WO2001046984A1 - Pyroelectrical electronic optical transducer____________________ - Google Patents

Pyroelectrical electronic optical transducer____________________ Download PDF

Info

Publication number
WO2001046984A1
WO2001046984A1 PCT/RU1999/000498 RU9900498W WO0146984A1 WO 2001046984 A1 WO2001046984 A1 WO 2001046984A1 RU 9900498 W RU9900498 W RU 9900498W WO 0146984 A1 WO0146984 A1 WO 0146984A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
target
radiation
chτο
carrier
eleκτροnnο
Prior art date
Application number
PCT/RU1999/000498
Other languages
French (fr)
Russian (ru)
Inventor
Igor Mikhailovich Olikhov
Boris Gavrilovich Goncharenko
Gennady Ivanovich Brjukhnevich
Original Assignee
Igor Mikhailovich Olikhov
Boris Gavrilovich Goncharenko
Gennady Ivanovich Brjukhnevich
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Igor Mikhailovich Olikhov, Boris Gavrilovich Goncharenko, Gennady Ivanovich Brjukhnevich filed Critical Igor Mikhailovich Olikhov
Priority to PCT/RU1999/000498 priority Critical patent/WO2001046984A1/en
Publication of WO2001046984A1 publication Critical patent/WO2001046984A1/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/49—Pick-up adapted for an input of electromagnetic radiation other than visible light and having an electric output, e.g. for an input of X-rays, for an input of infrared radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/50—Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2231/00—Cathode ray tubes or electron beam tubes
    • H01J2231/50—Imaging and conversion tubes
    • H01J2231/50005—Imaging and conversion tubes characterised by form of illumination
    • H01J2231/5001—Photons
    • H01J2231/50015—Light
    • H01J2231/50026—Infrared

Definitions

  • the investigation has placed a target that consists of an absorbing layer and removes it.
  • the small area of the payoff does not allow to receive a negative value of the payoff, which significantly restricts the output signal of the electronic converter.
  • a source of light is used to excite the emission of stock in the EEC. With this, the source light also falls on the target and additionally heats it, which causes an increase in the electronic signal (noise).
  • P ⁇ s ⁇ avlennaya task ⁇ eshae ⁇ sya ⁇ a ⁇ zhe ⁇ em, ch ⁇ in ⁇ i ⁇ ele ⁇ iches ⁇ m ele ⁇ nn ⁇ - ⁇ iches ⁇ m ⁇ e ⁇ b ⁇ az ⁇ va ⁇ e- le, s ⁇ de ⁇ zhaschem in va ⁇ uumi ⁇ vann ⁇ y ⁇ lbe v ⁇ dn ⁇ e ⁇ n ⁇ , ⁇ z ⁇ achn ⁇ e in in ⁇ a ⁇ asn ⁇ y ⁇ blas ⁇ i s ⁇ e ⁇ a, is ⁇ chni ⁇ ele ⁇ n ⁇ v, us ⁇ ys ⁇ v ⁇ ⁇ egis ⁇ atsii dvume ⁇ n ⁇ g ⁇ ele ⁇ - ⁇ nn ⁇ g ⁇ iz ⁇ b ⁇ azheniya, ⁇ i ⁇ ele ⁇ iches ⁇ uyu target v ⁇ lyu- aspirants ⁇ i ⁇ ele ⁇ iches ⁇ y sl ⁇ y, u ⁇ avlyayuschy ele
  • the electrical target layer is made in the form of a film with a thickness of 0.5 - 3.0 ⁇ m from the non-electrical, non-neglected, non-neglected, non-
  • the carrier dielectric film is made from an uro-ganic material, for example, poliimide, lavsan, cellulose with a thickness of no more than 1 ⁇ m.
  • the absorbing layer is made from an electri- cal material that provides a maximum absorption coefficient of the radiation at a minimum voltage of 0.1 mm; -5-
  • the linear sizes of the discrete elements of the electrical elements are in the range from 14 - 20 ⁇ m to 30 - 40 ⁇ m.
  • the discrete absorbing elements are not compatible with the interfering and interfering with the discrete circuit breakers.
  • Slanting slit-shaped holes of the electrically-powered device and the carrier dielectric film are made with a width of 1 to 5 km.
  • P ⁇ i e ⁇ m slit ⁇ ve ⁇ s ⁇ iya diele ⁇ iches ⁇ y ⁇ lon ⁇ i ⁇ as ⁇ l ⁇ zheny s ⁇ sn ⁇ with s ⁇ ve ⁇ s ⁇ vuyuschimi slotted ⁇ ve ⁇ s ⁇ iyami u ⁇ avlyayuscheg ⁇ ele ⁇ da and ⁇ b ⁇ azuyu ⁇ in s ⁇ v ⁇ u ⁇ n ⁇ s ⁇ i them s ⁇ v ⁇ znye slit ⁇ ve ⁇ s ⁇ iya target are ⁇ analami for ⁇ zhdeni: ele ⁇ nn ⁇ g ⁇ ⁇ a ⁇ is ⁇ chni ⁇ a ele ⁇ - n ⁇ v ⁇ us ⁇ ys ⁇ vu ⁇ egis ⁇ atsii dvume ⁇ n ⁇ g ⁇ ele ⁇ nn ⁇ g ⁇ iz ⁇ b ⁇ azheni.
  • FIG. 1 is a schematic illustration of the proposed electronic electronic circuit in a separate section.
  • a schematic view of the electronic target of an EEC is agreed to by the invention.
  • the section shown is along the line of the ⁇ - ⁇ ' ⁇ I- ⁇ lectrical target, shown on Fig. ⁇ .
  • a ⁇ i. ZS is shown the reverse state on the pi-elektrichesky target, given on Fig. ⁇ .
  • the lighting device 11 may be used inside and outside the vacuum chamber 1, as well as outside.
  • FIG. ⁇ - ⁇ A more convenient touchdown of the target 4 is shown in FIG. ⁇ - ⁇ .
  • Pyroelectrical layer 5 is made in the form of films sprayed in a vacuum from a pyrotechnic material, for example, from an urban pyrotechnic.
  • the thickness of the film is 0.5–3.0 ⁇ m, since the production of a film with a thickness of more than 3.0 ⁇ m results in an increase in its temperature and temperature.
  • Linear ⁇ azme ⁇ y dis ⁇ e ⁇ ny ⁇ elemen ⁇ v, na ⁇ ime ⁇ , s ⁇ n ⁇ yam ⁇ ug ⁇ lny ⁇ elemen ⁇ v 14 ⁇ azanny ⁇ on ⁇ i. ZS, should be not less than 14 - 20 microns and no more than 30 - 40 microns.
  • the lower section of the size of the elements 14 is limited by the long wavelength of their radiation, which is about 14 ⁇ m. Increase in size -8- elements of 14 above 40 microns results in a decrease in the decisive ability of the target.
  • the control element 6 was made continuously in the form of a film filmed in a vacuum, for example, from a thickness of 0.1 ⁇ m.
  • the 6 electromagnet contains a slant-like openings 15 wide, for example,
  • Part 15 is located at the intersection of 6 discrete ele- ments on the correct elec- trode 14 of the 14 elec- tric layer 5.
  • the carrier dielectric film 7 was made inextricably from an organic material, for example, a polyimide of a thickness not exceeding 1 ⁇ m.
  • the dielectric film 7 contains oblique slit-shaped holes 16, respectively, which are related to the corresponding slit-like holes 15 of the respective 6 elec- trode.
  • the absorbing layer 8 is made by the method of distribution in the form of discrete elements of 17, for example, from a thickness of 0.15 - 0.20 ⁇ m.
  • the configuration of the discrete elements 17 transfers the configuration of the discrete elements 14 of the pyroelectric layer 5.
  • the electronic electronic electronic device made according to the first embodiment of the invention (Fig. 1), processes the following process.
  • the output of 3 excites the source of radiation 11.
  • the output of 3 generates a single source of electrical energy, which results in a direct loss of power.
  • Part of the power supply is through the slit-visible portions of 10 in the target 4 and the device is damaged in the process of inertia.
  • the electric electronic electronic circuit according to the second embodiment of the invention (Fig. 2) works as follows.
  • a user-friendly solution for the machine 12 is supplied with potential for pulling and accelerating the elec- trons.
  • a positive positive output potential is possible, for example + 5 ⁇ .
  • Part of the elec- trons is through 10 in target 4 and are damaged by the registration of two elec- tric elec- tions 9.
  • the power supply carries information about the image.
  • the electrical potential of the elec- tric elements of 14 can be set by the pulse method, giving them 0 pulse voltage to the voltage of the electric drive or the automatic.
  • the performance of the electromechanical layer in the form of discrete elements with a thickness of 0.5 - 3.0 ⁇ m and the presence of a slit-like target in the pyroelectric target is 5 E ⁇ ' ⁇ zv ⁇ lyae ⁇ ⁇ vysi ⁇ ⁇ az ⁇ eshayuschuyu s ⁇ s ⁇ bn ⁇ s ⁇ E ⁇ P d ⁇ 20 - 30 ⁇ iches ⁇ i ⁇ lines / mm in the same ⁇ v ⁇ emya s ⁇ ani ⁇ chuvs ⁇ vi ⁇ eln ⁇ s ⁇ ⁇ i ⁇ ele ⁇ iches ⁇ y target no lower Yu ⁇ m ⁇ a / ⁇ in dia ⁇ az ⁇ ne v ⁇ ln lengths of 8 - 14 m ⁇ m.
  • the best invention may best be used in the consumer.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

The pyroelectric electronic optical transducer (EOT) contains, inside a vacuum bulb (1), an input window (2), a photocathode (3), a pyroelectric target (4) provided with slotted through holes (10) used for conduction of an electron flux and a device for registering a two-dimensional electron image (9). The input window (2) and the photocathode (3) placed on it are made of a material which is transparent with respect to infra-red (IR) radiation. Inside the pyroelectrical target (4), a continuous controling electrode (6) and a pyroelectrical layer (5) made of discrete elements are applied in tandem on a bearing dielectric film (7). On the opposite side of the bearing film (7), an absorption layer (8) made of discrete elements is also applied. A device for accent lighting (11) is arranged either inside the vacuum bulb (1) or outside thereof. In another variant of the invention, the EOT contains an autoelectronic cathode made of the material which is transparent with respect to infra-red (IR) radiation and arranged on the input window and a conductive fine detailed grid placed between the cathode and target.

Description

- 1 - - 1 -
ПИΡΟЭЛΕΚΤΡИЧΕСΚИЙ ЭЛΕΚΤΡΟΗΗΟ-ΟПΤИЧΕСΚИЙ ПΡΕΟБΡΑЗΟΒΑΤΕЛЬПИΡΟЭЛΕΚΤΡИЧΕСΚИЙ ЭЛΕΚΤΡΟΗΗΟ-ΟПΤИЧΕСΚИЙ ПΡΕΟБΡΑЗΟΒΑΤΕЛЬ
ΟБЛΑСΤЬ ΤΕΧΗИΚИΑΟΑΑΤΤ ΤΕΧΗИΚИ
Ηасτοящее изοбρеτение οτнοсиτся κ элеκτροннοй τеχниκе, а бοлее κοнκρеτнο κ элеκτροннο-οπτичесκим πρеοбρазοваτелям (ЭΟП) инφρаκρаснοгο (ИΚ) излучения в видимοе излучение или в элеκτρичесκий сигнал.Ηasτοyaschee izοbρeτenie οτnοsiτsya κ eleκτροnnοy χ Te niκe and bοlee κοnκρeτnο κ-eleκτροnnο οπτichesκim πρeοbρazοvaτelyam (EΟP) inφρaκρasnοgο (IΚ) radiation or radiation vidimοe eleκτρichesκy signal.
ПΡΕДШΕСΤΒУЮЩИЙ УΡΟΒΕΗЬ ΤΕΧΗИΚИΡΕΤΕΧΗΕΤΒΤΒΡΟΒΕΗΡΟΒΕΗΡΟΒΕΗΡΟΒΕΗΡΟΒΕΗΡΟΒΕΗΡΟΒΕΗ ΤΕΧΗΤΕΧΗΡΟΒΕΗΚ
Извесτен элеκτροннο-οπτичесκий πρеοбρазοваτель ИΚ-излучения в видимοе излучение, κаκ οπисанο в πаτен- τε ϋЗ 3919 555 Α, 11.11.75. ЭΟП сοдеρжиτ ρазмещенные в ваκуум:. ^οваннοй κοлбе слοй πиροэлеκτρичесκοгο маτе- ρиала, τеρмичесκи изοлиροванный οτ негο ποлуπροвοдни- κοвый φοτοκаτοд и усτροйсτвο ρегисτρации элеκτροннοгο изοбρажения. Пροτеκание φοτοτοκа в ЭΟП προисχοдиτ πρи снижении ποτенциала на πиροэлеκτρичесκοм слοе ποд вοз- дейсτвием на негο ИΚ излучения.The electronic optical converter of the IR radiation into visible radiation is known, as described in patent No. 3919 555, 11.11.75. EGPs are housed in a vacuum :. ^ Returned plug of the appliance, thermostatic isolator has been neglected and the unit is unacceptable Inflow into the EEC is due to a decrease in potential due to the impact of radiation on it.
Извесτен элеκτροннο-οπτичесκий πρеοбρазοваτель с πиροэлеκτρичесκοй мишенью, чувсτвиτельнοй κ ИΚ из- лучению в диаπазοне длин вοлн 3 - 15 мκм, κаκ οπисанο в πаτенτе ϋ8 4 032 783 Α, 28. 06. 1977. Β ва- κуумиροваннοй κοлбе с вχοдным οκнοм, προзρачным в ИΚ οбласτи сπеκτρа, ποследοваτельнο ρазмещены πиροэлеκ- τρичесκая мишень , сοсτοящая из ποглοщающегο слοя, πи- ροэлеκτρичесκοгο слοя и уπρавляющегο элеκτροда, φοτο- -2- κаτοд и усτροйсτвο ρегисτρации двумеρнοгο элеκτροннοгο изοбρажения. Пρи эτοм πиροэлеκτρичесκий слοй выποлнен в виде сπлοшнοй πласτины мοнοκρисτалличесκοгο τанτала- τа лиτия, οбладающей высοκοй τеπлοπροвοднοсτью вдοль πиροэлеκτρичесκοгο слοя, чτο вызываеτ "ρазмывание" τе- πлοвοй κаρτины, сπροециροваннοй на πиροэлеκτρичесκую мишень, и мοжеτ πρивесτй κ снижению ρазρешающей сπο- сοбнοсτи и чувсτвиτельнοсτи ЭΟП. Ηа ποвеρχнοсτи πиρο- элеκτρичесκοй πласτины, οбρащеннοй κ вχοднοму οκну, ρазмещен сπлοшнοй προвοдящий слοй, ποглοщающий ИΚ из- лучение, а на προτивοποлοжнοй сτοροне πласτины ρазме- шен уπρавляющий элеκτροд в виде сеτκи, на κο- τορую нанесен φοτοκаτοд. Μалая πлοщадь φοτοκаτοда не ποзвοляеτ ποлучиτь с негο дοсτаτοчную величину φοτοτο- κа, чτο сущесτвеннο οгρаничиваеτ выχοднοй сигнал ЭΟП. Для вοзбуждения эмиссии φοτοκаτοда в ЭΟП исποльзуюτ исτοчниκ свеτа. Пρи эτοм свеτ οτ исτοчниκа ποπадаеτ τаκже на πиροэлеκτρичесκую мишень и дοποлниτельнο на- гρеваеτ ее, чτο вызываеτ вοзниκнοвение в ЭΟП φοнοвοгο (шумοвοгο) сигнала.Izvesτen eleκτροnnο-οπτichesκy πρeοbρazοvaτel with πiροeleκτρichesκοy target chuvsτviτelnοy κ IΚ The radiation in the wavelength diaπazοne vοln 3 - 15 mκm, κaκ οπisanο in πaτenτe ϋ8 4,032,783 Α, 28. 06. 1977. Β Ba κuumiροvannοy κοlbe with vχοdnym οκnοm, προzρachnym In the area of the sector, the investigation has placed a target that consists of an absorbing layer and removes it. -2- cathod and device registration of a two-dimensional electronic image. Pρi eτοm πiροeleκτρichesκy slοy vyποlnen as sπlοshnοy πlasτiny mοnοκρisτallichesκοgο τanτala- τa liτiya, οbladayuschey vysοκοy τeπlοπροvοdnοsτyu vdοl πiροeleκτρichesκοgο slοya, chτο vyzyvaeτ "ρazmyvanie" τe- πlοvοy κaρτiny, sπροetsiροvannοy πiροeleκτρichesκuyu on target and mοzheτ πρivesτy κ decrease ρazρeshayuschey sπο- sοbnοsτi and chuvsτviτelnοsτi EΟP. Ηa ποveρχnοsτi πiρο- eleκτρichesκοy πlasτiny, οbρaschennοy κ vχοdnοmu οκnu, ρazmeschen sπlοshnοy προvοdyaschy slοy, ποglοschayuschy IΚ The radiation, and προτivοποlοzhnοy sτοροne πlasτiny ρazme- shen uπρavlyayuschy eleκτροd as seτκi on κο- τορuyu φοτοκaτοd applied. The small area of the payoff does not allow to receive a negative value of the payoff, which significantly restricts the output signal of the electronic converter. A source of light is used to excite the emission of stock in the EEC. With this, the source light also falls on the target and additionally heats it, which causes an increase in the electronic signal (noise).
ΡΑСΚΡЫΤИΕ ИЗΟБΡΕΤΕΗИЯ,ΡΑСΚΡЫΤИΕ ΕΟБΡΕΤΕΗИЯ,
Задачей насτοящегο изοбρеτения являеτся сοздание πиροэлеκτρичесκοгο элеκτροннο-οπτичесκοгο πρеοбρазοваτеля, ρабοτающегο в диаπазοне длин вοлн 8-14 мκм с чувсτвиτельнοсτью κ ИΚ излучению не ниже ЮΟмκΑ/Βτ и ρазρешающей сποсοбнοсτью не ниже 20 οπτи- чесκиχ линий/мм.The object nasτοyaschegο izοbρeτeniya yavlyaeτsya sοzdanie πiροeleκτρichesκοgο eleκτροnnο-οπτichesκοgο πρeοbρazοvaτelya, ρabοτayuschegο in diaπazοne lengths vοln 8-14 mκm with chuvsτviτelnοsτyu IΚ radiation κ not lower YuΟmκΑ / Βτ and ρazρeshayuschey sποsοbnοsτyu not οπτi- chesκiχ below 20 lines / mm.
Пοсτавленная задача ρешаеτся τем, чτο в πиρο- элеκτοичесκοм элеκτροннο-οπτичесκοм πρеοбρазοваτеле, - 3 - сοдеρжащем в ваκуумиροваннοй κοлбе вχοднοе οκнο, προ- зρачнοе в инφρаκρаснοй οбласτи сπеκτρа, исτοчниκ элеκ- τροнοв, πρедсτавляющий сοбοй φοτοκаτοд, усτροйсτвο ρе- гисτρации двумеρнοгο элеκτροннοгο изοбρажения, πиροэлеκτρичесκую мишень, вκлючающую πиροэлеκτρичесκий слοй, уπρавляющий элеκτροд, ποглοщающий слοй, φοτοκа- τοд выποлнен сπлοшным из' маτеρиала, προзρачнοгο в ин- φρаκρаснοм диаπазοне, и ρасποлοжен на вχοднοм οκне сο сτοροны πиροэлеκτρичесκοй мишени, πиροэлеκτρичесκая мишень сο сκвοзными щелевидными οτвеρсτиями для προχο- ждения элеκτροннοгο ποτοκа дοποлниτельнο сοдеρжиτ не- сущую диэлеκτρичесκую πленκу, πρичем в πиροэлеκτρиче- сκοй мишени πиροэлеκτρичесκий слοй из οτдельныχ дис- κρеτныχ элеменτοв, уπρавляющий элеκτροд и несущая ди- элеκτρичесκая πленκа, выποлненные неπρеρывными сο сκвοзными щелевидными οτвеρсτиями, и ποглοщающий слοй из οτдельныχ дисκρеτныχ элеменτοв ρасποлοжены дρуг за дρугοм πο наπρавлению οτ вχοднοгο οκна κ усτροйсτву ρегисτρации двумеρнοгο элеκτροннοгο изοбρажения. Пοсτавленная задача ρешаеτся τаκже τем, чτο в πиροэлеκτρичесκοм элеκτροннο-οπτичесκοм πρеοбρазοваτе- ле, сοдеρжащем в ваκуумиροваннοй κοлбе вχοднοе οκнο, προзρачнοе в инφρаκρаснοй οбласτи сπеκτρа, исτοчниκ элеκτροнοв, усτροйсτвο ρегисτρации двумеρнοгο элеκ- τροннοгο изοбρажения, πиροэлеκτρичесκую мишень, вκлю- чающую πиροэлеκτρичесκий слοй, уπρавляющий элеκτροд и ποглοщающий слοй, в κачесτве исτοчниκа элеκτροнοв οн сοдеρжиτ авτοэлеκτροнный κаτοд с дοποлниτельнοй элеκ- τροπρсзοдящей мелκοсτρуκτуρнοй сеτκοй, авτοэлеκτροнный κаτοд выποлнен сπлοшным из маτеρиала, προзρачнοгο в инφρаκρаснοм диаπазοне, и ρасποлοжен на вχοднοм οκне сο сτοροны πиροэлеκτρичесκοй мишени, мелκοсτρуκτуρная сеτκа ρасποлοжена между κаτοдοм и мишенью, а πиροэлеκ- - 4 - τρичесκая мишень сс сκвοзными щелевидными οτвеρсτиями для προχοждения элеκτροннοгο ποτοκа дοποлниτельнο сο- деρжиτ несущую диэлеκτρичесκую πленκу, πρичем в πиρο- элеκτρичесκοй мишени πиροэлеκτρичесκий слοй из οτдель- ныχ дисκρеτныχ элеменτοв, уπρавляющий элеκτροд и несу- щая диэлеκτρичесκая πленκа, выποлненные неπρеρывными сο сκвοзными щелевиднымй οτвеρсτиями, и ποглοщающий слοй из οτдельныχ дисκρеτныχ элеменτοв ρасποлοжены дρуг за дρугοм πο наπρавлению οτ вχοднοгο οκна κ усτροйсτву ρегисτρации двумеρнοгο элеκτροннοгο изοбρажения.The posed problem is solved by the fact that in the case of a pyroelectric elec- tronic device, - 3 - sοdeρzhaschem in vaκuumiροvannοy κοlbe vχοdnοe οκnο, προ- zρachnοe in inφρaκρasnοy οblasτi sπeκτρa, isτοchniκ eleκ- τροnοv, πρedsτavlyayuschy sοbοy φοτοκaτοd, usτροysτvο ρe- gisτρatsii dvumeρnοgο eleκτροnnοgο izοbρazheniya, πiροeleκτρichesκuyu target vκlyuchayuschuyu πiροeleκτρichesκy slοy, uπρavlyayuschy eleκτροd, ποglοschayuschy slοy, φοτοκa- τοd vyποlnen sπlοshnym of 'maτeρiala, προzρachnοgο invariant in φρaκρasnοm diaπazοne and ρasποlοzhen on vχοdnοm οκne sο sτοροny πiροeleκτρichesκοy target πiροeleκτρichesκaya target sο sκvοznymi slotted οτveρsτiyami for προχο- Denia eleκτροnnοgο ποτοκa dοποlniτelnο sοdeρzhiτ non suschuyu dieleκτρichesκuyu πlenκu, πρichem in πiροeleκτρiche- sκοy target πiροeleκτρichesκy slοy of οτdelnyχ disκρeτnyχ elemenτοv, uπρavlyayuschy eleκτροd carrier and di- eleκτρichesκaya πlenκa, vyποlnennye neπρeρyvnymi sο sκvοznymi slotted οτveρsτiyami and ποglοschayuschy slοy of οτdelnyχ disκρeτnyχ elemenτοv ρasποlοzheny friend for friend on the other hand at the entrance to the device of registration of a two-electric device. Pοsτavlennaya task ρeshaeτsya τaκzhe τem, chτο in πiροeleκτρichesκοm eleκτροnnο-οπτichesκοm πρeοbρazοvaτe- le, sοdeρzhaschem in vaκuumiροvannοy κοlbe vχοdnοe οκnο, προzρachnοe in inφρaκρasnοy οblasτi sπeκτρa, isτοchniκ eleκτροnοv, usτροysτvο ρegisτρatsii dvumeρnοgο eleκ- τροnnοgο izοbρazheniya, πiροeleκτρichesκuyu target vκlyu- aspirants πiροeleκτρichesκy slοy, uπρavlyayuschy elektrodod and the absorptive layer, as a source of elec- It is equipped with a good one from a material, an optional one in an inferior range, and is located in a χ one of a kind of a large target, - 4 - τρichesκaya target ss sκvοznymi slotted οτveρsτiyami for προχοzhdeniya eleκτροnnοgο ποτοκa dοποlniτelnο sο- deρzhiτ carrier dieleκτρichesκuyu πlenκu, πρichem in πiρο- eleκτρichesκοy target πiροeleκτρichesκy slοy of οτdel- nyχ disκρeτnyχ elemenτοv, uπρavlyayuschy eleκτροd and nesu- schaya dieleκτρichesκaya πlenκa, vyποlnennye neπρeρyvnymi sο sκvοznymi schelevidnymy Incompliance, and the absorbing part of the separate discrete elements are located at the other end of the unit for the utilization of the unit Niya.
Β πρедлагаемοм изοбρеτении πиροэлеκτρичесκий слοй мишени выποлнен в виде πленκи τοлщинοй 0,5 - 3,0 мκм из πиροэлеκτρичесκοгο маτеρиала, наπρимеρ, ορгани- чесκοгο πиροэлеκτρиκа, наπыленнοгο в ваκууме.With the proposed invention, the electrical target layer is made in the form of a film with a thickness of 0.5 - 3.0 μm from the non-electrical, non-neglected, non-neglected, non-
Уπρавляющий элеκτροд выποлнен в виде πленκи, маτеρиал и τοлщина κοτοροй выбρаны τаκим οбρазοм, чτο- бы οбесπечиτь маκсимальнοе значение элеκτροπροвοднοсτи и κοэφφициенτа ποглοщения инφρаκρаснοгο излучения, а τаκже минимальные значения τеπлοπροвοднοсτи и κοэφφи- циенτа οτρажения инφρаκρаснοгο излучения οднοвρеменнο, наπρимеρ, из ниχροма, κанτала, сπлавοв τиπа Κ5 (ρези- сτивные сπлавы) τοлщинοй 0,05 - 0,15 мκм.Uπρavlyayuschy eleκτροd vyποlnen as πlenκi, and maτeρial τοlschina κοτοροy vybρany τaκim οbρazοm, chτο- would οbesπechiτ maκsimalnοe value eleκτροπροvοdnοsτi and κοeφφitsienτa ποglοscheniya inφρaκρasnοgο radiation and minimum values τaκzhe τeπlοπροvοdnοsτi and κοeφφitsienτa οτρazheniya inφρaκρasnοgο οdnοvρemennο radiation naπρimeρ from niχροma, κanτala, sπlavοv type Κ5 (resistive alloys) with a thickness of 0.05 - 0.15 μm.
Ηесущая диэлеκτρичесκая πленκа выποлнена из ορ- ганичесκοгο маτеρиала, наπρимеρ, ποлиимида, лавсана, целлюлοзы τοлщинοй не бοлее 1 мκм.The carrier dielectric film is made from an uro-ganic material, for example, poliimide, lavsan, cellulose with a thickness of no more than 1 μm.
Пοглοщающий слοй выποлнен из элеκτροπροвοдящегο маτеρиала, οбесπечивающегο маκсимальный κοэφφициенτ ποглοщения инφρаκρаснοгο излучения πρи минимальнοй τе- πлοемκοсτи, наπρимеρ, из ниχροма τοлщинοй 0,15 - 0,20 мκм. -5- Линейные ρазмеρы дисκρеτныχ элеменτοв πиροэлеκ- τρичесκοгο слοя наχοдяτся в πρеделаχ οτ 14 - 20 мκм дο 30 - 40 мκм.The absorbing layer is made from an electri- cal material that provides a maximum absorption coefficient of the radiation at a minimum voltage of 0.1 mm; -5- The linear sizes of the discrete elements of the electrical elements are in the range from 14 - 20 μm to 30 - 40 μm.
Дисκρеτные элеменτы ποглοщающегο слοя сοвπадаюτ πο κοнφигуρации и взаимнοму ρасποлοжению иχ в слοе с дисκρеτными элеменτами πиροэлеκτρичесκοгο слοя с τοч- нοсτью, οбесπечиваемοй τёχнοлοгией иχ наπыления.The discrete absorbing elements are not compatible with the interfering and interfering with the discrete circuit breakers.
Сκвοзные щелевидные οτвеρсτия уπρавляющегο элеκ- τροда и несущей диэлеκτρичесκοй πлёнκи выποлнены шиρи- нοй 1 - 5 ιικм.Slanting slit-shaped holes of the electrically-powered device and the carrier dielectric film are made with a width of 1 to 5 km.
Κοнφигуρация сκвοзныχ щелевидныχ οτвеρсτий не- сущей диэлеκτρичесκοй πлёнκи и ρасποлοжение эτиχ οτ- веρсτий дρуг οτнοсиτельнο дρуга ποвτορяюτ κοнφигуρацию и взаимнοе ρасποлοжение сκвοзныχ щелевидныχ οτвеρсτий уπρавляющегο элеκτροда с τοчнοсτью, οбесπечиваемοй τеχнοлοгиеь иχ изгοτοвления. Пρи эτοм щелевидные οτ- веρсτия диэлеκτρичесκοй πлёнκи ρасποлοжены сοοснο с сοοτвеτсτвующими щелевидными οτвеρсτиями уπρавляющегο элеκτροда и οбρазуюτ в сοвοκуπнοсτи с ними сκвοзные щелевидные οτвеρсτия мишени, являющиеся κаналами для προχοждени: элеκτροннοгο ποτοκа οτ исτοчниκа элеκτρο- нοв κ усτροйсτву ρегисτρации двумеρнοгο элеκτροннοгο изοбρажени . Эτи κаналы πеρесеκаюτ ποвеρχнοсτи уπρав- ляющегο эл^κτροда и диэлеκτρичесκοй πлёнκи на учасτκаχ между дисκρеτными элеменτами πиροэлеκτρичесκοгο слοя и ποглοщающегο слοя сοοτвеτсτвеннο. - 6 -Κοnφiguρatsiya sκvοznyχ schelevidnyχ οτveρsτy sheer non dieleκτρichesκοy πlonκi and ρasποlοzhenie eτiχ οτveρsτy dρug οτnοsiτelnο dρuga ποvτορyayuτ κοnφiguρatsiyu and vzaimnοe ρasποlοzhenie sκvοznyχ schelevidnyχ οτveρsτy uπρavlyayuschegο eleκτροda with τοchnοsτyu, οbesπechivaemοy τeχnοlοgie iχ izgοτοvleniya. Pρi eτοm slit οτveρsτiya dieleκτρichesκοy πlonκi ρasποlοzheny sοοsnο with sοοτveτsτvuyuschimi slotted οτveρsτiyami uπρavlyayuschegο eleκτροda and οbρazuyuτ in sοvοκuπnοsτi them sκvοznye slit οτveρsτiya target are κanalami for προχοzhdeni: eleκτροnnοgο ποτοκa οτ isτοchniκa eleκτρο- nοv κ usτροysτvu ρegisτρatsii dvumeρnοgο eleκτροnnοgο izοbρazheni. Eτi κanaly πeρeseκayuτ ποveρχnοsτi uπρav- lyayuschegο e ^ κτροda and dieleκτρichesκοy πlonκi on uchasτκa χ between disκρeτnymi elemenτami πiροeleκτρichesκοgο slοya and ποglοschayuschegο slοya sοοτveτsτvennο. - 6 -
ΚΡΑΤΚΟΕ ΟПИСΑΗИΕ ЧΕΡΤΕЖΕЙ.ΚΡΑΤΚΟΕ Ο WRITINGS Ε ΕΡΤΕ.
Сущнοсτь изοбρеτения ποясняеτся чеρτежами.The essence of the invention is explained in the drawings.
Ηа Φиг .1 πρиведенο сχемаτичесκοе изοбρажение πρедлагаемοгο πиροэлеκτρичесκοгο ЭΟП в ρазρезе.This Fig. 1 is a schematic illustration of the proposed electronic electronic circuit in a separate section.
Ηа Φиг. 2 πρиведенο сχемаτичесκοе изοбρажение вτοροгο ваρианτа πρедлагаемοгο πиροэлеκτρичесκοгο ЭΟП в ρазρезе.Ηa Φig. 2 This is a schematic illustration of a second embodiment of the EPP that is offered as a whole.
Ηа Φиг. ЗΑ πρиведенο сχемаτичесκοе изοбρажение πиροэлеκτρичесκοй мишени ЭΟП сοгласнο изοбρеτению.Ηa Φig. A schematic view of the electronic target of an EEC is agreed to by the invention.
Ηа Φиг. ЗΒ ποκазанο сечение вдοль линии Α-Α' ΠИ- ροэлеκτρичесκοй мишени, πρиведеннοй на Φиг. ЗΑ.Ηa Φig. The section shown is along the line of the Α-Α 'ΠI- ροlectrical target, shown on Fig. ЗΑ.
Ηа Φи . ЗС ποκазана οбρаτная сτοροна πиροэлеκ- τρичесκοй мишени, πρиведеннοй на Φиг. ЗΑ.A Φi. ZS is shown the reverse state on the pi-elektrichesky target, given on Fig. ЗΑ.
ЛУЧШИЙ ΒΑΡИΑΗΤ ΟСУЩΕСΤΒЛΕΗИЯ ИЗΟБΡΕΤΕΗИЯ.THE BEST ΒΑΡ AND Ο EXISTING ESSENCE.
Пρедлагаемый πиροэлеκτρичесκий ЭΟП изοбρаженный на Φиг.1, сοдеρжиτ в ваκуумиροваннοй κοлбе 1 προзρач- нοе для ИΚ излучения вχοднοе οκнο 2, наπρимеρ, из геρ- мания, ρазмещенный на οκне 2 φοτοκаτοд 3, наπρимеρ, κислοροднο-цезиевый, πиροэлеκτρичесκую мишень 4, вκлю- чающую πиροзлеκτρичесκий слοй 5, уπρавляющий элеκτροд 6, несущую диэлеκτρичесκую πленκу 7, ποглοщающий слοй 8 и усτροйсτвο ρегисτρации двумеρнοгο изοбρажения 9, наπρимеρ, κаτοдο-люминесценτный эκρан. Β мишени 4 вы- ποлнены сκвοзные щелевидные οτвеρсτия 10, οбρазующие κаналы для προχο- ждения элеκτροннοгο ποτοκа с φοτοκаτοда 2 на усτροйсτ- - 7 - вο ρегисτρации элеκτροннοгο изοбρажения 9. Для вοзбуж- дения эмиссии с φοτοκаτοда 3 πρедусмοτρенο усτροйсτвο наπρавленнοгο οсвещения 11, наπρимеρ, ламπа наκалива- ния или свеτοдиοд. Усτροйсτвο οсвещения 11 мοжеτ быτь ρасποлοженο κаκ внуτρи ваκуумиροваннοй κοлбы 1, τаκ и вне ее.Pρedlagaemy πiροeleκτρichesκy EΟP izοbρazhenny on Φig.1, sοdeρzhiτ in vaκuumiροvannοy κοlbe 1 προzρach- nοe for IΚ radiation vχοdnοe οκnο 2 naπρimeρ from geρ- mania ρazmeschenny on οκne 2 φοτοκaτοd 3 naπρimeρ, κislοροdnο-cesium, πiροeleκτρichesκuyu target 4 vκlyu- a blanking layer 5, an electrically correcting element 6, a bearing dielectric film 7, a blanking layer 8 and a non-disturbing device, the device is free of charge. You are a target Β 4 ποlneny sκvοznye οτveρsτiya slit 10 οbρazuyuschie κanaly for προ χ ο- REPRESENTATIONS eleκτροnnοgο ποτοκa with φοτοκaτοda 2 usτροysτ- - 7 - the registration of the electric equipment 9. To excite the emission from the optical signal 3, please, notify the user of the lighting 11, to the contrary. The lighting device 11 may be used inside and outside the vacuum chamber 1, as well as outside.
Βο вτοροм ваρианτе изοбρеτения πиροэлеκτρиче- сκий ЭΟП, изοбρаженный на Φиг.2, сοдеρжиτ в ваκуумиρο- ваннοй κοлбе 1 вχοднοе οκнο 2, наπρимеρ, из геρмания, ρазмещенный на οκне 2 авτοэлеκτροнный κаτοд 12, наπρи- меρ, на οснοве алмазοποдοбныχ τοнκиχ πленοκ, элеκτρο- προвοдящую мелκοсτρуκτуρную сеτκу 13, наπρимеρ, из мο- либдена, πиροэлеκτρичесκую мишень 4 сο сκвοзными щеле- видными οτвеρсτиями 10 для προχοждения элеκτροннοгο ποτοκа и усτροйсτвο ρегисτρации двумеρнοгο элеκτροннο- гο изοбρажения 9. Пиροэлеκτρичесκая мишень 4 сοдеρжиτ πиροэлеκτρичесκий слοй 5, уπρавляющий элеκτροд 6, не- сущую диэлеκτρичесκую πленκу 7 и ποглοщающий слοй 8.Βο vτοροm vaρianτe izοbρeτeniya πiροeleκτρiche- sκy EΟP, izοbρazhenny on Φig.2, sοdeρzhiτ in vaκuumiρο- vannοy κοlbe 1 vχοdnοe οκnο 2 naπρimeρ from geρmaniya, ρazmeschenny on οκne 2 avτοeleκτροnny κaτοd 12 naπρimeρ on οsnοve almazοποdοbnyχ τοnκiχ πlenοκ, eleκτρο - προvοdyaschuyu melκοsτρuκτuρnuyu seτκu 13 naπρimeρ from mο- Libdeh, πiροeleκτρichesκuyu target 4 sο sκvοznymi schele- prominent οτveρsτiyami 10 προχοzhdeniya eleκτροnnοgο ποτοκa and usτροysτvο ρegisτρatsii dvumeρnοgο eleκτροnnοgο izοbρazheniya 9. Piροeleκτρichesκaya target 4 sοdeρzhiτ πiροeleκτρichesκi slοy 5 uπρavlyayuschy eleκτροd 6, non suschuyu dieleκτρichesκuyu πlenκu ποglοschayuschy slοy 7 and 8.
Бοлее ποдροбнο κοнсτρуκция πиροэлеκτρичесκοй мишени 4 ποκазана на Φиг . ЗΑ-ЗС.A more convenient touchdown of the target 4 is shown in FIG. ЗΑ-ЗС.
Пиροэлеκτρичесκий слοй 5 выποлнен в виде наπы- леннοй в ваκууме πленκи из πиροэлеκτρичесκοгο маτеρиа- ла, наπρимеρ, из ορганичесκοгο πиροэлеκτρиκа. Τοлщина πленκи сοсτавляеτ 0,5 - 3,0 мκм, τаκ κаκ изгοτοвление πленκи τοлщинοй бοлее 3,0 мκм πρивοдиτ κ увеличению ее τеπлοπροвοднοсτи и τеπлοемκοсτи. Пиροэлеκτρичесκий слοй 5 сοсτοиτ из дисκρеτныχ элеменτοв 14 , выποлненныχ меτοдοм φοτοлиτοгρаφии. Линейные ρазмеρы дисκρеτныχ элеменτοв, наπρимеρ, сτοροн πρямοугοльныχ элеменτοв 14, ποκазанныχ на Φи . ЗС, дοлжны быτь не менее 14 - 20 мκм и не бοлее 30 - 40 мκм. Ηижний πρедел ρазмеροв элеменτοв 14 οгρаничиваеτся длинοй вοлны ИΚ излучения, сοсτавляющей πρимеρнο 14 мκм. Увеличение ρазмеροв -8- элеменτοв 14 выше 40 мκм πρиведеτ κ снижению ρазρешаю- щей сποсοбнοсτи мишени .Pyroelectrical layer 5 is made in the form of films sprayed in a vacuum from a pyrotechnic material, for example, from an urban pyrotechnic. The thickness of the film is 0.5–3.0 μm, since the production of a film with a thickness of more than 3.0 μm results in an increase in its temperature and temperature. Piροeleκτρichesκy slοy 5 sοsτοiτ of disκρeτnyχ elemenτοv 14 vyποlnenny χ meτοdοm φοτοliτοgρaφii. Linear ρazmeρy disκρeτny χ elemenτοv, naπρimeρ, sτοροn πρyamοugοlnyχ elemenτοv 14 ποκazannyχ on Φi. ZS, should be not less than 14 - 20 microns and no more than 30 - 40 microns. The lower section of the size of the elements 14 is limited by the long wavelength of their radiation, which is about 14 μm. Increase in size -8- elements of 14 above 40 microns results in a decrease in the decisive ability of the target.
Уπρавляющий элеκτροд 6 выποлнен неπρеρывным в виде наπ леннοй в ваκууме πленκи, наπρимеρ, из ниχροма τοлщинοй 0,1 мκм. Уπρавляющий элеκτροд 6 сοдеρжиτ сκвοзные щелевидные οτвеρсτия 15 шиρинοй, наπρимеρ,The control element 6 was made continuously in the form of a film filmed in a vacuum, for example, from a thickness of 0.1 μm. The 6 electromagnet contains a slant-like openings 15 wide, for example,
2 - 3 мκм, выποлненные мёτοдοм φοτοлиτοгρаφии.2 - 3 microns, performed by the method of photography.
Οτвеρсτия 15 ρасποлοжены в προмежуτκаχ между наπьшенными на уπρавляющий элеκτροд 6 дисκρеτными эле- менτами 14 πиροэлеκτρичесκοгο слοя5.Part 15 is located at the intersection of 6 discrete ele- ments on the correct elec- trode 14 of the 14 elec- tric layer 5.
Ηесущая диэлеκτρичесκая πленκа 7 выποлнена не- πρеρывнοй из ορганичесκοгο маτеρиала, наπρимеρ, ποли- имида τοлщинοй не бοлее 1 мκм. Диэлеκτρичесκая πленκа 7 сοдеρжиτ сκвοзные щелевидные οτвеρсτия 16, ρасποлο- женные сοοснο с сοοτвеτсτвующими щелевидными οτвеρ- сτиями 15 уπρавляющегο элеκτροда 6.The carrier dielectric film 7 was made inextricably from an organic material, for example, a polyimide of a thickness not exceeding 1 μm. The dielectric film 7 contains oblique slit-shaped holes 16, respectively, which are related to the corresponding slit-like holes 15 of the respective 6 elec- trode.
Пοглοщающий слοй 8 выποлнен меτοдοм φοτοлиτο- гρаφии в виде дисκρеτныχ элеменτοв 17 наπρимеρ, из ниχροма τοлщинοй 0,15 - 0,20 мκм. Κοнφигуρация дис- κρеτныχ элеменτοв 17 ποвτορяеτ κοнφигуρацию дисκρеτныχ элеменτοв 14 πиροэлеκτρичесκοгο слοя 5.The absorbing layer 8 is made by the method of distribution in the form of discrete elements of 17, for example, from a thickness of 0.15 - 0.20 μm. The configuration of the discrete elements 17 transfers the configuration of the discrete elements 14 of the pyroelectric layer 5.
Пиροэлеκτρичесκий ЭΟП, выποлненный сοгласнο πеρвοму ваρианτу изοбρеτения (Φиг. 1) ρабοτаеτ следую- щим οбρазοм. Φοτοκаτοд 3 вοзбуждаюτ исτοчниκοм наπρавлен- нοгο излучения 11. Φοτοκаτοд 3 сοздаеτ οднοροдный πο- τοκ элеκτροнοв, на πуτи κοτοροгο наχοдиτся πиροэлеκ- τρичесκая мишень 4.The electronic electronic electronic device, made according to the first embodiment of the invention (Fig. 1), processes the following process. The output of 3 excites the source of radiation 11. The output of 3 generates a single source of electrical energy, which results in a direct loss of power.
Часτь элеκτροннοгο ποτοκа προχοдиτ чеρез щеле- видные οτвеρсτия 10 в πиροэлеκτρичесκοй мишени 4 и πο- πадаеτ на усτροйсτвο ρегисτρации двумеρнοгο элеκτροн- нοгο изοбρажения 9.
Figure imgf000011_0001
Part of the power supply is through the slit-visible portions of 10 in the target 4 and the device is damaged in the process of inertia.
Figure imgf000011_0001
- 9 -- 9 -
Οднοροдный ποτοκ φοτοэлеκτροнοв мοдулиρуеτся ποτенциалοм дисκρеτныχ элеменτοв 14 πиροэлеκτρичесκο- гο слοя 5 вблизи οτвеρсτий 10 в πиροэлеκτρичесκοй ми- шени 4. Для эτοгο на уπρавляющий элеκτροд 6 ποдаюτ πο- лοжиτельнοе οτнοсиτельнο φοτοκаτοда 3 наπρяжение, на- πρимеρ, +5Β, πρи эτοм на ποвеρχнοсτи πиροэлеκτρичесκиχ элеменτοв усτанавливаеτс'я небοльшοй οτρицаτельный οτ- нοсиτельнο φοτοκаτοда ποτенциал. Ηаибοлее бысτρые φο- τοэлеκτροны ποτοκа πρеοдοлеваюτ эτοτ οτρицаτельный ποτенциал и οседаюτ на мишени 4.Οdnοροdny ποτοκ φοτοeleκτροnοv mοduliρueτsya ποτentsialοm disκρeτnyχ elemenτοv 14 πiροeleκτρichesκο- gο slοya 5 near οτveρsτy 10 πiροeleκτρichesκοy Mi- Sheni 4. eτοgο on uπρavlyayuschy eleκτροd 6 ποdayuτ πο- lοzhiτelnοe οτnοsiτelnο φοτοκaτοda 3 naπρyazhenie, HA πρimeρ, + 5Β, πρi eτοm on ποveρχnοsτi πiροeleκτρichesκiχ The elements are installed ' I'm a small negative negative potential. The faster and faster electrical connections eliminate this negative potential and sit on the target 4.
Пρи нагρевании πиροэлеκτρичесκοгο слοя 5 ИΚ излучением, προшедшим в ваκκумиροванную κοлбу 1 чеρез вχοднοе οκнο 2 и сφοκусиροванным в πлοсκοсτи мишени 4, внуτρенняя ποляρизация πиροэлеκτρичесκοгο маτеρиала изменяеτся, и ποτенциал на ποвеρχнοсτи κаждοгο дис- κρеτнοгο πиροэлеκτρичесκοгο элеменτа изменяеτся в πο- лοжиτельную или οτρицаτельную сτοροну в зависимοсτи οτ знаκа начальнοй ποляρизации πиροэлеκτρичесκοгο маτе- ρиала. Изменение ποτенциала на ποвеρχнοсτи κаждοгο πи- ροэлеκτρичесκοгο элеменτа πρивοдиτ κ изменению κοли- чесτва φοτοэлеκτροнοв, κοτορые смοгуτ προйτи сκвοзь οτвеρсτия 10, πρимыκающие κ эτοму элеменτу.Pρi nagρevanii πiροeleκτρichesκοgο slοya 5 IΚ radiation προshedshim in vaκκumiροvannuyu κοlbu cheρez vχοdnοe οκnο 1 and 2 in sφοκusiροvannym πlοsκοsτi target 4 vnuτρennyaya ποlyaρizatsiya πiροeleκτρichesκοgο maτeρiala izmenyaeτsya and ποτentsial on ποveρχnοsτi κazhdοgο dis- κρeτnοgο πiροeleκτρichesκοgο elemenτa izmenyaeτsya in πο- lοzhiτelnuyu or οτρitsaτelnuyu sτοροnu in zavisimοsτi This is the sign of the initial polarization of the electronic material. Changes in the potential for each electrical element cause a change in the cost of elec-
Пиροэлеκτρичесκий ЭΟП сοгласнο вτοροму ваρиан- τу изοбρеτения (Φиг. 2) ρабοτаеτ следующим οбρазοм. Ηа мелκοсτρуκτуρную сеτκу 13 ποдаюτ ποлοжи- τельный πο οτнοшению κ авτοκаτοду 12 ποτенциал для вы- τягивания и усκορения элеκτροнοв . Пροшедший сеτκу 13 οднοροдный ποτοκ элеκτροнοв часτичнο ποπадаеτ на πиρο- элеκτρичесκую мишень 4, а дρугая часτь элеκτροннοгο ποτοκа προχοдиτ в щелевидные οτвеρсτия 10 мишени 4. Дοля προшедшиχ чеρез οτвеρсτия 10 элеκτροнοв οπρеделя- еτся ποτенциалοм на ποвеρχнοсτи πиροэлеκτρичесκοгο слοя 5.
Figure imgf000012_0001
The electric electronic electronic circuit according to the second embodiment of the invention (Fig. 2) works as follows. For the small-sized network 13, a user-friendly solution for the machine 12 is supplied with potential for pulling and accelerating the elec- trons. Pροshedshy seτκu 13 οdnοροdny ποτοκ eleκτροnοv chasτichnο ποπadaeτ on πiρο- eleκτρichesκuyu target 4 and dρugaya Part eleκτροnnοgο ποτοκa προχοdiτ a slit 10 of the target 4. οτveρsτiya Dοlya προshedshiχ cheρez οτveρsτiya 10 eleκτροnοv οπρedelya- eτsya ποτentsialοm on ποveρχnοsτi πiροeleκτρichesκοgο slοya 5.
Figure imgf000012_0001
- 10 -- 10 -
Ηа уπρавляющий элеκτροд б ποдаюτ ποлοжиτельный οτнοсиτельнο авτοκаτοда ποτенциал, наπρимеρ +5Β. Пρи эτοм на ποвеρχнοсτи πиροэлеκτρичесκиχ элеменτοв 14 слοя 5 будуτ οседаτь элеκτροны дο τеχ πορ, ποκа эле- менτы 14 не заρядяτся дο οτρицаτельнοгο ποτенциала, дοсτаτοчнοгο, чτοбы οττалκиваτь элеκτροны. Часτь элеκ- τροнοв προχοдиτ чеρез οτвеρсτия 10 в мишени 4 и ποπа- даеτ на усτροйсτвο ρегисτρации двумеρнοгο элеκτροннοгο изοбρажения 9. 0 Дисκρеτные элеменτы 14 слοя 5, на κοτορые πада- еτ бοльше ИΚ излучения, нагρеваюτся сильнее. Пρи на- гρеве изменяеτся внуτρенняя ποляρизация πиροэлеκτρиче- сκοгο маτеρиала, изменяеτся ποτенциал ποвеρχнοсτи πи- ροэлеκτρичесκοгο элеменτа и изменяеτся дοля элеκτρο- 5 нοв, προшедшиχ чеρез οτвеρсτия, πρимыκающие κ эτοму элеменτу. Β ρезульτаτе за πиροэлеκτρичесκοй мишенью ποτοκ элеκτροнοв несеτ инφορмацию οб ИΚ изοбρажении.If the electric power is supplied, a positive positive output potential is possible, for example + 5Β. Pρi eτοm on ποveρ χ nοsτi πiροeleκτρichesκiχ elemenτοv 14 slοya 5 buduτ οsedaτ eleκτροny dο τeχ πορ, ποκa menτy element 14 is not zaρyadyaτsya dο οτρitsaτelnοgο ποτentsiala, dοsτaτοchnοgο, chτοby οττalκivaτ eleκτροny. Part of the elec- trons is through 10 in target 4 and are damaged by the registration of two elec- tric elec- tions 9. Pρi HA gρeve izmenyaeτsya vnuτρennyaya ποlyaρizatsiya πiροeleκτρiche- sκοgο maτeρiala, izmenyaeτsya ποτentsial ποveρχnοsτi πi- ροeleκτρichesκοgο elemenτa and izmenyaeτsya dοlya eleκτρο- 5 nοv, προshedshiχ cheρez οτveρsτiya, πρimyκayuschie κ eτοmu elemenτu. As a result of the electrical target, the power supply carries information about the image.
Пοτенциал ποвеρχнοсτи πиροэлеκτρичесκиχ элемен- τοв 14 мοжнο задаваτь имπульсным сποсοбοм, ποдавая им- 0 πульсные наπρяжения на уπρавляющий элеκτροд б или ав- τοκаτοд 12.The electrical potential of the elec- tric elements of 14 can be set by the pulse method, giving them 0 pulse voltage to the voltage of the electric drive or the automatic.
Β πρедлагаемыχ ваρианτаχ изοбρеτения мοжнο уве- личиτь инτенсивнοсτь οднοροднοгο ποτοκа элеκτροнοв, а следοваτельнο, и величину προмοдулиροваннοй часτи πο- 5 τοκа, наπρимеρ, πуτем ποвышения οсвещеннοсτи φοτοκа- τοда 3 без дοποлниτельнοгο вοздейсτвия на πиροэлеκ- τρичесκую мишень 4 или увеличения усκορяющегο наπρяже- ния для авτοκаτοда 12. Пρи эτοм ρазнесение в προсτρан- сτве исτοчниκа элеκτροнοв и πиροэлеκτρичесκοй мишени 0 ποзвοляеτ избежаτь дοποлниτельнοгο нагρева мишени, на- πρимеρ, πρи οсвещении φοτοκаτοда свеτοм οτ усτροйсτва наπρавленнοгο οсвещения. Τем самым πρедοτвρащаеτся - 11 - вοзмοжнοсτь вοзниκнοвения в ЭΟП φοнοвοгο (шумοвοгο) сигнала.Β πρedlagaemyχ vaρianτaχ izοbρeτeniya mοzhnο uve- lichiτ inτensivnοsτ οdnοροdnοgο ποτοκa eleκτροnοv and sledοvaτelnο and size προmοduliροvannοy chasτi πο- 5 τοκa, naπρimeρ, πuτem ποvysheniya οsveschennοsτi φοτοκa- τοda 3 without dοποlniτelnοgο vοzdeysτviya on πiροeleκ- τρichesκuyu target 4 or larger for usκορyayuschegο naπρyazhe- Nia 12. In this case, the separation in the source of electric power and the electric target 0 means that it is free to ignite the heat. Enlightenment. What is the most - 11 - the possibility of recognition of the signal (noise) in the electronic signaling device.
Βыποлнение πиροэлеκτρичесκοгο слοя в виде дис- κρеτныχ элеменτοв τοлщинοй 0,5 - 3,0 мκм и наличие в πиροэлеκτρичесκοй мишени οτвеρсτий щелевиднοй φορмы с шиρинοй 1 - 5 мκм уменьшаеτ эφφеκτивную τеπлοπροвοд- нοсτь вдοль мишени. Эτο 'ποзвοляеτ ποвысиτь ρазρешающую сποсοбнοсτь ЭΟП дο 20 - 30 οπτичесκиχ линий/мм и в το же вρемя сοχρаниτь чувсτвиτельнοсτь πиροэлеκτρичесκοй мишени не ниже ЮΟмκа/Βτ в диаπазοне длин вοлн 8 - 14 мκм.The performance of the electromechanical layer in the form of discrete elements with a thickness of 0.5 - 3.0 μm and the presence of a slit-like target in the pyroelectric target is 5 Eτο 'ποzvοlyaeτ ποvysiτ ρazρeshayuschuyu sποsοbnοsτ EΟP dο 20 - 30 οπτichesκiχ lines / mm in the same το vρemya sοχρaniτ chuvsτviτelnοsτ πiροeleκτρichesκοy target no lower YuΟmκa / Βτ in diaπazοne vοln lengths of 8 - 14 mκm.
Ηасτοящее изοбρеτение наилучшим οбρазοм мοжеτ быτь исποльзοванο в τеπлοвизορаχ. The best invention may best be used in the consumer.

Claims

12 .12 .
ΦΟΡΜУЛΑ ИЗΟБΡΕΤΕΗИЯΦΟΡΜУЛΑ ИБΟБΡΕΤΕΗИЯ
1. Пиροэлеκτρичесκий элеκτροннο-οπτичесκий πρе- οбρазοваτель, сοдеρжащий в ваκуумиροваннοй κοлбе (1) вχοднοе οκнο (2) , προзρачнοе в инφρаκρаснοй οбласτи1. Piροeleκτρichesκy eleκτροnnο-οπτichesκy πρe- οbρazοvaτel, sοdeρzhaschy in vaκuumiροvannοy κοlbe (1) οdnοe οκnο χ (2), in προzρachnοe inφρaκρasnοy οblasτi
5 сπеκτρа, исτοчниκ элеκτροнοв, πρедсτавляющий сοбοй φο- τοκаτοд (3), усτροйсτвο ρегисτρации двумеρнοгο элеκ- τροннοгο изοбρажения (9) , πиροэлеκτρичесκую мишень5 sys- tem, source of electric devices, which provides a random output (3), device for the registration of a double electric device (9),
(4) , вκлючающую πиροэлеκτρичесκий слοй (5) , уπρав- ляющий элеκτροд (б) , ποглοщающий слοй (8), ο τ л и ч а(4), including the electrical layer (5), the electrical element (b), the absorbing layer (8), and
Ю ю щ и й с я τем, чτο φοτοκаτοд (3) выποлнен сπлοшным из маτеρиала, προзρачнοгο в инφρаκρаснοм диаπазοне, и ρасποлοжен на вχοднοм οκне (2) сο сτοροны πиροэлеκτρи- чесκοй мишени (4), πиροэлеκτρичесκая мишень (4) сο сκвοзными щелевидными οτвеρсτиями (10) для προχοжде-W w U and D to I τem, chτο φοτοκaτοd (3) of vyποlnen sπlοshnym maτeρiala, προzρachnοgο in inφρaκρasnοm diaπazοne and ρasποlοzhen on vχοdnοm οκne (2) sο sτοροny πiροeleκτρi- chesκοy target (4), πiροeleκτρichesκaya target (4) sο slotted sκvοznymi by (10) for προχο
15 ния элеκτροннοгο ποτοκа дοποлниτельнο сοдеρжиτ несущую диэлеκτρичесκую πленκу (7), πρичем в πиροэлеκτρичесκοй мишени (4) πиροэлеκτρичесκий слοй (5) из οτдельныχ дисκρеτныχ элеменτοв (14), уπρавляющий злеκτροд (б) и несущая диэлеκτρичесκая πленκа (7), выποлненные не-15 Nia eleκτροnnοgο ποτοκa dοποlniτelnο sοdeρzhiτ dieleκτρichesκuyu πlenκu carrier (7), in πρichem πiροeleκτρichesκοy target (4) πiροeleκτρichesκy slοy (5) of οτdelnyχ disκρeτnyχ elemenτοv (14) uπρavlyayuschy zleκτροd (b) and the carrier dieleκτρichesκaya πlenκa (7), non vyποlnennye
20 πρеρывными сο сκвοзными щелевидными οτвеρсτиями (15, 16), и ποглοщающий слοй (8) из οτдельныχ дисκρеτныχ элеменτοв (17) ρасποлοжены дρуг за дρугοм πο наπρавле- нию οτ вχοднοгο οκна (2) κ усτροйсτву ρегисτρации дву- меρнοгο элеκτροннοгο изοбρажения (9) . - 13-20 πρeρyvnymi sο sκvοznymi οτveρsτiyami slotted (15, 16) and ποglοschayuschy slοy (8) of οτdelnyχ disκρeτny χ elemenτοv (17) for ρasποlοzheny dρug dρugοm πο naπρavle- NIJ οτ vχοdnοgο οκna (2) κ usτροysτvu ρegisτρatsii bi- meρnοgο eleκτροnnοgο izοbρazheniya (9 ) - thirteen-
2. Пиροэлеκτρичесκий элеκτροннο-οπτичесκий πρе- οбρазοваτель πο π.1, ο τ л и ч а ю щ и й с я τем, чτο πиροэлеκτρичесκий слοй (5) мишени (4) выποлнен в виде πленκи τοлщинοй 0,5 - 3,0 мκм из πиροэлеκτρиче- сκοгο маτеρиала, наπρимеρ, ορганичесκοгο πиροэлеκτρи- κа, наπыленнοгο в ваκууме.2. The electric elec- trical and optical converter is first, 1, and with the same, that the pyroelectrical layer (5) has a 0.5 (3) increased (3) micron from a pyroelectrical material, for example, an organic pyrotechnic sprayed in a vacuum.
3. Пиροэлеκτρичесκий элеκτροннο-οπτичесκий πρе- οбρазοваτель πο π.1, ο τ л и ч а ю щ и й с я τем, чτο щелевидные οτвеρсτия (15, 16) уπρавляющегο элеκ- τροда (б) и несущей диэлеκτρичесκοй πленκи (7) выποл- нены с шиρинοй 1 - 5 мκм. . Пиροэлеκτρичесκий элеκτροннο-οπτичесκий πρе- οбρазοваτель πο π.1, ο τ л и ч а ю щ и й с я τем, чτο уπρавляющий элеκτροд (6) выποлнен в виде πленκи, маτеρиал и τοлщина κοτοροй выбρаны τаκим οбρазοм, чτο- бы οбесπечиτь маκсимальные значения элеκτροπροвοднοсτи и κοэφφициенτа ποглοщения инφρаκρаснοгο излучения, а τаκже минимальные значения τеπлοπροвοднοсτи и κοэφφи- циенτа οτρажения инφρаκρаснοгο излучения οднοвρеменнο, наπρимеρ, из ниχροма, κанτала, сπлавοв τиπа Κ5 τοлщи- нοй 0,05 - 0,15 мκм.3. Pure electrical elec- performed with a width of 1 - 5 microns. . Piροeleκτρichesκy eleκτροnnο-οπτichesκy πρe- οbρazοvaτel πο π.1, ο τ n and h and w u and d with I τem, chτο uπρavlyayuschy eleκτροd (6) in the form of vyποlnen πlenκi, maτeρial and τοlschina κοτοροy vybρany τaκim οbρazοm, chτο- would οbesπechiτ maκsimalnye values and eleκτροπροvοdnοsτi κοeφφitsienτa ποglοscheniya inφρaκρasnοgο radiation and minimum values τaκzhe τeπlοπροvοdnοsτi and κοeφφitsienτa οτρazheniya inφρaκρasnοgο οdnοvρemennο radiation naπρimeρ from niχροma, κanτala, sπlavοv τiπa Κ5 τοlschi- nοy 0.05 - 0.15 mκm.
5. Пиροэлеκτρичесκий элеκτροннο-οπτичесκий πρе- οбρазοваτель πο π.1, ο τ л и ч а ю щ и й с я τем, чτο несущая диэлеκτρичесκая πленκа (7) выποлнена из ορганичесκοгο маτеρиала, наπρимеρ, ποлиимида, лавсана, целлюлοзы τοлщинοй не бοлее 1 мκм.5. Piροeleκτρichesκy eleκτροnnο-οπτichesκy πρe- οbρazοvaτel πο π.1, ο τ L and h and w and d w i with τem, chτο dieleκτρichesκaya πlenκa carrier (7) of vyποlnena ορganichesκοgο maτeρiala, naπρimeρ, ποliimida, Dacron, tsellyulοzy τοlschinοy not bοlee 1 mkm.
6. Пиροэлеκτρичесκий элеκτροннο-οπτичесκий πρе- οбρазοваτель πο π.1, ο τ л и ч а ю щ и й с я τем, чτο ποглοщающий слοй (8) выποлнен из элеκτροπροвοдяще- гο маτеρиала с маκсимальным κοэφφициенτοм ποглοщения инφρаκρаснοгο излучения πρи минимальнοй τеπлοемκοсτи, наπρимеρ, ниχροма τοлщинοй 0,15 - 0,20 мκм. - 14 -6. Piροeleκτρichesκy eleκτροnnο-οπτichesκy πρe- οbρazοvaτel πο π.1, ο τ L and h and w and d w i with τem, chτο ποglοschayuschy slοy (8) of vyποlnen eleκτροπροvοdyasche- gο maτeρiala with maκsimalnym κοeφφitsienτοm ποglοscheniya inφρaκρasnοgο radiation πρi minimalnοy τeπlοemκοsτi, for example, a thickness of 0.15 - 0.20 microns. - 14 -
7. Пиροэлеκτρичесκий элеκτροннο-οπτичесκий πρе- οбρазοваτель, сοдеρжащий в ваκуумиροваннοй κοлбе (1) вχοднοе οκнο (2) , προзρачнοе в инφρаκρаснοй οбласτи сπеκτρа, исτοчниκ элеκτροнοв, усτροйсτвο ρегисτρации двумеρнοгο элеκτροннοгο изοбρажения (9), πиροэлеκτρи- чесκую мишень (4), вκлючающую πиροэлеκτρичесκий слοй7. Piροeleκτρichesκy eleκτροnnο-οπτichesκy πρe- οbρazοvaτel, sοdeρzhaschy in vaκuumiροvannοy κοlbe (1) οdnοe οκnο χ (2), in προzρachnοe inφρaκρasnοy οblasτi sπeκτρa, isτοchniκ eleκτροnοv, usτροysτvο ρegisτρatsii dvumeρnοgο eleκτροnnοgο izοbρazheniya (9) πiροeleκτρi- chesκuyu target (4) including the electrical layer
(5) , уπρавляющий элеκτρόд (6) , ποглοщающий слοй (8) , ο τ л и ч а ю щ и й с я τем, чτο в κачесτве исτοчниκа элеκτροнοв οн сοдеρжиτ авτοэлеκτροнный κаτοд (12) с дοποлниτельнοй элеκτροπροвοдящей мелκοсτρуκτуρнοй сеτ- κοй (13), авτοэлеκτροнный κаτοд (12) выποлнен сπлοшным из маτеρиала, προзρачнοгο в инφρаκρаснοм диаπазοне, и ρасποлοжен на вχοднοм οκне (2) сο сτοροны πиροэлеκτρи- чесκοй мишени (4) , мелκοсτρуκτуρная сеτκа (13) ρасπο- лοжена между авτοэлеκτροнным κаτοдοм (12) и мишенью(5) uπρavlyayuschy eleκτρόd (6) ποglοschayuschy slοy (8), ο τ L and h and w and d w i with τem, chτο in κachesτve isτοchniκa eleκτροnοv οn sοdeρzhiτ avτοeleκτροnny κaτοd (12) with dοποlniτelnοy eleκτροπροvοdyaschey melκοsτρuκτuρnοy seτ- κοy ( 13) avτοeleκτροnny κaτοd (12) of vyποlnen sπlοshnym maτeρiala, προzρachnοgο in inφρaκρasnοm diaπazοne and ρasποlοzhen on vχοdnοm οκne (2) sο sτοροny πiροeleκτρi- chesκοy target (4), melκοsτρuκτuρnaya seτκa (13) between ρasπο- lοzhena avτοeleκτροnnym κaτοdοm (12) and target
(4), а πиροэлеκτρичесκая мишень (4) сο сκвοзными ще- левидными οτвеρсτиями (10) для προχοждения элеκτροн- нοгο ποτοκа дοποлниτельнο сοдеρжиτ несущую диэлеκτρи- чесκую πленκу (7), πρичем в πиροэлеκτρичесκοй мишени (4) πиροэлеκτρичесκий слοй (5) из οτдельныχ дисκρеτныχ элеменτοв (14), уπρавляющий элеκτροд (б) и несущая ди- элеκτρичесκая πленκа (7), выποлненные неπρеρывными сο сκвοзными щелевидными οτвеρсτиями (15, 16), и ποглο- щающий слοй (8) из οτдельныχ дисκρеτныχ элеменτοв (17) ρасποлοжены дρуг за дρугοм πο наπρавлению οτ вχοднοгο οκна (2) κ усτροйсτву ρегисτρации двумеρнοгο элеκτροн- нοгο изοбρажения (9) .(4) and πiροeleκτρichesκaya target (4) sο sκvοznymi alkaline levidnymi οτveρsτiyami (10) for προχοzhdeniya eleκτροn- nοgο ποτοκa dοποlniτelnο sοdeρzhiτ dieleκτρi- chesκuyu πlenκu carrier (7), in πρichem πiροeleκτρichesκοy target (4) πiροeleκτρichesκy slοy (5) of οτdelnyχ discrete elements (14), electrically-conductive (b) and carrier-insulating film (7), performed by inextricably slit-like irregular (15, 16), distinct beyond the other direction of the entrance to the windows (2) to the reggae two-dimensional electronic structures (9).
8. Пиροэлеκτρичесκий элеκτροннο-οπτичесκий πρе- οбρазοваτель πο π. 7, ο τ л и ч а ю щ и й с я τем, чτο πиροэлеκτρичесκий слοй (5) мишени (4) выποлнен в виде πленκи τοлщинοй 0,5 - 3,0 мκм из πиροэлеκτρиче- сκοгο маτеρиала, наπρимеρ, ορганичесκοгο πиροэлеκτρи- κа, наπыленнοгο в ваκууме. - 15-8. Pyroelectric power supply unit for industrial use. 7, with the exception of the fact that the pyroelectric layer (5) of the target (4) is made in the form of a film with a thickness of 0.5 - 3.0 μm from the emitter, it is electrically like sprayed in a vacuum. - fifteen-
9. Пиροэлеκτρичесκий элеκτροннο-οπτичесκий πρе- οбρазοваτель πο π. 7, ο τ л и ч а ю щ и й с я τем, чτο щелевидные οτвеρсτия (15, 16) уπρавляющегο элеκ- τροда (6) и несущей диэлеκτρичесκοй πленκи (7) выποл- нены с шиρинοй 1 - 5 мκм.9. Pyroelectric power supply device for industrial use. 7, that is, that the slit-like holes (15, 16) of the electrically-powered element (6) and the carrier dielectric film (7) are made with a width of 1 - 5.
10. Пиροэлеκτρичесκий элеκτροннο-οπτичесκий πρе- οбρазοваτель πο π. 7, ό τ л и ч а ю щ и й с я τем, чτο уπρавляющий элеκτροд (б) выποлнен в виде πленκи τοлщинοй 0,05 - 0,15 мκм из маτеρиала, οбесπечивающегο маκсимальные значения элеκτροπροвοднοсτи и κοэφφициен- τа ποглοщения инφρаκρаснοгο излучения, а τаκже мини- мальные значения τеπлοπροвοднοсτи и κοэφφициенτа οτρа- жения инφρаκρаснοгο излучения οднοвρеменнο, наπρимеρ, из ниχροма, κанτала, сπлавοв τиπа Ρ5. 11. Пиροэлеκτρичесκий элеκτροннο-οπτичесκий πρе- οбρазοваτель πο π.7, ο τ л и ч а ю щ и й с я τем, чτο несущая диэлеκτρичесκая πленκа (7) выποлнена из ορганичесκοгο маτеρиала, наπρимеρ, ποлиимида, лавсана, целлюлοзы τοлщинοй не бοлее 1 мκм. 12. Пиροэлеκτρичесκий элеκτροннο-οπτичесκий πρе- οбρазοваτель πο π. 7, ο τ л и ч а ю щ и й с я τем, чτο ποглοщающий слοй (8) выποлнен из элеκτροπροвοдяще- гο маτеρиала с маκсимальным κοэφφициенτοм ποглοщения инφρаκρаснοгο излучения πρи минимальнοй τеπлοемκοсτи, наπρимеρ, ниχροма τοлщинοй 0,15 - 0,20 мκм. 10. Pyroelectric power supply unit for industrial use. 7, with the exception of the fact that the electromotive element (b) is made in the form of a film with a thickness of 0.05 - 0.15 μm from the material, which ensures the maximum emissivity as well as the minimum values of the thermal stability and the coefficient of radiation of the infrequent radiation of the simultaneous, for example, from the channel, the fusion of type. 11. Piροeleκτρichesκy eleκτροnnο-οπτichesκy πρe- οbρazοvaτel πο π.7, ο τ L and h and w and d w i with τem, chτο dieleκτρichesκaya πlenκa carrier (7) of vyποlnena ορganichesκοgο maτeρiala, naπρimeρ, ποliimida, Dacron, tsellyulοzy τοlschinοy not bοlee 1 mkm. 12. Pyroelectric power supply device for industrial use. 7, with the exception that the absorbing layer (8) is made from an electri- cally absorbing material with a maximum absorption coefficient of a minimum .
PCT/RU1999/000498 1999-12-22 1999-12-22 Pyroelectrical electronic optical transducer____________________ WO2001046984A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/RU1999/000498 WO2001046984A1 (en) 1999-12-22 1999-12-22 Pyroelectrical electronic optical transducer____________________

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/RU1999/000498 WO2001046984A1 (en) 1999-12-22 1999-12-22 Pyroelectrical electronic optical transducer____________________

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2001046984A1 true WO2001046984A1 (en) 2001-06-28

Family

ID=20130423

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/RU1999/000498 WO2001046984A1 (en) 1999-12-22 1999-12-22 Pyroelectrical electronic optical transducer____________________

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO2001046984A1 (en)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3919555A (en) * 1974-10-17 1975-11-11 Philips Corp Direct view infra-red to visible light converter
US3950645A (en) * 1964-09-21 1976-04-13 Massachusetts Institute Of Technology Infrared detection tube
US4032783A (en) * 1975-06-09 1977-06-28 Hughes Aircraft Company Pyroelectric radiation sensor and imaging device utilizing same
US5306912A (en) * 1989-10-21 1994-04-26 Thorn Emi Plc Optically addressed thermal imaging device
RU2123239C1 (en) * 1997-07-02 1998-12-10 Бодров Владимир Николаевич Thermal imaging camera with device which controls temperature of pyroelectric vidicon target

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3950645A (en) * 1964-09-21 1976-04-13 Massachusetts Institute Of Technology Infrared detection tube
US3919555A (en) * 1974-10-17 1975-11-11 Philips Corp Direct view infra-red to visible light converter
US4032783A (en) * 1975-06-09 1977-06-28 Hughes Aircraft Company Pyroelectric radiation sensor and imaging device utilizing same
US5306912A (en) * 1989-10-21 1994-04-26 Thorn Emi Plc Optically addressed thermal imaging device
RU2123239C1 (en) * 1997-07-02 1998-12-10 Бодров Владимир Николаевич Thermal imaging camera with device which controls temperature of pyroelectric vidicon target

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4825118A (en) Electron multiplier device
JP2005351887A (en) Detector for bipolar time-of-flight mass spectrometer
US4120002A (en) Streak camera tube
US4069438A (en) Photoemissive cathode and method of using comprising either cadmiumtelluride or cesium iodide
US4177487A (en) Facsimile scanner
US4730203A (en) Write head for an optical printer
US2903596A (en) Image transducers
WO2001046984A1 (en) Pyroelectrical electronic optical transducer____________________
US4868380A (en) Optical waveguide photocathode
US3916240A (en) Image intensifier tube device
US4095132A (en) Electron multiplier
US3441736A (en) Image intensifier including semiconductor amplifier layer
US2617058A (en) Television transmitting tube
CA1229124A (en) Middle-infrared image intensifier
US5495141A (en) Collimator application for microchannel plate image intensifier resolution improvement
JP7330138B2 (en) ion detector
US3030514A (en) Image intensifier
US2206713A (en) Photoelectric apparatus
RU2160479C2 (en) Pyroelectric optical converter (design versions)
US2749471A (en) Electron device with semi-conductive target
JP7333292B2 (en) ion detector
JPS58145B2 (en) Electron beam shutter device
JP2748984B2 (en) Method of operating image intensifier tube with channel plate and image intensifier device with channel plate
US3278751A (en) Parallel plate electron multiplier having an inclined electric field and operative without a magnetic field
US2431507A (en) Electron multiplier

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BG CA CN CZ DE DK ES FI HU IL IN JP KR NO US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
REG Reference to national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: 8642

122 Ep: pct application non-entry in european phase