TWI691787B - 感光性組成物、硬化膜的製造方法、液晶顯示裝置的製造方法、有機電致發光顯示裝置的製造方法及觸控面板的製造方法 - Google Patents

感光性組成物、硬化膜的製造方法、液晶顯示裝置的製造方法、有機電致發光顯示裝置的製造方法及觸控面板的製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種塗佈性良好且可製造與積層於硬化膜上的上層的密接性優異的硬化膜的感光性組成物。另外，本發明提供一種硬化膜、液晶顯示裝置、有機電致發光顯示裝置及觸控面板的製造方法。所述感光性組成物包含聚合體成分A、光酸產生劑B、溶劑C及具有式S1所表示的結構及式S2所表示的結構的化合物S，且相對於聚合體成分A 100質量份，含有0.001質量份~20質量份的化合物S。

Description

感光性組成物、硬化膜的製造方法、液晶顯示 裝置的製造方法、有機電致發光顯示裝置的製造方法及觸控面板的製造方法
本發明是有關於一種感光性組成物。進而詳細而言，是有關於適合於形成液晶顯示裝置、有機電致發光顯示裝置等圖像顯示裝置、觸控面板、積體電路元件、固體攝像元件等電子零件的平坦化膜、保護膜及層間絕緣膜等的感光性組成物。另外，是有關於硬化膜、液晶顯示裝置、有機電致發光顯示裝置及觸控面板的製造方法。
於液晶顯示裝置及有機電致發光顯示裝置等圖像顯示裝置、以及觸控面板等的輸入裝置中，於多數情況下設置形成有圖案的層間絕緣膜。於層間絕緣膜的形成中，用以獲得所需的圖案形狀的步驟數少，而且獲得充分的平坦性，因此廣泛使用感光性組成物。
所述裝置的層間絕緣膜中，嘗試使用丙烯酸系樹脂作為膜形成成分(參照專利文獻1)。
[現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本專利特開2011-215596號公報
感光性組成物為了提高塗佈性，多數情況使用界面活性劑。專利文獻1中亦為了提高塗佈性而使用氟系界面活性劑。但，氟系界面活性劑有時會於塗佈後偏在於塗膜的表面。於將使用感光性組成物來製造的硬化膜用作永久膜的情況下，多數情況於硬化膜上積層多種層。此時，若氟系界面活性劑偏在於膜表面，則有時積層於硬化膜上的上層與硬化膜的密接性會下降。因此，有時會對硬化膜的表層進行灰化處理等，來去除氟系界面活性劑所偏在的膜表層。如上所述，先前需要對硬化膜進行灰化處理等步驟，存在步驟數增多的情況。近年來，期望削減步驟數，而使步驟的簡化或抑制製造成本。
因此，本發明的目的在於提供一種塗佈性良好且可製造與積層於硬化膜上的上層的密接性優異的硬化膜的感光性組成物。另外，本發明的目的在於提供一種硬化膜、液晶顯示裝置、有機電致發光顯示裝置及觸控面板的製造方法。
基於所述狀況，本發明者們進行了研究，結果發現，藉由使感光性組成物含有後述的具有式S1所表示的結構及式S2所表示的結構的化合物S，而塗佈性良好，且可不經過灰化等步驟， 而製造與積層於硬化膜上的上層的密接性優異的硬化膜，從而完成了本發明。即，本發明提供以下。
<1>一種感光性組成物，其包含：聚合體成分A，包含包括構成單元a1的聚合體A1，所述構成單元a1具有酸基由酸分解性基所保護的基團；光酸產生劑B，產生pKa為3以下的酸；溶劑C；以及化合物S，具有式S1所表示的結構及式S2所表示的結構；並且相對於聚合體成分A的100質量份，含有0.001質量份~20質量份的化合物S，且滿足下述a~c的至少一個必要條件；a：聚合體A1更包括具有交聯性基的構成單元a2；b：聚合體成分A包含包括具有交聯性基的構成單元a2的聚合體；c：感光性組成物更包含具有交聯性基的分子量1,000以下的化合物；
Figure 105119667-A0305-02-0005-2
式中，波形線表示與構成化合物S的原子團的鍵結位置，R1表示烷基， R2表示氫原子或烷基，L1表示單鍵或二價連結基，於L1表示二價連結基的情況下，R1亦可與L1鍵結而形成環，Rf表示具有三個以上氟原子的氟烷基，L100表示碳數1~12的伸烷基或羰基，R100表示氫原子、羥基或碳數1~12的烷基，n表示0~30的整數，當n為0時，R100表示羥基，當n為1時，L100表示碳數1~12的伸烷基或羰基，R100表示氫原子或碳數1~6的烷基，當n為2~30時，L100表示碳數1~12的伸烷基，R100表示氫原子或碳數1~12的烷基，多個L100可相同，亦可不同。
<2>如<1>所述的感光性組成物，其中化合物S為包括側鏈上具有式S1所表示的結構的構成單元S1-1、以及側鏈上具有式S2所表示的結構的構成單元S2-1的聚合體。
<3>如<1>或<2>所述的感光性組成物，其中化合物S為包括式S1-2所表示的構成單元、以及式S2-2所表示的構成單元的聚合體；
Figure 105119667-A0305-02-0006-3
式中，R11表示氫原子或碳數1~3的烷基，R12表示烷基，R13表示氫原子或烷基，L10表示單鍵或二價連結基，於L10表示二價連結基的情況下，R12亦可與L10鍵結而形成環，Rf表示具有三個以上氟原子的氟烷基，L101表示碳數1~12的伸烷基，R101表示氫原子或碳數1~12的烷基，n1表示0~30的整數，當n1為0或1時，R101表示氫原子或碳數1~6的烷基，當n1為2~30時，多個L101可相同，亦可不同。
<4>如<1>~<3>中任一項所述的感光性組成物，其中化合物S為包括式S1-3所表示的構成單元、以及式S2-3所表示的構成單元的聚合體；
Figure 105119667-A0305-02-0007-4
式中，R21表示氫原子或碳數1~3的烷基，R22表示碳數1~3的烷基，R23表示氫原子，L20表示碳數1~12的伸烷基， Rf1表示碳數3~6的全氟烷基，R22亦可與L20鍵結而形成環，L201表示碳數1~12的伸烷基，R201表示氫原子或碳數1~6的烷基，n2表示1~20的整數，當n2為2~20時，多個L201可相同，亦可不同。
<5>如<2>~<4>中任一項所述的感光性組成物，其中化合物S為含有化合物S的全部構成單元的70質量%以上的構成單元S1-1、以及構成單元S2-1的聚合體，且構成單元S1-1與構成單元S2-1的質量比為構成單元S1-1：構成單元S2-1=5：95~95：5。
<6>如<1>~<5>中任一項所述的感光性組成物，其中化合物S的重量平均分子量為100~100000。
<7>如<1>~<6>中任一項所述的感光性組成物，其中構成單元a1是由式A2'所表示；
Figure 105119667-A0305-02-0008-5
式中，R1及R2分別獨立地表示氫原子、烷基或芳基，R1及R2的至少一者為烷基或芳基，R3表示烷基或芳基，R1或R2、與 R3亦可連結而形成環狀醚，R4表示氫原子或甲基，X表示單鍵或伸芳基。
<8>如<1>~<7>中任一項所述的感光性組成物，其中交聯性基為選自環氧基及氧雜環丁基中的至少一種。
<9>一種硬化膜的製造方法，其包括：將如<1>~<8>中任一項所述的感光性組成物塗佈於基板上的步驟；自所塗佈的感光性組成物中去除溶劑的步驟；利用光化射線對去除了溶劑的感光性組成物進行曝光的步驟；利用顯影液對經曝光的感光性組成物進行顯影的步驟；以及對經顯影的感光性組成物進行熱硬化的步驟。
<10>一種液晶顯示裝置的製造方法，其包含如<9>所述的硬化膜的製造方法。
<11>一種有機電致發光顯示裝置的製造方法，其包含如<9>所述的硬化膜的製造方法。
<12>一種觸控面板的製造方法，其包含如<9>所述的硬化膜的製造方法。
本發明可提供一種塗佈性良好，且可不經過灰化等步驟而製造與積層於硬化膜上的上層的密接性優異的硬化膜的感光性組成物。另外，可提供硬化膜的製造方法、硬化膜及裝置。
1:薄膜電晶體
2:配線
3:絕緣膜
4:平坦化膜
5:第一電極
6:玻璃基板
7:接觸孔
8:絕緣膜
10:液晶顯示裝置
12:背光單元
14、15:玻璃基板
16:薄膜電晶體
17:硬化膜
18:接觸孔
19:ITO透明電極
20:液晶
22:彩色濾光片
30:靜電電容方式的觸控面板
31:前面板
32:框層
33:第一透明電極圖案
33a:墊部分
33b:連接部分
34:第二透明電極圖案
35:絕緣層
36:導電性要素
37:透明保護層
38:開口部
110:畫素基板
111:偏光板
112:透明基板
113:公用電極
114:絕緣層
115:畫素電極
116:配向膜
120:對向基板
121:配向膜
122:彩色濾光片
123:透明基板
124:相位差膜
125:感測器用檢測電極
126:黏接層
127:偏光板
130:感測器部
200:下部顯示板
210:絕緣基板
220:閘電極
240:閘極絕緣膜
250:半導體層
260、262:歐姆接觸層
270:源極電極
272:汲極電極
280:絕緣膜
282:接觸孔
290:畫素電極
300:上部顯示板
310:絕緣基板
320:遮光構件
330:彩色濾光片
350:配向膜
370:公用電極
400:液晶層
410:感測電極
420:絕緣膜
430:觸控驅動電極
600:保護膜
CT:對向電極
GI:閘極絕緣膜
GT:閘電極
IN1:第一層間絕緣膜
IN2:第二層間絕緣膜
IN3:第三層間絕緣膜
PAS:有機絕緣膜
PS:半導體膜
PX:畫素電極
RAL:反射膜
SD1:汲極電極
SD2:源極電極
SUB1:玻璃基板
UC:基底膜
圖1 表示液晶顯示裝置的一例的構成概念圖。
圖2 為液晶顯示裝置的另一例的構成概念圖。
圖3 表示有機電致發光(electroluminescent，EL)顯示裝置的一例的構成概念圖。
圖4 為表示靜電電容方式的觸控面板的構成例的剖面圖。
圖5 為表示前面板的一例的說明圖。
圖6 為表示第一透明電極圖案及第二透明電極圖案的一例的說明圖。
圖7 為表示具有觸控面板的功能的液晶顯示裝置的一例的概略圖。
圖8 為表示具有觸控面板的功能的液晶顯示裝置的一例的概略圖。
以下，對本發明的內容進行詳細說明。以下記載的構成要件的說明是基於本發明的具有代表性的實施方式而形成，但本發明並不限定於所述實施方式。此外，本說明書中所謂「~」是以包含其前後所記載的數值作為下限值及上限值的含義來使用。
本說明書中的基團(原子團)的表述中，未記載經取代及未經取代的表述不僅包含不具有取代基者，亦包含具有取代基者。例如所謂「烷基」不僅包含不具有取代基的烷基(未經取代的烷 基)，亦包含具有取代基的烷基(經取代的烷基)。
此外，本說明書中，「(甲基)丙烯酸酯」表示「丙烯酸酯」及「甲基丙烯酸酯」，「(甲基)丙烯酸」表示「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」，「(甲基)丙烯醯基」表示「丙烯醯基」及「甲基丙烯醯基」。
本說明書中，重量平均分子量(Mw)及數量平均分子量(Mn)被定義為藉由凝膠滲透層析法(Gel Permeation Chromatography，GPC)測定而得的聚苯乙烯換算值。
本發明的感光性組成物包含：後述聚合體成分A、產生pKa為3以下的酸的光酸產生劑B、溶劑C、以及後述的具有式S1所表示的結構及式S2所表示的結構的化合物S，並且相對於聚合體成分A 100質量份，含有0.001質量份~20質量份的化合物S，且滿足下述a~c的至少一個必要條件。
a：聚合體A1更包括具有交聯性基的構成單元a2；b：聚合體成分A包含包括具有交聯性基的構成單元a2的聚合體；c：感光性組成物更包含具有交聯性基的分子量1,000以下的化合物。
依據本發明，藉由使用所述構成的感光性組成物，而塗佈性良好，且可不經過灰化等步驟而製造與積層於硬化膜上的上層的密接性優異的硬化膜。本發明的效果表現的機制推定如下。
即推定為：後述式S1所表示的結構由於具有氟烷基故而疏水 性優異，式S2所表示的結構由於具有親水性基故而親水性優異。兼具兩者結構的化合物S作為界面活性劑而發揮功能，可獲得優異的塗佈性。
另外，化合物S所具有的式S1所表示的結構由於經由縮醛鍵而鍵結有氟烷基，故而於加熱時等，縮醛鍵斷開，氟烷基部分脫離而容易揮發，認為氟難以偏在於硬化膜的表層。因此推定為，可不經過灰化等步驟而製造與積層於硬化膜上的上層的密接性優異的硬化膜。
進而，化合物S所具有的式S1所表示的結構由於經由縮醛鍵而鍵結有氟烷基，故而藉由磺酸等酸的作用，縮醛鍵斷開，氟烷基部分脫離。因此，於暴露於酸中的部分，撥液性下降。因此，本發明的感光性組成物除了塗佈性以及上層密接性優異以外，亦具有不存在由鹼顯影引起的顯影殘渣、顯影圖案的邊緣的粗糙度小的優異特性。
本發明的感光性組成物可較佳地用作化學增幅型正型感光性組成物。
以下對本發明進行詳細說明。
<聚合體成分A>
本發明的感光性組成物包含包括構成單元a1的聚合體A1，所述構成單元a1具有酸基由酸分解性基所保護的基團。
此處，本發明的感光性組成物滿足下述a~c的至少一個必要條件。
a：聚合體A1更包括具有交聯性基的構成單元a2。
b：聚合體成分A包含包括具有交聯性基的構成單元a2的聚合體。
c：感光性組成物更包含具有交聯性基的分子量1,000以下的化合物(交聯劑)。
因此，於感光性組成物不含具有交聯性基的分子量1,000以下的化合物的情況下，聚合體成分A較佳為滿足下述(1)及(2)的至少一者。
(1)：包含聚合體Ax1的聚合體成分，所述聚合體Ax1包括具有酸基由酸分解性基所保護的基團的構成單元a1、以及具有交聯性基的構成單元a2。
(2)：包含聚合體Ax2與聚合體Ax3的聚合體成分，所述聚合體Ax2包括具有酸基由酸分解性基所保護的基團的構成單元a1，所述聚合體Ax3包括具有交聯性基的構成單元a2。
以下，將具有酸基由酸分解性基所保護的基團的構成單元a1亦稱為構成單元(a1)。另外，將具有交聯性基的構成單元a2亦稱為構成單元(a2)。
本發明中，聚合體成分是指除了所述聚合體以外，亦包含視需要添加的其他聚合體的成分。
所述(1)的形態中，為包含至少一種聚合體Ax1，且聚合體Ax1包括構成單元(a1)及構成單元(a2)的形態。構成單元(a1)、或構成單元(a2)亦可分別包含兩種以上。另外，亦 可包含後述的構成單元(a3)或構成單元(a4)等。
所述(2)的形態中，為包含包括構成單元(a1)的聚合體Ax2、以及包括構成單元(a2)的聚合體Ax3的形態。包括構成單元(a1)的聚合體Ax2亦可更包括構成單元(a2)。同樣，包括構成單元(a2)的聚合體Ax3亦可包括構成單元(a1)。於此種情況下，成為滿足1與2的兩者的形態。另外，聚合體Ax2及聚合體Ax3亦可包括後述的構成單元(a3)或構成單元(a4)等。
於所述2的形態中，聚合體Ax2與聚合體Ax3的質量比例較佳為95：5~5：95，更佳為80：20~20：80，尤佳為70：30~30：70。
本發明中，聚合體成分A較佳為加成聚合型的聚合體，更佳為包括由(甲基)丙烯酸及/或其酯而來的構成單元的聚合體。此外，亦可包括由(甲基)丙烯酸及/或其酯而來的構成單元以外的構成單元，例如由苯乙烯而來的構成單元、或由乙烯基化合物而來的構成單元等。將「由(甲基)丙烯酸及/或其酯而來的構成單元」亦稱為「丙烯酸系構成單元」。
<<構成單元(a1)>>
聚合體成分A至少包括具有酸基由酸分解性基所保護的基團的構成單元a1(構成單元(a1))。藉由聚合體成分A包括構成單元(a1)，可形成高感度的感光性組成物。
本發明中的「酸基由酸分解性基所保護的基團」是指以酸作為觸媒(或者起始劑)而引起去保護反應，產生分解為酸基 以及再生的酸的結構的基團。
本發明中的「酸基由酸分解性基所保護的基團」可使用作為酸基及酸分解性基而公知者，並無特別限定。
酸基較佳為羧基及酚性羥基。
酸分解性基可列舉：藉由酸而相對容易分解的基團(例如：後述的酯結構、四氫吡喃酯基、或者四氫呋喃酯基等縮醛系官能基)、或藉由酸而相對難以分解的基團(例如：第三丁酯基等三級烷基酯基、第三丁基碳酸酯基等三級烷基碳酸酯基)等。
構成單元(a1)較佳為：具有羧基由酸分解性基所保護的保護羧基的構成單元(以下亦稱為「具有由酸分解性基所保護的保護羧基的構成單元」)、或者具有酚性羥基由酸分解性基所保護的保護酚性羥基的構成單元(以下亦稱為「具有由酸分解性基所保護的保護酚性羥基的構成單元」)。
以下，對具有由酸分解性基所保護的保護羧基的構成單元(a1-1)、以及具有由酸分解性基所保護的保護酚性羥基的構成單元(a1-2)，依次分別進行說明。
<<<具有由酸分解性基所保護的保護羧基的構成單元(a1-1)>>>
構成單元(a1-1)為包含具有羧基的構成單元的羧基由以下所說明的酸分解性基所保護的保護羧基的構成單元。
具有羧基的構成單元並無特別限制，可使用公知的構成單元。例如可列舉由分子中具有至少一個羧基的不飽和羧酸等而來 的構成單元(a1-1-1)。
所述不飽和羧酸亦可為不飽和單羧酸、不飽和多元羧酸、或者其酸酐。例如可列舉日本專利特開2014-238438號公報的段落0043中記載的化合物。
其中，就顯影性的觀點而言，較佳為：丙烯酸、甲基丙烯酸、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基丁二酸、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基六氫鄰苯二甲酸、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基鄰苯二甲酸、或者不飽和多元羧酸的酐等，更佳為丙烯酸、甲基丙烯酸、2-(甲基)丙烯醯氧基乙基六氫鄰苯二甲酸。
構成單元(a1-1-1)可單獨包含一種，亦可包含兩種以上。
構成單元(a1-1)中可使用的酸分解性基可列舉所述酸分解性基。
該些酸分解性基中，較佳為具有酸基以縮醛的形式被保護的結構的基團。例如，就感光性組成物的基本物性、特別是感度或圖案形狀、接觸孔的形成性、感光性組成物的保存穩定性的觀點而言，較佳為羧基以縮醛的形式被保護的保護羧基。進而，就感度的觀點而言，更佳為羧基以下述式(a1-10)所表示的縮醛的形式被保護的保護羧基。此外，於為羧基以下述式(a1-10)所表示的縮醛的形式被保護的保護羧基的情況下，保護羧基的整體成為-(C=O)-O-CR101R102(OR103)的結構。
式(a1-10)
Figure 105119667-A0305-02-0017-6
式(a1-10)中，R101及R102分別獨立地表示氫原子、烷基或芳基。但，R101與R102均為氫原子的情況除外。R103表示烷基或芳基。R101或R102、與R103亦可連結而形成環狀醚。
R101~R103所表示的烷基可為直鏈、分支、環狀的任一種。
直鏈或分支的烷基較佳為碳數1~12，更佳為碳數1~6，尤佳為碳數1~4。具體而言，可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、新戊基、正己基、2,3-二甲基-2-丁基(thexyl)(2,3-二甲基丁烷-2-基)、正庚基、正辛基、2-乙基己基、正壬基、正癸基等。
環狀的烷基較佳為碳數3~12，更佳為碳數4~8，尤佳為碳數4~6。所述環狀烷基例如可列舉：環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、降冰片基、異冰片基等。
烷基亦可具有取代基，取代基可例示鹵素原子、芳基、烷氧基。於具有鹵素原子作為取代基的情況下，R101、R102、R103成為鹵代烷基，於具有芳基作為取代基的情況下，R101、R102、R103成為芳烷基。
所述鹵素原子可例示氟原子、氯原子、溴原子、碘原子，該些中較佳為氟原子或氯原子。
另外，所述芳基較佳為碳數6~20的芳基，更佳為碳數6~ 12，具體而言可例示苯基、α-甲基苯基、萘基等，經芳基所取代的烷基整體、即芳烷基可例示苄基、α-甲基苄基、苯乙基、萘甲基等。
所述烷氧基較佳為碳數1~6的烷氧基，更佳為碳數1~4，尤佳為甲氧基或乙氧基。
另外，於所述烷基為環狀烷基的情況下，亦可具有碳數1~10的直鏈或分支的烷基作為取代基。另外，於烷基為直鏈或分支的烷基的情況下，亦可具有碳數3~12的環狀烷基作為取代基。
該些取代基亦可經所述取代基進一步取代。
R101~R103所表示的芳基較佳為碳數6~12的芳基，更佳為碳數6~10的芳基。所述芳基亦可具有取代基，所述取代基可較佳地例示碳數1~6的烷基。作為芳基的具體例，例如可例示苯基、甲苯基、二甲苯基、枯烯基、1-萘基等。
R101、R102及R103可相互鍵結而與該些所鍵結的碳原子一起形成環。於R101與R102、R101與R103或R102與R103鍵結的情況下的環結構例如可列舉：環丁基、環戊基、環己基、環庚基、四氫呋喃基、金剛烷基及四氫吡喃基等。
此外，所述式(a1-10)中，較佳為R101及R102的任一者為氫原子或甲基。
用以形成具有所述式(a1-10)所表示的保護羧基的構成單元的自由基聚合性單體可使用市售的自由基聚合性單體，亦可使用以公知的方法來合成的自由基聚合性單體。所述的自由基聚 合性單體例如可利用日本專利特開2011-221494號公報的段落編號0037~段落編號0040中記載的合成方法等來合成，該內容可併入至本說明書中。
所述構成單元(a1-1)的第一較佳形態為下述式A2'所表示的構成單元。
Figure 105119667-A0305-02-0019-7
式中，R1及R2分別獨立地表示氫原子、烷基或芳基，R1及R2的至少一者為烷基或芳基，R3表示烷基或芳基，R1或R2、與R3亦可連結而形成環狀醚，R4表示氫原子或甲基，X表示單鍵或伸芳基。
於R1及R2為烷基的情況下，較佳為碳數1~10的烷基。於R1及R2為芳基的情況下，較佳為苯基。R1及R2分別獨立地較佳為氫原子或碳數1~4的烷基。
R3表示烷基或芳基，較佳為碳數1~10的烷基，更佳為1~6的烷基。
X表示單鍵或伸芳基，較佳為單鍵。
所述構成單元(a1-1)的第二較佳形態為下述式(1-12)所表示的構成單元。
Figure 105119667-A0305-02-0020-8
(式(1-12)中，R121表示氫原子或碳數1~4的烷基，L1表示羰基或伸苯基，R122~R128分別獨立地表示氫原子或碳數1~4的烷基)
R121較佳為氫原子或甲基。L1較佳為羰基。R122~R128較佳為氫原子。
所述構成單元(a1-1)的較佳具體例可例示下述的構成單元。此外，R表示氫原子或甲基。
Figure 105119667-A0305-02-0020-10
<<<具有由酸分解性基所保護的保護酚性羥基的構成單元(a1-2)>>>
具有由酸分解性基所保護的保護酚性羥基的構成單元(a1-2)可列舉羥基苯乙烯系構成單元或酚醛清漆系樹脂中的構成單元。
該些構成單元中，就感度的觀點而言，較佳為由羥基苯乙烯、或者α-甲基羥基苯乙烯而來的構成單元。
另外，作為具有酚性羥基的構成單元，就感度的觀點而言，亦較佳為日本專利特開2014-238438號公報的段落0065~段落0073中記載的構成單元。
(構成單元(a1)的較佳形態)
於含有所述構成單元(a1)的聚合體實質上不含構成單元(a2)的情況下，構成單元(a1)的含量較佳為聚合體的構成單元的20莫耳%~100莫耳%，更佳為30莫耳%~90莫耳%。此外，所謂實質上不具有構成單元(a2)，是指聚合體的全部構成單元中，構成單元(a2)的含量較佳為0.5莫耳%以下，更佳為0.1莫耳%以下，進而更佳為不含構成單元(a2)。
於含有所述構成單元(a1)的聚合體含有構成單元(a2)的情況下，構成單元(a1)的含量較佳為聚合體的構成單元的3莫耳%~70莫耳%，更佳為10莫耳%~60莫耳%。另外，特別是於為所述構成單元(a1)中可使用的所述酸分解性基具有羧基以縮醛的形式被保護的保護羧基的構成單元的情況下，較佳為20莫耳%~50莫耳%。
另外，構成單元(a1)的含量較佳為聚合體成分的構成單元的3莫耳%~70莫耳%，更佳為10莫耳%~60莫耳%，尤佳為20莫耳%~50莫耳%。
此外，本發明中，於以莫耳比來規定「構成單元」的含量的 情況下，「構成單元」設為與「單體單元」為相同含義者。另外，本發明中「單體單元」亦可藉由高分子反應等而於聚合後加以修飾。以下亦相同。
與所述構成單元(a1-2)相比，所述構成單元(a1-1)具有顯影快速的特徵。因此，於欲快速顯影的情況下，較佳為構成單元(a1-1)。相反於欲緩慢顯影的情況下，較佳為使用構成單元(a1-2)。
<<具有交聯性基的構成單元(a2)>>
聚合體成分A較佳為包括具有交聯性基的構成單元(a2)。依據該形態，可獲得耐熱性優異的硬化膜。
交聯性基若為於一氣壓下的加熱處理時的交聯反應的起始溫度為100℃以上的基團，則並無特別限定。交聯反應的起始溫度可使用公知的方法來進行分析，例如可藉由使用示差掃描熱析法(Differential scanning calorimetry，DSC)測定的方法來進行分析。
具有交聯性基的構成單元的形態可列舉包含選自由環氧基、氧雜環丁基、-NH-CH2-O-R(R為氫原子或碳數1~20的烷基)所表示的基團及乙烯性不飽和基所組成的群組中的至少一者的構成單元。
交聯性基較佳為選自環氧基、氧雜環丁基及-NH-CH2-O-R(R為氫原子或碳數1~20的烷基)所表示的基團中的至少一種，更佳為環氧基及/或氧雜環丁基。
<<<具有環氧基及/或氧雜環丁基的構成單元(a2-1)>>>
聚合體成分A較佳為含有包括具有環氧基及/或氧雜環丁基的構成單元(a2-1)的聚合體。此外，三員環的環狀醚基亦稱為環氧基，四員環的環狀醚基亦稱為氧雜環丁基。
所述構成單元(a2-1)若於一個構成單元中具有至少一個環氧基或氧雜環丁基即可。雖無特別限定，但較佳為合計具有一個~三個環氧基及/或氧雜環丁基，更佳為具有一個或兩個，尤佳為具有一個環氧基或氧雜環丁基。
用以形成具有環氧基的構成單元的自由基聚合性單體的具體例例如可列舉：丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、α-乙基丙烯酸縮水甘油酯、α-正丙基丙烯酸縮水甘油酯、α-正丁基丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸3,4-環氧基丁酯、甲基丙烯酸3,4-環氧基丁酯、丙烯酸3,4-環氧基環己基甲酯、甲基丙烯酸3,4-環氧基環己基甲酯、α-乙基丙烯酸3,4-環氧基環己基甲酯、鄰乙烯基苄基縮水甘油醚、間乙烯基苄基縮水甘油醚、對乙烯基苄基縮水甘油醚、日本專利第4168443號公報的段落編號0031~段落編號0035中記載的含有脂環式環氧骨架的化合物等，該些內容可併入至本說明書中。
用以形成具有氧雜環丁基的構成單元的自由基聚合性單體的具體例例如可列舉：日本專利特開2001-330953號公報的段落編號0011~段落編號0016中記載的具有氧雜環丁基的(甲基)丙烯酸 酯、或日本專利特開2012-088459公報的段落編號0027中記載的化合物等，該些內容可併入至本說明書中。
該些化合物中較佳的單體為：甲基丙烯酸縮水甘油酯、丙烯酸3,4-環氧基環己基甲酯、甲基丙烯酸3,4-環氧基環己基甲酯、鄰乙烯基苄基縮水甘油醚、間乙烯基苄基縮水甘油醚、對乙烯基苄基縮水甘油醚、丙烯酸(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲酯、以及甲基丙烯酸(3-乙基氧雜環丁烷-3-基)甲酯。
該些單體可單獨使用一種或者將兩種以上組合使用。
所述構成單元(a2-1)的較佳具體例可例示下述的構成單元。此外，下述的構成單元中，R表示氫原子或甲基。
Figure 105119667-A0305-02-0024-15
<<<具有乙烯性不飽和基的構成單元(a2-2)>>>
所述具有交聯性基的構成單元(a2)之一可列舉具有乙烯性不飽和基的構成單元(a2-2)。構成單元(a2-2)較佳為側鏈上具有乙烯性不飽和基的構成單元，更佳為具有碳數3~16的側鏈，且於側鏈末端具有乙烯性不飽和基的構成單元。
除此以外，關於構成單元(a2-2)，可列舉日本專利特開2011-215580號公報的段落編號0072~段落編號0090的記載以及 日本專利特開2008-256974的段落編號0013~段落編號0031中記載的化合物等作為較佳者，該些內容可併入至本說明書中。
<<<具有-NH-CH2-O-R(R為氫原子或碳數1~20的烷基)所表示的基團的構成單元(a2-3)>>>
構成單元(a2)亦較佳為具有-NH-CH2-O-R(R為氫原子或碳數1~20的烷基)所表示的基團的構成單元(a2-3)。藉由包括構成單元(a2-3)，可利用緩慢的加熱處理引起硬化反應，可獲得各特性優異的硬化膜。R較佳為碳數1~9的烷基，更佳為碳數1~4的烷基。另外，烷基可為直鏈、分支或環狀的烷基的任一者，較佳為直鏈或分支的烷基。構成單元(a2-3)更佳為下述式(a2-30)所表示的構成單元。
Figure 105119667-A0305-02-0025-16
式(a2-30)中，R1表示氫原子或甲基，R2表示氫原子或碳數1~20的烷基。
R2較佳為碳數1~9的烷基，尤佳為碳數1~4的烷基。另外，烷基可為直鏈、分支或環狀的烷基的任一者，較佳為直鏈或分支的烷基。
R2的具體例可列舉：甲基、乙基、正丁基、異丁基、環己基、 以及正己基。其中較佳為異丁基、正丁基、甲基。
(構成單元(a2)的較佳形態)
於含有所述構成單元(a2)的聚合體實質上不含構成單元(a1)的情況下，構成單元(a2)的含量較佳為聚合體的全部構成單元的5莫耳%~90莫耳%，更佳為20莫耳%~80莫耳%。此外，所謂實質上不含構成單元(a1)的聚合體，是指於聚合體的全部構成單元中，構成單元(a1)的含量較佳為0.5莫耳%以下，更佳為0.1莫耳%以下，進而更佳為不含構成單元(a1)。
於含有所述構成單元(a2)的聚合體含有所述構成單元(a1)的情況下，構成單元(a2)的含量較佳為聚合體的全部構成單元的3莫耳%~70莫耳%，更佳為10莫耳%~60莫耳%。
本發明中，進而不論哪一種形態，於聚合體成分A的全部構成單元中，構成單元(a2)的含量均較佳為3莫耳%~70莫耳%，更佳為10莫耳%~60莫耳%。藉由設為所述的數值範圍內，可形成各特性優異的硬化膜。
另外，本發明的聚合體成分亦可設為實質上不含構成單元(a2)的形態。所謂實質上不含構成單元(a2)，是指例如於聚合體成分A的全部構成單元中，構成單元(a2)的含量較佳為1莫耳%以下，更佳為0.5莫耳%以下，進而更佳為不含。
<<具有酸基的構成單元(a3)>>
本發明中，聚合體成分A亦可包括具有酸基的構成單元(a3)。構成單元(a3)可包含於包括所述構成單元(a1)的聚合 體中，亦可包含於實質上不含所述構成單元(a1)的聚合體中。藉由聚合體成分包括構成單元(a3)，則容易溶解於鹼性的顯影液中，顯影性得到提高。進而感度優異。
酸基可例示：羧基、磺醯胺基、膦酸基、磺酸基、酚性羥基、磺醯胺基、磺醯亞胺基、以及該些酸基的酸酐基，較佳為羧基及/或酚性羥基。即，構成單元(a3)較佳為具有羧基的構成單元、以及具有酚性羥基的構成單元。
構成單元(a3)更佳為由苯乙烯而來的構成單元、由乙烯基化合物而來的構成單元、由(甲基)丙烯酸及/或其酯而來的構成單元。例如可使用日本專利特開2012-88459號公報的段落0021~段落0023以及段落0029~段落0044記載的化合物，該內容可併入至本說明書中。其中，較佳為由對-羥基苯乙烯、(甲基)丙烯酸、順丁烯二酸、順丁烯二酸酐而來的構成單元。
包括構成單元(a3)的聚合體較佳為側鏈上具有羧基的聚合體。例如可列舉：如日本專利特開昭59-44615號、日本專利特公昭54-34327號、日本專利特公昭58-12577號、日本專利特公昭54-25957號、日本專利特開昭59-53836號、日本專利特開昭59-71048號的各公報中所記載般的甲基丙烯酸共聚物、丙烯酸共聚物、衣康酸共聚物、丁烯酸共聚物、順丁烯二酸共聚物、部分酯化順丁烯二酸共聚物等，以及側鏈上具有羧基的酸性纖維素衍生物、於具有羥基的聚合物中加成有酸酐者等，進而，亦可列舉側鏈上具有(甲基)丙烯醯基的聚合體作為較佳者。
例如可列舉：(甲基)丙烯酸苄酯/(甲基)丙烯酸共聚物、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯/(甲基)丙烯酸苄酯/(甲基)丙烯酸共聚物、日本專利特開平7-140654號公報中記載的(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯/聚苯乙烯巨單體/甲基丙烯酸苄酯/甲基丙烯酸共聚物、丙烯酸2-羥基-3-苯氧基丙酯/聚甲基丙烯酸甲酯巨單體/甲基丙烯酸苄酯/甲基丙烯酸共聚物、甲基丙烯酸2-羥基乙酯/聚苯乙烯巨單體/甲基丙烯酸甲酯/甲基丙烯酸共聚物、甲基丙烯酸2-羥基乙酯/聚苯乙烯巨單體/甲基丙烯酸苄酯/甲基丙烯酸共聚物等。
除此以外，亦可使用：日本專利特開平7-207211號公報、日本專利特開平8-259876號公報、日本專利特開平10-300922號公報、日本專利特開平11-140144號公報、日本專利特開平11-174224號公報、日本專利特開2000-56118號公報、日本專利特開2003-233179號公報、日本專利特開2009-52020號公報等中記載的公知的高分子化合物，該些內容可併入至本說明書中。
該些聚合體亦可使用市售的：SMA 1000P、SMA 2000P、SMA 3000P、SMA 1440F、SMA 17352P、SMA 2625P、SMA 3840F(以上，沙多瑪(Sartomer)公司製造)，阿魯方(ARUFON)UC-3000、阿魯方(ARUFON)UC-3510、阿魯方(ARUFON)UC-3900、阿魯方(ARUFON)UC-3910、阿魯方(ARUFON)UC-3920、阿魯方(ARUFON)UC-3080(以上，東亞合成(股)製造)，莊克力(Joncryl)690、莊克力(Joncryl)678、莊克力(Joncryl)67、莊克力(Joncryl)586(以上，巴斯夫(BASF)製造)等。
(構成單元(a3)的較佳形態)
於包括所述構成單元(a3)的聚合體包括構成單元(a1)及構成單元(a2)的情況下，相對於聚合體的全部構成單元，構成單元(a3)的含量較佳為1莫耳%~30莫耳%，更佳為3莫耳%~20莫耳%，尤佳為5莫耳%~15莫耳%。
於包括所述構成單元(a3)的聚合體僅包括構成單元(a1)及構成單元(a2)的任一者的情況下，相對於聚合體的全部構成單元，構成單元(a3)的含量較佳為1莫耳%~50莫耳%，更佳為5莫耳%~45莫耳%，尤佳為10莫耳%~40莫耳%。
於含有所述構成單元(a3)的聚合體實質上不含構成單元(a1)及構成單元(a2)的情況下，相對於聚合體的全部構成單元，構成單元(a3)的含量較佳為1莫耳%~50莫耳%，更佳為2莫耳%~40莫耳%，尤佳為3莫耳%~30莫耳%。
本發明中，進而不論哪一種形態，於聚合體成分A的全部構成單元中，構成單元(a3)的含量均較佳為1莫耳%~80莫耳%，更佳為1莫耳%~50莫耳%，尤佳為5莫耳%~40莫耳%，特佳為5莫耳%~30莫耳%，最佳為5莫耳%~25莫耳%。
<<(a4)其他構成單元>>
聚合體成分A除了包括構成單元(a1)以外，亦可包括除所述構成單元(a1)~構成單元(a3)以外的其他構成單元(a4)。構成單元(a4)亦可包含於包括構成單元(a1)的聚合體中。另外，亦可包含於實質上不含構成單元(a1)的聚合體中。
成為構成單元(a4)的單體並無特別限制，例如可列舉：苯乙烯類、(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環狀烷基酯、(甲基)丙烯酸芳基酯、不飽和二羧酸二酯、雙環不飽和化合物類、順丁烯二醯亞胺化合物類、不飽和芳香族化合物、共軛二烯系化合物、不飽和單羧酸、不飽和二羧酸、不飽和二羧酸酐、其他的不飽和化合物。
具體而言可列舉：苯乙烯、甲基苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙醯氧基苯乙烯、甲氧基苯乙烯、乙氧基苯乙烯、氯苯乙烯、乙烯基苯甲酸甲酯、乙烯基苯甲酸乙酯、4-羥基苯甲酸(3-甲基丙烯醯氧基丙基)酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯醯基嗎啉、N-環己基順丁烯二醯亞胺、丙烯腈、乙二醇單乙醯乙酸酯單(甲基)丙烯酸酯等。除此以外，可列舉日本專利特開2004-264623號公報的段落編號0021~段落編號0024中記載的化合物。
就電特性的觀點而言，構成單元(a4)較佳為具有苯乙烯類或脂肪族環式骨架的構成單元。具體而言可列舉：苯乙烯、甲基苯乙烯、羥基苯乙烯、α-甲基苯乙烯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸苄酯等。
就密接性的觀點而言，構成單元(a4)較佳為(甲基)丙 烯酸烷基酯。具體而言可列舉：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯等，更佳為(甲基)丙烯酸甲酯。
構成聚合體的全部構成單元中，所述構成單元(a4)的含量較佳為60莫耳%以下，更佳為50莫耳%以下，尤佳為40莫耳%以下。下限值可為0莫耳%，例如較佳為設為1莫耳%以上，更佳為設為5莫耳%以上。若為所述的數值範圍內，則硬化膜的各特性變得良好。
(聚合體成分A的較佳實施形態)
以下列舉聚合體成分A的較佳實施形態，但本發明並不限定於該些實施形態。
(第一實施形態)
於所述(1)的形態中，包括構成單元(a1)及構成單元(a2)的聚合體Ax1更包括一種或兩種以上的構成單元(a3)及/或構成單元(a4)的形態。
(第二實施形態)
於所述(2)的形態中，包括構成單元(a1)的聚合體Ax2更包括一種或兩種以上的構成單元(a3)及/或構成單元(a4)的形態。
(第三實施形態)
於所述(2)的形態中，包括構成單元(a2)的聚合體Ax3更包括一種或兩種以上的構成單元(a3)及/或構成單元(a4)的 形態。
(第四實施形態)
於所述第一實施形態~第三實施形態的任一者中，聚合體包括構成單元(a3)的形態。
(第五實施形態)
於所述(1)及/或(2)的形態中，更包含聚合體Ax4的形態，所述聚合體Ax4實質上不包括構成單元(a1)及構成單元(a2)，而是包括構成單元(a3)及/或構成單元(a4)。
(第六實施形態)
包含所述第一實施形態~第五實施形態中的兩種以上的組合的形態。
所述第五實施形態中，包括構成單元(a1)及/或構成單元(a2)的聚合體的合計量、與所述聚合體Ax4的質量比例較佳為99：1~5：95，更佳為97：3~30：70，尤佳為95：5~50：50。
本發明的感光性組成物較佳為以感光性組成物的固體成分的70質量%以上的比例包含聚合體成分A，更佳為70質量%~99質量%。
<<聚合體成分A的分子量>>
聚合體成分A中所含的聚合體的重量平均分子量較佳為1,000~200,000，更佳為2,000~50,000。若為所述範圍內，則各特性良好。重量平均分子量(Mw)與數量平均分子量(Mn)的比即分散度(Mw/Mn)較佳為1.0~5.0，更佳為1.5~3.5。
<<聚合體成分A的製造方法>>
聚合體成分A的製造方法已知有多種方法，若列舉一例，則可藉由在有機溶劑中，使用自由基聚合起始劑，使包含用以形成所述各構成單元的自由基聚合性單體的混合物進行聚合來合成。另外，亦可藉由所謂的高分子反應來合成。聚合體成分A較佳為相對於全部構成單元，含有50莫耳%以上的由(甲基)丙烯酸及/或其酯而來的構成單元，更佳為含有80莫耳%以上。
<光酸產生劑B>
本發明的感光性組成物含有產生pKa為3以下的酸的光酸產生劑B。光酸產生劑較佳為對波長300nm以上、較佳為波長300nm~450nm的光化射線進行感應而產生酸的化合物，但對其化學結構並無限制。另外，關於對波長300nm以上的光化射線並不直接感應的光酸產生劑，若為藉由與增感劑併用而對波長300nm以上的光化射線進行感應，從而產生酸的化合物，則亦可與增感劑組合而較佳地使用。本發明中使用的光酸產生劑較佳為產生pKa為3以下的酸的光酸產生劑，更佳為產生pKa為2以下的酸的光酸產生劑。此外，本發明中，pKa基本上是指於25℃的水中的pKa。水中無法測定者是指變更為適合於測定的溶劑來測定者。具體而言，可參考化學便覽等中記載的pKa。pKa為3以下的酸較佳為磺酸或膦酸，更佳為磺酸。
光酸產生劑的例子可列舉：鎓鹽化合物、三氯甲基-均三嗪類、鋶鹽、錪鹽、四級銨鹽類、重氮甲烷化合物、醯亞胺磺 酸酯化合物、以及肟磺酸酯化合物等。
該些化合物中，較佳為鎓鹽化合物、醯亞胺磺酸酯化合物、肟磺酸酯化合物，特佳為鎓鹽化合物、肟磺酸酯化合物。光酸產生劑可單獨使用一種或者將兩種以上組合使用。
三氯甲基-均三嗪類、二芳基錪鹽類、三芳基鋶鹽類、四級銨鹽類、以及重氮甲烷化合物的具體例可例示：日本專利特開2011-221494號公報的段落編號0083~段落編號0088中記載的化合物、或日本專利特開2011-105645號公報的段落編號0013~段落編號0049中記載的化合物，該些內容可併入至本說明書中。
醯亞胺磺酸酯化合物的具體例可例示：WO2011/087011號公報的段落編號0065~段落編號0075中記載的化合物，該些內容可併入至本說明書中。
鎓鹽可較佳地例示二芳基錪鹽類或三芳基鋶鹽類。
二芳基錪鹽類可較佳地列舉：二苯基錪三氟乙酸鹽、二苯基錪三氟甲磺酸鹽、4-甲氧基苯基苯基錪三氟甲磺酸鹽、4-甲氧基苯基苯基錪三氟乙酸鹽、苯基，4-(2'-羥基-1'-十四烷氧基)苯基錪三氟甲磺酸鹽、4-(2'-羥基-1'-十四烷氧基)苯基錪六氟銻酸鹽、苯基，4-(2'-羥基-1'-十四烷氧基)苯基錪-對甲苯磺酸鹽。
三芳基鋶鹽類可較佳地列舉：三苯基鋶三氟甲磺酸鹽、三苯基鋶三氟乙酸鹽、4-甲氧基苯基二苯基鋶三氟甲磺酸鹽、4-甲氧基苯基二苯基鋶三氟乙酸鹽、4-苯基硫代苯基二苯基鋶三氟甲磺酸鹽、或者4-苯基硫代苯基二苯基鋶三氟乙酸鹽。
肟磺酸酯化合物、即具有肟磺酸酯結構的化合物可較佳地例示含有下述式(B1-1)所表示的肟磺酸酯結構的化合物。
Figure 105119667-A0305-02-0035-17
式(B1-1)中，R21表示烷基或芳基。波形線表示與其他基團的鍵結。
式(B1-1)中，R21所表示的烷基及芳基亦可被取代。另外，R21所表示的烷基可為直鏈狀，可為分支狀，亦可為環狀。
R21所表示的烷基較佳為碳數1~10的直鏈或分支的烷基。R21的烷基亦可經鹵素原子、碳數6~11的芳基、碳數1~10的烷氧基、或者環狀烷基(包含7,7-二甲基-2-氧代降冰片基等橋環式脂環基，較佳為雙環烷基等)所取代。
R21所表示的芳基較佳為碳數6~11的芳基，更佳為苯基或萘基。R21的芳基亦可經低級烷基、烷氧基或鹵素原子所取代。
含有所述式(B1-1)所表示的肟磺酸酯結構的所述化合物亦較佳為日本專利特開2014-238438號公報段落0108~段落0133中記載的肟磺酸酯化合物。
醯亞胺磺酸酯系化合物較佳為萘醯亞胺系化合物，可參考國際公開WO11/087011號小冊子的記載，該些內容可併入至本說明書中。本發明中可特佳地列舉：三氟甲基磺醯氧基雙環[2.2.1]庚-5-烯二羧基醯亞胺、丁二醯亞胺三氟甲基磺酸酯、鄰苯二甲醯 亞胺三氟甲基磺酸酯、N-羥基萘二甲醯亞胺甲磺酸酯、N-羥基-5-降冰片烯-2,3-二羧基醯亞胺丙磺酸酯。
本發明的感光性組成物中，相對於感光性組成物的總固體成分100質量份，光酸產生劑的含量較佳為0.1質量份~20質量份。下限例如更佳為0.2質量份以上，尤佳為0.5質量份以上。上限例如更佳為10質量份以下，尤佳為5質量份以下。
<溶劑C>
本發明的感光性組成物含有溶劑C。本發明的感光性組成物較佳為以將本發明的必需成分、與進而後述的任意成分溶解於溶劑中而成的溶液的形式製備。溶劑較佳為將必需成分以及任意成分溶解，且不與各成分反應者。
本發明中，溶劑可使用公知的溶劑。例如可例示：乙二醇單烷基醚類、乙二醇二烷基醚類、乙二醇單烷基醚乙酸酯類、丙二醇單烷基醚類、丙二醇二烷基醚類、丙二醇單烷基醚乙酸酯類、二乙二醇二烷基醚類(例如二乙二醇二乙醚、二乙二醇甲基乙基醚等)、二乙二醇單烷基醚乙酸酯類、二丙二醇單烷基醚類、二丙二醇二烷基醚類、二丙二醇單烷基醚乙酸酯類、酯類、酮類、醯胺類、內酯類等。另外，亦可列舉：日本專利特開2011-221494號公報的段落編號0174~段落編號0178中記載的溶劑、日本專利特開2012-194290公報的段落編號0167~0168中記載的溶劑，該些內容可併入至本說明書中。
另外，亦可於該些溶劑中，進而視需要來添加：苄基乙 醚、二己醚、乙二醇單苯醚乙酸酯、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、異佛爾酮、己酸、辛酸、1-辛醇、1-壬醇、苄基醇、苯甲醚、乙酸苄酯、苯甲酸乙酯、乙二酸二乙酯、順丁烯二酸二乙酯、碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯等溶劑。該些溶劑可單獨使用一種或者將兩種以上混合使用。
溶劑可單獨使用一種，亦可使用兩種以上。於使用兩種以上的情況下，例如尤佳為將丙二醇單烷基醚乙酸酯類與二烷基醚類、二乙酸酯類與二乙二醇二烷基醚類、或酯類與丁二醇烷基醚乙酸酯類併用。
溶劑較佳為沸點130℃以上且小於160℃的溶劑、沸點160℃以上的溶劑、或者該些溶劑的混合物。
沸點130℃以上且小於160℃的溶劑可例示：丙二醇單甲醚乙酸酯(沸點146℃)、丙二醇單乙醚乙酸酯(沸點158℃)、丙二醇甲基-正丁醚(沸點155℃)、丙二醇甲基-正丙醚(沸點131℃)。
沸點160℃以上的溶劑可例示：3-乙氧基丙酸乙酯(沸點170℃)、二乙二醇甲基乙基醚(沸點176℃)、丙二醇單甲醚丙酸酯(沸點160℃)、二丙二醇甲醚乙酸酯(沸點213℃)、3-甲氧基丁醚乙酸酯(沸點171℃)、二乙二醇二乙醚(沸點189℃)、二乙二醇二甲醚(沸點162℃)、丙二醇二乙酸酯(沸點190℃)、二乙二醇單乙醚乙酸酯(沸點220℃)、二丙二醇二甲醚(沸點175℃)、1,3-丁二醇二乙酸酯(沸點232℃)。
相對於感光性組成物中的總成分100質量份，本發明的 感光性組成物中的溶劑的含量較佳為50質量份~95質量份。下限更佳為60質量份以上。上限更佳為90質量份以下。溶劑可僅使用一種，亦可使用兩種以上。於使用兩種以上的情況下，較佳為其合計量成為所述範圍。
<化合物S>
本發明的感光性組成物包含具有式S1所表示的結構及式S2所表示的結構的化合物S。以下，將式S1所表示的結構亦稱為結構S1。另外，將式S2所表示的結構亦稱為結構S2。此外，本發明中，化合物S是與所述聚合體成分A不同的成分。
Figure 105119667-A0305-02-0038-19
式中，波形線表示與構成化合物S的原子團的鍵結位置，R1表示烷基，R2表示氫原子或烷基，L1表示單鍵或二價連結基，於L1表示二價連結基的情況下，R1亦可與L1鍵結而形成環，Rf表示具有三個以上氟原子的氟烷基，L100表示碳數1~12的伸烷基或羰基，R100表示氫原子、羥基或碳數1~12的烷基，n表示0~30的整數，當n為0時，R100表示羥基， 當n為1時，L100表示碳數1~12的伸烷基或羰基，R100表示氫原子或碳數1~6的烷基，當n為2~30時，L100表示碳數1~12的伸烷基，R100表示氫原子或碳數1~12的烷基，多個L100可相同，亦可不同。
首先，對結構S1進行說明。
式S1中，R1表示烷基。烷基的碳數較佳為1~10，更佳為1~6，尤佳為1~3，特佳為1或2，最佳為1。烷基可為直鏈、分支及環狀的任一種，較佳為直鏈或分支，更佳為直鏈。
於L1表示二價連結基的情況下，R1亦可與L1鍵結而形成環。R1與L1鍵結而形成的環例如可列舉四氫呋喃基及四氫吡喃基。
式S1中，R2表示氫原子或烷基。烷基可列舉R1中所說明的烷基，較佳範圍亦相同。R2較佳為氫原子。
式S1中，L1表示單鍵或二價連結基。
二價連結基可列舉：伸烷基、伸芳基及將該些基團組合而成的基團。
伸烷基的碳數較佳為1~12，更佳為1~10，尤佳為1~6，特佳為1~4。伸烷基較佳為直鏈或環狀，更佳為直鏈。伸烷基亦可經由選自醚鍵、酯鍵及醯胺鍵中的一種以上的鍵來連結，亦可不具有該些鍵。伸烷基較佳為不具有所述鍵。另外，伸烷基可為未經取代，亦可具有取代基，較佳為未經取代。取代基可例示鹵素原子。鹵素原子可例示：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子，較佳為氟原子。
伸芳基的碳數較佳為6~20，更佳為6~12。伸芳基可為未經取代，亦可具有取代基。較佳為未經取代。取代基可例示鹵素原子。鹵素原子可例示：氟原子、氯原子、溴原子、碘原子，較佳為氟原子。
L1較佳為單鍵或伸烷基，更佳為伸烷基。
式S1中，Rf表示具有三個以上氟原子的氟烷基。氟烷基的碳數較佳為1~12。下限較佳為3以上，更佳為4以上。上限較佳為10以下，更佳為8以下，尤佳為6以下。
Rf所表示的氟烷基可為直鏈、分支及環狀的任一種，較佳為直鏈或環狀，更佳為直鏈。依據該形態，可使塗佈性良好。進而，可進一步提高與積層於硬化膜上的上層的密接性。
本發明中，Rf較佳為全氟烷基。全氟烷基的碳數較佳為3~6，尤佳為4~6。依據該形態，可使塗佈性良好。進而，可進一步提高與積層於硬化膜上的上層的密接性。
此外，本發明中，所謂氟烷基是指烷基的氫原子的至少一部分經氟原子所取代的烷基。即，所謂氟烷基是具有氟原子作為取代基的烷基。另外，所謂全氟烷基是氟烷基的一種，是指烷基的氫原子全部經氟原子所取代的烷基。
式S1中，L1與Rf的組合的較佳具體例可列舉以下。可列舉：CF3CH2CH2-、CF3CF2CH2CH2-、CF3(CF2)2CH2CH2-、CF3(CF2)3CH2CH2-、CF3(CF2)4CH2CH2-、CF3(CF2)5CH2CH2-、CF3(CF2)6CH2CH2-、CF3(CF2)7CH2CH2-、(CF3)3CCH2CH2-等。其中， 較佳為：CF3(CF2)3CH2CH2-、CF3(CF2)4CH2CH2-、CF3(CF2)5CH2CH2-、(CF3)3CCH2CH2-，特佳為CF3(CF2)5CH2CH2-。
繼而，對結構S2進行說明。
式S2中，L100表示碳數1~12的伸烷基或羰基，R100表示氫原子、羥基或碳數1~12的烷基，n表示0~30的整數。
式S2中，L100所表示的伸烷基的碳數較佳為1~12，更佳為1~6，尤佳為2~4。L100所表示的伸烷基較佳為直鏈、分支，更佳為分支。L100所表示的伸烷基的分支數較佳為1~2，更佳為1。L100所表示的伸烷基亦可具有取代基，較佳為未經取代。
式S2中，R100所表示的烷基的碳數較佳為1~12，更佳為1~6，尤佳為1~3。R100所表示的烷基較佳為直鏈、分支，更佳為直鏈。R100所表示的烷基亦可具有取代基，較佳為未經取代。
式S2中，n表示0~30的整數。下限較佳為1以上，更佳為2以上，尤佳為3以上。上限較佳為20以下，更佳為15以下。
此外，n表示0~30的整數，但本發明的感光性組成物亦可包含多種化合物S中的n不同者。因此，存在本發明的感光性組成物中所含的化合物S的n的平均值無法成為整數的情況。本發明中，一個化合物S中的n較佳為表示0~30的整數。
式S2中，當n為0時，R100表示羥基，當n為1時，L100表示碳數1~12的伸烷基或羰基，R100表 示氫原子或碳數1~6的烷基，當n為2~30時，L100表示碳數1~12的伸烷基，R100表示氫原子或碳數1~12的烷基，多個L100可相同，亦可不同。
依據該形態，容易獲得優異的親水性。特別就提高親水性的觀點而言，式S2較佳為以下的(1)~(3)的形態，更佳為(2)或(3)的形態，尤佳為(3)的形態。
(1)n為0且R100表示羥基的結構。
(2)n為1，L100表示碳數1~12的伸烷基或羰基，且R100表示氫原子的結構。
(3)n為2~30，L100為碳數1~12的伸烷基，且R100表示氫原子或碳數1~12的烷基的結構。
化合物S可僅具有一個結構S1，亦可具有兩個以上。另外，於具有兩個以上結構S1的情況下，可為相同的結構，亦可為不同的結構。
另外，化合物S可僅具有一個結構S2，亦可具有兩個以上。另外，於具有兩個以上結構S2的情況下，可為相同的結構，亦可為不同的結構。
相對於聚合體成分A的100質量份，本發明的感光性組成物較佳為含有0.001質量份~20質量份的化合物S。下限較佳為0.005質量份以上，更佳為0.01質量份以上。上限較佳為15質量份以下，更佳為10質量份以下，尤佳為5質量份以下，特佳為2質量份以下。
本發明中，化合物S可為低分子化合物，亦可為聚合體。就塗佈性的觀點而言，化合物S較佳為聚合體。
(化合物S為低分子化合物的情況)
於化合物S為低分子化合物的情況下，化合物S較佳為下述式S-100所表示的化合物。
Figure 105119667-A0305-02-0043-20
R1表示烷基，R2表示氫原子或烷基，L1表示單鍵或二價連結基，於L1表示二價連結基的情況下，R1亦可與L1鍵結而形成環，Rf表示具有三個以上氟原子的氟烷基，L100表示碳數1~12的伸烷基或羰基，R100表示氫原子、羥基或碳數1~12的烷基，n表示0~30的整數，當n為0時，R100表示羥基，當n為1時，L100表示碳數1~12的伸烷基或羰基，R100表示氫原子或碳數1~6的烷基，當n為2~30時，L100表示碳數1~12的伸烷基，R100表示氫原子或碳數1~12的烷基，多個L100可相同，亦可不同，A表示單鍵或者(p+q)價連結基， p及q分別獨立地表示1以上的整數，於A為單鍵的情況下，p及q分別表示1。
式S-100中，R1、R2、L1、Rf、L100、R100及n與所述式S1及式S2中所說明的範圍為相同含義。
式S-100中，A表示單鍵或(p+q)價連結基。
(p+q)價連結基包含由1個至100個碳原子、0個至10個氮原子、0個至50個氧原子、1個至200個氫原子、以及0個至20個硫原子所組成的基團。
(p+q)價連結基可列舉下述結構單元或者以下的結構單元組合兩個以上而構成的基團(亦可形成環結構)作為具體例。
Figure 105119667-A0305-02-0044-21
式S-100中，p及q分別獨立地表示1以上的整數。p與q的合計數的上限並無特別限定，可設為10以下，亦可設為6以下。下限為2以上。
於化合物S為低分子化合物的情況下，化合物S的分子 量較佳為100~1000。下限較佳為120以上，更佳為150以上。上限較佳為500以下，更佳為400以下。此外，於可根據結構式來計算的情況下，低分子化合物的分子量為根據結構式而求出的理論值，於無法根據結構式來計算的情況下，低分子化合物的分子量為藉由依據後述實施例中記載的方法的GPC測定而得的聚苯乙烯換算值的重量平均分子量。
低分子化合物的具體例可列舉下述化合物。此外，以下，Rfa表示碳數3~8的直鏈或分支的全氟烷基。Rfa較佳為碳數4~6的直鏈的全氟烷基。
Figure 105119667-A0305-02-0045-23
(化合物S為聚合體的情況)
於化合物S為聚合體的情況下，化合物S較佳為包括側鏈上具有結構S1的構成單元S1-1、以及側鏈上具有結構S1的構成單元S2-1的聚合體。
構成單元S1-1及構成單元S2-1的主鏈結構可列舉丙烯酸系、苯乙烯系、環烯烴系等，較佳為丙烯酸系。丙烯酸系的主鏈結構例如可列舉下述P1所表示的結構。苯乙烯系的主鏈結構例如可列舉下述P2所表示的結構。環烯烴系的主鏈結構例如可列舉下述P3所表示的結構。式中，R11表示氫原子或碳數1~3的烷基，*表示與側鏈的鍵結位置。
Figure 105119667-A0305-02-0046-24
作為構成單元S1-1為丙烯酸系主鏈結構的具體例，例如可列舉下述S1-2所表示的結構。作為構成單元S1-1為苯乙烯系主鏈結構的具體例，例如可列舉下述S1-100所表示的結構。作為構成單元S1-1為環烯烴系主鏈結構的具體例，例如可列舉下述S1-200所表示的結構。
另外，作為構成單元S2-1為丙烯酸系主鏈結構的具體例，例如可列舉下述S2-2所表示的結構。作為構成單元S2-1為苯乙烯系主鏈結構的具體例，例如可列舉下述S2-100所表示的結構。作為構成單元S2-1為環烯烴系主鏈結構的具體例，例如可列舉下述S2-200所表示的結構。
Figure 105119667-A0305-02-0046-25
式S1-2、式S1-100及式S1-200中， R11表示氫原子或碳數1~3的烷基，R12表示烷基，R13表示氫原子或烷基，L10表示單鍵或二價連結基，於L10表示二價連結基的情況下，R12亦可與L10鍵結而形成環，Rf表示具有三個以上氟原子的氟烷基。
式S2-2中，R11表示氫原子或碳數1~3的烷基，L101表示碳數1~12的伸烷基，R101表示氫原子或碳數1~12的烷基，n1表示0~30的整數，當n1為0或1時，R101表示氫原子或碳數1~6的烷基，當n1為2~30時，多個L101可相同，亦可不同。
式S2-2、式S2-100及式S2-200中，R11表示氫原子或碳數1~3的烷基，L110表示碳數1~12的伸烷基或羰基，R110表示氫原子、羥基或碳數1~12的烷基，n10表示0~30的整數，當n10為0時，R110表示羥基，當n10為1時，L110表示碳數1~12的伸烷基或羰基，R110表示氫原子或碳數1~6的烷基，當n10為2~30時，L110表示碳數1~12的伸烷基，R110表示氫原子或碳數1~12的烷基，多個L110可相同，亦可不同。
本發明中，化合物S亦可更包括除構成單元S1-1、構成 單元S2-1以外的構成單元(其他構成單元)。
其他構成單元例如可列舉具有交聯性基的構成單元等。具有交聯性基的構成單元的形態可列舉包含選自由環氧基、氧雜環丁基、-NH-CH2-O-R(R為氫原子或碳數1~20的烷基)所表示的基團以及乙烯性不飽和基所組成的群組中的至少一者的構成單元。交聯性基較佳為選自環氧基、氧雜環丁基及-NH-CH2-O-R(R為氫原子或碳數1~20的烷基)所表示的基團中的至少一種，更佳為環氧基及/或氧雜環丁基。
相對於聚合體的全部構成單元，其他構成單元的含量較佳為30質量%以下，更佳為20質量%以下。下限例如亦可設為1質量%。另外，亦可實質上不含其他構成單元。所謂實質上不含其他構成單元，是指相對於聚合體的全部構成單元，其他構成單元的含量較佳為0.5質量%以下，更佳為0.1質量%以下，進而更佳為不含其他構成單元。
本發明中，化合物S較佳為包括式S1-2所表示的構成單元(以下亦稱為構成單元S1-2)、以及式S2-2所表示的構成單元(以下亦稱為構成單元S2-2)的聚合體。
Figure 105119667-A0305-02-0048-26
式中，R11表示氫原子或碳數1~3的烷基， R12表示烷基，R13表示氫原子或烷基，L10表示單鍵或二價連結基，於L10表示二價連結基的情況下，R12亦可與L10鍵結而形成環，Rf表示具有三個以上氟原子的氟烷基，L101表示碳數1~12的伸烷基，R101表示氫原子或碳數1~12的烷基，n1表示0~30的整數，當n1為0或1時，R101表示氫原子或碳數1~6的烷基，當n1為2~30時，多個L101可相同，亦可不同。
式S1-2中，R12、R13、L10及Rf與所述式S1中所說明的R1、R2、L1及Rf為相同含義。
式S1-2及式S2-2中，R11表示氫原子或碳數1~3的烷基，較佳為氫原子或甲基。
式S2-2中，L101表示碳數1~12的伸烷基。伸烷基的碳數較佳為1~12，更佳為1~6，尤佳為2~4。伸烷基較佳為直鏈、分支，更佳為分支。伸烷基的分支數較佳為1~2，更佳為1。伸烷基亦可具有取代基，較佳為未經取代。
式S2-2中，R101表示氫原子或碳數1~12的烷基。
R101所表示的烷基的碳數較佳為1~12，更佳為1~6，尤佳為1~3。R101所表示的烷基較佳為直鏈、分支，更佳為直鏈。R101所表示的烷基亦可具有取代基，較佳為未經取代。R101較佳為氫 原子。
n1表示0~30的整數。下限較佳為1以上。上限較佳為20以下，更佳為15以下。當n1為0或1時，R101表示氫原子或碳數1~6的烷基，當n1為2~30時，多個L101亦可相同。
此外，n1表示0~30的整數，但本發明的感光性組成物亦可包含多種化合物S中的n1不同者。因此，存在本發明的感光性組成物中所含的化合物S的n1的平均值無法成為整數的情況。
本發明中，化合物S較佳為構成單元S1-1與構成單元S2-1的含量的合計為化合物S的全部構成單元的70質量%以上，更佳為75質量%以上，尤佳為80質量%以上。若為所述範圍，則塗佈性良好，且容易形成與積層於硬化膜上的上層的密接性優異的硬化膜。
另外，構成單元S1-1與構成單元S2-1的質量比較佳為構成單元S1-1：構成單元S2-1=5：95~95：5，更佳為10：90~90：10，尤佳為15：85~85：15。
本發明中，化合物S較佳為包括化合物S的全部構成單元的60莫耳%以上的構成單元S1-1以及構成單元S2-1，更佳為包括70莫耳%以上，尤佳為包括80莫耳%以上。若為所述範圍，則塗佈性良好，且容易形成與積層於硬化膜上的上層的密接性優異的硬化膜。另外，構成單元S1-1、與構成單元S2-1的莫耳比較佳為構成單元S1-1：構成單元S2-1=95：5~5：95，更佳為80：20~10：90，尤佳為70：30~10：90。
本發明中，化合物S亦可具有分別為一種以上的n1由0所表示的結構、以及n1由1以上所表示的結構作為構成單元S2-2。
即，化合物S亦可為包括選自所述構成單元S1-2、下述式S2-2-1所表示的構成單元(亦稱為構成單元S2-2-1)、下述式S2-2-2所表示的構成單元(亦稱為構成單元S2-2-2)、以及下述式S2-2-3所表示的構成單元(亦稱為構成單元S2-2-3)中的至少一種構成單元的聚合體。
其中，較佳為包括構成單元S1-2、構成單元S2-2-1及/或構成單元S2-2-2的聚合體。
聚合體的全部構成單元中的構成單元S2-2-1與構成單元S2-2-2的合計含量較佳為5質量%以上，更佳為10質量%以上，尤佳為20質量%以上，特佳為40質量%以上。上限例如較佳為95質量%以下，更佳為90質量%以下，尤佳為85質量%以下。
另外，聚合體的全部構成單元中的構成單元S2-2-1的含量較佳為1質量%以上，更佳為10質量%以上，尤佳為20質量%以上，特佳為40質量%以上。上限例如較佳為95質量%以下，更佳為90質量%以下，尤佳為85質量%以下。
另外，相對於聚合體的全部構成單元，聚合體的全部構成單元中的構成單元S2-2-2的含量較佳為1質量%~20質量%，更佳為1質量%~15質量%，尤佳為1質量%~10質量%，特佳為1質量%~5質量%。
另外，聚合體的全部構成單元中的構成單元S2-2-3的含量較 佳為30質量%以下，更佳為20質量%以下，尤佳為10質量%以下，特佳為1質量%以下。另外，亦較佳為實質上不含構成單元S2-2-3。所謂實質上不含構成單元S2-2-3，是指相對於聚合體的全部構成單元，構成單元S2-2-3的含量較佳為0.5質量%以下，更佳為0.1質量%以下，進而更佳為不含構成單元S2-2-3。依據該形態，容易獲得優異的塗佈性。
Figure 105119667-A0305-02-0052-27
式中，R11表示氫原子或碳數1~3的烷基，L101表示碳數1~12的伸烷基，R102表示氫原子或碳數1~12的烷基，R103表示碳數1~6的烷基，n1a表示1~30的整數，當n1a為1時，R102表示氫原子或碳數1~6的烷基，當n1a為2~30時，多個L101可相同，亦可不同。
R11、L101及R102與S2-2的R11、L101及R101為相同含義。
R103所表示的烷基的碳數較佳為1~6，更佳為1~3。烷基較佳為直鏈、分支，更佳為直鏈。烷基亦可具有取代基，較佳為未經取代。
本發明中，化合物S較佳為包括式S1-3所表示的構成 單元(以下亦稱為構成單元S1-3)、以及式S2-3所表示的構成單元(以下亦稱為構成單元S2-3)的聚合體。
Figure 105119667-A0305-02-0053-29
式中，R21表示氫原子或碳數1~3的烷基，R22表示碳數1~3的烷基，R23表示氫原子，L20表示碳數1~12的伸烷基，Rf1表示碳數3~6的全氟烷基，R22亦可與L20鍵結而形成環，L201表示碳數1~12的伸烷基，R201表示氫原子或碳數1~6的烷基，n2表示1~20的整數，當n2為2~20時，多個L201可相同，亦可不同。
式S1-3及式S2-3中，R21表示氫原子或碳數1~3的烷基，較佳為氫原子或甲基。
式S1-3中，R22表示碳數1~3的烷基，R23表示氫原子。R22所表示的烷基的碳數較佳為1或2，更佳為1。
R22亦可與L20鍵結而形成環。R22與L20鍵結而形成的環例如可列舉：環丁基、環戊基、環己基、環庚基、四氫呋喃基、金剛 烷基及四氫吡喃基等。
式S1-3中，L20表示碳數1~12的伸烷基。伸烷基的碳數較佳為1~12，更佳為1~10，尤佳為1~6。伸烷基較佳為直鏈或環狀，更佳為直鏈。伸烷基亦可具有選自醚鍵、酯鍵及醯胺鍵中的一種以上的鍵，亦可不具有該些鍵。伸烷基較佳為不具有所述的鍵。另外，伸烷基可為未經取代，亦可具有取代基。較佳為未經取代。
式S1-3中，Rf1表示碳數3~6的全氟烷基。全氟烷基的碳數較佳為3~6，尤佳為4~6。全氟烷基可為直鏈、分支、環狀的任一種，較佳為直鏈或環狀，更佳為直鏈。
式S2-3中，L201所表示的伸烷基的碳數較佳為1~12，更佳為1~6。L201所表示的伸烷基較佳為直鏈、分支，更佳為分支。L201所表示的伸烷基的分支數較佳為1~2，更佳為1。L201所表示的伸烷基亦可具有取代基，較佳為未經取代。
式S2-3中，R201所表示的烷基的碳數更佳為1~6，尤佳為1~3。R201所表示的烷基較佳為直鏈、分支，更佳為直鏈。R201所表示的烷基亦可具有取代基，較佳為未經取代。R201較佳為氫原子。
式S2-3中，n2表示1~20的整數。下限較佳為2以上，尤佳為3以上。上限較佳為15以下。此外，n2表示1~20的整數，但本發明的感光性組成物亦可包含多種化合物S中的n2不同者。因此，存在本發明的感光性組成物中所含的化合物S的n2的平均 值無法成為整數的情況。本發明中，一個化合物S中的n2較佳為表示1~20的整數。
本發明中，化合物S除了包括構成單元S1-3及構成單元S2-3以外，亦可更包括所述構成單元S2-2-2及/或所述構成單元S2-2-3。其他構成單元較佳為構成單元S2-2-2。依據該形態，可使塗佈性以及與積層於硬化膜上的上層的密接性更良好。
相對於聚合體的全部構成單元，構成單元S2-2-2的含量較佳為1質量%~20質量%，更佳為1質量%~15質量%，尤佳為1質量%~10質量%，特佳為1質量%~5質量%。
相對於聚合體的全部構成單元，構成單元S2-2-3的含量較佳為30質量%以下，更佳為20質量%以下，尤佳為10質量%以下，特佳為1質量%以下。另外，聚合體亦較佳為實質上不含構成單元S2-2-3。所謂實質上不含構成單元S2-2-3，是指相對於聚合體的全部構成單元，構成單元S2-2-3的含量較佳為0.5質量%以下，更佳為0.1質量%以下，進而更佳為不含構成單元S2-2-3。依據該形態，容易獲得優異的塗佈性。
本發明中，於化合物S為聚合體的情況下，化合物S的重量平均分子量較佳為100~100000。下限較佳為300以上，更佳為1000以上。上限較佳為30000以下，更佳為10000以下，特佳為5000以下。若化合物S的分子量為所述範圍，則塗佈性良好。
化合物S的分子量分佈(Mw/Mn)較佳為1.0~5.0，更佳為1.2~3.0。
化合物S的具體例例如可列舉以下所示的結構以及後述實施例中所示的結構。以下，R表示氫原子或甲基，n100表示1~20的整數，Rfb表示碳數3~8的直鏈或分支的全氟烷基。n100較佳為2~20的整數。Rfb較佳為碳數4~6的直鏈的全氟烷基。
Figure 105119667-A0305-02-0056-31
<烷氧基矽烷化合物>
本發明的感光性組成物亦可更含有烷氧基矽烷化合物。烷氧基矽烷化合物較佳為具有選自由環氧基、乙烯性不飽和基、經氯基所取代的烷基及巰基所組成的群組中的至少一種與烷氧基矽烷結構的化合物。藉由調配如上所述的化合物，可進一步提高感度，而且可進一步提高感光性組成物的硬化時的與基底基板的密接性。
烷氧基矽烷化合物可僅包含一種，亦可包含兩種以上。
烷氧基矽烷化合物的分子量並無特別限定，較佳為小於1000，更佳為500以下。烷氧基矽烷化合物的分子量的下限值並無特別限定，較佳為100以上，更佳為200以上。
烷氧基矽烷化合物的具體例可列舉：γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三烷氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基二烷氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基三烷氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基二烷氧基矽烷、γ-氯丙基三烷氧基矽烷、γ-巰基丙基三烷氧基矽烷、β-(3,4-環氧基環己基)乙基三烷氧基矽烷、乙烯基三烷氧基矽烷。
市售品可例示：信越矽酮(Shin-Etsu Silicone)(股)製造的KBM-403、KBM-5103、KBM-303、KBM-803。
於本發明的感光性組成物含有烷氧基矽烷化合物的情況下，烷氧基矽烷化合物的含量較佳為感光性組成物的總固體成分中的0.05質量%~10質量%。下限更佳為0.1質量%以上，特佳為0.5質量%以上。上限更佳為8質量%以下，特佳為6質量%以 下。
<具有交聯性基的分子量1,000以下的化合物>
本發明的感光性組成物亦可含有具有交聯性基的分子量1,000以下的化合物(以下亦稱為「交聯劑」)。藉由含有交聯劑，可獲得更強硬的硬化膜。特別是於所述聚合體成分A不含包括具有交聯性基的構成單元的聚合體的情況、或含量少的情況下，進而更佳為含有交聯劑。
交聯劑若為藉由熱而引起交聯反應者，則並無限制。
例如可列舉：分子內具有兩個以上的環氧基或氧雜環丁基的化合物、嵌段異氰酸酯化合物、含烷氧基甲基的化合物、具有乙烯性不飽和基的化合物等。較佳為分子內具有兩個以上的環氧基或氧雜環丁基的化合物、嵌段異氰酸酯化合物以及含烷氧基甲基的化合物，更佳為分子內具有兩個以上的環氧基或氧雜環丁基的化合物以及含烷氧基甲基的化合物，尤佳為分子內具有兩個以上的環氧基及/或氧雜環丁基的化合物。若調配分子內具有兩個以上的環氧基及/或氧雜環丁基的化合物，則容易獲得耐熱性特別優異的硬化膜。
分子內具有兩個以上的環氧基或氧雜環丁基的化合物可列舉：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、脂肪族環氧樹脂等。
該些混合物可作為市售品而獲取。例如，分子內具有兩個以上環氧基的化合物可列舉：JER152、JER157S70、JER157S65、 JER806、JER828、JER1007(三菱化學(股)製造)等，日本專利特開2011-221494號公報的段落編號0189中記載的市售品等；除此以外，亦可列舉：丹納考爾(Denacol)EX-611、EX-612、EX-614、EX-614B、EX-622、EX-512、EX-521、EX-411、EX-421、EX-313、EX-314、EX-321、EX-211、EX-212、EX-810、EX-811、EX-850、EX-851、EX-821、EX-830、EX-832、EX-841、EX-911、EX-941、EX-920、EX-931、EX-212L、EX-214L、EX-216L、EX-321L、EX-850L、DLC-201、DLC-203、DLC-204、DLC-205、DLC-206、DLC-301、DLC-402(以上，長瀨化成(Nagase ChemteX)(股)製造)，YH-300、YH-301、YH-302、YH-315、YH-324、YH-325(新日鐵化學(股)製造)，賽羅西德(Celloxide)2021P、2081、3000、EHPE3150、艾波利得(Epolead)GT400、賽維納斯(Celvenus)B0134、B0177(大賽璐(Daicel)(股)製造)，愛匹克隆(Epicron)HP-720(迪愛生(DIC)(股)製造)等。
分子內具有兩個以上氧雜環丁基的化合物可使用阿隆氧雜環丁烷(Aron Oxetane)OXT-121、OXT-221、OX-SQ、PNOX(以上，東亞合成(股)製造)。
另外，包含氧雜環丁基的化合物較佳為單獨使用或者與包含環氧基的化合物混合使用。
嵌段異氰酸酯化合物並無特別限制，就硬化性的觀點而言，較佳為一分子內具有兩個以上的嵌段異氰酸酯基的化合物。
此外，本發明中的所謂嵌段異氰酸酯基是可藉由熱而生成異 氰酸酯基的基團，例如可較佳地例示使嵌段劑與異氰酸酯基進行反應而保護異氰酸酯基的基團。另外，所述嵌段異氰酸酯基較佳為可藉由90℃~250℃的熱而生成異氰酸酯基的基團。
嵌段異氰酸酯化合物的骨架並無特別限定，若為一分子中具有兩個異氰酸酯基者，則可為任一者，亦可為脂肪族、脂環族或芳香族的聚異氰酸酯。骨架的具體例可參考日本專利特開2014-238438號公報的段落0144的記載，該內容可併入至本說明書中。
嵌段異氰酸酯化合物的母結構可列舉：縮二脲型、異氰脲酸酯型、加成物型、二官能預聚物型等。
形成所述嵌段異氰酸酯化合物的嵌段結構的嵌段劑可列舉：肟化合物、內醯胺化合物、酚化合物、醇化合物、胺化合物、活性亞甲基化合物、吡唑化合物、硫醇化合物、咪唑系化合物、醯亞胺系化合物等。該些化合物中，特佳為選自肟化合物、內醯胺化合物、酚化合物、醇化合物、胺化合物、活性亞甲基化合物、吡唑化合物中的嵌段劑。嵌段劑的具體例可參考日本專利特開2014-238438號公報段落0146的記載，該內容可併入至本說明書中。
嵌段異氰酸酯化合物可作為市售品而獲取，例如可較佳地使用：科羅耐特AP穩定M(Coronate AP Stable M)、科羅耐特(Coronate)2503、2515、2507、2513、2555、米利歐耐特(Millionate)MS-50(以上，日本聚氨酯工業(股)製造)，塔克耐特(Takenate) B-830、B-815N、B-820NSU、B-842N、B-846N、B-870N、B-874N、B-882N(以上，三井化學(股)製造)，杜拉耐特(Duranate)17B-60PX、17B-60P、TPA-B80X、TPA-B80E、MF-B60X、MF-B60B、MF-K60X、MF-K60B、E402-B80B、SBN-70D、SBB-70P、K6000(以上，旭化成化學(股)製造)，戴斯莫杜爾(Desmodur)BL1100、BL1265MPA/X、BL3575/1、BL3272MPA、BL3370MPA、BL3475BA/SN、BL5375MPA、VPLS2078/2、BL4265SN、PL340、PL350、斯密杜爾(Sumidur)BL3175(以上，住化拜耳聚氨酯(Sumika Bayer Urethane)(股)製造)等。
含烷氧基甲基的化合物較佳為：烷氧基甲基化三聚氰胺、烷氧基甲基化苯并胍胺、烷氧基甲基化甘脲以及烷氧基甲基化脲等。該些化合物分別藉由將羥甲基化三聚氰胺、羥甲基化苯并胍胺、羥甲基化甘脲、或者羥甲基化脲的羥甲基轉變為烷氧基甲基而獲得。對於該烷氧基甲基的種類並無特別限定，例如可列舉：甲氧基甲基、乙氧基甲基、丙氧基甲基、丁氧基甲基等，就逸出氣體的產生量的觀點而言，特佳為甲氧基甲基。
該些化合物中，可列舉烷氧基甲基化三聚氰胺、烷氧基甲基化苯并胍胺、烷氧基甲基化甘脲作為較佳化合物，就透明性的觀點而言，特佳為烷氧基甲基化甘脲。
含烷氧基甲基的化合物可作為市售品而獲取，例如可較佳地使用：賽梅爾(Cymel)300、301、303、370、325、327、701、266、267、238、1141、272、202、1156、1158、1123、1170、1174、 UFR65、300(以上，三井氰氨(Mitsui Cyanamid)製造)，尼卡拉克(Nikalac)MX-750、MX-032、MX-706、MX-708、MX-40、MX-31、MX-270、MX-280、MX-290、尼卡拉克(Nikalac)MS-11、尼卡拉克(Nikalac)MW-30HM、MW-100LM、MW-390(以上，三和化學(股)製造)等。
具有乙烯性不飽和基的化合物較佳為包含(甲基)丙烯醯基的化合物。包含(甲基)丙烯醯基的化合物可列舉選自由丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯所組成的群組中的化合物。具有乙烯性不飽和基的化合物較佳為一分子中具有兩個以上(甲基)丙烯醯基的化合物(二官能(甲基)丙烯酸酯)，更佳為具有三個以上(甲基)丙烯醯基的化合物(三官能以上的(甲基)丙烯酸酯)。
二官能(甲基)丙烯酸酯例如可列舉：乙二醇(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、雙苯氧基乙醇茀二(甲基)丙烯酸酯等。
三官能以上的(甲基)丙烯酸酯例如可列舉：三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、三((甲基)丙烯醯氧基乙基)磷酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等。
較佳的市售品可列舉：日本化藥(股)製造的卡亞拉德(KAYARAD)DPHA；新中村化學工業(股)製造的NK酯(NK Ester)系列，二官能的A-200、A-400、A-600、A-1000、ABE-300、 A-BPE-4、A-BPE-10、A-BPE-20、A-BPE-30、A-BPP-3、A-DOD、A-DCP、A-IBD-2E、A-NPG、701A、A-B1206PE、A-HD-N、A-NOD-N、APG-100、APG-200、APG-400、APG-700、1G、2G、3G、4G、9G、14G、23G、BG、BD、HD-N、NOD、IND、BPE-100、BPE-200、BPE-300、BPE-500、BPE-900、BPE-1300N、NPG、DCP、1206PE、701、3PG、9PG，三官能的A-9300、AT-30E、A-TMPT-3EO、A-TMPT-9EO、A-TMPT-3PO、A-TMM-3、A-TMM-3L、A-TMM-3LM-N、TMPT、TMPT-9EO，四官能以上的ATM-35E、ATM-4E、AD-TMP、AD-TMP-L、ATM-4P、A-TMMT、A-DPH等。
本發明中，交聯劑的分子量較佳為200~1,000。
於本發明的感光性組成物含有交聯劑的情況下，相對於聚合體成分A的100質量份，交聯劑的含量較佳為0.01質量份~50質量份，更佳為0.1質量份~30質量份，尤佳為0.5質量份~25質量份。藉由在該範圍內添加，而可獲得機械強度及耐溶劑性優異的硬化膜。交聯劑可僅包含一種，亦可包含兩種以上。於包含兩種以上的情況下，較佳為合計量成為所述範圍。
<鹼性化合物>
本發明的感光性組成物亦可含有鹼性化合物。鹼性化合物例如可列舉：脂肪族胺、芳香族胺、雜環式胺、氫氧化四級銨、羧酸的四級銨鹽等。該些化合物的具體例可列舉日本專利特開2011-221494號公報的段落編號0204~段落編號0207中記載的化合物，該些內容可併入至本說明書中。
具體而言，脂肪族胺例如可列舉：三甲基胺、二乙基胺、三乙基胺、二-正丙基胺、三-正丙基胺、二-正戊基胺、三-正戊基胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二環己基胺、二環己基甲基胺等。
芳香族胺例如可列舉：苯胺、苄胺、N,N-二甲基苯胺、二苯基胺等。
雜環式胺例如可列舉：吡啶、2-甲基吡啶、4-甲基吡啶、2-乙基吡啶、4-乙基吡啶、2-苯基吡啶、4-苯基吡啶、N-甲基-4-苯基吡啶、4-二甲基胺基吡啶、咪唑、苯并咪唑、4-甲基咪唑、2-苯基苯并咪唑、三苯基咪唑、菸鹼、菸鹼酸、菸鹼酸醯胺、喹啉、8-氧基喹啉、吡嗪、吡唑、噠嗪、嘌呤、吡咯啶、哌啶、哌嗪、嗎啉、4-甲基嗎啉、N-環己基-N'-[2-(4-嗎啉基)乙基]硫代脲、1,5-二氮雜雙環[4.3.0]-5-壬烯、1,8-二氮雜雙環[5.3.0]-7-十一烯、1,8-二氮雜雙環[5.4.0]-7-十一烯等。
氫氧化四級銨例如可列舉：氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、氫氧化四-正丁基銨、氫氧化四-正己基銨等。
羧酸的四級銨鹽例如可列舉：乙酸四甲基銨、苯甲酸四甲基銨、乙酸四-正丁基銨、苯甲酸四-正丁基銨等。
本發明中可使用的鹼性化合物可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
於本發明的感光性組成物含有鹼性化合物的情況下，相對於感光性組成物中的總固體成分100質量份，鹼性化合物的含量較佳為0.001質量份~3質量份，更佳為0.005質量份~1質量 份。鹼性化合物可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。於使用兩種以上的情況下，較佳為其合計量成為所述範圍。
<無機粒子>
就調整折射率等觀點而言，本發明的感光性組成物可含有無機粒子。就透明性高且具有透光性的方面而言，無機粒子較佳為無機氧化物粒子，更佳為金屬氧化物粒子。透光性且折射率高的無機氧化物粒子較佳為包含Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Ce、Gd、Tb、Dy、Yb、Lu、Ti、Zr、Hf、Nb、Mo、W、Zn、B、Al、Si、Ge、Sn、Pb、Bi、Te等原子的氧化物粒子，更佳為氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯、銦/錫氧化物、或者銻/錫氧化物，尤佳為氧化鈦粒子、或者氧化鋯，特佳為氧化鈦，最佳為二氧化鈦。二氧化鈦較佳為折射率特別高的金紅石型。該些無機粒子亦可為了賦予分散穩定性，而利用有機材料對表面進行處理。此外，本發明中的金屬氧化物粒子的金屬中亦包含B、Si、Ge、As、Sb、Te等半金屬。
無機粒子的平均一次粒徑較佳為1nm~200nm，更佳為2nm~100nm，尤佳為1nm~60nm，特佳為5nm~50nm。若為所述範圍，則粒子的分散性優異，另外，可獲得高折射率且透明性更優異的硬化物。無機粒子的平均一次粒徑可利用穿透型電子顯微鏡對無機粒子進行觀察，根據所獲得的照片來求出。具體而言，求出無機粒子的投影面積，將與其對應的圓相當直徑作為無機粒子的平均一次粒徑。此外，本發明中的平均一次粒徑設為對 300個無機粒子來求出的圓相當直徑的算術平均值。
對於無機粒子的形狀並無特別限制。例如可為米粒狀、球形形狀、立方體狀、紡錘形狀或者不定形狀。無機粒子的平均縱橫比(長邊/短邊)較佳為1~5，更佳為1~4.5，尤佳為1~4，特佳為1~3。無機粒子的平均縱橫比是利用以下方法來測定。即，將對利用穿透型電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope，TEM)攝像而得的粒子圖像的縱橫比(長邊/短邊)測定300個的平均值作為平均縱橫比。
無機粒子的折射率並無特別限制，就獲得高折射率的觀點而言，較佳為1.70~2.70，尤佳為1.90~2.70。
無機粒子的比表面積較佳為10m2/g~400m2/g，尤佳為20m2/g~200m2/g，最佳為30m2/g~150m2/g。
無機粒子亦可為利用有機化合物進行表面處理者。表面處理中使用的有機化合物的例子中包含：多元醇、烷醇胺、硬脂酸、矽烷偶合劑以及鈦酸酯偶合劑。其中，較佳為硬脂酸。
表面處理可利用單獨一種表面處理劑來實施，亦可將兩種以上的表面處理劑加以組合來實施。
另外，亦較佳為無機粒子的表面由鋁、矽、鋯等的氧化物所覆蓋。藉此，耐候性進一步提高。
本發明中的無機粒子可較佳地使用市售者。具體而言，例如，氧化鈦粒子可列舉：石原產業(股)製造的TTO系列(TTO-51(A)、TTO-51(C)等)、TTO-S、V系列(TTO-S-1、TTO-S-2、 TTO-V-3等)，帝化(Tayca)(股)製造的MT系列(MT-01、MT-05等)；氧化錫-氧化鈦複合粒子可列舉：歐托雷克(Opt lake)TR-502、歐托雷克(Opt lake)TR-504；氧化矽-氧化鈦複合粒子可列舉：歐托雷克(Opt lake)TR-503、歐托雷克(Opt lake)TR-513、歐托雷克(Opt lake)TR-520、歐托雷克(Opt lake)TR-521、歐托雷克(Opt lake)TR-527、氧化鋯粒子(高純度化學研究所(股)製造)，氧化錫-氧化鋯複合粒子(日揮觸媒化成工業(股)製造)；氧化鈮粒子可列舉：拜拉爾(Bairal)Nb-X10(多木化學(股)製造)等。
無機粒子較佳為以於樹脂(分散劑)及溶劑的存在下分散而成的分散液的狀態，與感光性組成物的其他成分混合而使用。
分散液的製備中使用的樹脂可參考日本專利特開2014-108986號公報的段落0038~段落0118的記載，該內容可併入至本說明書中。例如可列舉迪斯帕畢克(DISPERBYK)-111(日本畢克化學(BYK-Chemie Japan)(股)製造)等。另外，溶劑可列舉所述本發明的感光性組成物的成分中所說明的溶劑。
相對於感光性組成物的總固體成分，本發明的感光性組成物中的無機粒子的含量較佳為10質量%~80質量%。下限更佳為20質量%以上，尤佳為30質量%以上。上限更佳為70質量%以下。
<抗氧化劑>
本發明的感光性組成物亦可含有抗氧化劑。抗氧化劑可含有 公知的抗氧化劑。藉由添加抗氧化劑，具有可防止硬化膜的著色，或者可減少由分解引起的膜厚減少，另外，耐熱透明性優異的優點。
抗氧化劑例如可列舉：磷系抗氧化劑、醯胺系抗氧化劑、醯肼系抗氧化劑、受阻胺系抗氧化劑、硫系抗氧化劑、酚系抗氧化劑、抗壞血酸類、硫酸鋅、糖類、亞硝酸鹽、亞硫酸鹽、硫代硫酸鹽、羥基胺衍生物等。該些抗氧化劑中，就硬化膜的著色、膜厚減少的觀點而言，較佳為酚系抗氧化劑、受阻胺系抗氧化劑、磷系抗氧化劑、醯胺系抗氧化劑、醯肼系抗氧化劑、硫系抗氧化劑，最佳為酚系抗氧化劑。該些可單獨使用一種，亦可混合兩種以上。
具體例可列舉：日本專利特開2005-29515號公報的段落編號0026~段落編號0031中記載的化合物、日本專利特開2011-227106號公報的段落編號0106~段落編號0116中記載的化合物，該些內容可併入至本說明書中。
較佳的市售品可列舉：艾迪科斯塔布(Adekastab)AO-20、艾迪科斯塔布(Adekastab)AO-60、艾迪科斯塔布(Adekastab)AO-80、艾迪科斯塔布(Adekastab)LA-52、艾迪科斯塔布(Adekastab)LA-81、艾迪科斯塔布(Adekastab)AO-412S、艾迪科斯塔布(Adekastab)PEP-36(以上，艾迪科(ADEKA)(股)製造)，易璐諾斯(Irganox)1035、易璐諾斯(Irganox)1098、帝奴彬(Tinuvin)144(以上，巴斯夫(BASF)製造)。
相對於感光性組成物的總固體成分，抗氧化劑的含量較佳為0.1質量%~10質量%，更佳為0.2質量%~5質量%，特佳為0.5質量%~4質量%。藉由設為所述範圍，容易形成透明性優異的膜。進而，圖案形成時的感度亦變得良好。
<其他成分>
本發明的感光性組成物可視需要來分別獨立地添加一種或兩種以上的增感劑(例如9,10-二丁氧基蒽等)、熱自由基產生劑、熱酸產生劑、酸增殖劑、顯影促進劑、紫外線吸收劑、增黏劑、有機或無機的沈澱防止劑等公知的添加劑。另外，亦可使用偏苯三甲酸作為添加劑。另外，亦可更包含所述化合物S以外的界面活性劑。
該些化合物例如可使用：日本專利特開2012-88459號公報的段落編號0201~段落編號0224中記載的化合物、日本專利特開2014-238438號公報中記載的化合物，該些內容可併入至本說明書中。
另外，亦可使用日本專利特開2012-8223號公報的段落編號0120~段落編號0121中記載的熱自由基產生劑、WO2011/136074A1中記載的含氮化合物以及熱酸產生劑，該些內容可併入至本說明書中。
<感光性組成物的製備方法>
本發明的感光性組成物可以既定的比例且利用任意的方法將各成分混合，並加以攪拌溶解而製備。例如，亦可製成將各成分 分別預先溶解於溶劑中的溶液後，將該些溶液以既定的比例進行混合來製備本發明的感光性組成物。以所述方式製備的組成物溶液例如亦可於使用孔徑為0.2μm的過濾器等進行過濾後使用。
<硬化膜的製造方法>
本發明的硬化膜的製造方法較佳為包括以下的(1)~(5)的步驟。
(1)將本發明的感光性組成物塗佈於基板上的步驟；(2)自所塗佈的感光性組成物中去除溶劑的步驟；(3)利用光化射線對去除了溶劑的感光性組成物進行曝光的步驟；(4)利用顯影液對經曝光的感光性組成物進行顯影的步驟；以及(5)對經顯影的感光性組成物進行熱硬化(後烘烤)的步驟。
以下對各步驟依次進行說明。
(1)的步驟中，較佳為將本發明的感光性組成物塗佈於基板上而形成包含溶劑的濕潤膜(感光性組成物層)。
(1)的步驟中，亦可於在基板上塗佈感光性組成物之前，對基板進行鹼洗滌或電漿洗滌等洗滌。另外，亦可對洗滌後的基板，利用六甲基二矽氮烷等對基板表面進行處理。利用六甲基二矽氮烷對基板表面進行處理的方法並無特別限定，例如可列舉預先將基板暴露於六甲基二矽氮烷蒸氣中的方法等。
基板可列舉：無機基板、樹脂基板、樹脂複合材料基板等。
無機基板例如可列舉：玻璃基板、石英基板、矽基板、氮化矽基板(SiNx基板，其中，x為1~1.3)，以及於該些基板上蒸鍍有鉬、鈦、鋁、銅等的複合基板，鉬基板、鈦基板、鋁基板、銅基板等金屬基板。
樹脂基板可使用日本專利特開2014-238438號公報段落0192中記載的樹脂基板。
感光性組成物於基板上的塗佈方法並無特別限定，例如可使用狹縫塗佈法、噴射法、輥塗佈法、旋轉塗佈法、流延塗佈法、狹縫與旋轉法(slit-and-spin method)等方法。
塗佈感光性組成物時的膜厚並無特別限定，可以與用途對應的膜厚來塗佈。例如較佳為0.5μm~10μm。
於基板上塗佈本發明的感光性組成物之前，亦可應用如日本專利特開2009-145395號公報中記載般的所謂預濕法(pre-wet method)。
(2)的步驟中，自塗佈感光性組成物而形成的所述濕潤膜中，藉由減壓(真空)及/或加熱等，去除溶劑而於基板上形成乾燥膜。加熱條件較佳為70℃~130℃、30秒~300秒左右。於溫度與時間為所述範圍的情況下，存在圖案的密接性更良好、且殘渣亦可進一步減少的傾向。
(3)的步驟中，對去除了溶劑的感光性組成物(乾燥膜)照射既定圖案的光化射線。該步驟中，於曝光部生成羧基或酚性羥基等酸基，曝光部中的對顯影液的溶解性得到提高。即， 於包含包括具有酸基由酸分解性基所保護的基團的構成單元的聚合體成分、以及光酸產生劑的形態中，藉由光化射線的照射，光酸產生劑分解並產生酸。然後，藉由所產生的酸的觸媒作用，塗膜成分中所含的酸分解性基水解，生成羧基或酚性羥基等酸基。
光化射線的光源可使用：低壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、化學燈、發光二極體(Light Emitting Diode，LED)光源、準分子雷射產生裝置等，可較佳地使用i射線(365nm)、h射線(405nm)、g射線(436nm)等具有300nm以上且450nm以下的波長的光化射線。另外，視需要亦可通過長波長截止濾波器、短波長截止濾波器、帶通濾波器之類的分光濾波器來調整照射光。曝光量較佳為1mJ/cm2~500mJ/cm2。
曝光裝置可使用：鏡面投影對準曝光器(mirror projection aligner)、步進器(stepper)、掃描器(scanner)、近接式(proximity)、接觸式(contact)、微透鏡陣列(microlens array)、透鏡掃瞄器(lens scanner)、雷射曝光等各種方式的曝光機。另外，亦可進行使用所謂的超解析技術的曝光。超解析技術可列舉：進行多次曝光的多重曝光、或使用相移遮罩(phase shift mask)的方法、環狀照明法(annular illumination method)等。藉由使用該些超解析技術，可形成更高精細的圖案，故而較佳。
(4)的步驟中，使用顯影液，對具有游離的羧基或酚性羥基的共聚物進行顯影。藉由將具有容易溶解於顯影液中的羧基及/或酚性羥基的曝光部區域去除，而形成正圖像。
顯影步驟中使用的顯影液較佳為包含鹼性化合物的水溶液。鹼性化合物可使用日本專利特開2014-238438號公報的段落200中記載的化合物。
該些化合物中，較佳為：氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、氫氧化四丙基銨、氫氧化四丁基銨、膽鹼(氫氧化2-羥基乙基三甲基銨)。
另外，亦可將於所述鹼類的水溶液中添加有適量的甲醇或乙醇等水溶性有機溶劑或界面活性劑的水溶液用作顯影液。
顯影液的pH值較佳為10.0~14.0。
顯影時間較佳為30秒~500秒，另外，顯影的方法可為覆液法(puddle method)、噴淋法(shower method)、浸漬法(dipping method)等任一種。
於顯影後亦可進行淋洗步驟。淋洗步驟中，藉由將顯影後的基板以純水等進行清洗，而將所附著的顯影液去除，且將顯影殘渣去除。淋洗方法可使用公知的方法。例如可列舉噴淋淋洗或浸漬淋洗等。
(5)的步驟中，藉由對所獲得的正圖像進行加熱，將酸分解性基進行熱分解而生成羧基或酚性羥基，使其與交聯性基、交聯劑等進行交聯，藉此形成硬化膜。該加熱較佳為使用加熱板或烘箱等加熱裝置，於既定溫度、例如180℃~250℃下，進行既定時間的加熱處理，例如若為加熱板則進行5分鐘~90分鐘的加熱處理，若為烘箱則進行30分鐘~120分鐘的加熱處理。藉 由以所述方式進行交聯反應，可形成耐熱性、硬度等更優異的保護膜或層間絕緣膜。另外，進行加熱處理時，亦可藉由在氮氣環境下進行，來進一步提高透明性。
於後烘烤之前，亦可於相對較低的溫度下進行烘烤後，進行後烘烤(中間烘烤步驟的追加)。另外，可於後烘烤之前，利用光化射線對形成有圖案的基板進行全面再曝光(後曝光)後，進行後烘烤，藉此由存在於未曝光部分的光酸產生劑產生酸，作為促進交聯的觸媒而發揮功能。進行中間烘烤步驟及後曝光步驟時的條件可使用日本專利特開2014-238438號公報段落201中記載的條件。
由本發明的感光性組成物所獲得的硬化膜亦可用作乾式蝕刻抗蝕劑。於將藉由後烘烤步驟進行熱硬化而獲得的硬化膜用作乾式蝕刻抗蝕劑的情況下，蝕刻處理可進行灰化、電漿蝕刻、臭氧蝕刻等乾式蝕刻處理。
<硬化膜>
本發明的硬化膜是將所述本發明的感光性組成物硬化而獲得的硬化膜。本發明的硬化膜可適合用作層間絕緣膜。
本發明的硬化膜與上層的密接性優異。因此，適合的是：利用所述(1)~(5)的方法於基板上形成既定圖案的硬化膜後，於該硬化膜上進而塗佈本發明的感光性組成物，利用所述(1)~(5)的方法重疊形成既定圖案的硬化膜。藉由以所述方式積層本發明的感光性組成物來形成圖案，而可形成更複雜的圖案(例如 具有凹凸的圖案)。此外，亦可將(1)~(5)的步驟重複三次以上而形成更複雜的圖案。藉由將層間絕緣膜設為如上所述的積層結構體，可達成開口率提高、多種功能複合化等。
本發明的硬化膜可有效用於液晶顯示裝置、有機EL顯示裝置等圖像顯示裝置、或觸控面板等輸入裝置等用途。例如可列舉：日本專利特開2014-238438號公報段落0207~段落0208中記載的液晶顯示裝置、日本專利特開2014-238438號公報段落0209中記載的有機EL顯示裝置、日本專利特開2014-238438號公報段落0212~段落0223中記載的觸控面板顯示裝置、日本專利特開2014-238438號公報段落210中記載的用途等。
本發明的感光性組成物例如亦可用於形成：日本專利特開2011-107476號公報的圖2中記載的堤層(16)及平坦化膜(57)，日本專利特開2010-9793號公報的圖4(a)中記載的隔壁(12)及平坦化膜(102)，日本專利特開2010-27591號公報的圖10中記載的堤層(221)及第三層間絕緣膜(216b)，日本專利特開2009-128577號公報的圖4(a)中記載的第二層間絕緣膜(125)及第三層間絕緣膜(126)，日本專利特開2010-182638號公報的圖3中記載的平坦化膜(12)及畫素分離絕緣膜(14)，日本專利特開2012-203121號公報的圖1中記載的畫素分離膜(19)或平坦化膜(17)，日本專利特開2013-196919號公報的圖1中記載的高電阻層(18)、畫素間絕緣膜(16)、層間絕緣膜(14)、層間絕緣膜(12c)等。除此以外，亦可適合用於：用以使液晶顯示裝置 中的液晶層的厚度保持一定的間隔物、或傳真(facsimile)、電子影印機、固體攝像元件等晶載彩色濾光片(on chip color filter)的成像光學系統或光纖連接器的微透鏡。
<液晶顯示裝置及其製造方法>
本發明的液晶顯示裝置包括本發明的硬化膜。另外，本發明的液晶顯示裝置的製造方法包含本發明的硬化膜的製造方法。
本發明的液晶顯示裝置除了包括使用本發明的感光性組成物而形成的平坦化膜或層間絕緣膜以外，並無特別限制，可列舉採取多種結構的公知的液晶顯示裝置。
例如，本發明的液晶顯示裝置所具備的薄膜電晶體(thin film transistor，TFT)的具體例可列舉非晶矽、低溫多晶矽、氧化物半導體等。氧化物半導體可例示所謂氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide，IGZO)(包含銦、鎵、鋅、氧的半導體)。本發明的硬化膜由於電特性優異，故而可組合於該些薄膜電晶體中而較佳地使用。
另外，本發明的液晶顯示裝置可採取的液晶驅動方式可列舉：扭轉向列(Twisted Nematic，TN)方式、垂直配向(Vertical Alignment，VA)方式、面內切換(In-Plane-Switching，IPS)方式、邊緣場切換(Fringe Field Switching，FFS)方式、光學補償彎曲(Optical Compensated Bend，OCB)方式等。
面板構成中，彩色濾光片陣列(Color Filter on Array，COA)方式的液晶顯示裝置中亦可使用本發明的硬化膜，例如可用作日本專利特開2005-284291的有機絕緣膜(115)、或日本專利特開 2005-346054的有機絕緣膜(212)。另外，本發明的液晶顯示裝置可採取的液晶配向膜的具體配向方式可列舉摩擦配向法、光配向法等。另外，亦可藉由日本專利特開2003-149647號公報或日本專利特開2011-257734號公報中記載的聚合物穩定配向(Polymer Sustained Alignment，PSA)技術而經聚合物配向支持。
另外，本發明的感光性組成物以及本發明的硬化膜並不限定於所述用途，可用於多種用途。例如，除了平坦化膜或層間絕緣膜以外，亦可適合用於彩色濾光片的保護膜、或用以使液晶顯示裝置中的液晶層的厚度保持一定的間隔物或於固體攝像元件中設置於彩色濾光片上的微透鏡等。
圖1是表示主動矩陣方式的液晶顯示裝置10的一例的概念性剖面圖。該液晶顯示裝置10是於背面具有背光單元12的液晶面板，液晶面板配置有薄膜電晶體16的元件，所述薄膜電晶體16的元件與配置於貼附有偏光膜的兩塊玻璃基板14、15之間的所有畫素相對應。於形成於玻璃基板上的各元件上，通過形成於硬化膜17中的接觸孔18，而配線有形成畫素電極的氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)透明電極19。於ITO透明電極19上設置有液晶20的層與配置有黑色矩陣的彩色濾光片22。
背光的光源並無特別限定，可使用公知的光源。例如可列舉：白色發光二極體(LED)、藍色．紅色．綠色等多色LED、螢光燈(冷陰極管)、有機電致發光(有機EL)等。
另外，液晶顯示裝置亦可設為三維(three dimensional，3D) (立體視)型裝置，或者設為觸控面板型裝置。進而亦可設為可撓型，並可用作日本專利特開2011-145686號公報中記載的第二層間絕緣膜(48)、或日本專利特開2009-258758號公報中記載的層間絕緣膜(520)、日本專利特開2007-328210號公報的圖1中記載的有機絕緣膜(PAS)。
進而，靜態驅動方式的液晶顯示裝置中，亦可藉由應用本發明而顯示出設計性高的圖案。作為例子，可應用本發明作為如日本專利特開2001-125086號公報中記載般的聚合物網絡型液晶的絕緣膜。
對於日本專利特開2007-328210號公報的圖1中記載的液晶顯示裝置，使用圖2進行說明。
圖2中，符號SUB1為玻璃基板，包括多個掃描信號線、以及與多個掃描信號線交叉的多個影像信號線。於各交點附近具有薄膜電晶體。
於玻璃基板SUB1上，自下起依次形成有基底膜UC、半導體膜PS、閘極絕緣膜GI、薄膜電晶體的閘電極GT、第一層間絕緣膜IN1。於第一層間絕緣膜IN1上形成有薄膜電晶體的汲極電極SD1、以及薄膜電晶體的源極電極SD2。
汲極電極SD1經由形成於閘極絕緣膜GI及第一層間絕緣膜IN1中的接觸孔而與薄膜電晶體的汲極區域連接。源極電極SD2經由形成於閘極絕緣膜GI及第一層間絕緣膜IN1中的接觸孔而與薄膜電晶體的源極區域連接。
於汲極電極SD1及源極電極SD2上形成有第二層間絕緣膜IN2。於第二層間絕緣膜IN2上形成有有機絕緣膜PAS。有機絕緣膜PAS可使用本發明的感光性組成物來形成。
於有機絕緣膜PAS上形成有對向電極CT及反射膜RAL。
於對向電極CT及反射膜RAL上形成有第三層間絕緣膜IN3。於第三層間絕緣膜IN3上形成有畫素電極PX。畫素電極PX經由形成於第二層間絕緣膜IN2及第三層間絕緣膜IN3中的接觸孔而與薄膜電晶體的源極電極SD2連接。
此外，第一層間絕緣膜IN1、第二層間絕緣膜IN2、第三層間絕緣膜IN3亦可使用本發明的感光性組成物來形成。
圖2所示的液晶顯示裝置的詳情可參考日本專利特開2007-328210號公報的記載，該內容可併入至本說明書中。
<有機電致發光顯示裝置及其製造方法>
本發明的有機電致發光(有機EL)顯示裝置包括本發明的硬化膜。另外，本發明的有機EL顯示裝置的製造方法包含本發明的硬化膜的製造方法。
本發明的有機EL顯示裝置除了包括使用本發明的感光性組成物而形成的平坦化膜或層間絕緣膜以外，並無特別限制，可列舉採取多種結構的公知的各種有機EL顯示裝置或液晶顯示裝置。
例如，本發明的有機EL顯示裝置所具備的薄膜電晶體的具體例可列舉包含非晶矽、低溫多晶矽、氧化物半導體等者。
圖3為有機EL顯示裝置的一例的構成概念圖。示出底部發 光型的有機EL顯示裝置中的基板的示意性剖面圖，包括平坦化膜4。
於玻璃基板6上形成底閘極型的薄膜電晶體1，以覆蓋薄膜電晶體1的狀態形成包含Si3N4的絕緣膜3。於絕緣膜3上形成此處省略圖示的接觸孔後，經由該接觸孔而於絕緣膜3上形成與薄膜電晶體1連接的配線2(高度為1.0μm)。配線2是用以將薄膜電晶體1間或者後述步驟中形成的有機EL元件與薄膜電晶體1連接。
進而，為了使由配線2的形成所引起的凹凸平坦化，而以埋入由配線2所引起的凹凸的狀態於絕緣膜3上形成平坦化膜4。
於平坦化膜4上形成有底部發光型的有機EL元件。即，於平坦化膜4上，包含ITO的第一電極5是經由接觸孔7而與配線2連接來形成。另外，第一電極5相當於有機EL元件的陽極。
形成覆蓋第一電極5的周緣的形狀的絕緣膜8，藉由設置絕緣膜8，可防止第一電極5與其後步驟中形成的第二電極之間的短路。
進而，圖3中未圖示，經由所需的圖案遮罩，依次蒸鍍設置電洞傳輸層、有機發光層、電子傳輸層，繼而，於基板上方的整個面形成包含Al的第二電極，藉由使用紫外線硬化型環氧樹脂而與密封用玻璃板貼合來密封，獲得於各有機EL元件上連接用以使其驅動的薄膜電晶體1而成的主動矩陣型的有機EL顯示裝置。
作為有機EL顯示裝置的其他形態，可使用本發明的感光性 組成物來形成日本專利特開2012-203121號公報的圖1中記載的畫素分離膜(19)或平坦化膜(17)。另外，可使用本發明的感光性組成物來形成日本專利特開2013-196919號公報的圖1中記載的高電阻層(18)或畫素間絕緣膜(16)或層間絕緣膜(14)或層間絕緣膜(12c)。
本發明的感光性組成物亦可用於形成微機電系統(Micro Electro Mechanical Systems，MEMS)器件的隔壁。MEMS器件例如可列舉：表面聲波(Surface Acoustic Wave，SAW)濾波器、體聲波(Bulk Acoustic Wave，BAW)濾波器、陀螺儀感測器(gyro sensor)、顯示器用微快門(microshutter)、影像感測器(image sensor)、電子紙(electronic paper)、噴墨頭(inkjet head)、生物晶片(biochip)、密封劑等零件。更具體的例子例示於日本專利特表2007-522531、日本專利特開2008-250200、日本專利特開2009-263544等中。
本發明的感光性組成物亦可用於形成：例如日本專利特開2011-107476號公報的圖2中記載的堤層(16)及平坦化膜(57)、日本專利特開2010-9793號公報的圖4(a)中記載的隔壁(12)及平坦化膜(102)、日本專利特開2010-27591號公報的圖10中記載的堤層(221)及第三層間絕緣膜(216b)、日本專利特開2009-128577號公報的圖4(a)中記載的第二層間絕緣膜(125)及第三層間絕緣膜(126)、日本專利特開2010-182638號公報的圖3中記載的平坦化膜(12)及畫素分離絕緣膜(14)等。除此 以外，亦可適合用於：用以使液晶顯示裝置中的液晶層的厚度保持一定的間隔物，或傳真、電子影印機、固體攝像元件等晶載彩色濾光片的成像光學系統或光纖連接器的微透鏡。
<觸控面板、觸控面板顯示裝置及其製造方法>
本發明的觸控面板為絕緣層及/或保護層的全部或一部分包含本發明的感光性組成物的硬化物的觸控面板。另外，本發明的觸控面板較佳為至少包括透明基板、電極及絕緣層及/或保護層。另外，本發明的觸控面板及觸控面板顯示裝置的製造方法包含本發明的硬化膜的製造方法。
本發明的觸控面板顯示裝置較佳為包括本發明的觸控面板的觸控面板顯示裝置。本發明的觸控面板可為電阻膜方式、靜電電容方式、超音波方式、電磁感應方式等公知方式的任一種。其中，較佳為靜電電容方式。另外，本發明的觸控面板顯示裝置亦可為觸控面板或顯示裝置的絕緣層及/或保護層的全部或一部分包含本發明的感光性組成物的硬化物的觸控面板顯示裝置。
靜電電容方式的觸控面板可列舉：日本專利特開2010-28115號公報中揭示者、或國際公開第2012/057165號中揭示者。
觸控面板顯示裝置可列舉：所謂內嵌(in cell)型(例如日本專利特表2012-517051號公報的圖5、圖6、圖7、圖8)、所謂外嵌(on cell)型(例如國際公開第2012/141148號的圖2(b)、日本專利特開2013-168125號公報的圖19)、單片玻璃方案(One Glass Solution，OGS)型、覆蓋層觸摸(Touch on Lens，TOL)型、 其他構成(例如日本專利特開2013-164871號公報的圖6、WO2013/141056號公報的圖1、日本專利5673782號公報的圖2)、各種外掛(out cell)型(所謂的GG方式、G1方式．G2方式、GFF方式、GF2方式、GF1方式、G1F方式等)。
靜電電容方式的觸控面板較佳為包括前面板，且於前面板的非接觸側至少包括下述(1)~(5)的要素，並且(4)的絕緣層為使用本發明的感光性組成物的硬化膜。
(1)框層
(2)多個墊部分經由連接部分而於第一方向上延伸形成的多個第一透明電極圖案
(3)與第一透明電極圖案電性絕緣，且包含在與第一方向交叉的方向上延伸形成的多個墊部分的多個第二透明電極圖案
(4)使第一透明電極圖案與第二透明電極圖案電性絕緣的絕緣層
(5)與第一透明電極圖案及第二透明電極圖案的至少一者電性連接，且與第一透明電極圖案及第二透明電極圖案不同的其他導電性要素
本發明的觸控面板較佳為進而以覆蓋所述(1)~(5)的要素的全部或者一部分的方式設置透明保護層，更佳為透明保護層為本發明的硬化膜。
首先，對靜電電容方式的觸控面板的構成進行說明。圖4是表示靜電電容方式的觸控面板的構成例的剖面圖。圖4中靜電 電容方式的觸控面板30包括：前面板31、框層32、第一透明電極圖案33、第二透明電極圖案34、絕緣層35、導電性要素36、以及透明保護層37。
前面板31包括玻璃基板等透明基板，可使用康寧(Corning)公司的大猩猩玻璃(Gorilla Glass)所代表的強化玻璃等。此外，透明基板可較佳地列舉：玻璃基板、石英基板、透明樹脂基板等。另外，圖4中，將前面板31的設置有各要素的一側稱為非接觸面。於靜電電容方式的觸控面板30中，使手指等接觸前面板31的接觸面(非接觸面的相反面)等來進行輸入。以下，有時將前面板稱為「基材」。
另外，於前面板31的非接觸面上設置有框層32。框層32為形成於觸控面板前面板的非接觸側的顯示區域周圍的框狀圖案，是為了使引伸配線等看不到而形成。
於靜電電容方式的觸控面板上，可如圖5所示，以覆蓋前面板31的一部分區域(圖5中為輸入面以外的區域)的方式設置框層32。進而，於前面板31上，可如圖5所示於一部分設置開口部38。可於開口部38上設置藉由擠壓的機械性開關。
如圖6所示，於前面板31的接觸面上形成有：多個第一透明電極圖案33，由多個墊部分經由連接部分而於第一方向上延伸形成；多個第二透明電極圖案34，與第一透明電極圖案33電性絕緣，且包含在與第一方向交叉的方向上延伸形成的多個墊部分；以及絕緣層35，使第一透明電極圖案33與第二透明電極圖 案34電性絕緣。第一透明電極圖案33、第二透明電極圖案34、以及後述的導電性要素36例如可利用金屬膜來製作。所述金屬膜可列舉：氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)膜；氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide，IZO)膜；Al、Cu、Ag、Ti、Mo、該些的合金等金屬膜；SiO2等金屬氧化膜等。此時，各要素的膜厚可設為10nm~200nm。另外，亦可藉由煅燒而使非晶的ITO膜結晶化為多晶的ITO膜，來降低電阻。另外，第一透明電極圖案33、第二透明電極圖案34、以及後述導電性要素36亦可使用感光性轉印材料來製造，所述感光性轉印材料含有使用導電性纖維的感光性組成物。除此以外，於利用ITO等來形成第一導電性圖案等的情況下，可參考日本專利第4506785號公報的段落0014~段落0016等，該內容可併入至本說明書中。
另外，第一透明電極圖案33以及第二透明電極圖案34的至少一者可橫跨前面板31的非接觸面以及框層32的與前面板31為相反側的面的兩者區域而設置。圖4中示出第二透明電極圖案34橫跨前面板31的非接觸面以及框層32的與前面板31為相反側的面的兩者區域而設置的圖。
使用圖6來對第一透明電極圖案33以及第二透明電極圖案34進行說明。圖6為表示第一透明電極圖案以及第二透明電極圖案的一例的說明圖。如圖6所示，第一透明電極圖案33的墊部分33a經由連接部分33b而於第一方向上延伸形成。另外，第二透明電極圖案34藉由絕緣層35而與第一透明電極圖案33電性 絕緣，且包含在與第一方向交叉的方向(圖6中的第二方向)上延伸形成的多個墊部分。此處，於形成第一透明電極圖案33的情況下，可將墊部分33a與連接部分33b製作為一體，亦可僅製作連接部分33b，且將墊部分33a與第二透明電極圖案34製作(圖案化)為一體。於將墊部分33a與第二透明電極圖案34製作(圖案化)為一體的情況下，如圖6所示，以連接部分33b的一部分與墊部分33a的一部分連結，且第一透明電極圖案33與第二透明電極圖案34藉由絕緣層35而電性絕緣的方式形成各層。
圖4中，於框層32的與前面板31為相反側的面側設置有導電性要素36。導電性要素36是與第一透明電極圖案33以及第二透明電極圖案34的至少一者電性連接，且與第一透明電極圖案33以及第二透明電極圖案34不同的其他要素。圖4中示出導電性要素36與第二透明電極圖案34連接的圖。
另外，圖4中，以覆蓋各構成要素的全部的方式設置有透明保護層37。透明保護層37亦可以僅覆蓋各構成要素的一部分的方式來構成。絕緣層35與透明保護層37可為同一材料，亦可為不同材料。
包括靜電電容方式的觸控面板及靜電電容方式的觸控面板作為構成要素的觸控面板顯示裝置可應用「最新觸控面板技術」(2009年7月6日發行，技術時代(Techno Times)(股))、三谷雄二主編的「觸控面板的技術與開發」CMC出版(2004年第12期)、「平板顯示器(Flat Panel Display，FPD)國際2009論壇 T-11講座教材」、「賽普拉斯半導體公司(Cypress Semiconductor Corporation)應用註解AN2292」等中揭示的構成。
本發明的觸控面板例如可以如下方式來製造。
即，可經過以下步驟來製造：步驟1，以與ITO電極接觸的方式，利用噴墨塗佈方式等各種方法來塗佈本發明的感光性組成物；步驟2，於塗佈於所述ITO電極上的感光性組成物上載置具有既定形狀的開口圖案的遮罩，進行活性能量線照射來曝光；步驟3，對曝光後的感光性組成物進行顯影；以及步驟4，對顯影後的感光性組成物進行加熱。
步驟1中，以與ITO電極接觸的方式塗佈感光性組成物時，若所塗佈的本發明的感光性組成物的至少一部分與ITO電極接觸即可。
步驟2可以與所述曝光步驟相同的方式進行，較佳形態亦相同。
步驟3可以與所述顯影步驟相同的方式進行，較佳形態亦相同。
步驟4可以與所述後烘烤步驟相同的方式進行，較佳形態亦相同。
另外，本發明的觸控面板中的ITO電極圖案的一例可較佳地列舉所述圖6所示的圖案。
另外，圖7表示具有觸控面板的功能的液晶顯示裝置的一例的構成概念圖。
例如，本發明的硬化膜適合應用於圖7中的各層之間的保護膜，另外，亦適合應用於將觸控面板的檢測電極間隔開的層間絕緣膜。此外，觸控面板的檢測電極較佳為：透明電極(氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)以及氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide，IZO)等)以及金屬電極(銀、銅、鉬、鈦、鋁等以及該些的積層體及合金等)、或者該些的積層體。
圖7中，110表示畫素基板，140表示液晶層，120表示對向基板，130表示感測器部。畫素基板110是自圖7的下側起依次包括偏光板111、透明基板112、公用電極113、絕緣層114、畫素電極115、配向膜116。對向基板120是自圖7的下側起依次包括配向膜121、彩色濾光片122、透明基板123。感測器部130分別包括相位差膜124、黏接層126、偏光板127。另外，圖7中，125為感測器用檢測電極。本發明的硬化膜可用於：畫素基板部分的絕緣層(114)(亦稱為層間絕緣膜)或各種保護膜(未圖示)、畫素基板部分的各種保護膜(未圖示)、對向基板部分的各種保護膜(未圖示)、感測器部分的各種保護膜(未圖示)等。
黏接層126或偏光板127中可使用公知的黏接層組成物。偏光板或黏接層的具體例可列舉：日本專利特開2014-152319號公報的實施例1、實施例7、實施例13中記載的帶有黏接層的偏光板；日本專利特開2014-191005號公報的實施例1、實施例3及實施例6中記載的帶有黏接層的偏光板；日本專利特開2013-100386號公報的實施例1、實施例3、實施例6、實施例11 及實施例14中記載的帶有黏接層的偏光板；以及日本專利特開2013-163783號公報的實施例1、實施例2、實施例3及實施例4中記載的黏接層。
進而，靜態驅動方式的液晶顯示裝置中，亦可藉由應用本發明來顯示設計性高的圖案。作為例子，可應用本發明來作為如日本專利特開2001-125086號公報中記載般的聚合物網絡型液晶的絕緣膜。
另外，圖8為具有觸控面板的功能的液晶顯示裝置的另一例的構成概念圖。包含：下部顯示板200，相當於薄膜電晶體(TFT)440所具備的薄膜電晶體顯示板；上部顯示板300，與下部顯示板200對向而在與下部顯示板200對向的面上具備多個彩色濾光片330，相當於彩色濾光片顯示板；以及液晶層400，形成於下部顯示板200與上部顯示板300之間。液晶層400包含液晶分子(未圖示)。
下部顯示板200包含：第一絕緣基板210、配置於第一絕緣基板210上的薄膜電晶體(TFT)、形成於薄膜電晶體(TFT)的上表面的絕緣膜280、以及配置於絕緣膜280上的畫素電極290。薄膜電晶體(TFT)可包括：閘極電極220、覆蓋閘極電極220的閘極絕緣膜240、半導體層250、歐姆接觸層260、歐姆接觸層262、源極電極270、以及汲極電極272。於絕緣膜280上，以薄膜電晶體(TFT)的汲極電極272露出的方式形成有接觸孔282。
上部顯示板300包含：遮光構件320，配置於第二絕緣基板310的一面上，且排列為矩陣狀；彩色濾光片330，配置於第二絕緣基板310上；配向膜350，配置於遮光構件320及彩色濾光片330上；以及公用電極370，配置於配向膜350上，與下部顯示板200的畫素電極290對應，對液晶層400施加電壓。
圖8所示的液晶顯示裝置中，於第二絕緣基板310的另一面上配置觸控感測電極410、絕緣膜420、觸控驅動電極430、以及保護膜600。如上所述，圖4所示的液晶顯示裝置的製造中，形成上部顯示板300時，可一併形成作為觸控螢幕的構成要素的感測電極410、絕緣膜420、以及觸控驅動電極430等。特別是將本發明的感光性組成物硬化而成的硬化膜可適合用於下部顯示板200的絕緣膜280、上部顯示板300的絕緣膜420、保護膜600。
[實施例]
以下列舉實施例，對本發明進一步進行具體說明。以下的實施例所示的材料、使用量、比例、處理內容、處理順序等只要不脫離本發明的主旨，則可適當變更。因此，本發明的範圍並不限定於以下所示的具體例。此外，只要無特別說明，則「份」、「%」為質量基準。
<重量平均分子量(Mw)及數量平均分子量(Mn)的測定>
Mw及Mn是於以下的條件下藉由GPC來測定。
管柱的種類：TSK gel Super(東曹(Tosoh))
展開溶媒：四氫呋喃
管柱溫度：40℃
流量(樣品注入量)：10μl
裝置名：HLC-8220GPC(東曹(Tosoh))
標準曲線基礎樹脂：聚苯乙烯
<聚合體的合成例>
以下的合成例中，以下的符號分別表示以下的化合物。
MATHF：甲基丙烯酸2-四氫呋喃酯(合成品)
MAEVE：甲基丙烯酸1-乙氧基乙酯(和光純藥工業(股)製造)
PHS-EVE：對羥基苯乙烯的1-乙氧基乙基保護體(合成品)
OXE-30：甲基丙烯酸3-乙基-3-氧雜環丁基甲酯(大阪有機化學工業(股)製造)
GMA：甲基丙烯酸縮水甘油酯(和光純藥工業(股)製造)
HEMA：甲基丙烯酸羥基乙酯(和光純藥工業(股)製造)
MAA：甲基丙烯酸(和光純藥工業(股)製造)
St：苯乙烯(和光純藥工業(股)製造)
MMA：甲基丙烯酸甲酯(和光純藥工業(股)製造)
NBMA：正丁氧基甲基丙烯醯胺(東京化成(股)製造)
DCPMA：甲基丙烯酸二環戊酯(日立化成(股)製造)
V-601：2,2'-偶氮雙(2-甲基丙酸)二甲酯(和光純藥工業(股)製造)
V-65：2,2'-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)(和光純藥工業(股)製造)
HS-EDM：二乙二醇乙基甲基醚(東邦化學工業(股)製造，海索夫(Hisolve)EDM)
AICA：衣康酸酐
(MATHF的合成)
預先將甲基丙烯酸(86g，1mol)冷卻至15℃，添加樟腦磺酸(4.6g，0.02mol)。於該溶液中滴加2-二氫呋喃(71g，1mol，1.0當量)。攪拌1小時後，添加飽和碳酸氫鈉(500mL)，以乙酸乙酯(500mL)進行萃取，以硫酸鎂進行乾燥後，將不溶物過濾後於40℃以下減壓濃縮，對殘渣的黃色油狀物進行減壓蒸餾，以無色油狀物的形式獲得125g的沸點為54℃~56℃/3.5mmHg餾分的甲基丙烯酸四氫-2H-呋喃-2-基酯(MATHF)(產率為80%)。
(PHS-EVE的合成)
使用對羥基苯乙烯及乙基乙烯醚作為原料，以與MATHF相同的方法來合成PHS-EVE。
(聚合體A-1的合成例)
將74g的HS-EDM於氮氣流下加熱攪拌至90℃。於HS-EDM中，花2小時滴加70g(0.45mol)的MATHF、64g(0.45mol)的GMA、8.6g(0.10mol)的MAA、自由基聚合起始劑V-65(商品名，和光純藥工業(股)製造，相對於全部單體的合計100莫耳而相當於4莫耳的量)以及105g的丙二醇單甲醚乙酸酯 (PGMEA)的混合溶液，進而於70℃下反應2小時，藉此獲得聚合體A-1的溶液(固體成分濃度為45質量%)。
所獲得的聚合體A-1的藉由凝膠滲透層析法(GPC)來測定的重量平均分子量為15,000，分散度(Mw/Mn)=1.9。
(聚合體A-2~聚合體A-20的合成例)
將單體、聚合起始劑及聚合溫度變更為如下述表中所示，利用與聚合體A-1相同的方法來合成各聚合體。
Figure 105119667-A0305-02-0094-32
所述表中，表中的未特別標註單位的數值是以mol%為單位。聚合起始劑及添加劑的數值是將單體成分設為100mol%的情況下的mol%。固體成分濃度表示為[單體質量/(單體質量+溶劑質量)]×100(單位：質量%)。
<化合物S的合成例>
(S-1的合成)
於具備攪拌機、溫度計、氮氣導入口的四口燒瓶中，加入56.0g(0.65mol)的甲基丙烯酸、0.13g的硫酸、111g的甲苯。於氮氣環境下，將液溫保持為23℃，一邊攪拌，一邊花2小時添加50.7g(0.13mol)的2-(全氟己基)乙基乙烯醚(凱米諾斯法夫(CHEMINOX FAVE)-6，尤尼馬特克(Unimatec)(股)製造，下述結構(A))，添加結束後，進而攪拌4.5小時。將反應液添加於345g的10質量%碳酸鈉水溶液中，進行攪拌。將有機層分離，以110g的10質量%碳酸鈉水溶液洗滌三次，以112g的純水洗滌兩次後，進行減壓濃縮。將濃縮液進而減壓蒸餾而純化，藉此獲得甲基丙烯酸2-(全氟己基)乙酯(下述結構(B))。
繼而，於具備攪拌機、溫度計、滴加漏斗及氮氣導入管的可分離燒瓶中，導入33g的二乙二醇乙基甲基醚(MEDG)，升溫至65℃。
繼而，將混合有2.0g的甲基丙烯酸2-(全氟己基)乙酯(下述結構(B))、8.0g的六丁二醇甲基丙烯酸酯(下述結構(C))、以及0.40g的2,2'-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)(和光純藥工業(股)製 造，商品名「V-65」)、68g的MEDG的溶液，花6小時滴加於所述升溫至65℃的可分離燒瓶內。滴加後熟化2小時。
將所獲得的反應液滴加於700g的庚烷中，將沈澱的聚合物以吸濾器(Nutsche)進行回收。
將所獲得的聚合物於減壓下乾燥，獲得作為目標的S-1。S-1的重量平均分子量(Mw)為1900，分散度(Mw/Mn)為1.74。
Figure 105119667-A0305-02-0096-33
Figure 105119667-A0305-02-0096-34
(S-2~S-33的合成)
除了以形成下述表中記載的聚合物的方式適當變更原料的以外，以與S-1相同的方式合成S-2~S-33。
Figure 105119667-A0305-02-0097-36
<感光性組成物的製備>
將下述表中所示的材料混合、攪拌、溶解而製成溶液，利用孔徑為0.4μm的聚乙烯製過濾器進行過濾，進而利用孔徑為0.1μm的聚四氟乙烯製過濾器進行過濾，獲得感光性組成物。表中的未特別標註單位的數值為質量份。
此外，聚合體成分是以固體成分成為表記載的量的方式添加。即，於以固體形式獲得的情況下添加表記載的量的所述固體成分，於以溶液獲得的情況下以固體成分成為表記載的量的方式添加所述溶液。
表示實施例及比較例中使用的各化合物的略號的詳情如以下所述。
(聚合體成分)
使用所述表1所示的A-1~A-20。
(化合物S)
使用所述表2所示的S-1~S-33。
(光酸產生劑)
B-1：下述所示的結構(PAG-103，巴斯夫(BASF)製造，產生pKa為3以下的酸的光酸產生劑)
Figure 105119667-A0305-02-0098-37
B-2：下述所示的結構(PAI-101，綠化學(股)製造，產生 pKa為3以下的酸的光酸產生劑)，Me表示甲基。
Figure 105119667-A0305-02-0099-39
B-3：下述所示的結構(產生pKa為3以下的酸的光酸產生劑)
Figure 105119667-A0305-02-0099-40
B-4：下述所示的結構(Ts表示甲苯磺醯基，產生pKa為3以下的酸的光酸產生劑)
Figure 105119667-A0305-02-0099-41
B-5：下述所示的結構(產生pKa為3以下的酸的光酸產生劑)
Figure 105119667-A0305-02-0099-42
B-6：下述所示的結構(GSID-26-1，三芳基鋶鹽(巴斯夫(BASF)製造)，產生pKa為3以下的酸的光酸產生劑)
Figure 105119667-A0305-02-0100-43
(溶劑)
C-1：二乙二醇乙基甲基醚
C-2：丙二醇單甲醚乙酸酯
C-3：N-甲基吡咯啶酮
C-4：γ-丁內酯
(鹼性化合物)
DBU：1,8-二氮雜雙環[5.4.0]十一-7-烯
TPI：三苯基咪唑
(烷氧基矽烷化合物)
KBM-403：KBM-403，信越矽酮(股)製造
KBM-303：KBM-303，信越矽酮(股)製造
KBE-403：KBE-403，信越矽酮(股)製造
KBM-5103：KBM-5103，信越矽酮(股)製造
(其他成分)
D-1：JER157S65(三菱化學(股)製造，交聯劑)
D-2：愛匹克隆(Epicron)HP-7200(迪愛生(DIC)(股)製造，交聯劑)
D-3：EX-321L(長瀨化成(Nagase ChemteX)(股)製造，交聯劑)
D-4：MW-100LM(三和化學(股)製造，交聯劑)
D-5：卡亞拉德(KAYARAD)DPHA(日本化藥(股)製造，交聯劑)
D-6：JER157S60(三菱化學(股)製造，交聯劑)
AO-60：艾迪科斯塔布(Adekastab)AO-60(艾迪科(ADEKA)(股)製造)
TA：偏苯三甲酸
DBA：9,10-二丁氧基蒽
氧化鈦分散液：製造方法於後敘述。
S'-1：下述結構(構成單元S'-1-1：構成單元S'-1-2=20：80(質量比)，Mw=2600)
Figure 105119667-A0305-02-0101-44
S'-2：下述結構(構成單元S'-2-1：構成單元S'-2-2=20：80(質量比)，Mw=2600)
Figure 105119667-A0305-02-0102-45
(氧化鈦分散液的製造方法)
將25質量份的氧化鈦(石原產業(股)製造的TTO-51(C))、8質量份的分散劑(迪斯帕畢克(DISPERBYK)-111，日本畢克化學(BYK-Chemie Japan)(股)製造)、67質量份的丙二醇單甲醚乙酸酯，利用壽工業(股)製造的超強研磨機(Ultra Apex Mill)，以0.05mm氧化鋯珠填充率75%、周速12m/sec、循環流量180g/min循環150分鐘而分散，獲得氧化鈦分散液。
<評價>
(塗佈性)
於實施了六甲基二矽氮烷(hexamethyldisilazane，HMDS)處理的1,500mm×1,800mm的Cr蒸鍍玻璃基板(玻璃為伊格爾(EAGLE)XG，康寧(Corning)公司)上，利用狹縫模，以塗佈速度為100mm/sec、塗佈間隙為100μm的條件，一邊調整塗佈流速一邊以乾燥膜厚成為4μm的方式塗佈各感光性組成物，利用減壓乾燥腔室以成為極限真空度0.05kPa(0.4Torr)的方式進行真空乾燥。將該經乾燥的基板於加熱板上以90℃乾燥120秒後，於暗處使用Na燈、白色燈及綠色燈進行觀察，利用以下基準對塗佈條紋、乾燥不均進行評價。
1~4為實用範圍。
1：無塗佈條紋以及塗佈不均。
2：無塗佈條紋，但存在少量塗佈不均。
3：塗佈條紋僅於基板周邊部存在少量，且存在少量塗佈不均。
4：塗佈條紋於基板中央部存在少量，且存在少量塗佈不均。
5：塗佈條紋及/或塗佈不均存在於基板整個面。
(與上層的密接性)
將以與塗佈性評價相同的方式製作的基板由FHD-5(富士膠片電子材料(FUJIFILM Electronic Materials)(股)製造)的21%水溶液來覆蓋，靜置60秒。靜置後以噴淋狀散布純水而沖洗顯影液後，使其自然乾燥。進而將乾燥後的基板於230℃下加熱30分鐘後，切割為100mm×100mm尺寸。對於所述成為小片的基板，使用優貝克(ULVac)(股)製造的氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)濺鍍裝置SME-200E，於濺鍍溫度23℃下、以成為膜厚50nm的方式，將ITO成膜，於200℃下加熱30分鐘。於所獲得的帶有ITO的基板上，依據JIS K5600-5-6：1999，以1mm間隔切出切口，進行交叉切割試驗，對ITO的密接性進行評價。1~4為實用範圍。
1：自硬化膜表面剝落的ITO膜的合計面積小於1%
2：自硬化膜表面剝落的ITO膜的合計面積為1%以上且小於5%
3：自硬化膜表面剝落的ITO膜的合計面積為5%以上且小於10%
4：自硬化膜表面剝落的ITO膜的合計面積為10%以上且小於15%
5：自硬化膜表面剝落的ITO膜的合計面積為15%以上
<顯影性>
關於各感光性組成物，對以與塗佈性評價相同的方式製作的基板，使用MPA-7800+(佳能(Canon)(股)製造)來曝光5μm的孔圖案。繼而利用FHD-5(富士膠片電子材料(股)製造)的21%水溶液來覆蓋，於23℃下靜置60秒。靜置後，以噴淋狀散布純水來沖洗顯影液，使其自然乾燥。進而將乾燥後的基板於230℃下加熱30分鐘後，利用光學顯微鏡(倍率300倍)、掃描型電子顯微鏡(SEM)(倍率5000倍)來觀察孔圖案的形狀。於任一觀察中均無殘渣且具有良好的解析性，確認為清晰的孔圖案形狀。此外，對於各感光性組成物的曝光量是利用下述方法來求出。
關於各感光性組成物，對以與塗佈性評價相同的方式製作的基板，使用佳能(Canon)(股)製造的MPA 5500CF(高壓水銀燈)，經由5μm的孔圖案遮罩進行曝光。接著，對曝光後的感光性組成物，利用FHD-5(富士膠片電子材料(股)製造)的21%水溶液進行23℃/60秒顯影後，以超純水淋洗20秒。藉由該些操作來求出對5μm的孔進行解析時的最佳i射線曝光量(Eopt)，作為曝光量。
<耐熱變形>
關於各感光性組成物，對以與顯影性評價相同的方式製作的 基板於烘箱中進行250℃、120分鐘追加煅燒。利用SEM(倍率為5000倍)對進行追加煅燒的前後的圖案形狀進行觀察，將孔形狀的變化小者設為耐熱性良好。1~4為實用範圍。
1：無錐角變動
2：錐角變動小於2°
3：錐角變動為2°以上且小於5°
4：錐角變動為5°以上且小於10°
5：錐角變動為10°以上
Figure 105119667-A0305-02-0106-47
Figure 105119667-A0305-02-0107-48
如所述表中所示，實施例的塗佈性良好，所獲得的硬化膜的與上層的密接性優異。
另一方面，比較例為塗佈性、以及與上層的密接性的至少一者劣化者。
<顯示裝置的製作>
(實施例1001)
除了使用實施例1的感光性組成物來製作畫素分離膜(19)以及平坦化膜(17)以外，依據日本專利特開2012-203121號公報來製作日本專利特開2012-203121號公報的圖1中記載的顯示裝置。為顯示特性優異的顯示裝置。
(實施例1002~實施例1080)
實施例1001中，除了將實施例1的感光性組成物更換為實施例2~實施例80的感光性組成物以外，以與實施例1001相同的方式製作顯示裝置。為顯示特性優異的顯示裝置。
(實施例2001)
除了使用實施例1的感光性組成物來製作畫素間絕緣膜(16)以及層間絕緣膜(14)以外，依據日本專利特開2013-196919號公報來製作日本專利特開2013-196919號公報的圖1中記載顯示裝置。為顯示特性優異的顯示裝置。
(實施例2002~實施例2080)
實施例2001中，除了將實施例1的感光性組成物更換為實施例2~實施例80的感光性組成物以外，以與實施例2001相同的方 式製作顯示裝置。為顯示特性優異的顯示裝置。
(實施例3001)
除了使用實施例1的感光性組成物來製作有機絕緣膜PAS以外，依據日本專利特開2007-328210號公報來製作日本專利特開2007-328210號公報的圖1中記載的液晶顯示裝置。為顯示特性優異的顯示裝置。
(實施例3002~實施例3080)
實施例3001中，除了將實施例1的感光性組成物更換為實施例2~實施例80的感光性組成物以外，以與實施例3001相同的方式製作顯示裝置。為顯示特性優異的顯示裝置。
(實施例4001)
除了使用實施例1的感光性組成物，以下述方式來製作有機絕緣膜PAS以外，依據日本專利特開2007-328210號公報來製作日本專利特開2007-328210號公報的圖1中記載的液晶顯示裝置。為顯示特性優異的顯示裝置。
依據日本專利特開2007-328210號公報，製作至IN2為止。然後，以加熱硬化後的膜厚成為既定膜厚的一半的方式，狹縫塗佈實施例1的感光性組成物，然後去除溶劑，繼而圖案曝光為孔形狀，然後利用氫氧化四甲基銨(TMAH)的0.5質量%水溶液進行60秒覆液顯影，繼而利用超高壓水銀燈，以600mJ/cm2的曝光量進行全面曝光，然後於氮氣環境下以105℃加熱20分鐘，進而於氮氣環境下以240℃加熱40分鐘，形成既定膜厚的一半膜厚的 硬化膜。
於所述硬化膜上，以相同的方式，利用實施例1的感光性組成物來形成既定膜厚的一半膜厚的硬化膜。藉由該些，形成硬化膜的積層體(一半膜厚的硬化膜兩層的積層結構)即PAS。以後，依據日本專利特開2007-328210號公報來製作液晶顯示裝置。
(實施例4002~實施例4080)
實施例4001中，除了將實施例1的感光性組成物更換為實施例2~實施例80的感光性組成物以外，以與實施例4001相同的方式製作顯示裝置。為顯示特性優異的顯示裝置。
(實施例4081)
實施例4001中，除了將有機絕緣膜PAS的第一層變更為實施例57的感光性組成物，且將第二層變更為實施例77的感光性組成物以外，以與實施例4001相同的方式製作顯示裝置。為顯示特性優異的顯示裝置。

Claims (10)

  1. 一種感光性組成物，其包含：聚合體成分A，包含包括構成單元a1的聚合體A1，所述構成單元a1具有酸基由酸分解性基所保護的基團；光酸產生劑B，產生pKa為3以下的酸；溶劑C；以及化合物S，具有式S1所表示的結構及式S2所表示的結構；並且相對於所述聚合體成分A的100質量份，含有0.1質量份~20質量份的所述光酸產生劑B，相對於所述聚合體成分A的100質量份，含有50質量份~95質量份的所述溶劑C，相對於所述聚合體成分A的100質量份，含有0.001質量份~20質量份的所述化合物S，所述化合物S為包括側鏈上具有所述式S1所表示的結構的構成單元S1-1、以及側鏈上具有所述式S2所表示的結構的構成單元S2-1，且含有全部構成單元的70質量%以上的所述構成單元S1-1、以及所述構成單元S2-1的聚合體，且所述構成單元S1-1、與所述構成單元S2-1的質量比為構成單元S1-1：構成單元S2-1=5：95~95：5，且滿足下述a~c的至少一個必要條件；a：所述聚合體A1更包括具有交聯性基的構成單元a2； b：所述聚合體成分A包含包括具有交聯性基的構成單元a2的聚合體；c：所述感光性組成物更包含具有交聯性基的分子量1,000以下的化合物；
    Figure 105119667-A0305-02-0116-49
     式中，波形線表示與構成化合物S的原子團的鍵結位置，R1表示烷基，R2表示氫原子或烷基，L1表示單鍵或二價連結基，於L1表示二價連結基的情況下，R1亦可與L1鍵結而形成環，Rf表示具有三個以上氟原子的氟烷基，L100表示碳數1~12的伸烷基或羰基，R100表示氫原子、羥基或碳數1~12的烷基，n表示0~30的整數，當n為0時，R100表示羥基，當n為1時，L100表示碳數1~12的伸烷基或羰基，R100表示氫原子或碳數1~6的烷基，當n為2~30時，L100表示碳數1~12的伸烷基，R100表示氫原子或碳數1~12的烷基，多個L100可相同，亦可不同。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的感光性組成物，其中所 述化合物S為包括式S1-2所表示的構成單元、以及式S2-2所表示的構成單元的聚合體；
    Figure 105119667-A0305-02-0117-51
     式中，R11表示氫原子或碳數1~3的烷基，R12表示烷基，R13表示氫原子或烷基，L10表示單鍵或二價連結基，於L10表示二價連結基的情況下，R12亦可與L10鍵結而形成環，Rf表示具有三個以上氟原子的氟烷基，L101表示碳數1~12的伸烷基，R101表示氫原子或碳數1~12的烷基，n1表示0~30的整數，當n1為0或1時，R101表示氫原子或碳數1~6的烷基，當n1為2~30時，多個L101可相同，亦可不同。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的感光性組成物，其中所述化合物S為包括式S1-3所表示的構成單元、以及式S2-3所表示的構成單元的聚合體；
    Figure 105119667-A0305-02-0118-52
     式中，R21表示氫原子或碳數1~3的烷基，R22表示碳數1~3的烷基，R23表示氫原子，L20表示碳數1~12的伸烷基，Rf1表示碳數3~6的全氟烷基，R22亦可與L20鍵結而形成環，L201表示碳數1~12的伸烷基，R201表示氫原子或碳數1~6的烷基，n2表示1~20的整數，當n2為2~20時，多個L201可相同，亦可不同。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的感光性組成物，其中所述化合物S的重量平均分子量為100~100000。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的感光性組成物，其中所述構成單元a1是由式A2'所表示；
    Figure 105119667-A0305-02-0119-53
     式中，R1及R2分別獨立地表示氫原子、烷基或芳基，R1及R2的至少一者為烷基或芳基，R3表示烷基或芳基，R1或R2、與R3亦可連結而形成環狀醚，R4表示氫原子或甲基，X表示單鍵或伸芳基。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的感光性組成物，其中所述交聯性基為選自環氧基及氧雜環丁基中的至少一種。
  7. 一種硬化膜的製造方法，其包括：將如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的感光性組成物塗佈於基板上的步驟；自所塗佈的感光性組成物中去除溶劑的步驟；利用光化射線對去除了溶劑的感光性組成物進行曝光的步驟；利用顯影液對經曝光的感光性組成物進行顯影的步驟；以及對經顯影的感光性組成物進行熱硬化的步驟。
  8. 一種液晶顯示裝置的製造方法，其包含如申請專利範圍第7項所述的硬化膜的製造方法。
  9. 一種有機電致發光顯示裝置的製造方法，其包含如申 請專利範圍第7項所述的硬化膜的製造方法。
  10. 一種觸控面板的製造方法，其包含如申請專利範圍第7項所述的硬化膜的製造方法。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6974045B2 (ja) * 2017-06-19 2021-12-01 サンアプロ株式会社 感光性組成物

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008274070A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Daicel Chem Ind Ltd フッ素原子含有ヘミアセタールエステル構造を有する重合性単量体、及び高分子化合物
JP2008275949A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
CN103186042A (zh) * 2011-12-28 2013-07-03 锦湖石油化学株式会社 抗蚀剂添加剂及包含该添加剂的抗蚀剂组合物
TW201441269A (zh) * 2013-04-24 2014-11-01 Korea Kumho Petrochem Co Ltd 聚合物及其含有該聚合物的抗蝕劑組合物
TW201443169A (zh) * 2013-05-01 2014-11-16 Jsr Corp 具有凹圖案的基材的製造方法、組成物、導電膜的形成方法、電子電路及電子元件
TW201518272A (zh) * 2013-09-03 2015-05-16 Sumitomo Chemical Co 化合物、樹脂、光阻組成物以及光阻圖案的製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101067668B (zh) * 2006-05-02 2011-06-15 富士胶片株式会社 滤色器的制造方法、滤色器及显示装置
JP5002323B2 (ja) * 2007-04-27 2012-08-15 東京応化工業株式会社 含フッ素高分子化合物、液浸露光用ポジ型レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法
CN102193316B (zh) * 2010-03-15 2015-11-18 富士胶片株式会社 正型感光性树脂组合物、固化膜的形成方法、固化膜、有机el显示装置以及液晶显示装置
JP5486521B2 (ja) 2010-03-15 2014-05-07 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜の形成方法、硬化膜、有機ｅｌ表示装置、及び、液晶表示装置
WO2014017666A1 (en) * 2012-07-27 2014-01-30 Fujifilm Corporation Pattern forming method, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, manufacturing method of electronic device using the same, and electronic device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008274070A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Daicel Chem Ind Ltd フッ素原子含有ヘミアセタールエステル構造を有する重合性単量体、及び高分子化合物
JP2008275949A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
CN103186042A (zh) * 2011-12-28 2013-07-03 锦湖石油化学株式会社 抗蚀剂添加剂及包含该添加剂的抗蚀剂组合物
TW201441269A (zh) * 2013-04-24 2014-11-01 Korea Kumho Petrochem Co Ltd 聚合物及其含有該聚合物的抗蝕劑組合物
TW201443169A (zh) * 2013-05-01 2014-11-16 Jsr Corp 具有凹圖案的基材的製造方法、組成物、導電膜的形成方法、電子電路及電子元件
TW201518272A (zh) * 2013-09-03 2015-05-16 Sumitomo Chemical Co 化合物、樹脂、光阻組成物以及光阻圖案的製造方法

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