TWI826130B - 顯示面板 - Google Patents
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Abstract
一種顯示面板包含下部基板、發光二極體晶片與上部基板。下部基板包含介電層、第一電極墊與第二電極墊。第一電極墊位於介電層上。第二電極墊位於介電層上，相鄰第一電極墊，且第一電極墊與第二電極墊用以提供不同電位。發光二極體晶片包含位於相對兩側的第一電極與第二電極，第一電極電性連接第一電極墊。上部基板在下部基板與發光二極體晶片上，上部基板包含載板、上部堤岸結構與透明導電層。載板具有面向下部基板的表面。上部堤岸結構設置在表面。透明導電層覆蓋載板的表面與上部堤岸結構，透明導電層電性連接第二電極與第二電極墊。
Description
本揭露的一些實施方式是關於一種顯示面板。
發光二極體顯示器為現今常見的顯示器之一。一般而言，製造發光二極體顯示器時，需進行巨量轉移製程，以將大量的發光二極體晶片轉移至特定載板上。接著，在發光二極體晶片與載板上形成透明導電層，以將發光二極體晶片的電極與載板上的電極電性連接。當發光二極體晶片的電極與載板上的電極無法有效連接時，便容易造成發光二極體晶片失效。
本揭露的一些實施方式提供一種顯示面板，包含下部基板、發光二極體晶片與上部基板。下部基板包含介電層、第一電極墊與第二電極墊。第一電極墊位於介電層上。第二電極墊位於介電層上，相鄰第一電極墊，且第一電極墊與第二電極墊用以提供不同電位。發光二極體晶片包含位於相對兩側的第一電極與第二電極，第一電極電性連接第一電極墊。上部基板在下部基板與發光二極體晶片上，上部基板包含載板、上部堤岸結構與透明導電層。載板具有面向下部基板的表面。上部堤岸結構設置在表面。透明導電層覆蓋載板的表面與上部堤岸結構，透明導電層電性連接第二電極與第二電極墊。
在一些實施方式中，上部堤岸結構的任一者的側面與載板的表面形成夾角，夾角小於或等於50度。
在一些實施方式中，下部基板更包含複數個下部堤岸結構，排列於介電層上，下部堤岸結構在上部堤岸結構下。
在一些實施方式中，顯示面板更包含導電材料，導電材料於下部基板的垂直投影與上部堤岸結構於下部基板的複數個垂直投影重疊，且電性連接透明導電層與第二電極墊。
在一些實施方式中，導電材料為金屬或導電膠。
在一些實施方式中，導電材料的高度大致等於下部堤岸結構的高度。
在一些實施方式中，上部堤岸結構為吸光材料。
在一些實施方式中，下部堤岸結構為反光材料。
在一些實施方式中，顯示面板更包含反光層，位於上部堤岸結構與透明導電層之間。
在一些實施方式中，上部堤岸結構的其中一者包含上部與下部，上部堤岸結構的其中一者的下部相鄰下部堤岸結構，上部於下部基板的垂直投影與下部於下部基板的垂直投影重疊，下部於下部基板的垂直投影與第二電極墊於下部基板的垂直投影重疊。
在一些實施方式中，上部堤岸結構的其中一者包含上部與下部，上部堤岸結構的第二堤岸結構相鄰下部堤岸結構。
綜上所述，本揭露的一些實施方式可用於減少顯示面板的透明導電層斷線的風險。具體而言，可降低透明導電層的坡度來降低透明導電層斷線的風險。如此一來，可減少發光二極體晶片因透明導電層斷線而失效的機率。
為使熟悉本揭露所屬技術領域之一般技藝者能更進一步了解本揭露，下文特列舉本揭露之較佳實施例，並配合所附圖式，詳細說明本揭露的構成內容及所欲達成之功效。
本揭露的一些實施方式可用於減少顯示面板的透明導電層斷線的風險。具體而言，可降低透明導電層的坡度來降低透明導電層斷線的風險。如此一來，可減少發光二極體晶片因透明導電層斷線而失效的機率。
第1圖繪示本揭露的一些實施方式的顯示面板10的橫截面視圖。顯示面板10包含下部基板100、發光二極體晶片200與上部基板300。下部基板100包含介電層110、第一電極墊120與第二電極墊130。上部基板300在下部基板100與發光二極體晶片200上，上部基板300包含載板310與透明導電層330。
下部基板100可為包含有驅動元件的面板。下部基板100包含多個由下往上堆疊的介電層110，介電層110可形成在基板140上。在一些實施方式中，如第1圖所示，下部基板100可包含主動元件150，例如薄膜電晶體(thin film transistor，TFT)。在另一些實施方式中，下部基板100也可包含其他的驅動元件例如微晶片(micro chip)，又或者主動元件可以不位於如第1圖所示的位置，例如主動元件可位於基板140的下方，並以雙面走線的方式驅動顯示面板10。第一電極墊120位於介電層110上。第二電極墊130位於介電層110上，相鄰第一電極墊120，且第一電極墊120與第二電極墊130用以提供不同電位。在一些實施方式中，下部基板100包含在介電層110之間的介電層112，且介電層112可由氮化矽製成。下部基板100更包含複數個下部堤岸結構160，排列於介電層110上。
發光二極體晶片200包含位於相對兩側的第一電極210與第二電極220，第一電極210電性連接第一電極墊120，且第一電極210與第二電極220具有磊晶層230。具體而言，下部基板100可更包含第一通孔件170與第二通孔件180。第一通孔件170與第二通孔件180位於介電層110中。第一通孔件170電性連接主動元件150與發光二極體晶片200的第一電極210。第二通孔件180電性連接接地電極(未繪示)與發光二極體晶片200的第二電極220。應注意，雖然第1圖繪示在不同介電層110上的第二通孔件180不互連，但在不同於第1圖所繪示的橫截面上，在不同介電層110上的第二通孔件180仍會互相連接。
上部基板300可為將發光二極體晶片200的第二電極220與下部基板100的第二電極墊130電性連接的基板。上部基板300包含載板310，載板310具有面向下部基板100的表面310S。複數個上部堤岸結構320設置在表面310S。透明導電層330覆蓋載板310的表面310S與上部堤岸結構320，透明導電層330電性連接第二電極220，並藉由導電材料400電性連接第二電極220。換句話說，透明導電層330電性連接第二電極220與第二電極墊130。
下部基板100的下部堤岸結構160在上部堤岸結構320下。在一些實施方式中，下部堤岸結構160於下部基板100的垂直投影重疊於上部堤岸結構320於下部基板100的垂直投影。更具體而言，上部堤岸結構320包含第一堤岸結構322與第二堤岸結構324。第一堤岸結構322於下部基板100的垂直投影與下部堤岸結構160於下部基板100的複數個垂直投影重疊，第二堤岸結構324於下部基板100的垂直投影與第二電極墊130於下部基板100的垂直投影重疊。第一堤岸結構322的高度H1與第二堤岸結構324的高度H2相同。發光二極體晶片200的高度H4等於在載板310上的透明導電層330與第一電極墊120之間的距離，以確保發光二極體晶片200可同時電性連接透明導電層330與第一電極墊120。
顯示面板10更包含導電材料400，導電材料400於下部基板100的垂直投影與上部堤岸結構320於下部基板100的垂直投影重疊，且電性連接透明導電層330與第二電極墊130。導電材料400的高度H5等於在上部堤岸結構320上的透明導電層330與第二電極墊130之間的距離，以確保導電材料400可同時電性連接透明導電層330與第二電極墊130。在一些實施方式中，導電材料400為金屬或導電膠。舉例而言，第1圖中，導電材料400為導電膠，且導電材料400由密封膠402與導電球404組成。導電球404均勻散佈在密封膠402中。密封膠402可為丙烯酸-環氧樹酯、光起始劑、熱硬化劑、耦合劑、填充劑、其組合或類似物。導電球404可為表面上依序塗佈鎳層與金層的球狀物，並可用於電性連接第二電極墊130與透明導電層330。
因為發光二極體晶片200的高度H4實質上等於在載板310上的透明導電層330與第一電極墊120之間的距離，且透明導電層330僅形成在上部堤岸結構320的表面，因此透明導電層330形成的坡度較小。上部堤岸結構320與第二電極墊130之間的電性連接是透過導電材料400，使得透明導電層330較不易因坡度太陡而斷裂，而使發光二極體晶片200失效。在一些實施方式中，上部堤岸結構320的任一者的側面320S與載板310的表面310S形成夾角a1，夾角a1小於或等於50度。當夾角a1小於或等於50度時，透明導電層330的坡度較小，因此較不容易斷裂。反之，當夾角a1大於50度時，則會增加透明導電層330斷裂的機率。
在一些實施方式中，上部堤岸結構320與下部堤岸結構160可使用適合的材料製成，且上部堤岸結構320與下部堤岸結構160的形狀經過設計，以強化顯示面板10的視覺體驗。在部分實施例中，上部堤岸結構320與下部堤岸結構160可由不同材料製成。舉例而言，下部堤岸結構160可為反光材料，以將發光二極體晶片200往側邊發出的光往上反射，以提高顯示面板10的向上出光效率。上部堤岸結構320可為吸光材料，以吸收從顯示面板10的外部射入的環境光，以降低由環境光對顯示面板10所造成的干擾。此外，上部堤岸結構320可為倒梯形，下部堤岸結構160可為正梯形。舉例來說，上部堤岸結構320的寬度往下部基板100逐漸變小，而下部堤岸結構160的寬度往下部基板100逐漸增加。因此，下部堤岸結構160的正梯形的傾斜側面有助於將發光二極體晶片200往側邊發出的光往上反射。上部堤岸結構320的倒梯形具有較大的上表面，也能夠更有效地吸收從顯示面板10的外部射入的環境光。在一些實施方式中，上部堤岸結構320可由黑色的有機材料形成，且遮蔽率(optical density)不小於1.0，例如遮蔽率可為2.0。下部堤岸結構160可由白色的有機材料形成，且反射率不低於50%。例如反射率可大於或等於70%。上部堤岸結構320與下部堤岸結構160也可使用可壓縮材料製成。在一些實施方式中，上部堤岸結構320與下部堤岸結構160的材料的壓縮率在80%至90%之間。因此，當上部基板300與下部基板100組裝在一起之前，上部堤岸結構320的厚度與下部堤岸結構160的厚度加總較大。當上部基板300與下部基板100組裝在一起之後，上部堤岸結構320的厚度與下部堤岸結構160的厚度被壓縮，使得上部基板300的透明導電層330能確實地接觸導電材料400。
顯示面板10更包含黏接層500。黏接層500在上部基板300與下部基板100之間，以用於黏接上部基板300與下部基板100並提供支撐力。在一些實施方式中，黏接層500可由摻雜少量的支撐物的密封膠製成。黏接層500的密封膠可為丙烯酸-環氧樹酯、光起始劑、熱硬化劑、耦合劑、填充劑、其組合或類似物，以黏接上部基板300與下部基板100。支撐物則可為纖維或矽球等可提供支撐力的物件，且可依照上部基板300與下部基板100之間的目標高度選擇支撐物的尺寸。
第2圖繪示第1圖的發光二極體晶片200的橫截面視圖。發光二極體晶片200包含第一電極210、第二電極220、磊晶層230與絕緣層240。第一電極210包含第一層212與第二層214，且第二層214在第一層212與磊晶層230之間。第一電極210的第一層212與第二層214可由導體製成。在一些實施方式中，第一層212可由鎳、錫、金或其組合製成。第二層214可由鋁製成。第二電極220可由透明導電層，例如氧化銦錫(ITO)製成，使得發光二極體晶片200往上發光時(即朝著第1圖與第2圖的第二電極220的方向)，光仍可穿透第二電極220。磊晶層230在第一電極210與第二電極220之間。磊晶層230的寬度可隨著越靠近第二電極220而越窄，亦即磊晶層230可為正梯形。磊晶層230可包含N型半導體層232、多重量子井(Multiple-Quantum Well，MQW)層234與P型半導體層236。在一些實施方式中，N型半導體層232與P型半導體層236可分別為N型摻雜氮化鎵與P型摻雜氮化鎵。絕緣層240在磊晶層230的側壁上並包覆一部分的第二電極220。在一些實施方式中，絕緣層240可為氧化層。
第3A圖繪示第1圖的上部基板300的仰視圖。第3B圖繪示第1圖的下部基板100的俯視圖。在第3A圖中，上部基板300的上部堤岸結構320沿著第一方向D1排列於載板310的表面310S。複數個上部堤岸結構320(例如但不限於3個)可組成一個單位，且每單位上部堤岸結構320之間具有一個較大的空間。該較大的空間用於容納發光二極體晶片200。透明導電層330覆蓋載板310的表面310S與上部堤岸結構320。
在第3B圖中，下部基板100的下部堤岸結構160沿著第一方向D1排列於介電層110上，且每個下部堤岸結構160之間的距離大致相同。每個下部堤岸結構160皆可對應至其中一個上部堤岸結構320。發光二極體晶片200可位於兩個相鄰的下部堤岸結構160之間，且發光二極體晶片200可被容納在上部堤岸結構320之間的空間內。在一些實施方式中，發光二極體晶片200可包含發出不同色光的發光二極體晶片200R、200B與200G，發光二極體晶片200R、200B與200G也可沿著第一方向D1排列並各自位於兩個相鄰的下部堤岸結構160之間。導電材料400也可位於兩個相鄰的下部堤岸結構160之間，且導電材料400對應至其中一個上部堤岸結構320。黏接層500位於下部基板100的外圍，因此可用於黏合下部基板100與上部基板300。
第4圖至第7圖繪示製造顯示面板10的製程的橫截面視圖。在第4圖中，提供下部基板100’。
在第5圖中，在下部基板100’上形成下部堤岸結構160以形成下部基板100，且下部堤岸結構160不覆蓋第一電極墊120與第二電極墊130。下部基板100的相關細節如第1圖所述，因此在此不再贅述。
在第6圖中，將發光二極體晶片200轉移在第一電極墊120上，使下部基板100的第一電極墊120連接至發光二極體晶片200的第一電極210。
在第7圖中，在下部基板100的第二電極墊130上形成導電材料400並在下部基板100的外圍形成黏接層500，接著放置上部基板300於下部基板100上，使下部基板100的第二電極墊130藉由導電材料400與透明導電層330連接至發光二極體晶片200的第二電極220，以形成顯示面板10。由於透明導電層330已事先形成在上部基板300上，因此當直接將上部基板300置於下部基板100上時，即可同時連接第二電極墊130與第二電極220，而不用在發光二極體晶片200的周圍形成用於電性連接的額外材料，以避免形成額外材料而造成發光二極體晶片200脫落。
第8圖繪示本揭露的另一些實施方式的顯示面板10A的橫截面視圖。顯示面板10A與第1圖的顯示面板10類似，兩者的差別在於顯示面板10A的發光二極體晶片200的結構與顯示面板10的發光二極體晶片200的結構不同、透明導電層330的位置不同與導電材料400的位置不同。具體而言，第8圖的顯示面板10A的發光二極體晶片200的第一電極210藉由透明導電層330電性連接第一電極墊120，且顯示面板10A的發光二極體晶片200的第二電極220直接接觸並電性連接第二電極墊130。第1圖的顯示面板10的發光二極體晶片200的第一電極210直接接觸並電性連接第一電極墊120，且顯示面板10的發光二極體晶片200的第二電極220藉由透明導電層330電性連接第二電極墊130。此外，第8圖的顯示面板10A的上部堤岸結構320的第二堤岸結構324於下部基板100的垂直投影與第一電極墊120於下部基板100的垂直投影重疊，而第1圖的顯示面板10的上部堤岸結構320的第二堤岸結構324於下部基板100的垂直投影與第二電極墊130於下部基板100的垂直投影重疊。在部分實施例中，至少一個上部堤岸結構320和下部堤岸結構160直接接觸。
第9圖繪示第8圖的發光二極體晶片200的橫截面視圖。發光二極體晶片200包含第一電極210、第二電極220、磊晶層230與絕緣層240。第一電極210可由透明導電層，例如氧化銦錫(ITO)製成，使得發光二極體晶片200往上發光時(即朝著第8圖與第9圖的第一電極210的方向)，光仍可穿透第一電極210。第二電極220包含第一層222與第二層224，且第二層224在第一層222與磊晶層230之間。第二電極220的第一層222與第二層224可由導體製成。在一些實施方式中，第一層222可由鎳、錫、金或其組合製成。第二層224可由鋁製成。磊晶層230在第一電極210與第二電極220之間。磊晶層230的寬度可隨著越靠近第一電極210而越寬，亦即磊晶層230可為倒梯形。磊晶層230可包含N型半導體層232、多重量子井(Multiple-Quantum Well，MQW)層234與P型半導體層236。在一些實施方式中，N型半導體層232與P型半導體層236可分別為N型摻雜氮化鎵與P型摻雜氮化鎵。絕緣層240在磊晶層230的側壁上並包覆一部分的第一電極210。在一些實施方式中，絕緣層240可為氧化層。
第10A圖繪示第8圖的上部基板300的仰視圖。第10B圖繪示第8圖的下部基板100的俯視圖。在第10A圖中，上部基板300的上部堤岸結構320沿著第一方向D1排列於載板310的表面310S。複數個上部堤岸結構320(例如但不限於3個)可組成一個單位，且每單位上部堤岸結構320之間具有一個較大的空間。該較大的空間用於容納發光二極體晶片200。透明導電層330覆蓋載板310的表面310S與上部堤岸結構320。與第10A圖的上部基板300不同的是，第3A圖的上部基板300的透明導電層330負責將發光二極體晶片200的第二電極220連接至第二電極墊130(亦即接地電極)，因此透明導電層330可覆蓋全部的上部堤岸結構320。另一方面，第10A圖的上部基板300的透明導電層330負責將發光二極體晶片200的第一電極210連接至第一電極墊120與主動元件150，因此上部基板300包含多個透明導電層330，每個透明導電層330覆蓋部分的上部堤岸結構320與用於容納發光二極體晶片200的空間。透明導電層330也可不覆蓋部分的上部堤岸結構320。
在第10B圖中，下部基板100的下部堤岸結構160沿著第一方向D1排列於介電層110上，且每個下部堤岸結構160之間的距離大致相同。每個下部堤岸結構160皆可對應至其中一個上部堤岸結構320。發光二極體晶片200可位於兩個相鄰的下部堤岸結構160之間，且發光二極體晶片200可被容納在上部堤岸結構320之間的空間內並接觸透明導電層330。在一些實施方式中，發光二極體晶片200可包含發出不同色光的發光二極體晶片200R、200B與200G，發光二極體晶片200R、200B與200G也可沿著第一方向D1排列並各自位於兩個相鄰的下部堤岸結構160之間。導電材料400也可位於兩個相鄰的下部堤岸結構160之間，且導電材料400對應至其中一個上部堤岸結構320。黏接層500位於下部基板100
的外圍，因此可用於黏合下部基板100與上部基板300。
第11圖繪示本揭露的另一些實施方式的顯示面板10B的橫截面視圖。顯示面板10B與第1圖的顯示面板10類似，兩者的差別在於第11圖的顯示面板10B的導電材料400為金屬，而第1圖的顯示面板10的導電材料400為導電膠。
第12圖繪示本揭露的另一些實施方式的顯示面板10C的橫截面視圖。顯示面板10C與第1圖的顯示面板10類似，兩者的差別在於第11圖的顯示面板10B的上部堤岸結構320的其中一者包含上部326與下部328，上部堤岸結構320的下部328相鄰下部堤岸結構160。上部326於下部基板100的垂直投影與下部328於下部基板100的垂直投影重疊，下部328於下部基板100的垂直投影與第二電極墊130於下部基板100的垂直投影重疊。上部堤岸結構320的上部326的側面326S與上部堤岸結構320的下部328的側面328S不互連，且透明導電層330覆蓋上部堤岸結構320的上部326與下部328。上部堤岸結構320的上部326的側面326S與載板310的表面310S形成夾角a2，上部堤岸結構320的下部328的側面328S與載板310的表面310S形成夾角a3，夾角a2與a3小於或等於50度。在一些實施方式中，下部328的下表面相對下部基板100的高度H7小於上部326的下表面相對下部基板100的高度H6，因此下部328可更靠近第二電極墊130，使得不需設置導電材料400即可完成透明導電層330與第二電極墊130之間的電性連接。
第13圖繪示本揭露的另一些實施方式的顯示面板10D的橫截面視圖。顯示面板10D與第1圖的顯示面板10類似，兩者的差別在於顯示面板10D更包含反光層340，位於上部堤岸結構320與透明導電層330之間。反光層340可用於將發光二極體晶片200往側邊發出的光往上反射，進一步提高顯示面板10的向上出光效率。在一些實施方式中，反光層340可由金屬製成。
綜上所述，本揭露的一些實施方式可減少顯示面板中透明導電層斷線的風險。舉例而言，顯示面板可包含上部基板與下部基板。透明導電層可僅形成在上部基板的上部堤岸結構上，且透過額外的導電材料電性連接至下部基板。因此，上部基板的上部堤岸結構的側壁與上部基板的載板表面之間的夾角可設計的較小，以降低透明導電層斷線的風險。如此一來，顯示面板中的發光二極體晶片便不容易因透明導電層斷線而導致失效。
雖然本揭露已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本揭露的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10:顯示面板
10A:顯示面板
10B:顯示面板
10C:顯示面板
10D:顯示面板
100:下部基板
100’:下部基板
110:介電層
112:介電層
120:第一電極墊
130:第二電極墊
140:基板
150:主動元件
160:下部堤岸結構
170:第一通孔件
180:第二通孔件
200:發光二極體晶片
200B:發光二極體晶片
200G:發光二極體晶片
200R:發光二極體晶片
210:第一電極
212:第一層
214:第二層
220:第二電極
222:第一層
224:第二層
230:磊晶層
232:N型半導體層
234:多重量子井層
236:P型半導體層
240:絕緣層
300:上部基板
310:載板
310S:表面
320:上部堤岸結構
320S:側面
322:第一堤岸結構
324:第二堤岸結構
326:上部
326S:側面
328:下部
328S:側面
330:透明導電層
340:反光層
400:導電材料
402:密封膠
404:導電球
500:黏接層
a1:夾角
a2:夾角
a3:夾角
D1:第一方向
H1:高度
H2:高度
H4:高度
H5:高度
H6:高度
H7:高度
第1圖繪示本揭露的一些實施方式的顯示面板的橫截面視圖。
第2圖繪示第1圖的發光二極體晶的橫截面視圖。
第3A圖繪示第1圖的上部基板的仰視圖。
第3B圖繪示第1圖的下部基板的俯視圖。
第4圖至第7圖繪示製造顯示面板的製程的橫截面視圖。第8圖繪示本揭露的另一些實施方式的顯示面板的橫截面視圖。
第9圖繪示第8圖的發光二極體晶的橫截面視圖。
第10A圖繪示第8圖的上部基板的仰視圖。
第10B圖繪示第8圖的下部基板的俯視圖。
第11圖繪示本揭露的另一些實施方式的顯示面板的橫截面視圖。
第12圖繪示本揭露的另一些實施方式的顯示面板的橫截面視圖。
第13圖繪示本揭露的另一些實施方式的顯示面板的橫截面視圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記)
無
國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記)
無
10:顯示面板
100:下部基板
110:介電層
112:介電層
120:第一電極墊
130:第二電極墊
140:基板
150:主動元件
160:下部堤岸結構
170:第一通孔件
180:第二通孔件
200:發光二極體晶片
210:第一電極
220:第二電極
230:磊晶層
300:上部基板
310:載板
310S:表面
320:上部堤岸結構
322:第一堤岸結構
324:第二堤岸結構
320S:側面
330:透明導電層
400:導電材料
402:密封膠
404:導電球
500:黏接層
a1:夾角
D1:第一方向
H1:高度
H2:高度
H4:高度
H5:高度
Claims (10)
- 一種顯示面板，包含： 一下部基板，該下部基板包含： 一介電層； 一第一電極墊，位於該介電層上；以及 一第二電極墊，位於該介電層上，相鄰該第一電極墊，且該第一電極墊與該第二電極墊用以提供不同電位； 一發光二極體晶片，該發光二極體晶片包含位於相對兩側的一第一電極與一第二電極，該第一電極電性連接該第一電極墊；以及 一上部基板，在該下部基板與該發光二極體晶片上，該上部基板包含： 一載板，具有面向該下部基板的一表面； 複數個上部堤岸結構，設置在該表面；以及 一透明導電層，覆蓋該載板的該表面與該些上部堤岸結構，該透明導電層電性連接該第二電極與該第二電極墊。
- 如請求項1所述之顯示面板，其中該些上部堤岸結構的任一者的一側面與該載板的該表面形成一夾角，該夾角小於或等於50度。
- 如請求項1所述之顯示面板，更包含一導電材料，該導電材料於該下部基板的一垂直投影與該些上部堤岸結構於該下部基板的複數個垂直投影重疊，且電性連接該透明導電層與該第二電極墊。
- 如請求項3所述之顯示面板，其中該導電材料為金屬或導電膠。
- 如請求項3所述之顯示面板，其中該下部基板更包含複數個下部堤岸結構，排列於該介電層上，該些下部堤岸結構在該些上部堤岸結構下。
- 如請求項5所述之顯示面板，其中該導電材料的一高度大致等於該些下部堤岸結構的複數個高度。
- 如請求項5所述之顯示面板，其中該些下部堤岸結構為反光材料。
- 如請求項5所述之顯示面板，其中該些上部堤岸結構的其中一者包含一上部與一下部，該些上部堤岸結構的其中一者的該下部相鄰該些下部堤岸結構，該上部於該下部基板的一垂直投影與該下部於該下部基板的一垂直投影重疊，該下部於該下部基板的該垂直投影與該第二電極墊於該下部基板的一垂直投影重疊。
- 如請求項1所述之顯示面板，其中該些上部堤岸結構為吸光材料。
- 如請求項1所述之顯示面板，更包含一反光層，位於該些上部堤岸結構與該透明導電層之間。
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|---|---|---|---|
| TW111144284A TWI826130B (zh) | 2022-11-18 | 2022-11-18 | 顯示面板 |
| CN202310372350.XA CN116364725A (zh) | 2022-11-18 | 2023-04-10 | 显示面板 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW111144284A TWI826130B (zh) | 2022-11-18 | 2022-11-18 | 顯示面板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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| TW202422868A TW202422868A (zh) | 2024-06-01 |
Family
ID=86904634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW111144284A TWI826130B (zh) | 2022-11-18 | 2022-11-18 | 顯示面板 |
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|---|---|
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| TW (1) | TWI826130B (zh) |
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| US20200343410A1 (en) * | 2019-04-23 | 2020-10-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Image display element |
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| US20220140210A1 (en) * | 2019-02-11 | 2022-05-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component, optoelectronic arrangement and method |
-
2022
- 2022-11-18 TW TW111144284A patent/TWI826130B/zh active
-
2023
- 2023-04-10 CN CN202310372350.XA patent/CN116364725A/zh active Pending
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| CN116364725A (zh) | 2023-06-30 |
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