TWI427817B - 發光裝置封裝及其製造方法 - Google Patents

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Description

發光裝置封裝及其製造方法

本發明係有關一種發光裝置封裝及其製造方法,更特別的是有關一種能夠提高發光效率並減少熱阻的發光裝置封裝以及其製造方法。

發光二極體(LED)是眾所周知的一種半導體發光裝置,其將電流轉化為光,用以發光。自1962年市售利用GaAsP化合物半導體製造之紅色發光二極體以來,該紅色發光二極體已經與GaP:N綠色發光二極體一起使用在電子儀器中作為光源,用以顯示圖像。

從這種發光二極體中發射出光的波長係依用於製造發光二極體的半導體材料而定。這是因為依半導體材料的能帶隙而定之發射光波長係代表價帶電子和導帶電子之間能量的不同。

由於氮化鎵(GaN)化合物半導體具有高耐熱性和具有在0.8到6.2eV之間的寬能帶隙,因此其已經在高能電子裝置領域廣泛使用。氮化鎵化合物半導體會廣泛應用的原因之一是利用氮化鎵與其他元素例如銦、鋁等相混合,可製造出能夠發射綠色、藍色、或白色光的半導體層。

因而,利用氮化鎵與其他適當元素的混合,可調整發射光的波長。因此,當使用氮化鎵時,係根據使用所欲之發光二極體的裝置之性質可適當地決定該所欲發光二極體的材料。舉例而言,可製造光學記錄用之藍色發光二極體、或者替代白熾光之白色發光二極體。

另一方面,最初發展的綠色發光二極體係使用磷化鎵(GaP)來製造。由於磷化鎵是屬於間接躍遷(indirect transition)的材料而導致效率的降低,所以使用該材料製造的綠色發光二極體實際上並不能產生純綠色的光。由於InGaN薄膜近來成功地發展,已經可以製造出高亮度的綠色發光二極體。

根據上述的氮化鎵系發光二極體的優點和其他優點,氮化鎵系發光二極體的市場已經快速擴大。而且,自1994年氮化鎵系發光二極體已經在商業上應用以來,與氮化鎵系光電裝置有關的技術也已經快速發展起來。

氮化鎵系發光二極體具有的發光效率高於白熾光管。現今,氮化鎵系發光二極體的效率實質上等於螢光燈的效率。因此,可預料到氮化鎵系發光二極體的市場必將顯著的增長。

由於這種技術的發展,氮化鎵系發光二極體的應用已經擴展不僅僅在顯示裝置中,而且用在液晶顯示(LCD)裝置中替代冷陰極螢光燈作為背光源,白色發光二極體照明裝置可替代白熾光管或螢光燈,以及信號燈。

同時,除了可用直流電源驅動發光二極體以外,可用一般交流電源驅動的高電壓交流發光二極體晶片也已經發展起來。在這種應用中,發光二極體展現高工作電壓、小驅動電流、高發光效率、以及在同一電源下的高亮度等優點。

參考圖1,顯示一般發光二極體的結構。如圖1所示,一緩衝層2,一N型半導體層3,一主動層4,以及一P型半導體層5依次配置在基板1上,該基板1例如可由藍寶石製成。然後進行凸型圖案化步驟(mesa patterning),以暴露出N型半導體層3。之後,在P型半導體層5上形成一電流擴散層6,以作為具有高的光透射比之透明電極。

為了將發光二極體與外部電路電性連接,P型電極7和N型電極8依次分別在P型半導體層5和N型半導體層3上形成。如此,發光二極體結構10全部形成。

當在P型電極7和N型電極8之間加上一從外部電路而來的電壓,電洞和電子分別進入P型電極7和N型電極8。所述電洞和電子在主動層4再結合,如此,剩餘能量可轉換為光,然後通過透明電極和基板向外發光。

這時,靜電和突波電壓(surge voltage)可能施加在與外部電路電性連接的P型電極7和N型電極8上,如此,過電流(overcurrent)可流過發光二極體結構10。在這種情況下,半導體會受損,使得發光二極體不能再使用。

為了解決這個問題,發光二極體可與穩壓器電性連接。當過電流產生時,穩壓器可繞過(bypass)所產生的過電流,以防止發光二極體晶片受損。

在這種穩壓器中,主要是利用齊納崩潰的齊納二極體。當製造具有非常高雜質濃度的二極體時,該二極體具有一空間電荷區域寬度。如此,即使在反向電壓低時也會產生強大電場。

上述強大的電場可釋放晶格的共價鍵,因此產生許多自由電子和自由電洞。結果,在少許電壓變化的情況下,突變反向電流流過。根據齊納二極體的功能,可防止發光二極體晶片受損。

在使用這種齊納二極體的習知封裝的實例中,在導線架內形成杯狀彎曲部分,發光二極體係接合在該杯狀彎曲部分。如此,例如齊納二極體的穩壓器係接合在該封裝的另一導線架上。然後將導線架打線接合,以將穩壓器和發光二極體以並聯方式連接。

在上述習知方法中,由於必須形成杯狀彎曲部分以及連接以分離式元件(off chip)方法分開製造的穩定器,因此在電學和光學特性上皆有可能退化,而增大了成本。

因此,本發明之目的係在提供一種發光裝置封裝及其製造方法,其可充分地避免一個或幾個由於習知技術中限制和不足而引起的問題。

本發明的目的係在提供一種發光裝置封裝,其可易於形成一反射薄膜,而該反射薄膜適於將由發光裝置側向發出的光反射向前發出,此外,該發光裝置封裝可增強耐電壓特性,並可藉由具有優異熱傳導性的陶瓷體或矽體使熱易於向外部散發。

由本發明下述之實施方式及所附之圖式,本發明的前述及其他目的、特徵、觀點及優點將會更加明瞭。

為了達到本發明的這些目的和其他優點,本發明提供一種發光裝置封裝的製造方法,包括下列步驟:在一第一基板內形成一安裝孔;在一第二基板內形成複數個通孔;在各通孔內形成一金屬薄膜;在該第二基板的上表面及下表面上形成至少一對金屬層,使得該些金屬層與該金屬薄膜電性連接;將該第一基板與該第二基板接合;以及在該安裝孔內安裝至少一個發光裝置,使得該發光裝置與形成在該第二基板之上表面的該些金屬層電性連接。

另一方面,本發明提供一種發光裝置封裝,包括:一第一基板,具有至少一對通孔,且在每一個通孔內形成有一金屬薄膜或一導電薄膜;一第二基板,配置在該第一基板上,該第二基板具有一發光裝置安裝孔、以及在該安裝孔的側壁上形成的一反射薄膜;複數個第一電極,配置在該第一基板和該第二基板之間,每一個第一電極皆與形成在其對應通孔內的該金屬薄膜或該導電薄膜連接;以及至少一個發光裝置,配置在該安裝孔內,且與該些第一電極電性連接。

另一方面,本發明提供一種發光裝置封裝,包括:一第一基板,具有一第一表面、一第二表面、以及分別形成在該第一表面和該第二表面上的第一電極和第二電極,且該些第一電極和該些第二電極互相連接;一第二基板,配置在該第一基板上,該第二基板具有一發光裝置安裝孔、和在安裝孔的側壁上形成的一反射薄膜;以及複數個齊納二極體,每一個齊納二極體在該第一基板或該第二基板與該齊納二極體對應的一個第一電極之間作電性連接。

本發明前面的描述和以下細節的描述是針對本發明申請專利範圍提供進一步的解釋說明。

以下配合圖式對本發明的實施方式做更詳細的說明,俾使熟習該項技術領域者在研讀本說明書後能據以實施。

本發明可有各樣實施方式,但不用以限制本發明。因此,本發明可以作出多種修改及變化,以下將配合圖式對本發明的具體實施例作更詳細的說明,但不用以限制本發明,而且在不脫離本發明的精神和範圍下,本發明包括具體實施例的所有修改、變化及其均等者,且其皆被包括在下附之申請專利範圍中。

各圖式中相同的元件符號代表相同的元件。在各圖式中,層和區域的厚度為了清楚起見皆予以放大。

當一元件(例如一層,一區域或一基板)係在另一元件上,其可直接是在其他元件上或是其間可存在有插入元件。如果元件的一部分(例如一表面)係在內部,是指其跟元件的其他部分相比更遠於裝置的外部。

另外,相對用語,如“位於其下”或者“位於其上”係被用於描述一層或一區域與另一層或另一區域之間的關係。

一般可理解這些用語係在包括除了圖式中裝置的方位以外的裝置方位。最後,“直接地”用語意思是指沒有插入元件。本文的用語“和/或”包括一個或多個相關所列項目的任意組合或全部組合。

一般可理解儘管本文使用第一、第二等用語來描述各種元件、成分、區域、層和/或部分,但這些元件、成份、區域、層和/或部分並不被這些用語限制。

這些用語僅僅用於區分一個區域,一層或一個部分。因此,以下所討論的第一區域、第一層或第一部分可被稱為第二區域,第二層或第二部分。同樣地,第二區域,第二層或第二部分亦可被稱為第一區域、第一層或第一部分,但不脫離本發明的精神和範圍。

第一實施例

參考圖2,圖2說明本發明第一實施例中的發光裝置封裝。該發光裝置封裝包括:一上基板100和一下基板200。安裝在下基板200上的一發光裝置300。該下基板200由具有一傳熱係數的材料製成。該上基板100係與下基板200接合,並提供一反射薄膜,以用於將發光裝置300所發的光向前反射。

下基板200的材料可以是具有高傳熱係數的陶瓷,例如SiC,AlN或石墨。這裏,陶瓷係指含礦質元素作為主要成份的材料(例如氧化物、氮化物或碳化物)。如此的材料(亦即氧化物、氮化物或碳化物)可用於下基板200。

另外,可使用PCB、BeO、SiO、Si、Al、AlOx 、PSG、合成樹脂(塑膠)材料(例如環氧樹脂)、陶瓷、或Al2 O3

必須使用具有高傳熱係數材料的原因是可快速地將發光裝置300所產生的熱量轉移到熱接收器、PCB、或金屬芯PCB(MCPCB)。較佳使用傳熱係數為100 W/mk或100 W/mk以上的材料。

上基板100可由半導體(例如矽(Si))製成。在由半導體製成的上基板100中,可形成齊納二極體,以增進耐電壓特性。

在下文中,根據本發明第一實施例之發光裝置封裝的製造方法將描述如下。

首先,形成蝕刻步驟用的遮罩層110,以在上基板100中形成安裝孔。

舉例而言,如圖3所示,在矽製得之上基板100上形成一層濕蝕刻遮罩層,以對上基板100進行各向異性濕蝕刻。其後,在欲形成安裝孔120的區域(如圖4所示)移除該濕蝕刻遮罩層,以暴露出上基板100上對應的部分。然後如圖3所示,遮罩層110形成。

接下來,如圖4所示,進行濕蝕刻步驟,使用可對矽進行各向異性濕蝕刻的蝕刻溶液,使通過上基板100的通孔形成。如此,安裝孔120形成。在安裝孔120形成之後,剩餘的遮罩層110被完全移除。

在根據各向異性濕蝕刻形成安裝孔120時,可使該安裝孔120具有一特定傾斜角θ的斜面,如圖4所示。

該傾斜角θ係安裝孔120的斜面與安裝孔120下方的底面之間的夾角。該傾斜角的度數範圍是從35°到70°。

該斜面將形成一反射面,以萃取隨後將被安裝的發光裝置側面所發出的光。然後,考慮到從發光裝置水平射出光的方向和分散,理論上最佳的傾斜角θ是54.7°。然而,實際上,該傾斜角θ的度數範圍可從50°到60°。

同時,該發光裝置可具有傾斜的側面。考慮到這種情況,安裝孔120的傾斜角θ可測定在從35°到70°的範圍內。

齊納二極體可在形成有安裝孔120的上基板100中形成,以補償發光裝置的弱耐電壓特性。下文將描述齊納二極體的形成方法。

在用雜質以適當濃度摻雜之上基板100的一特定區域中,將與上基板100中摻雜之雜質的導電性相反的雜質擴散至其間而形成一擴散層131。如此,形成齊納二極體130(如圖5所示)。

對於這種選擇性的雜質擴散,如圖5所示,在上基板100上首先沉澱一擴散遮罩層132。其後,將擴散遮罩層132圖案化,以使與上基板100中之雜質的導電性相反的雜質滲透入上基板100中。

在藉由圖案化之擴散遮罩層132將雜質選擇性地擴散至上基板100中之後,在雜質擴散爐內進行擴散處理,以形成擴散層131。

在完成擴散處理之後,移除擴散遮罩層132,並在上基板100上沉澱一層絕緣層。其後,可進行開焊墊(pad open)步驟(圖中未示),以將齊納二極體130與外部電路電性連接。

在用以構成齊納二極體130的擴散層131形成之後,使用Ag、Al、Mo、或Cr,使在可見光範圍、紫外光範圍、和紅外光範圍內具有70%或更高的反射率的一反射薄膜140形成在安裝孔120的側壁內表面上(斜面),以增強該側壁內表面的反射率。

通常由於金屬薄膜通常具有獨特的金屬光澤,因此與其他材料相比,金屬薄膜會具有較高的反射率。然而,較佳是形成具有一特定值以上的反射率的反射薄膜,以有效地導引發光裝置向外所發的光。

反射薄膜140在可見光範圍內,紫外光範圍內和紅外光範圍內的反射率取決於反射薄膜140的材料及其製造方法。然而,可使用如上所述的Ag、Al、Mo、或Cr等材料來形成反射率在70%或70%以上之反射薄膜140。形成方法將在下文描述。

可利用半導體技術(例如濺鍍法或蒸鍍法)沉積一金屬薄膜,然後依照微影法將該金屬薄膜圖案化,使該金屬薄膜僅僅保留在所欲之區域,而形成反射薄膜140。

或者,首先進行微影製程,以沉積反射薄膜140。在此情況下,隨後進行光阻剝落步驟(lift-off)。根據另一種方法,沉積一層金屬種子層,然後根據微影法進行圖案化。接著,對圖案化的金屬種子層進行金屬電鍍,以形成反射薄膜140。

其後,如圖7所示,利用打孔技術(punching technique)或雷射加工技術(laser machining technique),穿過下基板200而形成通孔210,該下基板200係具有高傳熱係數和優異絕緣特性的陶瓷基板。

至於具有高傳熱係數和優異絕緣特性的陶瓷材料,可使用AlN、SiC、石墨等。較佳使用具有100 W/mk或100 W/mk以上的高傳熱係數之陶瓷材料。

當上基板100和下基板200彼此對準接合時,通孔210可形成在上基板100的安裝孔120沒有配置的區域內。

或者,通孔210可形成在安裝於上基板上100之發光裝置與下基板200接合的區域以外的區域內,但這接合的區域以內的區域則對應於安裝孔120。

如上所述,當通孔210係形成在安裝孔120外的區域時,通孔210可配置在使晶圓切割線(沿著該晶圓切割線封裝結構會被分割成單元封裝)貫穿通孔210的位置。或者,在進行封裝切割時,使該些通孔210配置在晶圓切割線的內側。

通孔210可為具有均一橫截面的垂直結構,而均一的橫截面則意指下基板200之上表面的通孔尺寸等同於下基板200之下表面的通孔尺寸。或者,通孔210可為具有變更的橫截面之垂直結構,即下基板200之上表面的通孔尺寸大於或小於下基板200之下表面的通孔尺寸。

隨後,如圖8所示,利用網版印刷方法等在通孔210上形成由金屬或其他導體材料製成的一金屬薄膜220。金屬薄膜220可完全填充每一個通孔210,或可依塗層的形式覆蓋每一個通孔210的內部表面。

其後,如圖9所示,在下基板200的表面上形成金屬層作為第一電極230和第二電極240,而在金屬層上將會安裝發光裝置。然後對金屬層進行圖案化,而該下基板200將會與外部電路(圖中未示)電性連接。為了方便描述,與發光裝置連接的每一金屬層被稱作第一電極230,然而與外部電路電性連接的每一金屬層被稱作第二電極240。

在基板上形成的每一第一電極230係由在可見光範圍內,紫外光範圍內,以及紅外光範圍內皆具有高反射率的金屬構成,而該金屬例如為Al、Ag、Cr、或Mo,其中,第一電極230係與發光裝置接合。因此,從發光裝置向下發出的光和從發光裝置上所配置的各種介質反射向下的光皆能夠向上反射。如此,可進一步增強光萃取效率。

在完成上述上基板100和下基板200的形成過程後,上基板100和下基板200彼此對準接合。其後,將發光裝置300接合至上基板100的安裝孔120,且使發光裝置300與第一電極230電性連接。

當發光裝置300具有一垂直結構時,亦即P型電極310和N型電極320係在相對面上配置,如圖11所示,發光裝置300的接合是利用導電環氧樹脂250將發光裝置300的下電極(例如,P型電極310)的一面與形成在下基板200上的一個第一電極230貼合,並利用打線接合法以電線260將發光裝置300的上電極(例如,N型電極320)與下基板200的另一第一電極230電性連接來達成。

另一方面,當發光裝置300具有一水準結構時,發光裝置300的接合是利用倒裝晶片接合法(flip chip bonding)將發光裝置300的絕緣基板接合到下基板200的第一電極230或接合到陶瓷基板上,並將配置在發光裝置300的上表面的P型電極和N型電極電性連接至下基板200的第一電極230來達成(圖中未示)。

在發光裝置300與下基板200的第一電極230電性連接之後,例如為透明環氧樹脂或矽膠的一填充物400可被填充在安裝孔120內,以達到增強光萃取效率的目的。

另一方面,為了要改變從發光裝置300發出光的波長,例如為透明環氧樹脂或矽膠的填充物400中可包含螢光體。

舉例而言,當藍色發光裝置作為發光裝置300時,在填充物400內添加黃色螢光體,使藍色光和黃色光混光,而發出白光。

雖然一個發光裝置300可配置在安裝孔120內,但複數個發出同樣顏色光的發光裝置300亦可配置在安裝孔120內,如圖12所示。或者,可將發出紅色光(R),綠色光(G)和藍色光(B)的發光裝置300配置在安裝孔120內,以作為白色光源。

如上所述,當配置複數個發光裝置300時,可形成複數個第一電極230,以配置該些發光裝置300。一部分第一電極230共同被接合至至少兩個發光裝置300。

然後將如上所述之上基板100和下基板200互相接合而獲得的封裝結構分開成個別的封裝。如此,發光裝置封裝完全形成。

同時,發光封裝體的製造可利用使基板100和200機械分離的晶圓切割法將包括基板100和200的封裝結構分開成個別的封裝體,並將該些發光裝置300分別接合至各封裝體來達成。

第二實施例

圖13和圖14係本發明的第二實施例的發光裝置封裝。如圖13和圖14所示,發光裝置封裝包括一上基板500和一下基板600。在下基板600上安裝一發光裝置300。將上基板500接合至下基板600,並在上基板500上形成一反射薄膜510,用以將發光裝置300發出的光向前反射。

在例如為矽基板的下基板600中,形成齊納二極體610,以使發光裝置300的耐電壓性增強。

成型環氧樹脂可用作為上基板500。

上基板500或下基板600可由選自PCB、BeO、SiO、Si、Al、AlOx 、PSG、例如環氧樹脂的合成樹脂(塑膠)、陶瓷、和Al2 O3 的材料製成。

使用體微加工法(bulk micromachining)或乾蝕刻法穿過下基板600形成通孔620。圖14說明使用濕蝕刻法形成通孔620的一實施例。

當對下基板600的相對面進行濕蝕刻處理時,具有一傾斜度的通孔620在下基板600的相對面形成,如圖14所示。

當用於構成第一電極230和第二電極240的金屬層在通孔620的上端和下端形成時,金屬薄膜220係在每一個通孔620內形成。如此,第一電極230和第二電極240係經由金屬薄膜220電性連接。

在接合發光裝置300的區域內形成的每一第一電極230係由在可見光範圍內、紫外光範圍內、紅外光範圍內皆具有高反射率的金屬所構成,而該金屬例如為Al、Ag、Cr、或Mo。因此,可有效地反射發光裝置300所發出的光,從而提高光萃取效率。

下基板具有大約140 W/mk的優異傳熱特性。另外,進行半導體製程的下基板600可具有一換算高度。因此,熱阻可能變小。

在每一個通孔620內形成的金屬薄膜220無法具有所需的導電性,可使用電鍍方法來減少金屬薄膜220的電阻。

在下基板600中形成的齊納二極體610的製程與第一實施例中在上基板10中形成齊納二極體130的製程相同。以與下基板600的導電性相反的雜質對下基板600進行摻雜,以形成一擴散層611。

如上所述,可使用成型環氧樹脂來形成上基板500。當在造模製程中鑄造安裝孔520時,安裝孔520的邊緣斜面可將發光裝置300側面發出的光向前反射。在安裝孔520的側壁內表面上(邊緣斜面)形成具有高反射率的金屬薄膜作為反射薄膜510,以達到最大反射效率。

在完成上述過程後,上基板500和下基板600互相對準接合。

其後,發光裝置300和第一電極230電性連接。使用透明環氧樹脂或矽膠,可將填充物700填充在配置有發光裝置300的安裝孔520內。當然,如第一實施例中所述,填充物700中可包含螢光體。

為了提高光功率,可安裝複數個發出同樣顏色光的發光裝置300,如圖15所示。或者,可將發出紅色光(R),綠色光(G)和藍色光(B)的發光裝置300配置在安裝孔120內,以作為白色光源。

第二實施例的其它結構與第一實施例中者相同。所以這裏不再重複描述。

第三實施例

圖16係說明本發明第三實施例的發光裝置封裝。如圖16所示,發光裝置封裝包括一上基板500和一下基板600。下基板600由例如矽之半導體組成,且下基板60具有複數個通孔620,而每一個通孔620在一特定方向上具有一傾斜度。上基板500具有安裝孔520,以安裝發光裝置300。

上基板500或下基板600可由選自PCB、BeO、SiO、Si、Al、AlOx 、PSG、例如環氧樹脂的合成樹脂(塑膠)材料、陶瓷、和Al2 O3 的材料所構成。

在發光裝置300周圍形成一反射薄膜511。反射薄膜511可沿著安裝孔520的側壁內表面以及配置發光裝置300的安裝孔520的表面延伸。

在一特定方向上利用濕蝕刻法,於下基板600中形成在此方向上具有一傾斜度的複數個通孔620。金屬薄膜220在每一個通孔620中形成。

圖16說明具有一垂直結構的發光裝置300。如上所述,施加一電流,使其經由下電極310和上電極320而流至具有垂直結構的發光裝置300。

發光裝置300可包括一支撐層330。在此情況下,以導電環氧樹脂250將該支撐層330與一個第一電極230貼合。

當發光裝置300係形成在支撐層330上時,發光裝置300的下電極310可包括一歐姆電極、以及配置在歐姆電極之下的一反射電極。若需要,使用具有歐姆特性的一反射電極(NiAg或NiAu系反射電極)。

第三實施例的其它結構與第一、二實施例中者相同。所以這裏不再重複描述。

對所有熟習此技藝者而言,本發明明顯地可以作出多種修改及變化而不脫離本發明的精神和範圍。因此,本發明包括該些修改及變化,且其皆被包括在下附之申請專利範圍及其均等者中。

1...基板

2...緩衝層

3...N型半導體層

4...主動層

5...P型半導體層

6...電流擴散層

7...P型電極

8...N型電極

10...發光二極體結構

100...上基板

110...遮罩層

120...安裝孔

130...齊納二極體

131...擴散層

132...擴散遮罩層

140...反射薄膜

200...下基板

210...通孔

220...金屬薄膜

230...第一電極

240...第二電極

250...導體環氧樹脂

260...電線

300...發光裝置

310...P型電極

320...N型電極

330...支撐層

400...填充物

500...上基板

510...反射薄膜

520...安裝孔

511...反射薄膜

600...下基板

611...擴散層

610...齊納二極體

620...通孔

700...填充物

圖1為說明習知發光裝置的一例子的剖面圖。

圖2為說明本發明的第一實施例中的發光裝置封裝的立體圖。

圖3到圖10為說明本發明的第一實施例的剖面圖:圖3為說明在上基板上形成遮罩層的剖面圖;圖4為說明安裝孔形成的剖面圖;圖5為說明擴散層形成的剖面圖;圖6為說明反射薄膜形成的剖面圖;圖7為說明在下基板中形成通孔的剖面圖;圖8為說明在每一個通孔內形成金屬薄膜的剖面圖;以及圖9為說明金屬層形成的剖面圖;以及圖10為說明本發明的第一實施例的發光裝置封裝的剖面圖。

圖11為說明用以安裝一個發光裝置方法的例子的剖面圖。

圖12為說明本發明第一實施例中在封裝內安裝複數個發光裝置的情況的剖面圖。

圖13為說明本發明第二實施例中發光裝置封裝的立體圖。

圖14為說明本發明第二實施例中發光裝置封裝的剖面圖。

圖15為說明本發明第二實施例中在封裝內安裝複數個發光裝置的情況的剖面圖。

圖16為說明本發明第三實施例中發光裝置封裝的剖面圖。

100...上基板

120...安裝孔

130...齊納二極體

131...擴散層

140...反射薄膜

200...下基板

220...金屬薄膜

230...第一電極

240...第二電極

300...發光裝置

400...填充物

Claims (22)

  1. 一種發光裝置封裝的製造方法,包括下列步驟:在一第一基板內形成一安裝孔;在一第二基板內形成複數個通孔;在各通孔內形成一金屬薄膜;在該第二基板的上表面及下表面上形成至少一對金屬層,使得該些金屬層與該金屬薄膜電性連接;將該第一基板與該第二基板接合;在該第一基板或該第二基板內形成用以構成一齊納二極體的一擴散層;以及在該安裝孔內安裝至少一個發光裝置,使得該發光裝置與形成在該第二基板之上表面的該些金屬層電性連接,其中該擴散層配置在不對應於該發光裝置的區域。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置封裝的製造方法,其中,該第一基板或該第二基板係由選自PCB、BeO、SiO、Si、Al、AlOx 、PSG、合成樹脂材料、陶瓷以及Al2 O3 中之一者的材料所構成。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置封裝的製造方法,其中,形成該些通孔的步驟包括對該第二基板的一面或兩面進行蝕刻。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置封裝的製造方法,其中,安裝該發光裝置的步驟包括:利用打線接合法將該發光裝置的至少兩個電極中的一者接合至該些金屬層,或者利用倒裝晶片接合法將該發光裝置接合至該些 金屬層。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置封裝的製造方法,其中,安裝該發光裝置的步驟包括使用一銀膠(Ag paste)來安裝該發光裝置。
  6. 一種發光裝置封裝,包括:一第一基板,具有至少一對通孔,且在每一個通孔內形成有一金屬薄膜或一導電薄膜;一第二基板,配置在該第一基板上,該第二基板具有一發光裝置安裝孔、以及在該安裝孔的側壁上形成的一反射薄膜;複數個第一電極,配置在該第一基板和該第二基板之間,每一個第一電極皆與形成在其對應通孔內的該金屬薄膜或該導電薄膜連接;複數個齊納二極體,每一個齊納二極體在該第一基板或該第二基板與其對應的第一電極之間作電性連接;以及至少一個發光裝置,配置在該安裝孔內,且與該些第一電極電性連接,其中該齊納二極體設置在和該發光裝置大致相同的平面上。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之發光裝置封裝,其中,該第一基板或該第二基板係由選自PCB、BeO、SiO、Si、Al、AlOx 、PSG、合成樹脂材料、陶瓷以及Al2 O3 中之一者的材料所構成。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之發光裝置封裝,其 中,該發光裝置包括:一支撐層,係與該些第一電極之一者連接;一下電極,配置在該支撐層上;一半導體層,配置在該下電極上,該半導體層包括一發光層;以及一上電極,配置在該半導體層上。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之發光裝置封裝,其中,該下電極包括一反射電極和在該反射電極上形成的一歐姆電極、或一反射型歐姆電極。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之發光裝置封裝,其中,該發光裝置包括用於發射至少三色光的三個或四個發光裝置。
  11. 如申請專利範圍第6項所述之發光裝置封裝,更包括:一填充物,配置在該安裝孔內的該發光裝置上。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之發光裝置封裝,其中,該填充物包含複數種螢光體。
  13. 如申請專利範圍第6項所述之發光裝置封裝,更包括:複數個第二電極,每一個第二電極皆形成在該第一基板的一下表面上,且與在其對應通孔內形成的該金屬薄膜或該導電薄膜連接。
  14. 如申請專利範圍第6項所述之發光裝置封裝,其中,形成的每一個安裝孔皆具有一35°到70°傾斜度的邊 緣表面。
  15. 如申請專利範圍第6項所述之發光裝置封裝,其中,該反射薄膜係由至少一個金屬所構成,該金屬係選自Al、Ag、Cr、以及Mo,或者該反射薄膜具有70%或大於70%之反射率。
  16. 如申請專利範圍第6項所述之發光裝置封裝,其中該齊納二極體包括一半導體層和位在該半導體層上的一擴散層,其中該擴散層配置在不對應於該發光裝置的區域。
  17. 一種發光裝置封裝,包括:一第一基板,具有一第一表面、一第二表面、以及分別形成在該第一表面和該第二表面上的複數個第一電極和複數個第二電極,且該些第一電極和該些第二電極係電性連接;一第二基板,配置在該第一基板上,該第二基板具有一發光裝置安裝孔、和在安裝孔的側壁上形成的一反射薄膜;一發光裝置,安裝在該發光裝置安裝孔上;以及複數個齊納二極體,每一個齊納二極體在該第一基板或該第二基板與該齊納二極體對應的一個第一電極之間作電性連接,其中該齊納二極體具有形成於該第一基板或該第二基板內的一擴散層,以及該擴散層配置在與該發光裝置不重疊的區域。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之發光裝置封裝,其 中,第一基板更至少具有一個通孔、和在每一個通孔內形成的一金屬薄膜或一導電薄膜。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之發光裝置封裝,其中,每一個通孔皆在至少一個方向上具有一傾斜度。
  20. 如申請專利範圍第18項所述之發光裝置封裝,其中,該些第一電極係藉由在其對應之通孔內所形成的該金屬薄膜或該導電薄膜而與該些第二電極互相電性連接。
  21. 一種發光裝置封裝,包括:一發光裝置;一封裝體,具有一安裝部,用以安裝該發光裝置;一齊納二極體,設置於和該發光裝置大致相同的平面上;以及複數個電極,通過該封裝體的側面和該封裝體的底部並經由該封裝體的側面之至少一部份而連接至該發光裝置,其中,該齊納二極體包括一半導體層和位在該半導體層上的一擴散層,其中該擴散層配置在與該發光裝置不重疊的區域。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之發光裝置封裝,其中,該齊納二極體配置在不對應於該發光裝置的區域。
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