UA68662A - Device for forming dead and limit zones - Google Patents
Device for forming dead and limit zones Download PDFInfo
- Publication number
- UA68662A UA68662A UA2003098655A UA2003098655A UA68662A UA 68662 A UA68662 A UA 68662A UA 2003098655 A UA2003098655 A UA 2003098655A UA 2003098655 A UA2003098655 A UA 2003098655A UA 68662 A UA68662 A UA 68662A
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- transistors
- reference voltage
- voltage source
- transistor
- collector
- Prior art date
Links
- 238000012876 topography Methods 0.000 claims 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Abstract
Description
Опис винаходуDescription of the invention
Винахід належить до електротехніки та може використовуватись у приладах автоматики і вимірювальної 2 техніки.The invention belongs to electrical engineering and can be used in automation devices and measuring equipment.
Існує відомий пристрій (див. Тетельбаум И.М., Шнейдер Ю.Р. 400 схем для АВМ. - М.: Знергия, 1978. - С. 70. - п. 2-8-7), який містить два операційних підсилювача, два джерела живлення, два стабілітрона, шість діодів, шість резисторів, три вхідні шини і вихідну шину.There is a known device (see Tetelbaum I.M., Schneider Y.R. 400 schemes for AVM. - M.: Znergia, 1978. - P. 70. - p. 2-8-7), which contains two operational amplifiers , two power supplies, two zener diodes, six diodes, six resistors, three input buses and an output bus.
Недолік цього пристрою - низька надійність. 70 Найбільш близьким до передбачуваного винаходу є пристрій (див. А.С. СРСР Мо 444171, кл. ЗО5Е1/561, який містить джерело опорної напруги, перший і другий транзистори, перший і другий резистори, першу і другу вхідні шини, при цьому бази транзисторів з'єднані між собою і підключені до першого виводу джерела опорної напруги, емітери першого і другого транзисторів підключені до другого виводу джерела опорної напруги відповідно через перший і другий резистори, колектори першого і другого транзисторів підключені відповідно до першої і другої вхідним тинам.The disadvantage of this device is low reliability. 70 The device closest to the intended invention is a device (see AS USSR Mo 444171, cl. ZO5E1/561), which contains a reference voltage source, the first and second transistors, the first and second resistors, the first and second input buses, while the bases transistors are interconnected and connected to the first terminal of the reference voltage source, the emitters of the first and second transistors are connected to the second terminal of the reference voltage source, respectively, through the first and second resistors, the collectors of the first and second transistors are connected to the first and second input pins, respectively.
Недолік цього пристрою - неспроможність роботи в режимі формування зони нечутливості та обмеження.The disadvantage of this device is the inability to work in the mode of forming a zone of insensitivity and limitation.
Ознаками прототипу, які збіжні зі суттєвими ознаками винаходу, який заявляється є: джерело опорної напруги, перший і другий транзистори, перший і другий резистори, перша і друга вхідні шини, при цьому бази транзисторів з'єднані між собою і підключені до першого виводу джерела, опорної напруги, емітери першого і другого транзисторів підмочені до другого виводу джерела опорної напруги відповідно через перший і другий резистори.The features of the prototype that coincide with the essential features of the claimed invention are: a reference voltage source, the first and second transistors, the first and second resistors, the first and second input buses, while the bases of the transistors are interconnected and connected to the first terminal of the source, reference voltage, the emitters of the first and second transistors are wetted to the second output of the reference voltage source, respectively, through the first and second resistors.
Причиною, яка перешкоджає одержанню бажаного результату - формуванню зони нечутливості та обмеження - є відсутність доповнюючих елементів, з'єднаних з іншими елементами пристрою певними схемотехнічними рішеннями. 29 В основу винаходу поставлено задачу - вдосконалення пристрою таким чином, щоб за допомогою « впровадження доповнюючих елементів і відповідних схемотехнічних засобів добитися формування зони нечутливості та обмеження.The reason that prevents obtaining the desired result - the formation of a zone of insensitivity and limitation - is the lack of complementary elements connected to other elements of the device by certain circuit solutions. 29 The invention is based on the task of improving the device in such a way that, with the help of "the introduction of additional elements and appropriate circuit-technical means, the formation of the zone of insensitivity and limitation can be achieved."
Поставлене завдання вирішується таким чином, що формувач зони нечутливості та обмеження містить джерело опорної напруги, перший і другий транзистори, перший і другий резистори, перший і другий сч стабілітрони, першу і другу вхідні шини, при цьому бази транзисторів з'єднані між собою і підключені до «о першого виводу джерела опорної напруги, емітери першого і другого транзисторів підключені до другого виводу джерела опорної напруги відповідно через перший і другий резистори, колектор першого транзистора через о перший стабілітрон підключено до першої вхідної шини, а колектор другого транзистора через другий о стабілітрон підключено до другої вхідної шини. 3о Доказом наявності причинно-наслідкового зв'язку між сукупністю суттєвих ознак винаходу й технічним ее, результатом є та обставина, що технічний результат - формування зони нечутливості та обмеження - може бути досягнутим тільки при використовуванні всієї сукупності суттєвих ознак винаходу.The task is solved in such a way that the shaper of the insensitivity and limitation zone contains a reference voltage source, the first and second transistors, the first and second resistors, the first and second oscillating diodes, the first and second input buses, while the bases of the transistors are interconnected and connected to the first output of the reference voltage source, the emitters of the first and second transistors are connected to the second output of the reference voltage source, respectively, through the first and second resistors, the collector of the first transistor through the first zener diode is connected to the first input bus, and the collector of the second transistor is connected through the second zener diode to the second input bus. 3. The proof of the existence of a cause-and-effect relationship between the set of essential features of the invention and its technical effect is the fact that the technical result - the formation of a zone of insensitivity and limitation - can be achieved only when using the entire set of essential features of the invention.
У відсутності в технічному рішенні хоча б однієї ознаки технічний результат не досягається. «In the absence of at least one feature in the technical solution, the technical result is not achieved. "
На кресленні (Фіг.1) зображена схема пристрою. Формувач зони нечутливості та обмеження містить джерело З 540 1 опорної напруги, перший 2 і другий З транзистори, перший 4 і другий 5 резистори, перший 6 і другий 7 с стабілітрони, першу 8 і другу 9 вхідні шини, при цьому бази транзисторів 2, З з'єднані між собою і підключеніThe drawing (Fig. 1) shows the scheme of the device. The generator of the insensitivity zone and limitation contains a source of 540 1 reference voltage, the first 2 and the second Z transistors, the first 4 and the second 5 resistors, the first 6 and the second 7 s zener diodes, the first 8 and the second 9 input buses, while the bases of the transistors 2, Z interconnected and connected
Із» до першого виводу джерела і опорної напруги, емітери першого 2 і другого З транзисторів підключені до другого виводу джерела 1 опорної напруги, відповідно через перший 4 і другий б резистори, колектор першого 2 транзистора через перший 6 стабілітрон підключено до першої 8 вхідної шини, а колектор другого З транзистора через другий 7 стабілітрон підключено до другої 9 вхідної шини. б Формувач зони нечутливості та обмеження працює таким чином.From" to the first terminal of the source and the reference voltage, the emitters of the first 2 and the second Z transistors are connected to the second terminal of the source 1 of the reference voltage, respectively, through the first 4 and second b resistors, the collector of the first 2 transistor is connected to the first 8 input bus through the first 6 zener, and the collector of the second C transistor is connected to the second 9 input bus via the second 7 zener diode. b The insensitivity zone and restriction generator works as follows.
Ге | При відсутності напруги на шинах 8, 9 та ввімкненні джерела і опорної напруги емітерні переходи транзисторів 3, 8 зміщуються в прямому напрямку. Коли позитивна напруга подається до шини 8, є негативна до б шини 9 та падіння напруги на стабілітроні б не перевищує напруги пробою, то струм через колекторні ланцюгиGe | When there is no voltage on the buses 8, 9 and the source and reference voltage are turned on, the emitter junctions of the transistors 3, 8 shift in the forward direction. When a positive voltage is applied to bus 8, there is a negative voltage to b bus 9 and the voltage drop on the zener diode b does not exceed the breakdown voltage, then the current through the collector circuits
Ге»! 20 транзисторів 2, 8 не тече.Gee! 20 transistors 2, 8 do not flow.
Коли падіння напруги на стабілітроні б досягає напруги пробою, то струм тече по ланцюгу: шина 8, із стабілітрон 6, перехід колектор - емітер транзистора 2, резистор 4, джерело 1 опорної напруги, колекторний перехід транзистора 3, стабілітрон 7, шина 9. Так як динамічний опір транзистора 2 великий, то при зростанні напруги на шинах 3, 9 струм, який тече через пристрій буде незмінний. При цьому формується права гілка 29 характеристики (Фіг.2). в. Коли позитивна напруга подається до шини 9, а негативна до шини 8, та падіння напруги на стабілітроні 7 не перевищує напруги пробою, то струм через колекторні ланцюги транзисторів 2, З не тече. Коли падіння напруги на стабілітроні 7 досягає напруги пробою, то струм тече по ланцюгу: шина 9, стабілітрон 7, перехід колектор-емітер транзистора 3, резистор 5, джерело і опорної напруги, колекторний перехід транзистора 2, 60 стабілітрон 6, шина 3. Так як динамічний опір транзистора З великий, то при зростанні напруги на шинах 9, 8 струм, який тече через пристрій, буде незмінний. При цьому формується ліва гілка характеристики (Фіг.2). б5When the voltage drop on the zener diode b reaches the breakdown voltage, the current flows through the circuit: bus 8, from the zener diode 6, collector-emitter transition of transistor 2, resistor 4, reference voltage source 1, collector junction of transistor 3, zener diode 7, bus 9. Yes as the dynamic resistance of transistor 2 is large, when the voltage on buses 3, 9 increases, the current flowing through the device will remain unchanged. At the same time, the right branch 29 of the characteristic is formed (Fig. 2). in. When a positive voltage is supplied to bus 9, and a negative voltage to bus 8, and the voltage drop on the zener diode 7 does not exceed the breakdown voltage, then the current does not flow through the collector circuits of transistors 2, З. When the voltage drop on zener diode 7 reaches the breakdown voltage, current flows through the circuit: bus 9, zener diode 7, collector-emitter junction of transistor 3, resistor 5, source and reference voltage, collector junction of transistor 2, 60 zener diode 6, bus 3. Yes as the dynamic resistance of transistor C is large, when the voltage on buses 9, 8 increases, the current flowing through the device will remain unchanged. At the same time, the left branch of the characteristic is formed (Fig. 2). b5
8 З й Б8 Z and B
Як 1 ? 70 2 З «І |:How 1 ? 70 2 From "I |:
Фіг. 1Fig. 1
УIN
« "У вх с (Се) (Се) с (Се) 20 Фіг. 7 -в с" "In the input with (Se) (Se) with (Se) 20 Fig. 7 - in p
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
UA2003098655A UA68662A (en) | 2003-09-22 | 2003-09-22 | Device for forming dead and limit zones |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
UA2003098655A UA68662A (en) | 2003-09-22 | 2003-09-22 | Device for forming dead and limit zones |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
UA68662A true UA68662A (en) | 2004-08-16 |
Family
ID=34518686
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
UA2003098655A UA68662A (en) | 2003-09-22 | 2003-09-22 | Device for forming dead and limit zones |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
UA (1) | UA68662A (en) |
-
2003
- 2003-09-22 UA UA2003098655A patent/UA68662A/en unknown
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR940017155A (en) | Reference voltage generator | |
KR900001026A (en) | Semiconductor circuits and signal processing systems using them | |
UA68662A (en) | Device for forming dead and limit zones | |
UA7168U (en) | Transistor switch | |
JPS59221A (en) | Bistable multivibrator circuit | |
KR930024160A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
UA65862A (en) | Busbar current transducer | |
SE7700465L (en) | AMPLIFIER DEVICE | |
RU185902U1 (en) | POWER MODULE DRIVER | |
UA7169U (en) | Bipolar switch | |
UA9935U (en) | Ac-to-dc converter | |
KR940001165A (en) | Current source circuit | |
UA57388A (en) | Current stabilizer | |
KR960005617A (en) | High Input Impedance Circuits and Semiconductor Devices | |
UA135553U (en) | ZERO SHIFT CURRENT GENERATOR | |
UA128147U (en) | ZERO SHELTER GENERATOR | |
JPS5850451B2 (en) | Multistage multistable multivibrator | |
SU790333A1 (en) | Integrated logic nand element | |
JPS58220525A (en) | Logical circuit | |
JP2010135981A (en) | Level shift circuit | |
JP6040801B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device and switching regulator | |
UA135998U (en) | AC SOURCE CURRENT SOURCE | |
JP2012145540A (en) | Temperature sensor device | |
JP2016096679A (en) | Gate driving circuit | |
KR970077626A (en) | Semiconductor integrated circuit |