TWI799058B

TWI799058B - 顯示基板及其製備方法

Info

Publication number: TWI799058B
Application number: TW111100470A
Authority: TW
Inventors: 蔡昀廷; 林育玄; 陳鵬聿
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2022-01-05
Filing date: 2022-01-05
Publication date: 2023-04-11
Also published as: TW202329503A

Abstract

本揭露提供一種顯示基板，包含基板、介電層、像素定義層、及底電極層。基板包含第一面，介電層設置於基板的第一面上。像素定義層包含第一擋牆與第二擋牆。多個第一擋牆分別間隔設置且沿著第一方向延伸，多個第二擋牆分別間隔設置且沿著第二方向延伸，第一方向與第二方向相互垂直，第一擋牆與第二擋牆圍繞出多個像素區域。第一擋牆的相鄰三者中，位於中間的第一擋牆垂直投影下方的介電層的厚度，小於第一擋牆的相鄰三者中的其餘二者垂直投影下方的介電層的厚度。底電極層設置於像素區域中的介電層上。本揭露也提供一種顯示基板的製備方法。

Description

顯示基板及其製備方法

本揭露是有關於一種顯示基板及其製備方法。

有機電子裝置為包括一層有機材料的裝置，有機材料利用電洞及電子來產生電荷的交流電。相較於習知的光源，有機電子裝置中的有機發光二極體(organic light emitting diode；OLED) 具有效率高、壽命長、不易破損、反應速度快、可靠性高等優點。

由於有機電子裝置體積越來越小，有機電子裝置內的有機材料在噴塗的過程中會因為噴塗不均，使得有機電子裝置於點亮時會有亮暗不均的現象。有鑒於此，現有技術實有待改善的必要。

本揭露之一些實施方式提供了一種顯示基板，包含基板、介電層、像素定義層、以及底電極層。基板包含第一面，介電層設置於基板的第一面上。像素定義層包含第一擋牆與第二擋牆。多個第一擋牆分別間隔設置且沿著第一方向延伸，多個第二擋牆分別間隔設置且沿著第二方向延伸，第一方向與第二方向實質上相互垂直，第一擋牆與第二擋牆圍繞出多個像素區域。第一擋牆的相鄰三者中，位於中間的第一擋牆垂直投影下方的介電層的厚度，小於第一擋牆的相鄰三者中的其餘二者垂直投影下方的介電層的厚度。底電極層設置於像素區域中的介電層上。

在一些實施方式中，第一擋牆的相鄰三者中，位於中間的第一擋牆垂直投影下方的介電層的厚度，小於位於中間的第一擋牆兩側的像素區域垂直投影下方的介電層的厚度。

在一些實施方式中，第一擋牆的相鄰三者中，位於中間的第一擋牆兩側的像素區域垂直投影下方的介電層的厚度，實質等於位於中間的第一擋牆垂直投影下方的介電層的厚度；位於中間的第一擋牆兩側的像素區域垂直投影下方的介電層的厚度，小於第一擋牆的相鄰三者中的其餘二者垂直投影下方的介電層的厚度。

在一些實施方式中，第一擋牆的頂面的高度，低於第二擋牆的頂面的高度。

在一些實施方式中，像素區域為長方形，並呈矩陣分佈。

在一些實施方式中，像素定義層更包含第三擋牆，第三擋牆圍繞第一擋牆的每一者的兩端與第二擋牆的每一者的兩端，其中第二擋牆的每一者的頂面與第三擋牆的頂面齊平。

在一些實施方式中，基板包含基材與導線層，導線層設置於基材上，介電層設置於導線層的上表面。

在一些實施方式中，顯示基板更包含複數發光膜層，設置於第二擋牆的相鄰兩者之間，且設置於底電極層與第一擋牆上。

在一些實施方式中，發光膜層的每一者的頂面的高度，高於第一擋牆的每一者的頂面的高度。

在一些實施方式中，發光膜層的每一者的頂面的高度，低於或等於第二擋牆的每一者的頂面的高度。

在一些實施方式中，相鄰的發光膜層具有不同的材料。

在一些實施方式中，顯示基板更包含頂電極層，覆蓋於發光膜層之上。

本揭露之一些實施方式另提供了一種顯示基板的製備方法，包含提供基板，包含第一面。設置介電層於基板的第一面上。減薄部分介電層，形成沿第一方向延伸的複數第一減薄區與平坦區，且彼此間隔設置。形成底電極層於介電層的平坦區的複數第一像素區域中。形成複數第一擋牆，第一擋牆分別間隔設置且沿著第一方向延伸，第一擋牆的部份分別設置在介電層的第一減薄區上，第一擋牆的其他部份設置在介電層的平坦區上，其中，第一擋牆的相鄰三者中，位於中間的第一擋牆設置在減薄區的其中一者之上，其餘兩者設置在平坦區上。形成複數第二擋牆，第二擋牆設置在介電層的平坦區上，第二擋牆分別間隔設置且沿著第二方向延伸，第一方向與第二方向實質上相互垂直，第一擋牆與第二擋牆交錯設置，且圍繞出第一像素區域。

在一些實施方式中，製備方法更包含在第二擋牆的相鄰兩者之間形成複數發光膜層，且於底電極層與第一擋牆上。

在一些實施方式中，形成發光膜層的步驟，包含在第二擋牆的相鄰兩者之間沿著第二方向依序進行複數次油墨噴塗，以形成發光膜層；相鄰兩次的油墨噴塗鄰接或重疊處的垂直投影下方，係為設置在介電層的第一減薄區的第一擋牆的部份。

在一些實施方式中，減薄部分介電層的步驟，更包含形成複數第二減薄區，第二減薄區從第一減薄區垂直於第一方向上的兩側，朝第二方向延伸。形成底電極層的步驟，更包含形成底電極層於介電層的第二減薄區的第二像素區域中。形成第二擋牆的步驟，更包含第二擋牆設置在介電層的第二減薄區上。

在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接。再者，「電性連接」或「耦合」係可為二元件間存在其它元件。

本文使用的「約」、「近似」、或「實質上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即，測量系統的限制)。例如，「約」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30%、±20%、±10%、±5%內。再者，本文使用的「約」、「近似」或「實質上」可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。

除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本揭露所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本揭露的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。

請參照第1圖及第2圖，第1圖繪示本揭露之一些實施方式之顯示基板10的俯視示意圖，第2圖繪示第1圖區域D的俯視示意圖。請一併參照第1圖及第2圖，顯示基板10具有顯示區AA及非顯示區NA。在本實施例中，是以非顯示區NA環繞顯示區AA為例，但本揭露不以此為限。在其他實施例中，非顯示區NA可以只位於顯示區AA的單側、雙側或三側。顯示基板10包括像素陣列102，像素陣列102配置於顯示區AA，顯示基板10進行顯示時，像素陣列102可發出光線以呈現畫面。像素陣列102包括多個像素區域P，像素區域P的數量可依實際需求增減，第1圖的數量與配置僅是例示。為了方便說明，第1圖中繪示了第一方向與第二方向，且第一方向與第二方向相異，例如第一方向為Y軸方向、第二方向為X軸方向，且其彼此互相垂直。各像素區域P沿著第一方向及第二方向排列。像素區域P於俯視下(如XY平面)為長方形，並呈矩陣分佈。

請參照第2圖及第3圖，第3圖繪示第2圖A-A’剖面線的剖面示意圖。請一併參照第2圖及第3圖，顯示基板10包括基板110、介電層120、像素定義層130、底電極層140、發光膜層150以及頂電極層160。基板110包含第一面111、基材112與導線層114，導線層114設置於基材112上並具有上表面114a。基材112之材質可為玻璃、石英、有機聚合物、或是不透光/反射材料(例如：導電材料、金屬、晶圓、陶瓷或其他可適用的材料)或是其他可適用的材料。若使用導電材料或金屬時，則在基材112上覆蓋一層絕緣層(未繪示)，以避免短路問題。導線層114以及絕緣層設置於基材112上。導線層114包括主動元件，例如為任意形式的薄膜電晶體。舉例來說，主動元件為底部閘極薄膜電晶體、頂部閘極薄膜電晶體、雙閘極薄膜電晶體或他類型的薄膜電晶體。主動元件例如包括多晶矽半導體、單晶矽半導體、有機半導體、金屬氧化物半導體或其他類型的半導體。

介電層120設置於基板110的第一面111上。在一些實施例中，介電層120設置於導線層114的上表面114a。介電層120包括無機材料(例如：氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、其它合適的材料或上述至少二種材料的堆疊層)、有機材料(例如：聚酯類(PET)、聚烯類、聚丙醯類、聚碳酸酯類、聚環氧烷類、聚苯烯類、聚醚類、聚酮類、聚醇類、聚醛類、其它合適的材料或上述之組合)、其它合適的材料或上述之組合。

像素定義層130包含第一擋牆132、第二擋牆134、以及第三擋牆136。多個第一擋牆132分別間隔設置且沿著第一方向延伸，多個第二擋牆134分別間隔設置且沿著第二方向延伸，第一方向與第二方向實質上相互垂直，第一擋牆132與第二擋牆134圍繞出多個像素區域P。在一些實施例中，第一擋牆132的相鄰三者中，位於中間的第一擋牆132a垂直投影下方的介電層120的厚度Ta，小於第一擋牆132的相鄰三者中的其餘二個第一擋牆132b垂直投影下方的介電層120的厚度Tb。在一些實施例中，多個第一擋牆132的相鄰三者中，位於中間的第一擋牆132a垂直投影下方的介電層120的厚度Ta，小於位於中間的第一擋牆132a兩側的像素區域P垂直投影下方的介電層120的厚度Tb。換言之，在剖面下(如XZ剖面)，第一擋牆132在第二方向(如X軸方向)上的排列方式，呈現高低高的排列，例如第一擋牆132a的頂面與介電層120(的平坦層124)的頂面120a之間的高度Ha，低於第一擋牆132b的頂面與介電層120(的平坦層124)的頂面120a之間的高度Hb；而介電層120的厚度沿第二方向(如X軸方向)依序呈現厚度Tb (位於平坦層124)、厚度Ta (位於第一減薄區122)、與厚度Tb (位於平坦層124)，即依序呈現厚薄厚。在一些實施例中，厚度Ta減薄約0.05微米(μm)至約0.1微米，例如減薄為原始介電層120厚度的約2.5%至約6%。在一些實施例中高度Ha約0.4微米至約1微米、高度Hb約1.8微米至約2.1微米。介電層120厚度需減薄多少，視油墨噴塗量而定，以使發光膜層150不會溢出第三擋牆136。在一些實施例中，第一擋牆132的材質包括固化的光阻，且形成第一擋牆132的方法包括微影製程，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一擋牆132的材質包括其他有機材料。在一些實施例中，第一擋牆132的材質包括親水性材料，但本發明不以此為限。在一些實施例中，第一擋牆132、第二擋牆134與第三擋牆136的材質可以是相同。

在另一些實施例中，在剖面下(如XZ剖面)，第一擋牆132在第二方向(如X軸方向)上的排列情形，包括但不限於以下排列方式：高低高、高高低高高、或n個高一個低n個高。n個高視需求而定，例如在X軸方向上的多個像素區域P中，以油墨一次能噴塗多少個像素區域P的範圍而定。由於相鄰兩次噴塗之間，因為有重複噴塗的區域導致油墨過多而溢出至第二擋牆134的上表面，最終造成裝置於點亮時會有亮暗不均的現象。因此，通過以上局部減薄特定範圍的介電層120，使第一擋牆132a的上方有更多容置空間可容納油墨不外溢，以達成裝置於點亮時亮度均勻的效果。

請同時參閱第2圖至第4圖，第4圖繪示第2圖B-B’剖面線的剖面示意圖。第三擋牆136圍繞第一擋牆132的兩端與第二擋牆134的兩端，其中第二擋牆134的頂面與第三擋牆136的頂面齊平。在一些實施例中，第一擋牆132a的頂面與介電層120的頂面120a之間的高度Ha、與第一擋牆132b的頂面與介電層120的頂面120a之間的高度Hb，低於第二擋牆134的頂面與介電層120的頂面120a之間的高度Hc、也低於第三擋牆136的頂面與介電層120的頂面120a之間的高度Hc，以提供足夠的容置空間容納油墨。具體而言，第三擋牆136位於顯示區AA的邊緣，且第三擋牆136環繞顯示區AA，第三擋牆136以外的區域為非顯示區NA (如第1圖所示)。

請再同時參閱回第1圖至第3圖，底電極層140設置於像素區域P中的介電層120上，底電極層140位於顯示區AA中。在一些實施例中，底電極層140通過介電層120而電性連接至導線層114中的主動元件(圖未顯示)。舉例來說，底電極層140電性連接至對應的主動元件。在一些實施例中，底電極層140的厚度約150埃(Å)至約450埃。

發光膜層150設置於第二擋牆134的相鄰兩者之間，且設置於底電極層140與第一擋牆132上。在一些實施例中，發光膜層150的頂面的高度，高於第一擋牆132的頂面的高度。在一些實施例中，發光膜層150的頂面的高度，低於或等於第二擋牆134的頂面的高度。在一些實施例中，相鄰的發光膜層150具有不同的材料。舉例來說，發光膜層150包括藍色發光材料層BL、綠色發光材料層GL以及紅色發光材料層RL，其中藍色發光材料層BL、綠色發光材料層GL以及紅色發光材料層RL的排列方式可以視需求而調整。另外，在一些實施例中，發光膜層150還包括其他顏色的有機發光材料，本揭露並不限制發光膜層150的顏色數量。在一些實施例中，第一擋牆132包括親水性材料，且第二擋牆134包括疏水性材料，因此，有助於避免不同顏色的有機發光材料互相混合。

請再同時參閱第2圖至第4圖，頂電極層160覆蓋於發光膜層150之上。在一些實施例中，頂電極層160例如是光穿透式電極，光穿透式電極的材質包括金屬氧化物，例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少兩者之堆疊層，但本揭露並不以此為限。在一些其他實施例中，頂電極層160也可以是反射式電極，反射式電極的材質包括金屬、合金、或其他合適的材料、或是金屬材料與其他導電材料的堆疊層。

第5圖至第8圖繪示本揭露之第3圖及第4圖的製備方法中各製程階段的俯視示意圖。第5圖提供基板110包含第一面111；設置介電層120於基板110的第一面111上(參閱第4圖)；減薄部分介電層120，形成沿第一方向(如Y軸方向)延伸的多個第一減薄區122與平坦區124，且第一減薄區122彼此間隔設置；形成底電極層140於介電層120的平坦區124的第一像素區域P1中。具體而言，第一減薄區122位於兩次噴塗的交界處，例如第一噴嘴S1與第二噴嘴S2交界之處。

請參閱第6圖，形成多個第一擋牆132，分別間隔設置且沿著第一方向(如Y軸方向)延伸，第一擋牆132的一部份(如第一擋牆132a)分別設置在介電層120的第一減薄區122上(請同時參閱第5圖)，第一擋牆132的其他部份(如第一擋牆132b)設置在介電層120的平坦區124上。在一些實施例中，第一擋牆132的相鄰三者中，位於中間的第一擋牆(如第一擋牆132a)設置在第一減薄區122的其中一者之上，其餘兩者(如第一擋牆132b)設置在平坦區124上。具體而言，第一擋牆132a設置在第一減薄區122上，使第一擋牆132a的頂面低於第一擋牆132b的頂面。

請參閱第7圖，形成多個第二擋牆134，第二擋牆134設置在介電層120的平坦區124上(請同時參閱第5圖)，第二擋牆134分別間隔設置且沿著第二方向(如X軸方向)延伸，第一方向與第二方向實質上相互垂直。第一擋牆132與第二擋牆134交錯設置，且圍繞出第一像素區域P1。具體而言，第二擋牆134除了設置在平坦區124上之外，也設置在第一擋牆132與第二擋牆134交錯處的第一擋牆132上，使第二擋牆134的頂面高於第一擋牆132的頂面，即第二擋牆134的頂面高於第一擋牆132a的頂面與第一擋牆132b的頂面。在一些實施方式中，形成第三擋牆136設置在介電層120的平坦區124上、且圍繞各第一擋牆132的兩端與各第二擋牆134的兩端，其中第二擋牆134的每一者的頂面與第三擋牆136的頂面齊平，以圍繞出多個容置空間用以容置油墨。

請參閱第8圖，形成多個發光膜層150於第二擋牆134的相鄰兩者之間，且於底電極層140與第一擋牆132上(請同時參閱第5圖)。具體而言，在多個第二擋牆134的相鄰兩者之間沿著第二方向(如X軸方向)依序進行多次油墨噴塗，以形成發光膜層150；相鄰兩次的油墨噴塗鄰接或重疊處的垂直投影下方，是設置在介電層120的第一減薄區122的第一擋牆132的部份(即第一擋牆132a)。亦即，在同一列中，第一噴嘴S1與第二噴嘴S2鄰接或重疊處的垂直投影下方設置第一擋牆132a，以容納過多的油墨不外溢。舉例而言，當第一噴嘴S1與第二噴嘴S2帶有藍色發光材料，第一噴嘴S1沿著第一方向(如Y軸方向)噴塗第一、四、七列，第二噴嘴S2鄰接第一噴嘴S1沿著第一方向(如Y軸方向)噴塗第一、四、七列，形成藍色發光材料層BL。當第一噴嘴S1與第二噴嘴S2帶有綠色發光材料，則第二、五等列形成綠色發光材料層GL。當第一噴嘴S1與第二噴嘴S2帶有紅色發光材料，則第三、六等列形成以及紅色發光材料層RL。以上排列僅為例示，藍色發光材料層BL、綠色發光材料層GL以及紅色發光材料層RL、甚至是其他種顏色發光材料層的排列方式，可以視需求而調整。在一些實施例中，第一噴嘴S1在第二方向(如X軸方向)上的寬度例如為數個至數千個子畫素的寬度，換句話說，每個發光膜層150中，對應數個至數千個子畫素的有機材料皆是藉由第一噴嘴S1所形成，一列中可能經過第一噴嘴S1、第二噴嘴S2至第N個噴嘴噴塗數十至數萬個第一像素區域P1視解析度而定。在一些實施例中，油墨噴塗為噴墨塗佈技術(ink jet printing，IJP)。

請參閱第9圖與第10圖，第9圖繪示本揭露之另一些實施方式之同第2圖A-A’剖面線的剖面示意圖，第10圖繪示本揭露之另一些實施方式之同第2圖B-B’剖面線的剖面示意圖。第9圖第10圖與第3圖第4圖差異在於，第一擋牆132的相鄰三者中，位於中間的第一擋牆132a兩側的像素區域P垂直投影下方的介電層120的厚度Ta (位於第二減薄區126)，實質等於位於中間的第一擋牆132a垂直投影下方的介電層120的厚度Ta (位於第一減薄區122)；位於中間的第一擋牆132a兩側的像素區域P垂直投影下方的介電層120的厚度Ta (位於第二減薄區126)，小於第一擋牆132的相鄰三者中的其餘二者第一擋牆132b垂直投影下方的介電層120的厚度Tb (位於平坦層124)。具體而言，介電層120的減薄區域，從第一擋牆132a兩側向第二方向(如X軸方向)延伸至鄰近第一擋牆132b，使得使第一擋牆132a的上方與兩側有更多容置空間可容納油墨不外溢，以達成裝置於點亮時亮度均勻的效果。

第11圖至第14圖繪示本揭露之第9圖及第10圖的製備方法中各製程階段的俯視示意圖。第11圖至第14圖與第5圖至第8圖差異在於，減薄部分介電層120的步驟，更包括形成多個第二減薄區126，第二減薄區126從第一減薄區122垂直於第一方向(如Y軸方向)上的兩側，朝第二方向(如X軸方向)延伸。在一些實施例中，形成底電極層140的步驟，更包括形成底電極層140於介電層120的第二減薄區126的第二像素區域P2中。在一些實施例中，形成第二擋牆134的步驟，更包括第二擋牆134設置在介電層120的第二減薄區126上。具體而言，第二擋牆134第二擋牆134除了設置在平坦區124上之外，也設置在第二減薄區126上以及第一擋牆132與第二擋牆134交錯處的第一擋牆132上。在一些實施例中，在第二方向(如X軸方向)相鄰於第三擋牆136垂直投影下方的介電層120的平坦區124不會進行減薄，是因為該區域不會再有另一噴塗與其鄰接或重疊。亦即，多次噴塗的順序中，第一次與最後一次噴塗區域的垂直投影下方的介電層120的平坦區124，不會進行減薄。

本揭露的一些實施方式中，顯示基板藉由減薄特定第一擋牆垂直投影下方的介電層的厚度，使特定第一擋牆的上方有更多容置空間可容納油墨不外溢，以達成裝置於點亮時亮度均勻的效果。

雖然本揭露已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何熟習此技藝者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本揭露之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

10:顯示基板 102:像素陣列 110:基板 111:第一面 112:基材 114:導線層 114a:上表面 120:介電層 120a:頂面 122:第一減薄區 124:平坦區 126:第二減薄區 130:像素定義層 132:第一擋牆 132a:第一擋牆 132b:第一擋牆 134:第二擋牆 136:第三擋牆 140:底電極層 150:發光膜層 160:頂電極層 AA:顯示區 A-A’:剖面線 B-B’:剖面線 BL:藍色發光材料層 D:區域 GL:綠色發光材料層 Ha:高度 Hb:高度 Hc:高度 NA:非顯示區 P:像素區域 P1:第一像素區域 P2:第二像素區域 RL:紅色發光材料層 S1:第一噴嘴 S2:第二噴嘴 Ta:厚度 Tb:厚度 X:X軸方向 Y:Y軸方向 Z:Z軸方向

當結合附圖閱讀以下詳細描述時，本揭露的各種態樣將最易於理解。應注意的是，根據行業標準操作規程，各種特徵結構可能並非按比例繪製。事實上，為了論述之清晰性，可以任意地增大或減小各種特徵結構之尺寸。為讓本揭露之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：第1圖繪示本揭露之一些實施方式之顯示基板的俯視示意圖。第2圖繪示第1圖區域D的俯視示意圖。第3圖繪示第2圖A-A’剖面線的剖面示意圖。第4圖繪示第2圖B-B’剖面線的剖面示意圖。第5圖至第8圖繪示本揭露之第3圖及第4圖的製備方法中各製程階段的俯視示意圖。第9圖繪示本揭露之另一些實施方式之同第2圖A-A’剖面線的剖面示意圖。第10圖繪示本揭露之另一些實施方式之同第2圖B-B’剖面線的剖面示意圖。第11圖至第14圖繪示本揭露之第9圖及第10圖的製備方法中各製程階段的俯視示意圖。

110:基板

111:第一面

112:基材

114:導線層

114a:上表面

120:介電層

120a:頂面

122:第一減薄區

124:平坦區

130:像素定義層

132:第一擋牆

132a:第一擋牆

132b:第一擋牆

136:第三擋牆

140:底電極層

150:發光膜層

160:頂電極層

A-A’:剖面線

Ha:高度

Hb:高度

Hc:高度

P:像素區域

Ta:厚度

Tb:厚度

X:X軸方向

Z:Z軸方向

Claims

一種顯示基板，包含：一基板，包含一第一面；一介電層，設置於該基板的該第一面上；一像素定義層，包含：複數第一擋牆，分別間隔設置且沿著一第一方向延伸；複數第二擋牆，分別間隔設置且沿著一第二方向延伸，該第一方向與該第二方向實質上相互垂直，該些第一擋牆與該些第二擋牆圍繞出複數像素區域；以及一第三擋牆，該第三擋牆圍繞該些第一擋牆的每一者的兩端與該些第二擋牆的每一者的兩端，其中該些第二擋牆的每一者的一頂面與該第三擋牆的一頂面齊平；其中，該些第一擋牆的相鄰三者中，位於中間的該第一擋牆垂直投影下方的該介電層的厚度，小於該些第一擋牆的相鄰三者中的其餘二者垂直投影下方的該介電層的厚度；以及一底電極層，設置於該些像素區域中的該介電層上。
如請求項1所述之顯示基板，其中，該些第一擋牆的相鄰三者中，位於中間的該第一擋牆垂直投影下方的該介電層的厚度，小於位於中間的該第一擋牆兩側的該些像素區域垂直投影下方的該介電層的厚度。
如請求項1所述之顯示基板，其中，該些第一擋牆的相鄰三者中，位於中間的該第一擋牆兩側的該些像素區域垂直投影下方的該介電層的厚度，實質等於位於中間的該第一擋牆垂直投影下方的該介電層的厚度；位於中間的該第一擋牆兩側的該些像素區域垂直投影下方的該介電層的厚度，小於該些第一擋牆的相鄰三者中的其餘二者垂直投影下方的該介電層的厚度。
如請求項1所述之顯示基板，其中該些第一擋牆的一頂面的高度，低於該些第二擋牆的一頂面的高度。
如請求項1所述之顯示基板，其中該些像素區域為長方形，並呈矩陣分佈。
如請求項1所述之顯示基板，其中該基板包含一基材與一導線層，該導線層設置於該基材上，該介電層設置於該導線層的一上表面。
如請求項1所述之顯示基板，更包含複數發光膜層，設置於該些第二擋牆的相鄰兩者之間，且設置於該底電極層與該些第一擋牆上。
如請求項7所述之顯示基板，其中該些發光膜層的每一者的一頂面的高度，高於該些第一擋牆的每一者的一頂面的高度。
如請求項7所述之顯示基板，其中該些發光膜層的每一者的一頂面的高度，低於或等於該些第二擋牆的每一者的一頂面的高度。
如請求項7所述之顯示基板，其中相鄰的該些發光膜層具有不同的材料。
如請求項7所述之顯示基板，更包含一頂電極層，覆蓋於該些發光膜層之上。
一種顯示基板的製備方法，包含：提供一基板，包含一第一面；設置一介電層於該基板的該第一面上；減薄部分該介電層，形成沿一第一方向延伸的複數第一減薄區與一平坦區，且彼此間隔設置之兩者係相鄰之該第一減薄區與該平坦區；形成一底電極層於該介電層的該平坦區的複數第一像素區域中；形成複數第一擋牆，該些第一擋牆分別間隔設置且沿著該第一方向延伸，該些第一擋牆中的一些第一擋牆分別設置在該介電層的該些第一減薄區上，該些第一擋牆中的其餘第一擋牆設置在該介電層的該平坦區上，其中，該些第一擋牆的相鄰三者中，位於中間的該第一擋牆設置在該些減薄區的其中一者之上，其餘兩者設置在該平坦區上；以及形成複數第二擋牆，該些第二擋牆設置在該介電層的該平坦區上，該些第二擋牆分別間隔設置且沿著一第二方向延伸，該第一方向與該第二方向實質上相互垂直，該些第一擋牆與該些第二擋牆交錯設置，且圍繞出該些第一像素區域。
如請求項12所述之製備方法，更包含在該些第二擋牆的相鄰兩者之間形成複數發光膜層，且於該底電極層與該些第一擋牆上。
如請求項13所述之製備方法，其中形成該些發光膜層的步驟，包含在該些第二擋牆的相鄰兩者之間沿著該第二方向依序進行複數次油墨噴塗，以形成該些發光膜層；相鄰兩次的該油墨噴塗鄰接或重疊處的垂直投影下方，係為設置在該介電層的該些第一減薄區的該些第一擋牆的該部份。
如請求項12所述之製備方法，其中，減薄部分該介電層的步驟，更包含形成複數第二減薄區，該些第二減薄區從該第一減薄區垂直於該第一方向上的兩側，朝該第二方向延伸，其中，形成該底電極層的步驟，更包含形成該底電極層於該介電層的該第二減薄區的第二像素區域中，其中，形成該些第二擋牆的步驟，更包含該些第二擋牆設置在該介電層的該第二減薄區上。