補償するた めのコンペンセ一夕としての石英プリズム 2 O bを介して、 非偏光状態でマスク (ひいてはウェハ W) を照明する。 一方、 1ノ 2波長板 1 0の結晶光学軸が入 射する P偏光 (Z方向偏光) の偏光面に対して 4 5度の角度をなすように設定す ると、 1 Z 2波長板 1 0に入射した P偏光 (Z方向偏光) の光は偏光面が 9 0度 だけ変化し、 S偏光 (第 1図中で 1 / 2波長板の位置において X方向に偏光面を 持つ直線偏光、 以下 X方向偏光と称する) の光になって水晶プリズム 2 0 aに入 射する。 水晶プリズム 2 0 aの結晶光学軸は入射する S偏光 (X方向偏光) の偏 光面に対しても 4 5度の角度をなすように設定されているので、 水晶プリズム 2 0 aに入射した S偏光 (X方向偏光) の光は非偏光状態の光に変換され、 石英プ リズム 2 0 bを介して、 非偏光状態でマスク Mを照明する。

これに対し、 デボラライザ 2 0を照明光路から退避させた場合、 1 Z 2波長板 1 0の結晶光学軸が入射する P偏光 (Z方向偏光) の偏光面に対して 0度または 9 0度の角度をなすように設定すると、 1 / 2波長板 1 0に入射した P偏光 (Z 方向偏光) の光は偏光面が変化することなく P偏光 (Z方向偏光) のまま通過し、 P偏光 (Z方向偏光) 状態の光でマスク Mを照明する。 一方、 1 Z 2波長板 1 0 の結晶光学軸が入射する P偏光 (Z方向偏光) の偏光面に対して 4 5度の角度を なすように設定すると、 1 / 2波長板1 0に入射した P偏光の光は偏光面が 9 0 度だけ変化して S偏光の光になり、 S偏光 (X方向偏光) 状態の光でマスク Mを 照明する。

以上のように、 本実施形態では、 デボラライザ 2 0を照明光路中に挿入して位 置決めすることにより、 非偏光状態でマスク Mを照明することができる。 また、 デボラライザ 2 0を照明光路から退避させ且つ 1 Z 2波長板 1 0の結晶光学軸が 入射する P偏光 (Z方向偏光) の偏光面に対して 0度または 9 0度の角度をなす ように設定することにより、 P偏光 (Y方向偏光) 状態でマスク Mを照明するこ とができる。 さらに、 デボラライザ 2 0を照明光路から退避させ且つ 1 Z 2波長 板 1 0の結晶光学軸が入射する P偏光 (Z方向偏光) の偏光面に対して 4 5度を なすように設定することにより、 S偏光 (X方向偏光) 状態でマスク Mを照明す ることができる。

換言すれば、 本実施形態では、 1 Z 2波長板 1 0とデボラライザ 2 0とからな る偏光状態切換手段の作用により、 被照射面としてのマスク M (ひいてはウェハ W) を照明する光の偏光状態を直線偏光状態と非偏光状態との間で切り換えるこ とができ、 直線偏光の光で照明する場合には P偏光状態と S偏光状態との間 (互 いに直交する偏光状態の間) で切り換える (直線偏光の偏光面を可変とする) こ とができる。 その結果、 本実施形態では、 マスク Mのパターン特性に応じて光量 損失を抑えつつ照明光の偏光状態を変化させて適切な照明条件を実現することが できるので、 マスク Mのパターン特性に応じて実現された適切な照明条件のもと で良好な露光を行うことができる。 特に、 直線偏光の光で照明する場合には、 光 源 1からの直線偏光を偏光状態切換手段において実質的に光量損失することなく 被照射面へ導くことができる。

具体的には、 たとえば X方向 2極照明に設定するとともに、 マスク M上におい て X方向に沿って偏光面を有する直線偏光状態の光でマスク Mを照明することに より、 ウェハ W上のクリティカルレイヤにおける X方向に沿つた線幅の非常に小 さいパターンを忠実に露光することができる。 次いで、 たとえば Y方向 2極照明 に切り換えるとともに、 マスク M上において Y方向に沿って偏光面を有する直線 偏光状態の光でマスク Mを照明することにより、 ウェハ W上の同じクリティカル レイヤにおける Y方向に沿った線幅の非常に小さいパターンを忠実に露光するこ とができる。

さらに、 クリティカルレイヤにおける二重露光が終了した後に、 たとえば 2極 照明のままで、 あるいは 4極照明や輪帯照明や円形照明に切り換えるとともに、 非偏光状態の光でマスク Mを照明することにより、 ウェハ W上のノンクリティ力 ルレイヤ (ミドルレイヤまたはラフレイヤ) における線幅の比較的大きい二次元 パターンを高スループットで露光することができる。 ただし、 これは一例であつ て、 一般的には、 マスク Mのパターン特性に応じて、 二次光源の適切な形状また は大きさを設定し、 且つマスク Mを照明する光を適切な偏光状態に設定すること により、 適切な照明条件のもとで良好な露光を行うことができる。

実際に、 ゥェハ Wに対して P偏光の光線が斜入射する場合とゥヱハ Wに対して S偏光の光線が斜入射する場合とでは、 ウェハ W上に形成されたレジスト層の表 面における散乱が異なる。 具体的には、 S偏光の方が P偏光よりも反射率が高ぐ したがって P偏光の方が S偏光よりもレジスト層の内部へ深く達する。 このよう なレジスト層に対する P偏光と S偏光との光学特性の相違を利用し、 マスク Mの パターン特性に応じて照明光の偏光状態を変化させて適切な照明条件を実現すれ ば、 適切な照明条件のもとで良好な露光を行うことができることになる。

なお、 上述の実施形態では、 入射する直線偏光の光の偏光面を必要に応じて変 化させるための位相部材としての 1 Z 2波長板 1 0を光源側に配置し、 入射する 直線偏光の光を必要に応じて非偏光化するためのデボラライザ 2 0をマスク側に 配置している。 しかしながら、 これに限定されることなく、 デボラライザ 2 0を 光源側に配置し且つ 1 / 2波長板 1 0をマスク側に配置しても同じ光学的な作用 効果を得ることができる。

また、 上述の実施形態では、 水晶プリズム 2 0 aを介した光の進行方向を補償 するためのコンペンセ一夕として石英プリズム 2 0 bを用いている。 しかしなが ら、 これに限定されることなく、 K r Fエキシマレーザ光や A r Fエキシマレ一 ザ光に対して耐久性の高い光学材料、 たとえば水晶や蛍石などにより形成された 楔形状のプリズムをコンペンセ一夕として用いていることもできる。 この点は、 他の関連する変形例においても同様である。

第 5図は、 第 1変形例にかかる偏光状態切換手段の構成を概略的に示す図であ る。 第 5図の第 1変形例にかかる偏光状態切換手段は、 第 4図の実施形態にかか る偏光状態切換手段と類似の構成を有する。 しかしながら、 第 4図の実施形態で はデボラライザ 2 0が照明光路に対して挿脱自在に構成されているのに対し、 第 5図の第 1変形例ではデボラライザ 2 0を構成する水晶プリズム 2 0 aと石英プ リズム 2 0 bとが一体的に光軸 A Xを中心として回転自在に構成され、 ひいては 水晶プリズム 2 0 aの結晶光学軸が光軸 A Xを中心として回転自在に構成されて いる点が基本的に相違している。 以下、 第 4図の実施形態との相違点に着目して、 第 5図の第 1変形例を説明する。

第 1変形例では、 1 / 2波長板 1 0の結晶光学軸が入射する P偏光 (Z方向偏 光) の偏光面に対して 0度または 9 0度の角度をなすように設定すると、 1 2 波長板 1 0に入射した P偏光 (Z方向偏光) の光は偏光面が変化することなく P 偏光 (Z方向偏光) のまま通過して水晶プリズム 2 0 aに入射する。 このとき、 水晶プリズム 2 0 aの結晶光学軸が入射する P偏光 (Z方向偏光) の偏光面に対 して 4 5度の角度をなすように設定すると、 水晶プリズム 2 0 aに入射した P偏 光 (Z方向偏光) の光は非偏光状態の光に変換され、 石英プリズム 2 O bを介し て非偏光状態でマスク Mを照明する。 また、 水晶プリズム 2 0 aの結晶光学軸が 入射する P偏光 (Z方向偏光) の偏光面に対して 0度または 9 0度の角度をなす ように設定すると、 水晶プリズム 2 0 aに入射した P偏光 (Z方向偏光) の光は 偏光面が変化することなく P偏光 (Z方向偏光) のまま通過し、 石英プリズム 2 O bを介して P偏光状態 (Y方向偏光) でマスク Mを照明する。

一方、 1 Z 2波長板 1 0の結晶光学軸が入射する P偏光の偏光面に対して 4 5 度の角度をなすように設定すると、 1 / 2波長板 1 0に入射した P偏光 (Z方向 偏光) の光は偏光面が 9 0度だけ変化し、 S偏光 (X方向偏光) の光になって水 晶プリズム 2 0 aに入射する。 このとき、 水晶プリズム 2 0 aの結晶光学軸が入 射する P偏光 (Z方向偏光) の偏光面に対して 4 5度の角度をなすように設定す ると、 水晶プリズム 2 0 aに入射した S偏光 (X方向偏光) の光は非偏光状態の 光に変換され、 石英プリズム 2 0 bを介して非偏光状態でマスク Mを照明する。 一方、 水晶プリズム 2 0 aの結晶光学軸が入射す、る S偏光 (X方向偏光) の偏光 面に対して 0度または 9 0度の角度をなすように設定すると、 水晶プリズム 2 0 aに入射した S偏光 (X方向偏光) の光は偏光面が変化することなく S偏光 ( X 方向偏光) のまま通過し、 石英プリズム 2 0 bを介して S偏光 (X方向偏光) 状 態でマスク Mを照明する。

以上のように、 第 5図の第 1変形例では、 1 Z 2波長板 1 0の光軸 A X廻りの 回転と水晶プリズム 2 0 aの光軸 A X廻りの回転との組み合わせにより、 マスク Mを照明する光の偏光状態を直線偏光状態と非偏光状態との間で切り換えること ができ、 直線偏光の光で照明する場合には P偏光状態と S偏光状態との間で切り 換えることができる。 なお、 第 5図の第 1変形例においても、 1 Z 2波長板 1 0 を光源側に配置し且つデボラライザ 2 0をマスク側に配置しているが、 デポララ ィザ 2 0を光源側に配置し且つ 1ノ 2波長板 1 0をマスク側に配置しても同じ光 学的な作用効果を得ることができる。

第 6図は、 第 2変形例にかかる偏光状態切換手段の構成を概略的に示す図であ る。 第 6図の第 2変形例にかかる偏光状態切換手段は、 第 4図の実施形態にかか る偏光状態切換手段と類似の構成を有する。 しかしながら、 第 4図の実施形態で はデボラライザ 2 0が照明光路に対して挿脱自在に構成されているのに対し、 第 6図の第 2変形例ではデポラライザ 2 0が照明光路中に固定的に位置決めされて いる点が基本的に相違している。 以下、 第 4図の実施形態との相違点に着目して、 第 6図の第 2変形例を説明する。

第 2変形例では、 水晶プリズム 2 0 aの結晶光学軸が入射する P偏光 (Z方向 偏光) の偏光面に対して 0度または 9 0度の角度をなすように位置決めされてい る。 したがって、 1 Z 2波長板 1 0の結晶光学軸が入射する P偏光 (Z方向偏 光) の偏光面に対して 0度または 9 0度の角度をなすように設定すると、 1 2 波長板 1 0に入射した P偏光 (Z方向偏光) の光は偏光面が変化することなく P 偏光 (Z方向偏光) のまま通過して水晶プリズム 2 0 aに入射する。 水晶プリズ ム 2 0 aの結晶光学軸は入射する P偏光 (Z方向偏光) の偏光面に対して 0度ま たは 9 0度の角度をなすように位置決めされているので、 水晶プリズム 2 0 aに 入射した P偏光 (Z方向偏光) の光は偏光面が変化することなく P偏光 (Z方向 偏光) のまま通過し、 石英プリズム 2 0 bを介して P偏光 (Y方向偏光) 状態で マスク Mを照明する。

また、 1 / 2波長板 1 0の結晶光学軸が入射する P偏光 (Z方向偏光) の偏光 面に対して 4 5度の角度をなすように設定すると、 1ノ 2波長板 1 0に入射した P偏光 (Z方向偏光) の光は偏光面が 9 0度だけ変化し、 S偏光 (X方向偏光) の光になって水晶プリズム 2 0 aに入射する。 水晶プリズム 2 0 aの結晶光学軸 は入射する S偏光 (X方向偏光) の偏光面に対しても 0度または 9 0度の角度を なすように位置決めされているので、 水晶プリズム 2 0 aに入射した S偏光 (X 方向偏光) の光は偏光面が変化することなく S偏光 (X方向偏光) のまま通過し、 石英プリズム 2 0 bを介して S偏光 (X方向偏光) 状態でマスク Mを照明する。 さらに、 1 Z 2波長板 1 0の結晶光学軸が入射する P偏光 (Z方向偏光) の偏 光面に対して 2 2 . 5度の角度をなすように設定すると、 前述したように、 1 Z 2波長板 1 0に入射した P偏光の光は偏光面が変化することなくそのまま通過す る P偏光 (Z方向偏光) 成分と偏光面が 9 0度だけ変化した S偏光 (X方向偏 光) 成分とを含む非偏光状態の光に変換されて、 水晶プリズム 2 0 aに入射する。 水晶プリズム 2 0 aの結晶光学軸は入射する P偏光成分の偏光面に対しても S偏 光 (X方向偏光) 成分の偏光面に対しても 0度または 9 0度の角度をなすように 位置決めされているので、 水晶プリズム 2 0 aに入射した P偏光 (Z方向偏光) 成分も S偏光 (X方向偏光) 成分も偏光面が変化することなく通過し、 石英プリ ズム 2 0 bを介して非偏光状態でマスク Mを照明する。

以上のように、 第 6図の第 2変形例では、 デボラライザ 2 0を照明光路中に固 定的に位置決めした状態で 1 / 2波長板 1 0を光軸 A X廻りに適宜回転させるこ とにより、 マスク Mを照明する光の偏光状態を直線偏光状態と非偏光状態との間 で切り換えることができ、 直線偏光の光で照明する場合には P偏光状態と S偏光 状態との間で切り換えることができる。 なお、 第 6図の第 2変形例においても、 1 / 2波長板 1 0を光源側に配置し且つデボラライザ 2 0をマスク側に配置して いるが、 デボラライザ 2 0を光源側に配置し且つ 1 Z 2波長板 1 0をマスク側に 配置しても同じ光学的な作用効果を得ることができる。

第 7図は、 第 3変形例にかかる偏光状態切換手段の構成を概略的に示す図であ る。 第 7図の第 3変形例にかかる偏光状態切換手段は、 第 5図の第 1変形例にか かる偏光状態切換手段と類似の構成を有する。 しかしながら、 第 5図の第 1変形 例では偏光状態切換手段が 1 Z 2波長板 1 0とデボラライザ 2 0とにより構成さ れているのに対し、 第 7図の第 3変形例では偏光状態切換手段が光軸 A Xを中心 として回転自在なデボラライザ 2 0のみにより構成されている点が基本的に相違 している。 以下、 第 5図の第 1変形例との相違点に着目して、 第 7図の第 3変形 例を説明する。

第 3変形例では、 水晶プリズム 2 0 aの結晶光学軸が入射する P偏光 (Z方向 偏光) の偏光面に対して 4 5度の角度をなすように設定すると、 水晶プリズム 2 0 aに入射した P偏光の光は非偏光状態の光に変換され、 石英プリズム 2 0 bを 介して非偏光状態でマスク Mを照明する。 一方、 水晶プリズム 2 0 aの結晶光学 軸が入射する P偏光 (Z方向偏光) の偏光面に対して 0度または 9 0度の角度を なすように設定すると、 水晶プリズム 2 0 aに入射した P偏光 (Z方向偏光) の 光は偏光面が変化することなく P偏光 (Z方向偏光) のまま通過し、 石英プリズ ム 2 O bを介して P偏光 (Y方向偏光) 状態でマスク Mを照明する。

以上のように、 第 7図の第 3変形例では、 水晶プリズム 2 0 aを光軸 A X廻り に適宜回転させることにより、 マスク Mを照明する光の偏光状態を直線偏光状態 と非偏光状態との間で切り換えることができる。 なお、 第 7図の第 3変形例では、 デボラライザ 2 0を光軸 A X廻りに回転自在に構成するとともに照明光路に対し て揷脱自在に構成し、 デボラライザ 2 0を照明光路から退避させることにより P 偏光状態でマスク Mを照明するように設定しても、 同じ光学的な作用効果を得る ことができる。

第 8図は、 変形例にかかるデボラライザの構成を概略的に示す図である。 上述 の実施形態および第 1変形例〜第 3変形例では、 デボラライザ 2 0が水晶プリズ ム 2 0 aを有する構成を採用しているが、 第 8図の変形例に示すように、 偏光ビ 一ムスプリッター 2 1 aと反射系 ( 2 1 b〜2 1 e ) とによりデボラライザ 2 1 を構成することもできる。 第 8図を参照すると、 デボラライザ 2 1は、 照明光路 中に配置された偏光ビームスプリツター 2 1 aを備えている。 偏光ビームスプリ ッ夕一 2 1 aに入射した光のうち、 偏光ビームスプリッ夕ー 2 1 aの偏光分離面 に対して P偏光の光 (図中においてその偏光方向を両矢印で示す) は偏光ビーム スプリッター 2 1 aを透過する。

一方、 偏光ビームスプリツター 2 1 aの偏光分離面に対して S偏光の光 (図中 においてその偏光方向を点で示す) は、 偏光ビ一ムスプリッター 2 1 aで反射さ れた後、 4つの反射鏡 2 1 b〜2 1 eにより構成された反射系の作用により、 第 8図の紙面に平行な平面内において 4回だけ反射されて偏光ビ一ムスプリッター 2 1 aに戻る。 ここで、 反射系 (2 1 b〜2 1 e ) は、 偏光ビームスプリッタ一 2 1 aを透過した P偏光の光の光路と偏光ピームスプリッタ一 2 1 aで最終的に 反射された S偏光の光の光路とがほぼ一致するように構成されている。 こうして、 偏光ビームスプリッター 21 aを透過した P偏光の光と偏光ビームスプリッター 21 aで最終的に反射された S偏光の光とはほぼ同一の光路に沿ってデボラライ ザ 21から射出される。 ただし、 S偏光の光は P偏光の光に対して反射系 (21 b〜21 e) の光路長だけ遅延される。

偏光ビームスプリツター 21 aと反射系 (21 b〜21 e) とにより構成され たデボラライザ 21は、 水晶プリズム 20 aと石英プリズム 20 bとにより構成 されたデボラライザ 20と基本的に等価な光学的作用を有する。 したがって、 実 施形態および第 1変形例〜第 3変形例におけるデボラライザ 20を、 第 8図の変 形例にかかるデボラライザ 21で置換することができる。 すなわち、 第 4図の実 施形態にデボラライザ 21を適用する場合、 偏光ビームスプリツター 21 aと反 射系 (21 b〜21 e) とを、 照明光路に対して一体的に揷脱自在に構成するこ とになる。

また、 第 5図の第 1変形例または第 7図の第 3変形例にデボラライザ 21を適 用する場合、 偏光ビームスプリッ夕ー 21 aと反射系 (21 b〜21 e) とを、 光軸 AXを中心として一体的に回転自在に構成することになる。 さらに、 第 6図 の第 2変形例にデボラライザ 21を適用する場合、 偏光ビームスプリツター 21 aと反射系 (21 b〜21 e) とを照明光路中に固定的に位置決めすることにな る。

第 8図の変形例にかかるデボラライザ 21では、 反射系 (21 b〜21 e) の 光路長を照明光 (露光光) の可干渉距離よりも実質的に大きく設定することによ り、 マスク Mを照明するレ一ザ光のコヒ一レンシィ (干渉性) の低減を図り、 ひ いてはウェハ W上におけるスペックルのコントラストの低減を図ることができる。 なお、 偏光ビームスプリッ夕一と反射系とを備えて本発明に適用可能なデポララ ィザの詳細な構成およびその様々な変形例については、 たとえば特開平 1 1— 1 74365号公報、 特開平 1 1— 312631号公報、 特開 2000— 2233 96号公報などを参照することができる。

第 9図は、 第 1図において光源と偏光状態切換手段との間に配置されるビーム マッチングュニットの内部構成を概略的に示す図である。 第 9図に示すビームマ ツチングユニット B MUにおいて、 レーザ光源 1 (例えば K r Fエキシマレーザ 光源または A r Fエキシマレ一ザ光源) から供給された平行ビームは、 一対の偏 角プリズム 3 1および平行平面板 3 2を介した後に、 ビームエキスパンダ 2に入 射する。 レーザ光源 1は、 たとえば下階の床版 A上に設置されている。

ここで、 一対の偏角プリズム 3 1のうちの少なくとも一方は、 光軸 A Xを中心 として回転可能に構成されている。 したがって、 一対の偏角プリズム 3 1を光軸 A X廻りに相対回転させることにより、 光軸 A Xに対する平行ビームの角度を調 整することができる。 すなわち、 一対の偏角プリズム 3 1は、 レーザ光源 1から 供給された平行ビームの光軸 A Xに対する角度を調整するためのビーム角度調整 手段を構成している。 また、 平行平面板 3 2は、 光軸 A Xに垂直な面内において 直交する 2つの軸線廻りに回転可能に構成されている。

したがって、 平行平面板 3 2を各軸線廻りに回転させて光軸 A Xに対して傾斜 させることにより、 平行ビームを光軸 A Xに対して平行移動させることができる。 すなわち、 平行平面板 3 2は、 レーザ光源 1から供給された平行ビームを光軸 A Xに対して平行移動させるためのビーム平行移動手段を構成している。 こうして、 一対の偏角プリズム 3 1および平行平面板 3 2を介したレーザ光源 1からの平行 ビームは、 ビームエキスパンダ 2を介して所定の断面形状を有する平行ビームに 拡大整形された後に、 第 1直角プリズム 3 3に入射する。

裏面反射鏡としての第 1直角プリズム 3 3によつて鉛直方向に偏向された平行 ビームは、 同じく裏面反射鏡としての第 2直角プリズム 3 4〜第 5直角プリズム 3 7で順次反射された後に、 上階の床版 Bの開口部を通過して第 6直角プリズム 3 8に入射する。 第 9図に示すように、 第 2直角プリズム 3 4〜第 5直角プリズ ム 3 7は、 第 1直角プリズム 3 3によって鉛直方向に偏向されて第 6直角プリズ ム 3 8に向かう平行ビームが、 例えば純水供給用の配管や換気用の配管 3 9など を迂回するように配置されている。

裏面反射鏡としての第 6直角プリズム 3 8によつて水平方向に偏向されたビー ムは、 ハーフミラー 4 0に入射する。 ハーフミラー 4 0で反射されたビームは、 位置ずれ傾き検出系 41に導かれる。 一方、 ハーフミラー 40を透過したビーム は、 1/2波長板 10とデボラライザ 20とからなる偏光状態切換手段 42に導 かれる。 位置ずれ傾き検出系 41では、 偏光状態切換手段 42に入射する (ひい てはォプティカルインテグレー夕としての回折光学素子 4に入射する) 平行ビ一 ムの光軸 A Xに対する位置ずれおよび傾きが検出される。

ここで、 レーザ光源 1として例えば A r Fエキシマレーザ光源を用いる場合、 エネルギ密度の高い光の照射を受ける光透過部材に蛍石を用いて所要の耐久性を 確保するのが一般的である。 この場合、 後述するように、 蛍石で形成された光透 過部材を透過する際に直線偏光の偏光面が短期的に且つ長期的に変化することが ある。 蛍石で形成された光透過部材を介して直線偏光の偏光面が変化すると、 水 晶プリズム 20 aが非偏光化素子として機能しなくなってしまう。

第 10図は、 蛍石の結晶方位について説明する図である。 第 10図を参照する と、 蛍石の結晶方位は、 立方晶系の結晶軸 a i a 2a3に基づいて規定される。 す なわち、 結晶軸 + aェに沿って結晶方位 [100] が、 結晶軸 + a2に沿って結 晶方位 [010] が、 結晶軸 + a 3に沿って結晶方位 [001] がそれぞれ規定 される。 また、 a i a 3平面において結晶方位 [1 00] および結晶方位 [00 1] と 45度をなす方向に結晶方位 [1 01] が、 a 平面において結晶方 位 [1 00] および結晶方位 [0 1 0] と 45度をなす方向に結晶方位 [1 1 0] が、 a2 a 3平面において結晶方位 [0 10] および結晶方位 [001] と 45度をなす方向に結晶方位 [01 1] がそれぞれ規定される。 さらに、 結晶軸 + aい 結晶軸 + a 2および結晶軸 + a 3に対して等しい鋭角をなす方向に結晶方 位 [1 1 1] が規定される。 第 1 0図では、 結晶軸 + aい 結晶軸 + a 2および 結晶軸 + a 3で規定される空間における結晶方位のみを図示しているが、 他の空 間においても同様に結晶方位が規定される。

本願発明者の検証によれば、 蛍石で形成された光透過部材において、 光の進行 方向が結晶方位 [1 1 1] またはこれと結晶構造上等価な結晶方位にほぼ一致し ていれば、 この光透過部材を介して直線偏光の偏光面が実質的に変化することは ない。 同様に、 光の進行方向が結晶方位 [100] またはこれと結晶構造上等価 な結晶方位にほぼ一致していれば、 蛍石で形成された光透過部材を介して直線偏 光の偏光面が実質的に変化することはない。 これに対し、 光の進行方向が結晶方 位 [1 10] またはこれと結晶構造上等価な結晶方位にほぼ一致していると、 蛍 石で形成された光透過部材を介して直線偏光の偏光面が短期的に且つ長期的に変 化する。

なお、 本願明細書中において、 「ある結晶方位と結晶構造上等価な結晶方位」 とは、 ある結晶方位に対して、 当該結晶方位の指数の順序を入れ替えた結晶方位 と、 さらにそれらの各指数の少なくとも一部についての符号を反転した結晶方位 であり、 例えばある結晶方位が [U VW] である場合は、 [uwv]、 [v uw]、

[VWU]、 [WU V]、 [WV U]、 L一 uvw」、 [_uwv]、 [— vuw]、 [― V wu]、 [— wu v]、 [一 wv u]、 [u— vw]、 [u— wv]、 [ v— u w]> [ v― wu]、 [w— u v]、 [w— v u]、 [u v _wj、 [UW— V]、 [V U— W]、 [ V w 一 u]、 [wu— v]> [wv _ u]、 [一 u— vw]、 [_ u— wv]、 [一 u v— w]、

[― u w— v], [ - v— u w] [一 v— wu]、 [— v u— w] [一 vw— u]、 [―

W— U V]、 [一 W_ V U]、 [一 WU— V]、 [— WV— U]、 [U— V— w]、 [ u― w— V]、 [V— U _W]、 [V— w— u]、 [w— u _ vj、 [w— v— u]、 [- u— v— wj> [一 u— w— v]、 [— v— u— w]、 [― v -w— u]> [一 w— u— v]、

[-w- v - u] が結晶構造上等価な結晶方位である。 また、 本願明細書では、 結晶方位 [U VW] およびこれと結晶構造上等価な結晶方位を結晶方位ぐ U VW >と表記している。 また、 結晶方位 [U VW] およびこれと結晶構造上等価な結 晶方位と直交する面、 すなわち結晶面 (U VW) およびこれと結晶構造上等価な 結晶面を結晶面 {u vw} と表記している。

本実施形態では、 レーザ光源 1と偏光状態切換手段 42との間の光路中に配置 されて蛍石により形成された光透過部材において、 光の進行方向が結晶方位ぐ 1 10〉よりも結晶方位く 1 1 1〉または結晶方位く 100〉に近くなるように設 定している。 具体的には、 ビームエキスパンダ 2を構成するレンズ成分 (2 a, 2 b) のように光路中に固定的に位置決めされた光学部材が蛍石により形成され ている場合、 その光学部材の光軸が結晶方位ぐ 1 1 1>または結晶方位 <1 00 >にほぼ一致するように設定している。

この場合、 レーザ光が結晶方位 <1 1 1>または結晶方位 <100>にほぼ沿 つて透過するので、 レンズ成分 (2 a, 2 b) を透過する直線偏光の偏光面は実 質的に変化しない。 同様に、 一対の偏角プリズム 31が蛍石により形成されてい る場合も、 その光軸が結晶方位 <11 1>または結晶方位 <100>にほぼ一致 するように設定することにより、 .透過する直線偏光の偏光面の変化を実質的に回 避することができる。

また、 裏面反射鏡としての直角プリズム 33〜38が蛍石により形成されてい る場合、 直角プリズム 33〜38の入射面および射出面が結晶面 {100} にほ ぼ一致するように設定し、 且つ直角プリズム 33〜38の反射面が結晶面 { 1 1 0} にほぼ一致するように設定している。 この場合、 レーザ光が結晶方位 <10 0>にほぼ沿って透過するので、 直角プリズム 33〜38を透過する直線偏光の 偏光面は実質的に変化しない。

また、 光路中において光軸 AXに対して傾斜可能に設けられて光軸 AXに沿つ て入射する光線を平行移動させるビーム平行移動手段としての平行平面板 32が 蛍石により形成されている場合、 平行平面板 32の光軸が結晶方位 <100>に ほぼ一致するように設定している。 これは、 結晶方位 <1 1 1>と結晶方位 <1 10>とが約 35度の角度をなしているのに対し、 結晶方位 <100>と結晶方 位く 1 10>とが 45度の角度をなしているためである。

平行平面板 32の光軸を結晶方位 <1 1 1>にほぼ一致させると、 すなわちそ の光学面を結晶面 { 1 1 1 } にほぼ一致させると、 平行平面板 32を光軸 AXに 対して最大限に (たとえば 30度程度) 傾斜させたときに、 その内部を通過する レーザ光の進行方向が結晶方位 < 110>に近付くことになる。 しかしながら、 平行平面板 32の光軸を結晶方位ぐ 100〉にほぼ一致させれば、 すなわちその 光学面を結晶面 { 100} にほぼ一致させれば、 平行平面板 32を光軸 AXに対 して最大限に (たとえば 30度程度) 傾斜させても、 その内部を通過するレーザ 光の進行方向が結晶方位 < 1 1 0>からある程度離れた状態を確保することがで きる。 その結果、 平行平面板 32の光軸を結晶方位 <100>にほぼ一致させる ことにより、 その姿勢に関わらず平行平面板 3 2を透過する直線偏光の偏光面の 変化を良好に回避することができる。

なお、 上述の説明では、 レーザ光源 1と偏光状態切換手段 4 2との間の光路中 に配置された光透過部材を透過する直線偏光の偏光面の変化を回避するために、 光の進行方向が結晶方位 < 1 1 0 >よりも結晶方位 < 1 1 1 >または結晶方位 < 1 0 0 >に近くなるように設定している。 しかしながら、 これに限定されること なく、 さらに偏光状態切換手段 4 2と被照射面であるマスク M (ひいてはウェハ W) との間の光路中に配置された光透過部材に対しても同様の設定を行うことに より、 照明光路の全体に亘つて蛍石に起因する直線偏光の偏光面の変化を回避す ることが好ましい。

また、 上述の説明では、 蛍石により形成された光透過部材を透過する直線偏光 の偏光面の変化を回避するために、 光の進行方向が結晶方位 < 1 1 0 >よりも結 晶方位く 1 1 1 >または結晶方位 < 1 0 0 >に近くなるように設定している。 し かしながら、 蛍石に限定されることなく、 たとえばフッ化カルシウム、 フッ化バ リウム、 フッ化マグネシウムのような立方晶系の結晶材料により形成された光透 過部材に対しても同様の設定を行うことにより、 当該結晶材料に起因する直線偏 光の偏光面の変化を回避することができる。

ところで、 第 9図に示すビームマッチングユニット B MUには、 複数 (第 9図 では例示的に 6つ) の直角プリズム 3 3〜3 8が配置されている。 一般に、 レー ザ光源 1が K r Fエキシマレーザ光源であっても A 1- Fエキシマレーザ光源であ つても、 裏面反射鏡としての直角プリズムに直線偏光が入射する場合、 入射する 直線偏光の偏光面が P偏光面または S偏光面に一致していない (入射する直線偏 光が反射面に対して P偏光または S偏光となっていない) と、 直角プリズムでの 全反射により直線偏光が楕円偏光に変わってしまう。 本実施形態の偏光状態切換 手段 4 2では、 直線偏光が入射することを前提としており、 楕円偏光が入射する と所要の作用を奏することができない。

そこで、 本実施形態では、 第 1 1図に示すように、 入射する楕円偏光の光を直 線偏光の光に変換するための第 2位相部材として、 たとえば光軸 A Xを中心とし て結晶光学軸が回転自在に構成された 1/4波長板 1 1を、 偏光状態切換手段 4 2において 1/2波長板 10の光源側 (図中左側) に付設することが好ましい。 この場合、 たとえば直角プリズムに起因して楕円偏光が偏光状態切換手段 42に 入射することがあっても、 入射する楕円偏光の特性に応じて 1Z4波長板 1 1の 結晶光学軸を設定することにより、 1/2波長板 10に直線偏光を入射させて偏 光状態切換手段 42の本来の動作を維持することができる。 なお、 第 11図では、 1/2波長板10の光源側に 1 4波長板 1 1を配置しているが、 1Z2波長板 10のマスク側 (図中右側) に 1/4波長板 1 1を配置することもできる。

なお、 上述の説明では、 蛍石により形成された光透過部材を透過する直線偏光 の偏光面の変化を回避する手法、 および直角プリズムなどに起因して楕円偏光が 入射しても偏光状態切換手段の本来の動作を維持する手法を、 第 1図〜第 4図に 関連する本実施形態に適用している。 しかしながら、 これに限定されることなく、 第 5図〜第 8図に関連する変形例に対しても同様に、 これらの手法を適用するこ とができる。

また、 上述の説明では、 蛍石などの立方晶系の結晶材料により形成された光透 過部材を透過する直線偏光の偏光面の変化 (偏光状態の変動) を回避するために、 当該結晶材料の結晶方位の設定を行っている。 この手法に代えて、 あるいはこの 手法に加えて、 立方晶系の結晶材料により形成された光透過部材を、 たとえば米 国特許公開 US 2002/0163741 A号 (あるいは W〇 02/ 16993 号公報) に開示される手法を用いてキネマティックに保持しても良い。 これによ り、 蛍石などの立方晶系の結晶材料により形成された光透過部材にエネルギ密度 が高い光が通過する際に生じる熱に起因して当該光透過部材が膨張 (収縮) した 場合であっても、 この光透過部材に生じる応力複屈折の発生を抑えることが可能 となり、 この光透過部材を透過する直線偏光の偏光面の変化 (偏光状態の変動) を抑えることが可能となる。

次に、 具体的にどのようなマスクパターンに対してどのような偏光状態の光で マスクを照明することにより、 投影光学系の結像性能 (焦点深度や解像力など) を向上させて良好で忠実な転写を行うことができるかという点について例示的に 説明する。 まず、 たとえば 2極照明 (一般には間隔を隔てた 2つの光強度分布が 高い領域を瞳面またはその近傍に形成する照明) の場合、 第 14図に示すように、 マスクに形成されたライン ·アンド 'スペース ·パターン 141のピッチ方向 (X方向:マスク上の X方向に対応) に沿って間隔を隔てた 2つの面光源 142 aおよび 142 bを形成し、 2つの面光源 142 aと 142 bとが間隔を隔てて いる方向 (X方向:瞳面上の X方向に対応) と直交する方向 (y方向:瞳面上の Z方向に対応) に偏光面 (図中両方向矢印 F 1で示す) を有する直線偏光状態の 光でマスクを照明することにより、 マスクパターン 141に対して投影光学系の 結像性能の向上を図ることができる。 ちなみに、 縦方向パターンと横方向パター ンとが混在するような二次元マスクパターンに対しては、 たとえば非偏光状態の 光でマスクを照明することにより、 縦方向パターンと横方向パターンとの間に線 幅異常を発生させることなくパターン転写を高スループットで行うことができる。 特に、 上述の 2極照明において投影光学系の結像性能の十分な向上を図るには、 2つの面光源 142 aと 142 bとを光軸 AXに関して対称に形成し、 以下の条 件式 (1) を満足することが望ましい。

0. 7≤ひ o (1)

条件式 (1) において、 σ oは φ οΖΦ pとして定義される値 (通称、 外側 σ) である。 ここで、 第 14図に示すように、 φ οは光軸 ΑΧを中心として 2つ の面光源 142 aおよび 142 bに外接する外接円の直径であり、 φ pは瞳面 1 43の直径である。 なお、 投影光学系の結像性能のさらなる向上を図るには、 条 件式 (1) の下限値を 0. 9に設定することが望ましい。

また、 上述の 2極照明において投影光学系の結像性能の十分な向上を図るには、 2つの面光源 142 aと 142 bとを光軸 AXに関して対称に形成し、 以下の条 件式 (2) を満足することが望ましい。

0. 5≤ひ ίΖσ ο (2)

条件式 (2) において、 び iは Φ i /Φ ρとして定義される値 (通称、 内側 σ) であり、 σ οは上述したように Φ ο/φ ρとして定義される外側びである。 ここで、 第 14図に示すように、 φ iは、 光軸 AXを中心として 2つの面光源 1 42 aおよび 142 bに内接する内接円の直径である。 なお、 投影光学系の結像 性能のさらなる向上を図るには、 条件式 (2) の下限値を 0. 67 (=2/3) に設定することが望ましい。

次に、 たとえば円形照明 (一般には光軸をほぼ中心とする 1つの光強度分布の 高い領域を瞳面またはその近傍に形成する照明) の場合、 マスクとして位相シフ トマスクを用いるとともに、 第 15図に示すように、 位相シフトマスクに形成さ れたライン ·アンド ·スペース ·パターン 151のピッチ方向 (X方向:マスク 上の X方向に対応) と直交する方向 (y方向:瞳面上の Z方向に対応) に偏光面

(図中両方向矢印 F 2で示す) を有する直線偏光状態の光でマスクを照明するこ とにより、 マスクパターン 151に対して投影光学系の結像性能の向上を図るこ とができる。 ちなみに、 円形照明においても 2極照明の場合と同様に、 縦方向パ ターンと横方向パターンとが混在するような二次元マスクパターンに対しては、 たとえば非偏光状態の光でマスクを照明することにより、 縦方向パターンと横方 向パターンとの間に線幅異常を発生させることなくパターン転写を高スループッ 卜で行うことができる。

特に、 上述の円形照明において投影光学系の結像性能の十分な向上を図るには、 以下の条件式 (3) を満足することが望ましい。

σ≤ 0. 4 (3)

条件式 (3) において、 σは φ/φ ρとして定義される値 (通称、 σ値) であ る。 ここで、 第 1 5図に示すように、 Φは円形状の面光源 152の直径 (一般に は 1つの光強度分布の高い領域の大きさ) であり、 φ ρは上述したように瞳面 1

53の直径である。 なお、 投影光学系の結像性能のさらなる向上を図るには、 条 件式 (3) の上限値を 0. 3に設定することが望ましい。

次に、 本発明において実質的な直線偏光状態または実質的な非偏光状態とみな される光が満足すべき条件について説明する。 まず、 本発明において実質的な直 線偏光状態の光とみなされる光のスト一クスパラメ一夕の S 1成分は、 次の条件 式 (4) を満足することが好ましい。

0. 6≤ I S 1 I (4) また、 本発明において実質的な非偏光状態の光とみなされる光のストークスパ ラメ一夕の S 1成分および S 2成分は、 次の条件式 (5) および (6) を満足す ることが好ましい。

I S 1 I≤0. 1 (5)

I S 2 I≤0. 1 (6)

なお、 実質的な直線偏光状態の光をさらに十分な直線偏光に近づけるためには、 条件式 (4) の下限値を 0. 8に設定することがさらに好ましい。 たとえば光源 を波長 193 nmの光を供給する A r Fエキシマレーザとし、 投影光学系 PLの 像側における開口数を 0. 92とした場合、 65 nmのライン ·アンド ·スぺー ス 'パターンの 6 %ハーフ! ^一ンレチクル (マスク誤差 ±2 nm) を用い、 第 1 4図に示す 2極照明において σ oを 0. 93に設定し、 かつ σ iを 0. 73に設 定 (すなわち各々の面光源のひを 0. 2に設定) したとき、 露光量誤差を 2%、 線幅誤差を ± 1 0%とすると、 非偏光状態の場合の焦点深度 DO F (1 66 η m) を、 縦方向パターンに関して焦点深度 D〇F ( 202 n m) まで向上させる ことが可能である。 なお、 条件式 (4)、 すなわち偏光度の値が 0. 8を超えた 場合には、 偏光度の変化による線幅変化を実質的に無視することができる。 上述 の条件において、 偏光度 0. 8 ( I S 1 1 =0. 8) と偏光度 1. 0 ( I S 1 I = 1. 0) との間で線幅差は 0. 2 nmしか発生せず、 この差については実質的 に無視し得る。 つまり、 条件式 (4) の値に関しては、 0. 8乃至 1. 0の範囲 内でばらついていてもかまわない。

また、 実質的な非偏光状態の光をさらに十分な非偏光に近づけるには、 条件式 (5) の上限値および条件式 (6) の上限値をともに 0. 04に設定することが さらに好ましい。 ここで、 条件式 (5) および (6)、 すなわち偏光度の値が 0. 1を下回る場合、 偏光起因による線幅差を 2 nm以内に抑えることができる (光 源の波長を 193 nm、 投影光学系 PLの像側開口数を 0. 78とし、 50 nm の孤立パターンの位相シフトマスクを用い、 第 15図に示す円形照明においてび 値を 0. 2 (小 σ照明) に設定したとき)。 そして、 条件式 (5) および (6)、 すなわち偏光度の値が 0. 04を下回る場合、 上記条件のもとで偏光起因による 線幅差を 0 . 7 n m以内に抑えることができる。 なお、 条件式 (5 ) および ( 6 ) において、 面光源の内の領域を微視的に見たときに偏光度が高くても、 そ の領域内で偏光状態が非常に細かい周期で変化していれば実質的な非偏光と見な すことができるので、 面光源の中の偏光度分布を算出するにあたっては、 σ値 0 . 1となる大きさの領域での移動平均を用いることができる。

ところで、 たとえば円形照明や輪帯照明などにおいて、 残存偏光度が十分に低 いような所望の非偏光状態が実現されないと、 縦方向と横方向との間にパターン の線幅差が発生してしまう。 また、 たとえば 2極照明などにおいて、 所定方向に 偏光面を有する所望の直線偏光状態が実現されないと、 特定のピッチ方向を有す る線幅の細いパターンに対する結像性能の向上を図ることができなくなってしま う。 そこで、 本実施形態の変形例では、 被照射面としてのマスク Μ (ひいてはゥ ェハ W) を照明する光の偏光状態を検知するための偏光モニターを備えている。 第 1 6図は、 第 1図の露光装置に照明光の偏光状態を検知するための偏光モニ 夕一を付設した構成を概略的に示す図である。 第 1 6図の変形例にかかる露光装 置では、 マイクロレンズァレイ 8とマスク Μとの間の構成が第 1図の露光装置と 相違している。 すなわち、 変形例では、 マイクロレンズアレイ 8の後側焦点面に 形成された二次光源 (一般的には照明光学装置の瞳面またはその近傍に形成され る所定の光強度分布) からの光束は、 ビームスプリッタ一 5 1およびコンデンサ 一光学系 9 aを介した後、 マスクブラインド M Bを重畳的に照明する。

こうして、 照明視野絞りとしてのマスクブラインド M Bには、 マイクロレンズ アレイ 8を構成する各微小レンズの形状と焦点距離とに応じた矩形状の照野が形 成される。 なお、 ビ一ムスプリッター 5 1を内蔵する偏光モニター 5 0の内部構 成および作用については後述する。 マスクブラインド M Bの矩形状の開口部 (光 透過部) を介した光束は、 結像光学系 9 bの集光作用を受けた後、 所定のバタ一 ンが形成されたマスク Mを重畳的に照明する。 こうして、 結像光学系 9 bは、 マ スクブラインド M Bの矩形状開口部の像をマスク M上に形成することになる。 また、 第 1 6図の変形例にかかる露光装置では、 折り曲げミラー 3と回折光学 素子 4との間の構成が第 1図の露光装置と相違している。 すなわち、 変形例では、 第 1図の偏光状態切換手段 (1 2波長板 1 0およびデボラライザ 2 0 ) に代え て、 第 1 1図に示す構成の偏光状態切換手段 ( 1 / 4波長板 1 1、 1 Z 2波長板 1 0、 およびデボラライザ 2 0 ) が配置されている。 後述するように、 偏光モニ ター 5 0の出力は制御部 7 0に供給される。 また、 制御部 7 0は駆動系 7 1を介 して偏光状態切換手段 (1 1, 1 0 , 2 0 ) を駆動する。 なお、 第 1 1図に示す 構成の偏光状態切換手段において、 1 / 2波長板 1 0に代えてもう 1枚の 1 / 4 波長板を用いることも可能である。

第 1 7図は、 第 1 6図の偏光モニターの内部構成を概略的に示す斜視図である。 第 1 7図を参照すると、 偏光モニター 5 0は、 マイクロレンズアレイ 8とコンデ ンサ一光学系 9 aとの間の光路中に配置された第 1ビームスプリッタ一 5 1を備 えている。 第 1ピ一ムスプリッター 5 1は、 たとえば石英ガラスにより形成され たノンコートの平行平面板 (すなわち素ガラス) の形態を有し、 入射光の偏光状 態とは異なる偏光状態の反射光を光路から取り出す機能を有する。

第 1ビ一ムスプリッ夕一 5 1により光路から取り出された光は、 第 2ビームス プリツター 5 2に入射する。 第 2ビームスプリッ夕ー 5 2は、 第 1ビームスプリ ッター 5 1と同様に、 例えば石英ガラスにより形成されたノンコートの平行平面 板の形態を有し、 入射光の偏光状態とは異なる偏光状態の反射光を発生させる機 能を有する。 そして、 第 1ビ一ムスプリッタ一 5 1に対する P偏光が第 2ビーム スプリッタ一 5 2に対する S偏光になり、 且つ第 1ビームスプリッター 5 1に対 する S偏光が第 2ビームスプリッター 5 2に対する P偏光になるように設定され ている。

また、 第 2ビームスプリッター 5 2を透過した光は第 1光強度検出器 5 3によ り検出され、 第 2ビームスプリッター 5 2で反射された光は第 2光強度検出器 5 4により検出される。 第 1光強度検出器 5 3および第 2光強度検出器 5 4の出力 は、 それぞれ制御系 7 0に供給される。 また、 前述したように、 制御系 7 0は、 駆動系 7 1を介して、 偏光状態切換手段を構成する 1ノ 4波長板 1 1、 1ノ 2波 長板 1 0およびデボラライザ 2 0を必要に応じて駆動する。

上述のように、 第 1ビ一ムスプリッター 5 1および第 2ビームスプリッタ一 5 2において、 P偏光に対する反射率と S偏光に対する反射率とが実質的に異なつ ている。 したがって、 偏光モニタ一 5 0では、 第 1ビームスプリッタ一 5 1から の反射光が、 例えば第 1ピームスプリッター 5 1への入射光の 1 0 %程度の S偏 光成分 (第 1ビームスプリッター 5 1に対する S偏光成分であって第 2ビームス プリッ夕一 5 2に対する P偏光成分) と、 例えば第 1ビームスプリツター 5 1へ の入射光の 1 %程度の P偏光成分 (第 1ビームスプリッ夕ー 5 1に対する P偏光 成分であって第 2ビームスプリッター 5 2に対する S偏光成分) とを含むことに なる。

また、 第 2ビ一ムスプリッター 5 2からの反射光は、 例えば第 1ビームスプリ ッター 5 1への入射光の 1 0 % X 1 % = 0 . 1 %程度の P偏光成分 (第 1ビーム スプリッタ一 5 1に対する P偏光成分であって第 2ビームスプリッ夕ー 5 2に対 する S偏光成分) と、 例えば第 1ビ一ムスプリッ夕ー 5 1への入射光の 1 % X 1 0 % = 0 . 1 %程度の S偏光成分 (第 1ビームスプリツター 5 1に対する S偏光 成分であって第 2ビームスプリツター 5 2に対する P偏光成分) とを含むことに なる。

こうして、 偏光モニタ一 5 0では、 第 1ビームスプリツター 5 1が、 その反射 特性に応じて、 入射光の偏光状態とは異なる偏光状態の反射光を光路から取り出 す機能を有する。 その結果、 第 2ビームスプリツター 5 2の偏光特性による偏光 変動の影響を僅かに受けるものの、 第 1光強度検出器 5 3の出力 (第 2ビームス プリツター 5 2の透過光の強度に関する情報、 すなわち第 1ビームスプリッ夕ー 5 1からの反射光とほぼ同じ偏光状態の光の強度に関する情報) に基づいて、 第 1ビームスプリツター 5 1への入射光の偏光状態 (偏光度) を、 ひいてはマスク Mへの照明光の偏光状態を検知することができる。

また、 偏光モニター 5 0では、 第 1ビ一ムスプリッ夕ー 5 1に対する P偏光が 第 2ビ一ムスプリッ夕ー 5 2に対する S偏光になり且つ第 1ビームスプリッ夕一 5 1に対する S偏光が第 2ビームスプリツター 5 2に対する P偏光になるように 設定されている。 その結果、 第 2光強度検出器 5 4の出力 (第 1ビームスプリツ ター 5 1および第 2ビ一ムスプリッター 5 2で順次反射された光の強度に関する 情報) に基づいて、 第 1ビ一ムスプリッ夕一 5 1への入射光の偏光状態の変化の 影響を実質的に受けることなく、 第 1ビームスプリッタ一 5 1への入射光の光量 (強度) を、 ひいてはマスク Mへの照明光の光量を検知することができる。

こうして、 偏光モニター 5 0を用いて、 第 1ビームスプリツター 5 1への入射 光の偏光状態を検知し、 ひいてはマスク Mへの照明光が所望の非偏光状態または 直線偏光状態になっているか否かを判定することができる。 そして、 制御系 7 0 が偏光モニター 5 0の検知結果に基づいてマスク M (ひいてはウェハ W) への照 明光が所望の非偏光状態または直線偏光状態になっていないことを確認した場合、 駆動系 7 1を介して偏光状態切換手段を構成する 1 Z 4波長板 1 1、 1 / 2波長 板 1 0およびデボラライザ 2 0を駆動調整し、 マスク Mへの照明光の状態を所望 の非偏光状態または直線偏光状態に調整することができる。

以上のように、 偏光モニター 5 0と制御系 7 0と駆動系 7 1と被照射面での偏 光状態を調整する機能を有する偏光状態切換手段 (1 1, 1 0 , 2 0 ) とは、 光 源 1とマスク Mとの間の光路中に配置されて、 マスク M面での偏光状態の変動を 補正する偏光状態変動補正手段を構成している。 この場合、 偏光モニタ一 5 0と マスク Mとの間の光路中において、 入射する光の偏光状態を変化させて射出する 特性を有する光学部材、 たとえば複屈折性を有する蛍石や旋光性を有する水晶の ような結晶光学材料により形成されている光学部材をできるだけ配置しないこと が望ましい。 また、 偏光モニター 5 0と光源 1との間の光路中においても、 入射 する光の偏光状態を変化させて射出する特性を有する光学部材をできるだけ配置 しないことが望ましい。 しかしながら、 光照射に対する耐久性を確保するために、 たとえば回折光学素子 4や 6などの光学部材を蛍石や水晶などにより形成する場 合には、 これらの光学部材による偏光変動の影響を考慮する必要がある。

なお、 上述の説明において、 第 1ビ一ムスプリッター 5 1からの反射光が第 1 光強度検出器 5 3に直接入射するように構成すれば、 第 1光強度検出器 5 3の出 力が第 2ビームスプリッ夕一 5 2の偏光特性による偏光変動の影響を受けること なく、 第 1ビ一ムスプリッター 5 1への入射光の偏光状態を高精度に検知するこ とができる。 また、 第 1 7図に示す構成に限定されることなく、 偏光モニタ一 5 0の具体的な構成については様々な変形例が可能である。 また、 上述の説明では、 偏光状態切換手段を 1/4波長板 1 1と 1/2波長板 10とデボラライザ 20と で構成しているが、 偏光状態切換手段を 1/2波長板 10とデボラライザ 20と で構成することもできる。 この場合、 制御系 70は、 駆動系 71を介して、 1/ 2波長板 10およびデボラライザ 20を必要に応じて駆動する。

また、 上述の説明において、 第 1ビームスプリッタ一 51への入射光の偏光状 態を高精度に検知するには、 第 1ビームスプリツター 51および第 2ビームスプ リツター 52が、 P偏光に対する反射率と S偏光に対する反射率とが十分に異な るような反射特性を有することが好ましい。 具体的には、 第 1ビ一ムスプリッ夕 一 51の反射光に含まれる P偏光の強度 I pと S偏光の強度 I sとの強度比 I p / I sが I p / I s < 1 / 2または I p / I s>2の条件を満たすような反射特 性を有することが好ましい。

また、 上述の説明では、 平行平面板の形態を有するビ一ムスプリッ夕一を使用 し、 その反射光を光路から取り出している。 しかしながら、 これに限定されるこ となく、 入射光の偏光状態とは異なる偏光状態の透過光を光路から取り出すビー ムスプリッタ一を用い、 当該ビ一ムスプリッ夕一により光路から取り出された透 過光の強度に基づいて、 当該ビームスプリッ夕一への入射光の偏光状態を検知す ることもできる。 この場合、 当該ビ一ムスプリッタ一の反射光に含まれる P偏光 の強度 I pと S偏光の強度 I sとの強度比 I p/I sが I pZl sぐ 1Z2また は I pZl s>2の条件を満たすような透過特性を有することが好ましい。

ところで、 前述したように、 直角プリズムでの全反射の影響によりレーザ光源 1からの直線偏光が楕円偏光に変わって、 偏光状態切換手段 (1 1, 1 0, 2 0) に入射することが考えられる。 また、 たとえば蛍石により形成された光学部 材のように、 入射する光の偏光状態を変化させて射出する特性を有する光学部材 の影響により、 レーザ光源 1からの直線偏光が楕円偏光に変わって、 偏光状態切 換手段 (11, 10, 20) に入射することが考えられる。

この場合、 1/4波長板 1 1が入射する楕円偏光の光を直線偏光の光に変換す るには、 入射する楕円偏光の長軸方向に応じて、 その結晶光学軸が所要の角度位 置に設定されていなければならない。 また、 1ノ 2波長板 10が入射する直線偏 光の光を所定方向に偏光面を有する直線偏光の光に変換するには、 入射する直線 偏光の偏光面の方向に応じて、 その結晶光学軸が所要の角度位置に設定されてい なければならない。 以下、 第 1 1図の偏光状態切換手段 (1 1, 10, 20) を 例にとって、 1/4波長板の結晶光学軸および 1 Z 2波長板の結晶光学軸の調整 方法について説明する。 ここで、 光軸を中心として結晶光学軸が回転自在に構成 された 1Z2波長板と 1Z4波長板とを備える光学系において、 以下の調整方法 が一般的に適用可能であることはいうまでもない。

第 18図は、 第 1 1図の偏光状態切換手段における 1/4波長板の結晶光学軸 および 1/2波長板の結晶光学軸を調整する方法のフローチャートである。 第 1 8図を参照すると、 本実施形態の調整方法では、 デボラライザ 20を光路から退 避させ、 1/4波長板11の結晶光学軸および 1Z2波長板 10の結晶光学軸を それぞれ標準の角度位置、 たとえば一 45度の角度位置に初期設定する (S 1 1)。 次いで、 1Z4波長板 1 1の結晶光学軸を一 45度の標準角度位置に固定 した状態で、 1Z2波長板 10の結晶光学軸を一 45度の標準角度位置から + 4 5度の角度位置まで例えば + 5度づっ回転させながら、 1ノ2波長板 10の結晶 光学軸の各角度位置における偏光モニター 50の出力を採取する (S 12)。 第 19図は、 1/4波長板の結晶光学軸を一 45度の標準角度位置に固定した ときの、 1/2波長板の結晶光学軸の各角度位置における偏光モニターの出力変 化を示す図である。 第 19図において、 横軸は 1Z2波長板 10の結晶光学軸の 角度位置 (度) を示し、 縦軸は偏光モニター 50の出力 (スト一クスパラメータ S 1成分の値) を示している。 さらに、 1Z4波長板 1 1の結晶光学軸を一 45 度の標準角度位置から + 45度の角度位置まで例えば + 15度づっ回転させた各 角度位置状態において、 1Z2波長板 10の結晶光学軸を一 45度の標準角度位 置から + 45度の角度位置まで例えば + 5度づっ回転させながら、 1/2波長板 10の結晶光学軸の各角度位置における偏光モニタ一 50の出力を採取する (S 13)。

第 20図は、 1/4波長板の結晶光学軸を各角度位置状態に設定したときの、 1 / 2波長板の結晶光学軸の各角度位置における偏光モニターの出力変化を示す 図である。 第 20図において、 aは 1/4波長板 1 1の結晶光学軸が— 45度の 標準角度位置にある状態、 bは 1Z4波長板 11の結晶光学軸が— 30度の角度 位置にある状態、 cは 1Z4波長板 11の結晶光学軸が一 15度の角度位置にあ る状態、 dは 1Z4波長板 11の結晶光学軸が 0度の角度位置にある状態、 eは 1 4波長板 1 1の結晶光学軸が + 15度の角度位置にある状態、 f は 1Z4波 長板 11の結晶光学軸が + 30度の角度位置にある状態、 gは 1Z4波長板 1 1 の結晶光学軸が +45度の角度位置にある状態にそれぞれ対応している。 また、 第 19図と同様に、 横軸は 1Z2波長板 10の結晶光学軸の角度位置 (度) を示 し、 縦軸は偏光モニター 50の出力を示している。

第 21図は、 1Z4波長板の結晶光学軸の各角度位置状態における偏光モニタ 一の出力コントラストの変化を示す図である。 第 21図において、 横軸は 1/4 波長板 1 1の結晶光学軸の角度位置 (度) を示し、 縦軸は偏光モニター 50の出 力コントラスト (ストークスパラメ一夕 S 1成分の変化のコントラスト) を示し ている。 ここで、 たとえば 1Z4波長板 1 1の結晶光学軸の各角度位置状態にお ける出力コントラストは、 第 20図において a〜gで示す各出力変化曲線の最大 値と最小値とを用いて、 コン卜ラス卜 = (最大値一最小値) / (最大値 +最小 値) により定義される値である。

ここで、 第 2 1図において出力コントラストが最も大きくなるように 1Z4波 長板 11の結晶光学軸が設定されているとき、 1/4波長板 1 1に入射する楕円 偏光の光が直線偏光の光に変換される。 そこで、 本実施形態の調整方法では、 1 Z4波長板 1 1の結晶光学軸の各角度位置状態における偏光モニター 50の出力 コントラストの変化を参照し、 出力コントラストが最も大きくなるときの 1Z4 波長板 1 1の結晶光学軸の角度位置 (第 21図によれば約 +30度の角度位置) を、 楕円偏光の光を直線偏光の光に変換するための所要の第 1角度位置として求 める (S 14)。

第 22図は、 楕円偏光の光を直線偏光の光に変換するための第 1角度位置に 1 / 4波長板の結晶光学軸を固定したときの、 1Z 2波長板の結晶光学軸の各角度 位置における偏光モニターの出力変化を示す図である。 第 22図において、 横軸 は 1Z2波長板 10の結晶光学軸の角度位置 (度) を示し、 縦軸は偏光モニター 50の出力を示している。 ここで、 第 22図において偏光モニタ一 50の出力が 最大または最小になるように 1 Z 2波長板 10の結晶光学軸が設定されていると き、 1/2波長板 10に入射する直線偏光の光が V偏光 (縦偏光) または H偏光 (横偏光) の直線偏光の光に変換される。

そこで、 本実施形態の調整方法では、 1/4波長板 11の結晶光学軸を第 1角 度位置に固定したときの 1 Z 2波長板 10の結晶光学軸の各角度位置における偏 光モニタ一 50の出力変化を参照し、 出力が最大または最小になるときの 1Z2 波長板 10の結晶光学軸の角度位置 (第 22図によれば約一 17. 5度または約 + 27. 5度の角度位置またはその近傍) を、 入射直線偏光の光を V偏光または H偏光の直線偏光の光に変換するための所要の第 2角度位置として求める (S 1 5)。

こうして、 最後に、 制御部 70は、 駆動系 71を介して、 入射する楕円偏光の 光を直線偏光の光に変換するための第 1角度位置に 1 Z4波長板 11の結晶光学 軸の角度位置を位置合わせするとともに、 入射直線偏光の光を所定方向に偏光面 を有する直線偏光 (たとえば V偏光または H偏光) の光に変換するための第 2角 度位置に 1/2波長板 10の結晶光学軸の角度位置を位置合わせする (S 16)。 なお、 照明条件の変更 (照明光学装置の瞳面またはその近傍に形成される光強度 分布の形状または大きさの変更) に応じて、 上述の第 1角度位置および第 2角度 位置が変動することが考えられるので、 1/4波長板 11の結晶光学軸および 1 Z2波長板 10の結晶光学軸を必要に応じて設定し直すことが好ましい。 なお、 上述の実施形態では、 偏光状態切換手段として、 1/4波長板および 1/2波長 板を用いたが、 2枚の 1/4波長板を偏光状態切換手段として用いても良い。 以上の説明は、 第 1図や第 16図に示すように光源からの光束に基づいて瞳面 またはその近傍に所定の光強度分布を形成するための照明瞳分布形成手段が 2つ の回折光学素子 (4, 6) を含む照明光学装置を備えた露光装置に基づいている。 しかしながら、 第 1図や第 16図の構成に限定されることなく、 本発明が適用可 能な照明光学装置の構成については様々な変形例が可能である。 第 2 3図は、 第 1図や第 1 6図とは異なる構成の照明瞳分布形成手段を有する露光装置の構成を 概略的に示す図である。

第 2 3図の変形例にかかる露光装置は第 1 6図に示す露光装置と類似の構成を 有するが、 照明瞳分布形成手段の構成、 すなわち回折光学素子 4とマイクロレン ズアレイ 8との間の構成が相違している。 以下、 第 1 6図に示す露光装置との相 違点に着目して、 第 2 3図の変形例の構成および作用を説明する。 第 2 3図の変 形例にかかる露光装置では、 たとえば輪帯照明用の回折光学素子 4 aを介した光 束が、 ァフォーカルレンズ (リレ一光学系) 8 5に入射する。 ァフォーカルレン ズ 8 5は、 その前側焦点位置と回折光学素子 4 aの位置とがほぼ一致し且つその 後側焦点位置と図中破線で示す所定面 8 6の位置とがほぼ一致するように設定さ れたァフォーカル系 (無焦点光学系) である。

したがって、 回折光学素子 4 aに入射したほぼ平行光束は、 ァフォーカルレン ズ 8 5の瞳面に輪帯状の光強度分布を形成した後、 ほぼ平行光束となってァフォ 一カルレンズ 8 5から射出される。 なお、 ァフォーカルレンズ 8 5の前側レンズ 群 8 5 aと後側レンズ群 8 5 bとの間の光路中において瞳またはその近傍には、 光源側から順に、 円錐アキシコン系系 8 7、 第 1シリンドリカルレンズ対 8 8、 および第 2シリンドリカルレンズ対 8 9が配置されているが、 その詳細な構成お よび作用については後述する。 以下、 説明を簡単にするために、 円錐アキシコン 系系 8 7、 第 1シリンドリカルレンズ対 8 8、 および第 2シリンドリカルレンズ 対 8 9の作用を無視して、 基本的な構成および作用を説明する。

ァフォ一カルレンズ 8 5を介した光束は、 び値可変用のズームレンズ (変倍光 学系) 9 0を介して、 ォプティカルインテグレー夕としてのマイクロレンズァレ ィ 8に入射する。 所定面 8 6の位置はズームレンズ 9 0の前側焦点位置の近傍に 配置され、 マイクロレンズァレイ 8の入射面はズームレンズ 9 0の後側焦点位置 の近傍に配置されている。 換言すると、 ズームレンズ 9 0は、 所定面 8 6とマイ クロレンズアレイ 8の入射面とを実質的にフーリエ変換の関係に配置し、 ひいて はァフォーカルレンズ 8 5の瞳面とマイクロレンズアレイ 8の入射面とを光学的 にほぼ共役に配置している。 したがって、 マイクロレンズアレイ 8の入射面上に は、 ァフォ一カルレンズ 8 5の瞳面と同様に、 たとえば光軸 A Xを中心とした輪 帯状の照野が形成される。 この輪帯状の照野の全体形状は、 ズームレンズ 9 0の 焦点距離に依存して相似的に変化する。

マイクロレンズアレイ 8を構成する各微小レンズは、 マスク M上において形成 すべき照野の形状 (ひいてはウェハ W上において形成すべき露光領域の形状) と 相似な矩形状の断面を有する。 マイクロレンズアレイ 8に入射した光束は多数の 微小レンズにより二次元的に分割され、 その後側焦点面 (ひいては照明瞳) には マイクロレンズァレイ 8への入射光束によつて形成される照野とほぼ同じ光強度 分布を有する二次光源、 すなわち光軸 A Xを中心とした輪帯状の実質的な面光源 からなる二次光源が形成される。

第 2 4図は、 第 2 3図においてァフォーカルレンズの前側レンズ群と後側レン ズ群との間の光路中に配置された円錐アキシコン系の構成を概略的に示す図であ る。 円錐アキシコン系 8 7は、 光源側から順に、 光源側に平面を向け且つマスク 側に凹円錐状の屈折面を向けた第 1プリズム部材 8 7 aと、 マスク側に平面を向 け且つ光源側 凸円錐状の屈折面を向けた第 2プリズム部材 8 7 bとから構成さ れている。

そして、 第 1プリズム部材 8 7 aの凹円錐状の屈折面と第 2プリズム部材 8 7 bの凸円錐状の屈折面とは、 互いに当接可能なように相補的に形成されている。 また、 第 1プリズム部材 8 7 aおよび第 2プリズム部材 8 7 bのうち少なくとも 一方の部材が光軸 A Xに沿って移動可能に構成され、 第 1プリズム部材 8 7 aの 凹円錐状の屈折面と第 2プリズム部材 8 7 bの凸円錐状の屈折面との間隔が可変 に構成されている。

ここで、 第 1プリズム部材 8 7 aの凹円錐状屈折面と第 2プリズム部材 8 7 b の凸円錐状屈折面とが互いに当接している状態では、 円錐アキシコン系 8 7は平 行平面板として機能し、 形成される輪帯状の二次光源に及ぼす影響はない。 しか しながら、 第 1プリズム部材 8 7 aの凹円錐状屈折面と第 2プリズム部材 8 7 b の凸円錐状屈折面とを離間させると、 円錐アキシコン系 8 7は、 いわゆるビーム エキスパンダーとして機能する。 したがって、 円錐アキシコン系 8 7の間隔の変 化に伴って、 所定面 8 6への入射光束の角度は変化する。

第 2 5図は、 第 2 3図の変形例の輪帯照明において形成される二次光源に対す る円錐アキシコン系の作用を説明する図である。 第 2 3図の変形例の輪帯照明で は、 円錐アキシコン系 8 7の間隔が零で且つズームレンズ 9 0の焦点距離が最小 値に設定された状態 (以下、 「標準状態」 という) で形成された最も小さい輪帯 状の二次光源 1 3 0 aが、 円錐アキシコン系 8 7の間隔を零から所定の値まで拡 大させることにより、 その幅 (外径と内径との差の 1 Z 2 :図中矢印で示す) が 変化することなく、 その外径および内径がともに拡大された輪帯状の二次光源 1 3 O bに変化する。 換言すると、 円錐アキシコン系 8 7の作用により、 輪帯状の 二次光源の幅が変化することなく、 その輪帯比 (内径/外径) および大きさ (外 径) がともに変化する。

第 2 6図は、 第 2 3図の変形例の輪帯照明において形成される二次光源に対す るズームレンズの作用を説明する図である。 第 2 3図の変形例の輪帯照明では、 標準状態で形成された輪帯状の二次光源 1 3 0 aが、 ズームレンズ 9 0の焦点距 離を最小値から所定の値へ拡大させることにより、 その全体形状が相似的に拡大 された輪帯状の二次光源 1 3 0 cに変化する。 換言すると、 ズームレンズ 9 0の 作用により、 輪帯状の二次光源の輪帯比が変化することなく、 その幅および大き さ (外径) がともに変化する。

第 2 7図は、 第 2 3図においてァフォーカルレンズの前側レンズ群と後側レン ズ群との間の光路中に配置された第 1シリンドリカルレンズ対および第 2シリン ドリカルレンズ対の構成を概略的に示す図である。 第 2 7図において、 光源側か ら順に、 第 1シリンドリカルレンズ対 8 8および第 2シリンドリカルレンズ対 8 9が配置されている。 第 1シリンドリカルレンズ対 8 8は、 光源側から順に、 た とえば Y Z平面内に負屈折力を有し且つ X Y平面内に無屈折力の第 1シリンドリ カル負レンズ 8 8 aと、 同じく Y Z平面内に正屈折力を有し且つ X Y平面内に無 屈折力の第 1シリンドリカル正レンズ 8 8 bとにより構成されている。

一方、 第 2シリンドリカルレンズ対 8 9は、 光源側から順に、 たとえば X Y平 面内に負屈折力を有し且つ Y Z平面内に無屈折力の第 2シリンドリ力ル負レンズ 8 9 aと、 同じく X Y平面内に正屈折力を有し且つ Y Z平面内に無屈折力の第 2 シリンドリカル正レンズ 8 9 bとにより構成されている。 第 1シリンドリカル負 レンズ 8 8 aと第 1シリンドリカル正レンズ 8 8 bとは、 光軸 A Xを中心として 一体的に回転するように構成されている。 同様に、 第 2シリンドリカル負レンズ 8 9 aと第 2シリンドリカル正レンズ 8 9 bとは、 光軸 A Xを中心として一体的 に回転するように構成されている。

こうして、 第 2 7図に示す状態において、 第 1シリンドリカルレンズ対 8 8は Z方向にパワーを有するビームエキスパンダ一として機能し、 第 2シリンドリカ ルレンズ対 8 9は X方向にパワーを有するビ一ムエキスパンダーとして機能する。 第 2 3図の変形例では、 第 1シリンドリカルレンズ対 8 8のパワーと第 2シリン ドリカルレンズ対 8 9のパワーとが互いに同じに設定されている。

第 2 8図〜第 3 0図は、 第 2 3図の変形例の輪帯照明において形成される二次 光源に対する第 1シリンドリカルレンズ対および第 2シリンドリカルレンズ対の 作用を説明する図である。 第 2 8図では、 第 1シリンドリカルレンズ対 8 8のパ ヮ一方向が Z軸に対して光軸 A X廻りに + 4 5度の角度をなし、 第 2シリンドリ カルレンズ対 9のパヮ一方向が Z軸に対して光軸 A X廻りに一 4 5度の角度をな すように設定されている。

したがつて、 第 1シリンドリカルレンズ対 8 8のパワー方向と第 2シリンドリ カルレンズ対 8 9のパワー方向とが互いに直交し、 第 1シリンドリカルレンズ対 8 8と第 2シリンドリカルレンズ対 8 9との合成系において Z方向のパワーと X 方向のパワーとが互いに同じになる。 その結果、 第 2 8図に示す真円状態では、 第 1シリンドリカルレンズ対 8 8と第 2シリンドリカルレンズ対 8 9との合成系 を通過する光束は、 Z方向および X方向に同じパワーで拡大作用を受けることに なり、 照明瞳には真円輪帯状の二次光源が形成されることになる。

これに対し、 第 2 9図では、 第 1シリンドリカルレンズ対 8 8のパワー方向が Z軸に対して光軸 A X廻りに例えば + 8 0度の角度をなし、 第 2シリンドリカル レンズ対 8 9のパヮ一方向が Z軸に対して光軸 A X廻りに例えば— 8 0度の角度 をなすように設定されている。 したがって、 第 1シリンドリカルレンズ対 8 8と 第 2シリンドリカルレンズ対 8 9との合成系において、 Z方向のパワーよりも X 方向のパワーの方が大きくなる。 その結果、 第 2 9図に示す横楕円状態では、 第 1シリンドリカルレンズ対 8 8と第 2シリンドリカルレンズ対 8 9との合成系を 通過する光束は、 Z方向よりも X方向の方が大きなパワーで拡大作用を受けるこ とになり、 照明瞳には X方向に細長い横長の輪帯状の二次光源が形成されること になる。

一方、 第 3 0図では、 第 1シリンドリカルレンズ対 8 8のパワー方向が Z軸に 対して光軸 A X廻りに例えば + 1 0度の角度をなし、 第 2シリンドリカルレンズ 対 8 9のパワー方向が Z軸に対して光軸 A X廻りに例えば— 1 0度の角度をなす ように設定されている。 したがって、 第 1シリンドリカルレンズ対 8 8と第 2シ リンドリカルレンズ対 8 9との合成系において、 X方向のパワーよりも Z方向の パワーの方が大きくなる。 その結果、 第 3 0図に示す縦楕円状態では、 第 1シリ ンドリカルレンズ対 8 8と第 2シリンドリカルレンズ対 8 9との合成系を通過す る光束は、 X方向よりも Z方向の方が大きなパワーで拡大作用を受けることにな り、 照明瞳には Z方向に細長い縦長の輪帯状の二次光源が形成されることになる。 さらに、 第 1シリンドリカルレンズ対 8 8および第 2シリンドリカルレンズ対 8 9を第 2 8図に示す真円状態と第 2 9図に示す横楕円状態との間の任意の状態 に設定することにより、 様々な縦横比にしたがう横長の輪帯状の二次光源を形成 することができる。 また、 第 1シリンドリカルレンズ対 8 8および第 2シリンド リカルレンズ対 8 9を第 2 8図に示す真円状態と第 3 0図に示す縦楕円状態との 間の任意の状態に設定することにより、 様々な縦横比にしたがう縦長の輪帯状の 二次光源を形成することができる。 なお、 第 2 3図の変形例では、 輪帯照明用の 回折光学素子 4 aに代えて、 円形照明用の回折光学素子や複数極 (4極など) 照 明用の回折光学素子などを設定することによって、 円形照明や様々な変形照明を 行うことができる。 このように、 第 2 3図乃至第 3 0図にかかる変形例において は、 マスク Mのパターン特性に応じて、 照明光の偏光状態を変化させることがで き、 さらに照明瞳に形成される二次光源の縦横比を随時調整することができる。 これにより、 マスク Mのパターン特性に応じて実現された適切な照明条件のもと で良好な露光を行うことができる。

また、 上述の各実施形態および変形例において、 被照射面 (マスク面、 ウェハ (感光性基板) 面、 像面) に対する偏光状態を、 たとえば直線偏光状態と非偏光 状態、 あるいは X偏光状態と Y偏光状態とで切り換えた場合、 被照射面での照度 むらの変動や、 瞳面での光強度分布の変動、 被照射面でのテレセントリック性の 変動が起こる場合には、 被照射面での偏光状態の変更に応じて、 照度むらの制御、 瞳面での光強度分布の制御、 および Zまたはテレセントリック性の制御を行って、 照度むらの変動、 瞳面での光強度分布の変動、 および Zまたはテレセントリック 性の変動を少なく抑えることが好ましい。

たとえば被照射面での照度むらについては、 第 1図中のコンデンサー光学系 9、 第 16図、 第 23図中のコンデンサー光学系 9 aを構成する複数のレンズ素子の うちの少なくとも一部のレンズの位置 ·姿勢を変更することにより制御可能であ る。 また、 第 1図中のコンデンサー光学系 9とマスク Mとの間の光路中、 第 16 図、 第 23図中のコンデンサ一光学系 9 aとマスクブラインド MBとの間の光路 中に、 たとえば特開 2002— 100561号公報 (およびこれに対応する米国 特許公開 US 2003/0025890 A, 本明細書では米国特許公開 U S 20 03/002589 OAを参照として援用する) に開示される濃度フィルタ板や 特開 2003— 92253号公報 (およびこれに対応する米国特許公開 U S 20 03/0067591 本明細書では米国特許公開 U S 2003/00675 91 Aを参照として援用する) を配置し、 当該濃度フィルタ板の回転角 ·位置を 制御することによつても被照射面上での照度むらを制御することが可能である。 また、 第 16図、 第 23図中のマスクブラインド MBに代えて、 或いは当該マス クブラインドの近傍にたとえば特開 2002- 184676号公報に開示される 可変エッジを設け、 走査方向に沿った露光領域幅を非走査方向で異なるように設 定することによつても被照射面上での照度むらを制御することが可能である。 また、 瞳面での光強度分布の制御については、 上記特開 2002— 10056 1号公報 (米国特許公開 U S 2003/0025890 A) ゃ特開 2003— 9 2 2 5 3号公報 (米国特許公開 U S 2 0 0 3 / 0 0 6 7 5 9 1 A) に開示される 濃度フィルタ板を照明瞳の近傍、 たとえばマイクロレンズアレイ 8の射出側近傍 に配置することによって制御可能である。

そして、 テレセントリック性の制御については、 第 1図中のコンデンサー光学 系 9、 第 1 6図、 第 2 3図中のコンデンサー光学系 9 aを構成する複数のレンズ 素子のうちの少なくとも一部のレンズの位置 ·姿勢を変更することにより制御可 能である。

なお、 これらの被照射面上での照度むらの制御、 瞳面での光強度分布の制御、 テレセントリック性の制御については、 偏光状態切換手段による設定状態 (デポ ラライザ揷脱、 1 Z 2波長板の回転角、 1 / 4波長板の回転角) と、 被照射面上 ,での照度むら、 瞳面での光強度分布およびテレセントリック性の状態との相関を あらかじめ計測しておき、 偏光状態切換手段の設定状態に応じて、 被照射面上で の照度むら、 瞳面での光強度分布およびテレセントリック性を制御することがで きる。 また、 被照射面または被照射面と光学的に共役な面での被照射面上での照 度むら、 瞳面での光強度分布およぴテレセントリック性の状態を測定し、 この測 定結果に応じて、 被照射面上での照度むら、 瞳面での光強度分布およびテレセン トリック性を制御することもできる。

また、 上述の各実施形態および変形例では、 ォプティカルインテグレー夕とし て、 縦横に且つ稠密に配列された多数の正屈折力を有する微少レンズからなるマ イク口レンズアレイ 8を用いたが、 その代わりに、 所定の第 1方向に沿ったピッ チで配列された第 1の 1次元シリンドリカルレンズアレイと、 当該第 1方向と交 差する第 2方向に沿ったピッチで配列された第 2の 1次元シリンドリカルレンズ アレイとを備えたシリンドリカル型のマイク口レンズァレイを用いても良い。 こ のシリンドリカル型のマイク口レンズァレイの第 1および第 2の 1次元シリンド リカルレンズアレイは 1つの光透過性基板に一体に設けられていることが好まし く、 第 1および第 2の 1次元シリンドリカルァレイを備えたシリンドリカルレン ズアレイ板を複数備え、 複数のシリンドリカルレンズァレイ板を光軸方向に沿つ て互いに間隔を隔てて配置していることがさらに好ましい。 また、 第 1の 1次元 シリンドリカルァレイの第 1方向に沿つたピッチと第 2の 1次元シリンドリカル アレイの第 2方向に沿ったピッチとの少なくとも一方は 2 mm以下のピツチを有 することが好ましい。

この構成により、 各屈折面が二次元的な曲面状 (球面状) に形成される通常の フライアイレンズとは異なり、 シリンドリカル型のマイクロレンズアレイの第 1 および第 2の 1次元シリンドリカルレンズァレイの各屈折面が 1次元的な曲面状 (円筒面状) に形成されるので高精度な加工が容易であり、 ひいては製造コスト を低減することができる。 特に最小ピッチが 2 mm以下であるようなシリンドリ カル型のマイクロレンズアレイの揚合には、 製造コストの低減効果は顕著である。 ちなみに、 このようなシリンドリカル型のマイクロレンズアレイは、 たとえば研 削加工、 エッチング加工、 型プレス加工などにより製造可能である。

低コスト下で面形状の高精度化を図られたシリンドリカル型のマイクロレンズ アレイの適用により、 均一性の優れた照明が実現されるので、 偏光照明による結 像性能の大いなる向上と相まって、 露光領域全体にわたり転写精度良く微細なパ ターンを形成することが可能となる。

このようなシリンドリカル型のマイクロレンズァレイは、 本願出願人による特 願 2 0 0 2— 1 5 2 6 3 4号明細書および図面 (およびこれに対応する、 2 0 0 3年 5月 2 7日に米国出願された米国特許出願第 4 4 5 , 0 2 2号) にて提案さ れている。 本明細書では、 当該米国特許出願第 4 4 5, 0 2 2号の開示を参照と して援用する。

上述の実施形態にかかる露光装置では、 照明光学装置によってマスク (レチク ル) を照明し (照明工程)、 投影光学系を用いてマスクに形成された転写用のパ ターンを感光性基板に露光する (露光工程) ことにより、 マイクロデバイス (半 導体素子、 撮像素子、 液晶表示素子、 薄膜磁気ヘッド等) を製造することができ る。 以下、 上述の実施形態の露光装置を用いて感光性基板としてのウェハ等に所 定の回路パターンを形成することによって、 マイクロデバイスとしての半導体デ バイスを得る際の手法の一例につき第 1 2図のフローチャートを参照して説明す る。 先ず、 第 1 2図のステップ 3 0 1において、 1ロットのウェハ上に金属膜が蒸 着される。 次のステップ 3 0 2において、 その 1ロットのウェハ上の金属膜上に フォトレジストが塗布される。 その後、 ステップ 3 0 3において、 上述の実施形 態の露光装置を用いて、 マスク上のパターンの像がその投影光学系を介して、 そ の 1ロットのウェハ上の各ショット領域に順次露光転写される。 その後、 ステツ プ 3 0 4において、 その 1ロットのウェハ上のフォトレジストの現像が行われた 後、 ステップ 3 0 5において、 その 1ロットのウェハ上でレジストパターンをマ スクとしてエッチングを行うことによって、 マスク上のパターンに対応する回路 パターンが、 各ウェハ上の各ショット領域に形成される。 その後、 更に上のレイ ャの回路パターンの形成等を行うことによって、 半導体素子等のデバイスが製造 される。 上述の半導体デバイス製造方法によれば、 極めて微細な回路パターンを 有する半導体デバイスをスループット良く得ることができる。

また、 上述の実施形態の露光装置では、 プレート (ガラス基板) 上に所定のパ ターン (回路パタ一ン、 電極パターン等) を形成することによって、 マイクロデ バイスとしての液晶表示素子を得ることもできる。 以下、 第 1 3図のフローチヤ —トを参照して、 このときの手法の一例につき説明する。 第 1 3図において、 パ ターン形成工程 4 0 1では、 上述の実施形態の露光装置を用いてマスクのパター ンを感光性基板 (レジストが塗布されたガラス基板等) に転写露光する、 所謂光 リソグラフィ一工程が実行される。 この光リソグラフィ一工程によって、 感光性 基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。 その後、 露光された 基板は、 現像工程、 エッチング工程、 レジスト剥離工程等の各工程を経ることに よって、 基板上に所定のパターンが形成され、 次のカラ一フィルター形成工程 4 0 2へ移行する。

次に、 カラーフィルター形成工程 4 0 2では、 R (Red)、 G (Green)、 B (Blue) に対応した 3つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、 ま たは R、 G、 Bの 3本のストライプのフィルターの組を複数水平走査線方向に配 列したカラーフィルターを形成する。 そして、 カラーフィルター形成工程 4 0 2 の後に、 セル組み立て工程 4 0 3が実行される。 セル組み立て工程 4 0 3では、 パターン形成工程 4 0 1にて得られた所定パターンを有する基板、 およびカラー フィルター形成工程 4 0 2にて得られたカラ一フィルタ一等を用いて液晶パネル (液晶セル) を組み立てる。

セル組み立て工程 4 0 3では、 例えば、 パターン形成工程 4 0 1にて得られた 所定パターンを有する基板とカラ一フィルター形成工程 4 0 2にて得られたカラ 一フィルターとの間に液晶を注入して、 液晶パネル (液晶セル) を製造する。 そ の後、 モジュール組み立て工程 4 0 4にて、 組み立てられた液晶パネル (液晶セ ル) の表示動作を行わせる電気回路、 バックライト等の各部品を取り付けて液晶 表示素子として完成させる。 上述の液晶表示素子の製造方法によれば、 極めて微 細な回路パターンを有する液晶表示素子をスループット良く得ることができる。 なお、 第 1図の実施形態では、 コンデンサ一光学系 9によって二次光源からの 光を集光して重畳的にマスク Mを照明している。 しかしながら、 これに限定され ることなく、 第 1 6図の変形例に示すように、 コンデンサー光学系 9とマスク M との間の光路中に、 照明視野絞り (マスクブラインド) と、 この照明視野絞りの 像をマスク M上に形成するリレー光学系とを配置しても良い。 この場合、 コンデ ンサ一光学系 9は、 二次光源からの光を集光して重畳的に照明視野絞りを照明す ることになり、 リレー光学系は照明視野絞りの開口部 (光透過部) の像をマスク M上に形成することになる。

また、 上述の実施形態では、 露光光として K r Fエキシマレーザ光 (波長: 2 4 8 n m) や A r Fエキシマレーザ光 (波長: 1 9 3 n m) を用いているが、 こ れに限定されることなく、 他の適当なレーザ光源、 たとえば波長 1 5 7 n mのレ —ザ光を供給する F 2レーザ光源や、 レーザ光源以外の光源、 例えば i線や g線、 h線等の紫外光を供給するランプ光源に対して本発明を適用することもできる。 さらに、 上述の実施形態では、 照明光学装置を備えた投影露光装置を例にとって 本発明を説明したが、 マスク以外の被照射面を照明するための一般的な照明光学 装置に本発明を適用することができることは明らかである。

また、 上述の実施形態において、 投影光学系と感光性基板との間の光路中を 1 . 1よりも大きな屈折率を有する媒体 (典型的には液体) で満たす手法、 所謂液浸 法を適用しても良い。 この場合、 投影光学系と感光性基板との間の光路中に液体 を満たす手法としては、 国際公開番号 WO 9 9 / 4 9 5 0 4号公報に開示されて いるような局所的に液体を満たす手法や、 特開平 6— 1 2 4 8 7 3号公報に開示 されているような露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる手 法や、 特開平 1 0— 3 0 3 1 1 4号公報に開示されているようなステージ上に所 定深さの液体槽を形成し、 その中に基板を保持する手法などを採用することがで きる。

なお、 液体としては、 露光光に対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、 投影光学系や基板表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なものを用 いることが好ましく、 たとえば K r Fエキシマレ一ザ光や A r Fエキシマレ一ザ 光を露光光とする場合には、 液体として純水、 脱イオン水を用いることができる。 また、 露光光として F 2レーザ光を用いる場合は、 液体としては 2レ一ザ光を 透過可能な例えばフッ素系オイルゃ過フッ化ポリエ一テル (P F P E) 等のフッ 素系の液体を用いればよい。

また、 本発明は、 特開平 1 0— 1 6 3 0 9 9号公報、 特開平 1 0— 2 1 4 7 8 3号公報、 特表 2 0 0 0— 5 0 5 9 5 8号公報等に開示されているように、 ゥェ ハ等の被処理基板を別々に載置して X Y方向に独立に移動可能な 2つのステージ を備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。 産業上の利用の可能性

以上説明したように、 本発明の照明光学装置では、 たとえば 1 / 2波長板とデ ボラライザ (非偏光化素子) とからなる偏光状態切換手段の作用により、 被照射 面を照明する光の偏光状態を特定の偏光状態 (たとえば直線偏光状態) と非偏光 状態との間で切り換えることができる。 したがって、 たとえば露光装置に本発明 の照明光学装置を搭載した場合、 マスクのパターン特性に応じて光量損失を抑え つつ照明光の偏光状態を変化させて適切な照明条件を実現することができる。 また、 本発明の照明光学装置を用いる露光装置および露光方法では、 マスク M のパターン特性に応じて照明光の偏光状態を変化させて適切な照明条件を実現す ることができるので、 マスク Mのパターン特性に応じて実現された適切な照明条 件のもとで良好な露光を行うことができ、 ひいては高いスループットで良好なデ バイスを製造することができる。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 直線偏光の光を供給する光源部を有し、 該光源部からの光で被照射面を照 明する照明光学装置において、
前記光源部と前記被照射面との間の光路中に配置されて、 前記被照射面を照明 する光の偏光状態を特定の偏光状態と非偏光状態との間で切り換えるための偏光 状態切換手段を備え、
前記偏光状態切換手段は、 照明光路に対して揷脱自在に構成されて、 入射する 直線偏光の光を必要に応じて非偏光化するためのデボラライザを備えていること を特徴とする照明光学装置。
2 . 請求の範囲第 1項に記載の照明光学装置において、
前記偏光状態切換手段は、 前記特定の偏光状態が直線偏光状態である場合に、 直線偏光の偏光面を可変とすることを特徴とする照明光学装置。
3 . 請求の範囲第 1項または第 2項に記載の照明光学装置において、
前記偏光状態切換手段は、 入射する直線偏光の光の偏光面を必要に応じて変化 させるための位相部材を有することを特徴とする照明光学装置。
4 . 請求の範囲第 3項に記載の照明光学装置において、
前記位相部材は、 前記照明光学装置の光軸を中心として結晶光学軸が回転自在 に構成された 1 Z 2波長板を有することを特徴とする照明光学装置。
5 . 請求の範囲第 1項乃至第 4項のいずれか 1項に記載の照明光学装置におい て、
前記デボラライザは、 前記照明光学装置の光軸を中心として結晶光学軸が回転 自在に構成された水晶プリズムを有することを特徴とする照明光学装置。
6 . 請求の範囲第 1項乃至第 5項のいずれか 1項に記載の照明光学装置におい て、
前記デボラライザは、 偏光ビームスプリツ夕一と、 該偏光ビームスプリッタ一 を透過した光の光路と前記偏光ビームスプリッターで最終的に反射された光の光 路とがほぼ一致するように、 前記偏光ビームスプリッターで反射された光を平面 内において複数回反射させて前記偏光ピームスプリッターへ戻すための反射系と を有し、 前記偏光ビームスプリッターと前記反射系とは前記照明光学装置の光軸 を中心として一体的に回転自在に構成されていることを特徴とする照明光学装置。
7 . 請求の範囲第 1項乃至第 5項のいずれか 1項に記載の照明光学装置におい て、
前記デボラライザは、 偏光ビームスプリツターと、 該偏光ビームスプリツター を透過した光の光路と前記偏光ビ一ムスプリッターで最終的に反射された光の光 路とがほぼ一致するように、 前記偏光ビ一ムスプリッターで反射された光を平面 内において複数回反射させて前記偏光ビームスプリッターへ戻すための反射系と を有し、 前記偏光ビームスプリッターと前記反射系とは照明光路に対して一体的, に揷脱自在に構成されていることを特徴とする照明光学装置。
8 . 請求の範囲第 1項乃至第 7項のいずれか 1項に記載の照明光学装置におい て、
前記偏光状態切換手段は、 入射する楕円偏光の光を直線偏光の光に変換するた めの第 2位相部材をさらに有することを特徴とする照明光学装置。
9 . 請求の範囲第 8項に記載の照明光学装置において、
前記第 2位相部材は、 前記照明光学装置の光軸を中心として結晶光学軸が回転 自在に構成された 1 Z 4波長板を有することを特徴とする照明光学装置。
0 . 請求の範囲第 1項乃至第 9項のいずれか 1項に記載の照明光学装置にお いて、
前記光源部と前記偏光状態切換手段との間の光路中に配置されて立方晶系の結 晶材料により形成された光透過部材において、 光の進行方向が結晶方位ぐ 1 10 >よりも結晶方位く 1 1 1〉または結晶方位く 100>に近くなるように設定さ れていることを特徴とする照明光学装置。
11. 請求の範囲第 10項に記載の照明光学装置において、
前記偏光状態切換手段と前記被照射面との間の光路中に配置されて立方晶系の 結晶材料により形成された光透過部材において、 光の進行方向が結晶方位 < 1 1 0>よりも結晶方位 <1 1 1>または結晶方位ぐ 100>に近くなるように設定 されていることを特徴とする照明光学装置。
12. 請求の範囲第 10項または第 1 1項に記載の照明光学装置において、 前記光透過部材は、 前記光路中に固定的に位置決めされた光学部材を有し、 前記光学部材の光軸は、 結晶方位 <1 1 1>または結晶方位 <100〉にほぼ 一致するように設定されていることを特徴とする照明光学装置。
13. 請求の範囲第 10項または第 1 1項に記載の照明光学装置において、 前記光透過部材は、 裏面反射鏡としての直角プリズムを有し、
前記直角プリズムの入射面および射出面は結晶面 { 100} にほぼ一致するよ うに設定され、 且つ前記直角プリズムの反射面は結晶面 { 1 10} にほぼ一致す るように設定されていることを特徴とする照明光学装置。
14. 請求の範囲第 10項または第 1 1項に記載の照明光学装置において、 前記光透過部材は、 前記光路中において光軸に対して傾斜可能に設けられて前 記光軸に沿って入射する光線を平行移動させるための平行平面板を有し、 前記平行平面板の光軸は、 結晶方位ぐ 100>にほぼ一致するように設定され ていることを特徵とする照明光学装置。
1 5 . 請求の範囲第 1項乃至第 1 4項のいずれか 1項に記載の照明光学装置に おいて、
前記光源部からの光束に基づいて、 前記照明光学装置の瞳面またはその近傍に 所定の光強度分布を形成するための照明瞳分布形成手段と、 前記所定の光強度分 布の形状および大きさのうちの少なくとも一方を変更するための変更手段と、 所 定の光強度分布からの光束を前記被照射面へ導くための導光光学系とをさらに備 えていることを特徴とする照明光学装置。
1 6 . 請求の範囲第 1 5項に記載の照明光学装置において、
前記偏光状態切換手段は、 前記所定の光強度分布の形状および大きさのうちの 少なくとも一方の変更に応じて、 前記被照射面を照明する光の偏光状態を変更す ることを特徴とする照明光学装置。
1 7 . 請求の範囲第 1 5項または第 1 6項に記載の照明光学装置において、 前記偏光状態切換手段は、 前記所定の光強度分布の形状および大きさのうちの 少なくとも一方の変更に応じて、 前記被照射面を照明する光の偏光状態を直線偏 光状態と非偏光状態との間で切り換えることを特徴とする照明光学装置。
1 8 . 請求の範囲第 1項乃至第 1 7項のいずれか 1項に記載の照明光学装置に おいて、
前記特定の偏光状態において、 光のストークスパラメータの S 1成分は、 0 . 6≤ I S 1 I
の条件を満足することを特徴とする照明光学装置。
1 9 . 請求の範囲第 1項乃至第 1 8項のいずれか 1項に記載の照明光学装置に おいて、
前記非偏光状態において、 光のストークスパラメ一夕の S 1成分および S 2成 分は、
I s l I≤o . l
I S 2 I≤ 0 . 1
の条件を満足することを特徴とする照明光学装置。
2 0 . 請求の範囲第 1項乃至第 1 9項のいずれか 1項に記載の照明光学装置に おいて、
前記光源部と前記被照射面との間の光路中に配置されて、 前記被照射面での偏 光状態の変動を補正する偏光状態変動補正手段を備えていることを特徴とする照 明光学装置。
2 1 . 請求の範囲第 2 0項に記載の照明光学装置において、
前記偏光状態変動補正手段は、 前記偏光状態切換手段と前記被照射面との間の 光路中に配置されて光の偏光状態を検出するための偏光モニターと、 該偏光モニ ターの出力に応じて前記偏光状態切換手段を制御するための制御部とを備えてい ることを特徴とする照明光学装置。
2 2 . 請求の範囲第 2 1項に記載の照明光学装置において、
前記偏光状態切換手段は、 前記照明光学装置の光軸を中心として結晶光学軸が 回転自在に構成された 1 Z 2波長板と、 前記照明光学装置の光軸を中心として結 晶光学軸が回転自在に構成された 1 / 4波長板とを備え、
前記制御部は、 前記 1 / 4波長板の結晶光学軸および前記 1 / 2波長板の結晶 光学軸をそれぞれ変化させたときに前記偏光モニタ一において得られる検出結果 の変化に応答して、 入射する楕円偏光の光を直線偏光の光に変換するための所要 位置に前記 1 Z 4波長板の結晶光学軸の角度位置を位置合わせし、 入射する直線 偏光の光を所定方向に偏光面を有する直線偏光の光に変換するための所要位置に 前記 1 Z 2波長板の結晶光学軸の角度位置を位置合わせすることを特徴とする照 明光学装置。
2 3 . 請求の範囲第 2 2項に記載の照明光学装置において、
前記制御部は、 前記 1 / 4波長板の結晶光学軸を変化させたときに前記検出結 果においてストークスパラメータ S 1成分の変化のコントラストがほぼ最大にな る第 1角度位置に前記 1ノ 4波長板の結晶光学軸の角度位置を位置合わせし、 前 記 1 Z 4波長板の結晶光学軸を前記第 1角度位置に設定した状態で前記 1 Z 2波 長板の結晶光学軸を変化させたときに前記検出結果においてスト一クスパラメ一 夕 S 1成分がほぼ最大またはほぼ最小になる第 2角度位置に前記 1 / 2波長板の 結晶光学軸の角度位置を位置合わせすることを特徴とする照明光学装置。
2 4 . 請求の範囲第 2 1項乃至第 2 3項のいずれか 1項に記載の照明光学装置 において、
前記偏光モニターは、 前記偏光状態切換手段と前記被照射面との間の光路中に 配置されて、 入射光の偏光状態とは異なる偏光状態の反射光または透過光を前記 光路から取り出すためのビ一ムスプリッターと、 該ビームスプリッターにより前 記光路から取り出された前記反射光または前記透過光の強度を検出するための光 強度検出器とを有し、 前記光強度検出器の出力に基づいて前記ビ一ムスプリッタ 一への前記入射光の偏光状態を検出することを特徴とする照明光学装置。
2 5 . 請求の範囲第 2 4項に記載の照明光学装置において、
前記ビ一ムスプリッ夕一は、 前記反射光または前記透過光に含まれる P偏光の 強度 I pと S偏光の強度 I sとの強度比 I p Z l sが I p / I s < l Z 2または
1 P / I s〉2の条件を満たすような反射特性または透過特性を有することを特 徵とする照明光学装置。
2 6 . 請求の範囲第 1項乃至第 2 5項のいずれか 1項に記載の照明光学装置に おいて、
前記光源部からの光束に基づいて、 前記照明光学装置の瞳面またはその近傍の 面に所定の光強度分布を形成するための照明瞳分布形成手段を備え、
前記照明瞳分布形成手段は、 前記被照射面上における所定の一方向に対応する 前記瞳面または前記その近傍の面での方向に沿って間隔を隔てた 2つの光強度分 布が高い領域を形成し、
前記偏光状態切換手段は、 前記 2つの光強度分布が高い領域から前記被照射面 を照明する光の偏光状態を、 前記所定の一方向とほぼ直交する方向に偏光面を有 する直線偏光状態に設定することを特徴とする照明光学装置。
2 7 . 請求の範囲第 2 6項に記載の照明光学装置において、
前記 2つの光強度分布が高い領域は、 前記照明光学装置の光軸に関して対称に 形成され、
前記光軸を中心として前記 2つの光強度分布が高い領域に外接する外接円の直 径 Φ oと前記瞳面の直径 Φ pとの比 φ ο Ζ φ pとして定義される値 σ οは、 0 . 7≤ひ ο
の条件を満足することを特徴とする照明光学装置。
2 8 . 請求の範囲第 2 6項または第 2 7項に記載の照明光学装置において、 前記 2つの光強度分布が高い領域は、 前記照明光学装置の光軸に関して対称に 形成され、
前記光軸を中心として前記 2つの光強度分布が高い領域に外接する外接円の直 径 Φ οと前記瞳面の直径 Φ ρとの比 φ ο Ζ φ ρとして定義される値を σ οとし、 前記光軸を中心として前記 2つの光強度分布が高い領域に内接する内接円の直径 Φ iと前記瞳面の直径 Φ iとの比 φ i Ζ Φ pとして定義される値を σ iとすると ぎ、
0 . 5≤ σ i ひ o
の条件を満足することを特徴とする照明光学装置。
2 9 . 光源部からの光に基づいて、 特定の偏光状態のもとで被照射面を照明す る照明光学装置において、
前記光源部と前記被照射面との間の光路中に配置されて、 前記光源部からの光 を前記被照射面へ導く導光手段と、
前記光源部と前記被照射面との間の光路中に配置されて、 前記被照射面での偏 光状態の変動を補正する偏光状態変動補正手段とを備えていることを特徴とする 照明光学装置。
3 0 . 請求の範囲第 2 9項に記載の照明光学装置において、
前記偏光状態変動補正手段は、 前記光源部と前記被照射面との間の光路中に配 置されて、 前記被照射面での偏光状態を調整するための偏光状態調整手段と、 前 記光源部と前記被照射面との間の光路中に配置されて光の偏光状態を検出するた めの偏光モニタ一と、 該偏光モニターの出力に応じて前記偏光状態調整手段を制 御するための制御部とを備えていることを特徴とする照明光学装置。
3 1 . 請求の範囲第 3 0項に記載の照明光学装置において、
前記偏光状態調整手段は、 前記光源部と前記偏光モニターとの間の光路中に配 置された調整可能な位相板を備えていることを特徴とする照明光学装置。
3 2 . 請求の範囲第 2 9項乃至第 3 1項のいずれか 1項に記載の照明光学装置 において、
前記導光手段は、 入射する光の偏光状態を変化させて射出する特性を有する光 学部材を備えていることを特徴とする照明光学装置。
3 3 . 請求の範囲第 3 2項に記載の照明光学装置において、
前記光学部材は、 結晶光学材料から形成されていることを特徴とする照明光学 装置。
3 4 . 光源部からの光に基づいて、 特定の偏光状態のもとで被照射面を照明す る照明光学装置の調整方法において、
1 Z 4波長板の結晶光学軸が所定の角度位置となるように前記照明光学装置の 照明光路中に設定すると共に、 1 / 2波長板の結晶光学軸が所定の角度位置とな るように前記照明光路中に設定する波長板設定工程を含み、
前記波長板設定工程は、 前記 1 / 4波長板の結晶光学軸および前記 1 / 2波長 板の結晶光学軸をそれぞれ変化させたときに前記偏光状態切換手段と前記被照射 面との間の光路中において検出された光の偏光状態に関する検出結果に基づいて、 入射する楕円偏光の光を直線偏光の光に変換するための所要位置に前記 1 Z 4波 長板の結晶光学軸を設定し、 入射する直線偏光の光を所定方向に偏光面を有する 直線偏光の光に変換するための基準位置に前記 1 / 2波長板の結晶光学軸を設定 することを特徴とする照明光学装置の調整方法。
3 5 . 請求の範囲第 3 4項に記載の調整方法において、
前記 1 / 4波長板の結晶光学軸を変化させたときに前記検出結果においてスト —クスパラメ一夕 S 1成分の変化のコントラス卜がほぼ最大になる第 1角度位置 に前記 1 / 4波長板の結晶光学軸を設定し、
前記 1 Z 4波長板の結晶光学軸を前記第 1角度位置に設定した状態で前記 1 / 2波長板の結晶光学軸を変化させたときに前記検出結果においてス 1 ^一クスパラ メータ S 1成分がほぼ最大またはほぼ最小になる第 2角度位置に前記 1 / 2波長 板の結晶光学軸を設定することを特徴とする調整方法。
3 6 . 請求の範囲第 3 4項または第 3 5項に記載の調整方法において、
前記光源部からの光束に基づいて、 前記照明光学装置の瞳面またはその近傍に 所定の光強度分布を形成する照明瞳形成工程と、
前記所定の光強度分布の形状および大きさのうちの少なくとも一方を変更する ための照明瞳変更工程と、
前記所定の光強度分布の形状および大きさのうちの少なくとも一方の変更に応 じて、 前記 1 Z 4波長板の結晶光学軸および前記 1 / 2波長板の結晶光学軸の少 なくとも一方を設定し直す波長板再設定工程とを含むことを特徴とする調整方法
3 7 . 請求の範囲第 1項乃至第 3 3項のいずれか 1項に記載の照明光学装置ま たは請求の範囲第 3 4項乃至第 3 6項のいずれか 1項に記載の調整方法により調 整された照明光学装置を備え、 マスクのパターンを前記被照射面に配置された感 光性基板上に露光することを特徴とする露光装置。
3 8 . 請求の範囲第 3 7項に記載の露光装置において、
前記マスクが設定される第 1設定面と前記感光性基板が設定される第 2設定面 との間の光路中に配置されて、 前記マスクのパターンの像を前記第 2設定面上に 形成する投影光学系と、
前記投影光学系の瞳と共役な位置またはその近傍の位置に所定の光強度分布を 形成する形成する瞳強度分布形成手段と、
前記所定の光強度分布の形状および大きさのうちの少なくとも一方を変更する 瞳強度分布変更手段とを備えていることを特徴とする露光装置。
3 9 . 請求の範囲第 3 8項に記載の露光装置において、
前記光源部と前記被照射面との間の光路中に配置されて、 前記被照射面を照明 する光の偏光状態を変更するための偏光状態変更手段を備え、
前記瞳強度分布変更手段は、 前記マスクのパターン特性に応じて前記所定の光 強度分布の形状および大きさのうちの少なくとも一方を変更し、
前記偏光状態変更手段は、 前記所定の光強度分布の形状および大きさのうちの 少なくとも一方の変更に応じて、 前記被照射面を照明する光の偏光状態を変更す ることを特徴とする露光装置。
4 0 . 請求の範囲第 3 9項に記載の露光装置において、
前記偏光状態変更手段は、 前記被照射面を照明する光の偏光状態を特定の偏光 状態と非偏光状態との間で切り換えるための偏光状態切換手段を備え、 該偏光状態切換手段は、 前記所定の光強度分布の形状および大きさのうちの少 なくとも一方の変更に応じて、 前記特定の偏光状態と前記非偏光状態との間で切 り換えることを特徴とする露光装置。
4 1 . 請求の範囲第 3 9項または第 4 0項に記載の露光装置において、 前記瞳強度分布形成手段は、 前記マスクに形成されたライン ·アンド ·スぺ一 ス ·パターンのピッチ方向に沿って間隔を隔てた 2つの光強度分布の高い領域を 形成し、
前記偏光状態変更手段は、 前記 2つの光強度分布の高い領域から前記被照射面 を照明する光の偏光状態を、 前記ピッチ方向とほぼ直交する方向に偏光面を有す る直線偏光状態に設定することを特徴とする露光装置。
4 2 . 請求の範囲第 3 9項または第 4 0項に記載の露光装置において、 前記瞳強度分布形成手段は、 前記照明光学装置の光軸をほぼ中心とする 1つの 光強度分布の高い領域を形成し、
前記偏光状態変更手段は、 前記 1つの光強度分布の高い領域から前記被照射面 を照明する光の偏光状態を、 前記マスクとしての位相シフトマスクに形成された ライン 'アンド 'スペース ·パターンのピッチ方向とほぼ直交する方向に偏光面 を有する直線偏光状態に設定することを特徴とする露光装置。
4 3 . 請求の範囲第 4 2項に記載の露光装置において、
前記 1つの光強度分布の高い領域の大きさ φと前記瞳面との直径 φ pとの比 φ / pとして定義される値びは、
σ≤0 . 4
の条件を満足することを特徴とする露光装置。
4 4 . 請求の範囲第 1項乃至第 3 3項のいずれか 1項に記載の照明光学装置ま たは請求の範囲第 3 4項乃至第 3 6項のいずれか 1項に記載の調整方法により調 整された照明光学装置を介してマスクを照明する照明工程と、
前記マスクのパターンを前記被照射面に配置された感光性基板上に露光する露 光工程とを含むことを特徴とする露光方法。
4 5 . 請求の範囲第 4 4項に記載の露光方法において、
投影光学系を用いて前記マスクのパターンの像を形成する投影工程と、 前記投影光学系の瞳と共役な位置またはその近傍の位置に所定の光強度分布を 形成する形成する瞳強度分布形成工程と、
前記所定の光強度分布の形状および大きさのうちの少なくとも一方を変更する 瞳強度分布変更工程とを備えることを特徴とする露光方法。
4 6 . 請求の範囲第 4 5項に記載の露光方法において、
前記瞳強度分布変更工程では、 前記マスクのパターン特性に応じて前記所定の 光強度分布の形状および大きさのうちの少なくとも一方を変更し、
前記所定の光強度分布の形状および大きさのうちの少なくとも一方の変更に応 じて前記被照射面を照明する光の偏光状態を変更する偏光状態変更工程をさらに 含むことを特徴とする露光方法。
4 7 . 請求の範囲第 4 6項に記載の露光方法において、
前記瞳強度分布形成工程では、 前記マスクに形成されたライン ·アンド ·スぺ ース ·パターンのピッチ方向に沿って間隔を隔てた 2つの光強度分布の高い領域 を形成し、
前記 2つの光強度分布の高い領域から前記被照射面を照明する光の偏光状態を、 前記ピッチ方向とほぼ直交する方向に偏光面を有する直線偏光状態に設定するェ 程をさらに含むことを特徴とする露光方法。
4 8 . 請求の範囲第 4 7項に記載の露光方法において、
前記 2つの光強度分布が高い領域は、 前記照明光学装置の光軸に関して対称に 形成され、
前記光軸を中心として前記 2つの光強度分布が高い領域に外接する外接円の直 径 Φ oと前記瞳面の直径 Φ pとの比 ο Ζ Φ ρとして定義される値 σ οは、 0 . 7≤σ ο
の条件を満足することを特徴とする露光方法。
4 9 . 請求の範囲第 4 7項または第 4 8項に記載の露光方法において、 前記 2つの光強度分布が高い領域は、 前記照明光学装置の光軸に関して対称に 形成され、
前記光軸を中心として前記 2つの光強度分布が高い領域に外接する外接円の直 径 Φ οと前記瞳面の直径 φ ρとの比 φ ο Ζ φ ρとして定義される値を σ οとし、 前記光軸を中心として前記 2つの光強度分布が高い領域に内接する内接円の直径 Φ iと前記瞳面の直径 Φ iとの比 Φ i Ζ Φ pとして定義される値を σ iとすると さ、 の条件を満足することを特徴とする露光方法。
5 0 . 第 1面に設定されるマスクのパターンを第 2面に配置される感光性基板 上に露光する露光方法において、
直線偏光の光を供給する第 1工程と、
前記第 1工程によつて供給された光に基づいて前記マスクを照明する第 2工程 と、
前記第 2工程によって照明されたマスクのパターンを前記感光性基板上に露光 する第 3工程と、
前記第 2面上での光の偏光状態を特定の偏光状態と非偏光状態との間で切り換 える第 4工程とを含み、
前記第 4工程は、 入射する直線偏光の光を必要に応じて非偏光化するためのデ ボラライザを照明光路に対して挿脱する工程を含むことを特徴とする露光方法。
5 1 . 請求の範囲第 5 0項に記載の露光方法において、
前記第 4工程は、 直線偏光の偏光面を可変とする工程を含むことを特徴とする 露光方法。
5 2 . 請求の範囲第 5 0項または第 5 1項に記載の露光方法において、 前記第 3工程は、 投影光学系を用いて前記マスクのパターンの像を第 2面上に 形成する工程を含み、
前記投影光学系の瞳と共役な位置またはその近傍の位置に所定の光強度分布を 形成する形成する第 5工程と、
前記所定の光強度分布の形状および大きさのうちの少なくとも一方を変更する 第 6工程と、
前記所定の光強度分布の形状および大きさのうちの少なくとも一方の変更に応 じて前記被照射面を照明する光の偏光状態を変更する第 7工程とを含むことを特 徵とする露光方法。
5 3 . 第 1面に設定されるマスクのパターンを第 2面に配置される感光性基板 上に露光する露光方法において、
光を供給する第 1工程と、
前記第 1工程によって供給された光に基づいて前記マスクを照明する第 2工程 と、
前記第 2工程によって照明されたマスクのパターンを前記感光性基板上に露光 する第 3工程と、
前記第 2面上での光の偏光状態の変動を補正する第 4工程とを含むことを特徴 とする露光方法。
5 4 . 請求の範囲第 5 3項に記載の露光方法において、
光の偏光状態を検出する第 5工程をさらに含み、 前記第 4工程は、 前記第 5工程にて検出された光の偏光状態に基づいて前記第 2面上での偏光状態を調整する工程を含むことを特徴とする露光方法。
5 5 . 光源部からの光で被照射面を照明する照明光学装置において、
前記被照射面を照明する光の偏光状態を特定の偏光状態に設定するための偏光 照明設定手段と、
前記光源部と前記被照射面との間の光路中に配置されたォプティカルインテグ レー夕とを備え、
前記オプティカルインテグレ一タは、 所定の第 1方向に沿ったピッチで配列さ れた第 1の 1次元シリンドリカルレンズァレイと、 前記第 1方向と交差する第 2 方向に沿つたピッチで配列された第 2の 1次元シリンドリカルレンズアレイとを 備えていることを特徴とする照明光学装置。
5 6 . 請求の範囲第 5 5項に記載の照明光学装置において、
前記第 1および第 2の 1次元シリンドリカルレンズァレイは 1つの光透過性基 板に一体に設けられていることを特徴とする照明光学装置。
5 7 . 請求の範囲第 5 6項に記載の照明光学装置において、
前記第 1および第 2の 1次元シリンドリカルァレイを備えたシリンドリカルレ ンズアレイ板を複数備え、
前記複数のシリンドリカルレンズアレイ板は、 前記照明光学装置の光軸方向に 沿って互いに間隔を隔てて配置されていることを特徴とする照明光学装置。
5 8 . 請求の範囲第 5 5項乃至請求の範囲第 5 7項のいずれか 1項に記載の照 明光学装置において、
前記第 1の 1次元シリンドリカルァレイの第 1方向に沿つたピッチと前記第 2 の 1次元シリンドリカルアレイの第 2方向に沿ったピッチとの少なくとも一方は 2 mm以下のピッチを有することを特徴とする照明光学装置。
5 9 . 請求の範囲第 5 5項乃至請求の範囲第 5 8項のいずれか 1項に記載の照 明光学装置を備え、 マスクのパターンを前記被照射面に配置された感光性基板上 に露光することを特徴とする露光装置。
6 0 . 請求の範囲第 5 5項乃至請求の範囲第 5 8項のいずれか 1項に記載の照 明光学装置を用いてマスクを照明する照明工程と、
前記マスクのパターンを前記被照射面に配置された感光性基板上に露光する露 光工程とを含むことを特徴とする露光方法。
PCT/JP2003/015447 2002-12-03 2003-12-02 照明光学装置、露光装置および露光方法 WO2004051717A1 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002-351186 2002-12-03
JP2002351186 2002-12-03
JP2003201079 2003-07-24
JP2003-201079 2003-07-24
JP2003338447 2003-09-29
JP2003-338447 2003-09-29

Applications Claiming Priority (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004570728A JP4419141B2 (ja) 2002-12-03 2003-12-02 照明光学装置、および露光方法
AU2003289126A AU2003289126A1 (en) 2002-12-03 2003-12-02 Illumination optical system, exposure system, and exposure method
US11/140,103 US7423731B2 (en) 2002-12-03 2005-05-31 Illumination optical system, exposure apparatus, and exposure method with polarized switching device
US11/979,516 US7515247B2 (en) 2002-12-03 2007-11-05 Illumination optical system, exposure apparatus, and exposure method with polarized state fluctuation correcting device
US11/979,517 US7515248B2 (en) 2002-12-03 2007-11-05 Illumination optical system, exposure apparatus, and exposure method with polarized state detection result and adjustment
US12/155,301 US20080239274A1 (en) 2002-12-03 2008-06-02 Illumination optical system, exposure apparatus, and exposure method
US12/656,822 US20100149511A1 (en) 2002-12-03 2010-02-17 Illumination optical system, exposure apparatus, and exposure method
US12/801,043 US20100225895A1 (en) 2002-12-03 2010-05-18 Illumination optical system, exposure apparatus, and exposure method
US13/482,491 US20120236285A1 (en) 2002-12-03 2012-05-29 Illumination optical system, exposure apparatus, and exposure method

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US11/140,103 Continuation-In-Part US7423731B2 (en) 2002-12-03 2005-05-31 Illumination optical system, exposure apparatus, and exposure method with polarized switching device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2004051717A1 true WO2004051717A1 (ja) 2004-06-17

Family

ID=32475224

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2003/015447 WO2004051717A1 (ja) 2002-12-03 2003-12-02 照明光学装置、露光装置および露光方法

Country Status (6)

Country Link
US (7) US7423731B2 (ja)
JP (2) JP4419141B2 (ja)
KR (3) KR20090017565A (ja)
AU (1) AU2003289126A1 (ja)
TW (1) TW200412617A (ja)
WO (1) WO2004051717A1 (ja)

Cited By (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005124833A1 (ja) * 2004-06-21 2005-12-29 Nikon Corporation 露光装置及びその部材の洗浄方法、露光装置のメンテナンス方法、メンテナンス機器、並びにデバイス製造方法
JP2006005267A (ja) * 2004-06-21 2006-01-05 Nikon Corp 露光装置および露光方法
JP2006041540A (ja) * 2004-07-29 2006-02-09 Carl Zeiss Smt Ag マイクロリソグラフィ用投影露光装置のための照明システム
WO2006016469A1 (ja) 2004-08-10 2006-02-16 Nikon Corporation 照明光学装置、露光装置、および露光方法
EP1653282A2 (en) * 2004-11-02 2006-05-03 ASML Holdings N.V. Method and apparatus for variable polarization control in a lithography system
JP2006165502A (ja) * 2004-06-21 2006-06-22 Nikon Corp 露光装置、及びその部材の洗浄方法、露光装置のメンテナンス方法、メンテナンス機器、並びにデバイス製造方法
JP2006179660A (ja) * 2004-12-22 2006-07-06 Nikon Corp 偏光測定装置、偏光測定方法、露光装置、および露光方法
EP1681710A1 (en) * 2003-10-28 2006-07-19 Nikon Corporation Lighting optical device and projection aligner
WO2006077849A1 (ja) * 2005-01-21 2006-07-27 Nikon Corporation 照明光学装置の調整方法、照明光学装置、露光装置、および露光方法
JP2006245152A (ja) * 2005-03-02 2006-09-14 Nikon Corp 偏光測定装置、偏光測定方法、露光装置、および露光方法
EP1744219A2 (en) * 2005-07-11 2007-01-17 ASML Netherlands B.V. Polarized radiation in lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007027240A (ja) * 2005-07-13 2007-02-01 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置、および露光方法
WO2007055120A1 (ja) * 2005-11-10 2007-05-18 Nikon Corporation 照明光学装置、露光装置、および露光方法
JP2007189079A (ja) * 2006-01-13 2007-07-26 Canon Inc 照明光学系、当該照明光学系を有する露光装置及びデバイス製造方法
JP2008527756A (ja) * 2005-01-19 2008-07-24 ライテル・インストルメンツLitel Instruments 光源コヒーレンスマトリクスの測定方法および装置
US7450217B2 (en) 2005-01-12 2008-11-11 Asml Netherlands B.V. Exposure apparatus, coatings for exposure apparatus, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
WO2009048051A1 (ja) * 2007-10-12 2009-04-16 Nikon Corporation 照明光学装置、並びに露光方法及び装置
JP2009099629A (ja) * 2007-10-12 2009-05-07 Nikon Corp 照明光学装置、露光方法及び装置、並びに電子デバイスの製造方法
WO2009101958A1 (ja) * 2008-02-14 2009-08-20 Nikon Corporation 照明光学系、露光装置、デバイス製造方法、補正フィルター、及び露光光学系
JP2009212487A (ja) * 2008-03-05 2009-09-17 Nanya Technology Corp 入射光の電力比を制御するためのフィードバック制御システム及びフィードバック方法
US7602474B2 (en) 2006-07-03 2009-10-13 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
JPWO2008007633A1 (ja) * 2006-07-12 2009-12-10 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
US7706072B2 (en) 2004-12-27 2010-04-27 Nikon Corporation Optical integrator, illumination optical device, photolithograph, photolithography, and method for fabricating device
JP2010157715A (ja) * 2008-12-31 2010-07-15 Asml Holding Nv エタンデュ調整が可能なパルスモディファイア
US7843645B2 (en) 2007-09-27 2010-11-30 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system, exposure apparatus, and method of manufacturing device
US7864296B2 (en) 2005-07-22 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus, setting method, and exposure method having the same
JP2011508409A (ja) * 2007-11-20 2011-03-10 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 光学系
US8072576B2 (en) 2003-05-23 2011-12-06 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US8085381B2 (en) 2003-04-11 2011-12-27 Nikon Corporation Cleanup method for optics in immersion lithography using sonic device
US8094290B2 (en) 2007-11-06 2012-01-10 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2012521077A (ja) * 2009-03-19 2012-09-10 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系
US8339578B2 (en) 2004-01-27 2012-12-25 Nikon Corporation Optical system, exposure system, and exposure method
US8379187B2 (en) 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8446579B2 (en) 2008-05-28 2013-05-21 Nikon Corporation Inspection device and inspecting method for spatial light modulator, illumination optical system, method for adjusting the illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8451427B2 (en) 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
US8462317B2 (en) 2007-10-16 2013-06-11 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8520291B2 (en) 2007-10-16 2013-08-27 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US20130271945A1 (en) 2004-02-06 2013-10-17 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US8576378B2 (en) 2007-10-01 2013-11-05 Canon Kabushiki Kaisha Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8675177B2 (en) 2003-04-09 2014-03-18 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, and method for fabricating device with light amount distribution having light larger in first and second pairs of areas
US8698998B2 (en) 2004-06-21 2014-04-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for cleaning member thereof, maintenance method for exposure apparatus, maintenance device, and method for producing device
US8854601B2 (en) 2005-05-12 2014-10-07 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US8861084B2 (en) 2004-01-16 2014-10-14 Carl Zeiss Smt Ag Polarization-modulating optical element
US8891053B2 (en) 2008-09-10 2014-11-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, method of manufacturing an article for a lithographic apparatus and device manufacturing method
US9097981B2 (en) 2007-10-12 2015-08-04 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9116346B2 (en) 2007-11-06 2015-08-25 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9164209B2 (en) 2003-11-20 2015-10-20 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power having different thicknesses to rotate linear polarization direction
US9581911B2 (en) 2004-01-16 2017-02-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Polarization-modulating optical element
US9645505B2 (en) 2004-06-09 2017-05-09 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and device manufacturing method with measuring device to measure specific resistance of liquid
US10061207B2 (en) 2005-12-02 2018-08-28 Asml Netherlands B.V. Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus

Families Citing this family (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200412617A (en) * 2002-12-03 2004-07-16 Nikon Corp Optical illumination device, method for adjusting optical illumination device, exposure device and exposure method
AU2003255441A1 (en) * 2003-08-14 2005-03-29 Carl Zeiss Smt Ag Illuminating device for a microlithographic projection illumination system
US7408616B2 (en) * 2003-09-26 2008-08-05 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic exposure method as well as a projection exposure system for carrying out the method
US8270077B2 (en) * 2004-01-16 2012-09-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Polarization-modulating optical element
US7324280B2 (en) * 2004-05-25 2008-01-29 Asml Holding N.V. Apparatus for providing a pattern of polarization
US7667829B2 (en) * 2004-08-09 2010-02-23 Nikon Corporation Optical property measurement apparatus and optical property measurement method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
US7570240B2 (en) * 2004-12-16 2009-08-04 Lightmaster Systems, Inc. Method and apparatus to minimize lamp flicker and increase contrast ratio in projection devices
DE102006031807A1 (de) * 2005-07-12 2007-01-18 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie Depolarisator
US20070046861A1 (en) * 2005-08-29 2007-03-01 Fuji Photo Film Co., Ltd. Liquid crystal display apparatus
US20070058151A1 (en) * 2005-09-13 2007-03-15 Asml Netherlands B.V. Optical element for use in lithography apparatus and method of conditioning radiation beam
JP2007103835A (ja) * 2005-10-07 2007-04-19 Toshiba Corp 露光装置及び露光方法
US7932994B2 (en) * 2005-12-28 2011-04-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
JP2007220767A (ja) * 2006-02-15 2007-08-30 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
US7525642B2 (en) * 2006-02-23 2009-04-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007258575A (ja) 2006-03-24 2007-10-04 Canon Inc 照明装置、当該照明装置を有する露光装置及びデバイス製造方法
TWI467255B (zh) * 2006-03-27 2015-01-01 尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置以及元件製造方法
US7884921B2 (en) * 2006-04-12 2011-02-08 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, projection exposure apparatus, projection optical system, and device manufacturing method
CN101379593A (zh) * 2006-04-14 2009-03-04 株式会社尼康 曝光装置、元件制造方法以及曝光方法
JP5158439B2 (ja) * 2006-04-17 2013-03-06 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
US7649676B2 (en) * 2006-06-14 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. System and method to form unpolarized light
WO2007145139A1 (ja) 2006-06-16 2007-12-21 Nikon Corporation 可変スリット装置、照明装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US7837357B2 (en) * 2006-06-30 2010-11-23 Applied Materials, Inc. Combined illumination and imaging system
DE102006032810A1 (de) 2006-07-14 2008-01-17 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungsoptik für eine Mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage, Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, mikrolithografie-Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem, mikrolithografisches Herstellungsverfahren für Bauelemente sowie mit diesem Verfahren hergestelltes Bauelement
DE102006032878A1 (de) * 2006-07-15 2008-01-17 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
US8035803B2 (en) * 2006-09-06 2011-10-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Subsystem of an illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
US20080080028A1 (en) * 2006-10-02 2008-04-03 Micron Technology, Inc. Imaging method, apparatus and system having extended depth of field
US7952685B2 (en) * 2007-03-15 2011-05-31 Carl Zeiss Smt Ag Illuminator for a lithographic apparatus and method
DE102007019831B4 (de) * 2007-04-25 2012-03-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
US20090091730A1 (en) * 2007-10-03 2009-04-09 Nikon Corporation Spatial light modulation unit, illumination apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2009130091A (ja) * 2007-11-22 2009-06-11 Canon Inc 照明光学装置、露光装置及びデバイス製造方法
US8040492B2 (en) * 2007-11-27 2011-10-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus
US20090257043A1 (en) * 2008-04-14 2009-10-15 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, device manufacturing method, and exposure optical system
JP5201061B2 (ja) * 2008-04-29 2013-06-05 株式会社ニコン 補正フィルター、照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
NL1036786A1 (nl) * 2008-05-08 2009-11-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method.
KR100952158B1 (ko) 2008-05-20 2010-04-09 진 호 정 마스크 리스 노광장치용 마이크로프리즘 어레이
US8629974B2 (en) 2008-05-20 2014-01-14 Jin Ho Jung Optical component for maskless exposure apparatus
WO2009152867A1 (en) * 2008-06-20 2009-12-23 Carl Zeiss Smt Ag Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus and microlithographic exposure method
DE102008040611A1 (de) * 2008-07-22 2010-01-28 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zum Modifizieren einer Polarisationsverteilung in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, sowie mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
JP5185727B2 (ja) 2008-08-22 2013-04-17 ギガフォトン株式会社 偏光純度制御装置及びそれを備えたガスレーザ装置
JPWO2010024106A1 (ja) * 2008-08-28 2012-01-26 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2010107611A (ja) * 2008-10-29 2010-05-13 Olympus Imaging Corp 結像光学系及びそれを用いた撮像装置
KR101708948B1 (ko) 2008-12-24 2017-03-08 가부시키가이샤 니콘 조명 광학계, 노광 장치 및 디바이스의 제조 방법
WO2010073794A1 (ja) * 2008-12-24 2010-07-01 株式会社 ニコン 照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
US20100173502A1 (en) * 2009-01-07 2010-07-08 Michael Francis Pas LOW k1 HOLE PRINTING USING TWO INTERSECTING FEATURES
JP5482789B2 (ja) * 2009-04-09 2014-05-07 日本電気株式会社 投射型画像表示装置およびその制御方法
US8164046B2 (en) * 2009-07-16 2012-04-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination system for illuminating a mask in a microlithographic projection exposure apparatus
US20110037962A1 (en) * 2009-08-17 2011-02-17 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US20110096152A1 (en) * 2009-10-22 2011-04-28 Industrial Technology Research Institute Stereoscopic image display
US20110115916A1 (en) * 2009-11-16 2011-05-19 Eiji Yafuso System for mosaic image acquisition
JP5330205B2 (ja) * 2009-11-26 2013-10-30 株式会社東芝 露光方法
KR101774607B1 (ko) 2010-02-03 2017-09-04 가부시키가이샤 니콘 조명 광학 장치, 조명 방법, 및 노광 방법 및 장치
US20110205519A1 (en) * 2010-02-25 2011-08-25 Nikon Corporation Polarization converting unit, illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
DK2535640T3 (en) 2010-09-08 2015-03-30 Zhejiang Ledison Optoelectronics Co Ltd The LED bulb and the LED lighting list for emitting light on PI 4
JP5691467B2 (ja) * 2010-12-10 2015-04-01 旭硝子株式会社 投射型表示装置
JP5773661B2 (ja) * 2011-01-20 2015-09-02 株式会社ニューフレアテクノロジー 照明装置、パターン検査装置及び照明光の形成方法
JP6020834B2 (ja) 2011-06-07 2016-11-02 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置、およびデバイス製造方法
US9760012B2 (en) 2011-08-04 2017-09-12 Nikon Corporation Illumination device
DE102012206150B9 (de) * 2012-04-16 2014-06-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System, insbesondere einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
JP2013251100A (ja) * 2012-05-31 2013-12-12 Gigaphoton Inc 極紫外光生成装置及び極紫外光生成方法
DE102013214459B4 (de) 2013-07-24 2015-07-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches System für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
FR3009872B1 (fr) * 2013-08-23 2016-12-02 Thales Sa Systeme de prise de vues stereoscopique compact
US9625726B2 (en) * 2014-12-05 2017-04-18 Kla-Tencor Corp. Lens array-based illumination for wafer inspection
US9709897B2 (en) * 2015-10-28 2017-07-18 Cymer, Llc Polarization control of pulsed light beam
DE112017001126T5 (de) * 2016-03-01 2018-11-15 Mitsubishi Electric Corporation Bilderfassungs-Einrichtung
KR101878654B1 (ko) * 2016-12-21 2018-07-16 주식회사 슈프리마 광 조사 장치 및 방법
WO2018129435A1 (en) 2017-01-09 2018-07-12 Mks Technology, Inc. Method of measuring raman scattering and related spectrometers and laser sources

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0823662A2 (en) * 1996-08-07 1998-02-11 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US6238063B1 (en) * 1998-04-27 2001-05-29 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
EP1139521A1 (en) * 1999-09-10 2001-10-04 Nikon Corporation Light source and wavelength stabilization control method, exposure apparatus and exposure method, method for producing exposure apparatus, and device manufacturing method and device
US20020154282A1 (en) * 2001-01-26 2002-10-24 Ken-Ichiro Mori Correction apparatus that corrects optical shift in two optical units, and exposure apparatus having the same
JP2003188087A (ja) * 2001-12-21 2003-07-04 Sony Corp 露光方法および露光装置並びに半導体装置の製造方法

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5072126A (en) * 1990-10-31 1991-12-10 International Business Machines Corporation Promixity alignment using polarized illumination and double conjugate projection lens
US5272501A (en) * 1991-08-28 1993-12-21 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
JP2946950B2 (ja) * 1992-06-25 1999-09-13 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた露光装置
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP3322274B2 (ja) 1992-10-29 2002-09-09 株式会社ニコン 投影露光方法及び投影露光装置
JPH06204121A (ja) 1992-12-28 1994-07-22 Canon Inc 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
KR0153796B1 (ko) * 1993-09-24 1998-11-16 사토 후미오 노광장치 및 노광방법
KR0166612B1 (ko) * 1993-10-29 1999-02-01 가나이 쓰토무 패턴노광방법 및 그 장치와 그것에 이용되는 마스크와 그것을 이용하여 만들어진 반도체 집적회로
US5559583A (en) * 1994-02-24 1996-09-24 Nec Corporation Exposure system and illuminating apparatus used therein and method for exposing a resist film on a wafer
US5599583A (en) * 1994-05-27 1997-02-04 Micro Flo Company Encapsulation with water soluble polymer
US5677567A (en) * 1996-06-17 1997-10-14 Micron Technology, Inc. Leads between chips assembly
JPH1079337A (ja) * 1996-09-04 1998-03-24 Nikon Corp 投影露光装置
AT404906T (de) * 1996-11-28 2008-08-15 Nikon Corp Ausrichtvorrichtung und belichtungsverfahren
DE69717975T2 (de) * 1996-12-24 2003-05-28 Asml Netherlands Bv In zwei richtungen ausgewogenes positioniergerät, sowie lithographisches gerät mit einem solchen positioniergerät
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
WO1999049504A1 (en) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JPH11312631A (ja) * 1998-04-27 1999-11-09 Nikon Corp 照明光学装置および露光装置
JP3985346B2 (ja) * 1998-06-12 2007-10-03 株式会社ニコン 投影露光装置、投影露光装置の調整方法、及び投影露光方法
DE19829612A1 (de) * 1998-07-02 2000-01-05 Zeiss Carl Fa Beleuchtungssystem der Mikrolithographie mit Depolarisator
JP4065923B2 (ja) * 1998-09-29 2008-03-26 株式会社ニコン 照明装置及び該照明装置を備えた投影露光装置、該照明装置による投影露光方法、及び該投影露光装置の調整方法
AT431619T (de) * 1999-01-06 2009-05-15 Nikon Corp Verfahren zur herstellung eines optischen projektionssystems
DE19921795A1 (de) * 1999-05-11 2000-11-23 Zeiss Carl Fa Projektions-Belichtungsanlage und Belichtungsverfahren der Mikrolithographie
JP4362857B2 (ja) * 1999-09-10 2009-11-11 株式会社ニコン 光源装置及び露光装置
US6771350B2 (en) * 2000-02-25 2004-08-03 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution
JP2001264696A (ja) * 2000-03-16 2001-09-26 Canon Inc 照明光学系及びそれを備えた露光装置
JP3927753B2 (ja) * 2000-03-31 2007-06-13 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
EP1277088A1 (en) * 2000-04-25 2003-01-22 Silicon Valley Group, Inc. Optical reduction system with elimination of reticle diffraction induced bias
KR100488515B1 (ko) * 2000-08-04 2005-05-11 삼성전자주식회사 컴퓨터장치
WO2002016993A1 (en) * 2000-08-18 2002-02-28 Nikon Corporation Optical element holding device
JP2002184676A (ja) 2000-12-18 2002-06-28 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP4923370B2 (ja) * 2001-09-18 2012-04-25 株式会社ニコン 照明光学系、露光装置、及びマイクロデバイスの製造方法
US6762441B1 (en) * 2001-10-15 2004-07-13 Ess Technology, Inc. Imager cell with pinned transfer gate
US6970232B2 (en) * 2001-10-30 2005-11-29 Asml Netherlands B.V. Structures and methods for reducing aberration in integrated circuit fabrication systems
JP4324957B2 (ja) * 2002-05-27 2009-09-02 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置および露光方法
TW200412617A (en) * 2002-12-03 2004-07-16 Nikon Corp Optical illumination device, method for adjusting optical illumination device, exposure device and exposure method
US7130105B2 (en) * 2004-01-07 2006-10-31 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for controlling the positioning of an optical dithering element
US7317512B2 (en) * 2005-07-11 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Different polarization in cross-section of a radiation beam in a lithographic apparatus and device manufacturing method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0823662A2 (en) * 1996-08-07 1998-02-11 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US6238063B1 (en) * 1998-04-27 2001-05-29 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
EP1139521A1 (en) * 1999-09-10 2001-10-04 Nikon Corporation Light source and wavelength stabilization control method, exposure apparatus and exposure method, method for producing exposure apparatus, and device manufacturing method and device
US20020154282A1 (en) * 2001-01-26 2002-10-24 Ken-Ichiro Mori Correction apparatus that corrects optical shift in two optical units, and exposure apparatus having the same
JP2003188087A (ja) * 2001-12-21 2003-07-04 Sony Corp 露光方法および露光装置並びに半導体装置の製造方法

Cited By (122)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9164393B2 (en) 2003-04-09 2015-10-20 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, and method for fabricating device with light amount distribution having light larger in four areas
US9146474B2 (en) 2003-04-09 2015-09-29 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, and method for fabricating device with light amount distribution having light larger and different linear polarization states in an on-axis area and a plurality of off-axis areas
US9885959B2 (en) 2003-04-09 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator
US8675177B2 (en) 2003-04-09 2014-03-18 Nikon Corporation Exposure method and apparatus, and method for fabricating device with light amount distribution having light larger in first and second pairs of areas
US9678437B2 (en) 2003-04-09 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction
US9958786B2 (en) 2003-04-11 2018-05-01 Nikon Corporation Cleanup method for optics in immersion lithography using object on wafer holder in place of wafer
US8493545B2 (en) 2003-04-11 2013-07-23 Nikon Corporation Cleanup method for optics in immersion lithography supplying cleaning liquid onto a surface of object below optical element, liquid supply port and liquid recovery port
US8670104B2 (en) 2003-04-11 2014-03-11 Nikon Corporation Cleanup method for optics in immersion lithography with cleaning liquid opposed by a surface of object
US8085381B2 (en) 2003-04-11 2011-12-27 Nikon Corporation Cleanup method for optics in immersion lithography using sonic device
US8670103B2 (en) 2003-04-11 2014-03-11 Nikon Corporation Cleanup method for optics in immersion lithography using bubbles
US8269946B2 (en) 2003-04-11 2012-09-18 Nikon Corporation Cleanup method for optics in immersion lithography supplying cleaning liquid at different times than immersion liquid
US8169592B2 (en) 2003-05-23 2012-05-01 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US8174668B2 (en) 2003-05-23 2012-05-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US8134682B2 (en) 2003-05-23 2012-03-13 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US8130363B2 (en) 2003-05-23 2012-03-06 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US8125612B2 (en) 2003-05-23 2012-02-28 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US8780327B2 (en) 2003-05-23 2014-07-15 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US8072576B2 (en) 2003-05-23 2011-12-06 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
US9423697B2 (en) 2003-10-28 2016-08-23 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9146476B2 (en) 2003-10-28 2015-09-29 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
EP1681710A4 (en) * 2003-10-28 2008-10-29 Nikon Corp Lighting optical device and projection aligner
US9760014B2 (en) 2003-10-28 2017-09-12 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9244359B2 (en) 2003-10-28 2016-01-26 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
EP1681710A1 (en) * 2003-10-28 2006-07-19 Nikon Corporation Lighting optical device and projection aligner
US9423698B2 (en) 2003-10-28 2016-08-23 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9140993B2 (en) 2003-10-28 2015-09-22 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9140992B2 (en) * 2003-10-28 2015-09-22 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US10281632B2 (en) 2003-11-20 2019-05-07 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power to rotate linear polarization direction
US9164209B2 (en) 2003-11-20 2015-10-20 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power having different thicknesses to rotate linear polarization direction
US9885872B2 (en) 2003-11-20 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light
US9316772B2 (en) 2004-01-16 2016-04-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Producing polarization-modulating optical element for microlithography system
US9581911B2 (en) 2004-01-16 2017-02-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Polarization-modulating optical element
US8861084B2 (en) 2004-01-16 2014-10-14 Carl Zeiss Smt Ag Polarization-modulating optical element
US8339578B2 (en) 2004-01-27 2012-12-25 Nikon Corporation Optical system, exposure system, and exposure method
US8351021B2 (en) 2004-01-27 2013-01-08 Nikon Corporation Optical system, exposure system, and exposure method
US8436983B2 (en) 2004-01-27 2013-05-07 Nikon Corporation Optical system, exposure system, and exposure method
US9429848B2 (en) 2004-02-06 2016-08-30 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US10241417B2 (en) 2004-02-06 2019-03-26 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US20130271945A1 (en) 2004-02-06 2013-10-17 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US9140990B2 (en) 2004-02-06 2015-09-22 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US10007194B2 (en) 2004-02-06 2018-06-26 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US10234770B2 (en) 2004-02-06 2019-03-19 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US9645505B2 (en) 2004-06-09 2017-05-09 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and device manufacturing method with measuring device to measure specific resistance of liquid
JP2006165502A (ja) * 2004-06-21 2006-06-22 Nikon Corp 露光装置、及びその部材の洗浄方法、露光装置のメンテナンス方法、メンテナンス機器、並びにデバイス製造方法
WO2005124833A1 (ja) * 2004-06-21 2005-12-29 Nikon Corporation 露光装置及びその部材の洗浄方法、露光装置のメンテナンス方法、メンテナンス機器、並びにデバイス製造方法
JP2006005267A (ja) * 2004-06-21 2006-01-05 Nikon Corp 露光装置および露光方法
JP4677833B2 (ja) * 2004-06-21 2011-04-27 株式会社ニコン 露光装置、及びその部材の洗浄方法、露光装置のメンテナンス方法、メンテナンス機器、並びにデバイス製造方法
US8698998B2 (en) 2004-06-21 2014-04-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for cleaning member thereof, maintenance method for exposure apparatus, maintenance device, and method for producing device
US8810767B2 (en) 2004-06-21 2014-08-19 Nikon Corporation Exposure apparatus, method for cleaning member thereof, maintenance method for exposure apparatus, maintenance device, and method for producing device
JP2006041540A (ja) * 2004-07-29 2006-02-09 Carl Zeiss Smt Ag マイクロリソグラフィ用投影露光装置のための照明システム
WO2006016469A1 (ja) 2004-08-10 2006-02-16 Nikon Corporation 照明光学装置、露光装置、および露光方法
EP1796139A4 (en) * 2004-08-10 2009-08-26 Nikon Corp Illumination optical equipment, exposure system and method
JPWO2006016469A1 (ja) * 2004-08-10 2008-05-01 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、および露光方法
EP1796139A1 (en) * 2004-08-10 2007-06-13 Nikon Corporation Illumination optical equipment, exposure system and method
JP2006135324A (ja) * 2004-11-02 2006-05-25 Asml Holding Nv リソグラフィシステムおよびリソグラフィシステムによるリソグラフィ方法
EP1653282A2 (en) * 2004-11-02 2006-05-03 ASML Holdings N.V. Method and apparatus for variable polarization control in a lithography system
US8049866B2 (en) 2004-11-02 2011-11-01 Asml Holding N.V. Method and apparatus for variable polarization control in a lithography system
EP1653282A3 (en) * 2004-11-02 2009-03-11 ASML Holdings N.V. Method and apparatus for variable polarization control in a lithography system
JP2006179660A (ja) * 2004-12-22 2006-07-06 Nikon Corp 偏光測定装置、偏光測定方法、露光装置、および露光方法
US7706072B2 (en) 2004-12-27 2010-04-27 Nikon Corporation Optical integrator, illumination optical device, photolithograph, photolithography, and method for fabricating device
US7450217B2 (en) 2005-01-12 2008-11-11 Asml Netherlands B.V. Exposure apparatus, coatings for exposure apparatus, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP2008527756A (ja) * 2005-01-19 2008-07-24 ライテル・インストルメンツLitel Instruments 光源コヒーレンスマトリクスの測定方法および装置
EP3153925A2 (en) 2005-01-21 2017-04-12 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus and exposure method
KR20160088960A (ko) 2005-01-21 2016-07-26 가부시키가이샤 니콘 조명 광학계
WO2006077849A1 (ja) * 2005-01-21 2006-07-27 Nikon Corporation 照明光学装置の調整方法、照明光学装置、露光装置、および露光方法
KR20150060992A (ko) 2005-01-21 2015-06-03 가부시키가이샤 니콘 조명 광학계 및 노광 장치
CN101164142B (zh) * 2005-01-21 2010-05-19 株式会社尼康 照明光学装置的调整方法、照明光学装置、曝光装置以及曝光方法
JP2011249814A (ja) * 2005-01-21 2011-12-08 Nikon Corp 照明光学装置の調整方法、照明光学装置、露光装置、および露光方法
EP3358414A1 (en) 2005-01-21 2018-08-08 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method
JP2011003908A (ja) * 2005-01-21 2011-01-06 Nikon Corp 照明光学装置の調整方法、照明光学装置、露光装置、および露光方法
TWI453795B (zh) * 2005-01-21 2014-09-21 尼康股份有限公司 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造方法
JP4582096B2 (ja) * 2005-01-21 2010-11-17 株式会社ニコン 照明光学装置の調整方法、照明光学装置、露光装置、および露光方法
JPWO2006077849A1 (ja) * 2005-01-21 2008-08-07 株式会社ニコン 照明光学装置の調整方法、照明光学装置、露光装置、および露光方法
JP2006245152A (ja) * 2005-03-02 2006-09-14 Nikon Corp 偏光測定装置、偏光測定方法、露光装置、および露光方法
US9310696B2 (en) 2005-05-12 2016-04-12 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US8854601B2 (en) 2005-05-12 2014-10-07 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US9360763B2 (en) 2005-05-12 2016-06-07 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US9429851B2 (en) 2005-05-12 2016-08-30 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US9891539B2 (en) 2005-05-12 2018-02-13 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
EP1744219A2 (en) * 2005-07-11 2007-01-17 ASML Netherlands B.V. Polarized radiation in lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1744219A3 (en) * 2005-07-11 2008-08-13 ASML Netherlands B.V. Polarized radiation in lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007027240A (ja) * 2005-07-13 2007-02-01 Nikon Corp 照明光学装置、露光装置、および露光方法
US7864296B2 (en) 2005-07-22 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus, setting method, and exposure method having the same
WO2007055120A1 (ja) * 2005-11-10 2007-05-18 Nikon Corporation 照明光学装置、露光装置、および露光方法
JP5067162B2 (ja) * 2005-11-10 2012-11-07 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、および露光方法
US10061207B2 (en) 2005-12-02 2018-08-28 Asml Netherlands B.V. Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus
JP2007189079A (ja) * 2006-01-13 2007-07-26 Canon Inc 照明光学系、当該照明光学系を有する露光装置及びデバイス製造方法
US7602474B2 (en) 2006-07-03 2009-10-13 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
JPWO2008007633A1 (ja) * 2006-07-12 2009-12-10 株式会社ニコン 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法
US9057963B2 (en) 2007-09-14 2015-06-16 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
US8451427B2 (en) 2007-09-14 2013-05-28 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
US9366970B2 (en) 2007-09-14 2016-06-14 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method
US7843645B2 (en) 2007-09-27 2010-11-30 Canon Kabushiki Kaisha Projection optical system, exposure apparatus, and method of manufacturing device
US8576378B2 (en) 2007-10-01 2013-11-05 Canon Kabushiki Kaisha Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US10101666B2 (en) 2007-10-12 2018-10-16 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8300213B2 (en) 2007-10-12 2012-10-30 Nikon Corporation Illumination optics apparatus, exposure method, exposure apparatus, and method of manufacturing electronic device
US9097981B2 (en) 2007-10-12 2015-08-04 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
WO2009048051A1 (ja) * 2007-10-12 2009-04-16 Nikon Corporation 照明光学装置、並びに露光方法及び装置
JP2009099629A (ja) * 2007-10-12 2009-05-07 Nikon Corp 照明光学装置、露光方法及び装置、並びに電子デバイスの製造方法
US8520291B2 (en) 2007-10-16 2013-08-27 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8508717B2 (en) 2007-10-16 2013-08-13 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8462317B2 (en) 2007-10-16 2013-06-11 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9341954B2 (en) 2007-10-24 2016-05-17 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9057877B2 (en) 2007-10-24 2015-06-16 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8379187B2 (en) 2007-10-24 2013-02-19 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9857599B2 (en) 2007-10-24 2018-01-02 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8094290B2 (en) 2007-11-06 2012-01-10 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9678332B2 (en) 2007-11-06 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9116346B2 (en) 2007-11-06 2015-08-25 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2011508409A (ja) * 2007-11-20 2011-03-10 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 光学系
US8379188B2 (en) 2007-11-20 2013-02-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system
TWI479273B (zh) * 2008-02-14 2015-04-01 尼康股份有限公司 照明光學系統、曝光裝置、元件製造方法、補正濾鏡以及曝光光學系統
KR101682727B1 (ko) 2008-02-14 2016-12-05 가부시키가이샤 니콘 조명 광학계, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US8908151B2 (en) 2008-02-14 2014-12-09 Nikon Corporation Illumination optical system, exposure apparatus, device manufacturing method, compensation filter, and exposure optical system
WO2009101958A1 (ja) * 2008-02-14 2009-08-20 Nikon Corporation 照明光学系、露光装置、デバイス製造方法、補正フィルター、及び露光光学系
KR20100117650A (ko) * 2008-02-14 2010-11-03 가부시키가이샤 니콘 조명 광학 시스템, 노광 장치, 디바이스 제조 방법, 보정 필터, 및 노광 광학 시스템
JP2009212487A (ja) * 2008-03-05 2009-09-17 Nanya Technology Corp 入射光の電力比を制御するためのフィードバック制御システム及びフィードバック方法
US8446579B2 (en) 2008-05-28 2013-05-21 Nikon Corporation Inspection device and inspecting method for spatial light modulator, illumination optical system, method for adjusting the illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8456624B2 (en) 2008-05-28 2013-06-04 Nikon Corporation Inspection device and inspecting method for spatial light modulator, illumination optical system, method for adjusting the illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8891053B2 (en) 2008-09-10 2014-11-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, method of manufacturing an article for a lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2010157715A (ja) * 2008-12-31 2010-07-15 Asml Holding Nv エタンデュ調整が可能なパルスモディファイア
JP2012521077A (ja) * 2009-03-19 2012-09-10 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系

Also Published As

Publication number Publication date
US20060055834A1 (en) 2006-03-16
US20100225895A1 (en) 2010-09-09
JP4419141B2 (ja) 2010-02-24
US7515247B2 (en) 2009-04-07
US7423731B2 (en) 2008-09-09
KR20090018931A (ko) 2009-02-24
US20100149511A1 (en) 2010-06-17
US20080074632A1 (en) 2008-03-27
JPWO2004051717A1 (ja) 2006-04-06
US20120236285A1 (en) 2012-09-20
AU2003289126A1 (en) 2004-06-23
KR20050085274A (ko) 2005-08-29
US20080239274A1 (en) 2008-10-02
JP2010010701A (ja) 2010-01-14
US20080094602A1 (en) 2008-04-24
TW200412617A (en) 2004-07-16
KR20090017565A (ko) 2009-02-18
US7515248B2 (en) 2009-04-07
JP4849165B2 (ja) 2012-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8953147B2 (en) Spatial light modulation unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101009793B1 (ko) 플라이 아이 렌즈, 조명 광학 장치, 노광 장치 및 노광 방법
CN103777363B (zh) 照明光学设备、曝光设备、照明方法、曝光方法和装置制造方法
KR101020378B1 (ko) 조명 광학 장치, 투영 노광 장치, 노광 방법, 디바이스 제조 방법 및 복굴절 부재
JP6399133B2 (ja) 偏光変換素子、照明光学装置、露光装置、および露光方法
US8508717B2 (en) Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US7511886B2 (en) Optical beam transformation system and illumination system comprising an optical beam transformation system
US8446579B2 (en) Inspection device and inspecting method for spatial light modulator, illumination optical system, method for adjusting the illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5500454B2 (ja) オプティカルインテグレータ、照明光学装置、露光装置、露光方法、およびデバイス製造方法
TWI274375B (en) Illumination optical system and exposure apparatus using the same
JP6493325B2 (ja) 光束変換素子、照明光学装置、露光装置、および露光方法
US8325324B2 (en) Illuminating optical apparatus, exposure apparatus and device manufacturing method
US10175583B2 (en) Illumination optical system, exposure apparatus, device production method, and light polarization unit
US20070132977A1 (en) Optical integrator, illumination optical device, exposure device, and exposure method
KR20100107014A (ko) 마이크로리소그래피 투사 노광 장치
US20010043318A1 (en) Illumination optical system for use in projection exposure apparatus
US8520291B2 (en) Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
US20140226211A1 (en) Optical Integrator, Illumination Optical Device, Aligner, and Method for Fabricating Device
US20090091730A1 (en) Spatial light modulation unit, illumination apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8339578B2 (en) Optical system, exposure system, and exposure method
JP5286744B2 (ja) 空間光変調ユニット、照明光学系、露光装置及びデバイスの製造方法
US8913227B2 (en) Illumination optical system, aligner, and process for fabricating device
US20110261342A1 (en) Optical unit, illumination optical apparatus, exposure appartus, exposure method, and device manufacturing method
JPWO2005036619A1 (ja) 照明光学装置、露光装置および露光方法
US20120236285A1 (en) Illumination optical system, exposure apparatus, and exposure method

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NO NZ OM PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2004570728

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 20038A44505

Country of ref document: CN

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 11140103

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020057009937

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020057009937

Country of ref document: KR

122 Ep: pct application non-entry in european phase
WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 11140103

Country of ref document: US