WO2004001784A1 - カットオフ電圧の変動低減方法、電子管用カソード及び電子管用カソードの製造方法 - Google Patents

カットオフ電圧の変動低減方法、電子管用カソード及び電子管用カソードの製造方法 Download PDF

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WO2004001784A1
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electron
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electron tube
cathode
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Takao Sawada
Shuhei Nakata
Katsumi Oono
Hiroshi Yamaguchi
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Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/04—Manufacture of electrodes or electrode systems of thermionic cathodes
    • H01J9/042—Manufacture, activation of the emissive part
    • H—ELECTRICITY
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    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/13—Solid thermionic cathodes
    • H01J1/20—Cathodes heated indirectly by an electric current; Cathodes heated by electron or ion bombardment
    • H01J1/26—Supports for the emissive material

Definitions

  • the present invention relates to an improvement in a cathode for an electron tube used for a cathode ray tube.
  • FIG. 8 is a schematic diagram of a general cathode ray tube.
  • a cathode ray tube 100 of a television receiver or the like includes a G1 electrode g, a fixed distance D behind the G1 electrode g, and a force for an electron tube disposed behind the G1 electrode g in the cathode ray tube body 101.
  • the main configuration is provided with a sword 103.
  • the electron tube power source 103 and the G1 electrode g constitute an electron gun. Normally, for the current drawn from the cathode for cathode ray tube 103, the voltage applied to the G1 electrode g should be fixed, and the applied voltage to the cathode for cathode ray tube 103 should be varied from 0 to the cut-off voltage. Is controlled by The cut-off voltage is a fixed value determined according to the distance D between the front surface 113 a of the electron tube power source 103 and the G1 electrode g.
  • these electron tube power swords 103 are provided at the end of the heat storage tube 107 accommodated in the sleep 105 and one end of the sleeve 105, and are mainly provided with nickel.
  • An electron emitting material layer 113 mainly containing an oxide and containing a rare earth metal oxide such as scandium oxide.
  • the main parts 1 1 1 and 1 1 3 of this electron tube power source 103 are manufactured by the following procedure.
  • tungsten for example, was deposited in a film shape on the front surface 109 a of the cathode substrate 109 provided in the semi-finished electron tube power source 103, and was deposited. Is heated in a hydrogen atmosphere to fuse it to the force sword substrate 109. As a result, a metal layer 111 made of tungsten is formed.
  • a suspension composed of carbonates of alkaline earth metals such as barium and rare earth metal oxides is applied to the front surface 11a of the metal layer 111, and the applied suspension is heated. Then, the alkaline earth metal carbonate in the suspension is changed to an alkaline earth metal oxide.
  • the alkaline earth metal oxide is heated to partially reduce the alkaline earth metal oxide, thereby converting the alkaline earth metal oxide into an oxygen-deficient semiconductor that easily emits thermoelectrons. Thereby, the electron emitting material layer 113 is not formed. In this manner, the main parts 111 and 113 of the electron tube casing 103 are manufactured.
  • a part of the alkaline earth metal oxide is reduced to the reducing element (magnesium (Mg), silicon (Si)) or the metal layer 111 included in the power source substrate 109. It is reduced to free alkaline earth metal by the contained tungsten (W).
  • W tungsten
  • part of barium oxide (BaO) is reduced to free barium (Ba) by the reaction of equations (1), (2) and (3).
  • the free alkaline earth metal such as free barium serves as a thermionic emission source.
  • the electron emission material layer 113 is heated by the heat source 107 for indirect heat, and thermionic electrons are emitted from the front surface 113 a of the electron emission material layer 113. (Emission), and these thermoelectrons are taken out and supplied to the current.
  • the amount of free alkaline earth metal that becomes a thermionic emission source due to the formation of the metal layer 111 composed of a reducing element between the cathode substrate 109 and the electron emitting material layer 113 Thereby increasing the current drawn from the electron tube power source 103.
  • This electron tube power source comprises a power source substrate and an alkaline earth metal oxide containing barium oxide formed on the front surface of the power source substrate, and the barium oxide content is higher than that of the front side.
  • the electron emission material layer is configured to be lower on the side in contact with the electron emission material, and an indirect heating layer that heats the electron emission material layer.
  • the current taken out from the electron tube power source is increased by lowering the content of the oxide barium contained in the electron emitting material on the contact surface side with the cathode substrate than on the front surface side.
  • the cause of this problem is that as the extraction current becomes larger, the front surface of the electron emitting material layer 113 becomes more worn (evaporated), and the front surface of the electron emitting material layer 113 becomes more pronounced.
  • the distance D between a and the G1 electrode g increases (this is as known from the Illuminating Engineering Institute study material (MD-95-12)).
  • the following two mechanisms are considered as the mechanism of exhaustion of the electron emitting material layer 113.
  • the present invention solves the above-mentioned problems, and provides a method for reducing a change in cutoff voltage that can reduce a change in cutoff voltage during operation of a cathode ray tube, a method for manufacturing a power source for an electron tube, and a method for a cathode for an electron tube. Aim.
  • the present inventor believes that the cause of the fluctuation of the cutoff voltage is that the distance D between the front surface of the electron emitting material layer and the G1 electrode g increases due to the exhaustion and receding of the front surface of the electron emitting material layer. I found something and thought of the present invention.
  • a metal layer is formed on the surface of the cathode substrate by heating the surface of the cathode substrate so as to protrude and deform the force source substrate.
  • an electron emitting material layer is formed directly on the front surface of the cathode substrate or via the metal layer, and thermionic electrons are emitted from the front surface of the electron emitting material layer by heating the electron emitting material layer.
  • the front surface of the electron emitting material layer is depleted and receded by the forward deformation of the cathode substrate due to the metal layer induced by heating by the heating means. Projecting forward, the front surface of the electron-emitting material layer can be maintained at a substantially constant position even when the front surface of the electron-emitting material layer is consumed, and the fluctuation of the cut-off voltage during the operation of the brown tube is reduced. Can be reduced.
  • the metal layer is formed on a front surface of the cathodic base, and is alloyed with metal contained in the cathodic base and expanded by heating by the heating means.
  • the front surface of the force sword base is projected and deformed.
  • the cathodic base is caused to protrude forward by utilizing the expansion accompanying the alloying of the metal layer and the force sword base. Therefore, the force sword base can be protruded forward by a simple method.
  • the metal layer is formed on irregularities formed on a surface of the cathode substrate.
  • the contact area between the force sword base and the metal layer is increased by the unevenness formed on the front surface of the force sword base, so that a small amount of forming area (plan view area) and a sufficient amount of Projecting deformation of the substrate.
  • the metal layer is divided into a plurality of pieces and dispersed and formed on the surface of the force source base.
  • the metal layer is divided into a plurality of pieces and dispersed and formed on the surface of the cathode base, the projecting deformation of the cathode base caused by expansion caused by alloying of the metal layer and the force base is performed. Optimization becomes easier.
  • a power source substrate and a metal layer formed on the surface of the cathode substrate and projecting the cathode substrate forward by heating are deformed.
  • An electron emitting material layer formed directly on the front surface of the cathode substrate or via the metal layer; and heating for heating the electron emitting material layer to emit thermoelectrons from the front surface of the electron emitting material layer.
  • the front surface of the electron emitting material layer is depleted and receded by the forward deformation of the cathode substrate due to the metal layer induced by heating by the heating means. Projecting forward, the front surface of the electron-emitting material layer can be maintained at a substantially constant position even when the front surface of the electron-emitting material layer is consumed, and the fluctuation of the cut-off voltage during the operation of the brown tube is reduced. Can be reduced.
  • the metal layer is The force source is formed on the front surface of the base, and is alloyed with the metal contained in the force sword base by the heat and heat generated by the heating means and expands, thereby projecting and deforming the front surface of the force sword base.
  • the force sword base is caused to protrude forward by utilizing the expansion accompanying the alloying of the metal layer and the cathodic base, so that the force sword base can be protruded forward by a simple method.
  • the metal layer is formed on irregularities formed on a surface of the cathode base.
  • the contact area between the cathode base and the metal layer is increased by the unevenness formed on the front surface of the cathode base, so that a small formation area (area in plan view) and a sufficient amount The force sword substrate can be protruded.
  • the metal layer is divided into a plurality of pieces and dispersed to be formed on the surface of the force saw base. According to this aspect, since the metal layer is divided into a plurality of parts and dispersed and formed on the surface of the cathode base, the projecting deformation of the force source base due to expansion caused by alloying of the metal layer and the force base. This makes it easier to perform the optimal dagger.
  • a metal layer for projecting and deforming the cathode base forward by heating the surface of the power source base (B) a step of forming an electron emitting material layer directly on the front surface of the force source substrate or through the metal layer; and (c) heating the electron emitting material layer to emit the electron.
  • the metal layer induced by heating by the heating means projects forward of the cathode base.
  • the metal layer is formed such that the front surface of the electron-emitting material layer protrudes forward and deforms to the extent that the front surface of the electron-emitting material layer is worn and receded by the deformation.
  • the front surface of the electron emitting material layer is consumed and recedes by the forward deformation of the cathode substrate due to the metal layer induced by heating by the heating means, so that the front surface of the electron emitting material layer is reduced. Since the metal layer is formed so as to protrude and deform the electron emission material layer, even if the front surface of the electron emission material layer is consumed, the position of the front surface of the electron emission material layer is almost changed. It is possible to manufacture a cathode for an electron tube that can be maintained at a constant level and can reduce the fluctuation of the cut-off voltage during the operation of the cathode ray tube.
  • the front surface of the power source base is alloyed with a metal contained in the cathode base by heating by the heating means.
  • the metal layer is formed of a metal that protrudes and deforms the front surface of the force sword base by expanding.
  • a metal layer is formed on the front surface of the kaleid substrate by a metal that is alloyed with the metal contained in the force source substrate by heating by the heating means and expands to protrude and deform the front surface of the cathode substrate.
  • step (a) irregularities are formed on a surface of the force sword base, and the metal layer is formed on the irregularities.
  • the contact area between the cathode substrate and the metal layer is increased, and a small formation area (plan view area) ) Can produce a sufficient amount of force sword for an electron tube capable of causing a sufficient amount of force sword substrate to protrude.
  • the metal layer is divided into a plurality of pieces and dispersed and formed on the surface of the power source base.
  • the metal layer is divided into a plurality of parts and dispersed and formed on the surface of the cathode base, the projection of the cathode base due to expansion accompanying the alloying of the metal layer and the force base is performed. It is possible to manufacture an electron tube casing that can easily perform deformation.
  • FIG. 1 is a view showing a configuration of a main part and a G1 electrode of an electron tube cathode according to an embodiment of the present invention before projecting deformation. '
  • FIG. 2 is a view showing a main part of the electron tube force sword according to the embodiment of the present invention after the projecting deformation.
  • FIG. 3 is a diagram showing a configuration and a G1 electrode.
  • FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the amount of decrease in the thickness P of the electron emitting material layer and the amount of deformation Q protruding forward of the cathode substrate.
  • FIG. 4 shows a comparison between a test result of a temporal variation of a current taken out of a cathode for an electron tube according to the embodiment of the present invention and a test result of a temporal variation of a taken-out current of a power source for an electron tube according to a comparative example.
  • FIG. 5 shows a test result of the temporal variation of the cut-off voltage when the electron tube casing according to the embodiment of the present invention is used, and the temporal variation of the cut-off voltage when the electron tube force source according to the comparative example is used.
  • FIG. 6 is a diagram showing a comparison with the test result of FIG.
  • FIG. 6 is an actual cross-sectional view of the force sword base of the electron tube force sword according to the embodiment after the test of FIG.
  • FIG. 7 is an actual sectional view of a cathode base of the cathode for an electron tube according to the comparative example after the test of FIG.
  • FIG. 8 is a schematic diagram of a general cathode ray tube.
  • FIG. 9 is a diagram showing an example of a schematic configuration of a conventional electron tube force sword.
  • Fluctuations in the cut-off voltage of the electron tube power source cause luminance changes and color shifts in CRTs, for example. This is a phenomenon that occurs because the drive curve is shifted due to the change in the cutoff voltage and the extraction current is changed, and as a result, the current ratio between the RGB electron guns is lost and the brightness and white balance are lost. .
  • the present invention provides a technique for suppressing the fluctuation of the cut-off voltage by suppressing the fluctuation of the distance between the electron tube power source and the G1 electrode, which is the most important cause of this phenomenon.
  • the present invention provides an electron tube power source G1 electrode that is generated when the front surface (electron emission surface) of the electron emitting material layer constituting the electron tube power source is consumed (evaporates) and recedes during its life.
  • an electron tube force sword 1 is provided at, for example, a cylindrical sleeve 3, an indirect heat sink 5 accommodated in the sleeve 3, and one end opening of the sleeve 3.
  • the force sword base 7 is formed, for example, in a flat plate shape, and its front surface 7a is formed with appropriately large irregularities (not shown).
  • the force sword substrate 7 has nickel as a main component, for example, and contains one or more reducing elements such as silicon-magnesium as a reducing agent.
  • the metal layer 9 is composed of: (1) a metal having a property of expanding when alloyed with at least a metal (here, nickel) contained in the force source substrate 7 and (2) a metal having a reducing property.
  • a metal that satisfies these conditions (1) for example, one or more of the following metals are used: tungsten, molybdenum, chromium, zirconium, conoreto, and aluminum.
  • the metal layer 9 is divided into a plurality of pieces so as to have an appropriately formed area (area in plan view) on the unevenness formed on the front surface 7 a of the force source base 7, for example, divided into a plurality of pieces and dispersed. It is formed into a film having an appropriate thickness.
  • the metal layer 9 is alloyed with the force sword base 7 by heating by the indirect heating heater 5 during operation of the plan tube, and the metal
  • the cathode substrate 7 expands appropriately in the surface direction of the substrate 7, and causes the cathode substrate 7 to protrude forward (protrude in a convex shape) by this expansion, and the front surface 11 a of the electron emitting material layer 11 is consumed (evaporation).
  • the front surface 11 a of the electron-emitting material layer 11 is deformed to protrude forward (protrude outward).
  • the amount of retreat due to the consumption of the front surface 1 la of the electron emitting material layer 11, that is, the amount of reduction in the thickness P of the electron emitting material layer 11 is determined by the amount of forward deformation Q (i.e., It compensates for the amount of deformation Q) protruding forward of the front surface 11a of the material layer 11.
  • the electron-emitting material layer 11 mainly contains an alkaline earth metal oxide containing at least barium oxide, and preferably contains 0.01 to 25% by weight of a rare earth metal oxide such as scandium oxide. I have.
  • the electron tube force sword 1 is, as shown in FIG. It is located and disposed at a fixed distance D behind G 1 electrode g within 0 0.
  • the distance D is the distance between the rear surface ga of the G1 electrode g and the front surface 11a of the electron emitting material layer 11.
  • a semi-finished electron tube force sword 1 provided with a force sword substrate 7 containing, for example, nickel as a main component and, for example, magnesium as a reducing agent is prepared.
  • irregularities are formed on the front surface 7a of the force source base 7 by, for example, a sand blast method.
  • the sand plast method is a method of forming fine irregularities on the surface of a member by mixing an abrasive with air or water and spraying the mixture onto the member.
  • various materials can be used.
  • the main component of the cathode substrate 7 is nickel, which is a soft material, for example, calcium carbonate having relatively low hardness is used. '
  • an air pressure of 0.05 to 0.1 Mpa is mixed with an abrasive such as calcium carbonate having a particle size of 600, for example, and is sprayed for 5 to 10 minutes only on the front surface 7a of the force source substrate 7.
  • an abrasive such as calcium carbonate having a particle size of 600, for example, and is sprayed for 5 to 10 minutes only on the front surface 7a of the force source substrate 7.
  • irregularities having an irregularity of ⁇ 10 to 20 / m the maximum height (Ry) specified in JISB 0601 is 20 jum
  • a metal layer 9 made of, for example, tungsten is formed on the irregularities formed on the front surface 7a of the force source base 7.
  • tungsten is vapor-deposited on the unevenness formed on the front surface 7a of the cathode substrate 7 by, for example, a sputtering method into a film having a thickness of, for example, 1 m.
  • tungsten is divided into a plurality of pieces so as to have a vapor deposition area of an appropriate size and dispersed and vapor-deposited.
  • tungsten is fused to the force sword substrate 7 by, for example, performing a heat treatment at 800 to 100 ° C. in a hydrogen atmosphere. Thereby, a metal layer 9 made of, for example, tungsten is formed.o
  • the cathode base 7 protrudes forward due to the expansion caused by the alloying of the metal layer 9 and the force sword base 7 induced by the heating of the indirect heat source 5 during the operation of the brown tube.
  • the amount of deformation Q i.e., the amount of forward deformation 1 Q in front of 1 la of the front surface of the electron-emitting material layer 11
  • the thickness P of 1 should be almost the same as the reduction amount.
  • This adjustment depends on the type (property) of the metal used for the metal layer 9, the thickness of the metal layer 9, and the size of the irregularities formed on the front surface 7 a of the force source substrate 7, and the front of the cathode substrate 7 is adjusted. Since the amount of protrusion deformation changes, it cannot be specified by the area ratio, etc., and is determined by trial and error through experiments.
  • the metal layer 9 and the force sword base 7 are not completely alloyed by the heat treatment. This is because, in the present invention, it is necessary to alloy the metal layer 9 and the force sword substrate 7 by heating with the indirect heating heater 5 during the operation of the cathode ray tube.
  • an electron emitting material layer 11 is formed on the front surface 7 a of the force sword substrate 7 via the metal layer 9. That is, first, a suspension is prepared by mixing, for example, a ternary carbonate of alkaline earth metal such as barium, strontium, and calcium, for example, 3% by weight of scandium oxide, a binder, and a solvent. Then, the prepared suspension is applied to the front surface 7a of the force sword substrate 7 via the metal layer 9 to a thickness of about 80 zm by, for example, a spray method.
  • a suspension is prepared by mixing, for example, a ternary carbonate of alkaline earth metal such as barium, strontium, and calcium, for example, 3% by weight of scandium oxide, a binder, and a solvent.
  • the semi-finished electron tube cathode 1 of this production stage is incorporated into the electron gun of the Braun tube, and during the evacuation process of the cathode ray tube production process, the indirect heat sink provided in the semi-finished electron tube cathode 1 is provided.
  • the suspension applied to the front surface 7a of the cathode substrate 7 is heated by overnight. This converts the alkaline earth metal carbonate in the applied suspension into alkaline earth metal oxides, and some of them are reduced to free alkaline earth as a thermionic emission source.
  • the alkaline earth metal carbonate in the suspension changes to an oxygen-deficient semiconductor that can easily emit thermionic electrons. Thereby, the electron emitting material layer 11 is formed.
  • the rare earth metal oxide is contained in the electron emitting material layer 11, and (B) the cathode substrate 7 and the electron emitting material layer 11 A metal layer 9 made of a reducing element is interposed therebetween, and (C) irregularities are formed on the front surface 7 a of the force source substrate 7, and the electron emitting material layer 11 is formed on the irregularities via the metal layer 9. Therefore, a large extraction current of A AZ cm 2 can be obtained on average.
  • a by-product called a so-called intermediate layer is formed in the process of forming the electron emitting material layer 11 by the rare earth metal generated by reduction of the rare earth metal oxide contained by the technique (A). Is decomposed, so that free alkaline earth metal as a source of thermionic electrons can be generated smoothly, thereby reducing the attenuation of the extraction current.
  • the technology of (B) promotes the reduction reaction from the rare earth metal oxide to the rare earth metal based on the technology of (A), so that the attenuation of the extraction current can be further reduced, and furthermore, the electron emitting material Since the reduction reaction that occurs during the formation process of the layer 11 is promoted, the generation of free alkaline earth metal, which is a source of thermionic electrons, can be promoted, and the extraction current can be increased.
  • the technique (C) can improve the adhesion between the cathode substrate 7, the metal layer 9 and the electron emitting material layer 11 and increase the contact area between the cathode substrate 7, the metal layer 9, and the electron emitting material layer 11. Since the reduction reaction that occurs during the formation process of GaN is further promoted, the amount of free alkaline earth metal that can be a source of thermionic electrons can be further increased, and the extraction current can be further increased. Since the reduction reaction from the rare earth metal oxide to the rare earth metal by the technology is further promoted, the attenuation of the extraction current can be further reduced.
  • the extraction current is about 0.5 AZcm 2 .
  • the extraction current is about 2.OA / cm 2 .
  • Ri out current 3.
  • OA / cm 2 or so the further the in those subjected to techniques (C) (electron tubes for power Sword 1 according to this embodiment) 4.
  • OA / cm 2 approximately. From this result, it is understood that the extraction current can be further increased by the technique (C) as described above.
  • Fig. 4 shows a comparison between the test results of the time variation of the maximum extraction current of the electron tube power source 1 according to the present embodiment and the test results of the time variation of the maximum extraction current of the electron tube power source according to the comparative example.
  • FIG. The vertical axis in the figure indicates the relative value (the initial value of the maximum current of the cathode) when the initial value of the maximum current is 100.
  • the electron tube force sword according to this comparative example has the same configuration as the electron tube force sword 1 according to the present embodiment except that the above-mentioned technique (C) is not applied. From the results shown in FIG.
  • the electron tube force sword 1 according to the present embodiment has a further reduced extraction current attenuation as compared with the electron tube force sword according to the comparative example. From this result, it is understood that the technique (C) can further reduce the attenuation of the extraction current as described above.
  • the metal layer 9 is alloyed with the cathode base 7 by heating by the indirect heating 5 during the operation of the CRT.
  • the cathode substrate 7 expands appropriately in the surface direction of the cathode substrate 7, and the expansion causes the cathode substrate 7 to protrude and deform forward, so that the front surface 11 a of the electron-emitting material layer 11 is worn and receded.
  • the metal layer 9 is formed so that the front surface 1 la of the electron emitting material layer 1 1 protrudes and deforms forward, even if the front surface 1 la of the electron emitting material layer 1 1 is consumed, the electron emitting material layer 1
  • the front surface of 1 1 can keep the position of 1 a almost constant, that is, the fluctuation of the distance D between the front surface 1 1 a of the electron emitting material layer 1 and the G 1 electrode g can be reduced, and the CRT is operating. Can reduce the fluctuation of the cutoff voltage. This effect is concluded from the test results shown in Figs.
  • the cathode base 7 is projected forward by using the expansion accompanying the alloying of the metal layer 9 and the force base 7, so that the cathode base 7 can be projected forward by a simple method. .
  • the metal layer 9 is formed by being divided into a plurality of pieces with an appropriately formed area and dispersed and formed, a cathodic group due to expansion due to alloying of the metal layer 9 and the force source base 7 is formed. Optimization of the projecting deformation of the body 7 is facilitated.
  • the contact area between the force sword base 7 and the metal layer 9 is increased by the unevenness formed on the front surface 7a of the force sword base 7, a sufficient amount of the casodic base 7 can be obtained with a small formation area (plan view area). Can cause protrusion deformation.
  • FIG. 5 shows the test results of the time variation of the cut-off voltage when the electron tube cathode 1 according to the embodiment of the present invention is used, and the cut-off voltage when the electron tube power cathode according to the comparative example is used. It is the figure which showed the comparison with the test result of a temporal variation.
  • the vertical axis in the figure indicates a relative value (initial ratio of the cut-off voltage) when the initial value of the cut-off voltage is 100.
  • the extraction current is 4 AZ cm 2 in both cases.
  • the cathode for an electron tube according to this comparative example has the same configuration as that of the cathode for an electron tube 1 according to the present embodiment except that the technique (D) is not applied. . From the results of FIG. 5, it can be seen that the fluctuation of the cut-off voltage during the operation of the CRT is reduced in the power tube 1 for the electron tube according to the present embodiment, as compared with the power tube for the electron tube according to the comparative example.
  • FIG. 6 is an actual sectional view of the force sword substrate 7 of the force sword 1 for an electron tube according to the present embodiment after the test of FIG. 5 (that is, after operating the cathode ray tube for 1000 hours).
  • FIG. 7 is an actual sectional view of the cathode base 7 of the cathode for an electron tube according to the comparative example after the test of FIG. 5 (that is, after operating the cathode ray tube for 1000 hours). Both figures show photographs taken by embedding and polishing the cross section of the force sword substrate in epoxy resin. From FIG.
  • the force sword substrate 7 of the force sword 1 for an electron tube according to the present embodiment shows that the front surface 1 la of the electron emission material layer 11 is consumed (evaporated) and retreated (approximately 20 zm). It was recognized that it was protruding forward (upward in the figure). On the other hand, from FIG. 7, it can be seen that the cathode base of the electron tube power source according to the comparative example hardly protrudes and deforms forward (ie, is flat).
  • the electron tube power source according to the comparative example shows that even if the front surface of the electron emission material layer is consumed (evaporated) during the operation of the brown tube and recedes, the electron emission material layer is not damaged.
  • the front surface of the electron emitting material layer and the G 1 electrode g increase because the front surface of the electron emission material layer hardly deforms forward, thereby increasing the cutoff voltage.
  • the utility sword 1 uses the above technology (D) 'Because the front surface 11a of the electron-emitting material layer 11 is consumed (evaporated) and recedes during the operation of the tube, the electron emission surface is deformed because the front surface 11a of the electron-emitting material layer 1 1 projects forward.
  • the sandplast method is employed as a method for forming irregularities on the front surface 7a of the force sword substrate 7, but the present invention is not limited to the sandplast method.
  • a press die used for punching the force sword base 7 By forming the uneven surface in advance, it is also possible to form the unevenness on the front surface 7 a of the force source base 7.
  • calcium carbonate was used as the abrasive used in the sandblasting method.
  • the contact area between the force source substrate 7 and the electron emitting material layer 11 was increased, and the formation area of the metal layer 9 was increased.
  • Any material may be used as long as it is suitable for the purpose of optimizing the quality, and for example, various materials such as glass beads may be used.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-190761 discloses a technique for reducing a change in cut-off voltage by dividing a metal layer into a plurality of pieces and dispersing the metal layer on a front surface of a cathode substrate. That is, there is disclosed a technique for keeping the distance D between the front surface of the force sword base and the G1 electrode constant.
  • the gazette and the present invention are common.
  • the cathode substrate 7 protrudes forward due to expansion due to alloying of the metal layer 9 and the cathode substrate 7, and the front surface 1 la of the electron emitting material layer 11 is consumed and recedes.
  • the metal layer 9 is formed such that the front surface 11a of the electron-emitting material layer 11 protrudes and deforms forward. Suppress deformation of the cathode base due to expansion due to alloying with the sword base In that a metal layer is formed as described above.
  • the withdrawal current (for example, 4) is large enough that the front surface 7a of the force sword substrate 7 wears (evaporates) remarkably and the front surface 7a of the force sword substrate 7 recedes due to the wear.
  • a / cm 2 is a technique for reducing the fluctuation of the cutoff voltage that occurs when dealing with electrons / electrons
  • a reducing metal layer is formed between a force source substrate and an electron emitting material layer
  • the cut-off voltage of the cut-off voltage that occurs when dealing with an extraction current for example, 2 AZ cm 2
  • the technique of the above-mentioned publication cannot reduce the fluctuation of the cut-off voltage which occurs when the take-out current is large as in the present invention.
  • the front surface 11a of the electron-emitting material layer 11 protrudes forward because the front surface 11a of the electron-emitting material layer 11 is worn away and retreats. Therefore, the variation of the cut-off voltage increases as in the comparative example of FIG. From the above, it can be seen that the above publication is technically different from the present invention, and that the effects of the present invention cannot be obtained from the above publication.

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Abstract

このカットオフ電圧の変動低減方法は、カソード基体(7)の表面(7a)に加熱されることでカソード基体(7)を前方に突出変形させる金属層(9)が形成されると共に、カソード基体(7)の前面(7a)に直接に又は金属層(9)を介して電子放射物質層(11)が形成され、電子放射物質層(11)を加熱することで電子放射物質層(11)の前面(11a)から熱電子を放出させる加熱手段(5)が備えられた電子管用カソードのカットオフ電圧の変動低減方法であって、加熱手段(5)による加熱により誘起される金属層(9)によるカソード基体(7)の前方への突出変形により、電子放射物質層(11)の前面(11a)か消耗して後退する分、電子放射物質層(11)の前面(11a)を前方に突出変形させる。

Description

明 細 書
カツトオフ電圧の変動低減方法、 電子管用力ソード及び電子管用力ソードの 製造方法
技術分野
本発明は、 ブラウン管に用いられる電子管用カゾードの改良に関する。
背景技術
図 8は一般的なブラウン管の構成概略図である。 図 8に示す如く、 一般に、 テレビジョン受信機等のブラウン管 1 0 0は、 ブラゥン管本体 1 0 1内に、 G 1電極 gと、 G 1電極 gの一定距離 D後方に配置された電子管用力ソード 1 0 3とを備えて主構成される。
電子管用力ソード 1 0 3及び G 1電極 gは電子銃を構成している。 通常、 電 子管用カソ一ド 1 0 3からの取り出し電流は、 G 1電極 gへの印加電圧を固定 し、 電子管用力ソード 1 0 3への印加電圧を 0〜カツトオフ電圧の範囲で変圧 することで制御される。 カットオフ電圧は、 電子管用力ソード 1 0 3の前面 1 1 3 aと G 1電極 gとの間の距離 Dに応じて決まる固定値である。
この様なブラウン管 1 0 0に用いられる従来の電子管用力ソード 1 0 3とし ては、 特許 2 7 5 8 2 4 4号及び特開平 9— 1 0 6 7 5 0号公報に記載された ものが知られている。
これらの電子管用力ソード 1 0 3は、 図 9に示す如く、 スリープ 1 0 5内に 収容された傍熱用ヒー夕 1 0 7と、 スリーブ 1 0 5の一端開口に設けられ、 二 ッケルを主成分とし、 マグネシウムゃシリコン等の還元性元素を含有するカソ 一ド基体 1 0 9と、 例えばタングステン等の還元性元素を主成分とする金属層 1 1 1と、 酸化バリウムを含むアルカリ土類金属酸化物を主成分とし、 酸化ス カンジゥム等の希土類金属酸化物を含有する電子放射物質層 1 1 3とを備えて 構成される。 '
この電子管用力ソード 1 0 3の要部 1 1 1 , 1 1 3は以下の手順で製造され る
①先ず、 半製品の電子管用力ソード 1 0 3に備えられたカゾード基体 1 0 9 の前面 1 0 9 aに例えばタングステンを膜状に被着し、 被着した を水素雰囲気中で加熱して力ソード基体 1 0 9に融着させる。 これによりタン グステンから成る金属層 1 1 1が形成される。 ②次に、 その金属層 1 1 1の前 面 1 1 1 aにバリウム等のアルカリ土類金属の炭酸塩及び希土類金属酸化物か ら成る懸濁液を塗布し、 塗布した懸濁液を加熱してその懸濁液中のアル力リ土 類金属の炭酸塩をアルカリ土類金属酸化物に変化させる。 ③そして、 そのアル 力リ土類金属酸化物を加熱してその一部を還元することで、 そのアル力リ土類 金属酸化物を熱電子放出の容易な酸素欠乏型の半導体に変化させる。 これによ り電子放射物質層 1 1 3が形成ざれる。 この様にして電子管用カゾード 1 0 3 の要部 1 1 1 , 1 1 3が製造される。
その際、 上記③では、 アルカリ土類金属酸化物の一部は、 力ソード基体 1 0 9に含まれる還元性元素 （マグネシウム （Mg) ， シリコン （S i) ) 又は金 属層 1 1 1に含まれるタングステン (W) により遊離アルカリ土類金属に還元 される。 例えば酸化バリウム （B aO) の一部は、 式 （ 1 ) (2) ( 3) の反 応により遊離バリウム （B a) に還元される。 この遊離バリウム等の遊離アル 力リ土類金属が熱電子放出源となる。
2 B aO+ l/2 S i =B a+ l/2 B a2S i 04 … （1 )
B aO+Mg = B a + MgO … (2)
2 B aO + 1/3W=B a + 1/3 B a3W06 … (3) また、 上記③では、 金属層 1 1 1に含まれるタングステンにより電子放射物 質層 1 1 3に含まれる希土類金属酸化物が希土類金属に還元される。 この希土 類金属により、 式 （1 ) (2 ) (3) の反応により生成される副生産物であつ て所謂中間層と呼ばれる珪酸バリウム （B a2 S i 04) , 酸化マグネシウム (MgO) 及びタングステン酸バリウム （B a3W06) が分解される。 この分 解により遊離アル力リ土類金属が順調に生成される。
この電子管用カゾード 1 0 3では、 傍熱用ヒ一夕 1 0 7により電子放射物質 層 1 1 3が加熱されることで電子放射物質層 1 1 3の前面 1 1 3 aから熱電子 が放出 （ェミッション） され、 この熱電子が取り出し電流に供される。 特に、 カゾード基体 1 0 9と電子放射物質層 1 1 3の間に還元性元素から成る金属層 1 1 1が形成されることで熱電子放出源となる遊離アルカリ土類金属の生成量 を増大させ、 これにより電子管用力ソード 1 0 3からの取り出し電流を増大さ せている。
また、 従来の電子管用力ソード 1 0 3の他の例として特開昭 5 4— 8 3 3 6 0号公報に記載されたものが知られている。
この電子管用力ソードは、 力ソード基体と、 力ソード基体の前面に形成さ れ、 酸化バリウムを含むアルカリ土類金属酸化物から成り、 その酸化バリウム の含有率がその前面側よりもカソ一ド基体との接面側の方で低くなる様にされ た電子放射物質層と、 電子放射物質層を加熱する傍熱用ヒー夕とを備えて構成 される。
この電子管用力ソードでは、 その電子放射物質に含まれる酸化バリゥムの含 有率をその前面側よりもカゾード基体との接面側の方で低くすることで、 電子 管用力ソードからの取り出し電流を増大させている。
しかしながら、 これら従来の電子管用力ソード 1 0 3を用いたブラウン管 1 0 0では、 電子管用力ソード 1 0 9からの取り出し電流が例えば 4 AZ c m2を 越える動作環境では、 色純度変化の原因となるカツトオフ電圧の変動が顕著に なるという問題がある。
この問題の原因は、 取り出し電流が大きくなることで電子放射物質層 1 1 3 の前面 1 1 3 aの表面の消耗 （蒸発） が顕著になり、 電子放射物質層 1 1 3の 前面 1 1 3 aと G 1電極 gとの間の距離 Dが増大することにある （これは照明 学会研究会資料 （MD— 9 5 - 1 2 ) で知られる通りである） 。 一般に、 電子 放射物質層 1 1 3の消耗の機序としては次の 2つが考えられる。① 1つは、 傍 熱用ヒ一夕 1 0 7による加熱 （例えば約 7 0 0〜8 0 0 °C) に伴って電子放射 物質層 1 1 3に発生する蒸気圧による電子放射物質層 1 1 3の蒸発 （純粋な熱 的蒸発） に起因する消耗であり、 この消耗は、 傍熱用ヒ一夕 1 0 7の加熱温度 に比例するが、 ブラウン管 1 0 0の動作中の傍熱用ヒー夕 1 0 7の加熱温度で は無視できる。 もう 1つは、 電子放射物質層 1 1 3からの熱電子の放出に伴う 電子放射物質層 1 1 3内の遊離バリウムの蒸発に起因する消耗であり、 この消 耗は、 取り出し電流が小さい場合は無視できるが、 取り出し電流が大きくなる と無視できなくなる。 取り出し電流を大きくした場合に電子放射物質層 1 1 3 の消耗が顕著になるのは、 後者②の機序のためと考えられる。
このように、 従来の電子管用力ソードに於いては、 電子管用力ソードからの 取り出し電流が大きくなると、 ブラウン管の動作中のカツトオフ電圧の変動が 顕著になるという問題があった。
発明の開示
本発明は、 上記のような問題点を解決し、 ブラウン管の動作中のカットオフ 電圧の変動を低減できるカツトオフ電圧の変動低減方法、 電子管用力ソード及 び電子管用カゾードの製造方法を提供することを目的とする。
本発明者は、 カットオフ電圧の変動の原因が、 電子放射物質層の前面が消耗 して後退することで電子放射物質層の前面と G 1電極 gとの間の距離 Dが増大 する事にある事を突き止め、 本発明を想致した。
即ち、 本発明に係るカットオフ電圧の変動低減方法の第 1の態様では、 カソ ―ド基体の表面に加熱されることで前記力ソ一ド基体を前方に突出変形させる 金属層が形成されると共に、 前記カソ一ド基体の前面に直接に又は前記金属層 を介して電子放射物質層が形成され、 前記電子放射物質層を加熱することで前 記電子放射物質層の前面から熱電子を放出させる加熱手段が備えられた電子管 用力ソードのカツトオフ電圧の変動低減方法であって、 前記加熱手段による加 熱により誘起される前記金属層による前記カソード基体の前方への突出変形に より、 前記電子放射物質層の前面が消耗して後退する分、 前記電子放射物質層 の前面を前方に突出変形させることとしている。
この態様によれば、 加熱手段による加熱により誘起される金属層によるカソ 一ド基体の前方への突出変形により、 電子放射物質層の前面が消耗して後退す る分、 電子放射物質層の前面を前方に突出変形させる為、 電子放射物質層の前 面が消耗しても、 電子放射物質層の前面の位置をほぼ一定に維持できて、 ブラ ゥン管の動作中のカツトオフ電圧の変動を低減できる。
本発明に係るカツトオフ電圧の変動低減方法の第 2の態様では、 前記金属層 は、 前記カゾード基体の前面に形成され、 前記加熱手段による加熱により前記 カゾード基体に含まれる金属と合金化して膨張することで、 前記力ソード基体 の前面を突出変形させることとしている。 この態様によれば、 金属層と力ソード基体との合金化に伴う膨張を利用する ことでカソ一ド基体を前方に突出変形させる為、 簡単な手法で力ソード基体を 前方に突出変形できる。 '
本発明に係るカツトオフ電圧の変動低減方法の第 3の態様では、 前記金属層 は、 前記カソ一ド基体の表面に形成された凹凸上に形成されることとしてい る o
この態様によれば、 力ソード基体の前面に形成された凹凸により力ソード基 体と金属層との接触面積が増大される為、 小さな形成面積 （平面視面積） で十 分な量のカソ一ド基体の突出変形を引き起こせる。
本発明に係るカツトオフ電圧の変動低減方法の第 4の態様では、 前記金属層 は、 複数個に分割されて分散されて前記力ソ一ド基体の表面に形成されること としている。
この態様によれば、 金属層が複数個に分割されて分散されてカソード基体の 表面に形成される為、 金属層と力ソード基体との合金化に伴う膨張によるカソ 一ド基体の突出変形の最適化が行い易くなる。
また、 本発明に係る電子管用力ソードの第 1の態様では、 力ソード基体と、 該カソ一ド基体の表面に形成され、 加熱されることで前記カソ一ド基体を前方 に突出変形させる金属層と、 前記カソード基体の前面に直接に又は前記金属層 を介して形成された電子放射物質層と、 前記電子放射物質層を加熱して前記電 子放射物質層の前面から熱電子を放出させる加熱手段と、 を備え、 前記加熱手 段による加熱により誘起される前記金属層による前記力ソ一ド基体の前方への 突出変形により、 前記電子放射物質層の前面が消耗して後退する分、 前記電子 放射物質層の前面を前方に突出変形させることとしている。
この態様によれば、 加熱手段による加熱により誘起される金属層によるカソ 一ド基体の前方への突出変形により、 電子放射物質層の前面が消耗して後退す る分、 電子放射物質層の前面を前方に突出変形させる為、 電子放射物質層の前 面が消耗しても、 電子放射物質層の前面の位置をほぼ一定に維持できて、 ブラ ゥン管の動作中のカツトオフ電圧の変動を低減できる。
本発明に係る電子管用力ソードの第 2の態様では、 前記金属層は、 前記カソ 一ド基体の前面に形成され、 前記加熱手段による力 Π熱により前記力ソード基体 に含まれる金属と合金化して膨張することで、 前記力ソード基体の前面を突出 変形させることとしている。
この態様によれば、 金属層とカゾード基体との合金化に伴う膨張を利用する ことで力ソード基体を前方に突出変形させる為、 簡単な手法で力ソード基体を 前方に突出変形できる。
本発明に係る電子管用力ソードの第 3の態様では、 前記金属層は、 前記カソ ―ド基体の表面に形成された凹凸上に形成されることとしている。
この態様によれば、 カソ一ド基体の前面に形成された凹凸によりカソ一ド基 体と金属層との接触面積が増大される為、 小さな形成面積 （平面視面積） で十 分な量の力ソード基体の突出変形を引き起こせる。
本発明に係る電子管用力ソードの第 4の態様では、 前記金属層は、 複数個に 分割されて分散されて前記力ソード基体の表面に形成されることとしている。 この態様によれば、 金属層が複数個に分割されて分散されてカソード基体の 表面に形成される為、 金属層と力ソード基体との合金化に伴う膨張による力ソ ―ド基体の突出変形の最適ィ匕が行い易くなる。
また、 本発明に係る電子管用力ソードの製造方法の第 1の態様では、 （a) 力 ソ一ド基体の表面に加熱されることで前記カソード基体を前方に突出変形させ る金属層が形成される工程と、 （b) 前記力ソード基体の前面に直接に又は前記 金属層を介して電子放射物質層が形成される工程と、 （c) 前記電子放射物質層 を加熱することで前記電子放射物質層の前面から熱電子を放出させる加熱手段 が設けられる工程と、 を含み、 前記工程 （a) では、 前記加熱手段による加熱に より誘起される前記金属層による前記カソード基体の前方への突出変形によ り、 前記電子放射物質層の前面が消耗して後退する分、 前記電子放射物質層の 前面を前方に突出変形させる様に、 前記金属層が形成されることとしている。 この態様によれば、 加熱手段による加熱により誘起される金属層によるカソ ―ド基体の前方への突出変形により、 電子放射物質層の前面が消耗して後退す る分、 電子放射物質層の前面を前方に突出変形させる様に金属層が形成される 為、 電子放射物質層の前面が消耗しても、 電子放射物質層の前面の位置をほぼ 一定に維持できて、 ブラウン管の動作中のカツトオフ電圧の変動を低減できる 電子管用カソードを製造できる。
本発明に係る電子管用力ソードの製造方法の第 2の態様では、 前記工程 （a) では、 前記力ソード基体の前面に、 前記加熱手段による加熱により前記カソー ド基体に含まれる金属と合金化して膨張することで前記力ソード基体の前面を 突出変形させる金属により、 前記金属層が形成されることとしている。
この態様によれば、 カリード基体の前面に加熱手段による加熱により前記力 ソード基体に含まれる金属と合金化して膨張することでカソード基体の前面を 突出変形させる金属により金属層が形成される為、 簡単な手法力ソード基体を 前方に突出変形できる電子管用カゾードを製造できる。
本発明に係る電子管用力ソードの製造方法の第 3の態様では、 前記工程 （a) では、 前記力ソード基体の表面に凹凸が形成され、 その凹凸上に前記金属層が 形成されることとしている。
この態様によれば、 力ソード基体の表面に凹凸が形成され、 その凹凸上に金 属層が形成される為、 カゾード基体と金属層との接触面積が増大され、 小さな 形成面積 （平面視面積） で十分な量の力ソード基体の突出変形を引き起こせる 電子管用力ソードを製造できる。
本発明に係る電子管用力ソードの製造方法の第 4の態様では、 前記工程 （a) では、 前記金属層は、 複数個に分割されて分散されて前記力ソード基体の表面 に形成されるとしている。
この態様によれば、 金属層が複数個に分割されて分散されてカソ一ド基体の 表面に形成される為、 金属層と力ソード基体との合金化に伴う膨張によるカソ ード基体の突出変形の最適ィ匕が行い易い電子管用カゾードを製造できる。
この発明の目的、 特徴、 局面、 および利点は、 以下の詳細な説明と添付図面 とによって、 より明白となる。
図面の簡単な説明
図 1は、 本発明の実施の形態に係る電子管用カソードの突出変形前の要部の 構成と G 1電極とを示す図である。 '
図 2は、 本発明の実施の形態に係る電子管用力ソードの突出変形後の要部の 構成と G 1電極とを示す図である。
図 3は、 電子放射物質層の厚さ Pの減少量とカソード基体の前方への突出変 形量 Qとの関係を示す図である。
図 4は、 本発明の実施の形態に係る電子管用カゾードの取り出し電流の時間 的変動の試験結果と比較例に係る電子管用力ソードの取り出し電流の時間的変 動の試験結果との比較を示した図である。
図 5は、 本発明の実施の形態に係る電子管用カゾードを用いた場合のカツト オフ電圧の時間的変動の試験結果と比較例に係る電子管用力ソードを用いた場 合のカツトオフ電圧の時間的変動の試験結果との比較を示した図である。
図 6は、 図 5の試験後の実施の形態に係る電子管用力ソードの力ソード基体 の実物断面図である。
図 7は、 図 5の試験後の比較例に係る電子管用カソ一ドのカソ一ド基体の実 物断面図である。
図 8は、 一般的なブラウン管の構成概略図である。
図 9は、 従来の電子管用力ソードの構成概略の一例を示す図である。
発明を実施するための最良の形態
1 . 実施の形態
電子管用力ソードのカツトオフ電圧の変動は、 例えば C R Tでは輝度変化や 色ずれをもたらす。 これは、 カットオフ電圧の変動により ドライブカーブがシ フトされて取り出し電流が変化され、 その結果、 R G Bの各電子銃間の電流比 がくずれて輝度及びホワイ トバランスがくずれるために起こる現象である。 本 発明は、 この現象を起こす最も重要な原因である電子管用力ソード · G 1電極 間距離の変動を抑制することで、 カツトオフ電圧の変動を抑制する技術を提供 するものである。 具体的には、 本発明は、 寿命中に電子管用力ソードを構成す る電子放射物質層の前面 （電子放出面） が消耗 （蒸発） して後退することで生 ずる電子管用力ソード · G 1電極間距離の増大を、 電子放射物質層の前面を前 方に凸状に突出変形させて電子管用力ソード · G 1電極間距離を一定に保つこ とで、 カットオフ電圧の変動を抑制する技術を提供するものである。 以下、 本 発明の実施の形態について説明する。 この実施の形態に係る電子管用力ソード 1は、 図 1に示す如く、 例えば筒状 のスリーブ 3と、 スリーブ 3内に収容された傍熱用ヒ一夕 5と、 スリーブ 3の 一端開口に設けられた力ソード基体 7と、 力ソード基体 7の表面 （ここでは前 面） 7 aに形成された金属層 9と、 力ソード基体 7の前面 7 aに直接に又は金 属層 9を介して形成された電子放射物質層 1 1とを備えて構成される。
力ソード基体 7は、 例えば平坦な板状に形成され、 その前面 7 aには適宜大 きさの凹凸 （図示省略） が形成されている。 この力ソード基体 7は、 例えば二 ッケルを主成分とし、 還元剤として例えばシリコンゃマグネシウム等の 1種類 以上の還元性元素を含有している。
金属層 9は、 ①少なくとも力ソード基体 7に含まれる金属 （ここではニヅケ ル） と合金化すると膨張する性質を持つ金属から成り、 且つ、 ②還元性を持つ 金属から成る。 これら①②の条件を満足する金属として、 例えば、 タングステ ン、 モリプデン、 クロム、 ジルコニウム、 コノ レト、 アルミニウムのうちの 1 種類以上の金属が用いられる。 また、 この金属層 9は、 力ソード基体 7の前面 7 aに形成された凹凸上に、 適宜大きさの形成面積 （平面視面積） を有する様 にして、 例えば複数個に分割され分散されて、 適宜厚さの膜状に形成される。 この様に形成されることで、 この金属層 9は、 図 2及び図 3に示す如く、 プ ラウン管の動作中に於ける傍熱用ヒータ 5による加熱により力ソード基体 7と 合金化してカソ一ド基体 7の表面方向に適宜に膨張し、 この膨張によりカソー ド基体 7を前方に突出変形 （凸状に湾出） させて、 電子放射物質層 1 1の前面 1 1 aが消耗 （蒸発） して後退する分、 電子放射物質層 1 1の前面 1 1 aを前 方に突出変形 （凸状に湾出） させる。 即ち、 電子放射物質層 1 1の前面 1 l a の消耗による後退量、 即ち電子放射物質層 1 1の厚さ Pの減少量を力ソード基 体 7の前方への突出変形量 Q (即ち電子放射物質層 1 1の前面 1 1 aの前方へ の突出変形量 Q ) で補償する。
電子放射物質層 1 1は、 少なくとも酸化バリウムを含むアルカリ土類金属酸 化物を主成分とし、 望ましくは例えば 0 . 0 1〜2 5重量％の酸化スカンジゥ ム等の希土類金属酸化物を含有している。
尚、 この電子管用力ソード 1は、 従来同様、 図 8に示す如く、 0 0内に於いて G 1電極 gから一定距離 D後方に位置されて収容配設される。 尚、 距離 Dは、 G 1電極 gの後面 g aと電子放射物質層 1 1の前面 1 1 aとの 間の距離である。
次に、 図 1を参照して、 この電子管用力ソード 1の要部 9 , 1 1の製造方法 を説明する。
先ず、 例えばニッケルを主成分とし、 例えばマグネシウムを還元剤して含有 する力ソード基体 7が備えられた半製品の電子管用力ソード 1を準備する。 そ して、 その力ソード基体 7の前面 7 aに例えばサンドプラスト法により凹凸を 形成する。 サンドプラスト法とは、 空気又は水等に研磨剤を混ぜて部材に吹き 付けることで当該部材の表面に微少の凹凸を形成する手法である。 その際の研 磨剤としては、 各種の材料が使用可能であるが、 カゾード基体 7の主成分が軟 質材料のニッケルであることを考慮し、 比較的硬度の低い例えば炭酸カルシゥ ムを用いる。 '
ここでは、 例えば空気圧 0 . 0 5〜0 . 1 M p aの空気に研磨剤として例え ば粒度 6 0 0番の炭酸カルシウムを混ぜて力ソード基体 7の前面 7 aのみに 5 〜1 0分吹き付けて、 力ソード基体 7の前面 7 aに例えば凹凸 ± 1 0〜2 0 / m ( J I S B 0 6 0 1で規定される最大高さ （R y ) が 2 0 ju m) の凹凸を形 ' 成する。
次に、 力ソード基体 7の前面 7 aに形成された凹凸上に例えばタングステン から成る金属層 9を形成する。 即ち、 ①先ず、 カソ一ド基体 7の前面 7 aに形 成された凹凸上にタングステンを例えばスパッ夕リング法により例えば 1 m の厚さの膜状に蒸着させる。 ②その際、 力ソード基体 7の前面 7 aをマスクで 部分的に被覆することで、 タングステンを適宜大きさの蒸着面積を有する様に して複数個に分割して分散させて蒸着させる。 ③その後、 例えば水素雰囲気中 で 8 0 0〜 1 0 0 0 °Cの加熱処理を施すことでタングステンを力ソード基体 7 に融着させる。 これにより例えばタングステンから成る金属層 9が形成され る o
その際、 上記②では、 タングステンの蒸着面積 （即ち金属層 9の形成面積） の大きさ， 分割の仕方及び分散のさせ方を調整することで、 図 2及び図 3に示 す如く、 ブラゥン管の動作中に於ける傍熱用ヒ一夕 5の加熱により誘起される 金属層 9と力ソード基体 7との合金化に伴う膨張によるカソ一ド基体 7の前方 への突出変形量 Q (即ち電子放射物質層 1 1の前面 1 l aの前方への突出変形 量 Q ) と、 電子放射物質層 1 1の前面 1 1 aの消耗による後退量、 即ち電子放 射物質層 1 1の厚さ Pの減少量とがほぼ同じになる様にする。
この調整は、 金属層 9に用いられる金属の種類 （性質） 及び金属層 9の厚さ 及び力ソ一ド基体 7の前面 7 aに形成される凹凸の大きさによりカゾード基体 7の前方への突出変形量が変化する為、 面積比等では規定できず、 実験により 試行錯誤して決められる。
また、 上記③の加熱処理では、 その加熱処理により金属層 9と力ソード基体 7とが完全に合金化されることのない様にする。 本発明では、 ブラウン管の動 作中に於ける傍熱用ヒー夕 5による加熱により金属層 9と力ソード基体 7とを 合金化させる必要があるからである。
次に、 力ソード基体 7の前面 7 aに金属層 9を介して電子放射物質層 1 1を 形成する。 即ち、 先ず、 例えばバリウム、 ストロンチウム、 カルシウムのアル 力リ土類金属の三元炭酸塩と例えば 3重量％の酸化スカンジウムとバインダー 及び溶剤とを混合して懸濁液を作成する。 そして、 作成した懸濁液を例えばス プレ一法により力ソード基体 7の前面 7 aに金属層 9を介して約 8 0 zmの厚 さで塗布する。
そして、 この製造段階の半製品の電子管用カソ一ド 1をブラゥン管の電子銃 に組み込み、 ブラウン管製造工程の真空排気工程中に、 その半製品の電子管用 カゾード 1に備えられた傍熱用ヒ一夕 5によりカソ一ド基体 7の前面 7 aに塗 布した懸濁液を加熱する。 これにより、 塗布された懸濁液中のアルカリ土類金 属の炭酸塩がアル力リ土類金属酸化物に変化し、 更にその一部が還元されて熱 電子放出源となる遊離アルカリ土類金属に変化することで、 懸濁液中のアル力 リ土類金属の炭酸塩が熱電子放出の容易な酸素欠乏型の半導体に変化する。 こ れにより電子放射物質層 1 1が形成される。 尚、 その際の上記還元の反応に伴 つて生成される所謂中間層と呼ばれる副生成物は、 懸濁液に含有された希土類 金属酸化物から還元されて生成される希土類金属により分解される。 これによ り遊離アルカリ土類金属が上記副生成物により妨げられること無く順調に生成 される。 以上の様にして電子管用カゾード 1の要部 7 , 1 1が製造される。 以上のように構成された電子管用力ソード 1によれば、 （A) 電子放射物質 層 1 1に希土類金属酸化物が含有され、 （B ) カソ一ド基体 7と電子放射物質 層 1 1との間に還元性元素から成る金属層 9が介装され、 （C ) 力ソード基体 7の前面 7 aに凹凸が形成され、 その凹凸上に金属層 9を介して電子放射物質 層 1 1が形成される為、 平均で A AZ c m2という大きな取り出し電流を得るこ とができる。
この場合、 上記 （A) の技術により、 含有された希土類金属酸化物が還元さ れて生成される希土類金属により電子放射物質層 1 1の形成過程で生成される 所謂中間層と呼ばれる副生成物が分解される為、 熱電子放出源となる遊離アル 力リ土類金属を順調に生成でき、 これにより取り出し電流の減衰を低減でき る。
また、 上記 （B ) の技術により、 上記 （A) の技術に基づく希土類金属酸化 物から希土類金属への還元反応が促進される為、 取り出し電流の減衰を更に低 減でき、 しかも、 電子放射物質層 1 1の生成過程で起こる還元反応が促進され る為、 熱電子放出源となる遊離アルカリ土類金属の生成を促進でき、 これによ り取り出し電流を増大できる。
更に、 上記 （C ) の技術により、 カゾード基体 7、 金属層 9及び電子放射物 質層 1 1の間の密着性の向上及び接触面積の増大を図れ、 これにより、 ①電子 放射物質層 1 iの形成過程で起こる還元反応が更に促進される為、 熱電子放出 源となる遊離アル力リ土類金属の生成量を更に増大でき、 これにより取り出し 電流を更に増大でき、 ②上記 （A) の技術による希土類金属酸化物から希土類 金属への還元反応が更に促進される為、 取り出し電流の減衰を更に低減でき る。
尚、 上記 （A) 〜 （C ) の技術が施されていない点が相異する以外は同様に 構成された電子管用カゾードでは、 取り出し電流は 0 . 5 AZ c m2程度であ る。 この電子管用力ソードに更に上記 （A) の技術を施したものでは取り出し 電流は 2 . O A/ c m2程度となり、 更に上記 （B ) の技術を施したものでは取 り出し電流は 3 . O A/ c m2程度となり、 更に上記 （C ) の技術を施したもの (本実施の形態に係る電子管用力ソード 1 ) では 4 . O A/ c m2程度となる。 この結果により、 上記 （C ) の技術により、 上記の通り、 取り出し電流を更に 増大できる事が判る。
尚、 図 4は、 本実施の形態に係る電子管用力ソード 1の最大取り出し電流の 時間的変動の試験結果と比較例に係る電子管用力ソードの最大取り出し電流の 時間的変動の試験結果との比較を示した図である。 図中の縦軸は、 最大取り出 し電流の初期値を 1 0 0とした相対値 （カゾード最大取り出し電流初期比） を 示す。 この比較例に係る電子管用力ソードは、 本実施の形態に係る電子管用力 ソード 1と比べて上記 （C ) の技術が施されていない点が相異する以外は同じ 構成である。 図 4の結果から、 本実施の形態に係る電子管用力ソード 1は、 比 較例に係る電子管用力ソードと比べて、 更に取り出し電流の減衰が低減してい る事が判る。 この結果より、 上記 （C ) の技術により、 上記の通り、 取り出し 電流の減衰を更に低減できる事が判る。
更に、 以上のように構成された電子管用力ソード 1によれば、 （D ) 金属層 9がブラウン管の動作中に於ける傍熱用ヒ一夕 5による加熱によりカソ一ド基 体 7と合金化してカソ一ド基体 7の表面方向に適宜に膨張し、 この膨張により カゾード基体 7が前方に突出変形されることで、 電子放射物質層 1 1の前面 1 1 aが消耗して後退する分、 電子放射物質層 1 1の前面 1 l aが前方に突出変 形される様に金属層 9が形成されている為、 電子放射物質層 1 1の前面 1 l a が消耗しても、 電子放射物質層 1 1の前面 1 1 aの位置をほぼ一定に維持でき て、 即ち電子放射物質層 1 1の前面 1 1 aと G 1電極 gとの距離 Dの変動を低 減できて、 ブラウン管の動作中のカットオフ電圧の変動を低減できる。 この効 果は後述する図 5〜図 7の試験結果から結論される。
この場合、 金属層 9と力ソード基体 7との合金化に伴う膨張を利用してカソ ―ド基体 7を前方に突出変形させる為、 簡単な手法でカソ一ド基体 7を前方に 突出変形できる。
また、 金属層 9が適宜大きさの形成面積で複数個に分割され分散されて形成 される為、 金属層 9と力ソード基体 7との合金化に伴う膨張によるカソ一ド基 体 7の突出変形の最適化が行い易くなる。
更に、 力ソード基体 7の前面 7 aに形成された凹凸により力ソード基体 7と 金属層 9との接触面積が増大される為、 小さな形成面積 （平面視面積） で十分 な量のカゾード基体 7の突出変形を引き起こせる。
図 5は、 本発明の実施の形態に係る電子管用カソ一ド 1を用いた場合の力ッ トオフ電圧の時間的変動の試験結果と比較例に係る電子管用力ソードを用いた 場合のカツトオフ電圧の時間的変動の試験結果との比較を示した図である。 図 中の縦軸は、 カヅトオフ電圧の初期値を 1 0 0とした相対値 （カヅトオフ初期 比） を示す。 取り出し電流は両者とも 4 AZ c m2である。 この比較例に係る電 子管用カソ一ドは、 本実施の形態に係る電子管用カソ一ド 1と比べて上記 ( D ) の技術が施されていない点が相異する以外は同じ構成である。 図 5.の結 果から、 本実施の形態に係る電子管用力ソード 1は、 比較例に係る電子管用力 ソードと比べて、 ブラウン管の動作中のカツトオフ電圧の変動が低減している 事が判る。
また、 図 6は、 図 5の試験後 （即ちブラウン管を 1 0 0 0 0時間動作させた 後） の本実施の形態に係る電子管用力ソード 1の力ソード基体 7の実物断面図 である。 図 7は、 図 5の試験後 （即ちブラウン管を 1 0 0 0 0時間動作させた 後） の比較例に係る電子管用カゾードのカソ一ド基体 7の実物断面図である。 これらの図はともに力ソード基体の断面をエポキシ樹脂に埋め込んで研磨して 撮影した写真を図にしたものである。 図 6から、 本実施の形態に係る電子管用 力ソード 1の力ソード基体 7は、 電子放射物質層 1 1の前面 1 l aが消耗 （蒸 発） して後退した分 （約 2 0 zm) 、 前方に （図では上方に） 突出変形してい る事が認められた。 他方、 図 7から、 比較例に係る電子管用力ソードのカソー ド基体は、 前方に殆ど突出変形しいない事 （即ち平坦な事） が判る。
従って、 図 5〜図 7の結果から、 比較例に係る電子管用力ソードでは、 ブラ ゥン管の動作中に電子放射物質層の前面が消耗 （蒸発） して後退しても、 電子 放射物質層の前面が殆ど前方に突出変形しない為に電子放射物質層の前面と G 1電極 gとの距離 Dが増大し、 これによりカットオフ電圧が増大するのに対し て、 本実施の形態に係る電子管用力ソード 1では、 上記 （D ) の技術により、 '管の動作中に電子放射物質層 1 1の前面 1 1 aが消耗 （蒸発） して後 退する分、 電子放射物質層 1 1の前面 1 1 aが前方に突出変形する為に電子放 射物質層 1 1の前面 1 1 aと G 1電極 gとの間の距離 Dがほぼ一定に維持さ れ、 これによりカットオフ電圧の変動が低減されていると結論できる。 この結 論より、 上記 （D ) の技術により、 上記の通り、 電子放射物質層 1 1の前面 1 1 aの位置をほぼ一定に維持されて、 ブラウン管の動作中のカツトオフ電圧の 変動を低減できる事が判る。
尚、 本実施の形態では、 力ソード基体 7の前面 7 aに凹凸を形成する手法と してサンドプラスト法を採用したが、 サンドプラスト法に限定するものではな い。 他の手法としては、 例えば機械的な手法により力ソード基体 7の前面 7 a に凹凸を形成することも可能であり、 また、 力ソード基体 7を打ち抜く際に使 用されるプレス型に所要の凹凸面を形成しておくことで、 力ソード基体 7の前 面 7 aに凹凸を形成することも可能である。
尚、 本実施の形態では、 サンドブラスト法で用いる研磨剤として炭酸カルシ ゥムを用いたが、 力ソード基体 7と電子放射物質層 1 1との接触面積の増大を 図ると共に金属層 9の形成面積の最適化を図るという目的に適したものであれ ば何でもよく、 例えばガラスビーズなど各種の材料を用いてもよい。
尚、 カットオフ電圧の変動低減方法、 取り出し電流の減衰低減方法、 及び、 電子管用力ソードの製造方法もこの実施の形態の範疇に含まれることは言うま でもないことである。
尚、 特開平 9— 1 9 0 7 6 1号公報には、 金属層を複数個に分割して分散さ せてカソ一ド基体の前面に形成することでカツトオフ電圧の変動を低減させる 技術、 即ち力ソード基体の前面と G 1電極との間の距離 Dを一定に保つ技術が 開示されており、 この点でその公報と本願発明とは共通している。 しかし、 本 願発明では、 金属層 9とカソード基体 7との合金化に伴う膨張によりカソ一ド 基体 7が前方に突出変形されて、 電子放射物質層 1 1の前面 1 l aが消耗して 後退する分、 電子放射物質層 1 1の前面 1 1 aが前方に突出変形される様に金 属層 9が形成されるのに対し、 その公報では、 本願発明とは逆に、 金属層と力 ソード基体との合金化に伴う膨張によるカソ一ド基体の突出変形が抑制される 様に金属層が形成される点で相違する。
この相違は、 本願発明は、 力ソード基体 7の前面 7 aの消耗 （蒸発） が顕著 になり、 その消耗により力ソード基体 7の前面 7 aが後退する程度の大きさの 取り出し電流 （例えば 4 A/ c m2) を扱う場合に生ずるカットオフ電圧の変動 を低減する技術であり、 上記公報は、 力ソード基体と電子放射物質層との間に 還元性の金属層が形成され、 且つ、 電子放射物質層の前面の消耗 （蒸発） が起 こらず従って電子放射物質層の前面の後退が起こらない程度の大きさの取り出 し電流 （例えば 2 AZ c m2 ) を扱う場合に生ずるカツトオフ電圧の変動を低減 する技術であり、 両者のカツトオフ電圧の変動の発生の機序が異なることに起 因する （即ち、 両者は異なる技術的思想に基づくものである） 。
従って、 上記公報の技術を本願発明に適用しても、 上記公報の技術では本願 発明の様に取り出し電流の大きい場合に生ずるカツトオフ電圧の変動は低減で きない。 因みに、 上記公報の技術を本願発明に適用した場合は、 電子放射物質 層 1 1の前面 1 1 aが消耗して後退する分、 電子放射物質層 1 1の前面 1 1 a が前方に突出変形しない為、 図 5の比較例の様にカツトオフ電圧の変動が増大 する。 以上の事から上記公報と本願発明とは技術的に異なるものであり、 上記 公報から本願発明の効果は得られない事が判る。
この発明は詳細に説明されたが、 上記した説明は、 すべての局面において、 例示であって、 この発明がそれに限定されるものではない。 例示されていない 無数の変形例が、 この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解さ れる。

Claims

請求の範囲
1. 力ソード基体 （7) の表面 （7 a) に加熱されることで前記力ソード基 体 （7) を前方に突出変形させる金属層 （9) が形成されると共に、 前記カソ —ド基体 （7) の前面 （7 a) に直接に又は前記金属層 （9) を介して電子放 射物質層 （ 11) が形成され、 前記電子放射物質層 （1 1) を加熱することで 前記電子放射物質層 （1 1) の前面 （1 1 a) から熱電子を放出させる加熱手 段 （5) が備えられた電子管用カゾードのカットオフ電圧の変動低減方法であ つて、
前記加熱手段 （5) による加熱により誘起される前記金属層 （9) による前 記力ソード基体 （7) の前方への突出変形により、 前記電子放射物質層 （ 1 1) の前面 （1 1 a) が消耗して後退する分、 前記電子放射物質層 （1 1) の 前面 （ 1 1 a) を前方に突出変形させることを特徴とするカツトオフ電圧の変 動低減方法。
2. 請求の範囲 1に記載のカツトオフ電圧の変動低減方法であって、 前記金属層 （9) は、 前記力ソード基体 (7) の前面 （7 a) に形成され、 前記加熱手段 （5) による加熱により前記力ソード基体 (7) に含まれる金属 と合金化して膨張することで、 前記力ソード基体 (7) の前面 （7 a) を突出 変形させることを特徴とするカツトオフ電圧の変動低減方法。
3. 請求の範囲 1に記載のカツトオフ電圧の変動低減方法であって、 前記金属層 （9) は、 前記力ソード基体 (7) の表面 （7 a) に形成された 凹凸上に形成されることを特徴とするカツトオフ電圧の変動低減方法。
4. 請求の範囲 2に記載のカツトオフ電圧の変動低減方法であって、 前記金属層 （9) は、 前記力ソード基体 (7) の表面 （7 a) に形成された 凹凸上に形成されることを特徴とするカツトオフ電圧の変動低減方法。
5. 請求の範囲 1に記載のカツトオフ電圧の変動低減方法であって、 前記金属層 （ 9) は、 複数個に分割されて分散されて前記カゾード基体 (7) の表面 （7 a) に形成されていることを特徴とするカヅトオフ電圧の変 動低減方法。
6. 請求の範囲 2に記載のカツトオフ電圧の変動低減方法であって、 前記金属層 （ 9) は、 複数個に分割されて分散されて前記力ソード基体 (7) の表面 （7 a) に形成されていることを特徴とするカットオフ電圧の変 動低減方法。
7. 請求の範囲 3に記載のカツトオフ電圧の変動低減方法であって、 前記金属層 （ 9) は、 複数個に分割されて分散されて前記力ソード基体 (7) の表面 （7 a) に形成されていることを特徴とするカットオフ電圧の変 動低減方法。
8. 請求の範囲 4に記載のカツトオフ電圧の変動低減方法であって、 前記金属層 （ 9) は、 複数個に分割されて分散されて前記カゾード基体 (7) の表面 （7 a) に形成されていることを特徴とするカツトオフ電圧の変 動低減方法。
9. 力ソード基体 （7) と、 該カゾード基体 （7) の表面 （7 a) に形成さ れ、 加熱されることで前記力ソード基体 (7) を前方に突出変形させる金属層
(9 ) と、 前記カゾード基体 （7) の前面 （7 a) に直接に又は前記金属層 (9) を介して形成ざれた電子放射物質層 （ 1 1) と、 前記電子放射物質層 ( 1 1) を加熱して前記電子放射物質層 （ 1 1) の前面 （ 1 1 a) から熱電子 を放出させる加熱手段 （5) と、 を備え、
前記加熱手段 （5) による加熱により誘起される前記金属層 （9) による前 記カソ一ド基体 （7) の前方への突出変形により、 前記電子放射物質層 （ 1 1) の前面 （ 1 1 a) が消耗して後退する分、 前記電子放射物質層 （ 11) の 前面 （1 l a) を前方に突出変形させることを特徴とする電子管用力ソード。
10. 請求の範囲 9に記載の電子管用力ソードであって、
前記金属層 （9) は、 前記力ソード基体 (7) の前面 （7 a) に形成され、 前記加熱手段 （5) による加熱により前記カゾード基体 (7) に含まれる金属 と合金化して膨張することで、 前記カゾード基体 (7) の前面 （7 a) を突出 変形させることを特徴とする電子管用カソ一ド。
1 1. 請求の範囲 9に記載の電子管用力ソードであって、
前記金属層 （9) は、 前記力ソード基体 (7) の表面 （7 a) に形成された 凹凸上に形成されることを特徴とする電子管用力ソード。
12. 請求の範囲 10に記載の電子管用力ソードであって、
前記金属層 （9) は、 前記カゾード基体 (7) の前面 （7 a) に形成された 凹凸上に形成されることを特徴とする電子管用力ソード。
13. 請求の範囲 9に記載の電子管用力ソードであって、
前記金属層 （ 9 ) は、 複数個に分割されて分散されて前記カゾード基体 (7) の表面 （7 a) に形成されることを特徴とする電子管用力ソード。
14. 請求の範囲 10に記載の電子管用力ソードであって、
前記金属層 （ 9 ) は、 複数個に分割されて分散されて前記力ソード基体 (7) の表面 （7 a) に形成されることを特徴とする電子管用カソ一ド。
1 5. 請求の範囲 1 1に記載の電子管用力ソードであって、
前記金属層 （ 9 ) は、 複数個に分割されて分散されて前記力ソード基体 (7) の表面 （7 a) に形成されることを特徴とする電子管用力ソード。
1 6. 請求の範囲 12に記載の電子管用力ソードであって、
前記金属層 （ 9 ) は、 複数個に分割されて分散されて前記力ソード基体 (7) の表面 （7 a) に形成されることを特徴とする電子管用力ソード。
17. (a) 力ソード基体 (7) の表面 （7 a) に加熱されることで前記カソ —ド基体 (7) を前方に突出変形させる金属層 （9) が形成される工程と、
(b) 前記力ソード基体 (7) の前面 （7 a) に直接に又は前記金属層 （9) を介して電子放射物質層 （1 1) が形成される工程と、
(c) 前記電子放射物質層 （1 1) を加熱することで前記電子放射物質層 （1 1) の前面 （ 1 1 a) から熱電子を放出させる加熱手段 （5) が設けられるェ 程と、 を含み、
前記工程 （a) では、 前記加熱手段 （5) による加熱により誘起される前記金 属層 （9) による前記力ソード基体 (7) の前方への突出変形により、 前記電 子放射物質層 （1 1) の前面 （1 1 a) が消耗して後退する分、 前記電子放射 物質層 （ 1 1 ) の前面 （ 1 1 a) を前方に突出変形させる様に、 前記金属層 ( 9 ) が形成されることを特徴とする電子管用力ソードの製造方法。
1 8. 請求の範囲 1 Ίに記載の電子管用カソードの製造方法であって、 前記工程 （a) では、 前記力ソード基体 (7) の前面 （7a) に、 前記加熱手 段 （5) による加熱により前記カゾード基体 （7) に含まれる金属と合金化し て膨張することで前記カゾード基体 (7) の前面 （7 a) を突出変形させる金 属により、 前記金属層 （9) が形成されることを特徴とする電子管用力ソード の製造方法。
19. 請求の範囲 1 Ίに記載の電子管用カソ一ドの製造方法であって、 前記工程 （a) では、 前記力ソード基体 (7) の表面 （7 a) に凹凸が形成さ れ、 その凹凸上に前記金属層 （9) が形成されることを特徴とする電子管用力 ソードの製造方法。
20. 請求の範囲 18に記載の電子管用力ソードの製造方法であって、 前記工程 （a) では、 前記力ソード基体 (7) の前面 （7 a) に凹凸が形成さ れ、 その凹凸上に前記金属層 （9) が形成されることを特徴とする電子管用力 ソードの製造方法。
2 1. 請求の範囲 17に記載の電子管用力ソードの製造方法であって、 前記工程 （a) では、 前記金属層 （9) は、 複数個に分割されて分割されて前 記力ソード基体 （7) の表面 （7 a) に形成されることを特徴とする電子管用 力ソードの製造方法。
22. 請求の範囲 18に記載の電子管用カソ一ドの製造方法であって、 前記工程 （a) では、 前記金属層 （9) は、 複数個に分割されて分散されて前 記力ソード基体 （7) の表面 （7 a) に形成されることを特徴とする電子管用 力ソードの製造方法。
23. 請求の範囲 19に記載の電子管用カソードの製造方法であって、 前記工程 （a) では、 前記金属層 （9) は、 複数個に分散されて前記力ソード 基体 (7) の表面 （7 a) に形成されることを特徴とする電子管用力ソードの 製造方法。
24. 請求の範囲 20に記載の電子管用力ソードの製造方法であって、 前記工程 （a) では、 前記金属層 （9) は、 複数個に分散されて前記力ソード 基体 (7) の表面 （7 a) に形成されることを特徴とする電子管用力ソードの 製造方法。
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