TWI658474B - 透明導電層及顯示面板的製造方法 - Google Patents

透明導電層及顯示面板的製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI658474B
TWI658474B TW107101635A TW107101635A TWI658474B TW I658474 B TWI658474 B TW I658474B TW 107101635 A TW107101635 A TW 107101635A TW 107101635 A TW107101635 A TW 107101635A TW I658474 B TWI658474 B TW I658474B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
conductive layer
transparent conductive
partial pressure
substrate
display panel
Prior art date
Application number
TW107101635A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201933376A (zh
Inventor
蘇家妮
林永龍
羅勖誠
林建亨
Original Assignee
友達光電股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 友達光電股份有限公司 filed Critical 友達光電股份有限公司
Priority to TW107101635A priority Critical patent/TWI658474B/zh
Priority claimed from CN201810201238.9A external-priority patent/CN108468026B/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI658474B publication Critical patent/TWI658474B/zh
Publication of TW201933376A publication Critical patent/TW201933376A/zh

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021Reactive sputtering or evaporation
    • C23C14/0036Reactive sputtering
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08Oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering

Abstract

一種透明導電層的製造方法包括下列步驟:氧氣分壓與氬氣分壓的比值為A,於

Description

透明導電層及顯示面板的製造方法

本發明是有關於一種導電層及面板的製造方法,且特別是有關於一種透明導電層及顯示面板的製造方法。

液晶顯示面板透過選擇不同液晶材料以及電極設計可產生多樣的液晶光學表現。現今使用的液晶顯示面板大致可分為向列型(Twisted Nematic;TN)、垂直排列型(Vertical Alignment;VA)以及共平面切換型(In-Plane-Switching;IPS)。共平面切換型的液晶顯示面板具有優異的廣視角及低色偏特性,故已廣為高階電子產品所採用。

共平面切換型的液晶顯示面板係將畫素電極及共用電極皆設置在同一基板上,畫素電極與共用電極所產生的平行電場能使液晶分子在水平方向轉動,進而達到顯示效果。於共平面切換型液晶顯示面板的操作過程中,需避免液晶分子因外界環境之垂直電場的作用而朝垂直方向站起所造成的漏光現象。因此,在目前的共平面切換型的液晶顯示面板中,彩色濾光層基板的外表面上設有透明導電層,例如是氧化銦錫層,以隔絕外界環境之垂直電場的影響。

然而,具有上述透明導電層的顯示面板經過高溫高濕測試後易出現外觀不良,例如圖1所示的黴化現象。此外,透明導電層的硬度不足,而易於製程中刮傷。

本發明提供一種顯示面板及其透明導電層的製造方法,能製造出耐高溫高濕及/或高硬度的透明導電層。

本發明的一種透明導電層的製造方法包括下列步驟:氧氣分壓與氬氣分壓的比值為A,於 的條件下,藉由電漿所產生的離子轟擊氧化銦錫濺鍍靶材以於第一基板上形成透明導電層。

本發明的一種顯示面板的製造方法包括下列步驟:於第一基板上形成透明導電層,其中氧氣分壓與氬氣分壓的比值為A,而透明導電層是於 的條件下,藉由電漿所產生的離子轟擊氧化銦錫濺鍍靶材所形成;以及組立第一基板、顯示介質以及第二基板,其中顯示介質位於第一基板與第二基板之間,而第一基板位於透明導電層與顯示介質之間。

在本發明的一實施例中,於水氣分壓小於或等於0.02 Pa且氮氣分壓小於或等於0.002 Pa 的條件下,藉由電漿所產生的離子轟擊氧化銦錫濺鍍靶材以於第一基板上形成透明導電層。

在本發明的一實施例中,水氣分壓與氬氣分壓的比值為B,於 的條件下,藉由電漿所產生的離子轟擊氧化銦錫濺鍍靶材以於第一基板上形成透明導電層。

在本發明的一實施例中,氮氣分壓與氬氣分壓的比值為C,於 的條件下,藉由電漿所產生的離子轟擊氧化銦錫濺鍍靶材以於第一基板上形成透明導電層。

在本發明的一實施例中,於真空度小於或等於0.18 Pa的條件下,藉由電漿所產生的離子轟擊氧化銦錫濺鍍靶材以於第一基板上形成透明導電層。

基於上述,本發明的實施例的透明導電層及顯示面板的製造方法是於 的條件下藉由電漿所產生的離子轟擊氧化銦錫濺鍍靶材以於第一基板上形成透明導電層。透過將氧氣分壓與氬氣分壓的比值設定於上述之偏低的數值範圍(意即,令氧氣分壓低),所形成之透明導電層的表面易具有<400>晶格,而具有<400>晶格的透明導電層具有較佳的耐高溫高濕能力(即抗老化能力)和較高的硬度。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖2A至圖2B為本發明的一實施例的顯示面板的製造流程剖面示意圖。請參見圖2A,首先,形成透明導電層110於第一基板120。舉例而言,在本實施例中,可利用物理氣相沉積法(Physical Vapor Deposition;PVD)形成透明導電層110。詳言之,可將第一基板120及氧化銦錫濺鍍靶材T設置於腔體V內,其中第一基板120設置於第一電極(未繪示)上,氧化銦錫濺鍍靶材T則做為第二電極;接著,通入工作氣體(例如:包括氧氣O 2與氬氣Ar)於腔體V內,工作氣體會被所述第一電極與所述第二電極之間的一電場離子化,以形成電漿,所述電漿包括多個離子i;多個離子i會被所述電場加速而轟擊氧化銦錫濺鍍靶材T,以使氧化銦錫濺鍍靶材T表面的氧化銦錫材料T’獲得足夠能量而脫離氧化銦錫濺鍍靶材T並往第一基板120移動,進而在第一基板120上沉積出透明導電層110。

請參照圖2B,接著,組立其上有透明導電層110的第一基板120、顯示介質140及第二基板130,其中顯示介質140位於第一基板120與第二基板130之間,第一基板120位於透明導電層110與顯示介質140之間。於此,便完成了顯示面板100。舉例而言,在本實施例中,顯示介質140可以液晶分子,而顯示面板100例如平面切換型(In-Plane-Switching;IPS)液晶顯示面板。然而,本發明不限於此,於其它實施例中,顯示面板100也可以是其它型式(例如:向列型、垂直排列型等)的液晶顯示面板。此外,本發明也不限制顯示面板100一定要是液晶顯示面板,於其它實施例中,顯示介質140也可以是有機發光二極體層,微型發光二極體晶片或其它適當材料,而顯示面板100也可以有機發光二極體顯示面板、微型發光二極體顯示面板或其它適當型式的顯示面板。

上述之通入至腔體V之的氧氣(O 2)分壓與氬氣(Ar)分壓的比值為A。圖3示出比值A與透明導電層110之硬度測試的失敗次數的關係以及通入至腔體V的氧氣流量與透明導電層110之硬度測試的失敗次數的關係。各製程條件R1~R8是指通入至腔體V的氧氣分壓與氬氣分壓的比值A為指定數值,對應各製程條件R1~R8的失敗次數則是指以具有鉛筆硬度8H的測試頭刮於各製程條件R1~R8下所形成之透明導電層110的5處,每處刮一次,而於所述5處出現明顯刮痕的數量。舉例而言,製程條件R1是指通入至腔體V的氧氣分壓與氬氣分壓的比值A為0.0083,對應製程條件R1的失敗次數係指以具有鉛筆硬度8H的測試頭刮於製程條件R1下所形成之透明導電層110的5處,每處刮一次,而於所述5處產生明顯刮痕的數量(例如:4);製程條件R2是指通入至腔體V的氧氣分壓與氬氣分壓的比值A為0.0090,對應製程條件R2的失敗次數是指以具有鉛筆硬度8H的測試頭刮於製程條件R2下所形成之透明導電層110的5處,每處刮一次,而於所述5處產生明顯刮痕的數量(例如:1)…以此類推。

請參照圖2A及圖3,值得注意的是,當透明電極層110是於 的條件(例如製程條件R4)下所形成,上述刮痕產生的數量明顯較少,意即,於 的條件下所形成的透明電極層110具有高硬度,不易被刮傷。

圖4示出形成各透明導電層110時之腔體V的真空閥開度、水氣(H 2O)分壓及氮氣(N 2)分壓,其中真空閥開度越大代表腔體V的真空度越小。圖5示出圖4的各製程條件R9~R11示出形成之透明導電層110的高溫高濕測試結果。請參照圖2A、圖4及圖5,在腔體V的真空閥開度為原真空閥開度,水氣分壓為0.0223 Pa及氮氣分壓為0.0037 Pa的製程條件R9下所形成之透明導電層110未能通過36小時的高溫高濕測試;在腔體V的真空閥開度為較原真空閥開度增加15 mm,水氣分壓為0.0176 Pa及氮氣分壓為0.0016 Pa的製程條件R10下所形成之透明導電層110能通過36小時的高溫高濕測試;在腔體V的真空閥開度為較原真空閥開度增加30 mm,水氣分壓為0.0134 Pa及氮氣分壓為0.0013 Pa的製程條件R11下所形成之透明導電層110能通過36小時的高溫高濕測試。上述36小時的高溫高濕測試是指:將包括透明導電層110的顯示面板100置於具有溫度90 oC及濕度60%的測試爐中36小時後,觀察透明導電層110的是否出現外觀異常(例如:黴化現象);如出現外觀異常則判定透明導電層110未通過36小時的高溫高濕測試;如未出現外觀異常則判定透明導電層110通過36小時的高溫高濕測試。

綜合上述圖4及圖5的實驗結果可知,在水氣分壓小於或等於0.02 Pa,氮氣分壓小於或等於0.002 Pa,且真空閥開度較原真空閥開度大於15mm以上(即真空度約小於或等於0.18 Pa)的製程條件(例如:製程條件R10、R11)下,所形成的透明導電層110能通過36小時的高溫高濕測試,也就是說,先前技術中所述之透明導電層的黴化現象能改善。

此外,由上述圖4及圖5的實驗結果可歸納出,水氣分壓與氬氣分壓的比值為B,氮氣分壓與氬氣分壓的比值為C,在 的條件(例如:製程條件R10及R11)下形成的透明導電層110能通過36小時的高溫高濕測試,具有良好的抗老化能力。

綜上所述,氧氣分壓與氬氣分壓的比值為A,本發明的實施例的透明導電層及顯示面板的製造方法是於 的條件下藉由電漿所產生的離子轟擊氧化銦錫濺鍍靶材以於第一基板上形成透明導電層。透過將氧氣分壓與氬氣分壓的比值設定於上述之偏低的數值範圍(意即,令氧氣分壓低),所形成之透明導電層的表面易具有<400>晶格,而具有<400>晶格的透明導電層具有較佳的耐高溫高濕能力(即抗老化能力)和較高的硬度。

雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧顯示面板

110‧‧‧透明導電層

120‧‧‧第一基板

130‧‧‧第二基板

140‧‧‧顯示介質

i‧‧‧離子

V‧‧‧腔體

T‧‧‧氧化銦錫濺鍍靶材

T’‧‧‧氧化銦錫材料

Ar‧‧‧氬氣

O2‧‧‧氧氣

R1~R16‧‧‧製程條件

圖1示出習知透明導電層的黴化現象。 圖2A至圖2B為本發明的一實施例的顯示面板的製造流程剖面示意圖。 圖3示出比值A與透明導電層110之硬度測試的失敗次數的關係以及通入至腔體V的氧氣流量與透明導電層110之硬度測試的失敗次數的關係。 圖4示出形成各透明導電層110時之腔體V的真空閥開度、水氣(H 2O)分壓及氮氣(N 2)分壓。 圖5示出圖4的各製程條件R9~R11示出形成之透明導電層110的高溫高濕測試結果。

Claims (8)

  1. 一種透明導電層的製造方法,包括:氧氣分壓與氬氣分壓的比值為A,於0.009A0.0150及水氣分壓小於或等於0.02Pa且氮氣分壓小於或等於0.002Pa的條件下,藉由電漿所產生的離子轟擊氧化銦錫濺鍍靶材以於一第一基板上形成一透明導電層。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的透明導電層的製造方法,其中水氣分壓與氬氣分壓的比值為B,於B0.0659的條件下,藉由電漿所產生的離子轟擊氧化銦錫濺鍍靶材以於該第一基板上形成該透明導電層。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的透明導電層的製造方法,其中氮氣分壓與氬氣分壓的比值為C,於C0.0061的條件下,藉由電漿所產生的離子轟擊氧化銦錫濺鍍靶材以於該第一基板上形成該透明導電層。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的透明導電層的製造方法,其中,於真空度小於或等於0.18Pa的條件下,藉由電漿所產生的離子轟擊氧化銦錫濺鍍靶材以於該第一基板上形成該透明導電層。
  5. 一種顯示面板的製造方法,包括:於一第一基板上形成一透明導電層,其中氧氣分壓與氬氣分壓的比值為A,而該透明導電層是於0.009A0.0150及水氣分壓小於或等於0.02Pa且氮氣分壓小於或等於0.002Pa的條件下,藉由電漿所產生的離子轟擊氧化銦錫濺鍍靶材所形成;組立該第一基板、一顯示介質以及一第二基板,其中該顯示介質位於該第一基板與該第二基板之間,而該第一基板位於該透明導電層與該顯示介質之間。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的顯示面板的製造方法,其中水氣分壓與氬氣分壓的比值為B,於B0.0659的條件下,藉由電漿所產生的離子轟擊氧化銦錫濺鍍靶材以於該第一基板上形成該透明導電層。
  7. 如申請專利範圍第5項所述的顯示面板的製造方法,其中氮氣分壓與氬氣分壓的比值為C,於C0.0061的條件下,藉由電漿所產生的離子轟擊氧化銦錫濺鍍靶材以於該第一基板上形成該透明導電層。
  8. 如申請專利範圍第5項所述的顯示面板的製造方法,其中,於真空度小於或等於0.18Pa的條件下,藉由電漿所產生的離子轟擊氧化銦錫濺鍍靶材以於該第一基板上形成該透明導電層。
TW107101635A 2018-01-17 2018-01-17 透明導電層及顯示面板的製造方法 TWI658474B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW107101635A TWI658474B (zh) 2018-01-17 2018-01-17 透明導電層及顯示面板的製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW107101635A TWI658474B (zh) 2018-01-17 2018-01-17 透明導電層及顯示面板的製造方法
CN201810201238.9A CN108468026B (zh) 2018-01-17 2018-03-12 透明导电层及显示面板的制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI658474B true TWI658474B (zh) 2019-05-01
TW201933376A TW201933376A (zh) 2019-08-16

Family

ID=63264270

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107101635A TWI658474B (zh) 2018-01-17 2018-01-17 透明導電層及顯示面板的製造方法

Country Status (1)

Country Link
TW (1) TWI658474B (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20160377913A1 (en) * 2015-06-29 2016-12-29 Au Optronics Corporation Liquid crystal display panel
TW201708612A (zh) * 2015-06-26 2017-03-01 Sumitomo Metal Mining Co 氧化物透明導電膜、光電變換元件以及光電變化元件的製造方法
TW201713733A (zh) * 2013-03-14 2017-04-16 Hitachi Maxell 透明導電性塗佈組成物、透明導電性膜及內藏觸控面板機能型橫電場方式液晶顯示面板

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201713733A (zh) * 2013-03-14 2017-04-16 Hitachi Maxell 透明導電性塗佈組成物、透明導電性膜及內藏觸控面板機能型橫電場方式液晶顯示面板
TW201708612A (zh) * 2015-06-26 2017-03-01 Sumitomo Metal Mining Co 氧化物透明導電膜、光電變換元件以及光電變化元件的製造方法
US20160377913A1 (en) * 2015-06-29 2016-12-29 Au Optronics Corporation Liquid crystal display panel

Also Published As

Publication number Publication date
CN108468026A (zh) 2018-08-31
TW201933376A (zh) 2019-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102079171B1 (ko) Oled 디스플레이 스크린을 위한 화소 구조와 이의 메탈 마스크
JP4542008B2 (ja) 表示デバイス
US7205662B2 (en) Dielectric barrier layer films
US6632483B1 (en) Ion gun deposition and alignment for liquid-crystal applications
JP2014135478A (ja) 半導体装置およびその作製方法
KR101085271B1 (ko) 표시 디바이스용 Al 합금막, 표시 디바이스 및 스퍼터링 타깃
US6811815B2 (en) Method for roll-to-roll deposition of optically transparent and high conductivity metallic thin films
CN101988181B (zh) 金属加工方法、金属掩模制造方法以及有机el显示装置制造方法
CN1826423B (zh) 透明导电氧化物
US20140127474A1 (en) Method for Strengthening Glass and Glass Using the Same
JP2015518596A (ja) タッチスクリーンパネル製作方法およびシステムで使用される透明体
KR20030081077A (ko) 투명한 전도성 적층물 및 이의 제조방법
KR20130036296A (ko) 박막 트랜지스터의 반도체층용 산화물 및 스퍼터링 타깃과 박막 트랜지스터
JP5285729B2 (ja) 液晶表示装置
US9896758B2 (en) Method to produce highly transparent hydrogenated carbon protective coating for transparent substrates
CN101840099B (zh) 液晶面板及其制造方法
JP2008196003A (ja) 蒸着用マスク、マスク蒸着法、および有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
CN101551541B (zh) 显示用基板及其制造方法以及显示装置
CN102959436B (zh) 波长板的制造方法
US20050012877A1 (en) Reflective liquid crystal display and method of assembling the same
KR100682202B1 (ko) 무기 배향막의 형성 방법
CN101918888B (zh) 显示装置、其制造方法及溅射靶
US20080142819A1 (en) Liquid crystal display and manufacturing method thereof
KR20120092619A (ko) 기판 코팅 방법 및 코팅 장치
US20070278178A1 (en) Copper conducting wire structure and fabricating method thereof