TWI576740B - 觸控顯示裝置 - Google Patents

Description

觸控顯示裝置

本發明是有關於一種觸控顯示裝置，且特別是有關於一種具有內建式觸控結構的觸控顯示裝置。

近年來，隨著資訊技術、無線行動通訊和資訊家電等各項應用的快速發展，為了達到更便利、體積更輕巧化以及更人性化的目的，許多資訊產品的輸入裝置已由傳統之鍵盤或滑鼠等轉變為觸控顯示面板(touch display panel)。目前常見的觸控顯示面板是在觸控面板與顯示面板分開製造後，再將觸控面板與顯示面板進行組裝。以這種方式製作出來的觸控顯示面板會有成本較高、重量較重以及透光率較低等缺點，而仍有待改進。

因此，已有許多內建式的觸控結構設計使得顯示面板整體厚度得以薄化。但是，將觸控結構整合於顯示面板內又不想讓顯示功能與觸控功能彼此影響，會是內建式觸控設計需要克服的議題。

本發明提供一種觸控顯示裝置，具有內建式的觸控感測結構且有助於提升內建式觸控感測結構的感測性能。

本發明的觸控顯示裝置包括第一基板、第二基板、顯示介質以及畫素陣列結構。顯示介質位於第一基板與第二基板之間且畫素陣列結構位於第一基板與顯示介質之間。畫素陣列結構包括掃描線、資料線、主動元件、多個畫素電極、一訊號電極層以及一訊號傳輸層。資料線與掃描線交錯排列。主動元件連接於掃描線與資料線。畫素電極陣列排列。訊號電極層包括多個訊號電極且訊號電極至少一部分重疊於畫素電極。訊號傳輸層包括訊號線。訊號線配置於相鄰兩列的畫素電極之間並且電性連接訊號電極的其中之一。資料線的至少一部分位在訊號線之外。

在本發明的一實施例中，上述訊號線的至少一部分位於資料線之外。

在本發明的一實施例中，上述的資料線的另一部分重疊於訊號線，且資料線與訊號線彼此重疊的重疊面積佔資料線的整體面積的50%以下。

在本發明的一實施例中，上述的資料線包括多個資料線縱向部以及多個資料線轉折部。資料線轉折部的其中之一連接於兩個資料線縱向部之間。訊號線包括多個訊號線縱向部以及多個訊號線轉折部。訊號線轉折部的其中之一連接於兩個訊號線縱向部之間。資料線轉折部交錯於訊號線轉折部，且資料線縱向部的 其中之一位於訊號線縱向部的其中之一的延伸線上。

在本發明的一實施例中，上述的資料線縱向部在線寬方向上部分重疊訊號線縱向部。

在本發明的一實施例中，上述的資料線完全位在訊號線之外。

在本發明的一實施例中，上述的掃描線包括彼此相鄰的一第一掃描線與一第二掃描線。主動元件包括連接第一掃描線的一第一主動元件與連接第二掃描線的一第二主動元件，且第一主動元件與第二主動元件連接於同一條資料線。

在本發明的一實施例中，上述的訊號傳輸層更包括一訊號連結線。訊號連結線的線長小於資料線的線長，且資料線具有至少一外露線段以及至少一重疊線段。外露線段位於其中一條訊號連結線之外且重疊線段重疊訊號連結線。外露線段與重疊線段沿資料線的延伸方向排列。

在本發明的一實施例中，上述的訊號傳輸層更包括多個訊號連結線，連接於同一個訊號電極。訊號傳輸層更包括至少一連接線。連接線將訊號連結線連接。

在本發明的一實施例中，上述的訊號電極層連接至一共用電位。

在本發明的一實施例中，上述的觸控顯示裝置更包括一觸控感測電路，連接於訊號電極層。

在本發明的一實施例中，上述的觸控感測電路感測至少 一個訊號電極所感應的感測電容變化。

在本發明的一實施例中，訊號電極具有多個狹縫。訊號電極相對於畫素電極更鄰近顯示介質。

在本發明的一實施例中，畫素電極具有多個狹縫。畫素電極相對於訊號電極更鄰近顯示介質。

在本發明的一實施例中，上述的畫素陣列結構更包括一絕緣層，絕緣層配置於資料線與訊號傳輸層之間。

在本發明的一實施例中，上述的顯示介質為液晶。

基於上述，本發明一實施例的畫素陣列結構使用訊號電極層作為提供畫素驅動電場用的電極也作為觸控感測用的電極，因此具有內建式的觸控感測結構。根據本發明的實施例，用以傳遞訊號給訊號電極層的訊號傳輸層與資料線的至少一部分的正投影不重疊，而有助於降低資料線對於訊號傳輸層造成的負載。如此一來，畫素陣列結構的設計可以降低觸控感測時的雜訊比。因此，本發明實施例的畫素陣列結構應用於顯示面板以及觸控顯示裝置都可以提供良好的觸控感測功能。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

1‧‧‧顯示面板

2‧‧‧觸控顯示裝置

10、20‧‧‧基板

100、100A、100B、100C、100D、100E、200、300、400、500‧‧‧畫素陣列結構

110、212、214、310‧‧‧掃描線

120、120A、120C、120D、120E、220、320‧‧‧資料線

130、232、234‧‧‧主動元件

140、140A、140B、240‧‧‧畫素電極

150、150A、150B、250、350‧‧‧訊號電極層

152、152A、152B、252、352、X1~X4‧‧‧訊號電極

160、160A、160C、160D、160E、260、360、460、560‧‧‧訊號傳輸層

162、162A、162C、162D、162E、262、362‧‧‧訊號線

322‧‧‧外露線段

324‧‧‧重疊線段

364、464、564‧‧‧訊號連結線

366、466、566‧‧‧連接線

C120A、C120C‧‧‧資料線重疊正投影

E120A、E120C‧‧‧資料線外露正投影

E162A、E162C‧‧‧訊號線外露正投影

CD‧‧‧資料線轉折部

CV‧‧‧訊號線轉折部

CH‧‧‧通道層

CM‧‧‧導電結構

DM‧‧‧顯示介質

GI、PV1、PV2、PV3‧‧‧絕緣層

IC‧‧‧觸控感測電路

O150A、O250‧‧‧開口

OG‧‧‧平坦層

P1、P2、P3‧‧‧節距

PX‧‧‧畫素陣列結構

S‧‧‧狹縫

SUB1‧‧‧第一基板

SUB2‧‧‧第二基板

T1‧‧‧第一端

T2‧‧‧第二端

T3‧‧‧第三端

TR‧‧‧橫向走線區

U1、U2、U3‧‧‧傳輸單元

VD1、VD1’、VD2、VD2’‧‧‧資料線縱向部

VV1、VV1’、VV2、VV2’‧‧‧訊號線縱向部

VR、VR1~VR12‧‧‧縱向走線區

W1、W2、W3、W4、W5、W6、W7、W8‧‧‧接觸窗

圖1為本發明一實施例的畫素陣列結構的示意圖。

圖2為本發明另一實施例的畫素陣列結構的俯視示意圖。

圖3為圖2的畫素陣列結構沿剖線I-I’的剖面示意圖。

圖4為本發明又一實施例的畫素陣列結構的俯視示意圖。

圖5為圖4的畫素陣列結構沿剖線II-II’的剖面示意圖。

圖6A為本發明再一實施例的畫素陣列結構的俯視示意圖。

圖6B為圖6A的畫素陣列結構中資料線與訊號線的示意圖。

圖7為圖6A的畫素陣列結構沿剖線III-III’的剖面示意圖。

圖8為圖6A的畫素陣列結構沿剖線IV-IV’的剖面示意圖。

圖9為本發明再一實施例的畫素陣列結構的俯視示意圖。

圖10為圖9的畫素陣列結構沿剖線V-V’的剖面示意圖。

圖11為圖9的畫素陣列結構沿剖線VI-VI’的剖面示意圖。

圖12為本發明又一實施例的畫素陣列結構的示意圖。

圖13為本發明另一實施例的畫素陣列結構的示意圖。

圖14為圖13的畫素陣列結構中部分E2的一種實施方式的俯視示意圖。

圖15為圖14的畫素陣列結構沿剖線VII-VII’的剖面示意圖。

圖16為本發明一實施例的畫素陣列結構的局部構件的示意圖，其中圖16僅繪示了畫素陣列結構的掃描線、資料線、訊號電極層與訊號傳輸層。

圖17為圖16的畫素陣列結構中標註為X1與X2的訊號電極的局部俯視示意圖。

圖18為本發明另一實施例的畫素陣列結構的局部部位中資 料線、訊號電極與訊號傳輸層的示意圖。

圖19為本發明另一實施例的畫素陣列結構的局部部位中資料線與訊號傳輸層的示意圖。

圖20為本發明一實施例的顯示面板的示意圖。

圖21為本發明一實施例的觸控顯示裝置的示意圖。

圖1為本發明一實施例的畫素陣列結構的示意圖。請參照圖1，畫素陣列結構100包括多條掃描線110、多條資料線120、多個主動元件130、多個畫素電極140、一訊號電極層150以及一訊號傳輸層160。資料線120與掃描線110交錯排列。主動元件130連接於掃描線110與資料線120。畫素電極140連接於主動元件130，其中畫素電極140陣列排列，且縱向走線區VR分別位在相鄰兩列的畫素電極140之間。訊號電極層150與畫素電極140上下相疊且訊號電極層150包括相互獨立的多個訊號電極152。訊號傳輸層160包括多條訊號線162，且各訊號線162電性連接其中一個訊號電極152。資料線120與訊號線162配置於縱向走線區VR中。在本實施例中，主動元件130可以是一種三端元件，其中第一端T1連接至掃描線110、第二端T2連接至資料線120而第三端T3連接至畫素電極140。舉例而言，主動元件130可以是薄膜電晶體，其中掃描線110可以控制主動元件130的開啟與關閉，資料線120則用來傳遞顯示畫面所需要的訊號，且資料線120上 的訊號可在主動元件130被開啟時輸入給對應的畫素電極140。

在圖1中，訊號電極152與畫素電極140彼此重疊，而可以用來提供畫素驅動電場，且訊號電極152還可以作為觸控感測用的電極。一般來說，觸控感測用的電極所需要解析度僅需要分辨出使用者的指端或是觸控筆筆端的接觸面積大小即可，不需要像畫素電極140一樣高的解析度。因此，各個訊號電極152的面積可以大於畫素電極140的面積。在本實施例中，以單一個訊號電極152的面積涵蓋4×2個畫素電極140的面積來說明。不過，在實際應用中，單一個訊號電極152的面積所涵蓋的畫素電極140的數量可以依據實際產品的解析度而定。

另外，畫素電極140排列成多個行與多個列。相鄰兩行畫素電極140之間定義出一條橫向走線區TR，且每個橫向走線區TR中設置有一條掃描線110。相鄰兩列畫素電極140之間定義出一條縱向走線區VR，且同一個縱向走線區VR中設置有一條資料線120與一條訊號線162。此時，同一個縱向走線區VR中的資料線120與訊號線162難以避免的會產生彼此耦合的現象而增加訊號傳輸層160的負載。由於觸控感測電路往往希望訊號傳輸層160所承受的負載(例如RC-loading)越小越好，資料線120與訊號線162的耦合現象越顯著，將使觸控感測的功能受到不良影響，例如訊號雜訊(signal-noise ratio)不佳。因此，畫素陣列結構100可以依照以下實施例的任一種方式來實施以降低訊號傳輸層160的負載而提升觸控感測的性能。

圖2為本發明另一實施例的畫素陣列結構的俯視示意圖，而圖3為圖2的畫素陣列結構沿剖線I-I’的剖面示意圖。請參照圖2，畫素陣列結構100A對應於圖1的畫素陣列結構100中的部分E1，且在圖2中，部分構件的元件符號沿用圖1中標註的元件符號。因此，圖2中各個構件的配置關係可以參照圖1。具體而言，畫素陣列結構100A包括掃描線110、資料線120A、主動元件130、畫素電極140A、訊號電極層150A以及訊號傳輸層160A。在本實施例中，畫素電極140A與其他構件的連接關係相同於圖1的畫素電極140，不過在此實施例中，畫素電極140A可具有多個狹縫S。訊號電極層150A與其他構件的連接關係相同於圖1的訊號電極層150，不過，在此實施例中，訊號電極層150A可具有一開口O150A以暴露出主動元件130。同時，訊號傳輸層160A的訊號線162A與其他構件的連接關係相同於圖1的訊號傳輸層160的訊號線162，且資料線120A與其他構件的連接關係相同於圖1的資料線120。本實施例中，訊號線162A與資料線120A彼此部分重疊且彼此部分不重疊。

在本實施例中，以垂直於基板10的正投影而言，資料線120A具有一資料線重疊正投影C120A以及一資料線外露正投影E120A，其中資料線重疊正投影C120A重疊於同樣位在同一個縱向走線區VR的訊號線162A的正投影，且資料線外露正投影E120A在這條訊號線162A的正投影之外。進一步來說，訊號線162A具有一訊號線外露正投影E162A。訊號線外露正投影E162A 在對應的資料線120A的正投影之外，並且在線寬方向上，資料線重疊正投影C120A位於資料線外露正投影E120A與訊號線外露正投影E162A之間。在本實施例中，資料線重疊正投影C120A可以佔資料線120A的整體面積的50%以下。如此一來，訊號線162A僅有一部分重疊於資料線120A而可以減輕資料線120A與訊號線162A彼此間的耦合現象。

請同時參照圖2與圖3，畫素陣列結構100A實質上是由堆疊於基板10上的多個膜層所構成。主動元件130的第一端T1連接於掃描線110是由配置在基板10上的第一導電層構成，其中圖3雖未標註掃描線110，但第一端T1實質上是掃描線110的一部分。絕緣層GI覆蓋第一導電層所構成的第一端T1與掃描線110。絕緣層GI上設置有通道層CH，其作為主動元件130的通道，且由半導體材質製作。主動元件130的第二端T2與第三端T3以及資料線120A都配置於絕緣層GI上而由第二導電層構成，其中第二端T2與第三端T3配置於通道層CH上且彼此實體上分隔開來。第一端T1、第二端T2、第三端T3與通道層CH共同構成主動元件130。

絕緣層PV1覆蓋資料線120A、第二端T2、第三端T3與通道層CH，且訊號傳輸層160A配置於絕緣層PV1上。訊號傳輸層160A由第三導電層構成。第三導電層可選擇性地更包括導電結構CM，且絕緣層PV1具有接觸窗W1以讓導電結構CM透過接觸窗W1連接於主動元件130的第三端T3。絕緣層PV2覆蓋訊號 傳輸層160A且平坦層OG配置於絕緣層PV2上。訊號電極層150A配置於平坦層OG上，其中接觸窗W2貫穿平坦層OG與絕緣層PV2以讓訊號電極層150A的訊號電極152A透過接觸窗W2電性連接至訊號線162A。絕緣層PV3覆蓋訊號電極層150A的訊號電極152A。畫素電極140A配置於絕緣層PV3上，且畫素電極140A透過接觸窗W3連接至導電結構CM以藉由導電結構CM電性連接至主動元件130的第三端T3，其中接觸窗W3貫穿絕緣層PV3、平坦層OG與絕緣層PV2。此外，訊號電極層150A具有開口O150A以暴露出主動元件130且接觸窗W3位於開口O150A的面積中。在此實施例中，訊號傳輸層160A位於平坦層OG下方，可透過平坦層OG的膜厚，增加訊號傳輸層160A與訊號電極層150A的距離，以降低訊號傳輸層160A與訊號電極層150A耦合(coupling)效應。

在一實施例中，訊號傳輸層160A的訊號線162A可以延伸至重疊於不只一個訊號電極152A，而僅與所重疊的其中一個訊號電極152A電性連接。因此，在平坦層OG的設置下，增加訊號傳輸層160A與訊號電極層150A的距離，有助於降低訊號傳輸層160A的訊號線162A與未直接電性連接的訊號電極152A之間的耦合現象。

在本實施例中，上述第一導電層、第二導電層與第三導電層的材質可以是金屬、金屬合金、導電氧化物、有機導電材料或是上述材料的組合，且第一導電層、第二導電層與第三導電層 各自可以是多層導電材料層構成的疊層。絕緣層PV1、PV2與PV3的材質可以是絕緣的氧化物、氮化物、氮氧化物，例如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽等。平坦層OG可以是有機絕緣材料。訊號電極152A與畫素電極140A可以由透明導電材料製作或是由可透光的導電層構成，可透光的導電層例如有金屬網格層、奈米導電絲層、奈米碳管層或其他導電層。不過，上述材質僅是舉例說明之用，並非用以限定本發明。另外，絕緣層PV2與平坦層OG可以省略其中一者。

由圖3可知，訊號電極152A位於畫素電極140A與基板10之間，且畫素電極140A可具有多個狹縫S。這些狹縫S的正投影重疊於訊號電極152A本身的正投影。當畫素陣列結構100A應用於裝置中且顯示畫面時，訊號電極152A可被輸入共用電位，畫素電極140A則接收來自資料線120A所傳遞的訊號，以藉由狹縫S所在處產生邊緣電場效應而產生畫素驅動電場E。如此一來，畫素陣列結構100A可以驅動顯示裝置中的顯示介質而實現顯示功能。不過，畫素陣列結構100A也可以採用其他方式來產生畫素驅動電場E，無須侷限在上述方式。舉例而言，畫素陣列結構100A可以應用於採用垂直驅動電場式(vertical field type)的顯示裝置中或是共平面切換形式(in-plane switch type)的顯示裝置中。

另外，資料線120A所在膜層位於訊號傳輸層160A所在膜層與掃描線110所在膜層之間，且資料線120A所在膜層(即第二導電層)與訊號傳輸層160A所在膜層(即第三導電層)之間僅夾 有一層絕緣層PV1，這可能使得資料線120A與訊號傳輸層160A彼此之間的耦合現象較為顯著。不過，在本實施例中，如圖2所示，資料線120A僅有一部分的正投影重疊於訊號線162A的正投影，且訊號線162A的正投影僅有一部分重疊於資料線120A的正投影。藉此，資料線120A與訊號傳輸層160A之間的耦合現象可減輕許多。換言之，資料線120A與訊號傳輸層160A之間的負載可以降低而有助於提升的觸控感測性能。

在本實施例中，訊號電極層150A單獨一層就可以實現觸控感測功能，因此畫素陣列結構100A是具有單層電極方案(One Layer Solution,OLS)的觸控感測結構。訊號電極層150A的各個訊號電極152A可以採用自容式感測模式進行觸控感測，或是訊號電極層150A的訊號電極152A可以兩兩成對而採用互容式感測模式進行觸控感測。此外，訊號電極層150A既作為顯示用的電極層也作為觸控用的電極層，因此本實施例可以在無須提供額外的膜層之下就具有內建式的觸控感測結構。

圖4為本發明又一實施例的畫素陣列結構的俯視示意圖，而圖5為圖4的畫素陣列結構沿剖線II-II’的剖面示意圖。請參照圖4，畫素陣列結構100B相似於畫素陣列結構100A，且畫素陣列結構100B包括掃描線110、資料線120A、主動元件130、畫素電極140B、訊號電極層150B以及訊號傳輸層160A。具體而言，畫素陣列結構100B中的掃描線110、資料線120A、主動元件130以及訊號傳輸層160A的具體描述可參照前述實施例的說明。

請同時參照圖4與圖5，在本實施例中，畫素電極140B與訊號電極層150B的疊置順序不同於前述圖2與圖3的實施例。具體而言，畫素電極140B位於訊號電極層150B與基板10之間，且訊號電極層150B具有狹縫S，其中畫素電極140B的正投影重疊於狹縫S的正投影以藉由畫素電極140B與訊號電極層150B提供畫素驅動電場E。

由圖5可知，訊號電極層150B的訊號電極152B可以藉由貫穿絕緣層PV3、平坦層OG與絕緣層PV2的接觸窗W4電性連接至訊號傳輸層160A的訊號線162A。另外，畫素電極140B位於平坦層OG與絕緣層PV3之間並且藉由貫穿平坦層OG與絕緣層PV2的接觸窗W5連接至導電結構CM以電性連接於主動元件130的第三端T3。

在本實施例中，訊號電極層150B的訊號電極152B既可以提供顯示畫面的功能又可以提供觸控感測的功能，因此本實施例不需要額外的膜層就可以具有內建式的觸控感測結構。另外，資料線120A與訊號傳輸層160A的訊號線162A雖然位於同一個縱向走線區VR中，資料線120A的正投影與對應的訊號線162A的正投影僅有部分重疊，而有助於減輕資料線120A與訊號線162A之間的耦合作用。因此，訊號傳輸層160A的負載可以減少而有助於改善觸控感測性能。

圖6A為本發明再一實施例的畫素陣列結構的俯視示意圖，而圖6B為圖6A的畫素陣列結構中資料線與訊號線的示意圖。 圖7與圖8則分別為圖6A的畫素陣列結構沿剖線III-III’與剖線IV-IV’的剖面示意圖。在圖6A、7與8中，畫素陣列結構100C相似於畫素陣列結構100A，且畫素陣列結構100C包括掃描線110、資料線120C、主動元件130、畫素電極140A、訊號電極層150A以及訊號傳輸層160C。具體而言，畫素陣列結構100C中的掃描線110、主動元件130、畫素電極140A、訊號電極層150A、各膜層之間的絕緣層GI、PV1~PV3以及平坦層OG的具體描述可參照前述實施例的說明。在本實施例中，資料線120C與訊號傳輸層160C的訊號線162C分別為折曲狀(zigzag shape)，此設計可以減少兩條線性結構的正投影的重疊比例而減輕訊號傳輸層160C的負載。

由圖6A與圖6B可知，資料線120C包括多個資料線縱向部VD1、VD2以及多個資料線轉折部CD。資料線縱向部VD1、VD2各自沿著縱向方向延伸，且各資料線轉折部CD連接於兩個資料線縱向部VD1、VD2之間。訊號線162C包括多個訊號線縱向部VV1、VV2以及多個訊號線轉折部CV。訊號線縱向部VV1、VV2各自沿著縱向方向延伸，且各訊號線轉折部CV連接於兩個訊號線縱向部VV1與VV2之間。資料線轉折部CD與訊號線轉折部CV的傾斜方向不同且資料線轉折部CD交錯於訊號線轉折部CV。

進一步來說，資料線縱向部VD1與訊號線縱向部VV1彼此並排，且資料線縱向部VD2與訊號線縱向部VV2彼此並排。 資料線縱向部VD1位於訊號線縱向部VV2的延伸線上，且資料線縱向部VD2位於訊號線縱向部VV1的延伸線上。也就是說，資料線縱向部VD1與訊號線縱向部VV2交替的沿著同一個線性軌跡分布，且資料線縱向部VD2與訊號線縱向部VV1交替的沿著同一個線性軌跡分布。另外，資料線縱向部VD1的正投影在線寬方向上部分重疊訊號線縱向部VV1的正投影而部分位在這個訊號線縱向部VV1的正投影之外。同樣地，資料線縱向部VD2的正投影在線寬方向上部分重疊訊號線縱向部VV2的正投影而部分位在這個訊號線縱向部VV2的正投影之外。換言之，由圖7與圖8可知，資料線120C具有一資料線重疊正投影C120C以及一資料線外露正投影E120C，其中資料線重疊正投影C120C重疊於對應的訊號線162C的正投影，且資料線外露正投影E120C在這條訊號線162C的正投影之外。進一步來說，訊號線162C具有一訊號線外露正投影E162C。訊號線外露正投影E162C在對應的資料線120C的正投影之外，並且資料線重疊正投影C120C位於資料線外露正投影E120C與訊號線外露正投影E162C之間。並且，以圖6A、圖7至圖8的圖面與文字標示方向來說，對應於資料線縱向部VD1的資料線外露正投影E120C位於資料線重疊正投影C120C的右側而對應於資料線縱向部VD2的資料線外露正投影E120C位於資料線重疊正投影C120C的左側。整體而言，資料線120C在基板10上的正投影與訊號線162C在基板10上的正投影僅有部分彼此重疊而另一部分彼此不重疊，藉此可減輕與資料線120C相關的耦合現象 而降低訊號傳輸層160C的負載。舉例而言，資料線重疊正投影C120C，即資料線120C與訊號線162C彼此重疊的面積，可以佔資料線120C整體面積的50%以下。

在一實施例中，資料線120C與訊號線162C會在不同的圖案化步驟中加以製作。因此，兩個圖案化步驟分別進行即有可能存在基於對位上的誤差而導致資料線120C與訊號線162C的相對位置與預設條件不符。不過，在本實施例中資料線120C與訊號線162C分別為折曲狀且兩個線性結構的彎折方向相反。因此，一旦因為上述對位誤差發生導致資料線120C與訊號線162C的相對位置與預設條件不符，資料線120C與訊號線162C的重疊面積比例不會發生明顯變化。

舉例而言，若圖6A的畫素陣列結構100C中，因為對位誤差使得資料線120C相對於原本的預設位置向圖面的右偏移，則在基板10上的正投影中，資料線縱向部VD1重疊於訊號線縱向部VV1的重疊面積會比預設值來的小，但資料線縱向部VD2重疊於訊號線縱向部VV2的重疊面積會比預設值來的大。因此，資料線縱向部VD1與資料線縱向部VD2重疊於訊號線162C的重疊面積可以彼此補償而不受到製程誤差影響。換言之，將資料線120C與訊號線162C採用折曲狀的設計，則即使製程步驟中發生對位偏移的現象，資料線120C與訊號線162C的面積重疊比例仍可維持在預設的範圍內，這有助於提升製程裕度，並且使得最終產品具有一致的品質。另外，即使發生對位偏移現象，資料線120C與訊 號線162C整體所佔據的面積不會增加，因此畫素陣列結構100C應用於顯示裝置時不會因為資料線120C與訊號線162C整體所佔據的面積增加而導致透光區或有效顯示區的面積被犧牲。

圖9為本發明再一實施例的畫素陣列結構的俯視示意圖，而圖10與圖11分別為圖9中剖線V-V’與剖線VI-VI’的剖面示意圖。畫素陣列結構100D相似於畫素陣列結構100C，且兩實施例中以相同元件符號標示的構件代表具有相同功能的構件。兩實施例的差異點主要在於，訊號傳輸層160D中，訊號線162D的折曲幅度相較於前述訊號線162C更大，且資料線120D的折曲幅度相較於前述資料線120C更大。如此一來，彼此並排的資料線縱向部VD1’與訊號線縱向部VV1’相隔一間隙G1，且彼此並排的資料線縱向部VD2’與訊號線縱向部VV2’相隔一間隙G2，其中間隙G1與間隙G2可以相等或是略有差異。如此一來，資料線120D的正投影與訊號線162D的正投影的重疊僅在資料線轉折部CD交錯於訊號線轉折部CV處，因此可以更有效地減少資料線120D對訊號傳輸層160D造成的負載。

圖12為本發明又一實施例的畫素陣列結構的示意圖。請參照圖12，畫素陣列結構100E大致相同於畫素陣列結構100C，不過資料線120E在不同列畫素電極140A處具有不同的折曲方向，且訊號傳輸層160E的訊號線162E在不同列畫素電極140A處也具有不同的折曲方向。以圖12中的文字方向而言，奇數條資料線120E由上至下的轉折方式是右、左、左、右，且奇數條訊號 線162E由上至下的轉折方式是左、右、右、左。偶數條資料線120E由上至下的轉折方式是右、左、右、左，且偶數條訊號線162E由上至下的轉折方式是左、右、左、右。在其他實施例中，資料線120E與訊號線162E的轉折方向並不需特別限定，只要資料線120E與訊號線162E的轉折方向相反，讓資料線120E與訊號線162E在面積上的重疊比例降低就可以應用於以上實施例中的任何一者，以降低觸控感測電路的負載而提升觸控感測性能。此設計亦可減少因為製程上對組的偏移誤差所造成的可視性問題。

前述圖2到圖12實施例都可以應用於圖1的畫素陣列結構100中。由圖1可知，為了實現觸控感測的功能，訊號傳輸層160中的訊號線162可以朝向一連接端(未繪示)延伸以連接至觸控感測電路，使得對應的訊號電極152透過訊號線162連接至觸控感測電路。不過，連接端一般都設置於畫素陣列結構100的一側，使得不同訊號電極152與連接端之間的距離不相等。如此一來，訊號傳輸層160的訊號線162的佈線長度也會不一致。同時，不同訊號線162與對應的資料線120的重疊面積也可能會不同，這將導致對應於不同訊號電極152所受到的負載也不相同。

圖13為本發明另一實施例的畫素陣列結構的示意圖。請參照圖13，畫素陣列結構200包括多個掃描線212、214、多條資料線220、多個主動元件232、234、多個畫素電極240、一訊號電極層250以及一訊號傳輸層260，其中掃描線212與214可分別視為第一掃描線與第二掃描線而主動元件232、234可分別視為第一 主動元件與第二主動元件。畫素電極240排列成陣列，且畫素電極240之間存在多個橫向走線區TR與多個縱向走線區VR。掃描線212與214彼此相鄰且位於其中一個橫向走線區TR，資料線220位於縱向走線區VR中並交錯於掃描線212、214。各主動元件232連接於其中一條掃描線212與其中一條資料線220且各主動元件234連接於其中一條掃描線214與其中一條資料線220。訊號電極層250包括相互獨立的多個訊號電極252，且各個訊號電極252的面積可以大於畫素電極240的面積。訊號傳輸層260包括多條訊號線262，且各訊號線262電性連接其中一個訊號電極252。在本實施例中，主動元件232或234可以是一種三端元件，其中第一端T1連接至掃描線212或214、第二端T2連接至資料線220而第三端T3連接至畫素電極240。舉例而言，主動元件232或234可以是薄膜電晶體，其中掃描線212或214可以控制主動元件232或234的開啟與關閉，資料線220則用來傳遞顯示畫面所需要的訊號，且資料線220上的訊號可在主動元件232或234被開啟時輸入給對應的畫素電極240。

本實施例採用雙掃描線對應一條資料線的佈線設計，因此資料線220僅設置於相鄰兩個縱向走線區VR的其中一者，而訊號線262可以設置於相鄰兩個縱向走線區VR的另一者中。也就是說，資料線220與訊號線262配置於不同的縱向走線區VR中。在本實施例中，資料線220的配置節距大致上相同於訊號線262的配置節距，且這兩種線性結構的配置節距大致上都是縱向走線區 VR的節距的兩倍。因此，資料線220的整體面積都位在訊號線262的面積之外而可以減輕資料線220對訊號傳輸層260造成的負載。

圖14為圖13的畫素陣列結構中部分E2的一種實施方式的俯視示意圖，圖15為圖14的畫素陣列結構沿剖線VII-VII’的剖面示意圖。請同時參照圖14與圖15，畫素陣列結構200實質上是由堆疊於基板20上的多個膜層所構成。主動元件232(或234，不過圖15僅繪製主動元件230)的第一端T1連接於掃描線212(或214)是由配置在基板20上的第一導電層構成，其中圖15雖未標註掃描線212，但第一端T1實質上是掃描線212的一部分。絕緣層GI覆蓋第一導電層所構成的第一端T1與掃描線212。絕緣層GI上設置有通道層CH，其作為主動元件232的通道，且由半導體材質製作。主動元件232的第二端T2與第三端T3以及資料線220都配置於絕緣層GI上而由第二導電層構成，其中第二端T2與第三端T3配置於通道層CH上且彼此實體上分隔開來。第一端T1、第二端T2、第三端T3與通道層CH共同構成主動元件232。

絕緣層PV1覆蓋資料線220、第二端T2、第三端T3與通道層CH，且訊號傳輸層260配置於絕緣層PV1上。訊號傳輸層260由第三導電層構成。第三導電層可選擇性地更包括導電結構CM，且絕緣層PV1具有接觸窗W6以讓導電結構CM透過接觸窗W6電性連接於主動元件232的第三端T3。絕緣層PV2與平坦層OG覆蓋訊號傳輸層260且訊號電極層250配置於平坦層OG上，其中一接觸窗W7貫穿平坦層OG與絕緣層PV2以讓訊號電極層 250的訊號電極252透過接觸窗W7電性連接至訊號線262。絕緣層PV3則覆蓋訊號電極層250的訊號電極252。畫素電極240配置於絕緣層PV3上，且畫素電極240透過接觸窗W8連接至導電結構CM並藉由導電結構CM電性連接至主動元件232的第三端T3，其中接觸窗W8貫穿絕緣層PV3、平坦層OG與絕緣層PV2。此外，訊號電極層250具有開口O250以暴露出主動元件252的面積且接觸窗W8位於開口O250的面積中。

由圖15可知，訊號電極252位於畫素電極240與基板20之間，且畫素電極240具有多個狹縫S。這些狹縫S的正投影重疊於訊號電極252本身的正投影。當畫素陣列結構200應用於裝置中，訊號電極252可被輸入共用電位，畫素電極240則接收來自資料線220所傳遞的訊號，以藉由狹縫S所在處產生邊緣電場效應而產生畫素驅動電場E。如此一來，畫素陣列結構200可以驅動裝置中的顯示介質而提供顯示功能。

另外，由圖14可知，資料線220的正投影與訊號傳輸層260的訊號線262的正投影彼此分離而無重疊，因此，無論資料線220所在膜層與訊號線262所在膜層之間存在多少層絕緣層，資料線220與訊號線262之間的耦合作用都不顯著而不會對訊號傳輸層260造成負擔。因此，畫素陣列結構200可以符合觸控感測電路的要求，並具有理想的觸控感測性能。

在上述實施例中，連接於觸控感測電路的訊號線數量僅需等於訊號電極的數量即可以將每個訊號電極都連接至觸控感測 電路而實現觸控感測的功能。因此，訊號傳輸層可以包括多條不需要向外延伸且不會直接的實體上連接至觸控感測電路但電性連通於其中一個訊號電極的訊號連結線。舉例而言，圖16為本發明一實施例的畫素陣列結構的局部構件的示意圖，其中圖16僅繪示了畫素陣列結構的掃描線、資料線、訊號電極層與訊號傳輸層。請參照圖16，畫素陣列結構300包括多條掃描線310、多條資料線320、多個主動元件、多個畫素電極、一訊號電極層350以及一訊號傳輸層360，其中本實施例為了簡化圖示以清楚表示部分構件，圖16中省略了多個主動元件與多個畫素電極，而多個主動元件與多個畫素電極的功能與配置位置可以參照上述實施例的任一者。另外，畫素陣列結構300中各構件的堆疊順序可以參照前述實施例任一者的方式來配置。

在本實施例中，資料線320與掃描線310交錯排列。這些資料線320分別位於多個縱向走線區VR中，且每個縱向走線區VR中可以設置有一條資料線320，不過隨著資料線320的分布密度設計，部分縱向走線區VR中可以未設置有資料線320。在此，為了方便描述，部分的縱向走線區VR編號為縱向走線區VR1至縱向走線區VR12。訊號電極層350包括多個訊號電極352，其中各個訊號電極352的正投影涵蓋12條資料線320以及3條掃描線310。上述數值僅是舉例說明之用，其他實施例的設計可以使各個訊號電極352的正投影中設置有X條掃描線310與Y條資料線320，且X與Y分別為正整數。為了清楚說明訊號電極352相對 於其他構件的設置關係，圖16中繪製的4個訊號電極352分別以X1至X4標註。

圖17為圖16的畫素陣列結構中標註為X1與X2的訊號電極的局部俯視示意圖。請同時參照圖16與圖17，在本實施例中，訊號傳輸層360包括多條訊號線362。各條訊號線362用以將所連接的訊號電極352連接至觸控感測電路。為了連接至觸控感測電路，訊號線362可以延伸至未電性連接的訊號電極352的正投影中。舉例而言，設置於縱向走線區域VR1與縱向走線區VR2中的訊號線362電性連接標註為X1的訊號電極352，並且還延伸到標註為X2的訊號電極352的正投影中。另外，設置於縱向走線區域VR7與縱向走線區VR8中的訊號線362電性連接標註為X2的訊號電極352並且向外延伸至標註為X2的訊號電極352的正投影之外。同時，訊號傳輸層360還選擇性地設置有補償訊號線362’，其中這些補償訊號線362’位於標註為X1的訊號電極352的正投影內且電性連接於標註為X1的訊號電極352。如此一來，縱向走線區域VR7與縱向走線區VR8的線路布局可以呈現相近的電性補償效果。不過，補償訊號線362’可視實際的設計需求而省略。

訊號傳輸層360還包括多條訊號連結線364。各訊號連結線364連接至其中一個訊號電極352但不須向外延伸，以直接的實體上連接至觸控感測電路。訊號線362的線長小於或是等於資料線320的線長，且訊號線362的線長可與所連接的訊號電極352的位置與尺寸有關。訊號連結線364則與訊號電極352的尺寸有 關。由圖16與圖17可知，各條訊號連結線364完全位在所連接的一個訊號電極352的正投影中。在圖17中，各訊號連結線364的正投影重疊於同一個縱向走線區VR中的資料線320。因此，至少其中一條資料線320(例如對應訊號連結線364的資料線320)具有至少一外露線段322以及至少一重疊線段324。外露線段322的正投影位於對應的訊號連結線364的正投影之外且重疊線段324的正投影重疊於這條訊號連結線364的正投影。並且，各條資料線320的外露線段322與重疊線段324是沿著資料線320的延伸方向交替排列。以縱向走線區VR3來說，縱向走線區VR3中的訊號連結線364連接於標註為X2的訊號電極352，而且位於縱向走線區VR3中的這條資料線320在標註為X1的訊號電極352處具有外露線段322，而在標註為X2的訊號電極352處具有重疊線段324。

本實施例將多條訊號連結線364連接同一個訊號電極352，這有助於降低訊號電極352的阻抗。不過，根據前述實施例的剖面結構與說明可知，訊號連結線364所在膜層位於訊號電極352所在膜層與資料線320所在膜層之間，且訊號連結線364與對應的資料線320之間的耦合作用可能增加訊號電極352所受到的負載。因此，以本實施例來說，連接同一個訊號電極352的多條訊號連結線364的節距P1大於資料線320的節距P2。另外，節距P1可以是節距P2的兩倍使得兩條相鄰的訊號連結線364之間即存在有一條資料線320的外露線段322。因此，同一個訊號電極 352的面積下，資料線320有部分重疊於訊號連結線364且有部分不與任何訊號線362或訊號連結線364重疊，而有助於減少重疊於資料線320對訊號傳輸層360造成負載。此外，訊號連結線364的節距可為定值，或規則變化，或為隨機改變。

另外，在一實施例中，訊號傳輸層360中訊號連結線364的末端可以為自由端，而且多條訊號連結線364在實體上可以彼此獨立而呈現出多的獨立的條狀圖案。不過，以本實施例來說，訊號傳輸層360也可選擇更包括至少一連接線366。連接線366的延伸方向垂直相交於各訊號連結線364的延伸方向且連接線366將同一個訊號電極352的M條訊號連結線364作連接，其中M為2以上的正整數。如此一來，至少有兩條或兩條以上的訊號連結線364藉由連接線366實體上連接在一起構成柵狀圖案。以本實施例來說，M為2，但M可以照實際設計需求而為其他數值。如此一來，連接線366與所連接的訊號連結線364可以使得訊號電極352的電阻更小，且電位更加均勻。此外，連接線366的數目可以為N條，N為2以上的正整數。並且，連接線366的節距可為定值，或規則變化，或為隨機改變。

由圖16可知，訊號連結線364除了具備上述佈局設計外，本實施例中，每個訊號電極352的面積內，訊號線364的數量均一致。如此一來，對於每個訊號電極352來說，基於資料線320所導致的耦合電容(或稱寄生電容)的大小彼此近似，這有助於觸控感測電路的訊號運算，也可以提升觸控感測的性能。此外， 在一些實施例中，可藉由調控訊號電極352面積內，訊號線364的數目，使得面板內，所有訊號電極352的耦合電容，具有相近的電容值。

圖18為本發明另一實施例的畫素陣列結構的局部部位中資料線、訊號電極與訊號傳輸層的示意圖。請參照圖18，畫素陣列結構400僅繪製出資料線320、訊號電極層350與訊號傳輸層460，而實際上畫素陣列結構400還包括前述實施例任一者中的掃描線、主動元件與畫素電極。在本實施例中，資料線320與訊號電極層350的結構設計以及配置位置可以參照圖16與圖17的實施例，因而此處不另贅述。具體來說，本實施例不同於畫素陣列結構300之處主要在於，訊號傳輸層460包括有多條訊號線362、多條訊號連結線464以及多條連接線466，其中訊號線362可以參照圖16與圖17的實施例。另外，在本實施例中，連接同一個訊號電極352且彼此相鄰的兩條訊號連結線464之間的節距P3可以為資料線320的節距P2的3倍。因此，彼此相鄰的這兩條訊號連結線464之間存在有兩條資料線320。另外，連接於上下相鄰兩個訊號電極352的訊號連結線464位在不同的資料線320上，而構成交錯排列的配置關係。

此外，在一些實施例中，節距P1可以為節距P2的A倍，A可為大於2的整數倍。此外，在一些實施例中，節距P1可以為大於節距P2的隨機正整數。

以圖18的縱向走線區VR1至VR8來說，標註為X1的 訊號電極352的面積中的訊號連結線464設置於縱向走線區VR3與縱向走線區VR6中，而標註為X2的訊號電極352的面積中的訊號連結線464設置於縱向走線區VR4與縱向走線區VR7中。並且，標註為X1的訊號電極352與標註為X2的訊號電極352在縱向方向上下相鄰。此外，標註為X2的訊號電極352下方若有另一訊號電極352，則對應於此另一個訊號電極352的訊號連結線464可選擇設置於縱向走線區VR5與縱向走線區VR8中。

在圖16至圖18的實施例中，連接線366或466都設置於對應的訊號連結線364或464的端部且連接於兩條訊號連結線364之間或兩條訊號連結線464之間，但不以此為限。舉例來說，圖19為本發明另一實施例的畫素陣列結構的局部部位中資料線與訊號傳輸層的示意圖。請參照圖19，畫素陣列結構500僅繪製出資料線320與訊號傳輸層560，而實際上畫素陣列結構500還包括前述實施例任一者中的掃描線、資料線、主動元件、畫素電極與訊號電極層。在本實施例中，資料線320的結構設計以及配置位置可以參照圖16與圖17的實施例，因而此處不另贅述。具體來說，本實施例不同於畫素陣列結構300之處主要在於，訊號傳輸層560包括有多條訊號線362、多條訊號連結線564以及多條連接線566，其中訊號線362可以參照圖16與圖17的實施例。另外，在本實施例中，彼此相鄰的兩條訊號連結線564之間的節距P3可以為資料線320的節距P2的3倍，兩條訊號連結線564可以由多條連接線566連接，且各連接線566的長度大於節距P3，使得連 接線566的至少一末端不連接於訊號連結線564。如此一來，可以沿著連接線566的長度方向設置多個接觸窗而讓對應的訊號電極透過這些接觸點電性連接連接線566，以藉由連接線566的導電特性來降低對應的訊號電極的阻抗以及使得對應的訊號電極的電位均勻性提升。

另外，在圖19中，連接線566與訊號連結線564可以構成多個實體上獨立的傳輸單元U1、U2與U3，且傳輸單元U1、U2與U3中連接線566的設置位置不一致。也就是說，本實施例不須侷限連接線566的設置位置。不過，在畫素陣列結構500中，連接線566的設置位置可選擇設置於掃描線的面積上，或是設置於原有的不須透光的構件所在位置。

圖20為本發明一實施例的顯示面板的示意圖。請參照圖20，顯示面板1包括第一基板SUB1、第二基板SUB2、顯示介質DM與畫素陣列結構PX。第一基板SUB1與第二基板SUB2上下相對。顯示介質DM位於第一基板SUB1與第二基板SUB2之間且畫素陣列結構PX位於第一基板SUB1與顯示介質DM之間。在本實施例中，畫素陣列結構PX可以是前述實施例的畫素陣列結構100、100A~100E、200~500中的其中一者。在畫素陣列結構PX中的訊號電極與畫素電極裡，具有狹縫的一者相對於另一者更鄰近顯示介質DM。在本實施例中，顯示介質DM可以為液晶，也可以是其他可藉由畫素陣列結構PX提供的畫素驅動電場來驅動的顯示材料，例如電泳顯示材料、電濕潤顯示材料等。由前述實施 例可知，畫素陣列結構PX本身既可以提供畫素驅動電場又可以進行觸控感測，因此顯示面板1具有內建式觸控結構。第二基板SUB2上可選擇性設置有彩色濾光層以使顯示面板1提供全彩化的顯示效果。此外，第二基板SUB2上可不需設置有用來提供畫素驅動電場的電極層。不過，在其他實施例中，為了實現不同驅動模式，第二基板SUB2可選擇設置有用來提供畫素驅動電場的電極層。

圖21為本發明一實施例的觸控顯示裝置的示意圖。請參照圖21，觸控顯示裝置2包括顯示面板1以及觸控感測電路IC，其中顯示面板1可以參照圖20的相關描述。觸控感測電路IC連接於畫素陣列結構PX中的訊號傳輸層。如此一來，觸控感測電路IC可以感測畫素陣列結構PX中的各訊號電極所感應的感測電容變化。由前述實施例可知，畫素陣列結構PX中的訊號傳輸層用來將各訊號電極連接至觸控感測電路IC，且訊號傳輸層可以藉由前述實施例的結構設計而降低與資料線之間的耦合現象。因此，觸控顯示裝置2可以具有理想的觸控感測性能。

綜上所述，本發明實施例的畫素陣列結構中，訊號電極層包括多個實體上獨立的訊號電極，這些訊號電極既可用來提供畫素驅動電場又可以提供觸控感測的功能，而實現內建式觸控感測結構的設計。另外，本發明實施例的畫素結構設置有訊號傳輸層，用以將各訊號電極連接至觸控感測電路以及顯示所需要的共用電位。經由調整訊號傳輸層的輪廓，本發明實施例使得訊號傳輸層的正投影至少部分不重疊於資料線的正投影。因此，資料線 的耦合作用對訊號傳輸層造成的負載可以減輕而使得觸控感測的訊號雜訊比降地。如此一來，畫素陣列結構內建的觸控感測功能具有良好的感測品質。另外，本發明實施例的顯示面板與觸控顯示裝置具有這樣的畫素陣列結構而可以具有理想的觸控功能。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100A‧‧‧畫素陣列結構

110‧‧‧掃描線

120A‧‧‧資料線

130‧‧‧主動元件

140A‧‧‧畫素電極

150A‧‧‧訊號電極層

152A‧‧‧訊號電極

160A‧‧‧訊號傳輸層

162A‧‧‧訊號線

CH‧‧‧通道層

O150A‧‧‧開口

S‧‧‧狹縫

T1‧‧‧第一端

T2‧‧‧第二端

T3‧‧‧第三端

Claims (18)

1. 一種觸控顯示裝置，包括：一第一基板；一第二基板；一顯示介質，位於該第一基板與該第二基板之間；以及一畫素陣列結構，位於該第一基板與該顯示介質之間，其中該畫素陣列結構包括：一掃描線；一資料線，與該掃描線交錯排列；一主動元件，電性連接於該掃描線與該資料線；多個畫素電極，陣列排列；一訊號電極層，包括複數個訊號電極，並且該些訊號電極至少一部分重疊於該些畫素電極；以及一訊號傳輸層，包括一訊號線，該訊號線配置於相鄰兩列的該些畫素電極之間並且該訊號線電性連接該些訊號電極的其中之一，其中，該資料線在該第一基板的正投影至少一部分位於該訊號線在該第一基板的正投影之外。
2. 如申請專利範圍第1項所述的觸控顯示裝置，其中該訊號線在該第一基板的正投影至少一部分位於該資料線在該第一基板的正投影之外。
3. 如申請專利範圍第1項所述的觸控顯示裝置，其中該資料線在該第一基板的正投影的另一部分重疊於該訊號線在該第一基板的正投影，且該資料線與該訊號線在該第一基板彼此重疊的正投影的重疊面積佔該資料線的整體面積的50%以下。
4. 如申請專利範圍第1項所述的觸控顯示裝置，其中該資料線包括多個資料線縱向部以及多個資料線轉折部，該些資料線轉折部的其中之一連接於兩個資料線縱向部之間，該些訊號線的該其中之一包括多個訊號線縱向部以及多個訊號線轉折部，該些訊號線轉折部的其中之一連接於兩個訊號線縱向部之間，該些資料線轉折部交錯於該些訊號線轉折部，且該些資料線縱向部的其中之一位於該些訊號線縱向部的其中之一的延伸線上。
5. 如申請專利範圍第4項所述的觸控顯示裝置，其中該些資料線縱向部在線寬方向上部分重疊該些訊號線縱向部。
6. 如申請專利範圍第1項所述的觸控顯示裝置，其中該資料線在該第一基板的正投影完全位於該訊號線在該第一基板的正投影之外。
7. 如申請專利範圍第6項所述的觸控顯示裝置，其中該些掃描線包括彼此相鄰的一第一掃描線與一第二掃描線，該些主動元件包括連接該第一掃描線的一第一主動元件與連接該第二掃描線的一第二主動元件，且該第一主動元件與該第二主動元件連接於同一條資料線。
8. 如申請專利範圍第1項所述的觸控顯示裝置，其中該訊號傳輸層更包括一訊號連結線，該訊號連結線的線長小於該資料線的線長，且該資料線具有至少一外露線段以及至少一重疊線段，該外露線段在該第一基板的正投影位於該訊號連結線在該第一基板的正投影之外且該重疊線段在該第一基板的正投影重疊該訊號連結線在該第一基板的正投影。
9. 如申請專利範圍第8項所述的觸控顯示裝置，其中該外露線段與該重疊線段沿該資料線的延伸方向排列。
10. 如申請專利範圍第1項所述的觸控顯示裝置，其中該訊號傳輸層更包括多個訊號連結線，連接於同一個訊號電極。
11. 如申請專利範圍第10項所述的觸控顯示裝置，其中該訊號傳輸層更包括一連接線，該連接線將該些訊號連結線連接。
12. 如申請專利範圍第1項所述的觸控顯示裝置，其中該訊號電極層連接至一共用電位。
13. 如申請專利範圍第1項所述的觸控顯示裝置，其中該些訊號電極具有多個狹縫，且該些訊號電極相對於該些畫素電極更鄰近該顯示介質。
14. 如申請專利範圍第1項所述的觸控顯示裝置，其中該些畫素電極具有多個狹縫，且該些畫素電極相對於該些訊號電極更鄰近該顯示介質。
15. 如申請專利範圍第1項所述的觸控顯示裝置，更包括一絕緣層，配置於該資料線與該訊號傳輸層之間。
16. 如申請專利範圍第1項所述的觸控顯示裝置，更包括一觸控感測電路，連接於該訊號電極層。
17. 如申請專利範圍第16項所述的觸控顯示裝置，其中該觸控感測電路感測該些訊號電極所感應的感測電容變化。
18. 如申請專利範圍第1項所述的觸控顯示裝置，其中該顯示介質為液晶。