TWI453903B - 具有改良之角度回應之背部照明成像感測器 - Google Patents

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Description

具有改良之角度回應之背部照明成像感測器
本發明大體上係關於成像感測器，及特定言之(但非專門針對)係關於背部照明成像感測器。
現今許多半導體成像感測器為前部照明。亦即其等包含經製造在半導體晶圓之前部上之成像陣列，其中光係在來自同一前部之成像陣列處接收。然而，前部照明成像感測器具有很多缺點，其中一者為受限填充因子。
背部照明成像感測器為前部照明成像感測器之替代選擇，其解決與前部照明有關之填充因子問題。背部照明成像感測器包含經製造在半導體晶圓之前表面上之像素陣列，但經由該晶圓之背表面接收光。濾色器及微透鏡可包含於該晶圓之背表面以改善該背部照明感測器之靈敏度。然而，在陣列中的像素之靈敏度視其在該陣列中之位置而變化。例如位在或接近該陣列中心的像素可具有高靈敏度，此因接近該陣列中心之入射光垂直於該感測器之背表面之故。雖然處於或接近該陣列中心的像素可具有高靈敏度，但位在遠離該陣列中心的像素可具有較低靈敏度，此因入射光相對於該感測器之背表面之角度傾斜之故。穿過該像素陣列的靈敏度之變化經常稱為「靈敏度下降」及可導致成像感測器不規則之白平衡及較差的色彩一致性。
本發明描述一具有改良之角度回應之背部照明感測器之實施例。在以下描述中，提出特定細節以徹底瞭解該等實施例。然而，熟習相關技術者將意識到本文描述之技術可在無一或多個特定細節下，或以其他方法、組件、材料等實施。在其他實例中，不詳細顯示或描述習知結構、材料、或操作以避免混淆某些態樣。
遍及本說明書之引證「一實施例」意指與實施例一起描述之特定特徵、結構、或特性包含於本發明之至少一實施例中。因此，語句「在一實施例中」出現在遍及本說明書之不同位置並非皆指同一實施例。此外，特定特徵、結構、或特性可以適宜方式組合於一或多個實施例中。
總之，本發明之實施例包含背部照明成像感測器之多種元件之偏移以改良角度之回應。該成像感測器之多種元件之偏移進一步改良色彩背部照明成像感測器之色彩回應。以下詳細描述該等及其他實施例。
參照下圖描述本發明之非限制及部份實施例，其中相似參考數字係指遍及多個視圖之相似零件，除非另有指明。
圖1係圖示根據本發明之一實施例之一背部照明成像感測器100的一方塊圖。成像感測器100之所示實施例包含一像素陣列105、讀出電路110、功能邏輯115、及控制電路120。
像素陣列105係背部照明成像感測器或像素(如像素P1、P2...、Pn)之二維(「2D」)陣列。在一實施例中，各像素為一主動像素感測器(「APS」)，諸如互補式金屬-氧化物-半導體(「CMOS」)成像像素。如述，各像素經配置成一列(如列R1至Ry)及一行(如行C1至Cx)以獲得人、地點、或物體之圖像資料，然後用其以賦予該人、地點、或物體之2D圖像。像素Pc被圖解為像素陣列105之一中心像素。在一實例中，就包含奇數行或列之一像素陣列而言，一中心像素係一包含其之左側及右側具有相同數目像素及位在其上及其下的像素數目亦相同之像素。在另一實例中，就一包含偶數行或列之像素陣列而言，像素陣列105可包含在該陣列中心點四周聚集的若干像素。
在各像素已獲得其之圖像資料或圖像電荷之後，藉由讀出電路110讀出該圖像資料，然後將其轉移至功能邏輯115。讀出電路110可包含放大電路、類比對數位轉換電路、或其他。功能邏輯115可單獨儲存圖像資料或甚至藉由應用後圖像處理(如修剪、旋轉、去除紅眼、調節亮度、調節對比度、或其他)來控制圖像資料。在一實施例中，讀出電路110可沿著讀出行線(圖示)一次讀出一列圖像資料或可使用諸如同時連續讀出或完全平行讀出所有像素之各種其他技術(未圖示)來讀出圖像資料。
控制電路120經耦合至像素陣列105以控制像素陣列105之操作特性。例如控制電路120可產生一用於控制圖像採集之光閘信號。
圖2係根據本發明之一實施例的一背部照明成像感測器之一成像像素200的一截面視圖。如圖1中所示，成像像素200為像素陣列105之至少一像素的一可行實施方案。成像像素200之所示實例包含一p-型基板205、一光電二極體區(例如：淺層n-區210及深層n-區215)、一隔離區(如淺溝渠隔離(「STI」)220、淺層p-阱225，及深層p-阱230)、一釘扎層(pinning layer)235、一鈍化層240、一濾色器245、及一微透鏡250。
在圖2之所示實施例中，淺層n-區210及深層n-區自前表面207植入基板205內以形成一光電二極體區。淺層n-區210及深層n-區215經組態以接收來自基板205之背表面209的光。在一實施例中，利用植入不同摻雜物(例如利用砷作為摻雜物形成一植入物且利用磷作為摻雜物形成另一植入物)來形成深層n-區215及淺層n-區210。光電二極體區經由選擇性釘扎層235而被解釋為釘扎光電二極體。在一實施例中，該光電二極體區可為未釘扎光電二極體或部份釘扎光電二極體。
仍參照圖2，像素200之一隔離區包含STI 220、淺層p-阱225及深層p-阱230。在一實例中，該隔離區可包含一或多個隔離阱。該隔離區經組態以單獨或與鈍化層240一起作用，以在成像像素之間(例如成像像素200與相鄰成像像素(未顯示)之間)提供大體上完全隔離阱。在一實例中，鈍化層240係一由摻雜物(諸如硼)形成的背部P+ 層。在一實例中，淺層p-阱225形成於p-型基板205中，且深層p-阱230在淺層p-阱225及背表面209之間形成。雖然圖2說明STI 220形成於淺層p-阱225與前表面207之間，但STI 220可形成於淺層p-阱225內，其中淺層p-阱225在深層p-阱230及前表面 207之間延伸。在一實例中，深層p-阱230延伸至基板205之背表面209。在另一實例中，深層p-阱230可不必一直延伸至背表面209，只要鈍化層240充分高摻雜(例如使用硼)即可。
如在圖2中所示，淺層n-區210包含一中心線213。在一實施例中，中心線213之投射在前表面207及背表面209之間延伸。中心線213亦可大體上正交於前表面207、背表面209、或兩者。在一實施例中，中心線213係一把淺層n-區210之截面一分為二之線。中心線213可關於一或多個軸線把淺層n-區210之截面一分為二。舉例而言，中心線213可僅關於x-軸、僅關於y-軸、或關於x及y軸二者把淺層n-區210之截面一分為二。在一實施例中，當自前表面207觀察時，中心線213可位在淺層n-區210之質心。亦即當沿著z-軸觀察時，淺層n-區210之質心為二維點，在此，淺層n-區210之所有點的位移之和為零。如在圖2之所示實施例中顯示，中心線213係淺層n-區210、深層n-區215、濾色器245及微透鏡250之中心線。亦即淺層n-區210、深層n-區215、濾色器245及微透鏡250皆包含彼此重合之中心線。
圖2進一步說明包含一中心線227之淺層p-阱225。在一實施例中，中心線227之投射在前表面207及背表面209之間延伸。中心線227亦可大體上正交於前表面207、背表面209、或兩者。在一實施例中，中心線227係一將淺層p-阱225之截面一分為二之線。中心線227可關於一或多個軸線將淺層p-阱225之截面一分為二。舉例而言，中心線227可僅關於x-軸、僅關於y-軸、或關於x及y軸兩者把淺層p-阱225之截面一分為二。在一實施例中，當自前表面207觀察時，中心線227可位在淺層p-阱225之質心。亦即：當沿著z-軸觀察時，淺層p-阱225之質心為二維點，在此，淺層p-阱225之所有點的位移之和為零。如在圖2之所示實施例中顯示，中心線227係淺層p-阱225及深層p-阱230之中心線。亦即淺層p-阱225與深層p-阱230包含彼此重合之中心線。
成像像素200係圖1中像素陣列105之中心像素Pc之一可行實施方案。在操作期間，在像素陣列105之中心或接近像素陣列105之中心所接收之入射光大體上垂直(即正交)於基板205之背表面209。垂直於成像像素200之背表面209之光可繼續傳播通過光電二極體區直至其或者在深層n-區215內或在淺層n-區210內被吸收。然而，遠離像素陣列105中心(例如在像素P1、P2、P3等處)而接收之光大體上不垂直(即不正交)於基板205之背表面209。習知像素陣列可包含具有與該整個陣列呈一直線之組件的成像像素，諸如成像像素200。亦即，位在遠離習知像素陣列中心處之像素可具有呈一直線之組件，諸如成像像素200。
圖3圖示藉由習知像素陣列在具有呈一直線之組件(即像素200)處接收光之實例，其中該像素位在遠離該像素陣列中心處，以使該被接收之光關於背表面209呈傾斜角θ。在一實施例中，以傾斜角θ在背表面209上之入射光大體上不正交於背表面209。如示，以傾斜角θ接收之光無法到達淺層n-區210。作為替代地，傾斜光可穿過深層n-區215然後進入隔離區(例如淺層p-阱225及深層p-阱230)。在一實例中，在該隔離區中吸收光將導致光產生之電子可擴散於一相鄰像素(未顯示)內。在另一實例中，光可完全穿過該隔離區並可在一相鄰像素內分散，其可直接在該相鄰像素中提供信號。
在一實例中，圖1之成像感測器100係一包含用於檢測藍光之成像像素及用於檢測紅光之成像像素的色彩成像感測器。由於紅光較藍光在光電二極體內更深處被吸收，因此若將具有呈一直線之組件，諸如成像像素200用於整個陣列中，則紅光靈敏度可自陣列105之中心至該陣列之邊緣下降較快。由一帶有所有成像像素200之像素陣列產生的所得圖像可在接近圖像之邊緣處帶有青色調。由於成像感測器之密度的增加，故針對遠離該陣列中心的像素，紅光靈敏度可降低。
因此，本發明之實施例包含偏移一成像像素之多個元件以補償以傾斜角θ接收之入射光。由於該傾斜角θ對於接近一像素陣列中心之像素與對於遠離該陣列中心之像素可不同，故本發明之實施例進一步包含偏移各成像像素之多個元件自該像素陣列中心的像素距離的相對距離。因此，根據本發明之成像感測器可增加在該陣列邊緣處之靈敏度及減少串音。
圖4係根據本發明之一實施例之一背部照明成像感測器之一成像像素400的一截面圖。成像像素400係圖1中所示像素陣列105之至少一像素的一可行實施方案。成像像素400之所圖示實例包含p-型基板205、一光電二極體區(例如淺層n-區210及深層n-區215)、一隔離區(例如淺溝渠隔離(「STI」)220、淺層p-阱225、及深層p-阱230)、釘扎層235、鈍化層240、濾色器245、及微透鏡250。
如同圖2之成像像素200，成像像素400之淺層n-區210亦包含中心線213。然而，如在圖4中所示，深層n-區215自中心線213偏移。在一實施例中，深層n-區215包含一與中心線213無關之深層n-區中心線417。深層n-區215可自淺層n-區210偏移一距離OSX,Y ，其在一實施例中可為中心線213與中心線417之間之距離。深層n-區215可關於一或多根軸自中心線213偏移。例如深層n-區215可僅關於x-軸、僅關於y-軸、或關於x及y軸兩者自中心線213偏移。在一實施例中，深層n-區215關於一軸自中心線213偏移，但大體上關於另一軸與中心線213重合(例如在x-軸上偏移，但在y-軸上呈一直線)。
圖4進一步圖示包含中心線227之淺層p-阱225及包含一深層p-阱中心線433之深層p-阱230。如在圖4中所示，深層p-阱230自中心線227偏移。深層p-阱230可自中心線227偏移一距離OS'X,Y ，其在一實施例中可為中心線227與中心線433之間之距離。深層p-阱230可關於一或多根軸自中心線227偏移。例如深層p-阱230可僅關於x-軸、僅關於y-軸、或關於x及y軸兩者自中心線227偏移。在一實施例中，深層p-阱230自中心線227偏移之距離與深層n-區215自中心線213偏移之距離相同(例如OSX,Y =OS'X,Y )。
仍參看圖4，微透鏡250被圖示為自中心線213偏移。在一實施例中，微透鏡250包含一與中心線213無關之微透鏡中心線419。微透鏡250可自中心線213偏移一距離OS"X,Y ，其在一實施例中可為中心線213及中心線419之間之距離。微透鏡250可關於一或多根軸自中心線213偏移。例如微透鏡250可僅關於x-軸、僅關於y-軸、或關於x及y軸兩者自中心線213偏移。在一實施例中，微透鏡250自中心線213偏移之距離較深層n-區215自中心線213偏移之距離大(例如OS"X,Y >OSX,Y )。
成像像素400係遠離圖1中之像素陣列105中心的一像素(如像素P1、P2、P3等)之一可行實施方案。在操作中，在遠離像素陣列105處接收之入射光關於背表面209呈傾斜角θ。由於微透鏡250及深層n-區215關於淺層n-區中心線213偏移，故光電二極體區可較佳地與進入光路徑相匹配。因此，繼續傳播通過深層n-區215之光可繼續進入淺層n-區210，以被吸收。
圖5係圖示根據本發明之一實施例之一背部照明成像感測器的一成像像素500之一正視圖的一方塊圖。成像像素500係圖1中所示像素陣列105及圖4中所示成像像素400的至少一像素之一可行實施方案。成像像素500之所圖示實施例包含一淺層n-區510、一深層n-區515、及一微透鏡550。
如在圖5之所圖示實施例中顯示，淺層n-區510包含一中心點513、深層n-區515包含一中心點517、及微透鏡550包含一中心點553。在一實施例中，中心點513、517及553分別對應於圖4中所示中心線213、417及419。圖5進一步圖示深層n-區515可沿著x及y軸兩者自中心點513偏移。在一實施例中，深層n-區515之偏移可被認為係中心點513及中心點517之間的x及y距離。例如圖5圖示深層n-區515在沿著x-軸時具有偏移距離OSX 及沿著y-軸時具有偏移距離OSY 。深層n-區515可關於一或多根軸偏移。
圖6係圖示根據本發明之一實施例之一背部照明成像感測器之一成像像素陣列600的一正視圖的一方塊圖。像素陣列600係圖1中所示像素陣列105之一可行實施方案。在一實施例中，成像陣列600之每一像素係本文所揭示之成像像素的至少一者。例如像素Pc可為圖2之成像像素200，且像素P1、P2、P3及Pn各可為圖4之成像像素400之一實施例。
像素陣列600之所圖示實施例係背部照明成像感測器或像素(例如像素P1、P2...、Pn)之一二維(「2D」)陣列。如所示，各像素經配置成一列(如列R1至Ry)及一行(如行C1至Cx)。像素Pc被圖示為像素陣列600之一中心像素。像素陣列600之每一像素包含一淺層n-區610(即圖示為非陰影區)及一深層n-區615(即圖示為陰影區)。此外，各淺層n-區610被圖示為包含一中心點613，且各深層n-區615被圖示為包含一中心點617。
如上所提及，入射光在每一像素之背表面之傾斜角θ可根據每一像素與像素陣列600之中心(如像素Pc)之距離而變化。因此，像素陣列600之所圖示實施例包含偏移一些深層n-區615一其等各自像素與像素陣列600中心的距離之相對距離。
例如中心像素Pc不包含其之深層n-區615之偏移。在一實施例中，中心像素Pc之中心點613及中心點617大體上重合。中心像素Pc可不包含偏移，此因如上所提及光在或接近陣列中心處入射大體上垂直於背表面之故。因此，不需要偏移。
然而，針對遠離中心像素Pc之像素，在該等像素上之入射光可有一傾斜角θ。因此，在像素陣列600上遠離中心像素Pc之每一像素可包含深層n-區615之偏移以補償各相應傾斜角θ。在一實施例中，在像素陣列600上遠離中心像素Pc之每一像素包含一朝著該中心像素Pc偏移之深層n-區615。例如像素P2之深層n-區615朝著中心像素Pc偏移以使中心點617較中心點613更接近中心像素Pc。
如在圖6中所示，像素陣列600包含像素之一中心行C3及一中心列R3。在此實施例中，在中心行C3或中心列R3上之像素可包含一僅沿著一軸偏移之深層n-區615。例如像素P3包含一僅沿著y-軸偏移及大體上關於x-軸對齊之深層n-區615。
如在圖6中進一步顯示，像素陣列600之進一步遠離中心像素Pc的像素包含較位在接近中心像素Pc處之該等像素偏移距離遠的深層n-區615。例如位在行C1中之像素可包含沿著x-軸較該等位在行C2中者偏移距離遠之深層n-區615。藉由其他實例，像素P2包含一具有OSX 1之x-軸偏移的深層n-區615，同時像素P1包含一具有OSX N之x-軸偏移之深層n-區615，其中OSX N>OSX 1。在一實施例中，在像素陣列600中之所有像素之x-軸偏移OSX 及y-軸偏移OSY 為約0微米至約0.5微米之範圍。
此外，像素陣列600之一些成像像素可包含一沿著x及y軸偏移相同距離之深層n-區615。例如像素P1包含沿著x-軸偏移距離OSX N及沿著y-軸偏移距離OSY N之深層n-區615，其中OSX N=OSY N。
圖7係圖示根據本發明之一實施例之一背部照明成像感測器之一成像像素陣列700的一方塊圖。像素陣列700係圖1中所示像素陣列105之一可行實施方案。在一實施例中，成像陣列700之每一像素係圖4的成像像素400之一實施例。像素陣列700與圖6之成像陣列600相似，但像素陣列700包含偶數行及列，及因此不包含一中心像素Pc。因此，在一實施例中，各深層n-區615之偏移量可相應於各像素自一中心點702之距離。在一實施例中，像素陣列700僅包括包含一關於x及y軸兩者偏移之深層n-區615之像素。亦即在此實施例中，像素陣列700可不包括任何包含一沿著或者x或者y軸呈直線的深層n-區615的像素。
本發明之所圖示實施例之以上描述(包含在摘要中所描述的內容)不全面或不希望將本發明限制於所揭示之準確形式。然而本發明之特定實施例及實例於本文中之描述係為說明性目的，熟習此類相關技術者應明白多種修改在本發明之範疇內可行。
鑒於上述詳細描述，可對本發明作該等修改。以下申請專利範圍使用之術語不應認為係將本發明限制於說明書中所揭示之特定實施例。然而，本發明之範圍完全係由以下申請專利範圍所確定，其等將根據申請專利範圍說明所建立之教義來解釋。
100．．．成像感測器
105．．．像素陣列
110．．．讀出電路
115．．．功能邏輯
120．．．控制電路
200．．．成像像素205
205．．．基板
207．．．前表面
209．．．背表面
210．．．淺層n-區
213．．．中心線
215．．．深層n-區
220．．．淺溝渠隔離(「STI」)
225．．．淺層p-阱
227．．．中心線
230．．．深層p-阱
235．．．釘扎層
240．．．鈍化層
245．．．濾色器
250．．．微透鏡
400．．．成像像素
417．．．中心線
419．．．中心線
500．．．成像像素
510．．．淺層n-區
513．．．中心點
515．．．深層n-區
517．．．中心點
550．．．微透鏡
553．．．中心點
600．．．像素陣列
610．．．淺層n-區
613．．．中心點
615．．．深層n-區
617．．．中心點
700．．．像素陣列
圖1係圖示根據本發明之一實施例之一背部照明成像感測器的一方塊圖。
圖2係根據本發明之一實施例之一背部照明成像感測器之一成像像素的一截面視圖。
圖3係一習知背部照明成像感測器之一成像像素的截面視圖，其中該像素位在遠離該像素陣列中心處。
圖4係根據本發明之一實施例之一背部照明成像感測器之一成像像素的一截面視圖。
圖5係圖示根據本發明之一實施例之一背部照明成像感測器之一成像像素的一正視圖的一方塊圖。
圖6係圖示根據本發明之一實施例之一背部照明成像感測器之一成像像素陣列的一正視圖的一方塊圖。
圖7係圖示根據本發明之一實施例之一背部照明成像感測器之一成像像素陣列的一正視圖的一方塊圖。
100．．．成像感測器
105．．．像素陣列
110．．．讀出電路
115．．．功能邏輯
120．．．控制電路

Claims (21)

  1. 一種背部照明成像像素，其包括：一半導體層，其具有一前表面及一背表面；一光電二極體區，形成於該半導體層中，其中該光電二極體區包含：一第一n-區，其具有一中心線；及一第二n-區，其位於該第一n-區與該半導體層之該背表面之間，其中該第二n-區自該第一n-區之中心線偏移一第一距離；及一隔離區，其形成於位於鄰近該光電二極體區的該半導體層中，其中該隔離區包含：一第一p-阱，其具有一中心線；及一第二p-阱，其位於該第一p-阱與該半導體層之該背表面之間，其中該第二p-阱自該第一p-阱之該中心線偏移一第二距離。
  2. 如請求項1之背部照明成像像素，其中該第一及第二距離大體上相等。
  3. 如請求項1之背部照明成像像素，其進一步包括一微透鏡，其位於在該光電二極體區下方之該半導體層的該背表面上，其中該微透鏡自該第一n-區之中心線偏移。
  4. 如請求項3之背部照明成像像素，其中該第二n-區自該第一n-區之中心線偏移該第一距離，且其中該微透鏡自該第一n-區之中心線偏移一第三距離。
  5. 如請求項4之背部照明成像像素，其中該第一距離小於 該第三距離。
  6. 如請求項3之背部照明成像像素，其進一步包括一位於該微透鏡與該光電二極體區之間的濾色器。
  7. 如請求項1之背部照明成像像素，其中該成像像素係一互補式金屬氧化物半導體(「CMOS」)背部照明成像像素。
  8. 一種成像感測器，其包括：一半導體層，其具有一前表面及一背表面，該半導體層具有一包含一第一成像像素的背部照明成像像素陣列，該第一成像像素包含一形成於該半導體層中的第一光電二極體區及一隔離區，其中該第一光電二極體區包含：一第一n-區，其具有一中心線；及一第二n-區，其位於該第一n-區與該半導體層之該背表面之間，其中該第二n-區自該第一n-區之中心線偏移一第一距離；及其中該隔離區係位於鄰近該光電二極體區且包含：一第一p-阱，其具有一中心線；及一第二p-阱，其位於該第一p-阱與該半導體層之該背表面之間，其中該第二p-阱自該第一p-阱之中心線偏移。
  9. 如請求項8之成像感測器，其中該第一成像像素進一步包含一微透鏡，其位於在該光電二極體區下方之該半導體層的該背表面上，其中該微透鏡自該第一n-區之中心 線偏移一第二距離。
  10. 如請求項9之成像感測器，其中該第一距離小於該第二距離。
  11. 如請求項9之成像感測器，其中該第一成像像素進一步包含一濾色器，其位於該微透鏡及該光電二極體區之間。
  12. 如請求項8之成像感測器，其中該成像像素陣列進一步包含一第二成像像素，該第二成像像素包含：一第二光電二極體區，其形成於該半導體層中，其中該第二光電二極體區包含：一第三n-區，其具有一中心線；及一第四n-區，其位於該第三n-區與該半導體層之該背表面之間，其中該第四n-區自該第三n-區之中心線偏移一大於該第一距離之距離。
  13. 如請求項12之成像感測器，其中該第二成像像素較該第一成像像素更遠離該陣列之一中心。
  14. 如請求項8之成像感測器，其中該成像像素陣列進一步包含一第三成像像素，該第三成像像素包含：一第三光電二極體區，其形成於該半導體層中，其中該第三光電二極體區包含：一第五n-區，其具有一中心線；及一第六n-區，其位於該第五n-區與該半導體層之該背表面之間，其中該第六n-區具有一大體上與該第五n-區之中心線重合之中心線。
  15. 如請求項14之成像感測器，其中該第三成像像素係該成像像素陣列之一中心像素。
  16. 如請求項8之成像感測器，其中各成像像素係一互補式金屬氧化物半導體(「CMOS」)背部照明成像像素。
  17. 如請求項8之成像感測器，其中該第二n-區朝該陣列中心自該第一n-區之中心線偏移，以使該第二n-區之中心線較該第一n-區之中心線更靠近該陣列中心。
  18. 如請求項8之成像感測器，其中該第二n-區朝該陣列中心沿著該陣列之一第一軸自該第一n-區之中心線偏移，且大體上沿著該陣列之一第二軸與該第一n-區之中心線對齊。
  19. 如請求項18之成像感測器，其中該第一成像像素係一位於該陣列之一中心行或一中心列之像素。
  20. 一種製造一背部照明成像像素陣列之方法，其包括：於一半導體層內製造具有一前表面及一背表面之一第一光電二極體，其中製造該第一光電二極體包含：於該半導體層內植入一第一n-區，其中該第一n-區具有一中心線；及於該半導體層內植入一第二n-區，以使該第二n-區位於該第一n-區與該半導體層的該背表面之間，並使該第二n-區自該第一n-區之中心線偏移一第一距離；於該陣列中之至少二個成像像素之間製造一隔離區，其中製造該隔離區包含：於該半導體層內形成一第一p-阱，其中該第一p- 阱具有一中心線；及於該半導體內形成一第二p-阱，以使該第二p-阱位於該第一p-阱與該半導體層的該背表面之間，並使該第二p-阱自該第一p-阱之該中心線偏移一第二距離。
  21. 如請求項20之方法，其進一步包括：於該半導體層內從該半導體層之該前表面製造一第二光電二極體，其中製造該第二光電二極體包含：於該半導體層內植入一第三n-區，其中該第三n-區具有一中心線；及於該半導體層內植入一第四n-區，以使該第四n-區位於該第三n-區與該半導體層的該背表面之間，並使該第四n-區自該第三n-區之中心線偏移一大於該第一距離之距離。
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