TWI824279B - 奈米碳管p型摻雜的方法 - Google Patents
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- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 350
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 title claims abstract description 348
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 325
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- ROUIDRHELGULJS-UHFFFAOYSA-N bis(selanylidene)tungsten Chemical compound [Se]=[W]=[Se] ROUIDRHELGULJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 239000002079 double walled nanotube Substances 0.000 claims description 5
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 claims description 5
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 62
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 31
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 24
- 229910021404 metallic carbon Inorganic materials 0.000 description 24
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 17
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 description 14
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 9
- ITRNXVSDJBHYNJ-UHFFFAOYSA-N tungsten disulfide Chemical compound S=[W]=S ITRNXVSDJBHYNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 3
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- ZNKMCMOJCDFGFT-UHFFFAOYSA-N gold titanium Chemical compound [Ti].[Au] ZNKMCMOJCDFGFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001258 titanium gold Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100069231 Caenorhabditis elegans gkow-1 gene Proteins 0.000 description 2
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 2
- 108010075750 P-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002238 carbon nanotube film Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 239000002048 multi walled nanotube Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108090000699 N-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 1
- 102000004129 N-Type Calcium Channels Human genes 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- -1 that is Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/30—Doping active layers, e.g. electron transporting layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
- H10K85/221—Carbon nanotubes
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
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- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
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Abstract
一種奈米碳管p型摻雜的方法，其包括以下步驟：提供一單根奈米碳
管；提供一層狀結構，該層狀結構為二硒化鎢膜或者黑磷膜；及將所述層狀結構直接接觸所述單根奈米碳管的至少一部分。
Description
本發明涉及一種奈米碳管p型摻雜的方法。
奈米碳管具有優異的機械和化學性質，並且具有長達1微米的長度及從幾納米到幾十納米的直徑。奈米碳管具有優異的導電性，可以應用於各種電子器件中，比如電場反射器件、光通信領域中的光開關、生物器件等。
製造奈米碳管的方法包括電弧放電、脈衝鐳射汽化、化學氣相沉等。為了將奈米碳管用於比如互補金屬氧化物半導體(CMOS)電晶體的半導體器件中，需要p型及n型MOS電晶體。因此，需要對奈米碳管進行空穴摻雜(p型摻雜)或者電子摻雜(n摻雜)。
有鑒於此，提供一種奈米碳管p型摻雜的方法實為必要，該方法簡單，並且摻雜效果好。
一種奈米碳管p型摻雜的方法，其包括以下步驟：提供一單根奈米碳管；提供一層狀結構，該層狀結構為二硒化鎢膜或者黑磷膜；及將所述層狀結構直接接觸所述單根奈米碳管的至少一部分。
一種奈米碳管p型摻雜的方法，其包括以下步驟：提供複數個間隔設置的單根奈米碳管；提供一層狀結構，該層狀結構為二硒化鎢膜或者黑磷膜；及將所述層狀結構直接接觸所述複數個單根奈米碳管。
與現有技術相比，本發明提供的奈米碳管p型摻雜的方法採用二硒化鎢(WSe2)膜或者黑磷(BP)膜覆蓋並且直接接觸單根奈米碳管，可以對該單根奈米碳管實現p型摻雜，該摻雜方法簡單，p型摻雜效果好。
12:單根奈米碳管
14:膜狀結構
10:第一奈米碳管複合結構
20:第二奈米碳管複合結構
30:第三奈米碳管複合結構
40:第四奈米碳管複合結構
50:第五奈米碳管複合結構
60:第六奈米碳管複合結構
100:背柵型隧穿電晶體
102:絕緣基底
104:閘極
106:絕緣層
108:源極
109:汲極
200:頂柵型隧穿電晶體
16:層狀結構
圖1為本發明第一實施例提供的奈米碳管n型摻雜的方法的工藝流程圖。
圖2為本發明第一實施例提供的MoS2膜或者WS2膜覆蓋並且直接接觸單根奈米碳管的一部分的結構示意圖。
圖3為本發明第一實施例提供的MoS2膜或者WS2膜覆蓋並且直接接觸單根奈米碳管全部的上表面的結構示意圖。
圖4為本發明第二實施例提供的另一種奈米碳管n型摻雜的方法的工藝流程圖。
圖5為本發明第三實施例提供的第一奈米碳管複合結構的剖面結構示意圖。
圖6為本發明第三實施例提供的第二奈米碳管複合結構的剖面結構示意圖。
圖7為本發明第三實施例提供的第三奈米碳管複合結構的剖面結構示意圖。
圖8為本發明第三實施例提供的第四奈米碳管複合結構的俯視結構示意圖。
圖9為本發明第三實施例提供的第五奈米碳管複合結構的俯視結構示意圖。
圖10為本發明第三實施例提供的第六奈米碳管複合結構的俯視結構示意圖。
圖11為本發明第四實施例提供的背柵型隧穿電晶體的結構示意圖。
圖12為本發明第四實施例提供的背柵型隧穿電晶體的立體結構示意圖。
圖13為本發明第四實施例提供的以對數形式表示的所述背柵型隧穿電晶體的電流掃描圖。
圖14為本發明第四實施例提供的所述背柵型隧穿電晶體的轉移特性曲線。
圖15為本發明第四實施例提供的所述背柵型隧穿電晶體在BTBT工作模式下的典型輸出特性曲線。
圖16為本發明第四實施例提供的所述背柵型隧穿電晶體在pn結工作模式下的典型輸出特性曲線。
圖17為本發明第四實施例提供的所述背柵型隧穿電晶體在nn結工作模式下的典型輸出特性曲線。
圖18為本發明第四實施例提供的所述背柵型隧穿電晶體和單獨奈米碳管電晶體的轉移特性曲線。
圖19為本發明第四實施例提供的所述背柵型隧穿電晶體的光電流圖。
圖20為本發明第四實施例提供的所述背柵型隧穿電晶體中半導體性奈米碳管和MoS2膜接觸前的能帶圖。
圖21為本發明第四實施例提供的所述背柵型隧穿電晶體的半導體性奈米碳管和MoS2膜接觸後的能帶圖。
圖22為本發明第四實施例提供的所述背柵型隧穿電晶體的在不同溫度下的轉移特性曲線。
圖23為從圖22中提取出的在擴散區域和BTBT區域的亞閾值擺幅。
圖24為本發明第四實施例提供的以半對數標度繪製的所述背柵型隧穿電晶體中CNT-MoS2異質結構在BTBT工作模式時不同閘極電壓下的典型輸出曲線。
圖25為反向偏置時反向整流二極體的能帶圖。
圖26為反向偏壓下齊納二極體的能帶圖。
圖27為Vg=20V時BTBT狀態下的溫度相關輸出曲線。
圖28為Vg=20V時帶間隧穿電流(BTBT電流)和正向偏置電流與溫度的反斜率。
圖29為溫度為130K的源極汲極電流Ids映射圖。
圖30為單純的金屬性奈米碳管場效應電晶體和覆蓋有MoS2膜的金屬性奈米碳管場效應電晶體的轉移特性曲線。
圖31為本發明第五實施例提供的頂柵型隧穿電晶體的結構示意圖。
圖32為本發明第六實施例提供的奈米碳管p型摻雜的方法的工藝流程圖。
圖33為本發明第六實施例提供的二硒化鎢(WSe2)膜或者黑磷(BP)膜覆蓋並且直接接觸單根奈米碳管的一部分的結構示意圖。
圖34為本發明第六實施例提供的二硒化鎢(WSe2)膜或者黑磷(BP)膜覆蓋並且直接接觸單根奈米碳管全部的上表面的結構示意圖。
圖35為覆蓋有WSe2膜的奈米碳管場效應電晶體和單純的奈米碳管場效應電晶體的轉移特性曲線。
圖36為本發明第七實施例提供的奈米碳管p型摻雜的方法的工藝流程圖。
下面將結合附圖及具體實施例對本發明提供的奈米碳管p型摻雜的方法作進一步的詳細說明。
請參見圖1，本發明第一實施例提供一種奈米碳管n型摻雜的方法，其包括以下步驟：S11，提供一個單根奈米碳管12；S12，提供一個膜狀結構14，該膜狀結構14為二硫化鉬(MoS2)膜或者二硫化鎢(WS2)膜；及S13，將所述膜狀結構14至少直接接觸所述單根奈米碳管12的一部分。
步驟S11中，所述單根奈米碳管12係一維管狀結構。所述奈米碳管可以為金屬性奈米碳管，也可以為半導體性奈米碳管。所述奈米碳管包括單壁奈米碳管、雙壁奈米碳管及多壁奈米碳管中的一種或複數種。所述奈米碳管的直徑和長度不限，只要奈米碳管可以部分被MoS2膜覆蓋，而其餘部分不被MoS2膜覆蓋即可。所述奈米碳管的長度可以大於50微米。所述單壁奈米碳管的直徑為0.5奈米~50奈米，所述雙壁奈米碳管的直徑為1.0奈米~50奈米，所述多壁奈米碳管的直徑為1.5奈米~50奈米。本實施例中，所述奈米碳管為單壁奈米碳管或雙壁奈米碳管。
步驟S12中，所述二硫化鉬(MoS2)膜、所述二硫化鎢(WS2)膜均為二維膜狀結構14。所述MoS2膜的材料係MoS2，所述WS2膜的材料係WS2。所述二硫化鉬(MoS2)膜、所述二硫化鎢(WS2)膜的厚度不限。本實施例中，所述膜狀結構14採用二硫化鉬(MoS2)膜，該MoS2膜的厚度為4.2nm(奈米)。
步驟S13中，所述單根奈米碳管12可以被所述MoS2膜或者所述WS2膜完全覆蓋，也可以被所述MoS2膜或者所述WS2膜部分覆蓋。也即，所述MoS2膜或者所述WS2膜可以覆蓋並且直接接觸單根奈米碳管12的一部分，而單根奈米碳管12的另一部分暴露。所述MoS2膜或者所述WS2膜也可以覆蓋並且直接接觸單根奈米碳管12的全部。凡係被所述MoS2膜或者所述WS2膜覆蓋的奈米碳管部分均與所述MoS2膜或者所述WS2膜直接接觸。也即，所述MoS2膜或者所述WS2膜可以直接接觸單根奈米碳管12的一部分，也可以直接接觸單根奈米碳管12的全部。如圖2所示，所述MoS2膜或者所述WS2膜覆蓋並且直接接觸單根奈米碳管12的一部分。如圖3所示，所述MoS2膜或者所述WS2膜覆蓋並且直接接觸單根奈米碳管12全部的上表面。
定義所述單根奈米碳管12中與所述MoS2膜或者所述WS2膜直接接觸的部分為接觸部分，定義所述單根奈米碳管12中沒有與所述MoS2膜或者所述WS2膜直接接觸的部分為暴露部分。也即，所述單根奈米碳管12由接觸部分和暴露部分組成。
奈米碳管本身為p型，所述單根奈米碳管12的接觸部分由p型轉變為n型，其原因係：所述MoS2膜或者所述WS2膜直接接觸所述接觸部分，MoS2或者WS2向所述接觸部分貢獻電子，也即電子從MoS2或者WS2進入所述接觸部分。所述單根奈米碳管12的暴露部分依然為p型，因為所述MoS2膜或者所述WS2膜沒有直接接觸所述暴露部分，MoS2或者WS2沒有向所述暴露部分貢獻電子。
請參見圖4，本發明第二實施例提供一種奈米碳管n型摻雜的方法，其包括以下步驟：S21，提供複數個間隔設置的單根奈米碳管12；S22，提供一個膜狀結構14，該膜狀結構14為二硫化鉬(MoS2)膜或者二硫化鎢(WS2)膜；及
S23，將所述MoS2膜或者所述WS2膜同時覆蓋所述複數個單根奈米碳管12，每個單根奈米碳管12的至少一部分直接接觸所述MoS2膜或者所述WS2膜。
第二實施例提供的奈米碳管n型摻雜的方法與第一實施例提供的奈米碳管n型摻雜的方法相似，不同之處在於：第一實施例中，二硫化鉬(MoS2)膜或者二硫化鎢(WS2)膜覆蓋一個單根奈米碳管12的至少一部分；第二實施例中，二硫化鉬(MoS2)膜或者二硫化鎢(WS2)膜同時覆蓋複數個間隔設置的單根奈米碳管12的至少一部分。
步驟S21中，複數個間隔設置的單根奈米碳管12的延伸方向相互平行。
步驟S23中，所述MoS2膜或者所述WS2膜可以同時覆蓋複數個單根奈米碳管12的一部分，從而使得每個單根奈米碳管12的一部分轉變為n型。所述MoS2膜或者所述WS2膜可以同時覆蓋複數個單根奈米碳管12的全部，從而使得每個單根奈米碳管12全部轉變為n型。
第一實施例和第二實施例提供的奈米碳管n型摻雜的方法具有以下優點：第一、所述MoS2膜或者所述WS2膜直接接觸單根奈米碳管12的一部分，可以使得這部分由p型轉變為n型，也即對所述單根奈米碳管12實現n型摻雜；第二、可以使所述單根奈米碳管12的一部分為p型，另一部分為n型，也即所述單根奈米碳管12同時含有p型和n型；第三、可以同時使複數個單根奈米碳管12進行n摻雜；第四、方法簡單，n型摻雜效果好。
本發明第三實施例提供一種奈米碳管複合結構，該奈米碳管複合結構由所述第一實施例和所述第二實施例提供的方法所製備。
請參見圖5至圖10，所述奈米碳管複合結構包括至少一個所述單根奈米碳管12和至少一個所述膜狀結構14，該膜狀結構14為所述MoS2膜或者所述WS2膜。
當所述單根奈米碳管12為一個時，一個膜狀結構14設置在該單根奈米碳管12的外表面，並且與該單根奈米碳管12的一部分直接接觸。也即，該單根奈米碳管12的一部分與所述膜狀結構14直接接觸，並非該單根奈米碳管12的全部外表面與所述膜狀結構14直接接觸。
當所述單根奈米碳管12為複數個時，該複數個單根奈米碳管12間隔設置，並且所述至少一個膜狀結構14設置在所述至少一個單根奈米碳管12
的外表面，並且與每一個單根奈米碳管12的一部分直接接觸。優選的，所述複數個單根奈米碳管12的延伸方向相互平行。也即，每個單根奈米碳管12的一部分與所述膜狀結構14直接接觸，並非每個單根奈米碳管12的全部外表面與所述膜狀結構14直接接觸。
所述單根奈米碳管12包括至少一p型部分和至少一n型部分，並且所述p型部分和所述n型部分交替設置。所述p型部分就係所述暴露部分，所述n型部分就係所述接觸部分。也即所述單根奈米碳管12同時含有p型和n型。所述膜狀結構14設置在所述單根奈米碳管12上，並且所述膜狀結構14與所述n型部分直接接觸。進一步，所有的n型部分的外表面均與一膜狀結構14直接接觸。本實施中，所述膜狀結構14僅設置在所述單根奈米碳管12的n型部分上，且與n型部分直接接觸。以下以第一奈米碳管複合結構10至第六奈米碳管複合結構60為例，具體說明所述奈米碳管複合結構。
如圖5所示，第一奈米碳管複合結構10由一個單根奈米碳管12和一個膜狀結構14組成，所述單根奈米碳管12由一個p型部分和一個n型部分組成，所述膜狀結構14覆蓋所述n型部分並且與該n型部分的外表面直接接觸。
如圖6所示，第二奈米碳管複合結構20由一個單根奈米碳管12和一個膜狀結構14組成，所述單根奈米碳管12由一個第一p型部分、一個第二p型部分和一個n型部分組成，該n型部分位元於所述第一p型部分和所述第二p型部分之間，也即所述單根奈米碳管12為p-n-p型。一個膜狀結構14覆蓋所述n型部分並且與該n型部分的外表面直接接觸。
如圖7所示，第三奈米碳管複合結構30由一個單根奈米碳管12和兩個膜狀結構14組成，所述單根奈米碳管12由一個第一n型部分、一個第二n型部分和一個p型部分組成，該p型部分位元於所述第一n型部分和所述第二n型部分之間，也即所述單根奈米碳管12為n-p-n型。一個膜狀結構14覆蓋所述第一n型部分並且與該第一n型部分的外表面直接接觸，另一個膜狀結構14覆蓋所述第二n型部分並且與該第二n型部分的外表面直接接觸。
如圖8所示，第四奈米碳管複合結構40由複數個相互平行且間隔設置的單根奈米碳管12和一個膜狀結構14組成，每個單根奈米碳管12包括一個p型部分和一個n型部分，所述膜狀結構14同時覆蓋複數個單根奈米碳管12的n型部分並且與該n型部分的外表面直接接觸。
如圖9所示，第五奈米碳管複合結構50由複數個相互平行且間隔設置的單根奈米碳管12和一個膜狀結構14組成，每個單根奈米碳管12包括一個第一p型部分、一個第二p型部分和一個n型部分，該n型部分位元於所述第一p型部分和所述第二p型部分之間，也即每個單根奈米碳管12為p-n-p型。所述膜狀結構14同時覆蓋複數個單根奈米碳管12的n型部分並且與該n型部分的外表面直接接觸。
如圖10所示，第六奈米碳管複合結構60由複數個相互平行且間隔設置的單根奈米碳管12和兩個膜狀結構14組成，每個單根奈米碳管12包括一個第一n型部分、一個第二n型部分和一個p型部分，該p型部分位元於所述第一n型部分和所述第二n型部分之間，也即每個單根奈米碳管12為n-p-n型。一個膜狀結構14同時覆蓋複數個單根奈米碳管12的第一n型部分並且與該第一n型部分的外表面直接接觸，另一個膜狀結構14同時覆蓋複數個單根奈米碳管12的第二n型部分並且與該第二n型部分的外表面直接接觸。
進一步，所述奈米碳管複合結構中的單根奈米碳管12也可以為n-p-n-p型、p-n-p-n型等複數種類型。無論該單根奈米碳管12中有多少個n型部分，所有的n型部分的外表面均與所述膜狀結構14直接接觸。
可以理解，第一奈米碳管複合結構10、第二奈米碳管複合結構20和第三奈米碳管複合結構30由所述第一實施例提供的方法所製備，第四奈米碳管複合結構40、第五奈米碳管複合結構50和第六奈米碳管複合結構60由所述第二實施例提供的方法所製備。
第三實施例提供的奈米碳管複合結構具有以下優點：第一、所述單根奈米碳管12的一部分為p型，另一部分為n型，也即所述單根奈米碳管12同時含有p型和n型；第二、所述單根奈米碳管12可以為n-p-n型、p-n-p型、n-p-n-p型、p-n-p-n型等複數種類型；第三、由於所述單根奈米碳管12同時含有p型和n型，當該單根奈米碳管12為半導體性奈米碳管時，電子可以從p型的價帶隧穿到n型的導帶，即實現帶間隧穿(band to band tunneling,BTBT)。
請參見圖11，本發明第四實施例提供一種背柵型隧穿電晶體100，其包括一所述單根奈米碳管12、一所述膜狀結構14、一源極108、一汲極109、一絕緣層106及一閘極104。所述背柵型隧穿電晶體100可以形成在一絕緣基底102表面。所述單根奈米碳管12為半導體性奈米碳管。所述膜狀結構14為二硫
化鉬(MoS2)膜或者二硫化鎢(WS2)膜，所述MoS2膜的材料係MoS2，所述WS2膜的材料係WS2。
所述閘極104設置於所述絕緣基底102表面，所述絕緣層106設置於所述閘極104遠離絕緣基底102的表面，所述單根奈米碳管12設置於所述絕緣層106遠離閘極104的表面，所述膜狀結構14覆蓋並直接接觸所述單根奈米碳管12的一部分，並且所述單根奈米碳管12位於所述絕緣層106與所述膜狀結構14之間。所述源極108與所述膜狀結構14電連接，所述汲極109與所述單根奈米碳管12電連接。所述絕緣層106位於所述源極108和閘極104之間，所述絕緣層106位於所述汲極109和閘極104之間。本實施例中，所述源極108與所述膜狀結構14直接接觸，所述汲極109與所述單根奈米碳管12直接接觸。由於所述單根奈米碳管12係一維，所述膜狀結構14係二維，因此該膜狀結構14的一部分與所述單根奈米碳管12直接接觸，一部分與所述絕緣層106直接接觸。所述單根奈米碳管12的一部分位元於所述膜狀結構14與所述絕緣層106之間，並且與所述膜狀結構14、所述絕緣層106均直接接觸。
所述絕緣基底102起支撐作用，其材料可選擇為玻璃、石英、陶瓷、金剛石、矽片等硬性材料或塑膠、樹脂等柔性材料。本實施例中，所述絕緣基底102的材料為玻璃。所述絕緣基底102也可選用大型積體電路中的基板，且複數個背柵型隧穿電晶體100可按照預定規律或圖形集成於同一絕緣基底102上。
所述絕緣層106具有原子級平整的表面，所述絕緣層106的材料為氮化硼等。該絕緣層106的厚度為5奈米~100微米。本實施例中，所述絕緣層106的材料為六方氮化硼，該六方氮化硼形成的絕緣層106具有原子級平整的表面。
所述源極108及汲極109的材料應具有較好的導電性。具體地，該源極108及汲極109的材料可以為金屬、合金、銦錫氧化物(ITO)、銻錫氧化物(ATO)、導電銀膠、導電聚合物及金屬性奈米碳管膜等導電材料。所述源極108及汲極109的厚度為0.5奈米~100微米。本實施例中，所述源極108為Au/Ti(金/鈦，厚度50nm/5nm)電極，該Au/Ti電極係由一5nm厚的金層和一5nm厚的鈦層層疊設置而成，與所述膜狀結構14直接接觸的係5nm厚的Ti層，
50nm厚的Au層設置在Ti層遠離所述膜狀結構14的表面，所述汲極109的材料為鈀(Pd)，厚度為50nm。
所述閘極104的材料具有較好的導電性。具體地，該閘極104的材料可以為金屬、合金、ITO、ATO、導電銀膠、導電聚合物及奈米碳管膜等導電材料。該金屬或合金材料可以為鋁、銅、鎢、鉬、金或它們的合金。具體地，所述閘極104的厚度為0.5奈米~100微米。本實施例中，所述閘極104為高摻雜的矽。
以下以一具體的實施例來進一步說明本發明，但不能成為對本發明的限制。
一高摻雜的矽片(矽被高摻雜，導電，作為閘極104)表面具有300nm(奈米)厚的氧化層(該氧化層的材料為SiO2)，使用透明膠帶法將六方氮化硼(hBN)薄片(作為絕緣層106)轉移到所述氧化層上，hBN薄片與所述氧化層直接接觸，所述氧化層位於所述高摻雜的矽片與所述hBN薄片之間。由於hBN薄片具有原子級平整的表面，該原子級平整的表面沒有懸空鍵，因此，所述hBN薄片可以遮罩來自SiO2表面的電荷摻雜。將懸空設置的一根半導體性奈米碳管的內殼拉出，然後使用兩個鎢尖端將所述半導體性奈米碳管放在所述hBN薄片上。通過測電學量僅選擇半導體性奈米碳管。由於所述半導體性奈米碳管的內殼拉出，該半導體性奈米碳管為單壁奈米碳管或雙壁奈米碳管。在帶有顯微操作器的光學顯微鏡下，將一片MoS2膜層疊在所述半導體性奈米碳管上，並且該MoS2膜僅覆蓋所述半導體性奈米碳管的一部分。通過使用包括電子束光刻(EBL)、電子束蒸發和剝離在內的標準工藝，分別採用Pd(鈀，厚度為50nm)和Au/Ti(金/鈦，50nm/5nm)電極來連接所述半導體性奈米碳管和MoS2膜。也即，Pd與所述半導體性奈米碳管電連接，作為汲極109。Au/Ti電極與MoS2膜電連接，作為源極108。所述半導體性奈米碳管作為通道層。如此，背柵型隧穿電晶體100製備完成，如圖12所示。圖12為背柵型隧穿電晶體100的結構示意圖及外加測量電路圖，主體係一根半導體型奈米碳管和二硫化鉬構建的混合維度異質結，採用金屬鈀作為半導體型奈米碳管的接觸電極，採用鈦金(5nm/50nm)作為二硫化鉬的接觸電極，分別實現良好的p型歐姆接觸和n型歐姆接觸。圖12中，與二硫化鉬直接接觸的兩個電極均為鈦金電極，與半導體型奈米碳管直接接觸的三個電極均為鈀電極。可以理解，圖12中，與二硫化鉬直接接觸或者
電連接的可以僅為一個鈦金電極，與半導體型奈米碳管直接接觸或者電連接的可以僅為一個鈀電極。在測試中，重摻的矽襯底為閘極104，半導體型奈米碳管接汲極109，二硫化鉬接源極108。
所述背柵型隧穿電晶體100的工作原理係：MoS2膜覆蓋並且直接接觸所述半導體性奈米碳管的一部分，這部分由p型轉變為n型，從而使得所述半導體性奈米碳管的一部分為P型，另一部分為n型，因此所述半導體性奈米碳管形成pn結，在特定柵壓下，載流子可以實現由p型奈米碳管的價帶隧穿至n型奈米碳管的導帶，也即載流子通過帶間隧穿，實現了從汲極109到源極108的輸運，而閘極104通過控制奈米碳管和MoS2中載流子的數量來控制隧穿電流，從而實現電晶體的開關轉換。
圖13至圖29係對圖12中的背柵型隧穿電晶體100進行各種性能表徵。圖13至圖29中，“CNT”代表半導體性奈米碳管，“CNT with MoS2”代表中間部分被MoS2膜覆蓋的半導體性奈米碳管(也即所述接觸部分)，“Before contact”代表所述半導體性奈米碳管和所述MoS2膜接觸前，“After contact”代表所述半導體性奈米碳管和所述MoS2膜接觸後，“overlapped region”代表所述MoS2膜和所述半導體性奈米碳管的交疊區域(也即所述接觸部分)，“BTBT region”代表在對應柵壓範圍內，帶間隧穿機制主導載流子的輸運帶間隧穿區域，“Diffusion region”代表在對應柵壓範圍內，熱擴散機制主導載流子的輸運擴散區域，“BTBT current”代表帶間隧穿電流。
圖13為以對數形式表示的所述背柵型隧穿電晶體100的電流掃描圖，橫軸為柵壓(閘極104電壓)，縱軸為源漏偏壓。兩條虛線劃分出背柵型隧穿電晶體100在不同柵壓下的工作模式，從右往左依次為nn結區域，pn結區域，BTBT區域。圖14為所述背柵型隧穿電晶體100的轉移特性曲線。
圖15為所述背柵型隧穿電晶體100在BTBT工作模式下的典型輸出特性曲線，由圖15可知，反向電流大於正向電流。圖16為所述背柵型隧穿電晶體100在pn結工作模式下的典型輸出特性曲線，圖16呈現明顯的正向整流特徵。圖17為所述背柵型隧穿電晶體100在nn結工作模式下的典型輸出特性曲線，圖17呈現正反對稱的輸出特點。所述pn結工作模式和所述nn結工作模式指的係在柵壓(閘極電壓)調節下不同的工作模式，nn結工作模式對應的柵壓範圍
大致為+35~+45V,pn結工作模式對應的柵壓範圍大致為+20V~+35V，BTBT工作模式對應的柵壓範圍大概為-20V~+20V。
圖18為一根半導體性奈米碳管中間覆蓋有MoS2的所述背柵型隧穿電晶體100的轉移特性曲線和在同一根半導體性奈米碳管上製備的單獨奈米碳管電晶體的轉移特性曲線的對比，其中，所述單獨奈米碳管電晶體與所述背柵型隧穿電晶體100的唯一區別係：所述單獨奈米碳管電晶體不含有所述MoS2膜，也即半導體性奈米碳管並沒有被MoS2覆蓋；所述背柵型隧穿電晶體100含有所述MoS2膜，也即半導體性奈米碳管的一部分被MoS2覆蓋。圖18中，由圖18可以看到，所述背柵型隧穿電晶體100除了和所述單獨奈米碳管電晶體在~+35V(伏特)時共有的關中斷點之外，半導體性奈米碳管中間覆蓋有MoS2的背柵型隧穿電晶體100的轉移特性曲線在-5V附近又多了一個關中斷點。這證明了MoS2覆蓋的半導體性奈米碳管(也即所述接觸部分)和沒有MoS2覆蓋的半導體性奈米碳管(也即所述暴露部分)的摻雜水準係不同的。單根奈米碳管12沒有與MoS2膜接觸之前，所述單根奈米碳管12係一維p型通道，MoS2膜係二維n型通道，MoS2膜的費米能級高於沒有與MoS2膜接觸的單根奈米碳管12。當單根奈米碳管12與MoS2膜接觸之後，電子可以自發地從MoS2膜轉移到單根奈米碳管12，直到單根奈米碳管12與MoS2膜的費米能級對齊或者相等。由於電子自發從MoS2膜向MoS2膜覆蓋的半導體性奈米碳管(也即所述接觸部分)轉移，因此被MoS2膜覆蓋的半導體性奈米碳管(也即所述接觸部分)由p型轉為n型，沒有被MoS2膜覆蓋的半導體性奈米碳管(也即所述暴露部分)依然為p型。
圖19為所述背柵型隧穿電晶體100的光電流圖。圖19可以反映在MoS2膜和半導體性奈米碳管的交疊區域(也即所述接觸部分)，內建電場的方向係由MoS2指向半導體性奈米碳管的，證明了電子由MoS2向半導體性奈米碳管的自發轉移。
圖20為所述背柵型隧穿電晶體100中半導體性奈米碳管和MoS2膜接觸前的能帶圖。圖21為所述背柵型隧穿電晶體100的半導體性奈米碳管和MoS2膜接觸後的能帶圖。由圖21可以得知，在MoS2膜和半導體性奈米碳管的交疊區域(也即所述接觸部分)，半導體性奈米碳管由p型轉變為n型。
圖22為所述背柵型隧穿電晶體100的在不同溫度下的轉移特性曲線。圖23為從圖22中提取出的在擴散區域和BTBT區域的亞閾值擺幅。由圖23可以看到，在擴散區域，亞閾值擺幅隨著溫度的降低而減小；而在BTBT區域，亞閾值擺幅不隨溫度的降低而變化。這證明了所述背柵型隧穿電晶體100在BTBT區域確實係在帶間隧穿機制下工作。
圖24為以半對數標度繪製的所述背柵型隧穿電晶體100中CNT-MoS2異質結構在BTBT工作模式時不同閘極電壓下的典型輸出曲線。圖25為反向偏置時反向整流二極體的能帶圖，圖26為反向偏壓下齊納二極體的能帶圖。其中，所述反向整流二極體和所述齊納二極體的工作機制都係帶間隧穿(BTBT)，不同的係，所述反向整流二極體在小的反向電壓下，就會有反向電流；對於所述齊納二極體，只有反向電壓達到特定值後，才能開啟反向電流。圖27為Vg=20V時BTBT狀態下的溫度相關輸出曲線。圖28為Vg=20V時帶間隧穿電流(BTBT電流)和正向偏置電流與溫度的反斜率。圖29為溫度為130K的源極108汲極109電流Ids映射圖，由圖29可以得知，肩峰與主峰明顯分離。圖24至圖29均係對於BTBT區域的輸出特性的分析。
本發明第四實施例進一步提供中間覆蓋有MoS2膜的金屬性奈米碳管場效應電晶體和單純的金屬性奈米碳管場效應電晶體的對比實驗，以驗證MoS2膜對金屬性奈米碳管同樣進行了n型摻雜。所述中間覆蓋有MoS2膜的金屬性奈米碳管場效應電晶體與所述背柵型隧穿電晶體100的唯一區別係：所述中間覆蓋有MoS2膜的金屬性奈米碳管場效應電晶體中採用金屬性奈米碳管，而所述背柵型隧穿電晶體100中採用半導體性奈米碳管。所述單純的金屬性奈米碳管場效應電晶體與所述中間覆蓋有MoS2膜的金屬性奈米碳管場效應電晶體的唯一區別係：單純的金屬性奈米碳管場效應電晶體不含有所述MoS2膜，也即金屬性奈米碳管並沒有被MoS2膜覆蓋；所述中間覆蓋有MoS2膜的金屬性奈米碳管場效應電晶體含有所述MoS2膜，也即金屬性奈米碳管的一部分被MoS2膜覆蓋。
圖30為單純的金屬性奈米碳管場效應電晶體和覆蓋有MoS2膜的金屬性奈米碳管場效應電晶體的轉移特性曲線。圖30中，“mCNT”代表金屬性奈米碳管。由圖30可以得知，覆蓋有MoS2膜的金屬性奈米碳管，由於MoS2膜對其覆蓋的金屬性奈米碳管(即金屬性奈米碳管被MoS2膜覆蓋的部分)的電
子摻雜，轉移特性曲線多出現了一個狄拉克點，如箭頭所示。由此可證明，MoS2膜對金屬性奈米碳管同樣進行了n型摻雜，即金屬性奈米碳管被MoS2膜覆蓋的部分由P型轉變為n型，金屬性奈米碳管未被MoS2膜覆蓋的部分依然為p型。
請參見圖31，本發明第五實施例提供一種頂柵型隧穿電晶體200，其包括一所述單根奈米碳管12、一所述膜狀結構14、一所述源極108、一所述汲極109、一所述絕緣層106及一所述閘極104。所述頂柵型隧穿電晶體200可以形成在一所述絕緣基底102表面。所述單根奈米碳管12為半導體性奈米碳管。
所述單根奈米碳管12設置於所述絕緣基底102表面，所述膜狀結構14覆蓋所述單根奈米碳管12的一部分，並且與該部分的外表面直接接觸。由於單根奈米碳管12為一維，膜狀結構14為二維，因此所述膜狀結構14一部分與所述單根奈米碳管12的一部分直接接觸，所述膜狀結構14另一部分與所述絕緣基底102直接接觸。所述汲極109與所述單根奈米碳管12電連接，所述源極108與所述膜狀結構14電連接。所述絕緣層106覆蓋所述源極108、膜狀結構14、單根奈米碳管12及汲極109。所述閘極104設置在所述絕緣層106遠離絕緣基底102的表面。也即，所述絕緣層106使得所述源極108、膜狀結構14、單根奈米碳管12、汲極109均與所述閘極104電絕緣。
可以理解，根據具體的形成工藝不同，所述絕緣層106不必完全覆蓋所述源極108、膜狀結構14、單根奈米碳管12及汲極109，只要能保證所述源極108、膜狀結構14、單根奈米碳管12、汲極109與所述閘極104絕緣即可。
第五實施例提供的頂柵型隧穿電晶體200與第四實施例提供的背柵型隧穿電晶體100相似，其區別在於：前者係頂柵型，後者係背柵型。第五實施例中單根奈米碳管12、膜狀結構14、源極108、汲極109、絕緣層106及閘極104的結構、材料、尺寸等均與第四實施例中的相同，這裡不再贅述。
第四實施例提供的背柵型隧穿電晶體100和第五實施例提供的頂柵型隧穿電晶體200具有以下優點：第一、單根半導體性奈米碳管同時含有p型和n型，電子可以從p型隧穿到n型，實現帶間隧穿(band to band tunneling,BTBT)；第二、一維的單根半導體性奈米碳管和二維的MoS2膜(或者WS2膜)結合具有優異的閘極104可控性；第三、獨特的單根半導體性奈米碳管與二維
的MoS2膜(或者WS2膜)之間具有強耦合的理想介面，可以提高導通電流、降低亞閾值擺幅；第四、所述絕緣層106具有原子級平整的表面，由於絕緣層106的表面原子級平整，無懸空鍵，因此所述絕緣層106可以遮罩來自閘極104表面的電荷摻雜。
請參見圖32，本發明第六實施例提供一種奈米碳管p型摻雜的方法，其包括以下步驟：S61，提供一個單根奈米碳管12；S62，提供一個層狀結構16，該層狀結構16為二硒化鎢(WSe2)膜或者黑磷(BP)膜；及S63，將所述層狀結構16至少直接接觸所述單根奈米碳管12的一部分。
步驟S62中，所述二硒化鎢(WSe2)膜或者黑磷(BP)膜均為二維膜狀結構14。所述WSe2膜的材料係WSe2，所述黑磷膜的材料係黑磷。
步驟S63中，所述單根奈米碳管12可以被所述層狀結構16完全覆蓋，也可以被所述層狀結構16部分覆蓋。也即，所述層狀結構16可以覆蓋並且直接接觸單根奈米碳管12的一部分，而單根奈米碳管12的另一部分暴露。所述層狀結構16也可以覆蓋並且直接接觸單根奈米碳管12的全部。凡係被所述層狀結構16覆蓋的奈米碳管部分均與所述層狀結構16直接接觸。也即，所述層狀結構16可以直接接觸單根奈米碳管12的一部分，也可以直接接觸單根奈米碳管12的全部。如圖33所示，所述層狀結構16覆蓋並且直接接觸單根奈米碳管12的一部分。如圖34所示，所述層狀結構16覆蓋並且直接接觸單根奈米碳管12全部的上表面。
定義所述單根奈米碳管12中與所述層狀結構16直接接觸的部分為接觸部分，定義所述單根奈米碳管12中沒有與所述層狀結構16直接接觸的部分為暴露部分。也即，所述單根奈米碳管12由接觸部分和暴露部分組成。
奈米碳管本身為p型，然而在實際應用中，依然需要給本身為p型的奈米碳管進行p摻雜。所述層狀結構16直接接觸所述接觸部分，WSe2或者黑磷向所述接觸部分貢獻空穴，也即空穴從WSe2或者黑磷進入所述接觸部分，從而所述接觸部分進行p摻雜。此時，所述單根奈米碳管12的暴露部分依然為p型。也即，所述單根奈米碳管12整體均未p型。
第六實施例提供的奈米碳管p型摻雜的方法與第一實施例提供的奈米碳管n型摻雜的方法相似，其區別在於：第一實施例中，將膜狀結構14覆蓋單根奈米碳管12的一部分或者全部，該膜狀結構14的材料為二硫化鉬或者二硫化鎢，從而使得被膜狀結構14覆蓋的奈米碳管部分被n型摻雜，其由p型轉變為n型，也即所述單根奈米碳管12一部分為p型，一部分為n型；第六實施例中，將層狀結構16覆蓋單根奈米碳管12的一部分或者全部，該層狀結構16的材料為二硒化鎢或者黑磷，從而使得被層狀結構16覆蓋的奈米碳管部分被p型摻雜，所述單根奈米碳管12整體均為p型。第六實施例中單根奈米碳管12的類型、尺寸，及層狀結構16的尺寸等均與第一實施例中單根奈米碳管12的類型、尺寸，及膜狀結構14的尺寸等相同，這裡不再贅述。
本發明第六實施例進一步提供覆蓋有WSe2膜的奈米碳管場效應電晶體和單純的奈米碳管場效應電晶體的對比實驗，以驗證WSe2膜對奈米碳管進行了p型摻雜。所述單純的奈米碳管場效應電晶體與所述覆蓋有WSe2膜的奈米碳管場效應電晶體的唯一區別係：單純的奈米碳管場效應電晶體不含有所述WSe2膜，也即奈米碳管並沒有被WSe2膜覆蓋；所述覆蓋有WSe2膜的奈米碳管場效應電晶體含有所述WSe2膜，也即奈米碳管的一部分被WSe2膜覆蓋。
圖35為中間部分覆蓋有WSe2膜的奈米碳管場效應電晶體和單純的奈米碳管場效應電晶體的轉移特性曲線。由圖35可以得知，中間部分覆蓋有WSe2的奈米碳管場效應電晶體除了和單獨奈米碳管場效應電晶體在~-18V(伏特)時共有的關中斷點之外，半導體性奈米碳管中間覆蓋有WSe2的背柵型隧穿電晶體的轉移特性曲線在+5V附近又多了一個關中斷點。這證明了WSe2覆蓋的半導體性奈米碳管(也即所述接觸部分)和沒有WSe2覆蓋的半導體性奈米碳管(也即所述暴露部分)的摻雜水準係不同的。在兩者接觸之前，單根奈米碳管係一維以p型為主的雙極性通道，WSe2膜係二維p型通道。在兩者接觸之後，由於空穴自發地從WSe2膜中向WSe2膜覆蓋的半導體型奈米碳管轉移，因此，未被WSe2覆蓋的奈米碳管在閘極電壓調節下，由p型轉變為n型時，被WSe2覆蓋的半導體型奈米碳管仍然保持p型；當WSe2中的空穴被耗盡時，被WSe2覆蓋的奈米碳管部分才由p型轉變為n型，形成第二個關中斷點。由此可證明，奈米碳管被WSe2膜覆蓋的部分進行了P型摻雜，奈米碳管未被WSe2膜覆蓋的部分沒有進行P型摻雜。
請參見圖36，本發明第七實施例提供一種奈米碳管p型摻雜的方法，其包括以下步驟：S71，提供複數個間隔設置的單根奈米碳管12；S72，提供一個層狀結構16，該層狀結構16為二硒化鎢(WSe2)膜或者黑磷(BP)膜；及S73，將所述層狀結構16同時覆蓋所述複數個單根奈米碳管12，每個單根奈米碳管12的至少一部分直接接觸所述層狀結構16。
第七實施例提供的奈米碳管p型摻雜的方法與第六實施例提供的奈米碳管p型摻雜的方法相似，不同之處在於：第六實施例中，二硒化鎢(WSe2)膜或者黑磷(BP)膜覆蓋一個單根奈米碳管12的至少一部分；第七實施例中，二硒化鎢(WSe2)膜或者黑磷(BP)膜同時覆蓋複數個間隔設置的單根奈米碳管12的至少一部分。
步驟S71中，複數個間隔設置的單根奈米碳管12的延伸方向相互平行。
步驟S73中，所述二硒化鎢(WSe2)膜或者黑磷(BP)膜可以同時覆蓋複數個單根奈米碳管12的一部分，從而使得每個單根奈米碳管12的一部分進行p型摻雜。所述二硒化鎢(WSe2)膜或者黑磷(BP)膜可以同時覆蓋複數個單根奈米碳管12的全部，從而使得每個單根奈米碳管12全部進行p型摻雜。
第六實施例和第七實施例提供的奈米碳管p型摻雜的方法具有以下優點：第一、所述二硒化鎢(WSe2)膜或者黑磷(BP)膜直接接觸單根奈米碳管12的一部分或者全部，可以對所述單根奈米碳管12實現p型摻雜；第二、可以同時使複數個單根奈米碳管12進行p摻雜；第三、方法簡單，p型摻雜效果好。
綜上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施例，自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡習知本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。
12:單根奈米碳管
16:層狀結構
Claims (6)
- 一種奈米碳管p型摻雜的方法，其包括以下步驟：提供一單根奈米碳管；提供一層狀結構，該層狀結構為二硒化鎢膜或者黑磷膜；及將所述層狀結構直接接觸所述單根奈米碳管的至少一部分，定義所述單根奈米碳管中與所述層狀結構直接接觸的部分為接觸部分，所述層狀結構的空穴從所述層狀結構進入所述接觸部分，對所述接觸部分進行p型摻雜。
- 如請求項1所述的奈米碳管p型摻雜的方法，其中，所述奈米碳管為單壁奈米碳管或者雙壁奈米碳管。
- 如請求項1所述的奈米碳管p型摻雜的方法，其中，將所述層狀結構覆蓋並且直接接觸所述單根奈米碳管的至少一部分。
- 一種奈米碳管p型摻雜的方法，其包括以下步驟：提供複數個間隔設置的單根奈米碳管；提供一層狀結構，該層狀結構為二硒化鎢膜或者黑磷膜；及將所述層狀結構直接接觸所述複數個單根奈米碳管，定義所述複數個單根奈米碳管中與所述層狀結構直接接觸的部分為接觸部分，所述層狀結構的空穴從所述層狀結構進入所述接觸部分，對所述接觸部分進行p型摻雜。
- 如請求項4所述的奈米碳管p型摻雜的方法，其中，所述複數個間隔設置的單根奈米碳管的延伸方向相互平行。
- 如請求項4所述的奈米碳管p型摻雜的方法，其中，所述層狀結構覆蓋並且直接接觸每個單根奈米碳管的至少一部分。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110838885.2 | 2021-07-23 | ||
| CN202110838885.2A CN115784208B (zh) | 2021-07-23 | 2021-07-23 | 碳纳米管p型掺杂的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202304809A TW202304809A (zh) | 2023-02-01 |
| TWI824279B true TWI824279B (zh) | 2023-12-01 |
Family
ID=84977065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW110129540A TWI824279B (zh) | 2021-07-23 | 2021-08-10 | 奈米碳管p型摻雜的方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11690277B2 (zh) |
| CN (1) | CN115784208B (zh) |
| TW (1) | TWI824279B (zh) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201808787A (zh) * | 2016-07-01 | 2018-03-16 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 半導體器件 |
| TW201901763A (zh) * | 2017-05-24 | 2019-01-01 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 半導體元件 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI220269B (en) | 2002-07-31 | 2004-08-11 | Ind Tech Res Inst | Method for fabricating n-type carbon nanotube device |
| US9472686B2 (en) | 2013-08-02 | 2016-10-18 | Northwestern University | Gate-tunable P-N heterojunction diode, and fabrication method and application of same |
| CN108933134B (zh) | 2017-05-24 | 2020-09-25 | 清华大学 | 半导体器件 |
-
2021
- 2021-07-23 CN CN202110838885.2A patent/CN115784208B/zh active Active
- 2021-08-10 TW TW110129540A patent/TWI824279B/zh active
- 2021-10-20 US US17/505,826 patent/US11690277B2/en active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201808787A (zh) * | 2016-07-01 | 2018-03-16 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 半導體器件 |
| TW201901763A (zh) * | 2017-05-24 | 2019-01-01 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 半導體元件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11690277B2 (en) | 2023-06-27 |
| CN115784208A (zh) | 2023-03-14 |
| US20230027304A1 (en) | 2023-01-26 |
| TW202304809A (zh) | 2023-02-01 |
| CN115784208B (zh) | 2024-07-23 |
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