1376737 九、發明說明： • 【發明所屬之技術領域】 • 本發明係關於一種將半導體晶圓、光罩（Ph〇t_sk)用玻 璃基板、液晶顯示用玻璃基板、電漿顯示用玻璃基板、 FED(Field Emission Display，電場發射顯示器）用基板、 光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板等進行超音波洗 • 淨之基板洗淨裝置及基板洗淨方法者。 【先前技術】 在半導體裝置及液晶顯示裝置等之電子零件之製造步驟 中，係包括在基板之表面重複施以成膜及蝕刻等之處理而 形成微細圖案之製程（process)步驟。在此，為了良好進行 微細加工，係需將基板表面保持在清潔之狀態，視需要對 基板表面進行洗淨處理。因此，以往，為了將附著在基板 上之微粒子（particle)去除，係進行對基板供給洗淨液並且 對該洗淨液施加超音波振動。藉此，藉由洗淨液所具有之 • 超音波振動能量，使微粒子從基板上有效地脫離而予以去 除。 以此種基板洗淨裝置而言係提出有以下方式之方案。例 如專利文獻1所記載之裝置係將施予超音波振動之洗淨液 .. 從喷嘴朝向基板表面噴射而將基板表面予以洗淨。此外， . 專利文獻2、3所記載之裝置係在基板表面形成洗淨液之液 膜並且對於該液膜施加超音波振動而將基板表面予以洗 淨。再者’專利文獻4所記載之裝置係對於基板表面對向 配置超音波振動件並且將洗淨液流入於兩者之間而將基板 132536.doc 1376737 表面予以洗淨。 [專利文獻1]曰本特開平1卜244796號公報（第6頁） [專利文獻2]曰本專利第3493492號公報（圖6、圖7) [專利文獻3]曰本特開2〇〇1·87725號公報（圖2) [專利文獻4]曰本特開2〇〇6_326486號公報（圖3、圖4) 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 在上述之洗淨方式中，係由施加超音波振動之超音波施 加機構（棒狀焊頭（h〇rn)、探針（pr〇be)、超音波施加頭 (head))相對於基板表面對向配置而在該對向位置進行藉由 超音波振動去除微粒子◊因此，為了提高微粒子去除率， 係以超音波振動之輸出增大或頻率之降低為有效。然而， 著輸出增大等，對於形成在對向位置之基板上之圖案等 造成損傷等可能性即變高。而且，在上述洗淨方式中，係 為了洗淨基板表面整體而使超音波施加機構相對於基板表 面相對地移動。SU匕，上述損傷會波及基板表面整體。反 之，若將超音波振動之輸出降低，或增大頻率，則雖可抑 制相傷’惟微粒子去除率將大幅降低。如此，習知之洗淨 方式係僅利用超音波振動而謀求微粒子去除，因此難以同 時達成基板損傷之抑制與微粒子去除。 本發明係有鐘於上述問題而研創者，其第t目的在提供 種可-面抑帝J對於基板之損 <备—面有效率地去除基板表 面上之微粒子之基板洗淨裝置及方法。 此外’本發明之第2目的在進—步將基板表面上之微粒 132536.doc 1376737 子均勻地去除。 [解決問題之技術手段] 為了達成上述目的，本發明之基板洗淨裝置之第〗態樣 之特徵為具備：超音波施加機構，對於覆蓋基板表面之第 洗淨液之液膜施加超音波振動；供給機構，在超音波振 動於液膜中朝向基板表面傳播之路徑上，且在與超音波振 動被施加之第丨位置不同之第2位置對液膜供給第2洗淨 液，及控制機構，一面使超音波施加機構作動而對液膜施 加超音波振動，一面藉由供給機構對液膜供給第2洗淨液 而將與超音波振動不同之附加振動施予至液膜。 此外為了達成上述目的，本發明之基板洗淨方法之第 1態樣之特徵為具備：第丨步驟，使超音波振動件對覆蓋基 板表面之第1洗淨液之液膜在第丨位置接觸；及第2步驟， 一面使超音波振動件作動而對液膜施加超音波振動，一面 在與第1位置不同之第2位置對液膜供給第2洗淨液而將與 超音波振動不同之附加振動施予至液膜。 在以此方式構成之發明中，係對於覆蓋基板表面之第丄 洗淨液之液膜在第1位置施予超音波振動，並且在與該第工 位置不同之第2位置將第2洗淨液供給至液膜而將與超音波 振動不同之附加振動施予至液膜。換言之，藉由對於液膜 供給第2洗淨液而使液膜之表面波動而將振動施予至液 膜。此波動振動係作為本發明之「附加振動」而附加於液 膜。以此方式施加波動振動係如後詳述之實驗結果所示， 對於微粒子去除率之提升有極大助益。 132536.doc -9- 1376737 在此，在「覆蓋基板表面之第1洗淨液之液膜」中，係 包含有（a)僅由藉由對於基板表面供給第丨洗淨液而形成在 基板表面上之基板側液膜區域所組成之液膜；及（b)具有藉 由對基板表面供給第1洗淨液而形成在基板表面上之基板 側液膜區域、及藉由第1洗淨液從基板表面流入板件之表 面而形成在板件表面上之外方液膜區域之液膜。 對於形成有此等之中液膜（a)之基板，係可將第丨位置及 第2位置均設定於基板側液膜區域◎此情形下如後所詳 述，可謀求藉由波動振動之附加提升微粒子去除率之區域 (以下稱「去除良好區域」）不會擴展至基板表面全面而呈 偏量。因此，進一步設置使基板旋轉之基板旋轉機構，在 基板旋轉至少〗圈以上之期間，若將超音波振動與波動振 動施予至液膜，可獲得以下之作用效果。亦即，藉由採用 此種構成，相對於基板表面之第丨位置及第2位置之相對關 係即依時間變化。因此，可使去除良好區域擴展而提高微 粒子去除之均一性。此外’依據之後詳述之實驗結果，去 除良好區域係成為第2位置之基板表面區域、及相對於第2 位置為第1位置之相反側之基板表面區域。因此，在此基 板旋轉之情形下，從提高微粒子去除之均—性之觀點來 看，係以（1)將第2位置相對於第！位置位於基板之旋轉中心 側、或（2)將第2位置設定於基板之旋轉中心為較佳。此 藉由將超a波施加機構固定配置，即可將裝置構成予 簡化。此外’關於第j位置係可任意設定，例如將基板 面之中應良好進行微粒子去除之區域排除而設定第⑽ 132536.doc 1376737 置為較理想。之所以如此亦是由於通常基板之表面周緣部 係為不形成圖案等之部位，因此藉由將超音波施加機構配 • 置在此種表面周緣部’即可防止圖案損傷。 另一方面，對於形成有液膜（b)之基板，係可將第1位置 . 設定於外方液膜區域。此外方液膜區域係位於基板表面之 外方，因此從超音波施加機構輸出之超音波振動係介隔外 方液膜區域而傳播於基板側液膜區域，故可有效地防止損 φ 冑波及至基板表面。此外，藉由對於超音波振動朝向基板 側液膜區域及基板表面傳播之外方液膜區域附加波動振 動，即可獲得上述之作用效果。此情形下，基板表面整體 成為去除良好區域。另外，亦可對基板側液膜區域附加波 動振動，以取代對於外方液膜區域附加波動振動。 此外，在以此方式將第丨位置設定於外方液膜區域之情 形下，係以依基板之旋轉中心、第2位置及第丨位置之順序 配置在一直線上為較理想，藉由採用此配置構成，即可提 • 南微粒子去除之均一性。 ^另外，為了對於液膜確實施加波動振動，係以將第2洗 淨液在液滴狀態下著液於液膜而施予附加振動之方式構成 為較理想。此外，以從此喷嘴將第j洗淨液供給至基板表 ，面而形成液膜之方式構成亦可。供給機構藉由以此方式執 行液膜形成動作與液滴供給動作，即可以較少之構成要素 有效率地進行從液膜形成到洗淨。反之，以從與此喷嘴不 同之喷嘴將第i洗淨液供給至基板表面而形成液膜之方式 冓成亦可。此外，使超音波振動件相對於覆蓋基板表面之 132536.doc 1376737 第1洗淨液之液膜在第1位置接觸之際，使基板旋轉亦可， 藉此即可有效率地且均一地將微粒子去除。再者，亦可使 用同種類之處理液作為第1及第2洗淨液。 此外，為了達成上述目的，本發明之此種基板洗淨裝置 之另一態樣為在於基板表面上形成有第i洗淨液之基板側 液膜區域的狀態下洗淨基板表面者，其特徵在於具備：導 入部，其配置在基板之周緣部附近而從基板側液膜區域將 第1洗淨液導入至基板之外方而形成與基板側液膜區域連 續之外方液膜區域；超音波施加機構，其對外方液膜區域 施加超音波振動；供給機構，其在較超音波振動被施加之 位置更靠基板側，將第2洗淨液供給至外方液膜區域；及 控制機構，一面使超音波施加機構作動而對外方液膜區域 施加超音波振動，一面藉由供給機構供給第2洗淨液而將 與超音波振動不同之附加振動施予至外方液膜區域。 【實施方式】 [發明之效果] 依據上述發明，由於對於覆蓋基板表面之第丨洗淨液之 液膜施予超音波振動，並且在與施加該超音波振動之位置 不同之位置將與超音波振動不同之附加振動施予至液膜， 因此即使將超音波振動之輸出及頻率等設定為不致對基板 造成損傷之程度，亦可藉由波動振動之附加使微粒子去除 率提升。換έ之，可兼具基板損傷之抑制與微粒子去除之 提升。 在習知裝置中，雖係對於形成在基板表面上之洗淨液之 132536.doc 12 1376737 液膜施加超音波振動而使微粒子從基板表面上脫離而予以 去除’惟本發明人等為了謀求超音波洗淨技術之改良，係 - 對於施加超音波振動之液膜以各種條件供給洗淨液，而驗 證藉由供給條件之不同之微粒子去除率之變化。再者，從 該驗證結果獲得了藉由對於施加超音波振動之液膜供給洗 淨液而對液膜附加波動振動，而使微粒子去除率提升之見 解。因此，本發明人乃根據此種見解而創作出將超音波振 φ 動與波動振動加以組合之基板洗淨裝置及方法。以下在說 ； 明本發明人等之見解内容，亦即「藉由振動附加之微粒子 . 去除率之提升」之後，詳述利用在該見解之實施形態。 <藉由振動附加之微粒子去除率之提升> 本發明人等係進行了以下之實驗。準備9片矽晶圓（晶圓 直徑：200 mm)，且使用枚葉式之基板處理裝置（大日本網 版製造公司製、旋轉處理器（spin pr〇cess〇r)SS 3〇〇〇)而強 制性使晶圓（基板）W1〜W9污染。具體而言，係一面使晶圓 • 旋轉一面將分散微粒子（Si屑）於晶圓表面之分散液供給至 晶圓。在此，係以附著於晶圓表面之微粒子之數量成為約 ι〇000個之方式，將分散液之液量、晶圓旋轉數及處理時 間予以適當調整。再者，將附著於晶圓表面之微粒子（粒 . 徑；0·08 μιη以上）之數量（初期值）進行測定。另外，微粒 . 子數之測定係使用KLA-Tencor公司製之微粒子評估裝置 SP1-TBI進行評估。 接著’使用圖1(a)表示概略構成之裝置而在晶_之表 面Wf上形成DIW(dei〇nized water :脫離子水）之液膜。亦 132536.doc •13- 1376737 即，在表面wf朝向上方之水平姿勢下一面使晶圓W1〜W9 以100 rpm旋轉一面從配置於離開晶圓表面Wf在上方距離 噴嘴尚度Η之位置之噴嘴41以3〇〇(mL/min)之流量將DIW供 給至晶圓表面wf。藉此’在晶圓表面Wf形成2〜3 mm之
卿膜°再者’ #同圖⑻所示，將超音波施加頭（headm 定位於晶圓4面周緣部之振動施加位置p i而施加超音波振 動，並且一面使供給條件（DIW流量及喷嘴高度H)依每一 晶圓W1〜W9相異—面將DIW供給至晶圓旋轉中心（位置P2) 而進行晶圓表面Wf之洗淨。具體而言，在將超音波施加頭 71固定配置於振動施加位置以之狀態下直接將超音波振動 之振盈輸出設定為5W、此外將振盪頻率設定為3 MHz，另 -方面，將相對於各晶圓Wl，供給條件設定成如圖2 所示。另外’ $ 了觀察以各供給條件將從噴嘴㈣喷出之 D崎液於液臈之際之供給狀態，係藉由數位相機等之攝 像裝置，將供給至液膜之DIW進行了攝像。
在晶圓洗淨處理後進行旋轉乾燥，進—步㈣上述之微 粒子評估裝置來測定附著在晶圓表面之微粒子數量。再 者，藉由將洗淨處理後之微粒子數量與洗淨處理前之微粒 子數量（初期值）進行比對，就晶圓表面整體與評估對象區 域（圖1(c)之斜線部份）算出微粒子去除率。 在上述實驗中雖係使DIW之供給條件相異.，惟會因為供 給條件而有爾之供給狀態成為棒狀（液柱狀態^情形、 及成為液滴狀態之情形。換言之，在對於晶圓wi〜Wk 中晶圓W2、W3、W6之供給條件中，如圖3⑷所示，從喷 132536.doc •14- 1376737 嘴41供給至液膜之DIW係成為連續之流通之棒狀液膜之 • 纟面不會有波動，猜在大致靜止之狀態下直接供給至晶 •圓之旋轉中心（位置P2)。另-方面，在對於晶圓W1、 W2、W4、W5、W7〜W9之供給條件中，如圖3⑻所示，從 ㈣41供給至賴之㈣係成為斷輕分離之流通之液滴 . I態’由於液滴狀之DIW而使液膜之表面產生波動。 圖4係表示關於在各供給條件下洗淨處理之晶圓们〜⑽ • 之微粒子去除狀態。該圖中之黑像點（㈣係表示經去除微 粒子之位置。因此，藉由黑像點之數量可求出微粒子去除 率，另-方面從黑像點之分布可求出洗淨效果之偏量。在 此，係將微粒子去除率分為晶圓全面與評估對象區域之2 個來算出。同圖中之「整體。。%」係在晶圓全面之微粒子 去除率，而相對於半圓狀虛線包圍部之數字係為在評估對 象區域中之微粒子去除率。另外，此評估對象區域係指如 圖1⑷及圖4所示晶圓表面之中相對於液滴滴下位置p2位於 鲁 振動施加位置P1之相反側之區域。 從上述之實驗結果來看，可明瞭對施加超音波振動之液 膜進-步施加液滴狀態之洗淨液（卿），係為在提升微粒 子去除率方面非常有助益之方法。此係與藉由液滴供給而 . 對於液膜之液面施加波動振動有密切關聯。此外，從微粒 - 子去除之分布狀態亦可明瞭在洗淨效果產生偏量。藉由波 動振動之附加而可謀求微粒子去除率之提升之區域、換言 之去除良好區域不會擴展至晶圓表面全面而呈偏量，去除 良好區域係依據振動施加位置P1與液滴滴下位置P2之相對 132536.doc 1376737 . &置關係而相異°亦即’在振動施加位置P1施予至液膜之 超音波振動係朝向晶圓表面傳播於液膜中，例如在上 . 述實驗中’振動施加位置pi係如圖1所示成為晶圓表面Wf 之左端周緣部，因此超音波振動係從晶圓w之左端周緣部 側傳播於右端側。再者，在該傳播路徑上雖附加波動振 . 冑’惟相對於施加該波動振動之液滴滴下位置P2成為振動 施加位置P1之相反側之晶圓表面區域係成為去除良好區 • M。因此，藉由調整此相對位置關係即可控制去除良好區 域。尤其若將液滴滴下位置P2設定於晶圓w之旋轉中心並 且在洗淨處理中使晶圓w旋轉，則去除良好區域即隨晶圓 旋轉而移動。因此，若使晶圓W旋轉1次以上，則可從晶 圓全面將微粒子均-且良好地去除。如上所述振動施㈣曰 置P1係相當於本發明之「第i位置」，液滴滴下位置？2係相 當於本發明之「第2位置」。 此外，在上述實驗中’雖對於形成在晶圓表面Wf上之 籲 液膜（相备於本發明之「基板側液膜區域」）施加超音波振 動與波動振動，惟如之後詳述之第2實施形態或第3實施形 二' 斤說月即使變更施予超音波振動或波動振動之位置亦 可獲仔與上述同樣之實驗結果。例如使用第2實施形態或 . 第3實施形態之裝置之情形下，如圖5及圖6所示，係可形 . 成具有從形成在晶圓表面Wf上之基板側液膜區域LF1與晶 圓表面周緣凸出於外方所形成之外方液膜區域（相當於本 ^明之「外方液膜區域」）LF2之液膜LF »如此藉由具有基 板側液膜區域1^1與外方液膜區域LF2之液膜LF將晶圓表 132536.doc -16- 1376737 面Wf從上方予以覆盍之情形下，係可對外方液膜區域[π 施予超音波振動，而此超音波振動之大部份係朝向晶圓表 . 面Wf傳播。再者，藉由在該傳播路徑上施加波動振動，即 可與上述實驗結果同樣，將附著在相對於施加波動振動之 • 液滴滴下位置P 2成為振動施加位置P1之相反側之晶圓表面 區域之微粒子良好地去除。例如圖5所示，若以在外方液 膜區域LF2中振動施加位置p丨相對於液滴滴下位置p2成為 • 基板側液膜區域LF1之相反側（同圖之左側）之方式將波動 振動施予至外方液膜區域LF2，則晶圓表面Wf整體即相對 於液滴滴下位置P2成為振動施加位置？1之相反側，而成為 去除良好區域。此外，例如圖6所示，藉由對於外方液膜 區域LF2施予超音波振動，超音波振動即從晶圓表面之 左端部傳播於晶圓表面Wf整體，若在此狀態下對於基板側 液膜區域LF1之任意位置附加波動振動，則相對於施加該 波動振動之液滴滴下位置P2成為振動施加位置…之相反側 •之晶圓表面區域即成為去除良好區域。 <第1實施形態> 圖7係為表示本發明之基板洗淨裝置之第i實施形態之 圖。此外，圖8係為表示在圖7之基板洗淨裝置所使用之超 3波施加頭之構成之剖面圖。再者，圖9係為表示圖7所示 t基板洗淨裝置之電性構成之區塊圖。此基板洗淨裝置係 為在用以去除附著於半導體晶圓等之基板W之表面Wf之微 粒子等H物質之洗淨處理所使用之牧葉式之基板洗淨 更八體而。，係為在對於形成有器件（device)圖案 132536.doc 17 1376737 之基板表面Wf供給DIW等之處理液作為洗淨液而形成洗淨 液之液媒之後’對於液膜施加超音波振動及波動振動而將 基板W洗淨之裝置。另外，在本實施形態中，第1洗淨液 與第2洗淨液均係使用同種類之處理液。 此基板處理裝置係具有較基板W具有稍大平面尺寸之旋 轉基底（spin base)l 1。在此旋轉基底11之上面周緣係配置 有複數個支撐銷（pin)12 〇再者，藉由各支撐銷12與基板w 之端部抵接，在將基板W之基板表面wf朝向上方之狀態 下，且在大致水平狀態下使基板W被支撐。另外，用以保 持基板之構成並不限定於此，例如設為藉由旋轉夾盤 (chuck)等之吸附方式保持基板\¥亦可。 在旋轉基底11係如圖7所示連結有旋轉軸3 1。此旋轉轴 31係介隔帶32而與馬達33之輸出旋轉軸34連結。再者，若 馬達33根據來自控制單元（unit)2之控制信號作動，則旋轉 軸31即隨著該馬達驅動而旋轉。藉此，在旋轉基底u之上 方由支撐銷12所保持之基板W係與旋轉基底u一同繞著旋 轉軸心Pa旋轉。如此，在本實施形態中，係藉由旋轉軸 31、帶32及馬達33構成本發明之「基板旋轉機構」，成為 可旋轉驅動基板W。 為了對於以此方式旋轉驅動之基板w之表面”£供給洗淨 液而設有供給單元4。在此供給單元4中’係將噴嘴41配置 在旋轉軸心Pa上且為旋轉基底丨丨之上方位置。在此喷嘴41 中係介隔流量調整部42而連接有洗淨液供給部43，成為可 供給洗淨液至基板表面Wf之旋轉中心位置。如此，在本實 132536.doc -18· 1376737 施形態中’基板表面Wf之旋轉中心位置與液滴滴下位置 (第2位置）P2係—致。再者，在使洗淨液供給部43作動之 狀‘癌下依據來自控制單元2之控制信號而使流量調整部42 作動以調整從洗淨液供給部43對於喷嘴41之洗淨液之供 給。更具體而言’流量調整部42係具有調整對於喷嘴41之 洗淨液供給及停止與洗淨液供給時之流量之功能。另外， 用以進仃洗淨液之流量調整之主要目的之一係在於如後所 詳述藉由單之噴嘴41選擇性地執行液膜形成動作與液滴 滴下動作之點。當然，如之後說明之第2實施形態或第3實 她形態所不没置2種類之喷嘴，以從一方之液臈形成用喷 嘴喷出第1洗淨液而形成液膜，且從另一方之液滴用噴嘴 喷出第2洗淨液而對於液膜施加波動振動之方式構成亦 "5J* 〇 喷嘴41之上端係藉由水平樑（beam)51而與嘴嘴升降驅動 機構52連結。再者，喷嘴升降驅動機構52藉由依據來自控 制單元2之控制彳§號而作動，使喷嘴41與水平樑51 一同一 體升降移動。因此’若與來自基板表面Wf之噴嘴4 i之高度 位置關聯之高度位置指令從控制單元2施予至噴嘴升降驅 動機構52 ’則噴嘴41即升降移動而定位於與該高度位置指 7對應之冋度位置。因此，藉由調整從基板表面術到喷嘴 41之月j端（喷出口）之馬度H，即可將從喷嘴Μ喷出之洗淨 液對於液膜之著液狀態控制為液柱狀態或液滴狀態。 &外’為了防止從喷嘴41噴出之洗淨液飛散在旋轉基 底11之周圍配備有飛散防止杯（cup)61。亦即，若杯升降二 I32536.doc -19· 1376737 動機構62依據來自控制單元2之控制信號使杯61上升，則 如圖7所示杯61係將由旋轉基底u及支撐銷12所保持之基 板W從側方位置包圍，成為可補集從旋轉基底u及基板w 飛散之洗淨液。另一方面，在未圖示之搬運單元將未處理 之基板w承載於旋轉基底丨丨上之支撐銷12，或從支撐銷12 接受處理結束之基板W，使以下說明超音波施加單元7之 頭71移動於振動施加位置與退避位置之間之際，係杯升降 驅動機構62依據來自控制單元2之控制信號將杯61驅動於 下方。 圖8係為表示超音波施加頭之構成之剖面圖。此超音波 施加單元7係具有超音波施加頭71、保持超音波施加頭7 j 之臂構件72、及使超音波施加頭71移動之頭驅動機構73。 在超音波施加頭7 1中’係在由例如聚四氟乙烯（註冊商 標）（poly tetra fluoro ethylene)等之氟樹脂所組成之本體部 711之底面侧開口女裝有振動板712。此振動板712係在平 面視具有圓盤形狀，且其底面成為振動面VF。此外，在振 動板712之上面係黏貼有振動件713«再者，若根據來自控 制單元2之控制信號從超音波振盪器714將脈衝（pulse)信號 輸出至振動件713，則振動件713即超音波振動。 超音波施加頭7 1係在臂構件72之一方端被保持。此外， 在此臂構件72之另一方端係連結有頭驅動機構73。此頭驅 動機構73係具有旋轉馬達731。再者，旋轉馬連731之旋轉 軸732係連結於臂構件72之另一方端，若旋轉馬達731依據 來自控制單元2之控制信號作動，則如圖i(b)所示臂構件72 132536.doc •20· 1376737 即繞著旋轉中心Pb周圍搖動而使超音波施加頭71在振動施 加位置P1與退避位置P0之間往復移動。在此，關於振動施 加位置P1之設定雖為任意，惟在此實施形態中係為了抑制 由於超音波振動所導致之損傷而設定於基板W之表面周緣 部°再者，在進行洗淨處理之期間，超音波施加頭7 i係固 定配置於振動施加位置P1。 搭載有旋轉馬達731之升降基底734係可滑動地嵌設於所 立設之導件（guide)735，並且螺合於並設於導件735之滾珠 螺絲（ball screw)736。此滾珠螺絲736係連動連結於升降馬 達737之旋轉軸。此外，此升降馬達737係依據來自控制單 元2之控制信號而作動使滾珠螺絲736旋轉以使噴嘴4丨升降 於上下方向。如此，頭驅動機構73係為使超音波施加頭71 升降及往復移動而定位於振動施加位置ρι之機構。 此外’在超音波施加頭71藉由頭驅動機構73定位於振動 施加位置P1時，振動面VF與基板表面Wf之間隔，換言之 基板對向間隔D係藉由升降馬達73 7之驅動控制而高精度進 行。亦即，基板對向間隔D係如圖8所示成為洗淨液之液膜 LF之膜厚以下，而被振動面VF與基板表面Wf所包夾之空 間（間隙空間K)係成為由洗淨液所充滿之間隔。再者，若 控制單元2在此接液狀態下使超音波施加頭71作動，則超 音波振動即被施加至液膜LF及基板w。 另外’控制裝置整體之控制單元2主要係具有CPU(Central Pro⑽ing Unit ’ 中央處理單元）21、RAM(Rand〇m Access
Memory’隨機存取記憶體）22、R〇M(Read Only Memory， 132536.doc •21. 1376737 唯讀記憶體）23、驅動控制部24 »此等之中ROM 23係為所 • 謂非揮發性之記憶部，儲存有用以控制裝置各部之程式。 • 再者’裝置係藉由CPU 21依據儲存於ROM 23之程式而控 制裝置各部來執行以下說明之基板洗淨動作。 接著說明如上述之方式構成之基板洗淨裝置之動作。在 此基板洗淨裝置中’係藉由省略圖示之搬運單元將未處理 之基板W搬運至支撐銷12上而保持於支撐銷12。再者，在 φ 搬運單元從基板洗淨裝置退避之後，控制單元2之CPU 21 係控制裝置各部而執行洗淨處理。另外，在此時點，超音 波施加頭7 I係定位於退避位置p〇。 首先，開始基板W之旋轉。接下來，洗淨液從喷嘴4丨以 液柱狀喷出而供給至基板表面Wf。藉此，在基板表面Wf 上形成洗淨液之液膜LF(液膜形成動作）。此時，藉由調整 基板W之旋轉速度而使液膜LF之膜厚高精度調整。例如若 將基板W之旋轉速度設定於1〇〇 rpm，並且從噴嘴41以 • 3〇〇(mL/min)之流量將DIW作為洗淨液供給至基板表面 Wf ’則在基板表面Wf可形成2〜3 mm之洗淨液之液膜LF。 另外，在此第1實施形態中，係僅藉由液膜區域LF丨形成液 膜LF在基板表面Wf上，且藉由該液膜LF將基板表面Wf& 上方予以覆蓋。 • 液膜形成後，超音波施加頭71從退避位置p〇移動至振動 施加位置P1而定位。藉此振動面VF即與液膜^接液。接 續於此，脈衝信號從超音波振盪器714輸出至振動件713而 使振動件713超音波振動。藉此在振動施加位置（基板w之 132536.doc •22· 1376737 表面周緣部）P1對液膜LF施加超音波振動。另外，在此實 • 施形態中，於施加接下來說明之波動振動之期間，係固定 . 配置於振動施加位置P1，此際，超音波振動之振盪輸出係 設定於5W，此外振盪頻率係設定於3 MHz。 此外，在此實施形態中，係除上述超音波振動之外，尚 從噴嘴41將洗淨液以液滴狀態滴下而對液膜lf施加波動振 • 動。亦即控制單元2係控制流量調整部42而調整來自噴嘴 ^ 41之洗淨液流量，並且控制噴嘴升降驅動機構52而調整噴 嘴41之高度位置’藉由2個控制因子（洗淨液流量及喷嘴高 度H)之調整對於液膜LF將洗淨液之液滴供給至基板w之旋 轉中心（液滴滴下動作）。 以此方式對於基板表面Wf上之液膜LFs振動施加位置 P1施予超音波振動，並且在與該振動施加位置？1不同之液 滴滴下位置P2將洗淨液之液滴供給至液膜LF而將與超音波 振動不同之波動振動施予至液膜LF。藉此，附著在基板表 • 面臀5之微粒子，相較於單純施加超音波振動之情形將顯著 提升。此作用效果係如上述實驗結果所示，藉由利用此作 • 肖效果’即使將超音波振動之輸出及頻率等設定為不致對 基板W造成損傷之程度，亦可藉由波動振動將微粒子有效 ’ 地去除而將基板表面Wf良好地洗淨。 •㈣由上述之方式完成對於基板表面Wf之洗淨處理， 則停止對於喷嘴41供給洗淨液，並且停止超音波振動。此 外，使基板W之旋轉速度增大而使離心力作用於殘餘在基 板w上之洗淨液而將洗淨液從基板〜去除使之乾輸隸 132536.doc -23- 1376737 燥）。再者，若完成一連串之處理，即藉由搬運單元將處 理結束之基板w從基板洗淨裝置搬出。 如以上所述’依據附加了波動振動之本實施形態，不僅 對於矽晶圓等之基板W上之液膜LF附加超音波振動，而且 附加了波動振動’因此可使微粒子去除率提升。因此，僅 以上述之振盪輸出或頻率附加超音波振動係可抑制損傷， 准無法良好地去除微粒子，然而藉由波動振動之附加則可 • 提升微粒子去除率。換言之，可兼具基板損傷之抑制與微 粒子去除之提升。 此外，在上述實施形態中，係將振動施加位置ρι設於基 板W之表面周緣部。此表面周緣部通常係為不形成圖案等 之部位，因此傳播於液膜LF而傳遞於基板W之超音波振動 之大部份係集中於非圖案部份。其結果，藉由超音波振動 即可有效地防止圖案之損傷。 再者，在附加波動振動之際雖在去除良好區域產生偏 春量，惟在本實施形態中係將液滴滴下位置p2設定於基板w 之旋轉中心，並且一面使基板w旋轉丨圈以上一面進行洗 .丨處理’因此可將基板表SWf整體均一且良好地去除微粒 子。 . 另外，在上述第1實施形態中，雖係將液滴滴下位置P2 . 設定於基板W之旋轉中心，惟液滴滴下位置P2並不限定於 此’可設定於與振動施加位置ρι^之位置將波動振動施 加至液膜LF而-面抑制對於基板w之損傷_面將基板表面 Wf上之微粒子有效率地去除。&外，若使液滴滴下位置 I32536.doc •24· 1376737 P2相對於振動施加位置P1位於基板w之旋轉中心側，則可 從基板表面Wf整體均一地將微粒子去除。 <第2實施形態> 然而，在上述第1實施形態之基板洗淨裝置中，係將超 音波施加頭71定位於形成在基板表面Wf上之液膜區域（以 下稱「基板側液臈區域」）LF 1之振動施加位置P 1而施加超 音波振動，惟如以下所說明，在基板W之周緣外方形成液 膜區域，且將超音波振動施加至該外方液膜區域亦可。以 下’參照圖5、圖10及圖11詳述本發明之第2實施形態。 圖10係為表示本發明之基板洗淨裝置之第2實施形態。 此外，圖11係為表示圖10所示之基板洗淨裝置之電性構成 之區塊圖。此第2實施形態與第1實施形態最大不同之點係 為設有用以形成外方液膜區域之導入部8之點、第1洗淨液 及第2洗淨液從彼此不同之喷嘴41a、41b喷出之點、振動 施加位置P1及液滴滴下位置P2位於外方液膜區域内之點， 而其他構成及動作基本上與第1實施形態同一。因此，在 以下，係以相異點為中心說明，至於與第1實施形態同一 構成則附上同一或相當符號而省略說明。 在第2實施形態中，供給單元4係具有2種類之喷嘴41a、 41b。此喷嘴41a係與第1實施形態同樣配置在旋轉軸oPa 上且為方疋轉基底11之上方位置。在此喷嘴41a中係介隔第1 流量調整部42a而連接有第1洗淨液供給部43a，成為可將 第1洗淨液供給至基板表面Wf之旋轉中心位置。再者，第1 洗淨液供給部43a及第1流量調整部42a藉由依據來自控制 132536.doc -25· 丄376737 • 早兀2之指令而作動，從第1喷嘴41a將第1洗淨液供給至基 板表面Wf中央部。此時，藉由調整基板W之旋轉速度而使 液膜LF之膜厚高精度調整。另外，在此第2實施形態中， 係如以下所說明，成為可將導入部8之板件81在基板w之 周緣部附近配置成與基板表面Wf大致平行，使第丨洗淨液 從基板表面wf流入於導入部8之板件81之表面而成為可形 成外方液膜區域LF2在板件8 1上。 • 如圖5及圖10所示’此導入部8係具有：板件81，其在基 板W之周緣部附近配置成與基板w之主面大致平行；及側 板82，其將該板件81固定於超音波施加頭71。亦即，在此 實施形態中，係板件81之一方側（圖5之左手側）藉由側板以 而連接於超音波施加頭71，在所謂懸臂狀態下安裝。因 此，板件81之另一方側（同圖之右手側）係成為遊端側，延 伸於基板側。再者，若頭驅動機構73依據來自控制單元2 之動作指令作動而使超音波施加頭71移動於特定之振動施 加位置P1，則板件8 1即移動於基板W之周緣部附近而定 位。此板件81係由具有較作為洗淨對象之基板w之表面Wf • 咼之親水性之材料（例如石英）所形成。再者，若板件8丄藉 由頭驅動機構73配置於基板w之周緣部附近，則如圖5所 . 示，從上方觀看為基板表面Wf之周緣部與板件81之遊端部 . 部份性重疊，而使從喷嘴41a供給至基板表面^；^^之第丨洗淨 液藉由表面張力之差而從基板W側導入至板件81側。其結 果’在板件81上係形成有與基板側液膜區域lf丨連續之外 方液膜區域LF2，且藉由由此等基板側液膜區域LF1及外 132536.doc -26- 1376737 方液膜區域LF2所組成之液膜LF將基板表面wf從上方予以 覆蓋。 另外’在本實施形態中，於板件8丨配置在洗淨處理位置 (基板W之周緣部附近）時’板件81係與基板w之周緣端部 接近配置於下面為可使基板側液膜區域LF1與外方液膜區 域LF2連續之程度。因此，在從另一方之喷嘴41b將液膜 LF供給至第2洗淨液而施加波動振動之情形下，係可防止 板件8 1與基板W接觸而使基板w受到損傷。 在此第2噴嘴41b中係介隔第2流量調整部42 b而連接有第 2洗淨液供給部43b，成為可將第2洗淨液供給至外方液膜 區域LF2 ^另外，在第2實施形態中，係在振動施加位置ρι 相對於液滴滴下位置P2為基板側液膜區域lf 1之相反側， 而且以基板W之旋轉中心、液滴滴下位置p2及振動施加位 置P1成為一直線（圖5(b)中之1點鏈線）上之方式設定有液滴 滴下位置P2。再者’在使第2洗淨液供給部43b作動之狀態 下依據來自控制單元2之控制信號而使第2流量調整部42b 作動而調整從第2洗淨液供給部43b對於噴嘴4 1 b之第2洗淨 液之供給。 此第2噴嘴41 b之上端係藉由水平樑51b而與第2喷嘴升降 驅動機構52b連結。再者’第2噴嘴升降驅動機構52b藉由 依據來自控制單元2之控制信號作動而使喷嘴41b與水平樑 51b一同一體升降移動。因此，若與來自基板表面Wf之噴 嘴41b之高度位置關聯之高度位置指令從控制單元2施予至 第2喷嘴升降驅動機構52b，則噴嘴41b即升降移動而定位 132536.doc •27· 1376737 於與該高度位置指令對應之高度位置。因此，藉由調整從 基板表面Wf到噴嘴41b之前端（喷出口）之高度Η，即可將從 噴嘴41b喷出之第2洗淨液對於外方液膜區域LF2之著液狀 態控制為液枉狀態或液滴狀態。 接著說明如上述之方式構成之第2實施形態之基板洗淨 裝置之動作。在此基板洗淨裝置中，係藉由省略圖示之搬 運單元將未處理之基板W搬運至支撐銷12上而保持於支撐 銷12。再者，在搬運單元從基板洗淨裝置退避之後，控制 單元2之CPU 21係控制裝置各部而執行洗淨處理。另外， 在此時點，超音波施加頭71係定位於退避位置p〇。 首先，開始基板W之旋轉。接下來，第1洗淨液從噴嘴 41a以液柱狀喷出而供給至基板表面Wfe藉此，在基板表 面Wf上形成洗淨液之液膜lf(液膜形成動作）。此時，與第 1實施形態同樣’藉由調整基板W之旋轉速度而使液膜[ρ 之膜厚高精度調整。 液膜形成後’停止基板w之旋轉。再者，飛散防止杯61 之高度位置係設定於下降位置，而板件81及超音波施加頭 71係從退避位置p〇朝向振動施加位置卩丨（圖5及圖10所示之 位置）搖動’且配置於基板W之外緣部附近。此時，板件8 1 係由與側板82對於超音波施加頭71之連接側相反侧之遊端 側（圖5之右手側）進入基板w之下面側。再者，板件81遊端 側之端部上面係與基板W之周緣部下面對向接近而配置。 藉此，板件81之上面之大部份即從基板W之周緣端部並列 配置於徑方向AR1，且成為未由基板W所覆蓋之狀態。 132536.doc • 28- 1376737 藉此，盛滿在基板W上之第1洗淨液之一部分即藉由表 面張力而從基板w上被導入至板件81上《其結果，在板件 81形成外方液膜區域LF2。如此，在此第2實施形態中，不 僅藉由供給至基板表面Wf之第1洗淨液在基板表面Wf上形 成液膜區域LF1 ’而且從基板w側被導入至板件81側而形 成與基板側液膜區域LF1連續之外方液膜區域LF2 ^如此 一來藉由由基板側液膜區域LF1及外方液膜區域LF2所組 成之液膜LF將基板表面冒£予以覆蓋，並且使振動板712之 振動面VF與外方液膜區域LF2接液》 此外’喷嘴41b與板件81及超音波施加頭71之搖動動作 並列地藉由喷嘴升降驅動機構52b之驅動從退避位置朝向 液滴滴下位置（第2位置）P2搖動。惟喷嘴41b之搖動動作並 不限定於此時序，亦可在導入用板件81及超音波施加頭71 之搖動動作完成之後，再開始喷嘴41b之搖動動作。此 外，在喷嘴41b之搖動動作完成之後，再開始板件81及超 曰波施加頭71之搖動動作亦可。關於喷嘴41b之搖動時 序，在之後說明之第3實施形態中亦同樣。 在此，如圖5及圖1〇所示，在板件81及超音波施加頭71 配置於基板w之周緣部附近之情形下，超音波施加頭71之 振動板712從喷嘴41b觀看係配置於基板貿之徑方向ari之 遠方側。 接著，控制單元2係以超音波振動施加至外方液膜區域 LF2之振動施加位置？1之方式一面使超音波施加部7〇動 作，一面以與超音波振動不同之振動（波動振動）施加至外 132536.doc •29· 1376737
方液膜區域LF2之液滴滴下位置P2之方式從第2洗淨液供給 部43b使第2洗淨液供給至外方液膜區域LF2。更具體而 言，係將流量調整閥42b開放，將第2洗淨液供給至外方液 膜區域LF2之液滴滴下位置P2。此外，與第2洗淨液之供給 並行，從超音波振盪器714朝向振動件713輸出脈衝信號， 將超音波振動施加至外方液膜區域LF2之振動施加位置 P1。此振動施加位置P1從由第2洗淨液供給部43b所供給之 第2洗淨液之液滴滴下位置P2觀看係為基板w遠方側。而 且，基板W之旋轉中心、液滴滴下位置p2&振動施加位置 P 1係配置於一直線（圖5(b)中之1點鏈線）上。 如此，在第2實施形態中，係可對外方液膜區域lF2滴下 液滴狀之第2洗淨液而良好地施加波動振動。此外，在洗 淨處理中，係對於外方液膜區域LF2進行超音波振動施加 及第2洗淨液之供給，因此可一面減低起因於該等對於基
板W之損傷，一面使附著在基板胃之微粒子之去除率顯著 提升。 此外，僅是超音波振動之施加雖不會對基板w造成損 傷，惟另一方面，即使在無法將基板w上之微粒子良好地 去除之超音波振動之輸出範圍内及振錢率之範圍内，亦 可藉由併用超音波振動與波動振動，而從基板w將微粒子 良好地去除。因此，相較於僅將超音波振動施加至外方液 膜區域LF2進行洗淨之情形，可-面使附著在基板W之微 粒子之去除率提升，—面減低對於形成在基板W上之布線 圖案之損傷。 132536.doc -30· 1376737 再者，如圖5及圖10所示，第2洗淨液供給部43b係設為 可在基板W外之位置，而且從1個喷嘴4 lb朝向外方液联區 域LF2供給第2洗淨液。藉此，即可使從噴嘴41b所喷出之 第2洗淨液與外方液膜區域LF2撞擊之範圍為最小限度。因 此，可使基扳損傷之影響減低。 另外’在本實施形態中’分別將藉由超音波施加頭71之 超音波振動之振盪輸出設定於1W以上10W以下（較佳為3W 以上6W以下）、振盪頻率設定於1 MHz以上6 MHz以下（較 佳為2 MHz以上3 MHz以下）。藉此，即可防止基板w及形 成在基板W上之布線圖案等受到起因於超音波振動之損 傷。 若以上述之方式完成微粒子之去除，則流量調整閥42b 即閉鎖而停止第2洗淨液之液滴滴下，並且停止藉由超音 波施加頭71之超音波之施加。再者，使超音波施加頭”退 避，而使基板w高速旋轉。藉此，使附著在基板貿之第 • 第2洗淨液藉由旋轉之離心力甩開，而使基板乾燥（旋轉乾 燥），完成洗淨處理。再者，若一連串之處理完成，則藉 由搬運單元將處理結束之基板W從基板洗淨裝置搬出。 如以上所述，依據第2實施形態，不僅對於矽晶圓等之 ·. 基板W上之液膜LF附加超音波振動，而且附加了波動振 • 動，因此與第1實施形態同樣，可使微粒子去除率提升。 此外，在第2實施形態中，係將振動施加位置？1設定於外 方液膜區域LF2,因此可有效地防止從超音波施加頭川斤 輸出之超音波振動介隔外方液膜區域LF2而傳播於基板側 132536.doc 1376737 液膜區域LFl，故對於基板表面\^^會造成起因於超音波振 • 自之損傷。此外，在第2實施形態中，係於外方液：區域 . LF2中在從振動施加位置P1朝向基板側液膜區域[Η及基 板表面Wf而傳播超音波振動之位置P2附加了波動振動， 因此針對基板表面Wf整體可以優異之去除率將微粒子去 除。換言之，可一面抑制對於基板臀之損傷—面將基板表 面Wf上之微粒子更有效率地去除。 ^ <第3實施形態> 在上述第2實施形態之基板洗淨裝置中，雖係將超音波 振動及波動振動均施予至外方液膜區域LF2，惟例如圖6所 不以將波動振動施予至基板側液膜區域LF i之方式構成亦 可。以下參照圖6說明本發明之第3實施形態。另外，裝置 之基本構成係與第2實施形態之該構成同一，因此省略構 成說明。 在此第3實施形態中，係與第2實施形態同樣，將來自·喷 • 嘴41a之第1洗淨液供給至基板表面Wf而形成由基板側液膜 區域LF1及外方液膜區域LF2所組成之液膜LF。再者，喷 嘴4 lb與板件8 1及超音波施加頭71之搖動動作並列地藉由 喷嘴升降驅動機構52b之驅動從退避位置朝向基板側液膜 . 區域LF1之液滴滴下位置（第2位置）P2搖動。以此方式定位 . 之喷嘴411?係相對於超音波施加頭71之振動板712位於基板 側（圖6之右手側）。 接著’控制單元2係以將超音波振動施加至外方液膜區 域LF2之振動施加位置ρι之方式一面使超音波施加部7〇動 132536.doc -32· 1376737 作’ 一面以將與超音波振動不同之振動（波動振動）施加至 基板側液膜區域LF1之液滴滴下位置P2之方式從第2洗淨液 供給部43b將第2洗淨液供給至基板側液膜區域LF1。此 外’與第2洗淨液之供給並行，從超音波振盪器714朝向振 動件713輸出脈衝信號，且將超音波振動施加至外方液膜 區域LF2之振動施加位置？1。此等振動施加位置ρι及液滴 滴下位置P2之相對關係與第2實施形態同樣，係成為振動 施加位置P1從由第2洗淨液供給部43b所供給之第2洗淨液 之液滴滴下位置P2觀看為位於基板W遠方側。而且，基板 w之旋轉中心、液滴滴下位置P2及振動施加位置ρι係依此 順序配置於一直線（圖6(b)中之1點鏈線）上。 如以上所述，在第3實施形態中，亦與第2實施形態同 樣’將超音波振動施加至外方液膜區域LF2，因此可減低 在洗淨處理中，起因於超音波振動施加對於基板w之損 傷。此外，藉由對於基板側液膜區域LF1滴下液滴狀之第2 洗淨液’而在基板側液膜區域LF1中施加超音波振動與波 動振動，其結果，如上述實驗結果所示，可使附著在基板 W之微粒子之去除率顯著提升。 此外’在第3貫施形態中’如圖6所示，係將第2洗淨液 供給至基板側液膜區域LF1之中與基板表面Wf之周緣部對 應之位置而施予波動振動。換言之，將液滴滴下位置？2設 於基板W之表面周緣部。此表面周緣部通常係為不形成圖 案等之部位，因此將第2洗淨液供給至液膜LF之際所產生 之波動振動之大部份係集中於非圖案部位。其結果，藉由 132536.doc •33- 1376737 波動振動即可有效地防止圖案之損傷。此外，由同圖可明 瞭’由於液滴滴下位置P2係設定於基板側液膜區域LF1之 中最接近振動施加位置P1之位置，因此去除良好區域係擴 展至除非圖案部位以外之基板表面Wf全面，而可從基板表 面Wf整體均一地將微粒子去除。 <其他> 另外’本發明並不限定於上述之實施形態，只要不脫離 其旨趣除上述者以外均可作各種變更。例如在上述第2實 施形態及第3實施形態中，雖係以基板w之旋轉中心、液 滴滴下位置P2及振動施加位置P1成為一直線（圖5(b)及圖 6(b)中之1點鏈線）上之方式，設定振動施加位置p丨及液滴 滴下位置P2 ’惟振動施加位置]^及液滴滴下位置”之相對 關係並不限定於此。亦即，亦可將在超音波振動朝向基板 表面Wf傳播於液膜LF中之路徑上，且與施加超音波振動 之振動施加位置（第1位置）P1不同之位置設為液滴滴下位 置（第2位置）P2。例如圖12或圖13所示將液滴滴下位置p2 配置在從將基板W之旋轉中心與振動施加位置p丨連結之直 線離開之位置亦可。 此外’在第2實施形態及第3實施形態中，雖已說明了來 自喷嘴41a之第1洗淨液係作為基板表面wf上之液膜形成用 而供給至基板表面Wf上，而來自喷嘴41b之第2洗淨液係為 了波動振動施加而供給至導入用板件81上者，惟第丨及第2 洗淨液之供給方法並不限定於此。例如，在第1及第2洗淨 液為同種通之處理液之情形下，洗淨液亦可從1個嗔嘴供 132536.doc -34- 1376737 給。在此情形下’於形成基板側液膜區域LF1時，喷嘴係 被移動至基板W之旋轉中心上方，而施加波動振動時，喷 嘴係移動至液滴滴下位置P2之上方。 此外’在第2實施形態及第3實施形態中，雖已說明了導 入用板件81係藉由頭驅動機構73驅動，而可喷出第2洗淨 液之喷嘴41b係藉由喷嘴升降驅動機構52b而可搖動及升降 者’惟導入用板件81及喷嘴41b之搖動及升降方法並不限 定於此。例如，噴嘴41b與導入用板件81同樣安裝於超音 波施加頭71亦可。此情形下，係可使搖動及升降機構共通 化°因此’可使零件數量減少，並且可使基板洗淨裝置之 足跡（foot print)減低。 此外，在第2實施形態及第3實施形態中，雖將超音波施 加頭71與導入用板件81 一體可移動地構成，惟將各個獨立 而以可移動地構成亦可。此情形下，即可使導入用板件8 i 之高度位置、及超音波施加頭71之振動板712之高度位置 獨立進行定位，而可提高各部之位置精度，此外可對應各 種製程參數（recipe)而可提高通用性。 此外，在第2實施形態及第3實施形態中，雖說明了基板 W係藉由支撐銷12而保持於旋轉基底11者，惟不限定於 此’例如藉由較基板W小之吸附夾盤來吸附且保持基板w 亦可。此情形下，藉由在洗淨基板W之期間配置導入用板 件81之狀態下使吸附夾盤旋轉，使基板w旋轉亦可。具體 而言，若洗淨處理時間為60秒，則此期間只要至少1圈（丨rpm) 即可。藉此，即可使基板W之全面之洗淨效果之均一性良 132536.doc •35· 1376737 好。此外，如第2實施形態及第3實施形態所示，在藉由支 樓銷12保持基板w之形態中’導入用板件81亦隨著旋轉基 底11之洗淨處理中之旋轉而在與支撐銷丨2抵接之位置退 避’且以支撐銷12若通過則進入之方式一面控制一面使基 板W旋轉亦可。 此外’在第2實施形態及第3實施形態中，雖係設為配置 1個超音波施加頭71之構成，惟如圖14所示在基板w之外 緣部附近配置複數個超音波施加頭7丨亦可。在此實施形態 中，係在對於藉由3個支撐銷12所保持之基板w進行洗淨 處理之裝置中，以3個導入用板件81及超音波施加頭71從 基板w之周方向觀看成為鄰接之支撐銷12之間之方式配 置。此外，各超音波施加頭71係以沿著基板w之周方向成 為大致等間隔（角度以間隔：約12〇。間隔）之方式配置。藉 此’即可使基板W之全面之洗淨效果之均一性良好。 再者，在上述第1乃至第3實施形態中，雖說明了第^先 淨液及第2洗淨液均係為DIW(同種類之處理液）者’惟不限 定於此。例如，第1及第2洗淨液亦可為使用於SC1溶液（氨 (ammonia)水與過氧化氫水之混合水溶液）等之晶圓洗淨之 藥液。此外，第丨及第2洗淨液亦可為不同之處理液。 [產業上之可利用性] 本發明係適用於對於包括半導體晶圓、光罩用玻璃基 板、液晶顯示用玻璃基板、電漿顯示用玻璃基板、 FED(Field Emission Display)用基板、光碟用基板、磁碟 用基板、光磁碟用基板等之基板全面利用超音波振動而施 I32536.doc -36· 以洗广處理之基板洗淨裝置及基板洗淨方法。 【圖式簡單說明】 =(a)、(b)'⑷係為表示關於藉由振動附加去 之實驗内容之圖。 圖2係為表示實驗所設定之供給條件之圖。 係為表示洗淨處理，從喷嘴供給至液膜之洗 淨液之供給狀態之圖。 圖4係為表示洗淨處理後之微粒子去除狀態之圖。 圖5⑷，係為表示第2實施形態之振動施加位置與液 滴滴下位置之關係之圖。 圖6⑷、(b)係為表示第3實施形態之振動施加位置與液 滴滴下位置之關係之圖。 圖7係為表示本發明之基板洗淨震置之^實施形態之 圖。 圖8係為表示在圖7之基板洗淨裝置所使用之超音波施加 頭之構成之剖面圖。 圖9係為表示圖7所示之基板洗淨裝置之電性構成之區塊 圖0 圖10係為表示本發明之基板洗淨裝置之第2實施形態之 圖。 圖11係為表示圖i 〇所示之基板洗淨裝置之電性構成之區 塊圖。 圖12係為表示第4實施形態之振動施加位置與液滴滴下 位置之關係之圖。 132536.doc •37- 1376737 圖1 3係為表示第5實施形態之振動施加位置與液滴滴下 位置之關係之圖。 圖14係為表示本發明之基板洗淨裝置之第6實施形態之 圖0
【主要元件符號說明】 2 控制單元（控制機構） 4 供給單元（供給機構） 7 超音波施加單元 31 旋轉軸（基板旋轉機構） 32 帶（基板旋轉機構） 33 馬達（基板旋轉機構） 41、41a、41b 噴嘴 71 超音波施加頭 81 導入用板件 LF (洗淨液之）液臈 LF1 基板側液臈區域 LF2 外方液膜區域 PI 振動施加位置（第1位置） P2 液滴滴下位置（第2位置） W 基板 Wf 基板表面 132536.doc •38-