TWI813582B - 切割薄膜 - Google Patents

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Abstract

本發明目的在於提供遇熱復原性高、機架回收性優異之切割用基體薄膜。本發明，進一步，目的在於提供一種即使在低溫條件下實施膨脹，切割薄膜仍可均勻延伸之切割用基體薄膜。
本發明之切割用基體薄膜，其係包含表層/中間層/裡層依序積層之構成之切割用基體薄膜，其特徵係表層及裡層係由含聚乙烯系樹脂之樹脂組成物所成；且中間層係由含聚胺基甲酸酯系樹脂之樹脂組成物所成。

Description

切割薄膜
本發明係關於一種切割用基體薄膜，其係在將半導體晶圓切割為晶片狀時，用於貼著半導體晶圓使其固定。
製造半導體晶片之方法，有預先製造大面積之半導體晶圓，接著將其半導體晶圓切割(切斷分離)為晶片狀，最後將切割之晶片拾晶之方法。半導體晶圓之切斷方法，近年，習知係使用雷射加工裝置，不接觸半導體晶圓直接將半導體晶圓切斷(分斷)之隱形雷射晶圓切割。
藉由隱形雷射晶圓切割提升半導體晶圓之切斷性(分斷性)之方法，係藉由在-15~5℃之低溫條件下實施膨脹，抑制設置在切割帶上之銲晶薄膜之延伸且增加應力之方法，被廣為人知係可良好地將半導體晶圓與銲晶薄膜一同切斷(分斷)之晶圓加工用帶(專利文獻1及2)。
【先前技術文獻】 【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2015-185584號公報
【專利文獻2】日本特開2015-185591號公報
本發明，目的在於提供一種切割用基體薄膜，其遇熱復原性高，機架回收性優異。
本發明，進一步，目的在於提供一種切割用基體薄膜，其即使在低溫條件下實施膨脹，仍可均勻延伸。
本發明，進一步，目的在於提供一種切割用基體薄膜，其在隱形雷射晶圓切割(雷射切割)後，欲切斷(分斷)半導體晶圓與銲晶層時，即使在低溫條件(-15~5℃)及高速條件下實施膨脹，仍可良好地延伸。
半導體生產線中，一般希望將膨脹步驟後之加工途中的製品所殘留之片材(含切割用基體薄膜之切割薄膜)，暫時放在機架中受到保管。此時，若片材一直處於鬆弛狀態，則機架可能發生無法良好地收納、製品彼此會碰撞產生缺陷等之問題。該機架，係該業界所使用之名稱，其他亦被稱為拉鍊或外殼等。
為了解決此問題，必須消除膨脹步驟後片材的鬆弛。其方法，目前存在熱收縮技術(加熱收縮復原技術)。此係對於膨脹步驟所生之鬆弛部加熱使該部分收縮，從而消除鬆弛者(亦即藉由加熱收縮之復原率高)。
例如要求即使在-15~5℃之低溫條件下實施膨脹，切割薄膜亦可均勻延伸，可良好地切斷半導體晶圓。
進一步，例如即使在隱形雷射晶圓切割後，除了前述低溫條件外，亦實施高速條件下之膨脹時，仍要求切割薄膜可均勻延伸，可良好地切斷(分斷)半導體晶圓與銲晶層。
本發明者，為了解決上述課題而進行深入研究。
發現切割用基體薄膜，包含下述之表層/中間層/裡層依序積層之構成，且因中間層使用聚胺基甲酸酯系樹脂，膨脹步驟後之片材(含切割用基體薄膜之切割薄膜)的鬆弛，可藉由熱收縮技術(加熱收縮復原技術)而良好地消除。
發現前述切割用基體薄膜，即使在低溫條件下實施膨脹，切割薄膜仍可均勻延伸。發現前述切割用基體薄膜，除了低溫條件外，亦在高速條件下實施膨脹時，切割薄膜可良好地延伸。
項1.
一種切割用基體薄膜，其係包含表層/中間層/裡層依序積層之構成之切割用基體薄膜，其特徵係表層及裡層係由含聚乙烯系樹脂之樹脂組成物所成；且中間層係由含聚胺基甲酸酯系樹脂之樹脂組成物所成。
項2.
如前述項1所記載之切割用基體薄膜，其中，前述表層及/或裡層，係單層或複數層。
項3.
如前述項1或2所記載之切割用基體薄膜，其中，前述聚乙烯系樹脂，係選自支鏈狀低密度聚乙烯(LDPE)、直鏈狀低密度聚乙烯(LLDPE)、乙烯- 乙酸乙烯酯共聚體(EVA)、乙烯-丙烯酸甲酯共聚體(EMA)、乙烯-丙烯酸乙酯共聚體、乙烯-丙烯酸丁酯共聚體、乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚體(EMMA)、乙烯-甲基丙烯酸共聚體(EMAA)、及離子聚合物樹脂所成群中至少1種之樹脂。
項4.
如前述項1~3中任一項所記載之切割用基體薄膜，其中，前述聚胺基甲酸酯系樹脂，係熱可塑性聚胺基甲酸酯樹脂(TPU)。
項5.
一種切割薄膜，其特徵係於前述項1~4中任一項所記載之切割用基體薄膜之表層側，依序設置黏著劑層及銲晶層之切割薄膜。
使用本發明之切割用基體薄膜，可更加迅速且簡便地將使用完畢之切割薄膜回收至機架。亦即，本發明之切割用基體薄膜，遇熱復原性高，即熱收縮性可良好地發揮，機架回收性優異。
使用本發明之切割用基體薄膜，即使在低溫條件下實施膨脹，仍可使切割薄膜均勻延伸。
使用本發明之切割用基體薄膜，例如在隱形雷射晶圓切割後，將半導體晶圓與銲晶層切斷(分斷)時，即使係在低溫條件及高速條件下實施膨脹之情形，切割薄膜亦可良好地延伸。
本發明係關於一種切割用基體薄膜。
進一步，本發明係關於一種切割薄膜，其係在切割用基體薄膜上依序設置黏著劑層及銲晶層。
(1)切割用基體薄膜
本發明之切割用基體薄膜，特徵係包含：表層/中間層/裡層依序積層之構成。
前述表層及/或裡層，單層或複數層為佳。
以下，詳細說明構成本發明之切割用基體薄膜之各層。
(1-1)表層
表層，係由含聚乙烯系樹脂之樹脂組成物所成。
表層所含聚乙烯系樹脂，係使用選自支鏈狀低密度聚乙烯(LDPE)、直鏈狀低密度聚乙烯(LLDPE)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚體(EVA)、乙烯-丙烯酸甲酯共聚體(EMA)、乙烯-丙烯酸乙酯共聚體、乙烯-丙烯酸丁酯共聚體、乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚體(EMMA)、乙烯-甲基丙烯酸共聚體(EMAA)、及離子聚合物樹脂所成群中至少1種之成分為佳。
表層，由於係由含此等中至少1種之成分之樹脂組成物所成，故切割用基體薄膜之膨脹性，亦即，基材之抗拉性優異。
其他，只要在不損及本發明之効果，亦可配合聚丙烯系樹脂。
乙烯-乙酸乙烯酯共聚體(EVA)在190℃之熔體流動速率(MFR)，約為30g/10分以下即可，約20g/10分以下為佳，約15g/10分以下較佳，約10g/10分以下更佳。藉由將上述MFR設定在10g/10分以下，可抑制與中間層之黏度差，從而可安定地製膜。
此外，EVA之MFR，為了易於進行樹脂的押出，約0.1g/10分以上為佳，約0.3g/10分以上較佳。
EVA之密度，約0.9~0.96g/cm3為佳，約0.92~0.94g/cm3較佳。
支鏈狀低密度聚乙烯(LDPE)在190℃之熔體流動速率(MFR)，約10g/10分以下為佳，約6g/10分以下較佳。藉由將上述MFR設定在10g/10分以下，可抑制與中間層之黏度差，從而可安定地製膜。
此外，LDPE之MFR，為了易於進行樹脂的押出，約0.1g/10分以上為佳，約0.3g/10分以上較佳。
LDPE之密度，約0.9~0.94g/cm3為佳，約0.91~0.93g/cm3較佳。
直鏈狀低密度聚乙烯(LLDPE)在190℃之熔體流動速率(MFR)，約10g/10分以下為佳，約6g/10分以下較佳。藉由將上述MFR設定在10g/10分以下，可抑制與中間層之黏度差，從而可安定地製膜。
此外，LLDPE之MFR，為了易於進行樹脂的押出，約0.1g/10分以上為佳，約0.3g/10分以上較佳。
LLDPE之密度，約0.9~0.94g/cm3為佳，約0.91~0.93g/cm3較佳。
在此，熔體流動速率(MFR)係根據ISO 1133所求得者，密度係根據ISO 1183-1：2004所求得者。
表層，因應必要，亦可進一步含有抗靜電劑。前述表層可使用之抗靜電劑，表層中亦可使用。表層所使用之抗靜電劑，可從陰離子系、陽離子系、非離子系等之習知的界面活性劑中選擇，特別係根據持續性、耐久性之觀點，PEEA樹脂、親水性PO樹脂等之非離子系界面活性劑為佳。
表層含有抗靜電劑時，抗靜電劑之含量，在表層之樹脂組成物中，抗靜電劑係約5~25重量%為佳，約7~22重量%較佳。藉由在前述範圍內配合抗靜電劑，即使接觸膨脹環而產生相同之膨脹，亦可不損及表層之滑動性。
此外，由於可有効地賦予半導電性，故可迅速地將所產生之靜電進行除電。例如，含有上述範圍之抗靜電劑之本發明之切割用基體薄膜，因其裡面之表面電阻率係約107~1012Ω/□故為佳。
表層，亦可進一步添加抗黏著劑等。藉由添加抗黏著劑，可抑制切割用基體薄膜捲成滾輪狀時之黏著，故為佳。抗黏著劑，可示例如無機系或有機系之微粒子。
(1-2)裡層
裡層，與表層相同，係由含聚乙烯系樹脂之樹脂組成物所成。
可使用表層所使用之聚乙烯系樹脂，亦可使用與表層不同之聚乙烯系樹脂。
此外，因應必要，亦可與表層相同，含有抗靜電劑或抗黏著劑。
本發明之切割用基體薄膜中，前述表層及/或裡層，可係單層，亦可係複數層。本發明之切割用基體薄膜，因應必要，可設置複數層表層及/或裡層。
表層及/或裡層為複數層時，從最表層側依序以表層-1、表層-2、表層-3、…表示，此外，從最裡層側依序以裡層-1、裡層-2、裡層-3、…表示。
(1-3)中間層
中間層，係由含有聚胺基甲酸酯系樹脂(PU)之樹脂組成物所成。
前述PU，係熱可塑性聚胺基甲酸酯樹脂(TPU)為佳。
切割用基體薄膜，藉由具有含聚胺基甲酸酯系樹脂(PU)之樹脂組成物所成中間層，從而可提升膨脹性。
切割用基體薄膜，藉由具有含聚胺基甲酸酯系樹脂(PU)之樹脂組成物所成中間層，例如在隱形雷射晶圓切割後，將半導體晶圓與銲晶層切斷(分斷)時，即使在低溫條件及高速條件下實施膨脹之情形，切割薄膜亦可良好地延伸。
(i)聚胺基甲酸酯系樹脂(PU)
聚胺基甲酸酯系樹脂(PU)，係使用熱可塑性聚胺基甲酸酯樹脂(TPU)為佳。TPU，係將聚異氰酸酯、多元醇及鏈伸長劑進行反應而得，係由多元醇與聚異氰酸酯反應而成之軟質段與鏈伸長劑及聚異氰酸酯反應而成之硬質段所成之嵌段聚合物。
聚異氰酸酯，可列舉例如：二苯甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、離胺酸二異氰酸酯、1，5-萘二異氰酸酯、二異氰酸異佛爾酮、苯二亞甲基二異氰酸酯等。此等之中，二苯甲烷二異氰酸酯及/或六亞甲基二異氰酸酯，根據熱可塑性聚胺基甲酸酯樹脂之耐磨性之觀點為佳。
多元醇，可列舉例如：聚四亞甲基醚二醇、聚酯多元醇、內酯系聚酯多元醇等。聚酯多元醇，係藉由二羧酸與二醇之聚縮合反應而得。
聚酯多元醇之製造所使用之二醇，具體可列舉例如：乙二醇、1，3-丙二醇、1，4-丁二醇、1，5-戊二醇、1，6-己二醇等，將此等單 獨或併用者。
此外，本發明所使用之二羧酸，可列舉例如：己二酸、癸二酸等，將此等單獨或併用者。
此等多元醇之中，根據熱可塑性聚胺基甲酸酯樹脂可得高抗衝擊性之觀點，係聚四亞甲基醚二醇為佳。此外，相關多元醇之數平均分子量，係1,000~4,000為佳，數平均分子量係2,000~3,000特佳。
此外，鏈伸長劑，可列舉例如：乙二醇、1，4-丁二醇、1，6-己二醇等之碳原子數為2~6之脂肪族直鏈二醇；對苯二酚二羥乙基醚等。亦可與己二胺、異佛爾酮二胺、甲苯二胺、單乙醇胺等之胺類部分併用。此等中，根據熱可塑性聚胺基甲酸酯樹脂之耐磨性之觀點，碳原子數為2~6之脂肪族直鏈二醇為佳。
熱可塑性聚胺基甲酸酯樹脂之密度，係約1.1~1.5g/cm3為佳，約1.1~1.3g/cm3較佳。
熱可塑性聚胺基甲酸酯樹脂，可藉由將上述原料進行一步法、預聚物法等之習知的方法而製造。
PU，可列舉例如：DIC科思創股份有限公司製(DIC Covestro Polymer Ltd.)之PANDEX，日本米拉克特朗股份有限公司(Nippon Miractran Co,Ltd.)製之Miractran等。
中間層，構成其之樹脂組成物，除了前述(i)PU外，亦可包含(ii)聚乙烯系樹脂。
(ii)聚乙烯系樹脂
聚乙烯系樹脂，可使用表層可以使用之樹脂。
亦可將與表層所使用之聚乙烯系樹脂相同之樹脂用於中間層，亦可使用與表層所使用之聚乙烯系樹脂不同之樹脂。聚乙烯系樹脂，係使用上述PU加上乙烯-甲基丙烯酸共聚體(EMAA)為佳。
中間層含有聚乙烯系樹脂時之含有比例，係0~80重量%為佳，0~70重量%較佳。
聚乙烯系樹脂只要在0~80重量%之範圍內，則有良好之切割用基體薄膜之膨脹性，亦即抗拉性。
(1-4)切割用基體薄膜之層構成
本發明之切割用基體薄膜，係包含表層/中間層/裡層依序積層之構成。
表層，係位於晶圓接觸側，與黏著層相接之層。
中間層，可由各樹脂單獨形成層(單層)，亦可由樹脂之混合物形成層(單層)，亦可由各樹脂形成各層(多層)。
本發明之切割用基體薄膜中，前述表層及/或裡層，係單層或複數層為佳。表裡層，LDPE、EVA等，可由各樹脂形成層(單層)，亦可由樹脂之混合物形成層(單層)，亦可由各樹脂形成各層(多層)。
本發明之切割用基體薄膜之整體之厚度，係約50~300μm為佳，約70~200μm較佳，約80~150μm更佳。藉由將切割用基體薄膜之整體之厚度設定在50μm以上，在切割半導體晶圓時，可保護半導體晶圓不受到衝撃。
相對於切割用基體薄膜之全厚度，表層及裡層之厚度之比例係約4~80%為佳，約10~60%較佳。
相對於切割用基體薄膜之全厚度，中間層之厚度之比例係約 20~96%為佳，約40~90%較佳。
切割用基體薄膜之具體例，說明切割用基體薄膜之全厚度為60~100μm之情形。
表層及裡層之厚度，各約2~44μm為佳，各約10~38μm較佳。表層及裡層為複數層時，總厚度，只要在上述之厚度範圍內形成各層即可。
中間層之厚度係約12~96μm為佳，約24~80μm較佳。中間層為複數層時，總厚度，只要在上述之厚度範圍內形成各層即可。
3種5層之例(表層-1/表層-2/中間層/裡層-2/裡層-1)
3種5層之例，如上述，表層-1與表層-2之總厚度係在上述表層之厚度之範圍內，相同地，裡層-1與裡層-2之總厚度係在上述裡層之厚度之範圍內。
表層-1與表層-2，可使用相同種類之聚乙烯系樹脂，亦可使用不同種類之聚乙烯系樹脂。
裡層-1與裡層-2，可使用相同種類之聚乙烯系樹脂，亦可使用不同種類之聚乙烯系樹脂。
使用相同種類之聚乙烯系樹脂之情形，例如，使用EVA時，表層-2及裡層-2所使用之EVA，與表層-1及裡層-1所使用之EVA相比，係使用乙烯基之含量(VA含量)較高之EVA為佳。
表層-1及裡層-1，使用VA含量約5~15重量%之EVA為佳，使用約7~13重量%之EVA較佳。
表層-2及裡層-2，使用VA含量約15~33重量%之EVA為佳，使用約28~33重量%之EVA較佳。
此外，根據MFR之觀點，表層-2及裡層-2所使用之EVA，與 表層-1及裡層-1相比，係使用熔體流動速率(MFR)較高之EVA為佳。
表層-1及裡層-1，EVA在190℃之MFR，約0.1g/10分~10g/10分為佳，約5g/10分~10g/10分較佳。
表層-2及裡層-2，EVA在190℃之MFR，約10g/10分~40g/10分為佳，約12g/10分~35g/10分較佳。
(2)切割用基體薄膜之製法
表層/中間層/裡層之切割用基體薄膜，可藉由將表層、中間層、及裡層用之樹脂組成物進行多層共押出成形而製造。具體而言，可藉由將前述表層用樹脂組成物、中間層用樹脂組成物、及裡層用樹脂組成物，作為表層/中間層/裡層依序積層進行共押出成形而製造。
進一步，表層及裡層為複數層構成時，可將各表層及裡層用之樹脂組成物分別投入押出機，例如，可藉由將表層-1/表層-2/中間層/裡層-2/裡層-1依序積層共押出成形而製造。
構成表層之樹脂組成物，可因應必要進一步添加抗靜電劑。裡層亦相同。
將上述之各層用樹脂分別依序向螺絲式押出機供給，在180~240℃下從多層T模押出薄膜狀，使其通過30~70℃之冷卻輥進行冷卻後在實質無延伸之狀態下取出。抑或，亦可取得各層用樹脂之暫時性之製粒後，如上述進行押出成形。
取出時實質無延伸，係為了有效地進行切割後的薄膜擴張。此實質無延伸，係包含無延伸，抑或，對於切割薄膜之擴張不會產生壞影響的些微之延伸。通常，取出薄膜時，只要拉伸不產生鬆弛即可。
(3)切割薄膜之製造
本發明之切割薄膜，可根據習知技術而製造。例如，以有機溶劑等之溶劑將構成黏著劑層之黏著劑溶解，塗佈在切割用基體薄膜上，去除溶劑，從而可得到基體薄膜/黏著劑層之構成之薄膜。
構成銲晶層之樹脂組成物，以有機溶劑等之溶劑將其溶解，塗佈在其他之薄膜(剝離薄膜)上，去除溶劑，從而製作銲晶薄膜。
進一步，藉由將前述黏著劑層與銲晶層對向重合，從而製作切割薄膜。藉此，可得到基體薄膜/黏著劑層/銲晶層之構成之薄膜。此階段之銲晶層，與半導體晶圓及黏著層在微弱(擬似)接著之狀態下貼合。
膨脹後，將分斷之半導體晶片與銲晶層，與所定之封裝或半導體晶片積層，過熱至銲晶層強接著為止之溫度，從而接著。
【實施例】
以下，藉由實施例詳細說明本發明，惟本發明並非限定為此等實施例。
(1)切割用基體薄膜之原料
表1表示切割用基體薄膜之原料。
【表1】
Figure 107129168-A0305-02-0015-1
[簡稱之說明]
PE-1~9：聚乙烯系樹脂1~9
SEBS：氫化苯乙烯-丁二烯共聚體 (苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯共聚體)
TPU：熱可塑性聚胺基甲酸酯(PU)
非晶性PO：非晶性聚烯烴
LDPE：支鏈狀低密度聚乙烯
EVA：乙烯-乙酸乙烯酯共聚體
VA含量：乙酸乙烯酯含有比例
EMAA：乙烯-甲基丙烯酸共聚體
MAA含量：甲基丙烯酸含量
St含量：苯乙烯含有比例 (乙烯基芳烴系樹脂中之乙烯基芳烴(St)成分之含量)
(2)表層/中間層/裡層之切割用基體薄膜之製造
根據表2所記載之表層/中間層/裡層(3層)，以各成分及組成配合樹脂組成物，從而製作切割用基體薄膜。
將構成各層之樹脂組成物，分別投入調整至220℃之押出機，表層/中間層/裡層依序以220℃之T模押出並積層，在有30℃之冷卻水循環之冷卻輥上共押出，從而得到片材狀之3層薄膜。
Figure 107129168-A0305-02-0016-3
(3)表層-1/表層-2/中間層/裡層-2/裡層-1之切割用基體薄膜之製造
根據表3及4所記載之表層-1/表層-2/中間層/裡層-2/裡層-1(5層)，以各成分及組成配合樹脂組成物，從而製作切割用基體薄膜。
將構成各層之樹脂組成物，分別投入調整至220℃之押出機，表層-1/表層-2/中間層/裡層-2/裡層-1依序以220℃之T模押出並積層，在有30℃之冷卻水循環之冷卻輥上共押出，從而得到片材狀之5層薄膜。
Figure 107129168-A0305-02-0017-4
【表4】
Figure 107129168-A0305-02-0018-5
(4)切割用基體薄膜之評估
(4-1)低溫膨脹性(Ex性)
<評估方法>
(拉伸伸度之測量)
薄膜之MD方向(薄膜成形之押出方向)及TD方向(藉由薄膜成形而成形之薄膜之寬方向)，係在200mm/min之拉伸速度下，使用加工為寬10mm且夾盤間距離為40mm之薄膜樣品進行薄膜之拉伸伸度測量。
(25%模量之測量)
薄膜之MD方向(薄膜成形之押出方向)及TD方向(藉由薄膜成形而成形之薄膜之寬方向)，係在200mm/min之拉伸速度下，使用加工為寬10mm且夾盤間距離為40mm之薄膜樣品，得到SS曲線(應力-應變曲線)。
分別讀取所得SS曲線在延伸率25%的應力值。
<評估基準>
(一)低溫膨脹性(低溫Ex性)
○：進行拉伸試驗時，延伸率為100%以上。
×：進行拉伸試驗時，薄膜延伸率未達100%。
(二)均勻膨脹性(均勻Ex性)
求得MD方向在延伸率25%的應力值與TD方向在延伸率25%的應力值之比，作為模量比(MD/TD)。
○：模量比(MD/TD)未達1.5。
×：模量比(MD/TD)為1.5以上。
藉由使模量比(MD/TD)在前述範圍中，切割用基體薄膜，在-15~5℃之低溫條件下，可發揮良好的均勻膨脹性(均勻Ex性)。
(4-2)低溫高速膨脹性(低溫高速Ex性)
<評估方法>
(斷裂延伸(最大延伸)(%)之測量)
拉伸試驗：使用島津製作所股份有限公司製「HYDROSHOT．HITS-T10」，在-15±2℃環境下，以250mm/sec之拉伸速度，將薄膜樣品之MD方向及TD方向延伸至斷裂為止，該薄膜樣品係加工為寬25mm且夾盤間距離為10mm。
藉由負荷與延伸之數據圖，作成SS曲線(應力-應變曲線)，從而算出斷裂延伸(最大延伸)。
<評估基準>
(高速拉伸試驗評估(機械特性))
○：MD及TD方向之斷裂拉伸延伸為120%以上。
×：MD及TD方向之斷裂拉伸延伸未達120%。
此評估方法，係藉由將拉伸速度設定為250mm/sec，進行拉伸試驗，除了低溫條件，亦評估高速條件下之膨脹性。並且，藉由使薄膜之MD及TD方向之斷裂拉伸延伸為120%以上，例如隱形雷射晶圓切割後，實施低溫條件(-15~5℃)及高速條件下之膨脹時，薄膜可良好地延伸。
(4-3)熱收縮性(HS性)
條件1-拉伸試驗：使用島津製作所股份有限公司製「AUTOGRAPH AG-500NX TRAPEZIUM X」，在-15±2℃環境下，以200mm/min之拉伸速度，將薄膜樣品之MD方向及TD方向分別延伸200%，該薄膜樣品係加工為寬10mm且夾盤間距離為40mm。
條件2-收縮試驗：使用三菱重工冷熱股份有限公司製「恆濕器TBP105DA」，設定溫度80℃將樣品加熱5秒。
<評估方法>
作成尺寸為長100mm(標線間隔40mm+端部(上下各30mm))，寬10mm之長條形薄膜樣品，以上述條件1進行伸長。
200%伸長之狀態下保持10秒後，將夾盤回復至原來位置，放開夾盤，使樣品以上述條件2進行收縮。
測量收縮後之標線間隔L[mm]，藉由下述算式，算出回復率。
回復率[%]={(120-L)/80}×100
MD方向及TD方向一同測量回復率，將此標示為熱收縮性(HS性)。
<評估基準>
(一)熱收縮性(HS性)
○：經過熱收縮，回復率為70%以上。
回復率，較佳係90~110%。
×：經過熱收縮，回復率未達70%。
藉由使MD及TD方向之回復率在前述範圍中，切割用基體薄膜，在80℃環境下，可發揮良好的熱收縮性(HS性)。
(二)均勻熱收縮性(均勻HS性)
○：MD方向之回復率與TD方向之回復率之比(MD/TD)未達1.2。
回復率之比(MD/TD)，較佳係0.9~1.15。
×：回復率之比(MD/TD)為1.2以上。
藉由使回復率之比(MD/TD)在前述範圍中，切割用基體薄膜，在80℃之條件下，可發揮良好的均勻熱收縮性(均勻HS性)。
Figure 107129168-A0305-02-0021-6
【表6】
Figure 107129168-A0305-02-0022-7
本發明之切割用基體薄膜(實施例1~12)，即使在低溫條件下實施膨脹，切割薄膜亦可均勻延伸。
Figure 107129168-A0305-02-0022-8
本發明(實施例)之切割用基體薄膜，與比較例相比，熱收縮性(HS性)之數值顯著係較大之值。亦即，本發明之切割用基體薄膜，熱收 縮性較良好。
低溫膨脹性(Ex性)，本發明(實施例)及比較例之切割用基體薄膜，任一者皆在容許範圍內。
本發明(實施例)之切割用基體薄膜，與比較例相比，低溫高速膨脹性(低溫高速Ex性)良好。
(5)考察
熱收縮性
使用本發明之切割用基體薄膜，即使切割薄膜(片材)經過膨脹步驟後，只要對所生鬆弛部加熱即可使該部分收縮，從而消除鬆弛。
使用本發明之切割用基體薄膜，特別係切割薄膜(片材)，藉由加熱收縮之復原率高。
使用本發明之切割用基體薄膜，可更迅速且簡便地將使用完之切割薄膜回收至機架。亦即，本發明之切割用基體薄膜，遇熱復原性高，且切割薄膜可均勻地回復。即熱收縮性被良好地發揮，機架回收性優異。此外，使用本發明之切割用基體薄膜之製品彼此不會衝突亦不會產生缺陷。
膨脹性
使用本發明之切割用基體薄膜，即使在低溫條件下實施膨脹，膨脹性仍良好，且切割薄膜可均勻延伸。使用本發明之切割用基體薄膜，在低溫條件下實施膨脹，可將半導體晶圓與銲晶層一同良好地切斷(分斷)。
使用本發明之切割用基體薄膜，特別係，隱形雷射晶圓切割後，切斷(分斷)半導體晶圓與銲晶層時，即使在低溫條件及高速條件下實施膨脹，膨脹性亦良好，切割薄膜可良好地延伸。使用本發明之切割用基體 薄膜，即使在低溫條件及高速條件下實施膨脹，可將半導體晶圓與銲晶層一同良好地切斷(分斷)。
使用本發明之切割用基體薄膜，在半導體製品持續小型化，片材追求再擴張(膨脹性)之中，可成為擴張性．收縮性更高之片材。

Claims (5)

  1. 一種切割薄膜，其特徵係於切割用基體薄膜之表層側，依序設置黏著劑層及銲晶層；前述切割用基體薄膜，係包含表層/中間層/裡層依序積層之構成；前述表層及前述裡層係由樹脂組成物所成，前述樹脂組成物含有聚乙烯系樹脂；且前述中間層係由樹脂組成物所成，前述樹脂組成物含有0~50重量%之聚乙烯系樹脂、且剩餘為聚胺基甲酸酯系樹脂。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之切割薄膜，其中，前述表層及/或前述裡層，係單層或複數層。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所記載之切割薄膜，其中，前述聚乙烯系樹脂，係選自支鏈狀低密度聚乙烯(LDPE)、直鏈狀低密度聚乙烯(LLDPE)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚體(EVA)、乙烯-丙烯酸甲酯共聚體(EMA)、乙烯-丙烯酸乙酯共聚體、乙烯-丙烯酸丁酯共聚體、乙烯-甲基丙烯酸甲酯共聚體(EMMA)、乙烯-甲基丙烯酸共聚體(EMAA)、及離子聚合物樹脂所成群中至少1種之樹脂。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所記載之切割薄膜，其中，前述聚胺基甲酸酯系樹脂，係熱可塑性聚胺基甲酸酯樹脂(TPU)。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所記載之切割薄膜，其中，前述切割用基體薄膜，係隱形雷射晶圓切割用。
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