TWI685414B - 超臨界發泡中底之製造方法 - Google Patents

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TWI685414B
TWI685414B TW108111395A TW108111395A TWI685414B TW I685414 B TWI685414 B TW I685414B TW 108111395 A TW108111395 A TW 108111395A TW 108111395 A TW108111395 A TW 108111395A TW I685414 B TWI685414 B TW I685414B
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蕭瑞芬
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大力卜股份有限公司
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Abstract

一種超臨界發泡中底之製造方法,包含提供一高分子原料、進行一射出成型步驟、進行一射出本體粗胚後降溫步驟、進行一高壓發泡步驟、進行一高壓發泡後降溫步驟與一恆溫靜置步驟。射出成型步驟係將高分子原料以射出成型方式製備一本體粗胚。射出本體粗胚後降溫步驟係將本體粗胚進行降溫並靜置。高壓發泡步驟係將本體粗胚含浸於一超臨界氣體以製備成一發泡半成品,再將其透過高壓發泡後降溫步驟與恆溫靜置步驟的降溫及恆溫靜置,以得到一超臨界發泡中底。藉此,可達到低毒性與環保的功效,同時可提升製造良率。

Description

超臨界發泡中底之製造方法
本揭示內容是關於一種中底之製造方法,特別是一種超臨界發泡中底之製造方法。
鞋子是生活中不可或缺的物品,尤其是具有吸震與彈性效果的運動鞋。為了達到鞋底具有發泡的效果,故會添加化學性發泡劑、交聯劑與其他功效之化學藥劑以達到目的,然進行發泡的過程中會揮發有機氣體,不但直接影響現場人員健康的傷害,也造成環境的破壞。
為了達到環保與減少人體的傷害,故出現了使用超臨界物理發泡的技術。此項技術因不需去除殘留發泡劑的步驟,且製備之發泡體具有低毒性且環保之優點。然而,現有之超臨界發泡技術的良率尚有提升的空間,進而造成成品的品質不佳與製造成本的增加。
本發明提供一種超臨界發泡中底之製造方法,透過超臨界發泡的方式製備超臨界發泡中底,可達到低毒性與環保的目的,亦可提升製造之良率。
依據本發明提供一種超臨界發泡中底之製造方法,包含提供一高分子原料、進行一射出成型步驟、進行一射出本體粗胚後降溫步驟、進行一高壓發泡步驟、進行一高壓發泡後降溫步驟與一恆溫靜置步驟。射出成型步驟係將高分子原料以射出成型方式製備一本體粗胚。射出本體粗胚後降溫步驟係將本體粗胚進行降溫並靜置。高壓發泡步驟係將本體粗胚含浸於一超臨界氣體以製備成一發泡半成品。高壓發泡後降溫步驟係將發泡半成品進行降溫。恆溫靜置步驟係將高壓發泡後降溫步驟中已降溫之發泡半成品靜置於一恆定溫度以得到一超臨界發泡中底。
根據前段所述超臨界發泡中底之製造方法,其中高分子原料可為乙烯醋酸乙烯酯共聚物(EVA)。
根據前段所述超臨界發泡中底之製造方法,其中高分子原料可為單色或雙色。
根據前段所述超臨界發泡中底之製造方法,其中射出成型步驟係於175℃下進行。
根據前段所述超臨界發泡中底之製造方法,其中射出本體粗胚後降溫步驟中,可將本體粗胚於降溫後靜置24小時。
根據前段所述超臨界發泡中底之製造方法,其中超臨界氣體可為氮氣或二氧化碳。
根據前段所述超臨界發泡中底之製造方法,其中高壓發泡步驟係於180kg/cm2的壓力下進行。
根據前段所述超臨界發泡中底之製造方法,其中高壓發泡步驟中,本體粗胚於超臨界氣體中可含浸2小時至5小時。
根據前段所述超臨界發泡中底之製造方法,其中高壓發泡後降溫步驟中,係將發泡半成品由100℃降溫至30℃,且降溫時間可為30分鐘。
根據前段所述超臨界發泡中底之製造方法,其中恆溫靜置步驟係將已降溫之發泡半成品於恆定溫度靜置24小時至48小時,其中恆定溫度可為23℃至25℃。
根據前段所述超臨界發泡中底之製造方法,可更包含一擠壓射出色塊步驟,係於高分子原料為雙色時,且於射出成型步驟前進行,係將雙色之高分子原料以擠壓射出形成一色塊。
根據前段所述超臨界發泡中底之製造方法,可更包含一模壓定型步驟,模壓定型步驟於恆溫靜置步驟後進行,係將超臨界發泡中底模壓定型後形成一花紋於超臨界發泡中底之表面。
100、200、300、400‧‧‧超臨界發泡中底之製造方法
S101、S201、S301、S401‧‧‧提供高分子原料
S302、S402‧‧‧擠壓射出色塊步驟
S102、S202、S303、S403‧‧‧射出成型步驟
S103、S203、S304、S404‧‧‧射出本體粗胚後降溫步驟
S104、S204、S305、S405‧‧‧高壓發泡步驟
S105、S205、S306、S406‧‧‧高壓發泡後降溫步驟
S106、S206、S307、S407‧‧‧恆溫靜置步驟
S107、S308‧‧‧模壓定型步驟
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂,所附圖式之說明如下:第1圖繪示依照本揭示內容一實施例之超臨界發泡中底之製造方法的步驟流程圖;第2圖繪示依照本揭示內容另一實施例之超臨界發泡中底之製造方法的步驟流程圖;第3圖繪示依照本揭示內容再一實施例之超臨界發泡中底之製造方法的步驟流程圖;以及第4圖繪示依照本揭示內容又一實施例之超臨界發泡中底之製造方法的步驟流程圖。
以下將參照圖式說明本發明之複數個實施例。為明確說明起見,許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而,應瞭解到,這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說,在本發明部分實施例中,這些實務上的細節是非必要的。此外,為簡化圖式起見,一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之;並且重複之元件將可能使用相同的編號表示之。
本發明提供之超臨界發泡中底之製造方法包含提供高分子原料、射出成型步驟、射出本體粗胚後降溫步驟、高壓發泡步驟、高壓發泡後降溫步驟與恆溫靜置步驟。 射出成型步驟係將高分子原料以射出成型方式製備成一本體粗胚。射出本體粗胚後降溫步驟係將本體粗胚進行降溫並靜置。高壓發泡步驟係將本體粗胚含浸於一超臨界氣體以製備成一發泡半成品。高壓發泡後降溫步驟係將發泡半成品進行降溫。恆溫靜置步驟係將高壓發泡後降溫步驟中以降溫之發泡成品靜置於一恆定溫度以得到一超臨界發泡中底。
詳細來說,提供高分子原料可視需求將多種原料依照適當比例重量進行攪拌混合。接著,使用一輪機進行均勻分散的滾輪混練,並且利用一造粒機製造成顆粒狀之高分子原料。高分子原料可為EVA,且高分子原料可為單色或雙色,但並不以此為限。當高分子原料為雙色時,超臨界發泡中底之製造方法可更包含一擠壓射出色塊步驟,於射出成型步驟前進行,係將雙色之高分子原料於95℃下以擠壓射出於一擠壓射出之縮小模具中形成一色塊之高分子原料。
射出成型步驟可於175℃下進行。詳細來說,高分子原料經加熱後射入於一射出成形之縮小模具中形成本體粗胚,取出後再進行射出本體粗胚後降溫步驟。射出本體粗胚後降溫步驟中,係將本體粗胚置入一降溫烘箱之輸送帶上,而沿輸送帶的路徑可設定多段溫度,如降溫烘箱設定可設定100℃、80℃、60℃、30℃,以利將本體粗胚自100℃降溫至30℃,且降溫時間可為20分鐘至30分鐘,輸送帶的總行經長度為20m。降溫後的本體粗胚可於25℃靜置24小時。靜置後的本體粗胚可被置放於網狀框架內,並 以載具自動分流排放於預設位置,等待下一步驟的進行。藉由射出本體粗胚後降溫步驟,可達到較為穩定的製備品質。
高壓發泡步驟中使用的超臨界氣體可為氮氣或二氧化碳,且可於180kg/cm2的壓力下進行,本體粗胚於超臨界氣體中含浸2小時至5小時,但並不以此為限。詳細來說,先將一高壓爐加熱到100℃至130℃,高壓爐可同時放置複數成雙的本體粗胚,如以200雙為一個單位的本體粗胚。將本體粗胚置入高壓爐後,注入超臨界氣體於高壓爐內並加壓至180kg/cm2,使本體粗胚含浸於其中,並在到達完成含浸之設定時間後開始洩壓,即得到發泡半成品。
完成高壓發泡步驟之發泡半成品係藉由載具連接至一隧道式烘箱以進行高壓發泡後降溫步驟。高壓發泡後降溫步驟係將發泡半成品送入隧道式烘箱內之輸送帶上,而沿著輸送帶的路徑可設定多段溫度,經由隧道式烘箱可設定100℃、70℃、50℃、40℃、30℃,以利將發泡半成品由100℃降溫至30℃,且降溫時間可為30分鐘,但並不以此為限。完成降溫後,已發泡半成品藉由載具連接至一恆溫室進行恆溫靜置步驟。恆溫靜置步驟係將已降溫之發泡半成品於恆定溫度靜置24小時至48小時,藉以得到穩定已發泡的超臨界發泡中底,其中恆定溫度可為23℃至25℃。另外,恆溫靜置中的發泡半成品更可透過上壓墊片以及下壓墊片進行壓制,以利超臨界發泡中底的定型。
進一步來說,在經過恆溫靜置步驟得到的超臨界發泡中底,若於高壓發泡步驟後表面無花紋的產生,即為 超臨界發泡中底之半成品,便需要再經過一模壓定型步驟。值得一提的是,模壓定型步驟所使用之模具為1:1比例。高壓發泡步驟後有無花紋的因素為射出成型步驟時的模具的差異。模壓定型步驟於恆溫靜置步驟後進行,係將超臨界發泡中底之半成品藉由1:1比例之模具進行模壓後形成一花紋於超臨界發泡中底之半成品的表面。
詳細來說,更包含一品檢與包裝步驟,品檢與包裝步驟可於模壓定型步驟之前進行。前述超臨界發泡中底之製造方法所製造出的超臨界發泡中底,可藉由輸送帶將已定型後的超臨界發泡中底傳送至一模口量測機進行自動品檢,經由模口量測機可直接篩選超臨界發泡中底,透過模口量測機自動將符合規格的超臨界發泡中底輸送至紙箱中,並排除不符合規格的超臨界發泡中底,免去人力篩選不良品的程序。
藉此,本發明提供的超臨界發泡中底之製造方法生產出的超臨界發泡中底的平均良率為90%以上,具有良率高的優勢。接著再利用一自動包裝機將裝滿符合規格的超臨界發泡中底的紙箱自動封箱。
<實施例>
請參照第1圖,其繪示依照本揭示內容一實施例之超臨界發泡中底之製造方法100的步驟流程圖,其中第1圖超臨界發泡中底之製造方法100所製造出的超臨界發泡中底為單色半成品。第1圖實施例中,超臨界發泡中底之製造方法100包含提供高分子原料S101、射出成型步驟 S102、射出本體粗胚後降溫步驟S103、高壓發泡步驟S104、高壓發泡後降溫步驟S105、恆溫靜置步驟S106與模壓定型步驟S107。
首先,提供高分子原料S101為提供單一顏色之高分子原料,高分子原料可包含乙烯/醋酸乙烯酯共聚物、聚烯烴彈性體、苯乙烯乙烯/丁烯苯乙烯橡膠、硬脂酸與無味架橋劑。詳細來說,本實施例中使用的乙烯/醋酸乙烯酯共聚物取自於台灣塑膠工業股份有限公司,聚烯烴彈性體取自於陶氏化學公司。
射出成型步驟S102係於175℃下進行。詳細來說,將單一顏色之高分子原料加熱後射入一射出成形之縮小模具中,形成本體粗胚。取出本體粗胚後,於射出本體粗胚後降溫步驟S103將本體粗胚進行降溫並靜置,降溫係將本體粗胚置入降溫烘箱之輸送帶上,由輸送帶路徑設定之溫度進行降溫,分別為100℃、80℃、60℃、30℃,以利將本體粗胚從100℃降溫至30℃,且降溫時間可為20分鐘至30分鐘,輸送帶的總行經長度為20m。降溫後的本體粗胚於25℃靜置24小時。
高壓發泡步驟S104將本體粗胚於超臨界氣體以180kg/cm2的壓力下含浸2小時至5小時以製備成發泡半成品,其中超臨界氣體可為氮氣或二氧化碳。詳細來說,先將高壓爐加熱到100℃至130℃,且高壓爐可同時置入200雙為一個單位的本體粗胚。將本體粗胚置入於高壓爐後,注入超臨界氣體於高壓爐內加壓至180kg/cm2,使本體粗胚 含浸於其中,並於完成含浸的設定時間後開始洩壓,即得到發泡半成品。
高壓發泡後降溫步驟S105係將發泡半成品以載具連接至隧道式烘箱進行降溫。詳細來說,藉由將發泡半成品送入隧道式烘箱之輸送帶上,由輸送帶路徑設定之溫度進行降溫,分別為100℃、70℃、50℃、40℃、30℃,以利將發泡半成品由100℃降溫至30℃,且降溫時間可為30分鐘。
恆溫靜置步驟S106係將高壓發泡後降溫步驟S105後已降溫的發泡半成品靜置於恆定溫度得到超臨界發泡中底,其中恆定溫度可為23℃至25℃,恆定溫度靜置時間可為24小時至48小時。因第1圖實施方式之超臨界發泡中底於高壓發泡步驟S104後尚未有花紋,故需再進行模壓定型步驟S107以形成花紋於超臨界發泡中底之表面,完成花紋於超臨界發泡中底之表面即為完成品。
由第1圖實施例所製備之超臨界發泡中底,具有比重範圍為0.15至0.17,40%以下的壓縮歪,60%以上的回彈率以及硬度範圍為35 C至45 C。
請參照第2圖,其繪示依照本揭示內容另一實施例之超臨界發泡中底之製造方法200的步驟流程圖,其中第2圖超臨界發泡中底之製造方法200所製造出的超臨界發泡中底為單色成品。第2圖實施例中,超臨界發泡中底之製造方法200包含提供高分子原料S201、射出成型步驟S202、 射出本體粗胚後降溫步驟S203、高壓發泡步驟S204、高壓發泡後降溫步驟S205與恆溫靜置步驟S206。
首先,提供高分子原料S201為提供單一顏色之高分子原料,高分子原料可包含乙烯/醋酸乙烯酯共聚物、聚烯烴彈性體、苯乙烯乙烯/丁烯苯乙烯橡膠、硬脂酸與無味架橋劑。詳細來說,本實施例中使用的乙烯/醋酸乙烯酯共聚物取自於台灣塑膠工業股份有限公司,聚烯烴彈性體取自於陶氏化學公司。
射出成型步驟S202係於175℃下進行。詳細來說,將單一顏色之高分子原料加熱後射入一射出成形之縮小模具中,形成本體粗胚。取出本體粗胚後,於射出本體粗胚後降溫步驟S203將本體粗胚進行降溫並靜置,降溫係將本體粗胚置入降溫烘箱之輸送帶上,由輸送帶路徑設定之溫度進行降溫,分別為100℃、80℃、60℃、30℃,以利將本體粗胚從100℃降溫至30℃,且降溫時間可為20分鐘至30分鐘,輸送帶的總行經長度為20m。降溫後的本體粗胚於25℃靜置24小時。
高壓發泡步驟S204將本體粗胚於超臨界氣體以180kg/cm2的壓力下含浸2小時至5小時以製備成發泡半成品,其中超臨界氣體可為氮氣或二氧化碳。詳細來說,先將高壓爐加熱到100℃至130℃,且高壓爐可同時置入200雙為一個單位的本體粗胚。將本體粗胚置入於高壓爐後,注入超臨界氣體於高壓爐內加壓至180kg/cm2,使本體粗胚 含浸於其中,並於完成含浸的設定時間後開始洩壓,即得到發泡半成品。
高壓發泡後降溫步驟S205係將發泡半成品以載具連接至隧道式烘箱進行降溫。詳細來說,藉由將發泡半成品送入隧道式烘箱之輸送帶上,由輸送帶路徑設定之溫度進行降溫,分別為100℃、70℃、50℃、40℃、30℃,以利將發泡半成品由100℃降溫至30℃,且降溫時間可為30分鐘。
恆溫靜置步驟S206係將高壓發泡後降溫步驟S205後已降溫的發泡半成品靜置於恆定溫度得到超臨界發泡中底,其中恆定溫度可為23℃至25℃,恆定溫度靜置時間可為24小時至48小時。因第2圖實施方式與第1圖實施方式在於模具的差異,導致超臨界發泡中底於高壓發泡步驟S204即於超臨界發泡中底之表面產生花紋。
由第2圖實施例所製備之超臨界發泡中底,具有比重範圍為0.15至0.17,40%以下的壓縮歪,60%以上的回彈率以及硬度範圍為45 C至55 C。
請參照第3圖,其繪示依照本揭示內容再一實施方法之超臨界發泡中底之製造方法300的步驟流程圖。超臨界發泡中底之製造方法300包含提供高分子原料S301、擠壓射出色塊步驟S302、射出成型步驟S303、射出本體粗胚後降溫步驟S304、高壓發泡步驟S305、高壓發泡後降溫步驟S306、恆溫靜置步驟S307與模壓定型步驟S308。
首先,提供高分子原料S301為提供雙色之高分子原料,高分子原料可包含乙烯/醋酸乙烯酯共聚物、聚烯烴彈性體、苯乙烯乙烯/丁烯苯乙烯橡膠、硬脂酸與無味架橋劑。詳細來說,本實施例中使用的乙烯/醋酸乙烯酯共聚物取自於台灣塑膠工業股份有限公司,聚烯烴彈性體取自於陶氏化學公司。接著由擠壓射出色塊步驟S302可於95℃下,將雙色的高分子原料以擠壓射出於縮小模具中以形成色塊之高分子原料。
射出成型步驟S303係於175℃下進行。詳細來說,將雙色色塊之高分子原料加熱後射入一射出成形之縮小模具中,形成本體粗胚。取出本體粗胚後,於射出本體粗胚後降溫步驟S304將本體粗胚進行降溫並靜置,降溫係將本體粗胚置入降溫烘箱之輸送帶上,由輸送帶路徑設定之溫度進行降溫,分別為100℃、80℃、60℃、30℃,以利將本體粗胚從100℃降溫至30℃,且降溫時間可為20分鐘至30分鐘,輸送帶的總行經長度為20m。降溫後的本體粗胚於25℃靜置24小時。
高壓發泡步驟S305將本體粗胚於超臨界氣體以180kg/cm2的壓力下含浸2小時至5小時以製備成發泡半成品,其中超臨界氣體可為氮氣或二氧化碳。詳細來說,先將高壓爐加熱到100℃至130℃,且高壓爐可同時置入200雙為一個單位的本體粗胚。將本體粗胚置入於高壓爐後,注入超臨界氣體於高壓爐內加壓至180kg/cm2,使本體粗胚 含浸於其中,並於完成含浸的設定時間後開始洩壓,即得到發泡半成品。
高壓發泡後降溫步驟S306係將發泡半成品以載具連接至隧道式烘箱進行降溫。詳細來說,藉由將發泡半成品送入隧道式烘箱之輸送帶上,由輸送帶路徑設定之溫度進行降溫,分別為100℃、70℃、50℃、40℃、30℃,以利將發泡半成品由100℃降溫至30℃,且降溫時間可為30分鐘。
恆溫靜置步驟S307係將高壓發泡後降溫步驟S306後已降溫的發泡半成品靜置於恆定溫度得到超臨界發泡中底,其中恆定溫度可為23℃至25℃,恆定溫度靜置時間可為24小時至48小時。因第3圖實施方式之超臨界發泡中底於高壓發泡步驟S305後尚未有花紋,故需再進行模壓定型步驟S308以形成花紋於超臨界發泡中底之表面上,完成花紋於超臨界發泡中底之表面上即為完成品。
由第3圖實施例所製備之超臨界發泡中底具有比重範圍為0.15至0.17,40%以下的壓縮歪,60%以上的回彈率以及硬度範圍為35 C至45 C。
請參照第4圖,其繪示依照本揭示內容又一實施方法之超臨界發泡中底之製造方法400的步驟流程圖。超臨界發泡中底之製造方法400包含提供高分子原料S401、擠壓射出色塊步驟S402、射出成型步驟S403、射出本體粗胚後降溫步驟S404、高壓發泡步驟S405、高壓發泡後降溫步驟S406與恆溫靜置步驟S407。
首先,提供高分子原料S401為提供雙色之高分子原料,高分子原料可包含乙烯/醋酸乙烯酯共聚物、聚烯烴彈性體、苯乙烯乙烯/丁烯苯乙烯橡膠、硬脂酸與無味架橋劑。詳細來說,本實施例中使用的乙烯/醋酸乙烯酯共聚物取自於台灣塑膠工業股份有限公司,聚烯烴彈性體取自於陶氏化學公司。接著由擠壓射出色塊步驟S402可於95℃下,將雙色的高分子原料以擠壓射出於縮小模具中以形成色塊之高分子原料。
射出成型步驟S403係於175℃下進行。詳細來說,將雙色色塊之高分子原料加熱後射入一射出成形之縮小模具中,形成本體粗胚。取出本體粗胚後,於射出本體粗胚後降溫步驟S404將本體粗胚進行降溫並靜置,降溫係將本體粗胚置入降溫烘箱之輸送帶上,由輸送帶路徑設定之溫度進行降溫,分別為100℃、80℃、60℃、30℃,以利將本體粗胚從100℃降溫至30℃,且降溫時間可為20分鐘至30分鐘,輸送帶的總行經長度為20m。降溫後的本體粗胚於25℃靜置24小時。
高壓發泡步驟S405將本體粗胚於超臨界氣體以180kg/cm2的壓力下含浸2小時至5小時以製備成發泡半成品,其中超臨界氣體可為氮氣或二氧化碳。詳細來說,先將高壓爐加熱到100℃至130℃,且高壓爐可同時置入200雙為一個單位的本體粗胚。將本體粗胚置入於高壓爐後,注入超臨界氣體於高壓爐內加壓至180kg/cm2,使本體粗胚 含浸於其中,並於完成含浸的設定時間後開始洩壓,即得到發泡半成品。
高壓發泡後降溫步驟S406係將發泡半成品以載具連接至隧道式烘箱進行降溫。詳細來說,藉由將發泡半成品送入隧道式烘箱之輸送帶上,由輸送帶路徑設定之溫度進行降溫,分別為100℃、70℃、50℃、40℃、30℃,以利將發泡半成品由100℃降溫至30℃,且降溫時間可為30分鐘。
恆溫靜置步驟S407係將高壓發泡後降溫步驟S406後已降溫的發泡半成品靜置於恆定溫度得到超臨界發泡中底,其中恆定溫度可為23℃至25℃,恆定溫度靜置時間可為24小時至48小時。因第4圖實施方式與第3圖實施方式在於模具的差異,導致超臨界發泡中底於高壓發泡步驟S405即於超臨界發泡中底之表面產生花紋。
由第4圖實施例所製備之超臨界發泡中底具有比重範圍為0.15至0.17,40%以下的壓縮歪,60%以上的回彈率以及硬度範圍為45 C至55 C。
綜合上述,藉由本揭示內容之製造方法可製備單色或雙色的超臨界發泡中底,並且可透過調整高分子原料的配方以得到不同硬度範圍之超臨界發泡中底,同時可透過模具的差異以減少模壓定型步驟。值得一提的是,藉由本揭示內容之製造方法可維持良率90%以上的超臨界發泡中底,且透過模口量測機自動品檢所有製備完成之超臨界發泡中底,降低製造成本與人力成本。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
200‧‧‧超臨界發泡中底之製造方法
S201‧‧‧提供高分子原料
S202‧‧‧射出成型步驟
S203‧‧‧射出本體粗胚後降溫步驟
S204‧‧‧高壓發泡步驟
S205‧‧‧高壓發泡後降溫步驟
S206‧‧‧恆溫靜置步驟

Claims (13)

  1. 一種超臨界發泡中底之製造方法,包含:提供一高分子原料;進行一射出成型步驟,係將該高分子原料以射出成型方式製備成一本體粗胚;進行一射出本體粗胚後降溫步驟,係將該本體粗胚進行降溫並靜置;進行一高壓發泡步驟,係將該本體粗胚含浸於一超臨界氣體以製備成一發泡半成品;進行一高壓發泡後降溫步驟,係將該發泡半成品進行降溫,並將該發泡半成品由100℃降溫至30℃;以及進行一恆溫靜置步驟,係將該高壓發泡後降溫步驟中已降溫之該發泡半成品靜置於一恆定溫度以得到一超臨界發泡中底,其中該恆定溫度為23℃至25℃。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之超臨界發泡中底之製造方法,其中該高分子原料為乙烯醋酸乙烯酯共聚物。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之超臨界發泡中底之製造方法,其中該高分子原料為單色或雙色。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之超臨界發泡中底之製造方法,其中該射出成型步驟係於175℃下進行。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之超臨界發泡中底之製造方法,其中該射出本體粗胚後降溫步驟中,係將該本體粗胚由100℃降溫至30℃,且降溫時間為20分鐘至30分鐘。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之超臨界發泡中底之製造方法,其中該射出本體粗胚後降溫步驟中,將該本體粗胚於降溫後靜置24小時。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之超臨界發泡中底之製造方法,其中該超臨界氣體為氮氣或二氧化碳。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之超臨界發泡中底之製造方法,其中該高壓發泡步驟係於180kg/cm2的壓力下進行。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之超臨界發泡中底之製造方法,其中該高壓發泡步驟中,該本體粗胚於該超臨界氣體中含浸2小時至5小時。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之超臨界發泡中底之製造方法,其中該高壓發泡後降溫步驟中,降溫時間為30分鐘。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之超臨界發泡中底之製造方法,其中該恆溫靜置步驟係將已降溫之該發泡半成品於該恆定溫度靜置24小時至48小時。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之超臨界發泡中底之製造方法,更包含:一擠壓射出色塊步驟,係於該高分子原料為雙色時,且於該射出成型步驟前進行,係將雙色之該高分子原料以擠壓射出形成一色塊。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之超臨界發泡中底之製造方法,更包含:一模壓定型步驟,該模壓定型步驟於該恆溫靜置步驟後進行,係將該超臨界發泡中底模壓定型後形成一花紋於該超臨界發泡中底之一表面。
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