TWI839468B - 研磨用組成物 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於提供新穎之研磨用組成物，其可以同樣速度且高速研磨2種以上之研磨對象物。 本發明之研磨用組成物係使用於用以研磨研磨對象物者，且包含研磨粒、有機化合物與液體載體，前述研磨粒之每單位表面積之矽烷醇基數超過0個/nm2 且2.5個/nm2 以下，前述有機化合物具有膦酸基或其鹽之基。

Description

研磨用組成物
本發明有關研磨用組成物。
近幾年來，伴隨半導體基板表面之多層配線化，於製造裝置之際，利用使半導體基板物理研磨而平坦化之所謂化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing；CMP)技術。CMP係使用包含二氧化矽或氧化鋁、氧化鈰等之研磨粒、防腐蝕劑、界面活性劑等之研磨用組成物(漿料)，使半導體基板等之研磨對象物(被研磨物)表面平坦化之方法，具體而言於包含淺溝槽分離(STI)、層間絕緣膜(ILD膜)之平坦化、鎢栓柱形成、由銅與低介電率膜所成之多層配線之形成等步驟中使用。
近幾年來，針對2種以上之研磨對象物，要求提高某研磨對象物之研磨速度，抑制某研磨對象物之研磨速度之所謂控制研磨選擇比。
例如，專利文獻1中，已知於具有氮化矽、氧化矽之研磨對象物中，以相對於氮化矽，而選擇性研磨氧化矽之技術。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特表2016-524004號公報
[發明欲解決之課題]
本發明人等，針對控制研磨選擇比而積極檢討之過程中，發現對2種以上研磨對象物以同樣速度且高速研磨之課題。因此，本發明欲解決之課題係提供新穎之研磨用組成物，其可以同樣速度且高速研磨2種以上之研磨對象物。 [用以解決課題之手段]
為了解決上述課題，本發明人積極重複刻意研究。其結果，發現藉由下述研磨用組成物，可解決上述課題，該研磨用組成物係使用於用以研磨研磨對象物之研磨用組成物，且包含研磨粒、有機化合物與液體載體，前述研磨粒之每單位表面積之矽烷醇基數超過0個/nm2 且2.5個/nm2 以下，前述有機化合物具有膦酸基或其鹽之基。 [發明效果]
本發明可提供可以同樣速度且高速研磨2種以上之研磨對象物的新穎研磨用組成物。
以下說明本發明。又，本發明不僅限於以下之實施形態。且，只要未特別指明，則操作及物性等之測定係於室溫(20～25℃)/相對濕度40～50%RH之條件下測定。
本發明係使用於用以研磨研磨對象物之研磨用組成物，且包含研磨粒、有機化合物及液體載體，前述研磨粒之每單位表面積之矽烷醇基數超過0個/nm2 且2.5個/nm2 以下，前述有機化合物具有膦酸基或其鹽之基。藉由該構成，可以同樣速度且高速地研磨2種以上之研磨對象物。又，所謂2種以上之研磨對象物可為2種，可為3種，亦可為其以上。作為2種以上之研磨對象物，如以下，宜選自氧化矽(SiO2 )、氮化矽(SiN)及多晶矽所成之群中之至少2種以上，作為3種以上之研磨對象物，宜包含氧化矽(SiO2 )、氮化矽(SiN)及多晶矽。
[研磨對象物] 依據本發明之一實施形態，研磨對象物包含氧化矽(SiO2 )及氮化矽(SiN)之至少一種。依據本發明之一實施形態，研磨對象物包含氧化矽(SiO2 )及氮化矽(SiN)。對於此等研磨對象物藉由應用本發明之實施形態之研磨用組成物，可以同樣速度且高速地研磨。本發明之一實施形態中，作為氧化矽(SiO2 )較佳使用源自原矽酸四乙酯(TEOS)之氧化矽(SiO2 )。依據本發明之一實施形態，前述研磨對象物進而包含多晶矽。依據本發明實施形態之研磨用組成物，對於進而包含多晶矽之研磨對象物，可以同樣速度且高速研磨。又，依據本發明之一實施形態，研磨用組成物之用途並未特別限定，但較佳使用於半導體基板。
[研磨粒] 本發明之一實施形態中，研磨用組成物包含研磨粒，前述研磨粒表面經陽離子修飾。藉由該實施形態，可以同樣速度且高速研磨2種以上之研磨對象物。
本發明之一實施形態中，該修飾係利用化學鍵結者。藉由該實施形態，可以同樣速度且高速研磨2種以上之研磨對象物。
本發明之一實施形態中，作為研磨粒之具體例舉例為例如由二氧化矽等之金屬氧化物所成之粒子。該研磨粒可單獨使用或可混合2種以上使用。又，該研磨粒可使用市售品亦可使用合成品。該等研磨粒中，較佳為二氧化矽，更佳為發煙二氧化矽、膠體二氧化矽，特佳為膠體二氧化矽。作為膠體二氧化矽之製造方法，舉例為矽酸鈉法、溶膠-凝膠法，以任一製造方法製造之膠體二氧化矽均可較好地使用作為本發明之研磨粒。然而，較好藉由可以高純度製造之溶膠凝膠法製造之膠體二氧化矽。
本發明之一實施形態中，前述研磨粒之表面係經陽離子修飾。本發明之一實施形態中，作為表面經陽離子修飾之膠體二氧化矽，較佳舉例為於表面固定有胺基或4級銨基之膠體二氧化矽。作為此等具有陽離子性基之膠體二氧化矽之製造方法，可如日本特開2005-162533號公報中記載般於研磨粒表面固定化有胺基乙基三甲氧基矽烷、胺基丙基三甲氧基矽烷、胺基乙基三乙氧基矽烷、胺基丙基三乙氧基矽烷、胺基丙基二甲基乙氧基矽烷、胺基丙基甲基二乙氧基矽烷、胺基丁基三乙氧基矽烷等之具有胺基之矽烷偶合劑或N-三甲氧基矽烷基丙基-N,N,N-三甲基銨等之具有4級銨基之矽烷偶合劑之方法。藉此，可獲得於表面固定化有胺基或4級銨基之膠體二氧化矽。本發明之一實施形態中，前述研磨粒係於研磨粒表面固定化有具有胺基之矽烷偶合劑或具有4級銨基之矽烷偶合劑而成。
本發明之一實施形態中，前述研磨粒之每單位表面積之矽烷醇基數(矽烷醇基數)超過0個/nm2 且2.5個/nm2 以下。矽烷醇基數超過2.5個/nm2 時，無法發揮本發明期待之效果。本發明之一實施形態中，矽烷醇基數可為2.4個/nm2 以下、未達2.4個/nm2 、2.3個/nm2 以下、2.2個/nm2 以下、2.1個/nm2 以下、2.0個/nm2 以下、1.9個/nm2 以下或1.8個/nm2 以下。藉由該實施形態，可以同樣速度且高速研磨2種以上之研磨對象物。
本發明之一實施形態中，矽烷醇基數可為0.2個/nm2 以上、0.4個/nm2 以上、0.6個/nm2 以上、0.8個/nm2 以上、1.0個/nm2 以上、1.2個/nm2 以上、1.4個/nm2 以上、1.5個/nm2 以上、1.6個/nm2 以上或1.7個/nm2 以上。矽烷醇基若不存在，則無法發揮本發明之期望效果。且，藉由使矽烷醇基數以此等下限存在，可提高研磨粒之分散性，可以同樣速度且高速研磨2種以上之研磨對象物。
本發明之一實施形態中，為使前述研磨粒之每單位表面積之矽烷醇基數為2.5個/nm2 以下，可藉由選擇研磨粒之製造方法等而控制，例如可較佳地進行燒成等之熱處理。本發明之一實施形態中，所謂燒成處理係例如使研磨粒(例如二氧化矽)於120～200℃之環境下保持30分鐘以上。如此，藉由實施熱處理，可將研磨粒表面之矽烷醇基數侷限於2.5個/nm2 以下等之期望數值。若未實施此等特殊處理，則研磨粒表面之矽烷醇基數無法成為2.5個/nm2 以下。
本發明之一實施形態中，前述研磨粒之平均一次粒徑較佳為10nm以上，更佳為15nm以上，又更佳為20nm以上，再更佳為25nm以上，又再更佳為30nm以上，又更佳為35nm以上，可為40nm以上，可為45nm以上，可為50nm以上。本發明之一實施形態之研磨用組成物中，前述研磨粒之平均一次粒徑較佳為60nm以下，更佳為55nm以下，又更佳為53nm以下，可為50nm以下，可為40nm以下。藉由將前述研磨粒之平均一次粒徑調整為較大，而有可提高包含氧化矽之研磨對象物之傾向，藉由將前述研磨粒之平均一次粒徑調整為較小，而有可提高包含氮化矽之研磨對象物的研磨速度之傾向。因此，就以同樣速度研磨2種以上之研磨對象物之觀點，前述研磨粒之平均一次粒徑較佳為25～53nm。本發明之平均一次粒徑可採用藉由實施例中記載之方法測定之值。
前述研磨粒之平均二次粒徑較佳為40nm以上，更佳為45nm以上，又更佳為50nm以上，再更佳為55nm以上，又再更佳為60nm以上，又更佳為65nm以上，又再更佳為70nm以上，可為75nm以上，可為80nm以上，可為90nm以上，可為95nm以上，可為100nm以上。本發明之一實施形態中，前述研磨粒之平均二次粒徑較佳為140nm以下，更佳為120nm以下，可為115nm以下，可為110nm以下，可為105nm以下，可為100nm以下，可為90nm以下，可為80nm以下，可為75nm以下。藉由將前述研磨粒之平均二次粒徑調整為較大，而有可提高包含氧化矽之研磨對象物之傾向，藉由將前述研磨粒之平均二次粒徑調整為較小，而有可提高包含氮化矽之研磨對象物的研磨速度之傾向。因此，就以同樣速度且高速研磨2種以上之研磨對象物之觀點，前述研磨粒之平均二次粒徑較佳為55～120nm。本發明之平均二次粒徑可採用藉由實施例中記載之方法測定之值。
本發明之一實施形態中，研磨用組成物中之研磨粒之平均會合度(平均二次粒徑/平均一次粒徑)之下限，較佳為1.3以上，更佳為1.4以上，又更佳為1.5以上，又更佳為1.6以上，又更佳為1.7以上，又更佳為1.8以上，又更佳為1.9以上，又更佳為2.0以上，可超過2.0，可為2.1以上，可為2.2以上。可以同樣速度且高速研磨2種以上之研磨對象物。本發明之一實施形態中，研磨用組成物中之研磨粒之平均會合度之上限，較佳為4.0以下，更佳為3.5以下，又更佳為3.0以下，又更佳為2.5以下，又更佳為2.4以下，可未達2.3，可為2.2以下，可為2.1以下。可以同樣速度且高速研磨2種以上之研磨對象物。
本發明之一實施形態中，前述研磨用組成物中之前述研磨粒之含量較佳為0.01質量%以上，更佳為0.05質量%以上，又更佳為0.1質量%以上，又更佳為0.2質量%以上，又更佳為0.3質量%以上，又更佳為0.4質量%以上，又更佳為0.5質量%以上，可超過0.5質量%，可為0.6質量%以上，可為0.7質量%以上，可為0.9質量%以上，可為1.1質量%以上，可為1.3質量%以上。藉由成為該下限，有可提高研磨速度之效果。本發明之一實施形態中，前述研磨用組成物中，前述研磨粒之含量較佳為10質量%以下，更佳為8質量%以下，又更佳為6質量%以下，又更佳為4質量%以下，又更佳為2質量%以下，又更佳為1.5質量%以下，可未達1.5質量%，可未達1.2質量%，可為1.0質量%以下，可為0.8質量%以下，可為0.6質量%以下。藉由成為該上限，可以同樣速度且高速研磨2種以上之研磨對象物。
尤其研磨包含氧化矽及氮化矽之研磨對象物之情況，氧化矽之研磨速度比氮化矽之研磨速度有更依存於研磨組成物中之研磨粒含量(研磨粒濃度)之傾向。因此，本發明之一實施形態中，前述研磨用組成物中之前述研磨粒之含量，較佳調整為0.1～2質量%，更佳調整為0.2～1.9質量%，更佳調整為0.3～1.8質量%，又更佳調整為0.4～1.7質量%。藉由預先調整為該範圍，任一研磨對象物之研磨速度不會過度極端提高，任一研磨對象物之研磨速度不會過度極端降低，而可同樣提高該等研磨對象物之研磨速度。又本說明書中揭示之全部下限值上限值之值係揭示其所有組合。
[有機化合物] 本發明之一實施形態中，研磨用組成物包含有機化合物。該有機化合物具有膦酸基或其鹽之基。研磨用組成物中不存在具有膦酸基或其鹽之基之有機化合物時，無法發揮本發明期望之效果。又，本說明書中，所謂具有膦酸基或其鹽之基之有機化合物係具有1個以上膦酸基或其鹽之基之有機化合物。前述有機化合物具有經膦酸基或其鹽之基取代之烷基之情況，由於該有機化合物亦包含膦酸基或其鹽之基，故為本發明有機化合物之範圍。
本發明之一實施形態中，該有機化合物於1分子中具有例如1以上、2以上、3以上、4以上、5以上、6以上、7以上或8以上之碳原子。本發明之一實施形態中，該有機化合物於1分子中具有例如30以下、20以下、15以下、13以下、12以下或11以下之碳原子。
本發明之一實施形態中，有機化合物含有氮原子。該有機化合物除了含膦酸基或其鹽之基以外，藉由含有氮原子，可有效地發揮本發明期望之效果。本發明之一實施形態中，有機化合物具有非取代之碳數1～5之烷基(較佳為非取代之碳數1～4之烷基，更佳為非取代之碳數1～3之烷基)。有機化合物除了含膦酸基或其鹽之基以外，藉由含有非取代之碳數1～5之烷基，可有效地發揮本發明期望之效果。本發明之一實施形態中，有機化合物具有羥基。有機化合物除了含膦酸基或其鹽之基以外，藉由含有羥基，可有效地發揮本發明期望之效果。本發明之一實施形態中，有機化合物於1分子中具有1～5個氮原子。本發明之一實施形態中，有機化合物於1分子中具有1～4個氮原子。本發明之一實施形態中，有機化合物於1分子中具有1～3個氮原子。本發明之一實施形態中，有機化合物於1分子中具有1～7個、2～6個、或2～5個膦酸基或其鹽之基(經膦酸基或其鹽之基取代之烷基)。本發明之一實施形態中，有機化合物於1分子中具有非取代之碳數1～5之烷基及(膦酸基或其鹽之基以外之)羥基之至少一者。
本發明之一實施形態中，前述有機化合物係以N(R1 )(R2 )(R3 )表示之化合物或其鹽、以C(R1 )(R2 )(R3 )(R4 )表示之化合物或其鹽、或以下述式(1)表示之化合物或其鹽。
Y1 及Y2 分別獨立表示碳數1以上5以下之直鏈或分支鏈之伸烷基，n為0以上4以下之整數，R1 ～R5 分別獨立表示氫原子、羥基、膦酸基或其鹽之基或經取代或非取代之碳數1以上5以下之直鏈或分支鏈之烷基，此時，R1 ～R5 中，1個以上為膦酸基或其鹽之基，或經膦酸基或其鹽之基取代之烷基。此處，由於N(R1 )(R2 )(R3 )中不存在R4 及R5 ，故不用說，「R1 ～R5 中，1個以上為膦酸基或其鹽之基，或經膦酸基或其鹽之基取代之烷基」可改讀為「R1 ～R3 中，1個以上為膦酸基或其鹽之基，或經膦酸基或其鹽之基取代之烷基」。同樣地，由於C(R1 )(R2 )(R3 )(R4 )中不存在R5 ，故不用說，「R1 ～R5 中，1個以上為膦酸基或其鹽之基，或經膦酸基或其鹽之基取代之烷基」可改讀為「R1 ～R4 中，1個以上為膦酸基或其鹽之基，或經膦酸基或其鹽之基取代之烷基」。
本發明之一實施形態中，作為Y1 及Y2 之碳數1以上5以下之直鏈或分支鏈之伸烷基並未特別限定，而有亞甲基、伸乙基、三亞甲基、四亞甲基、伸丙基等之直鏈或分支鏈之伸烷基。該等中，較佳為碳數1以上4以下之直鏈或分支鏈之伸烷基，更佳為碳數1以上3以下之直鏈或分支鏈之伸烷基。再者，更佳為碳數1或2之伸烷基，亦即亞甲基、伸乙基，特佳為伸乙基。藉由該實施形態，可以同樣速度且高速研磨2種以上之研磨對象物。
上述式(1)中之n表示(-Y1 -N(R5 )-)之數，為0以上4以下之整數。n較佳為0以上2以下之整數，特佳為0或1。藉由該實施形態，可以同樣速度且高速研磨2種以上之研磨對象物。又，n為2以上時，n個(-Y1 -N(R5 )-)可相同亦可不同。
作為上述之R1 ～R5 之取代或非取代之碳數1以上5以下之直鏈或分支鏈之烷基並未特別限定，但有甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基等之烷基。該等中，較佳為取代或非取代之碳數1以上4以下之直鏈或分支鏈之烷基，更佳為取代或非取代之碳數1以上3以下之直鏈或分支鏈之烷基。再者，更佳為甲基、乙基，特佳為甲基。藉由該實施形態，可以同樣速度且高速研磨2種以上之研磨對象物。
此處關於伸烷基所謂「取代或非取代」意指烷基之一個以上氫原子可經其他取代基取代，亦可不取代。此處，作為欲取代之取代基並未特別限定。可舉例為例如氟原子(F)；氯原子(Cl)；溴原子(Br)；碘原子(I)；膦酸基(-PO3 H2 )；磷酸基(-OPO3 H2 )；硫醇基(-SH)；氰基  (-CN)；硝基(-NO2 )；羥基(-OH)；碳數1以上10以下之直鏈或分支鏈之烷氧基(例如甲氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、2-乙基己氧基、辛氧基、十二烷氧基等)；碳數6以上30以下之芳基(例如苯基、聯苯基、1-萘基、2-萘基)；碳數3以上20以下之環烷基(例如環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基)等之取代基。
本發明之一實施形態中，上述N(R1 )(R2 )(R3 )中，R1 ～R3 中，1個以上為膦酸基或其鹽之基，或經膦酸基或其鹽之基取代之烷基。R1 ～R3 之說明當然同樣適用上述說明。
本發明之一實施形態中，上述 C(R1 )(R2 )(R3 )(R4 )中，R1 ～R4 中，1個以上為膦酸基或其鹽之基，或經膦酸基或其鹽之基取代之烷基。R1 ～R4 之說明當然同樣適用上述說明。
本發明之一實施形態中，上述式(1)中，R1 ～R5 中，1個以上為膦酸基或其鹽之基，或經膦酸基或其鹽之基取代之烷基。
此處，所謂「經膦酸基取代之烷基」係經一個以上之膦酸基取代之碳數1以上5以下之直鏈或分支鏈之烷基，可舉例為例如(單)膦酸基甲基、(單)膦酸基乙基、(單)膦酸基正丙基、(單)膦酸基異丙基、(單)膦酸基正丁基、(單)膦酸基異丁基、(單)膦酸基第二丁基、(單)膦酸基第三丁基、二膦酸基甲基、二膦酸基乙基、二膦酸基正丙基、二膦酸基異丙基、二膦酸基正丁基、二膦酸基異丁基、二膦酸基第二丁基、二膦酸基第三丁基等。該等中，較佳為經1個膦酸基取代之碳數1以上4以下之直鏈或分支鏈之烷基，更佳為經1個膦酸基取代之碳數1以上3以下之直鏈或分支鏈之烷基。藉由該實施形態，可以同樣速度且高速研磨2種以上之研磨對象物。再者，更佳為(單)膦酸基甲基、(單)膦酸基乙基，特佳為(單)膦酸基甲基。藉由該實施形態，可以同樣速度且高速研磨2種以上之研磨對象物。
本發明之一實施形態中，前述有機化合物具有2個以上之膦酸基或其鹽之基，或者2個以上之經膦酸基或其鹽之基取代之烷基。如此，藉由使前述有機化合物具有2個以上之源自膦酸基之構造，而有效率地發揮本發明期望之效果。
本發明之一實施形態中，上述N(R1 )(R2 )(R3 )中，較佳2個以上為膦酸基或其鹽之基，或者經膦酸基或其鹽之基取代之烷基，更佳3個全部為膦酸基或其鹽之基，或者經膦酸基或其鹽之基取代之烷基。藉由該實施形態，可以同樣速度且高速研磨2種以上之研磨對象物。
本發明之一實施形態中，上述 C(R1 )(R2 )(R3 )(R4 )中，較佳2個以上為膦酸基或其鹽之基，或者經膦酸基或其鹽之基取代之烷基。藉由該實施形態，可以同樣速度且高速研磨2種以上之研磨對象物。本發明之一實施形態中，上述C(R1 )(R2 )(R3 )(R4 )中，較佳3個以下為膦酸基或其鹽之基，或者經膦酸基或其鹽之基取代之烷基。藉由該實施形態，可以同樣速度且高速研磨2種以上之研磨對象物。本發明之一實施形態中，上述C(R1 )(R2 )(R3 )(R4 )中，較佳1個以上具有羥基。本發明之一實施形態中，上述C(R1 )(R2 )(R3 )(R4 )中，較佳2個以下具有羥基。藉由該實施形態，可以同樣速度且高速研磨2種以上之研磨對象物。本發明之一實施形態中，上述C(R1 )(R2 )(R3 )(R4 )中，較佳1個以上為經取代或非取代之碳數1以上5以下之直鏈或分支鏈之烷基。藉由該實施形態，可以同樣速度且高速研磨2種以上之研磨對象物。本發明之一實施形態中，上述C(R1 )(R2 )(R3 )(R4 )中，較佳2個以下為經取代或非取代之碳數1以上5以下之直鏈或分支鏈之烷基。藉由該實施形態，可以同樣速度且高速研磨2種以上之研磨對象物。
本發明之一實施形態中，上述式(1)中，R1 ～R5 中，較佳4個以上為膦酸基或其鹽之基，或者經膦酸基或其鹽之基取代之烷基。藉由該實施形態，可以同樣速度且高速研磨2種以上之研磨對象物。本發明之一實施形態中，較佳R1 ～R4 全部為膦酸基或其鹽之基，或者經膦酸基或其鹽之基取代之烷基，特佳R1 ～R4 及n個R5 全部為膦酸基或其鹽之基，或者經膦酸基或其鹽之基取代之烷基。藉由該實施形態，可以同樣速度且高速研磨2種以上之研磨對象物。
本發明之一實施形態中，作為鹽舉例為例如鈉鹽、鉀鹽等之鹼金屬鹽，鈣鹽、鎂鹽等之2族元素之鹽，胺鹽、銨鹽等。
本發明之一實施形態中，前述研磨用組成物中，前述有機化合物之含量較佳為0.001質量%以上，更佳為0.01質量%以上，又更佳為0.1質量%以上。藉由該實施形態，可以同樣速度且高速研磨2種以上之研磨對象物。
本發明之一實施形態中，前述研磨用組成物中，前述有機化合物之含量較佳為5質量%以下，更佳為2質量%以下，又更佳為1質量%以下。藉由該實施形態，可以同樣速度且高速研磨2種以上之研磨對象物。
又，研磨用組成物中之有機化合物含量，只要使研磨用組成物適當調整為如後述之期望pH之下限、上限或範圍內而設定即可。
[水溶性高分子] 本發明之一實施形態中，研磨用組成物進而含有水溶性高分子。藉由該實施形態，可以同樣速度且高速研磨3種以上之研磨對象物(例如氧化矽(SiO2 )、氮化矽(SiN)及多晶矽)。
本發明之一實施形態中，水溶性高分子具有複數羥基。作為此等水溶性高分子，舉例為具有源自乙烯醇之構造單位的高分子、纖維素衍生物、澱粉衍生物等。其中較佳包含具有源自乙烯醇之構造單位的高分子。藉由該實施形態，可以同樣速度且高速研磨3種以上之研磨對象物(例如氧化矽(SiO2 )、氮化矽(SiN)及多晶矽)。
本發明之一實施形態中，所謂「具有源自乙烯醇之構造單位的高分子」意指一分子中具有乙烯醇單位(由-CH2 -CH(OH)-表示之構造部分；以下亦稱為「VA單位」)之高分子。本發明之一實施形態中，具有源自乙烯醇之構造單位的高分子亦可為除了VA單位以外，又包含非乙烯醇單位(源自乙烯醇以外之單體之構造單位；以下亦稱為「非VA單位」)之共聚物。作為非VA單位之例並未特別限定，舉例為源自乙烯之構造單位等。包含源自乙烯醇之構造單位的聚合物包含非VA單位時，可僅含一種非VA單位，亦可含兩種以上之非VA單位。
本發明之一實施形態中，VA單位與非VA單位之含有比例(莫耳比)並未特別限定，較佳例如VA單位：非VA單位(莫耳比)為1：99～99：1，更佳為95：5～60：40，又更佳為97：3～80：30，又更佳為98：2～85：15。
本發明之一實施形態中，作為包含源自乙烯醇之構造單位的聚合物舉例為例如聚乙烯醇(PVA)、乙烯醇・乙烯共聚物等。
本發明之一實施形態中，聚乙烯醇之皂化度較佳為60%以上，更佳為70%，又更佳為80%以上，又更佳為90%以上。藉由該實施形態，可以同樣速度且高速研磨3種以上之研磨對象物。本發明之一實施形態中，聚乙烯醇之皂化度較佳為99%以下。藉由該實施形態，可以同樣速度且高速研磨3種以上之研磨對象物。
本發明之一實施形態中，前述水溶性高分子為磺酸與羧酸之共聚物(亦稱為「磺酸/羧酸共聚物」)。磺酸與羧酸之共聚物含有源自具有磺酸基之單體之構成單位與源自具有羧酸基之單體之構成單位。
本發明之一實施形態中，作為具有磺酸基之單體之例舉例為例如日本特開2015-168770號公報之段落[0019]～[0036]中記載之烷二醇系單體(A)，或同公報之段落[0041]～[0054]中記載之含磺酸基單體(C)等。
本發明之一實施形態中，作為具有羧酸基之單體之例舉例為例如丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、α-羥基丙烯酸、α-羥基甲基丙烯酸及該等之金屬鹽、銨鹽、有機胺鹽等之鹽。
本發明之一實施形態中，磺酸/羧酸共聚物中之源自具有磺酸基之單體之構成單位與源自具有羧酸基之單體之構成單位之莫耳比，較佳源自具有磺酸基之單體之構成單位：源自具有羧酸基之單體之構成單位=10：90～90：10，更佳為30：70～90：10，又更佳為50：50～90：10。
本發明之一實施形態中，水溶性高分子之重量平均分子量，於研磨對象物為疏水性膜之情況基於其親水化之觀點，較佳依序為1000以上、3000以上、6000以上、8000以上。本發明之一實施形態中，水溶性高分子之重量平均分子量，基於漿料分散性之觀點，較佳依序為150000以下、100000以下、80000以下、40000以下、20000以下、15000以下。藉由該實施形態，可以同樣速度且高速研磨3種以上之研磨對象物。本發明之一實施形態中，前述水溶性高分子之重量平均分子量為3000～80000。藉由該實施形態，可以同樣速度且高速研磨3種以上之研磨對象物。又，本說明書中，重量平均分子量係藉由凝膠滲透層析儀(GPC)以分子量已知的聚苯乙烯為基準物質而測定。
本發明之一實施形態中，水溶性高分子之含量，相對於研磨用組成物之總質量，較佳依序為0.001質量%以上、0.01質量%以上、0.05質量%以上、0.1質量%以上、0.2質量%以上、0.3質量%以上、0.4質量%以上。藉由該實施形態，於研磨對象物為疏水性膜之情況，具有利用其親水化而提高研磨速度之技術效果。本發明之一實施形態中，基於漿料分散性及研磨速度提高之觀點，水溶性高分子之含量，相對於研磨用組成物之總質量，較佳依序為10質量%以下、5質量%以下、3質量%以下、1質量%以下、0.9質量%以下、0.8質量%以下、0.7質量%以下、0.6質量%以下。藉由該實施形態，可以同樣速度且高速研磨3種以上之研磨對象物。
本發明之一實施形態中，水溶性高分子可為均聚物，亦可為共聚物。為共聚物之情況，其形態可為嵌段共聚物、無規共聚物、接枝共聚物、交替共聚物之任一者。
本發明之一實施形態中，前述水溶性高分子為聚乙烯醇及丙烯酸與磺酸之共聚物之至少一者。藉由該實施形態，可以同樣速度且高速研磨3種以上之研磨對象物。
[液體載體] 依據本發明之一實施形態，作為液體載體雖考慮有機溶劑、水(尤其是純水)，但基於阻礙研磨對象物之污染或其他成分之作用之觀點，較佳為儘可能不含雜質之水。具體而言，較佳為藉由離子交換樹脂去除雜質離子後通過過濾器去除異物之純水或超純水、或蒸餾水。
[研磨用組成物之pH] 依據本發明之一實施形態，研磨用組成物之pH可為未達7.0之酸性，可為7.0之中性，亦可為超過7.0之鹼性，但較佳為未達7.0。藉由該實施形態，可以同樣速度且高速研磨2種以上之研磨對象物。依據本發明之一實施形態，研磨用組成物之pH未達6.0。依據本發明之一實施形態，研磨用組成物之pH未達5.0。依據本發明之一實施形態，研磨用組成物之pH未達4.0。依據本發明之一實施形態，研磨用組成物之pH為3.9以下。依據本發明之一實施形態，研磨用組成物之pH為3.8以下。依據本發明之一實施形態，研磨用組成物之pH為3.7以下。依據本發明之一實施形態，研磨用組成物之pH為3.6以下。依據本發明之一實施形態，研磨用組成物之pH為3.5以下。依據本發明之一實施形態，研磨用組成物之pH為3.4以下。依據本發明之一實施形態，研磨用組成物之pH為3.3以下。依據本發明之一實施形態，研磨用組成物之pH為3.2以下。依據本發明之一實施形態，研磨用組成物之pH為3.1以下。依據本發明之一實施形態，研磨用組成物之pH為3.0以下。依據本發明之一實施形態，研磨用組成物之pH未達3.0。藉由該實施形態，可以同樣速度且高速研磨2種以上之研磨對象物。依據本發明之一實施形態，研磨用組成物之pH為1.0以上。依據本發明之一實施形態，研磨用組成物之pH為1.2以上。依據本發明之一實施形態，研磨用組成物之pH超過1.3。依據本發明之一實施形態，研磨用組成物之pH為1.4以上。依據本發明之一實施形態，研磨用組成物之pH為1.6以上。依據本發明之一實施形態，研磨用組成物之pH為1.8以上。依據本發明之一實施形態，研磨用組成物之pH為2.0以上。依據本發明之一實施形態，研磨用組成物之pH超過2.0。依據本發明之一實施形態，研磨用組成物之pH為2.1以上。依據本發明之一實施形態，研磨用組成物之pH為2.2以上。依據本發明之一實施形態，研磨用組成物之pH超過2.2。依據本發明之一實施形態，研磨用組成物之pH為2.3以上。依據本發明之一實施形態，研磨用組成物之pH為2.4以上。依據本發明之一實施形態，研磨用組成物之pH為2.5以上。依據本發明之一實施形態，研磨用組成物之pH為2.6以上。依據本發明之一實施形態，研磨用組成物之pH為2.8以上。藉由該實施形態，可以同樣速度且高速研磨2種以上之研磨對象物。
依據本發明之一實施形態，研磨用組成物之pH為2～6。藉由該實施形態，可以同樣速度且高速研磨2種以上之研磨對象物。依據本發明之一實施形態，研磨用組成物之pH超過2.0且未達4.0。藉由該實施形態，可以同樣速度且高速研磨2種以上之研磨對象物。又，研磨用組成物之pH未達2.0時，有無法有效率地發揮本發明期望效果之情況。依據本發明之一實施形態，研磨用組成物之pH超過2.0且3.9以下、2.1～3.7、2.2～3.5、2.3～3.3、或2.4～3.1。藉由該實施形態，可以同樣速度且高速研磨2種以上之研磨對象物。
依據本發明之一實施形態，研磨用組成物包含pH調整劑。依據本發明之一實施形態，pH調整劑可為酸及鹼之任一者，且可為無機化合物及有機化合物之任一者。作為酸之具體例舉例為例如硝酸、硼酸、碳酸、次磷酸、亞磷酸及磷酸等之無機酸；甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、2-甲基丁酸、正己酸、3,3-二甲基丁酸、2-乙基丁酸、4-甲基戊酸、正庚酸、2-甲基己酸、正辛酸、2-乙基己酸、苯甲酸、乙醇酸、水楊酸、甘油酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、馬來酸、鄰苯二甲酸、蘋果酸、酒石酸、檸檬酸及乳酸等之羧酸等之有機酸，以及植酸、羥基亞乙基二膦酸等之有機磷系之酸等之有機酸等。但本發明中，研磨用組成物中含有具有膦酸基或其鹽之基之有機化合物為特徵之一。因此，依據本發明之一實施形態，作為pH調整劑之酸，僅為具有膦酸基或其鹽之基之有機化合物。作為鹼之具體例舉例為氫氧化鉀等之鹼金屬之氫氧化物、氨、乙二胺及哌啶等之胺，以及四甲基銨及四乙基銨等之4級銨鹽。依據本發明之一實施形態，研磨用組成物實質上不含具有膦酸基或其鹽之基之有機化合物以外之其他pH調整劑。
[其他成分] 依據本發明之一實施形態，研磨用組成物可進而包含氧化劑、金屬防腐蝕劑、防腐劑、防黴劑、用以溶解難溶性有機物之有機溶劑等之其他成分。
依據本發明之一實施形態，氧化劑舉例為過氧化氫、過氧化鈉、過氧化鋇、臭氧水、銀(II)鹽、鐵(III)鹽、過錳酸、鉻酸、重鉻酸、過氧二硫酸、過氧磷酸、過氧硫酸、過氧硼酸、過甲酸、過乙酸、過苯甲酸、過鄰苯二甲酸、次氯酸、次溴酸、次碘酸、氯酸、亞氯酸、過氯酸、溴酸、碘酸、過碘酸、過硫酸、二氯異氰脲酸等。
依據本發明之一實施形態，研磨用組成物實質上不含氧化劑。依據本發明之一實施形態，研磨用組成物實質上不含過氧化氫、過氧化鈉、過氧化鋇、臭氧水、銀(II)鹽、鐵(III)鹽、過錳酸、鉻酸、重鉻酸、過氧二硫酸、過氧磷酸、過氧硫酸、過氧硼酸、過甲酸、過乙酸、過苯甲酸、過鄰苯二甲酸、次氯酸、次溴酸、次碘酸、氯酸、亞氯酸、過氯酸、溴酸、碘酸、過碘酸、過硫酸或二氯異氰脲酸的氧化劑。且，依據本發明之一實施形態，研磨用組成物實質上不含雙[(1-苯并三唑基)甲基]膦酸。 又，本說明書中，所謂「實質上不含」除了包含於研磨用組成物中完全不含之概念以外，亦包含於研磨用組成物中含0.0001g/L以下之概念。
依據本發明之一實施形態，氧化矽之研磨速度/氮化矽之研磨速度係設計為0.6以上未達2.0、0.7以上未達2.0、0.8～1.5、0.82～1.3、0.90～1.2、或0.92～1.1。藉由應用本發明實施形態之研磨用組成物，能成為該研磨速度比。又，本發明之實施形態中，可以成為該研磨速度比之方式，進而調整研磨用組成物之組成。
依據本發明之一實施形態，多晶矽之研磨速度/(氮化矽之研磨速度或氧化矽之研磨速度)係設計為0.6以上未達2.0、0.8～1.5、或0.82～1.3、0.90～1.2、或0.92～1.1。藉由應用本發明實施形態之研磨用組成物，能成為該研磨速度比。又，本發明之實施形態中，可以成為該研磨速度比之方式，進而調整研磨用組成物之組成。
依據本發明之一實施形態，氮化矽之研磨速度、氧化矽之研磨速度與多晶矽之研磨速度之最大值除以最小值所得之值設計為1以上未達2.0、1～1.5、1～1.3、1～1.2或1～1.15。藉由應用本發明實施形態之研磨用組成物，能成為該研磨速度比。又，本發明之實施形態中，可以成為該研磨速度比之方式，進而調整研磨用組成物之組成。
依據本發明之一實施形態，氮化矽之研磨速度、氧化矽之研磨速度與多晶矽之研磨速度之最大值除以中間值所得之值設計為1以上未達2.0、1～1.3、1～1.2或1～1.1。藉由應用本發明實施形態之研磨用組成物，能成為該研磨速度比。又，本發明之實施形態中，可以成為該研磨速度比之方式，進而調整研磨用組成物之組成。
依據本發明之一實施形態，氮化矽之研磨速度、氧化矽之研磨速度與多晶矽之研磨速度之中間值除以最小值所得之值設計為1以上未達2.0、1～1.3、1～1.2或1～1.1。藉由應用本發明實施形態之研磨用組成物，能成為該研磨速度比。又，本發明之實施形態中，可以成為該研磨速度比之方式，進而調整研磨用組成物之組成。
[研磨用組成物之製造方法] 依據本發明之一實施形態，研磨用組成物之製造方法並未特別限定，例如可藉由將上述特定之研磨粒、具有膦酸基或其鹽之基之有機化合物以液體載體攪拌混合而獲得。混合各成分之際之溫度並未特別限定，但較佳為10～40℃，為了提高溶解速度，亦可加熱。又混合時間並未特別限定。
[研磨方法] 依據本發明之一實施形態，研磨用組成物較佳地使用於氮化矽及氧化矽、或氮化矽、氧化矽及多晶矽之研磨。因此，依據本發明之一實施形態，研磨方法係具有下述步驟之研磨方法：使用上述研磨用組成物、或藉由上述製造方法獲得研磨用組成物，並使用該研磨用組成物，研磨包含氮化矽及氧化矽、或氮化矽、氧化矽及多晶矽之研磨對象物。
作為研磨裝置，可使用安裝有保持具有研磨對象物之基板等之固持器與可變更轉數之馬達等之具有可貼附研磨墊(研磨布)之研磨壓盤之一般研磨裝置。
作為前述研磨墊，可無特別限制地使用一般不織布、聚胺基甲酸酯、及多孔質氟樹脂等。研磨墊上較好施以可積存研磨用組成物之槽加工。
研磨條件亦未特別限制，例如研磨壓盤(platen)之旋轉速度較佳為10～500rpm，載體旋轉速度較佳為10～500rpm，施加於具有研磨對象物之基板之壓力(研磨壓力)較佳為0.1～10psi。對研磨墊供給研磨用組成物之方法亦未特別限制，例如可採用泵等連續供給之方法。其供給量並未限制，較佳研磨墊表面總是由本發明之研磨用組成物覆蓋。
[半導體基板之製造方法] 依據本發明之一實施形態，亦提供具有上述研磨方法之半導體基板之製造方法。藉由該實施形態，提高半導體基板之生產效率。 雖已詳細說明本發明之實施形態，但該等僅為說明性例示而非限定，本發明之範圍應由附屬之申請專利範圍加以解釋而明瞭。 1. 一種研磨用組成物，其係使用於用以研磨研磨對象物之研磨用組成物，且包含研磨粒、有機化合物及液體載體，前述研磨粒之每單位表面積之矽烷醇基數超過0個/nm2 且2.5個/nm2 以下，前述有機化合物具有膦酸基或其鹽之基。 2. 如1記載之研磨用組成物，其中前述研磨粒表面經陽離子修飾者。 3. 如1或2記載之研磨用組成物，其中前述有機化合物具有非取代之碳數1～5之烷基。 4. 如1～3中任一項記載之研磨用組成物，其中前述有機化合物係以N(R1 )(R2 )(R3 )表示之化合物或其鹽、以C(R1 )(R2 )(R3 )(R4 )表示之化合物或其鹽、或以下述式(1)表示之化合物或其鹽， Y1 及Y2 分別獨立表示碳數1以上5以下之直鏈或分支鏈之伸烷基，n為0以上4以下之整數，R1 ～R5 分別獨立表示氫原子、膦酸基或其鹽之基、羥基或經取代或非取代之碳數1以上5以下之直鏈或分支鏈之烷基，此時，R1 ～R5 中，1個以上為膦酸基或其鹽之基，或經膦酸基或其鹽之基取代之烷基。 5. 如1～4中任一項記載之研磨用組成物，其中前述有機化合物具有2個以上膦酸基或其鹽之基，或2個以上之經膦酸基或其鹽之基取代之烷基。 6. 如1～5中任一項記載之研磨用組成物，其中前述研磨粒為二氧化矽。 7. 如1～6中任一項記載之研磨用組成物，其進而包含水溶性高分子。 8. 如7記載之研磨用組成物，其中前述水溶性高分子之重量平均分子量為3000～80000。 9. 如7或8記載之研磨用組成物，其中前述水溶性高分子係聚乙烯醇及丙烯酸與磺酸之共聚物之至少一者。 10. 如1～9中任一項記載之研磨用組成物，其pH未達7.0。 11. 如1～10中任一項記載之研磨用組成物，其中前述研磨對象物包含氮化矽及氧化矽。 12. 如11記載之研磨用組成物，其係設計為氧化矽之研磨速度/氮化矽之研磨速度為0.7以上且未達2.0。 13. 如11或12記載之研磨用組成物，其中前述研磨對象物進而包含多晶矽。 14. 如13記載之研磨用組成物，其係設計為多晶矽之研磨速度/(氮化矽之研磨速度或氧化矽之研磨速度)為0.6以上且未達2.0。 15. 如13或14記載之研磨用組成物，其係設計為氮化矽之研磨速度、氧化矽之研磨速度與多晶矽之研磨速度中之最大值除以最小值所得之值為1以上且未達2.0。 16. 如13～15中任一項記載之研磨用組成物，其係設計為氮化矽之研磨速度、氧化矽之研磨速度與多晶矽之研磨速度中之最大值除以中間值所得之值為1以上且未達2.0，中間值除以最小值所得之值為1以上且未達2.0。 [實施例]
本發明將使用以下實施例及比較例進一步詳細說明。惟，本發明之技術範圍並非僅限制於以下之實施例。又，只要未特別記載，則「%」及「份」分別表示「質量%」及「質量份」。又，下述實施例中，只要未特別記載，則操作係在室溫(25℃)/相對濕度40～50%RH之條件下進行。
[實施例1] (研磨用組成物之調製) 於作為液體載體之純水中，以相對於最終研磨用組成物100質量%成為0.5質量%之量添加研磨粒A，以使最終研磨用組成物之pH成為2.5之量添加1-羥基乙烷-1,1-二膦酸，以相對於最終研磨用組成物成為0.50質量%之量添加作為水溶性高分子之聚乙烯醇(分子量約1萬：聚合度220，皂化度99%以上)，調製實施例1之研磨用組成物。
＜矽烷醇基數之算出方法＞ 研磨粒之每單位表面積之矽烷醇基數(單位：個/nm2 )可藉由以下測定方法或計算方法，測定或算出各參數後，藉由下述方法算出。
更具體而言，下述式中之C係使用研磨粒之合計質量，下述式中之S係研磨粒之BET比表面積。再具體而言，將固形分計1.50g之研磨粒採取於200ml燒杯中，添加100ml純水，作成漿料後，添加30g氯化鈉溶解。其次，添加1N鹽酸將漿料之pH調整為約3.0～3.5後，添加純水直至漿料成為150ml。對該漿料使用自動滴定裝置(平沼產業股份有限公司製COM-1700)，於25℃使用0.1N氫氧化鈉調整為pH為4.0，再者，測定藉由pH滴定使pH自4.0上升至9.0所需之0.1N氫氧化鈉溶液之容量V[L]。平均矽烷醇基密度(矽烷醇基數)可藉由下述式算出。
上述式中， ρ表示平均矽烷醇基密度(矽烷醇基數)(個/nm2 )； c表示滴定所用之氫氧化鈉溶液之濃度(mol/L)； V表示使pH自4.0上升至9.0所需之氫氧化鈉溶液之容量(L)； NA 表示亞佛加厥常數(個/mol)； C表示研磨粒之合計質量(固形分)(g)； S表示研磨粒之BET比表面積之加權平均值(nm2 /g)。
＜粒徑之算出方法＞ 又，研磨粒之平均一次粒徑係自藉由使用MicroMetrics公司製之“Flow Sorb II 2300”測定之BET法之研磨粒之比表面積與研磨粒之密度而算出。且研磨粒之平均二次粒徑係藉由日機裝股份有限公司製之動態光散射式粒徑・粒度分佈裝置UPA-UT1151測定。
＜pH之測定方法＞ 研磨用組成物(液溫：25℃)之pH係藉由pH計(堀場製作所股份有限公司製型號：LAQUA)確認。
[實施例2～8及比較例1～3] (研磨用組成物之調製) 除了將各成分之種類及含量，以及研磨用組成物之pH變更如下述表1所示以外，與實施例1同樣操作，調製各研磨用組成物。
針對上述調製之各研磨用組成物依據下述方法，評價研磨速度(Removal Rate)(Å/min)。結果一併示於下述表1。
＜研磨試驗＞ 使用各研磨用組成物，以下述條件研磨研磨對象物之表面。作為研磨對象物，分別使用於矽基板表面形成之膜厚2500Å之氮化矽與膜厚10000Å之TEOS(氧化矽)與膜厚4500Å之多晶矽。
[研磨裝置及研磨條件] 研磨裝置：桌上研磨機(日本Engis公司製，EJ-380IN) 研磨墊：IC1000(陶氏化學公司製) 研磨壓力：3psi 研磨壓盤之旋轉速度：60rpm 載體之旋轉速度：60rpm 研磨用組成物之供給量：50mL/min 研磨時間：60sec 就地修整(In-situ dressing) 工件尺寸：30mm見方。
[評價] 針對各研磨用組成物，針對下述項目進行測定評價。
[研磨速度(Removal Rate)之測定] 研磨速度(Removal Rate)(Å/min)係利用下述式(1)計算。
又，利用光干涉式膜厚測定裝置求出各膜厚，藉由將研磨前後之膜厚差除以研磨時間而評價。評價結果一併示於表1。
＜探討＞ 依據實施例之研磨用組成物，2種或3種之研磨速度均為150Å/min以上，氧化矽之研磨速度/氮化矽之研磨速度為0.7以上且未達2.0，而達成本發明之期望效果。相對於此，比較例之研磨用組成物係2種或3種之研磨速度中之一種以上未達150Å/min，且氧化矽之研磨速度/氮化矽之研磨速度未達0.7，或為2.0以上，未達成本發明期望之效果。 本申請案係基於2019年3月29日提出申請之日本專利申請號第2019-066859號，其揭示內容其全文藉由參考併入本說明書中。

Claims (12)

  1. 一種研磨用組成物，其係使用於用以研磨研磨對象物之研磨用組成物，且包含研磨粒、有機化合物、液體載體及水溶性高分子，前述研磨粒之每單位表面積之矽烷醇基數超過0個/nm2且2.5個/nm2以下，前述有機化合物具有膦酸基或其鹽之基，前述水溶性高分子之重量平均分子量為20000以下，前述水溶性高分子之含量為0.001~10質量%，前述水溶性高分子為聚乙烯醇，pH未達7.0。
  2. 如請求項1之研磨用組成物，其中前述研磨粒表面經陽離子修飾者。
  3. 如請求項1之研磨用組成物，其中前述有機化合物具有非取代之碳數1~5之烷基。
  4. 如請求項1之研磨用組成物，其中前述有機化合物係以N(R1)(R2)(R3)表示之化合物或其鹽、以C(R1)(R2)(R3)(R4)表示之化合物或其鹽、或以下述式(1)表示之化合物或其鹽，
    Figure 109105248-A0305-02-0038-1
     Y1及Y2分別獨立表示碳數1以上5以下之直鏈或分支鏈之伸烷基，n為0以上4以下之整數，R1~R5分別獨立表示氫原子、膦酸基或其鹽之基、羥基或經取代或非取代之碳數1以上5以下之直鏈或分支鏈之烷基，此時，R1~R5中，1個以上為膦酸基或其鹽之基，或經膦酸基或其鹽之基取代之烷基。
  5. 如請求項1之研磨用組成物，其中前述有機化合物具有2個以上膦酸基或其鹽之基，或2個以上之經膦酸基或其鹽之基取代之烷基。
  6. 如請求項1之研磨用組成物，其中前述研磨粒為二氧化矽。
  7. 如請求項1之研磨用組成物，其中前述研磨對象物包含氮化矽及氧化矽。
  8. 如請求項7之研磨用組成物，其係設計為氧化矽之研磨速度/氮化矽之研磨速度為0.7以上且未達2.0。
  9. 如請求項7之研磨用組成物，其中前述研磨對象物進而包含多晶矽。
  10. 如請求項9之研磨用組成物，其係設計為多晶矽之研磨速度/(氮化矽之研磨速度或氧化矽之研磨速度)為0.6以上且未達2.0。
  11. 如請求項9之研磨用組成物，其係設計 為氮化矽之研磨速度、氧化矽之研磨速度與多晶矽之研磨速度中之最大值除以最小值所得之值為1以上且未達2.0。
  12. 如請求項9之研磨用組成物，其係設計為氮化矽之研磨速度、氧化矽之研磨速度與多晶矽之研磨速度中之最大值除以中間值所得之值為1以上且未達2.0，中間值除以最小值所得之值為1以上且未達2.0。
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