TWI590117B

TWI590117B - 觸控顯示裝置

Info

Publication number: TWI590117B
Application number: TW104133474A
Authority: TW
Inventors: 宋立偉; 高毓謙; 周協利; 黃郁迪; 張又哲; 陳忠樂; 陳弘勳
Original assignee: 群創光電股份有限公司
Priority date: 2015-01-27
Filing date: 2015-10-13
Publication date: 2017-07-01
Also published as: CN105824452B; CN105824452A; TW201627835A

Description

觸控顯示裝置

本發明係有關於一種觸控顯示裝置，特別是有關於一種具有三層金屬架構的電容的觸控顯示裝置。

當觸控顯示裝置係的觸控結構係為嵌入式(in-cell)觸控顯示面板時，觸控偵測操作通常是安插在每一顯示畫框期間(display frame)裡的空白期間(blanking time)。每一顯示畫框期間通常具有一致能期間以及一空白期間。在致能期間，面板上的閘極線驅動電路產生相對應的掃描信號。在空白期間，閘極線驅動電路停止產生任何掃描信號。此時，開始進行觸控偵測操作，用以判斷觸控顯示裝置是否被觸碰，以及被觸碰的位置。待偵測完畢後，再繼續致能掃描信號。然而，由於閘極線驅動電路具有漏電流問題，因此，在完成觸控偵測操作後，閘極線驅動電路可能無法繼續致能相對應的掃描信號。

本發明提供一種觸控顯示裝置，其包括一觸控顯示面板以及一資料線驅動電路。觸控顯示面板包括複數畫素以及一第一移位暫存單元。第一移位暫存單元提供一第一移位信號予部分畫素，並包括一第一電晶體、一第二電晶體、一第三電晶體、一第四電晶體以及一電容。第一電晶體之汲極接收一時脈信號，其源極耦接一輸出節點，用以輸出第一移位信號。第二電晶體之汲極及閘極耦接在一起，並接收一第一觸發信號，其源極耦接第一電晶體之閘極。第三電晶體之汲極耦接第二電晶體之源極，其源極接收一第一操作電壓，其閘極接收一第二觸發信號。第四電晶體之汲極耦接第一電晶體之源極，其源極接收一第二操作電壓，其閘極接收第二觸發信號。電容耦接於第一電晶體之閘極與源極之間，並且由三金屬層所構成。資料線驅動電路用以提供複數資料信號予畫素。

本發明另提供一種觸控顯示裝置，包括一基板、一資料線驅動電路、一偵測電極、一液晶層以及一彩色濾光層。基板具有複數畫素以及一閘極線驅動電路(GOP)。閘極線驅動電路包括一第一移位暫存單元，用以提供一第一移位信號予部分畫素。第一移位暫存單元包括一第一電晶體、一第二電晶體、一第三電晶體、一第四電晶體以及一電容。第一電晶體之汲極接收一時脈信號，其源極耦接一輸出節點，用以輸出第一移位信號。第二電晶體之汲極與閘極耦接在一起，並接收一第一觸發信號，其源極耦接第一電晶體之閘極。第三電晶體之汲極耦接第二電晶體之源極，其源極接收一第一操作電壓，其閘極接收一第二觸發信號。第四電晶體之汲極耦接第一電晶體之源極，其源極接收一第二操作電壓，其閘極接收第二觸發信號。電容耦接於第一電晶體之閘極與源極之間，並由三金屬層所構成。資料線驅動電路用以提供複數資料信號予畫素。偵測電極形成在基板之上。液晶層設置在偵測電極之上。彩色濾光層設置在液晶層之上。

為讓本發明之特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：

100‧‧‧觸控顯示裝置

110‧‧‧基板

120‧‧‧畫素電極層

140‧‧‧液晶層

150‧‧‧彩色濾光層

160‧‧‧保護層

EL‧‧‧圖案化的公共電極

200‧‧‧觸控顯示面板

210‧‧‧資料線驅動電路

220‧‧‧閘極線驅動電路

P₁₁~P_nm‧‧‧畫素

DL₁~DL_m‧‧‧資料線

SL₁~SL_n‧‧‧掃描線

T1~T6‧‧‧電晶體

CK、CK1~CK6‧‧‧時脈信號

Cb‧‧‧電容

ND‧‧‧輸出節點

TR₁、TR₂‧‧‧觸發信號

VGH‧‧‧直流信號

VSS₁、VSS₂‧‧‧操作電壓

M0~M2‧‧‧金屬層

pass0、pass1‧‧‧絕緣層

C2、C1‧‧‧電容

130‧‧‧公共電極層

B‧‧‧節點

S1~S6‧‧‧信號線

G1~G6‧‧‧群組

131‧‧‧觸控處理器

VL、VP、VH‧‧‧位準

SRA₁~SRA_n、SRB₁~SRB_n、SR、500A、500B‧‧‧移位暫存單元

S_S1~S_Sn、Out(n)、Out(n+1)、Out(n-1)、Out(34)、Out(35)‧‧‧移位信號

第1圖為本發明之觸控顯示裝置的示意圖。

第2A、2B圖為本發明之觸控顯示面板的示意圖。

第3A、5A及5B圖為本發明之移位暫存單元的可能實施例。

第3B~3D圖為本發明之時脈信號之示意圖。

第3E圖為第3A圖所示之移位暫存單元的控制時序圖。

第4圖為本發明之電容的剖面示意圖。

第1圖為本發明之觸控顯示裝置的示意圖。如圖所示，觸控顯示裝置100包括一基板110、一畫素電極層120、一公共電極層130、一液晶層140、一彩色濾光層150以及一保護層160。在本實施例中，基板110係為一嵌入式(in-cell)觸控顯示面板，具有許多畫素(未顯示)以及驅動畫素的元件(未顯示)。

畫素電極層120具有複數金屬圖案(未顯示)，用以作為畫素電極(pixel electrode)。公共電極層130具有複數圖案化的公共電極EL。在本實施例中，公共電極EL被區分成群組G1~G6。每一群組裡的公共電極EL彼此電性連接。群組間係電性隔離。舉例而言，群組G1的公共電極並未電性連接至群組G2~G6的公共電極。在本實施例中，每一群組具有九個公共電極EL，但並非用以限制本發明。在其它實施例中，每一群組具有至少一公共電極EL。

公共電極EL在不同期間具有不同的功用。舉例而言，在一顯示期間，公共電極EL作為共通電極，用以接收共通電壓(common voltage)。在一觸控偵測期間，公共電極EL停止接收共通電壓。此時，公共電極EL作為觸控電極。觸控處理器131透過信號線S1~S6提供驅動信號予群組G1~G6的公共電極EL，並偵測每一群組裡的公共電極EL與一觸碰物(如手指)之間的容值變化，用以得知觸控事件發生的位置。在一可能實施例中，每一公共電極EL覆蓋至少一畫素。

液晶層140設置在公共電極層130與彩色濾光層150之間，根據畫素電極層120上的畫素電極(未顯示)與公共電極層130上的公共電極EL之間的壓差而排列。保護層160設置在彩色濾光層150之上。在本實施例中，公共電極層130位於畫素電極層120之上，故觸控顯示裝置100可稱為一上電極(top com)型式。在其它實施例中，當畫素電極層120位於公共電極層130之上時，則觸控顯示裝置100可稱為一上畫素(top pixel)結構。

第2A圖為本發明之基板的示意圖。在本實施例中，基板係為一觸控顯示面板200，其包括一資料線驅動電路210、一閘極線驅動電路(Gate On Panel；GOP)220、畫素P₁₁~P_nm、資料線DL₁~DL_m以及掃描線SL₁~SL_n。資料線DL₁~DL_m耦接在資料線驅動電路210與畫素P₁₁~P_nm之間，用以傳送資料線驅動電路210所產生的資料信號予畫素P₁₁~P_nm。在一可能實施例中，資料線驅動電路210與閘極線驅動電路220同時存在或分別設置在觸控顯示面板200之中。

閘極線驅動電路220包括移位暫存單元SRA₁~SRA_n。掃描線SL₁~SL_n耦接在移位暫存單元SRA₁~SRA_n與畫素P₁₁~P_nm之間，用以傳送移位暫存單元SRA₁~SRA_n所產生的移位信號S_S1~S_Sn予畫素P₁₁~P_nm。在本實施例中，每一移位暫存單元提供一移位信號予下一級的移位暫存單元以及位於同一列(水平方向)的畫素，並接收下一級的移位暫存單元所產生的移位信號。以移位暫存單元SRA₁為例，移位暫存單元SRA₁產生一移位信號S_S1，並提供移位信號S_S1予移位暫存單元SRA₂與第一列的畫素(如P₁₁~P_1m)，並接收移位暫存單元SRA₂所產生的移位信號S_S2。

第2B圖為本發明之基板的另一示意圖。第2B圖相似第2A圖，不同之處在於移位暫存單元SRB₁~SRB_n提供與接收下二級移位暫存器元的移位信號。以移位暫存單元SRB₁為例，移位暫存單元SRB₁產生一移位信號S_S1，並提供移位信號S_S1予移位暫存單元SRB₃與第一列的畫素(如P₁₁~P_1m)，並接收移位暫存單元SRB₃所產生的移位信號S_S3。

第3A圖為本發明之移位暫存單元的一可能實施例。由於移位暫存單元SR₁~SR_n的內部架構均相同，故第3A圖僅顯示單一移位暫存器的架構。如圖所示，移位暫存單元SR包括電晶體T1~T4以及一電容Cb。在一可能實施例中，電晶體T1~T4均為N型薄膜電晶體(Thin-Film Transistor；TFT)，但並非用以限制本發明。在其它實施例中，電晶體T1~T4之至少一者係為P型電晶體。

電晶體T1之汲極接收一時脈信號CK，其源極耦接一輸出節點ND，用以輸出一移位信號Out(n)。電晶體T2的汲極與閘極耦接在一起，並接收一觸發信號TR₁，其源極耦接電晶體T1的閘極。在一可能實施例中，觸發信號TR₁係為上一級的移位暫存單元所產生的移位信號Out(n-1)。在其它實施例中，觸發信號TR₁ 係為一直流信號VGH，直流信號VGH的位準保持不變。另外，當移位暫存單元SR作為第一級的移位暫存單元時，則觸發信號TR₁係為一預設的起始信號。

電晶體T3的汲極耦接電晶體T2的源極，其源極接收一操作電壓VSS₁，其閘極接收一觸發信號TR₂。在一可能實施例中，觸發信號TR₂係為下一級的移位暫存單元所產生的移位信號Out(n+1)。在另一可能實施例中，操作電壓VSS₁的位準係為一負位準。

電晶體T4的汲極耦接電晶體T1的源極，其源極接收一操作電壓VSS₂，其閘極接收觸發信號TR₂。在一可能實施例中，操作電壓VSS₂等於操作電壓VSS₁，但並非用以限制本發明。在本實施例中，在不同的操作期間下，操作電壓VSS₂具有不同的位準。舉例而言，在一顯示期間下，操作電壓VSS₂具有一第一位準。在一觸控偵測期間下，操作電壓VSS₂具有一第二位準，其中第二位準不同於第一位準。在一可能實施例中，第一位準小於第二位準。舉例而言，第一位準可能係為一負位準，而第二位準可能係為一接地位準或是一正位準。在其它實施例中，雖然操作電壓VSS₂的位準可能是第一或第二位準，但操作電壓VSS₁持續保持在第一位準。

電容Cb耦接於電晶體T1的閘極與源極之間，並由三金屬層所構成。在一可能實施例中，構成電容Cb的三金屬層分別為具有遮罩電極的第一金屬層、具有掃描線的第二金屬層以及具有資料線的第三金屬層。在另一可能實施例中，構成電容Cb的三金屬層分別為具有掃描線的第一金屬層以及具有資料線的第二金屬層以及具有公共電極EL的第三金屬層。在一些實施例中，電容Cb設置在觸控顯示面板200的一邊緣區域中，即非顯示區中。

在一顯示期間，電容Cb儲存電荷，並推動電晶體T1，用以產生相對應的移位信號。在一觸控偵測期間，移位暫存單元SR停止產生移位信號。此時，電容Cb的電壓因漏電流而逐漸變小。因此，當觸控偵測結束，進入顯示操作時，電容Cb的電壓將不足以提供推動電晶體T1其閘極所需之電壓，造成移位暫存單元SR無法產生相對應的移位信號。然而，在本實施例中，由於電容Cb係為三金屬層架構，故具有較大的容值，可儲存較大的電壓。因此，當觸控偵測結束，進入顯示操作時，電容Cb的電壓足以推動電晶體T1。

另外，在觸控偵測期間，操作電壓VSS₂的位準由第一位準變化至第二位準。根據電容耦合效應，當第二位準大於第一位準時，電容Cb的電壓會被增加。因此，在結束觸控偵測操作後的顯示操作下，電容Cb的電壓足以推動電晶體T1。在其它實施例中，可加大電晶體T2與T3的通道長度，以減少漏電流現象。

第3B~3D圖為本發明之時脈信號CK的不同實施例。在第3B圖中，時脈信號CK1係作為奇數級的移位暫存單元的時脈信號CK，而時脈信號CK2係作為偶數級的移位暫存單元的時脈信號CK。在此例中，時脈信號CK1與CK2為反相信號。

在第3C圖中，時脈信號CK1~CK4係分別提供予四個連續的移位暫存單元。以移位暫存單元SR₁~SR₈為例，時脈信號CK1~CK4分別作為移位暫存單元SR₁~SR₄的時脈信號CK，以及作為移位暫存單元SR₅~SR₈的時脈信號CK。換句話說，移位暫存單元SR₁與SR₅接收相同的時脈信號(即CK1)；移位暫存單元SR₂與SR₆接收相同的時脈信號(即CK2)；移位暫存單元SR₃與SR₇接收相同的時脈信號(即CK3)；移位暫存單元SR₄與SR₈接收相同的時脈信號(即CK4)。在此例中，時脈信號CK1與CK3為反相信號，時脈信號CK2與CK4為反相信號。另外，時脈信號CK1的上升邊緣領先時脈信號CK2的上升邊緣。

在第3D圖中，時脈信號CK1~CK6係分別提供予六個連續的移位暫存單元。以移位暫存單元SR₁~SR₁₂為例，時脈信號CK1~CK6分別作為移位暫存單元SR₁~SR₆的時脈信號CK，以及分別作為移位暫存單元SR₇~SR₁₂的時脈信號CK。在此例中，時脈信號CK1與CK4為反相信號，時脈信號CK2與CK5為反相信號，時脈信號CK3與CK6為反相信號。另外，時脈信號CK1的上升邊緣領先時脈信號CK2的上升邊緣，時脈信號CK2的上升邊緣領先時脈信號CK3的上升邊緣。

第3E圖為第3A圖所示的移位暫存單元的控制時序圖。符號CK2表示第34級的移位暫存單元所接收到的時脈信號。符號CK1表示第35級的移位暫存單元所接收到的時脈信號。符號Out(34)表示第34級的移位暫存單元所產生的移位信號。符號Out(35)表示第35級的移位暫存單元所產生的移位信號。

在期間311，由於移位信號Out(34)為位準VH，因此，第35級的移位暫存單元的電晶體T2導通，用以對第35級的移位暫存單元的電容Cb充電。因此，移位信號Out(35)由位準VL被預充電至位準VP。

在期間312，由於時脈信號CK2為低位準，故移位信號Out(34)由位準VH變化至位準VL。因此，第35級的移位暫存單元的電晶體T2不導通。此時，由於第35級的移位暫存單元的電容Cb儲存電荷，故可導通電晶體T1。由於時脈信號CK1為高位準，因此，第35級的移位暫存單元的電晶體T1完全導通，故移位信號Out(35)由位準VP上升至位準VH。

第4圖為電容Cb的一可能剖面圖。首先，定義金屬層M0的圖案。然後沉積一絕緣層pass0在金屬層M0之上。隨後在絕緣層pass0上，定義金屬層M1的圖案。此時，金屬層M0、絕緣層pass0與金屬層M1可定義出一電容C1。然後，在金屬層M1上沉積一絕緣層pass1。在一可能實施例中，絕緣層pass1係為一閘極介電層(gate nitride)。隨後挖開絕緣層pass1，再沉積一導電通道層M2，使得導電通道層M2電性連接金屬層M0。因此，由金屬層M1、絕緣層pass1與導電通道層M2定義出的電容C2並聯電容C1，作為電容Cb。由於電容C1與C2的大小與金屬層M0、M1、導電通道層M2重疊的面積成正比，故可有效地減少電容Cb的面積。

在本實施例中，藉由調整金屬層M0~M2的重疊面積，便可增加電容Cb的容值，在一顯示期間，儲存更多的電荷在電容Cb中。在顯示期間之後的一觸控偵測期間，即使電容Cb的電壓因漏電流而降低時，其仍具有足夠的電荷，用以在之後的顯示期間，驅動電晶體T1，用以提供適當的移位信號。

在一可能實施例中，圖案化金屬層M0~M2後，便可在金屬層M0上形成遮罩電極、在金屬層M1上形成掃描電極與掃描線，並在金屬層M2上形成資料電極與資料線。在另一可能實施例中，圖案化金屬層M0~M2後，係在金屬層M0上形成掃描電極與掃描線、在金屬層M1上形成資料電極與資料線，並在金屬層M2上形成觸控信號線，即第1圖所示的信號線S1~S6。

第5A及5B圖為本發明之移位暫存單元的其它示意圖。第5A及5B圖相似第3圖，不同之處在於第5A及5B圖的移位暫存單元500A與500B多了電晶體T5與T6，用以減少移位暫存單元500A與500B的漏電流。

電晶體T5耦接於電晶體T2與T6之間。電晶體T6耦接於電晶體T5與T3之間。在第5A圖中，電晶體T5的汲極與閘極耦接在一起，其源極耦接電晶體T6的汲極。電晶體T6的源極耦接電晶體T3的汲極，其閘極接收觸發信號TR₂。在第5B圖中，電晶體T5的汲極耦接電晶體T2的源極，其閘極耦接電晶體T2的閘極，其源極耦接電晶體T6的汲極。藉由電晶體T5與T6，可減少電容Cb的漏電流。因此，在觸控偵測期間之後的顯示期間，電容Cb具有足夠的電壓以產生相對應的移位信號，如Out(n)。

除非另作定義，在此所有詞彙(包含技術與科學詞彙)均屬本發明所屬技術領域中具有通常知識者之一般理解。此外，除非明白表示，詞彙於一般字典中之定義應解釋為與其相關技術領域之文章中意義一致，而不應解釋為理想狀態或過分正式之語態。

雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

SR‧‧‧移位暫存單元

T1~T4‧‧‧電晶體

Cb‧‧‧電容

CK‧‧‧時脈信號

ND‧‧‧輸出節點

Out(n)、Out(n-1)、Out(n+1)‧‧‧移位信號

TR₁、TR₂‧‧‧觸發信號

VGH‧‧‧直流信號

VSS₁、VSS₂‧‧‧操作電壓

B‧‧‧節點

Claims

一種觸控顯示裝置，包括：一觸控顯示面板，包括：複數畫素；以及一第一移位暫存單元，用以提供一第一移位信號予該等畫素中之一第一部分畫素，該第一移位暫存單元包括：一第一電晶體，具有一第一汲極、一第一源極以及一第一閘極，該第一汲極接收一時脈信號，該第一源極耦接一輸出節點，用以輸出該第一移位信號；一第二電晶體，具有一第二汲極、一第二源極以及一第二閘極，該第二汲極接收一第一觸發信號，並耦接該第二閘極，該第二源極耦接該第一閘極；一第三電晶體，具有一第三汲極、一第三源極以及一第三閘極，該第三汲極耦接該第二源極，該第三源極接收一第一操作電壓，該第三閘極接收一第二觸發信號；一第四電晶體，具有一第四汲極、一第四源極以及一第四閘極，該第四汲極耦接該第一源極，該第四源極接收一第二操作電壓，該第四閘極接收該第二觸發信號；以及一電容，耦接於該第一閘極與該第一源極之間，並且由一第一金屬層、一第二金屬層以及一第三金屬層所構成；以及一資料線驅動電路，用以提供複數資料信號予該等畫素。
如申請專利範圍第1項所述之觸控顯示裝置，其中在一顯示期間，該第二操作電壓具有一第一位準，在一觸控偵測期間，該第二操作電壓具有一第二位準，該第二位準大於該第一位準。
如申請專利範圍第2項所述之觸控顯示裝置，其中在該顯示期間及該觸控偵測期間，該第一操作電壓等於該第一位準。
如申請專利範圍第2項所述之觸控顯示裝置，其中該第一金屬層具有一掃描線，用以傳送該第一移位信號、該第二金屬層具有一資料線，用以傳送該等資料信號之一者、該第三金屬層具有一公共電極，該公共電極在該顯示期間接收一共通電壓，並在該觸控偵測期間停止接收該共通電壓。
如申請專利範圍第1項所述之觸控顯示裝置，其中該移位暫存器更包括：一第二移位暫存單元，根據一起始信號，產生一第二移位信號予該等畫素之一第二部分畫素；以及一第三移位暫存單元，根據該第一移位信號，產生一第三移位信號予該等畫素之一第三部分畫素，其中該第三移位信號作為該第二觸發信號。
如申請專利範圍第5項所述之觸控顯示裝置，其中該第二移位信號作為該第一觸發信號，該第一觸發信號係為一直流信號。
如申請專利範圍第1項所述之觸控顯示裝置，更包括：一第五電晶體，耦接於該第二與第三電晶體之間；以及一第六電晶體，耦接於該第五與第三電晶體之間，其中該第五電晶體具有一第五汲極、一第五源極以及一第五閘極，該第五汲極耦接該第五閘極以及該第二源極，該第六電晶體具有一第六汲極、一第六源極以及一第六閘極，該第六汲極耦接該第五源極，該第六源極耦接該第三汲極，該第六閘極接收該第二觸發信號。
如申請專利範圍第1項所述之觸控顯示裝置，其中該第一金屬層具有一遮罩電極、該第二金屬層具有一掃描線，用以傳送該第一移位信號、該第三金屬層具有一資料線，用以傳送該等資料信號之一者。
一種觸控顯示裝置，包括：一基板，具有複數畫素以及一閘極線驅動電路(GOP)，該閘極線驅動電路包括一第一移位暫存單元，用以提供一第一移位信號予該等畫素中之一第一部分畫素，該第一移位暫存單元包括：一第一電晶體，具有一第一汲極、一第一源極以及一第一閘極，該第一汲極接收一時脈信號，該第一源極耦接一輸出節點，用以輸出該第一移位信號；一第二電晶體，具有一第二汲極、一第二源極以及一第二閘極，該第二汲極接收一第一觸發信號，並耦接該第二閘極，該第二源極耦接該第一閘極；一第三電晶體，具有一第三汲極、一第三源極以及一第三閘極，該第三汲極耦接該第二源極，該第三源極接收一第一操作電壓，該第三閘極接收一第二觸發信號；一第四電晶體，具有一第四汲極、一第四源極以及一第四閘極，該第四汲極耦接該第一源極，該第四源極接收一第二操作電壓，該第四閘極接收該第二觸發信號；以及一電容，耦接於該第一閘極與該第一源極之間，並且由一第一金屬層、一第二金屬層以及一第三金屬層所構成；一資料線驅動電路，用以提供複數資料信號予該等畫素；一偵測電極，形成在該基板之上；一液晶層，設置在該偵測電極之上；以及一彩色濾光層，設置在該液晶層之上。
如申請專利範圍第9項所述之觸控顯示裝置，其中該第一金屬層具有一遮罩電極、該第二金屬層具有一掃描線，用以傳送該第一移位信號、該第三金屬層具有一資料線，用以傳送該等資料信號之一者。
如申請專利範圍第10項所述之觸控顯示裝置，其中該第一金屬層具有一掃描線，用以傳送該第一移位信號、該第二金屬層具有一資料線，用以傳送該等資料信號之一者、該第三金屬層具有該偵測電極，在一顯示期間，該偵測電極接收一共通電壓，在一觸控偵測期間，該偵測電極停止接收該共通電壓。
如申請專利範圍第10項所述之觸控顯示裝置，其中該基板係為一嵌入式(in-cell)觸控顯示面板。