TWM471454U - 可強化雙銀低輻射鍍膜玻璃 - Google Patents
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Description
本創作係關於工程玻璃技術領域,尤其涉及一種可強化雙銀低輻射鍍膜玻璃。
低輻射鍍膜玻璃(Low-E Glass),是在玻璃表面濺鍍多層介質膜和功能膜,以實現對紅外光具有高反射,對可見光具有高透過的節能產品。低輻射鍍膜玻璃是一種既能像浮法玻璃一樣讓室外太陽能、可見光透過,又像紅外線反射鏡一樣(尤其是中遠紅外有很高的反射率),將物體二次輻射熱反射回去的新一代鍍膜玻璃。在任何氣候環境下使用,均能達到控制陽光、節約能源、熱量控制調節及改善環境。同時無論室內外溫差有多少,只要裝上低輻射玻璃,夏天防熱能入室,冬天防熱能洩露,具雙向節能效果,這樣室內花很少的空調費用便可永遠維持冬暖夏涼的境地。
目前市場上所使用的低輻射鍍膜玻璃多是普通雙銀低輻射鍍膜產品,其抗氧化時間不長、耐磨性差,不具有可異地加工特性;另一方面,生產雙銀低輻射鍍膜玻璃之設備造價昂貴,小型玻璃加工企業無法承受,故而限制了雙銀低輻射鍍膜玻璃的使用和推廣。
故針對現有技術之缺陷,創作人憑藉多年的在本領域的設計經驗,積極研究改良,於是有了本創作可強化雙銀低輻射鍍膜玻璃。
針對現有技術上存在的不足,本創作目的是在於提供一種可強化、低輻射的可強化雙銀低輻射鍍膜玻璃,提高了粘附力,加強了機械性能保護,提高耐加工性能。
本創作之第一目的,係提供一種可強化雙銀低輻射鍍膜玻璃,該可強化雙銀低輻射鍍膜玻璃包括:一玻璃基底,以及在該玻璃基底
上依次沉積的第一阻隔層、基層電介質層、第二阻隔層、第一功能Ag層、第三阻隔層、中間電介質組合層、第四阻隔層、第二功能Ag層、第五阻隔層以及頂層電介質層。
本創作之第二目的,係該中間電介質組合層進一步包括依次層疊設置的第一中間電介質層、第二中間電介質層,以及第三中間電介質層。
本創作之第三目的,係該第一阻隔層、第二阻隔層和第四阻隔層均為NiCr。
本創作之第四目的,係該中間電介質層之第一中間電介質層、第三中間電介質層均為Si3
N4
,該第二中間電介質層為ZnSnO3
。
本創作之第五目的,係該基層電介質層為Si3
N4
。
本創作之第六目的,係該第三阻隔層和該第五阻隔層均為AZO。
本創作之第七目的,係該第一功能Ag層和該第二功能Ag層均為含銀膜層。
綜上所述,本創作之膜系性能穩定、耐高溫能力強、鋼前鋼後顏色漂移改善、低輻射率、機械性能高、抗氧化性好、高粘附力的優點。
無
1‧‧‧玻璃基底
2‧‧‧第一阻隔層
3‧‧‧基層電介質層
4‧‧‧第二阻隔層
5‧‧‧第一功能Ag層
6‧‧‧第三阻隔層
7‧‧‧中間電介質組合層
71‧‧‧第一中間電介質層
72‧‧‧第二中間電介質層
73‧‧‧第三中間電介質層
8‧‧‧第四阻隔層
9‧‧‧第二功能Ag層
10‧‧‧第五阻隔層
11‧‧‧頂層電介質層
第1圖為本創作之可強化雙銀低輻射鍍膜玻璃實施例結構示意圖。
為使本創作實現的技術手段、創作特徵、達成目的與功效易於明白瞭解,下面結合具體實施方式,進一步闡述本創作。
請參閱第1圖,第1圖所示為本創作可強化雙銀低輻射鍍膜玻璃的結構示意圖。該可強化低輻射鍍膜玻璃,包括玻璃基底1,該玻璃基底1為浮法玻璃;以及在該玻璃基底1上依次沉積的第一阻隔層2、基層電介質層3、第二阻隔層4、第一功能Ag層5、第三阻隔層6、中間電介質組合層7、第四阻隔層8、第二功能Ag層9、第五阻隔層10,以及頂層電介質層11。該中間電介質組合層7進一步包括依次層疊設置的第一中間電介
質層71、第二中間電介質層72、第三中間電介質層73。
其中,該第一阻隔層2、第二阻隔層4、第四阻隔層8為NiCr。該第一阻隔層2用於阻隔該玻璃基底1中的Na+等在鍍膜工藝過程中向該功能膜層擴散。該第三阻隔層6和該第五阻隔層10為AZO。該第二阻隔層4和該第三阻隔層6分別設置在該第一功能Ag層5上、下側,並用於保護該第一功能Ag層5,防止其在鍍膜工藝過程中氧化。該第四阻隔層8和該第五阻隔層10分別設置在該第二功能Ag層9上、下側,並用於保護該第二功能Ag層9,防止其在鍍膜工藝過程中氧化。該基層電介質層3、第一中間電介質層71、第三中間電介質層73為Si3
N4
。該第一功能Ag層5和該第二功能Ag層9為含銀膜層。該第二中間電介質層72為鋅錫氧化物,即ZnSnO3
。
本實施例通過設置雙層低輻射膜層,具體為第一功能Ag層5和第二功能Ag層9,極大的降低了紅外線的輻射率。通過在該第一功能Ag層5上、下膜面設置第三阻隔層6和第二阻隔層4有效的避免了第一功能Ag層5的氧化;通過在第二功能Ag層9上下設置第五阻隔層10和第四阻隔層8有效地避免了第二功能Ag層9的氧化。
更重要地,在本創作中,該第三阻隔層6和該第五阻隔層10為AZO,較傳統金屬層阻隔層,極大了增加了可見光透過率。該第一阻隔層2、第二阻隔層4、第三阻隔層6、第四阻隔層8,以及第五阻隔層10使膜系能夠加工預處理或者高溫處理如強化、熱彎,其外觀和性能均不會受到影響,避免了膜層的脫落,耐磨、抗氧化性更好,可長期儲存。
另外,在該第二中間電介質層72上、下設置第三中間電介質層73和第一中間電介質層71加強了膜系的機械性能保護,提高了膜系的可加工性。該的第二中間電介質層72在該膜系中有效地進行調色,並減少了膜系鋼前和強化後的顏色漂移。
可選的,該第一功能Ag層5和第二功能Ag層9為摻雜Ag層或Ag單質;作為優先方案,本實施例的第一功能Ag層5和第二功能Ag層9均採用的是摻Ni的Ag層,通過Ni的摻入可提高膜層粘附力,使其在具備低輻射、隔熱、保溫性能特徵,其通過膜層的高粘附力,避免了
膜層的脫膜。
本實施例中,在該膜系頂層設置頂層電介質層11,加強膜系機械性能保護,便於產品運輸與存儲。
本創作的膜層穩定、耐高溫能力強、鋼前鋼後顏色漂移改善、低輻射率、機械性能高、抗氧化性好、高粘附力的優點值得推廣使用。
以上顯示和描述了本創作的基本原理和主要特徵和本創作的優點。本行業的技術人員應該瞭解,本創作不受上述實施例的限制,上述實施例和說明書中描述的只是說明本創作的原理,在不脫離本創作精神和範圍的前提下,本創作還會有各種變化和改進,這些變化和改進都落入要求保護的本創作範圍內。本創作要求保護範圍由所附的權利要求書及其等效物界定。
1‧‧‧玻璃基底
2‧‧‧第一阻隔層
3‧‧‧基層電介質層
4‧‧‧第二阻隔層
5‧‧‧第一功能Ag層
6‧‧‧第三阻隔層
7‧‧‧中間電介質組合層
71‧‧‧第一中間電介質層
72‧‧‧第二中間電介質層
73‧‧‧第三中間電介質層
8‧‧‧第四阻隔層
9‧‧‧第二功能Ag層
10‧‧‧第五阻隔層
11‧‧‧頂層電介質層
Claims (6)
- 一種可強化雙銀低輻射鍍膜玻璃,其特徵在於,該可強化雙銀低輻射鍍膜玻璃包括玻璃基底,以及在該玻璃基底上依次沉積的第一阻隔層、基層電介質層、第二阻隔層、第一功能Ag層、第三阻隔層、中間電介質組合層、第四阻隔層、第二功能Ag層、第五阻隔層以及頂層電介質層。
- 如請求項1所述之可強化雙銀低輻射鍍膜玻璃,其中該第一阻隔層、第二阻隔層和第四阻隔層均為NiCr。
- 如請求項2所述之可強化雙銀低輻射鍍膜玻璃,其中該中間電介質組合層之一第一中間電介質層、一第三中間電介質層均為Si3 N4 ,該中間電介質層之一第二中間電介質層為ZnSnO3 。
- 如請求項2所述之可強化雙銀低輻射鍍膜玻璃,其中該基層電介質層為Si3 N4 。
- 如請求項2所述之可強化雙銀低輻射鍍膜玻璃,其中該第三阻隔層和所述第五阻隔層均為AZO。
- 如請求項2所述之可強化雙銀低輻射鍍膜玻璃,其中該第一功能Ag層和所述第二功能Ag層均為含銀膜層。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW102217909U TWM471454U (zh) | 2013-09-25 | 2013-09-25 | 可強化雙銀低輻射鍍膜玻璃 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW102217909U TWM471454U (zh) | 2013-09-25 | 2013-09-25 | 可強化雙銀低輻射鍍膜玻璃 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWM471454U true TWM471454U (zh) | 2014-02-01 |
Family
ID=50551003
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW102217909U TWM471454U (zh) | 2013-09-25 | 2013-09-25 | 可強化雙銀低輻射鍍膜玻璃 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
TW (1) | TWM471454U (zh) |
-
2013
- 2013-09-25 TW TW102217909U patent/TWM471454U/zh unknown
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