TWI692402B - 樹脂片材 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種於貼合時可良好地密接於被接著體、於加熱時可抑制氣體釋出之樹脂片材。本發明提供一種具備密接性樹脂層之樹脂片材。該密接性樹脂層滿足特性(A1):藉由120℃、5分鐘之加熱而凝膠分率上升,且進行上述加熱後之凝膠分率GB(%)相對於進行該加熱前之凝膠分率GA(%)之比(GB/GA)為1.1~10000之範圍內。
Description
本發明係關於一種樹脂片材。
以黏著片材為代表之密接性樹脂片材就與被接著體之貼附作業性良好程度等而言廣泛利用於各種領域中。例如,於柔性電路基板之製造時使用上述樹脂片材。上述電路基板之製造典型而言藉由如下方式進行:於玻璃等硬質基板上積層樹脂片材,於該樹脂片材上臨時固定電路基板之基材膜,於該基材膜上形成電路基板之後,將電路基板與樹脂片材分離。作為揭示該種先前技術之先前技術文獻,可列舉專利文獻1。專利文獻2係關於貼附於半導體晶圓上使用之再剝離型黏著片材之技術文獻。
[專利文獻1]日本專利特開2012-186315號公報
[專利文獻2]日本專利特開2005-53998號公報
於如上述專利文獻1所揭示之電路基板之製造時,例如TFT之圖案形成通常可於150℃以上之加熱條件下進行。該製造所使用之樹脂片材若暴露於如上述之高溫,則存在於該片材中之水分等會氣化,藉此釋出氣體。即便樹脂片材與被接著體良好地密接,所釋出之氣體亦
會侵入其界面而降低兩者之密接性。另外,若於被接著體與樹脂片材之間存在空隙,則於加熱時該空隙中之氣體成分會膨脹、減少接著面積,因此密接性仍然會降低。密接性之降低不僅會引起不良品產生、成為成品率降低之原因,而且亦有樹脂片材脫離、引起步驟停止之虞,因此要求其改善。
本發明係鑒於上述情況而成者,其目的在於提供一種於貼合時可良好地密接於被接著體,於加熱時可抑制氣體釋出之樹脂片材。
根據本發明,提供一種具備密接性樹脂層之樹脂片材。該密接性樹脂層滿足特性(A1):藉由120℃、5分鐘之加熱而凝膠分率上升,且進行上述加熱後之凝膠分率GB(%)相對於進行該加熱前之凝膠分率GA(%)之比(GB/GA)為1.1~10000的範圍內。藉由如此構成,於貼合時密接性樹脂層可良好地密接於被接著體,且於加熱時由於凝膠分率迅速上升因此可抑制氣體自密接性樹脂層釋出。因此,根據本發明,可提供一種即便暴露於加熱亦能夠良好地維持與被接著體之密接狀態的樹脂片材。
另外,根據本發明,提供一種具備密接性樹脂層之樹脂片材。該密接性樹脂層滿足特性(A2):藉由120℃、5分鐘之加熱而凝膠分率上升,且進行上述加熱後之凝膠分率GB為30%~100%之範圍內。藉由如此構成,於貼合時密接性樹脂層可良好地密接於被接著體,且於加熱時由於凝膠分率迅速達到特定以上而可抑制氣體自密接性樹脂層釋出。因此,根據本發明,可提供一種即便暴露於加熱亦能夠良好地維持與被接著體之密接狀態的樹脂片材。
此處揭示之技術之較佳一態樣中,樹脂片材滿足特性(B):將上述密接性樹脂層貼附於玻璃板上,於150℃下加熱30分鐘後所測定之180度剝離強度為0.05~5.0N/20mm。滿足特性(B)之樹脂片材可成為
兼具適於臨時固定被接著體之接著力及優異之再剝離性的再剝離性樹脂片材。
此處揭示之技術之較佳一態樣中,上述密接性樹脂層中之自由基捕獲劑之含有率為1重量%以下。自由基捕獲劑可成為抑制加熱時凝膠分率上升之成分。藉由使自由基捕獲劑之含量為特定以下,能夠高效地提高上述凝膠分率。
此處揭示之技術之較佳之一態樣中,上述密接性樹脂層中存在碳-碳雙鍵。藉由如此構成,於加熱時上述樹脂層中之碳-碳雙鍵(-C=C-)發生反應而凝膠分率迅速上升。另外,較佳為上述密接性樹脂層中之上述碳-碳雙鍵之存在量為0.1~2.0mmol/g。藉此,能夠較佳地實現加熱時之凝膠分率上升。
此處揭示之技術之較佳之一態樣中,上述密接性樹脂層包含具有通式(1)所表示之加熱反應性基之化合物。
(上式中,R為氫或甲基。)。藉由如此構成,於加熱時上述化合物中之碳-碳雙鍵發生反應而凝膠分率迅速上升。
此處揭示之技術之較佳之一態樣中,樹脂片材進而具備支持上述密接性樹脂層之樹脂膜基材。具備樹脂膜基材作為支持基材之樹脂片材由於具有特定之剛性,因此可成為加工性或處理性優異之片材。
1、2、3、4、5、6‧‧‧樹脂片材
10‧‧‧基材
10A‧‧‧基材之非剝離面
10B‧‧‧基材之剝離面
21、22‧‧‧密接性樹脂層
21A、21B‧‧‧密接性樹脂層之密接面
31、32‧‧‧剝離襯墊
圖1係示意性表示樹脂片材之一構成例之剖視圖。
圖2係示意性表示樹脂片材之另一構成例之剖視圖。
圖3係示意性表示樹脂片材之另一構成例之剖視圖。
圖4係示意性表示樹脂片材之另一構成例之剖視圖。
圖5係示意性表示樹脂片材之另一構成例之剖視圖。
圖6係示意性表示樹脂片材之另一構成例之剖視圖。
以下對本發明之較佳之實施形態進行說明。再者,對於在本說明書中特別提到之事項以外且為實施本發明所需之事項,可基於該領域之先前技術,作為本領域技術人員之設計事項進行理解。本發明可基於本說明書中揭示之內容及該領域之技術常識來實施。
另外,於以下圖式中,有時對發揮相同作用之構件/部位附上相同之符號進行說明,有時會省略或簡化重複之說明。另外,圖式所記載之實施形態為了清楚說明本發明而示意化,並非準確表示實際作為產品提供之樹脂片材之尺寸或比例尺。
<樹脂片材之構成>
此處揭示之樹脂片材具備密接性樹脂層。該密接性樹脂層典型而言構成樹脂片材之至少一個表面(例如兩面)。樹脂片材可為於基材(支持體)之單面或兩面具有上述密接性樹脂層之形態的附基材之樹脂片材,亦可為上述密接性樹脂層由剝離襯墊(亦可理解為具備剝離面之基材)保持之形態等之無基材之樹脂片材。於該情形時,樹脂片材可為僅由密接性樹脂層構成者。此處所謂樹脂片材之概念可包含可稱為黏著帶、黏著標籤、黏著膜等之黏著片材、或接著片材、接著膜等黏著接著片材類。另外,上述密接性樹脂層典型而言係連續形成,但並不限定於該形態,例如亦可為形成為點狀、條狀等規則或者不規則圖案之密接性樹脂層。另外,根據本說明書所提供之樹脂片材可為輥狀,亦可為單片狀。或者,亦可為進而加工成各種形狀之形態之樹脂
片材。
此處揭示之樹脂片材可為例如圖1~圖6所示意性表示之具有剖面結構者。其中,圖1、圖2係兩面接著型之附基材之樹脂片材的構成例。圖1所示之樹脂片材1具有如下構成:於基材10之各面(均為非剝離性)分別設置有密接性樹脂層21、22,該等密接性樹脂層分別由至少該密接性樹脂層側為剝離面之剝離襯墊31、32所保護。圖2所示之樹脂片材2具有如下構成:於基材10之各面(均為非剝離性)分別設置密接性樹脂層21、22,其中一個密接性樹脂層21由兩面為剝離面之剝離襯墊31所保護。該種樹脂片材2藉由將該樹脂片材捲繞使另一個密接性樹脂層22與剝離襯墊31之背面抵接,藉此可形成密接性樹脂層22亦由剝離襯墊31所保護之構成。
圖3、圖4係無基材之兩面接著性樹脂片材之構成例。圖3所示之樹脂片材3具有如下構成:無基材之密接性樹脂層21之兩面21A、21B分別由至少該密接性樹脂層側為剝離面之剝離襯墊31、32所保護。圖4所示之樹脂片材4具有無基材之密接性樹脂層21之一個表面(密接面)21A由兩面為剝離面之剝離襯墊31所保護的構成,若將其捲繞,則藉由使密接性樹脂層21之另一個表面(密接面)21B與剝離襯墊31之背面抵接,藉此可形成另一面21B亦由剝離襯墊31所保護之構成。
圖5、圖6係單面接著性附基材之樹脂片材之構成例。圖5所示之樹脂片材5具有如下構成:於基材10之一面10A(非剝離性)設置有密接性樹脂層21,該密接性樹脂層21之表面(密接面)21A由至少該密接性樹脂層側為剝離面之剝離襯墊31所保護。圖6所示之樹脂片材6具有於基材10之一面10A(非剝離性)上設置有密接性樹脂層21的構成。基材10之另一面10B為剝離面,若將樹脂片材6捲繞,則密接性樹脂層21與該另一面10B抵接,該密接性樹脂層之表面(密接面)21B會由基材之另一面10B所保護。
<密接性樹脂層>
(凝膠分率)
此處揭示之密接性樹脂層之特徵在於,藉由120℃、5分鐘之加熱而凝膠分率上升。顯示上述特徵之密接性樹脂層於將密接性樹脂層貼合於被接著體上時,由於具有相對較低之凝膠分率,故而發揮良好之接著性、追隨性,可良好地密接於被接著體表面。例如,亦可良好地密接於具有凹凸之表面。密接性樹脂層與被接著體表面良好地密接亦能使被接著體界面之空隙較少,因此能夠防止或抑制由於存在於該空隙之氣體成分於加熱時膨脹所引起之密接性降低。另外,若將樹脂片材加熱至特定以上之溫度,則密接性樹脂層之凝膠分率迅速上升。具體而言,與密接性樹脂層中之釋氣(out gas)成分因該加熱而發生氣化膨脹相比,上述凝膠分率之上升更快,密接性樹脂層之彈性上升。藉此,可抑制釋氣成分之氣化膨脹,可抑制氣體自密接性樹脂層釋出,結果可抑制由加熱時之氣體釋出引起之密接性降低。總而言之,此處揭示之技術藉由貼合時之密接性與加熱時抑制氣體釋出而實現即便於加熱後亦維持良好之密接性。根據如上述之樹脂片材,例如於貼附有樹脂片材之狀態下輸送被接著體之情形時,可防止樹脂片材因輸送時之振動等而脫落之不利情況。另外,釋氣成分典型而言,為存在於該樹脂層中之水等揮發成分、或存在於該樹脂層中之空隙之氣體成分。
較佳之一態樣之密接性樹脂層滿足特性(A1):藉由120℃、5分鐘之加熱而凝膠分率上升,且進行上述加熱(120℃、5分鐘之加熱)後之凝膠分率GB(%)相對於進行該加熱前之凝膠分率GA(%)之比(GB/GA)為1.1~10000的範圍內。如上所述,密接性樹脂層由於在貼合時凝膠分率GA相對較低,因此可良好地密接於被接著體表面。另外,由於在加熱時凝膠分率迅速上升,比值(GB/GA)達到1.1~10000之範圍內,因
此可抑制氣體自密接性樹脂層釋出。
其他較佳之一態樣之密接性樹脂層滿足特性(A2):藉由120℃、5分鐘之加熱而凝膠分率上升,且進行上述加熱(120℃、5分鐘之加熱)後的凝膠分率GB為30%~100%之範圍內。如上所述,密接性樹脂層由於在貼合時凝膠分率GA相對較低,因此可良好地密接於被接著體表面。另外,由於在加熱時凝膠分率迅速上升、凝膠分率GB達到30%以上,因此可抑制氣體自密接性樹脂層釋出。
如上所述,此處揭示之技術就兼具貼合性(初始密接性)及加熱後密接性之觀點而言,以具備滿足比值(GB/GA)大於1之密接性樹脂層之構成來實施。考慮到貼合性與加熱後之特性(密接性、或再剝離性等),上述比值(GB/GA)亦可為2以上(例如5以上、典型而言10以上),或者亦可為100以上(例如1000以上、典型而言5000以上)。對比值(GB/GA)之上限並無特別限定,考慮到對加熱後之特性(例如剝離強度)之影響,通常適當為10000以下,較佳為設定為50以下(例如20以下、典型而言15以下)。於根據目的、或用途而將凝膠分率GA設定較高之情形時,比值(GB/GA)可設定為5以下(例如3以下、典型而言2以下),進而可設定為1.5以下(典型而言1.2以下)。另外,於該說明書中,GA為0%之情形時,認為只要GB大於0%則滿足比值(GB/GA)>1。
只要凝膠分率GA為低於凝膠分率GB之值即可,只要滿足該條件則無特別限定,若凝膠分率GA過高,則有密接性樹脂層與被接著體之密接性降低之虞。更詳細而言,若凝膠分率GA過高,則貼合性降低,可能會於密接性樹脂層與被接著體之間形成空隙,因此有於加熱時存在於該空隙之氣體膨脹、密接性樹脂層與被接著體之密接性降低之虞。此外,亦有階差追隨性降低之傾向。就此種觀點而言,凝膠分率GA適當為90%以下,較佳為80%以下(例如70%以下、典型而言60%以下)。或者,凝膠分率GA亦可為40%以下(例如10%以下、典型而言
5%以下)。凝膠分率GA之下限值可為0%,通常為0.01%以上(例如0.1%以上、典型而言1%以上),適當為2%以上。藉由提高凝膠分率GA,於貼附於被接著體之狀態下之流動性受限,可抑制例如密接性樹脂層之偏移、或自被接著體端面突出等不利情況之發生。另外,就賦予密接性樹脂層以適度之彈性之觀點而言,凝膠分率GA較佳設定為10%以上(例如20%以上、典型而言30%以上),凝膠分率GA亦可為40%以上(例如50%以上、或者60%以上)。凝膠分率GA係藉由下述之方法進行測定。對於下述之實施例中之凝膠分率GA亦同樣。
只要凝膠分率GB為高於凝膠分率GA之值即可,只要滿足該條件則無特別限定,若凝膠分率GB過低,則有難以抑制加熱時之氣體釋出之傾向。就此種觀點而言,凝膠分率GB較佳為30%以上,更佳為40%以上,進而較佳為50%以上(例如60%以上、典型而言70%以上)。就牢固地抑制加熱時之氣體釋出之觀點而言,凝膠分率GB特別較佳為80%以上(例如90%以上、典型而言95%以上)。凝膠分率GB之上限可為100%,通常適當設定為99.9%以下(例如99%以下、典型而言98%以下)。另外,考慮到對加熱後之特性(典型而言剝離強度)之影響,凝膠分率GB亦可為80%以下(例如70%以下、典型而言65%以下)。凝膠分率GB係藉由下述之方法進行測定。對於下述之實施例中之凝膠分率GB亦同樣。
另外,此處揭示之密接性樹脂層較佳為滿足特性(A3):於將進行上述加熱(120℃、5分鐘之加熱)前之該密接性樹脂層於室溫(25℃±5℃)下保管1週之情形時,於該保管後實質上未確認到凝膠分率(%)上升。滿足該特性(A3)之樹脂片材於特定之加熱後顯示凝膠分率上升之特性,另一方面於不進行上述加熱之情形時凝膠分率不上升,因此能夠持續保持初始性能(例如與被接著體之密接性)。即,保存性、或處理性優異。
上述特性(A3)係藉由測定保管開始前之密接性樹脂層之凝膠分率GC(%)與保管結束後之凝膠分率GD(%)並將該等進行對比而確定即可。於通常之條件下,由於不會發生凝膠分率之降低,因此比值(GD/GC)達到1以上。另外,「實質上未確認到凝膠分率(%)上升」典型而言意指比值(GD/GC)=1,考慮到測量誤差等,亦可允許比值(GD/GC)未達1.1。比值(GD/GC)例如可未達1.05(典型而言未達1.02)。另外,特性(A3)之保管條件採用常壓(大氣壓、方便起見亦可為1大氣壓。)。凝膠分率GC、GD係藉由下述之方法進行測定。於下述之實施例中亦同樣。
[凝膠分率GA、GB、GC、GD之測定方法]
取約0.5g之密接性樹脂層樣品(重量W1),用平均孔徑0.2μm之多孔聚四氟乙烯膜(重量W2)包成包袋狀,用風箏線(重量W3)綁住袋口。將該包裹浸漬於甲苯50mL中,於室溫(典型而言25℃)下保持7天,僅使密接性樹脂層中之溶膠成分溶出至上述膜外之後,取出上述包裹,拭去附著於外表面之甲苯,將該包裹於130℃下乾燥2小時,測定該包裹之重量(W4)。並且,將各值代入下式中,藉此求出凝膠分率。
凝膠分率(%)=[(W4-W2-W3)/W1]×100
凝膠分率GA、GC、GD使用來自未實施加熱處理(典型而言120℃、5分鐘之加熱)之樹脂片材之密接性樹脂層樣品,藉由上述凝膠分率測定方法進行測定。該樹脂片材典型而言,將密接性樹脂層乾燥、製作之後未進行如上所述之加熱。
對於凝膠分率GB,使用下述密接性樹脂層樣品進行測定。即,準備密接性樹脂層之表面由剝離襯墊所保護之形態的樹脂片材。將該樹脂片材夾於預先加溫至120℃之2片玻璃板之間,於120℃下進行5分鐘之加熱。對於來自該加熱後之樹脂片材之密接性樹脂層樣品,藉由
上述凝膠分率測定方法測定凝膠分率。
另外,作為多孔聚四氟乙烯(PTFE)膜,理想為使用日東電工股份有限公司製造之「NITOFLON NTF1122」(平均孔徑0.2μm、氣孔率75%、厚度85μm)或其等同品。另外,對凝膠分率GB之測定中使用之玻璃板並無特別限定,只要使用公知或慣用之玻璃板即可。
(碳-碳雙鍵)
對於製作顯示藉由120℃、5分鐘之加熱而凝膠分率上升之特性的密接性樹脂層之方法並無特別限定。例如,作為較佳例,可列舉使樹脂片材中存在碳-碳雙鍵,使其於加熱時反應,藉此使凝膠分率上升之方法。根據上述方法,能夠較佳地實現滿足特性(A1)、(A2)及(A3)之構成。於採用上述方法之情形時,密接性樹脂層中存在碳-碳雙鍵。該構成對於滿足特性(A3)而言特別有利。作為其理由,可列舉碳-碳雙鍵於工業上可應用之通常之保管環境下不與空氣中之濕氣、或酸度等反應,化學上穩定。另一方面,例如於60℃以上之高溫狀態下產生自由基,與其他分子發生反應(例如聚合反應或交聯反應)。藉由採用存在碳-碳雙鍵之密接性樹脂層,樹脂片材於保管時不會引起密接性樹脂層之凝膠分率之上升,處理性優異。另外,於特定之加熱條件下可迅速實現密接性樹脂層之凝膠分率上升(以下有時簡記為「加熱時凝膠分率上升」)。
於上述方法中,對密接性樹脂層中之碳-碳雙鍵之存在形態並無特別限定。上述碳-碳雙鍵例如可存在於聚合物(典型而言下述之基礎聚合物)、或低聚物、單體中。其中,較佳為於密接性樹脂層中之移動性相對較低之聚合物。作為上述聚合物,可列舉於側鏈或主鏈具有碳-碳雙鍵之聚合物。此處,於主鏈具有碳-碳雙鍵包含於聚合物之主鏈骨架中存在碳-碳雙鍵,於主鏈末端存在碳-碳雙鍵。對於上述低聚物,亦與上述聚合物同樣,可例示於側鏈或主鏈(主鏈骨架中、主鏈
末端)具有碳-碳雙鍵之低聚物。
對可存在於聚合物、低聚物之側鏈之碳-碳雙鍵之形態、或可存在於單體中之碳-碳雙鍵的形態並無特別限定,例如碳-碳雙鍵可以含有乙烯基之基(典型而言有機基)之形態存在。含乙烯基之基可為乙烯基、或烯丙基、(甲基)丙烯醯基。對向聚合物、低聚物中導入碳-碳雙鍵之方法並無特別限定,可自本領域技術人員公知之方法中選擇適當之方法。就分子設計等觀點而言,較佳為於聚合物或低聚物之側鏈導入碳-碳雙鍵之方法。
另外,於該說明書中聚合物或低聚物之主鏈係指形成該聚合物或低聚物之骨架之鏈狀結構。另外,聚合物或低聚物之側鏈係指與上述主鏈結合之基(pendant、側基)、或可視作側基之分子鏈。
於此處揭示之技術中,作為使密接性樹脂層中存在碳-碳雙鍵之典型方法,可列舉下述方法。
(1)作為構成密接性樹脂層之基礎聚合物,使用具有碳-碳雙鍵之聚合物之方法。該方法具體而言,使密接性樹脂組合物中含有具有碳-碳雙鍵之聚合物作為基礎聚合物,並使用該密接性樹脂組合物形成密接性樹脂層。
(2)密接性樹脂層中除含有構成密接性樹脂層之基礎聚合物外,亦含有具有碳-碳雙鍵之聚合物、低聚物及/或單體的方法。該方法具體而言,於密接性樹脂組合物中適量添加上述聚合物、低聚物及/或單體,並使用該密接性樹脂組合物形成密接性樹脂層。
上述(1)和(2)可併用。
作為存在碳-碳雙鍵之密接性樹脂層,例如可列舉存在具有碳-碳雙鍵之基(加熱反應性基)之構成的密接性樹脂層。藉由使密接性樹脂層中存在加熱反應性基,該加熱反應性基於加熱時發生反應,密接性樹脂層之凝膠分率可上升。上述加熱反應性基較佳為於加熱前之狀態
(例如於大氣壓中40℃以下、典型而言室溫)下實質上為非活性(非反應性)。另外,加熱反應性基並不限定於具有上述碳-碳雙鍵之基。對於該方面於下文進行敍述。
作為存在碳-碳雙鍵之密接性樹脂層之較佳例,可列舉含有具有通式(1)所表示之加熱反應性基((甲基)丙烯醯基)之化合物的密接性樹脂層。
(上式中,R為氫或甲基。)。此處,上述化合物包括聚合物(典型而言基礎聚合物)、低聚物及單體。對於含有上述化合物之密接性樹脂層,該化合物中之上述反應性基中之碳-碳雙鍵於加熱時發生反應,密接性樹脂層之凝膠分率迅速上升。上述化合物較佳為聚合物。
上述化合物為聚合物(典型而言基礎聚合物)之情形時,即聚合物(典型而言基礎聚合物)具有上述通式(1)所表示之加熱反應性基之情形時,對向聚合物(典型而言基礎聚合物)中導入上述加熱反應性基之方法並無特別限定,可自本領域技術人員公知之方法中選擇適當之方法。例如,可較佳採用與下述之向丙烯酸系聚合物中導入加熱反應性基之方法同樣的方法。於上述化合物為低聚物之情形時,亦採用與上述聚合物之情形同樣之方法,於低聚物中導入上述反應性基即可。於上述化合物為單體之情形時,獲取或合成具有上述反應性基之單體,使其包含於密接性樹脂層中即可。
作為具有碳-碳雙鍵之聚合物,並無特別限定,例如可考慮密接
性樹脂層之特性等自作為下述之基礎聚合物而例示者中選擇適當之聚合物使用。於上述聚合物為不含碳-碳雙鍵之聚合物之情形時,可較佳使用藉由化學修飾等方法對該不含碳-碳雙鍵之聚合物中導入碳-碳雙鍵而成者。
作為向聚合物中導入上述碳-碳雙鍵之方法之具體例,可列舉如下方法:使聚合物與具有官能基(以下亦稱為「官能基A」。)之單體共聚之後,使其以碳-碳雙鍵不會消失之方式與具有能與該官能基A反應之官能基(以下亦稱為「官能基B」。)及碳-碳雙鍵之化合物反應(典型而言縮合、加成反應)。作為官能基A與官能基B之組合之例,可列舉:羧基與環氧基之組合、羧基與氮丙啶基之組合、羥基與異氰酸酯基之組合等。其中,就反應跟蹤性之觀點而言,較佳為羥基與異氰酸酯基之組合。另外,上述官能基A、B之組合只要為能獲得具有碳-碳雙鍵之聚合物之組合,則可將上述組合中一者之官能基作為官能基A、將另一者作為官能基B,或者亦可將上述一者之官能基作為官能基B,上述另一者作為官能基A。例如,若用羥基與異氰酸酯基之組合進行說明,則官能基A可為羥基(此情形時官能基B為異氰酸酯基。),亦可為異氰酸酯基(此情形時官能基B為羥基。)。其中,較佳為基礎聚合物具有羥基、上述化合物具有異氰酸酯基之組合。該組合於基礎聚合物為丙烯酸系聚合物之情形時特別較佳。
另外,於上述聚合物為乙烯基醇系聚合物(典型而言聚乙烯醇)之情形時,作為較佳例,亦可列舉下述方法:使乙烯基醇系聚合物(典型而言不含碳-碳雙鍵之乙烯基醇系聚合物)與乙烯基溴化物等乙烯基鹵化物、或烯丙基溴化物等烯丙基鹵化物反應。該方法中,上述反應係於適當之鹼性條件下進行,藉由該反應,可獲得於側鏈含有乙烯基之乙烯基醇系聚合物。此外,例如可採用如日本專利第4502363號公報中所揭示之利用產生聚合物之微生物來製備具有碳-碳雙鍵之聚合
物的方法。該方法中之微生物種類、微生物培養條件等各種條件採用上述日本特許公報中記載之條件、或者於本領域技術人員之技術常識之範圍內進行適當改變等來設定即可。
對於上述官能基A之莫耳數(MA)與官能基B之莫耳數(MB)的莫耳比(MA/MB),就兩者之反應性之觀點而言,通常適當設定為0.2~10之範圍,較佳為設定為0.5~5.0(例如0.7~3.0、典型而言1.0~2.5)之範圍。另外,就提高官能基A與官能基B之接觸機會之觀點而言,可較多調配具有碳-碳雙鍵之含官能基B化合物。於此情形時,莫耳比(MA/MB)較佳為設定為未達1(例如未達0.99、未達0.95)。具有官能基B之化合物之調配量在滿足上述莫耳比(MA/MB)之範圍內,相對於具有官能基A之聚合物(典型而言導入碳-碳雙鍵前之聚合物)100重量份,較佳為設定為1重量份以上(例如5重量份以上、典型而言10重量份以上)左右,較佳為設定為40重量份以下(例如30重量份以下、典型而言15重量份以下)左右。例如,對於使用下述之丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物之構成,可較佳地應用上述莫耳比(MA/MB)、或具有碳-碳雙鍵之含官能基B化合物之調配量。
此外,具有碳-碳雙鍵之聚合物例如可為二烯系聚合物(典型而言共軛二烯系聚合物)。二烯系聚合物(典型而言共軛二烯系聚合物)典型而言為使二烯(典型而言共軛二烯)聚合或共聚而獲得之聚合物。作為二烯系聚合物(典型而言共軛二烯系聚合物),可列舉:聚丁二烯、苯乙烯丁二烯共聚物等丁二烯系聚合物;聚異戊二烯、苯乙烯異戊二烯共聚物等異戊二烯系聚合物;聚氯丁二烯等氯丁二烯系聚合物;等。
另外,對於碳-碳雙鍵,由於化學活性較高,與內部雙鍵相比更佳為外部雙鍵。此處,內部雙鍵係指以被組入聚合物、低聚物之主鏈之內部之狀態存在的雙鍵。該碳-碳雙鍵之碳原子之雙方構成主鏈。此外,外部雙鍵係指存在於聚合物、低聚物之分子鏈(例如主鏈)之外
部的雙鍵。另外,碳-碳雙鍵存在於聚合物、低聚物之主鏈末端之情形時,該雙鍵為外部雙鍵。
此處揭示之技術以具備包含具有碳-碳雙鍵之聚合物(典型而言基礎聚合物)之密接性樹脂層之態樣實施之情形時,密接性樹脂層中之具有碳-碳雙鍵之聚合物(典型而言基礎聚合物)之含量根據目標之加熱時之凝膠分率上升程度而適當設定即可,並無特別限定。例如,較佳以實現下述之碳-碳雙鍵之存在量之方式調配。
另外,作為此處揭示之具有碳-碳雙鍵之單體及低聚物(以下亦簡稱為單體/低聚物。),例如可列舉:胺基甲酸酯低聚物、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯等含(甲基)丙烯醯基化合物;該含(甲基)丙烯醯基化合物之2~5聚物;等。該等可單獨使用1種或組合使用2種以上。具有碳-碳雙鍵之低聚物又可為胺基甲酸酯系低聚物、聚醚系低聚物、聚酯系低聚物、聚碳酸酯系低聚物、聚丁二烯系低聚物等低聚物之1種或2種以上。
另外,於該說明書中,低聚物係指分子量未達3.0×104之聚合物。上述低聚物之分子量較佳為100以上,較佳為1.0×104以下。作為低聚物之分子量,採用藉由凝膠滲透色譜(GPC)求出之標準聚苯乙烯換算之重量平均分子量(Mw)、或根據化學式算出之分子量。
此處揭示之技術以具備包含具有碳-碳雙鍵之單體/低聚物之密接性樹脂層的態樣實施之情形時,密接性樹脂層中之具有碳-碳雙鍵之單體/低聚物之含量根據目標之加熱時之凝膠分率上升之程度而適當設定即可。
密接性樹脂層中之碳-碳雙鍵之存在量根據目標之加熱時之凝膠分率上升之程度而適當設定即可,並無特別限定。對於密接性樹脂層中之碳-碳雙鍵之存在量,就確實地表現加熱時凝膠分率上升之觀點而言,相對於每1g密接性樹脂層適當設定為0.01mmol(以下亦稱為mmol/g。)以上,更佳設定為0.2mmol/g以上(例如0.3mmol/g以上、典型而言0.5mmol/g以上)。另外,若碳-碳雙鍵之存在量過多,則交聯密度過高,有與被接著體之密接性過度降低之虞。就此種觀點而言,碳-碳雙鍵之存在量適當設定為10.0mmol/g以下,較佳設定為5.0mmol/g以下(例如3.0mmol/g以下、典型而言1.0mmol/g以下)。
碳-碳雙鍵之存在量係藉由NMR(Nuclear Magnetic Resonance)法進行測定。具體而言,自密接性樹脂層採取適量之試樣,將該試樣溶解於添加特定量內部標準物質之測定溶劑中並對其進行測定,藉此求出碳-碳雙鍵之存在量。作為分析裝置,使用傅里葉變換NMR裝置(Bruker Biospin公司製造、「AVANCE III-600 with Cryo Probe」)或其等同品即可。作為測定條件,可採用下述條件。
[測定條件]
觀測頻率:1H 600MHz
測定溶劑:CDCl3
測定溫度:300K
化學位移標準:測定溶劑1H;7.25ppm
(自由基產生劑)
另外,此處揭示之密接性樹脂層較佳為含有自由基產生劑。已知無論有無碳-碳雙鍵,若進行加熱則會藉由聚合物等之分子鍵之斷裂、或空氣中之氧氣氧化等生成自由基「高分子劣化/崩壞之<樹脂類別>問題對策與最新之改性/穩定化技術)」高分子物性研究會1981年發行)。因此認為,加熱時若存在上述自由基,則發生自由基
反應(例如聚合反應、或交聯反應),密接性樹脂片材之凝膠分率上升。然而,欲利用樹脂片材於使用時可經歷之熱歷程來使凝膠分率上升之情形時,該熱歷程通常為約60℃~250℃、5小時左右為止,因此藉由上述熱歷程不會使自由基反應迅速進行,無法抑制氣體自密接性樹脂層釋出。此處揭示之技術之較佳之一態樣中,藉由積極使密接性樹脂層中含有自由基產生劑來確保上述反應快速進行。藉此,能夠迅速實現加熱時凝膠分率上升。例如,於密接性樹脂層中存在碳-碳雙鍵之情形時,加熱時由自由基產生劑生成游離自由基,藉由使其對上述碳-碳雙鍵進行加成,可確實地進行自由基反應,密接性樹脂層之凝膠分率更迅速上升。
於該說明書中,「自由基產生劑」係指加熱時自身發生分解等而產生游離自由基之試劑。典型而言可為自由基聚合中使用之聚合起始劑。作為上述自由基產生劑,例如可列舉可於自由基聚合中使用之作為聚合起始劑之過氧化物系化合物(過氧化物系起始劑)、偶氮系化合物(偶氮系起始劑)。其中,較佳為具有奪氫反應性之過氧化物系化合物。例如,若藉由奪氫反應奪去聚合物骨架中之氫,則生成聚合物自由基。藉由該聚合物自由基彼此反應(再結合),凝膠分率可較佳地上升。自由基產生劑可單獨使用1種或組合使用2種以上。
作為過氧化物系起始劑,例如可列舉:二醯基過氧化物、過氧酯、過氧二碳酸酯、單過氧碳酸酯、過氧縮酮、二烷基過氧化物、過氧化氫、酮過氧化物等有機過氧化物、或過氧化氫等。
作為二醯基過氧化物,可列舉:過氧化二苯甲醯(BPO)、過氧化二對硝基苯甲醯、過氧化二對氯苯甲醯、過氧化二(3,5,5-三甲基己醯)、過氧化二正辛醯、過氧化二癸醯、過氧化二月桂醯等。
作為過氧酯,可列舉:過氧新癸酸第三丁酯、過氧特戊酸第三己酯、過氧特戊酸第三丁酯、過氧-2-乙基己酸-1,1,3,3-四甲基丁酯、
過氧-2-乙基己酸第三己酯、過氧二(4-甲基苯甲醯)、過氧異丁酸第三丁酯、1,1-二(過氧第三己基)環己烷、過氧苯甲酸第三丁酯、過氧乙酸第三丁酯、2,5-二甲基-2,5-二(過氧苯甲醯)己烷等。
作為過氧二碳酸酯,可列舉:過氧二碳酸二(2-乙基己酯)、過氧二碳酸二(4-第三丁基環己酯)、過氧二碳酸二第二丁酯等。
作為單過氧碳酸酯,例如可列舉:碳酸過氧異丙基酯第三丁基酯、碳酸過氧-2-乙基己基酯第三丁基酯、碳酸過氧異丙基酯第三戊基酯、碳酸過氧化-2-乙基己基酯第三丁基酯等。
作為過氧縮酮,可列舉:2,2-雙(4,4-二-第三丁基過氧環己基)丙烷、1,1-雙(第三丁基過氧基)-3,3,5-三甲基環己烷、1,1-雙(第三丁基過氧基)環十二烷、1,1-雙(第三丁基過氧基)環己烷、正丁基-4,4-雙(第三丁基過氧基)戊酸酯等。
作為二烷基過氧化物,可列舉:二-第三丁基過氧化物、二枯基過氧化物、第三丁基枯基過氧化物、α,α'-雙(第三丁基過氧基-間異丙基)苯、2,5-二(第三丁基過氧基)-3-己炔等。
作為過氧化氫,可列舉:枯烯過氧化氫、第三丁基過氧化氫、二異丙基苯過氧化氫、2,5-二甲基環己烷-2,5-二過氧化氫等。
作為酮過氧化物,可列舉:環己酮過氧化物、3,3,5-三甲基環己酮過氧化物、甲基環己酮過氧化物、甲基乙基酮過氧化物等。
其中,較佳為二醯基過氧化物、過氧酯,更佳為BPO、過氧-2-乙基己酸-1,1,3,3-四甲基丁酯、過氧-2-乙基己酸第三己酯。過氧化物系起始劑可單獨使用1種或組合使用2種以上。
作為過氧化物系起始劑之市售品,可列舉:「PERMECK系列」、「PERHEXA系列」、「PERBUTYL系列」、「PEROCTA系列」、「PERCUMYL系列」、「PEROYL系列」、「NYPER系列」、「PERHEXYL系列」等(均為日油股份有限公司製造)。其中,較佳為
「NYPER系列」、或「PEROCTA系列」、「PERHEXYL系列」。
作為偶氮系起始劑,例如可列舉:2,2'-偶氮雙異丁腈(AIBN)、2,2'-偶氮雙(2-甲基丙脒)二硫酸鹽、2,2'-偶氮雙(2-脒基丙烷)二鹽酸鹽、2,2'-偶氮雙[2-(5-甲基-2-咪唑啉-2-基)丙烷]二鹽酸鹽、2,2'-偶氮雙(N,N'-二亞甲基異丁基脒)、2,2'-偶氮雙[N-(2-羧基乙基)-2-甲基丙脒]水合物、2,2'-偶氮雙(4-甲氧基-2,4-二甲基戊腈)、2,2'-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)、2,2'-偶氮雙(2-甲基丁腈)、1,1'-偶氮雙(環己烷-1-腈)、2,2'-偶氮雙(2,4,4-三甲基戊烷)、二甲基-2,2'-偶氮雙(2-甲基丙酸酯)等。
另外,自由基產生劑可列舉:過硫酸鉀、過硫酸銨等過硫酸鹽;苯基取代乙烷等取代乙烷系化合物;芳香族羰基化合物;過氧化物與還原劑之組合之氧化還原系化合物(氧化還原系起始劑);等亦可作為聚合起始劑發揮作用者。作為氧化還原系起始劑之例,可列舉:過氧化物與抗壞血酸之組合(過氧化氫水溶液與抗壞血酸之組合等)、過氧化物與鐵(II)鹽之組合(過氧化氫水溶液與鐵(II)鹽之組合等)、過硫酸鹽與亞硫酸氫鈉之組合等。
另外,自由基產生劑亦可為有機合成中公知之無機系或有機系之氧化劑。作為上述氧化劑,例如,除了可用作上述自由基聚合起始劑之過氧化物以外,亦可列舉:過乙酸、三氟過乙酸、過苯甲酸、間氯過苯甲酸、單過氧化鄰苯二甲酸、過甲酸等有機過酸(過羧酸)。其中,較佳為間氯過苯甲酸。該等可單獨使用1種或組合使用2種以上。
此處揭示之密接性樹脂層含有自由基產生劑之情形時,對添加方法並無特別限定。例如較佳為於基礎聚合物聚合時添加亦可作為自由基產生劑之聚合起始劑的方法。該方法中,聚合起始劑以聚合後仍殘留特定量之方式添加。聚合起始劑之殘留量(自由基產生劑之存在量)不僅可藉由聚合起始劑之添加量進行調整,亦可藉由聚合物聚合
條件、或密接性樹脂層形成時之乾燥條件等進行調整。或者亦可添加混合於密接性樹脂組合物中,典型而言含基礎聚合物之液體中。該方法中,自由基產生劑可與其他添加成分(例如交聯劑等)一起添加至該組合物中。
上述自由基產生劑之10小時半衰期溫度、或活化能量根據使用時所暴露之加熱條件、或目標之加熱後特性等而決定即可,並無特別限定。例如可較佳使用10小時半衰期溫度為20℃~107℃(典型而言50℃~100℃)之自由基產生劑、或活化能量為100~150kJ/mol之自由基產生劑。另外,10小時半衰期溫度採用使用適當之溶劑(例如苯)測定之值即可。
此處揭示之密接性樹脂層含有自由基產生劑之情形時,自由基產生劑之存在量(含量)根據加熱時凝膠分率上升之程度而適當決定即可,並無特別限定。對於密接性樹脂層中之自由基產生劑之存在量,就加熱時凝膠分率上升之觀點而言,較佳為0.001重量%以上(例如0.005重量%以上、典型而言0.01重量%以上)。對自由基產生劑之存在量之上限並無特別限定,適當設定為5重量%以下(例如3重量%以下、典型而言2重量%以下)。另外,就抑制交聯密度變得過高之觀點而言,較佳為設定為1重量%以下(例如0.5重量%以下、典型而言0.2重量%以下)。
上述自由基產生劑之存在量可藉由高效液體色譜(HPLC)法進行測定。例如,上述自由基產生劑(例如BPO)之存在量可藉由下述方法進行測定。對於下述之實施例中之自由基產生劑的存在量亦同樣。
採取約0.1g密接性樹脂層樣品,加入乙酸乙酯振盪24小時。之後,加入10mL乙腈,進而振盪3小時。對於用孔徑0.2μm之膜濾器過濾所得溶液而成者,利用HPLC測定樣品中之自由基產生劑量。HPLC測定例如可使用Dionex公司製造之商品名「UltiMate3000」作為分析
裝置於下述條件下進行。
[測定條件]
洗脫液:蒸餾水/乙腈反相梯度條件
流量:0.8mL/min
檢測器:PDA(190nm~400nm)、提取230nm
柱溫:40℃
注入量:5μL
(其他凝膠分率上升成分)
另外,此處揭示之密接性樹脂層可含有環氧樹脂等環氧系化合物。藉此,於加熱時環氧系化合物中之環氧基開環,環氧系化合物彼此反應,藉此密接性樹脂層之凝膠分率可上升。另外,環氧系化合物包括分子中具有至少1個環氧基作為加熱反應性基之聚合物、低聚物及單體。
另外,於密接性樹脂層含有環氧系化合物之態樣中,可使用含有與環氧基具有反應性之官能基(例如羧基)之聚合物作為基礎聚合物。藉此,藉由加熱時經開環之環氧基與聚合物中之上述官能基(例如羧基)進行反應,密接性樹脂層之凝膠分率能夠上升。藉由採用丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物,能夠獲得由丙烯酸系聚合物帶來之特性(例如被接著體追隨性、或密接性)並且實現加熱時之凝膠分率上升。對環氧系化合物之含量並無特別限定,基於該領域之技術常識,添加能夠實現實用上可容許之保存穩定性、目標之加熱時凝膠分率上升之適當量即可。
另外,環氧系化合物有由於濕氣、或溫度等而緩慢進行開環反應之傾向,即便於不進行特定溫度以上之加熱之情形時亦有凝膠分率經時上升之虞。因此,於密接性樹脂層含有環氧系化合物之情形時,
理想為採取考慮到保管環境等之對策。或者,考慮到保存性等,此處揭示之技術可以具備實質上不含環氧系化合物之密接性樹脂層之態樣實施。
另外,此處揭示之密接性樹脂層中可存在作為加熱反應性基之羧基及羥基。藉由使密接性樹脂層中存在羧基及羥基,從而該等官能基於加熱時發生脫水反應,密接性樹脂層之凝膠分率能夠上升。例如可列舉含有具有羧基之化合物(典型而言聚合物)與具有羥基之化合物(典型而言聚合物)之構成、或含有具有羧基及羥基之化合物(典型而言聚合物)之構成的密接性樹脂層。上述化合物例如可為丙烯酸系聚合物。
於上述密接性樹脂層中,對於羧基之莫耳數(MC)與羥基之莫耳數(MH)之莫耳比(MC/MH),就加熱時凝膠分率上升之觀點而言,通常為0.1~10之範圍,適當設定為約0.2~5(例如0.3~3、典型而言0.5~2)之範圍。
(基礎聚合物)
對於此處揭示之密接性樹脂層,作為基礎聚合物,可為含有下述各種聚合物中之1種或2種以上:黏著劑、或接著劑領域中公知之丙烯酸系聚合物、橡膠系聚合物(例如,天然橡膠、氯丁橡膠、苯乙烯-丁二烯橡膠、丁腈橡膠等)、聚酯、胺基甲酸酯系聚合物、聚醚、有機矽系聚合物、聚醯胺、氟系聚合物、乙烯-乙酸乙烯酯系聚合物、環氧系樹脂、氯乙烯系聚合物、氰基丙烯酸酯系聚合物、纖維素系聚合物(硝基纖維素系聚合物等)、酚醛樹脂、聚醯亞胺、聚烯烴、苯乙烯系聚合物、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯醇、聚乙烯醇縮乙醛、聚乙烯基吡咯烷酮、聚乙烯醇縮丁醛、聚苯并咪唑、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、間苯二酚系聚合物等。就密接性、或成本等觀點而言,較佳為丙烯酸系聚合物、橡膠系聚合物、聚酯、胺基甲酸酯系聚合物、聚醚、
有機矽系聚合物、聚醯胺、氟系聚合物,更佳為丙烯酸系聚合物、橡膠系聚合物,特別較佳為丙烯酸系聚合物。
另外,密接性樹脂「基礎聚合物」係指該密接性樹脂中所含之聚合物之主要成分。上述聚合物較佳為於室溫附近之溫度區域顯示橡膠彈性之橡膠狀聚合物。另外,於該說明書中「主要成分」,於未特別說明之情形時,係指含有超過50重量%之成分。
另外,含有上述基礎聚合物而形成之密接性樹脂層(密接性樹脂)較佳為於室溫附近之溫度區域呈現柔軟之固體(黏彈性體)的狀態、且具有藉由壓力而簡單地接著於被接著體之性質之材料。作為密接性樹脂之典型例,可列舉黏著劑。此處所謂之黏著劑如「C.A.Dahlquist,"Adhesion:Fundamental and Practice"(黏著:基礎與實踐),McLaren & Sons,(1966)P.143」中所定義般,通常具有滿足複數拉伸彈性模數E*(1Hz)<107dyne/cm2之性質的材料(典型而言於25℃下具有上述性質之材料)。
作為上述丙烯酸系聚合物,例如較佳為含有(甲基)丙烯酸烷基酯作為主要單體、且可進而含有與該主要單體具有共聚性之副單體之單體原料的聚合物。此處,主要單體係指上述單體原料中之占超過50%之單體組成的成分。
另外,「丙烯酸系聚合物」係指含有來源於1分子中具有至少1個(甲基)丙烯醯基之單體之單體單元作為構成該聚合物之單體單元的聚合物。以下亦將1分子中具有至少1個(甲基)丙烯醯基之單體稱為「丙烯酸系單體」。該說明書中之丙烯酸系聚合物定義為含有來源於丙烯酸系單體之單體單元之聚合物。作為該丙烯酸系聚合物之典型例,可列舉該丙烯酸系聚合物之單體組成中之丙烯酸系單體之比率多於50重量%的丙烯酸系聚合物。
另外,「(甲基)丙烯醯基」意指涵蓋性地指丙烯醯基及甲基丙烯
醯基。同樣,「(甲基)丙烯酸酯」涵蓋性地指丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯,「(甲基)丙烯酸」涵蓋性地指丙烯酸及甲基丙烯酸。
作為(甲基)丙烯酸烷基酯,例如可較佳地使用下述式(2)所示之化合物。
CH2=C(R1)COOR2 (2)
此處,上述式(2)中之R1為氫原子或甲基。另外,R2為碳數1~20之鏈狀烷基(以下有時將此種碳原子數之範圍表示為「C1-20」。)。就密接性樹脂層之儲存模數等觀點而言,較佳為R2為C1-14(例如C1-12、典型而言C4-12)之鏈狀烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯,更佳為R1為氫原子且R2為C5-14(例如C6-14、典型而言C8-12)之鏈狀烷基之丙烯酸烷基酯(以下亦簡稱為C5-14丙烯酸烷基酯。)。
作為R2為C1-20之鏈狀烷基之(甲基)丙烯酸烷基酯,例如可列舉:(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等。該等(甲基)丙烯酸烷基酯可單獨使用1種或組合使用2種以上。作為較佳之(甲基)丙烯酸烷基酯,可列舉:丙烯酸正丁酯(BA)、丙烯酸-2-乙基己酯(2EHA)、丙烯酸月桂酯(LA)。就獲得適度之剝離強度之觀點而言,特別較佳為2EHA、LA。
全部單體成分中之主要單體之調配比率較佳為70重量%以上,更佳為90重量%以上,進而較佳為95重量%以上。對主要單體之調配比率之上限並無特別限定,較佳設定為99.5重量%以下(例如99重量%以下)。丙烯酸系聚合物亦可為實質上僅將主要單體聚合而成之聚合物。另外,作為主要單體而含有C5-14丙烯酸烷基酯之情形時,該C5-14丙烯酸烷基酯於主要單體中之調配比例較佳為70重量%以上,更佳為90重量%以上,進而較佳為95重量%以上(典型而言99~100重量%)。此處揭示之技術可較佳以上述單體原料中之單體組成之50重量%以上(例如70重量%以上、典型而言95重量%以上)為2EHA及/或LA之態樣實施。
與作為主要單體之(甲基)丙烯酸烷基酯具有共聚性之副單體可起到於丙烯酸系聚合物中引入交聯點、或者提高丙烯酸系聚合物之凝聚力之作用。另外,於此處揭示之技術中,較佳採用具有能與下述之含碳-碳雙鍵單體之官能基(官能基B)反應之官能基(官能基A)的單體作為副單體。作為副單體,例如可僅單獨使用1種或組合使用2種以上之如下所述之含官能基單體成分。
含羧基單體:例如丙烯酸(AA)、甲基丙烯酸(MAA)、丁烯酸等乙烯不飽和單羧酸;馬來酸、衣康酸、檸康酸等乙烯不飽和二羧酸及其酸酐(馬來酸酐、衣康酸酐等)。
含羥基單體:例如(甲基)丙烯酸-2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸-3-羥丙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥丁酯等(甲基)丙烯酸羥基烷基酯類;乙烯基醇、烯丙基醇等不飽和醇類;2-羥乙基乙烯基醚、4-羥丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚等醚系化合物。
含醯胺基單體:例如(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯醯胺、N-甲氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁氧基甲基(甲
基)丙烯醯胺。
含胺基單體:例如(甲基)丙烯酸胺基乙酯、(甲基)丙烯酸-N,N-二甲胺基乙酯、(甲基)丙烯酸第三丁基胺基乙酯。
含環氧基單體:例如(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸甲基縮水甘油酯、烯丙基縮水甘油醚。
含氰基單體:例如丙烯腈、甲基丙烯腈。
含酮基單體:例如二丙酮(甲基)丙烯醯胺、二丙酮(甲基)丙烯酸酯、乙烯基甲基酮、乙烯基乙基酮、烯丙基乙醯乙酸酯、乙烯基乙醯乙酸酯。
具有含氮原子環之單體:例如N-乙烯基-2-吡咯烷酮、N-甲基乙烯基吡咯烷酮、N-乙烯基吡啶、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基嘧啶、N-乙烯基哌嗪、N-乙烯基吡嗪、N-乙烯基吡咯、N-乙烯基咪唑、N-乙烯基噁唑、N-乙烯基嗎啉、N-乙烯基己內醯胺、N-(甲基)丙烯醯基嗎啉。
含烷氧基甲矽烷基單體:例如3-(甲基)丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-(甲基)丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷。
含異氰酸酯基單體:(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α,α-二甲基苄基異氰酸酯。
作為上述副單體,就凝聚性提高之觀點而言,較佳使用含羧基單體,上述含羧基單體更佳為AA或MAA。另外,藉由與羥基之反應來提高加熱時之凝膠分率之情形時亦可使用上述含羧基單體。或者,亦可為了與羧基反應而使用上述含羥基單體。作為副單體,亦可併用含羧基單體及含羥基單體。
上述副單體之量以可實現所期望之凝聚力之方式適當選擇即
可,並無特別限定。通常就均衡良好地兼具凝聚力及其他特性(例如密接性)之觀點而言,副單體(較佳為含羧基單體)之量適當設定為丙烯酸系聚合物之全部單體成分中之0.1重量%以上,較佳為0.3重量%以上(例如1重量%以上)。另外,副單體(較佳為含羧基單體)之量適當為全部單體成分中之30重量%以下,較佳為10重量%以下(例如5重量%以下)。
另外,作為基礎聚合物,於使用具有碳-碳雙鍵之丙烯酸系聚合物之情形時,作為副單體,較佳使用含有能與下述之具有碳-碳雙鍵之化合物的官能基(官能基B)反應之官能基(官能基A)的副單體。於該情形時,副單體之種類根據上述化合物種類來決定。作為具有官能基A之副單體,例如較佳為含羧基單體、含環氧基單體、含羥基單體、含異氰酸酯基單體,特別較佳為含羥基單體。藉由使用含羥基單體作為副單體,使丙烯酸系聚合物具有羥基。與此相對,作為具有碳-碳雙鍵之化合物,藉由使用含異氰酸酯基單體,使上述丙烯酸系聚合物之羥基與上述化合物之異氰酸酯基反應,來源於上述化合物之碳-碳雙鍵被導入至丙烯酸系聚合物中。
另外,為了與具有碳-碳雙鍵之化合物反應而使用副單體之時,就加熱時凝膠分率上升之觀點而言,上述副單體(較佳為含羥基單體)之量較佳為設定為全部單體成分中之1重量%以上(例如5重量%以上、典型而言10重量%以上)。另外,另外,就抑制交聯密度變得過高之觀點而言,較佳為設定為40重量%以下(例如30重量%以下、典型而言15重量%以下)。
另外,為了提高丙烯酸系聚合物之凝聚力等,可使用上述副單體以外之其他共聚成分。作為該共聚成分,例如可列舉:乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等乙烯酯系單體;苯乙烯、取代苯乙烯(α-甲基苯乙烯等)、乙烯基甲苯等芳香族乙烯基化合物;(甲基)丙烯酸環己酯、二
(甲基)丙烯酸環戊酯等、(甲基)丙烯酸異冰片酯等(甲基)丙烯酸環烷基酯;(甲基)丙烯酸芳基酯(例如(甲基)丙烯酸苯酯)、(甲基)丙烯酸芳氧基烷基酯(例如(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯)、(甲基)丙烯酸芳基烷基酯(例如(甲基)丙烯酸苄酯)等含芳香族性環(甲基)丙烯酸酯;乙烯、丙烯、異戊二烯、丁二烯、異丁烯等烯烴系單體;氯乙烯、偏二氯乙烯等含氯單體;(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等含烷氧基單體;甲基乙烯基醚、乙基乙烯基醚等乙烯基醚系單體;等。該等副單體以外之其他共聚成分可單獨使用1種或組合使用2種以上。該其他共聚成分之量根據目的及用途而適當選擇即可,並無特別限定,例如較佳為設定為丙烯酸系聚合物之全部單體成分中之20重量%以下(例如2~20重量%、典型而言3~10重量%)。
進而,為了丙烯酸系聚合物之交聯處理等,可使用多官能性單體作為共聚性成分。作為上述多官能性單體,可使用下述之1種或2種以上:己二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、胺基甲酸酯丙烯酸酯等。上述多官能性單體之量根據目的及用途而適當選擇即可,並無特別限定,例如較佳為設定為丙烯酸系聚合物之全部單體成分中之30重量%以下(例如20重量%以下、典型而言10重量%以下)左右。
對獲得具有上述單體組成之丙烯酸系聚合物之方法並無特別限定,可適當採用溶液聚合法、乳液聚合法、塊狀聚合法、懸浮聚合法等作為丙烯酸系聚合物之合成方法而已知的各種聚合方法。例如可較佳採用溶液聚合法。作為進行溶液聚合時之單體供給方法,可適當採用一次性供給全部單體原料之一次性添加方式、連續供給(滴加)方
式、分割供給(滴加)方式等。作為溶液聚合中使用之溶劑,可自甲苯、或乙酸乙酯等公知或慣用之有機溶劑中適當選擇。聚合溫度可根據所使用之單體及溶劑之種類、聚合起始劑之種類等而適當選擇,例如可採用20℃~120℃(典型而言40℃~80℃)左右。
聚合中使用之起始劑可根據聚合方法之種類自公知或慣用之聚合起始劑中適當選擇。例如,可較佳使用作為自由基產生劑所例示之聚合起始劑之1種或2種以上。其中,較佳為過氧化物系起始劑,更佳為二醯基過氧化物、過氧化酯,進而較佳為BPO、過氧化-2-乙基己酸-1,1,3,3-四甲基丁酯、過氧化-2-乙基己酸第三己酯。於聚合後亦使聚合起始劑殘留特定量來用作自由基產生劑之情形時,此處揭示之聚合起始劑與自由基產生劑可為同種物質。
聚合起始劑之使用量為通常之使用量即可,例如,相對於全部單體成分100重量份,可自0.005~1重量份(典型而言0.01~1重量份)左右之範圍選擇。另外,於亦利用聚合起始劑作為自由基產生劑之情形時,考慮該情況來設定聚合起始劑之使用量即可。
(具有碳-碳雙鍵之丙烯酸系聚合物)
另外,就加熱時凝膠分率上升之觀點而言,此處揭示之丙烯酸系聚合物較佳為具有碳-碳雙鍵之丙烯酸系聚合物。丙烯酸系聚合物就單體原料選擇之自由度較高、容易控制物性方面而言亦有利。另外,使用上述具有碳-碳雙鍵之丙烯酸系聚合物之方法相當於使上述密接性樹脂層中存在碳-碳雙鍵之方法(1)。
對向丙烯酸系聚合物中導入碳-碳雙鍵之方法並無特別限定。例如可較佳採用如下方法:使具有能與藉由共聚導入至丙烯酸系聚合物中之官能基(官能基A)反應之官能基(官能基B)及碳-碳雙鍵之化合物以碳-碳雙鍵不會消失的方式進行反應(典型而言縮合、加成反應)。作為官能基A與官能基B之組合之例,可列舉羧基與環氧基之組合、羧基
與氮丙啶基之組合、羥基與異氰酸酯基之組合等。其中,就反應跟蹤性之觀點而言,較佳為羥基與異氰酸酯基之組合。就聚合物設計等觀點而言,特別較佳為丙烯酸系聚合物具有羥基、上述化合物具有異氰酸酯基之組合。
上述具有碳-碳雙鍵之化合物如上所述,可具有能與官能基A反應之官能基B。作為此種化合物之較佳例,例如,可列舉作為可用於丙烯酸系聚合物之聚合之副單體所例示的含異氰酸酯基單體(含異氰酸酯基化合物)。其中,更佳為2-(甲基)丙烯醯氧基乙基異氰酸酯。藉由具有碳-碳雙鍵之含異氰酸酯基化合物之異氰酸酯基與丙烯酸系聚合物的羥基反應而鍵結(典型而言胺基甲酸酯鍵結),可較佳地實現具有碳-碳雙鍵之丙烯酸系聚合物。
對於含異氰酸酯基單體之調配量,就與作為上述官能基A之羥基之反應性的觀點而言,可以滿足上述莫耳比(MA/MB)之範圍內適當地設定。例如,相對於具有羥基之丙烯酸系聚合物(典型而言導入碳-碳雙鍵前之丙烯酸系聚合物)100重量份,較佳為設定為1重量份以上(例如5重量份以上、典型而言10重量份以上)左右,較佳為設定為40重量份以下(例如30重量份以下、典型而言15重量份以下)左右。
此外,亦較佳採用如下方法:使丙烯酸系聚合物中之羥基殘留,藉由使該殘留羥基與其他反應性官能基(例如羧基)反應來提高加熱時之凝膠分率。該情形時,作為官能基A之羥基與作為官能基B之異氰酸酯基的莫耳比(MA/MB)適當為超過1,較佳為設定為1.1以上。
對於此處揭示之技術中之基礎聚合物(較佳為丙烯酸系聚合物),若其重量平均分子量(Mw)過小,則密接性樹脂層之凝聚力不足而有可能有容易於被接著體表面產生糊劑殘留之情況。另一方面,若Mw過大,則有可能有對被接著體之密接性容易降低之情況。就此種觀點而言,較佳為Mw處於10×104以上且500×104以下之範圍之基礎聚合物
(較佳為丙烯酸系聚合物)。根據Mw為20×104且以上100×104以下(例如30×104以上且70×104以下)之基礎聚合物(較佳為丙烯酸系聚合物),能夠實現更良好之結果。另外,於該說明書中Mw係指藉由GPC獲得之標準聚苯乙烯換算之值。
(具有碳-碳雙鍵之單體/低聚物)
另外,此處揭示之技術亦可較佳以具備含有具有碳-碳雙鍵之單體/低聚物之密接性樹脂層的態樣實施。作為上述單體/低聚物,可較佳使用上述物質。於使用丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物之態樣中,較佳使用上述含(甲基)丙烯醯基化合物、或該含(甲基)丙烯醯基化合物之多聚物(例如2~5聚物)之1種或2種以上。上述多聚物例如可為多官能(典型而言2~5官能)之化合物。另外,使用上述具有碳-碳雙鍵之單體/低聚物之方法相當於使上述密接性樹脂層中存在碳-碳雙鍵之方法(2)。
(光聚合起始劑)
另外,此處揭示之密接性樹脂層為了於對樹脂片材進行再剝離時使剝離變輕,較佳為含有光聚合起始劑。於自被接著體剝離樹脂片材之情形時,藉由預先進行活性能量射線(例如紫外線(UV))照射,使密接性樹脂層硬化收縮,可容易地進行再剝離。該構成就防止被接著體表面之損傷方面亦有利。上述構成特別適合於可能要求良好之再剝離性之用途(例如臨時固定柔性電路基板之用途、或固定/保護半導體元件之用途)。
作為上述光聚合起始劑,例如可使用縮酮系光聚合起始劑、苯乙酮系光聚合起始劑、安息香醚系光聚合起始劑、醯基氧化膦系光聚合起始劑、α-酮醇系光聚合起始劑、芳香族磺醯氯系光聚合起始劑、光活性肟系光聚合起始劑、安息香系光聚合起始劑、苯偶醯系光聚合起始劑、二苯甲酮系光聚合起始劑、噻噸酮系光聚合起始劑等中之1
種或2種以上。
光聚合起始劑較佳為分子中具有羥基。作為此種含羥基光聚合起始劑,可較佳自上述光聚合起始劑中選擇使用具有羥基者。例如可列舉二苯甲酮衍生物、或烷基苯酮衍生物、苯乙酮衍生物作為較佳例。
作為二苯甲酮衍生物,例如可列舉:鄰丙烯醯氧二苯甲酮、對丙烯醯氧二苯甲酮、鄰甲基丙烯醯氧二苯甲酮、對甲基丙烯醯氧二苯甲酮、對(甲基)丙烯醯氧乙氧基二苯甲酮。另外,亦可使用1,4-丁二醇單(甲基)丙烯酸酯、1,2-乙二醇單(甲基)丙烯酸酯、1,8-辛二醇單(甲基)丙烯酸酯等丙烯酸酯之二苯甲酮-4-羧酸酯等。作為烷基苯酮衍生物,例如可列舉:1-[4-(2-羥基乙氧基)-苯基]-2-羥基-2-甲基-1-丙烷-1-酮、2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯)-苄基]苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮。作為苯乙酮衍生物,可列舉:1-羥基環己基-苯基-酮等。上述光聚合起始劑可單獨使用1種或組合使用2種以上。其中,就硬化速度、或厚膜硬化性優異之理由而言,較佳為1-羥基環己基-苯基-酮、2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯)-苄基]苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮。
對於光聚合起始劑之調配量,相對於基礎聚合物(較佳為丙烯酸系聚合物)100重量份,較佳為設定為0.1~10重量份左右,較佳為設定為0.5~5重量份。
此處揭示之密接性樹脂層含有丙烯酸系聚合物作為基礎聚合物之情形時,可除丙烯酸系聚合物外亦含有上述丙烯酸系聚合物以外之聚合物。作為上述丙烯酸系聚合物以外之聚合物,可列舉作為上述基礎聚合物所例示之各種聚合物中丙烯酸系聚合物以外者作為較佳例。此種聚合物可為具有碳-碳雙鍵之聚合物。此處揭示之密接性樹脂層除丙烯酸系聚合物外亦含有上述丙烯酸系聚合物以外之聚合物之情形時,對於該丙烯酸系聚合物以外之聚合物之含量,相對於丙烯酸系聚
合物100重量份,適當為設定為100重量份以下,較佳為50重量份以下,更佳為30重量份以下,進而較佳為10重量份以下。對於丙烯酸系聚合物以外之聚合物之含量,相對於丙烯酸系聚合物100重量份,可為5重量份以下,亦可為1重量份以下。此處揭示之技術例如可較佳以基礎聚合物之99.5~100重量%為丙烯酸系聚合物之態樣實施。
(交聯劑)
對於為了形成密接性樹脂層而使用之密接性樹脂組合物,就提高密接性樹脂層之凝聚性之觀點而言,較佳為除上述基礎聚合物外含有交聯劑。對交聯劑之種類並無特別限制,例如可列舉:異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、噁唑啉系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、三聚氰胺系交聯劑、過氧化物系交聯劑、尿素系交聯劑、金屬烷氧化物系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑、金屬鹽系交聯劑、碳二醯亞胺系交聯劑、胺系交聯劑等。該等交聯劑可單獨使用1種或組合使用2種以上。其中,較佳為異氰酸酯系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑。
另外,於密接性樹脂層含有具有碳-碳雙鍵之聚合物、或低聚物之情形時,較佳為使用金屬螯合物系交聯劑。由於金屬螯合物系交聯劑為配位鍵結性之交聯,因此與共價鍵結性之交聯之情形相比,基於金屬螯合物系交聯劑之交聯後之聚合物、低聚物有容易保持結構之自由度(例如變形等自由度)的傾向。藉此,於加熱時上述碳-碳雙鍵之反應機會(典型而言聚合反應、或交聯反應之機會)增加,能夠高效地實現加熱時凝膠分率上升。
金屬螯合物系交聯劑典型而言可為具有多價金屬與有機化合物共價鍵結或配位鍵結而成之結構者。作為上述多價金屬原子,可列舉:Al、Zr、Co、Cu、Fe、Ni、V、Zn、In、Ca、Mg、Mn、Y、Ce、Ba、Mo、La、Sn、Ti等。其中,較佳為Al、Zr、Ti。另外,作為有機化合物,可列舉:烷基酯、醇化合物、羧酸化合物、醚化合
物、酮化合物等。金屬螯合物系交聯劑典型而言可為該有機化合物中之氧原子與上述多價金屬鍵結(共價鍵結或配位鍵結)之構成的化合物。
對含有交聯劑之情形時之上述密接性樹脂組合物中的交聯劑之含量並無特別限定,就兼具凝聚性及其他特性(例如剝離強度)之觀點而言,於密接性樹脂層為丙烯酸系樹脂層之情形時,相對於上述丙烯酸系聚合物100重量份,較佳為設定為0.01~10重量份(例如0.05~5重量份)左右。
(自由基捕獲劑)
就保存穩定性之觀點而言,此處揭示之密接性樹脂層可含有抗氧化劑等自由基捕獲劑。自由基捕獲劑如字面意思,係發揮捕獲密接性樹脂層中之自由基之功能的試劑,因此例如於密接性樹脂層中存在碳-碳雙鍵之情形時,能夠阻礙自由基對碳-碳雙鍵進行加成。此處揭示之技術以存在碳-碳雙鍵之態樣、或含有自由基產生劑之態樣實施之情形時,若自由基捕獲劑之量較多,則有加熱時之凝膠分率上升受抑制之虞。就此種觀點而言,此處揭示之技術較佳為限制自由基捕獲劑之調配量。
此處揭示之自由基捕獲劑之概念可涵蓋抗老化劑、或光穩定劑,但其典型例為抗氧化劑。作為上述抗氧化劑,例如可列舉:酚系抗氧化劑、磷系(亞磷酸酯系)抗氧化劑、硫系抗氧化劑、胺系抗氧化劑等先前公知之各種抗氧化劑。抗氧化劑可單獨使用1種或組合使用2種以上。
作為酚系抗氧化劑,可列舉:2,6-二-第三丁基-4-甲基苯酚、2,6-二-第三丁基-4-乙基苯酚等單酚系抗氧化劑;2,2'-亞甲基雙(4-甲基-6-第三丁基苯酚)、2,2'-亞甲基雙(4-乙基-6-第三丁基苯酚)、4,4'-亞丁基雙(3-甲基-6-第三丁基苯酚)、4,4'-硫代雙(3-甲基-6-第三丁基苯酚)等
雙酚系抗氧化劑;1,3,5-三甲基-2,4,6-三(3,5-二-第三丁基-4-羥基苄基)苯、四-[亞甲基-3-(3',5'-二-第三丁基-4'-羥基苯基)丙酸酯]甲烷、1,1,3-三(2-甲基-4-羥基-5-第三丁基苯基)丁烷等高分子酚系抗氧化劑。
酚系抗氧化劑亦可為受阻酚系抗氧化劑。作為上述受阻酚系抗氧化劑,例如可列舉:季戊四醇-四[3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]、十八烷基-3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸酯、4,6-雙(十二烷硫基甲基)鄰甲酚、三乙二醇-雙[3-(3-第三丁基-5-甲基-4-羥基苯基)丙酸酯、雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯、丁二酸二甲酯與4-羥基-2,2,6,6-四甲基-1-哌啶乙醇之縮聚物(丁二酸二甲酯-1-(2-羥乙基)-4-羥基-2,2,6,6-四甲基哌啶縮聚物)等。
作為磷系抗氧化劑之例,可列舉:亞磷酸三(2,4-二-第三丁基苯酯)、亞磷酸三(壬基苯酯)、亞磷酸三苯酯、二(十八烷基)季戊四醇二亞磷酸酯等。
作為硫系抗氧化劑之例,可列舉:3,3'-硫代二丙酸二月桂酯、3,3'-硫代二丙酸二肉豆蔻酯、3,3'-硫代二丙酸二硬脂酯、季戊四醇四月桂基硫代丙酸酯等。
作為胺系抗氧化劑之例,可列舉:苯基-α-萘基胺、二苯基胺等。
對於密接性樹脂層中之自由基捕獲劑(典型而言抗氧化劑)之含量,就上述加熱時凝膠分率上升之觀點而言,較佳為1重量%以下(例如0.5重量%以下、典型而言0.1重量%以下)。密接性樹脂層亦可不含自由基捕獲劑(典型而言抗氧化劑)。然而,若完全不存在抗氧化劑等自由基捕獲劑,則有時會由於密接性樹脂層中之溶存氧等而於室溫下進行氧化,因此較佳為含有適當之自由基捕獲劑(典型而言抗氧化劑)。就此種觀點而言,密接性樹脂層中之自由基捕獲劑之含量較佳
為設定為0.001重量%以上(例如0.005%以上、典型而言0.01%以上)。另外,自由基捕獲劑之存在量例如可藉由與自由基產生劑之存在量之測定方法同樣的方法進行測定。
(其他添加成分)
另外,此處揭示之密接性樹脂組合物為了改善與被接著體(典型而言玻璃)之接著性等,較佳為含有矽烷偶合劑。作為矽烷偶合劑,可使用含乙烯基矽烷化合物、含環氧基矽烷化合物、含苯乙烯基矽烷化合物、含(甲基)丙烯醯基矽烷化合物、含胺基矽烷化合物、含脲基矽烷化合物、含巰基矽烷化合物、含異氰酸酯基矽烷化合物、含甲矽烷基硫化物等中之1種或2種以上。其中,較佳為保存穩定性優異之含胺基矽烷化合物。
作為含胺基矽烷化合物,例如可列舉:3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、γ-苯胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-苯胺基丙基三乙氧基矽烷等。其中,更佳為3-胺基丙基三甲氧基矽烷。
對於矽烷偶合劑之含量,就充分表現矽烷偶合劑之添加效果之觀點而言,相對於基礎聚合物(較佳為丙烯酸系聚合物)100重量份,較佳為0.01重量份以上(例如0.03重量份以上、典型而言0.05重量份以上)。另外,就保存穩定性之觀點而言,矽烷偶合劑之含量相對於基礎聚合物(較佳為丙烯酸系聚合物)100重量份,較佳為未達1.0重量份(例如0.5重量份以下、典型而言0.3重量份以下)。
上述密接性樹脂組合物可根據需要而含有增黏劑、調平劑、交聯助劑、塑化劑、軟化劑、填充劑、著色劑(顏料、染料等)、抗靜電劑、紫外線吸收劑、光穩定劑等密接性樹脂組合物領域中通常之各種添加劑。對於該等各種添加劑,可藉由常法使用先前公知者,並不使
本發明具有特徵,因此省略詳細說明。
(密接性樹脂層之形成方法)
此處揭示之密接性樹脂層可為由黏著劑形成之層(黏著劑層)、或由接著劑形成之層(接著劑層)、表面具有易接著性之樹脂層。此處揭示之技術中之密接性樹脂層(由密接性樹脂形成之層)可為由水系密接性樹脂組合物、溶劑型密接性樹脂組合物、熱熔型密接性樹脂組合物、活性能量射線硬化型密接性樹脂組合物形成之密接性樹脂層。水系密接性樹脂組合物係指於以水為主要成分之溶劑(水系溶劑)中含有密接性樹脂(密接性樹脂形成成分)之形態的密接性樹脂組合物,此處所謂之水系密接性樹脂組合物之概念可包括被稱為水分散型之密接性樹脂組合物(密接性樹脂分散於水中而成之形態之組合物)、水溶性密接性樹脂組合物(密接性樹脂溶解於水中而成之形態之組合物)等的組合物。另外,溶劑型密接性樹脂組合物係指有機溶劑中含有密接性樹脂之形態之密接性樹脂組合物。此處揭示之技術可較佳以具備由溶劑型密接性樹脂組合物形成之密接性樹脂層之態樣實施。
此處揭示之密接性樹脂層可藉由先前公知之方法形成。例如可較佳採用藉由對具有剝離性之表面(剝離面)賦予(典型而言塗佈)密接性樹脂組合物並乾燥而形成密接性樹脂層之方法。另外,亦可較佳採用藉由對基材直接賦予(典型而言塗佈)密接性樹脂組合物並乾燥而形成密接性樹脂層之方法(直接法)。進而,亦可採用藉由對剝離面賦予密接性樹脂組合物並乾燥而於該表面上形成密接性樹脂層,並將該密接性樹脂層轉印於基材上的方法(轉印法)。作為上述剝離面,可利用剝離襯墊之表面、經剝離處理之基材背面等。上述塗佈使用凹版輥塗佈機、逆轉輥塗佈機等公知或慣用之塗佈機進行即可。
就促進交聯反應、提高製造效率等觀點而言,密接性樹脂組合物之乾燥較佳為於加熱下進行。乾燥溫度例如可設定為40℃~150℃
左右,通常較佳為設定為60℃~130℃左右。例如,於100℃以下(典型而言80℃左右)之乾燥(例如5分鐘以下、典型而言3分鐘左右之乾燥)中,由於進行溶劑之揮發,並且由於乾燥可於氧氣存在下進行,因此可認為密接性樹脂層之凝膠分率實質上不上升。另外,將密接性樹脂組合物乾燥之後,為了調整密接性樹脂層內之成分轉移、進行交聯反應、使可能存在於基材、或密接性樹脂層內之應變緩和等,可進行熟化。對熟化條件並無特別限定,例如適當採用於約25℃~70℃(典型而言40℃~60℃)之溫度下、10~120小時(典型而言24~48小時)之熟化。
對此處揭示之密接性樹脂層之厚度並無特別限定,可根據目的而適當選擇。通常,密接性樹脂層之厚度適當為5~200μm左右,就密接性等觀點而言,較佳為10~150μm(例如15~100μm、典型而言25~80μm)左右。此處揭示之樹脂片材為於基材之兩面具備密接性樹脂層之兩面接著性樹脂片材之情形時,各密接性樹脂層之厚度可相同亦可不同。
<基材>
於單面黏著型或兩面黏著型之附基材之樹脂片材中,作為支持(背襯)密接性樹脂層之基材,可使用各種片狀基材。作為上述基材,可使用樹脂膜、紙、布、橡膠片材、發泡體片材、金屬箔、該等之複合體等。作為樹脂膜之例,可列舉:聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、乙烯-丙烯共聚物等聚烯烴製膜;聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)等聚酯膜;氯乙烯樹脂膜;乙酸乙烯酯樹脂膜;聚醯亞胺樹脂膜;聚醯胺樹脂膜;氟樹脂膜;塞璐芬;等。作為紙之例,可列舉:日本紙、牛皮紙、玻璃紙、道林紙、合成紙、面塗紙等。作為布之例,可列舉各種纖維狀物質單獨或混紡等獲得之織物、或不織布等。作為上述纖維狀物質,可例示:棉、人造短纖、馬尼拉麻、紙
漿、嫘縈、乙酸酯纖維、聚酯纖維、聚乙烯醇纖維、聚醯胺纖維、聚烯烴纖維等。作為橡膠片材之例,可列舉:天然橡膠片材、丁基橡膠片材等。作為發泡體片材之例,可列舉:發泡聚胺基甲酸酯片材、發泡聚氯丁橡膠片材等。作為金屬箔之例,可列舉:鋁箔、銅箔等。
於較佳之一態樣中,使用具有特定之剛性(強度)且加工性、處理性優異之樹脂膜作為基材。藉由使用剛性較高之樹脂膜基材,於被接著體之厚度薄之情形時,能夠較佳地防止輸送時等之被接著體之撓曲、或損傷。就同樣之觀點而言,較佳使用聚酯膜作為樹脂膜基材。另外,於該說明書中「樹脂膜」典型而言指非多孔質之膜,係區別於所謂之不織布、或織布之概念。可用作基材之樹脂膜之密度可為約0.85~1.50g/cm3(例如0.90g/cm3~1.20g/cm3、典型而言0.92g/cm3~1.05g/cm3)左右。
另外,上述基材(例如樹脂膜基材)中可根據需要而調配填充劑(無機填充劑、有機填充劑等)、抗老化劑、抗氧化劑、紫外線吸收劑、抗靜電劑、潤滑劑、塑化劑、著色劑(顏料、染料等)等各種添加劑。
上述基材(例如樹脂膜基材、或橡膠片材基材、發泡體片材基材等)之配置密接性樹脂層之面(密接性樹脂層側表面)可實施電暈放電處理、電漿處理、紫外線照射處理、酸處理、鹼處理、底塗劑之塗佈等公知或慣用之表面處理。此種表面處理可為用以提高基材與密接性樹脂層之密接性、換言之用以提高密接性樹脂層對基材之錨固性的處理。可較佳採用於基材之密接性樹脂層側表面導入羥基(-OH基)等極性基之表面處理。或者,為了提高此處揭示之樹脂片材與基材之密接性,可於樹脂片材與基材之間設置先前公知之黏著劑層。例如,於貼合於厚度薄之被接著體之用途中,藉由於樹脂片材與樹脂膜基材之間配置如日本特許第4744262號公報、或日本特許第5094832號公報中所
揭示之黏著劑,可利用樹脂膜基材之剛性防止該被接著體之撓曲、或破損。
另外,此處揭示之樹脂片材為於基材之單面設置有密接性樹脂層之單面接著性之樹脂片材之情形時,基材之非密接性樹脂層形成面(背面)可藉由剝離處理劑(背面處理劑)實施剝離處理。作為可用於形成背面處理層之背面處理劑,並無特別限定,可根據目的、或用途而使用有機矽系背面處理劑、或氟系背面處理劑、長鏈烷基系背面處理劑以及其他公知或慣用之處理劑。
對基材之厚度並無特別限定,可根據目的而適當選擇,一般而言可為1~800μm。就加工性、或處理性、操作性等觀點而言,基材之厚度較佳為2μm以上(例如3μm以上、典型而言5μm以上),較佳為700μm以下(例如500μm以下、典型而言200μm以下)。
<剝離襯墊>
作為剝離襯墊,可使用慣用之剝離紙等,並無特別限定。例如可使用於樹脂膜、或紙等襯墊基材之表面具有剝離處理層之剝離襯墊、或包含氟系聚合物(聚四氟乙烯等)、或聚烯烴系樹脂(聚乙烯、聚丙烯等)之低接著性材料之剝離襯墊等。上述剝離處理層例如可藉由有機矽系、長鏈烷基系、氟系、硫化鉬等剝離處理劑對上述襯墊基材進行表面處理所形成者。
對此處揭示之樹脂片材(可包括密接性樹脂層及基材,但不包括剝離襯墊。)之總厚度並無特別限定,適當設定為約5~1000μm之範圍。對於樹脂片材之總厚度,考慮到黏著特性等,較佳為設定為10~500μm(例如15~300μm、典型而言20~200μm)左右。另外,就處理性等觀點而言,樹脂片材之總厚度更佳為30μm以上(例如50μm以上、典型而言70μm以上)。
<密接性樹脂組合物>
根據該說明書,提供用於形成此處揭示之密接性樹脂層之密接性樹脂組合物。於較佳之一態樣中,密接性樹脂組合物滿足特性(a1):將藉由對剝離性支持體賦予上述樹脂組合物並於80℃下乾燥3分鐘而形成之厚度30μm之密接性樹脂層的凝膠分率設為GA(%),將進而於120℃下加熱5分鐘該密接性樹脂層時之凝膠分率設為GB(%)時,比值(GB/GA)為1.1~10000之範圍內。根據上述密接性樹脂組合物,可實現於貼合時可良好地密接於被接著體、且於加熱時可抑制氣體釋出之密接性樹脂層。
另外,於較佳之另一態樣中,密接性樹脂組合物滿足特性(a2):將藉由對剝離性支持體賦予上述樹脂組合物並於80℃下乾燥3分鐘而形成之厚度30μm之密接性樹脂層的凝膠分率設為GA(%),將進而於120℃下加熱5分鐘該密接性樹脂層時之凝膠分率設為GB(%)時,比值(GB/GA)>1,且凝膠分率GB為30%~100%之範圍內。根據上述密接性樹脂組合物,可實現於貼合時可良好地密接於被接著體、且於加熱時可抑制氣體釋出之密接性樹脂層。
另外,此處揭示之密接性樹脂組合物較佳為滿足特性(a3):將藉由對剝離性支持體賦予上述樹脂組合物並於80℃下乾燥3分鐘而形成之厚度30μm之密接性樹脂層於室溫(25℃±5℃)下保管1週的情形時,於該保管後實質上未確認到凝膠分率(%)之上升。再者,上述密接性樹脂層係進行加熱(典型而言120℃、5分鐘之加熱)前之密接性樹脂層。
此處揭示之密接性樹脂組合物可較佳以上述調配比率含有上述密接性樹脂層可含有之成分(基礎聚合物;具有碳-碳雙鍵之聚合物、低聚物、單體;自由基產生劑;光聚合起始劑;自由基捕獲劑;矽烷偶合劑;其他添加成分)。上述基礎聚合物較佳為丙烯酸系聚合物。另外,與密接性樹脂層之情形同樣,密接性樹脂組合物中較佳存在碳
-碳雙鍵。關於該等事項之技術意義如上所述,因此此處不重複進行說明。
<黏著片材之特性>
此處揭示之樹脂片材較佳為相對於PEN膜之180度剝離強度(相對PEN剝離強度)顯示為0.1N/20mm以上。顯示上述剝離強度之樹脂片材能夠良好密接於被接著體(典型而言PEN製被接著體),貼合性亦優異。上述剝離強度更佳為0.2N/20mm以上(例如0.3N/20mm以上、典型而言0.5N/20mm以上)。另外,若剝離強度過高,則有再貼附作業性降低之傾向,因此上述剝離強度較佳為5.0N/20mm以下(例如3.0N/20mm以下、典型而言1.0N/20mm以下)。另外,上述剝離強度係於加熱(120℃、3分鐘之加熱)前測定之剝離強度。相對PEN剝離強度可藉由下述方法進行測定。
[相對PEN剝離強度之測定方法]
對單面接著性之樹脂片材直接進行切割,對兩面接著性之樹脂片材將一個表面用PET膜背襯再切割,切割成寬度20mm、長度100mm之尺寸來製作測定樣品。於23℃、50%RH之環境下,使2kg之橡膠輥往返一次將密接性樹脂層表面壓接於PEN膜之表面。將其於相同環境下放置30分鐘之後,使用拉伸試驗機,根據JIS Z0237:2000,於剝離角度180度、拉伸速度300mm/分鐘之條件下測定剝離強度(N/20mm寬)。作為背襯用之PET膜基材,可使用大三紙業股份有限公司製造之PET膜(厚度75μm淡紅固體印刷)。對於作為被接著體之PEN膜,可使用Teijin DuPont Films Japan Limited製造之商品名「Teonex Q65FA」。作為拉伸試驗機,可使用變角度剝離試驗機(旭精工股份有限公司製造之商品名「山本式變角剝離測定機YM-121」)。
此處揭示之樹脂片材較佳為於階差追隨性試驗中,貼附於具有
25μm之階差之被接著體時所形成之被接著體界面處之空隙的最大長度顯示為1000μm以下。上述樹脂片材由於貼合時之階差追隨性優異,因此能夠良好地密接於表面具有階差之被接著體。上述空隙之最大長度更佳為800μm以下(例如600μm以下、典型而言300μm以下)。階差追隨性試驗係藉由下述實施例中記載之方法進行。
另外,此處揭示之樹脂片材較佳為將密接性樹脂層貼附於玻璃板上,於150℃下加熱30分鐘後所測定之180度剝離強度(加熱後之剝離強度)為0.05~5.0N/20mm(特性(B))。藉由使上述剝離強度為特定以上,樹脂片材即便於加熱後亦能夠良好地密接於被接著體。上述剝離強度亦可為0.2N/20mm以上。另一方面,若上述剝離強度超過5.0N/20mm,則再剝離性降低,有使用後自被接著體剝離時產生損傷被接著體表面等不利情況之虞。就此種觀點而言,上述剝離強度更佳為4.0N/20mm以下(例如3.0N/20mm以下、典型而言1.5N/20mm以下)。上述加熱後之剝離強度顯示為1.5N/20mm以下(例如0.5N/20mm以下、典型而言0.3N/20mm以下)之樹脂片材不會發生凝聚破壞,能夠實質上不存在糊劑殘留,故而特別較佳。例如藉由預先使密接性樹脂層中含有光聚合起始劑,於將樹脂片材剝離前照射活性能量射線(例如UV),能夠較佳地降低上述剝離強度。再者,上述加熱後之剝離強度可為實施活性能量射線(例如UV)照射等易剝離處理前之值,亦可為實施上述易剝離處理後之值。根據不實施上述易剝離處理而顯示上述加熱後之剝離強度之樹脂片材,能夠實現良好之加熱後密接性及再剝離性而無需進行UV照射等易剝離處理。上述加熱後之剝離強度係藉由下述實施例中記載之方法進行測定。
另外,此處揭示之樹脂片材較佳為於加熱時之氣泡產生評價試驗中於被接著體界面未發現最大直徑為2.0mm以上之氣泡。上述氣泡產生評價試驗係藉由下述實施例中記載之方法進行測定。
<用途>
對此處揭示之樹脂片材之用途並無特別限定,例如可較佳用作可於貼附後暴露於60℃~250℃(例如100℃~230℃、典型而言130℃~200℃)之加熱之環境中使用的樹脂片材。上述加熱環境中,先前之黏著片材由於該加熱,黏著片材中之釋氣成分(典型而言存在於該樹脂層中之水分等揮發成分、或存在於該樹脂層中之空隙中之氣體成分)發生氣化膨脹、形成氣泡出現於被接著體界面,有可能引起自被接著體之浮起、或剝離等不利情況。此處揭示之樹脂片材由於抑制此種釋氣成分所引起之氣體釋出,因此即便暴露於上述加熱條件亦能夠維持良好之密接性。
另外,此處揭示之樹脂片材由於亦可為再剝離性優異之樹脂片材,因此較佳作為例如以於上述加熱後被剝離之態樣使用的樹脂片材。上述樹脂片材可較佳用作臨時固定用片材、或保護片。
作為暴露於如上述之加熱之用途,可列舉半導體元件製造用途。例如可較佳用作於半導體晶圓加工(典型而言矽晶圓加工)中將該晶圓固定於固定板(例如玻璃板、或亞克力板等硬質基板)之晶圓固定用片材(典型而言雷射切割用片材)。另外,此處揭示之樹脂片材亦可較佳用作於上述晶圓加工中保護該晶圓(例如電路形成面)之保護片材。
上述片材要求具有於上述製造中之加工時、或輸送時不會自被接著體(典型而言半導體元件、或硬質基板)剝離程度之適度之密接性、以及於達成目的後良好地自該被接著體再剝離的性質。並且,尤其重要的是上述片材對於半導體元件製造時之加熱,抑制密接性等特性之劣化。例如,半導體元件可於對由上述片材所固定之晶圓實施雷射切割加工後經由膜形成步驟(例如反射膜形成步驟)等來製造。於上述雷射切割時,晶圓、或固定板發熱。由雷射切割引起之發熱量隨著
近年來晶圓之大型化而有增大之傾向。另外,可於雷射切割後進行之膜形成步驟(典型而言反射膜形成步驟)通常於130℃~200℃之溫度下實施2~5小時左右。此處揭示之樹脂片材由於對於如上述之加熱能夠維持良好之特性(典型而言密接性),因此較佳作為例如晶圓固定用片材(較佳為雷射切割用片材)用於包括雷射切割步驟之半導體元件製造。另外,此處揭示之樹脂片材由於可為階差追隨性優異之樹脂片材,因此可為與具有凹凸之晶圓表面(電路形成面)之密接性優異的樹脂片材。進而可為於剝離時不損傷被接著體表面之樹脂片材。
如上所述,此處揭示之樹脂片材較佳應用於半導體元件之製造用途。因此,根據該說明書,提供一種使用此處揭示之樹脂片材之半導體元件之製造方法。於較佳之一態樣中,該製造方法包括下述步驟:於配置(例如固定)於固定板(典型而言硬質基板)表面之樹脂片材上固定半導體晶圓的步驟(固定步驟);以及,對該半導體晶圓進行加工之步驟(加工步驟)。於進而較佳之一態樣中,上述加工步驟包括加熱至60℃以上(例如130℃~200℃)之步驟(加熱步驟)。另外,於上述加熱時,樹脂片材典型而言為兩面由被接著體夾持之狀態,因此可抑制由氣氛中之氧氣引起之反應抑制,可較佳地實現密接性樹脂層之凝膠分率上升。上述加熱步驟例如可為雷射切割步驟及/或膜形成步驟(典型而言反射膜形成步驟)。
另外,上述製造方法中,藉由上述切割步驟被切割之晶片可經過擴展步驟而拾取。即,上述製造方法可於上述加熱步驟後包括將樹脂片材自半導體晶圓去除之步驟(去除步驟。典型而言剝離步驟)。於較佳之一態樣中,為了使樹脂片材之剝離(再剝離)變輕,於上述去除步驟前實施活性能量射線(典型而言UV)照射步驟。包括該步驟之情形時,較佳為預先使密接性樹脂層中含有光聚合起始劑。另外,對於半導體元件之製造所需之其他技術事項,基於該領域之技術常識,只要
為本領域技術人員即可實施,因此此處不作特別說明。
另外,此處揭示之樹脂片材較佳作為電路基板(典型而言柔性電路基板(FPC))、有機EL面板、彩色濾光片、電子紙、柔性顯示器等厚度薄之基板之製造中使用的臨時固定用片材。此處所謂之厚度薄之基板的厚度為5μm~2mm(例如10μm~0.6mm)左右。另外,厚度薄之基板例如可包括聚醯亞胺、聚碳酸酯、聚醚碸、聚丙烯酸酯、聚醯胺、聚降冰片烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚醚醚酮、聚醯胺醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚芳醯胺、聚苯硫醚等樹脂膜之至少1層、或不鏽鋼箔等。
上述臨時固定用片材典型而言以如下態樣使用:將一個接著性表面貼合於包含玻璃等硬質材料之載體基板之後,於另一個接著性表面上臨時固定上述厚度薄之基板。上述臨時固定用片材要求具有於厚度薄之基板之製造步驟中不會自載體基板及厚度薄之基板剝離之程度的適度密接性、以及於達成臨時固定目的後能夠良好地自被接著體剝離之再剝離性。除此之外,重要為上述片材對於在該基板上形成圖案時之加熱,抑制密接性等特性的劣化。具體而言,背面經上述片材臨時固定之厚度薄之基板係藉由於其表面形成圖案而製造。圖案形成通常於100℃~230℃之溫度下實施1~3小時左右。此處揭示之樹脂片材由於對如上述之加熱能夠維持良好之特性(典型而言密接性),因此較佳用於厚度薄之基板之製造。
如上所述,此處揭示之樹脂片材較佳應用於電路基板(典型而言FPC)等厚度薄之基板之製造用途。因此,根據該說明書,提供一種使用上述樹脂片材之厚度薄之基板(例如電路基板(典型而言FPC)、有機EL面板、彩色濾光片、電子紙、柔性顯示器)之製造方法。在於較佳之一態樣中,該製造方法包括下述步驟:於配置(例如固定)於載體基板表面之樹脂片材上固定厚度薄之基板(典型而言該基板之背面)的步
驟(固定步驟);以及,於該厚度薄之基板之表面形成圖案的步驟(圖案形成步驟)。於進而較佳之一態樣中,上述圖案形成步驟包括加熱至60℃以上(例如100℃~230℃)之步驟(加熱步驟)。另外,於上述加熱時,樹脂片材典型而言為兩面由被接著體夾持之狀態,因此可抑制由氣氛中之氧氣導致的反應抑制,可較佳地實現密接性樹脂層之凝膠分率上升。
另外,上述製造方法可於上述加熱步驟後包括將樹脂片材自厚度薄之基板去除之步驟(去除步驟。典型而言剝離步驟)。於較佳之一態樣中,為了使樹脂片材之剝離(再剝離)變輕,於上述去除步驟前實施活性能量射線(典型而言UV)照射步驟。包括該步驟之情形時,較佳為預先使密接性樹脂層中含有光聚合起始劑。另外,對於FPC等厚度薄之基板之製造所需的其他技術事項,基於該領域之技術常識,只要為本領域技術人員即可實施,因此此處不作特別說明。
以下,對關於本發明之幾個實施例進行說明,但並非旨在將本發明限定於該等實施例所示者。另外,於以下之說明中「份」及「%」若無特別說明為重量基準。
<例1>
向具備溫度計、攪拌機、氮氣導入管等之反應容器中投入2EHA 96份、AA 4份、作為聚合起始劑之BPO(日油股份有限公司製造之商品名「NYPER BW」)0.3份以及作為聚合溶劑之甲苯,於氮氣氣流下於60℃下進行聚合反應,獲得重量平均分子量(Mw)約60萬之丙烯酸系聚合物之45%甲苯溶液。將其用作本例之丙烯酸系樹脂組合物。將上述丙烯酸系樹脂組合物塗佈於PET製之剝離襯墊上,於80℃下乾燥3分鐘,進而於50℃下進行24小時之熟化,藉此製作厚度30μm之由密接性樹脂層構成之無基材之樹脂片材。
<例2>
將丙烯酸系聚合物之單體組成及聚合起始劑使用量變更為表1所示之組成,除此以外以與例1同樣之方式,製作本例之無基材之樹脂片材。
<例3>
向具備溫度計、攪拌機、氮氣導入管等之反應容器中投入2EHA 100份、丙烯酸-2-羥乙酯(HEA)12.6份、作為聚合起始劑之BPO(日油股份有限公司製造之商品名「NYPER BW」)0.25份以及作為聚合溶劑之甲苯,於氮氣氣流下於60℃下進行聚合反應,獲得重量平均分子量(Mw)約60萬之丙烯酸系聚合物之45%甲苯溶液。使其與甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯(MOI)13.5份進行加成反應,調製具有碳-碳雙鍵之丙烯酸系聚合物。另外,向上述丙烯酸系聚合物之甲苯溶液中,相對於丙烯酸系聚合物之固體成分100份,添加異氰酸酯系交聯劑(日本聚胺酯工業股份有限公司製造之商品名「CORONATE L」)0.1份以及光聚合起始劑(Ciba Specialty Chemicals Inc.製造之商品名「IRGACURE 127」(Irg127):2-羥基-1-{4-[4-(2-羥基-2-甲基-丙醯)-苄基]苯基}-2-甲基-丙烷-1-酮)2份。另外,於密接性樹脂層中以達到0.087%之比率添加抗氧化劑(Ciba Japan K.K.製造之商品名「IRGANOX1010」;季戊四醇-四[3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸酯])。以如此方式,獲得本例之丙烯酸系樹脂組合物。
將上述丙烯酸系樹脂組合物塗佈於PET製之剝離襯墊上,於120℃下乾燥3分鐘,進而於50℃下進行24小時之熟化,藉此製作厚度30μm之由密接性樹脂層構成之無基材之樹脂片材。
<例4>
作為基材,準備厚度75μm之PET膜(大三紙業股份有限公司製造、淡紅固體印刷)。於該基材上塗佈例3中獲得之丙烯酸系樹脂組合物,於120℃下乾燥3分鐘,進而於50℃下進行24小時之熟化,藉此製
作於PET膜基材上支持厚度30μm之密接性樹脂層之樹脂片材。
<例5>
未使用異氰酸酯系交聯劑及光聚合起始劑,並且將抗氧化劑之含有率變更為0.089%,除此以外以與例3同樣之方式調製丙烯酸系樹脂組合物。將該丙烯酸系樹脂組合物塗佈於PET製之剝離襯墊上,於80℃下乾燥3分鐘,進而於50℃下進行24小時之熟化,藉此製作厚度30μm之由密接性樹脂層構成之無基材的樹脂片材。
<例6>
向具備溫度計、攪拌機、氮氣導入管等之反應容器中投入2EHA 42.9份、LA 53.1份、AA 0.34份、HEA 11.0份、作為聚合起始劑之BPO(日油股份有限公司製造之商品名「NYPER BW」)0.2份以及作為聚合溶劑之甲苯,於氮氣氣流下於60℃下進行聚合反應,獲得重量平均分子量(Mw)約60萬之丙烯酸系聚合物之45%甲苯溶液。使其與11.8份之MOI進行加成反應,調製具有碳-碳雙鍵之丙烯酸系聚合物。另外,相對於丙烯酸系聚合物之固體成分100份,向上述丙烯酸系聚合物之甲苯溶液中添加鋁螯合物系交聯劑(Kawasaki Fine Chemical Co.,Ltd.製造之商品名「Alumichelate AW」)3份、光聚合起始劑(Ciba Specialty Chemicals Inc.製造之商品名「IRGACURE 127」)2份以及矽烷偶合劑(信越化學工業股份有限公司製造之商品名「KBM903」:3-胺基丙基三甲氧基矽烷)0.2份。另外,於密接性樹脂層中以達到0.095%之比率添加抗氧化劑(Ciba Japan K.K.製造之商品名「IRGANOX1010」)。以如此方式,獲得本例之丙烯酸系樹脂組合物。
將上述丙烯酸系樹脂組合物塗佈於PET製之剝離襯墊上,於80℃下乾燥3分鐘,進而於50℃下進行24小時之熟化,藉此製作厚度30μm之由密接性樹脂層構成之無基材之樹脂片材。
<例7>
將丙烯酸系樹脂組合物之乾燥溫度變更為120℃,除此以外,以與例6同樣之方式,製作本例之樹脂片材。
<例8>
向具備溫度計、攪拌機、氮氣導入管等之反應容器中投入2EHA 100份、HEA 4份、作為聚合起始劑之AIBN 0.2份以及作為聚合溶劑之甲苯,於氮氣氣流下於60℃下進行聚合反應,獲得重量平均分子量(Mw)約60萬之丙烯酸系聚合物之45%甲苯溶液。使用該丙烯酸系樹脂組合物,除此以外以與例1同樣之方式,製作本例之樹脂片材。
<例9>
除了將抗氧化劑之添加量變更為0.435%以外,以與例3同樣之方式,製作本例之樹脂片材。
<例10>
向具備溫度計、攪拌機、氮氣導入管等之反應容器中投入2EHA 100份、HEA 12.6份、作為聚合起始劑之BPO(日油股份有限公司製造之商品名「NYPERBW」)0.25份以及作為聚合溶劑之甲苯,於氮氣氣流下於60℃下進行聚合反應,獲得重量平均分子量(Mw)約60萬之丙烯酸系聚合物之45%甲苯溶液。使其與MOI 13.5份進行加成反應,調製具有碳-碳雙鍵之丙烯酸系聚合物。另外,相對於丙烯酸系聚合物之固體成分100份,向上述丙烯酸系聚合物之甲苯溶液中添加異氰酸酯系交聯劑(日本聚胺酯工業股份有限公司製造之商品名「CORONATE L」)0.1份、光聚合起始劑(Ciba Specialty Chemicals Inc.製造之商品名「IRGACURE 127」)2份以及BPO(日油股份有限公司製造之商品名「NYPER BW」)2份。另外,於密接性樹脂層中以達到0.087%之比率添加抗氧化劑(Ciba Japan K.K.製造之商品名「IRGANOX1010」)。以如此方式,獲得本例之丙烯酸系樹脂組合
物。
將上述丙烯酸系樹脂組合物塗佈於PET製之剝離襯墊上,於120℃下乾燥3分鐘,進而於50℃下進行24小時之熟化,藉此製作厚度30μm之由密接性樹脂層構成之無基材之樹脂片材。
<例11>
將丙烯酸系聚合物之單體組成及聚合起始劑使用量變更為表2所示之組成,除此以外,以與例3同樣之方式,製作本例之無基材之樹脂片材。再者,表2中,ACMO為N-丙烯醯基嗎啉。
<例12>
將丙烯酸系聚合物之單體組成及聚合起始劑使用量變更為表2所示之組成,除此以外以與例3同樣之方式,製作本例之無基材之樹脂片材。
<例13>
除了將聚合起始劑變更為過氧化-2-乙基己酸第三己酯(日油股份有限公司製造之商品名「PERHEXYL O」)以外,以與例6同樣之方式,製作本例之無基材之樹脂片材。
<例14>
作為聚合起始劑,使用AIBN(0.2份)代替BPO(0.25份),除此以外以與例3同樣之方式,製作本例之無基材之樹脂片材。
各例之樹脂片材之概況(密接性樹脂層之組成、碳-碳雙鍵存在量、乾燥條件、自由基產生劑之存在量、凝膠分率等)示於表1、表2。其中,碳-碳雙鍵存在量係基於調配組成算出之值。
[階差追隨性]
將各例之密接性樹脂組合物塗佈於PET膜基材(厚度38μm),於特定之溫度下乾燥3分鐘,進而於50℃下進行24小時之熟化,藉此製作厚度30μm之於PET膜基材上支持密接性樹脂層之樹脂片材。乾燥
溫度對於例1、2、5、6、8、13設定為80℃,對於例3、4、7、9~12、14設定為120℃。將所製作之樹脂片材切割成寬度20mm、長度70mm之尺寸,製作測定樣品。
於玻璃板(松浪硝子工業股份有限公司製造之鹼玻璃板)上設置厚度25μm之PET膜(東麗股份有限公司製造之商品名「Lumirror S10」)於玻璃面上設置階差。於23℃、50%RH之環境下,以使上述階差部分位於測定樣品之寬度方向之大致中央的方式進行定位,使2kg之橡膠輥往返一次來將測定樣品之密接性樹脂層側表面壓接於被接著體表面。自壓接起30分鐘後自正上方觀察貼附有測定樣品之被接著體之階差部分,確認於被接著體界面處存在於階差部分之空隙之尺寸(最大長度)。空隙尺寸之確認係使用光學顯微鏡(倍率:100倍)進行,記錄存在於階差部分之空隙之最大直徑(最大長度)。作為光學顯微鏡,使用奧林巴斯股份有限公司製造之「MX50」。結果示於表1、表2。
[加熱後之剝離強度]
將各例之密接性樹脂組合物塗佈於PET膜基材(厚度75μm),於特定之溫度下乾燥3分鐘,進而於50℃下進行24小時之熟化,藉此製作厚度30μm之於PET膜基材上支持密接性樹脂層的樹脂片材。乾燥溫度對於例1、2、5、6、8、13設定為80℃,對於例3、4、7、9~12、14設定為120℃。
將上述製作之樹脂片材切割成寬度20mm、長度100mm之尺寸,製作測定樣品。於23℃、50%RH之環境下,使2kg之橡膠輥往返一次來將測定樣品之密接性樹脂層側表面壓接於玻璃板之表面。將其於該環境下放置30分鐘之後,於乾燥器中以150℃進行30分鐘之加熱。之後,於23℃、50%RH之環境下,使用拉伸試驗機,根據JIS Z0237:2000,於剝離角度180度、拉伸速度300mm/分鐘之條件下測定剝離強度(N/20mm寬)。對於例3、4、6、7、9~14,於加熱後使用
UV照射機(日東精機股份有限公司製造、商品名「NEL SYSTEM UM810」、高壓水銀燈光源)進行60mW/cm2×10秒之UV照射。
另外,作為PET膜基材,使用大三紙業股份有限公司製造之PET膜(厚度75μm、淡紅固體印刷)。作為玻璃板,使用松浪硝子工業股份有限公司製造之鹼玻璃板(80mm×80mm×0.7mm)。作為拉伸試驗機,使用變角度剝離試驗機(旭精工股份有限公司製造之商品名「山本式變角剝離測定機YM-121」)。結果示於表1、表2。
[加熱時之氣泡產生評價]
於23℃、50%RH之環境下,使用手動輥將各例之樹脂片材之密接性樹脂層側表面與玻璃板之表面貼合後,切割成80mm×80mm之尺寸製作測定樣品。作為玻璃板,使用松浪硝子工業股份有限公司製造之鹼玻璃板(80mm×80mm×0.7mm)。將其於該環境下放置30分鐘之後,於乾燥器中於150℃下進行30分鐘之加熱。對於例1~3、5~8及例9~14之無基材之樹脂片材,於與玻璃板側相反側之表面貼合厚度125μm之PEN膜(Teijin DuPont Films Japan Limited製造之商品名「Teonex Q65FA」)之後進行上述加熱。以目視觀察加熱後之外觀變化(被接著體界面處有無氣泡產生),按下述標準進行評價。結果示於表1、表2。
◎:未發現氣泡之存在。
○:發現最大直徑未達2.0mm之微小氣泡。
×:發現最大直徑為2.0mm以上之氣泡。
如表1、表2所示,比值(GB/GA)為1.1~10000之例1~例7、例9~例13之樹脂片材於加熱時未發現氣泡之產生,或者僅產生最大直徑未達2.0mm之微小氣泡。另一方面比值(GB/GA)未達1.1之例8、例14之樹脂片材加熱時於與被接著體之界面處產生氣泡,並發現於整個面剝離。由該等結果可知,藉由使比值(GB/GA)為1.1~10000之範圍,使於加熱前良好地密接於被接著體、被接著體界面處之空隙較少,並且於加熱時密接性樹脂層之凝膠分率之上升比密接性樹脂層中之釋氣成分之氣化膨脹更快,藉此可抑制該釋氣成分之氣化膨脹,防止浮起、或剝離等不利情況發生。
此外,就另一觀點而言,例1~例7、例9~例13之樹脂片材帶來之加熱時氣泡抑制亦可解釋成藉由使加熱前之凝膠分率相對較低、加熱後之凝膠分率GB為30~100%之範圍內而實現。
進而,例3~例7、例9~例11、例13之樹脂片材可顯著抑制加熱時之氣泡產生,並且加熱後之剝離更良好,因此可知即便於加熱後亦實現良好之密接性且再剝離性優異。特別是例3~例5、例9、例10之樹脂片材之階差追隨性亦優異。
以上對本發明之具體例進行詳細說明,但該等僅為例示,並非對申請專利範圍進行限定。申請專利範圍記載之技術包括對以上所例示之具體例進行各種變形、變更的情況。
3‧‧‧樹脂片材
21‧‧‧密接性樹脂層
21A、21B‧‧‧密接性樹脂層之密接面
31、32‧‧‧剝離襯墊
Claims (11)
- 一種樹脂片材,其具備滿足如下特性之密接性樹脂層,特性(A1):藉由120℃、5分鐘之加熱而凝膠分率上升,且進行上述加熱後之凝膠分率GB(%)與進行該加熱前之凝膠分率GA(%)之比(GB/GA)為1.1~10000的範圍內,上述密接性樹脂層包含自由基產生劑,上述密接性樹脂層包含作為基礎聚合物之丙烯酸系聚合物,上述密接性樹脂層中存在碳-碳雙鍵,上述密接性樹脂層中之上述碳-碳雙鍵之存在量為0.1~2.0mmol/g,上述自由基產生劑係加熱時產生游離自由基者。
- 一種樹脂片材,其具備滿足如下特性之密接性樹脂層,特性(A2):藉由120℃、5分鐘之加熱而凝膠分率上升,且進行上述加熱後之凝膠分率GB為30%~100%之範圍內,上述密接性樹脂層包含自由基產生劑,上述密接性樹脂層包含作為基礎聚合物之丙烯酸系聚合物,上述密接性樹脂層中存在碳-碳雙鍵,上述密接性樹脂層中之上述碳-碳雙鍵之存在量為0.1~2.0mmol/g,上述自由基產生劑係加熱時產生游離自由基者。
- 如請求項1之樹脂片材,其滿足如下特性,特性(B):將上述密接性樹脂層貼附於玻璃板上,於150℃下加熱30分鐘後所測定之180度剝離強度為0.05~5.0N/20mm。
- 如請求項2之樹脂片材,其滿足如下特性,特性(B):將上述密接性樹脂層貼附於玻璃板上,於150℃下加熱30分鐘後所測定之 180度剝離強度為0.05~5.0N/20mm。
- 如請求項1至4中任一項之樹脂片材,其中上述密接性樹脂層進而含有自由基捕獲劑,該自由基捕獲劑之含有率為1重量%以下。
- 如請求項1至4中任一項之樹脂片材,其進而具備支持上述密接性樹脂層之樹脂膜基材。
- 如請求項5之樹脂片材,其進而具備支持上述密接性樹脂層之樹脂膜基材。
- 如請求項6之樹脂片材,其進而具備支持上述密接性樹脂層之樹脂膜基材。
- 如請求項7之樹脂片材,其進而具備支持上述密接性樹脂層之樹脂膜基材。
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