TWI400536B - 光學補償雙折射液晶面板之製作與驅動方法 - Google Patents

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Description

光學補償雙折射液晶面板之製作與驅動方法
本發明是有關於一種光學補償雙折射(optically compensated birefringence，OCB)型液晶顯示器的技術，且特別是有關於一種能於驅動時省去由斜展(splay)態轉換至彎曲(bend)態的動作之光學補償雙折射(OCB)型液晶顯示器之製作與驅動方法。
因應液晶顯示器之動態影像品質需求，各類快速反應液晶顯示技術不斷地被提出，其中一種即為光學補償雙折射(OCB)型顯示模式。
目前OCB的缺點之一就是需要經過一個斜展(splay)態至彎曲(bend)態的轉換才能到達顯示器的驅動區間，使得OCB需要一高電壓進行轉態動作，才能開始進行顯示驅動；而較高的電壓除了使液晶面板之製造過程面臨需要較高的成本外，也可能會對液晶面板造成傷害。
雖然已有一些種晶(seed)的技術能夠使得OCB在較低的電壓進行轉換，例如西元2002年所提出的美國專利US7215397 B2。不過，這種技術仍然需要較高電壓來使液晶分子由斜展態轉換至彎曲態，而且，需額外增加數道蝕刻顯影等步驟，所以製程較繁複。因此，目前種晶的技術仍然無法使OCB顯示模式具備實用之程度。
一般OCB液晶盒內的液晶分子在驅動前後的狀態如 圖1所示。在未加電壓時，液晶分子100之排列方向會順著基板110配向方向呈現斜展態。經電壓驅動後，液晶分子100會變成Bend I狀態，再變成Bend II狀態。一旦將電壓關掉，則液晶分子100之排列會先維持在180度扭轉態，再慢慢轉換至斜展態。由於180度扭轉態之自由能與彎曲態(Bend I與Bend II)之自由能接近，因此若是能在驅動之前讓液晶分子排列維持在「180度扭轉態」，則驅動到彎曲態勢必要比由「斜展態」驅動至彎曲態更容易。
於西元2006年由韓國釜山大學(Pusan National University)發表在Applied Physics Letters 89,123507(2006)的研究已經提出一種雙排列模式(two mode)OCB的設計，包括在液晶中添加旋性(Chiral)分子，使得OCB結構可以維持在180度扭轉態，而形成記憶狀態(Memory state)，再利用側向電極與垂直電極搭配而形成動態模式與記憶模式。不過這個方式需要使用旋性液晶，此種作法一般會影響液晶面板之光電性質。
此外，於西元2007年由韓國釜山大學發表在Applied Physics Letters 90,163513(2007)的研究則提出一種不需使用旋性(Chiral)分子，而是利用液晶分子與氟化聚合物材料的相分離(phase seperation)來使液晶分子維持在180度扭轉態。但是，上述方式將液晶分子與氟化聚合物材料混合後再做相分離，容易對液晶面板光電性質產生不良影響。
本發明提供一種光學補償雙折射(OCB)液晶面板之製作與驅動方法，能使OCB驅動時省去由斜展(splay)態轉換至彎曲(bend)態的動作。
本發明提出一種光學補償雙折射液晶面板之製作與驅動方法，包括提供一個OCB液晶面板，這種OCB液晶面板在其顯示區周圍具有混成排列(HAN)、垂直排列(VA)或者彎曲排列(Bend)性質之一封閉型結構區域。然後以一多階段電壓變化方式(multistage voltage variation)對此OCB液晶面板進行驅動。這種多階段電壓變化驅動方式包括先施加一高電壓，使OCB液晶面板內的液晶分子轉換至Bend或垂直排列狀態；再將上述高電壓降低至一低電壓，且此低電壓需維持在OCB液晶面板之彎曲態維持電壓(bend state holding voltage)以上；最後移除電壓至零，使OCB液晶面板內的液晶分子維持在180度扭轉態。
在本發明之一實施例中，上述提供OCB液晶面板之製作方法包括先在經過配向處理後的一上基板表面上或一下基板表面上形成一反應性液晶單體層(reactive liquid crystal monomer layer)，再對上述反應性液晶單體層進行曝光聚合與顯影，以形成封閉型結構，其中封閉型結構與OCB液晶面板的顯示區具有不同的預傾角。之後，組合上基板與下基板，使得有封閉型結構的區域形成混成排列(HAN)區。
在本發明之一實施例中，上述提供OCB液晶面板之製作方法包括先在經過配向處理後的一上基板表面上與一 下基板表面上分別形成一反應性液晶單體層，再對上述反應性液晶單體層進行曝光聚合與顯影，以形成封閉型結構，其中封閉型結構與OCB液晶面板的顯示區具有不同的預傾角。之後，組合上基板與下基板，使得有封閉型結構的區域形成混成排列(HAN)區、垂直排列(VA)區或者彎曲排列(Bend)區。
在本發明之一實施例中，上述OCB液晶面板的單一畫素顯示區的面積在50μm×50μm~16mm×16mm之間。
在本發明之一實施例中，上述OCB液晶面板的封閉型結構的寬度在2μm~1000μm之間。
在本發明之一實施例中，上述高電壓大於5V，小於25V；較佳是大於10V。
在本發明之一實施例中，上述由高電壓降低至低電壓的方式包括階段式下降(step decay)、急遽下降(steep decay)或平緩下降(smooth decay)。
在本發明之一實施例中，上述由高電壓降低至低電壓的時間在1分鐘以內。
在本發明之一實施例中，上述由高電壓降低至低電壓之步驟還包括維持低電壓之時間在3分鐘以內。
在本發明之一實施例中，上述液晶分子之彎曲態維持電壓在1.5V~4.5V之間。
在本發明之一實施例中，上述製程與驅動方法也可用於製作雙穩態(Bistable)液晶面板。
本發明藉由配向表面之結構設計與特定之驅動方式 將顯示區的液晶分子維持在180度扭轉態，而產生不用經過斜展態至彎曲態轉換的OCB液晶面板。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
圖2是依照本發明之一實施例之一種光學補償雙折射(OCB)液晶面板的驅動步驟圖。
請參照圖2，於步驟200中，提供一個OCB液晶面板，在其顯示區(display regions)周圍具有混成排列(HAN)、垂直排列(VA)或者彎曲排列(Bend)性質之一封閉型結構區域。至於上述OCB液晶面板的製作方法可採用現有技術，譬如在經過配向處理後的上基板表面上以及/或是下基板表面上形成反應性液晶單體層(reactive liquid crystal monomer layer)，其形成方式例如旋轉塗佈(spin coating)、網印、凸板印刷、噴墨印刷、狹縫式塗佈(slot die coating)或是奈米壓印(nano-imprinting)。這種反應性液晶單體層在聚合成為液晶聚合體圖案之後，能使液晶具有水平排列性質或垂直排列性質。接著，對反應性液晶單體層進行曝光聚合與顯影，所形成的結構如圖3所示。在圖3中，上(或下)基板300的表面已經形成為圍繞顯示區302周圍且與顯示區302具有不同預傾角之封閉型結構304，其中顯示區302譬如是子像素(sub-pixel)，其面積例如在50μm×50μm~300μm×300μm之間；或是整個顯示區，其面積例如在 5mm×5mm~16mm×16mm之間，甚至更大之區域。而封閉型結構304的寬度例如在2μm~1000μm之間。前述曝光聚合的區域，端看最終想要形成的封閉型結構而定，在此步驟可配合光罩(mask)的使用。至於顯影的方式則可採用溶劑清洗或雷射蝕刻的方式。最後，組合上基板與下基板。此時，若是在上、下基板中只有一個的表面有此封閉型結構，則有封閉型結構的區域會形成混成排列(HAN)區；若是在上、下基板表面都有此封閉型結構，則有封閉型結構的區域會形成混成排列(HAN)區、垂直排列(VA)區或者彎曲排列(Bend)區。而液晶分子在這種封閉型結構(請見圖3之304)中的狀態如圖4所示。
然後，請再次參照圖2，於步驟210中，以一多階段電壓變化(multistage voltage variation)方式驅動OCB液晶面板。在本實施例中，多階段電壓變化方式包括步驟202，先施加一高電壓，使OCB液晶面板內的液晶分子轉換至Bend或垂直排列狀態，其中所述的高電壓約大於5V小於25V，較佳是大於10V。
然後，於步驟204中，將高電壓降低至一低電壓，此低電壓需維持在OCB液晶面板之彎曲態維持電壓(bend state holding voltage)以上，其中彎曲態維持電壓約在1.5V~4.5V之間。
最後，於步驟206中，移除電壓至零，使OCB液晶面板內的液晶分子維持在180度扭轉態(π-twist state)。
以上步驟210的多階段電壓變化控制中有關由高電壓 降低至低電壓的方式不拘，可以是階段式下降(step decay)、急遽下降(steep decay)或平緩下降(smooth decay)。如轉換成曲線圖來表示則如圖5至圖7所示，其中橫軸是時間、縱軸是電壓、黑色實線代表的是使用者操作階段、白色線段則代表步驟210的多階段電壓變化控制。
請參照圖5，OCB面板電路會自動進行本發明之多階段電壓變化控制，首先會施加一高電壓到Bend I以上之相對電壓(如步驟202)，再由高電壓急遽下降，但仍在Bend I以上之相對電壓(如步驟204)維持約3分鐘以內，之後再移除電壓至零，使OCB液晶面板內的液晶分子進行180度扭轉，而使得顯示區的液晶分子可以穩定維持在180度扭轉的狀態。
至於圖6則顯示由高電壓階段式下降至低電壓(如步驟204)，圖7則顯示由高電壓平緩下降至低電壓(如步驟204)。
經由上述方式所得到的OCB液晶面板亦可應用於雙穩態(Bistable)液晶面板，且180度扭轉態為面板亮態以及斜展態為面板暗態。
除此之外，在OCB液晶面板出廠前只要進行一次上述多階段電壓變化控制，即可藉此驅動方法使出廠後的OCB液晶面板在無電壓下仍持續維持180度扭轉態。
以下利用實驗例來證實本發明之效果。
實驗例一
在數個OCB液晶面板中的16mm×16mm之顯示區周 圍製作具有混成排列(Hybrid)、垂直排列或彎曲型排列(Bend)性質的封閉型結構，這個封閉型結構寬度約為1mm。
然後，分別不同驅動方法驅動OCB液晶面板，其中使用的液晶分子種類為Chisso ZOC-5128XX。
首先，驅動一個OCB液晶面板至20Vpp(Bend II)後，平緩下降至彎曲態維持電壓，此階段的時間約30秒，再直接將電壓移除，而得到維持在180度扭轉態的OCB液晶面板。
接著，驅動另一個OCB液晶面板至20Vpp後，階段式下降至彎曲態維持電壓，此階段的時間約30秒，再直接將電壓移除，而得到維持在180度扭轉態的OCB液晶面板。
再來，驅動另一個OCB液晶面板至20Vpp後，急遽下降至4.0V並維持約180秒，再直接將電壓移除，而得到維持在180度扭轉態的OCB液晶面板。
然後，將所得到的OCB液晶面板進行以下實驗。
〈常溫穩定性實驗〉
置放在常溫下，經過240小時後，經觀察仍然可以維持在180度扭轉態。
〈高溫熱穩定性實驗〉
置放在攝氏70度下，24小時後仍然可以維持在180度扭轉態。
置放在攝氏80度下，5小時後仍然可以維持在180度扭轉態。
〈低溫穩定性實驗〉
置放在攝氏-15度的低溫下，經過24小時後仍然可以維持在180度扭轉態。
實驗例二
用實驗例一的方法製作間隙為4μm之OCB液晶面板(本發明)，然後量測0V~10V區間之電壓-穿透率曲線(VT Curve)。圖8即為實驗例二所得之電壓-穿透率曲線圖。由圖8可知，本發明和傳統OCB液晶面板的VT Curve在顯示區特性重疊，因此可以知道本發明只是將本來的斜展態改變成180度扭轉態，在顯示區間的行為與本來的OCB相同。
實驗例三
用實驗例一的方法製作間隙為4μm之OCB液晶面板(本發明)，由0V驅動至10V，再回到180度扭轉態，連續做3次。圖9即為實驗例三所得之電壓-穿透率曲線圖。由圖9可知3條曲線重疊，可以看出本發明並沒有轉換(Transition)的現象產生。因為液晶分子沒有轉換的現象，顯示區特性曲線又相同，因此所有週遭相關的元件都不需要重新設計。
實驗例四
用實驗例一的方法製作雙穩態(Bistable)液晶面板，其斜展為暗態、180度扭轉為亮態，其中一個偏光片方向與配向方向平行。
模擬出來的對比高達5000以上，視角也到達160度。由於模擬中未帶入補償膜設計，因此若再導入適當補償膜 參數進行模擬，視角將更廣更對稱。
綜上所述，本發明因為利用配向表面之結構設計與特定之驅動方式，在經配向之基板表面上製作封閉式結構圍繞顯示區，並在組裝後進行多階段電壓變化控制，所以之後可使顯示區的液晶分子穩定狀態長時間維持在180度扭轉態。如此一來，不需要大的轉換電壓，也不需變更薄膜電晶體(TFT)設計，能與現有製程相容。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧液晶分子
110、300‧‧‧基板
200~210‧‧‧步驟
302‧‧‧顯示區
304‧‧‧封閉型結構
圖1是習知一種OCB液晶盒內的液晶分子在驅動前後的狀態示意圖。
圖2是依照本發明之一實施例之一種光學補償雙折射(OCB)液晶面板的驅動步驟圖。
圖3是經本發明之實施例的步驟200形成的結構圖。
圖4是液晶分子在經本發明之實施例的步驟200形成的封閉型結構中之狀態示意圖。
圖5至圖7分別是本發明之實施例的步驟210之多階段電壓變化控制曲線圖。
圖8為實驗例二所得之電壓-穿透率曲線圖。
圖9為實驗例三所得之電壓-穿透率曲線圖。
200~210‧‧‧步驟

Claims (12)

  1. 一種光學補償雙折射(OCB)液晶面板之製作與驅動方法，包括：提供一OCB液晶面板，該OCB液晶面板的特徵是在其顯示區周圍具有混成排列、垂直排列或彎曲排列性質的一封閉型結構區域；以及以一多階段電壓變化(multistage voltage variation)方式驅動該OCB液晶面板，該多階段電壓變化方式包括：施加一高電壓，使該OCB液晶面板內的液晶分子轉換至Bend或垂直排列狀態；將該高電壓降低至一低電壓，且該低電壓需維持在OCB液晶面板之彎曲態維持電壓(bend state holding voltage)以上；以及移除電壓至零，使該OCB液晶面板內的液晶分子維持在180度扭轉態。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之OCB液晶面板之製作與驅動方法，其中提供該OCB液晶面板之製作方法包括：在經過配向處理後的一上基板表面上或一下基板表面上形成一反應性液晶單體層(reactive liquid crystal monomer layer)；對該反應性液晶單體層進行曝光聚合與顯影，以形成一封閉型結構，其中該封閉型結構與該OCB液晶面板的顯示區具有不同的預傾角；以及 組合該上基板與該下基板，使得有該封閉型結構的區域形成混成排列(HAN)區。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之OCB液晶面板之製作與驅動方法，其中提供該OCB液晶面板之製作方法包括：在經過配向處理後的一上基板表面上與一下基板表面上分別形成一反應性液晶單體層；對該反應性液晶單體層進行曝光聚合與顯影，以形成一封閉型結構，其中該封閉型結構與該OCB液晶面板的顯示區具有不同的預傾角；以及組合該上基板與該下基板，使得有該封閉型結構的區域形成混成排列(HAN)區、垂直排列(VA)區或者彎曲排列(Bend)區。
  4. 如申請專利範圍第2項或第3項所述之OCB液晶面板之製作與驅動方法，其中該OCB液晶面板的該封閉型結構的寬度在2μm~1000μm之間。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之OCB液晶面板之製作與驅動方法，其中該OCB液晶面板的單一畫素顯示區的面積在50μm×50μm~16mm×16mm之間。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之OCB液晶面板之製作與驅動方法，其中該高電壓大於5V，小於25V。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之OCB液晶面板之製作與驅動方法，其中該高電壓大於10V。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之OCB液晶面板之製 作與驅動方法，其中由該高電壓降低至該低電壓的方式包括階段式下降(step decay)、急遽下降(steep decay)或平緩下降(smooth decay)。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之OCB液晶面板之製作與驅動方法，其中由該高電壓降低至該低電壓的時間在1分鐘以內。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之OCB液晶面板之製作與驅動方法，其中將該高電壓降低至該低電壓之步驟更包括：維持該低電壓之時間在3分鐘以內。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之OCB液晶面板之製作與驅動方法，其中該液晶分子之彎曲態維持電壓在1.5V~4.5V之間。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之OCB液晶面板之製作與驅動方法，包括用於製作雙穩態(Bistable)液晶面板。
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