WO2003105288A1 - スパイラルコンタクタ用の接触子、及びスパイラルコンタクタ - Google Patents

スパイラルコンタクタ用の接触子、及びスパイラルコンタクタ Download PDF

Info

Publication number
WO2003105288A1
WO2003105288A1 PCT/JP2003/007289 JP0307289W WO03105288A1 WO 2003105288 A1 WO2003105288 A1 WO 2003105288A1 JP 0307289 W JP0307289 W JP 0307289W WO 03105288 A1 WO03105288 A1 WO 03105288A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
contact
spiral
connection terminal
contactor
spiral contactor
Prior art date
Application number
PCT/JP2003/007289
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
平井 幸廣
Original Assignee
株式会社アドバンストシステムズジャパン
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社アドバンストシステムズジャパン filed Critical 株式会社アドバンストシステムズジャパン
Priority to US10/481,757 priority Critical patent/US6887085B2/en
Priority to AU2003242091A priority patent/AU2003242091A1/en
Priority to KR1020037017139A priority patent/KR100699471B1/ko
Priority to EP03736113A priority patent/EP1414118A4/en
Publication of WO2003105288A1 publication Critical patent/WO2003105288A1/ja

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/02Contact members
    • H01R13/22Contacts for co-operating by abutting
    • H01R13/24Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted
    • H01R13/2407Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted characterized by the resilient means
    • H01R13/2421Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted characterized by the resilient means using coil springs
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • G01R1/06711Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06716Elastic
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/32Holders for supporting the complete device in operation, i.e. detachable fixtures
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/04Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • G01R1/0408Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
    • G01R1/0433Sockets for IC's or transistors
    • G01R1/0441Details
    • G01R1/0466Details concerning contact pieces or mechanical details, e.g. hinges or cams; Shielding
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/04Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • G01R1/0408Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
    • G01R1/0433Sockets for IC's or transistors
    • G01R1/0483Sockets for un-leaded IC's having matrix type contact fields, e.g. BGA or PGA devices; Sockets for unpackaged, naked chips
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Definitions

  • the present invention relates to a contactor for a contactor for making an electrical connection with an electronic component. More specifically, the present invention relates to a contactor provided with a spiral (spiral) contact for making an electrical connection with a semiconductor device (electronic component) having a spherical connection terminal or a pad-like connection terminal.
  • a contactor provided with a spiral (spiral) contact for making an electrical connection with a semiconductor device (electronic component) having a spherical connection terminal or a pad-like connection terminal.
  • connection terminals can reduce the mounting area and installation space of the IC package and the thickness of the IC package itself.
  • the applicant of the present application has a contactor of a contactor that comes into contact with a spherical connection terminal having a spiral shape. It discloses a spiral contactor whose width becomes narrower as it goes from the base (proximal end) side to the distal end side of the contact.
  • FIG. 11 (a) shows one of the spiral contactors 30 disclosed in this application.
  • FIG. 11 (b) is a cross-sectional view taken along line FF shown in FIG. 11 (a).
  • the spiral contactor 30 is composed of a plurality of spiral contacts arranged in a grid on a substrate (hereinafter referred to as an insulating substrate) made of an insulating material.
  • 3 1 hereinafter referred to as spiral contact
  • Each spiral contact 31 has a circular shape, and is arranged in the vertical and horizontal directions at a predetermined distance from the adjacent spiral contact 31.
  • the arrangement of the spiral contactors 31 of the spiral contactor 30 is such that when the spiral contactor 30 is used as a contactor for making an electrical connection with an electronic component, the spiral contactor 31 is arranged in a grid pattern on a semiconductor device. It is set so that it can overlap one-to-one with the spherical connection terminal.
  • the interval p 1 is set.
  • a spiral (spiral) probe 32 is formed in the spiral contact 31, and a substantially circular space (space) having a diameter h is secured at the center.
  • the length of the probe 32 should be such that when it comes into contact with the spherical connection terminal, the contact length between the probe 32 and the spherical connection terminal is at least one rotation (exactly one rotation and 1/4 rotation). Is set.
  • the length of the probe 32 is set to such a length that when the probe 32 and the spherical connection terminal come into contact with each other, the probe 32 reliably contacts the spherical connection terminal and can maintain the electrical connection. I have.
  • the width dimension at each point a to f of the probe 32 has a shape that satisfies the relationship a> b> c> d> e> f. That is, the width of the probe 32 is set so as to be narrower toward the tip of the probe 32.
  • the spiral contactor 30 having such a spiral contact 31, as the probe 32 approaches the proximal end R from the distal end E of the probe 32, Since the width of the probe 32 is increased, the spiral contactors 31 are arranged at a narrow pitch in order to cope with the reduction in the diameter of the spherical connection terminal of the semiconductor device.
  • the number of turns (the contact length between the probe 32 and the spherical connection terminal) could not be increased, and the number of turns of the probe 32 was reduced.
  • Fig. 12 (a) is a partially enlarged plan view of the spiral contactor 40 in which the arrangement intervals of the spiral contactors 41 are set to a narrow pitch
  • Fig. 12 (b) is a G-G line thereof.
  • the width W of the probe 42 becomes narrower from the base end R to the tip end E of the probe 42.
  • the contact length between 2 and the spherical connection terminal is less than 1 rotation (exactly 3 Z 4 rotations), and there is a problem that sufficient contact between the spiral contact 41 and the spherical connection terminal is not ensured.
  • the semiconductor device can be used even if it is a very small pair chip.
  • a contactor that can ensure a sufficient contact length (at least one contact or more).
  • the present invention relates to a contactor for a spiral contactor for making an electrical connection with a connection terminal provided on an electronic component.
  • the contact includes an outer peripheral frame and a contact portion that contacts a connection terminal of the electronic component.
  • One end of the contact portion is fixed to the outer peripheral frame, and the other end of the contact portion is moved toward the center of the opening of the outer peripheral frame so as to be movable in the vertical direction with respect to the opening surface of the outer peripheral frame. It is provided so as to extend in a spiral shape.
  • the thickness of the contact portion is set so as to become thinner as going from one end to the other end.
  • the width of the contact portion of the contactor is made constant according to the width of the tip, and the thickness decreases from one end to the other end.
  • the number of turns of the contact portion extending spirally toward the center of the opening of the outer peripheral frame can be reduced.
  • the length of the contact portion that contacts the spherical connection terminal can be sufficiently ensured.
  • by gradually increasing the thickness of the contact part toward one end and gradually increasing the stiffness of the spiral part sufficient contact with the spherical connection terminal is ensured, and bending stress like a fishing rod is reduced.
  • a durable, long-lasting contact element is provided while exhibiting flexibility while dispersing.
  • the present invention relates to a spiral contactor provided with the above-mentioned contactor for a spiral contactor on a substrate.
  • the contact is embedded in the substrate such that the contact portion is flush with the surface of the substrate, and the substrate has a concave portion that allows the contact portion to move inward of the substrate.
  • the thickness of the spiral contactor can be reduced.
  • these contacts can be provided on the substrate in a precise and extremely small size by photolithography technology, they are also suitable for connection terminals of various microphone opening devices, which are becoming increasingly smaller and thinner. It is possible to respond.
  • FIG. 1 (a) is an enlarged plan view of a spiral contactor according to a first embodiment of the present invention
  • FIG. 1 (b) is a sectional view taken along line AA shown in FIG. 1 (a).
  • FIG. 2 (a) is a plan view showing another example of the spiral contactor shown in FIG. 1
  • FIG. 2 (b) is a cross-sectional view taken along line BB shown in FIG. 2 (a).
  • FIG. 2 (c) is a cross-sectional view showing a state in which the spherical connection terminal of the semiconductor device presses the spiral contact.
  • FIG. 3 is a process chart for explaining a method for manufacturing a spiral contactor according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 (a) is a cross-sectional view showing a state in which the spherical connection terminal is approaching the spiral contact of the spiral contactor installed on the board without the through hole
  • FIG. 4 (b) is a cross-sectional view showing a state where a spherical connection terminal is connected to a spiral contact
  • Fig. 4 (c) is a cross-sectional view showing a pad-shaped connection terminal instead of a spherical connection terminal.
  • Fig. 4 (d) is a connection of the pad-shaped connection terminal to the spiral contact of the spiral contactor. It is sectional drawing which shows a situation.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating the first half of a process for describing a method for manufacturing a spiral contactor according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining the latter half of the process for describing the method for manufacturing a spiral contactor according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 (a) shows a semiconductor device having a pad-like connection terminal and a semiconductor device having a spherical connection terminal approaching a spiral contactor formed by providing spiral contacts on both surfaces of a substrate. It is sectional drawing which shows a situation. Fig. 7
  • (b) is a cross-sectional view showing a state where the spherical connection terminal and the pad-like connection terminal are connected to a spiral contactor, respectively.
  • FIG. 8 is a diagram showing a case where the spiral contact according to the present invention is used as a switch for an electronic component or the like.
  • FIG. 8 (a) shows a switch having a configuration in which connection terminals are moved in parallel.
  • Fig. 8 (b) is an enlarged cross-sectional view taken along the line H-H shown in Fig. 8 (a), and
  • Fig. 8 (c) is a switch with a configuration that rotates the connection terminal about a fulcrum.
  • FIG. 8 (a) shows a switch having a configuration in which connection terminals are moved in parallel.
  • Fig. 8 (b) is an enlarged cross-sectional view taken along the line H-H shown in Fig. 8 (a)
  • Fig. 8 (c) is a switch with a configuration that rotates the connection terminal about a fulcrum.
  • FIG. 9 (a) is a diagram showing another example in which the spiral contact according to the present invention is used as a switch for an electronic component or the like.
  • FIG. 9 (b) is a cross-sectional view taken along the line DD
  • FIG. 9 (c) is a cross-sectional view showing a connected state.
  • FIG. 10 (a) is a diagram schematically showing FIG. 9 (a), and FIG. 10 (b) is a cross-sectional view taken along the line DD of FIG. 10 (a). is there.
  • Fig. 11 (a) is an enlarged plan view of a conventional spiral contactor.
  • Figure (b) is a cross-sectional view taken along line FF shown in Figure 11 (a).
  • Fig. 12 shows a conventional spiral contactor
  • Fig. 12 (a) is an enlarged plan view arranged on a sandwich pitch
  • Fig. 12 (b) is a diagram shown in Fig. 12 (a). It is sectional drawing of the GG line shown.
  • a spiral contactor according to the present invention is a contactor for making an electrical connection with a semiconductor device or an electronic component having a spherical connection terminal or a pad-like connection terminal.
  • the spiral contactor 10 is composed of a plurality of spiral contactors 1 arranged in a grid on a substrate (insulating substrate).
  • the arrangement of the spiral contact 1 is set in accordance with the arrangement of the spherical connection terminals arranged in a lattice on the back surface of the semiconductor device, and the spherical connection terminal and the spiral contact 1 are one-to-one. They are configured so that they can be electrically connected to semiconductor devices.
  • the interval (pitch) pl between the spiral contacts 1 is set to 0.4 mm.
  • the spiral contact 1 includes an outer peripheral frame T and a contact portion 1 '.
  • the outer peripheral frame T has a circular shape in plan view.
  • the outer peripheral frame T has a contact portion 1 ′ extending toward the center of the outer peripheral frame T so as to have a spiral shape in plan view. Have been killed.
  • the contact portion 1 has a base end fixed to the outer peripheral frame T and a non-fixed tip end E.
  • the width W of the contact portion 1 is from the base end R to the tip end E. The settings are the same.
  • the thickness of the contact portion 1 is set so as to become thinner from the base end R to the front end E. That is, the contact part 1 ′ Is set so that the thickness dimension at each point a to g is a>b>c>d>e>f> g.
  • the thickness of the contact portion 1 ′ is set so as to become thinner from the base end portion R toward the tip end portion E, because the number of turns of the spiral contact portion 1 is reduced to a spherical shape.
  • the connection terminal By securing the contact length with the connection terminal, gradually reducing the thickness and gradually reducing the strength of the waist of the contact part 1 ′, flexing stress is exerted while dispersing bending stress like a fishing rod, This is because a durable contact portion is used. In a pressing test using a spherical connection terminal, the durability of this contact part 1, 200,000 times has been proved.
  • the length from the base end R to the tip end E of the contact part 1 is such that when the contact part 1 ′ is brought into contact with the spherical connection terminal, the contact part 1 ′ contacts the surface of the spherical connection terminal.
  • Length (total contact length) Force The length is set to at least two and three to four rotations of the spherical connection terminal.
  • the spiral contact 1 having the contact portions 1 is embedded in the insulating substrate 6 with the outer peripheral frame T of the spiral contact 1 fixed to the insulating substrate 6. At this time, the contact portions 1 and the surface of the insulating substrate 6 are set to be flush with each other.
  • the tip E of the contact portion 1 is not fixed, the tip E of the contact portion 1 ′ is movable in the vertical direction with respect to the opening surface of the outer peripheral frame T. Therefore, the tip end E side of the contact portion 1 of the spiral contact 1 buried in the insulating substrate 6 can move vertically with respect to the surface of the insulating substrate 6.
  • a substantially circular space is provided at the center of the spiral contact 1 in order to avoid contact with the center of the spherical connection terminal.
  • the edge EG of the contact portion 1 is in contact with the spherical connection terminal so as to cling to the spherical connection terminal, when the spherical connection terminal presses the spiral contact 1, the contact portion 1 Since the edge EG of the 1 'slides on the surface of the spherical connection terminal, the oxide film formed on the surface of the spherical connection terminal can be removed. Furthermore, the reliability of the electrical connection with the electronic component can be improved by ensuring that the edge of the contact portion 1 'comes into contact with the spherical connection terminal.
  • a guide frame 12 is provided on the insulating substrate 6 and the spiral contact 1.
  • the guide frame 12 comes into contact with the spherical connection terminal 7 provided on the semiconductor device 8 and the spiral contact 1, and when the contact portion 1 is pressed downward with respect to the insulating substrate 6 and moves, It is provided to limit the amount of vertical movement. Subsequently, the operation of the spiral contactor 10 having such a configuration will be described below.
  • the edge EG of the contact portion 1 slides on the surface of the spherical connection terminal 7. Therefore, if an oxide film is formed on the surface of the spherical connection terminal 7 Even if they adhere, they are reliably removed by the contact parts 1 and 2. As a result, the surface state of the spherical connection terminal 7 is maintained, so that the electrical contact between the spherical connection terminal 7 and the spiral contactor 10 can be performed more reliably.
  • a metal layer gold plated layer
  • the edge EG of the metal layer formed by plating 2 becomes fluffy. The oxide film formed on the surface of the terminal 7 can be reliably removed by the fluff.
  • spiral contact 1 This is to prevent rust from being generated on the contact surface.
  • FIG. 3 is a process chart for explaining the manufacturing method according to the first embodiment of the present invention.
  • a metal film (copper plating) 4a is formed on the surface of a metal plate such as SUS (stainless steel) (step 1), and a photoresist film 15 is applied on the metal film.
  • a photomask 16 having the pattern of 1 is arranged (step 2).
  • development processing is performed to remove the excess photoresist film 15 (step 3).
  • a plating layer is provided in the order of a gold plating layer 4 b, a nickel plating layer 4 c, and a gold plating layer 4 b, and a contact portion is provided. 1 and are formed (Step 4).
  • the reason why the gold plating layers are provided on the upper surface and the lower surface of the nickel layer as described above is to prevent rust from being generated on the contact surface of the spiral contact 1 with the spherical connection terminal. Further, the spiral contact 1 is mainly made of nickel because nickel has excellent spring characteristics and durability, so that the contact portion 1 ′ of the spiral contact 1 has improved durability. Because.
  • gold is used to prevent rust from being generated in the contact portion 1 ′, but other metals may be used as long as they are hardly oxidized and have excellent conductivity. Is also good.
  • BeCu beryllium copper
  • the SUS (stainless steel) metal plate is removed (step 5), the photoresist film 15 is removed to form the spiral contact 1, and the carrier tape 24 is attached to the upper surface of the gold plating 4b. (Step 6).
  • the metal film (copper plating) 4 a is removed by etching, and a plurality of protrusions corresponding to the size of the spiral contact 1 are formed on a pallet 22 formed on one side, and with a carrier tape 24. Attach spiral contact 1 (Step 7)
  • the carrier tape 24 having the spiral contact 1 stuck to the projection of the pallet 22 is vacuum-adsorbed (step 8).
  • step 9 the portion of the spiral contact 1 raised by the protrusion of the knurling 22 is removed by grinding with a grindstone 25 (step 9), and then the pallet 22 is removed (step 10).
  • an insulating substrate 6 treated with a conductive adhesive or solder is prepared, and the spiral contact 1 is attached to the insulating substrate 6 (step 11).
  • the carrier tape 24 is irradiated with UV light (ultraviolet light) to remove the carrier tape 24 (step 12), and then the guide frame 12 is set on the spiral contact 1 (step 13). ).
  • UV light ultraviolet light
  • microfabrication can be achieved by using photolithography technology, such as force laying, exposure and development, and etching on the resist film, and plating manufacturing technology.
  • the spiral contact 1 can be manufactured by using electron beam processing or other fine processing, and these may be added to the above-described steps.
  • FIG. 4 is an explanatory view showing a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 (a) shows a spiral contactor 2 of a spiral contactor 20 provided on an insulating substrate 6 having no through hole.
  • FIG. 4 (b) is a cross-sectional view illustrating a state in which the spherical connection terminal 7 is connected to the spiral contact 2.
  • the insulating substrate 6 has no through holes, On the surface of the insulating substrate 6, a spiral contact 2 provided in a direction opposite to the insulating substrate 6 so that the contact portions 2 are swelled is disposed.
  • the spiral contact 2 When the spiral contact 2 is pressed by the spherical connection terminal 7 and the contact 2 is moved toward the insulating substrate 6, the spiral contact 2 allows deformation of the contact 2.
  • the pedestal C is provided so as to be raised from the insulating substrate 6.
  • the contact portion 2 is provided between the insulating substrate 6 and the spiral contactor 2. The space which allows deformation of 'is secured. Therefore, the spiral contactor 20 according to the present invention can be suitably employed even if the insulating substrate 6 has no through hole.
  • a guide frame 12 is provided on the outer peripheral frame of the spiral contact 2.
  • the guide frame 12 is used for positioning when the spherical connection terminal 7 is brought into contact with the spiral contact 2, and for guiding the spherical connection terminal 7 to the spiral contact 2.
  • the guide frame 12 comes into contact with the semiconductor device 8, so that the spiral contact 2 is pressed by the spherical connection terminal 7 and moves to the insulating substrate 6 side.
  • uniform contact of the spherical connection terminal 7 with the spiral contact 2 without variation is ensured.
  • FIG. 4 (c) is a diagram illustrating a case of an insulating substrate 6 using pad-shaped connection terminals 13 instead of the spherical connection terminals 7.
  • FIG. 4 (c) is a diagram illustrating a case of an insulating substrate 6 using pad-shaped connection terminals 13 instead of the spherical connection terminals 7.
  • FIG. 4 (d) is a diagram showing a state in which the insulating substrate 6 using the pad-like connection terminals 13 and the spiral contactor 20 are in contact.
  • the pedestal C can be omitted, so that the height of the guide frame 12 is reduced and the spiral contactor 2 The thickness of 0 can be reduced.
  • spherical connection terminals By using the pad-shaped connection terminals 13 instead of 7, the thickness of the semiconductor device 8 having the pad-shaped connection terminals 13 can be reduced, so that the semiconductor device 8 can be further thinned. Manufacturing method of spiral contactor 20
  • FIG. 5 and FIG. 6 are process diagrams for explaining a method of manufacturing the spiral contactor 20 according to the second embodiment of the present invention.
  • a metal film (copper plating) 4a having a thickness of, for example, about 20 to 60 ⁇ m is formed on the surface of a SUS (stainless steel) metal plate (step 1), and the metal film (copper plating) is formed.
  • a photoresist film 15 is applied on 4a, and a photomask 16 having a pattern of the spiral contact 2 is arranged thereon (step 2).
  • the photoresist film 15 is exposed and developed to remove the excess photoresist film 15 (step 3).
  • a nickel (Ni) plating 4c is applied on the metal film (copper plating) 4a exposed in the photoresist film 15 to form a spiral contact 2 (step 4). .
  • the plating process is performed by providing a plating layer in the order of a gold plating layer, a nickel plating layer, and a gold plating layer on the metal film (copper plating) 4a as in the above-described embodiment. It is also possible.
  • Step 5 the SUS metal plate is removed (Step 5), and a pallet 27 having a plurality of convex portions formed on one side according to the size of the spiral contact 2 on the side where the SUS is provided. Is prepared, and the spiral contact 2 is brought into contact with the convex portion of the pallet 27 by vacuum suction to form a convex shape (steps 6 and 7).
  • the material of the pallet may be SUS or other metal plate.
  • step 8 a portion of the spiral contactor 2 raised by the convex portion of the pallet 27 is removed by grinding with a grinding wheel 25 for surface grinding, and then the pallet 27 is removed (step 8).
  • a gold plating 4b is applied to the polished surface of the spiral contact 2 (step 9).
  • the photoresist film (dry film) 15 is removed (step 10), and a guide frame 12 made of a perforated polyimide film is heat-pressed (step 11).
  • a photoresist film 15 is applied to the lower surface of the metal film of the copper plating 4a, a photomask 16 is arranged (step 12), and the photoresist film 15 is exposed (step 13), and then developed. Processing is performed to remove the excess photoresist film 15.
  • the exposed metal film (copper plating) 4a is removed by etching (step 16).
  • the pallet 23 is attached as a reinforcing material to the upper surface of the guide frame 12 in order to prevent the spiral contact 2 from breaking down (step 17).
  • a convex tool 14 composed of a centering mandrel 14a at the center and a helical shoulder 14b for one rotation provided on the outer periphery of the mandrel 14a is prepared. (Step 18).
  • the convex tool 14 may be a single tool or a tool in which a plurality of tools are put together according to the number and arrangement of the spiral contacts 2 formed on the insulating substrate 6. Is also good.
  • the spiral contact 2 is pressed by the convex tool 14 toward the pallet 23 to perform the plastic working of the spiral contact 2 (step 19).
  • the amount of pressing by the convex tool 14 is preferably 2 to 2.5 times that when the diameter ⁇ of the through hole 3 is 1.
  • the convex tool 14 is removed from the spiral contact 2 and the pallet 23 is removed (step 20).
  • Step 21 Apply solder reflow or conductive adhesive to the insulating substrate 6 where no through hole is provided (Step 21), and bond the spiral contact 2 of the spiral contactor to the insulating substrate 6 with the solder rib opening or conductive adhesive. (Step 22).
  • a spiral contactor provided with the bulging spiral contact 2 is formed on the insulating substrate 6 having no through hole in the direction opposite to the insulating substrate 6. be able to.
  • FIG. 7 is a diagram showing a spiral contactor 30 having the above-mentioned spiral contact 2 provided on both surfaces of an insulating substrate 6.
  • connection terminal of the semiconductor device 8 to be inspected is a spherical connection terminal 7
  • connection terminal of the semiconductor device 9 connected to the semiconductor inspection apparatus is a pad-like connection terminal. The case of is shown.
  • the semiconductor device 9 is connected to a semiconductor inspection device (not shown), by connecting the object to be inspected and the semiconductor inspection device via the spiral contactor 30, the wiring state of the object to be inspected, etc. Inspection can be performed.
  • the spiral contacts 2 shown in FIG. 7 have the same shape, and only the thickness of the guide frame 12 is different.
  • FIG. 7 shows a case where the connection terminal of the semiconductor device 8 is a spherical connection terminal and the connection terminal of the semiconductor device 9 is a pad-like connection terminal 13.
  • the selection of the connection terminal can be changed, for example, when both connection terminals are spherical connection terminals or when both connection terminals are pad-shaped connection terminals 13.
  • the spiral contactor 30 according to the present invention is provided on both surfaces of the insulating substrate 6, the thickness of the contactor itself can be further reduced.
  • the semiconductor device itself can be downsized.
  • the book Since the spiral contactor according to the present invention has excellent connection characteristics with the connection terminal of the semiconductor device 8, if the contactor having such a configuration is adopted as a contactor of a semiconductor inspection device of a semiconductor device, the detection accuracy of the semiconductor device will be improved. It can be improved. Fourth embodiment>
  • FIGS. 8 (a) to 8 (c) are diagrams showing an example in which the spiral contactor according to the present invention is applied to a switch such as an electronic component.
  • the switch 18 is composed of a female switch 18a and a female switch 18b.
  • the switch 18a is provided with a spiral contact 18c having the same configuration as the above-mentioned spiral contact, and the spiral contact 18c is connected to a power supply (not shown). ing.
  • the switch 18b is provided with a connection terminal 7 connected to an electronic component (equipment) not shown, for example, the above-mentioned spherical connection terminal.
  • the switch 18b when the switch 18b is moved in the direction indicated by the arrow in the figure, the connection terminal 7 provided on the switch 18b comes into contact with the spiral contact 18c, and the power supply (not shown) and the power supply (not shown) An electronic component is connected. In other words, the switch is turned ON and power is supplied to the electronic components (equipment).
  • the spiral contactor according to the present invention is manufactured using the micromachining technology, so that the switch manufactured using the spiral contactor according to the present invention is a thin and small switch. be able to.
  • the thickness t2 of the female switch 18b and the thickness t1 of the female switch 18a is the total thickness t of the credit card (0. 7 mm).
  • the spiral contactor according to the present invention can be suitably used as a switch used for various nanodepises.
  • the female switch 19a or the female switch 19b May be configured to rotate about the fulcrum 19c.
  • FIGS. 9 (a) to 9 (c) are diagrams showing other examples in which the spiral contactor according to the present invention is applied to a switch 50 such as an electronic component.
  • FIG. 10 (a) is a diagram schematically showing FIG. 9 (a)
  • FIG. 10 (b) is a schematic cross section taken along line D-D of FIG. 10 (a).
  • FIG. 10 (a) is a diagram schematically showing FIG. 9 (a)
  • FIG. 10 (b) is a schematic cross section taken along line D-D of FIG. 10 (a).
  • this switch is composed of a switch 50a and a female switch 50b.
  • the switch 50a is provided with connection terminals 51a and 51b that are not electrically connected.
  • a spiral contact 40 is provided on the female switch 5 Ob.
  • the spiral contact 40 is provided with a contact 41 and a contact 42 (see FIGS. 10 (a) and 10 (b)).
  • the contact 41 has a spiral shape as in the case of the contact portion 1 described above, and the thickness of the contact 41 is set so as to become thinner toward the distal end side.
  • the base end R of the contact 41 is fixed to the outer peripheral frame T of the spiral contact 40, and the contact 41 spirally moves upward from the base end R which is a connection point with the outer peripheral frame T. It is provided in an extended state. That is, as shown in FIG. 10 (b), in the contact 41, the point m is located at the lowermost position, and gradually moves upward as it goes to the points 1 and h. I have.
  • the contact 42 is fixed to the substrate at an end i thereof, and is provided in a state of extending upward from the end i in a spiral. That is, as shown in FIG. 10 (b), in the contact 42, the point i is located at the lowest position, and then gradually moves upward as the position proceeds to the points k and j. ing. That is, the spiral contact 40 is provided with a contact 42 having a large spiral radius and a contact 41 having a small spiral radius, that is, a total of two contacts. Then, when pressed by the contact terminals 51a and 51b from the upper side, the contacts 40 and 41 move downward. It is configured to be able to move.
  • the switch 50 having such a configuration employs a contactor that is extremely small and has two electric paths. Therefore, the switch used for the seed nanodepice and the probe part of a semiconductor chip inspection device are used. Can also be suitably used.
  • the present invention can be variously modified and changed within the scope of the technical concept.
  • the present invention is characterized by performing fine processing by photolithography technology and plating manufacturing technology, and it naturally extends to manufacturing methods using this technology.
  • the contactor for spiral contactors which concerns on this invention, it can contact reliably with the connection terminal of various electronic components whose microminiaturization progresses, and can ensure the electrical connection with an electronic component.

Abstract

本発明は、電子部品に設けられた接続端子との電気的接続を行うスパイラルコンタクタ用の接触子に関するものである。この接触子は、外周枠と、接続端子に接触する接触部とを含んで構成される。接触部の一端は外周枠に固定されており、接触部の他端側は、外周枠の開口面に対して鉛直方向に移動自在となるように、外周枠の開口の中央に向かってスパイラル状に延出させて設けられている。そして、接触部の厚みは、一端から他端側に進むに従って薄くなるように設定されている。

Description

明細書
スパイラルコンタクタ用の接触子、 及びスパイラルコンタクタ 技術分野
この発明は、 電子部品との電気的接続を行うコンタクタ用の接触子に関するも のである。 より詳しくは、 球状接続端子又はパッド状接続端子を有する半導体デ パイス (電子部品) との電気的接続を行う渦巻 (スパイラル) 形状の接触子を備 えたコンタクタに関するものである。 背景技術
近年の半導体集積回路( I c)の多機能化、高性能化に伴って、 I Cチップ(半 導体デバイス、 または単に半導体と称する) を搭載する I Cパッケージの高密度 実装化が要求されている。 その結果、 比較的小型で、 多ピン化が可能な球状接続 端子の BGA (B a l l Gr i d A r r a y ) 力 従来用いられてきた Q F P (Qu a d F 1 a t p a c k P a c k a g e) 等に代わって、 用いられる ようになつている。
これは、 球状接続端子を採用すると、 I Cパッケージの装着面積や設置スぺー スを削減することや、 I Cパッケージ自身の厚さの削減が可能となることによる ものである。
この小型化の傾向は、 近年急速に進歩しており、 球状接続端子自身もより小型 化する傾向がある。実際の所、球状接続端子のピッチ間隔は、 0. 5 mmから 0. 3 mmへと、 さらなる挟ピッチィ匕が進行している。
このような状況のもと、 球状接続端子と電気的に接続する接触子にも小型化と 高集積化への対応が求められている。
先に、 本願出願人は、 特願 2001— 077338号 (2001. 3. 19出 願) において、 球状接続端子と接触するコンタクタの接触子が渦卷の形状を有し ており、 この接触子の幅が、 接触子の根元 (基端) 側から先端側に進むにしたが つて狭くなるスパイラルコンタクタを開示している。
図 1 1 (a) は、 この出願において開示されたスパイラルコンククタ 30の一 部を拡大して表した平面図であり、 図 1 1 ( b ) は、 図 1 1 ( a ) に示す F— F 線の断面図である。
図 1 1 ( a ) に示すように、 スパイラルコンタクタ 3 0は、 絶縁性材料から構 成された基板 (以下、 絶縁基板という) 上に、 格子状に配置された複数のスパイ ラル状の接触子 3 1 (以下、 スパイラル状接触子という) 力 構成される。 各スパイラル状接触子 3 1は、 円形形状を有しており、 隣接するスパイラル状 接触子 3 1から、 所定距離ずつ離間した状態で縦横方向に並べられている。 このスパイラルコンタクタ 3 0の各スパイラル状接触子 3 1の配置は、 このス パイラルコンタクタ 3 0が、 電子部品との電気的接続を行うコンタクタとして使 用された際に、 半導体デバイスに格子状に配置された球状接続端子と一対一で重 なることができるように設定されている。
この図に示すスパイラルコンタクタ 3 0では、 半導体デパイスに配置される球 状接続端子の直径を考慮して、 スパイラル状接触子 3 1の中央部から、 隣接する スパイラル状接触子 3 1の中央部までの間隔 p 1が設定されている。
このスパイラル状接触子 3 1には、 スパイラル (渦巻き) 状のプローブ 3 2が 形成されており、 中心部には直径 hとする略円形のスペース (空間) が確保され ている。
このプローブ 3 2の長さは、 球状接続端子と接触した際に、 プローブ 3 2と球 状接続端子との接触長が 1回転以上 (正確には 1回転と 1 / 4回転) となるよう に設定されている。
すなわち、 このプローブ 3 2の長さは、 当該プローブ 3 2と球状接続端子とが 接触した際に、 球状接続端子と確実に接触して、 電気的接続を保つことのできる 長さに設定されている。
また、 図 1 1 ( a ) に示すように、 プローブ 3 2の各点 a〜 f における幅寸法 は、 a > b > c > d〉e〉f の関係が成立する形状となっている。 すなわち、 プ ローブ 3 2の先端に近づくに従って、 プローブ 3 2の幅が狭くなるように設定さ れている。
しかしながら、 このようなスパイラル状接触子 3 1を備えたスパイラルコンタ クタ 3 0では、 プローブ 3 2の先端部 Eから基端部 Rに近づくにしたがって、 当 該プローブ 3 2の幅が広くなるので、 半導体デバイスの球状接続端子の小径化に 対応させるためにスパイラル状接触子 3 1を挟ピッチで並べてスパイラルコンタ クタ 3 0を構成すると、 プローブ 3 2の卷き数 (プローブ 3 2と、 球状接続端子 との接触長) を多く取ることができず、 プローブ 3 2の卷き数が減少することに なった。
図 1 2 ( a ) は、 スパイラル状接触子 4 1の配置間隔が挟ピッチに設定された スパイラルコンタクタ 4 0を部分拡大した平面図であり、 図 1 2 ( b ) は、 その G— G線の断面図である。
すなわち、 図 1 2 ( a ) に示すように、 このスパイラルコンタクタ 4 0では、 プローブ 4 2の基端部 Rから先端部 Eに進むにしたがって当該プローブ 4 2の幅 Wが狭くなるので、プローブ 4 2と、球状接続端子との接触長は、 1回転以下(正 確には 3 Z 4回転) となり、 スパイラル状接触子 4 1と、 球状接続端子との十分 な接触が確保されないという問題があつた。
また、 球状接続端子による押し込みを可能にする揷通孔 (凹部) 力 超薄型化 をするために絶縁基板に設けられていない場合には、 当該絶縁基板にスパイラル コンタクタを採用することができないという問題があった。
このような状況のもと、 球状接続端子の設置間隔が、 より挟ピッチ化した半導 体デパイスゃ超小型のペアチップであっても、使用することが可能であり、かつ、 球状接続端子との接触長さ (少なくとも 1回転以上の接触長さ) を十分確保する ことのできるコンタクタに対する要求があった。
さらに、 揷通孔が設けられていない絶縁基板であっても採用が可能なコンタク タに対する要求も存在していた。 発明の開示
本発明は、 電子部品に設けられた接続端子との電気的接続を行うスパイラルコ ンタクタ用の接触子に関するものである。 この接触子は、 外周枠と、 電子部品の 接続端子に接触する接触部とを含んで構成される。
接触部の一端は外周枠に固定されており、 接触部の他端側は、 外周枠の開口面 に対して鉛直方向に移動自在となるように、 外周枠の開口の中央に向かってスパ ィラル状に延出させて設けられている。 そして、 接触部の厚みは、 一端から他端 側に進むに従つて薄くなるように設定されている。
このような構成を備えたスパイラルコンタクタ用の接触子によれば、 接触子の 接触部は、 幅を先端の幅に合わせて一定にし、 一端から他端に近づくに従って厚 みが薄くなつているので、 外周枠の開口の中央部に向かってスパイラル状に延出 する接触部の卷き数を增やすことができる。 その結果、 球状接続端子と接触する 接触部の長さを十分に確保することができる。 さらに、 接触部の厚みを一端側に 向かうに従って次第に厚くして渦巻き部の腰の強さを次第に強くすることにより、 球状接続端子との接触を十分に確保すると共に、 釣竿のように曲げ応力を分散し ながら、 しなりを発揮させ、 耐久性のある、 高寿命の接触子が提供される。
さらに本発明は、 前述のスパイラルコンタクタ用の接触子を、 基板に備えるス パイラルコンタクタに関するものである。
このスパイラノレコンタクタでは、 接触子は、 接触部が基板の表面と面一になる ように基板に埋設されており、 基板には、 接触部の、 基板の内方への移動を許容 する凹部が設けられる。
このような構成を備えたスパイラルコンタクタでは、 接触子の接触部が基板の 表面と面一になるように基板内に埋設されるので、 スパイラルコンタクタの厚み を薄くすることが可能である。
さらに、 これら接触子は、 フォトリソグラフィ技術により、 精密かつ極小サイ ズで基板上に複数設けることができるので、 超小型化、 超薄型化が進行する各種 マイク口デバイスの接続端子にも好適に対応することが可能である。 図面の簡単な説明
第 1図 (a ) は、 本発明の第 1実施形態であるスパイラルコンタクタの拡大平 面図であり、 第 1図 (b ) は、 第 1図 (a ) に示す A— A線の断面図である。 第 2図 (a ) は、 第 1図に示すスパイラルコンタクタの他の例を示す平面図で あり、 第 2図 (b ) は第 2図 (a ) に示す B— B線の断面図、 第 2図 (c ) は、 半導体デバイスの球状接続端子がスパイラル状接触子を押圧する様子を示す断面 図である。 第 3図は、 本発明の第 1実施形態であるスパイラルコンタクタの製造方法を説 明するための工程図である。
第 4図 (a) は、 揷通孔の設けられていない基板に設置されたスパイラルコン タクタのスパイラル状接触子に球状接続端子を接近させている様子を示す断面図、 第 4図 (b) は、 スパイラル状接触子に球状接続端子を接続させた様子を示す断 面図である。 また、 第 4図 (c) は、 球状接続端子の代わりにパッド状接続端子 を示す断面図、 第 4図 (d) は、 スパイラルコンククタのスパイラル状接触子に パッド状接続端子と接続させた様子を示す断面図である。
第 5図は、 本発明の第 2実施形態のスパイラルコンタクタの製造方法を説明す るための工程の前半を説明する図である。
第 6図は、 本発明の第 2実施形態のスパイラルコンタクタの製造方法を説明す るための工程の後半を説明する図である。
第 7図 (a) は、 スパイラル状接触子を基板の両面に設けて構成されるスパイ ラルコンタクタに、 パッド状接続端子を有する半導体デバイスと、 球状接続端子 を有する半導体デバイスとを接近させている様子を示す断面図である。 第 7図
(b) は、 球状接続端子とパッド状接続端子とを、 それぞれ、 スパイラルコンタ クタに接続させた様子を示す断面図である。
第 8図は、 本発明に係るスパイラル状接触子を、 電子部品等のスィツチとして 利用した場合を示す図であり、 第 8図 (a) は、 接続端子を平行に移動させる構 成のスィッチの平面図、 第 8図 (b) は、 第 8図 (a) に示す H— H線の拡大断 面図、 第 8図 (c) は、 支点を中心に接続端子を回動させる構成のスィッチの平 面図である。
第 9図 (a) は、 本発明に係るスパイラル状接触子を、 電子部品等のスィッチ として利用した場合の他の例を示す図であり、 '第 9図 (b) に示す E矢視のスパ イラル状接触子の平面図であり、第 9図(b)は、 D— D線の断面図、第 9図(c) は、 接続した状態を示す断面図である。
第 1 0図 (a) は、 第 9図 (a) を概略的に表した図であり、 第 1 0図 (b) は、 第 1 0図 (a) の D— D線の断面図である。
第 1 1図 (a) は、 従来のスパイラルコンタクタの拡大平面図であり、 第 1 1 図 (b ) は、 第 1 1図 (a ) に示す F— F線の断面図である。
第 1 2図は、 従来のスパイラルコンタクタを示し、 第 1 2図 (a ) は、 挟ピッ チに配置した拡大平面図であり、 第 1 2図 (b ) は第 1 2図 (a ) に示す G— G 線の断面図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施態様を詳細に説明する。
<第 1実施形態 >
ス^^ィラノレコンタクタ 1 0
本発明に係るスパイラルコンタクタは、 球状接続端子又はパッド状接続端子を 有する半導体デパイス又は電子部品との電気的接続と行うコンタクタである。 第 1図 (a ) に示すように、 スパイラルコンタクタ 1 0は、 基板 (絶縁基板) 上に格子状に配置された複数のスパイラノレ状接触子 1から構成される。
このスパイラル状接触子 1の配置は、 半導体デバイスの背面に格子状に配置さ れた球状接続端子の配置に合わせて設定されており、 球状接続端子とスパイラル 状接触子 1とが、 一対一で重なって、 半導体デバイスとの電気的接続が可能とな るように構成される。
ここで、 本実施の形態のスパイラルコンタクタ 1 0では、 スパイラル状接触子 1の間の間隔 (ピッチ) p lが、 0 . 4 mmに設定されている。
このスパイラル状接触子 1は、 外周枠 Tと接触部 1 ' とを含んで構成される。 外周枠 Tは、 平面視円形形状を有しており、 この外周枠 Tには、 平面視してス パイラル形状を有するように外周枠 Tの中央に向かって延在する接触部 1 ' が設 けられている。
この接触部 1, は、 外周枠 Tに固定された基端部 と、 固定されていない先端 部 Eを有しており、 接触部 1, の幅 Wは、 基端部 Rから先端部 Eまで同一に設定 されている。
また、 第 1図 (b ) に示すように、 この接触部 1, の厚さは、 基端部 Rから先 端部 Eに向かうに従って、薄くなるように設定されている。すなわち、接触部 1 ' は、 各点 a〜 gにおける厚み寸法が、 a〉b〉c〉d > e > f 〉gとなる形状に 設定されている。
ここで、 接触部 1 ' の厚さを、 基端部 Rから先端部 Eに向かうに従って、 薄く なるように設定するのは、 スパイラル形状の接触部 1, の卷き数を增やして球状 接続端子との接触長を確保する、 厚みを次第に薄くして接触部 1 ' 自身の腰の強 さを次第に弱くすることにより、 釣竿のように曲げ応力を分散しながらしなりを 発揮させて、耐久性のある接触部とする、といった理由によるものである。なお、 球状接続端子を用いた押圧試験では、 この接触部 1, は、 2 0万回の耐久性が実 証されている。
この接触部 1, の基端部 Rから先端部 Eまでの長さは、 接触部 1 ' と球状接続 端子とが接触させられた際に、接触部 1 'と球状接続端子の表面との接触長さ(接 触全長) 力 少なくとも球状接続端子の 2回転と 3ノ4回転分確保される長さに 設定されている。
この接触部 1, を備えたスパイラル状接触子 1は、 スパイラル状接触子 1の外 周枠 Tが絶縁基板 6に固定された状態で、 絶縁基板 6中に埋め込まれている。 こ の際、 接触部 1, と絶縁基板 6の表面とが、 面一となるように設定されている。 ここで、 接触部 1, の先端部 Eは固定されていないので、 接触部 1 ' の先端部 E側は、 外周枠 Tの開口面に対して鉛直方向に移動可能となっている。 よって、 絶縁基板 6に埋設されたスパイラル状接触子 1の接触部 1, の先端部 E側は、 絶 縁基板 6の表面に対して上下方向に移動可能となっている。
なお、 スパイラル状接触子 1の中心部には、 球状接続端子の中心部との接触を 避けるために、 略円形のスペース (空間) が設けられている。
これは、 次の理由によるものである。
1 . スパイラル状接触子 1と球状接続端子とが接触した際に、 接触部 1, を、 球 状接続端子にまとわり付くように接触させる。
2 . 接触部 1, を球状接続端子に巻き付;^せ、 接触部 1, のエッジ E Gを確実に 球状接続端子に接触させる。
このように、 接触部 1, のエッジ E Gが、 球状接続端子にまとわり付くように 接触していると、 球状接続端子がスパイラル状接触子 1を押圧した際に、 接触部 1 ' のエッジ E Gが球状接続端子の表面を摺動するので、 球状接続端子の表面に 形成された酸化膜を、 除去することができる。 さらに、 接触部 1 ' のエッジが、 球状接続端子に確実に接触することにより、 電子部品との電気的接続の信頼性を 高めることができる。
第 2図に示すスパイラルコンタクタ 1 0では、 絶縁基板 6及ぴスパイラル状接 触子 1の上に、 ガイドフレーム 1 2が設けられている。
このガイドフレーム 1 2は、半導体デバイス 8に設けられた球状接続端子 7力 スパイラル状接触子 1に接触し、 接触部 1, が絶縁基板 6に対して下方向に押圧 されて移動する際の、 上下方向の移動量を制限するために設けられている。 つづいて、 このような構成を備えたスパイラルコンタクタ 1 0の動作を以下に 説明する。
第 2図 (c ) に示すように、 半導体デバイス 8の球状接続端子 7がスパイラル 状接触子 1に接触し、 接触部 1, が絶縁基板 6に対して下方向に押圧されると、 接触部 1 ' の先端部 E側は固定されていないので、 接触部 1, の先端部 E側は絶 縁基板 6に対して下方向に移動する。 この際、 球状接続端子 7は、 接触部 1 ' の 中央側から外側に順次接触するので、 接触部 1 ' は、 凹状にたわみ、 球状接続端 子 7を抱き込むように変形する。
この接触部 1 ' が変形する際に、 接触部 1, のエッジ E Gは、 球状接続端子 7 の表面を摺動するので、 球状接続端子 7の表面に酸化皮膜が形成されている場合 や汚れが付着している場合であっても、 これらは、 接触部 1, により確実に除去 される。 その結果、 球状接続端子 7の表面状態が保たれるので、 球状接続端子 7 とスパイラルコンタクタ 1 0との電気的接触がより確実に行えるようになる。 尚、 本実施の形態では、 第 2図 (b ) に示すように、 この接触部 1 ' には、 二 ッケル層の上面と下面とに金からなる金属層 (金メッキ層) が形成されている。 ニッケル層の上面と下面とに金属層をメツキにより設けると、 メツキ 2より形成 された金属層のェッジ E Gが毛羽立つので、 当該ェッジ E Gが球状接続端子 7の 表面を摺動する際に、 球状接続端子 7の表面に形成された酸化皮膜を、 この毛羽 立ちにより確実に除去することができる。
さらに、 この金属層の存在により、 スパイラル状接触子 1の球状接続端子との 接触面にさびが発生することを防止するためである。 スパイラルコンタクタ 1 0の製造方法
次に、 本実施の形態のスパイラル状接触子 1を絶縁基板 6に形成する製造方法 を詳細に説明する。
第 3図は、 本発明の第 1実施形態の製造方法を説明するための工程図である。 はじめに、 S U S (ステンレス) 等の金属板の表面に、 金属膜 (銅メツキ) 4 aを形成 (工程 1 ) し、 この金属膜の上にフォトレジスト膜 1 5を塗布した後、 スパイラル状接触子 1のパターンを有するフォトマスク 1 6を配置する(工程 2 )。 つづいて、 フォトレジスト膜 1 5を露光したのち、 現像処理をして、 余分なフ オトレジスト膜 1 5を除去する (工程 3 )。
そして、 フォトレジスト膜 1 5内で露出している金属膜 (銅メツキ) 4 aの上 に、 金メッキ層 4 b、 ニッケルメツキ層 4 c、 金メッキ層 4 bの順でメツキ層を 設け、 接触部 1, を形成する (工程 4 )。
このように、 ニッケル層の上面と下面とに金メッキ層を設けるのは、 前述した ように、 スパイラル状接触子 1の球状接続端子との接触面にさびが発生すること を防止するためである。 また、 スパイラル状接触子 1を主にニッケルから構成し たのは、 ニッケルは、 バネ特性に優れ、 耐久性もあるので、 このスパイラル状接 触子 1の接触部 1 ' の耐久性が良くなるからである。
なお、 本実施の形態では、 接触部 1 ' にさびが生じることを防止するために金 を用いているが、 酸ィ匕されにくく導電性に優れた金属であれば、 他の金属を用い ても良い。 たとえば、 このような材料として、 ベリリウム銅 (B e C u ) が好適 に使用可能である。
つづいて、 S U S (ステンレス) の金属板の取り外し (工程 5 ) を行い、 フォ トレジスト膜 1 5を除去してスパイラル状接触子 1とした後、 金メッキ 4 bの上 面にキャリアテープ 2 4を貼付する (工程 6 )。
そして、 金属膜 (銅メツキ) 4 aをエッチングで除去し、 スパイラル状接触子 1の大きさに合わせた複数の凸部が、 片面側に形成されたパレツト 2 2に、 キヤ リアテープ 2 4で、 スパイラル状接触子 1を貼り付ける (工程 7 ) パレツト 2 2の凸部にスパイラル状接触子 1を貼付したキャリアテープ 2 4を 真空吸着する (工程 8 )。
つづいて、 スパイラル状接触子 1の、 ノ レット 2 2の凸部により盛り上がった 部分を、 砥石 2 5による研削で削除 (工程 9 ) した後、 パレット 2 2を取り除く (工程 1 0 )。
そして、 導電接着剤又は半田処理した絶縁基板 6を用意し、 絶縁基板 6にスパ ィラル状接触子 1を貼付する (工程 1 1 )。
つづいて、 キャリアテープ 2 4に UV光 (紫外線) を照射してキャリアテープ 2 4を除去 (工程 1 2 ) した後、 ガイドフレーム 1 2を、 スパイラル状接触子 1 状に設置する (工程 1 3 )。
以上の加工手順に従えば、 基端部 Rから先端部 Eに進むにしたがって厚みが薄 くなる接触部 1, を備えたスパイラル状接触子 1からなるスパイラルコンタクタ 1 0を製造することができる。
また、 レジスト膜に露光、 現像処理する力パーレイ処理やエッチング等のフォ トリソグラフィ技術、 メッキ製造技術を利用することにより、 精密な微細加工が できる。
なお、 工程 1 2、 1 3においてキャリアテープ 2 4を除去せずにそのままその 上にガイドフレーム 1 2を貼付した後、 キャリアテープ 2 4に穴を形成すること も可能である。 また、 スパイラル状接触子 1の製造は、 電子ビーム加工やその他 の微細加工を利用して行うことも可能であり、 これらを前述の工程に追加摺る構 成としても構わない。
<第 2実施形態 >
スパイラノレコンタクタ 2 0
第 4図は、 本発明の第 2実施形態を示す説明図であり、 第 4図 (a ) は、 揷通 孔のない絶縁基板 6に設けられたスパイラルコンタクタ 2 0のスパイラル状接触 子 2に球状接続端子 7を接近させている様子を示す断面図、 第 4図 (b ) は、 ス パイラル状接触子 2に球状接続端子 7を接続させた様子を示す断面図である。 第 4図 (a ) に示すように、 絶縁基板 6には揷通孔 (スルーホール) が無く、 絶縁基板 6の表面には、 当該絶縁基板 6に対して反対方向に、 接触部 2, が膨ら んで位置するように設けられたスパイラル状接触子 2が配置されている。
このスパイラル状接触子 2は、 スパイラル状接触子 2が球状接続端子 7に押圧 されて、 接触部 2, が絶縁基板 6側に移動させられた際に、 当該接触部 2, の変 形を許容する空間を確保するために、 台座 Cにより絶縁基板 6から嵩上げされて 設けられている。 このように、 本実施の形態のスパイラルコンタクタ 2 0では、 台座 Cとスパイラル状接触子 2とを一体形成しているので、 絶縁基板 6とスパイ ラノレ状接触子 2との間に、 接触部 2 ' の変形を許容する空間が確保される。 よつ て、 本発明に係るスパイラルコンククタ 2 0は、 揷通孔が設けられていない絶縁 基板 6であっても好適に採用可能である。
また、 スパイラル状接触子 2の外周枠の上には、 ガイドフレーム 1 2が設けら れている。 このガイドフレーム 1 2は、 球状接続端子 7をスパイラル状接触子 2 に接触させる際の位置合わせや、 球状接続端子 7のスパイラル状接触子 2への誘 導に用いられる。
さらに、 このガイドフレーム 1 2は、 第 4図 (b ) に示すように、 半導体デバ イス 8と当接するので、 スパイラル状接触子 2が球状接続端子 7に押圧されて絶 縁基板 6側に移動する際の移動量が規制されると共に、 球状接続端子 7のスパイ ラル状接触子 2へのバラツキのない均一な接触が確保される。
第 4図 ( c ) は、 球状接続端子 7の代わりにパッド状接続端子 1 3を使用した 絶縁基板 6の場合を説明する図である。
第 4図 (d ) は、 このパッド状接続端子 1 3を使用した絶縁基板 6と、 スパイ ラルコンタクタ 2 0とが接触した状態を示す図である。
この場合でも同様に、 半導体デバイス 8が、 ガイドフレーム 1 2に当接するこ とにより、 スパイラル状接触子 2がパッド状接続端子 1 3に押圧されて絶縁基板 6側に移動する際の移動量が規制されると共に、 スパイラル状接触子 2とパッド 状接続端子 1 3との接触が十分に確保されるようになっている。
このように、 パッド状接続端子 1 3を、 球状接続端子 7の代わりに使用するこ とにより、 台座 Cを省略することができるので、 ガイドフレーム 1 2の高さを低 くして、 スパイラルコンタクタ 2 0の厚みを薄くできる。 さらに、 球状接続端子 7の代わりパッド状接続端子 1 3を用いることで、 当該パッド状接続端子 1 3を 備える半導体デパイス 8の厚みをも薄くできるので、 半導体デバイス 8のさらな る薄型化が可能となる。 スパイラルコンタクタ 2 0の製造方法
第 5図、 第 6図は、 本発明の第 2実施形態のスパイラルコンタクタ 2 0の製造 方法を説明するための工程図である。
はじめに、 S U S (ステンレス) の金属板の表面に、 金属膜 (銅メツキ) 4 a を、 例えば、 2 0〜 6 0 μ m程の厚みで形成 (工程 1 ) し、 この金属膜 (銅メッ キ) 4 aの上にフォトレジスト膜 1 5を塗布して、 その上にスパイラル状接触子 2のパターンを有するフォトマスク 1 6配置する (工程 2 )。
つづいて、 フォトレジスト膜 1 5を露光し、 現像処理をして、 余分なフォトレ ジスト膜 1 5を除去する (工程 3 )。
そして、 フォトレジスト膜 1 5内で露出している金属膜 (銅メツキ) 4 aの上 に、 例えば、 ニッケル (N i ) メツキ 4 cを施してスパイラル状接触子 2を形成 する (工程 4 )。
ここで、 このメツキ処理は、 前述の態様の場合のように、 金属膜 (銅メツキ) 4 aの上に、 金メツキ層、 ニッケルメツキ層、 金メツキ層の順でメツキ層を設け る構成とすることも可能である。
つづいて、 S U Sの金属板を除去 (工程 5 ) し、 S U Sが設けられていた側に スパイラル状接触子 2の大きさに合わせて複数の凸部が片面側に形成されたパレ ット 2 7を用意し、 パレット 2 7の凸部にスパイラル状接触子 2を真空吸着にて 当接し、 凸型に成形する (工程 6、 7 )。
ここで、 パレットの材質は S U Sでも良いし、 それ以外の金属板であってもよ い。
そして、 スパイラノレ状接触子 2の、 パレッ ト 2 7の凸部により盛り上がった部 分を、 平面研削用の砥石 2 5による研削で削除した後、 パレット 2 7を取り除く (工程 8 )。
そして、スパイラル状接触子 2の研磨された面に金メツキ 4 bを施す(工程 9 )。 つづいて、 フォトレジスト膜 (ドライフィルム) 1 5を除去 (工程 1 0) し、 穴明け加工が施されたポリイミドフィルムによるガイドフレーム 1 2を加熱圧着 する (工程 1 1)。
そして、 銅メツキ 4 aの金属膜の下面にフォトレジスト膜 1 5を塗布し、 フォ トマスク 1 6を配置 (工程 1 2) し、 フォトレジスト膜 1 5を露光 (工程 1 3) したのち、 現像処理をして、 余分なフォトレジスト膜 1 5を除去する。
そして、 フォトレジスト膜 1 5内で露出している銅メツキ部 4 aの上に、 ニッ ケルメツキ層 4 c、金メッキ 4層 bの順でメツキ層を設けた後(工程 14)、 フォ トレジスト膜 1 5を除去する (工程 1 5)。
つづいて、露出している金属膜(銅メツキ) 4 aをエッチングにて除去する(ェ 程 1 6)。
次に、 第 6図に示すように、 スパイラル状接触子 2の型くずれを防止するため に、 ガイドフレーム 1 2の上面にパレツト 23を補強材として貼付する (工程 1 7)。
そして、 中心に位置決め用の心棒部 14 aと、 当該心棒部 14 aの外周に 1回 転分の螺旋状の肩部 1 4 bとが設けられて構成される凸形工具 1 4を用意する (工程 1 8)。
なお、 この凸形工具 1 4は、 1本であってもよいし、 絶縁基板 6上に形成され るスパイラル状接触子 2の数や配置に応じて、 複数本をひとまとめにした工具で あっても良い。
つづいて、 スパイラル状接触子 2を、 パレット 23側に向かって、 凸形工具 1 4により押圧して、スパイラル状接触子 2の塑性加工を行う(工程 1 9)。ここで、 凸形工具 14による押圧量は、 揷通孔 3の直径 φを 1とすると、 その 2〜2. 5 倍が良い。
前記スパイラル状接触子 2から凸形工具 14を抜き取り、 パレット 23を取り 外す (工程 20)。
揷通孔の設けられていない絶縁基板 6に半田リフロ又は導電接着剤を塗布 (ェ 程 2 1 ) し、 絶縁基板 6にスパイラルコンタクタのスパイラル状接触子 2を半田 リブ口又は導電接着剤により接着する (工程 22)。 以上の加工手順に従えば、 揷通孔が設けられていない絶縁基板 6に、 当該絶縁 基板 6とは反対方向に向かって、 膨らんだスパイラル状接触子 2を備えた、 スパ イラルコンタクタを形成することができる。
なお、 第 1 8工程に示す凸形工具の代わりに、 第 4工程に示す露出した銅メッ キ 4 aの上に、 特性の異なる異種金属を形成した後、 銅メツキ 4 aをエッチング により除去し、 異種金属によるパイメタル効果により、 絶縁基板 6とは反対方向 に向かって、 膨らんだスパイラル状接触子 2を備えた、 スパイラルコンタクタを 形成する構成とすることも可能である。 く第 3実施形態〉
第 7図は、 前述のスパイラル状接触子 2を絶縁基板 6の両面に設けて構成され るスパイラルコンタクタ 3 0を示す図である。
第 7図 (a ) には、 被検查対象である半導体デバイス 8の接続端子が球状接続 端子 7であり、 半導体検査装置と接続された半導体デバイス 9の接続端子がパッ ド状接続端子 1 3の場合が示してある。
この半導体デバイス 9は、 図示しない半導体検査装置に接続されているので、 スパイラルコンタクタ 3 0を介して、 被検査対象と、 半導体検查装置とを接続す ることにより、 被検査対象の配線状態等の検査を行うことができる。
この第 7図に示したスパイラル状接触子 2はどちらも同じ形状であり、 ガイド フレーム 1 2の厚みだけが異なる。
また、 この第 7図においては、 半導体デバイス 8の接続端子が球状接続端子で あり、 半導体デバイス 9の接続端子がパッド状接続端子 1 3である場合について 示してあるが、 両半導体デバイス 8、 9の接続端子が、 共に球状接続端子である 場合や、 共にパッド状接続端子 1 3である場合など、 接続端子の選択は的変更可 能である。
以上説明したように、 絶縁基板 6の両面に、 本発明に係るスパイラルコンタク タ 3 0を設けた構成とすると、 コンタクタ自身の厚みを、 より薄くすることがで きるので、 このような構成のコンタクタを、 半導体デバイスの半導体検査装置の コンタクタとして採用すると、 半導体装置自身の小型化が可能となる。 また、 本 発明に係るスパイラルコンタクタは、 半導体デパイス 8の接続端子との優れた接 続特性を備えるので、 このような構成のコンタクタを、 半導体デバイスの半導体 検査装置のコンタクタとして採用すると、 半導体装置の検出精度を向上させるこ とが可能となる。 く第 4実施形態〉
第 8図 (a ) 乃至図 8 ( c ) は、 本発明に係るスパイラルコンタクタを、 電子 部品等のスィツチに応用した例を示す図である。
第 8図 (a ) に示すように、 スィッチ 1 8は、 メスのスィッチ 1 8 aとォスの スィッチ 1 8 bとより構成されている。
スィッチ 1 8 aには、 前述のスパイラル状接触子と同様の構成を備えたスパイ ラル状接触子 1 8 cが設けられており、 このスパイラル状接触子 1 8 cは、 図示 しない電源と接続されている。
スィッチ 1 8 bには、 図示しない電子部品 (機器) と接続された接続端子 7、 たとえば前述の球状接続端子が設けられている。
よって、 スィッチ 1 8 bを図中において矢印で示す方向に移動すると、 スイツ チ 1 8 bに設けられた接続端子 7と、 スパイラル状接触子 1 8 cが接触し、 図示 しない電源と、 図示しない電子部品とが接続される。 すなわち、 スィッチが O N の状態になり、 電力が電子部品 (機器) に供給されることになる。
前述したように、 本発明に係るスパイラルコンタクタは、 微細加工技術を利用 して作成されるので、 本発明に係るスパイラルコンタクタを利用して作成した、 スィツチは、 薄型であって小型のスィツチとすることができる。
たとえば、 第 8図 (b ) に示すように、 ォスのスィッチ 1 8 bの厚み t 2と、 メスのスィッチ 1 8 aの厚み t 1を合計した厚み tは、 クレジットカードの厚み ( 0 . 7 mm) よりも薄くすることが可能である。
よって、 本発明に係るスパイラルコンタクタは、 各種ナノデパイスに用いられ るスィツチとしても好適に使用可能である。
なお、 水平移動によりスィッチの O N/O F Fを可能とする構成のみならず、 第 8図 (c ) に示すように、 メスのスィッチ 1 9 aまたはォスのスィッチ 1 9 b を支点 19 cを中心に回動させる構成とすることも可能である。 <第 5実施形態 >
第 9図(a)乃至 (c) は、 本発明に係るスパイラルコンタクタを、 電子部品等 のスィッチ 50に応用した外の例を示す図である。 そして、 第 10図 (a) は、 第 9図 (a) を概略的に表した図であり、 第 10図 (b) は、 第 10図 (a) の D— D線の概略的な断面図である。
このスィッチは、 図 9 (b) に示すように、 ォススィッチ 50 a、 メススイツ チ 50 bとから構成される。
ォススィツチ 50 aには、 電気的に接続されていない接続端子 51 a、 51 b が設けられている。
メススィッチ 5 O bには、 スパイラル状接触子 40が設けられている。 このス パイラル接触子 40には、 前述のスパイラル状接触子 1の接触部 1, に相当する ものが、 二つ存在する。 すなわち、 このスパイラル状接触子 40には、 接触子 4 1と接触子 42が設けられている (第 10図 (a)、 第 10図 (b) 参照)。 接触子 41は、 前述の接触部 1, と同様に、 スパイラル形状を有しており、 こ の接触子 41の厚みは、 先端側に進むに従って薄くなるように設定されている。 この接触子 41の基端 Rは、 スパイラル状接触子 40の外周枠 Tに固定されて おり、 この接触子 41は、 外周枠 Tとの接続点である基端 Rから螺旋状に上方に 向かって延出させた状態で設けられている。 すなわち、 図 10 (b) に示すよう に、 この接触子 41では、 点 mが最も下方に位置しており、 そこから点 1、 点 h に向かうに従って徐々に、 上方に位置するようになっている。
また、 接触子 42は、 その端部 iにおいて基板に固定されており、 この端部 i 力 ら螺旋状に上方に向かって延出させた状態で設けられている。 すなわち、 図 1 0 (b) に示すように、 この接触子 42では、 点 iが最も下方に位置しており、 そこから点 k、 点 jに進むに従って徐々に、 上方に位置するようになっている。 すなわち、このスパイラル状接触子 40には、螺旋半径の大きい接触子 42と、 螺旋半径の小さい接触子 41、 計二つの接触子が設けられている。 そして、 上方 側から接触端子 51 a、 51 bに押圧されると、 接触子 40、 41は、 下方側に 移動することができるように構成されている。
このような構成のスィッチ 5 0では、 きわめて小さくて、 かつ電気的経路が二 つ存在するコンタクタを採用しているので、 種ナノデパイスに用いられるスィッ チゃ、 半導体チップの検査装置の探針部としても好適に使用可能である。
なお、 本発明はその技術思想の範囲内で種々の改造、 変更が可能である。 本発 明は、 フォトリソグラフィ技術、 メツキ製造技術により微細加工を施すことを特 徴としており、 これを用いた製造方法に及ぶことは当然である 産業上の利用可能性
本発明に係るスパイラルコンタクタ用の接触子によれば、 超小型化が進行する 各種電子部品の接続端子と確実に接触して、 電子部品との電気的接続確実にする ことできる。
さらに、 この接触子を備えたスパイラルコンタクタでは、 これら接触子は、 フ オトリソグラフィ技術により、 精密かつ極小サイズで基板上に複数設けることが できるので、 超薄型 1化を進めている各種マイクロデバイスに好適に応用可能で ある。

Claims

請求の範囲
1 . 電子部品に設けられた接続端子との電気的接続を行うスパイラルコンタク タ用の接触子であって、
前記接触子は、 外周枠と、 前記接続端子に接触する接触部とを含み
前記接触部の一端は前記外周枠に固定されており、 前記接触部の他端側は、 前 記外周枠の開口面に対して鉛直方向に移動自在となるように、 前記外周枠の開口 の中央に向かってスパイラル状に延出させて設けられており、
前記接触部の前記接触部の厚みは、 前記一端から前記他端側に進むに従つて薄 くなることを特徴とするスパイラルコンタクタ用の接触子。
2 . 前記接触部の表面には、 金属膜がメツキにより形成されている
ことを特徴とする請求の範囲第 1項記載のスパイラルコンタクタ用の接触子。
3 . 請求の範囲第 1項記載のスパイラルコンタクタ用の接触子を、 基板に備える スパイラノレコンタクタであって、
前記接触子は、 前記接触部が前記基板の表面と面一になるように前記基板に埋 設されており、
前記基板には、 前記接触部の、 前記基板の内方への移動を許容する凹部が設け られることを特徴とするスパイラルコンタクタ。
4. 前記スパイラルコンタクタには、
前記電子部品に設けられた接続端子の数と同数の接触子が設けられており、 前記接触子の各々は、 前記接続端子の各々と一対一で対応するように、 前記基 板上に配置されていることを特徴とする請求の範囲第 3項記載のスパイラルコン タクタ。
5 . 請求の範囲第 1項記載のスパイラルコンタクタ用の接触子を、 基板に備える スパイラノレコンタクタであって、 .
前記接触子は、 前記接触部の前記一端から前記他端側に進むに従って、 前記接 触部が前記基板の表面から離間するように、 前記基板上に設けられていることを 特徴とするスパイラルコンタクタ。
6 . 前記スパイラルコンタクタには、
前記電子部品に設けられた接続端子の数と同数の接触子が設けられており、 前記接触子の各々は、 前記接続端子の各々と一対一で対応するように、 前記基 板上に配置されていることを特徴とする請求の範囲第 5項記載のスパイラルコン タクタ。
PCT/JP2003/007289 2002-06-10 2003-06-09 スパイラルコンタクタ用の接触子、及びスパイラルコンタクタ WO2003105288A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/481,757 US6887085B2 (en) 2002-06-10 2003-06-09 Terminal for spiral contactor and spiral contactor
AU2003242091A AU2003242091A1 (en) 2002-06-10 2003-06-09 Contact for spiral contactor and spiral contactor
KR1020037017139A KR100699471B1 (ko) 2002-06-10 2003-06-09 스파이럴 콘택터용 접촉자, 및 스파이럴 콘택터
EP03736113A EP1414118A4 (en) 2002-06-10 2003-06-09 CONTACT FOR A SPIRAL CONTACTOR AND SPIRAL CONTACTOR

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002-167999 2002-06-10
JP2002167999A JP3814231B2 (ja) 2002-06-10 2002-06-10 スパイラルコンタクタ及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体検査装置、及び電子部品

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2003105288A1 true WO2003105288A1 (ja) 2003-12-18

Family

ID=29727678

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2003/007289 WO2003105288A1 (ja) 2002-06-10 2003-06-09 スパイラルコンタクタ用の接触子、及びスパイラルコンタクタ

Country Status (8)

Country Link
US (1) US6887085B2 (ja)
EP (1) EP1414118A4 (ja)
JP (1) JP3814231B2 (ja)
KR (1) KR100699471B1 (ja)
CN (1) CN1268041C (ja)
AU (1) AU2003242091A1 (ja)
TW (1) TWI278629B (ja)
WO (1) WO2003105288A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100803958B1 (ko) * 2004-03-19 2008-02-15 알프스 덴키 가부시키가이샤 스파이럴 접촉자 및 상기 스파이럴 접촉자를 구비한 컨택트시트 그리고 상기 컨택트 시트를 구비한 접속 장치

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7045889B2 (en) * 2001-08-21 2006-05-16 Micron Technology, Inc. Device for establishing non-permanent electrical connection between an integrated circuit device lead element and a substrate
US7049693B2 (en) * 2001-08-29 2006-05-23 Micron Technology, Inc. Electrical contact array for substrate assemblies
US6948940B2 (en) * 2003-04-10 2005-09-27 Formfactor, Inc. Helical microelectronic contact and method for fabricating same
US8584353B2 (en) 2003-04-11 2013-11-19 Neoconix, Inc. Method for fabricating a contact grid array
US20070020960A1 (en) * 2003-04-11 2007-01-25 Williams John D Contact grid array system
US7758351B2 (en) 2003-04-11 2010-07-20 Neoconix, Inc. Method and system for batch manufacturing of spring elements
US7244125B2 (en) 2003-12-08 2007-07-17 Neoconix, Inc. Connector for making electrical contact at semiconductor scales
US7056131B1 (en) * 2003-04-11 2006-06-06 Neoconix, Inc. Contact grid array system
US7114961B2 (en) * 2003-04-11 2006-10-03 Neoconix, Inc. Electrical connector on a flexible carrier
JP4142992B2 (ja) 2003-05-15 2008-09-03 株式会社フジクラ GHz帯伝送の伝送線路構造およびGHz帯伝送に用いるコネクタ
JP3795898B2 (ja) * 2003-06-20 2006-07-12 アルプス電気株式会社 接続装置
JP3837434B2 (ja) * 2003-06-20 2006-10-25 アルプス電気株式会社 接続装置
JP4079857B2 (ja) * 2003-09-09 2008-04-23 アルプス電気株式会社 接続装置の製造方法
JP3971749B2 (ja) * 2004-01-21 2007-09-05 株式会社アドバンストシステムズジャパン 凸型スパイラルコンタクタおよびその製造方法
JP2005251487A (ja) * 2004-03-03 2005-09-15 Alps Electric Co Ltd スパイラル接触子及びスパイラルシート並びにスパイラル接触子の製造方法
US7137831B2 (en) * 2004-03-16 2006-11-21 Alps Electric Co., Ltd. Substrate having spiral contactors
US7383632B2 (en) * 2004-03-19 2008-06-10 Neoconix, Inc. Method for fabricating a connector
US7347698B2 (en) * 2004-03-19 2008-03-25 Neoconix, Inc. Deep drawn electrical contacts and method for making
JP4310219B2 (ja) * 2004-03-23 2009-08-05 アルプス電気株式会社 スパイラル接触子及びその製造方法
US7354276B2 (en) * 2004-07-20 2008-04-08 Neoconix, Inc. Interposer with compliant pins
JP4354889B2 (ja) * 2004-09-02 2009-10-28 アルプス電気株式会社 コネクタ用基板
JP4644756B2 (ja) * 2005-01-07 2011-03-02 株式会社アドバンストシステムズジャパン スパイラル状接触子の接合方法
WO2006100746A1 (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Fujitsu Limited 電子部品および回路基板
JP2006269148A (ja) * 2005-03-23 2006-10-05 Alps Electric Co Ltd スパイラル接触子
JP4866025B2 (ja) * 2005-06-27 2012-02-01 パナソニック電工株式会社 接続装置
JP4613713B2 (ja) * 2005-06-27 2011-01-19 パナソニック電工株式会社 接続装置
CN100555752C (zh) * 2005-09-16 2009-10-28 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 弹性接触装置及使用该弹性接触装置的电子设备
US7357644B2 (en) * 2005-12-12 2008-04-15 Neoconix, Inc. Connector having staggered contact architecture for enhanced working range
JP2009030978A (ja) * 2007-07-24 2009-02-12 Advanced Systems Japan Inc パッケージオンパッケージ型電子部品、その検査治具、及びその検査方法
JP5313156B2 (ja) 2007-10-19 2013-10-09 日本発條株式会社 接続端子、半導体パッケージ、配線基板、コネクタ、およびマイクロコンタクタ
US8641428B2 (en) 2011-12-02 2014-02-04 Neoconix, Inc. Electrical connector and method of making it
US9680273B2 (en) 2013-03-15 2017-06-13 Neoconix, Inc Electrical connector with electrical contacts protected by a layer of compressible material and method of making it
CN105047382B (zh) * 2015-08-25 2017-04-12 重庆民生变压器有限责任公司 变压器用蜗式接线端子
DE102016205476B4 (de) * 2016-04-01 2019-08-01 Continental Automotive Gmbh Steckeraufnahme und Stecker für eine elektrische Steckverbindung und elektrische Steckverbindung
TWI649923B (zh) * 2016-06-17 2019-02-01 日商阿爾普士電氣股份有限公司 Crimp type joint and manufacturing method thereof
US10270193B1 (en) * 2017-12-18 2019-04-23 Continental Automotive Systems, Inc. Concentric springs for sensor connection

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0119158A1 (en) * 1983-03-14 1984-09-19 Mitsubishi Jukogyo Kabushiki Kaisha Thermal cracking process for producing olefins and synthetic gas from hydrocarbons
WO1995034106A1 (en) * 1994-06-07 1995-12-14 Tessera, Inc. Microelectronic contacts and assemblies
JP2000123935A (ja) * 1998-10-09 2000-04-28 Nec Kyushu Ltd コンタクトピン及びソケット

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4961709A (en) * 1989-02-13 1990-10-09 Burndy Corporation Vertical action contact spring
US5184962A (en) * 1991-12-05 1993-02-09 Burndy Corporation Electrical spring contact
US5297967A (en) * 1992-10-13 1994-03-29 International Business Machines Corporation Electrical interconnector with helical contacting portion and assembly using same
US5802699A (en) * 1994-06-07 1998-09-08 Tessera, Inc. Methods of assembling microelectronic assembly with socket for engaging bump leads
JP4514855B2 (ja) * 1999-08-19 2010-07-28 東京エレクトロン株式会社 プロービングカードの製造方法
KR100696265B1 (ko) * 2000-07-07 2007-03-19 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법과 이를 이용한액정표시장치의 리페어방법
JP3440243B2 (ja) 2000-09-26 2003-08-25 株式会社アドバンストシステムズジャパン スパイラルコンタクタ

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0119158A1 (en) * 1983-03-14 1984-09-19 Mitsubishi Jukogyo Kabushiki Kaisha Thermal cracking process for producing olefins and synthetic gas from hydrocarbons
WO1995034106A1 (en) * 1994-06-07 1995-12-14 Tessera, Inc. Microelectronic contacts and assemblies
JP2000123935A (ja) * 1998-10-09 2000-04-28 Nec Kyushu Ltd コンタクトピン及びソケット

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1414118A4 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100803958B1 (ko) * 2004-03-19 2008-02-15 알프스 덴키 가부시키가이샤 스파이럴 접촉자 및 상기 스파이럴 접촉자를 구비한 컨택트시트 그리고 상기 컨택트 시트를 구비한 접속 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20040185694A1 (en) 2004-09-23
KR20050013051A (ko) 2005-02-02
TW200517664A (en) 2005-06-01
EP1414118A1 (en) 2004-04-28
CN1522483A (zh) 2004-08-18
KR100699471B1 (ko) 2007-03-27
JP2004012357A (ja) 2004-01-15
US6887085B2 (en) 2005-05-03
CN1268041C (zh) 2006-08-02
JP3814231B2 (ja) 2006-08-23
AU2003242091A1 (en) 2003-12-22
EP1414118A4 (en) 2008-11-26
TWI278629B (en) 2007-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2003105288A1 (ja) スパイラルコンタクタ用の接触子、及びスパイラルコンタクタ
US8012331B2 (en) Probe and method of making same
KR100443999B1 (ko) 인쇄회로기판용 상호 접속체, 이의 제조방법 및 이를구비한 상호 접속 조립체
KR100687027B1 (ko) 프로브와 프로브 카드 구조 및 그 제조 방법
US6297164B1 (en) Method for producing contact structures
US20030062915A1 (en) Probe card with contact apparatus and method of manufacture
JP2001091539A (ja) マイクロファブリケーションで形成するコンタクトストラクチャ
KR100980369B1 (ko) 프로브 카드의 프로브 니들 구조체와 그 제조 방법
JP2005123291A (ja) 半導体装置の製造方法
KR20020022139A (ko) 상호 접속 조립체 및 방법
JPH06313788A (ja) 半導体チップテスト用ソケット
KR100580784B1 (ko) 전기적 접촉체의 제조방법
KR100638087B1 (ko) 프로브 카드의 탄성 기능빔 제조 방법과 그 구조
US20030094962A1 (en) Dual plane probe card assembly and method of manufacture
JP3129641B2 (ja) テスト用コンタクトピンの製造方法
KR100515235B1 (ko) 마이크로 제조기술을 이용한 프로브 카드의 니들, 그제조방법 및 이 니들로 구현된 프로브 카드
KR100564655B1 (ko) 사진식각공정을 이용한 인쇄회로기판용 상호 접속체의제조방법
JP3129655B2 (ja) テスト用コンタクトピンの製造方法
JP3128200B2 (ja) 電子回路基板の検査方法
KR101242001B1 (ko) 프로브 구조물 제조 방법
JP2010060285A (ja) コンタクトプローブ及びその形成方法
JPH0783076B2 (ja) 半導体チップテスト用ソケット
KR20090088185A (ko) 프로브 카드와 프로브 카드의 제조 방법
KR20090100629A (ko) 프로브 카드와 프로브 카드의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NI NO NZ OM PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10481757

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020037017139

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 20038006014

Country of ref document: CN

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2003736113

Country of ref document: EP

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2003736113

Country of ref document: EP