TWI412419B - 用以封合基板之雷射照射裝置、基板封合方法及使用該裝置製造有機發光二極體顯示器之方法 - Google Patents

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Description

用以封合基板之雷射照射裝置、基板封合方法及使用該裝置製造有機發光二極體顯示器之方法
本申請案依35 U.S.C §119之規定主張稍早於2010年1月7日向韓國智慧財產局提出之申請案之優先權,該申請案號為10-2010-0001310,並將其附於本申請案中做為參考文獻。
本發明是有關於一種雷射光束照射裝置、基板封合方法及製造有機發光二極體顯示器之方法。
目前,顯示器裝置已經進入了可攜式、輕薄的平面顯示器時代。在這些平面顯示器中,電致發光的顯示器是一種自發光的顯示裝置,具有寬廣的視角及良好的對比與反應速度,因此成為了下一代顯示器的主流。此外,含有由有機材料形成之發光層的有機發光二極體顯示器相較於無機發光顯示器,具有更優越的亮度、驅動電壓及反應速度特性,且亦可以實現彩色顯示之效果。
有機發光二極體顯示裝置之結構中,在兩個電極之間具有至 少一個包含發光層的有機材料層。
當水或氧自外界滲入有機發光二極體顯示器中時,電極材料可能會被氧化甚至發生剝落,這會造成產品生命週期減短以及有機發光裝置發光效率的低落,發光色彩的表現也會惡化。
因此,在製造有機發光顯示器時,通常會將有機發光裝置密封起來,以使其與外界隔離,防止水氣滲入。這種密封製程的例子之一,是包括在一有機發光顯示裝置之第二電極上堆疊一無機薄膜及有機聚合物材料層(如PET)之方法,或是在一封合基板中形成吸收材料並填入氮氣,然後使用如環氧樹脂之密封劑將封合基板的邊界進行密封之方法。
然而,要能完全將這些會破壞使用上述方法進行密封的有機發光裝置之水分、氧氣阻隔在外、不使其滲入是不可能的,因此上述的方法並不適用於對水氣特別敏感的有機發光顯示器,而且實現上述方法的製程也過於複雜。為了解決這些問題,就出現了使用密封玻璃來做為密封劑以改善有機發光顯示器基板與封合基板間的黏著性質之封合方法。
藉由將密封玻璃鍍於一玻璃基板上來進行有機發光顯示裝置的封合,就可以在有機發光顯示裝置的基板與封合基板間達到完全密封的效果,因此可以有效地保護有機發光顯示裝置。
使用密封玻璃進行基板的封合是藉由將密封玻璃鍍於每一個 有機發光顯示裝置之封合元件上並將雷射光束經由移動一雷射照射裝置使雷射光束照射於封合元件上,而將密封玻璃硬化、完成基板封合的步驟來達成。
有鑑於上述習知技藝之問題,本發明之其中一目的就是在提供一種雷射照射裝置,其光束截面可改善密封玻璃剖面上之溫度均勻性,亦提供一種封合基板之方法以及一種製造有機發光顯示裝置之方法。
依據本發明的第一目的,係將一雷射光束照射至設置於一第一基板與第二基板之間的一封合元件上,以致於將第一基板及第二基板進行封合;其中位於一垂直於該雷射光束之前進方向之表面上,雷射光束之一光束強度係自雷射光束之一中心部位向一末端部位增加,且雷射光束中心部位之光束強度不大於雷射光束末端部位光束強度的二分之一,雷射光束之光束截面是以相對於雷射光束之前進方向呈現對稱。
雷射光束可依序包括一第一區段及一第二區段,在第一區段中,雷射光束之光束強度係自雷射光束之一中心部位向一末端部位緩慢增加,而在第二區段中,光束強度之增加率較第一區段更高。
雷射光束相對於一與雷射光束前進方向平行之表面是可呈現對稱的。
在第一區段及第二區段間之一邊界上之一轉折點係相對於雷 射光束的中心部位以對稱的方式分佈。
雷射光束可更包括一設置於第二區段外部之第三區段,在第三區段中,光束強度係快速地下降。
雷射光束可更包括一設置於第二區段外部之第三區段,在第三區段中,光束強度是均勻的。
雷射光束可以是以點光束之形式進行照射。
雷射光束在一表面上具有一均勻之光束強度,表面係與雷射光束的前進方向平行。
在第一區段及第二區段間之一邊界上之一轉折點係相對於與雷射光束前進方向垂直之表面而呈現對稱。
在第一區段及第二區段間之一邊界上之一轉折點不存在於與雷射光束前進方向平行之表面。
雷射光束之一剖面是矩形。
位於一平行於雷射光束之前進方向之表面上之雷射光束,相對於位於垂直於雷射光束之前進方向之表面上之一光束截面之一光束強度增加率,具有一不同之光速強度增加率,且前者之一光束截面相對於整個雷射光束之中心是呈現對稱的。
位於與雷射光束前進方向平行表面上之光束截面具有一光束強度是自雷射光束之中心部位向末端部位減少的。
位於與雷射光束前進方向平行表面上之光束截面具有一光束 強度是自雷射光束之中心部位向末端部位增加的。
雷射光束是以點光束之形式進行照射。
依據本發明之另一目的,提供了一種封合基板之方法,其中係將一雷射光束照射至一第一及第二基板間之一封合元件上來進行封合,該方法包括以下步驟:在第一及第二基板間形成一封合元件;將一雷射光束照射至封合元件上,其中位於一垂直於雷射光束之前進方向之表面上,雷射光束之一光束強度係自雷射光束之一中心部位向一末端部位增加,且雷射光束中心部位之光束強度不大於雷射光束末端部位光束強度的二分之一,雷射光束之光束截面是以雷射光束之前進方向為中心呈現對稱;以及將雷射光束沿封合元件之一封合線進行照射。
雷射光束之一中心部位係聚焦於封合線之一中心線上,且雷射光束被移動以沿封合線之中心線進行掃瞄,而進行雷射光束之照射。
雷射光束之一光束寬度(BW)係大於封合元件之寬度。
雷射光束之光束寬度(BW)可以是封合元件寬度之4/3至2倍之間。
雷射光束之一光束寬度(BW)可以實質等於封合元件之寬度。
一熱通量,其為進行照射並移動而沿封合線之一中心線掃瞄之雷射光束的光束強度對時間之積分值,位於封合元件一末 端部位之熱通量係大於位於封合元件之一中心部位之熱通量。
封合元件包括一密封玻璃。
雷射光束依序包括一第一區段及一第二區段,在第一區段中,雷射光束之光束強度係自雷射光束之一中心部位向一末端部位緩慢增加,而在第二區段中,光束強度之增加率較第一區段更高。
雷射光束相對於一與雷射光束前進方向平行之表面是呈現對稱的。
在第一區段及第二區段間之一邊界上之一轉折點係相對於雷射光束中心部位而以對稱的方式分佈。
雷射光束更包括一位於第二區段外部之第三區段,其中在第三區段中,光束強度係快速地下降。
雷射光束更包括一位於第二區段外部之第三區段,其中在第三區段中,光束強度是均勻的。
雷射光束是以點光束之形式沿封合線照射至封合元件上。
雷射光束在一表面上具有一均勻之光束強度,且表面係與雷射光束的前進方向平行。
在第一區段及第二區段間之一邊界上之一轉折點係相對於與雷射光束前進方向垂直之表面而呈現對稱。
在第一區段及第二區段間之一邊界上之一轉折點不存在於與雷射光束前進方向平行之表面。
照射至封合元件雷射光束之一剖面係沿封合線可為一矩形。
上述之封合基板之方法中,位於一平行於雷射光束之前進方向之表面上之雷射光束,相對於位於垂直於雷射光束之前進方向之表面上之一光束截面之一光束強度增加率,具有一不同之光速強度增加率,且前者之一光束截面相對於整個雷射光束之中心是呈現對稱的。
位於與雷射光束前進方向平行表面上之光束截面具有一光束強度是自雷射光束之中心部位向末端部位減少的。
位於與雷射光束前進方向平行表面上之光束截面具有一光束強度是自雷射光束之中心部位向末端部位增加的。
雷射光束是以點光束之形式沿封合線照射至封合元件上。
依據本發明之另一目的,提供了一種有機發光二極體顯示器之製造方法,包括以下步驟:在一第一及第二基板間形成一有機發光二極體單元;在第一及第二基板間形成一封合元件以圍繞有機發光二極體單元;對準第一及第二基板;將一雷射光束照射至封合元件,其中位於一垂直於雷射光束之前進方向之表面上,雷射光束之一光束強度係自雷射光束之一中心部位向一末端部位增加,且雷射光束中心部位之光束強度不大於雷射光束末端部位光束強度的二分之一,雷射光束之光束截面是以雷射光束之前進方向為中心呈現對稱;以及將 雷射光束沿封合元件之一封合線進行照射。
雷射光束之一中心部位係聚焦於封合線之一中心線上,且雷射光束被移動以沿封合線之中心線進行掃瞄,而進行雷射光束之照射。
有機發光二極體單元包括至少一有機發光二極體裝置,在有機發光二極體裝置中,在一第一與第二電極之間插有至少一有機層,包括一發光層。
雷射光束依序包括一第一區段及一第二區段,在第一區段中,雷射光束之光束強度係自雷射光束之一中心部位向一末端部位緩慢增加,而在第二區段中,光束強度之增加率較第一區段高。
雷射光束相對於一與雷射光束前進方向平行之表面是呈現對稱的。
雷射光束在一表面上具有一均勻之光束強度,且該表面係與雷射光束的前進方向平行。
位於一平行於雷射光束之前進方向之表面上之雷射光束,相對於位於垂直於雷射光束之前進方向之表面上之一光束截面之一光束強度增加率,具有一不同之光速強度增加率,且前者之一光束截面相對於整個雷射光束之中心是呈現對稱的。
封合元件包括一密封玻璃。
密封玻璃形成一封閉環路,以包圍有機發光二極體。
封閉環路之每一邊係一具有預設曲度之曲線。
封閉環路之每一邊是呈直角的。
110、120‧‧‧基板
130‧‧‧有機發光單元
140‧‧‧封合元件
150‧‧‧雷射光束照射裝置
160、162、260、360‧‧‧雷射光束
FW‧‧‧密封玻璃寬度
LW‧‧‧雷射光束之寬度
為了能使本發明與其中更多伴隨而來的優點變得容易理解,可藉由參考以下詳細描述並聯同其附圖,而於其中相似的參考符號係指相同或相似的組件,其中:第1圖係為說明本發明一實施例中使用雷射照射裝置進行有機發光顯示裝置封合元件密封方法之剖面圖;第2圖係為第1圖中有機發光顯示裝置之上視圖;第3圖顯示了一高斯光束截面之對照例子,根據本發明實施例,與本發明一比較實施例中自雷射光束照射裝置照射之光束截面進行比較;第4圖顯示了當第3圖的高斯光束截面照射至一有機發發光顯示裝置之密封玻璃上時,密封玻璃剖面上的溫度分佈情形;第5圖顯示了一平頂光束截面之對照例子,根據本發明實施例,與本發明第二比較實施例中自雷射光束照射裝置照射之光束截面進行比較;第6圖顯示了當第5圖的平頂光束截面照射至一有機發發光顯示裝置之密封玻璃上時,密封玻璃剖面上位於一有效封合寬度FWeff中的溫度分佈情形;第7圖顯示了從本發明一實施中之雷射照射裝置射至一有機發光顯示器密封玻璃上之雷射光束截面;第8圖顯示了第7圖中光束截面與雷射光束前進方向垂直之一 平面(yz平面)的剖面圖;第9圖顯示了第7圖中光束截面與雷射光束前進方向平行之一平面(xz平面)的剖面圖;第10圖顯示了第7圖光束截面之上視圖;第11圖顯示了本發明一修飾實施例中之雷射光束截面;第12圖顯示了第11圖中光束截面與雷射光束前進方向垂直之一平面(yz平面)的剖面圖;第13圖顯示了本發明另一實施例之雷射光束截面;第14圖顯示了第13圖中光束截面與雷射光束前進方向垂直之一平面(yz平面)的剖面圖;第15圖顯示了當具有第7、11及13圖光束截面之雷射光束照射至密封玻璃時,密封玻璃剖面上之溫度分佈的正規化圖;第16及17圖顯示了用以在密封玻璃中心部位及末端部位間於一有效封合寬度(FWeff)中保持一依據變異α且少於15%溫差之轉折點區域的變化情形;第18圖顯示了本發明另一實施例之雷射照射裝置中照射至有機發光顯示裝置之密封玻璃上的雷射光束截面;第19圖顯示了第18圖中光束截面與雷射光束前進方向垂直之一平面(yz平面)的剖面圖;第20圖顯示了第18圖中光束截面與雷射光束前進方向垂直之一平面(xz平面)的剖面圖;第21圖顯示了第18圖中光束截面之上視圖;第22圖顯示了當具有第18圖光束截面之雷射光束照射至密封玻璃時,密封玻璃剖面上溫度分佈之正規化圖,其中雷射光 束之長度是會改變的;第23圖顯示了用以在密封玻璃中心部位及末端部位間於一有效封合寬度(FWeff)中保持一少於15%溫差之轉折點區域;第24圖顯示了本發明另一實施例之雷射光束照射裝置中照射至有機發光顯示器密封玻璃上之雷射光束截面;第25圖顯示了第24圖中光束截面與雷射光束前進方向垂直之一平面(yz平面)的剖面圖;第26圖顯示了第24圖中光束截面與雷射光束前進方向平行之一平面(xz平面)的剖面圖;第27圖顯示了第24圖光束截面之上視圖;第28圖顯示了當具有第24圖光束截面之雷射光束照射至密封玻璃時,密封玻璃剖面上溫度分佈之正規化圖;第29圖顯示了光束截面依α及1/δ間關係而改變之一區域;第30圖顯示了滿足δ<1/α不等式關係之例子;而第31圖顯示了滿足δ>1/α不等式關係之例子;第32至34圖顯示了在不同雷射光束掃瞄速度下,用以在密封玻璃中心部位及末端部位間於一有效封合寬度(FWeff)中保持一不超過15%溫差之轉折點的各個區域,其中雷射光束分別滿足δ<1/α及δ>1/α的不等式關係。
本發明現將藉由附圖說明做完整之敘述,透過參照圖式,本發明之例示性實施例闡述於下。
第1圖係為說明本發明一實施例中使用雷射照射裝置進行有 機發光顯示裝置封合元件密封方法之剖面圖;而第2圖係為第1圖中有機發光顯示裝置之上視圖。
請參閱第1及第2圖,一有機發光單元130及一圍繞有機發光單元130之封合元件140被設置於一第一基板110及第二基板120之間,且一自雷射光束照射裝置150射出之雷射光束160被照射至封合元件140上。
有機發光顯示單元130是形成於第一基板110上。第一基板110可以是玻璃基板。
第二基板120是一封合基板,可封合形成於第一基板110上之有機發光單元130,且一雷射光束會通過其間而發射,稍後將說明。第二基板120可較佳為玻璃基板。
有機發光單元130包括了至少一個有機發光裝置(OLED,圖未顯示),其中至少會在第一電極(圖未顯示)及第二電極(圖未顯示)之間設有至少一包含發光層的有機材料層。第一及第二電極(圖未顯示)可以分別扮演注入電洞之陽極以及注入電子之陰極的角色。
OLED(圖未顯示)可依OLED是否使用薄膜電晶體來進行驅動而被分類為被動式矩陣(PM)OLED以及主動式矩陣(AM)OLED。依據本發明當前的實施例,主動式及被動式的OLED都可以使用。
封合元件140係被設置於第二基板120上,以圍繞上述的有機發光單元130。
封合元件140可以是一個封閉的環路,以避免有機發光單元130與來自外界的水或氧氣發生接觸。
第2圖中形成封閉環路的封合元件140之邊緣是呈現某種曲度的曲線狀,但本發明並不限於此。意即,封合元件140之邊緣可以是沒有曲度而呈現直角的。
若封合元件140的每一個邊緣都具有一預設曲度,一含有光學系統(圖未顯示)的雷射光束照射裝置發射頭(圖未顯示)會直接並連續沿著含括封合元件140各邊緣的一條封合線進行掃瞄並射出雷射光束160。
若封合元件140的每一個邊緣是呈直角,雷射光束照射裝置150之發射頭會朝第一方向而沿著封合元件140之第一邊緣進行掃瞄並發出雷射光束160,且在第一基板110下方之工作台(第1圖未顯示)也會轉動90度。當工作台轉動時,第一基板110及第二基板120也會隨工作台轉動。在工作台轉動完成後,雷射光束160會再被照射並移動而沿著上述的第一方向進行掃瞄,使得雷射光束160會被射至封合元件140的第二邊緣。封合元件140可以藉由隨著工作台(圖未顯示)以上述方式轉動進行雷射光束160之照射而被封合。
依據本發明當前之實施例,封合元件140是由密封玻璃形成,以在第一基板110及第二基板120之間提供足夠的密合度,而能有效地保護有機發光單元130。密封玻璃會以不同的方式形成而具有預設的密封玻璃寬度(FW),例如網印法或點膠 法。
依據本發明當前的實施例,封合元件140是形成於第二基板120上,而有機發光單元130是形成於第一基板110上,並將第一基板110及第二基板120對齊,但本發明並不限於此。舉例來說,封合元件140可以形成於第一基板110上,有機發光單元130也可以形成於第一基板110上,然後再與第二基板120對齊黏合。
雖然在第1及2圖中只顯示了一個有機發光單元130,也可以在第一基板110及第二基板120之間設置複數個有機發光單元130與複數個圍繞有機發光單元130之封合元件140。
雷射光束照射裝置150會以點光束的形式將雷射光束射至設置於第一基板110與第二基板120之間的封合元件140,並具有依據本發明當前實施例中之光束截面。此種光束的照射將稍後說明。
雖然在第1及2圖中沒有詳細顯示,但雷射光束照射裝置150可以包含有一產生雷射之雷射振盪器(圖未顯示)、一光束均質器(圖未顯示)以及一掃瞄機(圖未顯示)。
雷射振盪器可以是一種複合式多核心的雷射源,這種雷射源是經常用於雷射封合中的高輸出雷射源。
在使用複合式多核心雷射源時,每一個核心的輸出可能會有不同,因此上述不均勻輸出的問題可以藉由使用光束均質器(圖未顯示)來解決。
掃瞄機(圖未顯示)可以包括一反射單元(圖未顯示)、一驅動單元(圖未顯示)及一鏡頭單元(圖未顯示)。反射單元會將自雷射振盪器射出之雷射光束進行反射,以將雷射光束照射至封合元件140上。驅動單元則驅動反射單元,而鏡頭單元會收集被反射的雷射光束。
經過鏡頭單元(圖未顯示)射出的雷射光束160被以點光束的形式照射至封合元件140,其具有依據本發明實施例之光束截面。鏡頭單元(圖未顯示)可以被設置於掃瞄機之中或之下而朝向封合元件140。
雖然第1及2圖沒有顯示,自雷射照射裝置150發出的雷射光束160之寬度LW會較封合元件140大,在雷射照射裝置150及第二基板120之間會設置有一雷射光罩以調整射至封合元件140寬度FW上之雷射光束的寬度LW。
第3圖顯示了一高斯光束截面之對照例子,根據本發明實施例,與本發明第一比較實施例中雷射照射裝置照射之光束截面進行比較;而第4圖顯示了當第3圖的高斯光束截面照射至一有機發發光顯示裝置之密封玻璃上時,密封玻璃剖面上的溫度分佈情形。
請參閱第3圖,每單位面積具有高斯分佈的高斯光束截面G之光束強度(I)會朝向光束的中心部位增加,且高斯光束截面G具有以軸為中心對稱的分佈。
在第3圖中,在平面上的x及y分別意指光束截面的水平及垂 直維度,且即使在中心軸附近的高斯光束截面部份被雷射光罩切割,在高斯光束截面及其使用雷射光罩切割的周圍區域之間仍然有15%或以上之差異。
當其光束強度在光束截面中心部位與周圍部位有差異之雷射光束照射至組成封合元件140之密封玻璃上時,在密封玻璃的中心部位(水平軸0的位置)與密封玻璃末端部位(水平軸±FW/2的位置)間會產生45%或更多的溫差,如第4圖所顯示,而且在一個約為80%總封合寬度FW之有效封合寬度FWeff之中,在密封玻璃之中心部位與末端部位之間最大會有34%的溫差。
為了保持密封玻璃末端部位在密封玻璃的轉換溫度(Tg)上(意即在430℃或更高)必需增加雷射的輸出,且在本例中,由高斯光束截面中心部位進行封合之密封玻璃中心部位之溫度會增加到650℃或更高的溫度,因此使得過多的熱被產生,而讓密封玻璃達到過熔狀態。
接著,存在於被照射了過多能量密封玻璃中心部位的小氣泡就會擴張而超出密封玻璃的末端部位,然後這些擴張的小氣泡又會被急速冷卻,就會留下像是沸水中氣泡的圖案。這些氣泡圖案嚴重降低了有機發光顯示器的黏著力。
殘留應力是由熱擴散率及密封玻璃中心部位與末端部位之溫差來決定,當溫度降低時,由於密封玻璃的中心部位被加熱到較末端部位更高的溫度,因此其冷卻也會較末端部位稍遲 ,使得密封玻璃中心部位的張力增加,導致很容易在受到外界衝擊時在密封玻璃中產生裂痕。
為了解決這個問題,必需考慮使用具有一致光束強度之截面的雷射光束來對密封玻璃進行照射。
第5圖顯示了一平頂光束截面之對照例子,根據本發明實施例,與本發明第二比較實施例中自雷射照射裝置照射之光束截面進行比較。第6圖顯示了當第5圖的平頂光束截面及第3圖的高斯光束截面照射至一有機發發光顯示裝置之密封玻璃上時,密封玻璃剖面上位於一有效封合寬度FWeff中的溫度分佈情形。
請參閱第5圖,具備一平頂分佈之雷射光束截面F具有一磚形的分佈,其中光束在中心部位的每單位面積光束強度(I)及周圍部位的每單位面積光束強度是均勻的。
第6圖中的水平軸代表了密封玻璃在有效封合寬度FWeff的位置,而垂直軸NT代表了正規化後的溫度值。請參閱第5及6圖,即使當具有一致光束強度的平頂雷射光束F被照射至密封玻璃時,密封玻璃剖面的溫度一致性會從34%降至32%,意即僅降低2%,這意味了溫度的均勻性幾乎沒有改善。
這是因為熱能更容易沿密封玻璃末端部位消散而不是密封玻璃的中心部位。為了解決這個問題,使用一致強度的雷射光束來照射密封玻璃是沒有用的,而是必需將雷射光束照射後,密封玻璃剖面上的溫度分佈調整成一致。為了達到此目的 ,必需對密封玻璃的末端部位額外提供較中心部位還多的能量。
以下將配合第7至34圖說明本發明各項實施例中,在進行有機發光顯示器封合時,可以藉由雷射光束照射裝置改善密封玻璃剖面上溫度分佈一致性所能使用之雷射光束截面。
【第一實施例】
第7圖顯示了從本發明一實施例中之雷射照射裝置射至一有機發光顯示器密封玻璃上之雷射光束截面;第8圖顯示了第7圖中光束截面與雷射光束前進方向垂直之一平面(yz平面)的剖面圖;第9圖顯示了第7圖中光束截面與雷射光束前進方向平行之一平面(xz平面)的剖面圖;第10圖顯示了第7圖光束截面之上視圖。
一水平軸(x)及垂直軸(y)代表了相對於密封玻璃寬度(FW)之光束截面位置,高度(正規化後的強度NI)代表了正規化後的光束強度。
請參閱第7至10圖,依據本發明一實施例,在雷射光束照射裝置150中照射至有機發光顯示器之密封玻璃140的雷射光束160具有一截面,其光束強度是向光束之末端部位(E)之方向增加。在光束中心部位(C)之光束強度最好是在光束末端部位(E)之光束強度的一半或更弱。
依據本發明當前實施例,雷射光束160之截面是相對於一雷射光束前進方向(L)及垂直於雷射光束前進方向之一方向(H) 而呈現對稱的。
雷射光束160之截面包括了第一區段(Ix,Iy)及第二區段(IIx,IIy)。在第一區段中,光束強度會自光束之中心部位(C)向末端部位(E)緩慢增加,而在第二區段中,光束強度之增加率是較第一區段高的。
依據本發明當前實施例,雷射光束160之截面包括了在第一區段(Ix,Iy)及第二區段(IIx,IIy)間有一轉折點(I),相對於雷射光束中心部位(C)呈現對稱。
轉折點(I)可以使用參數α、β及γ來定義,其中α代表最大光束強度相對於最小光束強度之比值。依據當前的實施例,在光束中心部位出現的最小光束強度是0.1。而在雷射光束末端部位出現的最大光束強度是1.0,因此α為10。β代表在轉折點上相對於最小光束強度之光束強度比值。依據當前實施例,在光束中心部位(C)出現的最小光束強度是0.1,在轉折點(I)的光束強度是0.2,因此β為2。γ代表光束中心部位與轉折點(I)間距離與總光束寬度之比值。在本實施例中,總光束寬度為0.6mm,而雷射光束中心部位與轉折點(I)間之距離為0.18mm,因此γ為0.3。
請參閱第10圖,其顯示了本實施例中光束截面之上視圖,雷射光束160相對於雷射光束前進方向(L)及與雷射光束前進方向垂直的方向(H)是對稱的,因此光束寬度(BW)也相對於雷射光束前進方向(L)及與雷射光束前進方向垂直之方向(H)對 稱。因此,雷射光束160可以具有環狀剖面的點光束形式來進行照射。
雷射光束160係以點光束之形式進行照射並被移動而沿封合元件140之一封合線進行掃瞄。在此方面,雷射光束160之一中心線是聚焦於封合線之一中心線,而雷射光束160被移動而沿封合線之中心線進行掃瞄。
因此,在將具有這種光束強度會自光束中心部位(C)向末端部位(E)增加的光束截面之雷射光束照射至封合元件140時,在封合元件140末端部位之熱通量(其定義為雷射光束沿封合元件中心線照射時,對時間的強度積分值)就會較大。結果,提供給封合元件140末端部位之能量就會大於提供給封合元件140中心部位的能量,而改進密封玻璃剖面上的溫度均勻性。
封合元件140可以是由密封玻璃所形成。
雷射光束的寬度(BW)可以被設計為實質上與密封玻璃的寬度(FW)相等。依據本實施例,雷射光束寬度(BW)及密封玻璃寬度(FW)都是600μm。然而,本發明並不限於此。因此,雷射光束160的光束寬度(BW)可以大於密封玻璃寬度(FW)。但當光束寬度(BW)過寬時,即使雷射光束160使用了一雷射光罩(圖未顯示)來遮蔽,傳送至雷射光罩上的能量也會增加,且在密封玻璃或有機發光顯示單元130附近的繞線可能會受損,因此光束寬度(BW)最好不超過密封玻璃寬度(FW)的兩倍。
第11圖顯示了本發明一修飾實施例中之雷射光束截面,而第12圖則顯示了第11圖中光束截面與雷射光束前進方向垂直之一平面(yz平面)的剖面圖。
雷射光束161亦具有一種光束截面,係相對於雷射光束前進方向(L)及一垂直於雷射光束前進行方向(L)之方向(H)呈現對稱,有如前述實施例中所說明者。在第11圖中,只顯示了一個yz平面之剖面圖,其中光束強度是與雷射光束前進方向(L)垂直。
雷射光束161自雷射光束中心部位(C)到末端部位(E)之間依序包括了一第一區段(Ix)、第二區段(IIx)及第三區段(IIIx)。在第一區段中,光束強度會自光束之中心部位(C)向末端部位(E)緩慢增加,而在第二區段中,光束強度之增加率是較第一區段高的。在第三區段中,光束強度在第二區段(IIx,IIy)外側部位會快速地降低。
依據本實施例,雷射光束寬度(BW)是800μm,稍大於密封玻璃寬度600μm。
第13圖顯示了本發明另一實施例之雷射光束截面。第14圖則顯示了第13圖中光束截面與雷射光束前進方向垂直之一平面(yz平面)的剖面圖。
雷射光束162亦具有一種光束截面,係相對於雷射光束前進方向(L)及一垂直於雷射光束前進行方向(L)之方向(H)呈現對稱,有如前述實施例中所說明者。在第13圖中,只顯示了 一個yz平面之剖面圖,其中光束強度是與雷射光束前進方向(L)垂直。
雷射光束162自雷射光束中心部位(C)到末端部位(E)之間依序包括了一第一區段(Ix)、第二區段(IIx)及第三區段(IIIx)。在第一區段中,光束強度會自光束之中心部位(C)向末端部位(E)緩慢增加,而在第二區段中,光束強度之增加率是較第一區段高的。在第三區段中,光束強度在第二區段(IIx,IIy)外側部位會快速地降低。
依據本實施例,雷射光束寬度(BW)是800μm,稍大於密封玻璃寬度600μm。
第15圖顯示了當具有第7、11及13圖光束截面之雷射光束照射至密封玻璃時,密封玻璃剖面上之溫度分佈的正規化圖。
請參閱第15圖,與具有第7圖光束截面之雷射光束160有關之溫度分佈(T160)中,於密封玻璃之中心部位與末端部位之間存有一30%的溫差,而在一有效封合寬度(FWeff)中密封玻璃中心部位與末端部位間存有低於3%的溫差。
在與具有第11圖光束截面之雷射光束161有關之溫度分佈(T161)中,於密封玻璃之中心部位與末端部位之間存有一25%的溫差,而在一有效封合寬度(FWeff)中密封玻璃中心部位與末端部位間存有低於3%的溫差。
在與具有第13圖光束截面之雷射光束162有關之溫度分佈(T162)中,於密封玻璃之中心部位與末端部位之間存有一 25%的溫差,而在一有效封合寬度(FWeff)中密封玻璃中心部位與末端部位間存有低於3%的溫差。
至於第3、4圖的高斯光束截面,在密封玻璃之中心部位及末端部位之間存有45%或更大的溫差,而在有效封合寬度(FWeff)中,在密封玻璃的中心部位與末端部位之間存有一34%的最大溫差。此外,當使用具有本發明實施例及修飾實施例之光束截面的雷射光束進行照射時,沿密封玻璃末端部位之溫度分佈的均勻性就會改善。
第16及17圖顯示了用以在密封玻璃中心部位及末端部位間於一有效封合寬度(FWeff)中保持一依據變異α且少於15%溫差之轉折點區域的變化情形。
第16圖顯示了一個區域5,其中在具有其值為5的α參數之雷射光束以掃瞄速度20mm/sec進行照射時,會有一轉折點(I'),而第17圖顯示了一個區域10,其中在具有其值為10的α參數之雷射光束以掃瞄速度20mm/sec進行照射時,會有一轉折點(I")。
請參閱第16及17圖,當掃瞄速度相同時,轉折點的區域會隨α的增加而增加。因此,隨著轉折點區域的增加,β及γ之選擇寬度也會增加,使得用以改善密封玻璃末端部位溫度均勻性之雷射光束參數的選擇自由度也增加。
雖然在第16、17圖中沒有顯示,當雷射光束的掃瞄速度被增加而其他條件保持不變時,選擇轉折點的區域會增加。但是 ,當掃瞄速度為5mm/sec或更慢時,密封玻璃是可以使用一適當雷射功率來進行封合,但由於加附時間的增加而會使得處理效率降低。另一方面,當光束掃瞄速度是50mm/sec或更快時,與使用掃瞄速度5mm/sec時來比較,光束強度就必需增加以能夠達到使密封玻璃融化的適當溫度,也因此就可能因密封玻璃融化然後又高速離開而硬化時產生的溫度衝擊,造成微裂痕的出現機率大增。在這個考量下,掃瞄速度最好高於5mm/sec,並低於50mm/sec。
【第二實施例】
第18圖顯示了本發明另一實施例之雷射照射裝置中照射至有機發光顯示裝置之密封玻璃上的雷射光束截面。第19圖顯示了第18圖中光束截面與雷射光束前進方向垂直之一平面(yz平面)的剖面圖。第20圖顯示了第18圖中光束截面與雷射光束前進方向垂直之一平面(xz平面)的剖面圖。第21圖顯示了第18圖中光束截面之上視圖。
一水平軸(x)及垂直軸(y)代表了相對於密封玻璃寬度(FW)之光束截面位置,高度(正規化後的強度NI)代表了正規化後的光束強度。
請參閱第18至21圖,依據本發明一實施例,在雷射光束照射裝置150中照射至有機發光顯示器之密封玻璃140的雷射光束260具有一光束截面,其光束強度在一與雷射光束前進方向垂直之yz平面上是自光束之中心部位(C)向光束之末端部位 (E)之方向增加。在光束中心部位(C)之光束強度較佳為在光束末端部位(E)之光束強度的一半或更弱。
依據本實施例,雷射光束260之截面在與雷射光束前進方向垂直之yz平面上是呈現對稱的,且光束強度是朝向雷射光束末端部位(E)增加。
然而,在本實施例中,雷射光束260之光束強度在一與雷射光束前進方向平行之xz平面上是均勻的。意即,雖然前述實施例中的雷射光束160相對於雷射光束的中心部位是呈現對稱的,但本實施例中的雷射光束260則是相對於雷射光束前進方向(L)而呈現對稱的。
請參閱第19圖,雷射光束260之截面包括了第一區段(Ix)及第二區段(IIx)。在第一區段中,光束強度會自光束之中心部位(C)向末端部位(E)緩慢增加,而在第二區段中,光束強度之增加率是較第一區段高的。
在本實施例中,雷射光束260包括一轉折點(I),其係位在第一區段(Ix)及第二區段(Iy)之交界處,且與雷射光束前進方向(L)平行與對稱。但是,由於光束強度在與雷射光束前進方向(L)平行之xz平面上是均勻的,在與雷射光束前進方向(L)平行之xz平面上是不存在有任何轉折點(I)的。
轉折點(I)可以使用參數α、β及γ來定義,其中α代表最大光束強度相對於最小光束強度之比值。依據當前的實施例,在光束中心部位(C)出現的最小光束強度是0.2。而在雷射 光束末端部位(E)出現的最大光束強度是1.0,因此α為5。β代表在轉折點上相對於最小光束強度之光束強度比值。依據當前實施例,在光束中心部位(C)出現的最小光束強度是0.2,在轉折點(I)的光束強度是0.4,因此β為2。γ代表光束中心部位與轉折點(I)間距離與總光束寬度之比值。在本實施例中,總光束寬度為0.6mm,而雷射光束中心部位與轉折點(I)間之距離為0.18mm,因此γ為0.3。
請參閱第20圖,其顯示了本實施例中光束截面之上視圖,雷射光束260相對於雷射光束前進方向(L)是對稱的。雷射光束260可以以具有較光束寬度(BW)為長的光束長度(BL)的長方形的形式來進行照射。在本實施例中,光束長度(BL)是2mm,但也可以使用不同的長度。
雷射光束260可以以長方形線狀光束之形式進行照射,並被移動而沿封合元件140之封合線進行掃瞄。此處,雷射光束260之一中心線是聚焦於封合線之一中心線上,然後雷射光束260被移動而沿封合線之中心線進行掃瞄。
因此,在將具有這種光束強度會自光束中心部位(C)向末端部位(E)增加的光束截面之雷射光束照射至封合元件140時,在封合元件140末端部位之熱通量(其定義為雷射光束沿封合元件中心線照射時,對時間的強度積分值)就會較大。結果,提供給封合元件140末端部位之能量就會大於提供給封合元件140中心部位的能量,而改進密封玻璃剖面上的溫度均勻性。
封合元件140可以是由密封玻璃所形成。
雷射光束的寬度(BW)可以被設計為實質上與密封玻璃的寬度(FW)相等。依據本實施例,雷射光束寬度(BW)及密封玻璃寬度(FW)都是600μm。然而,本發明並不限於此。因此,雷射光束260的光束寬度(BW)可以大於密封玻璃寬度(FW)。但當光束寬度(BW)過寬時,即使雷射光束260使用了一雷射光罩(圖未顯示)來遮蔽,傳送至雷射光罩上的能量也會增加,且在密封玻璃或有機發光顯示單元130附近的繞線可能會受損,因此光束寬度(BW)較佳為不超過密封玻璃寬度(FW)的兩倍。
第22圖顯示了當具有第18圖光束截面之雷射光束照射至密封玻璃時,密封玻璃剖面上溫度分佈之正規化圖,其中雷射光束之長度是會改變的。
請參閱第22圖,在與具有光束長度0.3mm之雷射光束有關之溫度分佈(T_0.3mm)中,在密封玻璃之中心部位及末端部位之間存有一30%的溫差,且在密封玻璃的中心部位會產生約19%的溫降。
在與具有光束長度1mm之雷射光束有關之溫度分佈(T_1mm)中,在密封玻璃之中心部位及末端部位之間存有一25%的溫差,且在密封玻璃的中心部位會產生約6%的溫降。
在與具有光束長度2mm之雷射光束有關之溫度分佈(T_2mm)中,在密封玻璃之中心部位及末端部位之間存有一20%的溫差 ,且在有效封合寬度(FWeff)中,密封玻璃的中心部位與末端部位間存有小於3%的溫差。
在與具有光束長度4mm之雷射光束有關之溫度分佈(T_4mm)中,在密封玻璃之中心部位及末端部位之間存有一2%的溫差,且在有效封合寬度(FWeff)中,密封玻璃的中心部位與末端部位間存有小於2%的溫差。
至於第3、4圖的高斯光束截面,在密封玻璃之中心部位及末端部位之間存有45%或更大的溫差,而在有效封合寬度(FWeff)中,在密封玻璃的中心部位與末端部位之間存有一34%的最大溫差。此外,當使用具有本發明實施例及變形實施例之光束截面的雷射光束進行照射時,沿密封玻璃末端部位之溫度分佈的均勻性就會改善。
第23圖顯示了用以在密封玻璃中心部位及末端部位間於一有效封合寬度(FWeff)中保持一少於15%溫差之轉折點區域。
第23圖顯示了一個區域4,其中在具有其值為4的α參數之雷射光束照射於密封玻璃時,會有一轉折點(I')。藉由在區域4中選擇一個點,就可以決定出適當的β及γ。
雖然在第23圖中沒有顯示,當雷射光束的掃瞄速度被增加而其他條件保持不變時,選擇轉折點的區域4會增加。但是,當掃瞄速度為5mm/sec或更慢時,密封玻璃是可以使用一適當雷射功率來進行封合,但由於標記時間的增加而會使得處理效率降低。另一方面,當光束掃瞄速度是50mm/sec或更快 時,光束強度的累積熱通量就會隨時間增加,因而提高密封玻璃之溫度。在這個考量下,掃瞄速度較佳為高於5mm/sec,並低於50mm/sec。
【第三實施例】
第24圖顯示了本發明另一實施例之雷射光束照射裝置中照射至有機發光顯示器密封玻璃上之雷射光束截面。第25圖顯示了第24圖中光束截面與雷射光束前進方向垂直之一平面(yz平面)的剖面圖。第26圖顯示了第24圖中光束截面與雷射光束前進方向平行之一平面(xz平面)的剖面圖。第27圖顯示了第24圖光束截面之上視圖。
一水平軸(x)及垂直軸(y)代表了相對於密封玻璃寬度(FW)之光束截面位置,高度(正規化後的強度NI)代表了正規化後的光束強度。
請參閱第24至27圖,依據本發明一實施例,在雷射光束照射裝置150中照射至有機發光顯示器之密封玻璃140的雷射光束360具有一光束截面,其光束強度在一與雷射光束前進方向垂直之yz平面上是自光束之中心部位(C)向光束之末端部位(E1)之方向增加。在光束中心部位(C)之光束強度最好是在光束末端部位(E1)之光束強度的一半或更弱。
然而,在本實施例中,雷射光束360之光束強度在一與雷射光束前進方向平行之xz平面上的增加率與在一與雷射光束前進方向垂直之yz平面上的增加率是不同的。
請參閱第26圖,本實施例中之雷射光束360具有一截面,其光束強度在一與雷射光束前進方向平行之xz平面上是自中心部位(C)向光束的末端部位(E2)減少的。
雖然雷射光束360之光束強度在一與雷射光束前進方向平行之xz平面上的增加率與在一與雷射光束前進方向垂直之yz平面上的增加率是不同的,但仍相對於雷射光束之中心部位(C)具有對稱的光束截面。
雷射光束360可以使用參數α及δ來定義,其中α代表在與雷射光束前進方向垂直之yz平面上的最大光束強度相對於最小光束強度之比值。請參閱第25圖,在與雷射光束前進方向垂直之yz平面上光束中心部位(C)出現的最小光束強度是0.5,而在雷射光束末端部位(E1)出現的最大光束強度是1.0,因此α為2。
δ代表在與雷射光束前進方向平行之xz平面上於雷射光束末端部位的光束強度。請參閱第27圖,在與雷射光束前進方向平行之xz平面上於雷射光束末端部位(E2)的光束強度為0.3,因此δ為0.3。
請參閱第27圖,其顯示了本實施例中光束截面之上視圖,雷射光束360相對於雷射光束前進方向(L)以及一與雷射光束前進方向(L)垂直之方向(H)是對稱的,因此光束寬度(BW)也相對於雷射光束前進方向(L)以及一與雷射光束前進方向(L)垂直之方向(H)呈現對稱,使得雷射光束360可以以一環狀點光 束的形式進行照射。
雷射光束360可以以長方形線狀光束之形式進行照射,並被移動而沿封合元件140之封合線進行掃瞄。此處,雷射光束360之一中心線是聚焦於封合線之一中心線上,然後雷射光束360被移動而沿封合線之中心線進行掃瞄。
因此,在將具有這種光束強度會自光束中心部位(C)向末端部位(E)增加的光束截面之雷射光束360照射至封合元件140時,在封合元件140末端部位之熱通量(其定義為雷射光束沿封合元件中心線照射時,對時間的強度積分值)就會較大。結果,提供給封合元件140末端部位之能量就會大於提供給封合元件140中心部位的能量,而改進密封玻璃剖面上的溫度均勻性。
封合元件140可以是由密封玻璃所形成。
雷射光束的寬度(BW)可以被設計為實質上與密封玻璃的寬度(FW)相等。依據本實施例,雷射光束寬度(BW)及密封玻璃寬度(FW)都是600μm。然而,本發明並不限於此。因此,雷射光束360的光束寬度(BW)可以大於密封玻璃寬度(FW)。但當光束寬度(BW)過寬時,即使雷射光束360使用了一雷射光罩(圖未顯示)來遮蔽,傳送至雷射光罩上的能量也會增加,且在密封玻璃或有機發光顯示單元130附近的繞線可能會受損,因此光束寬度(BW)較佳為不超過密封玻璃寬度(FW)的兩倍。
第28圖顯示了當具有第24圖光束截面之雷射光束照射至密封玻璃時,密封玻璃剖面上溫度分佈之正規化圖。
請參閱第28圖,在與具有第24圖所示光束截面之雷射光束有關之溫度分佈(T360)中,在密封玻璃之中心部位及末端部位之間存有一40%的溫差,然而在有效封合寬度(FWeff)中,密封玻璃的中心部位與末端部位間存有小於9%的溫差。
至於第3、4圖的高斯光束截面,在密封玻璃之中心部位及末端部位之間存有45%或更大的溫差,而在有效封合寬度(FWeff)中,在密封玻璃的中心部位與末端部位之間存有一34%的最大溫差。此外,當使用具有本發明實施例及修飾實施例之光束截面的雷射光束進行照射時,沿密封玻璃末端部位之溫度分佈的均勻性就會改善。
第29圖顯示了光束截面依α及1/δ間關係而改變之一區域。
請參閱第29圖,相對於一δ=1/α之直線,一左下區域(A)滿足不等式關係δ<1/α,而一右上區域(B)滿足不等式關係δ>1/α。
第30圖顯示了滿足δ<1/α不等式關係之例子;而第31圖顯示了滿足δ>1/α不等式關係之例子。
請參閱第30圖,其中α=2、δ=0.25,因此不等式關係δ<1/α是被滿足的。在第24至27圖中所顯示之雷射光束360滿足了不等式關係δ<1/α。
如上述,滿足不等式關係δ<1/α之雷射光束會具有一種光束截面,其光束強度在一與雷射光束前進方向垂直之yz平面上是自光束之中心部位(C)向末端部位(E1)增加,而在一與雷射光束前進方向平行之xz平面上是自光束之中心部位(C)向末端部位(E2)減少。
請參閱第31圖,其中α=2、δ=0.75,因此不等式關係δ>1/α是被滿足的。滿足不等式關係δ>1/α之雷射光束會具有一種光束截面,其光束強度在一與雷射光束前進方向垂直之yz平面上是自光束之中心部位(C')向末端部位(E1')增加,而在一與雷射光束前進方向平行之xz平面上是自光束之中心部位(C')向末端部位(E2')減少。
意即,有如第24至27圖所示之雷射光束360,根據本發明之當前實施例,本實施例中雷射光束之光束強度增加率,在與雷射光束前進方向平行之xz平面及與雷射光束前進方向垂直之yz平面上是不同的,且光束強度在與雷射光束前進方向垂直之yz平面上是自雷射光束之中心部位(C')向末端部位(E1')增加,而與雷射光束360類似,其光束截面都是相對於雷射光束之中心部位(C')呈現對稱。
然而,第24至27圖所示之雷射光束360之光束截面中,其光束強度在一與雷射光束前進方向平行之xz平面上是自光束之中心部位(C)向末端部位(E2)減少的。另一方面,當不等式關係δ>1/α被滿足時,雷射光束之光束截面中,其光束強度在與雷射光束前進方向平行之xz平面上就會自光束之中心 部位(C')向末端部位(E2')增加。
第32至34圖顯示了在不同雷射光束掃瞄速度下,用以在密封玻璃中心部位及末端部位間於一有效封合寬度(FWeff)中保持一少於15%溫差之轉折點的各個區域,其中雷射光束分別滿足δ<1/α及δ>1/α的不等式關係。
第32圖顯示了一個區域5,其中為了在將雷射光束以掃瞄速度5mm/sec下照射至密封玻璃時於密封玻璃中心部位及末端部位間一有效封合寬度(FWeff)中保持少於15%的溫差,在雷射光束中可以存在一轉折點。
第33圖顯示了一個區域20,其中為了在將雷射光束以掃瞄速度20mm/sec下照射至密封玻璃時於密封玻璃中心部位及末端部位間一有效封合寬度(FWeff)中保持少於15%的溫差,在雷射光束中可以存在一轉折點。
第34圖顯示了一個區域50,其中為了在將雷射光束以掃瞄速度50mm/sec下照射至密封玻璃時於密封玻璃中心部位及末端部位間一有效封合寬度(FWeff)中保持少於15%的溫差,在雷射光束中可以存在一轉折點。
請參閱第32至34圖,滿足不等式關係δ<1/α及δ>1/α之雷射光束都具有一種區域是,在區域中可以存在一雷射光束的轉折點,用來於密封玻璃中心部位及末端部位間一有效封合寬度(FWeff)中保持少於15%的溫差,且此區域會隨掃瞄速度的降低而增加。因此,隨著轉折點區域的增加,α及δ之選 擇寬度也會增加,使得用以改善密封玻璃末端部位溫度一致性之雷射光束參數的選擇自由度也增加。
然而,當掃瞄速度小於5mm/sec時,由於標記時間的增加而會使得處理效率降低,而當光束掃瞄速度是50mm/sec或更快時,光束強度的累積熱通量就會隨時間增加,因而提高密封玻璃之溫度。在這個考量下,掃瞄速度最好高於5mm/sec,並低於50mm/sec。
依據本發明的各項實施例,封合元件140可以使用密封玻璃來形成,但並不限於此。封合元件140也可以使用其他不同、熟知此技術之人所知悉之材料來形成。
此外,使用一雷射光束照射裝置來進行有機發光顯示器封合之方法也配合本發明之實施例進行了說明,但不限於實施例中所說明者。意即,只要是在兩個基板間包含了一個封合圖案,如密封玻璃,且基板的封合是使藉由將雷射光束照射至封合圖案上來完成,本發明之方法就可以適用於不同的裝置中,不受顯示器形式的限制。
藉由將含有本發明實施例中之光束截面之雷射光束照射至有機發光顯示器之封合元件上,封合元件之末端部位的溫度分佈均勻性就會改善,因此也改善了有機發光顯示器封合元件的黏著力。
以上所述僅為舉例性,而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇,而對其進行之等效修改或變更,均應包含於 後附之申請專利範圍中。
160‧‧‧雷射光束
FW‧‧‧密封玻璃寬度

Claims (47)

  1. 一種雷射照射裝置,該裝置將一雷射光束照射至設置於一第一基板與一第二基板之間的一封合元件上,以致於將該第一基板及該第二基板進行封合,其中位於一垂直於該雷射光束之前進方向之表面上,該雷射光束之一光束強度係自該雷射光束之一中心部位向一末端部位增加,且該雷射光束中心部位之光束強度不大於該雷射光束末端部位光束強度的二分之一,該雷射光束之光束截面是以相對於該雷射光束之前進方向呈現對稱。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之雷射照射裝置,其中該雷射光束依序包括一第一區段及一第二區段,在該第一區段中,該雷射光束之光束強度係自該雷射光束之一中心部位向一末端部位緩慢增加,而在該第二區段中,該光束強度之增加率較該第一區段更高。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之雷射照射裝置,其中該雷射光束相對於一與該雷射光束前進方向平行之表面是呈現對稱的。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之雷射照射裝置,其中在該第一區段及第二區段間之一邊界上之一轉折點係針對該雷射光束的中心部位以對稱的方式分佈。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之雷射照射裝置,其中該雷射光束更包括一設置於該第二區段外部之第三區段,在該第三區 段中,光束強度係快速地下降。
  6. 如申請專利範圍第3項所述之雷射照射裝置,其中該雷射光束更包括一設置於該第二區段外部之第三區段,在該第三區段中,光束強度是均勻的。
  7. 如申請專利範圍第3項所述之雷射照射裝置,其中該雷射光束是以點光束之形式進行照射。
  8. 如申請專利範圍第2項所述之雷射照射裝置,其中該雷射光束在一表面上具有一均勻之光束強度,該表面係與該雷射光束的前進方向平行。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之雷射照射裝置,其中在該第一區段及第二區段間之一邊界上之一轉折點係相對於與該雷射光束前進方向垂直之表面而呈現對稱。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之雷射照射裝置,其中在該第一區段及第二區段間之一邊界上之一轉折點不存在於與該雷射光束前進方向平行之該表面。
  11. 如申請專利範圍第8項所述之雷射照射裝置,其中該雷射光束之一剖面是矩形。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之雷射照射裝置,其中位於一平行於該雷射光束之前進方向之表面上之該雷射光束,與位於垂直於該雷射光束之前進方向之表面上之一光束截面之一光束強度增加率相較之下,具有一不同之光速強度增加率,且前者之一光束截面相對於該整個雷射光束之中心是呈現對稱的。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之雷射照射裝置,其中位於與該 雷射光束前進方向平行表面上之該光束截面具有一光束強度是自該雷射光束之中心部位向末端部位減少的。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之雷射照射裝置,其中位於與該雷射光束前進方向平行表面上之該光束截面具有一光束強度是自該雷射光束之中心部位向末端部位增加的。
  15. 如申請專利範圍第12項所述之雷射照射裝置,其中該雷射光束是以點光束之形式進行照射。
  16. 一種封合基板之方法,其中係將一雷射光束照射至一第一及第二基板間之一封合元件上來進行封合,該方法包括以下步驟:在該第一及第二基板間形成一封合元件;將一雷射光束照射至該封合元件上,其中位於一垂直於該雷射光束之前進方向之表面上,該雷射光束之一光束強度係自該雷射光束之一中心部位向一末端部位增加,且該雷射光束中心部位之光束強度不大於該雷射光束末端部位光束強度的二分之一,該雷射光束之光束截面是以該雷射光束之前進方向為中心呈現對稱;以及將該雷射光束沿該封合元件之一封合線進行照射。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之封合基板之方法,其中該雷射光束之一中心部位係聚焦於該封合線之一中心線上,且該雷射光束被移動以沿該封合線之該中心線進行掃瞄,而進行雷射光束之照射。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之封合基板之方法,其中該雷射光束之一光束寬度係大於該封合元件之寬度。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之封合基板之方法,其中該雷射光束之光束寬度是該封合元件寬度之4/3至2倍之間。
  20. 如申請專利範圍第16項所述之封合基板之方法,其中該雷射光束之一光束寬度係實質等於該封合元件之寬度。
  21. 如申請專利範圍第16項所述之封合基板之方法,其中一熱通量,其為進行照射並移動而沿該封合線之一中心線掃瞄之雷射光束的光束強度對時間之積分值,位於該封合元件一末端部位之該熱通量係大於位於該封合元件之一中心部位之該熱通量。
  22. 如申請專利範圍第16項所述之封合基板之方法,其中該封合元件包括一密封玻璃。
  23. 如申請專利範圍第16項所述之封合基板之方法,其中該雷射光束依序包括一第一區段及一第二區段,在該第一區段中,該雷射光束之光束強度係自該雷射光束之一中心部位向一末端部位緩慢增加,而在該第二區段中,該光束強度之增加率較該第一區段更高。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之封合基板之方法,其中該雷射光束相對於一與該雷射光束前進方向平行之表面是呈現對稱的。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之封合基板之方法,其中在該第一區段及第二區段間之一邊界上之一轉折點係相對於該雷射光束中心部位而以對稱的方式分佈。
  26. 如申請專利範圍第24項所述之封合基板之方法,其中該雷射光束更包括一位於該第二區段外部之第三區段,其中在該第 三區段中,一光束強度係快速地下降。
  27. 如申請專利範圍第24項所述之封合基板之方法,其中該雷射光束更包括一位於該第二區段外部之第三區段,其中在該第三區段中,光束強度是均勻的。
  28. 如申請專利範圍第24項所述之封合基板之方法,其中該雷射光束是以點光束之形式沿該封合線照射至該封合元件上。
  29. 如申請專利範圍第23項所述之封合基板之方法,其中該雷射光束在一表面上具有一均勻之光束強度,且該表面係與該雷射光束的前進方向平行。
  30. 如申請專利範圍第29項所述之封合基板之方法,其中在該第一區段及第二區段間之一邊界上之一轉折點係相對於與該雷射光束前進方向垂直之表面而呈現對稱。
  31. 如申請專利範圍第29項所述之封合基板之方法,其中在該第一區段及第二區段間之一邊界上之一轉折點不存在於與該雷射光束前進方向平行之該表面。
  32. 如申請專利範圍第29項所述之封合基板之方法,其中該照射至該封合元件雷射光束之一剖面係沿該封合線為一矩形。
  33. 如申請專利範圍第16項所述之封合基板之方法,其中位於一平行於該雷射光束之前進方向之表面上之該雷射光束,與位於垂直於該雷射光束之前進方向之表面上之一光束截面之一光束強度增加率相較之下,具有一不同的光速強度增加率,且前者之一光束截面相對於該整個雷射光束之中心是呈現對稱的。
  34. 如申請專利範圍第33項所述之封合基板之方法,其中位於與 該雷射光束前進方向平行表面上之該光束截面具有一光束強度是自該雷射光束之中心部位向末端部位減少的。
  35. 如申請專利範圍第33項所述之封合基板之方法,其中位於與該雷射光束前進方向平行表面上之該光束截面具有一光束強度是自該雷射光束之中心部位向末端部位增加的。
  36. 如申請專利範圍第33項所述之封合基板之方法,其中該雷射光束是以點光束之形式沿該封合線照射至該封合元件上。
  37. 一種有機發光二極體顯示器之製造方法,包括以下步驟:在一第一及第二基板間形成一有機發光二極體單元;在該第一及第二基板間形成一封合元件以圍繞該有機發光二極體單元;對準該第一及第二基板;將一雷射光束照射至該封合元件,其中位於一垂直於該雷射光束之前進方向之表面上,該雷射光束之一光束強度係自該雷射光束之一中心部位向一末端部位增加,且該雷射光束中心部位之光束強度不大於該雷射光束末端部位光束強度的二分之一,該雷射光束之光束截面是以該雷射光束之前進方向為中心呈現對稱;以及將該雷射光束沿該封合元件之一封合線進行照射。
  38. 如申請專利範圍第37項所述之有機發光二極體顯示器之製造方法,其中該雷射光束之一中心部位係聚焦於該封合線之一中心線上,且該雷射光束被移動以沿該封合線之該中心線進行掃瞄,而進行雷射光束之照射。
  39. 如申請專利範圍第37項所述之有機發光二極體顯示器之製造 方法,其中該有機發光二極體單元包括至少一有機發光二極體裝置,在該有機發光二極體裝置中,在一第一與第二電極之間插有至少一有機層,包括一發光層。
  40. 如申請專利範圍第37項所述之有機發光二極體顯示器之製造方法,其中該雷射光束依序包括一第一區段及一第二區段,在該第一區段中,該雷射光束之光束強度係自該雷射光束之一中心部位向一末端部位緩慢增加,而在該第二區段中,該光束強度之增加率較該第一區段高。
  41. 如申請專利範圍第40項所述之有機發光二極體顯示器之製造方法,其中該雷射光束相對於一與該雷射光束前進方向平行之表面是呈現對稱的。
  42. 如申請專利範圍第40項所述之有機發光二極體顯示器之製造方法,其中該雷射光束在一表面上具有一均勻之光束強度,該表面係與該雷射光束的前進方向平行。
  43. 如申請專利範圍第37項所述之有機發光二極體顯示器之製造方法,其中位於一平行於該雷射光束之前進方向之表面上之該雷射光束,與位於垂直於該雷射光束之前進方向之表面上之一光束截面之一光束強度增加率相較之下,具有一不同的光速強度增加率,且前者之一光束截面相對於該整個雷射光束之中心是呈現對稱的。
  44. 如申請專利範圍第37項所述之有機發光二極體顯示器之製造方法,其中該封合元件包括一密封玻璃。
  45. 如申請專利範圍第44項所述之有機發光二極體顯示器之製造方法,其中該密封玻璃形成一封閉環路,以包圍該有機發光 二極體。
  46. 如申請專利範圍第45項所述之有機發光二極體顯示器之製造方法,其中該封閉環路之每一邊係一具有預設曲度之曲線。
  47. 如申請專利範圍第45項所述之有機發光二極體顯示器之製造方法,其中該封閉環路之每一邊是呈直角的。
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5902400B2 (ja) * 2011-04-26 2016-04-13 トヨタ自動車株式会社 レーザ溶接装置、レーザ溶接方法、鋼板積層体の製造方法及び積層体のレーザ溶接による溶接構造
US9472776B2 (en) 2011-10-14 2016-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing sealed structure including welded glass frits
JP2013101923A (ja) * 2011-10-21 2013-05-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 分散組成物の加熱方法、及びガラスパターンの形成方法
US9096042B2 (en) 2012-04-17 2015-08-04 Koninklijke Philips N.V. Lighting apparatus
KR101991405B1 (ko) * 2012-09-19 2019-06-20 삼성전자주식회사 빔 형상기, 이를 구비하는 레이저 어닐링 시스템 및 이 시스템을 이용하여 반사형 포토 마스크를 제작하는 방법
KR102034252B1 (ko) * 2012-12-21 2019-10-21 삼성디스플레이 주식회사 레이저 빔 조사 장치 및 기판 밀봉 방법
CN103943647B (zh) * 2013-01-18 2016-11-16 群创光电股份有限公司 显示装置及其封装方法
TW201431149A (zh) * 2013-01-18 2014-08-01 Innolux Corp 顯示裝置及其封裝方法
TWI561904B (en) * 2014-01-17 2016-12-11 Au Optronics Corp Substrate packaging structure and packaging method thereof
KR20150102180A (ko) * 2014-02-27 2015-09-07 삼성디스플레이 주식회사 레이저 빔 조사 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
CN105023880A (zh) * 2014-04-15 2015-11-04 上海微电子装备有限公司 玻璃封装体的密封装置
CN105226204A (zh) * 2014-05-30 2016-01-06 上海微电子装备有限公司 一种激光封装设备及封装方法
CN105632944B (zh) * 2014-11-03 2018-08-14 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种多光束准同步激光封装装置及方法
JP6673689B2 (ja) * 2015-12-21 2020-03-25 株式会社アルバック レーザー加工装置、レーザー加工方法、および、接合体の製造方法
CN108028214B (zh) * 2015-12-30 2022-04-08 玛特森技术公司 用于毫秒退火系统的气体流动控制
CN108778695A (zh) * 2016-01-27 2018-11-09 康宁股份有限公司 室温结合基材的方法和设备
CN107665826B (zh) * 2016-07-29 2019-11-26 上海微电子装备(集团)股份有限公司 激光封装方法及激光封装装置
JP6390672B2 (ja) * 2016-08-02 2018-09-19 トヨタ自動車株式会社 平角線のレーザ溶接方法
CN109093251B (zh) * 2017-06-20 2020-08-04 上海微电子装备(集团)股份有限公司 一种激光封装装置及封装方法
WO2019226637A1 (en) * 2018-05-22 2019-11-28 Corning Incorporated Laser welding coated substrates

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7052943B2 (en) * 2001-03-16 2006-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
TWI272666B (en) * 2002-01-28 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing the same
US20070128967A1 (en) * 2005-12-06 2007-06-07 Becken Keith J Method of making a glass envelope
KR20070085333A (ko) * 2004-10-20 2007-08-27 코닝 인코포레이티드 유기발광다이오드 디스플레이를 밀봉하기 위한 파라메터의최적화
CN100481316C (zh) * 2004-06-16 2009-04-22 株式会社半导体能源研究所 激光处理装置、激光照射方法及半导体装置的制作方法

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0330317A (ja) * 1989-06-27 1991-02-08 Fuji Electric Co Ltd Soi基板製造装置
JP3255469B2 (ja) 1992-11-30 2002-02-12 三菱電機株式会社 レーザ薄膜形成装置
JP2880061B2 (ja) * 1994-02-03 1999-04-05 住友重機械工業株式会社 レーザ加工
JPH0961611A (ja) * 1995-06-16 1997-03-07 Nippon Steel Corp バイナリーオプティックス及びそれを用いたレーザ加工装置
US6016227A (en) * 1998-07-31 2000-01-18 The University Of Tennessee Research Corporation Apparatus and method for producing an improved laser beam
US6506635B1 (en) 1999-02-12 2003-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and method of forming the same
US6393042B1 (en) 1999-03-08 2002-05-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Beam homogenizer and laser irradiation apparatus
TW482705B (en) * 1999-05-28 2002-04-11 Electro Scient Ind Inc Beam shaping and projection imaging with solid state UV Gaussian beam to form blind vias
US6724150B2 (en) 2001-02-01 2004-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
US6844523B2 (en) 2001-09-07 2005-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser apparatus, laser irradiation method, manufacturing method for a semiconductor device, semiconductor device and electronic equipment
US7589032B2 (en) 2001-09-10 2009-09-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser apparatus, laser irradiation method, semiconductor manufacturing method, semiconductor device, and electronic equipment
US6930326B2 (en) 2002-03-26 2005-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor circuit and method of fabricating the same
US6713713B1 (en) * 2002-12-18 2004-03-30 Branson Ultrasonics Corporation Lens to adapt laser intensity for uniform welding
EP1553643A3 (en) 2003-12-26 2009-01-21 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method and method for manufacturing crystalline semiconductor film
KR100652057B1 (ko) 2004-04-02 2006-12-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치 및 이를 이용한 리페어 방법
DE602005024758D1 (de) 2004-12-06 2010-12-30 Semiconductor Energy Lab Laser-Bestrahlungsapparat, Laser-Bestrahlungsverfahren und Herstellungsverfahren für Halbleitervorrichtung
US7485511B2 (en) 2005-06-01 2009-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Integrated circuit device and method for manufacturing integrated circuit device
EP1909366A4 (en) * 2005-07-13 2009-07-08 Furukawa Electric Co Ltd LIGHT IRRADIATION DEVICE AND WELDING METHOD
US7425166B2 (en) 2005-12-06 2008-09-16 Corning Incorporated Method of sealing glass substrates
KR100671642B1 (ko) * 2006-01-26 2007-01-19 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시 장치의 제조 방법
KR101397567B1 (ko) 2007-01-24 2014-05-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체막의 결정화 방법 및 반도체장치의 제작방법
US20080213482A1 (en) * 2007-03-01 2008-09-04 Stephan Lvovich Logunov Method of making a mask for sealing a glass package
JP5442224B2 (ja) 2007-07-23 2014-03-12 株式会社半導体エネルギー研究所 Soi基板の製造方法
US8247730B2 (en) 2007-09-28 2012-08-21 Corning Incorporated Method and apparatus for frit sealing with a variable laser beam
JP2009104841A (ja) * 2007-10-22 2009-05-14 Toshiba Corp 封止装置、封止方法、電子デバイス、および電子デバイスの製造方法
KR100926622B1 (ko) * 2008-03-17 2009-11-11 삼성모바일디스플레이주식회사 프릿을 이용한 기밀 밀봉 장치 및 기밀 밀봉 방법
US8448468B2 (en) * 2008-06-11 2013-05-28 Corning Incorporated Mask and method for sealing a glass envelope
JP2010145540A (ja) * 2008-12-16 2010-07-01 Toshiba Corp 封止装置、封止方法、およびフラットパネルディスプレイの製造方法
JP4676007B2 (ja) * 2009-03-25 2011-04-27 株式会社東芝 ラミネート装置及び封止構造体の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7052943B2 (en) * 2001-03-16 2006-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
TWI272666B (en) * 2002-01-28 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing the same
CN100481316C (zh) * 2004-06-16 2009-04-22 株式会社半导体能源研究所 激光处理装置、激光照射方法及半导体装置的制作方法
KR20070085333A (ko) * 2004-10-20 2007-08-27 코닝 인코포레이티드 유기발광다이오드 디스플레이를 밀봉하기 위한 파라메터의최적화
US20070128967A1 (en) * 2005-12-06 2007-06-07 Becken Keith J Method of making a glass envelope

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