WO2002052724A1 - Multiplexeur - Google Patents

Multiplexeur Download PDF

Info

Publication number
WO2002052724A1
WO2002052724A1 PCT/JP2001/011272 JP0111272W WO02052724A1 WO 2002052724 A1 WO2002052724 A1 WO 2002052724A1 JP 0111272 W JP0111272 W JP 0111272W WO 02052724 A1 WO02052724 A1 WO 02052724A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
filter
frequency
pass filter
band
branching circuit
Prior art date
Application number
PCT/JP2001/011272
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Shinji Furuya
Hiroshi Ichikawa
Ryuji Oyama
Kazuki Iwashita
Koichi Fukuda
Original Assignee
Ube Industries, Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ube Industries, Ltd. filed Critical Ube Industries, Ltd.
Priority to JP2002553305A priority Critical patent/JPWO2002052724A1/ja
Priority to US10/451,261 priority patent/US6927648B2/en
Priority to EP01271860A priority patent/EP1347573A4/en
Publication of WO2002052724A1 publication Critical patent/WO2002052724A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
    • H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
    • H03H7/1791—Combined LC in shunt or branch path
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/213—Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/075—Ladder networks, e.g. electric wave filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/46—Networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H7/463—Duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
    • H03H2001/0021—Constructional details
    • H03H2001/0085—Multilayer, e.g. LTCC, HTCC, green sheets

Definitions

  • the present invention relates to a multiplexer used for a mobile communication device such as a mobile terminal of a mobile phone system.
  • FIG. 17 shows a block diagram of such a conventional branching circuit element.
  • demultiplexing circuit element in Fig. 17 three demultiplexing circuits, each consisting of a single-pass filter (LPF) and a high-pass filter (HPF), are connected in series as shown in the figure.
  • the pass frequency bands of the demultiplexers are different from each other.
  • the frequency components included in each of the four frequency bands (hereinafter, the frequency components refer to the carriers and signals in the frequency bands) fl ⁇
  • f 4 the frequency band of f 1 ⁇ the frequency band of ⁇ 2 ⁇ the frequency band of f 3 ⁇ the frequency band of f 4
  • the frequency component ⁇ 1 is output from the output port of the one-pass filter
  • the remaining frequency components ⁇ 2 to f4 are output from the output port of the high-pass filter circuit.
  • Frequency components: e2 to: e4 are input to the second-stage demultiplexer, where the frequency component f2 is output from the output port on the low-pass filter side, and the remaining frequency components: e3 and f4 are It is output from the output port on the high pass fill side.
  • the frequency components f 3 and f 4 are input to the third-stage demultiplexer, where the frequency component f 3 is output from the output port of the single-pass filter, and the frequency component is output from the output port of the high-pass filter: 4 is output.
  • the frequency components f 3 and: f 4 pass through the three branching circuits, and there is a problem in that the signal insertion loss increases.
  • the signal insertion loss increases.
  • it is necessary to minimize the insertion loss so increasing the insertion loss is a serious problem.
  • the element size becomes large, which is an obstacle to miniaturization.
  • each frequency component cannot be sufficiently separated. Disclosure of the invention
  • an object of the present invention is to provide a compact, high-performance multiplexer that can be further reduced in size, can reduce insertion loss, and can further improve isolation characteristics. Aim.
  • Different first frequency components f1, second frequency components ⁇ 2, third frequency components f3 and fourth frequency components: f4 (where: ei ⁇ f2 ⁇ f3 ⁇ f 4)
  • a first branching circuit that branches into a first branching circuit and a branching circuit in the first branching circuit.
  • a second demultiplexing circuit for demultiplexing into a frequency band substantially not including f4 and a frequency band including f2 and substantially not including f1, f3 and f4; and the first demultiplexing circuit.
  • a frequency band including f 3 and f 4 obtained by demultiplexing in the circuit including f 3 and: a frequency band substantially free of ei, f 2 and: 4; including f 4 and: e
  • the second branching circuit may be a combination filter of a low-pass filter and a band elimination filter or a combination of a low-pass filter and a band elimination filter as a filter having a pass band including a frequency band including the frequency f2 and substantially not including f1, f3, and ⁇ 4.
  • a multiplexer having a combination filter with a filter or a bandpass filter.
  • substantially free of a frequency component means that the frequency component is attenuated to a required degree from the viewpoint of achieving the purpose of demultiplexing, and is not necessarily completely excluded. It does not mean that
  • the first branching circuit includes a low-pass filter as a filter having a pass band including a frequency band including f 1 and f 2 and substantially not including f 3 and f 4. And a high-pass filter as a filter having a pass band including a frequency band including f3 and f4 and substantially not including e1 and f2.
  • the second branching circuit includes a low-pass filter as a filter having a pass band in a frequency band including f1 and substantially not including f2 to f4.
  • the third demultiplexing circuit includes a high-pass filter as a filter having a pass band including a frequency band including f4 and substantially not including f1 to f3.
  • the multiplexer is in the form of a laminated structure, and the laminated structure includes a plurality of insulating layers and a patterned conductive layer disposed between the insulating layers.
  • the first branching circuit Each of the second branching circuit and the third branching circuit includes an inductance component and a capacitor component, and the inductance component and the capacitor component are formed using the patterned conductor layer.
  • the insulating layer is made of, for example, ceramic
  • the patterned conductor layer is made of, for example, metal.
  • the multiplexer of the present invention combines three demultiplexing circuits, and generates frequency components f 1 to P 4 (where ⁇ K f 2 ⁇ f 3 ⁇ f 4) belonging to four mutually different frequency bands.
  • the input signal is divided into f1 and f1 by the first demultiplexer: low-frequency components of f2 and f3 and f4, and the low-frequency components output from the first demultiplexer: 1 And f2 are divided into a frequency component ⁇ 1 and a frequency component f2 by a second branching circuit, and a high-frequency component f3 output from the first branching circuit is:
  • the wave component is divided into a frequency component f3 and a frequency component f4.
  • the number of cascade-connected demultiplexing circuits can be reduced to two, and insertion loss can be reduced.
  • the first branching circuit may include a single-pass filter and a high-pass filter
  • the second branching circuit may include a low-pass filter that passes the frequency component f1, and a frequency component f.
  • a combination filter of a single-pass filter and a band elimination filter can be used
  • the third branching circuit further includes a high-pass filter that passes a frequency component: f4. And a combination of a high-pass filter and a band elimination filter to extract the frequency component f3.
  • each frequency component can be improved, the number of notch circuits can be reduced, and the attenuation load of each branching circuit can be reduced.
  • the four frequency components are: fl for GSM (Global System for Mobile Communication: 800 MHz band); f2 for GPS (Gl ob al Positioning System: 1. 5 GHz band), f3 for DCS (Digita 1 Communicat ion S sem: 1.8 GHz band), f3 for BT (Blue Tooth: 2.4 GHz band) are exemplified.
  • GSM Global System for Mobile Communication
  • GPS Global System for Mobile Communication
  • DCS Digita 1 Communicat ion S sem: 1.8 GHz band
  • f3 for BT Blue Tooth: 2.4 GHz band
  • FIG. 1 is a block diagram of a multiplexer according to the present invention.
  • FIG. 2 is a configuration diagram of a first branching circuit in the multiplexer of FIG.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating frequency characteristics of a first branching circuit in the multiplexer of FIG.
  • FIG. 4 is a configuration diagram of a second branching circuit in the multiplexer of FIG.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating frequency characteristics of a second branching circuit in the multiplexer of FIG.
  • FIG. 6 is a configuration diagram of a third branching circuit in the multiplexer of FIG.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating a frequency characteristic of a third branching circuit in the multiplexer of FIG.
  • FIG. 8 is an exploded perspective view showing a laminated structure of the multiplexer of FIG.
  • FIG. 9 is a perspective view of a multilayer structure of the multiplexer of FIG.
  • FIG. 10 is a block diagram of the multiplexer of the present invention.
  • FIG. 11 is a configuration diagram of a second branching circuit in the multiplexer of FIG.
  • FIG. 12 is a diagram illustrating frequency characteristics of a second branching circuit in the multiplexer of FIG.
  • FIG. 13 is a configuration diagram of a third branching circuit in the multiplexer of FIG.
  • FIG. 14 is a diagram illustrating frequency characteristics of a third branching circuit in the multiplexer of FIG.
  • FIG. 15 is an exploded perspective view showing a laminated structure of the multiplexer of FIG.
  • FIG. 16 is a perspective view of a multilayer structure of the multiplexer of FIG.
  • FIG. 17 is a block diagram of a conventional demultiplexing circuit element.
  • FIG. 1 shows a circuit block diagram of the first embodiment of the present invention.
  • the multiplexer according to the first embodiment includes a first branching circuit 1, a second branching circuit 2, and a third branching circuit 3, and different first frequency components: f1 to f1 Fourth frequency band: f 4 (where: e 1 ⁇ f 2 ⁇ f 3 ⁇ f 4) and different first to fourth frequency bands (where f 1 frequency band ⁇
  • the input including the frequency band of f 2 ⁇ the frequency band of f 3 ⁇ the frequency band of f 4) is input to the input / output port 10 of the first branching circuit 1.
  • An output including the frequency band of ⁇ 1 and the frequency band of f2 is obtained from the input / output port 13 of the first branching circuit 1 and input to the input / output port 20 of the second branching circuit 2. Is done.
  • an output including the frequency band of 3: and the frequency band of P4 is obtained, and this is the input / output port 3 of the third branching circuit 3. Entered as 0.
  • the output of the frequency band of fl and f2 is obtained from the input / output ports 23 and 24 of the second branching circuit 2, respectively.
  • Outputs in the frequency bands f 3 and f 4 are obtained from the input / output ports 3 3 and 3 4 of the demultiplexer 3.
  • the first branching circuit 1 includes a first filter 1.1 and a second filter 12.
  • the first filter 11 comprises a low-pass filter LPF having a pass band including f1 and f2 and substantially not including f3 and: f4, and the second filter 12 includes: It comprises a high-pass filter HPF having a pass band including f3 and f4 and substantially not including f1 and f2.
  • One input / output port of each of the first filter 11 and the second filter 12 is a common port 10.
  • the second branching circuit 2 includes a third filter 21 and a fourth filter 22.
  • the third filter 21 comprises a low-pass filter LPF having a pass band including f 1 and substantially not including f 2 to f 4
  • the fourth filter 22 includes 2 A filter having a pass band that includes and substantially does not include 1, ⁇ 3, and: f4, and is a combination of a single-pass filter LPF and a band elimination filter BEF.
  • One input / output port of each of the third filter 21 and the fourth filter 22 is a common port 20.
  • the common port 20 is connected to an input / output port 13 which is not set as a common port of the first filter 11.
  • Third branching circuit 3 includes a fifth filter 31 and a sixth filter 32.
  • the fifth filter 31 is a filter having a pass band including f3 and substantially not including: fl, f2 and: f4, and includes a high-pass filter HPF and a band elimination filter BEF.
  • the sixth filter 32 includes a high-pass filter HPF having a pass band including: f4 and substantially not including: f1 to: f3.
  • One input / output port of each of the fifth filter 31 and the sixth filter 32 is a common port 30.
  • the common port 30 is connected to an input / output port 14 that is not a common port of the second filter 12.
  • FIG. 2 shows a configuration diagram of the first branching circuit 1.
  • the first branching circuit 1 is composed of a single-pass filter 11 including an inductance component L 11 and capacitor components C 11 and C 12, an inductance component L 12 and a capacitor component C 1 3, and a high-pass filter 12 including C 14.
  • Common port 1
  • Frequency components input from 0: 1 to: e4 is a low-pass filter 11 1, and only low-frequency components ⁇ 1 and f 2 are output to input / output port 13 of low-pass filter 11 1 and high-pass filter 1 2 Only the high frequency components ⁇ 3 and f 4 are output to the input / output port 14 of the high-pass filter 12.
  • FIG. 3 is a frequency characteristic diagram of the first branching circuit 1, particularly the single-pass filter 11 and the high-pass filter 12, which constitute the first branching circuit 1.
  • the change of the attenuation amount ATTN with respect to the frequency FREQ is shown. .
  • FIG. 4 shows a configuration diagram of the second branching circuit 2.
  • the second branching circuit 2 includes a single-pass filter 21 including an inductance component L 21 and capacitor components C 21 and C 22, and inductance components L 22, L 23, and L 24. And a combination filter with a single-pass filter including a capacitor component C 23, C 24, C 25, C 26, C 27, and C 28 and a band elimination filter 22 .
  • the frequency components e 1 and f 2 input from the common port 20 are: only the frequency component f 1 is output to the input / output port 23 of the mouth-pass filter 21 by the action of the mouth-pass filter 21.
  • the frequency component: f 2 alone is output to the input / output port 24 of the combination filter 22 by the action of the combination filter 22 of the low-pass filter and the band elimination filter.
  • FIG. 5 is a frequency characteristic diagram of the second branching circuit 2, particularly, the low-pass filter 21 and the combination filter 22 constituting the second branching circuit 2, and shows a change in the attenuation ATTN with respect to the frequency FRE.
  • the combination filter 22 with the low-pass filter and the band elimination filter a non-pass band is formed in the band including the frequency component 1, and the frequency component f1 is almost completely removed to remove only the frequency component f2. To take out.
  • the combination filter 22 on the side of the frequency component: f 2 higher than f 2, in addition to the attenuation characteristic of the first branching circuit 1, the attenuation characteristic of the combination filter 22 2 due to the low-pass filter Works twice, so that the frequency component: f 2 has good separation characteristics.
  • a weak radio wave like GPS can be considered.
  • the frequency component it is necessary to remove other frequency components as completely as possible, and it is desired that the loss when passing the frequency component is small. It is optimal for demultiplexing such weak radio waves.
  • FIG. 6 shows a configuration diagram of the third branching circuit 3.
  • the third branching circuit 3 converts the inductance components L31, L32, L33 and the capacitor components C31, C32, C33, C34, C35, C36. It comprises a combination filter 31 including a high-pass filter and a band elimination filter, and a high-pass filter 32 including an inductance component L 34 and capacitor components C 37 and C 38.
  • the frequency components inputted from the common port 30: f 3 and f 4 are combined filters of the combination of an eight-pass filter and a band elimination filter 31.
  • the input / output port 33 of the high-pass filter 32 outputs only the frequency component f 4 to the input / output port 34 of the high-pass filter 32.
  • FIG. 7 is a frequency characteristic diagram of the third branching circuit 3, particularly the combination filter 31 and the high-pass filter 32 constituting the third branching circuit 3.
  • the change of the attenuation amount A TTN with respect to the frequency F R E C is shown.
  • the combination filter 31 with the high-pass filter and the band elimination filter a non-pass band is formed in the band including the frequency component f4, and the frequency component: f4 is almost completely removed to remove the frequency component: Only f3 is taken out.
  • the attenuation characteristics of the combination filter 31 1 due to the high-pass filter works twice, so that the separation characteristic of the frequency component: f3 is good.
  • the configuration of the wave circuit 3 is optimal for demultiplexing when a weak radio wave is used as the frequency component f3.
  • the multiplexer according to the first embodiment as described above has a laminated structure It is preferred to be in a state. That is, the inductance components L 11, L 12, L 2 1 to 24, L 3 1 to 34 and L 3 1 to 34 of the first branching circuit 1, the second branching circuit 2, and the third branching circuit 3. It is preferable that the capacitor components C 11 to C 14, C 21 to 28, and C 31 to 38 be formed using a patterned conductive layer constituting the laminated structure.
  • FIG. 9 shows a perspective view of such a laminated structure
  • FIG. 8 shows an exploded perspective view.
  • the laminated structure is composed of an external ground (GND) terminal 101, 103, 104, 106, 108, 110, 112, an external input terminal 102, and an external output terminal 105, 107 formed by a patterned conductive layer. , 109, 1 1 1.
  • GND external ground
  • This laminated structure can be manufactured by using a sheet laminating method as described below.
  • a ceramic green sheet is prepared.
  • a ceramic dielectric material that can be fired at a low temperature of 950 ° C. or less is preferable.
  • a material having a dielectric constant of 5 to 70, particularly about 10 is used.
  • a predetermined number of these ceramic green sheets are laminated.
  • Each ceramic green sheet has through holes formed at required positions as necessary, and a metal paste such as silver (Ag) paste is screened on the surface.
  • the pattern (including the conductive material such as Ag paste filled in the through holes) is formed by applying it by printing.
  • the ceramic green sheet laminate is integrally fired at about 900 ° C, and the conductive film (electrode) for the external GND terminal, the conductive film (electrode) for the external input terminal, and the external surface
  • a conductive film (electrode) for the output terminal an insulating layer made of a ceramic dielectric material and a patterned conductive layer made of a conductor such as Ag (hereinafter sometimes referred to as “electrode”) are included.
  • an insulating layer made of a ceramic dielectric material and a patterned conductive layer made of a conductor such as Ag hereinafter sometimes referred to as “electrode”
  • the thickness of the insulating layer is, for example, 0.02 to 0.3 mm
  • the thickness of the patterned conductive layer is, for example, 0.005 to 0.02 mm.
  • the dimensions of the laminated structure are, for example, 45 mm long ⁇ 32 mm wide ⁇ 2 Omm thick.
  • reference numerals 201 to 216 denote rectangular insulating layers; Reference numerals 6, 1 57, 170, and 179 denote ground electrodes (patterned conductive layers for grounding connected to the external GND terminal). These ground electrodes are connected to the external GND terminals 101, 103, 104, and 1 06, 108, 1 10, and 1 1 2 1 14, 1 16, 118, 120, 122, 125, 140, 142, 144, 150, 158, 165, 173, 176 are coil electrodes (the electrodes for forming the above-mentioned inductance components).
  • a capacitor electrode (a patterned conductive layer for forming the capacitor component).
  • 1 15, 1 17, 1 19, 1 22, 1 24, 1 26, 1 28, 1 33, 14 1, 143, 145, 149, 1 51, 1 56, 1 59, 1 60, 1 63, 164, 166, 169, 177, 174, 175, 177, and 178 indicate conductive layers filled in the through holes, and these conductive layers are the above-mentioned ground electrode, coil electrode and Connect more than one of the capacitor electrodes.
  • FIG. 8 the configuration of the laminated structure illustrated in FIG. 8 will be described while corresponding to the configuration of each of the demultiplexing circuits 1, 2, and 3 illustrated in FIGS. 2, 4, and 6 described above.
  • the capacitor component C 11 is composed of a capacitor electrode 137 and a ground electrode 136.
  • the capacitor component C 12 is composed of the capacitor electrode 138 and the ground electrode 136. One end of the capacitor electrode 138 is connected to the external input terminal 102.
  • the inductance component L 11 is composed of a coil electrode 144, a through hole 151 and a coil electrode 150. One end of the coil electrode 150 is connected to the external input terminal 102.
  • the capacitor component C 13 is composed of the capacitor electrode 129 and the capacitor electrode 123. One end of the capacitor electrode 129 is connected to the external input terminal 102.
  • the capacitor component C14 is composed of the capacitor electrode 130 and the capacitor electrode 123.
  • the inductance component L12 is composed of through-holes 124, coil electrodes 118, through-holes 119, coil electrodes 114, and through-holes 115. I have.
  • the capacitor component C 21 is composed of the capacitor electrode 13 1 and the ground electrode 13 6. One end of the capacitor electrode 13 1 is connected to the external output terminal 105.
  • the capacitor component C 22 is composed of the capacitor electrode 13 2 and the ground electrode 1 36.
  • the inductance component L 21 is composed of a through hole 141, a coil electrode 120, a through hole 126, a coil electrode 125, and a through hole 133.
  • the capacitor component C 23 is composed of the capacitor electrode 1 39 and the ground electrode 1 36.
  • the capacitor component C 24 consists of a capacitor electrode 17 2 and a ground electrode 170. One end of the capacitor electrode 17 2 is connected to the external output terminal 107.
  • the inductance component L22 is constituted by the coil electrode 140. One end of the coil electrode 140 is connected to the external output terminal 107.
  • the capacitor component C 2 5 is composed of the capacitor electrode 1 4 7 and the capacitor electrode 1 5 3.
  • the capacitor component C 27 consists of the capacitor electrode 15 3 and the ground electrode 15 7.
  • the inductance component L23 is composed of the through-hole 159, the coil electrode 158 and the through-hole 165.
  • Capacitor component C 26 consists of capacitor electrode 1 46 and capacitor electrode 1 52. One end of the capacitor electrode 146 is connected to the external output terminal 107.
  • the capacitor component C28 is composed of the capacitor electrode 152 and the ground electrode 157.
  • the inductance component L 24 consists of a through-hole 166, a coil electrode 165 and a through-hole 171.
  • the capacitor component C 33 is composed of the capacitor electrode 155 and the capacitor electrode 148. One end of the capacitor electrode 155 is connected to the external output terminal 109.
  • the inductance component L33 is composed of a through-hole 149, a coil electrode 144, and a through-hole 144.
  • the capacitor component C 34 is composed of the capacitor electrode 15 4 and the capacitor electrode 1 48.
  • Capacitor component C32 is connected to capacitor electrode 162. It consists of a denser electrode 168.
  • the capacitor component C31 is composed of a capacitor electrode 168 and a ground electrode 170.
  • the inductance component L31 consists of a through-hole 177, a coil electrode 176, and a through-hole 178.
  • Capacitor component C35 is composed of capacitor electrode 161 and capacitor electrode 1667.
  • the capacitor component C36 is composed of the capacitor electrode 167 and the ground electrode 1 ⁇ 0.
  • the inductance component L32 consists of a single hole 174, a coil electrode 173, and a through hole 175.
  • the capacitor component C 37 is composed of the capacitor electrodes 13 4 and the capacitor electrodes 127.
  • the inductance component L 3 4 is composed of the through hole 1 2 8, the coil electrode 1 2 1, the through hole 1 2 2, the coil electrode 1 1 6 and the through hole 1 1 7.
  • Capacitor component C38 is composed of capacitor electrode 135 and capacitor electrode 127. One end of the capacitor electrode 135 is connected to the external output terminal 111.
  • the present embodiment is in the form of a laminated structure, it is possible to sufficiently reduce the size.
  • a band-pass filter is used instead of the combination filter including the band elimination filter used in the second branching circuit 2 and the third branching circuit 3.
  • a multiplexer using a filter will be described as a second embodiment.
  • FIG. 10 shows a circuit configuration block diagram of the second embodiment.
  • the multiplexer according to the second embodiment includes a first branching circuit 4, a second branching circuit 5, and a third branching circuit 6, which are different from each other as in the first embodiment.
  • Frequency components of 1: f 1 to f 4 different inputs including the first to fourth frequency bands respectively including f 4 are input to the input / output port 40 of the first branching circuit 4. Is entered. Is the input / output port 4 3 of the first demultiplexer 4? Then, an output including the frequency band of: el and the frequency band of: e 2 is obtained, and this is input to the input / output port 50 of the second branching circuit 5.
  • an output including the frequency band of f3 and the frequency band of f4 is obtained from the input / output port 44 of the first branching circuit 4, and this is the input / output port 60 of the third branching circuit 6. Is input to. Then, the output of the frequency band of f 1, f 2 is obtained from the input / output ports 53, 54 of the second branching circuit 5, respectively, and the input / output port of the third branching circuit 6 is obtained. Outputs of the frequency bands f 3 and f 4 are obtained from the nodes 63 and 64, respectively.
  • the first branching circuit 4 includes a first filter 41 and a second filter 42.
  • the first filter 41 comprises a single-pass filter LPF having a pass band including a band including 1 and: f2 and substantially not including: e3 and f4, and a second filter 42. Consists of a high-pass filter HPF having a pass band including f3 and ⁇ 4 and substantially not including f1 and ⁇ 2.
  • One input / output port of each of the first filter 41 and the second filter 42 is a common port 40.
  • the configuration of the first branching circuit 4 is the same as the configuration of the first branching circuit 1 of the first embodiment.
  • the second branching circuit 5 includes a third filter 51 and a fourth filter 52.
  • the third filter 51 comprises a single-pass filter LPF having a passband including a band including f1 and substantially not including f2 to f4, and a fourth filter 52 includes: f This is a filter having a passband including a band including 2 and fl, substantially not including f3 and; 4, and is composed of a bandpass filter BPF.
  • One input / output port of each of the third filter 51 and the fourth filter 52 is a common port 50.
  • the common port 50 is connected to an input / output port 43 that is not a common port of the first filter 41.
  • the third branching circuit 6 includes a fifth filter 61 and a sixth filter 62.
  • the fifth filter 6 1 contains 3 and: A filter having a pass band that does not substantially include 1, f2, and f4, and includes a band-pass filter BPF.
  • the sixth filter 62 includes: f4 and: 1 to: f It consists of a high-pass fill HPF whose pass band is a band that does not substantially include 3.
  • One input / output port of each of the fifth filter 61 and the sixth filter 62 is a common port 60.
  • the common port 60 is connected to an input / output port 44 that is not a common port of the second filter 42.
  • FIG. 11 shows a configuration diagram of the second branching circuit 5.
  • the second branching circuit 5 includes a low-pass filter 51 including an inductance component and a capacitor component, and a band-pass filter 52 including an inductance component and a capacitor component.
  • the frequency components f1 and f2 input from the common port 50 are output only to the input / output port 53 of the low-pass filter 51 due to the action of the low-pass filter 51. Due to the action of 52, only the frequency component: f2 is output to the input / output port 54 of the bandpass filter 52.
  • FIG. 12 is a frequency characteristic diagram of the second branching circuit 5, particularly, the single-pass filter 51 and the band-pass filter 52 constituting the second branching circuit 5.
  • the band-pass filter 52 can separate and remove the frequency component f1 and extract only the frequency component f2.
  • the band-pass filter 52 on the side of the frequency component: higher than P2, in addition to the attenuation characteristics of the single-pass filter 41 of the first branching circuit 4, the attenuation by the band-pass filter 52 Since the characteristics work in duplicate, the separation characteristics of the frequency component ⁇ 2 are good.
  • a weak radio wave like GPS can be considered as the frequency component ⁇ 2, but when passing such a weak radio wave and extracting it, it is necessary to completely remove other frequency components as much as possible. Since it is desired that the signal is present and the loss when passing through is desired, the configuration of the second demultiplexing circuit 5 as described above is most suitable for demultiplexing weak radio waves such as GPS.
  • FIG. 13 shows a configuration diagram of the third branching circuit 6.
  • the third branching circuit 6 is composed of a band-pass filter 61 including an inductance component and a capacitor component, and a high-pass filter 62 including an inductance component and a capacitor component.
  • the frequency components f 3 and ⁇ 4 input from the common port 60 are band-passed only by the frequency component f 3 due to the action of the band-pass filter 61.
  • the frequency component: f 4 is output to the input / output port 64 of the high-pass filter 62 by the action of the high-pass filter 62.
  • FIG. 14 is a frequency characteristic diagram of the third branching circuit 6, particularly the band-pass filter 61 and the high-pass filter 62 constituting the third branching circuit 6.
  • the bandpass filter 61 can separate and remove the frequency component f4 and extract only the frequency component f3.
  • the attenuation characteristic by the band-pass filter 61 in addition to the attenuation characteristic by the high-pass filter 42 of the first branching circuit 4 acts on the lower frequency side than the frequency component f3. Therefore, the separation characteristic of the frequency component f3 is good.
  • the configuration of the circuit 6 is most suitable for demultiplexing when a weak radio wave is used as the frequency component f3.
  • the multiplexer of the second embodiment as described above also takes the form of a laminated structure, as in the first embodiment. That is, the inductance component and the capacitor component of the first branching circuit 4, the second branching circuit 5, and the third branching circuit 6 are used by using the pattern-shaped conductive layer constituting the multilayer structure. Preferably, it is formed.
  • FIG. 16 is a perspective view of such a laminated structure
  • FIG. 15 is an exploded perspective view.
  • the laminated structure includes external ground (GND) terminals 301, 303, 304, 306, 308, 310, 312 formed by the patterned conductive layer, external input terminals 302, and external output terminals 305, 307, 309, 311.
  • the method of manufacturing the laminated structure is the same as that described in the first embodiment, and a description thereof will not be repeated.
  • reference numerals 401 to 414 denote rectangular insulating layers
  • reference numerals 313, 335, 363, and 374 denote ground electrodes
  • these ground electrodes serve as external GND terminals 301, 303, 304, and 306.
  • 3 14, 3 1 6, 3 1 8, 320, 32 1, 325, 346, 357, 364, 367, 370, and 372 are coil electrodes (patterned conductive layers for forming the above-mentioned inductance components), and 323, 327, 329 to 331, 333, 334, 336 Reference numerals 339, 341 to 343, 345, 348 to 350, 352, 353, 356, and 359 to 362 denote capacitor electrodes (patterned conductive layers for forming the above capacitor components).
  • the conductive layers filled in the through holes are shown, and these conductive layers connect a plurality of the above-mentioned ground electrodes, coil electrodes, and capacitor electrodes.
  • both the combination filters including the band elimination filters used in the second and third demultiplexing circuits 2 and 3 in the circuit configuration of the first embodiment are used.
  • the band elimination used in the second branching circuit 2 and the third branching circuit 3 of the circuit configuration of the first embodiment is used.
  • a band pass filter may be used instead of only one of the combination filters including the filter. According to this, the same effects as those of the first and second embodiments can be obtained.
  • the present invention four frequencies including weak radio waves such as GPS A multiplexer that satisfactorily separates signals belonging to several bands can be configured with a simple circuit, reducing insertion loss of weak radio waves such as GPS and improving the degree of separation from other radio waves. Becomes Further, by forming the circuit from a laminated structure, it is possible to provide a compact multiplexer having excellent demultiplexing performance.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Filters And Equalizers (AREA)

Description

明 細 書 マルチプレクサ 技術分野
本発明は、 携帯電話システムの携帯端末機などの移動体通信機器に用い られるマルチプレクサに関するものである。 背景技術
近年の携帯電話システムの普及はめざましいものがあり、 該携帯電話シ ステムに使用される携帯端末機の機能の向上が計られている。 その 1つと して、 1つの携帯端末機で 2つの周波数帯域での通話を可能とするデュア ルバンド携帯端末機を用いた携帯電話システムの提案がなされている。 さ らに、 GP S (G l o b a l Po s i t i o n i n g S s t em) による位置特定、 BT (B l ue T o o t h ) 機能の付加等による多機 能携帯端末機を用いた携帯電話システムの提案がなされている。 この多機 能携帯電話システムを構成するためには、 その 4つの周波数帯域を選択す る機能が必要になる。 しかも、 この様な機能を実現するために携帯端末機 に使用されるマルチプレクサとして、 小型のものが要求される。 4つの周 波数帯域の分波は、 3つのダイプレクサを縦続接続することで実現でき る。 このような従来の分波回路素子のブロック図を図 1 7に示す。
図 1 7の分波回路素子では、 それぞれが口一パスフィルタ （LPF) と ハイパスフィルタ （HPF) とからなる 3つの分波回路が図のように直列 に接続されている。 各分波回路の通過周波数帯域は互いに異なり、 例え ば、 4つの周波数帯域のそれぞれに含まれる周波数成分 （以下、 周波数成 分とは、 その周波数帯域内のキヤリャ一と信号をいう。 ） f l〜f 4 (た だし、 f 1の周波数帯域 <ΐ 2の周波数帯域 <f 3の周波数帯域 <f 4の 周波数帯域とする） がー段目の分波回路に入力されると、 ここでは、 口一 パスフィルタ側の出力ポートから周波数成分 ΐ 1が出力され、 残りの周波 数成分 ΐ 2〜 f 4はハイパスフィルタ回路側の出力ポートから出力され る。 周波数成分： e 2〜： e 4は 2段目の分波回路に入力され、 ここでは、 ローパスフィルタ側の出力ポートから周波数成分 f 2が出力され、 残りの 周波数成分: e 3と f 4はハイパスフィル夕側の出力ポートから出力され る。 周波数成分 f 3と f 4は 3段目の分波回路に入力され、 ここでは、 口一パスフィルタ側の出力ポートから周波数成分 f 3が出力され、 ハイパ スフィルタ側の出力ポートから周波数成分: 4が出力される。
しかしながら、 上記のような 3つの分波回路を縦続接続した分波回路に おいては、 上記のように 4つの周波数帯域を分波することは可能である 、 以下の様ないくつか問題がある。
まず、 周波数成分 f 3や: f 4は、 3つの分波回路を通過することとな り、 信号の挿入損失が大きくなるという問題がある。 特に、 G P Sなどの ように微弱な電波を扱う場合は、 挿入損失をなるベく少なくする必要があ るので、 挿入損失が大きくなることは重大な問題である。 また、 単に、 通 常の個別の分波素子を 3個用いてこれらを接続した場合には、 素子寸法が 大きくなり小型化の障害となる。 さらに、 複数の周波数帯域が接近してい ると、 各周波数成分を十分に分離できないという問題がある。 発明の開示
本発明は、 上記のことに鑑みて、 さらに小型化が可能で、 また挿入損失 の低減が可能で、 アイソレーション特性をより向上させることが可能な、 小型で高性能なマルチプレクサを提供することを目的とする。
本発明によれば、 上記目的を達成するものとして、
互いに異なる第 1の周波数成分： f 1、 第 2の周波数成分 ΐ 2、 第 3の周 波数成分 f 3及び第 4の周波数成分： f 4 (ここで、 ： e i < f 2 < f 3 < f 4 ) を含む周波数帯域を f 1及び f 2を含み且つ f 3及び f 4を実質上含 まない周波数帯域と f 3及び f 4を含み且つ f 1及び f 2を実質上含まな い周波数帯域とに分波する第 1の分波回路と、 該第 1の分波回路での分波 により得られる: e 1及び f 2を含む周波数帯域を f 1を含み且つ: f 2〜 e
4を実質上含まない周波数帯域と f 2を含み且つ f 1、 f 3及び f 4を実 質上含まない周波数帯域とに分波する第 2の分波回路と、 前記第 1の分波 回路での分波により得られる f 3及び f 4を含む周波数帯域を f 3を含み 且つ: e i、 f 2及び: 4を実質上含まない周波数帯域と ; f 4を含み且つ： e
1 ~ f 3を実質上含まない周波数帯域とに分波する第 3の分波回路とから なるマルチプレクサであって、
前記第 2の分波回路は、 前記 f 2を含み且つ f 1、 f 3及び ΐ 4を実質 上含まない周波数帯域を通過帯域とするフィルタとしてローパスフィルタ とバンドエリミネ一ションフィルタとの組み合わせフィルタ或はバンドパ スフィルタを備えており、 前記第 3の分波回路は、 前記 3を含み且つ: f 1、 f 2及び: 4を実質上含まない周波数帯域を通過帯域とするフィルタ としてハイパスフィルタとバンドエリミネ一ションフィルタとの組み合わ せフィルタ或はバンドパスフィル夕を備えていることを特徴とするマルチ プレクサ、
が提供される。
なお、 本発明において、 周波数成分を 「実質上含まない」 とは、 分波の 目的の達成という観点から当該周波数成分が所要程度に減衰されることを 意味するものであり、 必ずしも完全に除外されることを意味するものでは ない。
本発明の一態様においては、 前記第 1の分波回路は、 前記: f 1及び f 2 を含み且つ f 3及び f 4を実質上含まない周波数帯域を通過帯域とする フィルタとしてローパスフィルタを備えており、 前記 f 3及び f 4を含み 且つ: e 1及び f 2を実質上含まない周波数帯域を通過帯域とするフィル夕 としてハイパスフィルタを備えている。 本発明の一態様においては、 前記 第 2の分波回路は前記： f 1を含み且つ f 2〜 f 4を実質上含まない周波数 帯域を通過帯域とするフィルタとしてローパスフィルタを備えており、 前 記第 3の分波回路は前記 f 4を含み且つ: f 1〜： f 3を実質上含まない周 波数帯域を通過帯域とするフィルタとしてハイパスフィルタを備えてい る。
また、 本発明の一態様においては、 前記マルチプレクサは積層構造体の 形態をなしており、 該積層構造体は複数の絶縁層と該絶縁層の間に配置さ れたパターン状導電層とを含んで構成されており、 前記第 1の分波回路、 前記第 2の分波回路及び前記第 3の分波回路はいずれもィンダクタンス成 分及びコンデンサ成分を含んでおり、 これらィンダクタンス成分及びコン デンサ成分は前記パターン状導体層を用いて形成されている。 前記絶縁層 は例えばセラミックからなり、 前記パタ一ン状導体層は例えば金属からな る。
本発明のマルチプレクサは、 3つの分波回路を組み合わせており、 互い に異なる 4つの周波数帯域のそれぞれに属する周波数成分 f 1〜 P 4 (た だし、 ΐ K f 2 < f 3 < f 4 ) の入力に対し、 第 1の分波回路で f 1と ： f 2の低周波成分と f 3と f 4の高周波成分とに分け、 第 1の分波回路か ら出力される低周波成分: 1と f 2を第 2の分波回路で周波数成分 ΐ 1と 周波数成分 f 2とに分け、 また、 第 1の分波回路から出力される高周波成 分 f 3と： P 4を第 3の分波回路で周波数成分 f 3と周波数成分 f 4とに分 けるようにしている。 この構造により、 縦続接続される分波回路の段数を 2段に減らすことができ、 挿入損失の低減が実現できる。 さらに、 第 1の 分波回路は、 口一パスフィルタとハイパスフィルタとからなるものとする ことができ、 第 2の分波回路は、 周波数成分 f 1を通過させるローパス フィル夕と、 周波数成分 f 2を取り出すために口一パスフィルタとバンド エリミネーションフィル夕との組み合わせフィルタとからなるものとする ことができ、 さらに、 第 3の分波回路は、 周波数成分: f 4を通過させるハ ィパスフィル夕と、 周波数成分 f 3を取り出すためにハイパスフィル夕と バンドエリミネーシヨンフィル夕との組み合わせフィル夕とからなるもの とすることができる。 これにより、 各周波数成分のアイソレーション特性 を向上させることができ、 ノッチ回路を減らすことができ、 個々の分波回 路の減衰負荷を低減させることができる。 そして、 これらの分波回路を 1 つの積層構造体からなるものとすることにより、 小型でかつ挿入損失が小 さく、 アイソレーション特性をより向上させた、 高性能なマルチプレクサ が提供される。
さらに、 上記の第 2の分波回路及び第 3の分波回路のそれぞれにおける バンドエリミネ一ションフィルタを含む組み合わせフィルタの代わりにバ ンドパスフィルタを用いることによつても、 同様な利点を有する高性能な マルチプレクサが提供される。
なお、 上記のマルチプレクサの説明では、 f l〜f 4の混合周波数成分 が第 1の分波回路の側から入力される場合について説明したが、 本発明の マルチプレクサは、 信号の流れを上記説明とは逆にして第 2の分波回路及 び第 3の分波回路の側から個々の周波数成分を入力させ第 1の分波回路の 側から: f 1〜： f 4の混合周波数成分を出力させるような機能も当然備えて いる。
4つの周波数成分としては、 f lとして GSM (G l o b a l S y s t ern f o r Mo b i l e c ommun i c a t i on s ： 800 MH z帯） 用、 ： f 2として GP S (G l ob a l P o s i t i o n i n g S y s t em : 1. 5GHz帯） 用、 f 3として DCS (D i g i t a 1 C ommun i c at i o n S s e m : 1. 8 GH z帯) 用、 ： f 4として BT (B l ue To o th : 2. 4 GHz帯） 用の周波 数成分の組み合わせが例示される。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明のマルチプレクサのブロック図である。
図 2は、 図 1のマルチプレクサにおける第 1の分波回路の構成図であ る。
図 3は、 図 1のマルチプレクサにおける第 1の分波回路の周波数特性を 示す図である。
図 4は、 図 1のマルチプレクサにおける第 2の分波回路の構成図であ る。
図 5は、 図 1のマルチプレクサにおける第 2の分波回路の周波数特性を 示す図である。
図 6は、 図 1のマルチプレクサにおける第 3の分波回路の構成図であ る。
図 7は、 図 1のマルチプレクサにおける第 3の分波回路の周波数特性を 示す図である。
図 8は、 図 1のマルチプレクサの積層構造を示す分解斜視図である。 図 9は、 図 1のマルチプレクサの積層構造体の斜視図である。
図 1 0は、 本発明のマルチプレクサのブロック図である。
図 1 1は、 図 1 0のマルチプレクサにおける第 2の分波回路の構成図で ある。
図 1 2は、 図 1 0のマルチプレクサにおける第 2の分波回路の周波数特 性を示す図である。
図 1 3は、 図 1 0のマルチプレクサにおける第 3の分波回路の構成図で ある。
図 1 4は、 図 1 0のマルチプレクサにおける第 3の分波回路の周波数特 性を示す図である。
図 1 5は、 図 1 0のマルチプレクサの積層構造を示す分解斜視図であ る。
図 1 6は、 図 1 0のマルチプレクサの積層構造体の斜視図である。 図 1 7は、 従来の分波回路素子のブロック図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 図面を参照しながら、 本発明の実施の形態を説明する。
本発明の第 1の実施形態の回路構成プロック図を図 1に示す。 第 1の実 施形態に係るマルチプレクサは、 第 1の分波回路 1、 第 2の分波回路 2及 び第 3の分波回路 3からなり、 互いに異なる第 1の周波数成分: f 1〜第 4 の周波数成分： f 4 (ただし、 ： e 1 < f 2 < f 3 < f 4 ) をそれぞれ含む互 いに異なる第 1の周波数帯域〜第 4の周波数帯域 （ただし、 f 1の周波数 帯域 < f 2の周波数帯域 < f 3の周波数帯域 < f 4の周波数帯域） を含む 入力が第 1の分波回路 1の入出力ポ一卜 1 0に入力される。 第 1の分波回 路 1の入出力ポート 1 3からは ΐ 1の周波数帯域及び f 2の周波数帯域を 含む出力が得られ、 これが第 2の分波回路 2の入出力ポート 2 0に入力さ れる。 一方、 第 1の分波回路 1の入出力ポート 1 4からは: 3の周波数帯 域及び: P 4の周波数帯域を含む出力が得られ、 これが第 3の分波回路 3の 入出力ポート 3 0に入力される。 そして、 第 2の分波回路 2の入出力ポ一 卜 2 3， 2 4からはそれぞれ f l， f 2の周波数帯域の出力が得られ、 第 3の分波回路 3の入出力ポート 3 3 , 3 4からはそれぞれ: f 3， f 4の周 波数帯域の出力が得られる。
第 1の分波回路 1は第 1のフィルタ 1· 1と第 2のフィルタ 1 2とを含 む。 第 1のフィルタ 1 1は、 f 1及び f 2を含み且つ f 3及び： f 4を実質 上含まない帯域を通過帯域とするローパスフィルタ L P Fからなつてお り、 第 2のフィルタ 1 2は、 f 3及び f 4を含み且つ f 1及び f 2を実質 上含まない帯域を通過帯域とするハイパスフィルタ H P Fからなる。 第 1 のフィルタ 1 1及び第 2のフィルタ 1 2のそれぞれの一方の入出力ポート が共通ポート 1 0とされている。
第 2の分波回路 2は第 3のフィル夕 2 1と第 4のフィルタ 2 2とを含 む。 第 3のフィル夕 2 1は、 f 1を含み且つ： f 2〜： f 4を実質上含まない 帯域を通過帯域とするローパスフィルタ L P Fからなつており、 第 4の フィルタ 2 2は、 2を含み且っで 1、 ΐ 3及び: f 4を実質上含まない帯 域を通過帯域とするフィルタであり、 口一パスフィルタ L P Fとバンドエ リミネ一シヨンフィルタ B E Fとの組み合わせフィル夕からなる。 第 3の フィルタ 2 1及び第 4のフィルタ 2 2のそれぞれの一方の入出力ポートが 共通ポー卜 2 0とされている。 該共通ポー卜 2 0は、 第 1のフィルタ 1 1 の共通ポートとされていない入出力ポート 1 3と接続されている。
第 3の分波回路 3は第 5のフィルタ 3 1 と第 6のフィルタ 3 2とを含 む。 第 5のフィルタ 3 1は、 f 3を含み且つ: f l、 f 2及び: f 4を実質上 含まない帯域を通過帯域とするフィルタであり、 ハイパスフィル夕 H P F とバンドエリミネーシヨンフィルタ B E Fとの組み合わせフィル夕から なっており、 第 6のフィルタ 3 2は、 ： f 4を含み且つ: f 1〜： f 3を実質上 含まない帯域を通過帯域とするハイパスフィルタ H P Fからなる。 第 5の フィルタ 3 1及び第 6のフィルタ 3 2のそれぞれの一方の入出力ポートが 共通ポー卜 3 0とされている。 該共通ポート 3 0は、 第 2のフィルタ 1 2 の共通ポー卜とされていない入出力ポー卜 1 4と接続されている。
図 2に第 1の分波回路 1の構成図を示す。 第 1の分波回路 1は、 ィンダ クタンス成分 L 1 1及びコンデンサ成分 C 1 1， C 1 2を含んでなる口一 パスフィルタ 1 1 と、 インダク夕ンス成分 L 1 2及びコンデンサ成分 C 1 3 , C 1 4を含んでなるハイパスフィルタ 1 2とからなる。 共通ポート 1
0から入力された周波数成分: 1〜： e 4は、 ローパスフィルタ 1 1の作用 により低周波成分 ΐ 1と f 2のみがローパスフィルタ 1 1の入出力ポート 1 3に出力され、 ハイパスフィルタ 1 2の作用により高周波成分 ΐ 3と f 4のみがハイパスフィルタ 1 2の入出力ポート 1 4に出力される。
図 3は、 第 1の分波回路 1特にそれを構成する口一パスフィルタ 1 1及 びハイパスフィルタ 1 2の周波数特性図であり、 ここでは周波数 F R E Q に対する減衰量 A T T Nの変化が示されている。
図 4に第 2の分波回路 2の構成図を示す。 第 2の分波回路 2は、 インダ クタンス成分 L 2 1及びコンデンサ成分 C 2 1， C 2 2を含んでなる口一 パスフィルタ 2 1と、 インダクタンス成分 L 2 2， L 2 3 , L 2 4及びコ ンデンサ成分 C 2 3 , C 2 4 , C 2 5 , C 2 6 , C 2 7 , C 2 8を含んで なる口一パスフィルタとバンドエリミネーションフィル夕との組み合わせ フィルタ 2 2とからなる。 共通ポ一ト 2 0から入力された周波数成分: e 1， f 2は、 口一パスフィルタ 2 1の作用により周波数成分 f 1のみが 口一パスフィルタ 2 1の入出力ポート 2 3に出力され、 ローパスフィルタ とバンドエリミネ一ションフィルタとの組み合わせフィルタ 2 2の作用に より周波成分: f 2のみが組み合わせフィルタ 2 2の入出力ポート 2 4に出 力される。
図 5は、 第 2の分波回路 2特にそれを構成するローパスフィルタ 2 1及 び組み合わせフィルタ 2 2の周波数特性図であり、 ここでは周波数 F R E に対する減衰量 A T T Nの変化が示されている。 ローパスフィルタとバ ンドエリミネーシヨンフィルタとの組み合わせフィル夕 2 2では、 周波数 成分 1を含む帯域に非通過域を形成し、 周波数成分 f 1をほぼ完全に除 去して周波数成分: f 2のみを取り出すようにしている。 また、 組み合わせ フィルタ 2 2では、 周波数成分： f 2より高周波の側において、 第 1の分波 回路 1の口一パスフィル夕 1 1による減衰特性に加えて当該組み合わせ フィルタ 2 2のローパスフィルタによる減衰特性が二重に働くため、 周波 数成分: f 2の分離特性が良好である。 特に、 周波数成分: f 2としては G P Sのような微弱な電波が考えられるところ、 このような微弱な電波を通過 させ取り出す場合には他の周波数成分をなるベく完全に取り除く必要があ り且つ通過する場合の損失の小さいことが望まれるので、 以上の様な第 2の分波回路 2の構成は G P Sのような微弱な電波の分波には最適であ る。
図 6に第 3の分波回路 3の構成図を示す。 第 3の分波回路 3は、 インダ クタンス成分 L 3 1 , L 3 2 , L 3 3及びコンデンサ成分 C 3 1 , C 3 2， C 3 3 , C 3 4 , C 3 5 , C 3 6を含んでなるハイパスフィル夕とバ ンドエリミネ一ションフィルタとの組み合わせフィルタ 3 1と、 ィンダク タンス成分 L 3 4及びコンデンサ成分 C 3 7 , C 3 8を含んでなるハイパ スフィルタ 3 2とからなる。 共通ポート 3 0から入力された周波数成分: f 3， f 4は、 八ィパスフィルタとバンドエリミネーシヨンフィルタとの組 み合わせフィルタ 3 1の作用により周波数成分 ΐ 3のみが組み合わせフィ ルタ 3 1の入出力ポ一卜 3 3に出力され、 ハイパスフィルタ 3 2の作用に より周波成分 f 4のみがハイパスフィル夕 3 2の入出力ポート 3 4に出力 される。
図 7は、 第 3の分波回路 3特にそれを構成する組み合わせフィルタ 3 1 及びハイパスフィル夕 3 2の周波数特性図であり、 ここでは周波数 F R E C こ対する減衰量 A T T Nの変化が示されている。 ハイパスフィルタとバ ンドエリミネーシヨンフィル夕との組み合わせフィル夕 3 1では、 周波数 成分 f 4を含む帯域に非通過域を形成し、 周波数成分: f 4をほぼ完全に除 去して周波数成分： f 3のみを取り出すようにしている。 また、 組み合わせ フィル夕 3 1では、 周波数成分 f 3より低周波の側において、 第 1の分波 回路 1のハイパスフィルタ 1 2による減衰特性に加えて当該組み合わせ フィル夕 3 1のハイパスフィルタによる減衰特性が二重に働くため、 周波 数成分: f 3の分離特性が良好である。 特に、 微弱な電波を通過させ取り出 す場合には他の周波数成分をなるベく完全に取り除く必要があり且つ通過 する場合の損失の小さいことが望まれるので、 以上の様な第 3の分波回路 3の構成は周波数成分 f 3として微弱な電波が用いられる場合の分波には 最適である。
以上のような第 1の実施形態に係るマルチプレクサは、 積層構造体の形 態をなすのが好ましい。 即ち、 上記第 1の分波回路 1、 第 2の分波回路 2 及び第 3の分波回路 3のインダクタンス成分 L 1 1， L 1 2, L 2 1〜2 4, L 3 1〜34及びコンデンサ成分 C 1 1〜C 14， C 21〜28， C 3 1〜38を、 積層構造体を構成するパターン状導電層を用いて形成する ことが好ましい。
このような積層構造体の斜視図を図 9に示し、 分解斜視図を図 8に示 す。 積層構造体は、 パターン状導電層により形成された外部グランド （G N D ) 端子 1 01， 103， 104, 1 06, 108, 1 10， 1 1 2、 外部入力端子 102、 及び外部出力端子 105, 107, 109, 1 1 1 を有する。
この積層構造体は、 以下に説明する様なシート積層法を用いて作製する ことができる。
まず、 セラミックグリーンシートを用意する。 セラミックグリーンシー 卜としては、 950°C以下の低温焼成が可能なセラミツク誘電材料が好ま しく、 たとえば誘電率 5〜70とくに 1 0程度のものが用いられる。 この セラミックグリーンシートを所定枚数積層するのであるが、 各セラミック グリーンシートには、 必要に応じて所要位置にスルーホールが形成されて おり、 表面には銀 （Ag) ペースト等の金属ペース卜をスクリーン印刷の 手法で付与することによりパターン （スルーホール内に充填された A g ペースト等の導電体によるものも含む） を形成しておく。 セラミックグ リーンシートの積層体を約 900°Cで一体焼成し、 その上面、 下面及び側 面に外部 GND端子用の導電膜 （電極） 、 外部入力端子用の導電膜 （電 極） 、 及び外部出力端子用の導電膜 （電極） を形成することで、 セラミツ ク誘電材料からなる絶縁層と A gなど導電体からなるパターン状導電層 (以下において 「電極」 ということがある） とを含んでなる積層構造体を 得る。
絶縁層の厚さは例えば 0. 02〜0. 3mmであり、 パターン状導電層 の厚さは例えば 0. 005~0. 02 mmである。 また、 積層構造体の寸 法は、 例えば縦 45mmX横 32mmX厚さ 2 Ommである。
図 8において、 201〜21 6は矩形状の絶縁層を示し、 1 13， 1 3 6, 1 57, 1 70, 179はアース電極 （上記外部 GND端子と接続さ れるアースのためのパターン状導電層） を示し、 これらのアース電極は外 部 G N D端子 1 01， 103， 104， 1 06, 108, 1 10， 1 1 2 に接続される引き出し部を有する。 1 14, 1 16, 1 18， 120， 1 2 1 , 1 25, 140, 142, 144, 1 50, 158, 165, 17 3 , 1 76はコイル電極 （上記インダクタンス成分を形成するためのパ 夕一ン状導電層） であり、 123， 1 27, 1 29〜132, 134， 1 35， 137〜139， 146〜148， 1 52〜1 55， 161 , 1 6 2， 1 67, 1 68, 172はコンデンサ電極 （上記コンデンサ成分を形 成するためのパターン状導電層） である。 1 1 5， 1 17, 1 19, 1 2 2 , 1 24, 1 26, 1 28， 1 33, 14 1 , 143 , 145, 14 9， 1 5 1， 1 56, 1 59, 1 60， 1 63 , 1 64, 1 66, 1 6 9， 1 7 1 , 1 74, 175, 177, 178はスルーホール内に充填さ れた導電層を示し、 これらの導電層は上記アース電極、 コイル電極及びコ ンデンサ電極のうちの複数を接続する。
以下、 図 8に示された積層構造体の構成を、 上記図 2、 図 4及び図 6に 示される各分波回路 1 , 2， 3の構成と対応させながら説明する。
図 2の口一パスフィルタ 1 1に関して、 コンデンサ成分 C 1 1をコンデ ンサ電極 137とアース電極 136で構成している。 コンデンサ成分 C 1 2をコンデンサ電極 138とアース電極 136で構成している。 コンデン サ電極 1 38の一端は外部入力端子 102に接続されている。 インダク夕 ンス成分 L 1 1をコイル電極 144、 スルーホール 1 51及びコイル電極 1 50で構成している。 コイル電極 1 50の一端は外部入力端子 102に 接続されている。
図 2のハイパスフィル夕 12に関して、 コンデンサ成分 C 13をコンデ ンサ電極 129とコンデンサ電極 123で構成している。 コンデンサ電極 1 29の一端は外部入力端子 102に接続されている。 コンデンサ成分 C 14をコンデンサ電極 130とコンデンサ電極 1 23で構成している。 ィ ンダクタンス成分 L 1 2をスルーホール 1 24、 コイル電極 1 1 8、 ス ルーホール 1 1 9、 コイル電極 1 14及びスルーホール 1 15で構成して いる。
図 4のローパスフィルタ 2 .1に関して、 コンデンサ成分 C 2 1をコンデ ンサ電極 1 3 1 とアース電極 1 3 6で構成している。 コンデンサ電極 1 3 1の一端は外部出力端子 1 0 5に接続されている。 コンデンサ成分 C 2 2 をコンデンサ電極 1 3 2とアース電極 1 3 6で構成している。 インダクタ ンス成分 L 2 1をスル一ホール 1 4 1、 コイル電極 1 2 0、 スルーホール 1 2 6、 コイル電極 1 2 5及びスルーホール 1 3 3で構成している。
図 4のローパスフィルタとバンドエリミネ一ションフィルタとの組み合 わせフィルタ 2 2に関して、 コンデンサ成分 C 2 3をコンデンサ電極 1 3 9とアース電極 1 3 6で構成している。 コンデンサ成分 C 2 4をコンデン サ電極 1 7 2とアース電極 1 7 0で構成している。 コンデンサ電極 1 7 2 の一端は外部出力端子 1 0 7に接続されている。 インダクタンス成分 L 2 2をコイル電極 1 4 0で構成している。 コイル電極 1 4 0の一端は外部出 力端子 1 0 7に接続されている。 コンデンサ成分 C 2 5をコンデンサ電極 1 4 7とコンデンサ電極 1 5 3で構成している。 コンデンサ成分 C 2 7を コンデンサ電極 1 5 3とアース電極 1 5 7で構成している。 インダクタン ス成分 L 2 3をスルーホール 1 5 9、 コイル電極 1 5 8及びスルーホール 1 6 0で構成している。 コンデンサ成分 C 2 6をコンデンサ電極 1 4 6と コンデンサ電極 1 5 2で構成している。 コンデンサ電極 1 4 6の一端は外 部出力端子 1 0 7に接続されている。 コンデンサ成分 C 2 8をコンデンサ 電極 1 5 2とアース電極 1 5 7で構成している。 インダク夕ンス成分 L 2 4をスルーホール 1 6 6、 コイル電極 1 6 5及びスルーホール 1 7 1で構 成している。
図 6のハイパスフィル夕とバンドエリミネ一ションフィル夕との組み合 わせフィル夕 3 1に関して、 コンデンサ成分 C 3 3をコンデンサ電極 1 5 5とコンデンサ電極 1 4 8で構成している。 コンデンサ電極 1 5 5の一端 は外部出力端子 1 0 9に接続されている。 ィンダクタンス成分 L 3 3をス ルーホール 1 4 9、 コイル電極 1 4 2、 スルーホール 1 4 3で構成してい る。 コンデンサ成分 C 3 4をコンデンサ電極 1 5 4とコンデンサ電極 1 4 8で構成している。 コンデンサ成分 C 3 2をコンデンサ電極 1 6 2とコン デンサ電極 1 6 8で構成している。 コンデンサ成分 C 3 1をコンデンサ電 極 1 6 8とアース電極 1 7 0で構成している。 インダクタンス成分 L 3 1 をスルーホール 1 7 7、 コイル電極 1 7 6、 スルーホール 1 7 8で構成し ている。 コンデンサ成分 C 3 5をコンデンサ電極 1 6 1 とコンデンサ電 極 1 6 7で構成している。 コンデンサ成分 C 3 6をコンデンサ電極 1 6 7とアース電極 1 Ί 0で構成している。 ィンダクタンス成分 L 3 2をス ル一ホール 1 7 4、 コイル電極 1 7 3、 スルーホール 1 7 5で構成してい る。
図 6のハイパスフィルタ 3 2に関して、 コンデンサ成分 C 3 7をコンデ ンサ電極 1 3 4とコンデンサ電極 1 2 7で構成している。 インダクタンス 成分 L 3 4をスル一ホール 1 2 8、 コイル電極 1 2 1、 スルーホール 1 2 2、 コイル電極 1 1 6及びスル一ホール 1 1 7で構成している。 コンデン サ成分 C 3 8をコンデンサ電極 1 3 5とコンデンサ電極 1 2 7で構成して いる。 コンデンサ電極 1 3 5の一端は外部出力端子 1 1 1に接続されてい る。
以上述べたように、 第 1の実施形態により、 挿入損失が少なく、 ァイソ レ一シヨン特性をより向上させた、 4つの周波数成分をそれぞれの成分に 分波する高性能なマルチプレクサを得ることができる。 さらに、 本実施 形態は、 積層構造体の形態をなしているので、 十分な小型化が可能であ る。
次に、 上記の第 1の実施形態の回路構成のうち、 第 2の分波回路 2及び 第 3の分波回路 3に使用されているバンドエリミネ一ションフィルタを含 む組み合わせフィルタの代わりにバンドパスフィルタを使用するマルチプ レクサを、 第 2の実施形態として説明する。
第 2の実施形態の回路構成ブロック図を図 1 0に示す。 第 2の実施形態 に係るマルチプレクサは、 第 1の分波回路 4、 第 2の分波回路 5及び第 3 の分波回路 6からなり、 上記第 1の実施形態と同様にして、 互いに異なる 第 1の周波数成分： f 1〜第 4の周波数成分 f 4をそれぞれ含む互いに異な る第 1の周波数帯域〜第 4の周波数帯域を含む入力が第 1の分波回路 4の 入出力ポート 4 0に入力される。 第 1の分波回路 4の入出力ポート 4 3か らは: e lの周波数帯域及び: e 2の周波数帯域を含む出力が得られ、 これが 第 2の分波回路 5の入出力ポー卜 5 0に入力される。 一方、 第 1の分波回 路 4の入出力ポート 4 4からは f 3の周波数帯域及び f 4の周波数帯域を 含む出力が得られ、 これが第 3の分波回路 6の入出力ポート 6 0に入力さ れる。 そして、 第 2の分波回路 5の入出力ポート 5 3 , 5 4からはそれぞ れ f 1 , ： f 2の周波数帯域の出力が得られ、 第 3の分波回路 6の入出力 ポ一卜 6 3， 6 4からはそれぞれ: f 3 , f 4の周波数帯域の出力が得られ る。
第 1の分波回路 4は第 1のフィルタ 4 1 と第 2のフィルタ 4 2とを含 む。 第 1のフィルタ 4 1は、 1及び: f 2を含み且つ: e 3及び f 4を実質 上含まない帯域を通過帯域とする口一パスフィル夕 L P Fからなつてお り、 第 2のフィルタ 4 2は、 f 3及び ΐ 4を含み且つ f 1及び ΐ 2を実質 上含まない帯域を通過帯域とするハイパスフィルタ H P Fからなる。 第 1 のフィルタ 4 1及び第 2のフィルタ 4 2のそれぞれの一方の入出力ポート が共通ポート 4 0とされている。 この第 1の分波回路 4の構成は、 第 1の 実施形態の第 1の分波回路 1の構成と同等である。
第 2の分波回路 5は第 3のフィルタ 5 1 と第 4のフィルタ 5 2とを含 む。 第 3のフィルタ 5 1は、 f 1を含み且つ： f 2〜 f 4を実質上含まない 帯域を通過帯域とする口一パスフィルタ L P Fからなつており、 第 4の フィルタ 5 2は、 ： f 2を含み且つ f l、 ： f 3及び； 4を実質上含まない帯 域を通過帯域とするフィル夕であり、 バンドパスフィル夕 B P Fからな る。 第 3のフィルタ 5 1及び第 4のフィルタ 5 2のそれぞれの一方の入出 力ポートが共通ポート 5 0とされている。 該共通ポート 5 0は、 第 1の フィルタ 4 1の共通ポートとされていない入出力ポート 4 3と接続されて いる。
第 3の分波回路 6は第 5のフィル夕 6 1 と第 6のフィルタ 6 2とを含 む。 第 5のフィルタ 6 1は、 3を含み且っ:？ 1、 f 2及び f 4を実質上 含まない帯域を通過帯域とするフィルタであり、 バンドパスフィルタ B P Fからなつており、 第 6のフィルタ 6 2は、 ： f 4を含み且つ: 1〜： f 3を 実質上含まない帯域を通過帯域とするハイパスフィル夕 H P Fからなる。 第 5のフィルタ 6 1及び第 6のフィルタ 6 2のそれぞれの一方の入出力 ポートが共通ポート 6 0とされている。 該共通ポート 6 0は、 第 2のフィ ル夕 4 2の共通ポー卜とされていない入出力ポ一卜 4 4と接続されてい る。
図 1 1に第 2の分波回路 5の構成図を示す。 第 2の分波回路 5は、 イン ダクタンス成分及びコンデンサ成分を含んでなるローパスフィルタ 5 1 と、 ィンダクタンス成分及びコンデンサ成分を含んでなるバンドパスフィ ルタ 5 2とからなる。 共通ポー卜 5 0から入力された周波数成分: f 1， f 2は、 ローパスフィルタ 5 1の作用により周波数成分 f 1のみがローパス フィルタ 5 1の入出力ポート 5 3に出力され、 バンドパスフィル夕 5 2の 作用により周波成分: f 2のみがバンドパスフィル夕 5 2の入出力ポート 5 4に出力される。
図 1 2は、 第 2の分波回路 5特にそれを構成する口一パスフィルタ 5 1 及びバンドパスフィルタ 5 2の周波数特性図であり、 ここでは周波数 F R E Qに対する減衰量 A T T Nの変化が示されている。 バンドパスフィルタ 5 2では、 周波数成分 f 1を分離除去して周波数成分 f 2のみを取り出す ことができる。 また、 バンドパスフィルタ 5 2では、 周波数成分: P 2より 高周波の側において、 第 1の分波回路 4の口一パスフィルタ 4 1による減 衰特性に加えて当該バンドバスフィル夕 5 2による減衰特性が二重に働く ため、 周波数成分 ΐ 2の分離特性が良好である。 特に、 周波数成分 ΐ 2と しては G P Sのような微弱な電波が考えられるところ、 このような微弱な 電波を通過させ取り出す場合には他の周波数成分をなるベく完全に取り除 く必要があり且つ通過する場合の損失の小さいことが望まれるので、 以上 の様な第 2の分波回路 5の構成は G P Sのような微弱な電波の分波には最 適である。
図 1 3に第 3の分波回路 6の構成図を示す。 第 3の分波回路 6は、 イン ダクタンス成分及びコンデンサ成分を含んでなるバンドパスフィルタ 6 1 と、 ィンダク夕ンス成分及びコンデンサ成分を含んでなるハイパスフィル タ 6 2とからなる。 共通ポート 6 0から入力された周波数成分 f 3， ΐ 4 は、 バンドパスフィルタ 6 1の作用により周波数成分: f 3のみがバンドパ スフィルタ 61の入出力ポート 63に出力され、 ハイパスフィルタ 62の 作用により周波成分: f 4のみがハイパスフィルタ 62の入出力ポート 64 に出力される。
図 14は、 第 3の分波回路 6特にそれを構成するバンドパスフィルタ 6 1及びハイパスフィルタ 62の周波数特性図であり、 ここでは周波数 F R E Qに対する減衰量 AT T Nの変化が示されている。 バンドパスフィルタ 6 1では、 周波数成分 f 4を分離除去して周波数成分 f 3のみを取り出す ことができる。 また、 バンドパスフィルタ 61では、 周波数成分 f 3より 低周波の側において、 第 1の分波回路 4のハイパスフィルタ 42による減 衰特性に加えて当該バンドパスフィルタ 61による減衰特性が二重に働く ため、 周波数成分 f 3の分離特性が良好である。 特に、 微弱な電波を通過 させ取り出す場合には他の周波数成分をなるベく完全に取り除く必要があ り且つ通過する場合の損失の小さいことが望まれるので、 以上の様な第 3 の分波回路 6の構成は周波数成分 f 3として微弱な電波が用いられる場合 の分波には最適である。
以上のような第 2の実施形態のマルチプレクサも、 上記第 1の実施形態 と同様に、 積層構造体の形態をなすのが好ましい。 即ち、 上記第 1の分波 回路 4、 第 2の分波回路 5及び第 3の分波回路 6のィンダクタンス成分及 びコンデンサ成分を、 積層構造体を構成するパターン状導電層とを用いて 形成することが好ましい。
このような積層構造体の斜視図を図 1 6に示し、 分解斜視図を図 15に 示す。 積層構造体は、 パターン状導電層により形成された外部グランド (GN D) 端子 301， 303, 304, 306, 308, 3 10, 3 1 2、 外部入力端子 302、 及び外部出力端子 305, 307, 309, 3 1 1を有する。 この積層構造体の製造方法は、 第 1の実施形態に関して説 明したものと同様であるので、 ここでは説明を省略する。
図 1 5において、 40 1〜414は矩形状の絶縁層を示し、 3 1 3， 3 35, 363, 374はアース電極を示し、 これらのアース電極は外部 G ND端子 301 , 303, 304， 306， 308, 3 1 0， 31 2に接 続される引き出し部を有する。 3 14, 3 1 6, 3 1 8, 320 , 32 1 , 325, 346, 357, 364, 367, 370， 372はコイル 電極 （上記インダクタンス成分を形成するためのパターン状導電層） であ り、 323 , 327, 329〜33 1， 333， 334， 336〜33 9 , 34 1〜343 , 345, 348〜350， 352 , 353， 35 6, 359〜362はコンデンサ電極 （上記コンデンサ成分を形成するた めのパターン状導電層） である。 315, 317, 3 19, 322, 32 4， 326, 328, 332 , 3.40， 344, 347， 35 1 , 35 4, 358, 365, 366, 368, 369 , 37 1， 373 , 37 5， 376はスルーホール内に充填された導電層を示し、 これらの導電層 は上記アース電極、 コイル電極及びコンデンサ電極のうちの複数を接続す る。
以上の様なアース電極、 コイル電極、 コンデンサ電極及びスルーホール 内導電層を適宜組み合わせることで、 ここでは詳細には説明しないが、 上 記各ィンダクタンス成分及び各コンデンサ成分及びその接続を形成するこ とができる。
以上述べたように、 第 2の実施形態によっても、 十分な小型化が可能 で、 挿入損失が少なく、 アイソレーション特性をより向上させた、 4つの 周波数成分をそれぞれの成分に分波する高性能なマルチプレクサを得るこ とができる。
以上第 2の実施形態では、 第 1の実施形態の回路構成のうちの第 2の分 波回路 2及び第 3の分波回路 3に使用されているバンドエリミネ一シヨン フィルタを含む組み合わせフィルタの双方に代えてバンドパスフィルタを 使用しているが、 本発明においては第 1の実施形態の回路構成のうちの第 2の分波回路 2及び第 3の分波回路 3に使用されているバンドエリミネ一 ションフィルタを含む組み合わせフィル夕のうちの一方のみに代えてバン ドパスフィル夕を使用してもよい。 これによつても、 上記第 1の実施形態 及び第 2の実施形態と同様な効果が得られる。 産業上の利用可能性
以上のように、 本発明によれば、 GPS等の微弱電波を含む 4つの周波 数帯域のそれぞれに属する信号を良好に分波するマルチプレクサを簡単な 回路で構成することができ、 G P S等の微弱電波の挿入損失を少なくし、 他の電波との分離度を向上させることが可能となる。 さらに、 上記回路を 積層構造体から構成することにより、 小型で分波性能の優れたマルチプレ クサを提供することができる。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 互いに異なる第 1の周波数成分 f 1、 第 2の周波数成分 f 2、 第 3の周波数成分: 3及び第 4の周波数成分 f 4 (ここで、 i < f 2 < f 3 < f 4 ) を含む周波数帯域を f 1及び f 2を含み且つ： 3及び： f 4を 実質上含まない周波数帯域と： 3及び f 4を含み且つ f 1及び ΐ 2を実質 上含まない周波数帯域とに分波する第 1の分波回路と、 該第 1の分波回路 での分波により得られる: 1及び: e 2を含む周波数帯域を ΐ 1を含み且つ f 2〜： 4を実質上含まない周波数帯域と： e 2を含み且つ: e 1、 f 3及び ΐ 4を実質上含まない周波数帯域とに分波する第 2の分波回路と、 前記第 1の分波回路での分波により得られる f 3及び f 4を含む周波数帯域を: e 3を含み且つ： f 1、 f 2及び: 4を実質上含まない周波数帯域と f 4を含 み且つ: f 1〜 f 3を実質上含まない周波数帯域とに分波する第 3の分波回 路とからなるマルチプレクサであって、
前記第 2の分波回路は、 前記 f 2を含み且つ: f 1、 f 3及び： f 4を実質 上含まない周波数帯域を通過帯域とするフィルタとしてローパスフィルタ とバンドエリミネ一ションフィルタとの組み合わせフィルタ或はバンドパ スフィルタを備えており、 前記第 3の分波回路は、 前記 f 3を含み且つ f 1、 f 2及び f 4を実質上含まない周波数帯域を通過帯域とするフィルタ としてハイパスフィル夕とバンドエリミネーションフィル夕との組み合わ せフィルタ或はバンドパスフィルタを備えていることを特徴とするマルチ プレクサ。
2 . 前記第 2の分波回路は前記： f 1を含み且つ f 2〜： f 4を実質上 含まない周波数帯域を通過帯域とするフィルタとしてローパスフィル夕を 備えており、 前記第 3の分波回路は前記 4を含み且つ: f 1〜 f 3を実質 上含まない周波数帯域を通過帯域とするフィルタとしてハイパスフィル夕 を備えていることを特徴とする、 請求項 1に記載のマルチプレクサ。
3 . 前記第 1の分波回路は、 前記: e 1及び: e 2を含み且つ f 3及び f 4を実質上含まない周波数帯域を通過帯域とするフィルタとしてローパ スフィル夕を備えており、 前記: f 3及び: f 4を含み且つ f 1及び f 2を実 質上含まない周波数帯域を通過帯域とするフィルタとしてハイパスフィル タを備えていることを特徴とする、 請求項 1に記載のマルチプレクサ。
4 . 前記第 2の分波回路は前記； 1を含み且つ f 2〜 f 4を実質上 含まない周波数帯域を通過帯域とするフィルタとしてローパスフィルタを 備えており、 前記第 3の分波回路は前記: f 4を含み且つ: 1〜： f 3を実質 上含まない周波数帯域を通過帯域とするフィルタとしてハイパスフィルタ を備えていることを特徴とする、 請求項 3に記載のマルチプレクサ。
5 . 前記マルチプレクサは積層構造体の形態をなしており、 該積層 構造体は複数の絶縁層と該絶縁層の間に配置されたパターン状導体層とを 含んで構成されており、 前記第 1の分波回路、 前記第 2の分波回路及び前 記第 3の分波回路はいずれもィンダクタンス成分及びコンデンサ成分を含 んでおり、 これらィンダクタンス成分及びコンデンサ成分は前記パターン 状導体層を用いて形成されていることを特徴とする、 請求項 1〜 4のいず れかに記載のマルチプレクサ。
6 . 前記絶縁層はセラミックからなることを特徴とする、 請求項 5 に記載のマルチプレクサ。
7 . 前記パターン状導体層は金属からなることを特徴とする、 請求 項 6に記載のマルチプレクサ。
PCT/JP2001/011272 2000-12-22 2001-12-21 Multiplexeur WO2002052724A1 (fr)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002553305A JPWO2002052724A1 (ja) 2000-12-22 2001-12-21 マルチプレクサ
US10/451,261 US6927648B2 (en) 2000-12-22 2001-12-21 Multiplexer
EP01271860A EP1347573A4 (en) 2000-12-22 2001-12-21 MULTIPLEXER

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000390468 2000-12-22
JP2000-390468 2000-12-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2002052724A1 true WO2002052724A1 (fr) 2002-07-04

Family

ID=18856827

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2001/011272 WO2002052724A1 (fr) 2000-12-22 2001-12-21 Multiplexeur

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6927648B2 (ja)
EP (1) EP1347573A4 (ja)
JP (1) JPWO2002052724A1 (ja)
CN (1) CN1251403C (ja)
WO (1) WO2002052724A1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004536508A (ja) * 2001-07-03 2004-12-02 キョウセラ ワイヤレス コーポレイション Ｇｐｓ有効アンテナのためのシステムおよび方法
JP2006262349A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Taiyo Yuden Co Ltd 共振回路、フィルタ回路、多層基板並びに回路モジュール
CN109361042A (zh) * 2018-11-16 2019-02-19 安徽安努奇科技有限公司 一种频分器
JP2020537396A (ja) * 2017-10-12 2020-12-17 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｂｕｓｉｎｅｓｓ Ｍａｃｈｉｎｅｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 超伝導量子プロセッサへの入力ラインを減少させるルータ、ルータを構成する方法、およびルータのための方法
JP2021508167A (ja) * 2018-11-16 2021-02-25 安徽安努奇科技有限公司Ａｎｈｕｉ Ａｎｕｋｉ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． マルチプレクサ
JP2021097399A (ja) * 2019-12-17 2021-06-24 イランテックＥｒａｎｇｔｅｋ ５ｇ共用結合優秀ｐｉｍｄ結合方式のフィルタ及びフィルタリング方法

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100530958C (zh) * 2003-10-16 2009-08-19 京瓷株式会社 复合型分波电路、用其的芯片零件、高频模块及无线通信设备
CN1930776B (zh) * 2004-03-16 2012-02-01 日立金属株式会社 高频电路以及高频部件
US7135943B2 (en) * 2004-07-11 2006-11-14 Chi Mei Communication Sytems, Inc. Diplexer formed in multi-layered substrate
US7187230B2 (en) * 2005-03-18 2007-03-06 Nokia Corporation Transferred-impedance filtering in RF receivers
DE102007024895B4 (de) 2007-05-29 2015-08-27 Epcos Ag Multiband-Filter
JP5305809B2 (ja) * 2008-09-26 2013-10-02 京セラ株式会社 分波器ならびにそれを用いた無線通信モジュールおよび無線通信機器
US7880562B2 (en) * 2008-11-14 2011-02-01 Tdk Corporation Balanced-output triplexer
CN101931794B (zh) * 2009-06-25 2012-05-23 启碁科技股份有限公司 波段转换电路及其相关卫星电视系统
KR101565995B1 (ko) * 2009-07-16 2015-11-05 삼성전자주식회사 듀얼-입력 듀얼-출력의 필터를 이용한 멀티-대역의 라디오 주파수 신호 송수신 시스템
CN102025010B (zh) * 2009-09-18 2013-12-11 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 滤波器
CN102281040A (zh) * 2010-06-11 2011-12-14 北京同方吉兆科技有限公司 一种用于调频发射机系统的互补吸收式低通滤波器
JP5737304B2 (ja) * 2013-01-18 2015-06-17 株式会社村田製作所 フィルタ回路
KR102047812B1 (ko) * 2013-05-02 2019-11-22 삼성전자주식회사 다중 대역 안테나 장치 및 다중 대역 안테나를 포함하는 무선 통신 장치
JP6307008B2 (ja) * 2014-10-31 2018-04-04 日本電信電話株式会社 帯域通過フィルタ及び合分波器
CN105846848A (zh) * 2015-01-15 2016-08-10 启碁科技股份有限公司 信号收发电路及信号收发方法
US10616053B2 (en) 2015-12-04 2020-04-07 Skyworks Solutions, Inc. Multi-stage reconfigurable triplexer
US9876513B2 (en) 2016-03-31 2018-01-23 Qualcomm Incorporated LC filter layer stacking by layer transfer to make 3D multiplexer structures
US10148249B2 (en) * 2016-08-05 2018-12-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. High frequency circuit and communication apparatus
WO2019244481A1 (ja) * 2018-06-22 2019-12-26 株式会社村田製作所 積層複合フィルタ装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58138415U (ja) * 1982-03-10 1983-09-17 松下電器産業株式会社 高周波混合装置
JPH0690128A (ja) * 1992-09-08 1994-03-29 Tdk Corp デュプレクサ
JPH06188622A (ja) * 1992-12-16 1994-07-08 Murata Mfg Co Ltd アンテナ共用器
JPH1098348A (ja) * 1996-09-20 1998-04-14 Hitachi Metals Ltd 積層型分波器
JPH10117117A (ja) * 1996-08-21 1998-05-06 Murata Mfg Co Ltd 高周波部品
JPH10200442A (ja) * 1997-01-08 1998-07-31 Sanyo Electric Co Ltd デュアルバンド無線通信装置
JPH1131905A (ja) * 1997-07-14 1999-02-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 分波器およびそれを用いた共用器および２周波帯域用移動体通信機器
JPH11168303A (ja) * 1997-12-05 1999-06-22 Hitachi Metals Ltd 高周波スイッチモジュール

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2218703B1 (ja) * 1973-02-16 1979-08-03 Thomson Csf
DE8706733U1 (de) * 1987-05-11 1987-07-02 Richard Hirschmann Radiotechnisches Werk, 7300 Esslingen Frequenzweiche
US5021756A (en) * 1989-01-03 1991-06-04 Raytheon Company Transversal and recursive filters useable in a diplexer
US5155724A (en) * 1990-09-26 1992-10-13 Rockwell International Corporation Dual mode diplexer/multiplexer
JP3891096B2 (ja) * 2001-12-28 2007-03-07 株式会社村田製作所 信号受信回路およびそれを備えた通信機

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58138415U (ja) * 1982-03-10 1983-09-17 松下電器産業株式会社 高周波混合装置
JPH0690128A (ja) * 1992-09-08 1994-03-29 Tdk Corp デュプレクサ
JPH06188622A (ja) * 1992-12-16 1994-07-08 Murata Mfg Co Ltd アンテナ共用器
JPH10117117A (ja) * 1996-08-21 1998-05-06 Murata Mfg Co Ltd 高周波部品
JPH1098348A (ja) * 1996-09-20 1998-04-14 Hitachi Metals Ltd 積層型分波器
JPH10200442A (ja) * 1997-01-08 1998-07-31 Sanyo Electric Co Ltd デュアルバンド無線通信装置
JPH1131905A (ja) * 1997-07-14 1999-02-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 分波器およびそれを用いた共用器および２周波帯域用移動体通信機器
JPH11168303A (ja) * 1997-12-05 1999-06-22 Hitachi Metals Ltd 高周波スイッチモジュール

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1347573A4 *

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004536508A (ja) * 2001-07-03 2004-12-02 キョウセラ ワイヤレス コーポレイション Ｇｐｓ有効アンテナのためのシステムおよび方法
JP2006262349A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Taiyo Yuden Co Ltd 共振回路、フィルタ回路、多層基板並びに回路モジュール
JP4669722B2 (ja) * 2005-03-18 2011-04-13 太陽誘電株式会社 共振回路、フィルタ回路、多層基板並びに回路モジュール
JP2020537396A (ja) * 2017-10-12 2020-12-17 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｂｕｓｉｎｅｓｓ Ｍａｃｈｉｎｅｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 超伝導量子プロセッサへの入力ラインを減少させるルータ、ルータを構成する方法、およびルータのための方法
JP7143407B2 (ja) 2017-10-12 2022-09-28 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 超伝導量子プロセッサへの入力ラインを減少させるルータ、ルータを構成する方法、およびルータのための方法
CN109361042A (zh) * 2018-11-16 2019-02-19 安徽安努奇科技有限公司 一种频分器
JP2021508167A (ja) * 2018-11-16 2021-02-25 安徽安努奇科技有限公司Ａｎｈｕｉ Ａｎｕｋｉ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． マルチプレクサ
US11190160B2 (en) 2018-11-16 2021-11-30 Anhui Anuki Technologies Co., Ltd. Frequency multiplexer
CN109361042B (zh) * 2018-11-16 2024-03-19 安徽安努奇科技有限公司 一种频分器
JP2021097399A (ja) * 2019-12-17 2021-06-24 イランテックＥｒａｎｇｔｅｋ ５ｇ共用結合優秀ｐｉｍｄ結合方式のフィルタ及びフィルタリング方法
JP7065915B2 (ja) 2019-12-17 2022-05-12 イランテック ５ｇ共用結合優秀ｐｉｍｄ結合方式のフィルタ及びフィルタリング方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP1347573A4 (en) 2008-05-21
US20040046621A1 (en) 2004-03-11
EP1347573A1 (en) 2003-09-24
CN1481611A (zh) 2004-03-10
JPWO2002052724A1 (ja) 2004-04-30
US6927648B2 (en) 2005-08-09
CN1251403C (zh) 2006-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2002052724A1 (fr) Multiplexeur
JP4442056B2 (ja) 複合型ｌｃフィルタ部品
JP2002344347A (ja) フロントエンドモジュール
JP2004194240A (ja) ３分波・合波器
JP2010141859A (ja) ダイプレクサ及びマルチプレクサ
GB2380879A (en) Laminated LC low-pass filter with trap circuit
US6521976B2 (en) Multilayer LC composite component
JP5041285B2 (ja) 高周波部品
JP3223848B2 (ja) 高周波部品
JP2006332980A (ja) トリプレクサ回路
JP2002280862A (ja) 複合型ｌｃフィルタ回路及び複合型ｌｃフィルタ部品
JP2006128881A (ja) ダイプレクサ
JP2003115736A (ja) ３分波・合波器
JPH1098348A (ja) 積層型分波器
JP2011147090A (ja) 積層型マルチプレクサ、積層型トリプレクサ及びフィルタ回路
JPH09294042A (ja) 積層型分波器
JP2000082932A (ja) 積層型分波器
JP5285951B2 (ja) バンドパスフィルタ及び積層型バンドパスフィルタ。
JP2003124771A (ja) デュアルバンド携帯電話端末機用分波器。
JP2002280864A (ja) 電力２分配回路及び電力２分配部品
JP2003069362A (ja) ダイプレクサ
JP4623398B2 (ja) 積層型分波器
JP7424849B2 (ja) フィルタ、マルチプレクサおよび通信用モジュール
JP2001119258A (ja) 分波器
JP4594337B2 (ja) 帯域通過フィルタおよびそれを備えたデュプレクサ

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NO NZ OM PH PL PT RO RU SD SE SG SI SK SL TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2002553305

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 018206131

Country of ref document: CN

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2001271860

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10451261

Country of ref document: US

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2001271860

Country of ref document: EP

REG Reference to national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: 8642