TWI334173B

TWI334173B -

Info

Publication number: TWI334173B
Application number: TW093102429A
Authority: TW
Inventors: Katsuya Okumura; Shinji Himori; Kazuya Nagaseki; Hiroki Matsumaru; Shoichiro Matsuyama; Toshiki Takahashi
Original assignee: Octec Inc; Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2003-02-03
Filing date: 2004-02-03
Publication date: 2010-12-01
Also published as: JP2004363552A; EP1594161A4; TW200423250A; EP1594161A1; KR20050094475A; US20110162802A1; US7922862B2; JP4472372B2; US7585386B2; WO2004070808A1; US20050276928A1; US20090285998A1; EP1594161B1; KR100839677B1

Description

1334173 (1) 玖、發明說明【發明所屬之技術領域】本發明是關於在被處理基板實施電漿處理的別是關於將高頻波供給至電極，來生成電漿的高方式的電漿處理技術。本發明是特別關於在製造置的半導體處理所利用的電漿處理技術。在此，體處理，意指爲了藉由在半導體晶圓、LCD crystal display)或 FPD( Flat Panel Display) 基板等的被處理基板上以預定的圖案形成半導體層 '導電層等，來在該被處理基板上製造半導體包含連接於半導體裝置的配線、電極等的構造物各種處理。【先前技術】在半導體裝置或FPD的製造過程之蝕刻、堆化、濺射等的處理，爲了在處理氣體以較低溫來進的反應，而多數利用電漿來進行。一般，電漿處理作爲生成電漿的方式，大致分成利用輝光放電或高電者、與利用微波者。在高頻波放電方式的電漿處理裝置，在處理容應室內平行地配置上部電極與下部電極。在下部電置（承載）被處理基板（半導體晶圓、玻璃基板等上部電極或下部電極，經由整合器來施加電漿生成頻波電壓。藉由以此高頻波電壓所生成的高頻波電術，特波放電導體裝謂半導 Liquid 的玻璃、絕緣置、或實施的積、氧行良好裝置是頻波放器或反極上載 )，在用的高場，使 -5- (2) (2)1334173 電子加速，藉由電子與處理氣體的衝突電離來產生電漿。最近，隨著製造過程之設計規則的細微化，而對電漿處理要求在低壓下的高密度電漿。因此，在上述之高頻波放電方式的電漿處理裝置，逐漸形成使用較以往（一般爲 27MHz )更高之高頻區域（50MHz)之頻率。但，當高頻波放電的頻率變高時，則由高頻電源通過供電棒後施加於電極背面的高頻電力受到表面效應而傳達於電極表面，由電極主面（與電漿相對向的面）的邊緣部朝中心部流動。當在一樣的電極主面高頻電流由邊緣部朝中央部流動時，則電極主面的中心部之電場強度變得較邊緣部之電場強度 Λ 側高。在電漿密度高的電極中心、部，電漿的阻抗率變低，在相對向的電極，電流也集中於中心部，使得電漿密度的不均等性進一步增加。爲了解決此問題，以高阻抗構件構成高頻電極的主面中心部者爲眾所皆知（例如日本特開2 0 0 0 - 3 2 3 4 5 6號公報 )。在此技術，以高阻抗構件構成連接於高頻電源側的電極之主面（電漿接觸面）的中央部。受到在此高阻抗構件使更多的高頻電力作爲焦耳熱所消耗，使得比起電極外周部’在電極中心部相對地使電極的主面之電場強度降低。藉此’補正上述電漿密度的不均等性。但’在上述高頻放電方式的電漿處理裝置，以高阻抗構件構成高頻電極的主面中心部者會有因焦耳熱所引起的高頻電力的消耗（能量損失）變多之可能性。 (3) (3)1334173 【發明內容〕 - 本發明是有鑒於上述以往技術的問題點而開發完成的發明，其目的在於提供：能夠有效率地達到電漿密度的均等化之高頻放電方式的電漿處理裝置及電漿處理裝置用的電極板。本發明之另一目的在於提供：能夠有效率地製造在本發明之電漿處理裝置用的電極板上一體地設置靜電夾的構造之電極板製造方法。爲了達到上述目的，本發明的第1電漿處理裝置，是在可減壓的處理容器內設置第1電極，在前述處理容器內 Λ 形成高頻電場，並且流入處理氣镅來形成前述處理氣體的電漿，在前述電漿下，於被處理基板實施期望的電漿處理之電漿處理裝置，其特徵爲：在前述第1電極的主面，分散地設置朝向生成前述電漿的空間突出之多數個凸部。在此裝置結構，若能夠在第1電極施加電漿生成用的高頻波的話，則也能夠在其他電極，例如在平行平板型，於與第 1電極相對向的第2電極施加高頻波。在第1電極施加高頻波的情況時，由與第1電極的主面相反側的裏面供給高頻波爲佳。在由裏面側將高頻波施加於第1電極的情況時，高頻電流藉由表面效應，於第1電極的主面上由電極邊緣部朝電極中心部流動之際，流動於凸部的表面層。凸部是因朝電漿空間側突出，所以，以較凸部以外的部分也就是主面底面部更低的阻抗來與電漿電氣結合。因此，受到流動於 (4) (4)1334173 電極的主面的表面、層之高頻電流所搬運的高頻電力主要由凸部的頂面朝電漿放出。如此，分散地設置於第1電極的主面上之多數個凸部是分別作爲對於電漿供給高頻電離的小電極來發揮功能。藉由適宜選擇該凸部的屬性（形狀、尺寸、間隔、密度等），能夠將對於電漿之第1電極的高頻電力供給特性控制於期望的特性。例如，爲了保證上述凸部之高頻電力供給功能，而在第1電極的主面上將凸部的高度及電極徑方向的寬度作成以下述（1 )的方程式所表示之表皮深度（skin depth ) 5 之3倍以上爲佳》 V. δ = { 2/ ω σ μ. ) 1/2 〜，.，..(1 ) (其中，6j=2 7rf(f:頻率）、σ :導電率、# :透磁率）又，爲了使電極徑方向之電場強度及電漿密度的均等性提昇，理想是作成：在第1電極的主面上由電極中心部朝電極邊緣部逐漸增大凸部的面積密度之結構。例如，在將凸部形成一定尺寸的情況時，凸部的個數密度由電極中心部朝電極邊緣部逐漸增大之分佈特性爲佳。又，作爲一適當的形態，將凸部形成圓柱狀爲佳。或亦可作成：將凸部形成環狀，在全體配置成同心圓狀之結構。 .又，爲了提高根據凸部之高頻電力放出功能，理想是作成：在第1電極的主面上，於至少凸部以外的部分上設置介電質之結構。 -8- (5) (5)1334173 本發明的第2、電漿處理裝置，是在可減壓的處理容器內設置第〗電極，在前述處理容器內形成高頻電場，並且流入處理氣體來形成前述處理氣體的電漿，在前述電漿下，於被處理基板實施期望的電漿處理之電漿處理裝置，其特徵爲：在前述第1電極的主面分散地設置與生成前述電漿的空間相對而凹陷之多數個凹部。在此裝置結構，也若能夠在第1電極施加電漿生成用的高頻波的話，則也能夠在其他電極，例如在平行平板型，於與第1電極相對向的第2電極施加高頻波。在第1電極施加高頻波的情況時，由與第1電極的主面相反側的裏面供給高頻波爲佳。、· 因第1電極的主面上的凹部<是與電漿空間側相對凹陷，所以以較凹部以外的部分（電極主面的頂面部）更高之阻抗來與電漿電氣結合。因此，受到流動於電極的主面的表面層之高頻電流所搬運的高頻電力主要由凹部以外的部分（電極主面的頂面部）朝電漿放出。如此，在第1電極的主面上分散地配置之多數個凹部是分別作爲抑制對於電漿之高頻電力的供給之電極隔離部來發揮功能。藉由適宜選擇該凹部的屬性（形狀、尺寸、間隔、密度等），能夠將對於電漿之第1電極的作用控制於期望的特性》例如，爲了保證根據上述凹部之高頻電力供給功能，而在第〗電極的主面上將凹部的高度及電極徑方向的寬度作成前述表皮深度（skin depth) ό之3倍以上爲佳。又，爲了使電極徑方向之電場強度及電漿密度的均等性提昇，理想是作成：在第I電極的主面上由電極中心部 -9- (6) 1334173 朝電極邊緣部逐漸縮小凹部的面積密度之結構。將凹部形成一定尺寸的情況時，凹部的個數密度心部朝電極邊緣部逐漸縮小之分佈特性爲佳。又，作爲一適當的形態，將凹部形成圓柱狀，爲了提高根據凹部之高頻電力隔離功能’理想在第1電極的主面上，於至少凹部內設置介電質本發明的第3電漿處理裝置，是在可減壓的內設置第1電極，在前述處理容器內形成高頻電流入處理氣體來形成前述處理氣體的電漿，在前，於被處理基板實施期望的電漿處理之電漿處理特徵爲：在前述第1電極的主面殼置介電質，將電極的中心部側之前述介電質的厚度作成較電極之前述介電質的厚度厚。在此裝置結構，也若能電極施加電漿生成用的高頻波的話，則也能夠在，例如在平行平板型，於與第1電極相對向的第加高頻波。在第1電極施加高頻波的情況時，由極的主面相反側的裏面供給高頻波爲佳。在上述裝置結構，由於對於電漿空間側，相中心部側的阻抗大，而電極邊緣部側的阻抗小，緣部側之高頻電場增強，另一方面電極中心部側場減弱，藉此，改善電場強度及電漿密度的均等‘ 在上述結構，介電質之理想剖面是介電質的 1電極的電極中心部側朝電極邊緣部側逐漸（理 )減少的結構。又，其結構是在包含電極中心部例如，在由電極中爲佳。又是作成：之結構。處理容器場，並且述電漿下裝置，其前述第1 邊緣部側夠在第I 其他電極 2電極施與第1電對地電極故電極邊的高頻電性。厚度由第想爲拱型的第1直 -10 - (7) (7)1334173 徑的內側介電質的厚度大致一定爲佳。在此情況時，在第 1直徑的外側，介電質的厚度亦可爲朝電極邊緣部減少成錐狀，或亦可爲在較第1直徑更大的第2直徑的內側大致一定，且在第2直徑的外側朝電極邊緣部減少成錐狀者。介電質的面積尺寸是能夠因應被處理基板的尺寸來任意設定，但典型上能夠設定成大致相同尺寸。即，介電質的厚度形成最小的邊緣部之位置是能夠設定於與被處理基板的邊緣部相對向之位置附近。又，由於在賦予良好的面內均等性的介電質之介電率與電極中心部之介電質的厚度之間具有一定的相關關係，故對應所使用的介電質的介電率，設定電極中心部之介電質的厚度即可。又，作爲理想的一形態，在第1電極的主面上設置覆蓋介電質的一部分例如邊緣附近之導電性的密封構件爲佳。若根據該結構的話，則在受到密封構件所覆蓋的區域，能夠減弱介電質的電場強度減低效果，能夠藉由改變密封構件的開口部之形狀及/或尺寸，來調整電場強度分布。此密封構件是安裝成可裝卸也就是可交換爲佳。又，作爲理想的一形態，也能夠作成：在第1電極的主面上，由較介電質的外周邊緣更接近朝徑方向外側遠離期望的距離之位置，使外側的電極部分朝電漿生成空間突出期望的突出量之結構。在該電極構造，藉由在介電質的徑方向外側設置突出部，能在被處理基板的邊緣部附近的區域提高電場強度的方向來控制或調整電場強度分布.特性。根據此突出部電場強度分布控制是能夠藉由突出部的突 -11 - (8) (8)1334173 出量或圖初階差部.的位置來加減或改變。又’作爲另一理想的一形態，也能夠作成：在第1電極的主面上’將介電質朝電漿生成空間突出期望的突出量之結構。在該電極構造，在與介電質相對向的電漿生成空間的各位置’僅以使介電質突出的部分來在提高電場強度的方向控制或調整電場強度分布特性。又，若跟另一理想的形態，在第1電極的主面，於介電質的內部設置空洞，在此空洞中注入流動性的介電性物質（理想爲有機溶劑）。在此結構，可藉由適宜選定或設定注入空洞中的介電性物質的量或佔有空間形狀，來任意調整介電質全體的介電率或阻抗·。該空洞也能夠形成於固體的介電質中，也能夠以固體的介電質構成第〗電極的主面之至少表面，而以電極母材（導電體）構成內部的壁面或凹部。在上述第1、第2或第3的電漿處理裝置，於在設有上述凸部、凹部或介電質的第〗電極不施加高頻波的情況時，例如即使在將第1電極接地於接地電位的情況，也能夠對於電漿生成空間達到與上述同樣的作用。在本發明的電漿處理裝置，亦可在高頻電源側的第1 電極的主面上設置用來藉由庫倫力（coulomb force)來吸著保持被處理基板的靜電夾，或亦可設置於對向電極也就是第2電極的主面。於在第1電極的主面上設置靜電夾的情況時，經由處理容器來將第2電極連接於接地電位，使電漿內的高頻電流通過處理容器後流至地面爲佳。 -12 - (9) (9)1334173 本發明的電發.處理裝置用的第1電極板是在高頻放電方式的電漿處理裝置，爲了生成電漿而配置於處理容器內之電極板，其特徵爲：在與電漿相對向的主面分散地設置多數個凸部。該結構的電極板是能夠達到與上述第〗電漿處理裝置之第1電極或第2電極相同的作用》 . 用來製造此第1電極板之本發明的電極板製造方法， 1 是具有：在電極本體的主面披覆具有對應於前述凸部的開口之光罩的工序；由前述光罩上朝前述電極本體的主面上鲁溶融射出導電性的金屬或半導體後，在前述開口內形成前述凸部的工序；及由前述電極本體的主面上除去前述光罩的工序。本發明的電漿處理裝置用的第2電極板，是在高頻放電方式的電漿處理裝置，爲了生成電漿而配置於處理容器內的電極板，其特徵爲：在與電漿相對向的主面上分散地 ' 設置多數個凹部。該結構的電極板是能夠達到與上述第2 電漿處理裝置之第1或第2電極相同的作用。鲁用來製造此第2電極板的本發明之電極板製造方法，是具有：在電極本體的主面披覆具有對應於前述凹部的開口之光罩的工序；由前述光罩上朝前述電極本體的主面上 ·. 噴出固體粒子或液體，物理性地除去前述電極基板的前述開口內的部分後形成前述凹部的工序；及由前述電極基板的主面上除去前述光罩的工序。在本發明的電極板製造方法，具有：在除去了光罩後的電極基板的主面上熔融射出介電質，來形成第〗介電質 -13- (10) (10)1334173 膜的工序爲佳。藉，此’能夠在第1電極板，於凸部以外的部分設置用來提高阻抗比的介電質；而在第2電極板，於凹部內設置用來提高阻抗比的介電質。又爲了在第]電極板或第2電極板一體地設置靜電夾 ’理想爲：將第1介電質膜形成覆蓋電極基板的主面全體之厚度’在第1介電質膜上熔融射出電極材料來形成靜電夾用的電極膜，在電極膜上熔融射出介電質來形成第2介電質膜。若根據此方法的話，能夠在第1或第2電極板的主面上，同時一體形成用來提高阻抗比的介電質與靜電夾用的下部絕緣膜。本發明的電漿處理裝置用的第3電極板，是在高頻放電方式的電漿處理裝置，爲了生成電漿而配置於處理容器內之電極板，其特徵爲：在與電漿相對向的主面設置介電質，將前述第1電極的中心部之前述介電質的厚度作成較電極邊緣部之前述介電質的厚度厚。該結構的電極板是能夠達到與上述第3電漿處理裝置之第1或第2電極相同的作用。【實施方式】以下參照圖面說明關於本發明的實施形態。再者，在以下的說明，針對具有大致相同的功能或結構的構成要素，賦予相同圖號，僅在必要的情況進行重複說明。第】圖是顯示本發明的一實施形態之電漿蝕刻裝置的結構之縱斷面圖。此電漿處理裝置’是作爲RIE型電漿蝕 -14- (11) (11)1334173 刻裝置來加以構成，的。電漿處理裝置是具有例如鋁或不銹鋼等的金屬製圓筒型室（處理容器）〗〇。室10被保全接地。在室1 0內，配設有載置作爲被處理基板之例如半導體晶圓w的圓板狀下部電極或承受器12。此承受器12是由例如鋁所構成，經由絕緣性的筒狀保持部1 4來支承於由室10的底部朝垂直方向延伸的筒狀支承部16。在筒狀保持部14的上面，配置將承受器12的上面包圍成環狀之例如由石英所構成的聚焦環1 8。在室1 〇的側壁與筒狀支承部1 6之間形成排氣通路 20。在此排氣通路20的入口或途中，安裝有環狀的擋板 22，並且在底部配設排氣口 24。在此排氣口 24經由排氣管26連接排氣裝置28。排氣裝置28是具有真空泵，能夠將室10內的處理空間減壓至預定的真空度。在室10的側壁，安裝有用來開關半導體晶圓W的閘閥3 0。在承受器12，經由整合器34及供電棒36電連接著電漿生成用的高頻電源32。此高頻電源32是將預定的高頻率例如60MHz的高頻電波施加於下部電極也就是承受器12。再者，在室]0的頂部，配設有作爲接地電位的上部電極之後述的噴淋頭38。因此，來自於高頻電源32的高頻電壓是容量性地施加於承受器1 2與噴淋頭3 8之間。在承受器12的上面，配設有用來以靜電吸著力保持半導體晶圓W的靜電夾40。此靜電夾40是將由導電膜所構成的電極40a夾入至一對絕緣膜40b、4〇c間者。在電 (12) (12)1334173 極40a經由開關43電連接著直流電源42。藉由來自於直流電源42的直流電壓’能夠以輝光力來將半導體晶圓W 基著保持於夾上。在承受器]2的內部’配設有例如延伸於圓周方向的冷媒室44。在此冷媒室44’由冷卻器組46經由配管48 、5 0循環供給預定溫度的冷媒例如冷卻水。能夠藉由冷媒的溫度來控制靜電夾4 0上的半導體晶圓W之處理溫度。且’來自於傳熱氣體供給部52的傳熱氣體例如氨氣He 經由氣體供給管5 4供給至靜電夾4 0的上面與半導體晶圓 W的裏面之間。頂部的噴淋頭38是具備：具有多數的氣體通氣孔 56a的下面之電極板56;與可裝卸地支承此電極板56之電極支承體58。在電極支承體58的內部設置緩衝室60，在此緩衝室60的氣體導入口 60a連接有來自於處理氣體供給部62之氣體供給配管64。在室10的周圍，配置延伸成環狀或同心狀的磁鐵66 。在室10內，於噴淋頭38與承受器12之間的空間，藉由高頻電源32來形成垂直方向的RF電場。可藉由高頻波的放電，來在承受器12的表面附近生成高密度的電漿〇爲了控制此電漿蝕刻裝置內的各部例如排氣裝置2 8 、高頻電源32、靜電夾用的開關43、冷卻器組46、傳熱氣體供給部52及處理氣體供給部62等的動作，而配設有控制部6 8。控制部6 8亦與主電腦連接。 -16- (13) (13)1334173 在此電漿蝕刻裝置，進行蝕刻的情況時，進行以下的操作。即，首先將閘閥3 0作成打開狀態，將加工對象的半導體晶圓W搬入室10內’承載於靜電夾40上。然後，以預定的流量及流量比，由處理氣體供給部6 2將蝕刻氣體（一般爲混合氣體）導入至室10內，藉由排氣裝置 28來將室10內的壓力作成設定値。進一步，由高頻電源 32以預定的動力來將高頻電力供給至承受器】2。又’由直流電源42將直流電壓施加於靜電夾4〇的電極40a，而將半導體晶圓W固定於靜電夾40上。由噴淋頭38所噴出的蝕刻氣體是在兩電極I 2 ' 3 8之間以高頻波的放電來加以電漿化，藉由在此電漿所生成的自由基或離子來將半導體晶圓W的主面蝕刻。在此電漿蝕刻裝置，對於承受器（下部電極）1 2施加較以往（一般爲 27MHz以下）更高之頻率區域（ 5 0MHz以上）的高頻波。藉此，在以理想的解離狀態下將電漿高密度化，即使在更低壓的條件下也能夠形成高密度電漿。第2、3及4圖是分別顯示本發明的第1實施形態之承受器構造（承受器12)的平面圖、顯示同構造的部分擴大縱斷面圖、及顯示同構造之凸部的個數密度分布特性的一例之圖。在承受器12的主面（在此實施形態爲承受器1 2的上面也就是電漿生成空間側的面），分散地配設多數個由導電體或半導體所構成的一定尺寸之圓柱形凸部 70。這些的凸部是分別構成用來對於電漿賦予高頻電 -17- (14) (14)1334173 力或高頻電場之小電極。理想是如第4圖所示，以由電極中心部朝電極邊緣部逐漸變大之個數密度分布或面積密度分布來配置於承受器12的主面上。第5圖是示意顯示第1圖所示的電漿蝕刻裝置之高頻放電的構造之圖。如第5圖所示，當來自於高頻電源32 的高頻電波被供給至承受器1 2時，則藉由承受器（下部電極）12與上部電極38之間的高頻放電來在半導體晶圓 W附近生成蝕刻氣體的電漿PZ。所生成的電漿PZ是朝四方特別是朝上方及半徑方向外側擴散。電漿PZ中的電子電流及離子電流是通過噴淋頭3 8及室側壁後流至地面。第6圖是顯示如第1圖所示的電漿蝕刻裝置之流動於高頻電極的主面之高頻電流的方向性之平面圖。在承受器 12，由高頻電源32經由供電棒36施加至承受器裏面或背面之高頻電力是藉由表面效應來傳播於電極表面層》如第 6圖所示，在承受器12的主面上，高頻電流i呈倒放射狀地由邊緣部朝中心部流動。第7圖是顯示第1實施形態之承受器構造之高頻電流的流動與高頻電力（電場）的放射之大致縱斷面圖。如第 7圖所示，在此實施形態，高頻電流i在承受器12的主面上流動於凸部70的表面層。凸部7〇是因朝上部電極38 側也就是電漿PZ側突出’所以以較主面的底面部I 2a更低的阻抗來與電漿PZ電氣結合。因此’受到流動於承受器12的主面之表面層所搬運的高頻電力主要由凸部7〇的頂面朝電漿PZ放出。 (15) (15)1334173 再者，如第3圖所示，在凸部70的周圍（底面部 ]2a )上設置介電質72爲佳。藉此，能夠在承受器的主面上增大凸部70與底面部12a的阻抗比Z12a/Z 7G。即，能夠提高通過凸部7 〇賦予電漿P Z的高頻電力的比率或電力供給率。如此，在本實施形態，在承受器〗2的主面上分散地設置的多數個凸部70分別作爲用來將高頻電力供給至電漿P Z之小電極來發揮功能。藉由選擇該凸部7 0的屬性（形狀、尺寸、間隔、密度等），能夠將小電極的集合體之承受器1 2的高頻電力供給特性設定成期望的特性。例如，如上述（第4圖）所示，能夠作成：使凸部 7 0的個數密度由電極中心部朝電極邊緣部逐漸變大之分布特性。藉此，如第9圖所示，能夠改善：由承受器12 賦予電漿PZ之高頻電力或高頻電場的均等性（特別是電極半徑方向的均等性）。第9圖是顯示在第1實施形態之以電極中心部與變緣部的凸部個數密度的比率作爲參數時的電極半徑方向之電場強度分布特性的圖。在第9圖的例子，將承受器丨2的半徑設爲150 mm，顯示承受器12上的半徑方向之電場強度分布。在此，將電極中心部之凸部70的個數密度nc與電極邊緣部之凸部70的個數密度Ne之比率Ne/Nc變更成1 (倍）、2 (倍）、4 (倍）' 6 (倍）、8 (倍）。越增大比率Ne/Nc，則月可改善電場強度的均等性，進而改善電漿密度的均等性。 -19- (16) (16)1334173 凸部70的其他屬性中特別重要的是尺寸。當凸部7〇的问度過低，更正確是指較表皮深度（skin depth) 5更小時，則在承受器1 2的主面上高頻電流i的一部分或大部分會通過凸部7 0下。因此，該部分會減弱由凸部7 〇供給至電漿P Z的高頻電場。在此，表皮深度ό是流動於導體的表面層的高頻電流之振幅以深度0衰減成We之因素 ’以下述方程式（1 )來賦予。 δ = ( 2 / ω σ μ. ) 1/2 ...... (1) (其中’ w=2 7rf(f:頻率）、σ :導電率、β :透磁率）第8圖是顯示流動於導體的電磁波（高頻電流）的深度方向之衰減特性之特性圖。如第8圖所示，流動於導體的表面層之電磁波（高頻電流）受到表皮效應而在導體的深度方向衰減，在表皮深度<5的3倍深度衰減至大約5% 。因此，藉由將凸部70的高度設定成表皮深度6的3倍以上的高度，能夠使高頻電流i的大部分（大約90 %以上 )流入凸部70，能夠將高頻電力由凸部70朝電漿PZ有效地放出。例如，在以鋁作爲承受器1 2即凸部70的材質，而高頻電源32的頻率作爲10 0MHz的情況時，表皮深度（5爲8μηι。因此，將凸部70的高度設定在24μηι以上即可。凸部70的寬度尺寸，特別是電極半徑方向的寬度尺寸也重要。爲了使高頻電流i充分地流入至凸部70的頂面，而電極半徑方向的寬度尺寸越大越好。此寬度尺寸是 -20- (17) (17)1334173 設定成表皮深度（5的3倍以上’理想爲在頻率1 00MHz時設定在30μηι〜50μΓη的範圍內。凸部7 〇間之距離間隔也能夠選擇在將凸部7 0與底面部1 2a之阻抗比Zi2a/Z7()加以最適當化的値。此間隔是例如在100MHz時，設定在100μιη〜1_的範圍內爲佳。第1 0圖是顯示在第1實施形態之承受器一體地設置靜電夾的結構之部分縱斷面圖。如第圖所示’在承受器12的主面上，更正確而言，是在凸部70即介電質72 上形成靜電夾40的下部絕緣膜40b。在下部絕緣膜40b 上形成電極膜40a，進一步在電極膜40a上形成上部絕緣膜 4 0 c。第11圖是顯示如第10圖之具有靜電夾的承受器構造之凸部與底面部的阻抗比特性的圖。第11圖的橫軸的參數是在承受器12的主面上之凸部70(正確爲凸部頂面）的總面積S7Q與底面部12a的總面積S12a的比率SI2a/S70 。第11圖的縱軸是顯示由凸部70的頂面至電極膜40 a爲止的距離（D1)與承受器底面部12a至電極膜40a爲止的距離（D2 )之比率D2/D1。第11圖的參數値是顯示承受器12的主面上之凸部70的阻抗Z7G與底面部的阻抗Zl2a 之比率Z】2a/Z70。在第10圖所示的積層構造，靜電夾40的下部絕緣膜 4〇b的膜厚D2爲重要的。在其他的條件容許的範圍下相對地縮小此膜厚D1爲佳。如第]]圖所示，越增大D 2/D1 ，則越能增大Z12a/Z7〇。由第1 1圖可得知，此比率D2/D1 -21 - (18) (18)1334173 選擇在2 (倍）以上的値爲佳。又，即使藉由縮小S12a/S7〇的方法也就是提高凸部70 的佔有面積，能夠增大阻抗比Zi2a/Z7G (第]1圖的函數値）。如上所述，越增大阻抗比Z12a/Z7Q，則越能夠提高對於電漿PZ之來自於凸部70的高頻電力供給率。由第 1 1圖可得知.，比率S12a/S7G選擇在4 (倍）以下爲佳。第12A〜12F圖是以工序順序顯示如第1〇圖之具有靜電夾的承受器構造的製造方法的圖。首先，如第1 2 A圖所示，在例如由銘所構成的承受器主體（電極基板）12的主面上，披覆具有對應於凸部 70的開口部74a之例如樹脂製的光罩74。在此光罩74，開口部74a的平面形狀及平面尺寸是規定凸部70的平面形狀及平面尺寸。開口部74a的深度是規定凸部70的高度尺寸（D2-D1:例如150μιη)。其次，如第12Β圖所示，由光罩74上對於承受器主體1 2的主面全體熔融射出凸部7 0的材料例如鋁（Α1 )。藉此’在光罩74的開口部74a內將鋁塡充至光罩上面的高度。其次，由承受器主體12的主面上以例如藥液融化除去光罩74。藉此，如第12C圖所示，在承受器主體12的主面上’預定尺寸的多數個凸部70以預定的分布圖案分散地殘留。其次’如第12D圖所示，在承受器主體！2的主面全體熔融射出介電質材料例如氧化鋁（ai2o3 )。藉此，在 -22- (19) (19)1334173 由凸部70的頂面到達預定的高度（D1 :例如50μηι )之膜厚形成介電質膜（72、40b )。其次’如第12E圖所示，在承受器主體12的主面全體範圍’於介電質膜40b上熔融射出靜電夾40的電極膜 4〇a的材料例如鎢（w )。藉此，形成於預定膜厚（D3 : 例如50μΓη)的電極膜4〇a。其次，如第12F圖所示，於承受器主體12的主面全體’於電極膜40a上熔融射出介電質材料例如氧化鋁。藉此’將靜電夾40上的上部絕緣膜40c形成在預定的膜厚 (D4 :例如 200μηι )。在此實施形態，在承受器主體1 2的主面上能夠以一次的熔融射出工序同時地一體形成用來掩埋凸部70的周圍（覆蓋底面部12a)的介電質膜72與構成靜電夾40的 —部分之下部絕緣膜40b。上述實施形態的承受器12是在主面上形成圓柱狀的凸部70者，但對於凸部70，能夠賦予凸部70任意的形狀。第13圖是顯示第1實施形態之承受器構造的一變形例的圖。在第1 3圖所示的變形例，同心圓狀地配設多數個環狀凸部70。即，即使在第】3圖的承受器構造，在高頻電流由電極邊緣部朝中心部流動之際，高頻電力也有效率地由較底面部12a的阻抗更低之凸部70朝電漿PZ側被放出。凸部的面積密度是作成由電極中心部朝電極邊緣部逐漸變大之分布特性。藉此，能夠改善電極半徑方向之電場強度的均等性，進而達到電漿密度之均等性。 -23- (20) (20)1334173 第14圖是顯示第1實施形態之電極凸部構造適用於上部電極的結構例之縱斷面圖。即，如上述實施形態，在電極的主面分散地設置作爲小電極來發揮功能之多數個凸部7 〇的結構也能夠如第1 4圖所示，適用於對向電極也就是上部電極3 8。在第14圖的構成例，在噴淋頭38的電極板56之主面（下面也就是電漿生成空間側的面）配設凸部70，在凸部70的周圍（底面部56b上）配設介電質膜72。氣體通氣孔56a是能夠將凸部70朝垂直方向貫通而加以配設。若根據該結構的話，上部電極3 8是以來自於電漿PZ之高頻電流爲主，通過凸部7 0來加以接收。因此，即使在上部電極3 8，也能夠藉由適宜選擇凸部70的屬性，使電漿密度的均等性進一步提昇。例如能夠將凸部70的面積密度作成由電極中心部朝電極邊緣部逐漸變大之分布特性〇第I5、16'及17圖是分別顯示本發明的第2實施形態之承受器構造（承受器12)的平面圖、顯示同構造的部分擴大縱斷面圖、及顯示同構造之凹部的個數密度分布特性的一例之圖。在承受器主體12的主面，分散地配設多數個一定尺寸的圓柱形凹部80。這些凹部80是因與對向電極側也就是電漿P Z側相對而凹陷，所以以較主面的頂面部12a更高的阻抗來與電漿pz電氣結合。因此，受到在流動於承受器主體12的主面的表面層之高頻電流i 所搬運的高頻電力是主要由頂面部1 2a朝電漿PZ被放出 -24- (21) 1334173 再者，如第1 6圖所示，在凹部80中配設介電質82 爲佳。藉此，在承受器主體12的主面上能夠增大凹部80 與頂面部12a的阻抗比Z8Q/Zl2a。也就是能夠提高由頂面部1 2a賦予電漿PZ之高頻波電力的比例。如此，在此實施形態，在承受器主體1 2的主面上分散地設置之多數個凹部80分別作爲抑制對於電漿PZ之高頻電力的供給之電極隔離部來發揮功能。能夠藉由適宜選擇該凹部8 0的屬性（形狀、尺寸 '間隔、密度等）將承受器主體12之高頻電力供給特性控制於期望的特性。例如，如第1 7圖所示，能夠將凹部80的個數密度作成由電極中心部朝電極邊緣部逐漸變小之分布特性。藉此，能夠改善由承受器主體12賦予電漿PZ之高頻電力或高頻電場的均等性（特別是半徑方向的均等性），進而改善電漿密度的均等性。凹部80的其他屬性基本上亦可與第 I實施形態之凸部7 0同樣，例如能夠將凹部8 〇的深度及寬度尺寸設定在表皮深度（5的3倍以上之値。第1 8 A〜1 8F圖是以工序順序顯示在第2實施形態之電結構造一體地設置靜電夾的構造之製造方法的圖。首先’如第1 8 A圖所示，在例如由鋁所構成的承受器主體（電極基板）12的主面上，披覆具有對應於凹部 80的開口部84a之例如樹脂製的光罩84。在此光罩84，開口部84a的平面形狀及平面尺寸規定凹部80的平面形狀及平面尺寸。 -25- (22) (22)1334173 其次’如第18B圖所示，藉由噴霧法，由光罩84上朝承受器主體1 2的主面全體噴附固體粒子（例如乾冰粒 )或流體（高壓噴射水）。藉此，物理性地除去光罩84 的開口部84a內之構件（鋁），在該處形成期望的深度之凹部8 0。其次’由承受器主體12的主面上除去光罩84。藉此，如第I8C圖所示，在承受器主體12的主面上，預定尺寸的多數個凹部80以預定的分布圖案分散地殘留。其次’如第18D圖所示，在承受器主體12的主面全體溶射出介電質材料例如氧化鋁（ai2o3 )。藉此，在由承受器頂面部12a達到預定的高度之膜厚形成介電質膜（ 82 ' 40b) » 其次，如第18E圖所示，在承受器主體12的主面全體範圍’於介電質膜40b上熔融射出靜電夾用的電極材料例如鎢（W)。藉此，形成於預定膜厚的電極膜40a。其次’如第18F圖所示，於承受器主體12的主面全體，於電極膜4〇a上熔融射出介電質材料例如氧化鋁。藉此’將靜電夾40上的上部絕緣膜40c形成在預定的膜厚〇在此實施形態，也可在承受器主體12的主面上能夠以一次的熔融射出工序同時地一體形成用來掩埋凹部80 的周圍的介電質膜82與構成靜電夾40的一部分之下部絕緣膜40b 。在此實施形態=雖未圖示，但亦可將在電極的主面上 -26- (23) (23)1334173 分散地設置作爲電極隔離部來發揮功能的多數個凹部8 Ο ，適用於對向電極也就是上部電極3 8 »因此，也能夠作成：在承受器1 2側設置凸部7 0，而在上部電極3 8側設置凹部8 0之結構、或在承受器]2側設置主齒輪軸8，而在上部電極3 8側設置凸部70之結構。第1 9及20圖是分別顯示第3實施形態之下部電極構造及上部電極構造之平面圖。即，第19圖是顯示將第3 實施形態適用於承受器12之構成例。第20圖是顯示將第 3實施形態適用於上部電極3 8 (正確是電極板5 6 )之構成例。在此實施形態，在電極的主面也就是電漿生成空間側 (上部電極38的情況爲下面、承受器12的情況爲上面）配設介電質膜或介電質層90 »電極中心部之介電質膜90 的膜厚是構成··變成較電極邊緣部之介電質膜90的膜厚更大。介電質膜9 0的表面（電漿生成空間側的面）是大致形成相同面。此介電質膜或介電質層90是能夠藉由將由氧化鋁（A12 0 3 )所構成的陶瓷熔融射出至由例如鋁所構成的電極基板來形成。若根據該電極構造，對於電漿PZ’相對地電極中心部側的阻抗大，而電極邊緣部側的阻抗低。因此’電極邊緣部側之高頻電場增強’而電極中心部側的高頻電場減弱。其結果，改善電場強度及電漿密度的均等性。特別是在如第1 9圖的構成例，藉由表皮效應而由電極的裏面側回到主面側之電流是當流入至介電質膜90時，則容易由膜 -27- (24) (24)1334173 厚小的部分（介電質層薄的部分）朝電漿側通過。因此，能夠增強電極邊緣部側之高頻電力的放出與電漿密度。第21圖是顯示第3實施形態之平行平板電極構造的 —例的圖。第22圖是顯示在第21圖的平行平板電極構造，以上部電極中心的膜厚作爲參數的電極間之徑方向的電場強度分布的圖。在介電質膜90的膜厚分布特性中，重要的參數之一是電極中心部的膜厚。如第21圖所示，針對在上部電極38設置圓盤狀的介電質膜90之平行平板電極構造，以上部電極中心部的膜厚D c作爲參數，以模擬來求得電極間的徑方向之電場強度分布。此模擬是設想3 0 0 mm 口徑的半導體晶圓作爲被處理基板。分別設想上部電極3 8爲鋁、介電質膜90爲氧化鋁（ A】203)、下部電極12爲鋁。如第22圖所示，在0.5 mm 〜1 0 mm的範圍內，電極中心部的膜厚越大則越提昇電場強度的面內均等性，8刪〜1 0咖的膜厚特別理想。再者，在第22圖的橫軸上，「0」的位置是顯示電極中心點的位置。又’介電質膜90的膜厚由電極中心部至電源邊緣部減少變化之剖面也重要。第23A〜23D圖是顯示關於第3 實施形態之上部電極的介電質膜的膜厚剖面的更具體之實施例的圖。第24A及24B圖是顯示藉由第23A〜23D圖的實施例及理想剖面所分別獲得的電極間之徑方向的電場強度分布特性的圖。在如第23A圖所示的實施例〔1〕，關於介電質膜90 -28 - (25) 1334173 的膜厚D，在0 (直徑）〇〜3 0 mm設定成D = 9 mm (水就是一定）、在0 30〜160 mm設定成D = 8 mm (水平在0 1 6 0〜2 5 4 mm設定成D = 8〜3 mm (錐形）。在如第圖所示的實施例〔2〕’在0 0〜3 0晒設定成D = 9麵平）、在0 3 0〜8 0咖設定成D = 8 mm (水平）、0 160 mm設定成D = 8〜3 mm (錐形）。在如第23C圖所實施例〔3〕’在0 〇〜3 0 mm設定成D = 9刪（水平） •0 30〜160删設定成D = 8nini (水平）、0 160〜330 定成D = 8〜3 ηιηι (錐形）。在第2 3 D圖，以曲線簡明地顯示上述實施例〔1 〔2〕、〔 3〕的剖面。並且雖省略斷面形狀，但也顯 0 0〜150 mm設定成D = 0.5 mm (水平）之實施例〔4〕面，進一步也顯示理想的剖面。在此，所謂理想的剖指在0 0〜3 Ο Ο ηιηι設定成D = 9〜0 mm (拱型）者。如第24A及24B圖所示，根據理想剖面之電場分布特性具有最優良的面內均等性。在實施例〔1〕、〕、〔3〕、〔 4〕，接近理想剖面之實施例〔1〕及[ 的面內均等性優良。再者，在上部電極38(電極板56)，由於承受於已擴散的電漿PZ之高頻電流，故作成較被處理基口徑更大直徑，而將邊緣部朝半徑方向外側延長爲佳此，亦可在上部電極38的主面，於介電質膜90的周徑方向外側的部分形成例如2 Ο μΐΒ的膜厚之熔融射出膜92。雖省略圖示，在室10的內壁面亦可形成同樣平也 )' 23Β (水 80〜示的、在 mm設 ]' 示在的剖面是強度 (2 ：3 ) 來自板的。在圍或披覆的熔 -29- (26) (26)1334173 融射出披覆膜9 2。能夠使例如A 12 Ο 3、Y 2 〇 3作爲熔融射出披覆膜92。又，介電質膜90及熔融射出披覆膜92之各自的表面也就是曝露於電漿的面是大致形成相同面。第2 5 Α〜2 5 D圖是顯示關於第3實施形態之上部電極的介電質膜的膜厚剖面的更具體之其他實施例的圖。第 26A及26B圖是顯示藉由第25A〜25D圖的實施例及理想剖面所分別獲得的電極間之徑方向的電場強度分布特性的圖。在第25A圖所示的實施例〔5〕，關於介電質膜90 的膜厚’設定成在0 0〜250 mm，D = 5 mm (水平）。在第 25B圖所示的實施例〔6〕，設定成：在好〇〜30 mm，d = 9 mm (水平）；在 0 3 0 〜2 5 0 nin]，D = 8 〜3 mm (水平）。在第25C圖所示的實施例〔7〕，設定成：在0 〇〜30腦， D = 9 nm (水平）；在0 3 0〜2 5 0關，D = 5〜3 mm (錐形）。在第25D圖’以曲線簡明地顯示實施例〔5〕' 〔 6〕、〔7〕之剖面。如第26A及26B圖所示，在這些實施例〔5〕、〔 6 〕、〔7〕中，最接近理想剖面之實施例〔6〕在面內均等性上最優良。又，實施例〔5〕也充分具有實用性。即，如實施例〔6〕所示，即使在介電質膜90的膜厚由電極中心部至電極邊緣部大致呈直線或錐形狀地減少之剖面，也能夠獲得接近拱型之理想剖面的面內均等性。又，如實施例〔5〕所示，即使由電極中心部至電極邊緣部，介電質膜90的膜厚D大致呈—定（水平）之剖面，也可獲得具 -30 - (27) (27)1334173 有實用性的面內均等性。第27 A〜27C圖是顯示關於第3實施形態之上部電極的介電質膜的膜厚剖面的更具體之其他實施例的圖。第 28A及28B圖是顯示藉由第27A〜27C圖的實施例及理想剖面所分別獲得的電極間之徑方向的電場強度分布特性的圖。在第27A圖所示的實施例〔8〕，關於介電質膜90 的膜厚’設疋成在0 〇〜3〇圆，d = 9 mm (水平）；在公 3 0〜2 5 0 mm ’ D = 8〜3 mm (錐形）。在第2 7 B圖所示的實施例〔9〕 ’設定成·在0 0〜3 0刪，D = 5 ηιηι (水平）；在必3 0〜2 5 0刪’ D = 5〜3 _ (錐形）。在第2 7 C圖，以曲線簡明地顯示實施例〔8〕'〔 9〕的剖面。在此，以介電率ε作爲參數，實施例〔8〕分成：介電質膜90的材質爲介電率ε =8.5的氧化鋁（Α12〇3)之實施例〔8〕-Α ;與ε =3.5的氧化矽（Si02 )之實施例〔8 〕-B。又，實施例〔9〕也分成：ε=8.5的氧化鋁（Al2〇3 )之實施例〔9〕-A;與ε=3·5的氧化矽（Si02)之實施例〔9〕-B。如第28A及28B圖所示，ε=8.5的實施例〔8〕-A、〔9〕-Α之間，電極中心部的膜厚Dc大之〔8〕- Α比起〔9〕-A，具有優良電場強度E之面內均等性。ε=3.5的實施例〔8〕-Β ' 〔 9〕-Β之間，電極中心部的膜厚Dc小之〔9〕-B比起〔8〕-B，具有優良電場強度E之面內均等性。第29圖是顯示賦予由第28A及28B圖的資料點所作 -31 - (28) (28)1334173 成的實用上充分之面內均等性之介電質膜90的介電率ε 與電極中心部的膜厚Dc之相關關係的圖。如此圖表所示，對應介電質膜90的介電率ε，設定中心部的膜厚Dc即可 0 第30A及30B圖是針對有機膜蝕刻的蝕刻速度分布特性，對比顯示將第3實施形態適用於上部電極的實施例 A與比較例B之圖。在此，顯示使用實施形態之電漿蝕刻裝置（第1圖）的有機膜蝕刻的蝕刻速度分布特性（X方向、Y方向）。在實施例A，在上部電極38設置第3實施形態之介電質膜90。在比較例B，上部電極3 8不設置介電質膜90。再者，實施例A是相當於上述實施例〔1〕者。主要的蝕刻條件如下述。

晶圓口徑：3 0 0 mm 蝕刻氣體：NH3 氣體流量：245sccm 氣體壓力：30mTorr PF電力：下部=2.4kW 晶圓裏面壓力（中心部/邊緣部）：20/30Torr (氦氣

He ) 溫度（室側壁/上部電極/下部電極）=6 0/6 0/2 0T：由第30A及30B圖可得知，與電場強度分布特性相呼應地，即使在蝕刻速度的面內均等性，實施例A也較比較例優良。 -32 - (29) (29)1334173 第3 1 A及3 1 B圖是對比顯示將第3實施形態適用於下部電極的構造之實施例與比較例之圖。在第31A圖的實施例A，對於口徑3 0 0 mm的半導體晶圓W ’將承受器 12之介電質膜90的膜厚D在電極中心部設爲4 mm '而在電極邊緣部設爲200μηι來加以設置。在第3 1B圖的比較例Β，在承受器12的上面設置一樣膜厚0.5 Dim之介電質膜94。介電質膜90、94的材質均可作成氧化鋁（Al203 )0 第3 2 A及3 2 B圖是針對有機膜蝕刻的蝕刻速度分布特性，對比顯示第3 1 A圖的實施例與第3 1 B圖的比較例之圖。在此，顯示使用實施形態之電漿蝕刻裝置（第1圖 )的有機膜蝕刻的蝕刻速度分布特性（X方向、Y方向）。蝕刻條件與第30A及30B圖者相同。如第32A及32B圖所示，在承受器（下部電極）12 的情況時，實施例A比起比較例B，其蝕刻速度的面內均等性也格外優良。又，在蝕刻速度本身，實施例 A也較比較例B大1 0%。再者，在實施例A，雖將電極中心部之介電質膜90的膜厚D設定在4麵，但即使設定到9麵大小爲止也可獲得相同的效果。第33 A及33B圖是顯示本發明的其他實施形態之上部電極構造的實施例之部分斷面圖。此實施形態是特別適用於在上部電極38設置介電質膜90的結構。如第33A及33B圖所示，在上部電極38的主面上設置覆蓋介電質膜90的一部分（通常爲邊緣部周邊）之導 -33- (30) (30)1334173 電性的密封板l 〇〇。此密封板l ο 〇是由例如表面進行有氧化鋁處理（9 2 )之鋁板所構成，以螺絲】0 2可裝卸也就是能交換地安裝於上部電極38爲佳。在密封板1〇〇的中心部’形成有與介電質膜90同軸且使介電質膜90的至少中心部露出之期望口徑0的開口部1 00a。密封板1 〇〇的板厚是能夠選定在例如5 mm左右。作爲具體例’在第3 3 A圖所示的實施例A，設定成0 = 200 mm，而在第33B圖所示的實施例B，設定成0=150 mm。兩實施例A、B均將介電質膜9 0形成直徑2 5 0 mm的圓盤型，將其膜厚剖面設定成：在0 0〜1 6 0 mm，D = 8 mm (水平）、在分1 6 0〜2 5 0 mm，D = 8〜3 mm (錐形）。第34圖是顯示藉由第33A及33B圖所獲得的電極間之徑方向的電場強度分布特性的圖。如第3 4圖所示，藉由以具有導電性的密封板100覆蓋介電質膜90的一部分，能夠顯著地減低或取消該所覆蓋的區域之介電質膜90 的作用也就是電場強度減低效果。因此，藉由改變密封板 100的開口部100a的口徑0 (藉由密封板100的零件交換），能夠調整兩電極1 2、3 8間之電場強度分布特性。第35A〜35C圖是分別顯示本發明的其他實施形態之上部電極構造的實施例、比較例、及參考例的部分斷面圖。此實施形態也特別適用於在上部電極3 8設置上部電極 3 8之結構。如第35A圖所示，在此實施形態，於上部電極38的主面上，使外側的電極部分f由較介電質膜90更大的徑 -34- (31) (31)1334173 方向位置（口徑ω的位置）朝承受器1 2側或電漿生成空間側僅突出期望的突出量。在此，比起介電質膜90之電極間的間隙Go，電極部分38f之電極間的間隙Gf小。在第35A圖所示的實施例A，在介電質膜90的直徑爲8〇111)]1、膜厚剖面爲在0〇〜6〇111111，〇 = 3刪（水平）、在0 6 0〜8 0 mm ’ D = 3〜1刪（錐形），來設定成ω = 2 6 0 mm。對於介電質膜9 0之電極間的間隙G 〇 = 4 0麵，設定 h=10 mm，而將外側電極突出部38f之電極間的間隙Gf設爲G f= 3 0臟。再者，使外側電極突出部3 8 f的突出階差部傾斜在大約6 (Γ。在傾斜角度可選擇於任意大小。在第35B圖，作爲比較例，顯示在上部電極38不設置突出部3 8 f而設置與實施例A相同徑尺寸與相同膜厚剖面之介電質膜90的結構。又，在第35C圖，作爲參考例 C’顯示在上部電極38均不設置突出部38f及介電質膜 9〇的結構。第35B及3 5C圖的電極間的間隙均在徑方向爲一定，G〇 = 40mm。第36圖是顯示藉由第35 A〜35C圖的實施例、比較例、及參考例所獲得的電極間之徑方向的電場強度分布特性的圖。如第36圖所示，在實施例A，藉由在介電質膜 9〇的徑方向外側設置突出部3 8f，能夠於半導體晶圓W 的邊緣部附近的區域（在圖示的例子，由中心起半徑大約 90 mm〜150麵之區域），在提高電場強度E的方向控制或調整電場強度分布特性。根據此突出部38f之電場強度分布控制的加減量是能夠以突出量h來調整，理想爲作成 -35- (32) (32)1334173 h = 1 0 ram 以上。外側突出部3 8f之突出階差部的位置（口徑ω的値）能夠任意選定。第37Α〜37C圖是分別顯示上部電極構造的其他2個實施例與比較例之部分斷面圖。在弟37Α圖的實施例，設定成ω=35〇唧，在第37Β 圖的實施例，設定成ω=400ιηηι。又，兩實施例a、Β均是介電質膜90的膜厚剖面爲在0 〇〜80 mm，D = 8 _ (水平 )、在0 80〜160 mm，D = 8〜3 mm (錐形）。於介電質膜 90之電極間的間隙Go = 30丨腦，設定突出量h = l〇咖，而將外側電極突出部3 8f之電極間的間隙Gf設爲Gf=2〇晒。又，使外側電極突出部3 8 f的突出階差部傾斜在大約6 〇。〇在第37C圖’作爲比較例C’顯示在上部電極38不設置突出部38f而設置與實施例A、B相同徑尺寸與相同膜厚剖面之介電質膜90的結構。電極間的間隙均在徑方向爲一定 ’ G 〇 = 3 0 mm 〇第38圖是顯示藉由第37A〜37C圖的實施例及比較例所獲得的氧化膜蝕刻的蝕刻速度（規格化値）分布特性的圖。作爲主要的蝕刻條件，使用晶圓口徑爲3 0 0刪、壓力爲15m Torr、處理氣體爲C4F6/Ar/〇2。在第35A及35B 圖的實施例A、B’在上部電極38的主面上，將外側電極突出部38f的突出階差部設置於比起半導體晶圓w的邊緣更接近徑方向外側的結構。在此結構，使突出階差部位置越接近晶圓邊緣（將ω作成越小）則於晶圓邊緣附近的 -36- (33) (33)1334173 區域（在圖示的例子，由中心起半徑大約7 Ο _〜1 5 0匪的區域）使蝕刻速度（也就是電場強度或電漿電子密度）增大的效果變得越大。在參照第3 5 Α〜3 8圖說明過的實施形態，如上所述，作成在上部電極3 8的主面上使徑方向外側的電極部分由介電質膜9 0朝電漿生成空間突出之結構。相反地，如第39A圖所示，也能夠作成：在上部電極38的主面上，使介電質膜90朝電漿生成空間僅突出期望的突出量k之結構。第3 9 A〜3 9 C圖是分別顯示本發明的其他實施形態之上部電極構造的實施例、比較例、及參考例的部分斷面圖。在第3 9A圖的實施例A，介電質膜90的直徑爲250 fflin ’而其膜厚剖面爲在0 〇〜1 6 0 mm，D = 8 ηιηι (水平）、在0 1 6 0〜2 5 0 mn]，D = 8〜3 mm (錐形）。將錐形面9 0 a朝承受器1 2側設定成k = 5隨’而將介電質膜9 0之電極間的間隙Gm設爲Gm = 3 5 mm。比起介電質膜90，徑方向外側的電極部分爲水平面，而電極間的間隙〇〇爲Go = 40麵。在第39B圖’顯示作爲比較例b，在上部電極38不使與實施例A相同膜厚剖面的介電質膜9〇突出而以相反的方向（將錐形面90a朝向裏面側）加以設置的結構。又 ’在第39C圖’顯示作爲參考例c，在上部電極38不設置介電質膜9G的結構。第39b及39c圖的電極間的間隙均在徑方向爲一定，Go = 4〇 mm。第40圖是顯示藉由第39A〜39C圖的實施例 '比較 -37- (34) (34)1334173 例、及參考例所獲得的電極間之徑方向的電場強度分布特性的圖。如第40圖所示，在實施例a，藉由使介電質膜 9 0突出’比起不使介電質膜9 0突出之比較例B，能夠於徑方向的各位置，在增強電場強度E的方向控制或調整電場強度分布特性。根據此突出部3 8 f之電場強度分布控制的加減量是能夠以突出量k來調整，理想爲作成k = 5 η皿以上。第4 1圖是顯示第3 5 A〜3 8圖的實施形態的變形例之上部電極構造的部分斷面圖。如第41圖所示，在上部電極38的主面上’於介電質膜90的徑方向外側設置突出部 3 8f。如此’能夠作成··使介電質膜90的邊緣部連續於外側電極突出部3 8 f，或使介電質膜9 0的邊緣部與外側電極突出部38f —起突出之結構。第42 A〜42D圖是顯示本發明的其他實施形態之上部電極構造的部分斷面圖。如第42A〜42D圖所示，在此實施形態’爲將設在上部電極38的主面之介電質膜90於內部具有空洞1〇4的中空介電質例如中空陶瓷的結構。在此實施形態，在中空介電質90將徑方向中心部側的厚度作爲較邊緣部側的厚度厚之剖面爲佳。空洞104內的介電性流動體NZ是因應其佔有體積，形成介電質90的一部分。作爲如此的介電性流動體NZ，也可使用粉體等，但一般有機溶劑（例如全氟聚醚類液體；Ga]den)爲佳。作爲用來將介電性流動體NZ取出置入到空洞104之埠，例如將複數支的管〗06、] 0 8由電極3 8的裏面側連接 -38- (35) (35)1334173 於空洞1 04不同之處（例如中心部與邊緣部）所爲佳。當在中空介電質90的空涧】置入介電性流動體NZ時，如第42B圖所不’一邊由其中一方的管1〇6導入介電性流動體NZ’ 一邊由另一方的管】08除去空洞〗〇4內的空氣。當減少空洞1 〇4內的介電性流動體NZ之量時，如第 42C圖所示，一邊由其中—方的管106送入空氣，—邊由另一方的管108除去空洞104內的介電性流動體NZ即可〇第43圖是顯示第42A〜42D圖所示的實施形態之具體實施例的部分斷面圖。在此實施例，中空介電質90全體形成直徑210酬的圓盤，厚度爲在0 〇〜60mm，〇 = 6 mm (水平）、在0 6 0〜2 1 0 mm，D = 6〜3 mm (錐形）。中空介電質9 0的空洞1 〇4是厚度α爲2 nun、直徑/3爲1 8 0 _ 〇第44圖是顯示藉由第43圖的實施例所獲得的電極間的徑方向的電場強度分布特性的圖。在第44圖中，ε=ΐ 的分布特性Α是在第42Α圖的狀態也就是將中空介電質 90的空洞1 〇4淨空後以空氣塡滿的狀態下所獲得者。又，ε =2的分布特性B是在第42C圖的狀態也就是在中空介電質90的空洞104塡滿了全氟聚醚類液體的狀態下所獲得者。藉由調整置入於空洞104之全氟聚醚類液體的量，能夠獲得兩特性A、Β間的任意特性。如此，在此實施形態，藉由改變置入於中空介電質 90的空洞]〇4之流動性介電性物質NZ的種類及量，能夠 -39- (36) (36)1334173 可變控制介電質90全體之介電率及介電性阻抗。第45A〜45D圖是顯示第42A〜42D圖的實施形態的變形例之上部電極構造的部分斷面圖。在第4 5 A圖的變形例以陶瓷板91形成介電質9 0 的表面’在內側的空洞]〇4，以上部電極38的母材（鋁 )形成與陶瓷板9 1相對向的壁面。即，其結構爲在上部電極38的主面形成因應介電質90的形狀之凹部38c，以陶瓷板91蓋住此凹部38c。爲了封裝陶瓷板91的外周，而設置例如圓形環等的密封構件1 1 〇爲佳。在此情況時，凹部3 8 c或空洞1 0 4的形狀重要，將中心部側的厚度作成較邊緣部側的厚度厚爲佳。在第45B、C圖的變形例，在中空介電質90內分配於介電性流動體NZ之空間或空洞1 〇4限定或局部化於特定的區域者。例如，如第4 5 B圖所示，在介電質9 0的中心部區域局部化空洞1 0 4的空間。或亦可如第4 3 C圖所示 ’能在徑方向使陶瓷板9 1的厚度改變（由中心部朝邊緣部逐漸變小）而相對地在介電質90的周邊部領域局部化空洞104的空間。如此，藉由在中空介電質90將空洞 1 0 4的空間規定在期望的區域或形狀，能夠使根據介電性流動體NZ之介電率調整功能具有各種的變異。在第45D圖的變形例，將中空介電質90內的空洞 1 0 4分割成複數個室’針對每個室，獨立控制介電性流動體NZ之取出置入或塡充量。例如，如第45圖所示，能夠藉由一體形成於陶瓷板91的環狀隔壁板9〗a，來將空 -40 - (37) (37)1334173 洞1 04分割成中心部側的室1 04 A、周邊部側的室1 04 B。以上，分別說明了本發明的理想的實施形態，但也能夠組合不同實施形態之電極構造。例如’能夠組合上述第 3實施形態或之後的實施形態之具有介電質9 0的電極構造、與上述第1實施形態之具有凸部的電極構造或第 2實施形態之具有凹部80的電極構造。即，能夠達到將第3實施形態或之後的實施形態之電極構造例如如第19圖所示地適用於承受器12，而將上述第]實施形態之電極構造（第2、3圖）或上述第2實施形態之電極構造（第15、16圖）適用於上部電極38之應用。又，也能夠達到將第3實施形態或之後的實施形態之電極構造如第20圖所示地適用於上部電極38，而將上述第1實施形態之電極構造（第2、3圖）或上述第2實施形態之電極構造（第1 5、1 6圖）適用於承受器12之應用〇當然，也可達到將第1、2、3實施形態、或之後的實施形態之電極構造適用於上部電極及下部電極雙方的應用。又，也能夠達到將第1、2 ' 3實施形態、或之後的實施形態之電極構造僅適用於上部電極或下部電極，而在另一方的電極使用以往一般的電極之應用。又，上述實施形態的電漿蝕刻裝置（第1圖）是將電漿生成用的1個高頻電力施壓於承受器〗2之方式。但，雖省略圖示，但本發明能適用於在上部電極3 8側施加電漿生成用高頻電力的方式。又，本發明也可適用於在上部 -41 - (38) (38)1334173 電極38與承受器12分別施加頻率不同的第]及第2高頻電力的方式（上下高頻波施加方式）。又，本發明也可適用於在承受器12重疊施加頻率不同之第1及第2高頻電力（下部2頻率重疊施加方式）等。更廣義而言，本發明是能夠適用於在可減壓的處理容器內具有至少一個電極之電漿處理裝置。進一步，本發明也適用於電漿CVD、電漿氧化、電漿氮化、濺射等之其他電發處理裝置。又，本發明之被處理基板不限於半導體晶圓’能爲平面面板顯示器用的各種基板 '光罩、CD基板或印刷基板等。〔產業上的利用可能性〕若根據本發明的電漿處理裝置或電漿處理裝置用的電極板的話’則可藉由上述的結構及作用，有效率地達到電漿密度的均等化。又，若根據本發明的電極板製造方法的話，能夠有效率地製作：在本發明之電漿處理裝置用的電極板一體地設置靜電夾之構造。【圖式簡單說明】第]圖是顯示本發明的一實施形態之電漿蝕刻裝置的結構之縱斷面圖。第2圖是顯示本發明的第1實施形態之承受器構造的平面圖。 -42- (39) (39)1334173 第3圖是顯示第1實施形態之承受器構造的部分擴大縱大斷面圖。第4圖是顯示第1實施形態之承受器構造的凸部之個數密度分布特性的一例之圖。第5圖是示意顯示第1圖所示的電漿蝕刻裝置之高頻放電的構造之圖。第6圖是顯示如第1圖所示的電漿蝕刻裝置之流動於高頻電極的主面之高頻電流的方向性之平面圖。第7圖是顯示第1實施形態之承受器構造之高頻電流的流動與高頻電力（電場）的放射之大致縱斷面圖。第8圖是顯示流動於導體的電磁波（高頻電流）的深度方向之衰減特性之特性圖。第9圖是顯示在第1實施形態之以電極中心部與變緣部的凸部個數密度的比率作爲參數時的電極半徑方向之電場強度分布特性的圖。第1 〇圖是顯示在第1實施形態之承受器一體地設置靜電夾的結構之部分縱斷面圖。第11圖是顯示如第1〇圖之具有靜電夾的承受器構造之凸部與底面部的阻抗比特性的圖。第12A〜12F圖是以工序順序顯示如第10圖之具有靜電夾的承受器構造的製造方法的圖。第13圖是顯示第1實施形態之承受器構造的一變形例的圖。第14圖是顯示第1實施形態之電極凸部構造適用於 -43- (40) (40)1334173 上部電極的結構例之縱斷面圖。第1 5圖式顯示本發明的第2實施形態之電極構造的平面圖。第16圖是顯示第〗5圖的電極構造之部分擴大縱斷面圖。第17圖是顯示第15圖的電極構造之凹部的個數密度分布特性的一例之圖。第1 8 A〜1 8 F圖是以工序順序顯示在第2實施形態之電結構造一體地設置靜電夾的構造之製造方法的圖。第1 9圖是顯示第3實施形態之下部電極構造的平面圖。第2 0圖是顯示第3實施形態之上部電極構造的平面圖。第21圖是顯示第3實施形態之平行平板電極構造的 —例的圖。第22圖是顯示在第21圖的平行平板電極構造’以上部電極中心的膜厚作爲參數的電極間之徑方向的電場強度分布的圖。第23 A〜23D圖是顯示關於第3實施形態之上部電極的介電質膜的膜厚剖面的更具體之實施例的圖。第24A及24B圖是顯示藉由第23A〜23D圖的實施例及理想剖面所分別獲得的電極間之徑方向的電場強度分布特性的圖。第2 5 A〜2 5 D圖是顯示關於第3實施形態之上部電極 -44 - (41) (41)1334173 的介電質膜的膜厚剖面的更具體之其他實施例的圖。第26A及26B圖是顯示藉由第25A〜25D圖的實施例及理想剖面所分別獲得的電極間之徑方向的電場強度分布特性的圖。第27 A〜27C圖是顯示關於第3實施形態之上部電極的介電質膜的膜厚剖面的更具體之其他實施例的圖。第28A及28B圖是顯示藉由第27A〜27C圖的實施例及理想剖面所分別獲得的電極間之徑方向的電場強度分布特性的圖。第29圖是顯示賦予由第28A及28B圖的資料點所作成的實用上充分之面內均等性之介電質膜的介電率與電極中心部的膜厚之相關關係的圖。第3 Ο A及3 0B圖是針對有機膜蝕刻的蝕刻速度分布特性，對比顯示將第3實施形態適用於上部電極的實施例 A與比較例B之圖。第3]A及3IB圖是對比顯示將第3實施形態適用於下部電極的構造之實施例與比較例之圖。第32A及32B圖是針對有機膜蝕刻的蝕刻速度分布特性，對比顯示第31A圖的實施例與第31B圖的比較例之圖。第33A及33B圖是顯示本發明的其他實施形態之上部電極構造的實施例之部分斷面圖。第34圖是顯示藉由第33A及33B圖所獲得的電極間之徑方向的電場強度分布特性的圖。 -45- (42) (42)1334173 第35A〜35C圖是分別顯示本發明的其他實施形態之上部電極構造的實施例、比較例、及參考例的部分斷面圖〇第36圖是顯示藉由第35A〜35C圖的實施例、比較例、及參考例所獲得的電極間之徑方向的電場強度分布特性的圖。第3 7A〜3 7C圖是分別顯示上部電極構造的其他2個實施例與比較例之部分斷面圖。第38圖是顯示藉由第37A〜37C圖的實施例及比較例所獲得的氧化膜蝕刻的蝕刻速度（規格化値）分布特性的圖。第39A〜39C圖是分別顯示本發明的其他實施形態之上部電極構造的實施例' 比較例、及參考例的部分斷面圖〇第40圖是顯示藉由第39A〜39C圖的實施例、比較例、及參考例所獲得的電極間之徑方向的電場強度分布特性的圖。第41圖是顯示第35A〜38圖的實施形態的變形例之上部電極構造的部分斷面圖。第42A〜42D圖是顯示本發明的其他實施形態之上部電極構造的部分斷面圖。第43圖是顯示第42A〜42D圖所示的實施形態之具體實施例的部分斷面圖。第4 4圖是顯示藉由第4 3圖的實施例所獲得的電極間 -46 - (43) 1334173 的徑方向的電場強度分布特性的圖。第45 A〜45D圖是顯示第42 A〜42D圖的實施形態的變形例之上部電極構造的部分斷面圖。圖號說明 10 室（處理容器） 12 承受器（下部電極） 12a 底面部 12a 頂面部 14 筒狀保持部 16 筒狀支承部 18 聚焦環 20 排氣通路 22 擋板 24 排氣口 26 排氣管 28 排氣裝置 30 閘閥 32 高頻電源 34 整合器 36 供電棒 3 8 噴淋頭 3 8 上部電極 3 8c 凹部

-47- 1334173 (44) 3 8f 外 40 靜 40a 電 40b 下 40c 上 42 直 43 開 44 冷 46 冷 48 配 50 配 52 傳 56 電 56a 氣 5 8 電 60 緩 60a 氣 62 處 64 氣 68 控 70 凸 80 凹 72 介 7 4 光側電極突出部電夾極部絕緣膜部絕緣膜流電源關媒室卻器組管管熱氣體供給部極板體通氣孔極支承體衝室體導入口理氣體供給部體供給配管制部部部電質（介電質罩 (電極部分）

-48 - (45)1334173 74a 開 □ 部 82 介電質 ( 介電質膜 ) 84 光 p^g 84a 開 □ 部 90 介電質膜 (介電質層） 9 1 陶瓷板 9 1a 隔壁板 92 熔融射出披覆膜 100 密封板 1 02 螺絲 1 00a 開 □ 部 104 空洞 1 06 管 108 管 110 密封構件 D 膜厚 h 突出量 i 頻電流 NZ 介電性流動體 PZ 電漿 w 半導體晶圓中空介電質）

-49-

Claims

1334173 售9^^|替換頁拾、申請專利範圍第93 1 02429號專利申請案中文申請專利範圍修正本民國99年6月15日修正 1. 一種電漿處理裝置，是在被處理基板實施電漿處理之電漿處理裝置，其特徵爲：具備：收納前述被處理基板的可減壓之處理容器：配設於前述處理容器內的第1電極；將處理氣體供給至前述處理容器內的供給系統：以及爲了生成前述處理氣體的電漿，而在前述處理容器內形成高頻電場之電場形成系統，在前述第1電極的主面上分散地形成有朝生成前述電漿的空間側突出之多數個凸部，在前述第1電極的主面上，由電極中心部朝電極邊緣部逐漸增大前述凸部的面積密度。 2. —種電漿處理裝置，是在被處理基板實施電漿處理之電漿處理裝置，其特徵爲：具備：收納前述被處理基板的可減壓之處理容器；配設於前述處理容器內的第1電極；將處理氣體供給至前述處理容器內的供給系統；以及爲了生成前述處理氣體的電漿，而在前述處理容器內形成高頻電場之電場形成系統，在前述第1電極的主面上分散地形成有朝生成前述電 1334173 獎的空間側突出之多數個凸部，在前述第1電極的主面上，將前述凸部形成一定的尺寸’而由電極中心部朝電極邊緣部逐漸增大前述凸部的個數密度。 3.如申請專利範圍第1或2項之電漿處理裝置，其中由與前述第1電極的前述主面相反側之裏面供給用來生成前述電漿的高頻電力0 φ 4.如申請專利範圍第1或2項之電漿處理裝置，其中在前述處理容器內更具備有與前述第1電極平行相對之第 2電極，由與前述第2電極的前述主面相反側之裏面供給用來生成前述電漿的高頻電力。 5 ·如申請專利範圍第1或2項之電漿處理裝置，其中 ' 在前述第1電極的主面上，將前述凸部的高度及電極徑方向的寬度作成以下述（1)方程式所示的表皮深度（skin φ depth ) ό之3倍以上 δ = ( 2/ ω σ β ) 1/2 ...... ( 1 ) (其中’ 6j=2 7rf(f:頻率）、σ :導電率、# :透磁率）。 6·如申請專利範圍第！或2項之電漿處理裝置，其中將前述凸部形成圓柱狀。 7. 如申請專利範圍第〖或2項之電漿處理裝置，其中將前述凸部分別形成環狀，其全體配置成同心圓狀。 8. 如申請專利範圍第1或2項之電漿處理裝置，其中 1334173 #· iff正辇換頁在前述第1電極的主面上，於至少前述凸部以外的部分上設置介電質。 9. 一種電漿處理裝置，是在被處理基板實施電漿處理之電漿處理裝置，其特徵爲：具備：收納前述被處理基板的可減壓之處理容器；配設於前述處理容器內的第1電極；將處理氣體供給至前述處理容器內的供給系統；以及爲了生成前述處理氣體的電漿，而在前述處理容器內形成高頻電場之電場形成系統，在前述第1電極的主面上分散地形成有與生成前述電漿的空間側相對而凹陷之多數個凹部，在前述第1電極的主面上，由電極中心部朝電極邊緣部逐漸減小前述凹部的面積密度。 10. —種電漿處理裝置，是在被處理基板實施電漿處理之電漿處理裝置，其特徵爲：具備：收納前述被處理基板的可減壓之處理容器；配設於前述處理容器內的第1電極；將處理氣體供給至前述處理容器內的供給系統；以及爲了生成前述處理氣體的電漿，而在前述處理容器內形成高頻電場之電場形成系統，在前述第1電極的主面上分散地形成有與生成前述電漿的空間側相對而凹陷之多數個凹部，在前述第1電極的主面上，將前述凹部形成一定的尺寸’而由電極中心部朝電極邊緣部逐漸減小前述凹部的個 -3- 1334173 數密度。 11.如申請專利範圍第9或10項之電漿處理裝置，其中由與前述第1電極的前述主面相反側之裏面供給用來生成前述電漿的高頻電力。 f 12·如申請專利範圍第9或1〇項之電漿處理裝置，其中在前述處理容器內更具備有與前述第丨電極平行相對之第2電極， φ 由與前述第2電極的前述主面相反側之裏面供給用來生成前述電漿的高頻電力。 1 3 ·如申請專利範圍第9或1 0項之電漿處理裝置，其中在前述第1電極的主面上，將前述凹部的深度及電極徑方向的寬度作成以下述（1)方程式所示的表皮深度（ skin depth) d之3倍以上 — (2/(i) Q fJi ) I" ...... (1) (其中，6J=2 7rf(f:頻率）、σ :導電率、/2 :透 φ 磁率）。 1 4 .如申請專利範圍第9或1 0項之電漿處理裝置，其中將前述凹部形成圓柱狀。 1 5 .如申請專利範圍第9或1 0項之電漿處理裝置，其中在前述第1電極的主面上，於至少前述凹部中設置介電質。 16.—種電漿處理裝置，是在被處理基板賓施電漿處理之電漿處理裝置，其特徵爲：具備：收納前述被處理基板的可減壓之處理容器； -4- 1334173 配設於前述處理容器內的第1電極；將處理氣體供給至前述處理容器內的供給系統；以及爲了生成前述處理氣體的電漿，而在前述處理容器內形成高頻電場之電場形成系統，在前述第1電極的主面配設介電質，前述第1電極的中心部側之前述介電質的厚度較電極邊緣部側之前述介電質的厚度更大，則述第1電極之則述介電質的厚度，在包含電極中心部之第1直徑的內側大致呈一定。 17. 如申請專利範圍第16項之電漿處理裝置，其中由與前述第1電極的前述主面相反側之裏面供給用來生成前述電漿的高頻電力。 18. 如申請專利範圍第16項之電漿處理裝置，其中在前述處理容器內更具備有與前述第1電極平行相對之第2 電極，由與前述第2電極的前述主面相反側之裏面供給用來生成前述電漿的高頻電力。 19. 如申請專利範圍第16項之電漿處理裝置，其中前述第1電極之前述介電質的厚度，由電極中心部朝電極邊緣部逐漸變小。 20. 如申請專利範圍第16項之電漿處理裝置，其中前述第1電極之前述介電質的厚度’在前述第1直徑的外側具有朝電極邊緣部減少成錐形狀之部分。 21. 如申請專利範圍第16項之電漿處理裝置，其中前 -5- 1334173 述第1電極之前述介電質的厚度，在前述第1直徑的外側，於較前述第1直徑更大的第2直徑的內側大致呈一定。 22. 如申請專利範圍第21項之電漿處理裝置，其中前述第1電極之前述介電質的厚度，在前述第2直徑的外側具有朝電極邊緣部減少成錐形狀之部分。 23. 如申請專利範圍第16項之電發處理裝置，其中前述第1電極之前述介電質的厚度，在與前述被處理基板的 φ 邊緣部相對向的位置附近形成最小。 2 4.如申請專利範圍第16項之電漿處理裝置，其中將前述介電質的電極中心部之厚度設定在因應前述介電質的介電率的値。 25. 如申請專利範圍第16項之電漿處理裝置，其中在前述第1電極的主面上進一步具備有覆蓋前述介電質的一 * 部分之導電性密封構件。 26. 如申請專利範圍第25項之電漿處理裝置，其中前 φ 述密封構件具有使前述介電質的至少中心部露出之期望口徑的開口部。 2 7.如申請專利範圍第26項之電漿處理裝置，其中前述密封構件可裝卸地安裝於前述第1電極。 28. 如申請專利範圍第16項之電漿處理裝置，其中在前述第1電極的主面上，由在較前述介電質的外周邊緣更接近徑方向外側遠離期望的距離，使外側的電極部分朝生成前述電漿的空間僅突出期望的突出量。 29. 如申請專利範圍第16項之電漿處理裝置，其中在 -6- 1334173 滅ii曰g正替換頁前述第1電極的主面上，使前述介電質朝前述生成前述電漿的空間僅突出期望的突出量。 30. 如申請專利範圍第16項之電漿處理裝置，其中在前述第1電極的主面，於前述介電質的內部設置空洞，在前述空洞中置入流動性之介電性物質。 31. 如申請專利範圍第30項之電漿處理裝置，其中在前述第1電極之至少2處所設置用來將前述介電性物質取出置入於前述空洞中之埠。 3 2 .如申請專利範圍第3 0項之電漿處理裝置，其中前述介電性物質爲有機溶劑。 3 3 ·如申請專利範圍第3 0項之電漿處理裝置，其中在前述第1電極的主面，前述介電質的至少表面是以固體構成。 3 4.如申請專利範圍第21項之電漿處理裝置，其中，前述第1直徑爲前述處理基板的口徑的1Π0以上。 35. —種電極板，是在高頻放電方式的電漿處理裝置，爲了生成電漿而配設在處理容器內之電極板，其特徵爲 :在與電漿相對向的主面分散地形成有多數個凸部，在與電漿相對向的主面上，由電極中心部朝電極邊緣部逐漸增大前述凸部的面積密度。 36. —種電極板，是在高頻放電方式的電漿處理裝置，爲了生成電漿而配設在處理容器內之電極板，其特徵爲 :在與電漿相對向的主面分散地形成有多數個凸部，在與電漿相對向的主面上，將前述凸部形成一定的尺 1334173 %Φ. iWm\ ^ 寸，而由電極中心部朝電極邊緣部逐漸增大前述凸部的個 .! 數密度。 37. —種電極板製造方法，是用來製造如申請專利範圍第35或36項之電極板的電極板製造方法，其特徵爲：具備：在電極本體的主面披覆具有與前述凸部對應的開口部之光罩的工序；由前述光罩上朝前述電極本體的主面上熔融射出導電性金屬或半導體，來在前述開口部內形成前述凸部的工序 :及由前述電極本體的主面上除去前述光罩的工序。 38. —種電極板，是在高頻放電方式的電漿處理裝置，爲了生成電漿而配設在處理容器內之電極板’其特徵爲 :在與電漿相對向的主面分散地形成有多數個凹部’ 在前述主面上，由電極中心部朝電極邊緣部逐漸減小前述凹部的面積密度。 39. —種電極板，是在高頻放電方式的電漿處理裝置，爲了生成電漿而配設在處理容器內之電極板’其特徵爲 :在與電漿相對向的主面分散地形成有多數個凹部’ 在前述主面上，將前述凹部形成一定的尺寸’而由電極中心部朝電極邊緣部逐漸減小前述凹部的個數密度。 4 0.—種電極板製造方法，是用來製造如申請專利範圍第38或39項之電極板的電極板製造方法’其特徵爲：具備：在電極本體的主面披覆具有與前述凹部對應的開口部之光罩的工序； -8 - 1334173 成“钱正替換頁丨由前述$:罩上朝前述電極本體的主面上噴出固體粒子或液體’物理性地除去前述電極基板的前述開口內的部分後形成前述凹部的工序；及由前述電極基.板的主面上除去前述光罩的工序。 41. 如申請專利範圍第37或40項之電極板製造方法 ’其中進一步具備··在除去前述光罩後的前述電極基板的主面上熔融射出介電質來形成第丨介電質膜的工序^ 42. 如申請專利範圍第41項之電極板製造方法，其中進一步具備：將前述第1介電質模型成覆蓋前述電極板的主面全體之厚度後，在前述第1介電質膜上熔融射出電極材料來形成靜電夾用的電極膜之工序；及然後’在前述電極膜上熔融射出介電質來形成第2介電質膜之工序。 43. —種電極板，是在高頻放電方式的電漿處理裝置 ’爲了生成電漿而配設在處理容器內之電極板，其特徵爲 :在與電漿相對向的主面配設介電質，前述第1電極的中心部側之前述介電質的厚度較電極邊緣部側之前述介電質的厚度更大，前述第1電極之前述介電質的厚度，在包含電極中心部之第1直徑的內側大致呈一定。