TWI835926B - 紅外線熱像儀之校正方法及紅外線熱像儀之校正系統 - Google Patents

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TWI835926B
TWI835926B TW108141879A TW108141879A TWI835926B TW I835926 B TWI835926 B TW I835926B TW 108141879 A TW108141879 A TW 108141879A TW 108141879 A TW108141879 A TW 108141879A TW I835926 B TWI835926 B TW I835926B
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Abstract

本發明之目的係使藉由紅外線熱像儀所測量之溫度的測量精度提高。 本發明的紅外線熱像儀之校正方法包含：取得步驟、校正值計算步驟、插值曲線特定步驟及保存步驟。取得步驟，係將載置基板的載置台設定成複數不同的溫度，並在各溫度中，藉由紅外線熱像儀取得來自載置台頂面之複數區域各者的紅外線輻射量之測量值。校正值計算步驟，係在各溫度中，將設有溫度感測器之區域亦即基準區域的測量值，與其他區域之測量值的差異量加以計算，而作為校正值。插值曲線特定步驟，係針對各區域，而特定出表示校正值相對於基準區域的測量值之變化傾向的插值曲線。保存步驟，係將定義插值曲線的參數加以保存，該插值曲線係針對各區域而特定之。

Description

紅外線熱像儀之校正方法及紅外線熱像儀之校正系統
本發明之各種態樣及實施態樣係關於一種紅外線熱像儀之校正方法及紅外線熱像儀之校正系統。
例如，在下述專利文獻1中揭露了一種方法，係將靜電夾頭設定成不同的溫度，並藉由測量各溫度中之配置於靜電夾頭之各區域的加熱器之電阻值，而製作表示溫度與電阻值之對應關係的轉換表。靜電夾頭的溫度係使用紅外線(IR：InfraRed)熱像儀來加以測量。藉由參照製作的轉換表，可從配置於各區域之加熱器的電阻值推定靜電夾頭之各區域的溫度。
[習知技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2017-228230號公報
本發明係提供一種紅外線熱像儀之校正方法及紅外線熱像儀之校正系統，可使由紅外線熱像儀所測量之溫度的測量精度提高。
本發明之一態樣係紅外線熱像儀之校正方法，其包含以下步驟：取得步驟、校正值計算步驟、插值(interpolation)曲線特定步驟及保存步驟。取得步驟，係將載置基板的載置台設定成複數不同的溫度，並在各溫度中，藉由紅外線熱像儀取得來自載置台頂面之複數區域各者的紅外線輻射量之測量值。校正值計算步驟，係在各溫度中，將設有溫度感測器之區域亦即基準區域的測量值，與其他區域之測量值的差異量加以計算，而作為校正值。插值曲線特定步驟，係針對各區域而特定出表示「校正值相對於基準區域之測量值的變化傾向」的插值曲線。保存步驟，係將定義插值曲線的參數加以保存，該插值曲線係針對各區域而特定之。
根據本發明之各種態樣及實施態樣，可使藉由紅外線熱像儀所測量之溫度的測量精度提高。
1:腔室
2a:基材
2b:流道
2c,2d,32:配管
3:絕緣板
3a:內壁構件
4:支撐台
5:邊緣環
6:靜電夾頭
6a:電極
6b:絕緣體
6c:加熱器
7,70:溫度感測器
9:環狀磁石
10:處理系統
11a,11b:匹配器
12a,12b:射頻電源
13:直流電源
15:處理氣體供給源
15a:質量流量控制器(MFC)
15b:配管
16:噴淋頭
16a:本體部
16b:頂部頂板
16c:擴散室
16e:氣體流出口
16f:氣體噴吐口
16g:氣體導入口
20:電力供給部
21:開關(SW)
22:電流計
23:電壓計
24:測量部
25:控制部
26:保存部
27:交流電源
31:傳熱氣體供給部
33:急冷器單元
40:低通濾波器(LPF)
41:開關
42:可變直流電源
45:絕緣性構件
50:校準單元
51:IR熱像儀
52:蓋體構件
60:區
61:分割區
62:畫素
71:排氣口
72:排氣管
73:排氣裝置
74:開口
76,77:防沉積板
79:導電性構件(接地區塊)
80:資料
81:插值曲線
100:處理裝置
200:控制裝置
201:CPU
202:RAM
203:ROM
204:輔助儲存裝置
205:通訊介面(I/F)
206:輸入輸出介面(I/F)
207:媒體介面(I/F)
208:記錄媒體
260:轉換表
261:校正值表
262:係數表
2600:區ID
2601,2611:個表
2610:分割區ID
C:校正值
G:閘門閥
IRA,IRS:平均值
IRA’:校正後的平均值
O:靜電夾頭的中心軸之位置
O’:測量基板的中心軸之位置
S100~S104,S200~S205,S300~S311,S400~S403,S500~S506,S600~S608:步驟
T1,T2:預定溫度
TC:熱媒體溫度的設定值
TD,TE,TS,TZ:溫度
Tmin:第一溫度
Tmax:第二溫度
V:閥
W:基板
W’:測量基板
圖1係顯示依本發明之一實施態樣之處理系統之一例的系統構成圖。
圖2係顯示依本發明之第一實施態樣之處理裝置之構成之一例的概略剖面圖。
圖3係顯示靜電夾頭之區域之分割態樣之一例的圖式。
圖4係顯示控制裝置之構成之一例的方塊圖。
圖5係顯示轉換表之一例的圖式。
圖6係顯示溫度控制處理之一例的流程圖。
圖7係顯示在第一實施態樣中製作轉換表時的處理裝置之構成之一例的概略剖面圖。
圖8係顯示以IR熱像儀拍攝之區之一例的圖式。
圖9係顯示IR熱像儀之校正處理之一例的流程圖。
圖10係顯示在取得步驟中之處理之一例的流程圖。
圖11係顯示在校正值計算步驟中之處理之一例的流程圖。
圖12係顯示校正值表之一例的圖式。
圖13係顯示在插值曲線特定步驟中之處理之一例的流程圖。
圖14係說明插值曲線之係數的特定過程之一例的圖式。
圖15係顯示係數表之一例的圖式。
圖16係顯示溫度測量處理之一例的流程圖。
圖17係顯示比較例中之各區的溫度分布之測量結果之一例的圖式。
圖18係顯示各區的溫度分布之測量結果之一例的圖式。
圖19係顯示轉換表之製作處理之一例的流程圖。
圖20係顯示在第二實施態樣中製作轉換表時的處理裝置之構成之一例的概略剖面圖。
圖21係顯示設於測量基板之溫度感測器之配置之一例的圖式。
圖22係顯示控制裝置之硬體構成之一例的圖式。
以下，基於圖面詳細說明本發明之紅外線熱像儀之校正方法及紅外線熱像儀之校正系統的實施態樣。又，本發明之紅外線熱像儀之校正方法及紅外線熱像儀之校正系統，並非被以下實施態樣所限定。
此外，IR熱像儀會因為IR熱像儀本身之溫度變化或年久變化的影響，而導致溫度的測量值變動。又，不同的IR熱像儀之間，亦會在溫度的測量值上存在個體差異。若在藉由IR熱像儀測量之溫度上產生差異，則「表示加熱器之電阻值與溫度之對應關係的轉換表」之精度便會降低。藉此，從配置於靜電夾頭之各區域的加熱器之電阻值推定的各區域之溫度的精度便會降低。
又，本發明係提供一種技術，可使藉由紅外線熱像儀所測量之溫度的測量精度提高。
(第一實施態樣)
[處理系統10之構成]
圖1係顯示依本發明之一實施態樣之處理系統10之一例的系統構成圖。如圖1所示，處理系統10例如具備處理裝置100及控制裝置200。處理裝置100係對半導體晶圓等基板，進行使用電漿的蝕刻處理。控制裝置200係控制處理裝置100之各部，並使處理裝置100對搬入處理裝置100內的基板執行預定處理。
[處理裝置100之構成]
圖2係顯示依本發明之第一實施態樣之處理裝置100之構成之一例的概略剖面圖。如圖2所示，處理裝置100例如包含以氣密的方式構成的腔室1。腔室1例如係由表面被陽極氧化被覆膜所覆蓋的鋁等形成為略圓筒狀。腔室1係處於接地狀態。
在腔室1內設有例如以鋁等導電性金屬所形成的基材2a。基材2a具有底部電極的功能。基材2a係被設於絕緣板3上之導體的支撐台4所支撐。又，在基材2a的上方外周，設有例如以單晶矽等所形成的邊緣環5。邊緣環5亦被稱為聚焦環。在基材2a及支撐台4的周圍，係以包圍基材2a及支撐台4的方式，設有例如由石英等所製成的圓筒狀之內壁構件3a。
在基材2a的上方，係以和基材2a略平行地相向的方式，換言之，係以和配置於基材2a上之基板W相向的方式，設有具有作為頂部電極之功能的噴淋頭16。噴淋頭16與基材2a係作為一對電極(頂部電極與底部電極)而發揮功能。射頻電源12a係經由匹配器11a而連接於基材2a。又，射頻電源12b係經由匹配器11b而連接於基材2a。
射頻電源12a係將用於電漿產生之預定頻率(例如100MHz)的射頻電力供給至基材2a。又，射頻電源12b係將用於離子引入(偏壓)之預定頻率的射頻電力，即低於射頻電源12a之頻率(例如，13MHz)的射頻電力供給至基材2a。射頻電源12a及12b的導通及斷開之控制，以及藉由射頻電源12a及12b供給射頻電力等，係由控制裝置200加以控制。
在基材2a的頂面，設有用於吸附固持基板W，並加熱基板W的靜電夾頭6。靜電夾頭6包含：絕緣體6b、設於絕緣體6b之間的電極6a及複數加熱器6c。電極6a係與直流電源13連接。加熱器6c係與控制裝置200連接。靜電夾頭6係藉由從直流電源13施加之直流電壓，而使庫侖力在靜電夾頭6的表面產生，並藉由庫侖力將基板W吸附固持於靜電夾頭6的頂面。直流電源13的導通及斷開，係由控制裝置200加以控制。
又，靜電夾頭6係藉由「以從控制裝置200供給之電力加熱後的加熱器6c」，而加熱基板W。靜電夾頭6的頂面係分成複數範圍，各範圍係進一步分成複數區。在各區中係各設有一個加熱器6c。靜電夾頭6及基材2a係載置台之一例，靜電夾頭6的頂面係載置台的頂面之一例。
又，在靜電夾頭6的頂面，形成有複數凸部，基板W係被複數凸部支撐。後述傳熱氣體係被供給至複數凸部之間。
在靜電夾頭6內之各範圍下方的基材2a內，設有用於測量該範圍之靜電夾頭6溫度的溫度感測器7。在本發明之實施態樣中，溫度感測器7例如為螢光式光纖溫度計。溫度感測器7係從靜電夾頭6的下方測量靜電夾頭6的溫度，並將測量到之溫度輸出至控制裝置200。
在基材2a的內部形成有熱媒體流動的流道2b，控制熱媒體溫度的急冷器單元33係經由配管2c及2d而連接於流道2b。透過使從急冷器單元33供給之熱媒體於流道2b內循環，而藉由與熱媒體的熱交換來控制基材2a的溫度。由急冷器單元33供給之熱媒體的溫度，係藉由控制裝置200加以控制。
又，在基材2a中，係以貫通基材2a的方式，設有用於將氦氣等傳熱氣體(背側氣體)供給至靜電夾頭6與基板W之間的配管32。配管32係與傳熱氣體供給部31連接。從傳熱氣體供給部31通過配管32而供給至靜電夾頭6與基板W之間的傳熱氣體之壓力，係藉由控制裝置200加以控制。
藉由控制流動於流道2b之熱媒體的溫度、供給至靜電夾頭6內之各加熱器6c的電力、及供給至靜電夾頭6與基板W之間的傳熱氣體之壓力，可將靜電夾頭6上之基板W的溫度控制在預定範圍內的溫度。
噴淋頭16係設於腔室1的頂部。噴淋頭16包含本體部16a及頂部頂板16b，並藉由絕緣性構件45而支撐在腔室1的頂部。本體部16a例如由對表面施加了陽極氧化處理的鋁等形成，並將頂部頂板16b裝卸自如地支撐於其底部。頂部頂板16b例如係以石英等含矽物質所形成。
在本體部16a的內部形成有擴散室16c。多數氣體流出口16e係以位於擴散室16c之底部的方式，形成於本體部16a的底部。在頂部頂板16b中，係以在厚度方向上貫通該頂部頂板16b的方式，設有複數氣體噴吐口16f，各氣體噴吐口16f係與上述氣體流出口16e連通。藉由如此之構成，供給至擴散室16c的處理氣體，會在擴散室16c內擴散，並經由各氣體流出口16e及氣體噴吐口16f而呈噴淋狀地供給至腔室1內。又，在本體部16a等，設有未圖示之加熱器，或用於使熱媒體循環的未圖示之配管等溫度調整器，可在基板W的處理中，將噴淋頭16控制在所期望之範圍內的溫度。
在本體部16a中，形成有用於將處理氣體導入擴散室16c的氣體導入口16g。供給用於基板W處理之處理氣體的處理氣體供給源15，係經由配管15b而連接於氣體導入口16g。在配管15b設有閥V及質量流量控制器(MFC)15a。從處理氣體供給源15供給的處理氣體，係經由配管15b而供給至噴淋頭16的擴散室16c內，並經由各氣體流出口16e及氣體噴吐口16f供給至腔室1內。閥V及MFC15a係藉由控制裝置200加以控制。
可變直流電源42係經由低通濾波器(LPF)40及開關41而與噴淋頭16電性連接。開關41係控制「從可變直流電源42對噴淋頭16供給及切斷直流電壓」。可變直流電源42的電流及電壓以及開關41的導通及斷開，係藉由控制裝置200加以控制。例如，在從射頻電源12a及12b將射頻電力供給至基材2a，而使電漿產生於腔室1內時，係根據需要藉由控制裝置200導通開關41，並對噴淋頭16施加預定大小的直流電壓。
在腔室1的底部形成有排氣口71。排氣裝置73係經由排氣管72而連接於排氣口71。排氣裝置73包含真空泵，並可藉由使此真空泵作動而將腔室1內減壓至預定真空度。排氣裝置73的排氣流量等，係藉由控制裝置200加以控制。又，在腔室1的側壁，形成有用於搬入及搬出基板W的開口74，在開口74設有用於開閉該開口74的閘門閥G。
在腔室1的內壁，係沿著內壁的面而裝卸自如地設有防沉積板76。又，在內壁構件3a的外周面，係以覆蓋住內壁構件3a的方式配置有防沉積板77。防沉積板76及77係防止蝕刻副產物(沉積物)附著於腔室1的內壁。又，在與吸附固持於靜電夾頭6上之基板W大致相同高度之防沉積板76的位置，設有以直流的方式與 接地連接的導電性構件(接地區塊)79。藉由導電性構件79，可抑制腔室1內的異常放電。
又，環狀磁石9係在腔室1的周圍配置成同心圓狀。環狀磁石9係在噴淋頭16與基材2a之間的空間形成磁場。環狀磁石9係旋轉自如地被未圖示之旋轉機構固持。
[靜電夾頭6之區域的分割態樣]
圖3係顯示靜電夾頭6之區域的分割態樣之一例的圖式。如圖3所示，靜電夾頭6的頂面例如以靜電夾頭6的中心位置O作為中心，而以同心圓狀的方式分割成複數範圍。以下，係將包含中心位置O之範圍及與該範圍鄰接之範圍記載為範圍A，將與範圍A鄰接之範圍記載為範圍B，將與範圍B鄰接之範圍記載為範圍C，將最外側的範圍記載為範圍D。在各範圍中，係各設有一個溫度感測器7。
又，各範圍係在以中心位置O為中心之圓的周向上，分割成複數區60。在圖3的例子中，係分別將範圍A中與包含中心位置O之範圍鄰接之範圍分割成三個區60，將範圍B分割成三個區60，將範圍C分割成四個區60，將範圍D分割成四個區60。又，靜電夾頭6之區域的分割態樣，並不限於圖3所例示之態樣。
在與各區60對應之靜電夾頭6的內部，係各配置有一個加熱器6c。供給至設於各區60之加熱器6c的電力，係藉由控制裝置200而分別獨立控制。
[控制裝置200之構成]
圖4顯示控制裝置200之一例的方塊圖。如圖4所示，控制裝置200例如包含：複數電力供給部20-1~20-n、測量部24、控制部25及保存部26。又，以下，在不區別複數電力供給部20-1~20-n各者而將它們統稱的情況下，係記載為電力供給部20。
各電力供給部20對於設在靜電夾頭6之區60的一個加熱器6c而言，係各設有一個，以將電力供給至對應的加熱器6c。在本發明之實施態樣中，於靜電夾頭6內設有十五個加熱器6c，於控制裝置200內，係與加熱器6c的數量對應，而設有十五個電力供給部20。各電力供給部20具有開關(SW)21、電流計22及電壓計23。
SW21係依照來自控制部25的控制而導通及斷開，在導通的期間，係將從交流電源27供給之電力供給至對應的加熱器6c。電流計22係測量從交流電源27供給至對應的加熱器6c之交流電流的瞬時值，再輸出至測量部24。電壓計23係測量從交流電源27供給至對應的加熱器6c之交流電壓的瞬時值，再輸出至測量部24。
測量部24係基於從各電力供給部20輸出至加熱器6c之電壓及電流的測量值，而測量各加熱器6c的電阻值。接著，測量部24會將在每個加熱器6c測量到的電阻值輸出至控制部25。
保存部26係將表示基板W之處理條件的處理程序、轉換表260、校正值表261及係數表262等加以保存。圖5係顯示轉換表260之一例的圖式。在轉換表260中 係在每一個「用於識別設有各加熱器6c之區60的區ID2600」中，儲存有個表2601。在各個表2601中，係將加熱器6c的電阻值與溫度相對應，再加以儲存。
在儲存於保存部26的處理程序中，係包含每個步驟中各區60之目標溫度的資訊等。關於校正值表261及係數表262的細節係在之後敘述。處理程序係由處理系統10的控管者等預先製作並儲存於保存部26內。校正值表261及係數表262係在後述校正處理中製作。轉換表260係在後述製作處理中製作。
控制部25係基於保存在保存部26內的處理程序，而控制處理裝置100之各部。又，控制部25係在處理的各步驟中，藉由控制供給至設於靜電夾頭6之各區60的加熱器6c之電力，而將載置於靜電夾頭6上的基板W之溫度控制在處理程序所顯示的目標溫度。又，控制部25係執行後述IR熱像儀51之校正處理、及轉換表260的製作處理。
[溫度控制處理]
圖6係顯示溫度控制處理之一例的流程圖。例如，當控制裝置200基於處理程序開始處理時，便開始本流程圖所示之溫度控制處理。又，在保存部26內，係預先儲存有轉換表260及處理程序等資訊。
首先，控制部25係藉由控制各電力供給部20內的SW21，而開始將電力供給至各加熱器6c(S100)。接著，測量部24係基於各電流計22所測量到之交流電流的瞬時值、與各電壓計23所測量到之交流電壓的瞬時值，而針對每一區60測量加熱器6c的電阻值(S101)。測量部24係將「在預定期間(例如數秒間)之 間，於各加熱器6c中進行複數次測量而得到的電阻值」加以平均，再將平均後之電阻值輸出至控制部25。
接著，控制部25係針對每一區60，參照保存部26內的轉換表260而將與設於區60之加熱器6c的電阻值對應之溫度推定作為區60的溫度(S102)。接著，控制部25係因應每一區60中推定之溫度與目標溫度的差，而藉由控制電力供給部20內之SW21的導通與斷開的比率，來控制供給至加熱器6c的電力(S103)。
接著，控制部25係參照處理程序，而判斷處理是否結束(S104)。在處理尚未結束的情況下(S104：否)，測量部24係再度執行步驟S101所示之處理。另一方面，在處理結束的情況下(S104：是)，控制裝置200便結束本流程圖所示之溫度控制處理。
此處，若藉由在基材2a內對靜電夾頭6的每一區60設置溫度感測器，以測量各區60的溫度，則在基材2a內需要用於配置溫度感測器的空間。又，在更精密地控制靜電夾頭6之溫度分布的情況下，靜電夾頭6會被分割成更多的區60。因此，在基材2a內會因應區60的數量而配置更多的溫度感測器。若配置於基材2a內的溫度感測器之數量變多，則難以將基材2a小型化。又，若配置於基材2a內的溫度感測器之數量變多，則基材2a的構造會複雜化，並且設計自由度亦會降低。
相對於此，在本發明之實施態樣的處理系統10中，係基於設於靜電夾頭6內之每一區60的加熱器6c之電阻值，而推定各區60的溫度。藉此，便不需要在基材2a內配置溫度感測器，而可將基材2a小型化。又，由於可使配置於基材2a內之溫度感測器的數量減少，故可使基材2a的構造簡化，亦可使設計的自由度提高。
[轉換表260的製作]
為了進行各加熱器6c的溫度控制，例如，必須預先製作圖5所示之轉換表260。以下，說明轉換表260的製作方法。轉換表260例如係藉由如圖7所示之構成的處理裝置100加以製作。圖7係顯示在第一實施態樣中製作轉換表260時的處理裝置100之構成之一例的概略剖面圖。包含「圖7所例示之在製作轉換表260時的處理裝置100」及「控制裝置200」的處理系統10係校正系統之一例。
在製作轉換表260時，例如係如圖7所示般將「使用圖2進行說明之噴淋頭16」從腔室1移除，並將校準單元50安裝於腔室1。又，由於除了以下說明的內容之外，在圖7中附有與圖2相同符號之構件，係具有與圖2所示之構件相同或是同樣的功能，故省略其說明。
校準單元50包含紅外線(IR)熱像儀51及蓋體構件52。蓋體構件52係以使IR熱像儀51之拍攝方向朝向靜電夾頭6之方向的方式，支撐IR熱像儀51。IR熱像儀51係測量從靜電夾頭6頂面輻射之紅外線輻射量的分布。以下，係將紅外線輻射量的測量值記載為IR值。接著，IR熱像儀51係將表示測量到的IR值之分布的資訊輸出至控制裝置200。
在藉由IR熱像儀51拍攝到之影像內的區60之區域中，如圖8所示，例如包含複數畫素62。圖8係顯示以IR熱像儀51所拍攝之區60之一例的圖式。IR值係與各畫素62相對應。在本發明之實施態樣中，控制裝置200的控制部25係將各區60分割成複數分割區61，並針對每一分割區61，將分割區61內之畫素的IR值加以平均，再將平均後的IR值作為分割區61的IR值使用。
又，在靜電夾頭6的頂面形成有複數凸部。在凸部的前端與靜電夾頭6的頂面之間，存在一些熱梯度。因此，在凸部的前端與靜電夾頭6的頂面之間，會產生一些溫差。由於各分割區61的溫度係與在分割區61內測量到之IR值的平均值對應，因此，若在分割區61間，凸部的數量差異較大，即使整個靜電夾頭6的溫度一致，但測量之溫度在分割區61間會有所不同。因此，各分割區61較佳係配置成在分割區61間，分割區61所包含之凸部的數量差異較少。
此處，IR熱像儀51會因為IR熱像儀51本身的溫度變化或年久變化之影響，而使測量的IR值變動。又，在不同的IR熱像儀51間，亦會在測量之IR值上存在個體差異。若在藉由IR熱像儀51測量到的IR值上產生差異，則難以正確地測量各區60的溫度。因此，表示各區60之加熱器6c的電阻值與溫度之對應關係的轉換表260的精度會下降。藉此，從配置於靜電夾頭6之各區60的加熱器6c之電阻值推定的各區60之溫度的推定精度亦會下降。
又，在本發明之實施態樣中，係在製作轉換表260前將IR熱像儀51進行校正，再使用校正好之IR熱像儀51來製作轉換表260。以下，說明IR熱像儀51之校正處理。
[IR熱像儀51之校正處理]
圖9係顯示IR熱像儀51之校正處理之一例的流程圖。圖9所例示之校正處理，係藉由控制裝置200控制IR熱像儀51及處理裝置100之各部而實現。又，IR熱像儀51之校正處理，例如係在以下情況下進行：在校正後之IR熱像儀51的檢 查中，檢查結果在一次檢查中未收斂於預定基準值內時，或是每隔預定期間(例如數日~數個月)。
在校正處理中，首先，控制部25係執行取得步驟(S200)。取得步驟係將載置基板W之靜電夾頭6設定成複數不同的溫度，並在各溫度中，取得藉由IR熱像儀51測量到之靜電夾頭6頂面之各分割區61的IR值。
接著，控制部25係執行校正值計算步驟(S300)。校正值計算步驟係在各溫度中，將設有溫度感測器7之分割區61亦即基準區域的IR值，與其他分割區61的IR值的差異量加以計算，而作為校正值。
接著，控制部25係執行插值曲線特定步驟(S400)。插值曲線特定步驟係針對各分割區61，特定出表示校正值相對於基準區域之IR值之變化傾向的插值曲線。
[取得步驟]
圖10係顯示在取得步驟中之處理之一例的流程圖。
首先，控制部25係控制急冷器單元33，將熱媒體溫度的設定值TC設定成第一溫度Tmin(S201)。第一溫度Tmin例如為0℃。又，第一溫度Tmin亦可係低於0℃的溫度，亦可係高於0℃的溫度。接著，控制部25會待命預定時間，直到靜電夾頭6的溫度穩定為止(S202)。
接著，控制部25係取得藉由IR熱像儀51測量到之靜電夾頭6頂面的IR值(S203)。IR值係與藉由IR熱像儀51拍攝到的影像內之各畫素相對應。接著，控制部25係判斷熱媒體溫度之設定值TC是否在第二溫度Tmax以上(S204)。第二溫度Tmax例如為80℃。又，第二溫度Tmax亦可為係底於80℃的溫度，亦可係高於80℃的溫度。
在熱媒體溫度的設定值TC未達到第二溫度Tmax的情況下(S204：否)，控制部25係使熱媒體溫度的設定值TC升高預定溫度△T1(S205)，並再度執行步驟S202所示之處理。預定溫度△T1例如為10℃。又，預定溫度△T1亦可係低於10℃的溫度，亦可係高於10℃的溫度。
另一方面，在熱媒體溫度的設定值TC在第二溫度Tmax以上的情況下(S204：是)，控制部25便結束本流程圖所示之取得步驟的處理。藉此，可取得與不同溫度相對應之各畫素的IR值。
[校正值計算步驟]
圖11係顯示在校正值計算步驟中的處理之一例的流程圖。圖11所示之校正值計算步驟的處理，係使用取得步驟所取得之每個溫度的各畫素之IR值的分布資料而進行的處理。
首先，控制部25係將熱媒體溫度的設定值TC設定成第一溫度Tmin(S301)。接著，控制部25係從取得步驟所取得之資料，選擇與設定值TC相對應的IR值(S302)。
接著，控制部25係選擇一個未選擇過的範圍，並從步驟S302所選擇之IR值中，取出與選擇之範圍對應的IR值(S303)。
接著，控制部25係從在步驟S303所選擇之範圍中選擇一個未選擇過的區60，並從步驟S303所選擇的IR值中，取出與選擇之區60對應的IR值(S304)。
接著，控制部25係使用步驟S304所取出的IR值，而針對步驟S304所選擇之區60中的每個分割區61，計算IR值的平均值IRA(S305)。
接著，控制部25係判斷是否已選擇過步驟S303所選擇之範圍中的所有區60(S306)。在存在未選擇過之區60的情況下(S306：否)，係再度執行步驟S304所示的處理。
另一方面，在所有的區60均被選擇過的情況下(S306：是)，控制部25係針對每個分割區61，計算校正值C(S307)。接著，控制部25係將計算出的校正值C與IRS相對應，而保存於後述的校正值表261(S308)。
各分割區61之校正值C例如係使用「分割區61的IRA」，與「在步驟S303所選擇之範圍中，配有溫度感測器7之分割區61的IR值之平均值亦即IRS」，而藉由下式(1)加以計算。
[式1]C=IR S -IR A ...(1)
接著，控制部25係判斷是否已選擇過所有的範圍(S309)。在存在未選擇過之範圍的情況下(S309：否)，係再度執行步驟S303所示之處理。
另一方面，在所有的範圍均被選擇過的情況下(S309：是)，控制部25係判斷熱媒體溫度的設定值TC是否在第二溫度Tmax以上(S310)。在熱媒體溫度的設定值TC未達到第二溫度Tmax的情況下(S310：否)，控制部25係使熱媒體溫度的設定值TC升高預定溫度△T1(S311)，並再度執行步驟S302所示之處理。
另一方面，在熱媒體溫度的設定值TC在第二溫度Tmax以上的情況下(S310：是)，控制部25便結束本流程圖所示之校正值計算步驟的處理。藉此，將例如圖12所示之資料構造之校正值表261保存於保存部26內。圖12係顯示校正值表261之一例的圖式。在校正值表261中係在每一個「用於識別各分割區61的分割區ID2610」中，儲存有個表2611。在各個表2611中，係將校正值C與IRS相對應再加以儲存。
[插值曲線特定步驟]
圖13係顯示在插值曲線特定步驟中的處理之一例的流程圖。圖13所示之插值曲線特定步驟的處理，係使用校正值計算步驟之處理所保存之校正值表261的資料而進行之處理。
首先，控制部25係選擇一個未選擇過的分割區61，並從校正值表261取出與選擇之分割區61對應的IRS及校正值C(S400)。接著，控制部25係使用取出之IRS及校正值C，而特定出表示校正值C相對於IRS之變化傾向的插值曲線之係數(S401)。
圖14係說明插值曲線之係數的特定過程之一例的圖式。控制部25例如係在將IRS設為x軸，將校正值C設為y軸的xy座標平面上，將步驟S400所取出之校正值C進行製圖而作為資料80，並特定出表示經製圖後之資料80之傾向的插值曲線81。在本發明之實施態樣中，插值曲線81係以下式(2)所表示的二次曲線。
[式2]y=ax 2+bx+c...(2)
在上式(2)中的a、b及c，係插值曲線81的係數。係數a、b及c係插值曲線81的參數之一例。又，插值曲線81亦可為次數在三次以上的曲線。又，控制部25亦可特定出近似直線來代替插值曲線81，以作為表示經製圖後之資料80之傾向的線段。
接著，控制部25係將上式(2)所示之插值曲線81的係數a、b及c保存於後述的係數表262(S402)。步驟S402係保存步驟之一例。
接著，控制部25係判斷是否已選擇過所有的分割區61(S403)。在存在未選擇過之分割區61的情況下(S403：否)，係再度執行步驟S400所示之處理。
另一方面，在所有的分割區61均被選擇過的情況下(S403：是)，控制部25便結束本流程圖所示之插值曲線特定步驟的處理。藉此，將例如圖15所示之資料構造的係數表262保存於保存部26內。圖15係顯示係數表262之一例的圖式。在係數表262中，係將插值曲線的係數a、b及c的值與用於識別各分割區61的分割區ID相對應再加以儲存。
[溫度測量處理]
接著，說明使用藉由校正處理製作之係數表262，而從藉由IR熱像儀51拍攝之影像，測量靜電夾頭6上之各分割區61的溫度的處理。圖16係顯示溫度測量處理之一例的流程圖。圖16所例示的溫度測量處理，係藉由控制裝置200控制IR熱像儀51及處理裝置100之各部而實現。
首先，控制部25係從配置於靜電夾頭6之各範圍中的溫度感測器7取得溫度TS的資料(S500)。接著，控制部25係從IR熱像儀51取得靜電夾頭6之所有分割區61的IR值(S501)。接著，控制部25係針對每個分割區61計算IR值的平均值IRA(S502)。
接著，控制部25係選擇一個未選擇過的範圍，並從步驟S502所計算出的IRA中，取得選擇之範圍所包含之分割區61的IRA(S503)。
接著，控制部25係將在步驟S503選擇之範圍所包含之各分割區61的IRA進行校正，而計算IRA’(S504)。具體而言，控制部25係在步驟S503選擇之範圍所包含的分割區61之IRA中，將配置有溫度感測器7之分割區61的IRA取出作為IRS。接著，控制部25係針對在步驟S503選擇之範圍所包含的每個分割區61，從係數表262取出插值曲線的係數。接著，控制部25係針對每個分割區61，在與取出之係數對應的插值曲線上，特定出與IRS對應的校正值C。接著，控制部25係使用下式(3)針對每個分割區61計算校正後的IRA’。
[式3]IR' A =IR A +C...(3)
藉此，可校正每個分割區61之IR熱像儀51的測量誤差，而可使分割區61之IR值的精度提高。
接著，控制部25係使用IRA’、該範圍之溫度感測器7的溫度TS、及配置有該溫度感測器7之分割區61的IRS，而針對步驟S503所選擇之範圍內的每個分割區61，計算分割區61的溫度TD(S505)。控制部25例如使用下式(4)，而計算各分割區的溫度TD。
Figure 108141879-A0305-02-0023-1
接著，控制部25係判斷是否已選擇過所有的範圍(S506)。在存在未選擇過之範圍的情況下(S506：否)，控制部25係再度執行步驟S503所示的處理。另一方面，在所有的範圍均被選擇過的情況下(S506：是)，控制部25係再度執行步驟S500所示的處理。
[實驗結果]
圖17係顯示比較例中之各區60的溫度分布之測量結果之一例的圖式。圖18係顯示在本實施態樣中之各區60的溫度分布之測量結果之一例的圖式。在實驗中，係控制急冷器單元33而使在基材2a內流動之熱媒體的溫度成為80℃。又，在實驗中，係停止對各加熱器6c的電力供給。由於在基材2a內流動之熱媒體的溫度為80℃，故靜電夾頭6之頂面的溫度亦同樣約為80℃。又，在圖17及圖18中， 係將各區60所包含之分割區61的溫度測量值之平均作為區60的溫度而進行製圖。
在比較例中，係直接使用藉由IR熱像儀51測量到的IR值，測量各區60的溫度。在比較例中，例如圖17所示，在各範圍中，區60的溫度測量值有所差異。在比較例中，範圍D內的區60之溫度測量值的差異最大，而最大值與最小值的差約為1.18℃左右。
相對於此，在本發明之實施態樣中，例如圖18所示，在各範圍中，區60的溫度測量值之差異範圍大幅低於比較例。在圖18的例子中，雖然範圍D內的區60之溫度測量值的差異最大，但最大值與最小值的差約為0.09℃左右。
如此，透過使用藉由IR熱像儀51之校正處理而特定出之係數表262來校正IR熱像儀51的IR值，可使IR熱像儀51之溫度測量的精度提高。
[轉換表260的製作處理]
圖19係顯示轉換表260的製作處理之一例的流程圖。例如，控制裝置200在從處理系統10的控管者等接收到轉換表260的製作指示時，便開始本流程圖所示之處理。又，圖16所例示的溫度測量處理係與圖19所例示的轉換表260之製作處理並行執行。
首先，控制部25藉由控制供給至急冷器單元33及各加熱器6c的電力，而將靜電夾頭6的溫度TE設定成預定溫度T1(S600)。預定溫度T1例如為20℃。又， 預定溫度T1亦可係低於20℃的溫度，亦可係高於20℃的溫度。接著，控制部25會待命預定時間，直到靜電夾頭6的溫度穩定為止(S601)。
接著，控制部25係選擇一個未選擇過的區60(S602)。接著，控制部25係從藉由圖16所例示之溫度測量處理測量到的各分割區61之溫度TD中，取出在步驟S602中選擇的區60所包含之分割區61的溫度TD。接著，控制部25係將取出的分割區61之溫度TD加以平均，而作為在步驟S602中選擇之區60的溫度TZ(S603)。
接著，測量部24係基於從電力供給部20輸出的加熱器6c之電壓及電流的測量值，而測量配置於在步驟S602中選擇之區60的加熱器6c之電阻值R(S604)。接著，控制部25係使步驟S603所特定出之溫度TZ及步驟S604所計算出之電阻值R與在步驟S602選擇之區60相對應，再保存於轉換表260(S605)。
接著，控制部25係判斷是否已選擇過所有的區60(S606)。在存在未選擇過之區60的情況下(S606：否)，控制部25係再度執行步驟S602所示之處理。
另一方面，在所有的區60均被選擇過的情況下(S606：是)，控制部25係判斷靜電夾頭6的溫度TE是否在預定溫度T2以上(S607)。預定溫度T2例如為120℃。又，預定溫度T2亦可係低於120℃的溫度，亦可係高於120℃的溫度。
在靜電夾頭6的溫度TE未達到預定溫度T2的情況下(S607：否)，控制部25係藉由控制供給至急冷器單元33及各加熱器6c的電力，而使靜電夾頭6的溫度TE升高預定溫度△T2(S608)。接著，控制部25係再度執行步驟S601所示之處理。 預定溫度△T2例如為10℃。又，預定溫度△T2亦可係低於10℃的溫度，亦可係高於10℃的溫度。
另一方面，在靜電夾頭6的溫度TE在預定溫度T2以上的情況下(S607：是)，控制部25便結束本流程圖所示之轉換表260的製作處理。藉此，製作例如圖5所例示的轉換表260。
以上，便說明完第一實施態樣。在本實施態樣中的IR熱像儀51之校正方法包含：取得步驟、校正值計算步驟、插值曲線特定步驟及保存步驟。取得步驟，係將載置基板W的靜電夾頭6設定成複數不同的溫度，並在各溫度中，藉由IR熱像儀51取得來自靜電夾頭6頂面之複數分割區61各者的紅外線輻射量之測量值，亦即IR值。校正值計算步驟，係在各溫度中，將設有溫度感測器7之分割區61亦即基準區域的IR值與其他區域的IR值之差異量加以計算，而作為校正值C。插值曲線特定步驟，係針對各分割區61，特定出表示校正值C相對於基準區域的IR值之變化傾向的插值曲線。保存步驟，係將定義插值曲線的參數加以保存，該插值曲線係針對各分割區61而特定之。藉由使用「基於保存之參數的插值曲線上之校正值」，可使藉由IR熱像儀51所測量之溫度的測量精度提高。
又，在上述實施態樣中，IR熱像儀51係針對每個畫素輸出IR值，並且各分割區61的IR值，係在以IR熱像儀51拍攝分割區61時的複數畫素中之IR值的平均值。藉此，可減輕校正IR值時的運算量。
又，在上述實施態樣中，於載置基板W之側的靜電夾頭6之面形成有複數凸部，各分割區61較佳係配置成在分割區61間，分割區61所包含之凸部的數量差異較少。藉此，可使各分割區61的溫度之測量精度提高。
又，在上述實施態樣中，於基材2a的內部形成有受到溫度控制之熱媒體所流動的流道2b，在取得步驟中，係藉由控制在流道2b內流動之熱媒體的溫度，而設定流道2b及靜電夾頭6的溫度。藉此，可使整個靜電夾頭6的溫度一致。
(第二實施態樣)
在上述第一實施態樣中，係基於藉由設在基材2a內之溫度感測器7測量到的溫度TS，而校正各分割區61的IR值。相對於此，在本實施態樣中，係將設有複數溫度感測器70的測量基板W’載置於靜電夾頭6上，並基於藉由溫度感測器70測量到之測量基板W’的溫度TS，而校正各分割區61的IR值。藉此，基於與實際基板W之溫度分布接近的溫度分布，而校正各分割區61的IR值，可使藉由IR熱像儀51所測量之溫度的測量精度進一步提高。
在本實施態樣中，轉換表260係藉由例如圖20所示之構成的處理裝置100而製作。圖20係顯示在第二實施態樣中製作轉換表260時的處理裝置100之構成之一例的概略剖面圖。包含圖20所例示之處理裝置100與控制裝置200的處理系統10係校正系統之一例。
在本實施態樣中製作轉換表260時，係例如圖20所示般將噴淋頭16從腔室1移除，並將校準單元50安裝至腔室1。接著，將具有複數溫度感測器70的測量基板W’載置於靜電夾頭6上。在本實施態樣中，係基於藉由溫度感測器70測量到之 測量基板W’的溫度TS，而校正各分割區61的IR值。因此，可不用為了校正各分割區61的IR值，而在基材2a內設置溫度感測器7。在圖20的例子中，並未在基材2a內設有溫度感測器7。藉此，可將基材2a進一步小型化，或是可將基材2a的構造進一步簡化。又，由於除了以下所說明的內容之外，在圖20中附有與圖2或是圖7相同符號之構件，係具有與圖2或是圖7所示之構件相同或同樣的功能，故省略其說明。
蓋體構件52係以「使IR熱像儀51的拍攝方向朝向載置於靜電夾頭6上之測量基板W’之方向的方式」，支撐IR熱像儀51。IR熱像儀51係測量從測量基板W’之頂面輻射之紅外線輻射量的分布。接著，IR熱像儀51係將「表示測量到之紅外線輻射量的測量值之分布的資訊」，輸出至控制裝置200。以下，係將紅外線輻射量的測量值記載為IR值。本實施態樣中的IR值，係從測量基板W’的頂面輻射之紅外線輻射量的測量值。
圖21係顯示設於測量基板W’之溫度感測器70的配置之一例的圖式。在測量基板W’設有複數溫度感測器70。溫度感測器70例如為熱電偶或測溫電阻器。測量基板W’係以使測量基板W’的基準位置與靜電夾頭6的基準位置一致的方式載置於靜電夾頭6上。測量基板W’基準位置例如為略圓板狀之測量基板W’的中心軸之位置O’。靜電夾頭6的基準位置例如為略圓筒狀之靜電夾頭6的中心軸之位置O。複數溫度感測器70在測量基板W’載置於靜電夾頭6上的情況下，係例如圖21所示般以「在與靜電夾頭6頂面之範圍A~D各者對應的位置，各設有一個溫度感測器70的方式」，配置於測量基板W’。
在本實施態樣中，複數溫度感測器70係埋設於測量基板W’。藉此，可防止從測量基板W’之表面往IR熱像儀51之方向輻射的紅外線被溫度感測器70阻擋之情形。又，複數溫度感測器70亦可設於測量基板W’的表面，測量基板W’亦能以「將設有溫度感測器70之測量基板W’的面朝向IR熱像儀51側的方式」，載置於靜電夾頭6上。藉此，可藉由溫度感測器70而更精度良好地測量測量基板W’之表面的溫度。又，可較容易製作設有複數溫度感測器70的測量基板W’。又，在溫度感測器70設於測量基板W’之表面的情況下，從設有溫度感測器70之測量基板W’上的區域輻射之紅外線的IR值會受到遮擋，故較佳係基於溫度感測器70之周圍區域的IR值而以插值的值取代之。
又，在本實施態樣中，測量基板W’主要的兩個面中的至少一面係塗佈有紅外線發射率比矽高的材料。例如，在測量基板W’主要的兩個面中的至少一面係塗佈有黑色的材料。又，只要係紅外線發射率比矽高的材料即可，亦可塗佈紅色或綠色等，黑以外之顏色的材料。又，測量基板W’的塗佈方法並不限於塗佈，亦可係將紅外線發射率比矽高的板狀或是薄膜狀的材料，貼附於測量基板W’主要的兩個面中的至少一面。又，亦可使用紅外線發射矽率比矽高，但熱傳導率與矽相同的材料作為測量基板W’。作為如此之材料可列舉例如，進行過表面滲鋁處理的鋁合金等。又，亦可將如此之材料或是具有與其相同特性的材料加工成板狀或是薄膜狀，再貼附於測量基板W’主要的兩個面中的至少一面。測量基板W’係以「使塗佈有紅外線發射率比矽高的材料的面朝向IR熱像儀51側的方式」，載置於靜電夾頭6上。藉此，IR熱像儀51可效率良好地接收從測量基板W’輻射的紅外線。
由於除了使用從測量基板W’輻射之紅外線的測量值作為IR值，及使用藉由設在與各範圍對應之測量基板W’上之位置的溫度感測器70測量到的溫度作為溫度TS以外，均與第一實施態樣相同，故省略之後的說明。
以上，便說明完第二實施態樣。本實施態樣中的IR熱像儀51之校正方法包含：取得步驟、校正值計算步驟、插值曲線特定步驟及保存步驟。取得步驟，係將載置基板W的靜電夾頭6設定成複數不同的溫度。接著，在各溫度中，藉由IR熱像儀51取得來自載置於靜電夾頭6之測量基板W’頂面之複數分割區61各者的紅外線輻射量之測量值，亦即IR值。校正值計算步驟，係在各溫度中，將與設於測量基板W’之溫度感測器70位置對應的分割區61亦即基準區域的IR值，與其他分割區61的IR值的差異量加以計算，而作為校正值C。插值曲線特定步驟，係針對各分割區61，而特定出表示校正值C相對於基準區域的IR值之變化傾向的插值曲線。保存步驟，係將定義插值曲線的參數加以保存，該插值曲線係針對各分割區61而特定之。藉由使用「基於保存之參數的插值曲線上的校正值」，可使藉由IR熱像儀51所測量之溫度的測量精度提高。
又，本實施態樣中的校正系統之一例亦即處理系統10包含：腔室1、靜電夾頭6、溫度感測器70、IR熱像儀51及控制裝置200。靜電夾頭6，係設於腔室1內並載置測量基板W’。溫度感測器70，係設於測量基板W’並測量測量基板W’的溫度。IR熱像儀51，係測量從載置於靜電夾頭6之測量基板W’頂面輻射的紅外線輻射量。控制裝置200，係執行取得步驟、校正值計算步驟、插值曲線特定步驟及保存步驟。取得步驟，係將靜電夾頭6設定成複數不同的溫度，並在各溫度中，藉由IR熱像儀51取得來自載置於靜電夾頭6之測量基板W’頂面的複數分割區61各者的紅外線輻射量之測量值，亦即IR值。校正值計算步驟，係在各溫度，將 與溫度感測器70之位置的分割區61亦即基準區域的IR值，與其他分割區61的IR值的差異量加以計算，而作為校正值C。插值曲線計算步驟，係針對各分割區61，而計算表示校正值C相對於基準區域的IR值之變化傾向的插值曲線。保存步驟，係將針對各分割區61而特定出之插值曲線的參數加以保存。藉由使用基於保存之參數之插值曲線上的校正值，可使藉由IR熱像儀51所測量之溫度的測量精度提高。
又，在本實施態樣中的校正系統中，測量基板W’係至少一面塗佈有紅外線發射率比矽高的材料，並以使受到塗佈的面朝向IR熱像儀51側的方式，載置於靜電夾頭6上。藉此，IR熱像儀51可效率良好地接收從測量基板W’輻射的紅外線。
[硬體]
此外，上述各實施態樣中的控制裝置200係藉由例如圖22所示硬體而實現。圖22係顯示控制裝置200的硬體構成之一例的圖式。控制裝置200包含：CPU(Central Processing Unit：中央處理單元)201、RAM(Random Access Memory：隨機存取記憶體)202、ROM(Read Only Memory：唯讀記憶體)203及輔助儲存裝置204。又，控制裝置200包含：通訊介面(I/F)205、輸入輸出介面(I/F)206及媒體介面(I/F)207。
CPU201係基於從ROM203或是輔助儲存裝置204讀取而擷取至RAM202上的程式動作，而進行各部的控制。ROM203係儲存「在控制裝置200啟動時，由CPU201執行的開機程式」、或是「取決於控制裝置200之硬體的程式」等。
輔助儲存裝置204例如為HDD(Hard Disk Drive：硬碟)或是SSD(Solid State Drive：固態硬碟)等，其儲存由CPU201執行之程式及被該程式使用的資料等。CPU201係從輔助儲存裝置204讀取該程式而載入至RAM202上，並執行載入的程式。
通訊I/F205係經由LAN(Local Area Network：區域網路)等通訊線路，而在處理裝置100及IR熱像儀51之間進行通訊。通訊I/F205係經由通訊線路而從處理裝置100及IR熱像儀51接收資料並送至CPU201，再將CPU201所產生之資料經由通訊線路而傳輸至處理裝置100及IR熱像儀51。
CPU201係經由輸入輸出I/F206，而控制鍵盤等輸入裝置及顯示器等輸出裝置。CPU201係經由輸入輸出I/F206而取得從輸入裝置輸入的訊號並送至CPU201。又，CPU201係經由輸入輸出I/F206而將產生之資料輸出至輸出裝置。
媒體I/F207係讀取儲存於記錄媒體208的程式或是資料，並儲存於輔助儲存裝置204。記錄媒體208例如為DVD(Digital Versatile Disc：數位化多功能光碟)、PD(Phase change rewritable Disk：相位變更可讀寫式光碟)等光學記錄媒體、MO(Magneto-Optical disk：磁光碟)等磁光記錄媒體、磁帶媒體、磁氣記錄媒體或是半導體記憶體等。
CPU201係藉由執行載入至RAM202上的程式，而實現電力供給部20、測量部24及控制部25的各功能。又，保存部26內的資料係儲存於輔助儲存裝置204中。
CPU201係從記錄媒體208讀取載入至RAM202上的程式再儲存至輔助儲存裝置204，但作為其他例子，亦可經由通訊線路而從其他裝置取得程式，再儲存至輔助儲存裝置204。
[其他]
又，本發明所揭露之技術並不限定於上述實施態樣，可在其主旨的範圍內進行各種變形。
例如，在上述各實施態樣中，係將各區60分割成複數分割區61，並以分割區61為單位進行IR值之平均值IRA的校正，但本發明之技術並不限定於此。例如，亦可以區60為單位進行IRA的校正。
又，在上述各實施態樣中，係在各範圍各設有一個溫度感測器7或是溫度感測器70，但本發明之技術並不限定於此。就其他的例子而言，溫度感測器7或是溫度感測器70亦可在各範圍設置二個以上，亦可對複數範圍設置一個。
又，在上述第一實施態樣中，關於溫度感測器7係以螢光式光纖溫度計為例而加以說明，但本發明之技術並不限定於此。溫度感測器7只要係可測量溫度的感測器，亦可為例如熱電偶等，螢光式光纖溫度計以外的感測器。
又，在上述各實施態樣中，係說明電漿蝕刻裝置作為對基板W進行處理之裝置之一例，但本發明之技術並不限定於此。只要係具有「在處理基板W時，藉由加熱器6c控制基板W溫度之機構」的處理裝置，例如，在成膜裝置、改質裝置或是清洗裝置等中亦可應用本發明之技術。
又，在上述各實施態樣中，係使用電容耦合型電漿(CCP)作為電漿源之一例，但本發明之技術並不限定於此。作為電漿源，例如亦可使用：電感耦合電漿(ICP)、微波激發表面波電漿(SWP)、電子迴旋共振電漿(ECP)，或是螺旋波激發電漿(HWP)等。
又，吾人應瞭解，本次所揭露之實施態樣，其所有的內容僅為例示而非限制。實際上，上述實施態樣能以各種形態實現。又，上述實施態樣只要不脫離附加之申請專利範圍及其主旨，亦能以各式各樣的形態進行省略、替換及變更。
S200,S300,S400:步驟

Claims (8)

  1. 一種紅外線熱像儀之校正方法，其包含以下步驟：取得步驟，將載置基板的載置台設定成複數不同的溫度，並在各溫度中，從紅外線熱像儀取得來自該載置台頂面的複數區域各者之紅外線輻射量的測量值；校正值計算步驟，在各該溫度中，將設有溫度感測器之該區域亦即基準區域的該測量值，與其他該區域的該測量值的差異量加以計算，而作為校正值；插值曲線特定步驟，針對各該區域，藉由取出與該區域對應之該基準區域的該測量值及該校正值，進而由該基準區域的該測量值及該校正值，來特定出表示該校正值相對於該基準區域的該測量值之變化傾向的插值曲線；及保存步驟，將針對各該區域而特定出之該插值曲線的參數加以保存。
  2. 如請求項1所述之紅外線熱像儀之校正方法，其中，該紅外線熱像儀係針對每個畫素輸出該測量值，而各該區域的該測量值，係以該紅外線熱像儀拍攝該區域時的複數畫素中之該測量值的平均值。
  3. 如請求項1或2所述之紅外線熱像儀之校正方法，其中，在載置該基板之一側的該載置台之面形成有複數凸部，各該區域係配置成在該區域間，該區域所包含之該凸部的數量差異較少。
  4. 如請求項1或2所述之紅外線熱像儀之校正方法，其中，在該載置台的內部形成有受到溫度控制之熱媒體所流動的流道，在該取得步驟中，係藉由控制在該流道內流動之該熱媒體的溫度，而設定該載置台的溫度。
  5. 一種紅外線熱像儀之校正系統，包含：腔室；載置台，設於該腔室內，並用於載置基板；溫度感測器，測量該載置台之一部分的溫度；紅外線熱像儀，測量從該載置台之頂面輻射的紅外線量；及控制裝置；該控制裝置係執行以下步驟：取得步驟，將該載置台設定成複數不同的溫度，並在各溫度中，藉由該紅外線熱像儀取得來自該載置台頂面之複數區域各者的紅外線輻射量之測量值；校正值計算步驟，在各該溫度中，將設有該溫度感測器之該區域亦即基準區域的該測量值，與其他該區域之該測量值的差異量加以計算，而作為校正值；插值曲線計算步驟，針對各該區域，藉由取出與該區域對應之該基準區域的該測量值及該校正值，進而由該基準區域的該測量值及該校正值，來計算出表示該校正值相對於該基準區域的該測量值之變化傾向的插值曲線；及保存步驟，將定義針對各該區域而特定出之該插值曲線的參數加以保存。
  6. 一種紅外線熱像儀之校正方法，包含以下步驟：取得步驟，將載置基板的載置台設定成複數不同的溫度，並在各溫度中，藉由紅外線熱像儀取得紅外線輻射量之測量值，該紅外線來自載置於該載置台之該基板頂面的複數區域各者；校正值計算步驟，在各該溫度中，將與設於該基板的溫度感測器之位置對應的該區域亦即基準區域的該測量值，與其他該區域之該測量值的差異量加以計算，而作為校正值； 插值曲線特定步驟，針對各該區域，藉由取出與該區域對應之該基準區域的該測量值及該校正值，進而由該基準區域的該測量值及該校正值，來特定出表示該校正值相對於該基準區域的該測量值之變化傾向的插值曲線；及保存步驟，將針對各該區域而特定出之該插值曲線的參數加以保存。
  7. 一種紅外線熱像儀之校正系統，包含：腔室；載置台，設於該腔室內，用於載置基板；溫度感測器，設於該基板，並測量該基板的溫度；紅外線熱像儀，測量從載置於該載置台之該基板的頂面輻射的紅外線量；及控制裝置；該控制裝置係執行以下步驟：取得步驟，將該載置台設定成複數不同的溫度，並在各溫度中，藉由該紅外線熱像儀取得來自載置於該載置台之該基板頂面的複數區域各者的紅外線輻射量之測量值；校正值計算步驟，在各該溫度中，將與該溫度感測器之位置對應的該區域亦即基準區域的該測量值，與其他該區域之該測量值的差異量加以計算，而作為校正值；插值曲線計算步驟，針對各該區域，藉由取出與該區域對應之該基準區域的該測量值及該校正值，進而由該基準區域的該測量值及該校正值，來計算出表示該校正值相對於該基準區域的該測量值之變化傾向的插值曲線；及保存步驟，將針對各該區域而特定出之該插值曲線的參數加以保存。
  8. 如請求項7所述之紅外線熱像儀之校正系統，其中， 該基板中，至少一面塗佈有紅外線發射率比矽高的材料，並以使該受到塗佈的面朝向該紅外線熱像儀側的方式，載置於該載置台上。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102672547B1 (ko) * 2021-03-25 2024-06-07 주식회사 히타치하이테크 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 방법
CN117969769B (zh) * 2024-03-29 2024-05-31 山东昆仲信息科技有限公司 基于传感技术的大气污染物含量监测方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6168311B1 (en) * 1998-10-13 2001-01-02 Checkpoint Technologies Llc System and method for optically determining the temperature of a test object
JP2014185898A (ja) * 2013-03-22 2014-10-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 温度測定装置、温度測定方法および熱処理装置
JP2016121914A (ja) * 2014-12-24 2016-07-07 東京エレクトロン株式会社 温度測定機構、熱処理装置
TW201743033A (zh) * 2016-06-02 2017-12-16 Azbil Corp 溫度測定裝置
US20170372928A1 (en) * 2016-06-24 2017-12-28 Tokyo Electron Limited Substrate processing system and temperature control method
US20210302234A1 (en) * 2020-03-27 2021-09-30 Ecb Consulting Llc Systems and approaches for improving accuracy of temperature measurements using thermal imaging

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001268440A (ja) * 2000-03-23 2001-09-28 Toshiba Corp 赤外線撮像装置
JP2018032721A (ja) * 2016-08-24 2018-03-01 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置のメンテナンス方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6168311B1 (en) * 1998-10-13 2001-01-02 Checkpoint Technologies Llc System and method for optically determining the temperature of a test object
JP2014185898A (ja) * 2013-03-22 2014-10-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 温度測定装置、温度測定方法および熱処理装置
JP2016121914A (ja) * 2014-12-24 2016-07-07 東京エレクトロン株式会社 温度測定機構、熱処理装置
TW201743033A (zh) * 2016-06-02 2017-12-16 Azbil Corp 溫度測定裝置
US20170372928A1 (en) * 2016-06-24 2017-12-28 Tokyo Electron Limited Substrate processing system and temperature control method
US20210302234A1 (en) * 2020-03-27 2021-09-30 Ecb Consulting Llc Systems and approaches for improving accuracy of temperature measurements using thermal imaging

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