TWI813870B - 半導體裝置封裝 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種半導體裝置封裝，其包括一基板、安置於該基板上之一熱耗散結構及安置於該熱耗散結構上之一第一光學模組。該熱耗散結構包括一外殼、安置於該外殼上之一光學組件及安置於該外殼中且能夠朝向該第一光學組件發射光之一發光裝置。

Description

半導體裝置封裝
本發明尤其係關於一種半導體裝置封裝及一種具有多個模組之半導體裝置封裝。
半導體裝置封裝可包括整合於其中之一些模組，例如，光學模組、電力模組、通信模組。可能需要相對高的精確性來裝配此等模組以確保半導體裝置封裝之效能。然而，用以製造上文所提及之半導體裝置封裝的一些方法可能需要相對大的成本及大小。
根據本發明之一些實例實施例，一種半導體裝置封裝包括一基板、安置於該基板上之一熱耗散結構及安置於該熱耗散結構上之一第一光學模組。該熱耗散結構包括一外殼、安置於該外殼上之一光學組件及安置於該外殼中且能夠朝向該第一光學組件發射光之一發光裝置。
根據本發明之一些實例實施例，一種半導體裝置封裝包括：一第一基板；安置於該第一基板上之一第一光學模組；及安置於該第一光學組件之一側處之一第二光學模組。該第一光學模組包括一外殼、安置於該外殼上之一第一光學組件及安置於該外殼中且朝向該第一光學組件發射光之發光裝置。該第二光學模組包括安置於該第一基板上之一第二基板、安置於該第二基板上之一偵測器模組及安置於該偵測器模組上且具有與該偵測器模組直接接觸之一延伸部分的一第一蓋。
以下揭示內容提供用於實施所提供之標的物之不同特徵的許多不同實施例或實例。在下文描述組件及配置之具體實例。當然，此等組件及配置僅為實例且不意欲為限制性的。在本發明中，在以下描述中提及第一特徵形成在第二特徵上方或上可包括第一特徵與第二特徵直接接觸地形成的實施例，且亦可包括額外特徵可在第一特徵與第二特徵之間形成，使得第一特徵與第二特徵可不直接接觸之實施例。另外，本發明可在各種實例中重複參考標號及/或字母。此重複係出於簡單及清楚之目的，且本身並不規定所論述之各種實施例及/或組態之間的關係。
下文詳細地論述本發明之實施例。然而，應瞭解，本發明提供可在廣泛多種特定情境中體現之許多適用的概念。所論述特定實施例僅為說明性的且並不限制本發明之範疇。
圖1為根據本發明之一些實施例之半導體裝置封裝的橫截面圖。
參考圖1，半導體裝置封裝1可包括基板10、半導體裝置11、基板12、光學模組13、另一光學模組14及加強件16。
基板10可包括一些導電元件，例如但不限於導電跡線、襯墊、通孔(圖1中未說明)。基板10可包括重佈結構(圖1中未說明)。基板10可包括電路系統(圖1中未說明)。基板10可包括絕緣材料或介電材料。基板10可包括核心或相對硬的材料。基板10可包括可撓性或相對柔軟的材料。基板10可包括表面101及與表面101相對之另一表面102。
基板10可包括絕緣或介電材料，該材料可包括樹脂(例如，雙馬來醯亞胺三嗪樹脂(BT))。基板10可包括絕緣或介電材料，該材料可包括玻璃纖維(例如，編織玻璃、預浸漬複合纖維(預浸體))。基板10可包括絕緣或介電材料，該材料可包括粒子(例如，SiO2 粒子)。基板10可包括絕緣或介電材料，該材料可包括環氧樹脂。基板10可包括絕緣或介電材料，該材料可包括模製化合物或囊封材料。
半導體裝置11可安置於加強件16上。半導體裝置11可安置於基板10中。半導體裝置11可嵌入於基板10中。開口(圖1中未表示)可形成於基板10中以容納或收納半導體裝置11。基板10可界定開口(圖1中未表示)以容納或收納半導體裝置11。基板10可界定穿通孔(圖1中未表示)，該穿通孔穿透基板10以容納或收納半導體裝置11。儘管圖1中未說明，但基板10可界定凹槽而非穿通開口以容納或收納半導體裝置11。
半導體裝置11可包括(例如但不限於)處理器、控制器、微控制器(MCU)或其他電子組件。半導體裝置11可電連接至基板10。半導體裝置11可藉由導電線W電連接至基板10。半導體裝置11可包括導線接合型半導體晶粒或晶片。根據本發明之一些其他實施例，半導體裝置11可包含覆晶型半導體晶粒或晶片。
加強件16可包括相對硬的材料以加固半導體裝置封裝1。加強件16可安置於基板10之表面102上。加強件16可附接至基板10之表面102。
基板12可包括絕緣或介電材料121、導電結構122及導電結構123。
絕緣或介電材料121可包括樹脂(例如，雙馬來醯亞胺三嗪樹脂(BT))。絕緣或介電材料121可包括玻璃纖維(例如，編織玻璃、預浸漬複合纖維(預浸體))。絕緣或介電材料121可包括粒子(例如，SiO2 粒子)。絕緣或介電材料121可包括環氧樹脂。絕緣或介電材料121可包括模製化合物或囊封材料。
基板12可安置於基板10上。基板12可安置於基板10之表面101上。基板12可附接至基板10之表面101。基板12可安置於半導體裝置11上。基板12可覆蓋半導體裝置11。基板12可具有用以容納或收納半導體裝置11之凹槽。基板12可具有用以容納或收納導電線W之凹槽。
導電結構122及導電結構123可安置於絕緣或介電材料121中。導電結構122及導電結構123可嵌入於絕緣或介電材料121中。
導電結構122可包括導熱材料。導電結構122可包括導電材料。導電結構122可包括(例如但不限於)銅(Cu)、鋁(Al)、金(Au)、銀(Ag)或其他合適材料。導電結構122可包括金屬或合金。導電結構122可包括非金屬材料，例如但不限於石墨烯或其他合適材料。
導電結構123可包括導熱材料。導電結構123可包括導電材料。導電結構123可包括(例如但不限於)銅(Cu)、鋁(Al)、金(Au)、銀(Ag)或其他合適材料。導電結構123可包括金屬或合金。導電結構123可包括非金屬材料，例如但不限於石墨烯或其他合適材料。導電結構123可包括相對大的襯墊123a。
基板12可充當熱耗散結構。導電結構122可充當熱耗散結構。導電結構123可充當熱耗散結構。
基板12可藉由連接元件151電連接至基板10。基板12可藉由連接元件151熱連接至基板10。導電結構122可與連接元件151直接接觸。導電結構123可與連接元件151直接接觸。
連接元件151可包括(例如但不限於)焊料、導電黏著劑(例如，與導電粒子混合之樹脂)或其他合適接合材料。
光學模組13可包括絕緣或介電材料131、導電結構132、基底133、光學組件134及半導體裝置135。
光學模組13可安置於基板10上。光學模組13可安置於基板12上。
絕緣或介電材料131可與絕緣或介電材料121相同或類似。絕緣或介電材料131可不同於絕緣或介電材料121。
導電結構132可包括與導電結構121相同或類似的材料。導電結構132可包括與導電結構122相同或類似的材料。導電結構132可安置或嵌入於絕緣或介電材料131中。
基底或導電基底133可包括與導電結構121相同或類似的材料。基底或導電基底133可包括與導電結構122相同或類似的材料。基底或導電基底133可安置或嵌入於絕緣或介電材料131中。
導電結構132及基底133可包括引線框。導電結構132及基底133可包括引線框之一部分。導電結構132及基底133可包括經圖案化銅板或銅箔。
導電結構132及基底133可藉由將一些導電柱或支柱(圖1中未表示)安置於引線框上來形成。導電結構132之部分可藉由電鍍技術形成。絕緣或介電材料131可囊封導電結構132。絕緣或介電材料131可囊封基底133。
半導體裝置135可包括導線接合型半導體晶粒或晶片。半導體裝置135可包括覆晶型半導體晶粒或晶片。半導體裝置135可包括(例如但不限於)電力晶粒、光學晶粒、發光晶粒(例如，光發射器二極體(LED)晶粒、垂直空腔表面發光雷射)或其類似者。半導體裝置135可發射可見光。半導體裝置135可發射具有在一範圍內之波長的光(例如，紅外線(IR)光)。
絕緣或介電材料131、導電結構132及基底133可充當外殼(圖1中未表示)。外殼可界定用以容納或收納半導體裝置135之空間或凹槽。半導體裝置135可安置於導電基底133上。半導體裝置135可藉由接合材料(例如，黏著劑或導電黏著劑)安置於導電基底133上。基底133可支撐半導體裝置135。半導體裝置135可電連接至導電結構132。基底133可包括由絕緣材料131曝露之部分(圖1中未表示)，且該部分可具有與基板12之襯墊123a實質上相同的寬度。基底133可包括由絕緣材料131曝露之部分(圖1中未表示)，且該部分可具有與基板12之襯墊123a實質上相同的面積。
光學組件134可包括對具有在一範圍內之波長之光透明的板或膜。舉例而言，若自半導體裝置135發射之光包括可見光，則光學組件134可包括對人眼透明之玻璃板(或膜)、塑膠板(或膜)。舉例而言，若自半導體裝置135發射之光包括IR光，則光學組件134可包括矽或允許IR光穿過之其他材料。光學組件134可包括(例如但不限於)濾光器、光束塑形元件、繞射光學元件(DOE)、漫射器、微透鏡陣列(MLA)。光學組件134可包括導電結構。光學組件134可包括透明導電結構，例如但不限於氧化銦錫(ITO)或經銦摻雜之氧化鋅(IZO)。
光學組件134可根據本發明之一些其他實施例消除。
光學組件134可電連接至導電結構132。光學組件134可電連接至外殼。
光學模組13可藉由連接元件152電連接至基板12。光學模組13可藉由連接元件152熱連接至基板12。導電結構132可與連接元件152直接接觸。導電基底133可與連接元件152直接接觸。
連接元件152可包括與連接元件151類似或相同的材料。連接元件152可包括不同於連接元件151之材料。
半導體裝置封裝1可支援或促進(例如但不限於)電力供應，此意謂半導體裝置135 (例如，電力晶粒135)可產生相對大的熱。
半導體裝置封裝1可支援或促進(例如但不限於)虛擬實境(VR)技術、擴增實境(AR)技術、混合實境(MR)技術或其類似者。可能需要自半導體裝置135發射之光在距半導體裝置封裝1約一至三米之位置處到達目標，換言之，半導體裝置135可能需要至多約兩至四瓦特之電力，其可在半導體裝置封裝1之操作期間產生相對大的熱。
由半導體裝置135產生之熱可由基板12耗散。可包括導電基底133、連接元件152、導電結構123及連接元件151之導熱路徑可有助於將由半導體裝置135產生之熱傳遞至基板10。相比於導電結構132具有相對大的寬度或橫截面面積之導電基底133可促進熱耗散。相比於導電結構122具有相對大的寬度或橫截面面積之襯墊123a可促進熱耗散。
半導體裝置135可由半導體裝置11控制。半導體裝置135可電連接至半導體裝置11。
若光學組件134自外殼或導電結構132分離，則斷路可由半導體裝置11偵測，且半導體裝置11可切斷半導體裝置135之電力。因此，若半導體裝置135為發光裝置，則半導體裝置135將停止操作，因此避免將光直接照射至人(例如，可使用包括半導體裝置封裝1之設備的人)的眼睛中，或避免光污染或因其他原因而不合需要之光發射。
光學模組14可安置於基板10上。光學模組14可安置至光學模組13之一側。光學模組14可安置至光學模組13之在基板10上的一側。光學模組14可電連接至基板10。光學模組14可藉由連接元件153電連接至基板10。
連接元件153可包括與連接元件151類似或相同的材料。連接元件153可包括不同於連接元件151之材料。
光學模組14可包括基板141、半導體裝置142、連接元件143、罩蓋144、蓋145、另一蓋146及透鏡總成147。
基板141可包括與基板10類似或相同之結構。基板141可包括不同於基板10之結構。基板141可藉由連接元件153電連接至基板10。
半導體裝置142可安置於基板141上。半導體裝置142可包括導線接合型半導體晶粒或晶片。半導體裝置142可包括覆晶型半導體晶粒或晶片。半導體裝置142可包括(例如但不限於)感測器晶粒、光學晶粒、光學感測器晶粒(例如，光偵測器晶粒、光電偵測器)或其類似者。半導體裝置142可接收穿過透鏡總成147之光。半導體裝置142可接收穿過罩蓋144之光。
罩蓋144可安置於半導體裝置142上。罩蓋144可附接至半導體裝置142。罩蓋144可藉由連接元件143附接至半導體裝置142。罩蓋144可藉由連接元件143密封至半導體裝置142。
罩蓋144可包括對具有在一範圍內之波長之光透明的板或膜。舉例而言，若穿過透鏡總成147之光包括可見光，則罩蓋144可包括對人眼透明之玻璃板(或膜)、塑膠板(或膜)。舉例而言，若穿過透鏡總成147之光包括IR光，則罩蓋144可包括矽(Si)或允許IR光穿過之其他材料。罩蓋144可包括濾光器。
連接元件143可包括(例如但不限於)焊料、黏著劑(其可包括導電黏著劑(例如，與導電粒子混合之樹脂)或非導電黏著劑)或其他合適接合材料。
半導體裝置142、連接元件143及罩蓋144可充當偵測器模組(圖1中未表示)。
蓋145可安置於基板141上。蓋145可附接至基板141。蓋145可覆蓋基板142。蓋145可覆蓋連接元件143。蓋145可覆蓋罩蓋144。蓋145可覆蓋偵測器模組。蓋145可界定空間以容納或收納偵測器模組。蓋145可具有相對小的大小。蓋145可具有相對小的寬度。
蓋145可包括(例如但不限於)塑膠、聚合物、金屬或其他合適材料。蓋145可包括不透光材料。蓋145可包括用以避免光污染或因其他原因而不合需要之光發射的材料。
蓋146可包括與蓋145相同或類似之材料。蓋146可包括不同於蓋145之材料。
蓋146可安置於基板10上。蓋146可安置於基板141上。蓋146可安置於偵測器模組上。蓋146可安置於蓋145上。蓋146可附接至蓋145。蓋146可覆蓋蓋145。蓋146可藉由連接元件154附接至蓋145。連接元件154可安置於蓋145與蓋146之間。蓋146可具有相對小的大小。蓋146可具有相對小的寬度。
蓋146可具有延伸部分146a。蓋146之延伸部分146a可與偵測器模組直接接觸。蓋146之延伸部分146a可與罩蓋144直接接觸。蓋146之延伸部分146a可在連接元件154下方延伸。蓋146之延伸部分146a可在連接元件154上方延伸。蓋146之延伸部分146a可在蓋145之上部部分(圖1中未表示)上方延伸。蓋146之延伸部分146a可延伸至由蓋145界定之空間中。
蓋146可界定用以容納或收納透鏡總成147之空間。
連接元件154可包括(例如但不限於)焊料、黏著劑(其可包括導電黏著劑(例如，與導電粒子混合之樹脂)或非導電黏著劑)或其他合適接合材料。
透鏡總成147可包括透鏡147a及透鏡147b。透鏡總成147可包括更多或更少透鏡。透鏡147a可由蓋146固持。透鏡147b可由蓋146固持。透鏡147a可固定或安裝至蓋146。透鏡147b可固定或安裝至蓋146。透鏡總成147及蓋146可形成為單件式。
數個偵測器模組(其中之每一者可包括半導體裝置142、連接元件143及罩蓋144)可藉由將罩蓋144附接至晶圓之半導體裝置142中之每一者上且鋸切該晶圓來形成。此類預成型偵測器模組(其可在裝配半導體裝置封裝1之前形成)可防止半導體裝置142在製造期間受到污染(例如，灰塵、水或其他粒子)。
透鏡總成147可在組裝半導體裝置封裝1之前與蓋146整合。延伸部146a可有助於透鏡總成147與半導體裝置142對準。延伸部146a可有助於透鏡總成147與半導體裝置142在高度上對準。延伸部146a可確保透鏡總成147之焦點可實質上落在半導體裝置142之感測表面或區域上。舉例而言，在將蓋146 (其可與透鏡總成147整合)附接至蓋145之操作期間，操作可在延伸部146a與罩蓋144接觸時停止。
透鏡總成147與半導體裝置142之間的有效光學路徑或焦距可取決於延伸部分146a之長度。透鏡總成147與半導體裝置142之間的有效光學路徑或焦距可取決於延伸部分146a之厚度(可依據其設定)。此等配置可緩解或最小化由裝配未對準/偏差造成的光學問題。此等配置可緩解或最小化由偏離製造公差/偏差造成的光學問題。
圖2為根據本發明之一些實施例之半導體裝置封裝的橫截面圖。
半導體裝置封裝2類似於如參考圖1所說明及描述之半導體裝置封裝1，不同之處在於另一半導體裝置136被引入光學模組13以形成光學模組13'；基板10由基板10'替換，且半導體裝置11可安置於基板10'上。導電結構132可電連接至半導體裝置136。
半導體裝置136可包括導線接合型半導體晶粒或晶片。半導體裝置136可包括覆晶型半導體晶粒或晶片。半導體裝置136可包括(例如但不限於)感測器晶粒、光學晶粒、光學感測器晶粒(例如，光偵測器晶粒、光電偵測器)、微機電系統(MEMS)晶粒、壓力感測器晶粒、濕度感測器晶粒或其類似者。
若光學組件134自外殼或導電結構132分離，則斷路可由半導體裝置11偵測，且半導體裝置11可切斷半導體裝置135之電力。
若光學組件134自外殼或導電結構132分離，則光之改變可由半導體裝置136偵測，此可觸發半導體裝置11切斷半導體裝置135之電力。
若光學組件134自外殼或導電結構132分離，則壓力之改變可由半導體裝置136偵測，此可觸發半導體裝置11切斷半導體裝置135之電力。
若光學組件134自外殼或導電結構132分離，則濕度之改變可由半導體裝置136偵測，此可觸發半導體裝置11切斷半導體裝置135之電力。
因此，若半導體裝置135為發光裝置，則半導體裝置135將停止操作，因此避免將光直接照射至人(例如，可使用包括半導體裝置封裝2之設備的人)的眼睛中，或避免光污染或因其他原因而不合需要之光發射。
圖2A為根據本發明之一些實施例之半導體裝置封裝的橫截面圖。
半導體裝置封裝2a類似於參考圖2所說明及描述之半導體裝置封裝2，不同之處在於光學模組13'之導電結構132由導電結構132'替換以形成光學模組13a'。
導電結構132'類似於如參看圖1所描述及說明之導電結構132，不同之處在於消除了導電結構132之導電柱或支柱。絕緣或介電材料131、導電結構132'及導電基底133可充當外殼(圖2A中未表示)。外殼可與光學組件134電斷開。導電結構132'可與光學組件134電斷開。導電結構132'可電連接至半導體裝置136。
若光學組件134自外殼或導電結構132分離，則光之改變可由半導體裝置136偵測，此可觸發半導體裝置11切斷半導體裝置135之電力。
若光學組件134自外殼或導電結構132分離，則壓力之改變可由半導體裝置136偵測，此可觸發半導體裝置11切斷半導體裝置135之電力。
若光學組件134自外殼或導電結構132分離，則濕度之改變可由半導體裝置136偵測，此可觸發半導體裝置11切斷半導體裝置135之電力。
因此，若半導體裝置135為發光裝置，則半導體裝置135將停止操作，因此避免將光直接照射至人(例如，可使用包括半導體裝置封裝2a之設備的人)的眼睛中，或避免光污染或因其他原因而不合需要之光發射。
圖3為根據本發明之一些實施例之半導體裝置封裝的橫截面圖。
半導體裝置封裝3類似於如參考圖2所說明及描述之半導體裝置封裝2，不同之處在於半導體裝置11可改變為附接至基板12。
圖3A為根據本發明之一些實施例之半導體裝置封裝的橫截面圖。
半導體裝置封裝3a類似於如參考圖2A所說明及描述之半導體裝置封裝2a，不同之處在於半導體裝置11可改變為附接至基板12。
圖4為根據本發明之一些實施例之半導體裝置封裝的橫截面圖。
半導體裝置封裝4類似於參考圖2所說明及描述之半導體裝置封裝2，不同之處在於基板12由基板12'替換且光學模組13'由光學模組13"替換。
基板12'類似於如參考圖2所說明及描述之基板12，不同之處在於導電結構122由相對較大導電結構122'替換且導電結構123由相對較大導電結構123'替換。絕緣或介電材料121'可與絕緣或介電材料121相同或類似。基板12'類似於如參考圖2所說明及描述之基板12，不同之處在於由基板12'界定之凹槽可鄰近於半導體裝置封裝4之一側而非另一側。
光學模組13'類似於如參考圖2所說明及描述之光學模組13，不同之處在於導電基底133由導電基底133'替換。導電基底133'可安置為鄰近於半導體裝置封裝4之一側而非另一側。
圖4A為根據本發明之一些實施例之半導體裝置封裝的橫截面圖。
半導體裝置封裝4a類似於如參考圖4所說明及描述之半導體裝置封裝4，不同之處在於光學模組13"由光學模組13a"替換。
導電結構132'類似於如參看圖4所描述及說明之導電結構132，不同之處在於消除了導電結構132之導電柱或支柱。絕緣或介電材料131、導電結構132'及導電基底133可充當外殼(圖4A中未表示)。外殼可與光學組件134電斷開。導電結構132'可與光學組件134電斷開。導電結構132'可電連接至半導體裝置136。
圖5為根據本發明之比較實施例之半導體裝置封裝的橫截面圖。
半導體裝置封裝1、2、2a、3、3a、4及4a中之每一者可包括熱阻材料。半導體裝置封裝1、2、2a、3、3a、4及4a之組件中之每一者可包括熱阻材料。半導體裝置封裝件1、2、2a、3、3a、4及4a中之每一者可包括用以確保在熱循環(例如，回焊操作)之後的可靠性之熱阻材料。
參考圖5，半導體裝置封裝5可包括基板10'、半導體裝置11、半導體裝置142、半導體裝置135、半導體裝置136、光學組件134、載體20、陶瓷外殼21、固持或夾持機構22、蓋23、透鏡總成147及加強件16。
載體20可包括塑膠材料。載體20可形成為單件式。載體20可形成為射出技術。載體20可包含側壁201。側壁201可具有一些螺紋(圖5中未說明)。蓋23可具有一些螺紋(圖5中未說明)。側壁201之螺紋可與蓋23之螺紋匹配。蓋23 (具有整合式透鏡總成147)可旋擰至側壁201中。蓋23 (具有整合式透鏡總成147)可與側壁201嚙合。蓋23 (具有整合式透鏡總成147)可驅動至側壁201中以調整或校準自透鏡總成147至半導體裝置142之距離。側壁201可具有相對大的大小或寬度以便在提供螺紋時加固結構。蓋23可具有相對大的大小或寬度\以便在提供螺紋時加固結構。蓋23與載體20之嚙合對於校準可能為耗時的。
載體20可包括延伸部分202。透明板(圖5中未表示)可附接至載體20之延伸部分202。透明板可能受驅動或旋擰蓋23之粒子污染，該等粒子可能不利地影響半導體裝置封裝5之效能。
載體20可包括延伸部分203。延伸部分203可支撐陶瓷外殼21。陶瓷外殼21可附接至基板(圖5中未表示)，其可附接至延伸部分202且電連接至基板10'；載體20可具有相對大的大小或寬度。
來自半導體裝置135之熱可能無法藉由載體20相對良好地耗散。
固持或夾持機構22可包括金屬或合金以防止光學組件134脫離陶瓷外殼21。保持或夾持機構22可具有相對大的大小或寬度。
如本文中所使用，本文中可使用空間相對術語，諸如「在...之下」、「下方」、「下部」、「上方」、「上部」、「下部」、「左側」、「右側」及其類似者，以便描述一個元件或特徵與圖中如所說明之另一元件或特徵的關係。除圖中所描繪的定向之外，空間相對術語亦意欲涵蓋裝置在使用或操作中的不同定向。設備可以其他方式定向（旋轉90度或處於其他定向）且本文中所使用的空間相對描述詞可同樣相應地進行解譯。應理解，當將元件稱為「連接至」或「耦接至」另一元件時，其可直接連接至或耦接至另一元件，或可存在介入元件。
如本文中所使用，術語「大致」、「實質上」、「大體」及「約」係用以描述及考慮小的變化。當與事件或情形結合使用時，術語可指事件或情形明確發生之個例以及事件或情形極近似於發生之個例。如本文中關於既定值或範圍所使用，術語「約」通常意謂在既定值或範圍之±10%、±5%、±1%或±0.5%內。範圍可在本文中表達為自一個端點至另一端點或在兩個端點之間。除非另外指定，否則本文中所揭示之所有範圍包括端點。術語「實質上共面」可指沿同一平面處於數微米(μm)內(諸如，沿同一平面處於10 μm內、5 μm內、1 μm內或0.5 μm內)之兩個表面。在稱數值或特性「實質上」相同時，該術語可指該等值處於該等值之平均值的± 10%、± 5%、± 1%或± 0.5%內。
前述內容概述本發明之若干實施例及詳細態樣的特徵。本發明中描述之實施例可易於用作設計或修改用於進行本文中引入之實施例的相同或類似目的及/或達成相同或類似優勢之其他製程及結構的基礎。此等等效構造並不脫離本發明之精神及範疇，且可在不脫離本發明之精神及範疇的情況下進行各種改變、替代及更改。
1:半導體裝置封裝 2:半導體裝置封裝 3:半導體裝置封裝 3a:半導體裝置封裝 4:半導體裝置封裝 4a:半導體裝置封裝 5:半導體裝置封裝 10:基板 10':基板 11:半導體裝置 12:基板 12':基板 13:光學模組 13':光學模組 13'':光學模組 13a':光學模組 13a'':光學模組 14:光學模組 16:加強件 20:載體 21:陶瓷外殼 22:固持或夾持機構 23:蓋 101:表面 102:表面 121:絕緣或介電材料 121':絕緣或介電材料 122:導電結構 122':導電結構 123:導電結構 123':導電結構 123a:襯墊 131:絕緣或介電材料 132:導電結構 132':導電結構 133:基底 133':基底 134:光學組件 135:半導體裝置 136:半導體裝置 141:基板 142:半導體裝置 143:連接元件 144:罩蓋 145:蓋 146:蓋 146a:延伸部分/延伸部 147:透鏡總成 147a:透鏡 147b:透鏡 151:連接元件 152:連接元件 153:連接元件 154:連接元件 201:側壁 202:延伸部分 203:延伸部分 W:導電線
當結合附圖閱讀時，自以下詳細描述容易地理解本發明之態樣。應注意，各種特徵可能未按比例繪製。實際上，為了論述清楚起見，各種特徵之尺寸可任意增大或減小。
圖1為根據本發明之一些實施例之半導體裝置封裝的橫截面圖。
圖2為根據本發明之一些實施例之半導體裝置封裝的橫截面圖。
圖2A為根據本發明之一些實施例之半導體裝置封裝的橫截面圖。
圖3為根據本發明之一些實施例之半導體裝置封裝的橫截面圖。
圖3A為根據本發明之一些實施例之半導體裝置封裝的橫截面圖。
圖4為根據本發明之一些實施例之半導體裝置封裝的橫截面圖。
圖4A為根據本發明之一些實施例之半導體裝置封裝的橫截面圖。
圖5為根據本發明之比較實施例之半導體裝置封裝的橫截面圖。
1:半導體裝置封裝
10:基板
11:半導體裝置
12:基板
13:光學模組
14:光學模組
16:加強件
101:表面
102:表面
121:絕緣或介電材料
122:導電結構
123:導電結構
123a:襯墊
131:絕緣或介電材料
132:導電結構
133:基底
134:光學組件
135:半導體裝置
141:基板
142:半導體裝置
143:連接元件
144:罩蓋
145:蓋
146:蓋
146a:延伸部分/延伸部
147:透鏡總成
147a:透鏡
147b:透鏡
151:連接元件
152:連接元件
153:連接元件
154:連接元件
W:導電線

Claims (24)

  1. 一種半導體裝置封裝，其包含：一第一基板，其具有一第一表面及與該第一表面相對之一第二表面；一熱耗散結構，其安置於該第一基板之該第一表面上；及一第一光學模組，其安置於該熱耗散結構上且包含：一外殼；一第一光學組件，其安置於該外殼上；及一發光裝置，其安置於該外殼中且能夠朝向該第一光學組件發射光。
  2. 如請求項1之半導體裝置封裝，其中該外殼包含用以支撐該發光裝置之一導電基底。
  3. 如請求項2之半導體裝置封裝，其中該熱耗散結構具有連接至該導電基底之一第一導電結構。
  4. 如請求項1之半導體裝置封裝，其中該熱耗散結構具有連接至該第一基板之一第一導電結構。
  5. 如請求項1之半導體裝置封裝，其中該外殼包含電連接至該第一光學組件之一第一導電結構。
  6. 如請求項5之半導體裝置封裝，其中該熱耗散結構具有電連接至該外殼之該第一導電結構及該第一基板的一第二導電結構。
  7. 如請求項6之半導體裝置封裝，其進一步包含電連接至該第一基板及該熱耗散結構之該第二導電結構的一半導體裝置。
  8. 如請求項1之半導體裝置封裝，其進一步包含一半導體裝置，其中該熱耗散結構具有用以容納該半導體裝置之凹槽。
  9. 如請求項8之半導體裝置封裝，其中該半導體裝置附接至該熱耗散結構。
  10. 如請求項1之半導體裝置封裝，其中該第一光學模組進一步包含一偵測器，其中該外殼包含電連接至該偵測器之一第一導電結構。
  11. 如請求項10之半導體裝置封裝，其中該外殼與該第一光學組件電斷開。
  12. 如請求項1之半導體裝置封裝，其進一步包含一第二光學模組，該第二光學模組安置於該第一光學組件之一側處且包含：一第二基板；一偵測器模組，其安置於該第二基板上；及 一第一蓋，其安置於該偵測器模組上且具有與該偵測器模組直接接觸之一延伸部分。
  13. 如請求項12之半導體裝置封裝，其進一步包含：一第二蓋，其安置於該第二基板上；及一連接元件，其安置於該第一蓋與該第二蓋之間。
  14. 如請求項13之半導體裝置封裝，其中該第一蓋安置於該第二蓋上，且其中該第一蓋之該延伸部分在該連接元件下方延伸。
  15. 如請求項12之半導體裝置封裝，其中該偵測器模組包含一偵測器及安置於該偵測器上之一罩蓋，且其中該第一蓋之該延伸部分與該偵測器模組之該罩蓋直接接觸。
  16. 一種半導體裝置封裝，其包含：一第一基板；一第一光學模組，其安置於該第一基板上且包含：一外殼；一第一光學組件，其安置於該外殼上；及一發光裝置，其安置於該外殼中且朝向該第一光學組件發射光；及一第二光學模組，其安置於該第一光學組件之一側處且包含：一第二基板，其安置於該第一基板上； 一偵測器模組，其安置於該第二基板上；及一第一蓋，其安置於該偵測器模組上且具有與該偵測器模組直接接觸之一延伸部分。
  17. 如請求項16之半導體裝置封裝，其中該第一光學模組進一步包含一偵測器，其中該外殼包含電連接至該偵測器之一第一導電結構。
  18. 如請求項17之半導體裝置封裝，其中該外殼與該第一光學組件電斷開。
  19. 如請求項18之半導體裝置封裝，其進一步包含一熱耗散結構，該熱耗散結構具有電連接至該外殼之該第一導電結構及該第一基板的一第二導電結構。
  20. 如請求項19之半導體裝置封裝，其進一步包含電連接至該第一基板及該熱耗散結構之該第二導電結構的一半導體裝置。
  21. 如請求項17之半導體裝置封裝，其進一步包含：一第二蓋，其安置於該第二基板上；及一連接元件，其安置於該第一蓋與該第二蓋之間。
  22. 如請求項21之半導體裝置封裝，其中該第一蓋覆蓋該第二蓋。
  23. 如請求項21之半導體裝置封裝，其中該第一蓋之該延伸部分在該連接元件上方延伸。
  24. 如請求項16之半導體裝置封裝，其中該偵測器模組包含一偵測器及安置於該偵測器上之一罩蓋，且其中該第一蓋之該延伸部分與該偵測器模組之該罩蓋直接接觸。
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