TWI512580B - 顯示裝置 - Google Patents

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TWI512580B
TWI512580B TW101127338A TW101127338A TWI512580B TW I512580 B TWI512580 B TW I512580B TW 101127338 A TW101127338 A TW 101127338A TW 101127338 A TW101127338 A TW 101127338A TW I512580 B TWI512580 B TW I512580B
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Yasuhiro Sugita
Kazutoshi Kida
Shinji Yamagishi
Yuhji Yashiro
Hiroyuki Ogawa
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Sharp Kk
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Description

顯示裝置
本發明係關於一種具備位置檢測部與顯示部之顯示裝置。
近年來，尤其在智慧型電話或便攜式電話等之便攜式機器之領域中，具備使手指或輸入筆等之檢測對象物接觸於顯示面上，並檢測其接觸位置之觸控面板之顯示裝置已普遍化。
迄今為止，作為如此之顯示裝置中具備之觸控面板，主要使用電阻膜方式(藉由按壓使上方之導電性基板與下方之導電性基板接觸而檢測輸入位置之方式)或靜電電容方式(藉由檢測所觸及地方之電容變化而檢測輸入位置之方式)者。
其中，靜電電容方式之觸控面板，因可以簡易之操作檢測接觸位置之點與無須如電阻膜方式般包夾空氣層而形成2片導電膜，且空氣層與導電膜之界面之外光之界面反射不會產生之點，如今，為觸控面板之主流。
然而，靜電電容方式之觸控面板中，由於藉由檢測靜電電容之變化而檢測手指等之檢測對象物之接觸位置，故若觸控面板接收來自外部之輻射雜訊，則因該雜訊之影響，結果導致靜電電容亦產生變化，從而無法高精度地檢測接觸位置。
圖16係顯示具備一般之觸控面板之顯示裝置之概略構成 之圖。
顯示裝置50具備液晶面板51、觸控面板52、及蓋玻片53，在液晶面板51與觸控面板52之間，形成有氣隙(Air Gap)。另，近年來，無氣隙構造亦有增加傾向。
然而，若使液晶面板51驅動則如圖所示，產生輻射雜訊，該雜訊對觸控面板52之動作帶來不良影響。
圖17係顯示根據液晶面板51之有無，觸控面板52接收之雜訊量之變化之圖。
如圖所示，與無液晶面板51之情形相比較，在有液晶面板51之情形下，存在由於觸控面板52接收之雜訊量大量增加，故S/N比(Signal/Noise比：信噪比)降低，結果，導致觸控面板52之檢測性能降低，從而誤檢測等易產生之問題。
且，判明在進行液晶面板51之雜訊分析之時，使觸控面板52之檢測性能降低之雜訊，為來自液晶面板51之輻射雜訊，上述輻射雜訊，在液晶面板51中，在顯示資料之寫入期間中產生，且在對資料線進行充電之初期之瞬間產生。
因此，為解決如此之問題，非專利文獻1(SID 2010 DIGEST，p669)中，提出有利用Haga等，在具備為靜電電容方式之一種之表面型自身電容方式之觸控面板之顯示裝置中，使觸控面板之驅動與液晶面板之驅動同步，且在液晶面板中未進行寫入之期間中，使觸控面板驅動，從而進行接觸位置之進行之方法。
圖18係顯示具備非專利文獻1中記載之觸控面板之顯示 裝置60之概略構成之圖。
如圖所示，顯示裝置60具備彩色濾光片基板61與TFT基板64，在上述兩基板間夾有液晶層，但未圖示。
在彩色濾光片基板61中，與TFT基板64對向之面上，雖未圖示，但形成有彩色濾光片層或定向膜等，在其相反側之面上，形成有表面ITO層62與偏轉薄膜。
且，表面ITO層62之4隅中，具備有包含電壓供給電路VS1 ~VS4 之各者與電流感測電路I1 ~I4 之各者之4個檢測系統63a．63b．63c．63d，且在表面ITO層62之4隅中，自電壓供給電路VS1 ~VS4 之各者施加有相同電壓。
因此，手指一接觸，則經由電容Cr，上述手指上有少量電流流動。
且，根據上述手指接觸之位置，利用4個檢測系統63a．63b．63c．63d中具備之電流感測電路I1 ~I4 之電流值不同此點，檢測上述手指之接觸位置。
另一方面，在TFT基板64中，與彩色濾光片基板61對向之面上，設置有複數個像素TFT元件65、閘極驅動器(閘極信號線驅動電路)66、資料驅動器(資料信號線驅動電路)67、共用電極Com等，且共用電極Com上，電性連接有共用電極驅動器68。
圖19係顯示圖18所示之顯示裝置60之驅動時序之圖。
如圖所示，使觸控面板，在為閘極信號線驅動電路之輸出與資料信號線驅動電路之輸出同為高阻抗(Hi-Z)之V-blank(V-空白)期間(液晶面板驅動之休止期間)中驅動，從 而進行觸控之檢測。
即，使觸控面板之驅動與液晶面板之驅動同步，在為液晶面板中進行寫入之期間之圖中之Addressable(可編址)期間以外，使觸控面板驅動，進行手指之接觸位置之檢測。
因此，藉由使用如上述非專利文獻1中記載般之驅動方法，可避免液晶面板中進行寫入時產生之雜訊之影響。
另一方面，在專利文獻1及2中，揭示有使用並行驅動，縮短觸控面板之感測時間之構成。
[先前技術文獻] [非專利文獻]
[非專利文獻1]SID 2010 DIGEST，p669，觸控面板嵌入式IPS-LCD及寄生電流減少技術
[專利文獻]
[專利文獻1]日本國公開專利公報「特開2011-128982號公報(2011年6月30日公開)」
[專利文獻2]美國公開專利公報「US2010/0060591 A1(2010年3月11日公開)」
然而，在使用上述非專利文獻1中記載之驅動方法之情形下，雖可避免液晶面板中進行寫入時產生之雜訊之影響，但由於基本上在1訊框期間，在確保液晶面板中進行寫入之期間之後，將其剩餘之期間用於觸控面板之驅動，故可用於觸控面板之驅動之期間，縮短為2 ms以下，根據 該方法，難以使S/N比提高，從而難以高精度地進行位置檢測。
再者，近年來，對可實現高畫質之顯示裝置之要求增強，從而液晶面板等之顯示裝置具有進一步高清晰化之傾向。
因此，僅以使觸控面板之驅動與液晶面板之驅動同步，在液晶面板中未進行寫入之期間中，使觸控面板驅動，從而進行接觸位置之檢測之方法，使S/N比提高，為了高精度地進行位置檢測足夠之觸控面板之驅動期間之確保較困難。
另，如此之問題，在與靜電電容方式之觸控面板相同地驅動之具備根據光之接收量使不同之電流流動之光二極體或光電晶體之光感測器之領域中亦同樣產生。
又，上述非專利文獻1中揭示之表面型自身電容方式之觸控面板中不可應用並行驅動。
另一方面，雖記載有由於若使用上述專利文獻1及2中揭示之並行驅動，則可使觸控面板之感測時間縮短，從而使積分次數增加，故可使S/N比提高，從而可高精度地進行位置檢測，但在上述專利文獻1及2之任一者中，均完全未考慮液晶面板中進行寫入時產生之雜訊之影響，且關於以何種時序進行觸控面板之感測較好尚未記載。
因此，即使可使觸控面板之感測時間縮短，在液晶面板中進行寫入時，若進行觸控面板之感測，則仍無法使S/N比提高，從而無法高精度地進行位置檢測。
本發明為鑒於上述之問題點而完成者，且目的在於提供一種具備可使S/N比提高，從而可高精度地進行位置檢測之位置檢測部與顯示部之顯示裝置。
本發明之顯示裝置，為解決上述問題，其特徵為具備位置檢測部與顯示部，且，上述位置檢測部中，設置有形成為矩陣狀之複數個位置檢測元件；對上述複數個位置檢測元件之各者電性連接有相互電性分離之第1佈線及第2佈線；上述複數根第1佈線中，具備同時施加具有各自不同之編碼行之信號之編碼行信號供給電路；上述顯示部之1訊框期間，包含對上述顯示部中具備之複數個像素依序進行圖像資料之寫入之第1期間、與上述第1期間以外之期間即第2期間；在上述第2期間中經由上述複數根第2佈線，獲得自上述位置檢測元件輸出之信號；且該顯示裝置具備以根據進行自上述位置檢測元件輸出之信號與複數個上述編碼行之復原運算而求得之復原值，檢測存在檢測對象物之部位之方式設定之上述位置檢測部之控制電路。
根據上述構成，由於複數根第1佈線中具備同時施加具有各自不同之編碼行之信號之編碼行信號供給電路，故可縮短在上述第1佈線上施加上述信號所需之時間。因此，進行相同感測次數之情形，感測所需之時間亦可縮短。
且，根據上述構成，係以在根據顯示部之雜訊之影響較小的上述第2期間中，經由上述複數根第2佈線獲得自上述位置檢測元件輸出之信號之方式而設定。
因此，由於可以可縮短上述感測所需之時間程度，增加感測次數，故可實現具備可使S/N比提高，從而可高精度地進行位置檢測之位置檢測部與顯示部之顯示裝置。
本發明之顯示裝置，如上所述，其構成為：在上述位置檢測部中，設置有形成為矩陣狀之複數個位置檢測元件；上述複數個位置檢測元件之各者中，電性連接有相互電性分離之第1佈線及第2佈線；上述複數根第1佈線中，具備同時施加具有各自不同之編碼行之信號之編碼行信號供給電路；上述顯示部之1訊框期間，包含對上述顯示部中具備之複數個像素依序進行圖像資料之寫入之第1期間、與上述第1期間以外之期間即第2期間；在上述第2期間中經由上述複數根第2佈線，獲得自上述位置檢測元件輸出之信號；且該顯示裝置具備以根據進行自上述位置檢測元件輸出之信號與複數個上述編碼行之復原運算而求得之復原值，檢測存在檢測對象物之部位之方式設定之上述位置檢測部之控制電路。
因此，可實現具備可使S/N比提高，從而可高精度地進行位置檢測之位置檢測部與顯示部之顯示裝置。
以下，基於圖面就本發明之實施形態進行詳細說明。然而，該實施形態中記載之構成零件之尺寸、材質、形狀、其相對配置等僅為一實施形態，並不應該因該等而限定揭示該發明之範圍。
另，在以下之各實施形態中，作為顯示裝置中具備之顯示部雖舉液晶顯示面板為例進行說明，但若上述顯示部之每個像素中具備主動元件之類型，則其種類無特別限定，例如，當然亦可使用有機EL等。
另一方面，在以下之各實施形態中，作為上述顯示裝置中具備之位置檢測部，雖舉為內置感測器型之靜電電容方式之一種之相互電容方式之觸控面板為例進行說明，但並不限定於此，例如，亦可使用外置感測器型或表面置感測器型之各種靜電電容方式之觸控面板。再者，作為上述位置檢測部，亦可使用與上述靜電電容方式之觸控面板相同地驅動之具備根據光之接收量使不同電流流動之光二極體或光電晶體之光感測器。
[實施形態1]
以下，基於圖1至圖9，就本發明之第1實施形態進行說明。
圖1係顯示具備內置感測器型之相互電容方式之觸控面板之液晶顯示裝置1之概略構成之圖。
如圖所示，液晶顯示裝置1具備TFT基板1a與彩色濾光片基板1b，上述兩基板1a．1b間夾有液晶層10。
TFT基板1a，為與絕緣基板2之液晶層10相接側之面上，形成有詳細將後述之像素TFT元件(未圖示)之構成。
另一方面，彩色濾光片基板1b，為與絕緣基板3之液晶層10相接側之面上，有黑色矩陣及彩色濾光片層4、驅動電極5a及感測電極5b之形成層、第1絕緣層6、橋接電極7 之形成層、第2絕緣層8、及共用電極層9依序積層之構成。
另，在本實施形態中，為實現薄型化，雖使用驅動電極5a與感測電極5b形成於同一平面上之構成，但並不限定於此，亦可使用驅動電極5a與感測電極5b形成於不同之2層之構成。
圖2係顯示液晶顯示裝置1中具備之TFT基板1a之概略構成之圖。
如圖2(a)所示，在TFT基板1a中，相互電性分離之複數根掃描信號線GL1．GL2...GLn與複數根資料信號線SL1．SL2...SLn以相互交叉之方式形成，且在上述交叉之各個部位之附近，設置有該資料信號線與該掃描信號線與像素電極12電性連接之像素TFT元件11。
且，用以驅動TFT基板1a之液晶面板之時序控制器13、掃描信號線驅動電路14、及資料信號線驅動電路15設置於TFT基板1a上或TFT基板1a外。
掃描信號線驅動電路14對複數根掃描信號線GL1．GL2...GLn供給掃描信號，資料信號線驅動電路15對複數根資料信號線SL1．SL2...SLn供給資料信號。
又，液晶面板之時序控制器13，基於自未圖示之系統側輸入之時脈信號及影像同步信號(Hsync．Vsync)，作為成為用以使各電路同步動作之基準之影像同步信號，生成閘極時脈GCK及閘極起動脈衝GSP，並輸出至掃描線驅動電路14，另一方面，將源極時脈SCK及源極起動脈衝SSP、及 自系統側輸入之影像信號基於上述影像同步信號(Hsync．Vsync)，生成影像資料，並輸出至資料信號線驅動電路15。
圖2(b)係顯示圖2(a)所示之像素TFT元件11之概略構成之圖。
如圖所示，像素TFT元件11係於絕緣基板2上依序積層如下等層之構成：閘極電極16G及掃描信號線GL1．GL2...GLn之形成層、閘極絕緣層17a、半導體層16SEM、源極電極16S與汲極電極16D與資料信號線SL1．SL2...SLn之形成層、形成有接點孔之層間絕緣層17b、以經由上述接點孔與汲極電極16D連接之方式形成之像素電極12之形成層。
在本實施形態中，為實現高開口率，而使用上述構造之像素TFT元件11，但可使用之像素TFT元件之構造並不限定於此。
另，本實施形態中，作為像素TFT元件11之半導體層16SEM，考慮到製程成本等，而使用非晶質矽層(以下稱為α-Si層)，但並不限定於此，如後述之實施形態2中記載般，亦可使用包含選自In、Ga、Zn之至少一種元素之氧化物層或多晶矽層或連續晶界結晶矽層。
圖3係顯示液晶顯示裝置1中具備之觸控面板之驅動電極5a及感測電極5b之形狀之圖。
如圖所示，驅動電極5a以在圖中之左右方向上將菱形之單元電極鄰接之方式配置，各個單元電極電性連接而形成。且，複數個驅動電極5a在圖中之上下方向上平行地形 成。
另一方面，感測電極5b以在圖中之上下方向上將菱形之單元電極鄰接之方式配置。且，複數個感測電極5b在圖中之左右方向上平行地形成。
另，感測電極5b之鄰接之單元電極間之電性連接係經由形成於第1絕緣層(未圖示)之接點孔18，利用橋接電極(未圖示)進行。
驅動電極5a之連接鄰接之單元電極間之部分與上述橋接電極在俯視下雖重疊，但由於上述橋接電極形成於第1絕緣層上，故驅動電極5a與感測電極5b電性分離。
另，在本實施形態中，雖使用菱形之單元電極，但單元電極之形狀並無特別限定。
以下，基於圖20及圖21，就作為靜電電容方式之一種之相互電容方式之觸控面板之概略構成與其動作原理進行說明。
圖20係顯示先前之相互電容方式之觸控面板之概略構成與其動作原理之圖。
圖20(a)係顯示相互電容方式之觸控面板之電極構造之一例之圖。
如圖所示，複數個驅動電極70之各者，分別電性分離，且以長度方向為圖中之左右方向之方式，平行形成。另一方面，複數個感測電極71之各者，分別電性分離，且以長度方向為圖中之上下方式之方式，平行形成。
圖20(b)全部顯示圖20(a)所示之AB線之剖面圖，且顯示 手指等之檢測對象物之非觸控時與觸控時之鄰接之驅動電極70與感測電極71間之電容CF 之變化。
如圖所示，非觸控時之電容較觸控時之電容大(CF_untouch> CF_touch )。利用該原理，可檢測觸控位置。
且，相互電容方式之觸控面板，手指等之檢測對象物在複數個部位接觸之情形，可檢測其複數個部位之位置，即，具有多觸控檢測功能。
圖21顯示使液晶面板以60 Hz驅動之情形之1訊框期間(16.7 ms)中之寫入期間與休止(1 V反馳)期間。
如圖所示，由於觸控面板接收之雜訊位準，在上述寫入期間中較大，而在上述休止(1 V反馳)期間中變小，故若考慮觸控面板接收之雜訊位準，則需要使觸控面板在上述休止(1 V反馳)期間中驅動。
然而，近年來，對可實現高畫質之顯示裝置之要求增強，從而液晶面板等之顯示裝置具有進一步高清晰化之傾向。
因此，僅以使如上述非專利文獻1中記載般之觸控面板之驅動與液晶面板之驅動同步，在液晶面板中未進行寫入之期間中，使觸控面板驅動，從而進行接觸位置之檢測之方法，使S/N比提高，為了高精度地進行位置檢測足夠之觸控面板之驅動期間之確保較困難。
且，在本實施形態中，為說明與為使用之觸控面板之驅動方式之並行驅動之差，首先，基於圖22至圖25，就觸控面板之逐次驅動方式(依序驅動方式)進行說明。
圖22係顯示以逐次驅動方式驅動之觸控面板之概略構成之圖。
圖20所示之驅動電極70，分別對應驅動線DL1．DL2...DLn，感測電極71分別對應感測線(n)。
且，各個驅動線DL1．DL2...DLn與各個感測線(n)交叉之部位，形成根據檢測對象物即手指(CFIN )等之接觸其電容改變之可變電容。
又，如圖所示，驅動線驅動電路100，對驅動線DL1．DL2...DLn，依序施加具有特定波形之信號。即，驅動線驅動電路100，以逐次驅動，自驅動線DL1依序至驅動線DLn，施加具有特定波形之信號。
圖23係顯示各個驅動線DL1．DL2...DLn中施加之各個信號之圖。
另，圖22中雖未圖示，但在感測線驅動電路101中，為具備可同時選擇複數根感測線(n)之感測線驅動電路，且複數根感測線(n)之每根中，具備取樣電路102、儲存電容103、輸出放大器104、復位開關105、及測定機構106之構成。
由於藉由具備上述感測線選擇電路，可同時選擇複數根感測線(n)，故可縮短感測時間。
且，觸控面板之控制電路107，對驅動線驅動電路100發送用以開始對各個驅動線DL1．DL2...DLn依序施加具有特定波形之信號之開始信號。
又，觸控面板之控制電路107，分別對取樣電路102發送 取樣信號，對復位開關105發送復位信號。
圖24係顯示圖22所示之觸控面板之驅動時序圖之圖。
如圖所示，為驅動線DL1中施加之信號為High前之時序，取樣信號亦為High前之時序中，使復位信號為High，使儲存電容103接地，並復位儲存電容103。
且，復位信號為Low之後，DL1中施加之信號為High之前之間，使取樣信號為High，將取樣電路102自0狀態設為1狀態，且經由取樣電路102，來自感測線(n)之輸出供給至儲存電容103。
取樣信號為High之狀態中，若驅動線DL1中施加之信號為High，則產生向儲存電容103之電荷移動，在驅動線DL1中施加之信號為High之狀態中，藉由將取樣信號設為Low之狀態，即使驅動線DL1中施加之信號為Low狀態，仍可保持其狀態維持(保持)上述電荷。
在本實施形態中，如圖23所示，由於將積分次數Nint 設為4次，故4次重複電荷移動及維持(保持)之後，利用測定機構106，經由輸出放大器104，測定電容。
測定後，再次使復位信號為High，使儲存電容103接地，並復位儲存電容103。
圖25係用以說明各步驟(STEP)之取樣電路102與復位開關105之狀態之圖。
如圖所示，STEP A為全體復位之情形，在該情形中，取樣電路102為0狀態，且使感測線(n)接地，復位開關105使儲存電容103接地，並復位儲存電容103。
STEP B為自復位信號為Low狀態至取樣信號為High狀態之DEADTIME(無作用時間)。
STEP C顯示取樣電路102為1狀態，經由取樣電路102，來自感測線(n)之輸出供給至儲存電容103之狀態之電荷移動狀態。
且，STEP D為取樣信號為Low狀態之後，驅動線DL1中施加之信號為Low狀態之前之DEADTIME(無作用時間)。
STEP E顯示取樣電路102為0狀態，感測線(n)與儲存電容103電性分離維持(保持)。
上述STEP B至E經4次重複後，在STEP F中，取樣電路102保持維持0狀態，感測線(n)與儲存電容103電性分離維持之狀態下，利用測定機構106，經由輸出放大器104，測定電容。
如圖23所示，上述觸控面板之逐次驅動方式中，由於對驅動線DL1．DL2...DLn依序施加具有特定波形之信號較費時間，故感測所需之時間Tsense 亦變長。
因此，如此利用逐次驅動方式驅動之觸控面板中，如圖21所示，由於難以在限制之休止(1 V反馳)期間之間增加感測次數(積分次數)，故難以實現使S/N比提高，且高精度地進行位置檢測之觸控面板。
另一方面，基於圖4至圖9，就以液晶顯示裝置1中具備之並行驅動方式驅動之觸控面板進行說明。
圖4係顯示液晶顯示裝置1中具備之觸控面板之概略構成之圖。
如圖所示，驅動線驅動電路21具備驅動線選擇電路22與M序列產生電路23，感測線驅動電路24具備：感測線選擇電路25；放大電路26；A/D轉換電路27；相關值算出電路28；及觸控位置檢測電路29。
且，觸控面板之控制電路20，自液晶面板之時序控制器13接收閘極時脈GCK及閘極起動脈衝GSP，並判斷液晶面板側為寫入期間或為休止期間，為休止期間之情形，對驅動線驅動電路21及感測線驅動電路24發送用以使觸控面板並行驅動之特定之信號。
圖5係顯示M序列產生電路23中具備之M序列產生器30之圖。
M序列產生器30，根據輸入之時脈，生成包含0或1之M序列信號。
如圖所示，M序列產生器30，具備級聯連接之8個正反器，且以發生8次M序列之電路，發生週期=28 -1=255時脈之M序列。
圖中，左起第2段、第3段、第4段及第8段之正反器之輸出Q，如圖所示連接於3個XOR電路(互斥或邏輯)之輸入端子，圖中，最左側之XOR電路之輸出，連接於左起第1段之正反器之資料輸入端子D，且亦連接於連接於位移暫存器之M序列產生器30之輸出端子，發生M序列信號M(i)。
8個正反器之Q輸出，根據自觸控面板之控制電路20供給之復位脈衝rm，全部變定為1，從而完成初期設定。且，時脈ck1繼續供給，每次輸入時脈ck1之開始，以時間序列 M(0)、M(1)...M(n-1)、M(K-1)之M序列信號輸出至M序列產生器30之輸出端子中。
圖6係驅動線驅動電路21之概略構成之圖。
如圖所示，M序列產生電路23中，自M序列產生器30之輸出端子輸出之M序列信號輸入至位移暫存器31，從而每次輸入時脈ck1時移動資料。
且，本實施形態中，將複數根驅動線DL1．DL2...每4個一組進行劃分，並使之驅動，在位移暫存器31中，具備僅驅動線DL1．DL2...之1/4之數量之段與輸出端子。
又，自位移暫存器31之各段之輸出端子，輸出編碼行信號(編碼行1．編碼行2...)。
又，驅動線選擇電路22中，鄰接之4根驅動線DL1．DL2．DL3．DL4、鄰接之4根驅動線DL5．DL6．DL7．DL8、鄰接之4根驅動線DLn-3．DLn-2．DLn-1．DLn之每一根中設置有一個開關22a．22b．22c．22d...。
且，自位移暫存器31之各段之輸出端子輸出之編碼行1．編碼行2...同時供給至由開關22a．22b．22c．22d...分別選擇之驅動線DL1．DL5．DL9．DL13...。
然後，經過特定時間後，即，結束對由開關22a．22b．22c．22d...分別選擇之驅動線DL1．DL5．DL9．DL13...供給編碼行1．編碼行2...後，22a．22b．22c．22d...分別選擇驅動線DL2．DL6．DL10．DL14...，並同時供給編碼行1．編碼行2...。
以該重複，可對全部之驅動線DL1．DL2．DL3...供給編碼 行1．編碼行2...。
根據上述方法，可對開關22a．22b．22c．22d...之數根驅動線同時供給編碼行1．編碼行2...。例如，若將開關22a．22b．22c．22d...設為12個，則可將對全部之驅動線DL1．DL2．DL3...供給編碼行1．編碼行2...所用之時間縮短為先前之1/12。
另，圖6所示之波形信號表示編碼行1．編碼行2...之一例。
圖7係顯示感測線驅動電路24中具備之感測線選擇電路25與放大電路26之概略構成之圖。
如圖所示，感測線選擇電路25中，鄰接之8根感測線SeL1．SeL2...SeL8之每一根中設置有一個開關。
且，基於來自觸控面板之控制電路20之信號，切換上述開關所選擇之感測線SeL1．SeL2...SeL8。
由於藉由具備如此之感測線選擇電路25，可自感測線同時檢測檢測信號，故例如若將上述開關設置為16個，則自全部之感測線SeL1．SeL2...SeLn檢測檢測信號所用之時間與先前之掃描方式相比較，可縮短至1/16。
放大電路26中，具備包含運算放大器與並聯連接於上述運算放大器之電容器而構成之I/V轉換電路26a與切換開關26b。
來自由上述開關選擇之感測線之信號，利用上述運算放大器被放大至特定之信號位準後，經由切換開關26b輸出至A/D轉換電路27。
圖8係顯示相關值算出電路28之概略構成之圖。
如圖所示，相關值算出電路28，具備：信號延遲電路28a；暫存器28b；相關器28c；運算用編碼行生成電路28d；及相關值記憶電路28e。
暫存器28b設置於構成信號延遲電路28a之複數個D-正反器電路之輸出端子與相關器28c之間，並暫時記憶自各D-正反器電路輸出之檢測信號B1...Bn。
相關器28c係對來自暫存器28b之資料C1...Cn與來自運算用編碼行生成電路28d之資料D1...Dn進行相關運算並算出相關值之電路，在觸控面板上不存在檢測對象物即手指等之情形下，可得到一定之值之相關值，在觸控面板上存在檢測對象物即手指等之情形下，可得到與該一定之值不同之值之相關值，藉此可檢測觸控位置。
且，相關器28c之輸出連接於相關值記憶電路28e。
運算用編碼行生成電路28d係將基於自M序列產生電路23輸出之編碼行1．編碼行2...而生成之運算用編碼行供給至相關器28c之電路。
相關值記憶電路28e為用以暫時記憶自相關器28c輸出之相關值之記憶部，並連接於觸控位置檢測電路29。
圖9係用以說明藉由使用並行驅動，可縮短觸控面板之感測之時間之效果之圖。
圖9(a)顯示逐次驅動之情形之感測時間Tsense ，另一方面，圖9(b)顯示並行驅動之情形之感測時間Tsense 。
DL波形週期Tdrive 與積分次數Nint 相同之情形，可以可進 行並行驅動之驅動線之根數程度，使並行驅動之情形之感測時間Tsense 較逐次驅動之情形之感測時間Tsense 短。
因此，由於限制之休止期間之間可增加感測次數(積分次數)，故可實現具備可使S/N比提高，且可高精度地進行位置檢測之觸控面板之液晶顯示裝置1。
另，本實施形態中，作為編碼行，雖使用M序列信號，但並不限定於此，例如，可使用阿達馬編碼行。
又，本實施形態中，雖根據進行編碼行之相關運算求得之相關值檢測檢測對象物之位置，但並不限定於此，可根據進行編碼行之復原運算求得之復原值檢測檢測對象物之位置。
[實施形態2]
接著，基於圖10至圖12，就本發明之第2實施形態進行說明。本實施形態之液晶顯示裝置中，具備以實施形態1中說明之並行驅動方式驅動之觸控面板，且作為上述液晶顯示裝置之液晶面板中具備之像素TFT元件之半導體層，使用包含選自In、Ga、Zn之至少一種元素之氧化物層(以下稱為IGZO層)或多晶矽層(以下稱為聚Si層)或連續晶界結晶矽層(以下稱為CGS層)之點上，與實施形態1不同，關於其他之構成與實施形態1中說明相同。為了說明之方便，關於具有與上述實施形態1之圖面上述之零件相同之功能之零件，添附相同符號，省略其說明。
圖10係用以說明可用作本實施形態之液晶顯示裝置之液晶面板中具備之像素TFT元件之各種半導體層與為上述實 施形態1中使用之半導體層之α-Si層之各種特性之差異之圖。
如圖所示，半導體層之遷移率中，為α-Si層<IGZO層<聚Si層=CGS層之順序，自對液晶顯示裝置1中具備之複數個像素依序以更短時間寫入圖像資料之方面而言，聚Si層與CGS層較有利。
由於若可以更短時間進行上述寫入，則可較短地設定1訊框期間中之寫入期間(詳情如後述)，因而可較長地設定觸控面板之可驅動期間即休止期間，故可增加觸控面板之感測之積分次數，從而可實現可使S/N比提高、且可高精度地進行位置檢測之液晶顯示裝置1。
另一方面，斷開時之洩漏特性中，IGZO層最優異，尤其，IGZO層由於為寬能帶隙，故光洩漏量與α-Si層、聚Si層及CGS層相比特別少。
由於若斷開時之洩漏電流量較少，則可實現休止驅動(低頻率驅動)，故可較長地設定上述寫入期間，且可較長地設定1訊框期間。
若較長地設定1訊框期間，則在上述寫入期間之長度一定之情形下，可較長地設定觸控面板之可驅動期間即休止期間。
因此，由於使用較長設定之上述休止期間，可增加觸控面板之感測之積分次數，故可實現可使S/N比提高、且可高精度地進行位置檢測之液晶顯示裝置。
又，在製程成本方面，於α-Si層及IGZO層之形成步驟 中，需要之遮罩片數為3~5片，且不需要雷射退火，而相對的，在聚Si層及CGS層之形成步驟中，需要之遮罩片數為10片左右，且另外需要雷射退火。
因此，α-Si層及IGZO層在製程成本方面有利。
考慮以上各要件，在本實施形態中，藉由使用IGZO層作為像素TFT元件之半導體層，可以低成本實現高性能之液晶顯示裝置1。
即，本實施形態之液晶顯示裝置中，由於具備以並行驅動方式驅動之觸控面板，故可縮短感測時間，且由於作為像素TFT元件之半導體層可使用IGZO層，故可縮短液晶面板之1訊框期間之寫入期間或延長寫入週期。
因此，由於可增加觸控面板之感測次數(積分次數)，故可實現具備可使S/N比提高，且可高精度地進行位置檢測之觸控面板之液晶顯示裝置1。
另，本實施形態中，雖就作為像素TFT元件之半導體層，使用IGZO層之情形進行說明，但並不限定於此，作為像素TFT元件之半導體層，亦可使用聚Si層或CGS層。
最後，若就像素TFT元件之較好之構造進行研究，則IGZO層雖遷移率不及於聚Si層及CGS層，但由於光洩漏量較少，故可使用如圖所示之單閘極TFT(包含一個TFT元件與一個S/D電極之構造)。
上述單閘極TFT與雙閘極TFT(具有二個TFT元件與LDD部之構造)相比較，由於通道長度為一半或無LDD部之電阻部分，故驅動能力較高。
另一方面，由於聚Si層及CGS層與IGZO層相比遷移率高，且光洩漏量大，故若使用如圖所示之雙閘極TFT(具有二個TFT元件與LDD部之構造)，可抑制光洩漏量。
因此，具備本實施形態中使用之IGZO層之單閘極TFT即像素TFT元件之驅動能力，為可與具備聚Si層或CGS層之雙閘極TFT元件之驅動能力匹敵者。
以下，基於圖11及圖12，針對具備具有本實施形態中使用之IGZO層之單閘極TFT即像素TFT元件之情形，於圖4所示之液晶面板之時序控制器13中可設定之液晶顯示裝置之驅動方法進行說明。
圖11係顯示使本實施形態之液晶顯示裝置中具備之液晶面板以30 Hz低頻率驅動之情形之1訊框期間中之寫入期間與可進行觸控面板之驅動之休止期間之圖。
圖11(a)所示之設定中，由於使上述液晶顯示裝置中具備之液晶面板以30 Hz低頻率驅動，故與圖21所示之60 Hz驅動時相比較，可將1訊框期間設定為2倍長即33.3 ms。
寫入期間雖與圖21所示之60 Hz驅動時不變，但利用洩漏電流量較少之特徵，藉由使液晶面板低頻率驅動，可確保休止期間與圖21所示之60 Hz驅動時相比較長16.7 ms。
圖11(b)所示之設定中，亦由於使液晶顯示裝置中具備之液晶面板以30 Hz低頻率驅動，故與圖21所示之60 Hz驅動時相比較，可將1訊框期間設定為2倍長即33.3 ms。
且，使用驅動能力較高之像素TFT元件，進行2倍速寫入，與圖11(a)或圖21所示之情形相比較，可將寫入期間縮 短為1/2。因此，在該情形中，可較圖11(a)之情形更長地確保休止期間。
圖12係顯示使液晶顯示裝置中具備之液晶面板以60 Hz驅動，使觸控面板以120 Hz驅動之情形之圖。
圖12(a)所示之設定中，由於使液晶顯示裝置中具備之液晶面板以60 Hz驅動，故1訊框期間為16.7 ms，但進行2倍速寫入，與圖21所示之情形相比較，由於可將寫入期間縮短為1/2，故可較長地確保休止期間。
在1訊框期間中之上述休止期間之初期與末期分成2次使觸控面板驅動，藉此可使液晶面板以60 Hz驅動，使觸控面板以120 Hz驅動。
圖12(b)所示之設定中，由於使液晶顯示裝置中具備之液晶面板以60 Hz驅動，故1訊框期間為16.7 ms，但使用驅動能力較高之像素TFT元件進行2倍速寫入，與圖21所示之情形相比較，使寫入期間縮短為1/2，且在1訊框期間中，分成2次進行寫入。
在1訊框期間中，由於在分成2次之寫入期間之後，設定休止期間，故1訊框期間中觸控面板之驅動期間設為2次。
因此，可使液晶面板以60 Hz驅動，使觸控面板以120 Hz驅動。
另，圖11及圖12所示之設定為一例，本發明並不限定於此，例如，如圖12所示之在1訊框期間中複數次設定觸控面板之驅動期間之設定亦可應用於使液晶面板低頻率驅動之情形此點不言而喻。
另，在像素TFT元件中具備之半導體層為聚Si層或CGS層之情形下，雖由於洩漏電流量比較大，故上述液晶顯示裝置之驅動方法中，難以使液晶面板低頻率驅動，但可應用除此之外之驅動方法。
[實施形態3]
接著，基於圖13至圖15，就本發明之第3實施形態進行說明。本實施形態之液晶顯示裝置中，如實施形態1中說明般使觸控面板並行驅動，如實施形態2中說明般作為上述液晶顯示裝置之液晶面板中具備之像素TFT元件之半導體層，使用IGZO層，且在液晶面板側，亦為降低共用電極層9之電阻，設置包含金屬之導電層32，並使共用電極層9與導電層32電性連接此點上與實施形態1及實施形態2不同，關於其他之構成與實施形態1及實施形態2中說明相同。為了說明之方便，關於具有與上述實施形態1及實施形態2之圖面所示之零件相同之功能之零件，添附相同符號，省略其說明。
圖13係顯示驅動線(Drive Line)及感測線(Sense Line)之附近形成有電阻比較高之共用電極層(CITO)之情形之觸控面板之等價電路之圖。
本來，僅驅動線(Drive Line)及感測線(Sense Line)之間，形成有可變電容CD-S ，自驅動線(Drive Line)之Vin輸入之特定波形之信號，雖應經由可變電容CD-S 與感測線(Sense Line)，自Vout輸出，但在驅動線(Drive Line)及感測線(Sense Line)之附近，形成有電阻比較高之共用電極 層(CITO)之情形下，共用電極層(CITO)與驅動線(Drive Line)之間及共用電極層(CITO)與感測線(Sense Line)之間，形成有為不需要之電容之CD-C 與CC-S ，經由該等電容亦流動有自上述Vin輸入之特定波形之信號。
圖14(a)中，顯示用於使用圖13中追加GND之模型，進行模擬之參數之值。
又，圖14(b)分別顯示共用電極層(CITO)之電阻為39 Ω與390 Ω之情形下求得之模擬波形之結果。
如圖所示，在共用電極層(CITO)之電阻為39 Ω之情形下，向Vout之Over Flow方向之振動較小，Vout較早地達到會聚點。另一方面，在共用電極層(CITO)之電阻為390 Ω之情形下，向Vout之Over Flow方向之振動較大，Vout達到會聚點需要相當多之時間。
因此，存在在共用電極層(CITO)之電阻較高之情形下，觸控面板之感測時間變長之問題。
因此，本實施形態中，為降低共用電極層9之電阻，設置包含金屬之導電層32，使共用電極層9與導電層32電性連接，藉此，使觸控面板之感測時間縮短。
圖15係顯示使共用電極層9與導電層32電性連接之方法之一例之圖。
圖15(a)所示之彩色濾光片基板1c中，設置與橋接電極7電性分離之包含金屬之導電層32後，設置具有接點孔28之第2絕緣層8與黑色矩陣及彩色濾光片層4之後，形成共用電極層9，藉此，共用電極層9與包含金屬之導電層32電性 連接，從而可降低共用電極層9之電阻。
另一方面，圖15(b)所示之彩色濾光片基板1d中，液晶面板之端部中，共用電極層9與導電層32電性連接。
一般而言，共用電極層9，由於為確保透光性，以為透明導電膜之ITO(Indium Tin Oxide：氧化銦錫)或IZO(Indium Zinc Oxide：氧化銦鋅)形成，故電阻較高。
根據上述構成，由於電阻較高之共用電極層9與包含金屬之導電層32電性連接，故可降低共用電極層9之電阻，從而可抑制Vout大幅振動。因此，由於可縮短感測時間，故可實現可使S/N比提高，且可高精度地進行位置檢測之液晶顯示裝置。
又，具備如本實施形態所示之內置感測器之觸控面板之情形，可更適宜地使用本發明。
另，本實施形態中，包含金屬之導電層32以與橋接電極7之形成層相同之材料形成。
如此之情形，由於橋接電極7與導電層32以相同材料形成，故可以一個步驟形成，從而可減少液晶顯示裝置之製造步驟數。
另，本實施形態中，包含金屬之導電層32，例如，較好為以鈦(Ti)、銅(Cu)、金(Au)、鋁(Al)、鎢(W)、鋅(Zn)、鎳(Ni)、錫(Sn)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鉭(Ta)等之電阻較低之金屬及其金屬化合物以及金屬矽化物等之金屬材料形成。
本實施形態之液晶顯示裝置中，由於具備以並行驅動方式驅動之觸控面板，故可縮短感測時間，且由於作為像素 TFT元件之半導體層使用IGZO層，故可縮短液晶面板之1訊框期間之寫入期間或延長寫入週期，再者，由於藉由設置包含金屬之導電層32，並使共用電極層9與導電層32電性連接，可縮短觸控面板之感測時間，故可增加觸控面板之感測次數(積分次數)，從而可實現具備可使S/N比提高，且可高精度地進行位置檢測之觸控面板之液晶顯示裝置。
另，本實施形態中，雖使用如實施形態1中說明般使觸控面板並行驅動，且如實施形態2中說明般作為上述液晶顯示裝置之液晶面板中具備之像素TFT元件之半導體層，使用IGZO層之構成，但並不限定於此，像素TFT元件之半導體層無特別限定，可使用具備並行驅動之觸控面板之構成。
本發明之顯示裝置中，上述編碼行，為自M序列產生電路生成之M序列信號，上述位置檢測部之檢測電路，根據進行經由上述複數根第2佈線、自上述位置檢測元件輸出之信號與複數個上述編碼行之相關運算而求得之相關值檢測出存在上述檢測對象物之部位為宜。
根據上述構成，可比較容易地生成上述編碼行。
因此，可將顯示裝置大型化，或低價製作。
本發明之顯示裝置，較好的是，上述複數根第1佈線為排列於第1方向之複數個第1電極，上述複數根第2佈線為排列於與上述第1方向不同之第2方向之複數個第2電極；上述第1電極與上述第2電極係以相互交叉之方式設置；上 述第1電極與上述第2電極之間設置有絕緣層；上述複數個位置檢測元件為上述第1電極與上述第2電極鄰接之複數個部位中形成之電容；供給至上述複數個第1電極之具有各自不同之編碼行之信號，經由上述電容，自上述第2電極輸出；上述電容，因上述第1電極與上述第2電極鄰接之部位上之檢測對象物之有無而不同；且上述位置檢測部之檢測電路，根據經由上述電容自上述第2電極輸出之信號，檢測上述第1電極與上述第2電極鄰接之複數個部位中存在上述檢測對象物之部位。
根據上述構成，具備手指等之檢測對象物在複數個部位接觸之情形，可檢測出其複數個部位之位置，即，為具有多觸控檢測功能之靜電電容方式之一種之相互電容方式之位置檢測部。
因此，可實現具備具有多觸控檢測功能，且可使S/N比提高，可高精度地進行位置檢測之位置檢測部與顯示部之顯示裝置。
本發明之顯示裝置，較好的是，上述第1電極及上述第2電極之各者，有複數個特定形狀之單元電極電性連接而形成；上述第1電極及上述第2電極之任意一者，鄰接之上述單元電極彼此，係利用為與上述第1電極及上述第2電極不同之層之第1導電層而電性連接；上述第1電極之單元電極與上述第2電極之單元電極，係以俯視時不重疊而相互鄰接之方式，形成於同一平面上。
根據上述構成，由於上述第1電極之單元電極與上述第2 電極之單元電極形成於同一平面上，故可實現具備更薄型之位置檢測部與顯示部之顯示裝置。
又，根據上述構成，由於上述第1電極之單元電極與上述第2電極之單元電極形成於同一平面上，故例如，如液晶顯示裝置般具備共用電極層之構成中，可得到上述第1電極之單元電極與上述第2電極之單元電極與共用電極層之間之距離。因此，與將上述第1電極之單元電極與上述第2電極之單元電極設置於不同層之情形相比較，可減小上述第1電極之單元電極及上述第2電極之單元電極與上述共用電極層之間產生之寄生電容。
因此，根據上述構成，可實現具備位置檢測性能較高，可進行穩定之位置檢測動作之位置檢測部與顯示部之顯示裝置。
本發明之顯示裝置，較好的是，上述位置檢測部之控制電路，以在上述第2期間中以特定之週期進行複數次感測之方式設定。
本發明之顯示裝置之上述顯示部之1訊框期間中，較好的是，上述第1期間與上述第2期間被分割為複數個；上述顯示部之時序控制部，係以在上述1訊框期間中以特定週期分成複數次依序進行圖像資料之寫入之方式設定；上述位置檢測部之控制電路，係以在上述1訊框期間中以特定週期進行複數次感測之方式設定。
根據上述構成，可實現可使上述位置檢測部之驅動頻率較顯示部之驅動頻率高，且具備可更高精度進行位置檢測 之位置檢測部與顯示部之顯示裝置。
本發明之顯示裝置，較好的是，上述顯示部，具備夾於上側基板與下側基板之間之液晶層；上述上側基板與上述下側基板之任意一者，具備共用電極層；包含金屬之第2導電層係與上述第1導電層形成於同一平面上，且與上述第1導電層電性分離；上述第2導電層與上述共用電極層電性連接。
一般而言，上述共用電極層，由於為確保透光性，以為透明導電膜之ITO(Indium Tin Oxide：氧化銦錫)或IZO(Indium Zinc Oxide：氧化銦鋅)形成，故電阻較高。
上述第1電極及上述第2電極鄰接之部位中，有電阻較高之共用電極層之情形，由於位置檢測信號大幅振動，在穩定之前需要大量時間，故感測需要大量時間。
根據上述構成，由於電阻較高之共用電極層與包含金屬之第2導電層電性連接，故可降低上述共用電極層之電阻，從而可抑制位置檢測信號大幅振動。因此，由於可縮短感測時間，故可實現具備可使S/N比提高，且可高精度地進行位置檢測之位置檢測部與液晶面板之顯示裝置。
本發明之顯示裝置，較好的是，上述第1導電層與上述第2導電層以相同材料形成。
根據上述構成，上述第1導電層與上述第2導電層由於以相同材料構成，故可在一個步驟中形成。
因此，可減少上述顯示裝置之製造步驟數。
本發明之顯示裝置，較好的是，上述顯示部具備上側基 板與下側基板，上述位置檢測部設置於上述上側基板與上述下側基板之間。
具備內置感測器型之位置檢測部之顯示裝置中，由於位置檢測部與共用電極層之距離更短，故位置檢測信號更大幅度振動，在穩定之前需要大量時間，因此感測需要大量時間。
因此，具備內置感測器型之位置檢測部之顯示裝置中，可更適宜地使用本發明。
本發明之顯示裝置中，上述顯示部，較好為具備液晶層之液晶面板。
根據上述構成，可實現具備可使S/N比提高，且可高精度地進行位置檢測之位置檢測部與液晶面板之顯示裝置。
本發明之顯示裝置中，上述顯示部較好為具備有機發光層之有機EL。
根據上述構成，可實現具備可使S/N比提高，且可高精度地進行位置檢測之位置檢測部與有機EL面板之有機EL顯示裝置。
本發明之顯示裝置，較好的是，上述顯示部之各像素具備主動元件，上述主動元件之半導體層以包含選自In、Ga、Zn之至少一種元素之氧化物層形成。
根據上述構成，上述顯示部之每個像素中具備之主動元件之半導體層，以較非晶質矽層(α-Si層)遷移率高之半導體層形成。因此，可較短地設定在上述顯示部中具備之複數個像素中依序進行圖像資料之寫入之第1期間，在1訊框 期間中，可相對較長地設定第2期間。
因此，由於使用相對較長設定之上述第2期間，可增加上述位置檢測部之感測次數，故可實現具備可使S/N比提高，且可高精度地進行位置檢測之位置檢測部與顯示部之顯示裝置。
另一方面，由於上述顯示部之每個像素中具備之主動元件之半導體層以包含選自In、Ga、Zn之至少一種元素之氧化物層形成，故上述主動元件之斷開時之洩漏電流量較小，因此可較長地設定在上述顯示部中具備之複數個像素中依序進行圖像資料之寫入之第1期間之週期，從而可較長地設定1訊框期間。
若較長地設定1訊框期間，則上述第1期間之長度為一定之情形，可較長地設定上述第2期間。
因此，由於使用較長設定之上述第2期間，可增加上述位置檢測部之感測次數，故可實現具備可使S/N比提高，且可高精度地進行位置檢測之位置檢測部與顯示部之顯示裝置。
又，由於可較長地設定上述第2期間，故可使上述位置檢測部之驅動頻率較顯示部之驅動頻率高，從而可實現具備可更高精度地進行位置檢測之位置檢測部與顯示部之顯示裝置。
本發明之顯示裝置，較好的是，上述顯示部之各像素具備主動元件，上述主動元件之半導體層以多晶矽層及連續晶界結晶矽層中之任意一層形成。
根據上述構成，上述顯示部之每個像素中具備之主動元件之半導體層以較非晶質矽層(α-Si層)遷移率高之半導體層形成。因此，可較短地設定在上述顯示部中具備之複數個像素中依序進行圖像資料之寫入之第1期間，在1訊框期間中，可相對較長地設定第2期間。
因此，由於使用相對較長設定之上述第2期間，可增加上述位置檢測部之感測次數，故可實現具備可使S/N比提高，且可高精度地進行位置檢測之位置檢測部與顯示部之顯示裝置。
本發明之顯示裝置，較好的是，上述像素部之各像素中，作為上述主動元件，設置有單閘極電晶體。
根據上述構成，由於上述主動元件之斷開時之洩漏電流量較小，故作為主動元件，可使用單閘極電晶體。
單閘極電晶體，與雙閘極電晶體相比較，由於通道長度為一半，且無LDD部分之電阻，故驅動能力較高，且上述顯示部之各像素中不會引起開口率之降低。
因此，可實現具備可使S/N比提高，且可高精度地進行位置檢測之位置檢測部與開口率較高之顯示部之顯示裝置。
本發明之顯示裝置，較好的是，上述顯示部之各像素中，作為上述主動元件，設置有雙閘極型電晶體。
根據上述構成，由於上述顯示部之每個像素中具備之主動元件之洩漏電流量(尤其光之洩漏電流量)比較大，故為降低如此之洩漏電流量，使用雙閘極電晶體。
因此，上述顯示部之每個像素中具備之主動元件之半導體層，以洩漏電流量(尤其光之洩漏電流量)比較大之多晶矽層及連續晶界結晶矽層中之任一層形成之情形，亦可實現具備可使S/N比提高，且可高精度地進行位置檢測之位置檢測部與開口率較高之顯示部之顯示裝置。
本發明並非限定於上述各實施形態者，可在技術方案所示之範圍中進行各種更改，關於適宜組合不同實施形態分別揭示之技術機構而得到之實施形態亦包含於本發明之技術範圍中。
[產業上之可利用性]
本發明可適宜使用於顯示裝置。
1‧‧‧液晶顯示裝置(顯示裝置)
1a‧‧‧TFT基板
1c‧‧‧彩色濾光片基板
1d‧‧‧彩色濾光片基板
2‧‧‧絕緣基板(下側基板)
3‧‧‧絕緣基板(上側基板)
4‧‧‧黑色矩陣及彩色濾光片層
5a‧‧‧驅動電極(第1佈線．第1電極)
5b‧‧‧感測電極(第2佈線．第2電極)
6‧‧‧第1絕緣層
7‧‧‧橋接電極
8‧‧‧第2絕緣層
9‧‧‧共用電極層
10‧‧‧液晶層
11‧‧‧像素TFT元件
12‧‧‧像素電極
13‧‧‧液晶面板之時序控制器(時序控制部)
14‧‧‧掃描信號線驅動電路
15‧‧‧資料信號線驅動電路
16‧‧‧SEM半導體層
20‧‧‧觸控面板之控制電路(位置檢測部之控制電路)
21‧‧‧驅動線驅動電路
22‧‧‧驅動線選擇電路
23‧‧‧M序列產生電路
24‧‧‧感測線驅動電路
25‧‧‧感測線選擇電路
26‧‧‧放大電路
27‧‧‧A/D轉換電路
28‧‧‧相關值算出電路
29‧‧‧觸控位置檢測電路
32‧‧‧包含金屬之導電層
DL1‧‧‧驅動線
DL2‧‧‧驅動線
DL3‧‧‧驅動線
DLn‧‧‧驅動線(第1佈線．第1電極)
GLn‧‧‧掃描信號線
SeL1‧‧‧感測線
SeL2‧‧‧感測線
SeL3‧‧‧感測線
SeLn‧‧‧感測線(第2佈線．第2電極)
SLn‧‧‧資料信號線
圖1係顯示本發明之一實施形態之液晶顯示裝置之概略構成之圖。
圖2(a)、(b)係顯示本發明之一實施形態之液晶顯示裝置中具備之TFT基板之概略構成之圖。
圖3係顯示本發明之一實施形態之液晶顯示裝置中具備之觸控面板之驅動電極及感測電極之形狀之圖。
圖4係顯示本發明之一實施形態之液晶顯示裝置中具備之觸控面板之概略構成之圖。
圖5係顯示本發明之一實施形態之液晶顯示裝置之M序列產生電路中具備之M序列產生器之圖。
圖6係顯示本發明之一實施形態之液晶顯示裝置中具備之驅動線驅動電路之概略構成之圖。
圖7係顯示本發明之一實施形態之液晶顯示裝置之感測線驅動電路中具備之感測線選擇電路與放大電路之概略構成之圖。
圖8係顯示本發明之一實施形態之液晶顯示裝置之感測線驅動電路中具備之相關值算出電路之概略構成之圖。
圖9(a)、(b)係用以說明藉由使用並行驅動，可縮短觸控面板之感測之時間之效果之圖。
圖10係用以說明可用作本發明之另一實施形態之液晶顯示裝置中具備之像素TFT元件之各種半導體層與非晶質矽層之各種特性之差之圖。
圖11(a)、(b)係顯示使本發明之另一實施形態之液晶顯示裝置中具備之液晶顯示面板以30 Hz低頻率驅動之情形之1訊框期間之寫入期間與可進行觸控面板之驅動之休止期間之圖。
圖12(a)、(b)係顯示使本發明之另一實施形態之液晶顯示裝置中具備之液晶顯示面板以60 Hz驅動，使觸控面板以120 Hz驅動之情形之圖。
圖13係顯示驅動線(Drive Line)及感測線(Sense Line)之附近形成有電阻比較高之共用電極層(CITO)之情形之觸控面板之等價電路之圖。
圖14(a)、(b)係顯示用於使用圖13所示之等價電路中追加GND之模型進行模擬之參數之值與模擬波形之結果之圖。
圖15(a)、(b)係顯示在本發明之又另一實施形態之液晶 顯示裝置中，使共用電極層與導電層電性連接之方法之一例之圖。
圖16係顯示具備先前之一般之觸控面板之顯示裝置之概略構成之圖。
圖17係顯示根據液晶面板之有無，觸控面板所接收之雜訊量之變化之圖。
圖18係顯示具備非專利文獻1中記載之觸控面板之顯示裝置之概略構成之圖。
圖19係顯示圖18所示之顯示裝置之驅動時序之圖。
圖20(a)、(b)係顯示為靜電電容方式之一種之相互電容方式之觸控面板之概略構成與其動作原理之圖。
圖21係顯示在先前之構成中，使液晶面板以60 Hz驅動之情形之一訊框期間(16.7 ms)中之寫入期間與休止(1 V反馳)期間之圖。
圖22係顯示先前之觸控面板之概略構成之圖。
圖23係顯示先前之觸控面板之各個驅動線DL1．DL2...DLn中施加之各個信號之圖。
圖24係顯示先前之觸控面板之驅動時序圖之圖。
圖25係用以說明圖24所示之觸控面板之驅動時序圖之各步驟(STEP)之取樣電路與復位開關之狀態之圖。
13‧‧‧液晶面板之時序控制器
20‧‧‧觸控面板之控制電路
21‧‧‧驅動線驅動電路
22‧‧‧驅動線選擇電路
23‧‧‧M序列產生電路
24‧‧‧感測線驅動電路
25‧‧‧感測線選擇電路
26‧‧‧放大電路
27‧‧‧A/D轉換電路
28‧‧‧相關值算出電路
29‧‧‧觸控位置檢測電路
DL1‧‧‧驅動線
DL2‧‧‧驅動線
DL3‧‧‧驅動線
DLn‧‧‧驅動線
SeL1‧‧‧感測線
SeL2‧‧‧感測線
SeL3‧‧‧感測線
SeLn‧‧‧感測線

Claims (13)

  1. 一種顯示裝置，其特徵為具備位置檢測部與顯示部，且上述位置檢測部中，設置有形成為矩陣狀之複數個位置檢測元件；對上述複數個位置檢測元件之各者電性連接有相互電性分離之第1佈線及第2佈線；上述複數根第1佈線中，具備同時施加具有各自不同之編碼行之信號之編碼行信號供給電路；上述顯示部之1訊框期間，包含對上述顯示部中具備之複數個像素依序進行圖像資料之寫入之第1期間、與上述第1期間以外之期間即第2期間；在上述第2期間中經由上述複數根第2佈線，獲得自上述位置檢測元件輸出之信號；具備以根據進行自上述位置檢測元件輸出之信號與複數個上述編碼行之復原運算而求得之復原值，檢測存在檢測對象物之部位之方式設定之上述位置檢測部之控制電路；上述複數根第1佈線為排列於第1方向之複數個第1電極，上述複數根第2佈線為排列於與上述第1方向不同之第2方向之複數個第2電極；上述第1電極與上述第2電極係以相互交叉之方式設置；於上述第1電極與上述第2電極之間設置有絕緣層；上述複數個位置檢測元件為形成於上述第1電極與上 述第2電極鄰接之複數個部位中之電容；供給至上述複數個第1電極之具有各自不同之編碼行之信號，經由上述電容自上述第2電極輸出；上述電容因上述第1電極與上述第2電極鄰接之部位上之檢測對象物之有無而不同；上述位置檢測部之檢測電路根據經由上述電容自上述第2電極輸出之信號，檢測上述第1電極與上述第2電極鄰接之複數個部位中存在上述檢測對象物之部位；上述第1電極及上述第2電極之各者由複數個特定形狀之單元電極電性連接而形成；上述第1電極及上述第2電極之任意一者，其鄰接之上述單元電極彼此係利用與上述第1電極及上述第2電極不同之層即第1導電層而電性連接；且上述第1電極之單元電極與上述第2電極之單元電極係以俯視時不重疊而相互鄰接之方式形成於同一平面上。
  2. 如請求項1之顯示裝置，其中上述編碼行係自M序列產生電路生成之M序列信號；上述位置檢測部之檢測電路根據進行經由上述複數根第2佈線自上述位置檢測元件輸出之信號、與複數個上述編碼行之相關運算而求得之相關值，檢測存在上述檢測對象物之部位。
  3. 如請求項1或2之顯示裝置，其中上述位置檢測部之控制電路係以在上述第2期間中以特定之週期進行複數次感測之方式設定。
  4. 如請求項1或2之顯示裝置，其中於上述顯示部之1訊框期間中，上述第1期間與上述第2期間被分割為複數個；上述顯示部之時序控制部係以在上述1訊框期間中以特定週期分成複數次依序進行圖像資料之寫入之方式設定；且上述位置檢測部之控制電路係以在上述1訊框期間中以特定週期進行複數次感測之方式設定。
  5. 如請求項1或2之顯示裝置，其中上述顯示部具備夾於上側基板與下側基板之間之液晶層；於上述上側基板與上述下側基板之任意一者中具備共用電極層；包含金屬之第2導電層係與上述第1導電層形成於同一平面上，且與上述第1導電層電性分離；且上述第2導電層與上述共用電極層電性連接。
  6. 如請求項5之顯示裝置，其中上述第1導電層與上述第2導電層係以相同材料形成。
  7. 如請求項1或2之顯示裝置，其中上述顯示部具備上側基板與下側基板；上述位置檢測部係設置於上述上側基板與上述下側基板之間。
  8. 如請求項7之顯示裝置，其中上述顯示部為具備液晶層之液晶面板。
  9. 如請求項1或2之顯示裝置，其中上述顯示部為具備有機發光層之有機EL。
  10. 如請求項1或2之顯示裝置，其中上述顯示部之各像素中具備主動元件；上述主動元件之半導體層係以包含選自In、Ga、Zn之至少一種元素之氧化物層形成。
  11. 如請求項1或2之顯示裝置，其中上述顯示部之各像素中具備主動元件；上述主動元件之半導體層係以多晶矽層及連續晶界結晶矽層中之任意一層形成。
  12. 如請求項10之顯示裝置，其中於上述顯示部之各像素中，作為上述主動元件，設置有單閘極電晶體。
  13. 如請求項11之顯示裝置，其中於上述顯示部之各像素中，作為上述主動元件，設置有雙閘極型電晶體。
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