TWI649440B - 可撓式基板結構及其製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種可撓式基板結構，其包括可撓式基板、第一圖案化金屬層以及第二圖案化金屬層。可撓式基板具有第一表面以及相對的第二表面，第一圖案化金屬層設置於可撓式基板的第一表面上，第二圖案化金屬層設置於可撓式基板的第二表面上，其中可撓式基板具有至少一穿孔。

Description

可撓式基板結構及其製造方法

本發明係關於一種可撓式基板結構及其製造方法，尤指一種作為遮罩(mask)或乘載基底並具有雙面圖案化金屬層的可撓式基板結構及其製造方法。

在現今技術中，在製作例如有機發光二極體顯示器(OLED display device)等電子產品時，會在部分裝置製程中使用遮罩(mask)，例如金屬遮罩，使得此些裝置可設置在顯示器製作過程中所預定配置的位置。然而，在金屬遮罩中，由於金屬對於應力的承受較低，因此，當金屬遮罩受到應力或是有應力殘留於金屬遮罩中時，或是金屬遮罩的孔洞越來越多時，會使得金屬遮罩產生皺褶、彎曲、翹曲等不良情況，進而影響電子產品的生產良率，例如所製造的顯示器會造成嚴重混色，而在習知技術中，為了減少金屬遮罩對於應力的影響，業界已嘗試增加金屬遮罩的孔洞間距，藉此提升金屬遮罩的結構穩定度，但相對的，顯示器的解析度也隨之下降。

本發明之目的之一在於提供一種可撓式基板結構及其製造方法，其具有一層基板與兩層以上的金屬的結構，用以作為遮罩(mask)或乘載電子裝置的基底。

本發明之一實施例提供一種可撓式基板結構，其包括可撓式基板、第一圖案化金屬層以及第二圖案化金屬層。可撓式基板具有第一表面以及第二表面，第二表面相對於第一表面，第一圖案化金屬層設置於可撓式基板的第一表面上，第二圖案化金屬層設置於可撓式基板的第二表面上，其中可撓式基板具有至少一穿孔。

本發明之另一實施例提供一種可撓式基板結構的製作方法，其包括以下步驟。提供一可撓式基板，可撓式基板具有第一表面以及與第一表面相對的第二表面。於可撓式基板的第一表面上形成第一圖案化金屬層。於可撓式基板的第二表面上形成第二圖案化金屬層。對可撓式基板進行穿孔製程，以於可撓式基板上形成至少一穿孔。

由於本發明的可撓式基板結構係由兩面與一層以上之金屬層以及可撓式基板所組成，因此可提升可撓式基板結構作為遮罩的結構穩定度，藉此減少產生皺褶、彎曲、翹曲等不良情況，進而提升電子產品的生產良率，並且，由於結構穩定度的提升，可撓式基板結構的穿孔距離與數量不需為了提升結構穩定度而減少，因此相較於傳統金屬遮罩，利用本發明的可撓式基板結構所製造的結構可具有較高的密度，藉此提高所生產的電子產品的品質。另一方面，本發明的可撓式基板結構亦可作為設置電子裝置的基底，藉此可製作兩側都具有電子裝置的電子產品。此外，由於可透過薄膜沉積製程同時形成本發明的可撓式基板結構的兩側金屬層，因此可減少製程時間與成本，並提升製程便利性。

為使本領域的通常知識者能更進一步瞭解本發明，以下特列舉本發明的實施例，並配合圖式詳細說明本發明的構成內容及所欲達成的功效。須注意的是，圖式均為簡化的示意圖，因此，僅顯示與本發明有關之元件與組合關係，以對本發明的基本架構或實施方法提供更清楚的描述，而實際的元件與佈局可能更為複雜。另外，為了方便說明，本發明的各圖式中所示之元件並非以實際實施的數目、形狀、尺寸做等比例繪製，其詳細的比例可依照設計的需求進行調整。

請參考第1圖至第3圖，第1圖繪示本發明第一實施例之可撓式基板結構之俯視示意圖，第2圖繪示本發明第一實施例之可撓式基板結構的局部放大俯視示意圖，第3圖繪示本發明第一實施例之可撓式基板結構之剖面示意圖。如第1圖至第3圖所示，本實施例的可撓式基板結構100包括可撓式基板110、第一圖案化金屬層112以及第二圖案化金屬層114。其中，可撓式基板110用以承載可撓式基板結構100中的元件或是設置在可撓式基板結構100上的電子裝置，可撓式基板110具有第一表面110a以及與第一表面110a相對的第二表面110b，須說明的是，第1圖與第2圖所繪示的俯視圖僅繪示第一表面110a及設置於第一表面110a上的結構。在本實施例中，可撓式基板110可包括例如聚亞醯胺材料(polyimide, PI)或聚對苯二甲酸乙二酯材料(polyethylene terephthalate, PET)，但不以此為限。

第一圖案化金屬層112設置在可撓式基板110的第一表面110a上，第二圖案化金屬層114設置於可撓式基板110的第二表面110b上，亦即第一圖案化金屬層112與第二圖案化金屬層114分別設置在可撓式基板110的相對兩側，須說明的是，雖然本文的附圖中以同一種網底繪示第一圖案化金屬層112與第二圖案化金屬層114，但第一圖案化金屬層112與第二圖案化金屬層114實屬不同膜層。其中，第一圖案化金屬層112可具有至少一第一開口112a，第二圖案化金屬層114可具有至少一第二開口114a，在本實施例中，第一圖案化金屬層112具有複數個第一開口112a，第二圖案化金屬層114具有複數個第二開口114a，且第一開口112a與第二開口114a皆以陣列方式排列，亦即第一圖案化金屬層112與第二圖案化金屬層114呈網格狀(柵狀)圖案，如第1圖所示，但不以此為限，在另一實施例中，同一圖案化金屬層的相鄰兩列的開口之間可彼此錯位，須說明的是，本實施例的第一開口112a與第二開口114a以具有圓角的四邊形為例，但不以此為限，第一開口112a與第二開口114a的形狀與排列方式可依據需求而設計。須說明的是，本實施例的第一圖案化金屬層112與第二圖案化金屬層114的金屬圖案可以是重複性圖案，而此重複性圖案可以陣列方式排列或彼此錯位排列，且各圖案可以例如單個開口或以複數個大小不同的開口所形成，但皆不以此為限，在變化實施例中，金屬圖案亦可為非重複性的圖案，或是在特定位置有重複性的圖案。另外，由於本實施例的第一圖案化金屬層112與第二圖案化金屬層114呈網格狀圖案，因此，第一圖案化金屬層112可視為包括複數個第一條狀結構112b，第二圖案化金屬層114可視為包括複數個第二條狀結構114b，且第一條狀結構112b彼此交錯而形成第一圖案化金屬層112的網格狀圖案，第二條狀結構114b彼此交錯而形成第二圖案化金屬層114的網格狀圖案。此外，在本實施例中，第一圖案化金屬層112與第二圖案化金屬層114在垂直於第一表面110a的方向Dy上可完全重疊，也就是說，第一圖案化金屬層112與第二圖案化金屬層114的圖案完全相同，第一開口112a與第二開口112b互相對應重疊，但不以此為限，在其他實施例中，第一圖案化金屬層112與第二圖案化金屬層114在垂直於第一表面110a的方向Dy上可不完全重疊，亦即第一圖案化金屬層112與第二圖案化金屬層114的圖案不完全相同，例如第一開口112a與第二開口112b僅部份重疊而不互相對應，又例如第一開口112a與第二開口112b互相錯位。除此之外，本實施例的第一圖案化金屬層112與第二圖案化金屬層114可包括可透過非磁性金屬，例如鈀，或磁性吸附的金屬材料，例如鐵、鈷或鎳，或是含有上述金屬材料的合金，例如不鏽鋼，但材料不以此為限，而第一圖案化金屬層112與第二圖案化金屬層114的材料可彼此相同或不同，並且，第一圖案化金屬層112與第二圖案化金屬層114可為單一的金屬膜層結構或是多層的金屬膜層結構。

如第2圖與第3圖所示，可撓式基板110具有至少一穿孔TH，其中本實施例的穿孔TH的外緣可在垂直於第一表面110a的方向Dy上與第一圖案化金屬層112以及第二圖案化金屬層114不重疊，但不以此為限。在本實施例中，可撓式基板110可具有複數個穿孔TH，且穿孔TH可位於第一開口112a與第二開口114a內。此外，穿孔TH亦可以陣列方式排列，舉例而言，在本實施例中，可撓式基板110中的穿孔TH皆以陣列方式排列，並且，各第一開口112a內可具有複數個穿孔TH，而在各個第一開口112a內的穿孔TH亦以陣列方式排列，但不以此為限。再舉例而言，在另一實施例中，在各個第一開口112a內的穿孔TH以陣列方式排列，但兩相鄰的第一開口112a中距離最近的兩個穿孔TH之間的距離大於同一第一開口112a中的兩相鄰穿孔TH之間的距離，但穿孔TH設置方式皆不以上述為限，相鄰兩列的穿孔TH之間亦可彼此錯位。另外，穿孔TH的形狀可為圓形、橢圓形、四邊形、三角形或其他適合的形狀，其形狀可依據需求而設計，第2圖中的穿孔TH係以圓形為例。

在本實施例中，可撓式基板結構100用以作為製造一電子產品的部分結構的遮罩(mask)，也就是說，在電子產品的製造過程中，可將本實施例的可撓式基板結構100設置於機台的原料供應端與電子產品的載板之間，使得由原料供應端所提供的原料可透過可撓式基板結構100的穿孔TH而設置在電子產品的載板上，藉此製作電子產品的部分結構。以顯示器的製造為例，請參考第4A圖至第4D圖，第4A圖至第4D圖繪示利用本發明一實施例之可撓式基板結構所製造的顯示器的像素之俯視示意圖，其中本實施例的可撓式基板結構100係用以作為製造顯示器的顯示裝置(例如有機發光二極體(OLED)或彩色濾光層(color filter))的遮罩。如第4A圖所示，可撓式基板結構100的穿孔TH係為矩形，而所製造的顯示裝置DP1、DP2、DP3可分為三種顏色，例如紅色、綠色與藍色，並且彼此並排。如第4B圖所示，可撓式基板結構100的穿孔TH亦為矩形，而所製造的顯示裝置DP1、DP2、DP3、DP4可分為四種顏色，例如紅色、綠色、藍色與白色，或是紅色、綠色、藍色與黃色，並且此四種顏色的顯示裝置DP1、DP2、DP3、DP4可排列成2x2的陣列。如第4C圖所示，可撓式基板結構100的穿孔TH為三角形，而所製造的顯示裝置DP1、DP2、DP3、DP4可分為四種顏色，並以三角狀(delta)的形式排列。如第4D圖所示，可撓式基板結構100的穿孔TH為四邊形或橢圓形，而所製造的顯示裝置DP1、DP2、DP3可分為三種顏色，並以五角或不等面積（例如Pentile）的形式排列，但第4A圖至第4D圖以及上述的說明僅為示例性說明，透過本發明可撓式基板結構100所製造出的顯示器的像素配置並不以此為限，其他的像素配置方式或是其他電子產品的某些元件的配置亦可透過可撓式基板結構100所製造。須說明的是，當不同種顏色的顯示裝置具有相同的數量、形狀與結構時(例如第4A圖與第4B圖的顯示裝置)，可透過同一種可撓式基板結構100的平移而分別製造此些不同顏色的顯示裝置；而若某一顏色的顯示裝置的數量或形狀與其他顏色不同(例如第4C圖與第4D圖的顯示裝置)，在製造時可透過具有不同種穿孔形狀或穿孔排列方式的可撓式基板結構100進行製造。此外，由於利用可撓式基板結構100的穿孔TH製造顯示裝置，因此穿孔TH之間的距離即表示所製造的顯示器的子像素(sub-pixel)之間的距離。

另外，由於本實施例的第一圖案化金屬層112與第二圖案化金屬層114包括有可透過磁性吸附的金屬材料，且可分別為單一成分或多種成分的金屬材料。因此，當本實施例的可撓式基板結構100設置於機台的原料供應端與電子產品的載板之間時，使用者還可額外提供磁力將可撓式基板結構100固定於原料供應端與電子產品的載板之間，藉此達到較佳的遮罩使用品質。另一方面，在製程中，也可以藉由控制磁力吸附的方式來移動與固定可撓式基板結構100和電子產品。為了達到較佳的磁力吸附能力與較佳的金屬圖案配置，本實施例的第一圖案化金屬層112的第一條狀結構112b以及第二圖案化金屬層114的第二條狀結構114b的寬度W可為約0.5微米(µm)至約1000微米，但不以此為限。

在本實施例中，由於可撓式基板結構100係由兩層圖案化金屬層以及可撓式基板110所組成，因此，可提升可撓式基板結構100作為遮罩的結構穩定度，相比於只具有單一圖案化金屬的傳統金屬遮罩，本實施例可減少遮罩產生皺褶、彎曲、翹曲等不良情況，進而提升透過遮罩所製造的電子產品的生產良率，而在本實施例中，第一圖案化金屬層112與第二圖案化金屬層114的厚度可為約0.1微米至約100微米，兩者厚度可以相同或不同，而可撓式基板110的厚度可為約1微米至約50微米，但不以此為限。另外，由於結構穩定度的提升，本實施例可撓式基板結構100的穿孔TH距離與數量不需滿足結構穩定度而減少，因此相較於傳統金屬遮罩，利用本實施例的可撓式基板結構100所製造的結構可具有較高的密度(例如顯示器的像素密度)，藉此提高所生產的電子產品的品質，舉例而言，可提升顯示器的顯示畫面解析度。此外，為了使利用本實施例的可撓式基板結構100所製造的結構不相互影響並具有一定的密度，本實施例的兩相鄰的穿孔TH之間的距離D1可為約0.5微米至約500微米，穿孔TH與第一開口112a或第二開口114a的邊緣相距約0.5微米至約500微米(距離D2)，而在此設計之下，所製造的顯示器的像素密度可為約10 ppi至約1700 ppi。而在傳統金屬遮罩中，以蝕刻形式所製作出的傳統金屬遮罩的穿孔間距至少為50微米以上，其所呈現或製造的顯示器像素密度上限僅止於500 ppi。

請參考第3圖與第5圖至第9圖，其中第5圖至第8圖繪示本發明第一實施例之可撓式基板結構的製作方法之剖面示意圖，第9圖繪示本發明之可撓式基板結構的製作方法之流程圖。如第5圖，本實施例的可撓式基板結構100的製作方法首先提供一可撓式基板110，然後如第6圖至第8圖所示，於可撓式基板110的第一表面110a上形成第一圖案化金屬層112，並於可撓式基板110的第二表面110b上形成第二圖案化金屬層114。詳細而言，在本實施例中，在形成第一圖案化金屬層112與第二圖案化金屬層114之前，可於可撓式基板110的第一表面110a與第二表面110b分別形成圖案化光阻層PR(繪示於第6圖)，亦即於第一表面110a與第二表面110b全面性地分別形成光阻層，再透過黃光製程定義光阻層的圖案，以形成圖案化光阻層PR，其中圖案化光阻層PR的圖案分別對應預定形成第一開口112a與第二開口112b的區域。然後，以圖案化光阻層PR當作圖案定義層，分別於可撓式基板110之第一表面110a與第二表面110b上不具有圖案化光阻層PR的部分形成第一圖案化金屬層112與第二圖案化金屬層114(繪示於第7圖)，而形成方式包括電化學性質的薄膜沉積製程(例如電鍍製程)或物理性的貼附製程，其中電鍍製程可同時形成第一圖案化金屬層112與第二圖案化金屬層114，藉此減少製程時間與成本，並提升製程便利性。在形成第一圖案化金屬層112與第二圖案化金屬層114之後，將圖案化光阻層PR移除，藉此完成第一圖案化金屬層112與第二圖案化金屬層114的製作(繪示於第8圖)，但第一圖案化金屬層112與第二圖案化金屬層114的製作方式不以上述製程為限，亦可利用其他方式製作，例如先形成可撓式基板110相對兩側的金屬層，再形成圖案化光阻層PR，再分別對兩側的金屬層蝕刻而形成第一圖案化金屬層112與第二圖案化金屬層114，最後再將圖案化光阻層PR移除。最後，如第3圖所示，對可撓式基板110進行穿孔製程，以於可撓式基板110上形成至少一穿孔TH，以完成可撓式基板結構100的製作，須說明的是，由於本實施例的穿孔TH的外緣不與圖案化金屬層重疊，因此在進行穿孔製程時，穿孔TH並不直接穿過圖案化金屬層，亦即製作穿孔TH的步驟是在第一開口112a與第二開口114a所暴露的可撓式基板110處進行穿孔製程。另外，可選擇性的，在穿孔製程之後，還可對可撓式基板結構100進行物理性或化學性的清潔，例如將可撓式基板結構100浸泡於液體或置入特定環境中，藉此去除製作過程中所殘留下的髒汙。

由上述可知，如第9圖所示，本實施例的可撓式基板結構100的製作方法包括以下步驟。

步驟ST1：提供可撓式基板，可撓式基板具有第一表面以及與第一表面相對的第二表面。

步驟ST2：於可撓式基板的第一表面上形成第一圖案化金屬層，並於可撓式基板的第二表面上形成第二圖案化金屬層。

步驟ST3：對可撓式基板進行穿孔製程，以於可撓式基板上形成至少一穿孔。

本發明的可撓式基板結構及其製作方法並不以上述實施例為限。下文將繼續揭示本發明的其它實施例或變化實施例，然而為了簡化說明並突顯各實施例或變化實施例之間的差異，下文中使用相同標號標注相同元件，並不再對重複部分作贅述。

請參考第10圖至第11圖，第10圖至第11圖繪示本發明第一實施例的變化實施例之可撓式基板結構的製作方法之剖面示意圖，其中第11圖也同時繪示了本發明第一實施例的變化實施例之可撓式基板結構的剖面示意圖。如第10圖所示，本變化實施例的可撓式基板結構100’的製作方法首先提供一可撓式基板110，再於可撓式基板110的第一表面110a上全面性地形成第一金屬層112’，並於可撓式基板110的第二表面110b上全面性地形成第二金屬層114’，而形成第一金屬層112’與第二金屬層114’的方式包括電鍍製程或物理性的貼附製程，但不以此為限。接著，如第11圖所示，進行穿孔製程，以在可撓式基板110、第一金屬層112’與第二金屬層114’上形成至少一穿孔TH，使第一金屬層112’與第二金屬層114’分別形成為第一圖案化金屬層112與第二圖案化金屬層114，以完成可撓式基板結構100’的製作，須說明的是，在本變化實施例的製造過程中，穿孔TH會直接穿過第一金屬層112’與第二金屬層114’，也就是說，穿孔製程完成後，穿孔TH的外緣在垂直於第一表面110a的方向Dy上可與第一圖案化金屬層112以及第二圖案化金屬層114重疊。因此，在結構上，相較於第一實施例，第一圖案化金屬層112以及第二圖案化金屬層114且不具有開口圖案(例如第1圖中所示的第一實施例的第一開口112a或第二開口114a)，並且，穿孔TH的外緣在垂直於第一表面110a的方向Dy上可與第一圖案化金屬層112以及第二圖案化金屬層114重疊，亦即可撓式基板110、第一圖案化金屬層112與第二圖案化金屬層114的面積相等，且在垂直於第一表面110a的方向Dy上完全重疊，而關於可撓式基板結構100’各膜層的厚度與材料以及穿孔TH之間的間隔可參考第一實施例，在此不再重複贅述。

在另一變化實施例中，可撓式基板結構的可撓式基板110的第一表面110a上可設置有如同第一實施例的第一圖案化金屬層112(如第3圖所示)，而可撓式基板110的第二表面110b上可設置有如同上述變化實施例中不具有開口圖案(即不具有第二開口114a)的第二圖案化金屬層114(如第11圖所示)，因此，穿孔TH的外緣在垂直於第一表面110a的方向Dy上可不與第一圖案化金屬層112重疊，但可與第二圖案化金屬層114重疊，而關於可撓式基板結構各膜層的厚度、材料與製作流程以及穿孔TH之間的間隔可參考第一實施例以及上述的變化實施例，在此不再重複贅述。

請參考第12圖，第12圖繪示本發明第二實施例之可撓式基板結構之剖面示意圖，其中為了使圖式清楚，第12圖未繪示穿孔TH。如第12圖所示，相較於第一實施例，本實施例的可撓式基板結構200的第一圖案化金屬層112與第二圖案化金屬層114在垂直於第一表面110a的方向Dy上不完全重疊，亦即第一圖案化金屬層112與第二圖案化金屬層114的圖案不完全相同，而在本實施例中，第一圖案化金屬層112重疊於部分的第二圖案化金屬層114，但不以此為限，在變化實施例中，第一圖案化金屬層112的第一條狀結構112b與第二圖案化金屬層114的第二條狀結構114b在垂直於該第一表面110a的方向Dy上可彼此錯位。另外，本實施例的第一開口112a數目少於第二開口114a數目，且第一開口112a的面積大於第二開口114a的面積，但不以此為限，圖案化金屬層的配置、開口數目、開口大小、開口位置可依需求而設計。例如，在一變化實施例中，第一圖案化金屬層112與第二圖案化金屬層114的圖案和第12圖所示內容互相對調，而在另一變化實施例中，第一圖案化金屬層112可具有複數個第一開口112a，而第二圖案化金屬層114可僅具有一個第二開口114a，或是兩者相反。

請參考第13圖，第13圖繪示本發明第三實施例之可撓式基板結構之剖面示意圖，其中為了使圖式清楚，第13圖未繪示穿孔TH。如第13圖所示，相較於第一實施例，本實施例的可撓式基板結構300的第一圖案化金屬層112與第二圖案化金屬層114在垂直於第一表面110a的方向Dy上不完全重疊，亦即第一圖案化金屬層112與第二圖案化金屬層114的圖案不完全相同，而在本實施例中，第二圖案化金屬層114重疊於部分的第一圖案化金屬層112，但不以此為限。另外，在本實施例中，第一圖案化金屬層112的第一條狀結構112b的寬度大於第二圖案化金屬層114的第二條狀結構114b的寬度，此外，第一開口112a的面積小於第二開口114a的面積，且第一開口112a在垂直於第一表面110a的方向Dy上位於第二開口114a內，但不以此為限，圖案化金屬層的配置、開口數目、開口大小、開口位置可依需求而設計。

請參考第14圖與第15圖，第14圖繪示本發明第四實施例之可撓式基板結構之俯視示意圖，第15圖繪示本發明第四實施例之可撓式基板結構設置有電子裝置之剖面示意圖，其中第14圖所繪示的俯視圖僅繪示第一表面110a及設置於第一表面110a上的結構。如第14圖與第15圖所示，本實施例的可撓式基板結構400係用以作為設置電子裝置410的基底，須說明的是，第14圖僅繪示本實施例的可撓式基板結構400之一部分，並無直接繪示電子裝置410。因此，在本實施例中，第一圖案化金屬層112與第二圖案化金屬層114係用以作為導電用的電子元件，並電連接於可撓式基板結構400上的電子裝置410之間，也就是說，電子裝置410設置於第一圖案化金屬層112與第二圖案化金屬層114的至少一者上，使其與第一圖案化金屬層112與第二圖案化金屬層114的至少一者電連接(繪示於第15圖)。詳細而言，本實施例的第一圖案化金屬層112包括複數個第一電子元件402，第二圖案化金屬層114包括複數個第二電子元件404，其中第一電子元件402、第二電子元件404舉例可包括導線402a、404a、電極402c、404c、連接墊402b或反射元件(圖未示)等電子元件，其中導線402a、404a可代表用來傳導訊號的線路或具有特定電子功用的電路，但不以此為限。在材料的選擇上，第一圖案化金屬層112與第二圖案化金屬層114可包括導電性佳的金屬，例如銀、銅，但不以此為限。另外，在第14圖中，可撓式基板結構400可具有主動區AR，位於可撓式基板110的第一表面110a與第二表面110b的至少一者上，並用以設置電子裝置410，主動區AR內的導線、電極或連接墊等元件可透過第一圖案化金屬層112與第二圖案化金屬層114分別定義，藉此與電子裝置410連接，但須說明的是，第14圖中僅繪示出主動區AR的位置，並無繪示主動區AR內第一圖案化金屬層112的第一電子元件402。電子裝置410例如為(但不限於)顯示裝置(如有機發光二極體)、感光裝置、晶片(IC)、被動裝置(如電容)、主動裝置(如薄膜電晶體)等。以第15圖所繪示者為例，電子裝置410為感光裝置，其除了由第一圖案化金屬層112所形成的電極402c層作為下電極，還可包括層間介電層410a、感光層410b及作為上電極的電極層410c，但不以此為限。

另一方面，本實施例的第一電子元件402的其中至少一者與第二電子元件404的其中至少一者透過穿孔TH彼此電連接，詳細而言，穿孔TH內可設置有具導電性的連接凸塊(conductive bump)420，而連接凸塊420的兩端可分別連接第一電子元件402以及第二電子元件404，藉此完成第一電子元件402與第二電子元件404的電連接。在製造過程中，於形成穿孔TH後，可於穿孔TH內透過印刷、噴塗、蒸鍍等方式形成連接凸塊420，藉此使得第一電子元件402的其中至少一者與第二電子元件404的其中至少一者透過連接凸塊420彼此電連接，但製作方式不以此為限。

綜上所述，由於本發明的可撓式基板結構係由兩面與一層以上之金屬層以及可撓式基板所組成，因此可提升可撓式基板結構作為遮罩的結構穩定度，藉此減少產生皺褶、彎曲、翹曲等不良情況，進而提升電子產品的生產良率，並且，由於結構穩定度的提升，可撓式基板結構的穿孔距離與數量不需為了提升結構穩定度而減少，因此相較於傳統金屬遮罩，利用本發明的可撓式基板結構所製造的結構可具有較高的密度，藉此提高所生產的電子產品的品質。另一方面，本發明的可撓式基板結構亦可作為設置電子裝置的基底，藉此可製作兩側都具有電子裝置的電子產品。此外，由於可透過電鍍製程同時形成本發明的可撓式基板結構的兩側金屬層，因此可減少製程時間與成本，並提升製程便利性。 以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。

100、100’、200、300、400‧‧‧可撓式基板結構

110‧‧‧可撓式基板

110a‧‧‧第一表面

110b‧‧‧第二表面

112‧‧‧第一圖案化金屬層

112’‧‧‧第一金屬層

112a‧‧‧第一開口

112b‧‧‧第一條狀結構

114‧‧‧第二圖案化金屬層

114’‧‧‧第二金屬層

114a‧‧‧第二開口

114b‧‧‧第二條狀結構

402‧‧‧第一電子元件

402a、404a‧‧‧導線

402b‧‧‧連接墊

402c、404c‧‧‧電極

404‧‧‧第二電子元件

410‧‧‧電子裝置

410a‧‧‧層間介電層

410b‧‧‧感光層

410c‧‧‧電極層

420‧‧‧連接凸塊

AR‧‧‧主動區

D1、D2‧‧‧距離

DP1、DP2、DP3、DP4‧‧‧顯示裝置

Dy‧‧‧方向

PR‧‧‧圖案化光阻層

ST1、ST2、ST3‧‧‧步驟

TH‧‧‧穿孔

W‧‧‧寬度

第1圖繪示本發明第一實施例之可撓式基板結構之俯視示意圖。 第2圖繪示本發明第一實施例之可撓式基板結構的局部放大俯視示意圖。 第3圖繪示本發明第一實施例之可撓式基板結構之剖面示意圖。 第4A圖至第4D圖繪示利用本發明一實施例之可撓式基板結構所製造的顯示器的像素之俯視示意圖。 第5圖至第8圖繪示本發明第一實施例之可撓式基板結構的製作方法之剖面示意圖。 第9圖繪示本發明之可撓式基板結構的製作方法之流程圖。 第10圖至第11圖繪示本發明第一實施例的變化實施例之可撓式基板結構的製作方法之剖面示意圖。 第12圖繪示本發明第二實施例之可撓式基板結構之剖面示意圖。 第13圖繪示本發明第三實施例之可撓式基板結構之剖面示意圖。 第14圖繪示本發明第四實施例之可撓式基板結構之俯視示意圖。 第15圖繪示本發明第四實施例之可撓式基板結構設置有電子裝置之剖面示意圖。

Claims (26)

1. 一種可撓式基板結構，包括：一可撓式基板，具有一第一表面以及一第二表面，該第二表面相對於該第一表面；一第一圖案化金屬層，設置於該可撓式基板的該第一表面上，其中該第一圖案化金屬層具有複數個第一開口，且該等第一開口以陣列方式排列；以及一第二圖案化金屬層，設置於該可撓式基板的該第二表面上；其中該可撓式基板具有至少一穿孔。
2. 如請求項1所述之可撓式基板結構，其中該第一圖案化金屬層與該第二圖案化金屬層在一垂直於該第一表面的方向上完全重疊。
3. 如請求項1所述之可撓式基板結構，其中該第一圖案化金屬層與該第二圖案化金屬層在一垂直於該第一表面的方向上不完全重疊。
4. 如請求項1所述之可撓式基板結構，其中該穿孔的外緣在一垂直於該第一表面的方向上與該第一圖案化金屬層以及該第二圖案化金屬層不重疊。
5. 如請求項1所述之可撓式基板結構，其中該第一圖案化金屬層具有至少一第一開口，且該穿孔位於該第一開口內。
6. 如請求項5所述之可撓式基板結構，其中該第二圖案化金屬層具有至少一第二開口，且該穿孔位於該第二開口內。
7. 如請求項5所述之可撓式基板結構，其中該穿孔與該第一開口的邊緣相距約0.5微米(μm)至約500微米。
8. 如請求項1所述之可撓式基板結構，其中該第一圖案化金屬層包括複數個條狀結構，該等條狀結構的寬度為約0.5微米至約1000微米。
9. 如請求項1所述之可撓式基板結構，其中該穿孔的外緣在一垂直於該第一表面的方向上與該第一圖案化金屬層以及該第二圖案化金屬層重疊。
10. 如請求項1所述之可撓式基板結構，其中該可撓式基板具有複數個穿孔，兩相鄰的該等穿孔之間的距離為約0.5微米至約500微米。
11. 如請求項1所述之可撓式基板結構，其中該可撓式基板具有複數個穿孔，該等穿孔以陣列方式排列。
12. 如請求項1所述之可撓式基板結構，其中該可撓式基板結構用以作為一遮罩(mask)。
13. 如請求項1所述之可撓式基板結構，其中該第一圖案化金屬層具有複數個第一電子元件，該第二圖案化金屬層具有複數個第二電子元件。
14. 如請求項13所述之可撓式基板結構，其中該等第一電子元件的其中至少一者與該等第二電子元件的其中至少一者透過該穿孔彼此電連接。
15. 如請求項1所述之可撓式基板結構，其中該可撓式基板結構用以作為設置一電子裝置的一基底，且該電子裝置設置於該第一圖案化金屬層與該第二圖案化金屬層的至少一者上。
16. 一種可撓式基板結構的製作方法，包括：提供一可撓式基板，該可撓式基板具有一第一表面以及與該第一表面相對的一第二表面；於該可撓式基板的該第一表面上形成一第一圖案化金屬層，並於該可撓式基板的該第二表面上形成一第二圖案化金屬層，其中該第一圖案化金屬層具有複數個第一電子元件，該第二圖案化金屬層具有複數個第二電子元件；對該可撓式基板進行一穿孔製程，以於該可撓式基板上形成至少一穿孔；以及在形成該穿孔後，於該穿孔內形成一連接凸塊，且該等第一電子元件的其中至少一者與該等第二電子元件的其中至少一者透過該連接凸塊彼此電連接。
17. 如請求項16所述之可撓式基板結構的製作方法，其中在形成該第一圖案化金屬層與該第二圖案化金屬層之前，於該可撓式基板的該第一表面與該第二表面分別形成一圖案化光阻層，並於形成該第一圖案化金屬層與該第二圖案化金屬層之後移除該圖案化光阻層。
18. 如請求項16所述之可撓式基板結構的製作方法，其中該第一圖案化 金屬層與該第二圖案化金屬層在一垂直於該第一表面的方向上完全重疊。
19. 如請求項16所述之可撓式基板結構的製作方法，其中該第一圖案化金屬層與該第二圖案化金屬層在一垂直於該第一表面的方向上不完全重疊。
20. 如請求項16所述之可撓式基板結構的製作方法，其中該穿孔的外緣在一垂直於該第一表面的方向上與該第一圖案化金屬層以及該第二圖案化金屬層不重疊。
21. 如請求項16所述之可撓式基板結構的製作方法，其中該第一圖案化金屬層具有至少一第一開口，且該穿孔位於該第一開口內。
22. 如請求項21所述之可撓式基板結構的製作方法，其中該第二圖案化金屬層具有至少一第二開口，且該穿孔位於該第二開口內。
23. 如請求項16所述之可撓式基板結構的製作方法，其中該穿孔的外緣在一垂直於該第一表面的方向上與該第一圖案化金屬層以及該第二圖案化金屬層重疊。
24. 如請求項16所述之可撓式基板結構的製作方法，其中形成該第一圖案化金屬層與該第二圖案化金屬層的方式包括一電鍍製程或一貼附製程。
25. 一種可撓式基板結構，包括：一可撓式基板，具有一第一表面以及一第二表面，該第二表面相對於該第 一表面；一第一圖案化金屬層，設置於該可撓式基板的該第一表面上；以及一第二圖案化金屬層，設置於該可撓式基板的該第二表面上；其中該可撓式基板具有複數個穿孔，該等穿孔以陣列方式排列。
26. 一種可撓式基板結構，包括：一可撓式基板，具有一第一表面以及一第二表面，該第二表面相對於該第一表面；一第一圖案化金屬層，設置於該可撓式基板的該第一表面上；以及一第二圖案化金屬層，設置於該可撓式基板的該第二表面上；其中該可撓式基板具有至少一穿孔，且該可撓式基板結構用以作為一遮罩(mask)。