TWI845501B - 發光元件的配光特性的調整方法及發光元件的製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種發光元件的配光特性的調整方法，該發光元件的製造
包含以下步驟：在起始基板上形成發光層及窗層兼支承基板、除去起始基板、在第一半導體層表面形成第一歐姆電極、至少除去第一半導體層及活性層的一部分、在第二半導體層或窗層兼支承基板上形成第二歐姆電極、在窗層兼支承基板的光取出面側形成凹部；在該發光元件的配光特性的調整方法中，預先設定期望的配光特性，基於期望的配光特性，將凹部形狀調整及粗糙化區域調整中一個以上予以進行而將配光特性調整為期望的配光特性。藉此能夠按照期望地調整例如配光角度等的配光特性。
Description
本發明係關於一種發光元件的配光特性的調整方法及發光元件的製造方法。
板上晶片(COB)等的產品，由於來自LED元件的散熱性係為佳，因此為在照明等的用途中而被採用為LED晶片安裝方法。將LED安裝在COB等的場合，則必須為將晶片直接對基板接合的覆晶安裝。為了實現覆晶安裝，必須製作發光元件的一側的表面上設有極性相異的通電用銲墊的覆晶。此外，設置有通電用銲墊的表面的相反側的表面則必須以具有光取出功能的材料來構成。
以黃色~紅色LED製作覆晶的場合，發光層係使用AlGaInP系的材料。由於AlGaInP系材料不存在塊狀結晶，且LED部係以磊晶法形成，故起始基板會選擇與AlGaInP不同的材料。起始基板大多選擇GaAs或Ge，而這些基板具有對可見光的光吸收的特性，故製作覆晶的場合，會除去起始基板。然而，形成發光層的磊晶層為極薄膜，故起始基板除去後便無法自立。因此必須以具有對發光波長呈現略透明而作為發光層的窗層的功能，以及厚度足以使其自立而作為支承基板的功能的材料及構成，與起始基板置換。
作為具有窗層兼支承基板的功能的置換材料，會選擇GaP、GaAsP及藍寶石等。不論選擇上述哪一種材料，皆為與AlGaInP系材料相異的材料，故晶格常數、熱膨脹係數及楊氏係數等機械的特性會與AlGaInP系材料不同。
作為如此的技術，專利文獻1中記載了藉由將GaP結晶成長及直接接合而形成窗層兼支承基板的方法。此外，專利文獻2中揭露了將GaP結晶成長而形成窗層兼支承基板的方法。
雖然如此，使用具有四元活性層及GaP窗層的發光元件進行覆晶安裝之際，必須控制配光特性以提高覆蓋發光元件的透鏡設計的自由度。
例如專利文獻3中記載了於具有四元活性層及GaP窗層的發光元件的光取出側形成梯形形狀的技術。
此外，專利文獻4中記載了於具有四元活性層及GaP窗層的發光元件的光取出面側具有粗糙面的技術。
然而，專利文獻3的技術中，只要不改變窗層的厚度，將難以大幅改變梯形形狀的角度，且亦難以改變平坦部的大小。
此外，雖然專利文獻4的技術中，對於得到橫跨全方位且均一的配光而言係為合適的技術，但是難以任意地改變配光角度。
因此，吾人追求一種在具有GaP窗層的發光元件中能夠任意地調整配光角度等的配光特性的技術。
〔專利文獻1〕日本特開2015-12028號公報
〔專利文獻2〕日本特開2015-5551號公報
〔專利文獻3〕日本特開2012-143175號公報
〔專利文獻4〕日本特開2015-172730號公報
有鑑於上述問題點，本發明的目的在於提供一種發光元件的配光特性的調整方法及發光元件的製造方法，能夠按照期望地調整例如配光角度等的配光特性。
為了達成上述目的，本發明提供一種發光元件的配光特性的調整方法，該發光元件的製造包含：在起始基板上，以與該起始基板為晶格匹配系的材料，藉由依序磊晶成長而使第一半導體層、活性層及第二半導體層成長，而形成發光層的步驟；將窗層兼支承基板及該發光層予以接合或是使該窗層兼支承基板磊晶成長於該發光層上的窗層兼支承基板形成步驟；除去該起始基板的步驟，在該第一半導體層表面形成第一歐姆電極的步驟；將該第一半導體層及該活性層的一部分予以除去而形成除去部的除去步驟；在該除去部的該第二半導體層或在該窗層兼支承基板上形成第二歐姆電極的步驟；在該窗層兼支承基板的光取出面側形成凹部的凹部形成步驟；在該發光元件的製造之中將製造的該發光元件的配光特性予以調整，其中該發光元件的配光特性的調整方法係預先設定該發光元件的期望的配光特性，以及基於經設定的期望的配光特性，將於該凹部形成步驟中形成的該凹部的形狀的調整以及粗糙化該窗層兼支承基板的表面的粗糙化步驟的粗糙化區域的調整之中的一個以上予以進行，藉此將製造的該發光元件的配光特性予以調整為經設定的期望的配光特性。
如此一來，基於預先設定的期望的配光特性，將形成於窗層兼支承基板的光取出面側的凹部的形狀的調整以及上述粗糙化步驟中窗層兼支承基板的粗糙化區域的調整之中的一個以上予以進行，藉此能夠容易地將所製造的發光元件的配光特性(例如配光角度及配光強度等)調整為上述的經設定的期
望的配光特性。配光特性的微調係為可能，能夠得到具有各種配光特性的發光元件。
此時，作為該凹部的形狀的調整，能夠調整該凹部的深度。此外，作為該凹部的形狀的調整，能夠調整該凹部的橫截面形狀。
進一步，作為該粗糙化步驟中的粗糙化區域的調整，能夠將該凹部的內部的底面、該凹部的內部的側面、該窗層兼支承基板的該光取出面及該窗層兼支承基板的側面之中的一個以上的區域予以粗糙化。
如此一來，能夠容易地進行凹部的形狀的調整及粗糙化區域的調整，能夠簡便地調整配光特性。
此外，本發明提供一種發光元件的製造方法，藉由上述本發明之發光元件的配光特性的調整方法，在按照期望地調整該配光特性的同時製造發光元件。
若為如此的製造方法，能夠使用配光特性的調整方法來容易地製造具有經設定的期望的配光特性的發光元件。
如上所述，若依照本發明，能夠容易地將所製造的發光元件的配光特性調整為預先設定的期望的配光特性。接著，容易地製造具有期望的配光特性的發光元件係為可能。
001:AlGaInP系磊晶晶圓
011:晶圓
100:起始基板
101:第一半導體層
102:活性層
103:第二半導體層
104:中間組成層
105:窗層
106:窗層兼支承基板
107:發光層
110:非除去部
111:區域
120:除去部
121:區域
130:段差部
140:介電質部
141:介電質部
142:介電質部
151:第一歐姆電極
161:第二歐姆電極
170:發光元件
206:窗層兼支承基板
306:窗層兼支承基板
406:窗層兼支承基板
01A:第一面(光取出面)
02A:第一面(光取出面)
03A:第一面(光取出面)
04A:第一面(光取出面)
04B:側面
11A:凹部
21A:凹部
21C:底面
31A:凹部
31B:側面
31C:底面
41A:凹部
41B:側面
41C:底面
A01:晶圓
A02:晶圓
A03:晶圓
圖1係表示本發明的發光元件的製造方法的第一實施型態的示意圖。其中(A)為窗層兼支承基板形成步驟後，(B)為除去起始基板的步驟後，(C)為凹部形成步驟後。
圖2係表示本發明的發光元件的製造方法的第二實施型態的示意圖。
圖3係表示本發明的發光元件的製造方法的第三實施型態的示意圖。
圖4係表示本發明的發光元件的製造方法的第四實施型態的示意圖。
圖5係表示凹部的橫截面形狀的範例的示意圖。其中(A)為矩形，(B)為矩形且角部具有R(倒角)的狀態，(C)為圓形，(D)為菱形，(E)為多邊形，(F)為將矩形配置於四個角落的狀態，(G)為矩形的溝狀，(H)為配置許多矩形的狀態，(I)為多重地配置矩形的溝的狀態。
圖6係表示實施例1(二種圖案)及比較例的發光元件的配光特性的圖。
圖7係表示實施例1至4及比較例的發光元件的配光特性的圖的一範例。
以下針對本發明，參考圖式並更詳細地說明實施型態，然而本發明並不限於此。
(第一實施型態)
圖1係表示包含本發明的發光元件的配光特性的調整方法之發光元件的製造方法的第一實施型態。
如圖1的(A)所示，製造AlGaInP系磊晶晶圓001的場合，準備例如朝[001]方向傾斜15度的GaAs等的起始基板100。
其次，於起始基板100上，以與起始基板100為晶格匹配系的材料藉由磊晶成長而依序成長出至少第一半導體層101、活性層102及第二半導體層103而形成發光層107。
具體而言，於起始基板100上，以有機金屬氣相成長(MOVPE)法，將由(AlxGa1-x)yIn1-yP(0≦x≦1，0.4≦y≦0.6)所成的N包覆層(第一半導體層101)、由(AlxGa1-x)yIn1-yP(0≦x≦1，0.4≦y≦0.6)所成的活性層102及由(AlxGa1-x)yIn1-yP(0≦x≦1，0.4≦y≦0.6)所成的P包覆層(第二半導體
層103)予以形成。其次，能夠將由GayIn1-yP(0.0≦y≦1.0)所成的中間組成層104及具有例如0.5μm以上的厚度的由GaP所成的窗層105予以依序積層。
這些的製作方法並不限定於MOVPE法，以分子束磊晶(MBE)法或化學束磊晶(CBE)法製作亦可。
其次，將接在由GaP所成的窗層105的具有例如100μm的厚度的GaAszP1-z(0.0≦z≦0.1)的窗層兼支承基板106予以形成。窗層兼支承基板106能夠藉由接合形成，或是藉由MOVPE法、MBE法或HVPE法形成。
如圖1的(B)所示，窗層兼支承基板106形成後，形成例如藉由化學性蝕刻將AlGaInP系磊晶晶圓001的GaAs起始基板100予以除去的晶圓011。化學性蝕刻液係與AlGaInP系材料具有蝕刻選擇性者為佳，一般以含氨蝕刻劑除去。
除去GaAs起始基板100後，如圖1的(C)所示，於晶圓011的下部包覆層(第一半導體層101)上形成第一歐姆電極151，形成經切掉至少第一半導體層101及活性層102的一部分的區域(除去部120)，於該除去部120的第二半導體層103或窗層兼支承基板106上的一部分，形成第二歐姆電極161。
示於圖1的(C)的範例中，除去第一半導體層101~窗層105的一部分，於窗層兼支承基板106上，形成第二歐姆電極161。
非除去部110(除去部120以外的區域)之中，能夠於不具有第一歐姆電極151的區域111的至少一部分設置介電質部140。
能夠於位在非除去部110及除去部120之間的段差部130的至少一部分設置介電質部141。
接著，除去部120之中，能夠於第二歐姆電極161以外的區域121的至少一部分設置介電質部142，得到晶圓A01。
本實施型態中，雖然舉例表示了具有介電質部140、介電質部141及介電質部142全部的場合，但沒有必要全部具有，即使僅具有一部分亦能得到同樣的效果。
此外，本實施型態中，雖然舉例表示了於第一半導體層101的區域111，只有介電質部140的構造，但亦可於介電質部140及第一半導體層101的區域111之間設置光反射膜或光反射部，或者亦可於與介電質部140的第一半導體層101的區域111不相接的面的一側，設置光反射膜或光反射部。
此外，本實施型態中，雖然舉例表示了於區域111具有平坦的面的場合，但亦可為具有凹凸的面。關於具有凹凸的面，可為藉由濕蝕刻的單純粗糙面、具有刻面(Facet)的刻面粗糙面、具有數十μm~數百nm的間隔的藉由光刻的經圖案化的圖案化粗糙面及具有數nm~數百nm的間隔的塹壕形狀的光子粗糙面。
此外，本實施型態中，雖然段差部130係以沒有凹凸的平坦的面來舉例表示，但即使是具有凹凸的面亦可。
此外，本實施型態中，雖然除去部120係以沒有凹凸的平坦的面來舉例表示，但即使是具有凹凸的面亦可。
作為下一個步驟，雖然於窗層兼支承基板106的光取出面側形成凹部(凹部形成步驟)，但在此預先設定好要製造的發光元件的期望的配光特性。設定的時機點並無特別限制，只要是在凹部的形成或是在後敘的第二實施型態等中說明的粗糙化步驟之前即可。例如亦可為起始基板100的準備前。
另外，雖然是基於經設定的期望的配光特性，進行凹部形成步驟中的凹部的形狀的調整，但關於該調整情形及藉該調整而得到的配光特性的關係，例如可另外於事前進行實驗而先調查好。這麼做的話，能夠更確實地按照期望地調整配光特性，能夠得到配光特性係如預期的發光元件。
接著，凹部形成步驟中，基於經設定的期望的配光特性，於晶圓A01的具有窗層兼支承基板106的第一面(光取出面)01A上，藉由光刻法形成光阻圖案，於自01A側朝向上部包覆層(第二半導體層103)藉由蝕刻形成凹部11A。蝕刻則不論選擇濕蝕刻法或乾蝕刻法的哪一種都能夠形成。濕蝕刻法的場合能夠使用鹽酸系蝕刻液，乾蝕刻法的場合能夠使用氯系氣體而進行蝕刻。
凹部的投影視角形狀(即橫截面形狀)係能夠選擇包含矩形的多邊形、圓形及其他任意的形狀和大小。例如可為示於圖5的形狀。圖5的(A)係凹部在投影視角為矩形的場合。圖5的(B)係凹部在投影視角為為矩形且角部具有R(倒角)的場合。圖5的(C)係凹部在投影視角為圓形的場合。圖5的(D)係凹部在投影視角為菱形的場合。圖5的(E)係凹部在投影視角為多邊形的場合。圖5的(F)係凹部在投影視角為將矩形配置於四個角落的場合。圖5的(G)係凹部在投影視角為矩形的溝狀的場合。圖5的(H)係凹部在投影視角為配置許多矩形的場合。圖5的(I)係凹部在投影視角為多重地配置矩形的溝的場合。
此外，凹部的深度並無特別限制，例如在1μm以上且到達發光層為止的範圍內，能夠調整為任意的深度。為了得到更進一步良好的配光特性的調整及變更，設置5μm以上的深度為佳。自晶粒形成時的良率低下的觀點來看，不超過窗層兼支承基板的一半左右的厚度以上的深度為佳。
藉由這些個凹部的橫截面形狀及深度的調整，能夠容易地進行配光特性的調整。
雖然凹部的截面形狀係因應期望的配光特性而能夠取任何形狀，但選擇濕蝕刻法之際則為具有刻面的構造，選擇乾蝕刻的場合則為具有一部分為平緩的曲線或是橫跨全面的平緩的面。
凹部11A形成後，藉由刻劃/劈裂法或刀片切割法，自晶圓狀予以單片化為晶粒狀而為晶片(發光元件170)。
若為如此的本發明的配光特性的調整方法及使用該調整方法的發光元件的製造方法，能夠確實得到以配光特性成為預先設定的期望的配光特性的方式調整過的發光元件。
那麼，上述第一實施型態中，已針對藉由凹部的形狀的調整，將所製造的發光元件的配光特性調整為預先設定的期望的配光特性的同時並製造的方法予以說明。以下將除了凹部的形狀的調整，亦進行粗糙化窗層兼支承基板的表面的粗糙化步驟中的粗糙化區域的調整，而能夠得到如設定的期望的配光特性的調整方法及製造方法作為第二實施型態~第四實施型態來說明。
進一步，本發明不限於此，只要形成凹部，沒有特別進行該形狀的調整，僅藉由粗糙化區域的調整，也能夠進行配光特性的調整。
另外，針對粗糙化步驟中的粗糙化區域並無特別限制，例如可為凹部的內部的底面、凹部的內部的側面、窗層兼支承基板的光取出面及窗層兼支承基板的側面之中的一個以上的區域。即使如此，亦能夠容易地進行配光特性的調整，能夠簡便地得到預先設定的期望的配光特性。
(第二實施型態)
圖2係表示本發明的發光元件的製造方法的第二實施型態。
基於預先設定的期望的配光特性，在形成凹部21A之前，於晶圓A02的具有窗層兼支承基板206的第一面(光取出面)02A上，施作粗糙處理(粗糙化步驟)，除此之外，基本上與第一實施型態相同故省略說明。另外，粗糙處理係以包含氟及碘的混合液進行處理，而能夠得到粗糙面。
如圖2所示，凹部21A的內部的底面21C、窗層兼支承基板206的光取出面02A係被粗糙化。
(第三實施型態)
圖3係表示本發明的發光元件的製造方法的第三實施型態。
基於預先設定的期望的配光特性，在形成凹部31A之後，於晶圓A03的具有窗層兼支承基板306的第一面(光取出面)03A側，施作粗糙處理(粗糙化步驟)，除此之外，基本上與第一實施型態相同故省略說明。另外，粗糙處理係以包含氟及碘的混合液進行處理，而能夠得到粗糙面。
如圖3所示，凹部31A的內部的底面31C及側面31B、窗層兼支承基板306的光取出面03A係被粗糙化。
(第四實施型態)
圖4係表示本發明的發光元件的製造方法的第四實施型態。
基於預先設定的期望的配光特性，凹部41A形成後，藉由刻劃/劈裂法或刀片切割法，自晶圓狀予以單片化為晶粒狀而為晶片，晶片化後，讓支承於台座上的晶片成一定間隔地散開，空出晶片間的間隔後，對晶片施作粗糙處理(粗糙化步驟)，除此之外，基本上與第一實施型態相同故省略說明。粗糙處理係以包含氟及碘的混合液進行處理，而能夠得到粗糙面。此外，對經晶粒化的晶片施作粗糙處理，不只是第一面04A(光取出面)側，側面04B也能夠粗糙化。
如圖4所示，凹部41A的內部的底面41C及側面41B、窗層兼支承基板406的光取出面04A及側面04B係被粗糙化。
〔實施例〕
以下表示實施例及比較例而更具體地說明本發明，但本發明不限於這些。
(實施例1)
於GaAs(001)起始基板上，以MOVPE法形成作為功能層的雙異質(DH)層。雙異質層由下部包覆層、活性層及上部包覆層構成。包覆層係選擇(AlxGa1-x)yIn1-yP(0.6≦x≦1.0，0.4≦y≦0.6)的組成，本實施例中，作為下部包覆層，係n型AlInP包覆層為0.7μm(參雜濃度3.0E+17/cm3)及n型Al0.6GaInP層為0.3μm(參雜濃度1.0E+17/cm3)的二層構造。
活性層選自(AlxGa1-x)yIn1-yP(0.15≦x≦0.8，0.4≦y≦0.6)，組成x及y係依照波長來變更。本實施例中使用多重活性層。活性層及障壁層的膜厚係依照所求波長來變更，各自以4~12nm的範圍配合波長來調整。
作為上部包覆層，係p型AlInP包覆層為0.1μm(參雜濃度1.0E+17/cm3)及p型Al0.6GaInP層為0.9μm(參雜濃度3.0E+17/cm3)的二層構造。
於DH層上，將緩衝層(中間組成層)GaInP及GaP窗層予以成膜，以MOVPE法及VPE法將GaP窗層兼支承基板予以成膜至100μm。
GaP窗層兼支承基板形成後，藉由濕蝕刻法除去GaAs起始基板而作為自立基板，於起始基板除去面形成第一歐姆電極。第一歐姆電極係由含有Si、Zn及S的Au電極所成，膜厚為1.5μm。
藉由光刻法及蝕刻法切掉DH層的一部分，將露出發光層區域及GaP窗層兼支承基板的區域予以設置。
於該露出區域形成第二歐姆電極。第二歐姆電極係由含有Be的Au電極所成，膜厚為1.5μm。
在此，將比起如後敘的比較例的於窗層兼支承基板的光取出面側沒有凹部的發光元件的場合，配光角度在零度附近的配光強度(配光相對亮度)係為提升的配光特性予以設定，且以能夠得到該經設定的配光特性的方式，進行如以下般的凹部的形成及該形狀的調整。
首先，於GaP窗層兼支承基板的光取出面側形成蝕刻遮罩用的SiO2膜，藉由光刻法及氫氟酸濕蝕刻法形成SiO2膜的一部分為開口的遮罩。藉由乾蝕刻法將如圖5的(C)所示的圓形的SiO2膜開口部的GaP窗層兼支承基板的一部分予以蝕刻。窗層兼支承基板的蝕刻係以使用了含氯氣體的乾蝕刻法進行，而形成深度10μm的凹部。此外，另以同樣的方式製造了形成深度20μm的凹部之物。
凹部形成後，藉由刻劃/劈裂法，自晶圓狀予以單片化為晶粒狀而製造了如圖1般的發光元件。
(實施例2)
在形成凹部之前，於晶圓的具有窗層兼支承基板的第一面(光取出面)上，以含有氫氟酸、碘及鹽酸的蝕刻液施作粗糙處理，之後形成深度20μm的凹部，除此之外，以與實施例1同樣的方法製造了示於圖2的發光元件。
(實施例3)
形成深度20μm的凹部後，於晶圓的具有窗層兼支承基板的第一面(光取出面)上，以含有氫氟酸、碘及鹽酸的蝕刻液施作粗糙處理，除此之外，以與實施例1同樣的方法製造了示於圖3的發光元件。
(實施例4)
深度20μm的凹部形成後，藉由刻劃/劈裂法，自晶圓狀予以單片化為晶粒狀而為晶片，晶片化後，讓支承於台座上的晶片成一定間隔地散開，空出晶片間的間隔後，以含有氫氟酸、碘及鹽酸的蝕刻液施作粗糙處理，除此之外，以與實施例1同樣的方法製造了示於圖4的發光元件。
(比較例)
不形成凹部，除此之外，以與實施例1同樣的方法製造發光元件。即窗層兼支承基板中既無凹部也無粗糙區域。
(實施例1~4及比較例的結果)
圖6係表示窗層兼支承基板的厚度為100μm的場合的實施例1中凹部的深度為10μm、20μm的場合與不設置凹部的比較例的配光特性的差異。
相對於比較例中，於配光角度零度附近配光強度有低下的傾向，實施本發明的配光特性的調整方法而製造的發光元件的場合(實施例1)，變得如預先期望般，相較於比較例，於配光角度零度附近的配光強度為之提升。另外，能夠以隨著凹部的深度變深而讓配光角零度附近的配光強度上升的方式進行調整。
圖7中比較了凹部的深度為20μm，實施例1至實施例4的晶片型態中的配光特性及比較例的配光特性。得知如圖7所示，表示各自不同的配光特性。實施例1至4的任何一個也如預定般，能夠使配光角零度附近的配光強度上升。此外，實施例4中，進一步能夠按照期望地將可得到配光角零度附近般的高配光強度的配光角度的範圍予以擴大。
如此一來，藉由本發明，能夠得到按照期望的配光特性經微調的各式各樣的發光元件。
另外，本發明並不限於上述的實施型態。上述實施型態為舉例說明，凡具有及本發明的申請專利範圍所記載之技術思想及實質上同一構成而產生相同的功效者，不論為何物皆包含在本發明的技術範圍內。
001:AlGaInP系磊晶晶圓
011:晶圓
100:起始基板
101:第一半導體層
102:活性層
103:第二半導體層
104:中間組成層
105:窗層
106:窗層兼支承基板
107:發光層
110:非除去部
111:區域
120:除去部
121:區域
130:段差部
140:介電質部
141:介電質部
142:介電質部
151:第一歐姆電極
161:第二歐姆電極
170:發光元件
01A:第一面(光取出面)
11A:凹部
A01:晶圓
Claims (5)
- 一種發光元件的配光特性的調整方法，該發光元件的製造包含：在起始基板上，以與該起始基板為晶格匹配系的材料，藉由依序磊晶成長而使第一半導體層、活性層及第二半導體層成長，而形成發光層的步驟；將窗層兼支承基板及該發光層予以接合或是使該窗層兼支承基板磊晶成長於該發光層上的窗層兼支承基板形成步驟；除去該起始基板的步驟；在該第一半導體層表面形成第一歐姆電極的步驟；將該第一半導體層及該活性層的一部分予以除去而形成除去部的除去步驟；在該除去部的該第二半導體層或在該窗層兼支承基板上形成第二歐姆電極的步驟；在該窗層兼支承基板的光取出面側形成凹部的凹部形成步驟；在該發光元件的製造之中將製造的該發光元件的配光特性予以調整，其中該發光元件的配光特性的調整方法係預先設定該發光元件的期望的配光特性，以及基於經設定的期望的配光特性，將於該凹部形成步驟中形成的該凹部的形狀的調整以及粗糙化該窗層兼支承基板的表面的粗糙化步驟的粗糙化區域的調整之中的一個以上予以進行，藉此將製造的該發光元件的配光特性予以調整為經設定的期望的配光特性時，作為該凹部的形狀的調整，係調整該凹部的深度，作為該粗糙化步驟中的該粗糙化區域的調整，係將該凹部的內部的側面、該窗層兼支承基板的該光取出面及該窗層兼支承基板的側面之中的一個以上的區域予以粗糙化。
- 如請求項1所述之發光元件的配光特性的調整方法，其中作為該凹部的形狀的調整，係調整該凹部的橫截面形狀。
- 如請求項1或2所述之發光元件的配光特性的調整方法，其中作為該粗糙化步驟中的該粗糙化區域的調整，係進一步將該凹部的內部的底面予以粗糙化。
- 一種發光元件的製造方法，係藉由請求項1或2所述之發光元件的配光特性的調整方法，在按照期望地調整該配光特性的同時製造發光元件。
- 一種發光元件的製造方法，係藉由請求項3所述之發光元件的配光特性的調整方法，在按照期望地調整該配光特性的同時製造發光元件。
Applications Claiming Priority (2)
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| TW201944620A TW201944620A (zh) | 2019-11-16 |
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Patent Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
| TW201803152A (zh) | 2016-07-06 | 2018-01-16 | 信越半導體股份有限公司 | 發光元件及發光元件的製造方法 |
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