TWI404053B - 用以在光學碟片中之資訊層記錄標記之方法及裝置 - Google Patents

Description

用以在光學碟片中之資訊層記錄標記之方法及裝置

本發明關於一種藉由以一脈衝式輻射束照射一資訊層而將具有nT之時間長度的標記記錄在一包含該資訊層的光學碟片上之方法，各標記係藉由一m脈衝之序列記錄，其中n係一大於1之整數，T表示一參考時脈之一週期的長度，且m表示一大於或等於1且小於或等於n之整數。

本發明亦關於一種用以在一能實施該方法之光學碟片上記錄標記之記錄裝置。此發明亦關於一種適用於協同該記錄裝置實施該方法之光學碟片。

可重寫媒體(例如DVD＋RW)係可重寫許多次。該可逆記錄過程係基於使用一包含一相變材料之資訊層，該相變材料係可在非晶及結晶相間可逆地改變。非晶性標記係藉由以短輻射脈衝之序列(例如雷射脈衝的序列)照射在資訊層上而記錄在該資訊層之結晶矩陣內。輻射脈衝將相變材料熔化。若在關閉輻射束後之後續冷卻係快速，則非晶相被凝結。若在關閉輻射束後之後續冷卻係緩慢，其允許再結晶且引致一結晶相。因而，此一相變層允許資訊藉由在一寫入功率位準及一抹除位準間之輻射束功率的調變來記錄及抹除。該讀出係藉由偵測在相變層之非晶及結晶相間的光學特性中之差異從而重製紀錄信號而執行。

在媒體退化發生前，需求媒體可直接重寫(DOW)的次數盡可能地高。例如，在DVD＋RW標準中，係規定對於任何數目之直接重寫，該顫動應維持在10%下(500)。已建議數目為1000之直接重寫(DOW)，同時所有參數維持在其範圍內。問題係在記錄包含一分層材料的堆疊之媒體的重複過程期間，係此一堆疊的複數層中之一的相變層，經常由於層的熱相互擴散而緩慢地降級。此退化過程限制可達成之直接重寫(DOW)的最大數目。一用於增加可達成之直接重寫(DOW)數目的已知解決方法，係藉由在相變材料四周使用穩定材料(例如Si₃ N₄ )之覆蓋層，因而減少不同層間之相互擴散。使用穩定材料之覆蓋層的上述解決方法不僅昂貴與技術上難以執行，而且單獨並無法在可達成直接重寫(DOW)數目上提供足夠之增加(尤其係在使用二資訊層之記錄媒體的情況下)，以達到由標準規定之可達成直接重寫(DOW)數目。

預期具有最長時間長度之記錄標記將會對於包含在光學碟片之層堆疊中的資訊層最有害。此預期係基於以下推理：該資訊層之品質退化發生係因為與形成層堆疊的其他層之相互擴散。高溫的存在加速了層堆疊中之材料相互擴散；因此負面地影響可達成直接重寫(DOW)的數目。藉由用短輻射脈衝(稱為寫入脈衝)之序列照射資訊層，非晶性標記被寫入資訊層的結晶矩陣內。由於寫入脈衝具有明顯之長度，可預期在記錄最長標記之期間達到層堆疊內之最高溫，因為熱由於重覆脈衝而累積。因此可預期資訊層之最高溫及最強烈退化會在記錄最長標記的期間發生。當光學碟片係由具有固定長度之標記專門記錄時，此等預期的有效性可藉由分析測量到顫動之相依成為直接重寫(DOW)數目之函數而瞭解。顫動係由於標記長度中之變化且對於資訊讀出而言係雜訊的最主要來源，所以係寫入資料品質的度量。例如，DVD標準規定顫動的最大允許值係9%。在比較用於標記I4、I8及I14之結果時，當記錄更長標記時該堆疊顯示更快速的退化，此指示在更長脈衝中產生之更高平均溫度的負面影響。

本發明之一目的係提供一種針對上述問題的解決辦法及增加可達到之可達成直接重寫(DOW)數目。本發明之目的係藉由如請求項1中所述的一種記錄標記在一光學碟片之方法達到。所宣稱之方法係深刻理解修改該寫入策略使得至少該最長寫入脈衝係由二更短脈衝取代，可極明顯地改進可達成直接重寫(DOW)之數目的結果。該理解係基於未預期地發現與具有最長時間長度之記錄標記將會對於資訊層最有害之預期相反的係，在決定可達成直接重寫(DOW)數目時之最有關因數並非標記的長度，而是該最長寫入脈衝之時間長度。藉由以二較短寫入脈衝取代該最長寫入脈衝期減少此時間長度，明顯地改進可達成直接重寫(DOW)數目。

例如，在雙層DVD＋RW媒體之情況下，當記錄正常DVD資料時之可達成直接重寫(DOW)數目係受限於由於記錄I3標記而非由於記錄更長標記之可達成直接重寫(DOW)數目，如圖5所示。明顯地，此等I3標記(包含一極長期寫入脈衝)係比任何其他標記對該堆疊更有害。針對所觀察到現象之解釋係如下：根據一寫入策略之技術狀態，標記I3係藉由一相對較長之寫入脈衝來記錄。在其中輻射束聚焦之點中的材料堆疊溫度會當來自一序列之第一寫入脈衝出現時迅速增加。在第一寫入脈衝結束後，由於該點外部之熱擴散，溫度在冷卻週期期間開始迅速下降成為時間之函數。冷卻週期結束處之溫度係高於該序列開始前的溫度，但遠低於寫入脈衝結束處達到之尖峰溫度。當第二寫入脈衝出現時，溫度再次開始迅速地增加且當寫入脈衝結束時迅速下降。隨著脈衝之序列進行，該堆疊之平均溫度增加。然而，該堆疊中之最高溫係與平均溫度極度不同，且最可能在寫入脈衝的結束處達到。因而，該材料堆疊由標記之記錄的破壞可藉由根據請求項1之修改該紀錄的方法而加以限制。若由一冷卻週期分離之二短寫入脈衝係用以取代最長的個別輻射脈衝，則可達成之直接重寫(DOW)數目明顯地增加。

一有利具體實施例係藉由請求項2之方法獲得。藉由一包含一長寫入脈衝之寫入脈衝的序列設定α＝2與紀錄標記I3，係此項技術中用於記錄高速可記錄光學碟片(例如DVD＋RW 8x媒體或多層RW媒體)中之較佳寫入策略。對於此等類型的媒體，根據請求項2之方法修改寫入策略導致可達成直接重寫(DOW)數目中之明顯增加。

一有利具體實施例係藉由請求項3之方法獲得。藉由一包含一長寫入脈衝之脈衝的序列設定α＝3與紀錄標記I3和I4，係此項技術中預期用於記錄高速可重寫藍光碟片(BD)之已知方法。可達成之直接重寫(DOW)數目的增加係藉由一包含二寫入脈衝之序列而由分別具有3T及4T長度的紀錄標記I3和I4獲得。

雖然良好結果係已藉由僅修改包含最長寫入脈衝之序列而獲得，進一步的改進係在一根據請求項4之方法的較佳具體實施例中獲得。在此，包含一大於一序列中包含之寫入脈衝的中間長度之寫入脈衝的各序列被修改，使得該更長寫入脈衝係由二寫入脈衝取代。較佳的係，包含一比該序列中包含之寫入脈衝的中間長度更長至少5%之寫入脈衝的各序列被修改，使得該更長寫入脈衝係由二寫入脈衝取代。

較佳係寫入脈衝之序列係由一抹除脈衝跟隨，該抹除脈衝的功率係低於一寫入脈衝。

當一nT標記係根據本發明由一m個寫入脈衝之序列記錄時，不同時間長度的標記可藉由包含相同數目之脈衝的序列記錄。例如，當α係設定成2時，標記I3及I4係各由一包含二脈衝的序列記錄。由於此，可能需要輻射脈衝之序列的額外精細調節。在根據本發明之一具體實施例中，在該序列中之至少一輻射脈衝的位置之設定係與n相關。在根據本發明之方法的另一具體實施例中，該等輻射脈衝中至少之一的功率之設定係與n相關。

本發明亦包括一如請求項10之光學碟片。一光學碟片包含已儲存的資訊，該資訊較佳係在製程期間預記錄於光學碟片上，該資訊經配置使得當由一記錄設備讀取時，其致能使該記錄設備如任何前述請求項之方法記錄標記在光學碟片上。

本發明亦包含一根據請求項10之光碟機。

參考以下所述若干具體實施例之更詳細說明，將明瞭並闡述本發明之此等及其他方面。

圖1a顯示一具有一「高」部分101及一「低」部分102之參考時脈的時脈信號10。一「高」部分及一「低」部分之組合一起形成此參考時脈的一週期(T)。圖1b顯示一欲記錄在記錄載體之資訊層中的信號11。一在此信號11中之「高」部分111係記錄在資訊層內，成為一具有一對應於此「高」部分之持續時間的實體長度之標記。因而，一標記之長度通常係表示成對應參考時脈週期T之數目。在此範例中，欲記錄之標記長度且因此信號111之「高」部分係5T。此標記在此項技術中係亦稱為I5標記。

欲記錄之信號11係藉由以一輻射束照射一資訊層而記錄在具有一可在結晶相及非晶相間可逆地改變之相位的該資訊層中。該輻射束係藉由一受控制信號12、13控制的輻射源產生。控制信號之功率位準對應於由輻射源產生的輻射束功率。因而，該控制信號對應於一用於記錄一標記之寫入脈衝的序列。圖1c顯示一根據一稱為N/2或2T寫入策略之先前技術方法用於記錄一長度5T之標記(I5)的脈衝式控制信號。當記錄一I5標記時，寫入脈衝之序列包含在具有一寫入功率位準121的控制序列中之二輻射脈衝。在此特定範例中，來自該序列的二寫入脈衝具有不同時間長度，第二寫入脈衝係比第一寫入脈衝長。該等寫入脈衝係藉由冷卻週期125分離。在冷卻週期中，輻射束可具有一冷卻功率位準122，其係低於寫入功率位準。在該等寫入脈衝前後，控制信號具有一抹除功率位準123，其係足以抹除先前記錄之標記。抹除信號的功率係高於冷卻週期期間且低於寫入脈衝之功率。隨後將相對於圖2討論此已知2T方法之另一細節。

圖1d顯示一在一根據本發明之方法中用於記錄相同5T標記的脈衝式控制信號14。在此，寫入脈衝的序列包含三寫入脈衝，而非用於已知2T寫入策略的二寫入脈衝。已知方法之修正係來自圖1c中所示之輻射脈衝的序列技術狀態之第二寫入脈衝，係遠比第一寫入脈衝更長之事實的結果，且因此係由二更短寫入脈衝取代。因而，在記錄5T標記期間於材料堆疊中達到的最高溫係比根據本發明之方法更低。

圖2進一步顯示已知為N/2或2T寫入策略之記錄標記的方法技術狀態。在圖2中，係顯示用於記錄長度3T至14T之標記的寫入脈衝之序列。標記長度之此範圍對應於用以記錄DVD媒體之EFM＋編碼策略。然而，其他編碼策略係此項技術中為人已知，並且標記長度之對應範圍係可變。例如，在藍光碟片(BD)之情況下，係記錄長度2T至9T的標記。

一長度n的標記係藉由一包含Floor(n/2)寫入脈衝的寫入脈衝序列記錄，其中Floor(n/2)描述不大於n/2之最大整數。例如，長度3T之標記I3係由一包含一單一寫入脈衝的序列記錄。該N/2寫入策略係一用於高速可重寫紀錄之較佳寫入策略，例如在8x DVD+RW媒體之情況下。

一包含在一序列中之寫入脈衝的時間長度、二寫入脈衝間的冷卻週期、及寫入脈衝之一序列的全長係可變。圖2顯示一相對於該等時間長度之代表性範例。一般而言，在該N/2寫入策略中，最長之個別寫入脈衝對應於用於記錄I3標記之單一寫入脈衝。此外，來自用於不均勻長度(I5、I7、I9、I11及I13)之紀錄標記的序列之最後寫入脈衝，有時係比對應序列內之其餘寫入脈衝更長，但比用於記錄I3標記的單一寫入脈衝更短。

在此例舉之N/2或2T寫入策略係一更通用策略的特定具體實施例，其已知為N/α 寫入策略。根據N/α 寫入策略，一長度N的標記係藉由一Floor(N/α )寫入脈衝之序列寫入，其中Floor(N/α )係不大於N/α 之最大整數。

一種根據本發明之第一具體實施例記錄標記的方法係顯示於圖3中。與圖2中所示之方法技術狀態比較，在根據本發明之方法中，最小標記(I3)(其寫入脈衝之對應序列包含來自所有該序列的最長個別寫入脈衝)係藉由一包含二寫入脈衝之序列記錄。用於其他長度之紀錄標記的序列保持類似方法技術狀態。寫入策略的此修正係基於一新穎、未預期之理解，即最長個別寫入脈衝對於材料之堆疊係最有害。根據本發明之記錄標記的方法使記錄此等標記較少損 害，從而對明顯地增加可達成之直接重寫(DOW)數目有貢獻。後續將會相對於圖5及6進一步討論此新理解。雖然為求清楚而相對於N/2或2T策略說明該特定具體實施例，但本發明之教示可應用於任何寫入策略。

一種根據本發明之第二具體實施例來記錄標記的方法係顯示於圖4中。與本發明第一具體實施例比較，不僅其對應序列包含來自所有序列之最長寫入脈衝的標記係如本文上述中修改，且包含一比該序列中寫入脈衝之中間長度更長的寫入脈衝之各序列係由二較短寫入脈衝取代。在圖4顯示的特定範例中，用於不均勻長度之紀錄標記(I5、I7、I9、I11及I13)的脈衝之序列係因而被修改。如圖示，來自對應序列的最後寫入脈衝係用二寫入脈衝取代。

當根據本發明之第二具體實施例(例如在選擇α =2之特定情況)的紀錄標記時，包含在一序列中之寫入脈衝的數目係由Ceiling(n/m)給定，其中Ceiling(n/m)定義不小於n/m之最小整數。

視需要如圖4中所示，個別寫入脈衝與二寫入脈衝間的冷卻週期之長度，可在一序列中或在用於不同長度之標記的序列內變化。例如，在用於記錄I5標記之序列的情況下，序列中之第一寫入脈衝係比後續寫入脈衝(43、44)更長且冷卻週期係不同。冷卻週期可在不同長度之標記間變化，例如寫入脈衝43及44(包含在用於記錄至標記I5的序列中)間的冷卻週期，係與在寫入脈衝45及46(包含在用於記錄至標記I7的序列中)間之冷卻週期不同。

寫入脈衝的序列可由一抹除脈衝跟隨，該抹除脈衝之功率係低於一寫入脈衝之功率。一般而言，一序列內之最後寫入脈衝(例如用於標記I3之脈衝41，或用於標記I5之脈衝44)的位置，係根據欲寫入之標記的時間長度而設定。

視需要(未顯示在圖3或4中)，該至少一脈衝的功率可根據標記(n)的時間長度設定。

較佳的係，決定一個別寫入脈衝是否遠大於一序列內寫入脈衝的中間長度，使得其較佳係由二寫入脈衝取代之臨界值，係設定成該序列中包含之寫入脈衝的中間時間長度之5%。

圖5顯示當一單一長度之標記係根據N/2或2T策略的技術狀態記錄時，記錄在一光學碟片上之資料的測量到顫動之相依成為直接重寫(DOW)數目的函數，其係在以下特定情況：－僅記錄I3標記時(中空方形)；－僅記錄I4標記時(實心三角形)；－僅記錄I8標記時(中空圓形)；－僅記錄I14標記時(實心方形)；－記錄代表性DVD資料時(實心圓形)

該顫動係由於標記長度中之變化且對於資訊讀出而言係雜訊的最主要來源，所以係寫入資料之品質的度量。例如，DVD標準規定顫動的最大允許值係9%。當比較用於標記I4、I8及I14之結果時，當記錄更長標記時該堆疊顯示更快的退化，其指示在更長脈衝中產生之更高平均溫度的一負面影響。此傾向於確認記錄更長之標記對於資訊層係更多損害的預期。然而，與預期相反的係，記錄最短標記I3係最易造成損害，顯示顫動中之最快速增加係直接重寫(DOW)數目的函數。與用於記錄更長標記之寫入脈衝的序列比較，用於記錄標記I3之序列包含最長的個別寫入脈衝。因而，在記錄此一I3標記期間達到之尖峰溫度，係高於在一更長標記的寫入過程期間達到的最高溫度，導致材料堆疊的最強烈退化。

圖6顯示當I3標記係根據N/2策略(實心圓形)之技術狀態記錄，或根據本發明之寫入策略(中空方形)時，所測量到顫動與直接重寫(DOW)數目之函數中的差。

明顯地，當使用一根據本發明的寫入策略時，顫動更佳穩定：在本發明標記I3之特定範例中，僅藉由修改包含最長個別寫入脈衝的序列，該可達成之直接重寫(DOW)數目以三之因數大幅度自200改進成600。基於此理解，需求選擇包含在用於記錄標記I3之序列中的寫入脈衝之新持續時間，使其等於或短於包含在其他序列中之寫入脈衝(所謂多脈衝)的持續時間，以限制在記錄I3標記期間的尖峰溫度。由於使用一I3標記之長寫入脈衝紀錄造成的資訊層退化，無法單純地藉由在原始策略中減少用於I3標記之紀錄的寫入脈衝時間長度而解決，因為此將會導致在資訊層內耗散之能量的數量之總計減少，且因此標記或將具有一較短長度或功率可能不足以記錄該標記。

其次，將相對於圖7描述一其中可實現本發明之記錄設備的具體實施例。記錄設備70包含一用於接收一可移式記錄媒體701之記錄媒體接收構件704。記錄媒體701可為一可重寫類型之光學碟片，諸如DVD＋RW或BD－RE。記錄媒體701係藉由旋轉構件704可旋轉地驅動。一在記錄媒體徑向中可移動之光學拾取單元706，係用以藉由使用一輻射束702沿記錄媒體上之一螺旋軌703記錄標記。就此目的而言，記錄媒體701係具有一包含一適合相變材料之資訊層，該相變材料在結晶或非晶性狀態中具有不同光學特性。輻射束702係根據欲記錄之數位資訊信號藉由記錄構件707調變。此數位資訊信號已以編碼構件709使用如EFM或EFM＋及CIRC錯誤編碼般之已知調變方案適當地編碼。可包含A/D轉換構件及/或特定介面電路之輸入構件711，可接收類比及/或數位資訊。此外，係提供定址發現構件713以決定在記錄媒體701上出現的位址資訊。記錄媒體上的數位資訊信號可藉著適合之讀取構件708由相同的拾取單元706讀取。此等連接至解碼構件710以根據已知方案執行解碼和CIRC錯誤校正。已解碼及校正信號係經由輸出構件712輸出，其可包含D/A構件及/或適合的介面電路、數位及/或類比資訊信號。

記錄設備之所有單元係受控制單元714控制。該控制單元714可包含一根據一載入記憶體構件中之特定程式操作的處理單元，以根據本發明執行該方法。控制單元714尤其係負責用於產生在產生調變輻射束702時由記錄構件707及光學拾取單元706使用的控制信號。

可重寫類型之光學碟片包含一資訊區，其中使用者資料係記錄在一連續之螺旋軌中。該軌顯示一來自完美螺旋，已知為擺動之週期性變化，一讀取/記錄設備係使用其以產生一時脈信號。若干片之資訊可在製程期間預記錄在該光學碟片上。例如，在DVD+RW光學碟片之情況下，可藉由相調變該等軌之搖擺(定址於預錄槽中-ADIP)而儲存該資訊。該資訊可包含參考欲用於記錄該光學碟片之已允許寫入策略及實體參數的資訊。在本發明之一較佳具體實施例中，一光學碟片包含(較佳係在製造期間預記錄)致能一記錄設備根據上述本發明之方法在光學碟片上記錄標記的資訊。此資訊可包含任何下列及/或其組合：- 欲用於記錄一長度n之標記的脈衝數目，例如在一由公式Ceiling(n/α )給定的較佳具體實施例中，其中α 係一不小於2之整數；來自一用於記錄一給定長度之標記的脈衝之序列的一寫入脈衝之最大寬度。

應注意的係上述具體實施例係意欲說明而非限制本發明。且熟習此項技術人士將能設計許多替代具體實施例，而不脫離隨附申請專利範圍所定義之範疇。尤其應注意的係本發明不僅限於使用多層紀錄。如先前描述，當應用於高速記錄系統時，本發明亦係特別有利.

在申請專利範圍中，任何置於括弧之間的參考符號皆不應解釋為限制該請求項。動詞「包含」及「包括」和其詞型變化的使用並不排除在申請專利範圍所提及外的元件或步驟的出現。元件前之冠詞「一」或「一個」不排除複數個該元件的出現。本發明可藉由包含若干不同元件的硬體及藉由軟體來實施。在列舉若干構件之系統/裝置/設備之申請專利範圍中，若干此等構件可藉由硬體或軟體中之一或相同項來具體化。在互相不同的相依請求項中陳述某些方法之唯一事實，不代表使用該等方法之組合係不具優點。

10．．．時脈信號

11．．．信號

12．．．控制信號

13．．．控制信號

14．．．脈衝式控制信號

101,111．．．「高」部份

102．．．「低」部份

121．．．寫入功率位準

122．．．冷卻功率位準

123．．．抹除功率位準

125．．．冷卻週期

701．．．可移式記錄媒體

702．．．輻射束

703．．．螺旋軌

704．．．記錄媒體接收構件

706．．．拾取單元

708．．．讀取構件

709．．．編碼構件

710．．．解碼構件

711．．．輸入構件

712．．．輸出構件

713．．．定址發現構件

714．．．控制單元

T．．．時脈週期

本發明之特徵及優點將在參考以下圖式後明瞭，其中：圖1顯示表示一時脈信號、一欲記錄之5T標記、一用於記錄該標記之已知方法及一用於根據本發明記錄該標記的方法之圖式。

圖2顯示已知為紀錄標記之N/2策略的紀錄標記之方法技術狀態，該方法係用於長度3T至14T的標記。

圖3顯示根據本發明之第一具體實施例記錄標記的方法。

圖4顯示根據本發明之第二具體實施例記錄標記的方法。

圖5顯示當標記係根據N/2或2T寫入策略的技術狀態記錄時，所測量之顫動與直接重寫(DOW)數目之相依，其中當：－僅記錄I3標記(中空方形)時；－僅記錄I4標記(實心三角形)時；－僅記錄I8標記(中空圓形)時；－僅記錄I14標記(實心方形)；－記錄代表DVD資料(實心圓形)時。

圖6顯示當I3標記係根據N/2策略(實心圓形)之技術狀態記錄，或根據本發明之一寫入策略(中空方形)時，所測量到顫動與直接重寫(DOW)數目之函數中的差別。

圖7顯示一適用於本發明之光碟機。

10．．．時脈信號

11．．．信號

12．．．控制信號

13．．．控制信號

101,111．．．「高」部份

102．．．「低」部份

121．．．寫入功率位準

122．．．冷卻功率位準

123．．．抹除功率位準

125．．．冷卻週期

T．．．時脈週期

Claims (14)

1. 一種記錄標記在一光學碟片上之方法，該光學碟片包含一資訊層，該方法藉由一脈衝式輻射束照射該資訊層，一具有nT之時間長度的標記(I3、...、I14)係藉由一包含由冷卻(cooling)週期分離之m個寫入脈衝的序列加以記錄，其中n表示一大於1之整數且T表示一參考時脈之一週期的長度，在該序列內之該等寫入脈衝被允許具有不同時間長度，包含在序列內對應於不同時間長度之標記的該等寫入脈衝係允許具有不同長度，m係一由Floor(n/α )給定之整數，其中Floor(n/α )定義不大於n/α之最大整數，其中α 係一大於或等於二之整數，該方法之特徵為：具有一長度3T之標記I3，其係藉由一包含二寫入脈衝之序列記錄。
2. 如請求項1之記錄標記的方法，其特徵為設定α =2。
3. 如請求項1之記錄標記的方法，其特徵為設定α =3且分别具有3T和4T之長度的標記I3和I4係藉由包含各二寫入脈衝之序列記錄。
4. 2或3之記錄標記的方法，其特徵為修改包含一比該序列中之該等寫入脈衝的中間長度更長之寫入脈衝的各序列，使得該更長寫入脈衝係藉由二寫入脈衝取代。
5. 如請求項4之記錄標記的方法，其特徵為包含在用於記錄長度n之該標記的該序列中之該等寫入脈衝的數目係由Ceiling(n/α )給定，其中Ceiling(n/α )定義不小於n/α 之最 小整數。
6. 如請求項4之記錄標記的方法，其特徵為修改包含比該序列中之該等寫入脈衝的中間長度更長至少5%之一寫入脈衝的脈衝之各序列，使得該更長寫入脈衝係藉由二寫入脈衝取代。
7. 2或3之記錄標記的方法，其特徵為一抹除脈衝接在該等寫入脈衝之序列之後，該抹除脈衝之功率係低於一寫入脈衝的功率。
8. 2或3之記錄標記的方法，其特徵為該至少一脈衝的功率係根據n設定。
9. 2或3之記錄標記的方法，其特徵為該至少一脈衝的位置係根據n設定。
10. 一種記錄設備，其配置以記錄標記在一光學碟片上，該光學碟片包含一資訊層，其藉由一脈衝式輻射束照射該資訊層，一具有一nT之時間長度之給定標記(I3、...、I14)，其中n表示一大於一之整數且T表示一參考時脈之一週期的長度，其特徵為該設備包含用於實施一如請求項1、2或3之方法的構件。
11. 一種光學碟片，其包含已儲存之資訊，該資訊較佳係在製程期間預記錄在該光學碟片上，該資訊經配置使得當由一記錄設備讀取時，其如請求項1、2或3之方法致能使該記錄設備將標記記錄在該光學碟片上。
12. 如請求項11之光學碟片，其特徵為該預記錄之資訊包含相對於包含在一用於記錄一給定長度之標記的序列中之 寫入脈衝的該數目之資訊。
13. 如請求項11之光學碟片，其特徵為該預記錄之資訊包含相對於包含在一用於記錄一給定長度之標記的序列中之各寫入脈衝的該長度之資訊。
14. 如請求項11之光學碟片，其特徵為該光學碟片係一可重寫DVD碟片。