TWI788481B - 用於晶圓處理的升降銷系統及升降銷總成 - Google Patents
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Abstract
本發明公開一種升降銷系統及一種升降銷總成。在一種
或多種方法中,升降銷系統包括:晶圓支撐體,例如靜電吸盤或台板;及升降銷總成,耦合到晶圓支撐體。升降銷總成可包括多個銷。所述多個銷中的每一者可包括:尖端,延伸穿過殼體;彈簧,位於殼體內,其中彈簧彈壓抵靠尖端,且支撐臂耦合到殼體。在一些方法中,殼體與支撐臂可通過螺紋進行耦合以使得能在晶圓支撐體的頂表面上方觸及每一銷的尖端,從而容易進行替換。可替換的銷尖端還使得能根據特定的製程及/或晶圓特性而更容易地對銷尖端的幾何形狀、材料、彈簧力進行客制化設置。
Description
本發明的實施例大體來說涉及晶圓處理,且更具體來說涉及用於晶圓處理的客制化設置型升降銷系統。本申請主張2018年1月9日提出申請的標題為「用於晶圓處理的升降銷系統」的第62/615,211號美國臨時專利申請的優先權,所述美國臨時專利申請全文併入本案供參考。
形成在基板上的一些裝置包括在例如物理氣相沉積(physical vapor deposition,PVD)腔室等沉積腔室中沉積的多層薄膜。在一些實施例中,在沉積製程期間旋轉基板以獲得良好的膜均勻性。沉積一些層還可包括對基板進行加熱。此外,沉積製程包括高真空壓力。在沉積製程期間,通常使用靜電吸盤來依靠靜電將基板固持在基板支撐體上。在裝配期間,將支撐在三個或更多個升降銷上的基板(例如,晶圓)向下放置到靜電吸盤的突出部或升降銷上。然後,接通靜電吸盤的功率或電壓。
當前升降銷總成包括將尖端中的一者或多者從製程腔室
完全移除以進行維修及/或替換,因此會導致工具停工。此外,當前升降銷總成是不可客制化設置的,且面臨著不具針對性(defocusing)且吸盤脫離(de-chucking)的問題。正是由於當前方法的這些及其他不足才提供本發明。
在第一實施例中,一種升降銷系統可包括:晶圓支撐體;及升降銷總成,耦合到所述晶圓支撐體。所述升降銷總成可包括多個銷,所述多個銷中的每一者具有延伸穿過殼體的尖端,所述殼體耦合到支撐臂。所述多個銷中的每一者還可包括位於所述殼體內的彈簧,所述彈簧彈壓抵靠所述尖端。
在第二實施例中,一種升降銷總成可包括:支撐結構,包括延伸穿過靜電吸盤的多個支撐臂;及殼體,耦合到所述多個支撐臂。所述升降銷總成還可包括:尖端,延伸穿過所述殼體;及彈簧,位於所述殼體內,其中所述彈簧彈壓抵靠所述尖端。
在第三實施例中,一種升降銷總成可包括:支撐結構,包括延伸穿過靜電吸盤的多個支撐臂;及殼體,耦合到所述多個支撐臂。所述升降銷總成還可包括延伸穿過所述殼體的尖端,其中所述尖端延伸在所述靜電吸盤的頂表面上方。所述升降銷總成還可包括位於所述殼體內的彈簧,所述彈簧彈壓抵靠所述尖端。
100、300:升降銷系統/系統
102、302:晶圓支撐體
104、304:升降銷總成
106、306:支撐結構
108、110、112、208、308、310、312:支撐臂
114、314:支撐基座
115、315:頂表面
116、118、120、216、316、318、320:銷
117、317:底表面
119、168、268、319:緊固件
121、321:軸件
123、136、236、323、336:開口
128、228、328:殼體
130、230、330、372:近端
132、232、332、374:遠端
134、234、334:尖端
138、238、338:第一區段
140、240、340:第二區段
142、242、342:凸緣
144、244、344:彈簧
146、246、346:內部
148、248、348:第一端
150、250、350:第二端
152、252:基座
154、254:第一部分
156、256:第二部分
160、260、380:內台肩
162、262:底柄腳
164、264:內通道
166、266:主幹
280:O形環
327:底座
331:加工扁材
376:第二凸緣
382:支撐主幹
圖1示出根據本發明的某些方面的升降銷系統的側視剖視圖。
圖2示出根據本發明的某些方面的圖1所示升降銷系統的升降銷總成的立體圖。
圖3示出根據本發明的某些方面的圖1所示以虛線框線標示的升降銷系統的銷的側視剖視圖。
圖4示出根據本發明的某些方面的圖1所示升降銷系統的銷的另一側視剖視圖。
圖5示出根據本發明的某些方面的另一銷的側視剖視圖。
圖6示出根據本發明的某些方面的升降銷系統的側視剖視圖。
圖7示出根據本發明的某些方面的圖6所示升降銷系統的升降銷總成的立體圖。
圖8示出根據本發明的某些方面的圖6所示升降銷系統的銷的側視剖視圖。
圖式未必符合比例。圖式僅僅是表示,並不旨在描述本發明的特定的參數。此外,圖式旨在繪示本發明的示例性實施例,且因此不被視為對範圍進行限制。
此外,為清晰說明起見,一些圖中的某些元件可被省略或不按比例加以說明。為清晰地說明起見,剖視圖可呈「片段」形式,或可以是「近視」剖視圖,從而省略在「真實」剖視圖本
可觀察到的某些背景線條。此外,為清晰起見,可在某些圖式中省略一些參考編號。
現在將在下文中參考附圖更充分地闡述根據本發明的各種方法,在附圖中示出方法實施例。所述方法可體現為諸多不同的形式,且不應被視為僅限於本文中所述的實施例。而是,提供這些實施例因此將使得本發明透徹且完整,且將向所屬領域的技術人員充分地傳達系統及方法的範圍。
為方便及清晰起見,本文中將使用例如「頂部」、「底部」、「上部」、「下部」、「垂直」、「水準」、「橫向」及「縱向」等用語來闡述這些元件及其組成部分相對於圖中所出現的裝置的元件的幾何形狀及定向的相對佈置及定向。用語將包括特別提及的詞語、其派生詞及具有類似的含義及/或意思的詞語。
如本文中所使用,以單數形式陳述及以「一(a/an)」開頭的元件或操作應被理解為包括多個元件或操作,除非明確地排除複數形式。此外,提及本發明的「一個實施例」並不旨在進行限制。額外實施例也可包括所述特徵。
此外,在一些實施例中,用語「大約的(approximate)」或「大約(approximately)」可互換使用,且可使用所屬領域的技術人員可接受的相對量度來加以闡述。舉例來說,這些用語可用於與參考參數進行比較,以指示仍提供預定功能的偏差。儘管不
具限制性,但與參考參數的偏差可例如處於小於1%、小於3%、小於5%、小於10%、小於15%、小於20%等量中。
公開一種升降銷系統及一種升降銷總成。在一種或多種方法中,升降銷系統包括靜電吸盤或台板以及耦合到所述靜電吸盤或台板的升降銷總成。所述升降銷總成可包括多個銷。所述多個銷中的每一者可包括:尖端,延伸穿過殼體;及彈簧,位於殼體內,其中所述彈簧彈壓抵靠所述尖端。所述多個銷中的每一者可包括耦合到所述殼體的支撐臂。在一些方法中,所述殼體與支撐臂可通過螺紋進行耦合,以使得能在靜電吸盤或台板的頂表面上方觸及每一銷的尖端,從而容易進行替換。可替換的尖端更使得能根據特定的製程或晶圓特性而更容易地對銷尖端的幾何形狀、材料、彈簧力等進行客制化設置。
如下文將闡述,本文中提供一種用於處理位於靜電吸盤(electrostatic chuck,ESC)上的晶圓的新穎升降銷機構設計。升降銷機構可以是裝載有特定的彈簧及升降銷尖端的可替換的總成彈簧。所述升降銷尖端可由可焊接到彈簧的任何材料製成。升降銷尖端實際上可根據使用者、製程或升降銷的用途而具有任何尖端幾何形狀。在一個非限制性實施例中,升降銷是三角形的以防止升降銷的殼體內的金屬觸點上存在金屬,從而減少微粒產生。彈簧可在脈衝直流(direct current,DC)偏壓射頻(radio frequency,RF)電漿製程期間提供背側力接觸,以達到電連續性目的。在一些方法中,將彈簧鐳射焊接到升降銷尖端以提高DC偏壓的電連續
性,且可將所述彈簧通過機械方式(例如,通過螺杆)鉗制到升降銷尖端總成的導電基座。螺杆可將升降銷尖端總成固定到導電升降銷支撐總成。
在使用期間,可在ESC表面上方觸及所述螺杆,例如當所述支撐總成位於裝載/卸載晶圓的‘靠上’位置中時。升降銷尖端可包括旋擰或壓配合到升降銷支撐總成上的殼體。所述殼體有助於將升降銷尖端遮擋在電漿瞄準線之外,且有助於在預定方向上引導升降銷及彈簧。
在一些方法中,彈簧安置在升降銷總成的殼體內。舉例來說,可將彈簧的底柄腳通過機械方式鉗制到殼體內部的基座以維持電連續性且在總成安裝期間對彈簧進行固定。在其他方法中,可將非金屬的銷尖端壓配合到可焊接銷保持器中,將所述可焊接銷保持器鐳射焊接到彈簧。
可依據工具、製程及/或用戶通過改變銷尖端的幾何形狀及材料來客制化設置升降銷尖端。舉例來說,為刺穿背側絕緣層,可選擇較尖銳的尖端。反之,可使用較扁平的尖端來避免對背側造成損壞。還可依據工具、製程及/或使用者例如根據預定的背側力接觸程度來客制化設置彈簧。舉例來說,當刺穿背側絕緣層時,可選擇較大的彈簧力。為避免對晶圓的背側造成損壞,可選擇較小的彈簧力。本文中所公開的升降銷總成旨在以使用通用的支撐總成及可替換的升降銷尖端這一方式來運行。升降銷尖端可按照預定的頻率進行替換及/或根據製程進行切換。
在一些實施例中,將可在ESC/台板/表面上方觸及尖端,因此無需在腔室下方進行觸及,也就不需要另外的勞動力/機械支援/工具停工。優點是,將能夠在不從腔室移除額外的零件的情況下拆卸及安裝尖端。升降銷尖端總成還使得安裝製程具備可重複性(例如,以避免操作者失誤)。在一個非限制性實例中,工具停工可從大約1天縮短到大約1小時。本發明的實施例還可將彈簧力的可重複性例如從0.3 lbf到1.8 lbf範圍提高為0.45 lbf到0.55 lbf(或更好)。
現在參考圖1到圖2,將更詳細地闡述根據本發明實施例的升降銷系統(下文中稱為「系統」)100。如所示,系統100可包括晶圓支撐體102及耦合到晶圓支撐體102的升降銷總成104。儘管並不僅限於任何特定的類型或幾何形狀,但晶圓支撐體102在下文中將作為靜電吸盤予以闡述。靜電吸盤可在基板處置期間將基板(例如,半導體晶圓)保持在用於進行各種應用(例如,物理氣相沉積、刻蝕或化學氣相沉積)的處置腔室中。在其他實施例中,晶圓支撐體102可以是台板。靜電吸盤可包括嵌入在一體式吸盤主體內的一個或多個電極,所述一體式吸盤主體包含用於產生靜電鉗制場(electrostatic clamping field)的介電材料或半導電陶瓷材料。半導電陶瓷材料(例如,氮化鋁、氮化硼或摻雜有金屬氧化物的氧化鋁)例如可用於使得詹森-拉別克(Johnsen-Rahbek)或非庫侖(non-Coulombic)靜電鉗制場產生。
在單極靜電吸盤中,吸盤包括相對於基板而被所施加的
電壓電性加偏壓的單個電極。將電漿引入到處置腔室中以誘發吸盤及基板中的相反的靜電電荷以形成靜電吸引力,從而通過靜電將基板保持到吸盤。在雙極靜電吸盤中,吸盤包括兩個電極,所述兩個電極相對於彼此被電性加偏壓以提供靜電力從而將基板保持到吸盤。與單極靜電吸盤不同,雙極吸盤並不需要存在電漿來產生靜電鉗制力。
靜電吸盤具有優於機械鉗制裝置及真空吸盤的數個優點。舉例來說,靜電吸盤會減少機械鉗制所導致的應力誘發裂縫,使得更大面積的基板暴露出來以供處置(幾乎不排除或完全不排除邊緣)且可用于低壓或高真空環境中。另外,靜電吸盤可將基板更均勻地保持到吸盤表面以使得更大程度地控制基板溫度。可通過使用傳熱氣體來實現吸盤與基板之間的熱耦合來進一步強化此控制。
用於製作積體電路的各種製程可包括用於進行基板處置的高溫及寬溫度範圍。這些溫度可處於從大約20℃到大約150℃範圍,且可能高達300℃到500℃,或針對一些製程而更高。因此,通常期望具有可在寬溫度範圍內運作的靜電吸盤。
為利用靜電吸盤的優點,可使靜電吸盤形成為基板支撐總成的一部分,所述基板支撐總成包括用於對基板進行加熱及冷卻且用於將電力路由到吸盤電極的各種元件。另外,基板支撐總成還可包括用於提供基板偏壓及用於提供電漿功率的元件。因此,靜電吸盤的陶瓷主體可包括額外電極及其他元件,例如加熱
元件、氣體通道及冷卻劑通道。此外,靜電吸盤可附接到一個或多個支撐元件。
仍參考圖1到圖2,系統100的升降銷總成104還可包括支撐結構106,支撐結構106包括從支撐基座114延伸的多個支撐臂108、110及112。如所示,所述多個支撐臂108、110及112例如穿過開口123延伸到晶圓支撐體102中。儘管並不僅限於任何特定的形狀或配置,但支撐基座114可包括三個(3)點,所述三個點中的每一者在其一端處皆包括對應的支撐臂。在一些實施例中,所述多個支撐臂108、110及112與支撐基座114形成為一個整體。支撐基座114可包括頂表面115,頂表面115被配置成根據升降銷總成104的上升位置或下降位置而鄰接或位置直接鄰近晶圓支撐體102的底表面117。支撐基座114還可包括將支撐基座114耦合到軸件121的緊固件119。在一些實施例中,支撐基座114可圍繞軸件121旋轉。
如進一步示出,銷116、銷118及銷120分別連接到所述多個支撐臂108、110及112中的每一者。在一些實施例中,多個銷116、118及120中的每一者可例如通過螺紋直接實體地耦合到每一對應的支撐臂108、110及112。具體來說,在一些實施例中,沿著所述多個銷116、118及120中的每一者的內螺紋通過機械方式耦合到沿著相應的支撐臂108、110及112的外側的外螺紋。
現在參看圖3到圖4,將更詳細地闡述根據本發明的非限制性實施例的升降銷總成104的示例性銷116。如所示,銷116可
包括具有近端130及遠端132的殼體128。尖端134可延伸穿過位於殼體128的遠端132中的開口136。在近端130處,殼體128可環繞且通過機械方式直接耦合到支撐臂108。在一些實施例中,尖端134包括第一區段138,第一區段138延伸到殼體128之外以用於與晶圓(未示出)進行嚙合。尖端134還可包括位於殼體128內的第二區段140,第二區段140包括剖面或直徑比開口136的直徑大/長的凸緣142。如此,凸緣142可對銷朝殼體128的遠端132的軸向移動進行約束。
如進一步示出,銷116可包括位於殼體128的內部146內的彈簧144。在一些實施例中,彈簧144是具有環繞尖端134的第二區段140的第一端148的螺旋形彈簧,且與凸緣142鄰接。在一些實施例中,彈簧144可直接焊接到尖端134。彈簧144的第二端150可耦合到位於殼體128內的基座152。舉例來說,基座152可包括朝殼體128的遠端132延伸到彈簧144中的第一部分154。基座152還可包括從第一部分154延伸的第二部分156,第二部分156具有比第一部分154大的剖面以與殼體128的內台肩160進行嚙合,以維持基座152在殼體128的內部146內的軸向位置。
在一些實施例中,彈簧144的第二端150可直接實體地耦合到基座152。舉例來說,彈簧144的底柄腳162可延伸在基座152的內通道164內,且圍繞緊固件168(例如,螺杆)的主幹166延伸。在一些實施例中,緊固件168及基座152可通過機械方式
鉗制底柄腳162,以維持電連續性且在對銷116進行安裝期間將彈簧144固定在適當位置。
現在參看圖5,將更詳細地闡述根據本發明的非限制性實施例的銷總成(例如,圖1到圖4的升降銷總成104)的另一示例性銷216。如所示,銷216可包括具有近端230及遠端232的殼體228。尖端234可延伸穿過位於殼體228的遠端232中的開口236。在近端230處,殼體228可環繞且通過機械方式直接耦合到支撐臂208。在此實施例中,殼體228可壓配合在支撐臂208周圍,且包括一個或多個O形環280,所述一個或多個O形環280在殼體228的內表面與支撐臂208的外表面之間形成摩擦密封。
在一些實施例中,尖端234包括第一區段238,第一區段238延伸到殼體228之外以與晶圓(未示出)進行嚙合。尖端234還可包括位於殼體228內的第二區段240,第二區段240包括剖面或直徑比開口236的直徑大/長的凸緣242。如此,凸緣242可對銷朝殼體228的遠端232的軸向移動進行約束。在此實施例中,第一區段238及第二區段240可以是耦合在一起的單獨元件。此外,在一些實施例中,第一區段238可以是非金屬的/不導電的。第一區段238可壓配合到第二區段240中,第二區段240鐳射焊接到彈簧244。
如進一步示出,銷216可包括位於殼體228的內部246內的彈簧244。在一些實施例中,彈簧244是具有環繞尖端的第二區段240的第一端248的螺旋形彈簧,且與凸緣242鄰接。彈簧
244的第二端250可耦合到位於殼體228內的基座252。舉例來說,基座252可包括朝殼體228的遠端232延伸到彈簧244中的第一部分254。基座252還可包括從第一部分254延伸的第二部分256,第二部分256具有比第一部分254大的剖面以與殼體228的內台肩260進行嚙合,以維持基座252在殼體228的內部246內的軸向位置。
在一些實施例中,彈簧244的第二端250可直接實體地耦合到基座252。舉例來說,彈簧244的底柄腳262可延伸在基座252的內通道264內,且圍繞緊固件268(例如,螺杆)的主幹266延伸。在一些實施例中,緊固件268及基座252可通過機械方式鉗制底柄腳262以維持電連續性且在對銷216進行安裝期間將彈簧244固定在適當位置。
現在參考圖6到圖7,將更詳細地闡述根據本發明實施例的升降銷系統(下文中稱為「系統」)300。如所示,系統300可包括晶圓支撐體302及耦合到晶圓支撐體302的升降銷總成304。儘管並不僅限於任何特定的類型或幾何形狀,但晶圓支撐體302可以是用於保持基板(例如,半導體晶圓)的靜電吸盤、或台板。
系統300的升降銷總成304還可包括支撐結構306,支撐結構306包括從支撐基座314延伸的多個支撐臂308、310及312。如所示,所述多個支撐臂308、310及312例如穿過一組開口323而延伸到晶圓支撐體302中。儘管並不僅限於任何特定的形狀或配置,但支撐基座314可包括三個(3)點,所述三個點中的每一
中在其一端處包括對應的支撐臂。支撐基座314可包括頂表面315,頂表面315被配置成根據升降銷總成304的上升位置或下降位置而鄰接或位置直接鄰近晶圓支撐體302的底表面317。支撐基座314還可包括將支撐基座314耦合到底座327及軸件321的多個緊固件(例如,螺杆)319。在一些實施例中,支撐基座314可圍繞軸件321旋轉。
如進一步示出,銷316、銷318及銷320分別連接到所述多個支撐臂308、310及312中的每一者。在一些實施例中,所述多個銷316、318及320中的每一者可直接實體地/通過機械方式耦合到每一對應的支撐臂308、310及312,例如通過螺紋或通過壓配合耦合到每一對應的支撐臂308、310及312。具體來說,在一些實施例中,沿著所述多個銷316、318及320中的每一者的內螺紋通過機械方式耦合到沿著相應支撐臂308、310及312的外側的外螺紋。如圖7中最清晰地示出,所述多個銷316、318及320中的每一者可包括一個或多個加工扁材331以使得能夠從支撐基座314移除。
現在參看圖8,將更詳細地闡述根據本發明的非限制性實施例的升降銷總成304的示例性銷316。如所示,銷316包括具有近端330及遠端332的殼體328。在一些實施例中,近端330可延伸到支撐基座314(圖6到圖7)的頂表面315。尖端334可延伸穿過位於殼體328的遠端332中的開口336。在近端330處,殼體328可環繞且通過機械方式直接耦合到支撐臂308。在一些實施例
中,尖端334包括延伸到殼體328之外以與晶圓(未示出)嚙合的第一區段338。尖端334還可包括位於殼體328內的第二區段340,第二區段340包括剖面或直徑比開口336的直徑大/長的凸緣342。如此,凸緣342可防止尖端334從殼體328的遠端332滑脫。在一些實施例中,第一區段338可壓配合到第二區段340中。如所示,第二區段340可以是延伸穿過殼體328的內部346的軸件。第二區段340可具有靠近支撐臂308的近端372且具有延伸到殼體328的遠端332的遠端374。第二區段340可包括與內台肩380鄰接以約束銷316的移動的第二凸緣376。
如進一步示出,銷316可包括位於殼體328的內部346內的彈簧344。在一些實施例中,彈簧344是具有環繞尖端334的第二區段340的第一端348的螺旋形彈簧,且與第二凸緣376鄰接。在一些實施例中,彈簧344可直接焊接到尖端334的第二區段340。彈簧344的第二端350可鄰接延伸到殼體328中的支撐臂308。在一些實施例中,支撐臂308可包括向上延伸到彈簧344的第二端350中的支撐主幹382。
在一些實施例中,彈簧344的第二端350可直接實體地耦合到支撐臂308。儘管未具體示出,但彈簧344的底柄腳可延伸在支撐臂308的內通道內。可將彈簧344的底柄腳通過機械方式鉗制在或以其他方式固持在所述內通道中以確保電連續性。可將銷316壓配合及旋擰到適當位置中以供實地使用,從而使銷316本質上是不可分離的總成。
本文中的實施例的第一優點包括由於可在常規處置期間在靜電吸盤表面上方對銷尖端進行替換,因此容易替換銷尖端,因此縮短停工時間。本文中的實施例的第二優點是能夠針對不同的製程/種類、不同的裝置/晶圓(背側層)及溫度範圍使用不同的升降銷。可針對製程、使用者及產品線等對升降銷進行客制化設置。本文中的實施例的第三優點包括針對性提高,即更可重複地且更容易地替換升降銷。本文中的實施例的第四優點包括通過提供客制化設置的材料及升降銷力來減少吸盤脫離問題。
雖然本文中已闡述了本發明的某些實施例,但由於本發明的範圍如本技術將允許且同樣地本說明書可解讀的範圍一樣寬泛,因此本發明並不限於此。因此,上述說明不應被視為具有限制性。而是,以上說明僅示範性地說明特定實施例。所屬領域的技術人員將設想出在隨附權利要求書的範圍及精神內的其他潤飾。
108:支撐臂
116:銷
128:殼體
130:近端
132:遠端
134:尖端
136:開口
138:第一區段
140:第二區段
142:凸緣
144:彈簧
146:內部
148:第一端
150:第二端
152:基座
154:第一部分
156:第二部分
160:內台肩
162:底柄腳
164:內通道
166:主幹
168:緊固件
Claims (12)
- 一種升降銷系統,包括:晶圓支撐體;以及升降銷總成,耦合到所述晶圓支撐體,所述升降銷總成包括多個銷,所述多個銷包括:尖端,延伸穿過殼體,所述殼體耦合到支撐臂;及彈簧,位於所述殼體內,所述彈簧彈壓抵靠所述尖端,其中所述尖端包括:第一區段,延伸穿過所述殼體的開口;以及第二區段,從所述第一區段延伸,所述第二區段位於所述殼體內,其中所述第二區段包括凸緣,且其中所述彈簧的第一端與所述凸緣鄰接。
- 如申請專利範圍第1項所述的升降銷系統,其中所述多個銷延伸穿過所述晶圓支撐體。
- 如申請專利範圍第1項所述的升降銷系統,其中所述支撐臂可通過螺紋耦合到所述殼體。
- 如申請專利範圍第1項所述的升降銷系統,更包括位於所述殼體內的緊固件,其中所述彈簧耦合到所述緊固件。
- 如申請專利範圍第1項所述的升降銷系統,更包括位於所述殼體內的基座,其中所述彈簧的第二端直接實體地耦合到所述基座。
- 如申請專利範圍第5項所述的升降銷系統,其中所述彈簧的所述第二端盤繞在所述緊固件的主幹上。
- 如申請專利範圍第5項所述的升降銷系統,其中所述基座包括:第一部分,朝所述尖端延伸在所述彈簧內;以及第二部分,從所述第一部分延伸,所述第二部分具有比所述第一部分大的剖面以與所述殼體的內台肩進行嚙合。
- 如申請專利範圍第1項所述的升降銷系統,其中所述彈簧的所述第一端圍繞所述尖端的所述第二區段延伸。
- 一種升降銷總成,包括:支撐結構,包括延伸穿過靜電吸盤的多個支撐臂;殼體,耦合到所述多個支撐臂;尖端,延伸穿過所述殼體;以及彈簧,位於所述殼體內,所述彈簧彈壓抵靠所述尖端,其中所述尖端包括:第一區段,延伸穿過位於所述殼體的遠端處的開口;以及第二區段,從所述第一區段延伸,所述第二區段位於所述殼體內,其中所述第二區段包括鄰近所述殼體的所述遠端的內表面的凸緣,且其中所述彈簧的第一端與所述凸緣鄰接。
- 如申請專利範圍第9項所述的升降銷總成,其中所述尖端延伸在所述靜電吸盤的頂表面上方,且其中所述多個支撐臂與所述殼體可通過螺紋直接耦合。
- 如申請專利範圍第9項所述的升降銷總成,更包括位於所述殼體內的螺杆,其中所述彈簧耦合到所述螺杆。
- 一種升降銷總成,包括:支撐結構,包括延伸穿過靜電吸盤的多個支撐臂;殼體,耦合到所述多個支撐臂;尖端,延伸穿過所述殼體,其中所述尖端延伸在所述靜電吸盤的頂表面上方;以及彈簧,位於所述殼體內,所述彈簧彈壓抵靠所述尖端,其中所述尖端包括:第一區段,延伸穿過所述殼體的開口;以及第二區段,從所述第一區段延伸,所述第二區段位於所述殼體內,其中所述第二區段包括凸緣,且其中所述彈簧的第一端與所述凸緣鄰接。
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KR102162260B1 (ko) * | 2018-10-22 | 2020-10-06 | 세메스 주식회사 | 가이드 핀 및 이를 구비하는 포토 마스크 지지 유닛과 포토 마스크 세정 장치 |
JP7003945B2 (ja) * | 2019-02-22 | 2022-02-10 | 村田機械株式会社 | 移載装置及びスタッカクレーン |
KR102310036B1 (ko) * | 2019-08-19 | 2021-10-07 | 주식회사 유진테크 | 기판 지지 조립체 및 기판 처리 장치 |
CN111312653B (zh) * | 2020-03-16 | 2023-08-18 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 晶片承载装置及半导体加工设备 |
CN111508805B (zh) * | 2020-04-07 | 2023-12-22 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体设备中的晶片升降结构及半导体设备 |
TWI747281B (zh) * | 2020-05-11 | 2021-11-21 | 大陸商蘇州雨竹機電有限公司 | 薄膜沉積旋轉盤系統 |
CN112589749A (zh) * | 2020-11-24 | 2021-04-02 | 太仓治誓机械设备科技有限公司 | 一种水力发电站水轮机组的高速叶片安装固定机构 |
CN114620637B (zh) * | 2020-12-10 | 2024-06-04 | 中国科学院微电子研究所 | 升降装置以及具有升降装置的升降机总成 |
CN113488370B (zh) * | 2021-07-06 | 2024-05-31 | 北京屹唐半导体科技股份有限公司 | 用于等离子体处理设备的升降销组件 |
KR102504269B1 (ko) * | 2021-11-11 | 2023-02-28 | 피에스케이 주식회사 | 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN204516734U (zh) * | 2015-04-23 | 2015-07-29 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 升降针机构 |
TW201742183A (zh) * | 2016-05-30 | 2017-12-01 | 沈境植 | 分離型基板升降銷 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2586680Y2 (ja) * | 1992-06-04 | 1998-12-09 | 東京応化工業株式会社 | ホットプレート用リフトピン |
JPH06112303A (ja) * | 1992-09-29 | 1994-04-22 | Sony Corp | ウエハ処理装置及びウエハ処理方法 |
US5684669A (en) | 1995-06-07 | 1997-11-04 | Applied Materials, Inc. | Method for dechucking a workpiece from an electrostatic chuck |
US5350427A (en) * | 1993-06-14 | 1994-09-27 | Varian Associates, Inc. | Wafer retaining platen having peripheral clamp and wafer lifting means |
JPH077072A (ja) * | 1993-06-17 | 1995-01-10 | Anelva Corp | 静電チャック装置における基板の脱着方法および脱着機構 |
US5669977A (en) | 1995-12-22 | 1997-09-23 | Lam Research Corporation | Shape memory alloy lift pins for semiconductor processing equipment |
JP3343012B2 (ja) * | 1995-12-25 | 2002-11-11 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 回転式基板処理装置 |
US5900062A (en) | 1995-12-28 | 1999-05-04 | Applied Materials, Inc. | Lift pin for dechucking substrates |
JP3398936B2 (ja) * | 1999-04-09 | 2003-04-21 | 日本エー・エス・エム株式会社 | 半導体処理装置 |
JP4490524B2 (ja) * | 1999-08-10 | 2010-06-30 | キヤノンアネルバ株式会社 | 静電吸着ステージ及び基板処理装置 |
JP3986769B2 (ja) * | 2001-06-13 | 2007-10-03 | 日本電子株式会社 | 試料ホルダおよび試料固定方法 |
JP2004207453A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Tokyo Electron Ltd | 回転処理装置 |
KR100526924B1 (ko) | 2004-05-18 | 2005-11-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조용 챔버의 웨이퍼 리프트 장치 |
KR20070091332A (ko) * | 2005-01-18 | 2007-09-10 | 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 | 웨이퍼 지지핀 어셈블리 |
KR101235623B1 (ko) | 2005-07-22 | 2013-02-21 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 리프트 핀 어셈블리 및 플라즈마 처리 장치 |
JP5219377B2 (ja) | 2006-03-16 | 2013-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台および基板処理装置 |
JP4906375B2 (ja) * | 2006-03-20 | 2012-03-28 | 東京応化工業株式会社 | 基板支持部材 |
JP2008177454A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
US20090314211A1 (en) * | 2008-06-24 | 2009-12-24 | Applied Materials, Inc. | Big foot lift pin |
US20100101491A1 (en) | 2008-10-29 | 2010-04-29 | Asm Japan K.K. | Wafer lift pins suspended and supported at underside of susceptor |
TWI674168B (zh) * | 2015-07-27 | 2019-10-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 升降杆致動器、基板材支撐組件、及利用基板材支撐組件的方法 |
JP6711168B2 (ja) | 2016-06-23 | 2020-06-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置装置及び基板載置方法 |
US10535549B2 (en) * | 2017-10-27 | 2020-01-14 | Applied Materials, Inc. | Lift pin holder |
-
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN204516734U (zh) * | 2015-04-23 | 2015-07-29 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 升降针机构 |
TW201742183A (zh) * | 2016-05-30 | 2017-12-01 | 沈境植 | 分離型基板升降銷 |
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