TWI825470B - 形成金屬遮罩的方法 - Google Patents

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Abstract

一種形成金屬遮罩的方法包括接收導電基材，包括第一表面、相對於第一表面的第二表面、連接第一表面和第二表面的第三表面、以及相對於第三表面的第四表面，第四表面連接第一表面和第二表面。方法還包括自第一表面向第二表面方向交錯形成數個溝槽和數個突出部，並且填入絕緣材料至溝槽中，其中絕緣材料覆蓋突出部的一部分。方法還包括形成金屬層在導電基材上，其中金屬層披覆於突出部未被絕緣材料所覆蓋的其他部分。方法還包括移除絕緣材料、以及移除導電基材，而使金屬層成為金屬遮罩，並形成具有數條狀結構之立體態樣。

Description

形成金屬遮罩的方法
本揭示案實施例是有關於形成金屬遮罩的方法與金屬遮罩，特別是形成立體的金屬遮罩的方法與具有立體結構的金屬遮罩。
顯示面板已經被廣泛地使用來輸出影像或是操作選單。顯示面板包含了多個電子元件以及連接這些電子元件的線路。例如，在應用畫素陣列的顯示面板中，可透過線路傳輸訊號至畫素陣列的薄膜電晶體，以施加電壓予連接薄膜電晶體的畫素電極。因應目前消費市場的潮流，顯示面板的相關產品也漸趨向為高屏佔比。
對此，窄邊框設計的顯示面板也已被開發出來，並也受到消費者市場的熱烈迴響。於窄邊框設計中，對於顯示面板在顯示區以外的周邊區而言，如何電連接位於基板兩側的電子元件並有效利用周邊區的空間來完成走線或元件配置，已成為相關領域的重要議題之一。
根據本揭示案的一個實施例，一種形成金屬遮罩的方法包括接收導電基材，其包括第一表面、相對於第一表面的第二表面、連接第一表面和第二表面的第三表面、以及相對於第三表面的第四表面，其中第四表面連接第一表面和第二表面。形成金屬遮罩的方法還包括自第一表面向第二表面方向交錯形成數個溝槽和數個突出部，並且填入絕緣材料至溝槽中，其中絕緣材料覆蓋突出部的一部分。形成金屬遮罩的方法還包括形成金屬層在導電基材上，其中金屬層披覆於突出部未被絕緣材料所覆蓋的其他部分。形成金屬遮罩的方法還包括移除絕緣材料、以及移除導電基材，而使金屬層成為金屬遮罩，並形成具有數條狀結構之立體態樣。
在一些實施例中，形成金屬層在導電基材上包括使用電化學沉積金屬層的材料。
在一些實施例中，形成金屬遮罩的方法進一步包括形成另外的絕緣材料在第三表面和第四表面中的其中一者上。
在一些實施例中，溝槽的長度大致上相同於第三表面與第四表面之間的距離。
根據本揭示案的另一實施例，一種金屬遮罩包括第一平板部和數個條狀結構。這些條狀結構連接第一平板部，且相鄰的條狀結構彼此相隔開。這些條狀結構包括第一部分和第二部分。第一部分具有第一厚度。第二部分連接第一平板部與第一部分，並與第一部分夾有第一轉折角度，第二部分具有第二厚度，其中第二厚度大致上相同於第一厚度。
在一些實施例中，條狀結構進一步包括第三部分。第三部分連接第一部分，並與第一部分夾有第二轉折角度。
在一些實施例中，第三部分具有第三厚度，其中第三厚度大致上相同於第一厚度與第二厚度。
在一些實施例中，第二部分與第三部分彼此平行。
在一些實施例中，金屬遮罩進一步包括第二平板部，其中第三部分連接第二平板部與第一部分。
在一些實施例中，第一平板部與第二平板部彼此平行。
本揭示案的實施例提供金屬遮罩與其形成方法。形成的金屬遮罩具有立體態樣，並且可藉由簡易製程來形成高可靠度的金屬遮罩。
當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接。再者，「電性連接」或「耦合」可為二元件間存在其它元件。
此外，諸如「下」或「底部」和「上」或「頂部」的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其他元件的「下」側的元件將被定向在其他元件的「上」側。因此，示例性術語「下」可以包括「下」和「上」的取向，取決於附圖的特定取向。類似地，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其它元件「下方」或「下方」的元件將被定向為在其它元件「上方」。因此，示例性術語「下面」或「下面」可以包括上方和下方的取向。
本文中使用第一、第二與第三等等之詞彙，是用於描述各種元件、組件、區域、層及/或區塊是可以被理解的。但是這些元件、組件、區域、層及/或區塊不應該被這些詞彙所限制。這些詞彙只限於用來辨別單一元件、組件、區域、層及/或區塊。因此，在下文中的一第一元件、組件、區域、層及/或區塊也可被稱為第二元件、組件、區域、層及/或區塊，而不脫離本揭示案的本意。
本文使用的「約」、「近似」、或「大致上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即，測量系統的限制)。例如，「約」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內。
除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本揭示案所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本揭示案的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。
在顯示器製程中，尤其是窄邊框顯示器中，為了電性連接基板兩側的電子元件，可使用導電通孔、使用微影製程、或蝕刻製程以形成導電走線在邊緣處。然而，在基板中製造導電通孔並非現有成熟之顯示器製程，而使用微影製程或蝕刻製程可能步驟繁瑣。因此將會提升製程的難度，並需要極高的製造成本。
本揭示案提供一種具有立體結構的金屬遮罩與其形成方法。此種具有立體結構的金屬遮罩可應用在基板相對兩側的電子元件之間導線製程之中。
請參照第1圖至第5圖，根據本揭示案的一些實施例分別繪示形成金屬遮罩於不同操作階段之示意圖。在第1圖至第5圖的操作步驟之間可能有其他的製程操作，為了簡化說明的目的可能會將其他的製程操作省略或於本文中簡單說明。
請參照第1圖，於步驟S10中，接收導電基材100，其具有第一表面S1(例如，平行xy平面)、相對於第一表面S1的第二表面S2、連接第一表面S1和第二表面S2的第三表面S3(例如，平行xz表面)、以及相對於第三表面S3的第四表面S4，其中第四表面S4亦連接第一表面S1和第二表面S2。導電基材100由導電材料所組成，例如金屬。在一些實施例中，導電基材100包括銅、鎳、鐵、鈷、錫、鉻、鈦、鋁、其他金屬、上述金屬之合金、或上述之組合。舉例來說，導電基材100可包括鎳。在另一例子中，導電基材100可包括不銹鋼。
可根據產品設計和製程條件調整導電基材100的長度L1(例如，沿x軸方向之長度)和寬度W1(例如，沿y軸方向之長度)。在一些實施例中，可在步驟S10中，決定導電基材100的長度L1和寬度W1。在另一些實施例中，可在稍後步驟中(例如，下文中的步驟S12中)決定導電基材100的長度L1和寬度W1。
請參照第2圖，於步驟S12中，自第一表面S1朝向第二表面S2的方向(例如，平行z軸且向下)交錯形成數個溝槽200和數個突出部102在導電基材100中。在一些實施例中，可藉由機械加工使導電基材100的第一表面S1凹陷以形成溝槽200在導電基材100中。在如第2圖所示的實施例中，溝槽200貫穿導電基材100的第三表面S3和第四表面S4。即，溝槽200於y軸方向上的長度大致上等於導電基材100的寬度W1。
在形成溝槽200之後，導電基材100可包括突出部102和基部104，其中溝槽200位於突出部102之間，而突出部102從基部104突出並向上(例如，沿平行z軸方向)延伸。
請參照第3圖，於步驟S14中，填入絕緣材料300至溝槽200(見第2圖)中，其中絕緣材料300覆蓋突出部102的一部分。詳細而言，絕緣材料300填入溝槽200(見第2圖)並接觸突出部102在溝槽200內的側壁(見第2圖)及基部104在溝槽200內的上表面(見第2圖)。在一些實施例中，絕緣材料300亦覆蓋導電基材100的側壁和部分表面，藉此暴露出特定表面，在後續操作中金屬層將形成在暴露出的特定表面上(稍後討論)。如第3圖所示之實施中，第一表面S1、第三表面S3和第四表面S4為暴露出的特定表面，因此未受到絕緣材料300的覆蓋而暴露出。換句話說，絕緣材料300除了覆蓋突出部102的一部分之外，亦覆蓋於導電基材100的第二表面S2和外側壁上。
請參照第4圖，於步驟S16中，形成金屬層400在導電基材100的暴露表面上，換言之，金屬層400披覆於突出部102未被絕緣材料300所覆蓋的其他部分(見第3圖)。在如第4圖所示之實施例中，金屬層400披覆在第3圖的結構中的暴露表面上，例如第一表面S1、第三表面S3和第四表面S4。
進一步描述，金屬層400可包括數個條狀結構402和平板部404。條狀結構402可為沉積在突出部102上的部分金屬層400。例如，條狀結構402覆蓋在突出部102所暴露出的第一表面S1、第三表面S3和第四表面S4(見第3圖)上。平板部404可為沉積在基部104上的部分金屬層400。例如，平板部404覆蓋在基部104的第三表面S3和第四表面S4(見第3圖)上。
在一些實施例中，形成金屬層400在導電基材100上可包括使用電化學來沉積金屬層400的材料在導電基材100上。金屬層400的材料可包括銅、鎳、鐵、鈷、錫、鉻、鈦、鋁、其他金屬、上述金屬之合金、或上述之組合。舉例來說，金屬層400可包括鎳。在電化學沉積過程中，對第3圖的導電基材100進行電性導通(例如，連接至電源供應器)，當電鍍液接觸導電基材100的暴露表面時，電鍍液中的離子(例如，金屬層400的材料之離子狀態)可進行還原反應而形成金屬層400在導電基材100的暴露表面上。因此，可透過導電基材100搭配絕緣材料300的設置決定暴露表面的配置，進而定義出金屬層400的形貌。
金屬層400可具有厚度T1，其中厚度T1在約20微米(µm)到約300微米之間。在一些實施例中，厚度T1在約20微米到約150微米之間。當金屬層400的厚度小於約20微米時，可能會導致操作的難度提高。舉例來說，在後續離模製程(例如，移除導電基材100而留下金屬層400)中，太薄的金屬層400可能需更精細的操作以保持金屬層400的形貌。當金屬層400的厚度大於約300微米時，對製程上無明顯益處。舉例來說，在一些實施例中，在形成超過約300微米的厚度過程中可能發生遮蔽效應(shadow effect)。在一些實施例中，金屬層400的厚度T1可為均勻分佈。
在形成金屬層400於導電基材100上之前，可對導電基材100進行表面處理。舉例來說，當導電基材100所包括的材料與金屬層400所包括的材料相同時，可先對導電基材100進行表面處理再沉積金屬層400在經處理的導電基材100上，如此一來，在後續離模製程(例如，移除導電基材100而留下導電層400)中，前述的氧化處理可有助於分離導電基材100和金屬層400這兩者。在一些實施例中，表面處理可包括形成氧化薄膜在導電基材100上。應留意的是，表面處理大致上不影響金屬層400的形成。
請參照第5圖，於步驟S18中，移除絕緣材料300。並且，移除導電基材100而使金屬層400作為金屬遮罩400，其具有條狀結構402、平板部404以及厚度T1。如第5圖所示，金屬遮罩400為具有條狀結構402的立體結構。
進一步描述第5圖，金屬遮罩400的平板部404可包括第一平板部404-1和第二平板部404-2。在一些實施例中，第一平板部404-1和第二平板部404-2彼此平行。金屬遮罩400的條狀結構402彼此相隔開，並且連接第一平板部404-1和第二平板部404-2。條狀結構402包括第一部分402-1、第二部分402-2、和第三部分402-3，其中第一部分402-1位在最上方(例如，平行z軸向上)並且連接第二部分402-2和第三部分402-3、第二部分402-2連接第一平板部404-1和第一部分402-1、以及第三部分402-3連接第二平板部404-2和第一部分402-1。在一些實施例中，第二部分402-2與第三部分402-3彼此平行。
在一些實施例中，當原先的金屬層400的厚度T1為均勻分佈時，在第5圖中金屬層400作為金屬遮罩400時可保持均勻厚度T1。因此，第一部分402-1的厚度、第二部分402-2的厚度及第三部分402-3的厚度可大致上相同，即皆為厚度T1。
請繼續參照第5圖並且同時參照第6圖，其中第6圖根據本揭示案一些實施例繪示金屬遮罩沿第5圖的剖線A-A之截面圖。如第6圖的截面圖所示，金屬遮罩400的截面形貌相似於ㄇ字型或是上下顛倒U字型的結構。其中，第一部分402-1與第二部分402-2夾有第一轉折角度θ1，而第一部分402-1與第三部分402-3夾有第二轉折角度θ2。如前所述，可透過導電基材100搭配絕緣材料300的設置(見第3圖)定義出金屬遮罩400的形貌。
在一些實施例中，第一部分402-1的長度D1可大致上相同於第1圖中的導電基材100的寬度W1。在另一些實施例中，當第二部分402-2與第三部分403-3彼此平行時，第二部分402-2與第三部分403-3的內表面之間的距離D2可大致上相同於第1圖中的導電基材100的寬度W1。在又一些實施例中，當第二部分402-2與第三部分403-3彼此平行且第一平板部404-1和第二平板部404-2彼此平行時，第一平板部404-1和第二平板部404-2的內表面之間的距離D3可大致上相同於第1圖中的導電基材100的寬度W1。
接下來請參照第7圖至第9圖，根據本揭示案的一些實施例繪示應用第5圖的金屬遮罩400(例如使用金屬遮罩400在板狀基材的側邊形成金屬走線)的各個階段之示意圖。應注意的是，在第7圖至第9圖的操作步驟之間可能有其他的製程操作，為了簡化說明的目的可能會將其他的製程操作省略或於本文中簡單說明。
請參照第7圖，於步驟A10中，接收板狀基材700並將金屬遮罩400設置在板狀基材700的側邊區域。進一步描述第7圖，金屬遮罩400的平板部404接觸板狀基材700的第五表面S5(例如，平行xy平面)和相對於第五表面S5的第六表面S6，而金屬遮罩400的條狀結構402接觸的第五表面S5、第六表面S6和第七表面S7(例如，平行yz平面)，其中第七表面S7連接第五表面S5和第六表面S6。
金屬遮罩400的形貌經設計以符合板狀基材700的形貌，藉此使金屬遮罩400可貼合板狀基材700的側邊區域的輪廓。在一些實施例中，板狀基材700的寬度W2大致上相同於條狀結構402中第一部分402-1的長度D1(見第6圖)。
請參照第8圖，於步驟A12中，形成金屬材料800在板狀基材700中未被金屬遮罩400遮蔽的表面上。更確切地說，金屬材料800形成在金屬遮罩400的條狀結構402之間。金屬材料800的厚度小於金屬遮罩400的厚度(例如，第5圖中的厚度T1)。在一些實施例中，可使用覆蓋層(未繪出)遮蔽板狀基材700的其他部分以避免金屬材料800出現在板狀基材700的其他部分上。在一些實施例中，金屬材料800的形成方式包括濺鍍製程、蒸鍍製程或其他合適的方式。應留意的是，在實際操作上，金屬材料800不只形成在板狀基材700的暴露表面上，金屬材料800同樣地形成在金屬遮罩400上，為了簡化圖示，在此未繪出形成在金屬遮罩400上的部分金屬材料800。
由於金屬遮罩400的熱膨脹較小，在形成金屬材料800的製程中(例如使用濺鍍製程或蒸鍍製程等)，金屬遮罩400較不易隨溫度而發生結構變化(例如，體積膨脹或收縮)。因此金屬遮罩400可維持原本的結構配置，有助於保持金屬材料800的製程穩定度，進而提高後續形成的金屬走線900(見下文第9圖)的可靠度。
請參照第9圖，於步驟A14中，移除金屬遮罩400，留下的金屬材料800成為金屬走線900在板狀基材700的側邊區上。金屬走線900連續延伸在第五表面S5、第七表面S7和第六表面S6上。金屬走線900可電性連接後續設置在第五表面S5的元件和設置在第六表面S6的元件(未繪出)。因此，可藉由金屬遮罩400的使用以較為便利的方式來形成金屬走線900在板狀基材700的周邊區域上。
請參照第10圖至第12圖，根據本揭示案的一些實施例分別繪示形成另一結構的金屬遮罩於不同操作階段之示意圖。形成另一種結構的金屬遮罩的操作步驟可類似於前述針對形成金屬遮罩400的操作步驟。例如，另一結構的金屬遮罩可直接應用第1圖的步驟S10和第2圖的步驟S12，再者，形成另一種結構的金屬遮罩在第10圖的步驟S24相似於第3圖的步驟S14、第11圖的步驟S26相似於第4圖的步驟S16、以及第12圖的步驟S28相似於第5圖的步驟S18。應留意的是，因另一結構的金屬遮罩可直接應用第1圖的步驟S10和第2圖的步驟S12，故在此不再詳述此兩步驟。
在第10圖至第12圖的操作步驟之間可能有其他的製程操作，為了簡化說明的目的可能會將其他的製程操作省略或於本文中簡單說明。
請參照第10圖，於步驟S24中，在第3圖的結構上，額外形成絕緣材料1000在導電基材100的第四表面S4上。如此一來，第一表面S1和第三表面S3為暴露出的特定表面，意即未受到絕緣材料300和絕緣材料1000的覆蓋而暴露出。在一些實施例中，絕緣材料1000實質上相同於絕緣材料300。
請參照第11圖，於步驟S26中，形成金屬層1100在導電基材100的暴露表面上，意即，金屬層1100披覆於突出部102未被絕緣材料300和絕緣材料1000所覆蓋的其他部分(見第10圖)。在如第11圖所示之實施例中，金屬層1100披覆在第10圖的結構中的暴露表面上(例如第一表面S1和第三表面S3上)。
進一步描述，金屬層1100可包括數個條狀結構1102和平板部1104。條狀結構1102可為形成在突出部102上的部分金屬層1100。例如，條狀結構1102覆蓋在突出部102所暴露出的第一表面S1和第三表面S3 (見第10圖)上。平板部1104可為沉積在基部104上的部分金屬層1100。例如，平板部1104覆蓋在基部104的第三表面S3(見第10圖)上。
在一些實施例中，形成金屬層1100在導電基材100上可包括使用電化學來沉積金屬層1100的材料在導電基材100上。金屬層1100的材料可包括銅、鎳、鐵、鈷、錫、鉻、鈦、鋁、其他金屬、上述金屬之合金、或上述之組合。舉例來說，金屬層1100可包括鎳。在電化學沉積過程中，對第10圖的導電基材100進行電性導通(例如，連接至電源供應器)，當電鍍液接觸導電基材100的暴露表面時，電鍍液中的離子(例如，金屬層1100的材料之離子狀態)可進行還原反應而形成金屬層1100在導電基材100的暴露表面上。因此，可透過導電基材100搭配絕緣材料300和絕緣材料1000的設置決定暴露表面的配置，進而定義出金屬層1100的形貌。
金屬層1100可具有厚度T2，其中厚度T2在約20微米(µm)到約300微米之間。在一些實施例中，厚度T2在約20微米到約150微米之間。當金屬層1100的厚度小於約20微米時，可能會導致操作的難度提高。舉例來說，在後續離模製程(例如，移除導電基材100而留下金屬層1100)中，太薄的金屬層1100可能需更精細的操作以保持金屬層1100的形貌。當金屬層1100的厚度大於約300微米時，對製程上無明顯益處。舉例來說，在一些實施例中，在形成超過約300微米的厚度過程中可能發生遮蔽效應(shadow effect)。在一些實施例中，金屬層1100的厚度T2可為均勻分佈。
同樣地，在形成金屬層1100於導電基材100上之前，可對導電基材100進行表面處理。表面處理的方式如前所述，因此在此不再詳述。
請參照第12圖，於步驟S28中，移除絕緣材料300和絕緣材料1000。並且，移除導電基材100而使金屬層1100作為金屬遮罩1100，其具有條狀結構1102、平板部1104以及厚度T2。如第12圖所示，金屬遮罩1100為具有條狀結構1102的立體結構。
進一步描述第12圖，金屬遮罩1100的條狀結構402彼此相隔開，並且連接平板部1104。條狀結構1102包括第一部分1102-1和第二部分1102-2，其中第一部分1102-1位在最上方(例如，平行z軸向上)並且連接第二部分1102-2、而第二部分1102-2連接平板部1104和第一部分1102-1。在一些實施例中，金屬遮罩1100可相應於第5圖的金屬遮罩400。舉例而言，第一部分1102-1可對應於第5圖的第一部分402-1，第二部分1102-2可對應於第5圖的第二部分402-2，以及平板部1104可對應於第5圖的第一平板部404-1。
在一些實施例中，當原先的金屬層1100的厚度T2為均勻分佈時，在第11圖中金屬層1100作為金屬遮 罩1100時可保持均勻厚度T2。因此，第一部分1102-1的厚度及第二部分1102-2的厚度可大致上相同，即皆為厚度T2。
請繼續參照第12圖並且同時參照第13圖，其中第13圖根據本揭示案一些實施例繪示金屬遮罩1100沿第12圖的剖線B-B之截面圖。如第13圖的截面圖所示，金屬遮罩1100的截面形貌相似於上下鏡射L型的結構。其中，第一部分1102-1與第二部分1102-2夾有第三轉折角度θ 3。如前所述，可透過導電基材100搭配絕緣材料300/1000的設置(見第10圖)定義出金屬遮罩1100的形貌。在一些實施例中，第一部分1102-1的長度D4可大致上相同於第1圖中的導電基材100的寬度W1。
接下來請參照第14圖至第17圖，根據本揭示案的一些實施例繪示應用第12圖的金屬遮罩1100(例如使用金屬遮罩1100在板狀基材的側邊形成金屬走線)的各個階段之示意圖。應注意的是，在第14圖至第17圖的操作步驟之間可能有其他的製程操作，為了簡化說明的目的可能會將其他的製程操作省略或於本文中簡單說明。再者，第14圖至第17圖的操作步驟順序並非獨特唯一，可省略、順序調整、或可由其他可行的操作代替。
請參照第14圖，於步驟A20中，接收板狀基材700並將金屬遮罩1100設置在板狀基材700的側邊區域。在如第14圖所示之實施例中，金屬遮罩1100的平板部1104接觸板狀基材700的第五表面S5(例如，平行xy平面)，而金屬遮罩1100的條狀結構1102接觸第五表面S5和第七表面S7(例如，平行yz平面)。
由於金屬遮罩1100的形貌經設計以符合板狀基材700的形貌，因此金屬遮罩1100可貼合板狀基材700的側邊區域的輪廓。在一些實施例中，板狀基材700的寬度W2大致上相同於條狀結構1102中第一部分1102-1的長度D4(見第13圖)。在另一些實施例中，板狀基材700的寬度W2小於條狀結構1102中第一部分1102-1的長度D4(見第13圖)。
請參照第15圖，於步驟A22中，形成第一金屬材料1500在板狀基材700中未被金屬遮罩1100遮蔽的表面上。如第15圖所示之實施例中，第一金屬材料1500形成在板狀基材700的第五表面S5和第七表面S7上。更確切地說，第一金屬材料1500形成在金屬遮罩1100的條狀結構1102之間。第一金屬材料1500的厚度小於金屬遮罩1100的厚度(例如，第12圖中的厚度T2)。在一些實施例中，可使用覆蓋層(未繪出)遮蔽板狀基材700的其他部分以避免第一金屬材料1500出現在板狀基材700的其他部分上。在一些實施例中，第一金屬材料1500的形成方式包括濺鍍製程、蒸鍍製程或其他合適的方式。應留意的是，在實際操作上，第一金屬材料1500不只形成在板狀基材700的暴露表面上，第一金屬材料1500同樣地形成在金屬遮罩1100上，為了簡化圖示，在此未繪出形成在金屬遮罩1100上的部分第一金屬材料1500。
請參照第16圖，於步驟A23中，先將第15圖的金屬遮罩1100翻轉後，在將金屬遮罩1100設置在與第15圖相同的板狀基材700的側邊區域上。在如第16圖所示之實施例中，金屬遮罩1100的平板部1104接觸板狀基材700的第六表面S6，而金屬遮罩1100的條狀結構1102接觸第六表面S6和第七表面S7。
應注意的是，在步驟A23中，金屬遮罩1100的配置位置相應地對齊第一金屬材料1500在第七表面S7的位置。換句話說，當金屬遮罩1100安置在板狀基材700之後，可觀察到第一金屬材料1500與條狀結構1102的第一部分1102-1為交錯配置在第七表面S7上。
接下來，形成第二金屬材料1600在板狀基材700中未被金屬遮罩1100遮蔽的表面上。如第16圖所示之實施例中，第二金屬材料1600形成在板狀基材700的第六表面S6和第七表面S7上。更確切地說，第二金屬材料1600形成在金屬遮罩1100的條狀結構1102之間。第二金屬材料1600的厚度小於金屬遮罩1100的厚度(例如，第12圖中的厚度T2)。在一些實施例中，可使用覆蓋層(未繪出)遮蔽板狀基材700的其他部分以避免第二金屬材料1600出現在板狀基材700的其他部分上。
在一些實施例中，第二金屬材料1600的形成方式包括濺鍍製程、蒸鍍製程或其他合適的方式。在實際操作上，第二金屬材料1600不只形成在板狀基材700的暴露表面上，第二金屬材料1600同樣地形成在金屬遮罩1100上，為了簡化圖示，在此未繪出形成在金屬遮罩1100上的部分第二金屬材料1600。
除此之外，在步驟A22和A23中，因為在第七表面S7上重複形成金屬材料(例如，第一金屬材料1500和第二金屬材料1600)於條狀結構1102的第一部分1102-1之間，所以此處的金屬材料為第一金屬材料1500和第二金屬材料1600的雙層堆疊。在一些實施例中，第一金屬材料1500和第二金屬材料1600的雙層堆疊之厚度小於金屬遮罩1100的厚度(例如，第12圖中的厚度T2)。
請參照第17圖，於步驟A24中，移除金屬遮罩1100，留下的第一金屬材料1500和第二金屬材料1600共同成為金屬走線1700在板狀基材700的側邊區域上。金屬走線1700連續延伸在第五表面S5、第七表面S7和第六表面S6上。金屬走線1700可電性連接後續設置在第五表面S5的元件和設置在第六表面S6的元件(未繪出)。金屬走線1700在第七表面S7上的厚度可大於金屬走線1700在第五表面S5或第六表面上S6上的厚度。在一些實施例中，金屬走線1700在第七表面S7上的厚度為金屬走線1700在第五表面S5或第六表面上S6上的厚度約2倍。
綜合以上，本揭示案的實施例提供金屬遮罩與其形成方法。可藉由較為簡易的製程來形成具有立體結構的金屬遮罩。
除此之外，本揭示案立體結構的遮罩由金屬所組成，當應用於高溫製程時，由於金屬遮罩的熱膨脹相對於其他材質(例如，聚合物)較小，因此具有較好的製程可靠度及較廣的溫度操作範圍。再者，本揭示案的金屬遮罩具有立體結構，可與板狀基板對位貼合，再經由濺鍍或蒸鍍製程形成金屬走線在板狀基板的側邊區域上，進而電性連通板狀基材上相對兩側(例如，上下兩側)的元件。因此，使用立體結構的金屬遮罩可簡化側邊佈線的製程及降低製程成本。
以上概略說明了本揭示案數個實施例的特徵，使所屬技術領域內具有通常知識者對於本揭示案可更為容易理解。任何所屬技術領域內具有通常知識者應瞭解到本揭示案可輕易作為其他結構或製程的變更或設計基礎，以進行相同於本揭示案實施例的目的及/或獲得相同的優點。任何所屬技術領域內具有通常知識者亦可理解與上述等同的結構並未脫離本揭示案之精神及保護範圍內，且可在不脫離本揭示案之精神及範圍內，可作更動、替代與修改。
100:導電基材 102:突出部 104:基部 200:溝槽 300:絕緣材料 400:金屬層/金屬遮罩 402:條狀結構 402-1:第一部分 402-2:第二部分 402-3:第三部分 404:平板部 404-1:第一平板部 404-2:第二平板部 700:板狀基材 800:金屬材料 900:金屬走線 1000:絕緣材料 1100:金屬層/金屬遮罩 1102-1:第一部分 1102-2:第二部分 1104:平板部 1500:第一金屬材料 1600:第二金屬材料 1700:金屬走線 A10:步驟 A12:步驟 A14:步驟 A20:步驟 A22:步驟 A23:步驟 A24:步驟 D1:長度 D2:距離 D3:距離 D4:長度 L1:長度 S1:第一表面 S2:第二表面 S3:第三表面 S4:第四表面 S5:第五表面 S6:第六表面 S7:第七表面 S10:步驟 S12:步驟 S14:步驟 S16:步驟 S18:步驟 S24:步驟 S26:步驟 S28:步驟 T1:厚度 T2:厚度 W1:寬度 W2:寬度 A-A:剖線 B-B:剖線 x, y, z:參考座標軸 θ1:第一轉折角度 θ2:第二轉折角度 θ3:第三轉折角度
閱讀以下實施方法時搭配附圖以清楚理解本揭示案的觀點。應注意的是，根據業界的標準做法，各種特徵並未按照比例繪製。事實上，為了能清楚地討論，各種特徵的尺寸可能任意地放大或縮小。 第1圖至第5圖根據本揭示案的一些實施例繪示形成金屬遮罩的各個階段之示意圖。 第6圖根據本揭示案一些實施例繪示金屬遮罩沿第5圖的剖線A-A之截面圖。 第7圖至第9圖根據本揭示案的一些實施例繪示應用第5圖的金屬遮罩的各個階段之示意圖。 第10圖至第12圖根據本揭示案的另一些實施例繪示形成金屬遮罩的各個階段之示意圖 第13圖根據本揭示案另一些實施例繪示金屬遮罩沿第12圖的剖線B-B之截面圖。 第14圖至第17圖根據本揭示案的另一些實施例繪示應用第12圖的金屬遮罩的各個階段之示意圖。
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400:金屬層/金屬遮罩
402:條狀結構
402-1:第一部分
402-2:第二部分
402-3:第三部分
404:平板部
404-1:第一平板部
404-2:第二平板部
S18:步驟
T1:厚度
A-A:剖線
x,y,z:參考座標軸

Claims (4)

  1. 一種形成金屬遮罩的方法，包括：接收一導電基材，該導電基材包括：一第一表面；一第二表面，相對於該第一表面；一第三表面，連接該第一表面和該第二表面；以及一第四表面，相對於該第三表面，且連接該第一表面和該第二表面；自該第一表面向該第二表面方向交錯形成複數個溝槽和複數個突出部；填入一絕緣材料至該些溝槽中，其中該絕緣材料覆蓋該些突出部的一部分；同時形成一金屬層在該導電基材上，其中該金屬層連續延伸在該第一表面、該第三表面以及該些突出部未被該絕緣材料所覆蓋的其他部分上，該金屬層整體厚度大致相同；移除該絕緣材料；以及移除該導電基材，而使該金屬層成為該金屬遮罩，並形成具有複數條狀結構之立體態樣。
  2. 如請求項1所述之形成金屬遮罩的方法，其中形成該金屬層在該導電基材上包括使用電化學沉積該金屬層的材料。
  3. 如請求項1所述之形成金屬遮罩的方法，進一步包括形成另一絕緣材料在該第四表面上。
  4. 如請求項1所述之形成金屬遮罩的方法，其中該些溝槽的長度大致上相同於該第三表面與該第四表面之間的距離。
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