TWI670909B - 遮蓋總成、套組及遮蓋電纜及連接件之方法 - Google Patents

遮蓋總成、套組及遮蓋電纜及連接件之方法 Download PDF

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哈利 喬治 亞華斯奇
夏恩 甘迺迪
曼慕德 席雷傑
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美商泰連公司
加拿大商太谷電子(加拿大)無限公司
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Abstract

用於遮蓋且電絕緣一電連接件之一遮蓋總成包含一接頭主體，該接頭主體包含一管狀內套筒及一整合半導體層。該內套筒係由一可彈性擴展、電絕緣材料形成且具有一外表面及對置之第一及第二終端端部。該內套筒界定自在該內套筒之該第一終端端部處之一第一端部開口軸向延伸至在該內套筒之該第二端部處之一第二終端端部開口之一貫穿通路。該半導體層安置於該內套筒之該外表面上且由一半導電性材料形成。該半導體層自該半導體層之一第一終端端部軸向延伸至該半導體層之一對置第二終端端部。該半導體層之該第一終端端部與該內套筒之該第一終端端部間隔開一規定之半導體截斷距離，以界定不由該半導體層遮蓋之該外表面之一管狀帶。

Description

遮蓋總成、套組及遮蓋電纜及連接件之方法 [相關申請案]
此申請案主張2014年5月16日申請之美國臨時專利申請案第61/994,341號之優先權利，該案之全文以引用之方式併入本文。
本發明係關於電纜及連接件，且更特定言之係關於電纜及電連接件之保護遮蓋。
在電公用設備產業中，維持電纜完整可係關鍵的。電纜完整之一損失(例如，一高電壓電纜中之一短路)可導致一嚴重電力中斷或(更槽糕)一使用壽命降低。嚴重威脅電纜完整性之一項日常任務係電連接件之形成。
當形成電連接件時，可曝露一裸露金屬表面，諸如一續接部連接器。若在兩個絕緣電纜之間形成連接件，則假定連接件處於一惡劣環境中，諸如一充滿水之導管或埋設於岩石下方。繼而，必須有效重建電纜之電絕緣、金屬屏蔽及整個此連接件之環境保護。若在不重建電纜層的情況下通電至連接件，則金屬連接件可立即失效或不久後失效。因此，需要保護此等電連接件使之免於該環境。
許多電力網路需要經分裂成區段以防止有損耗之環形電流。一續接部連接件係提供一屏蔽中斷之一良好位置，此係因為屏蔽已在續 接期間切割且必須在續接安裝期間重做。然而，歸因於由主電力導體中之電流造成之磁感應，屏蔽中斷可容許兩個相鄰屏蔽網路具有相對於彼此之一高電位差。歸因於此現象，續接部必須耐受在其屏蔽之各側上之高電壓。
根據本發明之實施例，一種用於遮蓋且電絕緣一電連接件之遮蓋總成包含一接頭主體，該接頭主體包含一管狀內套筒及一整合半導體層。該內套筒係由一可彈性擴展、電絕緣材料形成且具有一外表面及對置之第一及第二終端端部。該內套筒界定自在該內套筒之該第一終端端部處之一第一端部開口軸向延伸至在該內套筒之該第二端部處之一第二終端端部開口之一貫穿通路。該半導體層安置於該內套筒之該外表面上且由一半導電性材料形成。該半導體層自該半導體層之一第一終端端部軸向延伸至該半導體層之一對置第二終端端部。該半導體層之該第一終端端部與該內套筒之該第一終端端部間隔開一規定之半導體截斷距離，以界定不由該半導體層遮蓋之該外表面之一管狀帶。
根據本發明之方法實施例，一種用於形成一受保護之連接件總成之方法包含形成在第一及第二電纜之間的一電連接件及提供一遮蓋總成。該遮蓋總成包含一接頭主體，該接頭主體包含一管狀內套筒及一整合半導體層。該內套筒係由一可彈性擴展、電絕緣材料形成且具有一外表面及對置之第一及第二終端端部。該內套筒界定自在該內套筒之該第一終端端部處之一第一端部開口軸向延伸至在該內套筒之該第二端部處之一第二終端端部開口之一貫穿通路。該半導體層安置於該內套筒之該外表面上且由一半導電性材料形成。該半導體層自該半導體層之一第一終端端部軸向延伸至該半導體層之一對置第二終端端部。該半導體層之該第一終端端部與該內套筒之該第一終端端部間隔 開一規定之半導體截斷距離，以界定不由該半導體層遮蓋之該外表面之一管狀帶。該方法進一步包含將該遮蓋總成安裝於該第一及該第二電纜上，使得該第一及該第二電纜及該電連接件延伸穿過該內套筒，該第一電纜透過該第一端部開口延伸出該內套筒，且該第二電纜透過該第二端部開口延伸出該內套筒。
根據本發明之實施例，一種受保護之連接件總成包含第一及第二電纜、形成在該第一及該第二電纜之間的一電連接件之一電連接器及一遮蓋總成。該遮蓋總成包含一接頭主體，該接頭主體包含一管狀內套筒及一整合半導體層。該內套筒係由一可彈性擴展、電絕緣材料形成且具有一外表面及對置之第一及第二終端端部。該內套筒界定自在該內套筒之該第一終端端部處之一第一端部開口軸向延伸至在該內套筒之該第二端部處之一第二終端端部開口之一貫穿通路。該半導體層安置於該內套筒之該外表面上且由一半導電性材料形成。該半導體層自該半導體層之一第一終端端部軸向延伸至該半導體層之一對置第二終端端部。該半導體層之該第一終端端部與該內套筒之該第一終端端部間隔開一規定之半導體截斷距離，以界定不由該半導體層遮蓋之該外表面之一管狀帶。該遮蓋總成經安裝於該第一及該第二電纜上，使得該第一及該第二電纜及該電連接件延伸穿過該內套筒，該第一電纜透過該第一端部開口延伸出該內套筒，且該第二電纜透過該第二端部開口延伸出該內套筒。
一般技術者將自下列較佳實施例之圖之一閱讀及實施方式瞭解本發明之進一步特徵、優勢及細節，此描述僅僅闡釋本發明。
10‧‧‧連接件總成
15‧‧‧續接部連接件
40‧‧‧夾套式同心中性(JCN)電纜/電力傳輸電纜
42‧‧‧主電導體
44‧‧‧電纜絕緣/聚合絕緣層
45‧‧‧半導體層
46‧‧‧導電同心中性線/金屬屏蔽層
48‧‧‧套/套層
50‧‧‧夾套式同心中性(JCN)電纜/電力傳輸電纜
52‧‧‧主電導體
54‧‧‧電纜絕緣/聚合絕緣層
55‧‧‧半導體層
56‧‧‧導電同心中性線/金屬屏蔽層
58‧‧‧套/套層
60‧‧‧電連接器/導體
100‧‧‧遮蓋總成
101‧‧‧預擴展單元/預擴展部分
102‧‧‧伸出部器件/伸出部
103‧‧‧遮蓋系統
121‧‧‧保護帶
122‧‧‧法拉第籠層
124‧‧‧應力錐層
126‧‧‧金屬屏蔽篩網套筒或層
126A‧‧‧終端端部
126B‧‧‧終端端部
126C‧‧‧屏蔽延伸區段/延伸部
128‧‧‧分離器套筒或層
128A‧‧‧終端端部
128B‧‧‧終端端部
130‧‧‧遮蓋系統/內套筒
130A‧‧‧內表面
130B‧‧‧外表面
131‧‧‧接頭主體
132A‧‧‧終端端部
132B‧‧‧終端端部
134A‧‧‧端部開口
134B‧‧‧端部開口
136‧‧‧貫穿通路
138‧‧‧管狀帶或部分/曝露部分
139‧‧‧半導體層
139A‧‧‧第一終端邊緣或端部
139B‧‧‧第二終端邊緣或端部
140‧‧‧外套筒
142A‧‧‧端部
142B‧‧‧端部
144A‧‧‧端部開口
144B‧‧‧端部開口
147‧‧‧外區段/左延伸區域
147A‧‧‧環形褶皺
148‧‧‧中間區段
149‧‧‧外區段/右延伸區域
149A‧‧‧環形褶皺
160‧‧‧導電包覆材料
162‧‧‧導電包覆材料
163‧‧‧密封劑/密封材料
164‧‧‧電絕緣空隙充填物材料/絕緣材料
166‧‧‧電絕緣空隙充填物材料/絕緣材料
168‧‧‧電絕緣材料
169‧‧‧導電包覆材料
180‧‧‧夾箝
182‧‧‧導電接地編帶/接地線
G‧‧‧間隙
ID‧‧‧絕緣距離
L2‧‧‧長度
L3‧‧‧軸向截斷距離
L4‧‧‧軸向截斷距離
L5‧‧‧軸向距離
L6‧‧‧軸向距離
L7‧‧‧軸向距離
L8‧‧‧軸向褶皺距離
L9‧‧‧軸向褶皺距離
L11‧‧‧軸向間隔距離
L12‧‧‧距離
L14‧‧‧軸向距離
P1‧‧‧最遠點
P2‧‧‧最近點
SB‧‧‧屏蔽中斷
V‧‧‧環形空隙
圖1係根據本發明之實施例之一預擴展單元之一透視圖。
圖2係沿著圖1之線2-2之圖1之預擴展單元之一橫截面視圖。
圖3係根據本發明之實施例包含一遮蓋總成及遮蓋系統之一受保 護之連接件總成之一片段、橫截面視圖。
圖4係圖3之受保護之連接件總成之一片段、透視、橫截面視圖。
圖5係圖3之受保護之連接件總成之一放大、片段、橫截面視圖。
圖6及圖7係圖3之受保護之連接件總成之分解、橫截面視圖。
現將在下文中參考隨附圖式更完整描述本發明，在圖式中展示本發明之闡釋性實施例。在圖式中，區或特徵部之相對大小可出於清楚之目的而被放大。然而，本發明可體現為呈諸多不同形式且不應解釋為限於在本文中提出之實施例；實情係，提供此等實施例使得本發明將為透徹且完全的，且將完整傳達本發明之範疇至熟習此項技術者。
將理解，儘管術語第一、第二等等可在本文中用於描述各種元件、組件、區、層及/或區段，但此等元件、組件、區、層及/或區段不應被此等術語限制。此等術語僅用於將一個元件、組件、區、層或區段與另一區、層或區段區分。因此，在不脫離本發明之教示之情況下，在下文中討論之一第一元件、組件、區、層或區段可稱為一第二元件、組件、區、層或區段。
為便於描述，可在本文中使用諸如「在......下方」、「在......下」、「下」、「在......上方」、「上」及類似物之空間相對術語以描述一個元件或特徵部與另一元件或特徵部之關係(如在圖中繪示)。將理解，空間相對術語旨在涵蓋除在圖中描繪之定向以外之在使用或操作中之器件之不同定向。舉例而言，若圖中之器件被翻轉，則描述為在其他元件或特徵部「下」或「下方」將定向為在其他元件或特徵部「上方」。因此，例示性術語「在......下」可涵蓋在......上方及 在......下二者之一定向。器件可另外定向(旋轉90度或在其他定向)且因此可解釋在本文中使用之空間相對描述符。
如在本文中所使用，單數形式「一」及「該」亦旨在包含複數形式，除非在文中另外明確陳述。將進一步理解，當在此說明書中使用時，術語「包含」及/或「包括」規定所陳述特徵、整數、步驟、操作、元件及/或組件之存在，但不排除一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、組件及/或其等之群組之存在或添加。將理解，當一元件稱為「連接」或「耦合」至另一元件，其可直接連接或耦合至其他元件或可存在中間元件。如在本文中所使用，術語「及/或」包含相關列出品項之一或多者之任何組合及所有組合。
除非另外定義，否則本文中使用之所有術語(包含技術及科學術語)具有如本發明從屬之一般技術者普遍理解之相同含義。將進一步理解，術語(諸如在普遍使用之字典中定義之術語)應解釋為具有與在此說明書之內容背景及相關技術中之其等含義一致之一含義且不會以一理想化或過度形式意義解釋，除非在本文中明確如此定義。
如在本文中使用，「單體」意謂由無接頭或無縫之一材料形成或構成之一單一、單式件。
如在本文中使用，「冷施加」或「冷施加遮蓋」意謂在安裝時不需要使用施加之熱量的情況下可圍繞一基板(例如，一電纜)組裝或安裝遮蓋或組件。
如在本文中使用，「冷收縮」或「冷收縮遮蓋」意謂可在不需要使用施加之熱量的情況下遮蓋或組件可圍繞一基板(例如，一電纜)收縮或緊縮。
參考圖1至圖7，其中展示根據本發明之一些實施例之一遮蓋總成100。如在圖1及圖2中展示，遮蓋總成100可經提供為包含一伸出部器件102之一預擴展單元101，其中遮蓋總成100處於一擴展狀態或位 置中。遮蓋總成100及單元101可形成根據本發明之實施例之一遮蓋系統103之一部分(圖3至圖7)。
遮蓋總成100及系統103可用於遮蓋且電絕緣電基板(諸如電纜及連接器)。舉例而言，遮蓋總成100及系統103可用於形成根據本發明之實施例之一受保護之連接件總成10(圖3至圖7)，連接件總成10圍繞在包含一電連接器60之兩個或兩個以上電纜之間的一續接部連接件15。根據一些實施例且如在圖3至圖7中繪示，電纜係夾套式同心中性(JCN)電纜40及50(圖6)且包含導電(例如，銅)同心中性線46、56。根據一些實施例，電纜係金屬帶屏蔽電纜或縱向波狀(LC)金屬屏蔽電纜，其等包含導電(例如，銅)金屬屏蔽帶或波狀金屬護套。
遮蓋總成100可經部署或安裝於預定之基板上以處於縮回狀態或位置中，如在圖3及圖4中展示且在下文中更詳細討論。根據一些實施例，遮蓋總成100係一冷收縮遮蓋，而意謂其可在不需要使用經施加之熱量的情況下圍繞基板收縮或縮回。
參考圖1、圖3及圖6，遮蓋總成100包含一整合內套筒總成或接頭主體131、一層保護帶121、一金屬屏蔽篩網套筒或層126、一分離器套筒或層128及一外套筒(或新套(re-jacket))140。參考圖2，遮蓋總成100具有一縱長軸A-A。根據一些實施例，遮蓋總成100經提供為在伸出部102上預安裝且預擴展。
參考圖3及圖6，遮蓋系統103進一步包含導電包覆材料160、162、169、電絕緣空隙充填物材料164、166、一電絕緣材料168、保持器(例如，夾箝)180及導電接地編帶182。上述組件之多個或所有可經提供具有一組合或製備套組之形式。
接頭主體131經提供為沿軸A-A縱長延伸之一整合、單式結構。接頭主體131包含一內套筒(或絕緣主體)130、一法拉第籠層122、應力錐層124及一半導體層139。
參考圖6，內套筒130具有對置之內表面130A及外表面130B及對置之終端端部132A、132B。內套筒130係管狀的且界定一軸向延伸之導體貫穿通路136，貫穿通路136與對置之端部開口134A、134B連通。端部132A、132B亦係接頭主體131之終端端部。
內套筒130可由任何適當材料形成。根據一些實施例，內套筒130係由一介電或電絕緣材料形成。根據一些實施例，內套筒130係由一可彈性擴展之材料形成。根據一些實施例，內套筒130係由一彈性材料形成。根據一些實施例，內套筒130係由液體聚矽氧橡膠(LSR)形成。其他適當材料可包含EPDM或乙烯丙烯橡膠(EPR)。根據一些實施例，內套筒130具有在自約0.4MPa至0.52MPa之範圍中之百分之一百延長率之一模數(M100)。在一些實施例中，內套筒130係單體的。
根據一些實施例，內套筒130之厚度在自約0.07吋至2吋之範圍中。根據一些實施例，內套筒130之長度在自約8吋至30吋之範圍中。
法拉第籠層122(圖2)經繪示為接合至內套筒130之內表面130A之一大體管狀套筒。法拉第籠層122可由一適當之導電彈性體形成。在使用中，法拉第籠層122可形成一法拉第籠以提供圍繞連接器60之一等電位容(equal potential volume)，使得在周圍氣隙中消除一電場。
應力錐層124(圖2)經繪示為在內套筒130之任一端部132A、132B處接合至內套筒130之內表面130A之大體管狀套筒。應力錐層124可由一適當彈性導電之彈性體形成。在使用中，應力錐層124可用來沿電纜絕緣44、54之表面再分佈電壓，以降低或防止另可出現之絕緣44、54之降級。
根據一些實施例，層122、124係由具有在自約0.68MPa至0.88MPa之範圍中之百分之一百延長率之一模數(M100)之一材料形成。
半導體層139(圖2)完全圓周地圍繞內套筒130。半導體層139自一第一(在下文中，左)終端邊緣或端部139A軸向延伸至一對置第二(在 下文中，右)終端邊緣或端部139B。端部139B經定位與內套筒之端部132B相距一規定之軸向截斷距離L3(圖5)，使得自端部139B延伸至端部132B之內套筒130之一管狀帶或部分138未由半導體層139遮蓋。即，半導體層139在內套筒130之右端部上截斷。在一些實施例中且如繪示，左端部139A實質上定位於內套筒130之端部132A處。在其他實施例中，左端部139A可在內側與端部132A間隔開小於距離L3之一距離。
根據一些實施例，距離L3(即，所曝露部分138之寬度)為至少0.25吋。在一些實施例中，距離L3(即，所曝露部分138之寬度)係在自約0.25吋至4.00吋的範圍中。
半導體層139可由任何適當半導電性材料形成。根據一些實施例，半導體層139係由一可彈性擴展之材料形成。根據一些實施例，半導體層139係由一彈性材料形成。根據一些實施例，半導體層139係由一碳黑及聚矽氧形成。其他適當材料可包含碳黑及EPDM。
根據一些實施例，半導體層139之厚度在自約0.0005吋至0.005吋之範圍中。根據一些實施例，半導體層139之長度L2(圖2)在自約14.00吋至30.00吋之範圍中。
保護帶121圓周地圍繞且接合(例如，藉由黏合劑)至自端部132B插入之內套筒130之一部分。在一些實施例中且如繪示，保護帶121上覆半導體層139。保護帶121可由諸如乙烯之任何合適材料形成。
屏蔽篩網層126圓周地圍繞內套筒130。屏蔽篩網層126具有對置之終端端部126A及126B。端部126B經定位與內套筒130之端部132B相距一規定之軸向截斷距離L4(圖5)，經定位與半導體層139之端部139B相距一規定之軸向距離L5(圖5)且上覆保護帶121。保護帶121可用來保護半導體層139及內套筒層130，使之避開屏蔽篩網層126之終端邊緣，終端邊緣可係尖銳或鋸齒狀的。當如在下文中討論般部署 (鋪開)且在圖3至圖5中展示時，屏蔽篩網層126之端部126A軸向延伸超過內套筒130之端部132A，以形成一屏蔽延伸區段126C。延伸區段126C並不延伸出遠及外套筒140。
根據一些實施例，距離L4在自約1.00吋至4.25吋之範圍中。
根據一些實施例，距離L5在自約0.01吋至1.00吋之範圍中。
屏蔽篩網層126可由(例如)編織或織布銅長絲形成。
分離器層128周圍地圍繞屏蔽篩網層126。分離器層128具有對置之終端端部128A及128B。端部128B經定位與內套筒130之端部132B相距一規定之軸向距離L6(圖5)且經定位與半導體層139之端部139B相距一規定之軸向距離L7(圖5)。在一些實施例中，省略分離器層128。
根據一些實施例，距離L6在自約1.25吋至6.00吋之範圍中。
根據一些實施例，距離L7在自約0.25吋至2.00吋之範圍中。
分離器層128可係(例如)由一聚合物材料(諸如低密度聚乙烯(LDPE))形成之一敞開篩網或網。
外套筒140周圍地圍繞分離器層128。外套筒140具有對置之端部142A、142B。內套筒140係管狀的且界定一軸向延伸之導體貫穿通路，貫穿通路與對置之端部開口144A、144B連通。當安裝於伸出部102時，外套筒140之外區段147及149分別反摺於環形褶皺147A及149A處之外套筒140之一中間區段148上。
褶皺147A與內套筒130之端部132A相隔一軸向褶皺距離L8(圖2)，而褶皺149A與端部132B相隔一更大之軸向褶皺距離L9(圖2)。根據一些實施例，距離L9在自約1.50吋至6.25吋之範圍中。
外套筒140可由任何適當材料形成。根據一些實施例，外套筒140係由一電絕緣材料形成。根據一些實施例，外套筒140係由一可彈性擴展之材料形成。根據一些實施例，外套筒140係由一彈性材料形 成。根據一些實施例，外套筒140係由乙烯丙烯二烯單體(EPDM)橡膠形成。其他適當材料可包含氯丁烯橡膠或其他橡膠。根據一些實施例，外套筒140具有在自約0.6MPa至1.1MPa之範圍中之百分之一百延長率之一模數(M100)。
根據一些實施例，外套筒140之厚度在自約0.11吋至0.25吋之範圍中。根據一些實施例，外套筒140之長度在自約15吋至35吋之範圍中。
伸出部102可由任何適當材料形成。根據一些實施例，伸出部102係由一剛性卡紙板或塑膠形成。根據一些實施例，伸出部102包含(例如)螺旋捲繞以形成如繪示之一剛性圓柱之一條。可工廠安裝伸出部器件102。在一些實施例中，可替代地使用一適當擴展工具在現場預擴展遮蓋總成100。
可藉由任何適當方法及裝置形成遮蓋總成100。根據一些實施例，單獨形成(例如，藉由模製或擠壓)內套筒130及外套筒140，且在此後將外套筒140、屏蔽篩網套筒126及分離器套筒128安裝於內套筒130上。根據一些實施例，單式模製內套筒130。根據一些實施例，單式模製外套筒140。替代地，可擠壓內套筒130及/或外套筒140。根據一些實施例，單式擠壓此等組件之一者或兩者。
導電包覆材料160、162、169可係可如下文中描述般施加以貼合下層組件且緊固金屬屏蔽篩網126之任何適當導電材料。根據一些實施例，導電包覆材料160、162、169係聚矽氧。根據一些實施例，導電包覆材料160、162、169係EPR，諸如來自TE Connectivity之EHVM-SEMICON-TAPE-38-9M半導體帶。
電絕緣空隙充填物材料164、166可係可如下文中描述般施加以貼合下層組件且充填續接部總成中之空隙之任何適當電絕緣材料或介質，如下文討論。根據一些實施例，材料164、166具有在自約1013歐 姆-公分至1016歐姆-公分之範圍中之一容積電阻率。材料164、166可經提供呈條狀或帶狀形式。在一些實施例中，在高達攝氏90度之溫度下空隙充填物材料164、166係黏的。根據一些實施例，空隙充填物材料164、166係一電絕緣膠黏劑。根據一些實施例，空隙充填物材料164、166係一電絕緣膠黏劑自黏膠帶。空隙充填物材料164、166可係基於丁基橡膠之膠黏劑，諸如可得自TE Connectivity之S1278密封帶。
電絕緣材料168可係可如下文中描述般施加以貼合下層組件之任何適當電絕緣材料或介質，如下文討論。根據一些實施例，材料168具有在自約1013歐姆-公分至1016歐姆-公分之範圍中之一容積電阻率。材料164、166可經提供呈條狀或帶狀形式。根據一些實施例，絕緣材料168係一電絕緣膠黏劑。根據一些實施例，絕緣材料168係一電絕緣膠黏劑自黏膠帶。絕緣材料168可係一聚矽氧。在一些實施例中，絕緣材料168可係一基於EPR橡膠之帶，諸如自TE Connectivity可得之HVCA-ALMAGAM-TAPE-38-9M自混汞帶。
根據一些實施例，空隙充填物材料164、166在自約攝氏-40度至攝氏90度之範圍中之一溫度下具有低於絕緣材料168之一黏度。
現參考圖3至圖5，遮蓋總成100可經施加於一對電力傳輸電纜40、50之間的一續接部連接件15，以形成一連接件總成10。根據一些實施例，電纜40、50係低電壓或中等電壓(例如，在約5kV與46kV之間)電力傳輸電纜。
如在圖6中展示，電纜40包含一主電導體42、一聚合絕緣層44、一半導體層45、一金屬屏蔽層46及一套48，其中各組件由下一組件同心圍繞。
根據一些實施例且如展示，電纜40係一夾套中心中性電纜，且屏蔽層46包含圍繞半導體層45螺旋捲繞之個別線46(一般稱為中性 線)。在其他實施例中，屏蔽層46係沿電纜之長度完全圓周地圍繞半導體層45之一金屬帶、箔、條或護套。金屬條可(例如)縱向或螺旋包覆半導體層45。根據一些實施例，電纜40係一LC屏蔽電纜且屏蔽層46係一薄波狀金屬層。
主導體42可係由任何適當導電材料(諸如銅(實心或絞合))形成。聚合絕緣層44可係由任何適當電絕緣材料(諸如交鏈聚乙烯(XLPE)或EPR)。半導體層45可係由使用足夠濃度之碳黑充填以賦予約100歐姆-公分之容積電阻率之任何適當材料(諸如交鏈聚乙烯(XLPE)或EPR)形成。屏蔽中性線(或其他屏蔽層帶或護套)46可係由任何適當材料(諸如銅)形成。套48可由任何合適材料(諸如EPDM或PVC)形成。
使用分別對應於組件42、44、45、46及48之一主電導體52、一聚合絕緣層54、一半導體層55、一金屬屏蔽層56及一套58類似地構造電纜50(圖6)。
可如下文形成連接件總成10且安裝遮蓋總成100。如在圖6中展示般製備電纜40、50，使得各層之一片段延伸超過下一上覆層。屏蔽層46之一片段46A(例如，中性線)延伸超出套48之端部至少一規定距離。類似地，電纜50之屏蔽層之一片段56A(例如，中性線)延伸超出套58之端部至少一規定距離。
預擴展單元101在電纜40、50之一者上方滑過。根據一些實施例，伸出部102之內側直徑大於各電纜40、50之外直徑，使得伸出部102之內直徑足以不費力地接納經製備之電纜40、50及連接器60。根據一些實施例，伸出部102之內直徑至少與待經接納於通路136中之電纜或連接器之最大部分之外直徑等大。預擴展部分101可經保持或停留於一電纜40、50上，直至操作者備妥將遮蓋總成100安裝於電纜40、50上。
電連接器60經緊固至各主導體42、52以如在圖3中展示般將主導 體42、52與彼此機械且電耦合。連接器60可係任何適當類型之連接器，諸如一金屬捲縮連接器。
夾箝180圍繞屏蔽層56且靠近套140之接地線或編帶182壓縮以將編帶182機械且電連接至屏蔽層56。
接著，預擴展部分101滑至連接器60上方之位置中。接著，自遮蓋總成100移除伸出部102，從而如在圖3中展示，容許彈性套筒130、140鬆弛且圍繞電纜40、50及連接器60徑向縮回。內套筒130與電纜40、50之半導體層45、55重疊且與其等接合。
如在圖3中展示，在左側上，屏蔽篩網126之延伸部126C向外捲至半導體層45上。一夾箝180亦如在圖3中展示般包覆電纜40以緊固屏蔽篩網126之左端部邊緣。夾箝180可合圍屏蔽層46之曝露端部，以將屏蔽篩網126及一接地線182電連接至屏蔽層46。導電材料169圓周地包覆彈簧夾箝180，使得藉此遮蓋所有曝露之金屬組件。
一條密封劑163可經施加圍繞套48之外表面。在一些實施例中，密封劑163係一膠黏劑。
接著，操作者軸向向外捲動外套筒140之左延伸區段147以遮蓋電纜40之相鄰區段。左延伸區段147之一部分與電纜套48重疊且與之接合，且徑向壓縮地抵靠電纜套48。根據一些實施例，在延伸區段147與下層套48之間的重疊部分之軸向長度至少係50mm。
參考圖5，在連接器60之右側上，導電材料160圓周地包覆金屬屏蔽層126之端部126B，且導電材料162圓周地包覆彈簧夾箝180，使得所有曝露之金屬組件係由導電材料160、162遮蓋。因此，在具有一軸向間隔距離L11之內套筒130之終端端部132B與導電材料162之間界定一間隙G(圖5)。在間隙G中，圍繞曝露之半導體層55界定一環形空隙V。導電材料160與導電材料162軸向間隔開一距離L12。導電材料160、162可用來減小圍繞此等位置之電應力。
接著，電絕緣空隙充填物材料164圓周地包覆電纜半導體層55以充填空隙V以及間隙G之區中之任何其他裂隙。在一些實施例中，材料164用於將電纜增建至約內套筒130之外直徑。
電絕緣空隙充填物材料166圓周地包覆電纜套58。
接著，電絕緣材料168圓周地包覆遮蓋總成100、電纜50、材料160、162、164之層及夾箝180。電絕緣材料168自約褶皺線149A軸向延伸至絕緣材料166。
接著，操作者軸向向外捲動外套筒140之右側延伸區段149以遮蓋電纜50之相鄰區段。右延伸區段149之一部分與電纜套58重疊且與之接合，且徑向壓縮地抵靠電纜套58。右延伸區段149亦橫跨、圍繞且施加一徑向向內之壓縮負載至絕緣材料164、166、168及延伸區段149內之其他組件上。根據一些實施例，在延伸區段149與下層套58之間的重疊部分之軸向長度至少係50mm。
外套筒140之鬆弛內直徑至少小於套層48、58之外直徑。因此，外套筒140施加一徑向向內之壓縮或夾箝力或壓力(歸因於彈性張力)至電纜40、50上。外套筒140可藉此影響在延伸區段147與密封材料163之間的介面處及在延伸區段149與空隙充填材料166之間的介面處之水分障壁或液體密封。此等密封件可保護電纜及續接部以防止環境水分、灰塵及碎屑進入。根據一些實施例，內套筒130之鬆弛內直徑小於期望在其上安裝遮蓋總成100之電纜之最小直徑至少10%。
如在圖3至圖5中展示，藉此完全安裝遮蓋總成100以形成連接件總成10。
在連接件15之左側上，金屬屏蔽層126藉由左側夾箝180電連接至電纜金屬屏蔽46，以藉此使金屬屏蔽繼續橫跨續接部連接件至金屬屏蔽層126之對置端部126B。
在連接件15之右側上，金屬屏蔽層126藉由間隙G(圖5)與電纜金 屬屏蔽56電隔離，以形成自導電且電連接至遮蓋金屬屏蔽層126之最遠點P1軸向延伸至導電且電連接至電纜金屬屏蔽層56之最近點P2之一屏蔽中斷SB。即，經安裝之遮蓋系統103形成具有至少自點P1軸向延伸至點P2之一絕緣距離ID之一屏蔽中斷絕緣介面。在所繪示之安裝中，點P1係半導體層139之遠邊緣，且點P2係導電材料162之近邊緣。然而，在其他實施例中，組件可經不同構形(藉由設計或工藝精確度之變化)使得其他電連接之組件形成點P1及P2。舉例而言，點P1可係導電材料160之一邊緣。舉例而言，點P2可係夾箝180之一邊緣。
根據一些實施例，絕緣距離ID至少係0.10吋。在一些實施例中，絕緣距離ID在自約0.10吋至8.00吋之範圍中。
在一些實施例中且如在圖3中展示，半導體層139與非屏蔽中斷側上之電纜半導體層45軸向重疊且圓周地圍繞半導體層45，且與在屏蔽中斷側上之電纜半導體層55軸向間隔開一軸向距離L14(圖5)。根據一些實施例，距離L14在自約0至1吋之範圍中，且在一些實施例中係在自約0.25吋至1吋之範圍中。
屏蔽中斷(shield break)SB可如上文描述般起作用以(例如)防止有損耗之環形電流。有利地，在續接部連接件15處提供屏蔽中斷SB，其中屏蔽已切斷且必須在續接部安裝期間重製。歸因於由主電力導體中之電流造成之磁感應，一屏蔽中斷可容許兩個相鄰屏蔽網路具有相對於彼此之一高電位差。歸因於此現象，續接部必須耐受在其屏蔽之各側上之高電壓。根據本發明之實施例之遮蓋系統103及連接件總成10可耐受此等高電壓且相對易於安裝。
遮蓋總成100及遮蓋系統103之數個特徵及態樣提供優點，諸如低工藝敏感性、較快及較易之安裝、節省成本、精簡及/或耐受在屏蔽126與56之間的高電位差之能力。
內套筒130之曝露部分138(即，起因於半導體層139之截斷)提供 在屏蔽中斷SB之任一側上之組件之導電部分之間的一經延伸之絕緣介面。特定言之，內套筒130之部分138提供下列之間的電絕緣在屏蔽中斷SB之一個側上之遮蓋半導體層139、屏蔽篩網層126及導電材料160；與另一側上之電纜半導體層55、中性線56、導電材料162、夾箝180及編帶182。因為此絕緣區段與接頭主體131整合，故僅藉由安裝接頭主體131提供絕緣區段。
類似地，藉由提供接頭主體131、屏蔽篩網層126、分離器套筒128及套筒140作為伸出部102上之一體式總成，可減小安裝所需之步驟、零件及/或困難之數量。
接頭主體131、屏蔽篩網層126、分離器套筒128及套筒140之相對配置及構形可顯著促進易於安裝且促進安裝之一致性。屏蔽篩網層126及分離器套筒128各與內絕緣套筒130之端部132B相距一規定距離而終止。套延伸區段149之褶皺149A經定位於終端端部126B、128B之內側，使得套筒126、128之端部可易於接取以用於包覆導電材料160。
使用與相對更硬之絕緣材料168協作之相對更軟之絕緣空隙充填物材料164可易於安裝。絕緣空隙充填物材料164更容易且可靠地流動至電纜等之裂隙及輪廓中，而絕緣材料168更易於處理且適用於擴建所需絕緣層之剩餘部分。
根據一些實施例，可使用一不同類型之一電連接器替換剪力鎖栓連接器60。
根據本發明之實施例之遮蓋總成可用於任何適當電纜及連接件。此等電纜總成可經調適用於配合(例如)高達約46kV之中等電壓電纜之連接件。
上文闡釋本發明且不解釋為限制本發明。儘管已描述本發明之若干例示性實施例，但熟習此項技術者將容易瞭解，在不實質上脫離 本發明之教示及優勢的情況下，許多修改在例示性實施例中係可能的。因此，期望所有此等修改包含於如在申請專利範圍中界定之本發明之範疇內。藉由下列申請專利範圍及待包含於本發明中之申請專利範圍之等效物界定本發明。

Claims (31)

  1. 一種遮蓋總成，其用於遮蓋且電絕緣一電連接件，該遮蓋總成包括：一接頭主體，其包含：一管狀內套筒，其係由一可彈性擴展、電絕緣材料形成且具有一外表面及對置之第一及第二終端端部，該內套筒界定自在該內套筒之該第一終端端部處之一第一端部開口軸向延伸至在該內套筒之該第二端部處之一第二終端端部開口之一貫穿通路；及一整合半導體層，其在該內套筒之該外表面上且由一半導電性材料形成，該半導體層自該半導體層之一第一終端端部軸向延伸至該半導體層之一對置第二終端端部；其中該半導體層之該第一終端端部與該內套筒之該第一終端端部間隔開一規定之半導體截斷距離，以界定不由該半導體層遮蓋之該外表面之一管狀帶；其中該半導體層之該第二終端端部延伸至該內套筒之該第二終端端部或與其軸向間隔開一第二半導體截斷距離，該距離小於該規定之半導體截斷距離。
  2. 如請求項1之遮蓋總成，其進一步包含安裝於該內套筒內之一可移除伸出部器件，其中該伸出部器件可操作以將該內套筒臨時維持於一可徑向擴展狀態。
  3. 如請求項1之遮蓋總成，其進一步包含圍繞該半導體層之一管狀、金屬屏蔽層，其中：該金屬屏蔽層自該金屬屏蔽層之一第一終端端部軸向延伸至該金屬屏蔽層之一對置第二終端端部；及該金屬屏蔽層之該第一終端端部與該內套筒之該第一終端端部間隔開一規定之屏蔽截斷距離，以界定不由該金屬屏蔽層遮蓋之該外表面之一管狀帶。
  4. 如請求項3之遮蓋總成，其進一步包含一保護帶，其圓周地圍繞徑向在該半導體層與該金屬屏蔽層之該第一終端端部之間的該半導體層。
  5. 如請求項3之遮蓋總成，其進一步包含：一管狀外套筒，其圍繞該金屬屏蔽層；及一管狀分離器層，其經插置於該金屬屏蔽層與該外套筒之間。
  6. 如請求項3之遮蓋總成，其中該金屬屏蔽層包含經構形以軸向延伸超出該內套筒之該第二終端端部之一屏蔽延伸區段。
  7. 如請求項3之遮蓋總成，其中該金屬屏蔽層之該第一終端端部亦與該半導體層之該第一終端端部間隔開一規定之軸向距離以界定不由該金屬屏蔽層遮蓋之該半導體層之一管狀帶。
  8. 如請求項1之遮蓋總成，其進一步包含圍繞該內套筒及該半導體層之一管狀外套筒，其中該外套筒包含：一中間區段，其圍繞該內套筒；及一外區段，其圍繞該中間區段且以一環形褶皺接合至該中間區段；該環形褶皺與該內套筒之該第一終端端部間隔開一規定之褶皺截斷距離，以界定不由該外套筒遮蓋之該外表面之一管狀帶。
  9. 如請求項1之遮蓋總成，其包含：一法拉第籠層，其經安裝於該內套筒內且由一導電彈性體形成；及一應力錐，其經安裝於靠近該內套筒之一端部之該內套筒中且由一導電彈性體形成。
  10. 如請求項1之遮蓋總成，其進一步包含：一可移除伸出部器件，其安裝於該內套筒內，其中該伸出部器件可操作以將該內套筒臨時維持於一可徑向擴展狀態；一管狀、金屬屏蔽層，其圍繞該半導體層；一管狀外套筒，其圍繞該金屬屏蔽層；一法拉第籠層，其經安裝於該內套筒內且由一導電彈性體形成；及一應力錐，其經安裝於靠近該內套筒之一端部之該內套筒中且由一導電彈性體形成；其中：該金屬屏蔽層自該金屬屏蔽層之一第一終端端部軸向延伸至該金屬屏蔽層之一對置第二終端端部；該金屬屏蔽層之該第一終端端部與該內套筒之該第一終端端部間隔開一規定之屏蔽截斷距離，以界定不由該金屬屏蔽層遮蓋之該外表面之一管狀帶；該金屬屏蔽層包含經構形以軸向延伸超出該內套筒之該第二端部之一屏蔽延伸區段；且該外套筒包含：一中間區段，其圍繞該內套筒；及一外區段，其圍繞該中間區段且以一環形褶皺接合至該中間區段；該環形褶皺與該內套筒之該第一終端端部間隔開一規定之褶皺截斷距離，以界定不由該外套筒遮蓋之該外表面之一管狀帶。
  11. 一種用於形成一受保護之連接件總成之方法，該方法包括：形成在第一及第二電纜之間的一電連接件；提供包含一接頭主體之一遮蓋總成，該接頭主體包含：一管狀內套筒，其由一可彈性擴展、電絕緣材料形成且具有一外表面及對置之第一及第二終端端部，該內套筒界定自在該內套筒之該第一終端端部處之一第一端部開口軸向延伸至在該內套筒之該第二終端端部處之一第二端部開口之一貫穿通路；及一整合半導體層，其在該內套筒之該外表面上且由一半導電性材料形成，該半導體層自該半導體層之一第一終端端部軸向延伸至該半導體層之一對置第二終端端部；其中該半導體層之該第一終端端部與該內套筒之該第一終端端部間隔開一規定之半導體截斷距離，以界定不由該半導體層遮蓋之該外表面之一管狀帶；及將該遮蓋總成安裝於該第一及該第二電纜上，使得該第一及該第二電纜及該電連接件延伸穿過該內套筒，該第一電纜透過該第一端部開口延伸出該內套筒，且該第二電纜透過該第二端部開口延伸出該內套筒；其中該半導體層之該第二終端端部延伸至該內套筒之該第二終端端部或與其軸向間隔開一第二半導體截斷距離，該距離小於該規定之半導體截斷距離。
  12. 如請求項11之方法，其包含：提供安裝於該內套筒內之一可移除伸出部器件，其中該伸出部器件將該內套筒臨時維持於一可徑向擴展狀態中；且其後自該內套筒移除該伸出部以容許該內套筒徑向縮回至該第一及該第二電纜及該電連接件上。
  13. 如請求項11之方法，其中該遮蓋總成進一步包含圍繞該半導體層之一管狀、金屬屏蔽層，其中：該金屬屏蔽層自該金屬屏蔽層之一第一終端端部軸向延伸至該金屬屏蔽層之一對置第二終端端部；及該金屬屏蔽層之該第一終端端部與該內套筒之該第一終端端部間隔開一規定之屏蔽截斷距離，以界定不由該金屬屏蔽層遮蓋之該外表面之一管狀帶。
  14. 如請求項13之方法，其中：該金屬屏蔽層包含經構形以軸向延伸超出該內套筒之該第二端部之一屏蔽延伸區段；該方法包含延伸該屏蔽延伸部以與該第二電纜之一半導體層軸向重疊且與之電接觸；及當形成該受保護之連接件總成時，該金屬屏蔽層不與該第一電纜之一半導體層接觸。
  15. 如請求項13之方法，其中當形成該受保護之連接件總成時，在該內套筒之該第一終端端部與該第一電纜之一第一電纜屏蔽之間界定一環形間隙，以將該金屬屏蔽層與該第一電纜屏蔽電隔離，且藉此提供在該第一電纜屏蔽與該第二電纜之一第二電纜屏蔽之間的一屏蔽中斷。
  16. 如請求項15之方法，其包含將一可流動、電絕緣空隙充填物材料安裝於該間隙中。
  17. 如請求項16之方法，其包含安裝一可流動第二電絕緣材料以圍繞該空隙充填物材料，其中該空隙充填物材料比該第二電絕緣材料軟。
  18. 如請求項13之方法，其中該金屬屏蔽層之該第一終端端部亦與該半導體層之該第一終端端部間隔開一規定之軸向距離以界定不由該金屬屏蔽層遮蓋之該半導體層之一管狀帶。
  19. 如請求項11之方法，其包含：提供作為一預擴展單元之該遮蓋總成，其包含：一可移除伸出部器件，其安裝於該內套筒內，其中該伸出部器件可操作以將該內套筒臨時維持於一可徑向擴展狀態中；一管狀、金屬屏蔽層，其圍繞該半導體層；一管狀外套筒，其圍繞該金屬屏蔽層；一法拉第籠層，其經安裝於該內套筒內且由一導電彈性體形成；及一應力錐，其經安裝於靠近該內套筒之一端部之該內套筒中且由一導電彈性體形成；其中：該金屬屏蔽層自該金屬屏蔽層之一第一終端端部軸向延伸至該金屬屏蔽層之一對置第二終端端部；該金屬屏蔽層之該第一終端端部與該內套筒之該第一終端端部間隔開一規定之屏蔽截斷距離，以界定不由該金屬屏蔽層遮蓋之該外表面之一管狀帶；該金屬屏蔽層包含經構形以軸向延伸超出該內套筒之該第二端部之一屏蔽延伸區段；及該外套筒包含：一中間區段，其圍繞該內套筒；及一外區段，其圍繞該中間區段且以一環形褶皺接合至該中間區段；該環形褶皺與該內套筒之該第一終端端部間隔開一規定之褶皺截斷距離，以界定不由該外套筒遮蓋之該外表面之一管狀帶；及自該內套筒移除該伸出部以容許該內套筒徑向縮回至該第一及該第二電纜及該電連接件上。
  20. 一種受保護之連接件總成，包括：第一及第二電纜；一電連接器，其形成在該第一及該第二電纜之間的一電連接件；一遮蓋總成，其包含一接頭主體，該接頭主體包含：一管狀內套筒，其由一可彈性擴展、電絕緣材料形成且具有一外表面及對置之第一及第二終端端部，該內套筒界定自在該內套筒之該第一終端端部處之一第一端部開口軸向延伸至在該內套筒之該第二終端端部處之一第二端部開口之一貫穿通路；及一整合半導體層，其在該內套筒之該外表面上且由一半導電性材料形成，該半導體層自該半導體層之一第一終端端部軸向延伸至該半導體層之一對置第二終端端部；其中該半導體層之該第一終端端部與該內套筒之該第一終端端部間隔開一規定之半導體截斷距離，以界定不由該半導體層遮蓋之該外表面之一管狀帶；且其中該遮蓋總成經安裝於該第一及該第二電纜上，使得該第一及該第二電纜及該電連接件延伸穿過該內套筒，該第一電纜透過該第一端部開口延伸出該內套筒，且該第二電纜透過該第二端部開口延伸出該內套筒；且其中：該遮蓋總成進一步包括圍繞該半導體層之一管狀、金屬屏蔽層；該金屬屏蔽層自該金屬屏蔽層之一第一終端端部軸向延伸至該金屬屏蔽層之一對置第二終端端部；該金屬屏蔽層之該第一終端端部與該內套筒之該第一終端端部間隔開一規定之屏蔽截斷距離，以界定不由該金屬屏蔽層遮蓋之該外表面之一管狀帶；在該內套筒之該第一終端端部與該第一電纜之一第一電纜屏蔽之間界定一環形間隙，以將該金屬屏蔽層與該第一電纜屏蔽電隔離，且藉此提供在該第一電纜屏蔽與該第二電纜之一第二電纜屏蔽之間的一屏蔽中斷。
  21. 如請求項20之受保護之連接件總成，包括一可流動、電絕緣空隙充填物材料於該間隙中。
  22. 如請求項21之受保護之連接件總成，包括一可流動第二電絕緣材料以圍繞該空隙充填物材料，其中該空隙充填物材料比該第二電絕緣材料軟。
  23. 一種遮蓋總成，其用於遮蓋且電絕緣一電連接件，該遮蓋總成包括：一接頭主體，其包含：一管狀內套筒，其係由一可彈性擴展、電絕緣材料形成且具有一外表面及對置之第一及第二終端端部，該內套筒界定自在該內套筒之該第一終端端部處之一第一端部開口軸向延伸至在該內套筒之該第二端部處之一第二終端端部開口之一貫穿通路；及一整合半導體層，其在該內套筒之該外表面上且由一半導電性材料形成，該半導體層自該半導體層之一第一終端端部軸向延伸至該半導體層之一對置第二終端端部；其中該半導體層之該第一終端端部與該內套筒之該第一終端端部間隔開一規定之半導體截斷距離，以界定不由該半導體層遮蓋之該外表面之一管狀帶；且其中該遮蓋總成進一步包含：圍繞該半導體層之一管狀、金屬屏蔽層，其中：該金屬屏蔽層自該金屬屏蔽層之一第一終端端部軸向延伸至該金屬屏蔽層之一對置第二終端端部；及該金屬屏蔽層之該第一終端端部與該內套筒之該第一終端端部間隔開一規定之屏蔽截斷距離，以界定不由該金屬屏蔽層遮蓋之該外表面之一管狀帶；及一保護帶，其圓周地圍繞徑向在該半導體層與該金屬屏蔽層之該第一終端端部之間的該半導體層。
  24. 一種遮蓋總成，其用於遮蓋且電絕緣一電連接件，該遮蓋總成包括：一接頭主體，其包含：一管狀內套筒，其係由一可彈性擴展、電絕緣材料形成且具有一外表面及對置之第一及第二終端端部，該內套筒界定自在該內套筒之該第一終端端部處之一第一端部開口軸向延伸至在該內套筒之該第二端部處之一第二終端端部開口之一貫穿通路；及一整合半導體層，其在該內套筒之該外表面上且由一半導電性材料形成，該半導體層自該半導體層之一第一終端端部軸向延伸至該半導體層之一對置第二終端端部；其中該半導體層之該第一終端端部與該內套筒之該第一終端端部間隔開一規定之半導體截斷距離，以界定不由該半導體層遮蓋之該外表面之一管狀帶；且其中該遮蓋總成進一步包含：圍繞該半導體層之一管狀、金屬屏蔽層，其中：該金屬屏蔽層自該金屬屏蔽層之一第一終端端部軸向延伸至該金屬屏蔽層之一對置第二終端端部；及該金屬屏蔽層之該第一終端端部與該內套筒之該第一終端端部間隔開一規定之屏蔽截斷距離，以界定不由該金屬屏蔽層遮蓋之該外表面之一管狀帶；一管狀外套筒，其圍繞該金屬屏蔽層；及一管狀分離器層，其經插置於該金屬屏蔽層與該外套筒之間。
  25. 一種遮蓋總成，其用於遮蓋且電絕緣一電連接件，該遮蓋總成包括：一接頭主體，其包含：一管狀內套筒，其係由一可彈性擴展、電絕緣材料形成且具有一外表面及對置之第一及第二終端端部，該內套筒界定自在該內套筒之該第一終端端部處之一第一端部開口軸向延伸至在該內套筒之該第二端部處之一第二終端端部開口之一貫穿通路；及一整合半導體層，其在該內套筒之該外表面上且由一半導電性材料形成，該半導體層自該半導體層之一第一終端端部軸向延伸至該半導體層之一對置第二終端端部；其中該半導體層之該第一終端端部與該內套筒之該第一終端端部間隔開一規定之半導體截斷距離，以界定不由該半導體層遮蓋之該外表面之一管狀帶；且其中該遮蓋總成進一步包含：圍繞該半導體層之一管狀、金屬屏蔽層，其中：該金屬屏蔽層自該金屬屏蔽層之一第一終端端部軸向延伸至該金屬屏蔽層之一對置第二終端端部；及該金屬屏蔽層之該第一終端端部與該內套筒之該第一終端端部間隔開一規定之屏蔽截斷距離，以界定不由該金屬屏蔽層遮蓋之該外表面之一管狀帶；且其中該金屬屏蔽層包含經構形以軸向延伸超出該內套筒之該第二終端端部之一屏蔽延伸區段。
  26. 一種遮蓋總成，其用於遮蓋且電絕緣一電連接件，該遮蓋總成包括：一接頭主體，其包含：一管狀內套筒，其係由一可彈性擴展、電絕緣材料形成且具有一外表面及對置之第一及第二終端端部，該內套筒界定自在該內套筒之該第一終端端部處之一第一端部開口軸向延伸至在該內套筒之該第二端部處之一第二終端端部開口之一貫穿通路；及一整合半導體層，其在該內套筒之該外表面上且由一半導電性材料形成，該半導體層自該半導體層之一第一終端端部軸向延伸至該半導體層之一對置第二終端端部；其中該半導體層之該第一終端端部與該內套筒之該第一終端端部間隔開一規定之半導體截斷距離，以界定不由該半導體層遮蓋之該外表面之一管狀帶；且其中該遮蓋總成進一步包含：圍繞該半導體層之一管狀、金屬屏蔽層，其中：該金屬屏蔽層自該金屬屏蔽層之一第一終端端部軸向延伸至該金屬屏蔽層之一對置第二終端端部；及該金屬屏蔽層之該第一終端端部與該內套筒之該第一終端端部間隔開一規定之屏蔽截斷距離，以界定不由該金屬屏蔽層遮蓋之該外表面之一管狀帶；且其中該金屬屏蔽層之該第一終端端部亦與該半導體層之該第一終端端部間隔開一規定之軸向距離以界定不由該金屬屏蔽層遮蓋之該半導體層之一管狀帶。
  27. 一種用於形成一受保護之連接件總成之方法，該方法包括：形成在第一及第二電纜之間的一電連接件；提供包含一接頭主體之一遮蓋總成，該接頭主體包含：一管狀內套筒，其由一可彈性擴展、電絕緣材料形成且具有一外表面及對置之第一及第二終端端部，該內套筒界定自在該內套筒之該第一終端端部處之一第一端部開口軸向延伸至在該內套筒之該第二終端端部處之一第二端部開口之一貫穿通路；及一整合半導體層，其在該內套筒之該外表面上且由一半導電性材料形成，該半導體層自該半導體層之一第一終端端部軸向延伸至該半導體層之一對置第二終端端部；其中該半導體層之該第一終端端部與該內套筒之該第一終端端部間隔開一規定之半導體截斷距離，以界定不由該半導體層遮蓋之該外表面之一管狀帶；及將該遮蓋總成安裝於該第一及該第二電纜上，使得該第一及該第二電纜及該電連接件延伸穿過該內套筒，該第一電纜透過該第一端部開口延伸出該內套筒，且該第二電纜透過該第二端部開口延伸出該內套筒；其中該遮蓋總成進一步包含圍繞該半導體層之一管狀、金屬屏蔽層，其中：該金屬屏蔽層自該金屬屏蔽層之一第一終端端部軸向延伸至該金屬屏蔽層之一對置第二終端端部；及該金屬屏蔽層之該第一終端端部與該內套筒之該第一終端端部間隔開一規定之屏蔽截斷距離，以界定不由該金屬屏蔽層遮蓋之該外表面之一管狀帶；且其中：該金屬屏蔽層包含經構形以軸向延伸超出該內套筒之該第二端部之一屏蔽延伸區段；該方法包含延伸該屏蔽延伸部以與該第二電纜之一半導體層軸向重疊且與之電接觸；及當形成該受保護之連接件總成時，該金屬屏蔽層不與該第一電纜之一半導體層接觸。
  28. 一種用於形成一受保護之連接件總成之方法，該方法包括：形成在第一及第二電纜之間的一電連接件；提供包含一接頭主體之一遮蓋總成，該接頭主體包含：一管狀內套筒，其由一可彈性擴展、電絕緣材料形成且具有一外表面及對置之第一及第二終端端部，該內套筒界定自在該內套筒之該第一終端端部處之一第一端部開口軸向延伸至在該內套筒之該第二終端端部處之一第二端部開口之一貫穿通路；及一整合半導體層，其在該內套筒之該外表面上且由一半導電性材料形成，該半導體層自該半導體層之一第一終端端部軸向延伸至該半導體層之一對置第二終端端部；其中該半導體層之該第一終端端部與該內套筒之該第一終端端部間隔開一規定之半導體截斷距離，以界定不由該半導體層遮蓋之該外表面之一管狀帶；及將該遮蓋總成安裝於該第一及該第二電纜上，使得該第一及該第二電纜及該電連接件延伸穿過該內套筒，該第一電纜透過該第一端部開口延伸出該內套筒，且該第二電纜透過該第二端部開口延伸出該內套筒；其中該遮蓋總成進一步包含圍繞該半導體層之一管狀、金屬屏蔽層，其中：該金屬屏蔽層自該金屬屏蔽層之一第一終端端部軸向延伸至該金屬屏蔽層之一對置第二終端端部；及該金屬屏蔽層之該第一終端端部與該內套筒之該第一終端端部間隔開一規定之屏蔽截斷距離，以界定不由該金屬屏蔽層遮蓋之該外表面之一管狀帶；且其中當形成該受保護之連接件總成時，在該內套筒之該第一終端端部與該第一電纜之一第一電纜屏蔽之間界定一環形間隙，以將該金屬屏蔽層與該第一電纜屏蔽電隔離，且藉此提供在該第一電纜屏蔽與該第二電纜之一第二電纜屏蔽之間的一屏蔽中斷。
  29. 如請求項28之方法，包含將一可流動、電絕緣空隙充填物材料安裝於該間隙中。
  30. 如請求項28之方法，包含安裝一可流動第二電絕緣材料以圍繞該空隙充填物材料，其中該空隙充填物材料比該第二電絕緣材料軟。
  31. 一種用於形成一受保護之連接件總成之方法，該方法包括：形成在第一及第二電纜之間的一電連接件；提供包含一接頭主體之一遮蓋總成，該接頭主體包含：一管狀內套筒，其由一可彈性擴展、電絕緣材料形成且具有一外表面及對置之第一及第二終端端部，該內套筒界定自在該內套筒之該第一終端端部處之一第一端部開口軸向延伸至在該內套筒之該第二終端端部處之一第二端部開口之一貫穿通路；及一整合半導體層，其在該內套筒之該外表面上且由一半導電性材料形成，該半導體層自該半導體層之一第一終端端部軸向延伸至該半導體層之一對置第二終端端部；其中該半導體層之該第一終端端部與該內套筒之該第一終端端部間隔開一規定之半導體截斷距離，以界定不由該半導體層遮蓋之該外表面之一管狀帶；及將該遮蓋總成安裝於該第一及該第二電纜上，使得該第一及該第二電纜及該電連接件延伸穿過該內套筒，該第一電纜透過該第一端部開口延伸出該內套筒，且該第二電纜透過該第二端部開口延伸出該內套筒；其中該遮蓋總成進一步包含圍繞該半導體層之一管狀、金屬屏蔽層，其中：該金屬屏蔽層自該金屬屏蔽層之一第一終端端部軸向延伸至該金屬屏蔽層之一對置第二終端端部；及該金屬屏蔽層之該第一終端端部與該內套筒之該第一終端端部間隔開一規定之屏蔽截斷距離，以界定不由該金屬屏蔽層遮蓋之該外表面之一管狀帶；且其中該金屬屏蔽層之該第一終端端部亦與該半導體層之該第一終端端部間隔開一規定之軸向距離以界定不由該金屬屏蔽層遮蓋之該半導體層之一管狀帶。
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