TWI624927B - 半導體封裝之電磁波遮蔽層形成裝置及方法 - Google Patents

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Abstract

本發明是有關於一種半導體封裝之電磁波遮蔽層形成裝置與方法，更詳細而言，有關於一種將導電性液體按照準確的容量塗佈至如半導體零件的材料的準確的區域的半導體封裝之電磁波遮蔽層形成裝置與方法。本發明的半導體封裝之電磁波遮蔽層形成裝置與方法是一種提供具有如下效果的半導體封裝之電磁波遮蔽層形成裝置與方法：可準確地調整導電性液體的塗佈量及精細地調整導電性液體的塗佈區域。

Description

半導體封裝之電磁波遮蔽層形成裝置及方法
本發明是有關於一種半導體封裝之電磁波遮蔽層形成裝置與方法，更詳細而言，有關於一種於半導體封裝體的上表面及側面形成用以阻斷電磁波的遮蔽層的裝置與藉由該裝置形成電磁波遮蔽層的方法。
通常，為了防止電磁波的釋放或因外部的電磁波而導致內部電路的破損而於半導體封裝的外表面形成電磁波遮蔽層。
先前，藉由利用濺鍍(sputtering)(真空蒸鍍)製程而於半導體封裝形成導電性膜的方法形成電磁波遮蔽層。
於利用濺鍍製程的方法的情形時，存在不能於半導體封裝的側面以均勻的厚度形成導電性膜的問題。又，因濺鍍製程中產生的熱會導致半導體封裝內部的半導體元件受損。亦存在製程本身的成本變高的問題點。
雖嘗試利用塗佈液體的泵而於半導體封裝塗佈導電性液體的方法，但存在難以於半導體封裝的側面塗佈導電性液體的 問題點。又，存在因導電性液體的表面的張力而導致不能於半導體的邊角與距離邊角的位置之間以均勻的厚度的方式塗佈導性膜的問題。尤其是，在先前的藉由連續地噴出液體分配器中所使用的液滴droplet的方法而塗佈液體的方法中，因液體的表面張力而導致發生厚度不均勻的問題的可能性較高。
本發明是為了解決如上所述的問題點而提出者，其目的在於提供一種能使導電性液體以均勻的厚度塗佈至半導體封裝的上表面及側面的半導體封裝之電磁波遮蔽層形成裝置與方法。
用以解決如上所述目的的本發明的半導體封裝之電磁波遮蔽層形成裝置是為了於半導體封裝的外表面形成電磁波遮蔽層而塗佈導電性液體的半導體封裝電磁波遮蔽層形成裝置，其包含第一噴霧模組、第一噴霧移送單元、第二噴霧模組、第二噴霧移送單元及材料移送單元。所述第一噴霧模組具備：第一噴嘴，以可噴射所述導電性液體的方式而沿下側方向配置；傾斜噴嘴，使由所述第一噴嘴所噴射的所述導電性液體的噴射方向變更為朝向所述半導體封裝的側面，而以相對於垂直方向傾斜的方向噴射氣體；第一噴霧供給部，以噴霧形態向所述第一噴嘴供給所述導電性液體；所述第一噴霧移送單元相對於所述半導體封裝而移送所述第一噴霧模組的所述第一噴嘴及傾斜噴嘴；所述第二噴霧模 組具備：第二噴嘴，以可向所述半導體封裝的上表面噴射所述導電性液體的方式而朝向所述半導體封裝的上表面形成；第二噴霧供給部，以噴霧形態向所述第二噴嘴供給所述導電性液體；所述第二噴霧移送單元相對於所述半導體封裝而移送所述第二噴霧模組的第二噴嘴；及所述材料移送單元相對於所述第一噴霧模組及第二噴霧模組而移送所述半導體封裝。
又，本發明的半導體封裝之電磁波遮蔽層形成方法是一種為了於半導體封裝的外表面形成電磁波遮蔽層而塗佈導電性液體的半導體封裝之電磁波遮蔽層形成方法，其特徵在於包含：(a)利用具備沿下側方向配置的第一噴嘴、以相對於垂直方向而傾斜的方向形成並噴射氣體的傾斜噴嘴、及以噴霧形態向所述第一噴嘴供給所述導電性液體的第一噴霧供給部的第一噴霧模組而將所述導電性液體噴射至所述半導體封裝的側面的步驟；(b)利用具備朝向所述半導體封裝的上表面而形成的第二噴嘴、及以噴霧形態向所述第二噴嘴供給所述導電性液體的第二噴霧供給部的第二噴霧模組而將所述導電性液體噴射至所述半導體封裝的上表面的步驟；及(c)將所述半導體封裝從所述第一噴霧模組與第二噴霧模組中任一者的下側向另一者的下側移送的步驟。
本發明的半導體封裝之電磁波遮蔽層形成裝置與方法具有能使導電性液體以均勻的厚度塗佈至半導體封裝的上表面及側面的優點。
又，本發明的半導體封裝之電磁波遮蔽層形成裝置與方法具有能準確地調整塗佈至半導體封裝的上表面及側面的導電性液體的厚度的優點。
100‧‧‧第一噴霧模組
101‧‧‧第一噴嘴
102、103‧‧‧第一噴霧供給部
104‧‧‧傾斜噴嘴
110‧‧‧儲存部
111‧‧‧傳遞泵
112‧‧‧傳遞閥
113‧‧‧傳遞管
121、160‧‧‧霧劑產生單元
130‧‧‧腔室
131‧‧‧供給泵
132‧‧‧供給閥
133‧‧‧供給管
134‧‧‧傾斜閥
140‧‧‧循環管
141‧‧‧循環閥
150‧‧‧氣體泵
161‧‧‧噴霧泵
162‧‧‧噴霧噴嘴
163‧‧‧噴霧管
200‧‧‧第一噴霧移送單元
201‧‧‧第一噴霧升降部
300‧‧‧第二噴霧模組
301‧‧‧第二噴嘴
302‧‧‧第二噴霧供給部
400‧‧‧第二噴霧移送單元
500‧‧‧材料移送單元
C‧‧‧半導體封裝
T‧‧‧托盤
圖1是本發明的一實施例的半導體封裝之電磁波遮蔽層形成裝置的俯視圖。
圖2是圖1所示的半導體封裝之電磁波遮蔽層形成裝置的前視圖。
圖3用以說明圖1所示的半導體封裝之電磁波遮蔽層形成裝置的第一噴霧供給部的概略圖。
圖4是用以說明圖1所示的半導體封裝之電磁波遮蔽層形成裝置的第一噴霧供給部的另一實施例的概略圖。
以下，參照本發明的半導體封裝之電磁波遮蔽層形成裝置的圖面而詳細地進行說明。
圖1是本發明的一實施例的半導體封裝之電磁波遮蔽層形成裝置的俯視圖，圖2是圖1所示的半導體封裝之電磁波遮蔽層形成裝置的前視圖。
參照圖1及圖2，本實施例的半導體封裝之電磁波遮蔽層形成裝置包含如下而構成：第一噴霧模組100、第一噴霧移送單元200、第二噴霧模組300、第二噴霧移送單元400及材料移送單 元500。
第一噴霧模組100將導電性液體塗佈至半導體封裝C的側面，第二噴霧模組300將導電性液體塗佈至半導體封裝C的上表面。第一噴霧模組100藉由第一噴霧移送單元200而向前後左右進行移送，並向上下進行升降。第二噴霧模組300藉由第二噴霧移送單元400而向前後左右進行移送。
材料移送單元500於第一噴霧模組100及第二噴霧模組300的下側移送擱置於托盤T的多個半導體封裝C。
第一噴霧模組100具備第一噴嘴101、傾斜噴嘴104及第一噴霧供給部102。第一噴嘴101以可噴射導電性液體的方式而朝向下側配置。傾斜噴嘴104以相對於垂直方向傾斜的方向配置。於傾斜噴嘴104噴射氣體而改變由第一噴嘴101所噴射的導電性液體的噴射方向。由第一噴嘴101所噴射的導電性液體的方向可藉由傾斜噴嘴104向側方向傾斜，從而將導電性液體噴射至半導體封裝C的側面。本實施例的第一噴霧模組100具備四個傾斜噴嘴104。四個傾斜噴嘴104分別朝向前後左右的方向而配置。藉由如上所述的四個傾斜噴嘴104的本實施例的第一噴霧模組100可將由第一噴嘴101所噴射的導電性液體的方向分別調整為朝向半導體封裝C的前後左右四個側面。為了便於說明，於圖3及圖4圖示了以彼此為相同的方向而配置的四個傾斜噴嘴104。
四個傾斜噴嘴104分別連接於氣體泵150而接受壓縮氣體。於傾斜噴嘴104與氣體泵150之間分別設置傾斜閥134。藉由 開閉傾斜閥134而調整對各傾斜噴嘴104的壓縮氣體的供給。
參照圖1及圖2，第一噴霧移送單元200具備第一噴霧升降部201。第一噴霧升降部201使第一噴嘴101及傾斜噴嘴104同時進行升降。
第一噴霧供給部102以如下方式構成：以噴霧形態向第一噴嘴101供給導電性液體。只要是能以噴霧形態供給導電性液體，第一噴霧供給部102能以任何結構形成。
於本實施例中，以使用如圖3所示般的結構的第一噴霧供給部102的情形舉例說明。
參照圖3，第一噴霧供給部102包含如下而構成：儲存部110、霧劑產生單元121、腔室130、供給管133及供給泵131。
於儲存部110儲存欲塗佈至材料的導電性液體。於本實施例中所使用的導電性液體為銀膠(Silver Paste)。
霧劑產生單元121將自儲存部110接收的導電性液體轉換成微細粒子狀態的霧劑。於本實施例的情形中，如圖3所示般，霧劑產生單元121設置於儲存部110的內部。於本實施例中，使用具備超音波振動板的霧劑產生單元121。藉由超音波振動板對儲存部110的內部的液體施加振動而使導電性液體霧化，從而產生數μm左右或小於其大小的粒子狀態的霧劑。
藉由霧劑產生單元121而生成的霧劑向連接於儲存部110的腔室130傳遞。從儲存部110向腔室130傳遞的霧劑儲存於腔室130。儲存部110與腔室130藉由傳遞管113連接。於傳遞管 113設置傳遞閥112而開閉傳遞管113或調整流量。於儲存部110設置傳遞泵111而調整儲存部110的壓力，藉此向腔室130傳遞霧劑。
藉由所具備的控制部而分別單獨地調整霧劑產生單元121、傳遞泵111及傳遞閥112的作動。
於腔室130連接有供給管133，於供給管133連接有第一噴嘴101。即，供給管133將腔室130與第一噴嘴101連接。儲存於腔室130的霧劑藉由供給管133傳遞至第一噴嘴101而進行噴射。若由第一噴嘴101所噴射的霧劑的方向藉由傾斜噴嘴104所噴射的壓縮氣體而傾斜(改變)，則導電性液體可塗佈至半導體封裝C的側面。
於腔室130設置供給泵131而調整腔室130的壓力。於供給管133設置供給閥132而開閉供給管133。供給管133使供給泵131與供給閥132作動。控制部可藉由利用供給泵131對腔室130施加壓力，並調整供給閥132的作動，從而調整藉由第一噴嘴101而噴射的霧劑的量。
於腔室130與儲存部110之間設置循環管140。儲存於腔室130的霧劑可藉由循環管140傳遞至霧劑產生單元121。於循環管140設置循環閥141。藉由控制部調整循環閥141的作動。儲存於腔室130的霧劑可根據因供給泵131而增加的腔室130的壓力及循環閥141與供給閥132的開閉操作而藉由循環管140傳遞至儲存部110，從而進行循環。於藉由霧劑產生單元121而生成並 傳遞至腔室130的霧劑中的未藉由第一噴嘴101噴射的霧劑藉由循環管140傳遞至儲存部110，從而再次使用。
具有如上所述的結構的第一噴霧模組100的第一噴嘴101藉由第一噴霧移送單元200進行移送。第一噴霧模組100同時向前後左右移動第一噴嘴101與四個傾斜噴嘴104，並藉由第一噴霧升降部201而使第一噴嘴101與四個傾斜噴嘴104升降。
參照圖1，第二噴霧模組300具備第二噴嘴301與第二噴霧供給部302。
第二噴嘴301以可將導電性液體噴射至半導體封裝C的上表面的方式而朝向半導體封裝C的上表面形成。第二噴霧供給部302以噴霧形態向第二噴嘴301供給導電性液體。第二噴霧供給部302可由如上所述的第一噴霧供給部102的結構構成，亦可由通常的噴霧噴射裝置結構而形成。
第二噴霧移送單元400針對半導體封裝C而移送第二噴霧模組300的第二噴嘴301。為能使導電性液體塗佈至排列於托盤T的多個半導體封裝C的上表面，第二噴霧移送單元400向前後左右移動第二噴霧模組300。亦可根據需要以能使第二噴嘴301進行升降的方式而構成第二噴霧移送單元400。
如圖1及圖2所示，材料移送單元500針對第一噴霧模組100及第二噴霧模組300而移送以固定間隔排列至托盤T的半導體封裝C。於本實施例的情形，材料移送單元500首先將半導體封裝C配置於第一噴霧模組100的下側而執行作業，之後再將 半導體封裝C移送至第二噴霧模組300的下側。
以下，利用如上所述般構成的半導體封裝之電磁波遮蔽層形成裝置而對本發明的半導體封裝之電磁波遮蔽層形成方法的實施過程進行說明。
首先，實施利用第一噴霧模組100而將導電性液體噴射至半導體封裝C的側面的步驟，如(a)步驟。
具體而言，經過如下過程而執行(a)步驟。
藉由第一噴霧移送單元200而使第一噴嘴101及傾斜噴嘴104下降，從而與半導體封裝C的側面接近。如(a-1)步驟。
於上述狀態下，使第一噴霧供給部102作動，從而利用第一噴嘴101噴霧噴射導電性液體，並且利用傾斜噴嘴104噴射氣體而使導電性液體的噴射方向變更為朝向半導體封裝C的側面方向。如(a-2)步驟。藉由開放其中一個傾斜閥134而利用傾斜噴嘴104噴射氣體，從而使第一噴嘴101的噴霧噴射方向變更為朝向半導體封裝C的側面方向。
於藉由第一噴嘴101而噴霧噴射導電性液體的期間，使第一噴霧移送單元200作動而沿半導體封裝C的側面移送第一噴嘴101及傾斜噴嘴104，如(a-3)步驟。參照圖1及圖3，第一噴霧移送單元200沿Y方向移送第一噴嘴101，並且使配置於同一列的半導體封裝C的左側面均藉由導電性液體進行塗佈。若針對一列的半導體封裝C的左側面的塗佈全部完成，則沿X方向以一格間距移送第一噴嘴101而將導電性液體噴霧噴射至下一列的半 導體封裝C的左側面。
接著，開放以朝向Y方向的方式配置的傾斜噴嘴104的傾斜閥134，重覆上述(a-1)步驟至(a-3)步驟。利用如上所述的方法完成針對配置於托盤T的半導體封裝C的前面的導電用液體的塗佈作業。還可利用相同的方法針對半導體封裝C的後面及右側面執行導電性液體的塗佈作業。
當將導電性液體塗佈至配置於托盤T的所有的半導體封裝C的各側面的作業完成時，則使第一噴霧移送單元200作動而使傾斜噴嘴101與傾斜噴嘴104相對於半導體封裝C的側面上升，如(a-4)步驟。
經過如上所述的過程，針對半導體晶片的側面而塗佈導電用液體的(a)步驟全部完成。
如上所述，當(a)步驟完成時，則使材料移送單元500作動，從而將擱置於托盤T的多個半導體封裝C從第一噴霧模組100的下側移送至第二噴霧模組300的下側，如(c)步驟。
如上所述，若擱置於托盤T的多個半導體封裝C配置於第二噴霧模組300的下側，則利用第二噴霧模組300而將所述導電性液體噴射至半導體封裝C的上表面，如(b)步驟。利用第二噴霧移送單元400而向前後左右移送第二噴霧模組300，並且使第二噴霧模組300作動，從而將導電性液體塗佈至配置於托盤T的所有的半導體封裝C的上表面。還可根據需要而於藉由第二噴霧移送單元400使第二噴嘴301下降，從而使第二噴嘴301接近於 半導體封裝C的上表面的狀態下執行將導電性液體塗佈至半導體封裝C的上表面的作業。於此種情形時，當塗佈作業完成時，再次利用第二噴霧移送單元400而使第二噴嘴301上升。
如上所述，藉由將針對半導體封裝C的「側面」的導電性液體的塗佈作業及針對「上表面」的塗佈作業分離開來而各自單獨執行，從而具有能使塗佈至半導體封裝C的側面的導電性液體的厚度均勻的優點。尤其是，若使用以朝向半導體封裝C的側面傾斜的方式形成的傾斜噴嘴104，則整個設備的構成比較簡單，從而能以較低的成本製造半導體封裝之電磁波遮蔽層形成裝置。又，具有可於半導體封裝C的外表面(尤其是側面)形成較高品質的電磁波遮蔽層的優點。又，由於使用如上所述的結構的第一噴嘴101及傾斜噴嘴104，因此即便針對具有非常薄的厚度的半導體封裝C的側面亦可實現均勻且緻密地塗佈導電性液體。
尤其是，與先前的通常的塗佈液體的方法不同，於本發明的情形是藉由於半導體封裝C的側面及上表面分別單獨執行噴霧噴射方法，從而具有可防止產生因塗佈至半導體封裝C的液體的表面張力而導致被塗佈的液體的厚度不均勻的問題的優點。尤其是經噴霧噴射的多數導電性液體利用微細粒子，因此與先前的方法不同，可非常精密地調整導電性液體的塗佈量，且可將因液體的表面張力而導致的影響最小化。
經過如上所述的過程，將於上表面及側面塗佈有導電性液體的半導體封裝C傳遞至烘箱，藉由烘箱的熱而使塗佈至半導 體封裝C的導電性液體硬化。
以下，利用具有如參照上述圖3所說明的結構第一噴霧模組100而對執行將導電性液體噴射至半導體晶片的側面的(a-2)步驟的過程進行更具體的說明。
首先，使將要以霧劑的形態噴射的導電性液體儲存於儲存部110，如(a-2-1)步驟。如上所述，可將銀膠液體儲存於儲存部110。
接著，利用霧劑產生單元121而將儲存於儲存部110的導電性液體轉換成微細粒子狀態的霧劑，如(a-2-2)步驟。於本實施例中，如上所述，藉由利用設置於儲存部110的超音波振動板而對導電性液體施加振動的方法產生霧劑。可藉由根據導電性液體的種類而調整振動板的振動頻率的方法而生成各種霧劑。根據生成霧劑的方法，霧劑的粒子大小可小於數μm，故而可精細地調整導電性液體的塗佈容量，還能以極其纖細的線的形態塗佈導電性液體。
將藉由霧劑產生單元121而生成的霧劑傳遞至腔室130，如(a-2-3)步驟。利用第一噴嘴101噴射儲存於腔室130的霧劑，如(a-2-4)步驟。儲存於腔室130的霧劑中的一部分藉由循環管140而向儲存部110的霧劑產生單元121傳遞，從而進行循環，如(a-2-5)步驟。
控制部操作霧劑產生單元121、供給泵131、供給閥132、循環閥141而調整藉由第一噴嘴101噴射的霧劑的量、與藉 由循環管140而傳遞至儲存部110的霧劑的量。還可使外部空氣藉由供給泵131而流入至腔室130，藉此調整將要藉由第一噴嘴101而噴射的霧劑的濃度。
以上，列舉較佳的例對本發明的半導體封裝之電磁波遮蔽層形成裝置與方法進行了說明，但本發明的範圍並不限定於上述所說明及圖示的形態。
例如，於上述中，列舉並說明了具備循環管140的半導體封裝之電磁波遮蔽層形成裝置的情形，但亦可視情形為不具備循環管140的實施例的構成。於無循環管140的情形時，腔室內部的霧劑全部使用而不進行循環，或向外部排出。於該情形時，半導體封裝之電磁波遮蔽層形成方法不執行使腔室的霧劑循環的(a-2-5)的步驟。
又，於上述中，雖然以如下內容進行了說明：首先實施將導電性液體塗佈至半導體封裝C的側面的(a)步驟，於(c)步驟中，將半導體封裝C移送至第二噴霧模組300的下側後，實施將導電性液體塗佈至半導體封裝C的上表面的(b)步驟，但亦可以相反的順序實施半導體封裝之電磁波遮蔽層形成方法。即，可首先將導電性液體塗佈至半導體封裝C的上表面，之後執行將導電性液體塗佈至半導體封裝C的側面的步驟。
又，於上述中，列舉並說明了第一噴霧供給部102具備傳遞泵111、供給泵131、傳遞閥112、供給閥132及循環閥141的情形，但亦可視情形而僅具備上述部件中的一部分的構成，還 可添加具備格外的閥與泵的構成。例如，於無傳遞泵111的情形時，亦可藉由於儲存部中產生霧劑的壓力而自然地使霧劑向腔室傳遞。
又，以於參照圖3所說明的半導體封裝之電磁波遮蔽層形成裝置的第一噴霧供給部102中的霧劑產生單元121設置於儲存部10進行了說明，但可視情形將霧劑產生單元設置於儲存部與腔室之間。即，能夠以如下方式構成：將儲存於儲存部的導電性液體傳遞並接收於霧劑產生單元而產生霧劑，從而將該霧劑傳遞至腔室。第一噴霧供給部102的構成無須是霧劑的形態，只要是能將導電性液體以噴霧狀態而產生的構成，則可使用其他各種構成。
例如，可為如於圖4所示的結構的第一噴霧供給部103的構成。於圖4所示的實施例的第一噴霧供給部103除霧劑產生單元160的構成以外的剩餘構成均與參照圖3而進行說明的實施例相同。為了便於說明，對於除霧劑產生單元160以外的剩餘構成賦予與圖3相同的構件符號。
於圖4所示的第一噴霧供給部103具備通常的噴霧形態的霧劑產生單元160。霧劑產生單元160具備噴霧管163與噴霧噴嘴162。噴霧管163設置於儲存部110而供給儲存於儲存部110的導電性液體。噴霧噴嘴162連接於噴霧管163。噴霧噴嘴162連接於噴霧泵161而供給空壓。若供給因噴霧泵161而產生的高壓的空氣，則藉由噴霧管163供給的導電性液體與空氣混合而以霧劑 形態噴霧噴射液體。藉由控制部調整噴霧泵161的作動。
於使用於圖4所示的結構的第一噴霧供給部103的情形時，本發明的另一實施例的半導體封裝之電磁波遮蔽層形成方法不使用如上所述的振動板而使利用噴霧管163而供給的導電性液體藉由噴霧噴嘴162壓縮空氣混合，藉此利用產生霧劑的霧劑產生單元121而執行(a-2-2)步驟。
又，於上述中，於參照圖1及圖2所說明的半導體封裝之電磁波遮蔽層形成裝置的情形中以具備彼此為不同的方向而配置的四個傾斜噴嘴104進行了說明，但傾斜噴嘴的個數可根據實施例而不同。亦可視情形為使僅具備一個傾斜噴嘴且該傾斜噴嘴以上下方向的中心軸為中心而旋轉的方式構成第一噴霧模組及第一噴霧移送單元。於該情形時，可根據欲塗佈導電性液體的半導體封裝C的側面方向使傾斜噴嘴旋轉而執行a步驟。
於該情形時，於如上所述的實施例的形成半導體封裝之電磁波遮蔽層的方法中，(a-1)步驟至(a-4)步驟與(a-2-1)步驟至(a-2-5)步驟可利用其他各種方法而進行變更。

Claims (10)

  1. 一種半導體封裝的電磁波遮蔽層形成裝置，是一種為了於半導體封裝的外表面形成電磁波遮蔽層而塗佈導電性液體的半導體封裝電磁波遮蔽層形成裝置，包括：第一噴霧模組，具備：第一噴嘴，以可噴射所述導電性液體的方式而沿下側方向配置；傾斜噴嘴，使由所述第一噴嘴所噴射的所述導電性液體的噴射方向變更為朝向所述半導體封裝的側面，而以相對於垂直方向傾斜的方向噴射氣體；第一噴霧供給部，以噴霧形態向所述第一噴嘴供給所述導電性液體；第一噴霧移送單元，相對於所述半導體封裝而移送所述第一噴霧模組的所述第一噴嘴及所述傾斜噴嘴；第二噴霧模組，具備：第二噴嘴，以可向所述半導體封裝的上表面噴射所述導電性液體的方式而朝向所述半導體封裝的所述上表面形成；第二噴霧供給部，以噴霧形態向所述第二噴嘴供給所述導電性液體；第二噴霧移送單元，相對於所述半導體封裝而移送所述第二噴霧模組的所述第二噴嘴；以及材料移送單元，相對於所述第一噴霧模組及所述第二噴霧模 組而移送所述半導體封裝。
  2. 如申請專利範圍第1項所述半導體封裝的電磁波遮蔽層形成裝置，其中，所述第一噴霧模組的所述傾斜噴嘴具備多個，多個所述傾斜噴嘴分別沿不同方向配置，所述第一噴霧移送單元，具備使所述第一噴嘴及多個所述傾斜噴嘴進行升降的第一噴霧升降部。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述半導體封裝的電磁波遮蔽層形成裝置，其中所述第一噴霧模組的所述第一噴霧供給部包含：儲存部，儲存所述導電性液體；霧劑產生單元，將接收自所述儲存部的所述導電性液體轉換成微細粒子狀態的霧劑；腔室，接收並儲存自所述霧劑產生單元生成的所述霧劑；供給管，將所述腔室與所述第一噴嘴連接；供給泵，通過所述供給管而對從所述腔室向所述第一噴嘴傳遞的所述霧劑施加壓力。
  4. 如申請專利範圍第3項所述半導體封裝的電磁波遮蔽層形成裝置，其中，所述第一噴霧供給部的所述霧劑產生單元具備超音波振動板，所述超音波振動板對儲存於所述儲存部的所述導電性液體施加振動而產生所述霧劑。
  5. 如申請專利範圍第3項所述半導體封裝的電磁波遮蔽層形成裝置，其中所述霧劑產生單元具備：噴霧管，供給所述儲存部的所述導電性液體；以及噴霧噴嘴，對所述噴霧管噴射空壓。
  6. 如申請專利範圍第3項所述半導體封裝的電磁波遮蔽層形成裝置，其中所述第一噴霧供給部更包含：循環管，將儲存於所述腔室的所述霧劑傳遞至所述霧劑產生單元；以及循環閥，調整所述循環管的流量。
  7. 一種半導體封裝之電磁波遮蔽層形成方法，是一種為了於半導體封裝的外表面形成電磁波遮蔽層而塗佈導電性液體的半導體封裝之電磁波遮蔽層形成方法，包括：(a)利用具備沿下側方向配置的第一噴嘴、以相對於垂直方向而傾斜的方向形成並噴射氣體的傾斜噴嘴、及以噴霧形態向所述第一噴嘴供給所述導電性液體的第一噴霧供給部的第一噴霧模組而將所述導電性液體噴射至所述半導體封裝的側面的步驟；(b)利用具備朝向所述半導體封裝體的上表面而形成的第二噴嘴、及以噴霧形態向所述第二噴嘴供給所述導電性液體的第二噴霧供給部的第二噴霧模組而將所述導電性液體噴射至所述半導體封裝的上表面的步驟；以及(c)將所述半導體封裝從所述第一噴霧模組與所述第二噴霧模組中任一者的下側向另一者的下側移送的步驟。
  8. 如申請專利範圍第7項所述半導體封裝的電磁波遮蔽層形成方法，其中所述(a)步驟包含：(a-1)藉由移送所述第一噴嘴及所述傾斜噴嘴的第一噴霧移送單元而使所述第一噴嘴及所述傾斜噴嘴下降，從而與所述半導體封裝的側面接近的步驟；(a-2)使所述第一噴霧供給部作動，從而利用所述第一噴嘴噴霧噴射所述導電性液體，並且利用所述傾斜噴嘴噴射氣體而使所述導電性液體的噴射方向變更為朝向所述半導體封裝的側面方向的步驟；(a-3)使所述第一噴霧移送單元作動而使所述第一噴嘴及所述傾斜噴嘴沿所述半導體封裝的側面移送的步驟；及(a-4)使所述第一噴霧移送單元作動而使所述第一噴嘴及所述傾斜噴嘴相對於所述半導體封裝的側面上升的步驟。
  9. 如申請專利範圍第7項或第8項所述半導體封裝的電磁波遮蔽層形成方法，其中，首先執行所述(a)步驟後，以使所述半導體封裝從所述第一噴霧模組的下側向所述第二噴霧模組的下側移動的方式執行所述(c)步驟後，執行所述(b)步驟。
  10. 如申請專利範圍第8項所述半導體封裝的電磁波遮蔽層形成方法，其中所述(a-2)步驟包含： (a-2-1)使所述導電性液體儲存於儲存部；(a-2-2)利用霧劑產生單元而將儲存於所述儲存部的所述導電性液體轉換成微細粒子狀態的霧劑；(a-2-3)將於所述(a-2-2)步驟中產生的所述霧劑傳遞至腔室的步驟；(a-2-4)利用所述第一噴嘴噴射儲存於所述腔室的所述霧劑的步驟；以及(a-2-5)將儲存於所述腔室的所述霧劑傳遞至所述霧劑產生單元而使其循環的步驟。
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