WO2002089198A1

WO2002089198A1 - Verfahren zur steuerung eines prozessgerätes zur sequentiellen verarbeitung von halbleiterwafern

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Publication number: WO2002089198A1
Application number: PCT/DE2002/001563
Authority: WO
Inventors: Thorsten Schedel; Karl Schumacher; Thomas Fischer; Heiko Hommen; Ralf Otto; Sebastian Schmidt
Original assignee: Infineon Technologies Ag
Priority date: 2001-04-27
Filing date: 2002-04-29
Publication date: 2002-11-07
Also published as: DE10120701A1; GB2379555B; GB0228420D0; US6684124B2; US20020183879A1; GB2379555A

Abstract

Während ein erster bereits in einem Prozeßgerät (1) prozessierter vorauslaufender Halbleiterwafer (11) eines Loses oder Batches in einem Mikroskopmeßgerät (2) auf Werte für die Strukturparameter (30) gemessen wird, wird ein zweiter oder weitere Halbleiterwafer (12) des Loses in dem Prozeßgerät (1) prozessiert. Ein Ergebnissignal (100) meldet eine beispielsweise erfolgreich verlaufene Inspektion des ersten Wafers, so daß die nachfolgenden Wafer (12) nicht mehr inspiziert zu werden brauchen. Mit den Meßergebnissen werden automatisch die Prozeßparameter (31) des Prozeßgerätes (1) nachgeregelt. Ereignisse wie Wartungsarbeiten oder Parameterdrifts in Trendkarten etc. werden in Steuereinheiten (8 bzw. 9) detektiert und führen über die Ausgabe eines Ereignissignals (102) z.B. in einer Ereignisdatenbank (40) zur ereignisbezogenen Auswahl von zu messenden Strukturparametern (30') und/oder zur Initiierung eines vorauslaufenden Wafers (11). Mit einer Steuereinheit (8) detektierte Grenzwertverletzungen (21) wenigstens eines Prozeßparameters (31) werden mit einem Warnsignal (101) beantwortet und ebenfalls in die Ereignisdatenbank (40) gespeist.

Description

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Los an den Eingang eines Prozeßgerätes, so bilden die enthaltenen Wafer aufgrund der oft nur sequentiell möglichen Verarbeitung kurzzeitig eine Schlange, englisch batch queue, in folgenden auch nur „batch" genannt.

Üblicherweise werden die schließlich verarbeiteten z.B. 25 Wafer wieder zusammengefaßt und zur Messung der Güte des gerade durchgeführten Prozesses, d.h. der Qualität, einem oder mehreren Meßgeräten zugeführt. Hierzu finden in der Halblei- terindustrie eine Anzahl verschiedener Typen von Mikroskopmeßgeräten Verwendung. Unter diesem Begriff sind in diesem ^• Dokument optische wie auch im Ultravioletten arbeitende Mikroskopmeßgeräte zur Messung von Lagegenauigkeit oder Strukturgrößen etc. bezeichnet, aber auch Mikroskope im weiteren Sinne, wie etwa Rasterelektronenmikroskope (SEM, Scanning

Electron Microscope) oder AFM (Atomic Force Microscope) , oder auch mit Interferenzen arbeitende Meßgeräte wie Schichtdik- kenmeßgeräte, Particle Counter etc., oder im allgemeinen Defektinspektionsgeräte. Dies entspricht der in der Halblei- terindustrie gebräuchlichen, englischsprachigen Bezeichnung „Metrology tools".

Verschiedene prozeßrelevante Parameter werden bei einer solchen Kontrolle ausgemessen, wobei heutzutage für die Auswahl meist die Methode der statistischen Prozeßkontrolle (SPC,

Statistical Process Control) angewandt wird. Indem nicht jedes Los oder jeder Produktbatch kontrolliert werden, sondern vielmehr nach statistischen Methoden zufällig ausgewählte Gesamtheiten vermessen werden, kann einerseits auf vorteilhafte Weise zusätzliche Kapazität der oben genannten Mikroskopmeßgeräte freigestellt werden. Bei auftretenden Problemen - z.B. nahe an Spezifikationsgrenzen liegende Meßwerte - können die statistischen Samples dynamisch angepaßt werden.

Andererseits können auch Meßwerthistorien kontrolliert werden, um charakteristische Systemtrends des Prozeßgerätes wie etwa systematische Parameterverschiebungen und möglicherweise daraus resultierend sich abzeichnende Grenzwertverletzungen feststellen zu können. Ebenso können aus der Historie durch Mittelwertbildung als Punktion der Zeit systematische Meßwertsprünge ermittelt werden, welche dann mit Ereignissen der Prozeßgerätehistorie verglichen werden.

Mit den daraus gewonnenen Erkenntnissen können die Prozeßparametereinstellungen des betrachteten Prozeßgerätes nachjustiert beziehungsweise optimiert werden.

Hierbei wirkt sich nachteilhaft aus, daß sich diese Optimierungen leider erst auf das nächste an das Prozeßgerät herangeführte Los beziehungsweise dessen Wafer auswirken können. Für das gerade prozessierte Los gilt einerseits, daß bei Auf- treten von Systemfehlern im Prozeßgerät alle enthaltenen insgesamt betroffen ist und daher in den Rework, d.h. Reprozes- sierung, gesendet werden müssen. Aus diesem Grunde entstehen zusätzliche Kosten und die Ausbeute kann sich nachteilhaft verringern.

Andererseits können sich nur auf einzelne Wafer auswirkende Effekte durch die Art des statistischen Samplens übersehen werden. Desweiteren ist nicht gewährleistet, ob die Annahme, daß die aus dem aktuell gefertigten Los gefolgerten Prozeßop- timierungen den gleichen Bedingungen wie für das folgende Los unterliegen, gerechtfertigt ist.

Eine andere Methode stellt die eines vorauslaufenden Wafers dar. Bevor der eigentliche Produktionsbatch der Wafer star- tet, wird ein meist als Testwafer fungierender Vorläufer prozessiert, welcher dann schnellstmöglich dem Metrology Tool übergeben wird, wonach dann die Prozeßparameter des Prozeßgerätes für die nachfolgenden eingestellt werden können. Diese Methode hat den besonderen Nachteil, daß nicht nur die Wafer des Loses auf die Vermessung des Vorläufers warten müssen und dadurch später prozessiert werden, sondern auch für das Pro-

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meßgeräte, Rasterelektronenmikroskope, AFM sowie auch inter- ferometrisch oder akustisch arbeitende Geräte zur Positions-, Schichtdicken-, Neigungswinkel- oder Strukturbreitenmessungen bezeichnet.

Das vorliegende Verfahren ermöglicht das Prozessieren eines zweiten Wafers aus dem Batch bei sequentieller Verarbeitung direkt nach Abschluß des Prozesses für den ersten Wafer. Die Zeit, in der der erste Wafer prozessiert auf die Fertigstel- lung der weiteren Wafer warten würde, wird vorteilhaft für die Inspektion beziehungsweise Vermessung der für die Güte des jeweils durchgeführten Prozesses notwendigerweise zu vermessenden Metrology-Parameter genutzt.

Der Vorteil liegt demnach darin, daß der vorauslaufende Wafer weder als Testwafer vom Los getrennt und später entsorgt werden muß_> wobei die verbleibende Wafermenge im Los unprozes- siert auf die Vermessung und die Meßergebnisse wartet, noch daß alle Wafer des Loses prozessiert werden, um dann nach statistischen Gesichtspunkten vermessen zu werden. Der damit verbundene Nachteil, daß alle Wafer des Loses durch beispielsweise ungeeignet eingestellte System- beziehungsweise Prozeßparameter des Prozeßgerätes in ihrer Güte beeinträchtig sind, wird gemäß der vorliegenden Erfindung aufgehoben. Die von dem vorauslaufenden Wafer rücklaufende Meßergebnisse können nämlich für eine Korrektur beziehungsweise Optimierung der Prozeßparametereinstellung des Prozeßgerätes bei der Verarbeitung eines zweiten Wafers des Loses einfließen. In diesem Dokument bezeichnet der zweite Wafer nicht unbedingt den in der Reihenfolge der Verarbeitung zweiten Wafer, sondern jeden beliebigen weiteren Wafer in der Verarbeitungsreihenfolge. Bei welchem zweiten Wafer in der Reihenfolge die Meßergebnisse des vorauslaufenden Wafers eintreffen und in einer Prozeßoptimierung wirksam werden, hängt vom Grad der Au- tomatisierung des Transportweges, der Anzahl der Strukturen die vermessen werden müssen, sowie der Anzahl der Mikroskopmeßgeräte zur Messung der Strukturparameter ab. Moderne

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fenden Wafers betrachtet. Die den Prozeß des Wafers beeinflussenden chemischen oder physikalischen Prozeßparameter wie Temperatur, chemische Zusammensetzung, Prozeßdauer, Intensität, Druck etc. werden im Prozeßgerät verfolgt und aufge- zeichnet. Überschreiten die aufgezeichneten Werte den in einem Prozeßparameter zugeordneten Prozeßgrenzwert, der auch von Waferspezifikation abhängen kann, so wird hierfür ein Warnsignal generiert, welches vorzugsweise durch einen entsprechenden Datehbankeintrag für den betreffenden Wafer be- werkstelligt wird. Aus einem Los wird dann zum Beispiel der mit dem entsprechenden Flag versehene Wafer als vorauslaufender, erster Wafer ausgewählt, also für die Vermessung vorgesehen. Durch diese Methode, die in Analogie zur SPC als APC (Advanced Process Control) bezeichnet werden kann, werden von vornherein die als besonders kritisch geltenden Wafer für die Vermessung vorbereitet . Außerhalb der Grenzwerte laufende Prozeßbedingungen können nämlich oftmals zu entsprechenden Verletzungen der Waferspezifikation führen. Durch diese APC- Methode in Kombination mit einem vorauslaufenden Wafer wird die Ausbeute für das entsprechende Prozeßgerät zusätzlich erhöht.

In einer weiteren Ausgestaltung wird ein weiterer Vorteil der Zeitersparnis durch Anwendung und Kombination mit SPC- Methoden erreicht. Durch Aufstellen sogenannter Trendkarten, d.h. Aufzeichnungen von gemessenen Werten verschiedener Strukturparameter durch das Mikroskopmeßgerät und Auftragen gegen die Zeit können Trends ermittelt oder plötzliche Sprünge der Prozeßbedingungen rückwirkend oder im ersten Fall vor- ausschauend ermittelt werden. In Zusammenspiel mit der vorliegenden Erfindung wird diese Methode besonders vorteilhaft, wenn in Abhängigkeit einer solchen Berechnung ein dieses Ereignis beschreibendes Signal generiert wird, das für die weitere Planung des Fertigungsweges des zweiten und weiterer nachfolgender Wafer ausgewertet wird. Das gemeldete Ereigni-s entspricht also zum Beispiel einer Prozeßparameterdrift oder einem festgestellten Sprung durch äußere Einflüsse auf das Prozeßgerät . Vorzugsweise wird dieses Ereignis in einer Ereignisdatenbank eingetragen oder direkt dem fabrikinternen Planungssystem (MES) gemeldet. Ziel ist es dabei, einen weiteren vorauslaufenden Wafer derart zu untersuchen, daß gerade nur der das Drift- oder Sprungproblem kennzeichnende Strukturparameter für den Wafer ausgemessen wird.

Einerseits wird dadurch vorteilhaft auf die zeitraubende Messung für dieses Problem nicht relevanter Strukturparameter verzichtet, andererseits kann man möglicherweise im Standardfall nicht notwendigerweise gemessene Strukturparameter durch Anstoß der entsprechenden Messung erhalten.

In einer weiteren Ausgestaltung wird die Generierung eines Ereignissignals für eine mit Reparatur oder Wartung verbundene Tätigkeit erzeugt. Nach derartigen Arbeiten am Prozeßgerät, wie etwa dem Austausch von Systemteilen sind Prozeßparameter beziehungsweise deren Einstellungen im allgemeinen verändert. Dadurch sind entsprechende Sprünge im Mikroskopmeßge- rät gemessenen Strukturparametern zu erwarten, so daß gemäß dieser Ausgestaltung vorteilhaft eine erste Messung durch einen vorauslaufenden Wafer angestoßen wird. Reparatur- oder Wartungstätigkeiten fallen im wesentlich unter die Kategorien "Scheduled Down", "Unscheduled Down", "Preventive Mainte- nance", etc. Die entsprechenden Planungsaufgaben werden durch das Objektmodul (RTC, Ressource Tracking Control) des fabrikinternen CIM- oder MES-Systems verwaltet. Entsprechende geplante oder ungeplante Ereignisse werden auf entsprechenden Bussystemen gemeldet und können - wie bei der Kombination der Erfindung mit SPC-Methoden - ursächlich für die Auswahl geeigneter Strukturparameter des vorauslaufenden Wafers für die Messung im Mikroskopmeßgerät genutzt werden.

Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteran- Sprüchen angegeben. I

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Ein erster Wafer aus dem Los von Halbleiterwafern 10 wird als vorauslaufender Wafer 11 ausgewählt und in dem Belichtungsgerät 1 mit der Struktur einer Maske belichtet. Das Belichtungsgerät 1 umfaßt lediglich eine Belichtungskammer, so daß sequentiell immer nur ein Wafer 10 verarbeitet werden kann. Nach Beendigung des Belichtungsschrittes wird der Wafer ausgegeben und von einem automatischen Transportsystem direkt zu dem Overlay-Meßgerät 2 zur weiteren Vermessung gefahren. In der frei werdenden Prozeßkammer des Belichtungsgerätes 1 wird direkt anschließend ein zweiter Halbleiterwafer 12 zur Ausführung des gleichen Belichtungsschrittes eingebracht. Während dieser Belichtung des zweiten Wafers 12 wird der erste Wafer 11 auf den Strukturparameter Lagegenauigkeit und Strukturbreite an jeweils verschiedenen Meßpunkten untersucht. Die gemessenen Werte werden mit dem in einer Produktdatenbank hinterlegten Spezifikationswerten für dieses Waferprodukt in der Steuereinheit 9 verglichen. Für das aktuelle Produkt ergibt sich eine geringe mittlere Abweichung von dem Target- wert, jedoch innerhalb der vorgegebenen Grenzwerte bezie- hungsweise Spezifikation. Die Steuereinheit 9 generiert daraus ein Ergebnissignal 100, welches in die Ereignisdatenbank 40 eingespeichert wird. Der entsprechende Flag wird in den Tabellen den verbleibenden zweiten und weiteren Halbleiterwafern 12 zugeordnet, so daß das Fertigungssteuerungssyste (CIM-System) nach Beendigung des Lithographieschrittes für den zweiten Wafer 12 diesen über das Transportsystem zusammen mit dem ersten Wafer 11 dem nachfolgenden Ätzschritt 3 zuführt , wobei diese im Losbehälter gesammelt und dieser zum Ätzen gegeben wird.

Der vorauslaufende Wafer 11 muß nicht notwendigerweise der in der zeitlichen oder logischen Reihenfolge erste Wafer eines Loses, Batches oder Wafer Carriers sein. Er kann auch während des Prozessierens des Loses als solcher aktiviert sein, bei- spielsweise durch ein Ereignis, welches eine neue Inspektion erforderlich macht. In der vorliegenden Notation ist der neue, vorauslaufende Wafer dann der erste Wafer 11 und ein ω ω t to μ^* μ» in o in o in o in

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heit 9 diesen Wafer 11* nur auf den Strukturparameter 30' hin untersucht. Der Start des Vorlauferwafers 11' kann erfindungsgemäß auch von der Steuereinheit 9 aufgrund der Feststellung des Trends mit dem Ereignissignal 102 - Ansteuerein- heit 8 gesendet - initiiert werden.

Durch das Einsparen der Shift- und Magnification-Messung wird freie Meßkapazität in dem Overlay Meßgerät 2 erhöht und die Fertigungszeit vorteilhaft verkürzt.

Ein weiteres erfindungsgemäßes Beispiel des Verfahrens zur Steuerung des Prozeßgerätes 1 ist in Figur 3 gezeigt. Ein RTC-Modul 80 hat für das Belichtungsgerät 1 Wartung angekündigt (Preventive Maintenance, PM) , deren Beendigung mit einem Ereignissignal 102 der Steuereinheit 9 des Overlay Meßgerätes 2 mitgeteilt wird. Als Reaktion auf ein entsprechendes Flag, welches in die Ereignisdatenbank 40 eingetragen ist, wird der vorauslaufende Wafer 11 in dem Overlay-Meßgerät 2 lediglich auf die Strukturbreite hin vermessen. Der Grund ist, daß in diesem Beispiel als Wartung ein Lichtfilterwechsel durchgeführt wurde, so daß keine neue Justage erforderlich ist. Demzufolge muß auch das Overlay nicht neu geprüft werden, sondern lediglich die Linienbreite als mögliche Folge einer Do- sisänderung .

Auch hier wird der vorauslaufende Wafer 11 durch Anstoß der Steuereinheit 9 beziehungsweise des gesendeten Ereignissignals 102 hin gestartet. Dynamisch kann hier auch ein nachlaufender zweiter Wafer 12 während der Generierung eines Ereignissignals 102 zu einem neuen vorauslaufenden Wafer 11 umdirigiert werden, um die neuen Bedingungen schnell überprüfen zu können. Durch die Messung des nur einen erforderlichen Strukturparameters 30' wird wiederum Zeit gespart, und durch den rücklaufenden Informationsfluß zur Steuerung der Prozeß- parameter in dem Belichtungsgerät 1 eine Qualitätsverbesserung des Prozesses herbeigeführt. In dem Flußdiagramm, welches in Figur 3b gezeigt ist, wird der prinzipielle Ablauf dieses erfindungsgemäßen Beispiels illustriert. Zunächst wird geprüft, ob überhaupt eine Systemeinstellung geändert worden ist, und wenn dies der Fall ist, welche Einstellung geändert worden ist. Verschiedene Arten von Systemänderungen führen zu unterschiedlich zu vermessenden Strukturparametern 30. In dem Beispiel wurde ein Lichtfilterwechsel durchgeführt, welches in diesem Flußdiagramm als Illuminatoränderung bezeichnet wird. Ein vorauslau ender Wafer 11 (englisch: Send-Ahead-Wafer) wird daraufhin auf die Strukturbreite überprüft. Wird hingegen das Alignment, die justage, geändert, so ist mit dem Send-Ahead-Wafer die Lage- genauigkeit in einem Overlay-Meßgerät 2 zu überprüfen. Eine globale Änderungen erfordert allerdings nach wie vor eine Überprüfung aller Parameter.

Dieses Flußdiagramm zeigt, daß gemäß dem Verfahren der vorliegenden Erfindung der Start von vorauslaufenden Wafern 11 initiiert wird. Bei vorteilhaftem Meßergebnis kann mit den geringfügig erhaltenen Abweichungen eine Prozeßparameterkorrektur durchgeführt werden, während der Produktionsdurchsatz unbeeinträchtigt bleibt.

Bezugszeichenliste

1 Prozeßgerät, Belichtungsgerät

2 Mikroskopmeßgerät, Overlay Meßgerät 3 Folgeprozeß, Ätzschritt

8 Steuereinheit für Prozeßgerät

9 Steuereinheit für Mikroskopmeßgerät

10 Halbleiterwafer

11 vorauslaufender Wafer, Send-Ahead-Wafer, erster Wafer 11' nächstfolgender erster Wafer

12 zweiter Wafer, nachlaufende Produktion

20 Grenzwerte für Strukturparameter 21 Prozeßgrenzwert

30 Strukturparameter 31 Prozeßparameter

40 Ereignisdatenbank

80 RTC-Modul

100 Ergebnissignal

101 Warnsignal 102 Ereignissignal

200 Prozeßoptimierung/-kontrolle

Claims

Patentansprüche

1. Verfahren zur Steuerung eines Prozeßgerätes (1) zur sequentiellen Verarbeitung von Halbleiterwafern (10) unter Ver- endung wenigstens eines Mikroskopmeßgerätes (2) zur Bestimmung der Güte des in dem Prozeßgerät (1) mit wenigstens einem Prozeßparameter (31) durchgeführten Prozesses, wobei Ziel- und Grenzwerte (20) für mindestens einen Strukturparameter (30) der auf den Wafer gebildeten Strukturen und Prozeßgrenz- werte (21) für den wenigstens einen Prozeßparameter (31) vorgegeben sind, umfassend die Schritte:

- Prozessieren eines ersten Wafers (11) in dem Prozeßgerät

⁽1),

- Ermitteln eines Wertes für den wenigstens einen Prozeßpara- meter (31) während des Prozessierens des ersten Wafers

(11) ,

- Vergleich des ermittelten Wertes des wenigstens einen Prozeßparameters (31) mit dem dazu vorgegebenen Prozeßgrenzwert (21) , - Erzeugen eines Warnsignals (101) in Abhängigkeit vom Ergebnis des Vergleiches,

- Übergabe des ersten Wafers (11) an das Mikroskopmeßgerät (2) in Abhängigkeit vom Warnsignal (101) ,

- Messung eines Strukturparameters (30) von in dem Prozeß auf dem ersten Wafer (11) gebildeten oder veränderten Strukturen in dem Mikroskopmeßgerät,

- Prozessieren wenigstens eines zweiten Wafers (12) vor oder während der Messung des ersten Wafers (11) in dem Prozeßgerät (1) , - Vergleich der gemessenen Werte der Strukturparameter (30) des ersten Wafers (11) mit den vorgegebenen Ziel- und Grenzwerten (20) ,

- Erzeugen eines Ergebnissignals (100) in Abhängigkeit vom Vergleichsresultat .

2 . Verfahren nach Anspruch 1 , d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der wenigstens zweite Wafer (12) in Abhängigkeit vom erzeugten Ergebnissignal (100) einem folgenden Prozeßschritt (3) zugeführt wird, ohne zwischen beiden Prozeßschritten dem Mikroskopmeßgerät (2) zur Messung wenigstens eines Strukturpa- ra eters (30) zugeführt zu werden.

3. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß

- mehrere Wafer (10) jeweils zu Losen zusammengefaßt sind, - die Schritte für mehrere Lose mit jeweils zu vermessenden ersten Wafern (11) wiederholt werden,

- die jeweils gemessenen Werte der Strukturparameter (30) auf dem jeweils ersten Wafer (11) mit ihren Zeitmarken gespeichert werden, - aus den gespeicherten Werten eine zeitliche Entwicklung der Strukturparameter berechnet wird,

- in Abhängigkeit vom Ergebnis der Berechnung ein Ereignissignal (102) generiert wird.

4. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß

- die Verarbeitung von Wafern in dem Prozeßgerät für eine mit Reparatur oder Wartung verbundene Tätigkeit unterbrochen wird, - ein Ereignissignal (102) spätestens bei Beendigung der Tätigkeit in Abhängigkeit von der durchgeführten Tätigkeit generiert wird,

- das Ereignissignal (102) an das Mikroskopmeßgerät (2) übermittelt wird.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 oder 4, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß für den ersten Wafer (11') eines nachfolgenden Loses in dem wenigstens einen Mikroskopmeßgerät (2) der zu messende Struk- turparameter (30') in Abhängigkeit vom Ereignissignal (102) ausgewählt wird.

6. Verfahren nach Anspruch 5, soweit rückbezogen auf Anspruch 4, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß

- das Prozeßgerät (1) ein Belichtungsgerät zur Strukturierung von Wafern (10) ist, und der Prozeß die lichtoptische Projektion von Maskenstrukturen auf Wafer (10) beinhaltet,

- die Reparatur- oder Wartungstätigkeit eine Justierung der Waferstage beinhaltet,

- das Ereignissignal (102) ein Kennzeichen für die durchge- führte Justierung der Waferstage umfaßt,

- als Antwort auf das übermittelte Ereignissignal mit dem Kennzeichen die Strukturparameter (30) Lagegenauigkeit und Strukturbreite ausgewählt werden,

- ausschließlich die Lagegenauigkeit und die Strukturbreite mit einem oder zwei Mikroskopmeßgeräten (2) gemessen werden.

7. Verfahren nach Anspruch 5 , rückbezogen auf Anspruch 4 , d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß - das Prozeßgerät (1) ein Belichtungsgerät zur Strukturierung von Wafern (10) ist,

- die Reparatur- oder Wartungstätigkeit Änderungen an der Beleuchtung des Belichtungsgerätes beinhalten,

- das Ereignissignal ein Kennzeichen für die durchgeführte Änderung an der Beleuchtung umfaßt,

- als Antwort auf das übermittelte Ereignissignal (102) mit dem Kennzeichen der Strukturparameter (30) Strukturbreite ausgewählt wird,

- ausschließlich die Strukturbreite mit einem Mikroskopmeßge- rät (2) gemessen wird.

8. Verfahren nach Anspruch 1 , d ad u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß der zweite Wafer (12) in Abhängigkeit vom Ergebnissignal (100) oder dem Warnsignal (101) dem Mikroskopmeßgerät (2) als neuer vorauslaufender erster Wafer (11) zur Messung der Strukturparameter (30) zugeführt wird.

9. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 oder 4,^' d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß der zweite Wafer (12) in Abhängigkeit vom Ereignissignal (102) dem Mikroskopmeßgerät (2) als neuer vorauslaufender erster Wafer (11) zur Messung der Strukturparameter (30) zugeführt wird.