WO2002027064A1 - Verfahren und vorrichtung zum abscheiden insbesondere organischer schichten im wege der ovpd - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zum abscheiden insbesondere organischer schichten im wege der ovpd Download PDF

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WO2002027064A1
WO2002027064A1 PCT/EP2001/010961 EP0110961W WO0227064A1 WO 2002027064 A1 WO2002027064 A1 WO 2002027064A1 EP 0110961 W EP0110961 W EP 0110961W WO 0227064 A1 WO0227064 A1 WO 0227064A1
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carrier gas
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Holger JÜRGENSEN
Gerd Strauch
Markus Schwambera
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Aixtron Ag
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Definitions

  • the invention relates to a method for depositing 00005 special organic layers, in which, in a 00006 heated reactor, a non-gaseous outlet stored in a source formed by a container is used - 00008 substance is transported by means of a carrier gas in the gaseous state 00009 from the source to a substrate, where 00010 it is deposited on the substrate.
  • OLEDs organic 00013 light-emitting diodes
  • It is known as the OVPD procedure 00014 (Organic Vapor Phase Deposition).
  • 00015 Organic molecules are used as starting materials, which are present in particular as salts and in granular form 00017, but can also be present in the liquid state 00018. These molecules have a very low vapor pressure.
  • the container is an open top 00022 in which the starting material is contained 00023. This trough is inserted into a source zone of the heated 00024 reactor.
  • the starting material which evaporates from the granulate bed 00025 or a melt is transported 00026 through the reactor by means of a carrier gas, for example nitrogen 00027.
  • the substrate may be at a substrate temperature that is less than 00029 than the source temperature.
  • the source material 00030 can be deposited there. Process pressures 00031 of 0.2 mbar are used in the prior art.
  • the invention further relates to a device for performing the method with a heatable 00035 reactor associated source in the form of a container for
  • the invention is based on the object, measures
  • the invention is based on the finding that the
  • the aim of claim 1 is that in the method the
  • 00054 carrier gas is preheated and from bottom to top or
  • 00058 flowing carrier gas has the same temperature as that
  • 00060 te starting material can no longer be cooled
  • 00065 heating elements can also protrude into the starting material.
  • 00069 preferably the saturation takes place in the lower third or 00070 lower fifth of the reception chamber.
  • the carrier gas is preferably from
  • 00075 preferably aluminum.
  • the invention further relates to a development of
  • 00084 net is for isothermal heating of the carrier gas
  • 00086 be that the container has a gas outlet on the bottom side
  • 00089 mer can also be designed as an insert. This
  • 00091 is inserted into the container. It contains the organic
  • the insert can be removed and against
  • 00096 outlet opening preferably only one refill opening.
  • 00100 wall can be designed as a frit.
  • 00101 is the particular powdery or
  • 00104 brought temperature.
  • This carrier gas then passes through 00105 evenly through the porous partition and 00106 flushes the bed lying on the partition. It is also possible to use liquid starting materials. 00108 Then the liquid is flushed out of the carrier gas, 00109 similar to the case with a wash bottle.
  • the 00110 partition can be flat, but it can also be dome-shaped or 00111-shaped.
  • the carrier gas and the container are heated by 00113 of the same heater. This is not only technically advantageous. It also offers a high guarantee 00115 that the carrier gas 00116 flowing into the container already has a temperature there that corresponds to the temperature of the starting material.
  • heating elements protrude into the starting material, which can be heated separately or are conductively connected to the container wall in order to supply heat to the 00121 starting material.
  • the receiving chamber 00122 can be refilled from above.
  • a storage chamber can be provided above the receiving chamber 00123.
  • this 00124 storage chamber there can be a supply of the starting material 00125.
  • This can be fed to the receiving chamber via a lockable channel 00126 in order to refill it.
  • the pantry does not need to be heated.
  • 00128 It can even be arranged outside the reactor 00129 and only be connected to the reactor 00130 or to the container by means of a refill connection.
  • 00131 00132 Embodiments of the invention are explained below 00133 with reference to the accompanying drawings.
  • FIG. 1 shows a roughly schematic form, the method 00136 or the device for carrying out the method, as it is prior art
  • FIG. 2 likewise only schematically shows a first exemplary embodiment of a source designed according to the invention
  • FIG. 3 shows another exemplary embodiment of the invention 00144 in a schematic representation
  • FIG. 4 shows a third exemplary embodiment of the invention 00147 in a schematic representation
  • 00148 00149 5 shows a fourth exemplary embodiment of the invention 00150 in a schematic illustration and 00151 00152 FIG.
  • FIG. 6 shows the course of the enrichment of the carrier gas 00153 with the gaseous starting material as a function of the partial pressure of the gaseous starting material in the carrier gas from the location above the 00156 partition.
  • the carrier gas 4 is fed to a reactor 1 heated externally from 00159.
  • a container 2 is placed in 00161 the reactor, which contains a bed of an external material.
  • the starting material sublimates at 00163 the source temperature.
  • the gaseous starting material 5 00164 is then ported with the carrier gas 4 to the substrate II trans00165, where it condenses from the gas phase in order to deposit a layer there 00166.
  • 00167 00168 The directions shown schematically in FIGS. 2 to 5 replace the 00170 trough-shaped container 2 of the prior art shown in FIG. 1. 00171 00172 00173
  • the container 2 is closed according to the invention. He
  • 00174 has a bottom 8, in particular cylindrical
  • the bottom has
  • the lid has a gas outlet
  • the starting material 3 is from below
  • the supply line 14 is heated by a heater 6.
  • the container 2 has a container heater 7. In the off
  • gas supply line 14 can be designed in a helical shape.
  • the heating rods 15 are thermally connected with
  • the intermediate wall 16 has a conical shape.
  • the receiving chamber 12 can be refilled from above. For this
  • 00225 filling channel 19 can be closed with a closure 18
  • 00242 of the starting material no adverse effects 00243 on the reproducibility of the growth rate more besit00244 zen.
  • a filter 20 in the form of a frit is provided in front of the gas outlet in the reactor in order to prevent 00249 solid particles or drops from being transported from the container into the 00250 reactor.
  • 00251 00252 In a currently not preferred variant of the invention, provision is also made for the carrier gas to be brought into the container at 00254 elevated temperature.
  • the 00255 heat, which is required for sublimation of the starting material, can then be at least partially withdrawn from the carrier gas 00257, the carrier gas then cooling to the 00258 container wall temperature, so that isother00259 me conditions prevail again.
  • the carrier gas can be heated by heating the 00262 partition 16.
  • the intermediate wall 16 can be made of metal.
  • 00264 00265 In the exemplary embodiments explained with reference to the figures, the container is continuously flowed through from below to 00267 above. However, the invention also includes such embodiments in which the gas flow runs the other way around, namely from top to bottom.
  • Such 00270 containers then have a gas inlet 00271 on the lid side and a gas outlet on the bottom side.
  • the invention also relates to those embodiments in which the organic material is accommodated in 00275 inserts which can be inserted into the container.
  • the organic material 00277 does not then have to be poured directly into the container. It 00278 can be pre-assembled in the inserts. This

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere organischer Schichten, bei dem in einem beheizten Reaktor (1) ein in einer von einem Behälter (2) gebildeten Quelle (I) bevorrateter, nicht gasförmiger Ausgangsstoff (3) mittels eines Trägergases (4) im gasförmigen Zustand (5) von der Quelle (I) zu einem Substrat (II) transportiert wird, wo er auf dem Substrat (II) deponiert. Aus der Erkenntnis heraus, das die Quelle zufolge einer nicht reproduzierbar einstellbaren Wärmezufuhr einer nicht reproduzierbar einstellbaren Wärmezufuhr und einer Abkühlung durch das Trägergas eine nicht vorhersagbare Produktionsrate gasförmigen Ausgangsstoffes hat, wird vorgeschlagen, dass das vorgeheizte (6) Trägergas (4) von unten nach oben den zufolge beheizter (7) Behälterwänden (13) im Wesentlichen isotherm zum Trägergas gehaltenen Ausgangsstoff (3) durchspült.

Description

00001 Verfahren und Vorrichtung: zum Abscheiden insbesondere 00002 organischer Schichten im Wege der OVPD 00003 00004 Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abscheiden 00005 besonderer organischer Schichten, bei dem in einem 00006 beheizten Reaktor ein in einer von einem Behälter gebil00007 deten Quelle bevorrateter, nicht gasförmiger Ausgangs- 00008 stoff mittels eines Trägergases im gasförmigen Zustand 00009 von der Quelle zu einem Substrat transportiert wird, wo 00010 er auf dem Substrat deponiert. 00011 00012 Mit diesen Verfahren werden insbesondere organische 00013 Leuchtdioden (OLED) hergestellt. Es wird als OVPD-Ver- 00014 fahren (Organic Vapour Phase Deposition) bezeichnet. 00015 Als Ausgangsstoffe werden organische Moleküle verwen00016 det, die insbesondere als Salze und granulatförmig 00017 vorliegen, aber auch im flüssigen Zustand vorliegen 00018 können. Diese Moleküle haben einen sehr geringen Dampf00019 druck. Durch Erwärmung des Ausgangsstoffes tritt dieser 00020 in den gasförmigen Zustand im Wege der Sublimation 00021 über. Im Stand der Technik ist der Behälter eine oben 00022 offene Wanne, in welcher der Ausgangsstoff enthalten 00023 ist. Diese Wanne wird in eine Quellenzone des beheizten 00024 Reaktors eingeschoben. Der aus der Granulatschüttung 00025 oder einer Schmelze verdampfende Ausgangsstoff wird 00026 mittels eines Trägergases, beispielsweise Stickstoff 00027 durch den Reaktor transportiert. Das Substrat kann sich 00028 auf einer Substrattemperatur befinden, die geringer ist 00029 als die Quellentemperatur. Dort kann der Ausgangsstoff 00030 deponieren. Im Stand der Technik werden Prozessdrucke 00031 von 0,2 mbar verwendet. 00032 00033 Die Erfindung betrifft ferner eine Vorrichtung zum 00034 Durchführen des Verfahrens mit einer einem beheizbaren 00035 Reaktor zugeordneten Quelle in Form eines Behälters zur
00036 Aufnahme eines nicht gasförmigen Ausgangsstoffes. 00037
00038 Der Erfindung liegt die .Aufgabe zugrunde, Maßnahmen
00039 anzugeben, um die Wachstumsraten präziser vorherbestim-
00040 men zu können und effizienter als bisher aus dem Stand
00041 der Technik bekannt größere Substratflächen zu beschich-
00042 ten. 00043
00044 Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, dass die
00045 Quelle zufolge einer nicht reproduzierbar einstellbaren
00046 Wärmezufuhr und einer Abkühlung durch das Trägergas
00047 eine nicht vorhersagbare Produktionsrate gasförmigen
00048 Aussgangsstoffes hat. Was die als nachteilig erachteten
00049 schwankenden Wachstumsraten nach sich zieht. 00050
00051 Zur Lösung des vorgenannten Problems wird die in den
00052 Ansprüchen angegebene Erfindung vorgeschlagen. Der
00053 Anspruch 1 zielt darauf ab, dass bei dem Verfahren das
00054 Trägergas vorgeheizt wird und von unten nach oben bzw.
00055 anders herum, von oben nach unten den zufolge beheizter
00056 Behälterseitenwände isotherm zum Trägergas gehaltenen
00057 Ausgangsstoff durchspült. Da das in den Behälter ein-
00058 strömende Trägergas dieselbe Temperatur besitzt wie der
00059 durch Wärmeübertragung von den Behälterwanden aufgeheiz-
00060 te Ausgangsstoff findet eine Abkühlung nicht mehr
00061 statt. Die Kondensationswärme, die dem insbesondere
00062 pulver- oder granulatförmigen Ausgangsstoff bei der
00063 Verdampfung entzogen wird, wird über die Seitenwände
00064 wieder zugeführt. Zur Unterstützung der Wärmezufuhr
00065 können auch Heizstäbe in den Ausgangsstoff ragen. Die
00066 • Prσzessparameter sind vorzugsweise so eingestellt, dass
00067 das Trägergas bereits wenige Millimeter nach In-Kon-
00068 takt-Treten mit- dem Ausgangsstoff gesättigt ist. Vor-
00069 zugsweise findet die Sättigung im unteren Drittel bzw. 00070 unterem Fünftel der Aufnahmekammer statt. In einer
00071 Variante des Verfahrens kann der Behälter von oben
00072 nachgefüllt werden. Bevorzugt wird das Trägergas von
00073 derselben Heizung vorgeheizt, die auch den Behalter
00074 heizt. Als Behälterwand kommt insbesondere Metall vor-
00075 zugsweise Aluminium in Betracht. 00076
00077 Die Erfindung betrifft ferner eine Weiterbildung der
00078 gattungsgemäßen Vorrichtung dadurch, dass der Behälter
00079 einen bodenseitigen Gaseinlass und einen deckelseitigen
00080 Gasauslass und zwischen Gaseinlass und Gasauslass eine
00081 mit dem Ausgangsstoff auffüllbare Aufnahmekammer be-
00082 sitzt, und den Behälterwänden sowie der in den Gasein-
00083 lass mündenden TrägergasZuleitung eine Heizung zugeord-
00084 net ist zum isothermen Aufheizen des Trägergases und
00085 des Ausgangsstoffes. Alternativ dazu kann vorgesehen
00086 sein, dass der Behälter einen boenseitigen Gasauslass
00087 und einen deckelseitigen Gaseinlass besitzt, so dass er
00088 von oben nach unten durchströmt wird. Die Aufnahmekam-
00089 mer kann auch als Einsatz ausgebildet sein. Dieser
00090 Einsatz kann dann ausgewechselt werden. Der Einsatz
00091 wird in den Behälter eingesetzt. Er enthält das organi-
00092 sehe Material. Ist das Material verbraucht oder teilver-
00093 braucht, so kann der Einsatz entnommen werden und gegen
00094 einen vollen ausgetauscht werden. Der Behälter ist
00095 ringsumschlossen und besitzt außer der Einlass- bzw.
00096 Auslassöffnung vorzugsweise nur eine Nachfüllδffnung.
00097 In einer bevorzugten Ausgestaltung des Behälters liegt
00098 über dem Gaseinlass eine gasdurchlässige Zwischenwand,
00099 die aus porösem Material bestehen kann. Die Zwischen-
00100 wand kann als Fritte ausgebildet sein. Auf dieser Zwi-
00101 schenwand liegt der insbesondere pulverförmige oder
00102 granulierte Ausgangsstoff als Schüttung. Das Trägergas
00103 wird von einer vorgeschalteten Heizung auf die Quellen-
00104 temperatur gebracht. Dieses Trägergas tritt dann durch 00105 die poröse Zwischenwand gleichmäßig hindurch und durch00106 spült die auf der Zwischenwand liegende Schüttung. Es 00107 ist auch möglich flüssige Ausgangsstoffe zu verwenden. 00108 Dann wird die Flüssigkeit von dem Trägergas durchspült, 00109 ähnlich wie es bei einer Waschflasche der Fall ist. Die 00110 Zwischenwand kann eben sein, sie kann aber auch kuppel- 00111 oder konusformig ausgebildet sein. In einer bevorzugten 00112 Ausgestaltung wird das Trägergas und der Behälter von 00113 derselben Heizung beheizt. Dies ist' nicht nur bautech00114 nisch vorteilhaft. Es bietet auch eine hohe Gewähr 00115 dafür, dass das in den Behälter einströmende Trägergas 00116 bereits dort eine Temperatur besitzt, die der Tempera00117 tur des Ausgangsstoffes entspricht. In einer Weiterbil00118 dung der Vorrichtung ragen in den Äusgangsstoff Heizstä00119 be ein, die separat beheizt werden können, oder wärme00120 leitend mit der Behälterwandung verbunden sind, um dem 00121 Äusgangsstoff Wärme zuzuführen. Die Aufnahmekammer kann 00122 von oben nachfüllbar sein. Oberhalb der Aufnahmekammer 00123 kann eine Vorratskammer vorgesehen sein. In dieser 00124 Vorratskammer kann sich ein Vorrat des Ausgangsstoffes 00125 befinden. Dieser kann über einen verschließbaren Kanal 00126 der Aufnahmekammer zugeführt werden, um diese nachzufül00127 len. Die Vorratskammer braucht nicht beheizt zu sein. 00128 Sie kann sogar außerhalb des Reaktors angeordnet sein 00129 und nur mit einer Nachfüllverbindung mit dem Reaktor 00130 bzw. mit dem Behälter verbunden sein. 00131 00132 Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend 00133 anhand beigefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen: 00134 00135 Fig. 1 in grob schematisierter Form das Verfahren 00136 bzw. die Vorrichtung zur Ausübung des Verfah00137 rens, wie es Stand der Technik ist, 00138 00139 Fig. 2 ebenfalls nur schematisch ein erstes Ausfüh00140 rungsbeispiel einer erfindungsgemäß ausgebilde00141 ten Quelle, 00142 00143 Fig. 3 ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung 00144 in schematisierter Darstellung, 00145 00146 Fig. 4 ein drittes Ausführungbeispiel der Erfindung 00147 in schematisierter Darstellung, 00148 00149 Fig. 5 ein viertes Ausführungsbeispiel der Erfindung 00150 in schematisierter Darstellung und 00151 00152 Fig. 6 den Verlauf der Anreicherung des Trägergases 00153 mit dem gasförmigen Ausgangsstoff als Funk00154 tion des Partialdruckes des gasförmigen Aus00155 gangsstoffes im Trägergas vom Ort oberhalb der 00156 Zwischenwand. 00157 00158 Beim OVPD-Verfahren wird das Trägergas 4 einem von 00159 außen beheizten Reaktor 1 zugeführt. In einer ersten 00160 heißen Zone, der Quellenzone I, wird ein Behälter 2 in 00161 den Reaktor gegeben, welcher eine Schüttung eines Äus00162 gangsstoffes enthält. Der Ausgangsstoff sublimiert bei 00163 der Quellentemperatur. Der gasförmige Äusgangsstoff 5 00164 wird sodann mit dem Trägergas 4 zum Substrat II trans00165 portiert, wo es aus der Gasphase kondensiert, um dort 00166 eine Schicht abzuscheiden. 00167 00168 Die in den Fig. 2 bis 5 schematisch dargestellten Vor00169 richtungen ersetzen den in der Fig. 1 dargestellten 00170 wannenförmigen Behälter 2 des Standes der Technik. 00171 00172 00173 Der Behälter 2 ist erfindungsgemäß geschlossen. Er
00174 besitzt einen Boden 8, insbesondere zylinderförmige
00175 Seitenwände 13 und einen Deckel 9. Der Boden besitzt
00176 einen Gaseinlass 10. Der Deckel besitzt einen Gasaus-
00177 lass 11. Im unteren Bereich des aus Metall, insbesonde-
00178 re Aluminium bestehenden Behälters 2 befindet sich ein
00179 Einströmraum, in welchen das Trägergas 4, welches durch
00180 die Trägergaszuleitung 14 fließt, einströmen kann. Nach
00181 oben wird dieser Raum durch eine poröse Zwischenwand 16
00182 begrenzt. Durch diese Zwischenwand tritt der Gasstrom
00183 hindurch und in den auf der Zwischenwand 16 geschütte-
00184 ten Äusgangsstoff 3. Der Äusgangsstoff 3 wird von unten
00185 nach oben von dem Trägergas 4 durchspült, wobei das
00186 Trägergas sich bereits unmittelbar oberhalb der Zwi-
00187 schenwand 16 mit dem gasförmigen Äusgangsstoff sättigt
00188 und zusammen mit dem gasförmigen Ausgangsstoff 5 aus
00189 dem Gasauslass 11 in den Reaktor austritt. Die ganze
00190 Vorrichtung, wie sie in den Fig. 2 bis 5 dargestellt
00191 ist, kann in den Reaktor integriert werden. Der Reaktor
00192 wird baulich angepasst.
00193 ;
00194 Die Zuleitung 14 wird von einer Heizung 6 beheizt.
00195 Diese heizt das Trägergas 4 auf dieselbe Temperatur,
00196 die der Ausgangsstoff 3 in der oberhalb der Zwischen-
00197 wand 16 angeordneten Aufnahmekammer 12 besitzt. Um den
00198 Ausgangsstoff 3 mit der Wärmemenge zu versorgen, die
00199 beim Verdampfen den Äusgangsstoff 3 entzogen wird,
00200 besitzt der Behälter 2 eine Behälterheizung 7. Im Aus-
00201 führungsbeispiel umgibt die Behälterheizung 7 die äuße-
00202 re Behälterwandung 13, um sie aufzuheizen. Durch Wärme-
00203 leitung wird die der Behälterwandung 13 zugeführte
00204 Wärme dem Äusgangsstoff 3 zugeführt.' Bei dem in den
00205 Fig. 3 und 4 dargestellten Ausfuhrungsbeispiel ist die
00206 Heizung 6 der Trägergaszuleitung 14 dieselbe Heizung,
00207 wie die Behälterheizung 7. Um die Wegstrecke des aufzu- 00208 heizenden Trägergases 4 zu verlängern, kann die Träger-
00209 gaszuleitung 14 wendelgangförmig gestaltet sein. Bei
00210 dem in Fig. 3 dargestellten Ausführungsbeispiel ist die
00211 Zwischenwand 16 kuppeiförmig gestaltet. Außerdem ragen
00212 dort Heizstäbe 15 in die Schüttung des Ausgangsstoffes
00213 3 hinein. Die Heizstäbe 15 sind wärmeleitverbunden mit
00214 der Behälterwandung 13. 00215
00216 Bei dem in Fig. 4 dargestellten Ausführungsbeispiel hat
00217 die Zwischenwand 16 eine konische Gestalt. Die Versor-
00218 gungsleitung für das Trägergas bzw. die Ableitung des-
00219 selben kann durch Öffnungen einer den Behälter und die
00220 Zuleitung 14 umgebenden Heizung 6, 7 erfolgen. 00221
00222 Bei dem in der Fig. 5 dargestellten Ausführungsbeispiel
00223 ist die Aufnahmekammer 12 von oben nachfüllbar. Hierzu
00224 mündet ein Füllkanal 19 in den Behälterdeckel. Dieser
00225 Füllkanal 19 kann mit einem Verschluss 18 verschlossen
00226 werden. Oberhalb des Verschlusses befindet sich eine
00227 Vorratskammer 17, in welcher sich ein Vorrat des Aus-
00228 gangsstoffes 3 befindet. Die Vorratskammer kann sich
00229 außerhalb des Reaktors befinden und größer sein, als
00230 dargestellt . 00231
00232 In der Fig. 6 ist dargestellt, dass der Partialdruck P
00233 des Ausgangsstoffes im Trägergas schon bei einer gering-
00234 fügigen Strecke D oberhalb der Zwischenwand 16 den
00235 Sättigungsdruck erreicht hat, so dass eine Quellenverar-
00236 mung auch dann nicht stattfindet, wenn der Füllstand
00237 der Aufnahmekammer 12 absinkt. 00238
00239 Durch die erfindungsgemäßen Maßnahmen ist sicherge-
00240 stellt, dass die als den Quellenumsatz beeinträchtigten
00241 Parameter wie Quellentemperatur und freie Oberfläche
00242 des Ausgangsmaterials keine nachteiligen Auswirkungen 00243 auf die Reproduzierbarkeit der Wachstumsrate mehr besit00244 zen. 00245 00246 Bei dem in der Fig. 4 dargestellten Ausführungsbeispiel 00247 ist vor dem Gasauslass in dem Reaktor ein Filter 20 in 00248 Form einer Fritte vorgesehen, um zu verhindern, dass 00249 Feststoffteilchen oder Tropfen aus dem Behälter in den 00250 Reaktor transportiert werden. 00251 00252 In einer derzeit nicht bevorzugten Variante der Erfin00253 dung ist ferner vorgesehen, dass das Trägergas mit 00254 erhöhter Temperatur in den Behälter gebracht wird. Die 00255 Wärme, die zur Sublimation des Ausgangsstoffes erforder00256 lich ist, kann dann zumindest teilweise dem Trägergas 00257 entnommen werden, wobei sich das Trägergas dann auf die 00258 Behälterwand-Temperatur abkühlt, so dass wieder isother00259 me Zustände herrschen. 00260 00261 Das Trägergas kann dadurch erwärmt werden, dass die 00262 Zwischenwand 16 beheizt wird. Hierzu kann die Zwischen00263 wand 16 aus Metall gefertigt sein. 00264 00265 In den anhand der Figuren erläuterten Ausführungsbei00266 spielen wird der Behälter durchgängig von unten nach 00267 oben durchströmt . Die Erfindung umfasst aber auch sol00268 che Ausführungsformen, bei denen die Gasströmung anders 00269 herum verläuft, nämlich von oben nach unten. Derartige 00270 Behälter besitzen dann deckelseitig einen Gaseinlass 00271 und bodenseitig einen Gasauslass. 00272 00273 Die Erfindung betrifft ferner auch solche Ausführungs- 00274 formen, bei denen das organische Material in Einsätzen 00275 untergebracht ist, die in den Behälter eingesetzt wer00276 den können. Es muss dann nicht das organische Material 00277 unmittelbar in den Behälter hineingeschüttet werden. Es 00278 kann vorkonfektioniert werden in den Einsätzen. Diese
00279 Einsätze können dann in den Behälter eingesetzt werden.
00280 Dies ermöglicht insbesondere ein rasches Auswechseln
00281 unterschiedlicher organischer Materialien. 00282
00283 Alle offenbarten Merkmale sind (für sich) erfindungswe-
00284 sentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit
00285 auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten
00286 Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) voll-
00287 inhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale
00288 dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung
00289 mit aufzunehmen.

Claims

00290 A n s p r ü c h e 00291
00292 1. Verfahren zum Abscheiden insbesondere organischer
00293 Schichten, bei dem in einem beheizten Reaktor (1) ein
00294 in einer von einem Behälter (2) gebildeten Quelle (I)
00295 bevorrateter, nicht gasförmiger Ausgangsstoff (3) mit-
00296 tels eines Trägergases (4) im gasförmigen Zustand (5)
00297 von der Quelle (I) zu einem Substrat (II) transportiert
00298 wird, wo er auf dem Substrat (II) deponiert, dadurch
00299 gekennzeichnet, dass das vorgeheizte (6) Trägergas (4)
00300 von unten nach oben den zufolge beheizter (7) Behälter-
00301 wänden (13) im Wesentlichen isotherm zum Trägergas
00302 gehaltenen Äusgangsstoff (3) durchspült. 00303
00304 2. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehen-
00305 den Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekenn-
00306 zeichnet, dass dem Äusgangsstoff (3) die Verdampfungs-
00307 wärme über die Behälterwände (13) und/oder über in den
00308 Äusgangsstoff (3) ragende Heizstäbe (15) zugeführt
00309 wird. 00310
00311 3. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehen-
00312 den Anspräche oder insbesondere danach, dadurch gekenn-
00313 zeichnet, dass das Trägergas bereits im unteren Drittel
00314 bevorzugt unteren Fünftel der Aufnahmekammer mit dem
00315 gasförmigen Ausgangsstoff gesättigt ist. 00316
00317 4. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehen-
00318 den Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekenn-
00319 zeichnet, dass der Behälter (2) von oben nachgefüllt
00320 wird. 00321
00322 5. Ver ahren nach einem oder mehreren der vorhergehen-
00323 den Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekenn-
00324 zeichnet, dass das Trägergas mit überhöhter Temperatur 00325 dem Behälter zugeleitet wird, so dass die Sublimations-
00326 wärme zumindest teilweise dem Trägergas entnommen wird. 00327
00328 6. Vorrichtung zur rxirchführung eines Verfahrens insbe-
00329 sondere gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, mit
00330 einer einem beheizten Reaktor zugeordneten Quelle (I)
00331 in Form eines Behälters (2) zur Aufnahme eines nicht
00332 gasförmigen Ausgangsstoffes (3) , dadurch gekennzeich-
00333 net, dass der Behälter (2) einen Einlass (10) und
00334 einen Gasauslass (11) und zwischen Gaseinlass (10) und
00335 Gasauslass (11) eine mit dem Äusgangsstoff auffüllbare
00336 Aufnahmekammer (12) besitzt, und den Behälterwänden
00337 (13) sowie der in den Gaseinlass (10) mündenden Träger-
00338 gaszuleitungen (14) eine Heizung (6, 7) zugeordnet ist,
00339 zum im Wesentliche isothermen Aufheizen des Trägergases
00340 (4) und des Ausgangsstoffes (3) . 00341
00342 7. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche
00343 oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass
00344 der Behälter (2) eine vom Gaseinlass beabstandete,
00345 gasdurchlässige Zwischenwand (16) besitzt, auf welcher
00346 der insbesondere pulverförmige oder granulierte Aus-
00347 gangsstoff liegt. 00348
00349 8. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehen-
00350 den Ansprüche öder insbesondere danach, dadurch gekenn-
00351 zeichnet, dass die Zwischenwand (16) eben, kuppel- oder
00352 konusformig ist. 00353
00354 9. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehen-
00355 den Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekenn-
00356 zeichnet, dass das Trägergas (4) und der Behälter (2)
00357 von derselben Heizimg (6, 7) beheizt werden. 00358
00359 10. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorherge¬
00360 henden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeich¬
00361 net durch in die Aufnahme (12) ragende Heizstäbe (15) .
00362
00363 11. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorherge¬
00364 henden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeich¬
00365 net durch eine oberhalb der Aufnahmekammer (12) angeord¬
00366 nete Vorratskammer (17) , welche mit der Aufnahmekammer
00367 (12) über einen abschottbaren Kanal (19) verbunden ist.
00368
00369 12. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorherge¬
00370 henden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch
00371 gekennzeichnet, dass die Zwischenwand (16) beheizbar
00372 ist und insbesondere aus Metall besteht.
00373
00374 13. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorherge¬
00375 henden Ansprüche oder inbesondere danach, dadurch ge¬
00376 kennzeichnet, dass der Gasauslass (11) einen Filter
00377 insbesondere in Form einer Fritte aufweist.
00378
00379 14. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorherge¬
00380 henden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch
00381 gekennzeichnet, dass der Gaseinlass (10) bodenseitig
00382 (8) und der Gasauslass (11) deckelseitig (9) angeordnet
00383 ist oder der Gaseinlass (10) dem Deckel (9) und der
00384 Gasauslass (11) dem Boden (8) zugeordnet ist.
00385
00386 15. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorherge¬
00387 henden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeich¬
00388 net durch einen mit dem organischen Material auffüllba¬
00389 ren Einsatz, welcher in den Behälter (2) einbringbar
00390 ist und welcher eine gasdurchlässige Einsatzwand be¬
00391 sitzt, welche von dem den Behälter durchströmenden Gas
00392 durchströmbar ist.
00393
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