TWI695232B - 投影光學系統、曝光裝置及物品製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供了一種投影光學系統,包含第一凹反射面、第一凸反射面、第二凹反射面、和第三凹反射面,其中第一凹反射面、第一凸反射面、第二凹反射面、和第三凹反射面被佈置使得來自物面的光藉由由第一凹反射面、第一凸反射面、第二凹反射面、第一凸反射面、及第三凹反射面按照列舉的順序反射而在像面上形成影像。
Description
[0001] 本發明涉及投影光學系統、曝光裝置及物品製造方法。
[0002] 最近,隨著電視系統的HD(高清晰度)標準化發展,許多FPD(平板顯示器)被用作顯示裝置,並且出現了對更大螢幕和更低成本的需求。在FPD的製造中,光刻技術被用來將遮罩(原件)的電路圖案投影到塗有光致抗蝕劑的基板上,並將該圖案轉印(形成)到基板上,如同在積體電路(IC)的製造中那樣。 [0003] 作為用於這種光刻技術中的投影光學系統的範例,在日本專利特開No. 52-5544和No. 7-57986中的每個專利特開內揭露了使用用於形成具有校正像差的有限狹縫狀區域的鏡的等倍光學系統。圖案可以藉由關於狹縫狀區域同步掃描物面(遮罩表面)和像面(基板表面)形成於二維寬螢幕上。 [0004] 在日本專利特開No. 52-5544所揭露的光學系統中,遮罩圖案由幾乎以同心形式佈置的凹面鏡和凸面鏡反射3次,並且還由無折光力梯形鏡反射2次(即,該圖案總共被反射5次),由此形成等倍放大的影像。在日本專利特開No. 52-5544所公開的光學系統中,有助於曝光的區域是離軸有限弧形區域。日本專利特開No. 7-57986公開了藉由佈置多個小尺寸的等倍光學系統而形成的多透鏡光學系統。該光學系統藉由使形成於基板上的多個矩形區域中的相鄰區域重疊來確保大螢幕區域。如上所述,用來對諸如液晶基板的大尺寸基板進行曝光的投影光學系統被大致劃分成主要包含兩個鏡(即,凹面鏡和凸面鏡)的系統,以及包含透鏡和鏡的系統(所謂的戴森(Dyson)光學系統)。 [0005] 在日本專利特開No. 52-5544所揭露的光學系統中,鏡具有光學系統的主要折光力,所以幾乎不產生色差。另外,該光學系統具有單個光學系統可以一次曝光大面積的優點。另一方面,作為主鏡的凹面鏡具有大的直徑。但是,在實現例如對放大同時曝光區(在光學上為弧形的好影像區)的需求以便將來提高光學性能,即,藉由增大數值孔徑(NA)來提高分辨力(resolving power),並且增大鏡頭尺寸時,該光學系統存在問題。更具體地說,問題在於光學系統及包含該系統的曝光裝置的大型化,重量及裝置所佔用的面積(占地面積)的增加,以及由熱和振動引起的性能波動。 [0006] 日本專利特開No. 7-57986所揭露的光學系統可以整體變小。但是,解析度在在基板上的相鄰的矩形區域相互重疊的區域內會下降,並且這會使整個螢幕上的均勻性惡化。為了防止像這樣的解析度下降,有必要控制曝光量、焦點和重疊精度,因而控制的難度增大。另外,由於每個等倍光學系統的光功率取決於透鏡的折光力,因而產生色差。因此,當與以前的光學系統比較時,像差校正在從紫外到遠紫外的寬波段內具有其局限性。而且,如果藉由紫外光繼續曝光,則解析度由於由透鏡的光吸收引起的發熱或者折射率變化而降低。這表明了在提高分辨力時高NA的局限以及短波長的局限。 [0007] 因此,日本專利特開No. 5-53057、美國專利No. 5078502和日本專利特開No. 2009-276769中的每個提出了使用兩個鏡(即凹面鏡和凸面鏡)引起5次反射的光學系統,或者使用三個鏡引起5次反射的光學系統。 [0008] 日本專利特開No. 5-53057所揭露的光學系統具有可以使佩茲伐和(Petzval sum)最小化的設計解決方案。但是,設計自由度並不足以降低投影光學系統所需的各種像差。特別地,該光學系統無法增加NA。本文所提及的各種像差包括例如球面像差、像散以及在曝光狹縫內的像場曲率。 [0009] 在美國專利No. 5078502和日本專利特開No. 2009-276769所揭露的光學系統中,定位於光瞳面上的鏡與主鏡(凹面鏡)間隔開,所以鏡的曲率和位置可以自由確定。與日本專利特開No. 5-53057所揭露的光學系統相比,這會增加設計自由度。因此,即使NA增加,像差也可以降低。特別地,日本專利特開No. 2009-276769已經揭露了光學系統的設計範例,在該範例中定位於光瞳面上的鏡與主鏡間隔很遠。但是,在該設計範例中,即使在凹面鏡與凸面鏡之間的距離減小以便使光學系統小時,光學系統的總長度也會增加。用於曝光裝置中的光學系統需要減小高度和深度兩者的尺寸,並且可以高精度地校正像差。
[0010] 本發明提供了一種有利於實現光學系統的小尺寸和高性能兩個方面的技術。 [0011] 根據本發明的一方面,提供了一種投影光學系統,包含第一凹反射面、第一凸反射面、第二凹反射面、和第三凹反射面,其中所述第一凹反射面、所述第一凸反射面、所述第二凹反射面、和所述第三凹反射面被佈置使得來自物面的光藉由被所述第一凹反射面、所述第一凸反射面、所述第二凹反射面、所述第一凸反射面、和所述第三凹反射面按照列舉的順序反射而在像面上形成影像,並且在所述物面與所述第一凹反射面之間以及所述第三凹反射面與所述像面之間不存在反射面的情況下,令Lt1為所述物面與所述第二凹反射面之間的距離,Lt2為所述第二凹反射面與所述像面之間的距離,Pt1為所述第一凹反射面與所述第二凹反射面之間的距離,並且Pt2為所述第二凹反射面與所述第三凹反射面之間的距離,滿足0.05 £ Pt1/Lt1 £ 0.2或者0.05 £ Pt2/Lt2 £ 0.2。 [0012] 本發明的更多特徵在下面參考附圖關於例示性實施例的描述中將變得清楚。
[0028] 本發明的較佳實施例將在下文參考附圖來描述。注意,相同的參考數字在全部圖式中表示相同的構件,並且不再給予其重複的描述。 [0029] 本實施例提出了在增加NA時實現小尺寸和高性能(準確像差校正)兩者的光學系統。更具體地說,在三個鏡的五次反射系統中,定義了從主鏡到定位於光瞳面上的鏡的投影量、三個鏡的同心度以及在物面或像面與每個鏡的頂點(球形中心)之間的距離。藉由定義這些條件,本實施例提出了一種光學系統,該光學系統在不損害接近於等光程狀態的同心鏡系統(兩個鏡系統)的優點的情況下藉由使用三個鏡來增加系統的自由度,並且減少總長度。該光學系統的尺寸如圖12所示那樣定義。注意,鏡(反射面)可以關於光學系統的光軸是水平對稱的或非對稱的,並且還可以在光學系統的光軸的左右兩側分開。 [0030] 根據本實施例的光學系統藉由按照第一凹面鏡M1、第一凸面鏡M2、第二凹面鏡M3(光瞳面)、第一凸面鏡M2和第三凹面鏡M5的順序來反射光而在弧形像面上形成來自弧形物面的離軸點的光的影像。第一凹面鏡M1起著第一凹反射面的作用,第一凸面鏡M2起著第一凸反射面的作用,第二凹面鏡M3起著第二凹反射面的作用,並且第三凹面鏡M5起著第三凹反射面的作用。第二凹面鏡M3被放置於與第一凹面鏡M1相比遠離物面的位置。此外,根據本實施例的光學系統基本上常用於以下狀態下:用於彎曲光路的第一彎曲鏡被放置於第一凹面鏡M1和物面之間,並且第二彎曲鏡被放置於第三凹面鏡M5與像面之間。但是,為了方便理解根據本實施例的光學系統,將藉由假定第一彎曲鏡和第二彎曲鏡(無折光力鏡(反射面))不存在來進行解釋。 [0031] 分別令R1、R2、R3和R5為第一凹面鏡M1、第一凸面鏡M2、第二凹面鏡M3和第三凹面鏡M5的曲率半徑。令D1為在第一凹面鏡M1和第一凸面鏡M2之間的距離,並且D2為在第一凸面鏡M2和第三凹面鏡M5之間的距離。令W1為在物面(在沒有第一彎曲鏡時的物面)與第一凸面鏡M2之間的距離(工作距離),並且W2為在像面(在沒有第二彎曲鏡時的像面)與第一凸面鏡M2之間的距離(工作距離)。令Lt1為在物面與第二凹面鏡M3之間的距離(光學長度),並且Lt2為在像面與第二凹面鏡M3之間的距離(光學長度)。令B為影像形成倍率。 [0032] 根據本實施例的光學系統滿足以下條件1、2、3、4、5、6和7。 [0033] 條件1:0.05 £ Pt1/Lt1 £ 0.2或者0.05 £ Pt2/Lt2 £ 0.2 [0034] 條件1是由本發明人發現的設計方面的條件,並且定義了光瞳面關於光學系統的總長度的投影量。光學系統在其下變為等光程的最基本條件之一是其中諸如鏡和透鏡的功率光學元件(power optical element)進行同心佈置並且物面被定位於球形中心的狀態。當與兩個鏡的五次反射系統相比較時,三鏡的五次反射系統增加了設計自由度,但是傾向於偏離鏡之間的同心性。條件1實現了這兩個衝突條件,並且意味著定位於光瞳面上的光學元件(第二凹面鏡M3或透鏡L2)最有效地校正像差的區域。條件1還有助於減小光學系統的總長度。 [0035] 條件2:0.70 £ W1/R2 £ 1.0或者0.70 £ W2/R2 £ 1.0 [0036] 條件2定義了第一凸面鏡M2(曲率半徑R2)與物面的同心度。如上所述,隨著物面接近鏡的球形中心,整個光學系統的同心度會增加,並且諸如球面像差的像差以及離軸像高的光暈改善。此外,在實際佈局中確保在物面與第一凸面鏡M2之間的距離W1使得有可能佈置彎曲的鏡,並且使遮罩和基板在曝光裝置內彼此平行地排列並同時掃描它們。 [0037] 條件3:0.87 £(R2 + D1)/R1 £ 1.15或者0.87 £(R2 + D2)/R5 £ 1.15 [0038] 條件3定義了第一凹面鏡M1和第一凸面鏡M2的同心度。 [0039] 條件4:0.8 £ R3/R1 £ 1.25或者0.8 £ R3/R5 £ 1.25 [0040] 條件4定義了第一凹面鏡M1和第二凹面鏡M3的同心度。 [0041] 條件5:0.9 £ R3/Lt1 £ 1.1或者0.9 £ R3/Lt2 £ 1.1 [0042] 條件5定義了第二凹面鏡M3和物面的同心度。 [0043] 如上所述,條件3、4和5有助於改善諸如球面像差的像差。 [0044] 條件6:0.5 £ W1/Lt1 £ 0.7或者0.5 £ W2/Lt2 £ 0.7 [0045] 條件6針對必要的工作距離(距離W1和W2)限定了光學系統的總長度(距離Lt1和Lt2)。當在曝光裝置內指定待曝光的螢幕尺寸時,曝光寬度和弧形像高基於所指定的尺寸來確定。需要預定的工作距離來將用於反射全部曝光光線的彎曲鏡放置於光路中。條件6 可以限制光學系統的總長度,即使工作距離增加。 [0046] 條件7:B ´ 0.87 £ (R5/R1)£ B ´ 1.15 [0047] 根據本實施例的光學系統包含在物面和像面附近(在第一凸面鏡M2與物面及像面之間)的具有非球面形狀的透鏡。此外,根據本實施例的光學系統包含在第二凹面鏡M3附近(在第一凸面鏡M2與第二凹面鏡M3之間)的具有沿相同方向彎曲的第一和第二表面的彎月透鏡。在根據本實施例的光學系統中,第一凹面鏡M1、第一凸面鏡M2、第二凹面鏡M3和第三凹面鏡M5中的至少一個具有非球面形狀。根據本實施例的光學系統包含在第一凸面鏡M2與第二凹面鏡M3之間的具有可變開口的光闌。根據本實施例的光學系統是相對物面側和像面側遠心的。 [0048] 下列範例將證明在條件1至7中的數值的有效性。如果超出這些條件的下限或上限,則光學系統的同心度削弱,因而分辨力(resolving power)隨著像差惡化而降低。另外,光學系統的尺寸還會增加。 [0049] <範例1> 圖1A是示出範例1的投影光學系統10的佈局的剖視圖。投影光學系統10 包含具有正折光力的第一凹面鏡M1、具有負折光力的第一凸面鏡M2、具有正折光力的第二凹面鏡M3,以及具有正折光力的第三凹面鏡M5。 [0050] 由於投影光學系統10在範例1中是等倍系統,因而第一凹面鏡M1和第三凹面鏡M5是光學上相同的鏡。因此,第一凹面鏡M1和第三凹面鏡M5可以由在中間具有中空部分的甜甜圈狀集成鏡形成,並且還可以由不同的鏡形成。 [0051] 透鏡L1被放置於物面O附近,並且透鏡L3被放置於像面I附近。透鏡L2被放置於第二凹面鏡M3附近。來自物面O的光按以下順序依次穿過透鏡L1、第一凹面鏡M1、第一凸面鏡M2、透鏡L2、第二凹面鏡M3、透鏡L2、第一凸面鏡M2、第三凹面鏡M5和透鏡L3在像面I上形成影像。第二凹面鏡M3被放置於投影光學系統10的光瞳面上。另外,孔徑光闌被放置於第二凹面鏡M3附近。穿過投影光學系統10的光軸的中心的每個物像點的主光線在物面上變為遠心的。孔徑光闌可以具有讓開口直徑或開口形狀可變的機構。這使得可以根據各種曝光過程設定最佳的數值孔徑。更具體地說,當分辨線寬(resolution line width)較大時,可以藉由減小孔徑光闌的開口直徑同時使焦點的深度變寬並獲得必要的分辨力(resolving power)。注意,第二凹面鏡M3自身可以具有孔徑光闌的功能,而不是除了第二凹面鏡M3外還使用孔徑光闌。 [0052] 透鏡L1和L3不一定是必不可少的。但是,透鏡L1和L3較佳地作為非球面透鏡來安裝,以便校正離軸像高的像場曲率和像散,並且擴大好影像區。在這種情況下,這些非球面透鏡較佳地實際上沒有折光力,以便解決上述透鏡系統的問題。透鏡L2是具有沿相同方向彎曲的折射面的所謂彎月透鏡(包括具有無限曲率的平板玻璃)。透鏡L2主要有助於校正由透鏡L1和L3產生的色差。從同心度的角度來看,透鏡L2的折射面的彎曲方向較佳地與第二凹面鏡M3的折射面的彎曲方向相同。透鏡L2實際沒有像透鏡L1和L3一樣的折光力,並因此有助於解決上述透鏡系統的問題。 [0053] 圖1B是示出範例1的投影光學系統10的縱向像差和畸變的視圖。圖1C是示出範例1的投影光學系統10的橫向像差的視圖。圖1B和1C表明藉由離軸像高來校正縱向像差和橫向像差是。範例1的投影光學系統10是關於放置於光瞳面上的第二凹面鏡M3對稱的等倍系統,所以基本上不會產生畸變。此外,不會產生諸如彗形像差和倍率色差的非對稱像差。另外,由於鏡系統具有整個投影光學系統10的主光功率,因此由透鏡L1、L2和L3產生的色差基本上也很小。 [0054] 下面的表1示出了範例1的投影光學系統10的實際數值範例。R是曲率半徑,D是表面距離,並且N是玻璃材料。R的空欄意指平面(曲率半徑無窮大),並且N的空欄意指折射率為1。注意,NA在物面側為0.12,校正波長為i線(365 nm)、h線(405 nm)和g線(436 nm),並且所用的像高為490至530 mm。因此,曝光狹縫寬度為40 mm。該所用像高確保了750 mm或更大的同時曝光寬度。範例1的投影光學系統10 包含多個非球面鏡表面和多個非球面透鏡表面,並且它們的係數示於表1的下半部分。 [表1]
非球面數據
[0055] 非球面由z = rh2
/(1 + (1 - (1 + k)r2
h2
)1/2
) + Ah4
+ Bh6
+ Ch8
+ Dh10
+ Eh12
+ Fh14
+ Gh16
表示。 [0056] 光學系統的尺寸的比較將在下文解釋。圖13A是示出包含兩個鏡的常規光學系統的剖面的視圖,而圖13B是示出範例1的投影光學系統10的剖面的視圖。常規的雙鏡光學系統和範例1的投影光學系統10按照相同的規格來設計,並且以相同的比例示出。因此,在物像距離H為1,060 mm的相等條件下,作為主鏡的最大凹面鏡的直徑F在現有技術中為f1,964 mm,並且在範例1中為f1,410 mm(現有技術的72%)。此外,光學系統的總長度L在現有技術中為3,459 mm,並且在範例1中為1,744 mm(現有技術的50%)。因而,範例1的投影光學系統10的高度和總長度足夠小。 [0057] 範例1的投影光學系統10滿足下列條件: 作為條件1,光瞳投影量(Pt/Lt1)= 0.11 作為條件2,工作距離(W1/R2)= 0.80 作為條件3,同心度((R2 + D)/R1)= 0.97 作為條件4,同心度(R3/R1)= 0.91 作為條件5,同心度(R3/Lt1)= 0.98 作為條件6,工作距離(W1/Lt1)= 0.56 [0058] 光瞳投影量在條件1下於設計方面對光學系統的像差和尺寸產生的影響將參考圖14來解釋。參考圖14,當增加光瞳投影量Pt時,例如,當將第二凹面鏡M3移向位置M3'時,有必要減小主光線Rp和邊緣光線Rm相對於光軸的傾角。如果第一凸面鏡M2的曲率減小,則邊緣光線Rm會干擾第一凹面鏡M1的有效直徑,如圖14中的H所示。由於為了避免這種干擾必須增加物體的高度Y,因而第一凹面鏡M1的有效直徑增加。因而,當光瞳投影量Pt增加時,光學系統會在高度和深度兩個方向上放大。此外,像差自身會傾向於惡化,因為它們會在避免該干擾的同時以大的物體高度來進行校正。 [0059] 在範例1的投影光學系統10中,因此,光瞳投影量Pt與總長度L之比(Pt/Lt)被設定為5%至20%。下限被設定為可允許投影光學系統10充分實現如同三鏡光學系統那樣的設計自由度。這將在下列範例中實現,特別地,在範例2和3中。 [0060] <範例2> 圖2A是示出範例2的投影光學系統10的佈局的剖視圖。在範例2中,投影光學系統10是等倍系統。在範例2的投影光學系統10的光學元件中的佈局和影像形成關係與範例1中的那些佈局和影像形成關係是相同的。 [0061] 下面的表2示出了範例2的投影光學系統10的實際數值範例。注意,NA在物面側為0.12,校正波長為i線(365 nm),320 nm,並且所用的像高為20至520 mm。因此,曝光狹縫寬度為40 mm。該所用像高確保了為750 mm或更大的同時曝光寬度。範例2的投影光學系統10包含多個非球面鏡表面和多個非球面透鏡表面。 [表2]
非球面數據
[0062] 範例2的投影光學系統10滿足下列條件: 作為條件1,光瞳投影量(Pt/Lt1)= 0.20 作為條件2,工作距離(W1/R2)= 0.90 作為條件3,同心度((R2 + D)/R1)= 0.99 作為條件4,同心度(R3/R1)= 1.13 作為條件5,同心度(R3/Lt1)= 0.99 作為條件6,工作距離(W1/Lt1)= 0.55 [0063] 圖2B是示出範例2的投影光學系統10的縱向像差和畸變的視圖。圖2C是示出範例2的投影光學系統10的橫向像差的視圖。圖2B和2C證明了縱向像差和橫向像差受到良好的校正。該畸變在離軸的所用像高的範圍內與縱坐標軸平行,並且這表明,恒定倍率在曝光狹縫內產生。由於範例2的投影光學系統10是具有對稱佈局的等倍系統,因而畸變應當為0。但是,嚴格來說,產生了量級為大約0.001拉德(rad)的遠心。當可使像差最小化的最佳像面位置沿著光軸方向移動了少量距離時,影像形成點偏移達兩者的乘積,並且倍率改變。結果,畸變相對縱坐標軸偏移。這種現象可以藉由優化輕易地消除,所以輕微的倍率偏移並不算是問題。重要的是,在曝光狹縫中倍率是恒定的。因此,即使在掃描遮罩和基板時對曝光狹縫內遮罩圖案執行多重曝光,到基板的轉印影像不會發生偏移,所以可以形成高對比影像。 [0064] <範例3> 圖3A是示出範例3的投影光學系統10的佈局的剖視圖。在範例3中,投影光學系統10是等倍系統。在範例3的投影光學系統10的光學元件中的佈局和影像形成關係與範例1中的那些佈局和影像形成關係是相同的。 [0065] 下面的表3示出了範例3的投影光學系統10的實際數值範例。注意,NA在物面側為0.12,校正波長為i線(365 nm),320 nm,並且所用的像高為480至520 mm。因此,曝光狹縫寬度為40 mm。該所用像高確保了750 mm或更大的同時曝光寬度。範例3的投影光學系統10 包含多個非球面鏡表面和多個非球面透鏡表面。 [表3]
非球面數據
[0066] 範例3的投影光學系統10滿足下列條件: 作為條件1,光瞳投影量(Pt/Lt1)= 0.05 作為條件2,工作距離(W1/R2)= 0.90 作為條件3,同心度((R2 + D)/R1)= 0.98 作為條件4,同心度(R3/R1)= 0.93 作為條件5,同心度(R3/Lt1)= 0.97 作為條件6,工作距離(W1/Lt1)= 0.62 [0067] 圖3B是示出範例3的投影光學系統10的縱向像差和畸變的視圖。圖3C是示出範例3的投影光學系統10的橫向像差的視圖。 [0068] <範例4> 圖4A是示出範例4的投影光學系統10的佈局的剖視圖。在範例4中,投影光學系統10是等倍系統。在範例4的投影光學系統10的光學元件中的佈局和影像形成關係與範例1中的那些佈局和影像形成關係是相同的。 [0069] 下面的表4示出了範例4的投影光學系統10的實際數值範例。注意,NA在物面側為0.12,校正波長為i線(365 nm),320 nm,並且所用的像高為480至520 mm。因此,曝光狹縫寬度為40 mm。該所用像高確保了750 mm或更大的同時曝光寬度。範例4的投影光學系統10 包含多個非球面鏡表面和多個非球面透鏡表面。 [表4]
非球面數據
[0070] 範例4的投影光學系統10滿足下列條件: 作為條件1,光瞳投影量(Pt/Lt1)= 0.14 作為條件2,工作距離(W1/R2)= 0.84 作為條件3,同心度((R2 + D)/R1)= 0.87 作為條件4,同心度(R3/R1)= 0.80 作為條件5,同心度(R3/Lt1)= 0.89 作為條件6,工作距離(W1/Lt1)= 0.57 [0071] 圖4B是示出範例4的投影光學系統10的縱向像差和畸變的視圖。圖4C是示出範例4的投影光學系統10的橫向像差的視圖。 [0072] 在範例4中,條件3為0.87,並且條件4為0.80。但是,如果同心度是完美的,則這些值為1.0。從定義相對同心度的偏離允許值的視角看,甚至是對於1.0或更大,也存在等效的允許範圍。例如,1/0.87 = 1.15被設定為條件3的上限,並且1/0.80 = 1.25被設定為條件4的上限。 [0073] <範例5> 圖5A是示出範例5的投影光學系統10的佈局的剖視圖。在範例5中,投影光學系統10是等倍系統。在範例5的投影光學系統10的光學元件中的佈局和影像形成關係與範例1中的那些佈局和影像形成關係是相同的。 [0074] 下面的表5示出了範例5的投影光學系統10的實際數值範例。注意,NA在物面側為0.08,校正波長為i線(365 nm),320 nm,並且所用的像高為480至520 mm。因此,曝光狹縫寬度為40 mm。該所用像高確保了750 mm或更大的同時曝光寬度。範例5的投影光學系統10 包含多個非球面鏡表面和多個非球面透鏡表面。 [表5]
非球面數據
[0075] 範例5的投影光學系統10滿足下列條件: 作為條件1,光瞳投影量(Pt/Lt1)= 0.07 作為條件2,工作距離(W1/R2)= 0.76 作為條件3,同心度((R2 + D)/R1)= 0.96 作為條件4,同心度(R3/R1)= 0.86 作為條件5,同心度(R3/Lt1)= 0.98 作為條件6,工作距離(W1/Lt1)= 0.56 [0076] 圖5B是示出範例5的投影光學系統10的縱向像差和畸變的視圖。圖5C是示出範例5的投影光學系統10的橫向像差的視圖。 [0077] <範例6> 圖6A是示出範例6的投影光學系統10的佈局的剖視圖。在範例6中,投影光學系統10是等倍系統。在範例6的投影光學系統10的光學元件中的佈局和影像形成關係與範例1中的那些佈局和影像形成關係是相同的。 [0078] 下面的表6示出了範例6的投影光學系統10的實際數值範例。注意,NA在物面側為0.12,校正波長為i線(365 nm),320 nm,並且所用的像高為480至520 mm。因此,曝光狹縫寬度為40 mm。該所用像高確保了750 mm或更大的同時曝光寬度。範例6的投影光學系統10 包含多個非球面鏡表面和多個非球面透鏡表面。 [表6]
非球面數據
[0079] 範例6的投影光學系統10滿足下列條件: 作為條件1,光瞳投影量(Pt/Lt1)= 0.07 作為條件2,工作距離(W1/R2)= 0.89 作為條件3,同心度((R2 + D)/R1)= 0.93 作為條件4,同心度(R3/R1)= 0.83 作為條件5,同心度(R3/Lt1)= 0.90 作為條件6,工作距離(W1/Lt1)= 0.66 [0080] 圖6B是示出範例6的投影光學系統10的縱向像差和畸變的視圖。圖6C是示出範例6的投影光學系統10的橫向像差的視圖。 [0081] <範例7> 圖7A是示出範例7的投影光學系統10的佈局的剖視圖。在範例7中,投影光學系統10是等倍系統。在範例7的投影光學系統10的光學元件中的佈局和影像形成關係與範例1中的那些佈局和影像形成關係是相同的。 [0082] 下面的表7示出了範例7的投影光學系統10的實際數值範例。注意,NA在物面側為0.13,校正波長為i線(365 nm)、h線(405 nm)和g線(436 nm),並且所用的像高為500至530 mm。因此,曝光狹縫寬度為30 mm。該所用像高確保了750 mm或更大的同時曝光寬度。範例7的投影光學系統10 包含多個非球面鏡表面和多個非球面透鏡表面。 [表7]
非球面數據
[0083] 範例7的投影光學系統10滿足下列條件: 作為條件1,光瞳投影量(Pt/Lt1)= 0.06 作為條件2,工作距離(W1/R2)= 0.76 作為條件3,同心度((R2 + D)/R1)= 0.96 作為條件4,同心度(R3/R1)= 0.84 作為條件5,同心度(R3/Lt1)= 0.98 作為條件6,工作距離(W1/Lt1)= 0.57 [0084] 圖7B是示出範例7的投影光學系統10的縱向像差和畸變的視圖。圖7C是示出範例7的投影光學系統10的橫向像差的視圖。 [0085] <範例8> 圖8A是示出根據範例8的投影光學系統10的佈局的剖視圖。在範例8中,投影光學系統10是具有´1.25的倍率的放大系統。投影光學系統10包含具有正折光力的第一凹面鏡M1、具有負折光力的第一凸面鏡M2、具有正折光力的第二凹面鏡M3,以及具有正折光力的第三凹面鏡M5。 [0086] 透鏡L1被放置於物面O附近,並且透鏡L3被放置於像面I附近。透鏡L2被放置於第二凹面鏡M3附近。來自物面O的光按以下順序依次穿過透鏡L1、第一凹面鏡M1、第一凸面鏡M2、透鏡L2、第二凹面鏡M3、透鏡L2、第一凸面鏡M2、第三凹面鏡M5和透鏡L3在像面I上形成影像。第二凹面鏡M3被放置於投影光學系統10的光瞳面上。 [0087] 範例8的投影光學系統10與等倍系統的唯一差異在於由第一凸面鏡M2第二次反射的光按照第三凹面鏡M5和透鏡L3的順序傳播。該佈局的其餘部分與在範例1至7中解釋的等倍系統的相應部分相同。 [0088] 下面的表8示出了範例8的投影光學系統10的實際數值範例。注意,NA在像面側為0.08,校正波長為i線(365 nm)和h線(405 nm),並且所用的像高為625至675 mm。因此,曝光狹縫寬度為50 mm。該所用像高確保了750 mm或更大的同時曝光寬度。範例8的投影光學系統10包含多個非球面鏡表面和多個非球面透鏡表面。 [表8]
非球面數據
[0089] 範例8的投影光學系統10滿足下列條件: 作為條件1,光瞳投影量(Pt/Lt1)= 0.03 作為條件2,工作距離(W1/R2)= 0.85 作為條件3,同心度((R2 + D)/R1)= 0.91 作為條件4,同心度(R3/R1)= 0.72 作為條件5,同心度(R3/Lt1)= 0.90 作為條件6,工作距離(W1/Lt1)= 0.59 作為條件7,比值((R5/R1)/B)= 1.00 [0090] 圖8B是示出範例8的投影光學系統10的縱向像差和畸變的視圖。 [0091] <範例9> 圖9A是示出根據範例9的投影光學系統10的佈局的剖視圖。在範例9中,投影光學系統10是具有´1.38的倍率的放大系統。範例9的投影光學系統10的光學元件的佈局和影像形成關係與範例8的相同。 [0092] 下面的表9示出了範例9的投影光學系統10的實際數值範例。注意,NA在像面側為0.08,校正波長為i線(365 nm)、h線(405 nm)和g線(436 nm),並且所用的像高為690至745 mm。因此,曝光狹縫寬度為55 mm。該所用像高確保了750 mm或更大的同時曝光寬度。範例9的投影光學系統10包含多個非球面鏡表面和多個非球面透鏡表面。 [表9]
非球面數據
[0093] 範例9的投影光學系統10滿足下列條件: 作為條件1,光瞳投影量(Pt/Lt1)= 0.12,光瞳投影量(Pt/Lt2)= 0.09 作為條件2,工作距離(W1/R2)= 0.67,工作距離(W2/R2)= 0.79 作為條件3,同心度((R2 + D)/R1)= 1.02,同心度((R2 + D)/R5)= 0.87 作為條件4,同心度(R3/R1)= 0.90,同心度(R3/R5)= 0.65 作為條件5,同心度(R3/Lt1)= 1.02,同心度(R3/Lt2)= 0.93 作為條件6,工作距離(W1/Lt1)= 0.55,工作距離(W1/Lt2)= 0.59 作為條件7,比值((R5/R1)/B)= 1.00 [0094] 圖9B是示出範例9的投影光學系統10的縱向像差和畸變的視圖。 [0095] <範例10> 圖10A是示出根據範例10的投影光學系統10的佈局的剖視圖。在範例10中,投影光學系統10為具有´0.75的倍率的縮小系統。範例10的投影光學系統10的光學元件的佈局和影像形成關係與範例9的相同。 [0096] 下面的表10示出了範例10的投影光學系統10的實際數值範例。注意,NA在像面側為0.107,校正波長為i線(365 nm)和h線(405 nm),並且所用的像高為500至540 mm。因此,曝光狹縫寬度為40 mm。該所用像高確保了750 mm或更大的同時曝光寬度。範例10的投影光學系統10包含多個非球面鏡表面和多個非球面透鏡表面。 [表10]
非球面數據
[0097] 範例10的投影光學系統10滿足下列條件: 作為條件1,光瞳投影量(Pt/Lt1)= 0.02,光瞳投影量(Pt/Lt2)= 0.11 作為條件2,工作距離(W1/R2)= 0.84,工作距離(W2/R2)= 0.67 作為條件3,同心度((R2 + D)/R1)= 0.88,同心度((R2 + D)/R5)= 1.01 作為條件4,同心度(R3/R1)= 0.69,同心度(R3/R5)= 0.89 作為條件5,同心度(R3/Lt1)= 0.90,同心度(R3/Lt2)= 1.02 作為條件6,工作距離(W1/Lt1)= 0.61,工作距離(W1/Lt2)= 0.55 作為條件7,比值((R5/R1)/B)= 1.03 [0098] 圖10B是示出範例10的投影光學系統10的縱向像差和畸變的視圖。 [0099] <範例11> 圖11A是示出根據範例11的投影光學系統10的佈局的剖視圖。在範例11中,投影光學系統10是具有´1.25的倍率的放大系統。範例11的投影光學系統10的光學元件的佈局和影像形成關係與範例8的相同。 [0100] 下面的表11示出了範例11的投影光學系統10的實際數值範例。注意,NA在像面側為0.08,校正波長為i線(365 nm)和h線(405 nm),並且所用的像高為625至675 mm。因此,曝光狹縫寬度為50 mm。該所用像高確保了750 mm或更大的同時曝光寬度。範例11的投影光學系統10包含多個非球面鏡表面和多個非球面透鏡表面。 [表11]
非球面數據
[0101] 範例11的投影光學系統10滿足下列條件: 作為條件1,光瞳投影量(Pt/Lt1)= 0.16,光瞳投影量(Pt/Lt2)= 0.11 作為條件2,工作距離(W1/R2)= 0.41,工作距離(W2/R2)= 1.30 作為條件3,同心度((R2 + D)/R1)= 1.06,同心度((R2 + D)/R5)= 0.92 作為條件4,同心度(R3/R1)= 1.01,同心度(R3/R5)= 0.71 作為條件5,同心度(R3/Lt1)= 1.35,同心度(R3/Lt2)= 0.73 作為條件6,工作距離(W1/Lt1)= 0.39,工作距離(W1/Lt2)= 0.67 作為條件7,比值((R5/R1)/B)= 1.15 [0102] 圖11B是示出範例11的投影光學系統10的縱向像差和畸變的視圖。 [0103] 在範例11中,條件7為1.15。但是,存在以下原則:比值R5/R1理想地確定放大系統或縮小系統的倍率。從這個角度來看,存在著在其內(R5/R1)/B的值為1.0或更小的等效允許範圍。因此,(R5/R1)/B = 1/1.15 = 0.87被設定為下限。 [0104] 表12和13共同示出了範例1至11的投影光學系統10的數值和條件。 [表12]
(單位:mm) [表13]
[0105] 根據本實施例的投影光學系統(每個範例的投影光學系統10)可作為例如用於將遮罩圖案的影像投影到基板上的投影光學系統應用於曝光裝置,用於對基板進行曝光。圖15是示出包含投影光學系統10的曝光裝置100的佈局的視圖。 [0106] 遮罩M是圖案形成於其上的原件。基板P是塗有光致抗蝕劑的板。遮罩M和基板P被保持於移動臺上並且沿著箭頭的方向同步進行掃描。因此,遮罩M的圖案被轉印到基板P上。圖15沒有示出用於以來自光源的光照射遮罩M的照明光學系統,以及其它單元。範例1的設計範例被應用於投影光學系統10。 [0107] 梯形的彎曲鏡DM被定位於遮罩M與基板P之間。彎曲鏡DM形成了前面所描述的第一和第二彎曲鏡。來自遮罩M的光由彎曲鏡DM的上反射面從直立方向自上方發射到水平方向,並且由彎曲鏡DM的下反射面從水平方向自下反射到直立方向。由於如上所描述的那樣滿足工作距離的條件2或6,因而可以在縮小光學系統尺寸的同時安裝彎曲鏡DM。 [0108] 根據本發明的一種實施例的一種用於製造物品的方法適合於製造諸如器件(例如,半導體器件、磁存儲介質或液晶顯示裝置)的物品。這種製造方法包括藉由使用曝光裝置100對以光敏劑塗覆的基板進行曝光的步驟以及使已曝光基板顯影的步驟。該製造方法還包括其它已知的步驟(氧化、沉積、氣相沉積、摻雜、平坦化、蝕刻、抗蝕劑去除、切粒[dicing]、鍵合、封裝等)。根據本實施例的物品製造方法在物品性能、品質、生產率和生產成本中至少有一項優於常規的方法。 [0109] 注意,NA、像高、狹縫寬度、所用波長等並不限定於上述範例中所列舉的數值,而是可根據例如曝光裝置所需的精度和規格進行改變,並且本發明包括這些條件。還要注意,非球面的佈局以及它們與球面的偏離量並不限定於上述範例。而且,上述實施例和範例的投影光學系統同樣可應用於日本專利特開No. 7-57986所公開的每個多透鏡光學系統。 [0110] 雖然本發明已經參考範例性的實施例進行了描述,但應當理解,本發明並不限定於所公開的範例性實施例。下列各請求項的範圍應被賦予最廣泛的解釋,以便涵蓋所有此類修改以及等同的結構和功能。
[0111]10‧‧‧投影光學系統100‧‧‧曝光裝置D1‧‧‧距離(第一凹面鏡和第一凸面鏡之間)D2‧‧‧距離(第一凸面鏡和第三凹面鏡)DM‧‧‧彎曲鏡F‧‧‧直徑H‧‧‧物像距離L‧‧‧總長度L1‧‧‧透鏡L2‧‧‧透鏡L3‧‧‧透鏡Lt1‧‧‧距離(物面與第二凹反射面之間)Lt2‧‧‧距離(第二凹反射面與像面之間)M‧‧‧遮罩M1‧‧‧第一凹面鏡M2‧‧‧第一凸面鏡M3‧‧‧第二凹面鏡M3’‧‧‧位置M5‧‧‧第三凹面鏡I‧‧‧像面O‧‧‧物面P‧‧‧基板Pt‧‧‧光瞳投影量Pt1‧‧‧距離(第一凹反射面與第二凹反射面之間)Pt2‧‧‧距離(第二凹反射面與第三凹反射面之間)R1‧‧‧(第一凹面鏡的)曲率半徑R2‧‧‧(第一凸面鏡的)曲率半徑R3‧‧‧(第二凹面鏡的)曲率半徑R5‧‧‧(第三凹面鏡的)曲率半徑Rm‧‧‧邊緣光線Rp‧‧‧主光線Y‧‧‧(物體的)高度W1‧‧‧距離(第一凸反射面與物面之間)W2‧‧‧距離(第一凸反射面與像面之間)
[0013] 圖1A至1C用於解釋根據本發明的範例1的投影光學系統的視圖。 [0014] 圖2A至2C用於解釋根據本發明的範例2的投影光學系統的視圖。 [0015] 圖3A至3C用於解釋根據本發明的範例3的投影光學系統的視圖。 [0016] 圖4A至4C用於解釋根據本發明的範例4的投影光學系統的視圖。 [0017] 圖5A至5C用於解釋根據本發明的範例5的投影光學系統的視圖。 [0018] 圖6A至6C用於解釋根據本發明的範例6的投影光學系統的視圖。 [0019] 圖7A至7C用於解釋根據本發明的範例7的投影光學系統的視圖。 [0020] 圖8A和8B用於解釋根據本發明的範例8的投影光學系統的視圖。 [0021] 圖9A和9B用於解釋根據本發明的範例9的投影光學系統的視圖。 [0022] 圖10A和10B用於解釋根據本發明的範例10的投影光學系統的視圖。 [0023] 圖11A和11B用於解釋根據本發明的範例11的投影光學系統的視圖。 [0024] 圖12是用於示出根據一種實施例的光學系統的尺寸的定義的視圖。 [0025] 圖13A和13B是用於解釋光學系統的尺寸的視圖。 [0026] 圖14是用於解釋光瞳投影量對光學系統的圖元和尺寸所產生的影響的視圖。 [0027] 圖15是用於示出根據本發明的一個方面的曝光裝置的佈局的視圖。
10‧‧‧投影光學系統
I‧‧‧像面
O‧‧‧物面
L1‧‧‧透鏡
L2‧‧‧透鏡
L3‧‧‧透鏡
M1‧‧‧第一凹面鏡
M2‧‧‧第一凸面鏡
M3‧‧‧第二凹面鏡
M5‧‧‧第三凹面鏡
Claims (24)
- 一種投影光學系統,包含第一凹反射面、第一凸反射面、第二凹反射面、和第三凹反射面,其中所述第一凹反射面、所述第一凸反射面、所述第二凹反射面、和所述第三凹反射面被佈置使得來自物面的光藉由被所述第一凹反射面、所述第一凸反射面、所述第二凹反射面、所述第一凸反射面、和所述第三凹反射面按照列舉的順序反射而在像面上形成影像,和其中所述第一凹反射面和所述第三凹反射面由具有一個曲率半徑的一個反射面形成,且所述第二凹反射面是不同於所述第一凹反射面和所述第三凹反射面的反射面。
- 根據申請專利範圍第1項所述的投影光學系統,其中所述第一凹反射面和所述第三凹反射面由一個凹面鏡形成,且所述第二凹反射面將通過設置在所述凹面鏡之中央的開口的光反射。
- 根據申請專利範圍第1項所述的投影光學系統,另外包含一凹面鏡,該凹面鏡包括所述第一凹反射面和所述第三凹反射面,且中空部被設置在中央區域內,其中包括有所述第二凹反射面的第二凹面鏡被設置在所述中空部內。
- 根據申請專利範圍第1項所述的投影光學系統,另外包含在所述物面、所述像面、和所述第一凸反射面之間具有非球面形狀的透鏡。
- 根據申請專利範圍第1項所述的投影光學系統,另外包含在所述第一凸反射面與所述第二凹反射面之間的、具有沿相同方向彎曲的第一表面和第二表面的彎月透鏡。
- 根據申請專利範圍第1項所述的投影光學系統,其中所述第一凹反射面、所述第一凸反射面、所述第二凹反射面、和所述第三凹反射面中的至少一個具有非球面形狀。
- 根據申請專利範圍第1項所述的投影光學系統,另外包含在所述第一凸反射面與所述第二凹反射面之間的孔徑光闌。
- 根據申請專利範圍第12項所述的投影光學系統,其中所述孔徑光闌的開口形狀是可變的。
- 根據申請專利範圍第1項所述的投影光學系統,其中所述投影光學系統是放大系統和縮小系統其中之一。
- 根據申請專利範圍第1項所述的投影光學系統,其中所述投影光學系統在物面側和像面側是遠心的。
- 一種曝光裝置,包含: 照明光學系統,被配置成用來自光源的光照射遮罩;以及投影光學系統,被配置成將所述遮罩的圖案的影像投影到基板上,其中所述投影光學系統包含第一凹反射面、第一凸反射面、第二凹反射面、和第三凹反射面,所述第一凹反射面、所述第一凸反射面、所述第二凹反射面、和所述第三凹反射面被佈置使得來自物面的光藉由被所述第一凹反射面、所述第一凸反射面、所述第二凹反射面、所述第一凸反射面、和所述第三凹反射面按照列舉的順序反射而在像面上形成影像,和其中所述第一凹反射面和所述第三凹反射面由具有一個曲率半徑的一個反射面形成,且所述第二凹反射面是不同於所述第一凹反射面和所述第三凹反射面的反射面。
- 一種製造物品的方法,所述方法包括:使用曝光裝置在基板上形成圖案;並且使已曝光基板顯影以製造所述物品,其中所述曝光裝置包含:照明光學系統,被配置成用來自光源的光照射遮罩;以及投影光學系統,被配置成將所述遮罩的圖案的影像投影到所述基板上,其中所述投影光學系統包含第一凹反射面、第一凸反 射面、第二凹反射面、和第三凹反射面,所述第一凹反射面、所述第一凸反射面、所述第二凹反射面、和所述第三凹反射面被佈置使得來自物面的光藉由由所述第一凹反射面、所述第一凸反射面、所述第二凹反射面、所述第一凸反射面、和所述第三凹反射面按照列舉的順序反射而在像面上形成影像,和其中所述第一凹反射面和所述第三凹反射面由具有一個曲率半徑的一個反射面形成,且所述第二凹反射面是不同於所述第一凹反射面和所述第三凹反射面的反射面。
- 一種投影光學系統,其中每一反射面被佈置使得來自物面的光藉由由第一反射面、第二反射面、第三反射面、第四反射面、和第五反射面按照列舉的順序反射而在像面上形成影像,其中由一個凹反射面形成所述第一反射面和所述第五反射面,且所述第三反射面是不同於所述第一反射面和所述第五反射面的凹反射面,且所述第二反射面和所述第四反射面是凸反射面。
- 根據申請專利範圍第19項所述的投影光學系統,其中由一個凹面鏡形成所述第一反射面和所述第五反射面,且所述第三反射面將通過設置在所述凹面鏡之中央的開口的光反射。
- 根據申請專利範圍第19項所述的投影光學系統,其中形成所述第一反射面和所述第五反射面的所述凹反射面包括一個曲率半徑。
- 一種曝光裝置,包含:照明光學系統,被配置成用來自光源的光照射遮罩;以及投影光學系統,被配置成將所述遮罩的圖案的影像投影到所述基板上,其中所述投影光學系統包含的每一反射面被佈置使得來自物面的光藉由由第一反射面、第二反射面、第三反射面、第四反射面、和第五反射面按照列舉的順序反射而在像面上形成影像,和其中所述第一反射面和所述第五反射面由一個凹反射面形成,且所述第三反射面是不同於所述第一反射面和所述第五反射面的凹反射面,且所述第二反射面和所述第四反射面是凸反射面。
- 一種製造物品的方法,所述方法包括: 使用曝光裝置在基板上形成圖案;並且使已曝光基板顯影以製造所述物品,其中所述曝光裝置包含:照明光學系統,被配置成用來自光源的光照射遮罩;以及投影光學系統,被配置成將所述遮罩的圖案的影像投影到所述基板上,其中所述投影光學系統包含的每一反射面被佈置使得來自物面的光藉由由第一反射面、第二反射面、第三反射面、第四反射面、和第五反射面按照列舉的順序反射而在像面上形成影像,和其中所述第一反射面和所述第五反射面由一個凹反射面形成,且所述第三反射面是不同於所述第一反射面和所述第五反射面的凹反射面,且所述第二反射面和所述第四反射面是凸反射面。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016203033A JP6635904B2 (ja) | 2016-10-14 | 2016-10-14 | 投影光学系、露光装置及び物品の製造方法 |
JP2016-203033 | 2016-10-14 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201841078A TW201841078A (zh) | 2018-11-16 |
TWI695232B true TWI695232B (zh) | 2020-06-01 |
Family
ID=61903819
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW106132027A TWI639063B (zh) | 2016-10-14 | 2017-09-19 | 投影光學系統、曝光裝置及物品製造方法 |
TW107127048A TWI695232B (zh) | 2016-10-14 | 2017-09-19 | 投影光學系統、曝光裝置及物品製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW106132027A TWI639063B (zh) | 2016-10-14 | 2017-09-19 | 投影光學系統、曝光裝置及物品製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10067325B2 (zh) |
JP (1) | JP6635904B2 (zh) |
KR (2) | KR102115279B1 (zh) |
CN (2) | CN111665688A (zh) |
TW (2) | TWI639063B (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6635904B2 (ja) | 2016-10-14 | 2020-01-29 | キヤノン株式会社 | 投影光学系、露光装置及び物品の製造方法 |
US11754822B2 (en) | 2018-08-01 | 2023-09-12 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Optical imaging system |
JP2021015141A (ja) * | 2019-07-10 | 2021-02-12 | キヤノン株式会社 | 光学装置、投影光学系、露光装置、および、物品の製造方法 |
KR102258458B1 (ko) * | 2019-07-20 | 2021-05-28 | 한남대학교 산학협력단 | 주간과 야간에 동시에 사용할 수 있으며 배율변화가 가능한 전방위 줌 광학계 |
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-
2016
- 2016-10-14 JP JP2016203033A patent/JP6635904B2/ja active Active
-
2017
- 2017-09-19 TW TW106132027A patent/TWI639063B/zh active
- 2017-09-19 TW TW107127048A patent/TWI695232B/zh active
- 2017-09-26 KR KR1020170123990A patent/KR102115279B1/ko active IP Right Grant
- 2017-10-10 CN CN202010697850.7A patent/CN111665688A/zh active Pending
- 2017-10-10 CN CN201710934813.1A patent/CN107957658B/zh active Active
- 2017-10-10 US US15/728,631 patent/US10067325B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-08-01 US US16/051,937 patent/US10578846B2/en active Active
-
2020
- 2020-05-20 KR KR1020200060144A patent/KR102266723B1/ko active IP Right Grant
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10067325B2 (en) | 2018-09-04 |
US20180106989A1 (en) | 2018-04-19 |
KR102266723B1 (ko) | 2021-06-21 |
CN111665688A (zh) | 2020-09-15 |
JP6635904B2 (ja) | 2020-01-29 |
TW201826037A (zh) | 2018-07-16 |
CN107957658B (zh) | 2020-07-31 |
US10578846B2 (en) | 2020-03-03 |
CN107957658A (zh) | 2018-04-24 |
TW201841078A (zh) | 2018-11-16 |
TWI639063B (zh) | 2018-10-21 |
KR20200058356A (ko) | 2020-05-27 |
US20180341093A1 (en) | 2018-11-29 |
JP2018063406A (ja) | 2018-04-19 |
KR20180041567A (ko) | 2018-04-24 |
KR102115279B1 (ko) | 2020-05-26 |
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