WO2003028089A1 - Systeme de controle de tranches en semiconducteur - Google Patents

Systeme de controle de tranches en semiconducteur Download PDF

Info

Publication number
WO2003028089A1
WO2003028089A1 PCT/JP2002/009637 JP0209637W WO03028089A1 WO 2003028089 A1 WO2003028089 A1 WO 2003028089A1 JP 0209637 W JP0209637 W JP 0209637W WO 03028089 A1 WO03028089 A1 WO 03028089A1
Authority
WO
Grant status
Application
Patent type
Prior art keywords
semiconductor wafer
wafer
image
edge
portion
Prior art date
Application number
PCT/JP2002/009637
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Haruyuki Tsuji
Yasutoshi Kitahara
Katsuyuki Hashimoto
Yasunori Ikeno
Shunsuke Kurata
Masahiko Yazawa
Original Assignee
Olympus Optical Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using infra-red, visible or ultra-violet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501Semiconductor wafers
    • G01N21/9503Wafer edge inspection

Description

明 細 書

半導体ウェハ検査装置

技術分野

本発明は、 半導体ウェハの外周部 (以下、 ウェハエ ッ ジ部 と称する) におけ る傷や塵、 ク ラ ッ ク な どの欠陥を検出する 半導体ウェハ検査装置に関する。

背景技術

半導体の製造工程は、 通常以下の通 り であ り 、 製造工程毎 に欠陥検査が行なわれている。 半導体製造の前工程では、 先 ず、 半導体ウェハ (以下、 単に ウェハ と称する) の表面上に 酸化膜 ( S i O 2 ) が形成され、 次に この酸化膜上にシ リ コ ン窒化膜の薄膜が堆積される。

次に、 フ ォ ト リ ソ グラ フ ィ ー工程に移 り 、 ウェハの表面上 にフォ ト レジス ト (感光性樹脂) の薄膜が塗布される。 次に ウェハの ウェハエ ッ ジ部に リ ンス液が適量滴下され、 ウェハ のウェハエ ッ ジ部のフ ォ ト レジス ト が所定幅だけカ ツ ト され る。

次に、 ステ ッパーな どの露光機において、 半導体の回路パ ターンが形成されたマス ク を通 して紫外線がフォ ト レジス ト の塗布された ウェハに照射され、 半導体の回路パターンがフ オ ト レジス ト に転写される。 次に、 現像が行なわれ、 例えば 露光部のフ ォ ト レジス ト が溶剤に よ り 溶解さ れ、 未露光部の レジス ト ノヽ。ターンが残される。

次に、 ウェハの表面上に残った レジス ト ノ ターンをマスク に して ウェハの表面上の酸化膜と シ リ コ ン窒化膜と が連続的 に選択除去 (エ ッチング) される。 次に、 ウェハの表面上の レジス ト メ ターンがア ツシングによ り 除去される (レジス ト 剥離) 。 次に、 ウェハの洗浄が行なわれ、 不純物が取り 除か れる。

上記のよ う な半導体の製造工程においては、 各製造工程毎 に欠陥検査が行なわれる。 この欠陥検査は、 例えば半導体ゥ ェハの表面上の傷や塵の付着、 ク ラ ッ ク、 汚れ、 むらな どの 欠陥部の検査が主流である。 最近では、 ウェハのエッジカ ツ ト量ゃ分布などの観察が要求されている。 特に、 ク ラ ッ クに よ り ウェハが割れる こ とがあ り 、 なるべく 早い工程でウェハ エッジ部におけるク ラ ック の有無を検出 して、 ウェハの良否 を決定する こ と が望まれている。

また、 ウェハエッ ジ部は、 ウェハの表面上にフォ ト レジス ト の薄膜が塗布された後、 リ ンス液が適量滴下されてフォ ト レジス トが所定幅だけカ ツ ト されるが、 こ の と き のフォ ト レ ジス ト のカ ッ ト幅 (以下、 エッジカ ッ ト ライ ン幅と称する) を検出する こ と も、 それ以降の工程で処理を進めて良品の半 導体ウェハを製造する上で重要な検査項目 と なる。

ウェハエ ッジ部の検査を行な う技術と しては、 例えば特開 平 9 — 2 6 9 2 9 8 号公報に記載されている。 この技術では、 楕円鏡を用いて集光 した平行光をウェハのエ ッジ部に照射し、 発生した回折光の う ち低次元の回折光を遮光 して高次元の回 折光を楕円境によ り 集光し、 こ の回折光の強度及び/又は周 波数成分から ウェハのエッジ部の欠陥、 性状を特定する。 ま た、 特開 2 0 0 0 - 4 6 5 3 7 号公報に記載されている よ う に、 ウェハの内部に焦点位置を合わせてウェハの内部からの 散乱光を検出する技術がある。 また、 特開 2 0 0 0 — 1 3 6 9 1 6 号公報に記載されている よ う に、 赤外線レーザビーム をウェハのエッジ部に照射 し、 ウェハをレーザビームに対し て傾斜させて少な く と も 1 つの ビデオカメ ラで検査する技術 がある。

しかしながら、 上記各技術は、 いずれも ウェハのエッ ジ部 を検出する こ と は可能であるが、 ウェハのエッジ部における 欠陥部、 特にエッジカ ツ ト ライ ン幅を検出する も のではない このため、 フォ ト レジス ト の薄膜が塗布された後の工程で処 理を進めていく 上で、 不良のウェハを製造 して しま う よ う な 不具合の原因と なるおそれがある。

また欠陥検査では、 ウェハの外周部の全周に亘る画像デー タ (エッジ画像) を取得しなければな らないが、 上記各技術 は、 全周のエッジ画像を取得する ものではな く 、 半導体ゥェ ハの ウェハエッジ部全周に亘る欠陥部を検出する ものでもな レヽ

本発明の 目的は、 半導体製造検査工程における半導体ゥェ ハの外周部分の検査を、 短時間で容易に行な う こ とが可能な 半導体ウェハ検査装置を提供する こ と にある。

発明の開示

本発明の半導体ウェハ検査装置は、 半導体ウェハを吸着保 持する回転テーブルと 、 前記回転テーブル上に保持された前 記半導体ウェハの少な く と もエッジ部を照明する照明装置と 前記照明装置によ り 照明された前記半導体ウェハのエツジ部 を撮像する撮像装置と、 前記撮像装置によ り 撮像された前記 エッジ部の画像を取得して少な く と もエッジカ ツ ト量又はク ラ ックを検出する画像処理装置と、 前記画像処理装置で画像 処理された前記エッ ジ部の画像を表示出力する表示部と、 を 具備している。

図面の簡単な説明

図 1 は、 本発明の第 1 実施例に係る半導体ウェハ検査装置 を適用 したァライナーの構成を示す図

図 2は、 本発明の第 1 実施例に係る欠陥検査装置本体の概 略構成を示す図。

図 3 は、 本発明の第 1 実施例に係る半導体ウェハ検査装置 の動作の流れを示す図。

図 4 A , 図 4 Bは、 本発明の第 1 実施例に係る ウェハエツ ジ部の拡大表示例を示す図。

図 5 は、 本発明の第 1 実施例に係る ウェハエッジ部の表示 例を示す図。

図 6 は、 本発明の第 2実施例に係る ウェハエッジ検査装置 の概略構成を示す図。

図 7 は、 本発明の第 2実施例に係る ウェハエッジ検査装置 における帯状の撮像画像データ の表示出力例を示す図。

図 8 は、 本発明の第 2実施例に係る欠陥部の拡大画像の表 示例を示す図。

図 9 は、 本発明の第 2実施例に係る欠陥検出部によ り 算出 される欠陥部の座標位置とその面積と を示す模式図。

図 1 0 は、 本発明の第 3 実施例に係るエッジ欠陥検査装置 の構成を示す図。

図 1 1 は、 本発明の第 3 実施例に係る ウェハエ ッジ検査装 置における帯状の撮像画像データ の表示出力の変形例を示す 図。

図 1 2 は、 本発明の第 3 実施例に係る ウェハエ ッジ検査装 置における帯状の撮像画像データの表示出力の変形例を示す 図。

発明を実施するための最良の形態

以下、 本発明の実施例を図面を参照 して説明する。

図 1 は、 本発明の第 1 実施例に係る半導体ウェハ検査装置 を適用 したァライナーの構成を示す図である。 こ のァライナ 一 1 は、 半導体ウェハ 2 (以下、 単にウェハと称する) を欠 陥検査装置本体 3 に渡す前にァライ メ ン トする機能を有する。 欠陥検査装置本体 3 は、 ァライ メ ン ト された半導体ウェハ 2 を受け取 り 、 こ の半導体ウェハ 2 の表面又は裏面の各種欠陥 を、 マク ロ 的又はミ ク ロ的に検査する。

2 つのカセ ッ ト 4 、 5 には、 それぞれ未検査又は検査済み のウェハ 2 が収納されている。 カセ ッ ト 4 、 5 と ァライナー 1 と の間には、 搬送口 ポッ ト 6 が設け られ、 カセ ッ ト 4力 ら ウェハ 2 をァライナー 1 を介して欠陥検査装置本体 3 に搬送 する ローダ部を構成 している。

搬送ロ ボ ッ ト 6 は、 伸縮可能な 2本のアーム 7 、 8 を上下 2段に備え、 これらのアーム 7 、 8 にそれぞれハン ド 9 、 1 0が取付け られている。 なお、 ノヽン ド 9 、 1 0は、 重な り 合 つている ので 1 本に図示している。 また、 搬送口 ポッ ト 6 は、 移動機構 1 1 に設け られている。

移動機構 1 1 は、 カセッ ト 4 、 5 の並設されている方向 と 並行に レールが設け られ、 搬送ロ ボッ ト 6 を矢印 a 方向へ移 動させて、 各カセッ ト 4、 5 と対応する各位置でそれぞれ停 止させる。

ァライナー 1 は、 ウェハ 2が回転テーブル 1 a にセ ッ ト さ れる と、 ウェハ 2 を一定の回転速度で回転させる こ と によ り ウェハ 2 の中心位置と ノ ツチ又はオリ フ ラ の方向を検出 し、 こ の検出結果に基づいてウェハ 2 のァライ メ ン ト を行な う機 能を有している。

図 2 は、 本第 1 実施例に係る欠陥検査装置本体 3 の概略構 成を示す図である。

図 2 において、 2軸移動ステージ 3 0 (電動ス テージ) は X軸及び Y軸方向へ移動可能と なってお り 、 Y方向移動ス テ ージ 3 1 a と X方向移動ス テージ 3 2 a と 力、らなる。 なお、 Y方向移動ス テージ 3 1 a は Y方向駆動部 3 1 、 X方向移動 ステージ 3 2 a は X方向駆動部 3 2 によって、 それぞれ Y方 向と X方向へ移動する よ う に構成されている。 2軸移動ス テ ージ 3 0 の上部には、 ウェハを吸着保持し回転機構駆動部 2 0 によって回転駆動する回転テーブル 2 1 が配置されている また ミ ク ロ観察は、 顕微鏡の対物レンズ 6 0 を介して、 撮 像装置 6 1 で撮影される。 ウェハのエッジ部を検査する場合 には、 エ ッジ観察モー ドに設定する こ と によ り 、 Y方向移動 ステージ 3 1 a と X方向移動ス テージ 3 2 a と を制御し、 回 転テーブル 2 1 に吸着保持された ウェハのエッジ部を対物レ ンズ 6 0 の下方に合わせる。 こ の よ う に して、 ウェハエ ッ ジ 部を対物 レンズ下方に合わせ撮像装置 6 1 で撮像する。 この 撮像装置 6 1 で撮影された ウェハェッジ部の画像は画像処理 部で数値解析され、 エッジカ ッ ト量が算出される。

また、 本半導体ウェハ検查装置の操作は、 操作パネルある いはコ ン ピュータの表示部に表示された G U I (グラ フィ ッ ク ' ユーザ ' イ ンターフェース) によ って行な う。

エッジ観察/通常観察切替機 4 0 は、 ボイ ンティ ングデバ イス 5 0 の制御対象である回転機構駆動部 2 0 と Y方向駆動 部 3 1 と を切替えるためのスィ ッチである。 ポイ ンティ ング デバイス 5 0 は、 ジョ イスティ ッ ク ( J S ) など力 らなる。 ポイ ンティ ングデバイス 5 0 は、 2軸移動ステージ 3 0 の位 置を制御 した り 、 回転テーブル 2 1 による ウェハの回転方向 回転速度を制御 した り する。 これによ り 、 ウェハのエ ッ ジ部 (外周部) の観察時に、 ウェハの位置の微調整を行なって対 物レンズ 6 0 の下方にウェハエッジ部に合わせた り 、 回転速 度の微調整を行なって観察速度の調整を した りする こ と が可 能になる。

次に、 上記のよ う に構成された半導体ウェハ検査装置の動 作について説明する。

図 3 は、 本第 1 実施例に係る半導体ウェハ検査装置の動作 の流れを示す図である。 オペレータが、 通常のウェハ表面の 欠陥検査か ら、 ウェハエッジ部の検査に移行する もの とする( まずオペ レータは、 S 1 で、 例えば操作パネルに取付け られ ているエ ッ ジ移動ポタン、 又は表示装置の画面に表示されて いるエッ ジ位置移動ポタ ンを押す。 以下、 エッジ位置移動ボ タン、 回転ポタ ン、 回転停止ボタ ン、 回転/移動速度切換ポ タ ン、 ボイ ンティ ングデバイスな どの各操作ボタ ンは表示装 置に表示されてお り 、 その表示装置に表示された操作ボタ ン を押すこ と によ って、 操作が行なわれる もの とする。

エッジ位置移動ポタ ンが押される と、 例えば、 2軸移動ス テージ 3 0 の X方向移動ス テージ 3 2 a が X方向に移動する。 これによ り 、 S 2 で、 回転テーブル 2 1 に吸着/保持された ウェハのエ ッジ部が対物レ ンズ 6 0 下に移動 し、 対物レ ンズ 6 0 でウェハエ ッジ部近傍の詳細な画像を観察でき る よ う に なる。 こ の と き、 オー ト フ ォーカ ス機能を動作させて対物レ ンズ 6 0 の フ ォ ーカ ス を行なった後、 ウェハエッジが対物レ ンズ 6 1 から外れてフ ォーカスが不能になる こ と を防止する ために、 オー ト フォーカ ス機能を切る こ と が好ま しい。 ゥェ ハエッジ部が対物レ ンズ 6 0下に移動する と、 S 3 , S 4 で、 ステージから完了信号が返されて、 操作画面あるいは操作パ ネルにその旨が表示される。 そ して、 オペレータが表示装置 に表示された画像を確認して、 S 5 で、 必要に応 じてポイ ン テ ィ ングデバイ ス 5 0 を操作し、 S 6 で、 ウェハエッジ部が 対物レ ンズの視野に完全に入る よ う に 2 軸移動ス テージ 3 0 を微調整する。 その後、 S 7, S 8 で、 Y方向駆動部 3 1 及 び X方向駆動部 3 2 から完了信号が返される。

次に、 S 9 で、 オペレータが回転ボタ ンを押して回転方向 を選択する と、 S 1 0 で、 回転機構駆動部 2 0 が駆動し、 ゥ ェハ 2 が回転ス テージ 2 1 によ って回転を開始する。 回転ス テージ 2 1 が回転する と、 S 1 1 , S 1 2 で、 回転機構駆動 部 2 0から回転開始信号が返される。 回転テーブル 2 1 の回 転は、 オペ レータが回転停止ボタ ンを押すまで続け られる。 回転テーブル 2 1 が回転する と対物レ ンズ 6 0 の下の ウェハ 2 のエッジ部が撮像装置 6 1 によ り 撮像され表示装置に表示 される。 オペレータは表示装置に表示されたウェハエ ッ ジ部 の画像を観察する。 なお、 ウェハ 2 が回転を開始した時点で あるいはオペ レー タ の指示によ って、 エッジ観察/通常観察 切替機 4 0 がエッジ観察モー ドに切換える と、 ポイ ンテ ィ ン グデバイ ス 5 0 は回転機構 2 1 によ る回転速度を調整でき る よ う になる。

これによ り 、 ウェハエッジ部の観察開始前には、 ポイ ンテ イ ングデノ イ ス 5 0 によって 2軸移動ス テージ 3 0 の位置を 制御 して、 ウェハエッジ部の観察位置が対物レンズ 6 0 の視 野中心に く る よ う に微調整でき る。 また、 ウェハエッジ部の 観察開始後には、 ポイ ンティ ングデバイス 5 0 によって回転 機構 2 1 の回転速度を制御 して観察速度をオペ レー タ の好み に合わせて調整でき る。 このよ う な制御によ り 、 操作性の向 上を図る こ と ができ る。

ウェハエ ッジ部の観察が終了 し、 S 1 3 で、 オペ レータが 回転停止ボタ ンを押すと、 S 1 4 で、 回転機構駆動部 2 0 に 停止信号が送られ回転テーブル 2 1 の回転 (ウェハの回転) が停止する。 その後、 S 1 5, S 1 6 で、 回転機構駆動部 2 0 力 ら回転停止信号が返される。 なお、 こ のウェハ 2 の回転 /停止は、 リ ンスカ ツ トの不良やク ラ ック などの欠陥部を見 つけた ら、 必要に応じて停止させて、 ウェハエッジ部を撮像 装置 6 1 によ り 撮像し、 その画像データを画像処理部で解析 する。 また、 ウェハエッジ部の観察時には、 定期的に (一定 周期で) 当該観察部分の画像データ を取得して、 画像処理部 でリ ンスカ ツ ト量ゃク ラ ッ ク な どの欠陥を解析する。

こ の画像処理部には自動欠陥分類ソ フ トがイ ンス トールさ れ、 リ ンスカ ッ ト量の規定値から外れた場合、 又は欠陥がク ラ ッ クである場合には、 そのウェハ 2 は不良と判定される。 画像処理部において、 リ ンスカ ッ ト不良と判定された場合に は、 その ウェハ 2 はレジス ト膜除去工程に戻され、 ク ラ ッ ク 不良 と判定された場合には、 その ウェハ 2 は後工程で割れる おそれがあるため廃棄処分される。

そ して、 ウェハエ ッジ観察モー ドを終了する と き、 S 1 7 で、 オペ レータ が リ セ ッ ト ボタ ンを押す。 リ セ ッ ト ボタ ンが 押される と 、 S 1 8 で、 回転機構駆動部 2 0 が制御され、 回 転テーブル 2 1 が観察前の角度 (初期状態) に戻る。 すなわ ち、 回転テーブル 2 1 に吸着保持された ウェハ 2 のノ ッチが 元の基準位置、 例えば 0 ° の位置に一致する よ う に ウェハ角 度 (回転角度) を元に戻す。 その後、 S 1 9 , S 2 0 で、 ス テージから完了信号が返される。

図 4 A, 図 4 Bは、 ウェハエッジ部の拡大表示例を示す図 である。 低倍率の対物レンズ 6 0 でウェハヱッジ部を観察 し ている と き に、 例えば、 図 4 Aのよ う なク ラ ック ら しき異常 を見つけた場合、 対物レ ンズを高倍率に変更 して図 4 B に示 すよ う に拡大して観察する。 こ の倍率の変更は、 ォペ レ タ が顕微鏡の接眼レンズで目視によ り 異常を見つけた場合でも 良い し、 撮像装置によ り撮像された画像を画像処理の自動欠 陥分類ソフ ト によって異常と判断した場合であっても良い。

こ の よ う に、 高倍率の対物レンズ 6 0 に切換えて異常部分 を拡大視する こ と で欠陥による ものか否かを容易に判定でき る。 例えば、 5倍程度までの低倍率で観察 し、 異常が見つか つた場合に、 低倍率の対物レンズよ り 大きな 1 0倍、 2 0倍、 5 0倍、 あ るレヽは 1 0 0倍といった高倍率の対物レンズに変 更して、 異常部分を拡大して詳細な欠陥検査を行な う。 また、 この よ う な異常が欠陥と判定された場合には、 その欠陥デー タ及び画像データ を登録してお く こ と が好ま しい。 これによ り 、 当該欠陥データ及び画像データ を後の検査に活用する こ とができ る。

また、 ウェハエッジ部の観察を行なっている場合に、 ゥェ ハ 2 のどの部分を観察しているのかが分からなく なって しま う こ と がある。 このため、 図 5 に示すよ う に、 エッジ観察を している と き に、 Y方向駆動部 3 1 、 X方向駆動部 3 2 、 回 転機構駆動部 2 0 のパルス信号な どに基づいて観察位置の座 標と 回転角度を求め、 操作画面 (あるいは操作パネル) 6 1 にウェハ 2 の どの部分を現時点で観察 している のかを表示す る こ とが好ま しい。 例えば、 図 5 に示すよ う にウェハマ ップ 2 , を操作画面に表示し、 この ウェハマップ 2 ' 上に観察ポ イ ン ト Aが表示される。 なお、 図 5 の操作画面 6 1 には、 観 察ポイ ン ト Aのウェハ画像の他、 欠陥の種類を分類する ため の分類ボタ ン 6 2 、 欠陥画像を保存するための保存ポタ ン 6 3 、 欠陥データ を登録するための登録ボタ ン 6 4 が表示され ている。

上記の よ う に、 2軸移動ス テー ジ 3 0上に配置された回転 テーブル 2 1 の回転中心から ウェハ 2 の半径と同 じ同心円上 には、 ウェハエ ッジを検出するセンサを 3 ケ所に配置してな るァライ メ ン ト機構が備え られている。 ァライ メ ン ト機構は、 3 点のウ エノ、エッジの座標データ 力 ら ウエノヽの中心ず 量を 求め、 ウ エノ、 2 の中心が回転中心と なる よ う に回転テーブル 2 1 の回転動作に連動させて、 2 軸移動ス テージ 3 0 を自動 制御する。 こ の よ う に、 回転テーブル 2 に偏心して吸着保持 さ;^たウェハ 2 の中心が回転中心と なる よ う に半導体ゥェノヽ 2 の位置を補正する こ とで、 常に正確に半導体ウェハ 2 のゥ ェハエッ ジ部の近傍を観察する こ とができ る。

なお、 本発明は上記第 1 実施例に限定される も のではない。 例えば、 エ ッジ観察開始時に、 2 軸移動ス テージによ り 半導 体ウェハを、 ミ ク 口観察光学系の光軸方向に対して垂直な X 一 Y平面内で移動させ、 ウェハェ ッジ部が対物レ ンズの下に 移動する よ う に したが、 対物レンズがウェハエッジ部の上に 移動する よ う に しても良い。

第 2実施例の半導体ウェハ検査装置を適用 したァライナー の構成は、 図 1 と 同一である。

図 6 は、 本発明の第 2実施例に係る ウェハェッジ検査装置 の概略構成を示す図である。 上述 したァライナー 1 には、 図 6 に示すウェハエッジ検査装置 7 0 が設け られてレ、る。 ァラ イナ一 1 の上方には、 照明装置 7 1 が設け られている。 この 照明装置 7 1 は、 照明光を ウェハ 2 のウェハエッジ部に対し て所定の角度で照射 (斜照明) する。 照明装置 7 1 は、 照明 光を ウェハ 2 のウェハエッジ部に斜照明する際に、 その照射 角度 0 ェ を任意の角度に設定でき る。

また、 照明装置 7 1 から出力される照明光の光路上には、 フ ィ ルタ チェ ンジャー 7 2 が設け られている。 こ のフ ィ ルタ チェ ンジャー 7 2 は、 ノ《ン ドノくス フ イ ノレタ 7 3 1 と偏光フ ィ ルタ 7 3 2 のいずれか一方を照明光の光路上に揷入 (揷脱) する。 なお、 バン ドパスフ ィ ルタ 7 3 1 を照明光路上に揷入 すれば、 指定する波長の照明光を ウェハ 2 のウェハエツジ部 に照射して干渉撮像が可能と なる。 また、 偏光フ ィ ルタ 7 3 2 を照明光路上に挿入すれば、 偏光撮像が可能と なる。

さ らに、 ァライナー 1 の上方に上記照明装置 7 1 と反対側 に撮像装置 7 4 が設け られている。 こ の撮像装置 7 4 は、 ァ ライナー 1 によ って一定の回転速度で回転している ウェハ 2 のウェハエ ッジ部を撮像する。 撮像装置 7 4 には、 例えば一 次元 C C D (ラ イ ンセ ンサカ メ ラ ) 、 二次元 C C Dセ ンサ、 又はタイ ムディ レーカメ ラ ( T D I カ メ ラ) が用レヽ られる。 撮像装置 7 4 は、 半導体ウェハ 2 のウェハエッジ部に対して 任意の角度 0 2で撮像可能である。 また撮像装置 7 4 は、 撮 像倍率を任意の倍率に変更可能と なってお り 、 縦解像度を選 定でき る。

こ の撮像装置 7 4 と して一次元 C C Dを用い、 ァライナー 1 の回転テーブル 1 a の回転速度に同期 して、 一定の回転速 度で回転している ウェハ 2 のウェハエッジ部を連続的に撮像 する こ と によって、 ウェハエッジ部を帯状の撮像画像データ と して取得する。 従って撮像装置 7 4 は、 回転テーブル 1 a の回転速度を可変する こ と によ り 、 撮像の横解像度 (ウェハ エッ ジ部の長手方向の解像度) を変更する こ と が可能である。

なお、 撮像装置 7 4 の位置をウェハ 2 に接近させる こ と に よ り 、 高倍率になる。 撮像装置 7 4 から出力される画像信号 は、 エッジ欠陥処理部 7 5 に送られる。 こ のエッ ジ欠陥処理 部 7 5 は、 撮像装置 7 4 での撮像によ り 取得された帯状の撮 像画像データ と 良品の前記ウェハの画像データ と を比較 して、 ウェハの ウェハエッジ部における欠陥部を検出 し、 かつ当該 帯状の撮像画像データ を表示出力する機能を有している。

具体的には、 エッジ欠陥処理部 7 5 は、 C P U等カゝらなる 主制御部 7 6 と、 こ の主制御部 7 6 によ り 読み出 し、 書み込 みが可能で、 撮像装置 7 4 から出力された画像信号を帯状の 撮像画像データ と して記憶する画像メ モ リ 7 7 と 、 良品のゥ ェハの ウェハェッジ部の画像データ を記憶するための良品画 像データ メ モ リ 7 8 と 、 帯状の撮像画像データ と 良品のゥェ ハ 2 の画像データ と を比較 してウェハ 2 のウェハエッジ部に おける欠陥部を検出する欠陥検出部 7 9 と、 帯状の撮像画像 データ をディ スプレイ 8 0 に表示出力する表示部 8 1 と から 構成されている。

良品画像データメ モ リ 7 8 に記憶される良品の半導体ゥェ ハ 2 の画像データは、 例えば過去の検査によ り 良品と して判 定された ウェハ 2の帯状の撮像画像データ を用いた り 、 口 ッ ト 中のウェハ 2 を順次検査する毎に良品のウェハ 2 を判定し て、 その良品の ウェハ 2 の画像データ を更新する よ う に した り する。

欠陥検出部 7 9 は、 帯状の撮像画像データ と 良品のウェハ 2 の画像データ と を比較する こ と によって、 ウェハ 2 のゥェ ハェ ッジ部における欠陥部の種類、 例えば塵、 傷、 欠け (ゥ ェハチッ ビング) 、 ひび割れ (ク ラ ッ ク) などを判定し、 こ れ ら欠陥部の欠陥数、 座標位置 ( X, Y ) と 、 欠陥の面積 (大き さ) な ど と を算出する機能を有している。

また欠陥検出部 7 9 は、 半導体製造工程における ウェハ 2 の表面へのフォ ト レジス ト塗布の後に、 ウェハ 2 のウエノヽェ ッジ部に リ ンス液を滴下して所定幅だけフォ ト レジス ト を力 ッ ト した と きのエッジカ ツ ト ライ ン幅を検出 し、 このエ ッジ カ ツ ト ライ ン幅と予め設定された閾値と を比較してエッジ力 ッ ト ライ ン幅の異常部分を判定し、 その座標位置 ( X, Y ) と、 その面積と を算出する機能を有している。

図 7 は、 本ウェハエッジ検査装置における帯状の撮像画像 データの表示出力例を示す図である。 表示部 8 1 は、 例えば 図 7 に示すよ う に帯状の撮像画像データ を複数に分割、 例え ば角度 9 0 度ごと に分割した 4つの分割画像データ A, B, C , Dを作成し、 これら分割画像データ A, B, C , Dをデ イ スプレイ 3 0 に表示する機能を有している。

こ こ で、 分割画像データ Aにおける G は欠けを示し、 分 割画像データ B における G 2は傷、 分割画像データ Cにおけ る G 3は塵、 分割画像データ Dにおける G 4はエ ッ ジカ ツ ト ライ ン幅の異常部分を示している。 表示部 8 1 は、 図 7 に示すよ う にライ ンセンサカ メ ラで撮 像した帯状の撮像画像データを ウェハマ ップの画面上に円形 状に展開 して、 ディ スプレイ 8 0 に表示する機能を有してい る。 こ の と き の画像処理では、 4 つの分割画像データ A, B, C , Dを張 り 合わせる こ と によ り 円形状の撮像画像を得てい る。

表示部 8 1 は、 ディ スプレイ 8 0 に表示されている ウエノ、 マ ップ上で、 例えばボイ ンタ を欠陥部 G 〜 G 4の任意の 1 つに移動させて、 ク リ ッ ク操作する こ と によ り 、 図 8 に示す よ う にボイ ンタで指示された欠陥部 G i〜 G 4の拡大画像を ディ スプレイ 8 0 に表示する機能を有 している。

また表示部 8 1 は、 帯状の撮像画像データ (分割画像デー タ A , B , C , D ) が表示されているディ スプレイ 8 0 の画 面上において、 欠陥部 G i〜 G 4の種類に応 じて、 これ ら欠 陥部 G i〜 G 4を色分け表示する機能を有している。

さ らに表示部 8 1 は、 帯状の撮像画像データ (分割画像デ ータ A, B, C, D ) を表示出力する と共に、 欠陥検出部 7 9 によ る判定結果を表示する機能を有 している。 半導体ゥェ ハ 2 のウェハエッジ部における欠陥部と しては、 例えば図 9 に示す傷、 ゴミ 、 欠け (ウェハチッ ピング) 、 エ ッジカ ッ ト ライ ン幅の異常部分や、 塵、 ひび割れなどであ り 、 判定結果 と しては、 各欠陥部の座標位置 ( X, Y ) と、 その面積など である。

次に、 上記のよ う に構成されたウェハエッジ検査装置の動 作について説明する。 ァライ ナー 1 は、 ウエノヽ 2 がセ ッ ト される と、 この ウェハ 2 を一定の回転速度で回転させる こ と によ り 、 1 つのエッジ センサによ り ウェハ 2 の 3 点のエ ッジ座標を検出 し、 こ の 3 点のエッジ座標データ から ウェハ 2 の中心位置と ノ ツチの方 向を検出 し、 この検出結果に基づいて半導体ウェハ 2 のァ ラ ィ メ ン ト を行な う。

これと共に、 照明装置 7 1 は、 一定の回転速度で回転して いる半導体ウェハ 2 の ウェハエ ッジ部に対して、 照明光を所 定の照射角度 0 ェで斜照明する。

撮像装置 7 4 は、 ァライナー 1 によって一定の回転速度で 回転している ウェハ 2 のウェハエッジ部力 らの反射光を、 ゥ エノヽ 2 の ウェハエッジ部に対 して任意の角度 θ 2で撮像 し、 その画像信号を出力する。 この画像信号は、 エッジ欠陥処理 部 7 5 の画像メ モ リ 7 7 に、 ウェハのウェハエッジ部の帯状 の撮像画像データ と して記憶される。

エ ッジ欠陥処理部 7 5 の欠陥検出部 7 9 は、 撮像画像デー タ と 良品画像データ と を比較 して、 ウェハエ ッジ部における 欠陥である塵、 傷、 欠け (ウェハチッ ビング) 、 ひび割れ、 エッジカ ッ ト ライ ン幅の異常部分な どの座標位置 ( X, Y ) と、 その面積と を算出する。

一方、 表示部 8 1 は、 画像メ モ リ 7 7 に記憶されている帯 状の撮像画像データ を、 例えば図 7 に示すよ う に複数に分割 (円形状を想定して例えば 9 0度ごと に分割) して 4つの分 割画像データ A, B , C , D を作成 し、 これら分割画像デー タ A , B , C , Dをディ スプレイ 8 0 に表示する。 これと共 に表示部 8 1 は、 帯状の撮像画像データを半導体ウェハ 2 の 円形形状に対応する 円形状に展開 して、 ディ スプレイ 8 0 に 表示する。

この場合、 図 7 に示すよ う にディ スプレイ 8 0 の画面上の 上部に円形状に展開 した撮像画像データを表示し、 下部に 4 つの帯状の分割画像データ A, B , C , Dを上下方向に並べ て表示する。 そ して、 これら円形形状の画像と帯状の分割画 像と に、 各欠陥部 G i〜 G 4 (欠け G 、 傷 G 2、 塵 G 3、 ェ ッ ジカ ツ ト ライ ン幅の異常部分 G 4 ) の符号を一致させて表 示する。

また表示部 8 1 は、 帯状の撮像画像データ (分割画像デー タ A , B , C , D ) が表示されているディ ス プレイ 8 0 の画 面上で、 欠陥部 G 〜 G 4の種類に応じて、 これら欠陥部 G i〜 G 4を色分け表示する。

さ らに表示部 8 1 は、 帯状の撮像画像データ (分割画像デ ータ A, B, C , D ) を表示出力する と共に、 欠陥検出部 7 9 による判定結果を表示する。 ウェハ 2 のウェハエッジ部に おけ る欠陥部 と しては、 例えば図 9 に示す傷、 ゴ ミ 、 欠け (ウェハチッ ビング) 、 エ ッジカ ッ ト ライ ン幅の異常部分や、 塵、 ひび割れなどであ り 、 判定結果と しては、 各欠陥部の座 標位置 ( X , Y ) と 、 その面積な どである。

こ のよ う に本第 2 実施例においては、 ァラ イナー 1 によ り 一定の回転速度で回転している ウェハ 2 のウェハエッジ部を 撮像装置 7 4 によって撮像 し、 こ の撮像によ り 取得された帯 状の撮像画像データ と 良品の画像データ と を比較 して、 半導 体ウェハ 2 のウェハエッジ部の欠陥検査を行な う 。 それと共 に、 帯状の撮像画像データ をその分割画像データ A, B, C , D と して表示し、 かつ円形状に展開 した撮像画像データ と し て表示する ので、 半導体ウェハ 1 の全周の ウェハエッジ部に おける欠陥部である、 塵、 傷、 欠け (ウェハチッ ビング) 、 ひび割れ、 エッジカ ッ ト ラ イ ン幅の異常部分などを検出でき る。

これに よ り 、 フォ ト レジス ト の薄膜が塗布された後の工程 で処理を進めていく 上で、 不良のウェハを製造して しま う よ う な不具合の原因の一つを確実に検出でき る。 その う え撮像 装置 7 4 は、 ァライナー 1 における回転速度を可変する こ と によ り 、 撮像の横解像度を変更でき るので、 ウェハエッジ部 の長手方向の解像度を向上 して歪みのない撮像画像データ を 取得し、 欠陥部の検出精度を向上でき る。

また、 ァライナー 1 では、 ウェハ 2 を欠陥検査装置本体 3 に渡すためにァライ メ ン ト動作する と きに、 半導体ウェハ 2 を一定の回転速度で回転させる。 これを利用 し、 ウェハ 2 の ウェハエッ ジ部の欠陥検査を行な う こ と によ り 、 別途検査装 置を設ける こ と な く 、 既存のァライナー 1 に照明装置 7 1 や 撮像装置 7 4、 エッジ欠陥処理部 7 5 を備えるだけの簡単な 構成で、 ウェハエッジの検査を実現でき る。

また、 帯状の撮像画像データや円形状に展開 した撮像画像 データの表示を行な う こ と によ り 、 塵、 傷、 欠け (ウェハチ ッ ビング) 、 ひび割れ、 エ ッジカ ッ ト ライ ン幅の異常部分な どの各欠陥部 G i〜 G の位置が、 実際の半導体ウェハ 2 上 の どの位置であるかを視覚的に認識でき る。

ま た、 半導体ウエノヽ 2 の ウエノヽエ ッ ジ部には、 ウエノ、 2 に 関する情報、 例えばウェハの識別番号 (ウェハ I D ) Wが付 されている。 こ の識別番号 Wは、 ウェハエッジ部上の予め決 め られた位置に付されている。 識別番号 Wは、 例えば文字情 報 「 A E 0 2 1 」 力 らなる。

こ の識別番号 Wを認識する場合、 識別番号 Wの付されてい る位置に撮像装置 7 4 を移動する。 撮像装置 7 4 から出力さ れる画像信号を、 図 6 に示すエ ッ ジ欠陥処理部 7 5 内に追加 した情報読取部 8 2 で画像処理して、 ウェハエ ッジ部に付さ れている半導体ウェハ 2 の識別番号を文字認識する。

なお、 半導体ウェハ 2 のウェハエッジ部が薄膜で覆われて いる場合がある。 この場合、 半導体ウェハ 2 の識別番号 Wは、 文字認識されない。 こ のよ う な場合、 照明装置 7 1 又は撮像 装置 7 4 に所定波長のフィルタ を装着する。 これによ り 、 半 導体ウェハ 2 の ウェハエッジ部が薄膜で覆われていても、 識 別番号 Wを文字認識でき る。

その う え、 各欠陥部の種類等に応 じて符号 G i G を付 して表示した り 、 色分け表示した りする こ と によ り 、 各欠陥 部 G i〜 G 4 の位置や種類を間違える こ と も防止でき る。

また、 円形状に展開 した撮像画像データ を表示する と きの 実際の画像処理は、 4 つの分割画像データ A , B , C , Dを 張り 合わせるだけなので、 簡単な画像処理で済む。

また、 半導体ウェハ 2 のウェハエッジ部における欠陥部 G i 〜 G 4 と して、 例えば塵、 傷、 欠け (ウェハチッ ビング) 、 ひび割れ、 エッジカ ッ ト ラ イ ン幅の異常部分などを表示 し、 さ らに、 それらの座標位置 ( X , Y ) と、 その面積と を合わ せて表示する の で、 各欠陥部 G i〜 G 4の欠陥の状態を認識 でき る。 その う え、 欠陥部 G 〜 G 4の拡大画像をディ ス プ レイ 3 0 の画面上に表示すれば、 欠陥部 G 〜 G 4 の詳細な 状態を視認でき る。

ま た、 フ イ ノレタ チ ェ ンジャー 7 2 に よ っ てバン ドパス フ ィ ルタ 7 3 1 を照明光路上に挿入する こ と によ り 、 干渉撮像に よる観察を行なえる。 また、 フィ ルタチェ ンジャー 7 2 によ つて偏光フ ィ ルタ 7 3 2 を照明光路上に揷入する こ と によ り 、 偏光撮像による観察を行なえる。

図 1 0 は、 本発明の第 3実施例に係るエ ッジ欠陥検査装置 の構成を示す図である。 こ のエッジ欠陥検査装置 1 0 0 は、 落射テ レセ ン ト リ ッ ク照明結像光学系を用いている。 センサ 筐体 1 0 1 は、 筒状に形成されている。

光源は、 発光ダイオー ド ( L E D ) 1 0 2 である。 こ の L E D 1 0 2 は、 L E D光を出力する。 L E D 1 0 2 は、 セ ン サ筐体 1 0 1 の側面に設け られている。 - ハーフ ミ ラー 1 0 3 は、 センサ筐体 4 1 内部に傾斜して設 けられている。 ノヽーフ ミ ラー 1 0 3 は、 L E D 1 0 2力 ら出 力された L E D光をテ レセ ン ト リ ッ ク レンズ 1 0 4側に反射 し、 かつテ レセ ン ト リ ック レ ンズ 1 0 4 に よ り集光された半 導体ウェハ 2 からの反射光を透過させる光路分割素子である。

テ レセ ン ト リ ッ ク レ ンズ 1 0 4 は、 L E D 1 0 2 力 ら出力 された L E D光を平行光に整形して半導体ウェハ 2 のウェハ エッジ部に照射する コ リ メー ト レンズ作用 と 、 半導体ウェハ 2から反射 してきた L E D光を集光する集光レンズ作用 と を 有する。

画像センサ部 1 0 6 は、 テ レセン ト リ ッ ク レンズ 1 0 4 の 後焦点側の光軸 P上に設け られている。 こ の画像センサ部 1 0 6 は、 絞 り 1 0 7 と 、 リ レー結像用 レンズ 1 0 8 と 、 2次 元撮像素子 1 0 9 と カゝらなる。

2次元撮像素子 1 0 9 は、 複数の固体撮像素子 ( C C D ) を 2次元平面状に縦横に配列してなる。 こ の 2次元撮像素子 1 0 9 によ り 取得された 2次元画像信号の う ち 1 ライ ン又は 複数ライ ンの画像データ を得る こ とで、 画像センサ部 1 0 6 は、 ライ ンセンサカ メ ラ と して作用する。

エッジ欠陥検査装置 1 0 0 は、 ウェハ 2 の ウェハエッジ部 の上方の、 ウェハ 2 の搬送、 搬出の邪魔にな らない位置に設 けられる。 また、 画像センサ部 1 0 6 の出力端子には、 図 6 に示すエッジ欠陥処理部 7 5 が接続されている。

本第 3実施例のエッジ欠陥検査装置 1 0 0 も、 上記第 2実 施例と同様に、 ァライナー 1 によ って一定の回転速度で回転 している半導体ウェハ 2 のウェハエッジ部を撮像する もので ある。 画像センサ部 1 0 6 の 2次元撮像素子 1 0 9 は、 ァラ イナ一 1 における一定の回転速度に同期 して半導体ウェハ 2 のウェハエ ッジ部を撮像するこ と によ り 、 図 7 に示すよ う な ウェハエッ ジ部の帯状の撮像画像データ を取得する。 なお、 エッジ欠陥処理部 7 5 による画像処理については、 上記第 2 実施例と 同様の処理がなされるので、 その詳細な説明は省略 する。

こ のよ う に本第 3 実施例によれば、 上記第 2実施例と 同様 に、 画像センサ部 1 0 6 によ り 、 回転している ウェハ 2 の ゥ ェハエッジ部を撮像 し、 この撮像によ り 取得された帯状の撮 像画像データ と 良品の画像データ と を比較 して、 半導体ゥェ ハ 2 のウェハエ ッジ部の欠陥検査を行な う こ とができ る。

本第 3 実施例では、 上記第 2 実施例と 同様の効果が得られ る他に、 ハーフ ミ ラー 1 0 3 に近接して L E D 1 0 2 、 テ レ セン ト リ ッ ク レンズ 1 0 4 、 及び画像セ ンサ 1 0 6 を集約 し て配置し、 エ ッジ欠陥検査装置 1 0 0 の小型化を図っている。 これによ り 、 半導体製造工程に配給される半導体ウェハ 2 の 表面欠陥やパターン形状計測を行な う検査装置や、 露光装置 などの製造装置に設け られたァライナーに、 エッジ欠陥検査 装置 1 0 0 を容易に設置する こ と ができ る。

なお、 本発明は上記第 2及ぴ第 3 の実施例に限定される も のではない。 例えば、 ディ スプレイ 8 0 の画面上におけ る表 示方法は、 次の通 り に変形しても よい。

図 1 1 , 図 1 2 は、 本ウェハエ ッジ検査装置における帯状 の撮像画像データの表示出力の変形例を示す図である。 図 1 1 に示す表示例は、 円形状に展開 した撮像画像データの外周 側に沿って、 各分割画像データ A, B , C , Dを表示してい る。 すなわち、 円形状の撮像画像データの角度 9 0度ごと に、 各分割画像データ A, B , C , D を対応付けて表示している。 これによ り 、 撮像画像データ と各分割画像データ と の位置関 係を示している。 図 1 2 に示す表示例は、 円形状に展開 した撮像画像データ の上下側に、 各分割画像データ E, F を表示 している。 すな わち、 円形状の撮像画像データ の角度 1 8 0度ごと に、 2分 割した各分割画像データ E , F を対応付けて表示している。 これによ り 、 撮像画像データ と各分割画像データ との位置関 係を示 している。 なお、 この表示例では、 角度 1 8 0度ごと に 2分割 した各分割画像データ E, F を表示 しているが、 分 割する角度は任意の角度に設定でき る。

' また、 オペ レータによってク リ ック操作された例えば欠陥 部 G ェ の拡大画像を表示する場合、 ズーム機能を用いて拡大 倍率を連続的に可変するよ う に しても よい。 また、 欠陥部 G i〜 G 4 の各位置を、 例えば半導体ウェハ 2 の ノ ツチ N又は オリ フラ を基準位置と して、 こ の基準位置からの角度を算出 して表示する よ う に しても よい。 また、 帯状の撮像画像デー タの一部分をディ スプレイ 8 0 に表示 し、 この表示領域をォ ペ レー タ の操作に応 じて変更 し、 ス ク ロール表示する よ う に しても よい。

さ らに、 ウェハ 2 を一定の回転速度で回転させる各種製造 装置な どに搭載する こ とが可能である。 また、 半導体製造分 野に限らず、 円形状の検査対象の外周部を観察、 検査する装 置全般に適用でき る こ とは言 う までも ない。

本発明は上記各実施例のみに限定されず、 要旨を変更 しな い範囲で適時変形して実施でき る。

産業上の利用可能性

本発明によれば、 半導体製造検査工程における半導体ゥェ ハの外周部分の検査を、 短時間で容易に行な う こ と が可能な 半導体ウェハ検査装置を提供でき る。

すなわち本発明に よれば、 半導体ウェハのエ ッ ジ部近傍を ミ ク ロ観察光学系に よ り ス ムーズに観察する こ と ができ る。 このため、 半導体製造装置における検査工程の効率化を図る こ と ができ る。 さ ら に、 エ ッ ジ部の観察が容易にな り 、 ス ム ーズな操作が可能と なるため、 半導体検査工程における生産 性の向上を図る こ と ができ る。

また本発明に よれば、 半導体ウェハのエ ッ ジ部の全周 に亘 つて、 欠陥部の判定を行なえる。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 半導体ウェハを吸着保持する回転テーブルと、
前記回転テーブル上に保持された前記半導体ウェハの少な く と もエ ッジ部を照明する照明装置と、
前記照明装置によ り 照明 された前記半導体ウェハのエッジ 部を撮像する撮像装置と、
前記撮像装置によ り 撮像された前記エッジ部の画像を取得 して少な く と もエッジカ ツ ト量又はク ラ ッ ク を検出する画像 処理装置と 、
前記画像処理装置で画像処理された前記エッジ部の画像を 表示出力する表示部と、
を具備 したこ と を特徴とする半導体ウェハ検査装置。
2 . 前記画像処理装置は、 前記エ ッジカ ッ ト量が規定値から 外れる場合、 その半導体ウェハを不良と判断する機能を有す る こ と を特徴とする請求項 1 に記載の半導体ウェハ検査装置。
3 . 前記画像処理装置は、 前記ク ラ ックである と判断した場 合、 その半導体ウェハを不良と判断する機能を有する こ と を 特徴とする請求項 1 に記載の半導体ウェハ検査装置。
4 . 前記撮像装置は、 前記半導体ウェハのエッジ部を所定の 倍率で拡大する対物レンズを備え、 前記回転テーブルは、 前 記半導体ウェハのエッジ部を前記対物レンズの下に移動させ る 2 軸移動ステージを備え、 前記回転テーブルを回転させな が ら前記撮像装置で前記半導体ウェハのエ ッジ部を撮像する こ と を特徴とする請求項 1 に記載の半導体ウェハ検査装置。
5 . 前記 2 軸移動ステージは、 前記回転テーブルの回転動作 に連動して予め求め られた前記半導体ウェハの中心が回転中 心と なる よ う に X Y方向に移動制御される こ と を特徴とする 請求項 4 に記載の半導体ウェハ検查装置。
6 . 前記 2 軸移動ス テージは、 前記回転テーブルの回転動作 に連動して予め求め られた前記半導体ウェハの中心ずれ量に 基づいて、 前記半導体ウェハのエッジ部が前記対物レ ンズの 視野内に常に入る よ う に X Y方向に移動制御される こ と を特 徵とする請求項 4 に記載の半導体ウェハ検査装置。
7 . 前記 2 軸移動ス テージは、 前記対物レ ンズの視野中心に 前記エッジ部を位置するためにポィ ンテ ィ ングデバイ スによ り X Y方向に微調整される こ と を特徴とする請求項 4 に記載 の半導体ウェハ検査装置。
8 . 前記撮像装置は、 前記回転テーブルを回転させなが ら前 記半導体ウ ェハのエッジ部を一次元で連続撮像し、 前記画像 処理装置は、 前記撮像装置で取 り 込まれた前記半導体ウェハ のエ ッジ部を帯状のエッジ画像と して取得する こ と を特徴と する請求項 1 に記載の半導体ウェハ検査装置。
9 . 前記画像処理装置は、 前記表示部に前記半導体ウェハの ウェハマ ッ プを表示させ、 この ウェハマップの周縁位置に対 応させて前記帯状のエッジ画像を複数に分割して表示する こ と を特徴とする請求項 8 に記載の半導体ウェハ検査装置。
1 0 . 前記画像処理装置は、 前記表示部に前記半導体ウェハ のゥェハマ ップの周縁に前記帯状のェッジ画像を重ねて表示 し、 こ のエ ッジ画像上に表示された欠陥部をポイ ンタでク リ ックする こ と によ り 該欠陥部の拡大画像を表示する こ と を特 徴とする請求項 8又は 9 に記載の半導体ウェハ検査装置。
1 1 . 前記回転テーブルは、 前記半導体ウェハの少な く と も 3 点のエ ッジ座標を検出する落射テ レセン ト リ ッ ク 照明結像 光学系 と 前記エッジ部の画像を取 り 込む画像センサからなる ァライナ機能を備え、 この画像セ ンサを前記撮像装置と して 用いる こ と を特徴とする請求項 1 に記載の半導体ウェハ検査 装置。
1 2 . 前記撮像装置と前記照明装置と を前記半導体ウェハ面 に対して所定の角度に配置 し、 前記照明装置の照射角度を可 変に したこ と を特徴とする請求項 1 に記載の半導体ウェハ検 査装置。
1 3 . 前記撮像装置は、 オー ト フ ォーカス機能を有し、 前記 回転テーブルを回転し前記半導体ウェハの検査開始時に前記 オー ト フ ォーカ ス機能を解除する こ と を特徴とする請求項 1 に記載の半導体ウェハ検査装置。
1 4 . 前記表示部は、 前記半導体ウェハの ウェハマ ップに観 察位置を示す観察ボイ ン ト を表示する こ と を特徴とする請求 項 1 に記載の半導体ウェハ検査装置。
PCT/JP2002/009637 2001-09-19 2002-09-19 Systeme de controle de tranches en semiconducteur WO2003028089A1 (fr)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001285637 2001-09-19
JP2001-285637 2001-09-19
JP2002-154183 2002-05-28
JP2002154183 2002-05-28

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003531516A JPWO2003028089A1 (ja) 2001-09-19 2002-09-19 半導体ウエハ検査装置
KR20037006232A KR100537684B1 (ko) 2001-09-19 2002-09-19 반도체웨이퍼검사장치
JP2003531516T JP4468696B2 (ja) 2001-09-19 2002-09-19 半導体ウエハ検査装置
US10438561 US6906794B2 (en) 2001-09-19 2003-05-15 Semiconductor wafer inspection apparatus
US10978059 US7102743B2 (en) 2001-09-19 2004-10-28 Semiconductor wafer inspection apparatus

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US10438561 Continuation US6906794B2 (en) 2001-09-19 2003-05-15 Semiconductor wafer inspection apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2003028089A1 true true WO2003028089A1 (fr) 2003-04-03

Family

ID=26622536

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2002/009637 WO2003028089A1 (fr) 2001-09-19 2002-09-19 Systeme de controle de tranches en semiconducteur

Country Status (5)

Country Link
US (2) US6906794B2 (ja)
JP (2) JP4468696B2 (ja)
KR (1) KR100537684B1 (ja)
CN (1) CN1260800C (ja)
WO (1) WO2003028089A1 (ja)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7012702B2 (en) 2002-01-09 2006-03-14 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Measuring apparatus
JP2006294969A (ja) * 2005-04-13 2006-10-26 Reitetsukusu:Kk ウエハ検査装置及びウエハの検査方法
WO2006118152A1 (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Olympus Corporation 外観検査装置及び外観検査方法並びに外観検査装置に装着可能な周縁部検査ユニット
WO2007017940A1 (ja) * 2005-08-10 2007-02-15 Raytex Corporation 端部傷検査装置
JP2007188975A (ja) * 2006-01-11 2007-07-26 Sony Corp 欠陥検査装置及び欠陥検査方法
JP2007256272A (ja) * 2006-02-24 2007-10-04 Hitachi High-Technologies Corp 表面検査装置
WO2007129691A1 (ja) * 2006-05-09 2007-11-15 Nikon Corporation 端部検査装置
JP2007303853A (ja) * 2006-05-09 2007-11-22 Nikon Corp 端部検査装置
JP2007303854A (ja) * 2006-05-09 2007-11-22 Nikon Corp 端部検査装置
JP2008020371A (ja) * 2006-07-13 2008-01-31 Nikon Corp 検査装置
JP2008196975A (ja) * 2007-02-13 2008-08-28 Olympus Corp 欠陥検査装置
WO2008139735A1 (ja) * 2007-05-14 2008-11-20 Nikon Corporation 表面検査装置および表面検査方法
WO2009016732A1 (ja) * 2007-07-31 2009-02-05 Raytex Corporation 基盤検査装置、及び、基盤検査方法
WO2009072483A1 (ja) * 2007-12-05 2009-06-11 Nikon Corporation 観察装置および観察方法
JP2010181317A (ja) * 2009-02-06 2010-08-19 Ohkura Industry Co 欠陥検査装置
US8577119B2 (en) 2006-02-24 2013-11-05 Hitachi High-Technologies Corporation Wafer surface observing method and apparatus

Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100403862B1 (ko) * 2001-01-26 2003-11-01 어플라이드비전텍(주) 반도체 웨이퍼 검사 장치 및 그 방법
JP3629244B2 (ja) * 2002-02-19 2005-03-16 本多エレクトロン株式会社 ウエーハ用検査装置
JP2004177325A (ja) * 2002-11-28 2004-06-24 Keyence Corp 拡大観察装置、拡大画像観察方法、拡大観察装置操作プログラムおよびコンピュータで読み取り可能な記録媒体
US6870949B2 (en) * 2003-02-26 2005-03-22 Electro Scientific Industries Coaxial narrow angle dark field lighting
JP2007501942A (ja) * 2003-05-19 2007-02-01 マイクロ−エプシロン・メステヒニク・ゲーエムベーハー・ウント・コンパニー・カー・ゲーMicro−Epsilon Messtechnik Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung & Compagnie Kommanditgesellschaft 好適に円形エッジを有する物体の品質を光学的に制御する光学的試験方法及び光学的試験装置
US7220034B2 (en) 2003-07-11 2007-05-22 Rudolph Technologies, Inc. Fiber optic darkfield ring light
US7340087B2 (en) * 2003-07-14 2008-03-04 Rudolph Technologies, Inc. Edge inspection
US6947588B2 (en) * 2003-07-14 2005-09-20 August Technology Corp. Edge normal process
US7589783B2 (en) * 2003-07-14 2009-09-15 Rudolph Technologies, Inc. Camera and illumination matching for inspection system
US7197178B2 (en) * 2003-07-14 2007-03-27 Rudolph Technologies, Inc. Photoresist edge bead removal measurement
US8045788B2 (en) * 2003-07-14 2011-10-25 August Technology Corp. Product setup sharing for multiple inspection systems
US8698327B2 (en) 2003-07-14 2014-04-15 Rudolph Technologies, Inc. Substrate handler
US7316938B2 (en) * 2003-07-14 2008-01-08 Rudolph Technologies, Inc. Adjustable film frame aligner
US20050052197A1 (en) * 2003-07-14 2005-03-10 Cory Watkins Multi-tool manager
US7968859B2 (en) * 2003-07-28 2011-06-28 Lsi Corporation Wafer edge defect inspection using captured image analysis
KR100531416B1 (ko) * 2003-09-17 2005-11-29 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Sls 장비 및 이를 이용한 실리콘 결정화 방법
DE102004015326A1 (de) 2004-03-30 2005-10-20 Leica Microsystems Vorrichtung und Verfahren zur Inspektion eines Halbleiterbauteils
DE102004029212B4 (de) * 2004-06-16 2006-07-13 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur optischen Auf- und/oder Durchlichtinspektion von Mikrostrukturen im IR
US7315360B2 (en) * 2004-09-24 2008-01-01 Lsi Logic Corporation Surface coordinate system
DE102004057057A1 (de) * 2004-11-25 2006-06-01 Leica Microsystems Cms Gmbh Substrat-Arbeitsstation und Zusatzmodul für eine Substrat-Arbeitsstation
JP4990630B2 (ja) * 2004-11-30 2012-08-01 コバレントマテリアル株式会社 表面検査装置及び表面検査方法
DE102004058126A1 (de) * 2004-12-02 2006-06-08 Leica Microsystems Jena Gmbh Vorrichtung zur Inspektion der Vorder- und Rückseite eines scheibenförmigen Objekts
KR100665845B1 (ko) * 2005-01-18 2007-01-09 삼성전자주식회사 스핀 스크러버
US7804993B2 (en) 2005-02-28 2010-09-28 Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. Method and apparatus for detecting defects in wafers including alignment of the wafer images so as to induce the same smear in all images
US7813541B2 (en) * 2005-02-28 2010-10-12 Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. Method and apparatus for detecting defects in wafers
DE102005014593A1 (de) * 2005-03-31 2006-10-05 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Vorrichtung zur Inspektion eines scheibenförmigen Objekts
CN100583407C (zh) 2005-04-27 2010-01-20 奥林巴斯株式会社 外观检查装置、外观检查方法以及可安装在外观检查装置上的边缘部检查单元
DE102005054552B4 (de) * 2005-11-14 2017-06-08 Infineon Technologies Austria Ag Vorrichtung und Verfahren zur Prüfung von Halbleitersubstraten auf Risse
WO2007120491A3 (en) * 2006-04-03 2008-04-24 Rudolph Technologies Inc Wafer bevel inspection mechanism
US8031931B2 (en) 2006-04-24 2011-10-04 Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. Printed fourier filtering in optical inspection tools
US7508504B2 (en) * 2006-05-02 2009-03-24 Accretech Usa, Inc. Automatic wafer edge inspection and review system
US20090122304A1 (en) * 2006-05-02 2009-05-14 Accretech Usa, Inc. Apparatus and Method for Wafer Edge Exclusion Measurement
US20090116727A1 (en) * 2006-05-02 2009-05-07 Accretech Usa, Inc. Apparatus and Method for Wafer Edge Defects Detection
US20070258085A1 (en) * 2006-05-02 2007-11-08 Robbins Michael D Substrate illumination and inspection system
US7512501B2 (en) * 2006-08-22 2009-03-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Defect inspecting apparatus for semiconductor wafer
JP2008145226A (ja) 2006-12-08 2008-06-26 Olympus Corp 欠陥検査装置及び欠陥検査方法
JP5060808B2 (ja) 2007-03-27 2012-10-31 オリンパス株式会社 外観検査装置
DE112008001104B4 (de) * 2007-04-27 2016-02-04 Shibaura Mechatronics Corp. Vorrichtung zur Halbleiterwafer-Bearbeitung und Verfahren sowie Vorrichtung zur Ermittlung einer Bezugswinkelposition
JP4693817B2 (ja) 2007-07-02 2011-06-01 日東精機株式会社 半導体ウエハへの粘着テープ貼付け方法および保護テープの剥離方法
JP5022793B2 (ja) * 2007-07-02 2012-09-12 日東精機株式会社 半導体ウエハの欠陥位置検出方法
CN101378092B (zh) 2007-08-30 2011-08-10 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 太阳电池及组件隐裂检测装置及其测试方法
CN100590832C (zh) 2007-11-28 2010-02-17 上海华虹Nec电子有限公司 自动检测硅片边缘的方法
US7869645B2 (en) * 2008-07-22 2011-01-11 Seiko Epson Corporation Image capture and calibratiion
US8269836B2 (en) 2008-07-24 2012-09-18 Seiko Epson Corporation Image capture, alignment, and registration
JP4918537B2 (ja) * 2008-12-11 2012-04-18 日東精機株式会社 半導体ウエハの保護テープ剥離方法および保護テープ剥離装置
US8060330B2 (en) * 2008-12-12 2011-11-15 Lam Research Corporation Method and system for centering wafer on chuck
JP5410212B2 (ja) * 2009-09-15 2014-02-05 株式会社Sokudo 基板処理装置、基板処理システムおよび検査周辺露光装置
JP5518598B2 (ja) * 2010-07-02 2014-06-11 東京エレクトロン株式会社 パーティクル分布解析支援方法及びその方法を実施するためのプログラムを記録した記録媒体
JP5715873B2 (ja) * 2011-04-20 2015-05-13 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥分類方法及び欠陥分類システム
KR101275863B1 (ko) * 2011-08-24 2013-06-17 한미반도체 주식회사 웨이퍼 검사장치
CN102435787B (zh) * 2011-09-15 2014-10-29 嘉兴景焱智能装备技术有限公司 图像传感器芯片的测试方法及其测试探针台
KR101231184B1 (ko) * 2011-12-02 2013-02-07 (주)쎄미시스코 기판 성막 검사장치
US8908957B2 (en) * 2011-12-28 2014-12-09 Elitetech Technology Co.,Ltd. Method for building rule of thumb of defect classification, and methods for classifying defect and judging killer defect based on rule of thumb and critical area analysis
CN102980897A (zh) * 2012-12-10 2013-03-20 深圳市华星光电技术有限公司 检测方法及检测装置
US9164043B2 (en) 2012-12-10 2015-10-20 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Detecting method and detecting device
CN103869630B (zh) * 2012-12-14 2015-09-23 北大方正集团有限公司 一种预对位调试方法
JP5710817B1 (ja) * 2014-03-13 2015-04-30 エピクルー株式会社 半導体ウェーハ位置表示システム、半導体ウェーハ位置表示方法および半導体ウェーハ位置表示プログラム
US9885671B2 (en) 2014-06-09 2018-02-06 Kla-Tencor Corporation Miniaturized imaging apparatus for wafer edge
US9645097B2 (en) 2014-06-20 2017-05-09 Kla-Tencor Corporation In-line wafer edge inspection, wafer pre-alignment, and wafer cleaning
US9653367B2 (en) * 2015-06-29 2017-05-16 Globalfoundries Inc. Methods including a processing of wafers and spin coating tool
US20170169556A1 (en) * 2015-12-10 2017-06-15 Industrial Technology Research Institute Workpiece measuring apparatus and method for measuring a workpiece
US20170284943A1 (en) * 2016-03-29 2017-10-05 Nilanjan Ghosh Detecting voids and delamination in photoresist layer
JP2018001276A (ja) * 2016-06-27 2018-01-11 株式会社ディスコ 内部クラック検出方法、および内部クラック検出装置
CN106067477A (zh) * 2016-06-27 2016-11-02 昆山国显光电有限公司 基板加工系统及基板检测方法
US20180315179A1 (en) * 2017-04-26 2018-11-01 Kla-Tencor Corporation System and Method for Photomask Alignment and Orientation Characterization Based on Notch Detection

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1001460A1 (en) * 1998-10-15 2000-05-17 Wacker-Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft Method and apparatus for detecting, monitoring and characterizing edge defects on semiconductor wafers
JP2000174076A (ja) * 1998-12-03 2000-06-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウエハ及びその識別方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4887904A (en) * 1985-08-23 1989-12-19 Canon Kabushiki Kaisha Device for positioning a semi-conductor wafer
JP2760918B2 (ja) * 1992-02-03 1998-06-04 大日本スクリーン製造株式会社 ノッチ付ウエハの位置検出装置
US6294793B1 (en) * 1992-12-03 2001-09-25 Brown & Sharpe Surface Inspection Systems, Inc. High speed optical inspection apparatus for a transparent disk using gaussian distribution analysis and method therefor
US6262432B1 (en) * 1992-12-03 2001-07-17 Brown & Sharpe Surface Inspection Systems, Inc. High speed surface inspection optical apparatus for a reflective disk using gaussian distribution analysis and method therefor
JP2798112B2 (ja) * 1994-03-25 1998-09-17 信越半導体株式会社 ウェーハノッチ寸法測定装置及び方法
JP2999712B2 (ja) 1996-03-29 2000-01-17 住友金属工業株式会社 端部欠陥検査方法とその装置
JPH10303126A (ja) * 1997-02-28 1998-11-13 Nikon Corp 移動シーケンスの決定方法
JPH11281337A (ja) 1997-09-22 1999-10-15 Genesis Technology Kk 欠陥検査装置
JP2000046537A (ja) 1998-07-24 2000-02-18 Genesis Technology Kk 欠陥検査装置
US6249342B1 (en) * 1999-07-06 2001-06-19 David Cheng Method and apparatus for handling and testing wafers
US6342705B1 (en) * 1999-09-10 2002-01-29 Chapman Instruments System for locating and measuring an index mark on an edge of a wafer
US6356346B1 (en) * 2000-01-21 2002-03-12 International Business Machines Corporation Device and method for inspecting a disk for physical defects
JP2001291752A (ja) * 2000-04-05 2001-10-19 Canon Inc 異物検査方法及び装置、及び該検査方法を用いた露光装置
US6545752B1 (en) * 2000-07-07 2003-04-08 Daitron, Inc. Method and apparatus for detecting defects along the edge of electronic media
US20020154298A1 (en) * 2001-04-24 2002-10-24 International Business Machines Corporation Method of inspecting an edge of a glass disk for anomalies in an edge surface

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1001460A1 (en) * 1998-10-15 2000-05-17 Wacker-Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft Method and apparatus for detecting, monitoring and characterizing edge defects on semiconductor wafers
JP2000174076A (ja) * 1998-12-03 2000-06-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウエハ及びその識別方法

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7012702B2 (en) 2002-01-09 2006-03-14 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Measuring apparatus
JP2006294969A (ja) * 2005-04-13 2006-10-26 Reitetsukusu:Kk ウエハ検査装置及びウエハの検査方法
US7684031B2 (en) 2005-04-27 2010-03-23 Olympus Corporation Visual inspection apparatus, visual inspection method, and peripheral edge inspection unit that can be mounted on visual inspection apparatus
WO2006118152A1 (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Olympus Corporation 外観検査装置及び外観検査方法並びに外観検査装置に装着可能な周縁部検査ユニット
WO2007017940A1 (ja) * 2005-08-10 2007-02-15 Raytex Corporation 端部傷検査装置
JP4663724B2 (ja) * 2005-08-10 2011-04-06 株式会社レイテックス 端部傷検査装置
JPWO2007017940A1 (ja) * 2005-08-10 2009-02-19 株式会社レイテックス 端部傷検査装置
JP2007188975A (ja) * 2006-01-11 2007-07-26 Sony Corp 欠陥検査装置及び欠陥検査方法
US8577119B2 (en) 2006-02-24 2013-11-05 Hitachi High-Technologies Corporation Wafer surface observing method and apparatus
JP2007256272A (ja) * 2006-02-24 2007-10-04 Hitachi High-Technologies Corp 表面検査装置
WO2007129691A1 (ja) * 2006-05-09 2007-11-15 Nikon Corporation 端部検査装置
JP2007303854A (ja) * 2006-05-09 2007-11-22 Nikon Corp 端部検査装置
US7800748B2 (en) 2006-05-09 2010-09-21 Nikon Corporation Edge inspection apparatus
JP2007303853A (ja) * 2006-05-09 2007-11-22 Nikon Corp 端部検査装置
KR101444474B1 (ko) 2006-05-09 2014-09-24 가부시키가이샤 니콘 검사 장치
JP2008020371A (ja) * 2006-07-13 2008-01-31 Nikon Corp 検査装置
JP2008196975A (ja) * 2007-02-13 2008-08-28 Olympus Corp 欠陥検査装置
JPWO2008139735A1 (ja) * 2007-05-14 2010-07-29 株式会社ニコン 表面検査装置および表面検査方法
WO2008139735A1 (ja) * 2007-05-14 2008-11-20 Nikon Corporation 表面検査装置および表面検査方法
WO2009016732A1 (ja) * 2007-07-31 2009-02-05 Raytex Corporation 基盤検査装置、及び、基盤検査方法
JPWO2009072483A1 (ja) * 2007-12-05 2011-04-21 株式会社ニコン 観察装置および観察方法
WO2009072483A1 (ja) * 2007-12-05 2009-06-11 Nikon Corporation 観察装置および観察方法
JP2010181317A (ja) * 2009-02-06 2010-08-19 Ohkura Industry Co 欠陥検査装置

Also Published As

Publication number Publication date Type
US6906794B2 (en) 2005-06-14 grant
KR100537684B1 (ko) 2005-12-20 grant
CN1473360A (zh) 2004-02-04 application
JPWO2003028089A1 (ja) 2005-01-13 application
US7102743B2 (en) 2006-09-05 grant
CN1260800C (zh) 2006-06-21 grant
US20030202178A1 (en) 2003-10-30 application
US20050062960A1 (en) 2005-03-24 application
KR20030051784A (ko) 2003-06-25 application
JP4468696B2 (ja) 2010-05-26 grant

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6324298B1 (en) Automated wafer defect inspection system and a process of performing such inspection
US4347001A (en) Automatic photomask inspection system and apparatus
US6809809B2 (en) Optical method and apparatus for inspecting large area planar objects
US4845373A (en) Automatic alignment apparatus having low and high resolution optics for coarse and fine adjusting
US6671397B1 (en) Measurement system having a camera with a lens and a separate sensor
US6693664B2 (en) Method and system for fast on-line electro-optical detection of wafer defects
US20010019625A1 (en) Method and apparatus for reticle inspection using aerial imaging
US6175646B1 (en) Apparatus for detecting defective integrated circuit dies in wafer form
US20040105093A1 (en) Inspection method and inspection apparatus
US20080174771A1 (en) Automatic inspection system for flat panel substrate
US6822734B1 (en) Apparatus and method for fabricating flat workpieces
US7127098B2 (en) Image detection method and its apparatus and defect detection method and its apparatus
US6487307B1 (en) System and method of optically inspecting structures on an object
US5105147A (en) Wafer inspection system
US6198529B1 (en) Automated inspection system for metallic surfaces
US4247203A (en) Automatic photomask inspection system and apparatus
US5917588A (en) Automated specimen inspection system for and method of distinguishing features or anomalies under either bright field or dark field illumination
US20110141272A1 (en) Apparatus and method for inspecting an object surface defect
US7227628B1 (en) Wafer inspection systems and methods for analyzing inspection data
US20090122304A1 (en) Apparatus and Method for Wafer Edge Exclusion Measurement
US7027640B2 (en) Method and apparatus for inspecting defects on polishing pads to be used with chemical mechanical polishing apparatus
US6432800B2 (en) Inspection of defects on the circumference of semiconductor wafers
US6292260B1 (en) System and method of optically inspecting surface structures on an object
US20040117055A1 (en) Configuration and method for detecting defects on a substrate in a processing tool
US7280197B1 (en) Wafer edge inspection apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2003531516

Country of ref document: JP

AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): CN DE JP KR SG

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020037006232

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10438561

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 028029372

Country of ref document: CN

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020037006232

Country of ref document: KR

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 1020037006232

Country of ref document: KR