TWI364661B - Access methods for a flash memory and memory devices - Google Patents
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Description
丄304001 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於快閃記憶體,特別係關於一種平均地抹 寫快閃記憶體之方法與裝置。 【先前技#ί】 快閃記憶體係為-種可以被電抹除並且重新寫入的非 失Id憶體,並且主要係制在記憶卡與USB快閃隨身 碟結藉以作為一般的儲存與電腦裝置和數位產品間的資料 2運記憶體的成本遠小於eeprqm =的記嶋置。舉例而言,快閃記憶體係應= 人=助理(PDA)、可攜式電腦、數位音頻播放器、數位 相機與行動電話中。 塊且體係包括眾多的記憶區塊,並且每一記憶區 早Μ行採除’而以儲存頁面為單位進行寫 、口之’ i*快閃記憶體之資料被抹除時 體 區塊:的所有儲存頁面都必須要被—起抹除1 快閃貝科至快閃記憶體+時,該資料可以被寫入 ==一記憶區塊中一特定儲存頁面,。此外,資 =可以被寫人至未儲存資料的儲存頁面或已抹除的^ 然而,快閃記憶體中每個記憶區 -定次數。當-記憶區塊之抹除次數 SMI-08-009/9031-A41718-TW/Final 5 記憶區塊將無法被正 資料時將可能發生,誤f入,並且由該記憶區塊讀取出 命而言,平均地使用曰=,對快閃記憶體之使用壽 抹寫方法並益法有效地塊是十分重要的’但傳統平均 可以古:去有效地達成此目的。因此,需要一種方4 以有效且平均地制快閃記㈣中之記憶區塊。 【發明内容】 本每明係提供一種快聞$ 體劃分為一資料區以及'體之存取方法’快閃記憶 區塊,備用區包含複數備’上料區包含複數個資料 據來自-主機之-塊,存取方法包括下步驟根 幾之5貝取扣令,由快閃記憶體中一第一資解 用V省:取出—對應資料’對應資料中含有-檢查碼;利 -既定檢查;當既定檢查之結果 、有錯誤务生呀,判斷錯誤是否可被校正;當錯 破校正時’將第―㈣區塊之清除次數增加—既定值^、 本發明亦提供-種快閃記憶體之存取方法,其中 分為—資料區以及一備用區’資料區包含複數個 貝料區塊’制區包含複數備㈣塊,該存取方法 ,步,據來自-主機之—讀取指令,由快閃記憶體中一 弟-貧料區塊中讀取出-對應資料,對應資料中含有一檢 查碼’ ·利用檢查碼對該對應資料進行—既定檢查;當既^ 檢查之結果顯示有—錯誤發生時,判斷錯誤是否可被校 正;當錯誤可被校正時’將第一資料區塊之清除次數增加 -既定值;接收到來自該主機之一寫入指令時,接收對應 於一邏輯位址之一資料,其中邏輯位址係鏈結至資料區 之一第二貧料區塊;於備用區中之選擇一第一備用區塊; SMI-08-009/9031-Α41718-TW/Final 1364661 =及於第一備用區塊之清除次超過一預設值時,並且資料 具二清除次數為。之一第三資料區塊時,則將儲存於 弟二貝料區塊之一資料寫入至第一備用區塊中, 映射第三資料區塊與第一備用區塊。 重新 本發明亦提供一種記憶體裝置,包括一快閃記憶體, ,括了資料區以及—備用區,其中資料區包括複數資料塊 區,並且備用區包括複數備用區塊;以及一控制器,根據 主機之—讀取指令,由快閃記憶體中—對應資料區 斟庙項取出含有一檢查碼之一對應資料,並利用檢查碼對 對應貝枓進行-既定檢查,當該既定檢查之結果顯示有一 ’曰誤發生時’控制$則判斷錯誤是否可被校正,並於錯誤 可被校正時,將對應資料區塊之清除次數增加一既定值。 ^讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更 重,下文特舉一較佳實施例,並配合所附圖示,作 詳細說明如下: 【實施方式】 第1圖係為本發明之—記憶體裝置之—示意圖。如圖 不’記憶體裳置40包括一記憶體控制$ 41以及一非 快閃記憶體42。記憶體控制器41係包括一介面邏 一一揮發性之緩衝記憶體412、一控制邏輯414以及 傳二;器416。介面邏輯410係、用以與-主機(未圖示) =^科,而緩衝記憶體412則用以暫存正在寫入或正讀 42 ^ 、&制邏輯414和微處理器416係相互連接,並且受控 SMI-08-009/9Q31 ^A41718-TW/Final 7 1364661 於微控制器416。舉例而言,緩衝記憶體412係可為一隨 機存取記憶體(RAM),但不限定於此。快閃記憶體42係割 分成資料區422與備用區424。舉例而言,資料區422包 含「κ」個存有資料的資料區塊Β〇〜Βκ ι,而備用區似包 S ^ (N-K)j d Bk-Bk.! 5 Bk-Bn.j 可以直接被寫人’而存有資料的㈣區塊b。〜Bki只有於 清除之後方能再覆寫。 ^ ' 第2圖係為本發明之資料區塊與備用區塊之映射表。 如圖所示’㈣區塊映射表50係用以顯示邏輯位址 0〜LAw與貧料區塊B()〜Bk i之對應關係。此外 之清除次數,而備: 塊映射表52用以記錄備用區塊與1清除十數 於初始情況下,邏輯位址LA〇係鍵結至區塊^之實位 位址LA1係鏈結至區塊B1之實體位址、邏輯位址 2係=至區塊B2之實體位址,依此_。備 Βκ〜知之貫體位址則不鍵結至邏輯位址。 f 區塊之清除次數為〇。 對應於各 第3圖係為本發明之快閃記憶體存取 其動作說明如下。首先,於步驟證中,接收 機(未圖示)之-指令。接著於步侧中,二;:主 存地令。若所接收到之指令為讀取 寫^ S306;相反地,若所接收到之指 :則進订步驟 步驟S316。於步驟S3〇6中,斛蛀θ 7 k,則進行 由於所接收到之指令為讀取
SMI-08-009/9031-A41718-TW/FinaI 1364661 指令,所以記憶體控制器41會根據該指令由快閃記憶體 42中一對應資料區塊中讀取出所要的資料。舉例而言,讀 取出的資料會含有一檢查碼,例如錯誤校正碼(Error Correction Code ; ECC)。,接著,於步驟S308中,記憶體控 制器41會利用該檢查碼對所讀取出的資料進行一既定檢 查,例如錯誤校正碼(Error Correction Code ; ECC)檢查, 並根據既定檢查之結果得知是否有錯誤發生。若沒有錯誤 發生,則進行步驟S309,記憶體控制器41會直接將所讀 取出之資料回傳給主機。相反地,若既定檢查之結果顯示 有一錯誤發生時,則執行步驟S310。 於步驟S310中,記憶體控制器41接著判斷該錯誤是 否為可被校正。若該錯誤無法被校正時,則進行步驟 S312。相反地,若該錯誤可以被校正時,則進行步驟S314。 於步驟S312中,因為該錯誤無法被校正,故記憶體控制器 41則會將該對應資料區塊標記為一故障的區塊。於步驟 S314中,因為該錯誤可以被校正,為了要減少該對應資料 區塊被使用的機會,因此記憶體控制器41會將該對應資料 區塊之清除次數增加一既定值。一般而言,該既定值係大 於2。舉例而言,該既定值可為10、20、50、100、150或 240,但不限定於此。除此之外,記憶體控制器41亦會將 校正後之資料回傳給主機。於步驟S316中,由於所接收到 之指令為寫入指令,記憶體控制器41則執行一寫入程序, 以便將來自主機之新資料寫入快閃記憶體42中,而該寫入 程序將於後面詳加說明。 SMI-08-009/9031-A41718-TW/Final 9 1364661 •. 第4圖係表示第3圖中寫入程序之步驟流程圖。於+ 驟S402中,於接收到寫入指令之後,記憶體控制器41 ^ 主機接收對應於二第一邏輯位址所鏈結之一第 > 資料區塊 的資料?並暫時儲存該資料於緩衝記.憶體412中。接著·,. 於步驟S404中記憶體控制器41會判斷是否需要清除一 已使用區塊。若需要清除已使用區塊,則進行步驟S4〇6。 反之,則進行步驟S408。一般而言,資料區422中係配置 φ 有複數檔案配置表(file allocation table ; FAT)區塊、母區塊 (mother block)以及子區塊⑽仙block) ’當檔案配置表(j?AT) 區塊、母區塊或子區塊的配對數已經滿了,則表示需要清 除已使用區塊。步驟S406 ’將已使用區塊清除,並將其清 除次數加1 ’並且回收至備用區424之序列尾端。換言之, 記憶體控制器41係於步驟S408前,對資料區422中之該 等資料區塊進行資料整合。 於步驟S408中,記憶體控制器41會於備用區424中 φ 選擇一用以寫入(或儲存)資料之備用區塊。舉例而言,記 憶體控制器41係於備用區424選擇位於序列頂端的備用區 塊。隨後,於步驟S410中,記憶體控制器41則判斷所選 擇之備用區塊之清除次數是否到達一預設值。舉例而言, 預設值係可為400,但不限定於此。若所選擇之備用區塊 的清除次數少於該預設值,則進行步驟S412。反之,若所 選擇之備用區塊的清除次數到達該預設值,則進行步驟 S414。 於步驟S412中,記憶體控制器41則會將來自主機對 SMI-08-009/9031-A41718-TW/Final 10 1364661 應於第一資料區塊之資料寫入所選擇之備用區塊中。接 著,清除第一資料區塊並將該第一資料區塊回收至備用區 424之序列尾端。此外,記憶體控制器41會重新映射所選 擇之備用區塊的實體位址.,再重回到步驟S4Q2。舉例而 言,記憶體控制器41係將所選擇之備用區塊的實體位址鏈 結至第一邏輯位址。 當所選擇之備用區塊的清除次數達到預設值(例如400) 時,於步驟S414中記憶體控制器41則會在資料區422中 搜尋是否有清除次數為〇的資料區塊。若記憶體控制器41 搜尋到一清除次數為〇之一第二資料區塊,則進行步驟 S416。反之,當資料區422中不存在清除次數為0的資料 區塊時,則進行步驟S418。於步驟S416中,記憶體控制 器41會執行一平均抹寫程序。舉例而言,記憶體控制器 41會將儲存於第二資料區塊中之資料寫入所選擇之備用 區塊中。然後,記憶體控制器41會清除第二資料區塊,並 將該第二資料區塊回收至備用區424之序列尾端。於步驟 S416執行後,再回到步驟S408,以進一步處理對應於一第 一邏輯位址所鏈結之一第一資料區塊的資料。若下一個備 用區塊之清除次數少於400時,則進行步驟S412,用以將 對應於一第一邏輯位址所鏈結之一第一資料區塊的資料寫 入選擇到之備用區塊中。 步驟S418中,記憶體控制器41會將清除次數到達預 設值(例如400)之備用區塊的實體位址暫存於緩衝記憶體 中,並將所有區塊之清除次數減1後,回到步驟S408,以 SMI-08-009/9031-A41718-TW/Final 11 1364661 進一步處理對應於對應於一第一邏輯位址所鏈結之一第一 資料區塊的資料。假設下一個選擇之備用區塊(第二備用區 塊)的清除次數少於400時,則進行步驟S412,將對應於 第一邏輯位址所鏈結之第一資料區塊的資料寫入至第二備 用區塊。在對應於第一邏輯位址所鏈結之第一資料區塊的 資料被寫入第二備用區塊後,記憶體控制器41會再度搜尋 資料區422中搜尋是否有清除次數為0的資料區塊。若此 時該等資料區塊中之一者的清除次數為〇時,記憶體控制 器41則會將儲存於清除次數為0之資料區塊中的資料寫入 清除次數超過預設值之該備用區塊中。然後,記憶體控制 器41將清除次數為0之資料區塊清除,並將其回收至備用 區424之序列尾端。 若不幸地,此時資料區422中仍然不存在清除次數為 0的資料區塊,記憶體控制器41則會再度將所有區塊之清 除次數減1,並於下一筆資料被寫入後,再搜尋資料區422 中搜尋是否有清除次數為〇的資料區塊,直到該等資料區 塊中之一者的清除次數為〇時,由記憶體控制器41選擇該 資料區塊,並將該資料區塊所對應之邏輯位址鏈結至清除 次數到達預設值之備用區塊,再將該資料區塊回收至備用 區424之序列尾端。舉例而言,記憶體控制器41係於執行 完步驟S412之後,再度搜尋資料區422中搜尋是否有清除 次數為0的資料區塊。若該等資料區塊中之一者的清除次 數為0時,由記憶體控制器41選擇該資料區塊,並將該資 料區塊所對應之邏輯位址鏈結至清除次數到達預設值之備 SMI-08-009/9031-A41718-TW/Final 12 1364661 用區塊。接著,將該資料區塊回收至備用區424之序列的 尾端,再回到步驟S402。相反地,若仍然沒有清除次數為 0的資料區塊,則直接回到步驟S402。 於另一實施例中,當資料區.422中不存在清除次數為 0的資料區塊時,記憶體控制器41則會將所有區.塊之清除 次數減1,直到該等資料區塊中之一者的清除次數為0時, 由記憶體控制器41選擇該資料區塊,並執行步驟S416。 第5A〜5D圖係為本發明之快閃記憶體之存取示意圖, 用以說明前述寫入程序。如第5A圖中所示,資料區422 中之各個資料區塊皆存有資料,而備用區424中之各個備 用區塊則皆是空的(即未填充資料)。一方面,邏輯位址LA〇 鏈結至清除次數為50之區塊B〇,邏輯位址匕入丨鏈結至清 除次數為70之資料區塊Bi,邏輯位址LA2鏈結至清除次 數為100之資料區塊B2,依此類推。另一方面,備用區塊 映射表52顯示備用區塊Βκ之清除次數為100,備用區塊 Βκ+ι之清除次數為200 ’備用區塊Βκ+2之清除次數為400 ’ 依此類推。 於接收到寫入指令之後,記憶體控制器41自主機接收 對應於邏輯位址LAi所鏈結之資料區塊I的資料,並暫時 儲存該資料於緩衝記憶體412中。隨後記憶體控制器41 會判斷是否需要清除一已使用區塊,若是則將該已使用區 塊清除,並將其清除次數加1,並且回收至備用區424之 序列尾端。前述判斷、清除與回收步驟是可選擇性的,亦 可以省略不執行。 SMI-08-009/9031-A41718-TW/Final 13 1364661 * 接著’ #丨造體控制裔41會於備用區424中選擇位於序 列頂端之備用區塊Βκ,並判斷備用區塊bk之清除次數是 否超過一預設值(例如400”由於備用區塊Βκ之清除次數 100少於預設值(400),故記憶體控制器41相應地重新映射 資料區塊心與備用區塊Βκ間的關係。換言之’記憶體控 制器41會將來自主機對應於資料區塊Βι之資料寫入該^ 用區塊Βκ中,並將邏輯位址LAi鏈結至備用區塊Βκ之實 • 體位址。接著,記憶體控制器41會清除資料區塊Βι,二 且將資料區塊匕回收至備用區424之序列尾端。如第5B 圖中所示,區塊Βκ會被記錄於資料區422中,而區塊b 則會記錄於備用區424中。要注意的是,區塊心之清除次 1 數71亦被記錄至映射表52中。 接下來,若記憶體控制器41自主機接收對應於邏輯位 址L A2所鏈結之資料區塊B 2的資料,並暫時儲存該資料於 緩衝記憶體412中。隨後記憶體控制器41會判斷是否需要 • 冑除已使龍塊’若是則將該已使用區塊清除,並將其清 除次數加1’並且回收至備用區424之序列的尾端。前二 判斷、清除與回收步驟是可選擇性的,亦可以省略不執行。 接著,記憶體控制器41會於備用區424 +選擇位於序 列頂端之備用區塊Βκ+1,並判斷備用區塊Βκ+ι之清除次數 疋否超過400。由於備用區塊Βκ之清除次數2⑻亦少於 4 〇 〇 ’故記憶體控制器4〗相應地重新映射資料區塊β 2與備 用區塊Βκ+1間的關係。換言之,記憶體控制器41會將來 自主機對應於資料區塊Β2之資料寫人該備用區塊曰 SMI-08-009/9031-Α41718-TW/Final 14 1364661 中,並將邏輯位址LA2鏈結至備用區塊Βκ+1之實體位址。 隨後記憶體控制器41會清除資料區塊B2,並且將資料區 塊B2回收至備用區424之序列尾端。如第5C圖中所示, 區塊Βκ+1會記錄於資料區422中,而區塊B2則.記錄於備 用區424中。要注意的是,區塊B2之清除次數101亦被記 錄至映射表52中。 接下來,若記憶體控制器41自主機接收對應於邏輯位 址LA3所鏈結之資料區塊B3的資料,並暫時儲存該資料於 缓衝記憶體412中。隨後記憶體控制器41會判斷是否需要 清除已使用區塊,若是則將該已使用區塊清除,並將其清 除次數加1,並且回收至備用區424之序列尾端。前述判 斷、清除與回收步驟是可選擇性的,亦可以省略不執行。 接著,記憶體控制器41會於備用區424中選擇位於序 列頂端之備用區塊Βκ+2 ’並判斷備用區塊Βκ+2之清除次數 是否超過400。由於備用區塊Βκ+2之清除次數已經達到預 設值400,記憶體控制器41則會在資料區422中搜尋是否 有清除次數為〇的資料區塊。由於資料區422中資料區塊 Bk-2之清除次數為0,於是記憶體控制器41會選擇資料區 422中之資料區塊Βκ_2。隨後,記憶體控制器41將資料區 塊Βκ_2重新映射至備用區塊Βκ+2。換言之,記憶體控制器 41會讀取儲存於資料區塊Bk_2中資料,並將所讀取到的資 料儲存到備用區塊Βκ+2中。同時,記憶體控制器41會將 邏輯位址LA(k_2)键結至備用區塊Βκ+2之貫體位址。此外’ 記憶體控制器41亦會清除資料區塊Βκ_2,並將資料區塊 SMI-08-009/9031-Α41718-TW/Final 15 丄:50400丄 η至備用區424之序列尾端。如第犯圖中所示,區 會記錄於資料區422中並鏈結至邏輯位址lak2, 而&塊βκ·2則會記錄於備用區424中。要注意的是,區塊 ΒΚ_2之清除次數為1亦會被記錄至映.射表52中。 在將資料區塊Βκ·2重新映射至備賴塊+ 憶體控制器41則合於備用F w K2您俊 只J曰於備用£ 424中再選擇一備用區塊,以 便於其中寫人/儲存資料。此時記憶體控㈣Μ會於備用 區424中選擇位於序列頂端之備用區塊BK+3,並判斷備用 區塊Βκ+3之清除次數是否超過預設值·。由於備用區塊 Βκ+3之清除次數80少於400,故記憶體控制器41相應地 重新映射資料區塊Β3與備用區塊〜+3間的關係。換言之, 記憶體控制器41會將來自主機對應於資料區塊I之資料 ,入η亥備用區塊βκ+3中。隨後’記憶體控制器41會將邏 輯位址LA3鏈結至備用區塊Βκ+3之實體位址,並清除資料 區塊Β3 ’且將資料區塊Β3回收至備用區424之序列的尾 知如第5Ε圖中所示’區塊Βκ+3會記錄於資料區422中, 而區塊&則會記錄於備用區似卜要注意的是,區塊 Β3之清除次數91亦被記錄至映射表52中。 第6A=6C圖係為本發明之快閃記憶體之存取示意圖, 用以5兒明當貢料區中搜尋不到清除次數為〇的資料區塊時 之κ施例。如第6A圖中所示,資料區422中之各個資 料區塊皆存有資料,而備用區424巾之各備龍塊則皆是 二的(即未填充資料”邏輯位址LA〇鏈結至清除次數為5〇 之貢料區塊bq,邏輯位址LAl鏈結至清除次數為ι〇〇之資 SMI-08-009/9031-A41718-TW/Final 16 1364661 料區塊Βκ ’邏輯位址LA:鍵結至清除次數為200之貢料區 塊Βκ+r依此類推。備用區塊映射表52顯示備用區塊Βκ+2 之清除次數為400,備用區塊Βκ+3之清除次數為80,備用 區塊Βκ+4.之清除次數為35 ’ ·依此類推。 於接收到寫入指令之後,記憶體控制器41自主機接收. 對應於邏輯位址LA3所鏈結之資料區塊Β3的資料,並暫時 儲存該資料於緩衝記憶體412中。隨後記憶體控制器41 會於備用區424中選擇位於序列頂端之備用區塊Βκ+2,並 判斷備用區塊Βκ+2之清除次數是否超過預設值(400)。因為 備用區塊Βκ+2之清除次數已經達到預設值400,記憶體控 制器41則會在資料區422中搜尋是否有清除次數為0的資 料區塊。再者’由於貢料區422並沒有清除次數為0的貢 料區塊,故記憶體控制器41會將資料區422與備用區424 中所有區塊的清除次數都減1。 因為在減1之後資料區塊Βκ_2的清除次數由1變成了 0,故記憶體控制器41會選擇資料區422中之資料區塊 Βκ_2。隨後,記憶體控制器41將資料區塊Βκ_2重新映射至 備用區塊Βκ+2。換言之,記憶體控制器41會讀取儲存於資 料區塊Βκ_2中資料,並將所讀取到的資料儲存到備用區塊 Βκ+2中。同時,記憶體控制器41會將邏輯位址LAK_2鏈結 至備用區塊Βκ+2之實體位址。此外,記憶體控制器41亦 會清除貢料區塊Βκ-2,並將貧料區塊Βκ-2回收至備用區424 之序列尾端。如第6B圖中所不’區塊Βκ+2會記錄於資料 區422中並鏈結至邏輯位址LAK_2,而區塊Βκ_2則會記錄 SMI-08-009/9031-Α41718-TW/Final 17 1364661 於備用區424中。要注意的是,區塊BK_2之清除次數為1 亦會被記錄至映射表5 2中。 在將資料區塊BK_2重新映射至備用區塊Bk+2之後,記 憶體控制器.41則會於備用區424中再選擇一備用區塊,以 便於其中寫入/儲存資料。此時記憶體控制器41會於備用 區424中選擇位於序列頂端之備用區塊Βκ+3,並判斷備用 區塊Βκ+3之清除次數是否超過預設值400。由於備用區塊 Βκ+3之清除次數79少於400,故記憶體控制器41相應地 重新映射資料區塊Β3與備用區塊Βκ+3間的關係。換言之, 記憶體控制器41會將來自主機對應於資料區塊Β3之資料 寫入該備用區塊Βκ+3中,並將邏輯位址LA3鏈結至備用區 塊Βκ+3之實體位址。隨後記憶體控制器41會清除資料區 塊B3,並且將資料區塊B3回收至備用區424之序列的尾 端。如第6C圖中所示,區塊Βκ+3會記錄於資料區422中, 而區塊B3則會記錄於備用區424中。要注意的是’區塊 B3之清除次數90亦被記錄至映射表52中。 第7A〜7D圖係為本發明之快閃記憶體之存取示意圖, 用以說明當資料區中搜尋不到清除次數為0的資料區塊時 之另一實施例。 如第7A圖中所示,資料區422中之各個資料區塊皆存 有資料,而備用區424中之各備用區塊則皆是空的(即未填 充資料)。邏輯位址LA〇鏈結至清除次數為50之資料區塊 B〇 ,邏輯位址LA!鍵結至清除次數為100之貢料區塊Βκ, 邏輯位址LA2鏈結至清除次數為200之資料區塊Βκ+1,依 SMI-08-009/9031-Α41718-TW/Final 18 1364661 此類推。另一方面,備用區塊映射表52顯示備用區塊Bk+2 之清除次數為400,備用區塊Bk+3之清除次數為80,備用 區塊Βκ+4-之清除次數為35,依此類推。 於接收到寫入指令之後,記憶體控制器41自主機接收 對應於邏輯位址LA3所鏈結之資料區塊B3的資料,並暫時 儲存該資料於緩衝記憶體412中。隨後記憶體控制器41 會於備用區424中選擇位於序列頂端之備用區塊Βκ+2,並 判斷備用區塊Βκ+2之清除次數是否超過預設值(400)。因為 備用區塊Βκ+2之清除次數已經達到預設值400,記憶體控 制器41則會在資料區422中搜尋是否有清除次數為0的資 料區塊。再者’由於貢料區422並沒有清除次數為0的貢 料區塊,故記憶體控制器41將備用區塊Βκ+2之實體位址 暫存於緩衝記憶體412中,並將資料區422與備用區424 中所有區塊的清除次數都減1。如第7B圖中所示,資料區 塊B〇之清除次數由50變為49,資料區塊Βκ之清除次數 由100變為99,資料區塊Βκ+1之清除次數由200變為199, 依此類推。 接著,記憶體控制器41則會於備用區424中再選擇位 於序列頂端之備用區塊Bk+3,並判斷備用區塊Bk+3之清除 次數是否超過預設值400。由於備用區塊Βκ+3之清除次數 79少於400,故記憶體控制器41相應地重新映射資料區塊 B3與備用區塊Βκ+3間的關係。換言之,記憶體控制器41 會將來自主機對應於資料區塊B3之資料寫入該備用區塊 Bk+3中。隨後,記憶體控制器41會將邏輯位址LA3鏈結至 SMI-08-009/9031-A41718-TW/Final 19 1364661 備用區塊Βκ+3之貫體位址’並清除貢料區塊B3 ’且將肓料 ,區塊B3回收至備用區424之序列的尾端。如第7C圖中所 不’區塊Βκ>3會記錄於育料區422中,而區塊B3則會記 錄於備用區424中。要注意的是,區塊B3之清除次數90 亦被記錄至映射表52中。 .當記憶體控制器41自主機接收對應於邏輯位址LA4· 所鏈結之資料區塊B4的資料,並暫時儲存該資料於緩衝記 憶體412中。隨後記憶體控制器41會於備用區424中選擇 位於序列頂端之備用區塊Βκ+4,並判斷備用區塊Βκ+4之清 除次數是否超過400。由於備用區塊Βκ+4之清除次數34 亦少於400,故記憶體控制器41相應地重新映射資料區塊 B4與備用區塊Βκ+4間的關係。換言之,記憶體控制器41 會將來自主機對應於資料區塊B4之資料寫入該備用區塊 Βκ+4中’並將邏輯位址LA4鍵結至備用區塊Βκ+4之貫體位 址。隨後記憶體控制器41會清除資料區塊Β4,且將資料 區塊Β4回收至備用區424之序列尾端。如第7D圖中所示, 區塊Βκ+4會記錄於貢料區422中’而區塊Β4則記錄於備 用區424中。要注意的是,區塊Β4之清除次數10亦被記 錄至映射表52中。 因為在減1之後資料區塊Βκ_2的清除次數由1變成了 0,故記憶體控制器41會選擇資料區422中之資料區塊 Βκ-2,並且將資料區塊Βκ-2重新映射至備用區塊Βκ+2。換 言之,記憶體控制器41會讀取儲存於資料區塊Βκ_2中資 料,並將所讀取到的資料儲存到備用區塊Βκ+2中。同時, SMI-08-009/9031-Α41718-TW/Final 20 瑪 4661 纪,體控制器41會將邏輯位址LAK_2鏈結至備用區塊6以2 之實體位址。此外,記憶體控制器41亦會清除資料區塊 Βκ—2’並將資料區塊By回收至備用區424之序列的尾端。 如第7Ε圖中所示,區塊Βκ+2會記錄於資料區422中並鏈 結至邏輯位址LAk-2’而區塊Βκ-2則會記錄於備用區424 中。要注意的是,區塊Βκ·2之清除次數為】亦會被記 映射表52中。 —雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,然其並非用以 ,疋本發明’任何熟知技藝者’在不麟本發明之精神和 =圍内’當可作些許更動與㈣,因此本發明之保護範圍 虽視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示一記憶體裝置之一實施例。
第2圖係為本發明之資料區塊與備用區塊之映射表。 第3圖係為本發明之快閃記憶體存取方法之一流程 第4圖係為本發明之快閃記憶體存取方法之另-流程 第5A〜5E圖係本發明 第6A〜6C圖係本發明 第7A〜7E圖係本發明 【主要元件符號說明】 之快閃記憶體之存取示意圖 之快閃記憶體之存取示意圖 之快閃記憶體之存取示意圖 40 :記憶體裝置; 42 :快閃記憶體; SMI-〇8-〇〇9/9〇3l.A41718-TW/Final 41 :記憶體控制器; 50 :資料區塊映射表; 21 1364661 52 :備用區塊映射表; 412 緩衝記憶體; 416 :微處理器; 424 :備用區;, LA〇〜LAp :邏輯位址。 410 :介面邏輯; 414 :控制邏輯; 422 :資料區; B〇〜Bn-i ·區塊,
SMI-08-009/9031-A41718-TW/Final 22
Claims (1)
1364661 十、申請專利範圍: 一-1組種快閃記憶體之存取方法,該快閃記憶體劃分為 以及—備用區’該資料區包含複數個資料區塊: ,亥備用區包含複數備用區塊,該存取方法包括: 第^讀取指令,由該快閃記憶體之〜 弟貝枓£塊中項取出一對應資料,該對應資料 檢查碼; ' Θ 利用該檢查碼對該對應資料進行一既定檢查; 檢查之結果顯示有一錯誤發生時,判斷該錯 誤疋否可被权正;以及 當該錯誤可被校正時,將該第— 增加-既Μ。 胃料塊之清除次數 2、如中4專利範圍第丨項所述之快閃記憶體之存取方 錯誤紐校正時,騎該第 故障區塊。 ^如申请專利範圍第!項所述之快閃記憶體之存取方 法、、中該檢查碼係為錯誤檢麵(Erwc_ ECC)。 法 4·如申料鄉㈣1賴述之㈣記憶體之存取方 該既定值大於2。 法 5.如申請專利範圍第!項所述之快閃記憶體 更包括; SMI-08-009/9031-A41718-TW/Final 23 1364661 一弟一賁料區塊; 於該備用區中之選擇一備用區塊;以及 於》亥被選擇之備用區塊之清除次少於一預設值時,將 該資料寫入至該被選擇之備用區塊中,並將該被選擇之備 用區塊之一實體位址鏈結至該邏輯彳立址。 6. 如申請專利範圍第5項所述之快閃記憶體之存取方
法,更包括於選擇該備用區塊之前,對該資料區中之該等 資料區塊進行資料整合。 7. 如申明專利範圍第5項所述之快閃記憶體之存取方 法,更包括: 清除該第二資料區塊之内容;以及 回收該第二資料區塊至該備用區中。 種快閃记憶體之存取方法,該快閃記憶體劃分為 -資料區以及-備用區,該資料區包含複數個資料區塊, 該備用區包含複數制區塊,該存取方法包括: 根據來自-主機之一讀取指令,由該快閃記憶體之一 第-資料區塊中讀取出—對應資料,該對應資料中含有一 檢查碼; 利用該檢查碼對該對應資料進行一既定檢查; …當該既定檢查之結果顯示有—錯誤發生時,判斷該錯 决疋否可被校正; 當該錯誤可被校正時,將該第—㈣區塊 次數 增加一既定值; 邏 接收到來自魅機之指令時,接收對應於 SMI-08-009/9031-Α41718-TW/Final 24 其中該邏輯位址係鏈結至該資料區中之 铒位址之一資料 一第二資料區塊 於該備用區中之選擇一第一備用區塊;以及 次料帛備用^塊之清除次超過—預設值時,並且今 貝枓區中具有清除次數 ^且邊 託Η 資料寫人至該第—備用區塊中, 、’'映射該第三資料區塊與該第-備用區塊。
9击如申明專利範圍第8項所述之快閃記憶體之存取方 >’更包括於該被選擇之備㈣塊H欠超過該預設 ί而5亥二貝料區中不具有清除次數為0之該第三資料區塊 日,則將5亥等貧料區塊與該等備用區塊之清除次數減卜 10.如申請專利範圍第9項所述之快閃記憶體之存取 方法’更包括: 於該備用區中之選擇一第二備用區塊;以及 於該第二備用區塊之清除次少於該預設值時,將對廣 _ 於該邏輯位址之該資料寫入至該第二備用區塊中,並㈣ 第二備用區塊之一實體位址鏈結至該邏輯位址。 11. 一種記憶體裝置,包括: 一快閃記憶體,包括一資料區以及一備用區,其中該 貢料區包括複數資料塊區,並且該備用區包括複數備用區 塊;以及 一控制态,根據來自一主機之一讀取指令,由該快閃 記憶體中一對應資料區塊中讀取出含有一檢查碼之一對應 資料,並利用該檢查碼對該對應資料進行一既定檢查,當 SMI-08-009/9031-Α41718-TW/Final 25 丄3040〇1 該既定檢杳之处要翻- 錯誤是否;:被^顯不有一錯誤發生時,控制器則判斷該 料區塊之清料數增被校正時’將該對應資 辑卜如申請專利範圍第η項所述之記憶體裝置,〜 :障區2正時’該控制器則將該對應f料區塊標記二 〜Λ3如申請專利範㈣11項所述之記憶體裝置,盆中 雜查碼係為錯誤檢查碼伽or c贿tion c〇de; ecc)、。中 定值:於如2申請專利範圍第11項所述之記憶體裝置,該既 1批2。。如申清專利範圍第U項所述之記憶體褒置,苴中 接收到來自該主機之-寫入指令時,接收對 油址m其巾闕輯位㈣鏈結至該資 =之:第二資料區塊’並且於該備用區中之選擇4 ^塊’當該被選擇之備用區塊之清除次少於—預 :將==器則將該資料寫入至該被選擇之備用區塊;, 址。、擇之備用區塊之—實體位址鏈結至該邏輯位 16·。如申請專利範圍帛15項所述之記憶體裂置,其中 =空制益更於選擇該備用區塊之前,對該資料區中之 為料區塊進行資料整合。 人 7.如申明專利範圍f 15項所述之記憶體裝置, 於該被選敎備㈣塊m少於鋪 二 器更清除該第二資料區塊之内容,並时該第二資料= SMI-08-0〇9/903l-A41718-TW/Final 26 1304661 至該備用區中。 如ψ料鄕㈣^項所叙記憶職置,其 之備用區塊之清除次超過該預設值,並且該資 =於該第壤區塊之-資料寫入至該被選= 用區塊。亚且重新映射該第三#料區塊與該被選擇之傷 杂枯^’、如申清專利乾圍帛18項所述之記憶體震置,其中 二備用區塊之清除次超過該預設值,而該資料 則將該等資料區塊與該等備用=:=減f控制器 20·、如巾料觀㈣18韻狀純撕置,其中 :Γ中備用區塊之清除次超過該預設值,並且該資 並且回收該第三資= SMI-08-009/9031-A41718-TW/Final 27
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US8700840B2 (en) * | 2009-01-05 | 2014-04-15 | SanDisk Technologies, Inc. | Nonvolatile memory with write cache having flush/eviction methods |
US8244960B2 (en) * | 2009-01-05 | 2012-08-14 | Sandisk Technologies Inc. | Non-volatile memory and method with write cache partition management methods |
US20100174845A1 (en) * | 2009-01-05 | 2010-07-08 | Sergey Anatolievich Gorobets | Wear Leveling for Non-Volatile Memories: Maintenance of Experience Count and Passive Techniques |
US8276042B2 (en) * | 2009-02-03 | 2012-09-25 | Micron Technology, Inc. | Determining sector status in a memory device |
CN101710253B (zh) * | 2009-11-25 | 2012-06-13 | 安凯(广州)微电子技术有限公司 | 嵌入式系统的深度休眠方法 |
KR101090394B1 (ko) * | 2009-12-24 | 2011-12-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 예비 영역을 유동적으로 관리하는 반도체 스토리지 시스템 및 그 제어 방법 |
KR101655306B1 (ko) * | 2010-02-24 | 2016-09-07 | 삼성전자주식회사 | 메모리 시스템 및 그것의 액세스 방법 |
TWI455131B (zh) * | 2010-04-16 | 2014-10-01 | Silicon Motion Inc | 記憶體之資料寫入方法及資料儲存裝置 |
TWI475564B (zh) | 2010-04-21 | 2015-03-01 | Silicon Motion Inc | 記憶體之資料寫入方法及資料儲存裝置 |
TWI454907B (zh) * | 2010-09-14 | 2014-10-01 | Via Tech Inc | 記憶裝置及其運作方法 |
TWI514136B (zh) * | 2010-12-28 | 2015-12-21 | Silicon Motion Inc | 快閃記憶裝置及其資料寫入方法 |
US9009547B2 (en) | 2011-01-27 | 2015-04-14 | Apple Inc. | Advanced programming verification schemes for analog memory cells |
KR20130000730A (ko) * | 2011-06-24 | 2013-01-03 | 삼성전자주식회사 | 메모리 컨트롤러, 이의 동작 방법, 및 상기 메모리 컨트롤러를 포함하는 메모리 시스템 |
TWI486767B (zh) * | 2012-06-22 | 2015-06-01 | Phison Electronics Corp | 資料儲存方法、記憶體控制器與記憶體儲存裝置 |
CN103530062B (zh) * | 2012-07-03 | 2016-12-21 | 群联电子股份有限公司 | 数据存储方法、存储器控制器与存储器存储装置 |
TWI529719B (zh) * | 2013-08-30 | 2016-04-11 | 慧榮科技股份有限公司 | 資料儲存裝置以及快閃記憶體控制方法 |
JP6326209B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2018-05-16 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置及び半導体メモリにおける消去回数の検索方法 |
CN107391026B (zh) | 2016-04-27 | 2020-06-02 | 慧荣科技股份有限公司 | 闪存装置及闪存存储管理方法 |
US10019314B2 (en) | 2016-04-27 | 2018-07-10 | Silicon Motion Inc. | Flash memory apparatus and storage management method for flash memory |
CN111679787B (zh) | 2016-04-27 | 2023-07-18 | 慧荣科技股份有限公司 | 闪存装置、闪存控制器及闪存存储管理方法 |
CN107391296B (zh) * | 2016-04-27 | 2020-11-06 | 慧荣科技股份有限公司 | 存取闪存模块的方法及相关的闪存控制器与记忆装置 |
US10289487B2 (en) | 2016-04-27 | 2019-05-14 | Silicon Motion Inc. | Method for accessing flash memory module and associated flash memory controller and memory device |
US10514983B2 (en) | 2017-04-26 | 2019-12-24 | Micron Technology, Inc. | Memory apparatus with redundancy array |
US11579797B2 (en) * | 2021-04-29 | 2023-02-14 | Micron Technology, Inc. | Memory sub-system refresh |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0617363B1 (en) * | 1989-04-13 | 2000-01-26 | SanDisk Corporation | Defective cell substitution in EEprom array |
US7447069B1 (en) * | 1989-04-13 | 2008-11-04 | Sandisk Corporation | Flash EEprom system |
US5928370A (en) * | 1997-02-05 | 1999-07-27 | Lexar Media, Inc. | Method and apparatus for verifying erasure of memory blocks within a non-volatile memory structure |
JP3421581B2 (ja) * | 1998-06-29 | 2003-06-30 | 株式会社日立製作所 | 不揮発性半導体メモリを用いた記憶装置 |
EP1027653B1 (de) * | 1998-09-04 | 2004-09-15 | Hyperstone AG | Zugriffssteuerung eines speichers beschränkter löschhäufigkeit |
US6260156B1 (en) * | 1998-12-04 | 2001-07-10 | Datalight, Inc. | Method and system for managing bad areas in flash memory |
US6662334B1 (en) * | 1999-02-25 | 2003-12-09 | Adaptec, Inc. | Method and device for performing error correction on ECC data sectors |
US7113432B2 (en) * | 2000-09-14 | 2006-09-26 | Sandisk Corporation | Compressed event counting technique and application to a flash memory system |
KR100644602B1 (ko) * | 2000-10-11 | 2006-11-10 | 삼성전자주식회사 | 플래시메모리를 위한 재사상 제어방법 및 그에 따른플래시 메모리의 구조 |
JP2004139503A (ja) | 2002-10-21 | 2004-05-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 記憶装置及びその制御方法 |
CN100483552C (zh) * | 2002-10-28 | 2009-04-29 | 桑迪士克股份有限公司 | 在非易失性存储系统中执行自动磨损平衡的方法 |
US7130229B2 (en) | 2002-11-08 | 2006-10-31 | Intel Corporation | Interleaved mirrored memory systems |
US6944063B2 (en) * | 2003-01-28 | 2005-09-13 | Sandisk Corporation | Non-volatile semiconductor memory with large erase blocks storing cycle counts |
US8041878B2 (en) * | 2003-03-19 | 2011-10-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flash file system |
KR100526186B1 (ko) * | 2003-04-04 | 2005-11-03 | 삼성전자주식회사 | 플래시 메모리의 오류블록 관리방법 및 장치 |
US20050120265A1 (en) | 2003-12-02 | 2005-06-02 | Pline Steven L. | Data storage system with error correction code and replaceable defective memory |
US7389465B2 (en) * | 2004-01-30 | 2008-06-17 | Micron Technology, Inc. | Error detection and correction scheme for a memory device |
US7370258B2 (en) * | 2005-04-28 | 2008-05-06 | Sandbridge Technologies Inc. | Iterative concatenated convolutional Reed-Solomon decoding method |
US7451264B2 (en) * | 2006-04-13 | 2008-11-11 | Sandisk Corporation | Cycle count storage methods |
US7743203B2 (en) * | 2007-05-11 | 2010-06-22 | Spansion Llc | Managing flash memory based upon usage history |
JP2008287404A (ja) * | 2007-05-16 | 2008-11-27 | Hitachi Ltd | 読み出しによる非アクセスメモリセルのデータ破壊を検出及び回復する装置、及びその方法 |
KR100857761B1 (ko) * | 2007-06-14 | 2008-09-10 | 삼성전자주식회사 | 웨어 레벨링을 수행하는 메모리 시스템 및 그것의 쓰기방법 |
KR101413736B1 (ko) * | 2007-09-13 | 2014-07-02 | 삼성전자주식회사 | 향상된 신뢰성을 갖는 메모리 시스템 및 그것의웨어-레벨링 기법 |
US8276042B2 (en) * | 2009-02-03 | 2012-09-25 | Micron Technology, Inc. | Determining sector status in a memory device |
-
2008
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