TWI514937B - 佈線電路基板 - Google Patents
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Description
本發明涉及佈線電路基板，具體而言，涉及可用作撓性電路基板等的佈線電路基板。
對於在由聚醯亞胺等形成的絕緣性薄膜上形成作為電氣佈線之薄膜的導體電路圖案而成的佈線電路基板，由於其是撓性的，因而被廣泛用於硬碟的讀寫頭用懸掛基板(suspension substrate)、液晶顯示用電路基板等。近年來，隨著產品的輕薄短小化、記錄資訊的高密度化的推進，佈線電路基板傾向於要求在限定的範圍面積內形成更多的佈線，即要求佈線的精細化。
作為佈線的形成方法，例如採用如下方法：在銅箔上直接塗布聚醯亞胺清漆等而形成絕緣層，局部蝕刻銅箔面的減成法；或藉由在絕緣層上直接鍍敷而形成佈線的加成法。應對於如上所述的精細化要求，可自由設計佈線寬度、厚度的加成法在技術上處於優勢地位，今後存在使用該方法的佈線電路基板增加的可能性。
對於藉由加成法的佈線形成，例如可如下進行：在電解液中將形成有用於鍍敷的種膜的絕緣層作為陰極，並在與其相對向的陽極之間施加電流，由此來進行。而且，電解液可使用含有銅離子、硫酸根離子、微量的氯和有機添加劑的液體。另外，有機添加劑可主要使用聚乙二醇等聚合物、雙(3-磺丙基)二硫醚(SPS)等具有碸基的有機硫系化合物、煙魯綠B(JGB)等季胺化合物(例如參照專利文獻1)。
然而，佈線電路基板也要求在電路佈線中使用的金屬材料的特性與以往相比具有很大的改善。例如提高伴隨彎曲半徑減少的撓性，提高可耐受安裝電子零件的拉伸強度、伸長率等(例如參照專利文獻2和3)。
專利文獻1：日本特表平5-502062號公報
專利文獻2：日本特開2008-285727公報
專利文獻3：日本特開2009-221592公報
然而，藉由如前所述的加成法等製作的鍍敷佈線在剛鍍敷後雖顯示良好的耐久性，但是因使用環境的熱或經時，會產生被稱作自行退火(self anneal)的軟化現象。其原因被認為是，因熱或經時，在金屬鍍敷覆膜中生成的晶粒肥大化生長之故。而且，如此的軟化現象有引起在安裝電子零件時的耐久性的降低等之虞。
作為其解決方法，有例如如上述專利文獻2、專利文獻3中所公開的，在金屬鍍敷中使其含有硫、氯等來提高電路佈線的硬度的方法。然而，如果如此提高電路佈線的硬度，則有可能脆性會變高、易於因彎曲等引起裂紋產生的疑慮。
本發明是鑒於此種情況而成者，其目的在於提供一種佈線電路基板，其會抑制由熱或經時引起的電路佈線的軟化現象，並提高耐久性，同時改善脆性，抑制裂紋產生。
為了實現上述目的，本發明的佈線電路基板採用如下的構成：其為具備包括絕緣層的基板、和設置於上述基板之絕緣層上的電路佈線者，上述電路佈線由三層以上之銅系金屬層的積層體構成，其最下銅系金屬層和最上銅系金屬層在常溫下的抗拉強度為100~400MPa，且介於最下層和最上層之間的中間銅系金屬層在常溫下的抗拉強度為700~1500MPa。即，本發明人為了解決前述課題而反覆進行銳意研究。其研究的結果發現，如果由積層三層以上的銅系金屬覆膜來構成佈線電路基板的電路佈線，並以使構成其最下層和最上層的銅系金屬覆膜在常溫下的抗拉強度為100~400MPa、構成介於最下層和最上層間之層的銅系金屬覆膜在常溫下的抗拉強度為700~1500MPa的方式進行設定，則可以藉由介於最下層和最上層間之層的硬度等較高來抑制由熱或經時引起的電路佈線的軟化現象，並提高耐久性，同時可以藉由夾持該層之上述最下層和最上層的硬度等較低來抑制因彎曲等引起的裂紋的產生，從而完成本發明。
又，雖上述金屬覆膜的抗拉強度，例如可藉由在由電鍍來形成上述金屬覆膜時，在作為其金屬覆膜原料的銅等金屬中摻入規定量的微量元素[例如鉍、氯(Cl)、硫(S)、碳(C)、氮(N)等]，來提高其抗拉強度，然而，伴隨此，在金屬覆膜中由熱或經時引起的晶粒的生長受到抑制，而發生晶粒的微細化。因此，如上所述，在成膜抗拉強度不同的金屬覆膜來積層的情況下，抗拉強度高的金屬覆膜內之晶粒的平均粒徑會小於抗拉強度低的金屬覆膜內之晶粒的平均粒徑。
如上所述，本發明的佈線電路基板，在其絕緣層上形成的電路佈線由三層以上之銅系金屬覆膜的積層體構成，並且以構成其最下層和最上層的銅系金屬覆膜在常溫下的抗拉強度為100~400MPa、構成介於最下層和最上層間之層的銅系金屬覆膜在常溫下的抗拉強度為700~1500MPa的方式進行設定。因此，可抑制因熱或經時引起的電路佈線的軟化現象，且耐久性變得優異，而且可以改善脆性，抑制因彎曲等引起的裂紋的產生。藉此，會提高伴隨彎曲半徑減少的撓性、安裝電子零件時的耐久性(拉伸強度、伸長率)。而且，本發明的佈線電路基板在硬碟的讀寫頭用懸掛基板、液晶顯示用電路基板等此種使用環境為高溫、擔心軟化現象的狀況下，也可廣泛使用。
特別地，如果構成上述電路佈線的銅系金屬覆膜全部為電鍍覆膜，則可有利地獲得本發明期望的物性，並且可藉由加成法形成佈線，因可自由地設計其佈線寬度、厚度，因此可容易地應對佈線電路基板的精細化要求。
另外，如果以構成上述最下層和最上層的銅系金屬覆膜內之晶粒的平均粒徑大於構成介於最下層和最上層間之層的銅系金屬覆膜內之晶粒的平均粒徑的方式積層，則伴隨彎曲半徑減少的撓性、伴隨電子零件安裝的耐久性會變得更優異。
更進一步，如果相對於上述電路佈線的總厚度，其最下層和最上層厚度之和的比例為20~60%，介於最下層和最上層間之層厚度之和的比例為40~80%，則伴隨彎曲半徑減少的撓性、伴隨電子零件安裝的耐久性會變得更優異。
另外，如果上述介於最下層和最上層間之層由在以銅為主體的金屬中含有100~3000ppm鉍的金屬覆膜構成，則可進一步抑制由熱或經時引起的電路佈線的軟化現象、長期地維持高抗拉強度。
第1圖是示意地顯示本發明佈線電路基板之截面的說明圖。
本發明的佈線電路基板，在基板之絕緣層上形成的電路佈線由三層以上之銅系金屬覆膜的積層體構成，以構成其最下層和最上層的銅系金屬覆膜在常溫下的抗拉強度為100~400MPa、構成介於最下層和最上層間之層的銅系金屬覆膜在常溫下的抗拉強度為700~1500MPa的方式進行設定。藉此，可抑制由熱或經時引起的電路佈線的軟化現象，且耐久性變得優異，同時可以改善脆性，並抑制因彎曲等引起的裂紋的產生。另外，從該觀點考慮，構成上述最下層和最上層的銅系金屬覆膜在常溫下的抗拉強度較佳為250~400MPa，構成介於最下層和最上層間之層的銅系金屬覆膜在常溫下的抗拉強度較佳為700~1000MPa。又，上述金屬覆膜的抗拉強度例如可如下進行測定：將該金屬覆膜(金屬箔)加工成規定尺寸的樣品，並將該樣品放置於拉伸試驗裝置(Minebea公司製，TECHNOGRAPH)來測定。另外，上述金屬覆膜的抗拉強度並非是對剛成膜後的金屬覆膜進行測定，而是在成膜後經過規定時間(通常為48小時以上)，在金屬覆膜的物性穩定之後進行測定。另外，構成上述最下層的銅系金屬覆膜的抗拉強度和構成最上層的銅系金屬覆膜的抗拉強度可以相同也可以不同。另外，本發明所述的“常溫”是指，依據JIS Z 8703，為20℃±15℃。
另外，上述“基板的絕緣層”除了表示在金屬基板等基板上形成的絕緣層以外，也包括例如樹脂基板、薄膜基板等基板本身的意思。另外，上述“介於最下層和最上層間之層”可以為單層也可以為多層。第1圖示意地顯示在基板本身為絕緣層並且上述“介於最下層和最上層間之層”為單層的情況下的佈線電路基板的截面；在圖中，1表示絕緣層，2表示電路佈線(銅系金屬覆膜的積層體)，2a表示電路佈線的最下層，2b表示電路佈線的中間層，2c表示電路佈線的最上層。
特別是，如果構成上述電路佈線的銅系金屬覆膜全部為電鍍覆膜，則可有利地獲得本發明期望的物性，並且可藉由加成法形成佈線，由於可自由地設計其佈線寬度、厚度，因此可容易地應對佈線電路基板的精細化要求。
另外，從伴隨彎曲半徑減少的撓性、伴隨電子零件安裝的耐久性變得更優異的觀點考慮，較佳的是，在上述中間層2b由多層形成的情況下，其是以構成該層之銅系金屬覆膜的抗拉強度從其中心層向上述最下層2a和最上層2c變低的方式積層。
另外，從伴隨彎曲半徑減少的撓性、伴隨電子零件安裝的耐久性變得更優異的觀點考慮，較佳的是，以構成上述最下層2a和最上層2c的銅系金屬覆膜內之晶粒的平均粒徑大於構成介於最下層2a和最上層2c間之層(在第1圖中為中間層2b)的銅系金屬覆膜內之晶粒的平均粒徑的方式積層。另外，上述最下層2a的銅系金屬覆膜內之晶粒的平均粒徑與最上層2c的銅系金屬覆膜內之晶粒的平均粒徑可以相同也可以不同。進一步，從與上述同樣的觀點考慮，較佳的是，在上述中間層2b由多層形成的情況下，其是以構成該層之銅系金屬覆膜內的晶粒的平均粒徑從其中心層向上述最下層2a和最上層2c變大的方式積層。又，此處所述的“晶粒的平均粒徑”並非是對剛成膜之後的金屬覆膜進行測定，而是在成膜後經過規定時間(通常為48小時以上)，且在金屬覆膜的物性穩定之後進行測定。另外，上述金屬覆膜內之晶粒的平均粒徑為例如使用掃描電子顯微鏡(SEM)、金屬顯微鏡來觀察覆膜樣品，並將存在於該覆膜內之晶粒的粒徑進行平均而得到的值，各晶粒的粒徑是將其長徑和短徑進行平均而測定。
另一方面，構成電路佈線2的上述各層的銅系金屬覆膜是由以銅為主體的金屬構成的覆膜，其表示銅本身或包含99.99重量%以上的銅的合金。作為上述合金所使用的微量金屬，例如可列舉出鎳、錫、鋅、鐵等。另外，銅系金屬覆膜內的晶粒的微細化、抗拉強度的增加，例如可在藉由電鍍來形成上述金屬覆膜時，使金屬覆膜中含有鉍、氯(Cl)、硫(S)、碳(C)、氮(N)此等的微量元素，由此來實現。即，推測如下，藉由在作為金屬鍍敷之母相的銅等金屬中固熔上述微量元素，由於引起固熔強化，因此可抑制由熱或經時引起之金屬鍍敷覆膜中的晶粒的肥大化生長，並可抑制軟化現象。
特別是，在介於上述最下層2a和最上層2c間之層(在第1圖中為中間層2b)中，藉由製成由含有100~3000ppm鉍的金屬覆膜構成的層，由於可更抑制由熱或經時引起的電路佈線的軟化現象，且可長期地維持高抗拉強度，因此較佳設定在此範圍。又，上述金屬覆膜中的鉍含量可如下測定：將該金屬覆膜製成樣品，對樣品片加入濃硝酸並密封，對其照射微波，在最高230℃下進行加壓酸解，然後加入超純水，用電感耦合等離子體-質譜分析裝置(ICP-MS)進行分析。
另外，從伴隨彎曲半徑減少的撓性、伴隨電子零件安裝的耐久性會變得更優異的觀點考慮，較佳的是，相對於上述電路佈線2的總厚度，其最下層2a和最上層2c厚度之和的比例為20~60%，介於最下層2a和最上層2c間之層厚度之和的比例為40~80%。
從撓性等的觀點考慮，上述電路佈線2的總厚度較佳為8~25μm的範圍。
相當於上述電路佈線2的覆膜形成面的絕緣層1，可列舉如由聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、丙烯酸類樹脂、聚醚腈、聚醚碸、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚氯乙烯等合成樹脂構成的層。其中，從撓性的觀點考慮，較佳使用由聚醯亞胺形成的層。又，如上所述，上述絕緣層1除了表示在金屬基板等基板上形成的絕緣層以外，也包括例如樹脂基板、薄膜基板等基板本身的意思。
在第1圖中，雖上述電路佈線2形成於絕緣層1的單面，但也可以形成於絕緣層1的兩面。而且，上述電路佈線2例如藉由加成法、減成法等圖案化法形成，較佳藉由加成法形成。即，此等因為，加成法可自由地設計電路佈線的寬度、厚度，因此可容易應對佈線電路基板的精細化要求。
在加成法中，首先在絕緣層1的整面，藉由濺射法等薄膜形成法由銅、鉻、鎳和其等的合金等形成成為種膜的金屬薄膜。接著，在上述金屬薄膜的表面形成成為電路佈線圖案之反轉圖案的抗鍍敷層。由乾膜光致抗蝕劑等藉由曝光和顯影此等方法形成抗鍍敷層。其後，藉由具有特殊的電解液組成的電解液，在從抗鍍敷層露出之上述金屬薄膜的表面形成電路佈線圖案的電鍍物(藉由在中途改變電解液組成，從而積層形成最下層2a、中間層2b、最上層2c)。其後，藉由蝕刻或剝離而去除抗鍍敷層，進一步，藉由蝕刻而去除從電路佈線圖案露出的金屬薄膜，藉此可在絕緣層上形成目的之電路佈線。
上述電解液的電解液組成包含以銅為主體之金屬的金屬鹽，根據需要可添加鉍、氯(Cl)、硫(S)、碳(C)、氮(N)如此的微量元素的供給源[硫酸鉍等鉍鹽、雙(3-磺丙基)二硫醚(SPS)等具有碸基的有機硫系化合物、煙魯綠B等季胺化合物、硫酸、氯等]。其中，鉍和銅的析出電位相近，因此不需要拉近析出電位般的操作，例如配位劑等的添加，具有可直接使用現有的電解液組成的優點。又，作為成為上述電解液中銅離子之供給源的金屬鹽，從光澤和流平作用優異的觀點出發，則較佳為硫酸銅。另外，作為成為鉍離子的供給源的鉍鹽，從不會大幅地破壞電解液組成的觀點出發，則較佳為硫酸鉍。又，對於上述電解液組成，有必要在形成最下層2a、最上層2c時不含上述微量元素，或者與形成中間層2b時的電解液組成相比減少上述微量元素。
另外，如上所述，上述電路佈線也可藉由減成法來形成。在減成法中，首先，在絕緣層1的整面，根據需要透過黏接劑層積層相當於電路佈線2之最下層2a、中間層2b、最上層2c的金屬覆膜，形成積層金屬箔。接著，在積層於上述絕緣層1上之積層金屬箔的表面，以與電路佈線圖案相同的圖案形成抗蝕刻層。抗蝕刻層藉由使用乾膜光致抗蝕劑等來形成。其後，蝕刻從抗蝕刻層露出的金屬箔，然後藉由蝕刻或剝離而去除抗蝕刻層，從而可在絕緣層1上形成目的之電路佈線2。
又，對於本發明的佈線電路基板，在上述電路佈線2上可以根據需要設置表面保護層(覆蓋絕緣層)。上述表面保護層藉由例如由與前面所述的絕緣層同樣的材料(聚醯亞胺等)形成的覆蓋層薄膜、環氧系阻焊劑、丙烯酸系阻焊劑、聚氨酯系阻焊劑等阻焊劑來形成。
如此進行而得到的本發明的佈線電路基板幾乎沒有由熱或經時引起的電路佈線的軟化現象，可長期地維持高抗拉強度，因此可用作各種電子設備的基板。特別是，可適宜用作硬碟的讀寫頭用懸掛基板、液晶顯示用電路基板。
接著，對實施例進行說明。但是，本發明不受限於此等實施例。
配合70g/l硫酸銅[CuSO4
‧5H2
O](日礦金属公司製)、180g/l硫酸[H2
SO4
](和光纯藥公司製)、40mg/l氯(和光纯藥公司製)、3ml/l有機添加劑(Electroplating Engineers of Japan,Ltd.製，CC-1220)，製備電解液A。
配合70g/l硫酸銅[CuSO4
‧5H2
O](日礦金属公司製)、180g/l硫酸[H2
SO4
](和光纯藥公司製)、40mg/l氯(和光纯藥公司製)、3ml/l有機添加劑(Electroplating Engineers of Japan,Ltd.製，CC-1220)、2.0g/l硫酸鉍[Bi2
(SO4
)3
](和光纯藥公司製)，製備電解液B。
配合70g/l硫酸銅[CuSO4
‧5H2
O](日礦金属公司製)、180g/l硫酸[H2
SO4
](和光纯藥公司製)、40mg/l氯(和光纯藥公司製)、3ml/l有機添加劑(Electroplating Engineers of Japan,Ltd.製，CC-1220)、1.0g/l硫酸鉍[Bi2
(SO4
)3
](和光纯藥公司製)，製備電解液C。
配合70g/l硫酸銅[CuSO4
‧5H2
O](日礦金属公司製)、180g/l硫酸[H2
SO4
](和光纯藥公司製)、40mg/l氯(和光纯藥公司製)、3ml/l有機添加劑(Electroplating Engineers of Japan,Ltd.製，CC-1220)、3.0g/l硫酸鉍[Bi2
(SO4
)3
](和光纯藥公司製)，製備電解液D。
使用上述製備的電解液中的任一者，並且陰極使用不銹鋼板、陽極使用銅板，在電解液溫度25℃、電流密度3A/dm2
的條件下，在不銹鋼板上進行鍍敷，以形成後述表1和表2所示的厚度(第一層的形成)。鍍敷中，電解液藉由起泡而攪拌。又，使用的電解液如後述表1和表2所示，形成為多層時(在第一層之上依序形成第二層、第三層時)在中途改變電解液，使用後述表1和表2所示的電解液，依據上述第一層的形成步驟形成各層。
對於如此進行而得到的實施例和比較例的鍍敷金屬箔(均為鍍敷後經過48小時以上之後的鍍敷金屬箔)，按照下述的基準，進行了各特性的評價。將其結果合併示於後述的表1和表2。又，表中的“熱處理”是指在200℃下熱處理50分鐘。
用拉伸試驗裝置(Minebea公司製，TECHNOGRAPH)，將卡盤間距距設為2cm、拉伸速度設為5mm/min，來測定未進行熱處理的各鍍敷層在常溫下的抗拉強度。
對於熱處理前和熱處理後的實施例和比較例的鍍敷金屬箔的樣品，用拉伸試驗裝置(Minebea公司製，TECHNOGRAPH)，將卡盤間距設為2cm、拉伸速度設為5mm/min來測定其拉伸強度。又，在本發明中，要求熱處理前和熱處理後的樣品的拉伸強度為400MPa以上。
對於熱處理前和熱處理後的實施例和比較例的鍍敷金屬箔的樣品，用拉伸試驗裝置(Minebea公司製，TECHNOGRAPH)，將卡盤間距設為2cm、拉伸速度設為5mm/min來測定其伸長率。又，在本發明中，要求熱處理前和熱處理後的樣品的伸長率為4.0%以上。
將熱處理前和熱處理後的樣品切為短條狀(4mm×30mm)，藉由4端子法測定其電阻。又，在本發明中，要求熱處理前和熱處理後的樣品的電阻為70%IACS(國際退火銅標準(International Annealed Copper Standard))以上。
將熱處理前和熱處理後的樣品切為短條狀(4mm×30mm)，以曲率半徑R=0.38進行10次±135°的折彎，進行觀察。藉由此試驗，在樣品沒有產生裂紋的評價為○，產生了裂紋的評價為×。
根據上述結果，實施例的鍍敷金屬箔的導電性高、拉伸強度與伸長率的平衡性優異，另外，即使在熱處理後，此等特性也優異。因此，具備具有與實施例的鍍敷金屬箔同樣的金屬覆膜積層結構的電路佈線的本發明的佈線電路基板，其伴隨彎曲半徑減少的撓性、安裝電子零件時的耐久性優異。而且，具備具有與實施例的鍍敷金屬箔同樣的金屬覆膜積層結構的電路佈線的本發明的佈線電路基板，其在硬碟的讀寫頭用懸掛基板、液晶顯示用電路基板等這種使用環境為高溫、擔心軟化現象的狀況下，也可廣泛使用。
與此相對，比較例1為基於電解液A得到的單層結構的鍍敷箔，雖伸長率高，但是熱處理之後，產生因自行退火引起的軟化現象，物性不穩定。另外，比較例1的拉伸強度低，對微細佈線的耐久性令人擔心。進一步，比較例1的導電性也稍差。比較例2在熱處理後的拉伸強度低。比較例3雖拉伸強度和伸長率的平衡性良好，但是產生了裂紋。比較例4的熱處理前的伸長率差，此外也產生了裂紋。比較例5為基於電解液B而得到的單層結構的鍍敷箔，熱處理前的伸長率差、導電性也稍差，而且脆性高，因此產生了裂紋。
藉由實驗確認到，本發明佈線電路基板之多層結構的電路佈線可藉由使用實施例中使用般電解液的電鍍來形成，藉此，可容易形成具有所期望物性的電路佈線，且可基於加成法形成佈線，由於可自由地設計其佈線寬度、厚度，因此可容易應對佈線電路基板的精細化要求。
另外藉由實驗確認到，如果第一層和第三層在常溫下的抗拉強度為100~400MPa(較佳為250~400MPa)，且第二層在常溫下的抗拉強度為700~1500MPa(較佳為700~1000MPa)，則與實施例同樣可獲得優異的結果。另外，使用掃描電子顯微鏡(SEM)測定實施例的各層之鍍敷箔內晶粒的平均粒徑，確認第一層和第三層內晶粒的平均粒徑大於第二層內晶粒的平均粒徑。
1‧‧‧絕緣層
2‧‧‧電路佈線
2a‧‧‧最下層
2b‧‧‧中間層
2c‧‧‧最上層
第1圖是示意地顯示本發明佈線電路基板之截面的說明圖。
1．．．絕緣層
2．．．電路佈線
2a．．．最下層
2b．．．中間層
2c．．．最上層
Claims (6)
- 一種佈線電路基板，係具備包括絕緣層的基板、和設置於所述基板之絕緣層上的電路佈線者，其特徵在於：所述電路佈線由三層以上之銅系金屬層的積層體構成，其最下銅系金屬層和最上銅系金屬層在常溫下的抗拉強度為100~400MPa，且介於最下銅系金屬層和最上銅系金屬層之間的中間銅系金屬層在常溫下的抗拉強度為700~1500MPa，其中，相對於所述電路佈線的總厚度，其最下銅系金屬層和最上銅系金屬層厚度之和的比例為20~60%，且介於最下銅系金屬層和最上銅系金屬層間之中間銅系金屬層厚度之和的比例為40~80%。
- 如申請專利範圍第1項之佈線電路基板，其中，構成所述電路佈線的銅系金屬層全部由電鍍覆膜所構成。
- 如申請專利範圍第1或2項之佈線電路基板，其中，所述介於最下銅系金屬層和最上銅系金屬層之間的中間銅系金屬層由多層構成，且以構成該層的銅系金屬覆膜的抗拉強度從其中心層朝向所述最下銅系金屬層和最上銅系金屬層變低的方式積層。
- 如申請專利範圍第1或2項之佈線電路基板，其是以構成所述最下銅系金屬層和最上銅系金屬層的銅系金屬覆膜內晶粒之平均粒徑大於構成介於最下銅系金屬層和最上銅系金屬層間之中間銅系金屬層的銅系金屬覆膜內晶粒的平均粒徑方式積層。
- 如申請專利範圍第4項之佈線電路基板，其中，所述介 於最下銅系金屬層和最上銅系金屬層之間的中間銅系金屬層由多層構成，且以構成該層的銅系金屬覆膜內晶粒的平均粒徑從其中心層朝向所述最下銅系金屬層和最上銅系金屬層變大的方式積層。
- 如申請專利範圍第1或2項之佈線電路基板，其中，所述介於最下銅系金屬層和最上銅系金屬層之間的中間銅系金屬層由在以銅為主體的金屬中含有100~3000ppm鉍的金屬覆膜構成。
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