TWI497567B - 圖案形成方法 - Google Patents

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Description

圖案形成方法
本發明係關於利用側壁間隔件(sidewall spacer)法的圖案形成方法。
光阻圖案形成時使用之曝光光，於1980年代廣為使用將水銀燈之g線(436nm)或i線(365nm)作為光源的光曝光。作為更為微細化的方法，將曝光波長予以短波長化的方法據認為係有效，於1990年代之64M位元(加工尺寸0.25μm以下)DRAM(動態隨機存取記憶體)以後的量產製程中，係將曝光光源從i線(365nm)替換為使用短波長之KrF準分子雷射(248nm)。
但對於須更微細之加工技術(加工尺寸0.2μm以下)之積體度256M及1G以上之DRAM之製造，則須更短波長的光源，約莫從10年前開始已有人認真地探討使用ArF準分子雷射(193nm)之光微影。起初ArF微影應從180nm節點之元件製作開始應用，但是KrF準分子微影延用到130nm節點元件量產為止，ArF微影的正式應用是從90nm節點起。再者，已有人將其與NA提高到0.9之透鏡組合而進行65nm節點元件之量產。於之後的45nm節點元件，曝光波長之短波長化更推進，波長157nm之F2 微影成為候選。但是於投影透鏡大量使用昂貴的CaF2 單晶所造成之掃描曝光機的成本上升、因為軟性防護膠膜的耐久性極低而導入硬式防護膠膜所伴隨之光學系之變更、光阻膜之蝕刻耐性下降等各種問題，造成F2 微影的開發中止，而導入ArF浸潤微影。
ArF浸潤微影係在投影透鏡與晶圓之間以部分填滿的方式插入折射率1.44之水，藉此能進行高速掃描，並以NA1.3級之透鏡實施45nm節點元件之量產。
作為32nm節點之微影技術，波長13.5nm之真空紫外光(EUV)微影已列為候選。EUV微影之問題點，可列舉：雷射之高輸出化、光阻膜之高感度化、高解像度化、低邊緣粗糙度(LER)化、無缺陷MoSi疊層遮罩、反射鏡低色差化等，待克服的問題堆積如山。為32nm節點之另一候選者的高折射率浸潤微影，由於高折射率透鏡候選者的LUAG的穿透率低以及液體之折射率未達目標之1.8，故而中止開發。如此般地，已作為泛用技術使用的光曝光，正逐漸逼近源自於光源波長之本質的解像度極限。
因此，最近受注目的微細化技術之一為雙重圖案化製程，其係以第1次曝光與顯影形成圖案，並以第2次曝光在第1次圖案之正好間隔範圍形成圖案(非專利文獻1)。雙重圖案化的方法已有許多製程被提出。例如，有以下方法：以第1次曝光與顯影形成線與間隔為1：3之間隔之光阻圖案，以乾式蝕刻加工下層之硬遮罩，於其上再塗敷一層硬遮罩，在第1次曝光之間隔部分利用光阻膜之曝光與顯影形成線圖案，將硬遮罩以乾式蝕刻進行加工，而形成原先圖案之一半節距之線與間隔圖案。又，亦存在以下方法：以第1次曝光與顯影形成間隔與線為1：3之間隔之光阻圖案，以乾式蝕刻加工下層之硬遮罩，於其上塗佈光阻膜，在硬遮罩殘留的部分將第2次的間隔圖案曝光，將硬遮罩以乾式蝕刻加工。上述方法均進行2次的以乾式蝕刻加工硬遮罩的步驟。
前者之方法中，需要塗敷2次硬遮罩，後者之方法只要1層硬遮罩，但須形成比線圖案解像更為困難的溝渠(trench)圖案。又，後者之方法，有將負型光阻材料使用於溝渠圖案之形成的方法。此方法可使用與以正顯影圖案形成線時同樣高對比度的光，但是，比起正型光阻材料，負型光阻材料的溶解對比較低，因此比較以正型光阻材料形成線之情形與以負型光阻材料形成同尺寸之溝渠圖案之情形，使用負型光阻材料時的解像性較低。後 者之方法，亦可考慮應用：使用正型光阻材料並形成寬溝渠圖案後，將基板加熱使溝渠圖案收縮之熱流法，或在顯影後之溝渠圖案上塗佈水溶性膜後加熱使光阻膜表面交聯，藉此使溝渠收縮之RELACS法，但會產生接近性偏差(proximity bias)劣化的缺點，或製程更為煩雜化、處理量下降的缺點。
前者以及後者之方法，均須2次基板加工之蝕刻，因此，會有處理量下降與2次蝕刻所致之圖案變形或位置偏離的問題。
為了使蝕刻只要1次，有於第1次曝光使用負型光阻材料、第2次曝光使用正型光阻材料的方法。也有於第1次曝光使用正型光阻材料、第2次曝光使用溶解於正型光阻材料不溶解之碳數4以上之高級醇的負型光阻材料的方法。此等情形，由於使用解像性低的負型光阻材料，故會發生解像性之劣化。
已有人提案其他方法：將於第1次的曝光與顯影形成的圖案以反應性金屬化合物進行處理，使圖案不溶化後，再於第1次的圖案與圖案之間以曝光、顯影形成第2次的圖案(專利文獻1)。
如此的雙重圖案化中成為最關鍵問題者，係第1次圖案與第2次圖案之對位精度。由於位置偏離的大小會成為線的尺寸不均，例如若欲以10%精度形成32nm之線，須3.2nm以內的對位精度。由於現階段的掃描曝光機的對位精度約為8nm，故須大幅提高精度。
由於掃描曝光機之對位精度之問題、或將1個圖案分割成2個係困難，已有人探討以1次曝光使節距成為一半的方法。例如，已有人提案藉由將膜附加於線圖案兩側的側壁而使節距成為一半的方法(非專利文獻2)。此側壁間隔件法，已有人提案使用光阻下層的硬遮罩與填入於附加於其側壁的膜與膜之間的間隔的膜作為蝕刻圖案的間隔件間隔法、以及使用附加於光阻下層之硬遮罩側壁的膜作為蝕刻圖案的間隔件線法(非專利文獻3)。
再者，有人提案對於成為核心之圖案藉由CVD法以SiO2 、α-Si、α-C等形成側壁後，利用乾蝕刻去除核心圖案以使側壁成為圖案，而使圖案節距減半的側壁間隔件法。然而，形成側壁之際的加熱溫度須150℃以上，當以經曝光形成的光阻圖案作為核心時，於此溫度下圖案會崩塌，以作為間隔件之核心而言強度係不足。因此，進行將該光阻圖案以乾蝕刻轉印於成為核心材的SiO2 或α-C並於此形成側壁的複雜步驟。
如上述，伴隨近年圖案規則的微細化，一種能夠簡便且有效率地形成更微細之圖案的圖案形成方法正為人們所尋求。
【先前技術文獻】
【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2008-33174號公報
【非專利文獻】
【非專利文獻1】Proc. SPIE Vol. 5754 p1508(2005)
【非專利文獻2】J. Vac. Sci. Technol. B 17(6), Nov/Dec 1999
【非專利文獻3】第4次浸潤研討會(2007年)演講編號；PR-01，題名；Implementation of immersion lithogra phy to NAND/CMOS lithography to NAND/CMOS device manufacturing
本發明係鑑於上述情事而成者，其目的在提供能夠簡便且有效率地形成更微細之圖案、並且可應用於半導體製造處理之實用性高的圖案形成方法。
為了解決上述課題，本發明提供一種圖案形成方法，其包括： (1)獲得負顯影圖案之步驟，係於被加工基板上使用含酸產生劑的正型化學增幅型光阻膜材料形成光阻膜，將該光阻膜曝光，使用有機溶劑進行顯影，獲得負顯影圖案；(2)形成含矽膜之步驟，係將由利用熱或酸、或其兩者會使不溶於溶劑的含矽化合物及不溶解該負顯影圖案的溶劑構成之含矽膜形成用組成物塗佈於具有該負顯影圖案的被加工基板上，而形成含矽膜；(3)使該負顯影圖案之表面附近之該含矽膜溶劑不溶化之步驟，係藉由加熱、或以該負顯影圖案所含有的酸為觸媒、或藉由其兩者使該負顯影圖案之表面附近之該含矽膜溶劑不溶化；(4)獲得已不溶化之部分作為含矽膜圖案之步驟，係將未不溶化之部分之含矽膜以有機溶劑溶解去除，獲得已不溶化之部分作為含矽膜圖案；(5)使該負顯影圖案之上部露出之步驟，係將該含矽膜圖案之上部進行乾蝕刻或濕式蝕刻，使該負顯影圖案之上部露出；(6)將該負顯影圖案去除之步驟，係以乾蝕刻或濕式蝕刻將該負顯影圖案去除；(7)將圖案轉印於該被加工基板之步驟，係以該已將上部乾蝕刻或濕式蝕刻的含矽膜圖案作為蝕刻遮罩，將圖案轉印於該被加工基板。
在由正型化學增幅型光阻膜獲得的負顯影圖案中，大量存在曝光時產生的來自於酸產生劑的酸。藉由其作用可使包含於含矽膜中的含矽化合物於負顯影圖案之表面附近反應，並形成溶劑不溶化的含矽膜。接著，藉由將未不溶化的多餘之含矽膜以有機溶劑去除，可於負顯影圖案之表面附近只留下已不溶化的塗佈膜，並使其成為側壁。再者，該已不溶化的含矽膜與負顯影圖案，由於蝕刻選擇性不同，故可藉由乾蝕刻或濕式蝕刻在不對含矽膜圖案造成破壞的情況下去除負顯影圖案。藉由將獲得之含矽圖案作為蝕刻遮罩，可將已使圖案節距減半的圖案轉印於基板。
因此，本發明可提供能簡便且有效率地形成更微細之圖案、並可應用於半導體製造處理的實用性高的圖案形成方法。
又，本發明提供一種圖案形成方法，其包括： (1)獲得負顯影圖案之步驟，係於被加工基板上形成有機下層膜，於該有機下層膜上使用含酸產生劑的正型化學增幅型光阻膜材料形成光阻膜，將該光阻膜曝光，使用有機溶劑進行顯影，獲得負顯影圖案；(2)形成含矽膜之步驟，係將由利用熱或酸、或其兩者會使不溶於溶劑(溶劑不溶化)的含矽化合物及不溶解該負顯影圖案的溶劑構成之含矽膜形成用組成物塗佈於具有該負顯影圖案的被加工基板上，並形成含矽膜；(3)使該負顯影圖案之表面附近之該含矽膜溶劑不溶化之步驟，係藉由加熱、或以該負顯影圖案所含有的酸為觸媒、或藉由其兩者使該負顯影圖案之表面附近之該含矽膜溶劑不溶化；(4)獲得已不溶化之部分作為含矽膜圖案之步驟，係將未不溶化之部分之含矽膜以有機溶劑溶解去除，獲得已不溶化之部分作為含矽膜圖案；(5)使該負顯影圖案之上部露出之步驟，係將該含矽膜圖案之上部進行乾蝕刻或濕式蝕刻，使該負顯影圖案之上部露出；(6)將該負顯影圖案去除之步驟，係以乾蝕刻或濕式蝕刻將該負顯影圖案去除；(7)將圖案轉印於該有機下層膜之步驟，係以該已將上部乾蝕刻或濕式蝕刻的含矽膜圖案作為蝕刻遮罩，將圖案轉印於該有機下層膜；(8)將該有機下層膜之圖案轉印於該被加工基板。
如此般地，本發明之圖案形成方法，對於在被加工基板上形成有機下層膜的情況亦可適用。
又，前述含矽化合物，較佳係使用：具有以熱或酸、或其兩者可產生酚性羥基或萘酚性羥基、或其兩者的取代基的含矽化合物；或具有環氧骨架或氧雜環丁烷骨架、或其兩者的含矽化合物。
藉由使用如此的含矽化合物，可提高曝光時於負顯影圖案中產生的來自於酸產生劑的酸與含矽化合物之間的反應性，而容易進行於負顯影圖案之表面附近之含矽膜之溶劑不溶化。
又，含矽膜形成用組成物，較佳係使用含交聯劑者。
如此般地，藉由使含矽膜形成用組成物含有交聯劑，能以於負顯影圖案中產生的來自於酸產生劑的酸引起交聯反應，而使含矽膜對於溶劑更不溶化。
又，含矽膜形成用組成物，較佳係使用含熱酸產生劑者。
如此般地，藉由使含矽膜形成用組成物含有熱酸產生劑，可更促進上述交聯反應。
又，較佳係藉由以旋轉塗佈法進行塗佈的方式形成有機下層膜。
如此般地，可藉由以旋轉塗佈法進行有機下層膜之塗佈，而簡單地形成膜厚均勻的有機下層膜。
依本發明，由於係可選擇不會溶解負顯影圖案的有機溶劑作為含矽膜形成用組成物，故可於塗佈含矽膜形成用組成物之際不對負顯影圖案造成破壞，並於負顯影圖案之間隙填入含矽膜。再者，由於已不溶化的含矽膜與負顯影圖案之蝕刻選擇性不同，故係可藉由選擇乾蝕刻或濕式蝕刻之條件，而去除負顯影圖案並且不對含矽膜圖案造成破壞。
因此，本發明可提供能簡便且有效率地形成更微細之圖案、並可應用於半導體之製造處理之實用性高的圖案形成方法。
1‧‧‧被加工基板
2‧‧‧光阻膜
2’‧‧‧負顯影圖案
3‧‧‧含矽膜
3’‧‧‧不溶化之含矽膜
3”‧‧‧含矽膜圖案
4‧‧‧有機下層膜
圖1(a)~(j)係關於本發明之圖案形成方法之一例之說明圖。
圖2(a’)~(l’)係關於本發明之圖案形成方法之另一例之說明圖。
以下，針對本發明更具體說明。
如前述，伴隨近年圖案規則之微細化，可簡便且有效率地形成更微細之圖案、並可應用於半導體之製造處理的實用性高的圖案形成方法已被視為必要。
本案發明人等，為達成上述目的努力進行探討的結果，發現：只要是包含至少(1)於被加工基板上使用含酸產生劑的正型化學增幅型光阻膜材料並形成光阻膜，將該光阻膜曝光，使用有機溶劑進行顯影，獲得負顯影圖案之步驟；(2)將由利用熱或酸、或其兩者會溶劑不溶化的含矽化合物及不溶解該負顯影圖案的溶劑構成之含矽膜形成用組成物塗佈於具有該負顯影圖案的被加工基板上，並形成含矽膜之步驟；(3)利用加熱、或以該負顯影圖案所含有的酸為觸媒、或利用其兩者使該負顯影圖案之表面附近之該含矽膜溶劑不溶化之步驟；(4)將未不溶化之部分之含矽膜以有機溶劑溶解去除，獲得已不溶化之部分作為含矽膜圖案之步驟；(5)將該含矽膜圖案之上部進行乾蝕刻或濕式蝕刻，使該負顯影圖案之上部露出之步驟；(6)以乾蝕刻或濕式蝕刻將該負顯影圖案去除之步驟；(7)以該已將上部乾蝕刻或濕式蝕刻的含矽膜圖案作為蝕刻遮罩，將圖案轉印於該被加工基板之步驟之圖案形成方法，即能簡便且有效率地於基板形成微細之圖案。
將本發明之一態樣以圖示進行說明，但本發明不限於此。
圖1係展示關於本發明之圖案形成方法之一例的說明圖。
首先，上述步驟(1)，係於被加工基板1上使用含酸產生劑的正型化學增幅型光阻膜材料並形成光阻膜2(圖1(a)、(b))，將光阻膜2曝光(圖1(c))，使用有機溶劑進行顯影，獲得負顯影圖案2’(圖1(d))。接著，上述步驟(2)，係將由以熱或酸、或其兩者會溶劑不溶化的含矽化合物及不會溶解負顯影圖案的溶劑構成之含矽膜形成用組成物塗佈於具有負顯影圖案2’的被加工基板1上，形成含矽膜3(圖1(e))。然後，上述步驟(3)，係藉由加熱、或以負顯影圖案2’所含有的酸為觸媒、或藉由其兩者使負顯影圖案2’之表面附近之含矽 膜3溶劑不溶化，獲得已不溶化之含矽膜3’(圖1(f))。接著，上述步驟(4)，係將未不溶化之部分之含矽膜以有機溶劑溶解去除，獲得已不溶化之部分作為含矽膜圖案3”(圖1(g))。然後，上述步驟(5)，係將含矽膜圖案3”之上部乾蝕刻或濕式蝕刻而形成側壁，並使負顯影圖案2’之上部露出(圖1(h))。再者，上述步驟(6)，係以乾蝕刻或濕式蝕刻去除負顯影圖案2’(圖1(i))。然後，上述步驟(7)，係能以已將上部乾蝕刻或濕式蝕刻的含矽膜圖案3”為蝕刻遮罩而將圖案轉印於被加工基板1(圖1(j))。
再者，本案發明人等，發現：只要是包含(1)於被加工基板上形成有機下層膜，於該有機下層膜上使用含酸產生劑的正型化學增幅型光阻膜材料並形成光阻膜，將該光阻膜曝光，使用有機溶劑進行顯影，獲得負顯影圖案之步驟；(2)將由利用熱或酸、或其兩者會溶劑不溶化的含矽化合物及不溶解該負顯影圖案的溶劑構成之含矽膜形成用組成物塗佈於具有該負顯影圖案的被加工基板上，並形成含矽膜之步驟；(3)利用加熱、或以該負顯影圖案所含有的酸為觸媒、或利用其兩者使該負顯影圖案之表面附近之該含矽膜溶劑不溶化之步驟；(4)將未不溶化之部分之含矽膜以有機溶劑溶解去除，獲得已不溶化之部分作為含矽膜圖案之步驟；(5)將該含矽膜圖案之上部進行乾蝕刻或濕式蝕刻，使該負顯影圖案之上部露出之步驟；(6)以乾蝕刻或濕式蝕刻將該負顯影圖案去除之步驟；(7)以該已將上部乾蝕刻或濕式蝕刻的含矽膜圖案作為蝕刻遮罩，將圖案轉印於該有機下層膜之步驟；(8)將該有機下層膜之圖案轉印於該被加工基板之步驟之圖案形成方法，即能提供簡便且有效率的、實用性更高之圖案形成方法。
圖2係關於本發明之圖案形成方法之另一例之說明圖。
首先，上述步驟(1)，係於被加工基板1上形成有機下層膜4(圖2(a’)、(b’))，於有機下層膜4上使用含酸產生劑的正型化學增幅型光阻膜材料並形成光阻膜2(圖2(c’))，將光阻膜2曝光(圖2(d’))，使用有機溶劑進行顯影，獲得負顯影圖案2’(圖2(e’))。接著，上述步驟(2)，係將由以熱或酸、或其兩者會溶劑不溶化的含矽化合物及不會溶解負顯影圖案的溶劑構成之含矽膜形 成用組成物塗佈於具有負顯影圖案2’的被加工基板1上，形成含矽膜3(圖2(f’))。然後，步驟上述(3)，係藉由加熱、或以負顯影圖案2’所含有的酸為觸媒、或藉由其兩者使負顯影圖案2’之表面附近之含矽膜3溶劑不溶化，獲得已不溶化之含矽膜3’(圖2(g’))。接著，上述步驟(4)，係將未不溶化之部分之含矽膜以有機溶劑溶解去除，獲得已不溶化之部分作為含矽膜圖案3”(圖2(h’))。接著，上述步驟(5)，係將含矽膜圖案3”之上部乾蝕刻或濕式蝕刻而形成側壁，並使負顯影圖案2’之上部露出(圖2(i’))。然後，上述步驟(6)，係以乾蝕刻或濕式蝕刻去除負顯影圖案2’(圖2(j’))。再者，上述步驟(7)，係以已將上部乾蝕刻或濕式蝕刻之含矽膜圖案3”作為蝕刻遮罩，將圖案轉印於有機下層膜4(圖2(k’))。然後，上述步驟(8)，係能以有機下層膜4之圖案作為蝕刻遮罩而轉印於被加工基板1(圖2(l’))。
以下，依序詳述各步驟。
步驟(1)，係於被加工基板1上使用含酸產生劑的正型化學增幅型光阻膜材料並形成光阻膜2，將光阻膜2曝光，使用有機溶劑進行顯影，獲得負顯影圖案2’。
被加工基板1，可使用已於半導體基板形成金屬膜、金屬碳化膜、金屬氧化膜、金屬氮化膜、及金屬氧化氮化膜中之任一者作為被加工層(被加工部分)者等。
上述半導體基板，一般係使用矽基板，但不特別限定，也可使用Si、非晶矽(α-Si)、p-Si、SiO2 、SiN、SiON、W、TiN、Al等與被加工層不同的材質者。
構成被加工層的金屬，可使用矽、鈦、鎢、鉿、鋯、鉻、鍺、銅、鋁、及鐵中之任一者、或為該等之合金者，含有如此之金屬的被加工層，例如，可使用Si、SiO2 、SiN、SiON、SiOC、p-Si、α-Si、TiN、WSi、BPSG、SOG、Cr、CrO、CrON、MoSi、W、W-Si、Al、Cu、Al-Si等及各種之低介電膜及其蝕刻阻止膜，通常能形成50~10,000nm、尤其100~5,000nm之厚度。
形成光阻膜2的正型化學增幅光阻膜材料，只要是含酸產生劑的化學增幅型、並可藉由使用有機溶劑之顯影液的顯影形成負型圖案者即可，不特別限定，但以含有具下列通式(a1)表示之重複單元之樹脂較佳。
(式中，R101 表示氫原子或甲基。R102 為酸不安定基。)
為了獲得通式(a1)表示之具酸不安定基的重複單元而使用的單體，係以下列通式(Ma1)表示。於此，R101 、R102 與前述同。
上述單體，可使用記載於日本特開2008-111103號公報(0083)~(0104)，具體而言，記載於(0114)~(0117)者。
本發明之圖案形成方法所使用的正型化學增幅光阻膜材料，係含有酸產生劑，例如，可舉例會對活性光線或放射線感應並產生酸的化合物(光酸產生劑)。光酸產生劑之成分，只要是藉由高能射線照射會產生酸的化合物皆可。理想的光酸產生劑有鋶鹽、錪鹽、磺醯基重氮甲烷、N-磺醯基氧基醯亞胺、肟-O-磺酸酯型酸產生劑等。該等可單獨或混合2種以上來使用。酸產生劑之具體例，可舉例記載於日本特開2008-111103號公報第(0122)~(0142)段者。
曝光係使用波長140~250nm之高能射線，之中又以使用ArF準分子雷射之193nm之曝光最佳。以使曝光時的曝光量成為約1~200mJ/cm2 、較佳為約10~100mJ/cm2 之方式進行曝光為宜。之後，在熱板上於60~150℃進行1~5分鐘、較佳係於80~120℃進行1~3分鐘之曝光後烘烤(PEB)為宜。
通常，正型光阻材料，係形成光阻膜、於曝光後進行鹼顯影、將曝光部溶解而獲得正顯影圖案者。本發明，係藉由使用正型化學增幅型光阻材料並形成光阻膜、於曝光後使用有機溶劑進行顯影(負顯影)，以留下曝光部並形成負顯影圖案。藉此，可獲得比起以往利用鹼顯影而形成之正顯影圖案或以往使用負型光阻材料而形成之負顯影圖案更為微細的圖案。此時，由於獲得之圖案為曝光部，故會含有來自於酸產生劑之大量之酸。
用於正型光阻膜2之負顯影之有機溶劑，例如，可使用含有選自於2-辛酮、2-壬酮、2-庚酮、3-庚酮、4-庚酮、2-己酮、3-己酮、二異丁基酮、甲基環己酮、苯乙酮、甲基苯乙酮、乙酸丙酯、乙酸丁酯、乙酸異丁酯、乙酸戊酯、乙酸丁烯酯、乙酸異戊酯、乙酸苯酯、甲酸丙酯、甲酸丁酯、甲酸異丁酯、甲酸戊酯、甲酸異戊酯、戊酸甲酯、戊烯酸甲酯、巴豆酸甲酯、巴豆酸乙酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸丙酯、乳酸丁酯、乳酸異丁酯、乳酸戊酯、乳酸異戊酯、2-羥基異丁酸甲酯、2-羥基異丁酸乙酯、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、乙酸苯酯、乙酸苄酯、苯基乙酸甲酯、甲酸苄酯、甲酸苯基乙酯、3-苯基丙酸甲酯、丙酸苄酯、苯基乙酸乙酯、乙酸-2-苯基乙酯中之1種以上作為成分的顯影液等；使用顯影液成分1種或2種以上之總計為 50質量%以上之顯影液，從改善圖案崩塌等觀點係較佳。
又，步驟(1)中，可於被加工基板1與光阻膜2之間形成有機下層膜4。
有機下層膜4，不特別限定，較佳係於進行光阻膜之曝光之際會展現充分之抗反射膜機能者。又，亦可於有機下層膜4與光阻膜2之間形成抗反射膜。
有機下層膜4，由於必須於蝕刻加工被加工基板之際發揮作為蝕刻遮罩之機能，故以與基板之蝕刻選擇性高的材料，具體而言，以具有芳香族骨架者較佳。作為如此之下層膜的有機膜，已有多數作為3層光阻法用、或使用含矽光阻組成物之2層光阻法用之下層膜而公知於世，記載於日本特開2005-128509號公報之4,4’-(9H-茀-9-亞基)雙酚酚醛清漆樹脂(分子量11,000)及以酚醛清漆樹脂為首的多數樹脂，係作為2層光阻法或3層光阻法之光阻下層膜材料而公知於世，可使用該等中之任一者。
又，若欲比一般之酚醛清漆更提升耐熱性時，可例示將萘化合物、苊烯化合物、萘酚化合物、雙萘酚化合物包含於骨架之樹脂。例如，可例示記載於日本特開2007-199653號公報之樹脂。再者，也可選擇聚醯亞胺系樹脂(例如，日本特開2004-153125號公報)。又，若係於低溫形成有機膜之情況，亦可選擇羥基苯乙烯系樹脂，但為了提高其蝕刻耐性亦可共聚合例如茚、茀等而產生多環骨架導入效果。
如此的有機下層膜4，可利用旋轉塗佈法進行塗佈以均勻且簡單地形成膜厚。
又，於被加工基板1與光阻膜2之間形成之下層膜，亦可使用含金屬氧化物之膜。
如此之含金屬氧化物之膜，可例示：係能夠從含金屬氧化物之膜形成用組成物以與有機下層膜同樣的方式利用旋轉塗佈法等製作於被加工基板上 者。旋轉塗佈後使溶劑蒸發，為了防止與上層之光阻膜混合，為了促進交聯反應，宜進行烘烤較理想。烘烤溫度宜在50~500℃之範圍內，烘烤時間宜在10~300秒之範圍內。尤理想的溫度範圍，尚取決於製造之裝置之構造，但為了減小對於裝置的熱損傷，以400℃以下為較佳。
步驟(2)，係將含有以熱或酸、或其兩者會溶劑不溶化的含矽化合物及不會溶解負顯影圖案之溶劑之含矽膜形成用組成物塗佈於具有負顯影圖案2’的被加工基板1上，並形成含矽膜3。
用以形成含矽膜3之含矽膜形成用組成物所含有的含矽化合物，至少可例示：以下通式(A-1)表示之化合物與、通式(A-2)表示之化合物或通式(A-3)表示之化合物、或者包含其兩者之混合物之水解物或縮合物、或該兩者。
R1 m1 R2 m2 R3 m3 Si(R0 )(4-m1-m2-m3) (A-1)
(式中，R0 為鹵素原子或碳數1~6之水解性基，R1 、R2 、R3 為氫原子或碳數1~30之也可含有1價矽之有機基，較佳係R1 、R2 、R3 之中的至少一者為以熱或酸、或其兩者可產生酚性羥基或萘酚性羥基、或其兩者之取代基。又，m1、m2、m3為0或1，且1≦m1+m2+m3≦3。)
R4 m4 R5 m5 R6 m6 Si(OR0 )(4-m4-m5-m6) (A-2)
(式中，R0 同上述，R4 、R5 、R6 為氫原子或碳數1~30之1價有機基。又，m4、m5、m6為0或1，且0≦m4+m5+m6≦3。)
L(OR7 )m7 (OR8 )m8 (O)m9 (A-3)
(式中，R7 、R8 為碳數1~30之有機基，m7+m8+m9×2係依L之種類決定的價數，m7、m8、m9為0以上之整數，L係週期表之III族、IV族、或V族之元素且係排除碳者。)
上述L，較佳為硼、鋁、鎵、釔、鍺、鈦、鋯、鉿、鉍、錫、磷、釩、砷、銻、鈮、或鉭。
使用作為本發明所用之含矽化合物之原料的通式(A-1)中的可產生酚性羥基或萘酚性羥基、或其兩者之取代基之較佳例，可舉例以下者。又，於 下列式中，(Si)係表示與Si之鍵結部位。
使用作為本發明所用之含矽化合物之原料的通式(A-1)表示的水解性單體，可使用於矽上具有上述結構，並含有氯、溴、碘、乙醯氧基、甲氧基、乙氧基、丙氧基或丁氧基所例示之基作為R0 、含有氫原子或碳數1~30之1價有機基作為R2 及R3 者。
又，通式(A-1)中R1 、R2 、R3 表示之有機基之其他例，可舉例具有1個以上之碳-氧單鍵或碳-氧雙鍵之有機基。具體而言，係選自於由環氧環、氧雜環丁烷環、酯基、烷氧基、羥基構成之群組之1者以上之基，較佳係具環氧環、氧雜環丁烷環之有機基。通式(A-1)中之具碳-氧單鍵、碳-氧雙鍵之1者以上之有機基，可舉以下通式(2)表示者為例。
(P-Q1 -(S1 )v1 -Q2 -)u -(T)v2 -Q3 -(S2 )v3 -Q4 - (2)
(上式中，P為氫原子、羥基、下式表示之具環氧環之基、
具氧雜環丁烷環之基、碳數1~4之烷氧基、碳數1~6之烷基羰基氧基、或碳數1~6之烷基羰基，Q1 與Q2 與Q3 與Q4 各自獨立而為-Cq H(2q-p) Pp -(式中，P與上述同，p為0~3之整數，q為0~10之整數。)，u為0~3之整數，S1 與S2 各自獨立而表示-O-、-CO-、-OCO-、-COO-或-OCOO-。v1、v2、v3各自獨立而表示0或1。同時，T為由脂環或芳香環構成之2價基，將T之例表示於以下。T中與Q2 及Q3 鍵結的位置不特別限定，可考慮立體因素所致之反應性或用於反應之市售試劑之取得性等而酌情選擇。)
通式(A-1)中之具有1個以上之碳-氧單鍵或碳-氧雙鍵之有機基之較佳例，可舉例以下者。
使用作為本發明所用之含矽化合物之原料之通式(A-2)表示之化合物，可例示以下者。
可例示：三甲氧基矽烷、三乙氧基矽烷、三丙氧基矽烷、三異丙氧基矽烷、甲基三甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三丙氧基矽烷、甲基三異丙氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、乙基三乙氧基矽烷、乙基三丙氧基矽烷、乙基三異丙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三丙氧基矽烷、乙烯基三異丙氧基矽烷、丙基三甲氧基矽烷、丙基三乙氧基矽烷、丙基三丙氧基矽烷、丙基三異丙氧基矽烷、異丙基三甲氧基矽烷、異丙基三乙氧基矽烷、異丙基三丙氧基矽烷、異丙基三異丙氧基矽烷、丁基三甲氧基矽烷、丁基三乙氧基矽烷、丁基三丙氧基矽烷、丁基三異丙氧基矽烷、第二丁基三甲氧基矽烷、第二丁基三乙氧基矽烷、第二丁基三丙氧基矽烷、第二丁基三異丙氧基矽烷、第三丁基三甲氧基矽烷、第三丁基三乙氧基矽烷、第三丁基三丙氧基矽烷、第三丁基三異丙氧基矽烷、環丙基三甲氧基矽烷、環丙基三乙氧基矽烷、環丙基三丙氧基矽烷、環丙基三異丙氧基矽烷、環丁基三甲氧基矽烷、環丁基三乙氧基矽烷、環丁基三丙氧基矽烷、環丁基三異丙氧基矽烷、環戊基三甲氧基矽烷、環戊基三乙氧基矽烷、環戊基三丙氧基矽烷、環戊基三異丙氧基矽烷、環己基三甲氧基矽烷、環己基三乙氧基矽烷、環己基三丙氧基矽烷、環己基三異丙氧基矽烷、環己烯基三甲氧基矽烷、環己烯基三乙氧基矽烷、環己烯基三丙氧基矽烷、環己烯基三異丙氧基矽烷、環己烯基乙基三甲氧基矽烷、環己烯基乙基三乙氧基矽烷、環己烯基乙基三丙氧基矽烷、環己烯基乙基三異丙氧基矽烷、環辛基三甲氧基矽烷、環辛基三乙氧基矽烷、環辛基三丙氧基矽烷、環辛基三異丙氧基矽烷、環戊二烯基丙基三甲氧基矽烷、環戊二烯基丙基三乙氧基矽烷、環戊二烯基丙基三丙氧基矽烷、環戊二烯基丙基三異丙氧基矽烷、雙環庚烯基三甲氧基矽烷、雙環庚烯基三乙氧基矽烷、雙環庚烯基三丙氧基矽烷、雙環庚烯基三異丙氧基矽烷、雙環庚基三甲氧基矽烷、雙環庚基三乙氧基矽烷、雙環庚基三丙氧基矽烷、雙環庚基三異丙氧基矽烷、金剛烷基三甲氧基矽烷、金剛烷基三乙氧基矽烷、金剛 烷基三丙氧基矽烷、金剛烷基三異丙氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷、苯基三丙氧基矽烷、苯基三異丙氧基矽烷、苄基三甲氧基矽烷、苄基三乙氧基矽烷、苄基三丙氧基矽烷、苄基三異丙氧基矽烷、甲苯基三甲氧基矽烷、甲苯基三乙氧基矽烷、甲苯基三丙氧基矽烷、甲苯基三異丙氧基矽烷、茴香基三甲氧基矽烷、茴香基三乙氧基矽烷、茴香基三丙氧基矽烷、茴香基三異丙氧基矽烷、苯乙基三甲氧基矽烷、苯乙基三乙氧基矽烷、苯乙基三丙氧基矽烷、苯乙基三異丙氧基矽烷、萘基三甲氧基矽烷、萘基三乙氧基矽烷、萘基三丙氧基矽烷、萘基三異丙氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、甲基乙基二甲氧基矽烷、甲基乙基二乙氧基矽烷、二甲基二丙氧基矽烷、二甲基二異丙氧基矽烷、二乙基二甲氧基矽烷、二乙基二乙氧基矽烷、二乙基二丙氧基矽烷、二乙基二異丙氧基矽烷、二丙基二甲氧基矽烷、二丙基二乙氧基矽烷、二丙基二丙氧基矽烷、二丙基二異丙氧基矽烷、二異丙基二甲氧基矽烷、二異丙基二乙氧基矽烷、二異丙基二丙氧基矽烷、二異丙基二異丙氧基矽烷、二丁基二甲氧基矽烷、二丁基二乙氧基矽烷、二丁基二丙氧基矽烷、二丁基二異丙氧基矽烷、二第二丁基二甲氧基矽烷、二第二丁基二乙氧基矽烷、二第二丁基二丙氧基矽烷、二第二丁基二異丙氧基矽烷、二第三丁基二甲氧基矽烷、二第三丁基二乙氧基矽烷、二第三丁基二丙氧基矽烷、二第三丁基二異丙氧基矽烷、二環丙基二甲氧基矽烷、二環丙基二乙氧基矽烷、二環丙基二丙氧基矽烷、二環丙基二異丙氧基矽烷、二環丁基二甲氧基矽烷、二環丁基二乙氧基矽烷、二環丁基二丙氧基矽烷、二環丁基二異丙氧基矽烷、二環戊基二甲氧基矽烷、二環戊基二乙氧基矽烷、二環戊基二丙氧基矽烷、二環戊基二異丙氧基矽烷、二環己基二甲氧基矽烷、二環己基二乙氧基矽烷、二環己基二丙氧基矽烷、二環己基二異丙氧基矽烷、二環己烯基二甲氧基矽烷、二環己烯基二乙氧基矽烷、二環己烯基二丙氧基矽烷、二環己烯基二異丙氧基矽烷、二環己烯基乙基二甲氧基矽烷、二環己烯基乙基二乙氧基矽烷、二環己烯基乙基二丙氧基矽烷、二環己烯基乙基二異丙氧基矽烷、二環辛基二甲氧基矽烷、二環辛基二乙氧基矽烷、二環辛基二丙氧基矽烷、二環辛基二異丙氧基矽烷、二環戊二烯基丙基二甲氧基矽烷、二環戊二烯基丙基二乙氧基矽烷、二環戊二烯基丙基二丙氧基矽烷、 二環戊二烯基丙基二異丙氧基矽烷、雙(雙環庚烯基)二甲氧基矽烷、雙(雙環庚烯基)二乙氧基矽烷、雙(雙環庚烯基)二丙氧基矽烷、雙(雙環庚烯基)二異丙氧基矽烷、雙(雙環庚基)二甲氧基矽烷、雙(雙環庚基)二乙氧基矽烷、雙(雙環庚基)二丙氧基矽烷、雙(雙環庚基)二異丙氧基矽烷、二金剛烷基二甲氧基矽烷、二金剛烷基二乙氧基矽烷、二金剛烷基二丙氧基矽烷、二金剛烷基二異丙氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、二苯基二乙氧基矽烷、甲基苯基二甲氧基矽烷、甲基苯基二乙氧基矽烷、二苯基二丙氧基矽烷、二苯基二異丙氧基矽烷、三甲基甲氧基矽烷、三甲基乙氧基矽烷、二甲基乙基甲氧基矽烷、二甲基乙基乙氧基矽烷、二甲基苯基甲氧基矽烷、二甲基苯基乙氧基矽烷、二甲基苄基甲氧基矽烷、二甲基苄基乙氧基矽烷、二甲基苯乙基甲氧基矽烷、二甲基苯乙基乙氧基矽烷等。
使用作為本發明所用之含矽化合物之原料的通式(A-3)表示之化合物，可例示以下者。
當L為硼時，可例示：甲氧基硼、乙氧基硼、丙氧基硼、丁氧基硼、戊氧基硼、己氧基硼、環戊氧基硼、環己氧基硼、烯丙氧基硼、苯氧基硼、甲氧基乙氧基硼。
當L為鋁時，可例示：甲氧基鋁、乙氧基鋁、丙氧基鋁、丁氧基鋁、戊氧基鋁、己氧基鋁、環戊氧基鋁、環己氧基鋁、烯丙氧基鋁、苯氧基鋁、甲氧基乙氧基鋁、乙氧基乙氧基鋁、二丙氧基乙基乙醯乙酸鋁、二丁氧基乙基乙醯乙酸鋁、丙氧基雙乙基乙醯乙酸鋁、丁氧基雙乙基乙醯乙酸鋁、2,4-戊烷二酮酸鋁、2,2,6,6-四甲基-3,5-庚烷二酮酸鋁等作為單體。
當L為鎵時，可例示：甲氧基鎵、乙氧基鎵、丙氧基鎵、丁氧基鎵、戊氧基鎵、己氧基鎵、環戊氧基鎵、環己氧基鎵、烯丙氧基鎵、苯氧基鎵、甲氧基乙氧基鎵、乙氧基乙氧基鎵、二丙氧基乙基乙醯乙酸鎵、二丁氧基乙基乙醯乙酸鎵、丙氧基雙乙基乙醯乙酸鎵、丁氧基雙乙基乙醯乙酸鎵、2,4-戊烷二酮酸鎵、2,2,6,6-四甲基-3,5-庚烷二酮酸鎵等作為單體。
當L為釔時，可例示：甲氧基釔、乙氧基釔、丙氧基釔、丁氧基釔、戊氧基釔、己氧基釔、環戊氧基釔、環己氧基釔、烯丙氧基釔、苯氧基釔、甲氧基乙氧基釔、乙氧基乙氧基釔、二丙氧基乙基乙醯乙酸釔、二丁氧基乙基乙醯乙酸釔、丙氧基雙乙基乙醯乙酸釔、丁氧基雙乙基乙醯乙酸釔、2,4-戊烷二酮酸釔、2,2,6,6-四甲基-3,5-庚烷二酮酸釔等作為單體。
當L為鍺時，可例示：甲氧基鍺、乙氧基鍺、丙氧基鍺、丁氧基鍺、戊氧基鍺、己氧基鍺、環戊氧基鍺、環己氧基鍺、烯丙氧基鍺、苯氧基鍺、甲氧基乙氧基鍺、乙氧基乙氧基鍺等作為單體。
當L為鈦時，可例示：甲氧基鈦、乙氧基鈦、丙氧基鈦、丁氧基鈦、戊氧基鈦、己氧基鈦、環戊氧基鈦、環己氧基鈦、烯丙氧基鈦、苯氧基鈦、甲氧基乙氧基鈦、乙氧基乙氧基鈦、二丙氧基雙乙基乙醯乙酸鈦、二丁氧基雙乙基乙醯乙酸鈦、二丙氧基雙2,4-戊烷二酮酸鈦、二丁氧基雙2,4-戊烷二酮酸鈦等作為單體。
當L為鉿時，可例示：甲氧基鉿、乙氧基鉿、丙氧基鉿、丁氧基鉿、戊氧基鉿、己氧基鉿、環戊氧基鉿、環己氧基鉿、烯丙氧基鉿、苯氧基鉿、甲氧基乙氧基鉿、乙氧基乙氧基鉿、二丙氧基雙乙基乙醯乙酸鉿、二丁氧基雙乙基乙醯乙酸鉿、二丙氧基雙2,4-戊烷二酮酸鉿、二丁氧基雙2,4-戊烷二酮酸鉿等作為單體。
當L為錫時，可例示：甲氧基錫、乙氧基錫、丙氧基錫、丁氧基錫、苯氧基錫、甲氧基乙氧基錫、乙氧基乙氧基錫、2,4-戊烷二酮酸錫、2,2,6,6-四甲基-3,5-庚烷二酮酸錫等作為單體。
當L為砷時，可例示：甲氧基砷、乙氧基砷、丙氧基砷、丁氧基砷、苯氧基砷等作為單體。
當L為銻時，可例示：甲氧基銻、乙氧基銻、丙氧基銻、丁氧基銻、苯氧基銻、乙酸銻、丙酸銻等作為單體。
當L為鈮時，可例示：甲氧基鈮、乙氧基鈮、丙氧基鈮、丁氧基鈮、苯氧基鈮等作為單體。
當L為鉭時，可例示：甲氧基鉭、乙氧基鉭、丙氧基鉭、丁氧基鉭、苯氧基鉭等作為單體。
當L為鉍時，可例示：甲氧基鉍、乙氧基鉍、丙氧基鉍、丁氧基鉍、苯氧基鉍等作為單體。
當L為磷時，可例示：亞磷酸三甲酯、亞磷酸三乙酯、亞磷酸三丙酯、磷酸三甲酯、磷酸三乙酯、磷酸三丙酯、五氧化二磷等作為單體。
當L為釩時，可例示：雙(2,4-戊烷二酮酸)氧化釩、2,4-戊烷二酮酸釩、三丁氧基氧化釩、三丙氧基氧化釩等作為單體。
當L為鋯時，可例示：甲氧基鋯、乙氧基鋯、丙氧基鋯、丁氧基鋯、苯氧基鋯、二丁氧基雙(2,4-戊烷二酮酸)鋯、二丙氧基雙(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚烷二酮酸)鋯等作為單體。
可藉由將此等單體於酸觸媒或鹼觸媒之存在下進行水解縮合以製造含矽化合物。
此時使用的酸觸媒，可使用選自於無機酸、脂肪族磺酸、芳香族磺酸、脂肪族羧酸及芳香族羧酸中之一種以上之化合物，具體而言，可舉例：氫氟酸、鹽酸、氫溴酸、硫酸、硝酸、過氯酸、磷酸、甲烷磺酸、苯磺酸、甲苯磺酸、甲酸、乙酸、丙酸、草酸、丙二酸、馬來酸、富馬酸、苯甲酸等。
又，此時使用之鹼觸媒，可舉例：甲基胺、乙基胺、丙基胺、丁基胺、伸乙基二胺、六亞甲基二胺、二甲基胺、二乙基胺、乙基甲基胺、三甲基胺、三乙基胺、三丙基胺、三丁基胺、環己基胺、二環己基胺、單乙醇胺、二乙醇胺、二甲基單乙醇胺、單甲基二乙醇胺、三乙醇胺、二氮雜雙環辛烷、二氮雜雙環環壬烯、二氮雜雙環十一烯、六亞甲基四胺、苯胺、N,N-二甲基苯胺、吡啶、N,N-二甲胺基吡啶、吡咯、哌、吡咯啶、哌啶、甲基吡啶、氫氧化四甲基銨、氫氧化膽鹼、四丙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨、氨、氫氧化鋰、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋇、氫氧化鈣等。
各觸媒之使用量，相對於單體1莫耳為10-6 ~10莫耳，較佳為10-5 ~5莫耳，更佳為10-4 ~1莫耳。
藉由水解縮合而由此等單體獲得含矽化合物時的水之量，為每1莫耳之鍵結於單體之水解性取代基添加0.01~100莫耳，更佳為添加0.05~50莫耳，進一步更佳為添加0.1~30莫耳。添加量若為100莫耳以下，由於毋需使使用於反應之裝置過大故經濟上係理想。
藉由水解縮合而由此等單體獲得含矽化合物時的操作方法，可例示記載於日本特開2009-126940號公報第(0103)~(0120)段、該公報第(0142)~(0156)段之方法。
用於形成含矽膜3之含矽膜形成用組成物所含有的不會溶解負顯影圖案之溶劑之較佳者，可例示對光阻膜進行負型顯影之際所用的顯影液。例如，可使用包含選自於2-辛酮、2-壬酮、2-庚酮、3-庚酮、4-庚酮、2-己酮、3-己酮、二異丁酮、甲基環己酮、苯乙酮、甲基苯乙酮、乙酸丙酯、乙酸丁酯、乙酸異丁酯、乙酸戊酯、乙酸丁烯酯、乙酸異戊酯、乙酸苯酯、甲酸丙酯、甲酸丁酯、甲酸異丁酯、甲酸戊酯、甲酸異戊酯、戊酸甲酯、戊烯酸甲酯、巴豆酸甲酯、巴豆酸乙酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸丙酯、乳酸丁酯、乳酸異丁酯、乳酸戊酯、乳酸異戊酯、2-羥基異丁酸甲酯、2-羥基異丁酸乙酯、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、乙酸苯酯、乙酸苄酯、苯基乙酸 甲酯、甲酸苄酯、甲酸苯基乙酯、3-苯基丙酸甲酯、丙酸苄酯、苯基乙酸乙酯、乙酸-2-苯基乙酯、4-甲基-2-戊醇中之1種以上作為成分的顯影液等；使用顯影液成分1種或2種以上之總計為50質量%以上之顯影液，從改善圖案崩塌等觀點係較佳。
含矽膜形成用組成物之分子量，不只可藉由單體之選擇，亦可藉由聚合時之反應條件控制進行調整，若使用重量平均分子量超過100,000者，有些情況下會有異物產生或塗佈斑產生，以使用100,000以下、更佳為200~50,000、進一步更佳為300~30,000者為宜。又，上述關於重量平均分子量之數據，係藉由使用RI作為檢測器、四氫呋喃作為溶離溶劑之凝膠滲透層析(GPC)，使用聚苯乙烯作為標準物質，並以聚苯乙烯換算而表示分子量者。
為了使含矽膜對於溶劑更為不溶化，可對於本發明之含矽膜形成用組成物添加藉由酸會引發交聯反應之交聯劑。如此的交聯劑可藉由加熱促進交聯反應。具體而言，可添加記載於日本特開2007-199653號公報中第(0055)~(0060)段之材料。
視需要可對於本發明之含矽膜形成用組成物添加用於進一步促進因熱所致之交聯反應之熱酸產生劑。熱酸產生劑只要是藉由熱分解會產生酸者，皆可添加。具體而言，可添加記載於日本特開2007-199653號公報中第(0061)~(0085)段之材料。
視需要可對於本發明之含矽膜形成用組成物摻合界面活性劑。如此的界面活性劑，具體而言，可添加記載於日本特開2009-126940公報第(0185)段之材料。
步驟(3)，係藉由加熱、或以負顯影圖案2’所含有的酸為觸媒、或藉由其兩者使負顯影圖案2’之表面附近之含矽膜3溶劑不溶化，獲得不溶化之含矽膜3’。
如此一來，可形成沿橫方向以負顯影圖案2’、已溶劑不溶化之含矽膜3’、未溶劑不溶化之部分之含矽膜3、已溶劑不溶化之含矽膜3’、負顯影圖案2’、已溶劑不溶化之含矽膜3’···如此之順序排列之重複結構。
又，可於將相鄰之負顯影圖案2’之間以含矽膜3填入後，藉由調整熱處理溫度與熱處理時間以控制溶劑不溶化之含矽膜3’之膜厚。為了使負顯影圖案2’之表面附近溶劑不溶化，以較低溫之熱處理係足夠，熱處理溫度可設為30~200℃、較佳為60~180℃，熱處理時間可設為1~500秒、較佳為1~300秒。
步驟(4)，係將未不溶化之部分之含矽膜以有機溶劑溶解去除，而獲得已不溶化之部分作為含矽膜圖案3”。
將未溶劑不溶化之部分之含矽膜溶解去除之有機溶劑，只要是會溶解該等之溶劑即可而不特別限定，例如，可使用用於步驟(1)之負顯影圖案2’之顯影(圖1(d)、圖2(e’))之有機溶劑。
步驟(5)，係將含矽膜圖案3”之上部進行乾蝕刻或濕式蝕刻而形成側壁，並使負顯影圖案2’之上部露出。
含矽膜圖案3”之上部之乾蝕刻或濕式蝕刻之條件，不特別限定，較佳係使用氟龍(flon)系氣體等以含有氟或氟化物之氣體為主成分之氣體進行蝕刻。
步驟(6)，係以乾蝕刻或濕式蝕刻去除負顯影圖案2’。
負顯影圖案2’之乾蝕刻或濕式蝕刻之條件，不特別限定，但藉由實施利用氧氣電漿之反應性乾蝕刻，可在不對含矽膜圖案3”造成破壞的情況下進行蝕刻，而且，由於可於後述已形成有機下層膜4之情況下同時蝕刻有機下層膜4故理想。
步驟(7)，係以已將上部乾蝕刻或濕式蝕刻之含矽膜圖案3”作為蝕刻遮罩而將圖案轉印於被加工基板1(圖1(j))。又，已於步驟(1)形成有機下層膜4之情況，係將圖案轉印於有機下層膜4(圖2(k’))。
已於步驟(1)形成有機下層膜4之情況，係於步驟(8)中以有機下層膜4作為蝕刻遮罩而將圖案轉印於被加工基板1(圖2(l’))。
將圖案轉印於有機下層膜4之方法，不特別限定，藉由實施前述利用氧氣電漿之反應性乾蝕刻，由於可與負顯影圖案2’之蝕刻同時進行故理想。
將圖案轉印於被加工基板1時，不特別限定，例如，可藉由使用氟系乾蝕刻或氯系乾蝕刻，對被加工基板1進行精度良好之蝕刻加工並轉印圖案。
藉由實施如此之圖案形成方法，可於被加工基板上轉印將光阻膜曝光時之圖案節距減半而得之圖案。
【實施例】
以下，展示合成例及實施例並具體說明本發明，但本發明不限於該等記載。
又，記載於實施例中之%表示質量%，分子量係藉由GPC並以聚苯乙烯換算而表示者。
[合成例A-1]
對於甲醇200g、甲烷磺酸0.1g及去離子水60g之混合物添加[化101]54.5g及[化120]29.8g，保持於40℃ 12小時，使水解縮合。反應終了後，以減壓餾去副生醇。於此加入乙酸丁酯(BA)1500ml，將水層分液。於殘留之有機層加入離子交換水100ml並予以攪拌、靜置、分液。將此重複3次。將殘留之有機層以減壓進行濃縮而獲得具有酚性羥基已被保護住之有機基的含矽化合物A-1之BA溶液250g(化合物濃度20%)。測定此化合物之聚苯乙烯換算分子量，結果為Mw=1,900。
在與合成例A-1同樣之條件下使用表1所示之單體，實施[合成例A-2]至[合成例A-11]，分別獲得目的物。
[合成例A-12]
對於甲醇200g、10%鹽酸0.1g及去離子水60g之混合物添加[化101]47.7g及[化123]48.1g之混合物，保持於40℃ 12小時，使水解縮合。反應終了後，以減壓餾去副生醇。於此加入4-甲基-2-戊醇(4M2P)1500ml，將水層分液。於殘留之有機層加入離子交換水100ml並予以攪拌、靜置、分液。將此重複3次。將殘留之有機層以減壓進行濃縮而獲得具有酚性羥基之含矽化合物A-12之4M2P溶液290g(化合物濃度20%)。測定此化合物之聚苯乙烯換算分子量，結果為Mw=2,400。
[合成例A-13]
對於乙醇400g、25%氫氧化四甲基銨5g及去離子水200g之混合物添加[化101]47.7g及[化123]48.1g之混合物，保持於40℃ 4小時，使水解縮合。反應終了後，加入乙酸2g並中和，以減壓餾去副生醇。於此加入BA1500ml，將水層分液。於殘留之有機層加入離子交換水100ml並予以攪拌、靜置、分液。將此重複3次。將殘留之有機層以減壓進行濃縮而獲得含矽化合物A-13之BA溶液305g(化合物濃度20%)。測定此化合物之聚苯乙烯換算分子量，結果為Mw=2,200。
在與合成例A-13同樣之條件下使用表1所示之單體，實施[合成例A-14]，獲得目的物。
【表1】
CH3 Si(OCH3 )3 [化101] Si(OC2 H5 )4 [化102]
B(OC3 H7 )3 [化110] Ti(OC4 H9 )4 [化111] Ge(OC4 H9 )4 [化112]
P2 O5 [化113] Al[CH3 COCH=C(O-)CH3 ]3 [化114]
[實施例]
將由上述合成例獲得之含矽化合物(A-1)~(A-14)、交聯劑、溶劑以表2所示之比例混合、並以0.1μm之氟樹脂製的濾紙過濾，藉此分別製備含矽膜形成用組成物溶液，並各標記為Sol.1~Sol.17。
【表2】
交聯劑
[圖案化試驗]
在直徑12吋(300mm)之矽晶圓上，於350℃烘烤60秒而以膜厚200nm形成信越化學工業(股)公司製旋塗碳膜ODL-50(碳含有量80質量%)。於其上塗佈日產化學工業(股)公司製有機抗反射膜ARC-29A，並於205℃烘烤60秒而形成膜厚78nm之塗佈膜。
接著，於該抗反射膜上塗佈記載於表3之正型且係負顯影用之ArF光阻 溶液(PR-1)，於100℃烘烤60秒而形成膜厚100nm之光阻層。於光阻膜上塗佈浸潤保護膜(TC-1)並於90℃烘烤60秒而形成膜厚50nm之保護膜。
接著，以ArF浸潤曝光裝置(Nikon(股)公司製；NSR-S610C，NA1.30，σ0.98/0.65，35度偶極偏光照明，6%半階調位相偏移遮罩)進行曝光，於100℃烘烤60秒(PEB)，邊以30rpm旋轉邊從顯影噴嘴吐出作為顯影液之乙酸丁酯3秒，之後停止旋轉，進行浸置顯影27秒，以二異戊醚淋洗後旋乾，於100℃烘烤20秒使淋洗溶劑蒸發。
藉由此圖案化，獲得線寬30nm、間隔寬90nm之線與間隔圖案。
ArF光阻聚合物1：分子量(Mw)=8,600
分散度(Mw/Mn)=1.88
酸產生劑：PAG1
鹼：：淬滅劑
保護膜聚合物
分子量(MW)=8,800
分散度(Mw/Mn)=1.69
接著，將記載於表2之含矽膜形成用組成物塗佈於已形成上述負顯影圖案之晶圓。為了利用負顯影圖案中所含有的酸，使負顯影圖案表面附近之 含矽膜不溶化，於120℃烘烤60秒。接著，為了去除未不溶化之部分之含矽膜，以乙酸丁酯進行淋洗。淋洗結束後，將形成之含矽膜圖案於150℃進行60秒之加熱硬化。
將以如此方式獲得之含矽膜圖案之上部以下列加工條件(1)進行乾蝕刻，接著以下列條件(2)進行乾蝕刻，藉此去除負顯影圖案，再者藉由以含矽膜圖案作為蝕刻遮罩並以下列條件(2)進行乾蝕刻而將圖案轉印於旋塗碳膜。獲得之圖案之斷面形狀以日立製作所(股)公司製電子顯微鏡(S-9380)、圖案粗糙度以日立High Technologies(股)公司製電子顯微鏡(CG4000)，各比較形狀並整理於表5。
(1)利用CHF3 /CF4 系氣體之蝕刻條件
裝置：東京威力科創(股)公司製乾蝕刻裝置Telius SP
蝕刻條件(1)：
(2)利用O2 /N2 系氣體之蝕刻條件
裝置：東京威力科創(股)公司製乾蝕刻裝置Telius SP
蝕刻條件(2)：
藉由本發明，如表5所示，能獲得光阻膜曝光時之一半之節距之含矽膜圖案。又，能以此作為蝕刻遮罩而獲得旋塗碳膜之圖案，獲得之旋塗碳膜之圖案之斷面形狀及圖案粗糙度係良好。由此，確認本發明可形成更微細之圖案。
又，本發明不限於上述實施形態。上述實施形態為例示，具有與記載於本發明之申請專利範圍之技術性思想實質上相同之構成、並發揮同樣之作用效果者，皆包含於本發明之技術範圍。
1‧‧‧被加工基板
2‧‧‧光阻膜
2’‧‧‧負顯影圖案
3‧‧‧含矽膜
3’‧‧‧不溶化之含矽膜
3”‧‧‧含矽膜圖案

Claims (6)

  1. 一種圖案形成方法，係包括：(1)獲得負顯影圖案之步驟，係於被加工基板上使用含酸產生劑的正型化學增幅型光阻膜材料並形成光阻膜，將該光阻膜曝光，使用有機溶劑進行顯影，獲得負顯影圖案；(2)形成含矽膜之步驟，係將由利用熱或酸、或其兩者會溶劑不溶化的含矽化合物、不溶解該負顯影圖案的溶劑、及熱酸產生劑構成之含矽膜形成用組成物塗佈於具有該負顯影圖案的被加工基板上，而形成含矽膜；(3)使該負顯影圖案之表面附近之該含矽膜溶劑不溶化之步驟，係藉由加熱、或以該負顯影圖案所含有的酸為觸媒、或藉由其兩者使該負顯影圖案之表面附近之該含矽膜溶劑不溶化；(4)獲得已不溶化之部分作為含矽膜圖案之步驟，係將未不溶化之部分之含矽膜以有機溶劑溶解去除，獲得已不溶化之部分作為含矽膜圖案；(5)使該負顯影圖案之上部露出之步驟，係將該含矽膜圖案之上部進行乾蝕刻或濕式蝕刻，使該負顯影圖案之上部露出；(6)將該負顯影圖案去除之步驟，係以乾蝕刻或濕式蝕刻將該負顯影圖案去除；(7)將圖案轉印於該被加工基板之步驟，係以該已將上部乾蝕刻或濕式蝕刻的含矽膜圖案作為蝕刻遮罩，將圖案轉印於該被加工基板。
  2. 一種圖案形成方法，係包括：(1)獲得負顯影圖案之步驟，係於被加工基板上形成有機下層膜，於該有機下層膜上使用含酸產生劑的正型化學增幅型光阻膜材料形成光阻膜，將該光阻膜曝光，使用有機溶劑進行顯影，獲得負顯影圖案；(2)形成含矽膜之步驟，係將由利用熱或酸、或其兩者會溶劑不溶化的含矽化合物、不溶解該負顯影圖案的溶劑、及熱酸產生劑構成之含矽膜形成用組成物塗佈於具有該負顯影圖案的被加工基板上，並形成含矽膜；(3)使該負顯影圖案之表面附近之該含矽膜溶劑不溶化之步驟，係藉由加熱、或以該負顯影圖案所含有的酸為觸媒、或藉由其兩者使該負顯影圖案之表面附近之該含矽膜溶劑不溶化； (4)獲得已不溶化之部分作為含矽膜圖案之步驟，係將未不溶化之部分之含矽膜以有機溶劑溶解去除，獲得已不溶化之部分作為含矽膜圖案；(5)使該負顯影圖案之上部露出之步驟，係將該含矽膜圖案之上部進行乾蝕刻或濕式蝕刻，使該負顯影圖案之上部露出；(6)將該負顯影圖案去除之步驟，係以乾蝕刻或濕式蝕刻將該負顯影圖案去除；(7)將圖案轉印於該有機下層膜之步驟，係以該已將上部乾蝕刻或濕式蝕刻的含矽膜圖案作為蝕刻遮罩，將圖案轉印於該有機下層膜；(8)將該有機下層膜之圖案轉印於該被加工基板之步驟。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之圖案形成方法，其中，該含矽化合物，係具有以熱或酸、或其兩者可產生酚性羥基或萘酚性羥基、或其兩者的取代基。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之圖案形成方法，其中，該含矽化合物係使用具有環氧骨架或氧雜環丁烷骨架、或其兩者的含矽化合物。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之圖案形成方法，其中，該含矽膜形成用組成物係使用包含交聯劑者。
  6. 如申請專利範圍第2項之圖案形成方法，其中，係藉由以旋轉塗佈法進行塗佈的方式形成該有機下層膜。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6002554B2 (ja) * 2012-11-26 2016-10-05 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、及び、これを用いる電子デバイスの製造方法
JP2014211541A (ja) * 2013-04-18 2014-11-13 Jsr株式会社 微細パターンの形成方法
JP2017521715A (ja) * 2014-07-08 2017-08-03 東京エレクトロン株式会社 ネガティブトーン現像剤相溶性フォトレジスト組成物及び使用方法
US10082735B2 (en) * 2014-07-15 2018-09-25 Nissan Chemical Industries, Ltd. Silicon-containing resist underlayer film-forming composition having organic group having aliphatic polycyclic structure
KR102439087B1 (ko) * 2014-11-19 2022-09-01 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 습식제거가 가능한 실리콘함유 레지스트 하층막 형성 조성물
TWI603145B (zh) * 2014-12-31 2017-10-21 羅門哈斯電子材料有限公司 光微影方法
CN117008420A (zh) * 2015-06-11 2023-11-07 日产化学工业株式会社 感放射线性组合物
CN110989292B (zh) * 2019-12-10 2023-03-17 东莞市友辉光电科技有限公司 一种基板制备精细纹理的方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080064213A1 (en) * 2006-09-12 2008-03-13 Hynix Semiconductor Inc. Method for forming a fine pattern of a semiconductor device
US20080122125A1 (en) * 2006-11-29 2008-05-29 Micron Technology, Inc. Methods to reduce the critical dimension of semiconductor devices and partially fabricated semiconductor devices having reduced critical dimensions
US20080187860A1 (en) * 2006-12-25 2008-08-07 Fujifilm Corporation Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method
US20100178617A1 (en) * 2009-01-15 2010-07-15 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Patterning process

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004153125A (ja) 2002-10-31 2004-05-27 Fujitsu Ltd 加工用マスクの形成方法及び半導体装置の製造方法
JP4355943B2 (ja) 2003-10-03 2009-11-04 信越化学工業株式会社 フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法
US7303855B2 (en) 2003-10-03 2007-12-04 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photoresist undercoat-forming material and patterning process
JP4659678B2 (ja) 2005-12-27 2011-03-30 信越化学工業株式会社 フォトレジスト下層膜形成材料及びパターン形成方法
JP4772618B2 (ja) 2006-07-31 2011-09-14 東京応化工業株式会社 パターン形成方法、金属酸化物膜形成用材料およびその使用方法
JP4858714B2 (ja) 2006-10-04 2012-01-18 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
KR101116963B1 (ko) 2006-10-04 2012-03-14 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 고분자 화합물, 레지스트 재료, 및 패턴 형성 방법
US7985534B2 (en) * 2007-05-15 2011-07-26 Fujifilm Corporation Pattern forming method
JP4840255B2 (ja) * 2007-05-29 2011-12-21 Ｊｓｒ株式会社 パターン形成方法及びそれに用いる樹脂組成物
JP4793592B2 (ja) 2007-11-22 2011-10-12 信越化学工業株式会社 金属酸化物含有膜形成用組成物、金属酸化物含有膜、金属酸化物含有膜形成基板及びこれを用いたパターン形成方法
TWI452419B (zh) * 2008-01-28 2014-09-11 Az Electronic Mat Ip Japan Kk 細微圖案光罩及其製造方法、及使用其之細微圖案形成方法
JP5397636B2 (ja) * 2008-07-24 2014-01-22 日産化学工業株式会社 コーティング組成物及びパターン形成方法
WO2010032796A1 (ja) * 2008-09-19 2010-03-25 日産化学工業株式会社 サイドウォール形成用組成物
JP5663140B2 (ja) * 2009-01-22 2015-02-04 東京応化工業株式会社 被覆パターン形成方法、レジスト被覆膜形成用材料、パターン形成方法
WO2011011140A2 (en) * 2009-07-23 2011-01-27 Dow Corning Corporation Method and materials for double patterning
JP5184460B2 (ja) * 2009-07-24 2013-04-17 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP2011238795A (ja) * 2010-05-11 2011-11-24 Toshiba Corp パターン形成方法
KR20120026314A (ko) * 2010-09-09 2012-03-19 삼성전자주식회사 미세 패턴 형성 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080064213A1 (en) * 2006-09-12 2008-03-13 Hynix Semiconductor Inc. Method for forming a fine pattern of a semiconductor device
US20080122125A1 (en) * 2006-11-29 2008-05-29 Micron Technology, Inc. Methods to reduce the critical dimension of semiconductor devices and partially fabricated semiconductor devices having reduced critical dimensions
US20080187860A1 (en) * 2006-12-25 2008-08-07 Fujifilm Corporation Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method
US20100178617A1 (en) * 2009-01-15 2010-07-15 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Patterning process

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Publication number Publication date
KR101648612B1 (ko) 2016-08-16
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KR20140043275A (ko) 2014-04-09
JP2014071408A (ja) 2014-04-21
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